WO2022219904A1 - コネクタ用オスピン及びコネクタ用オスピンの製造方法 - Google Patents
コネクタ用オスピン及びコネクタ用オスピンの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- WO2022219904A1 WO2022219904A1 PCT/JP2022/005354 JP2022005354W WO2022219904A1 WO 2022219904 A1 WO2022219904 A1 WO 2022219904A1 JP 2022005354 W JP2022005354 W JP 2022005354W WO 2022219904 A1 WO2022219904 A1 WO 2022219904A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- region
- plating
- pin
- connector
- female pin
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 76
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 318
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 29
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 93
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 49
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 45
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 43
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 41
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 41
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 27
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 23
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000003780 insertion Methods 0.000 abstract description 25
- 230000037431 insertion Effects 0.000 abstract description 25
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 86
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 38
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 37
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 16
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 16
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 15
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 14
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 10
- IIACRCGMVDHOTQ-UHFFFAOYSA-M sulfamate Chemical compound NS([O-])(=O)=O IIACRCGMVDHOTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 10
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 229910017755 Cu-Sn Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910017927 Cu—Sn Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018100 Ni-Sn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018532 Ni—Sn Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 2
- 238000002290 gas chromatography-mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 2
- CVHZOJJKTDOEJC-UHFFFAOYSA-N saccharin Chemical compound C1=CC=C2C(=O)NS(=O)(=O)C2=C1 CVHZOJJKTDOEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940081974 saccharin Drugs 0.000 description 2
- 235000019204 saccharin Nutrition 0.000 description 2
- 239000000901 saccharin and its Na,K and Ca salt Substances 0.000 description 2
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940044175 cobalt sulfate Drugs 0.000 description 1
- 229910000361 cobalt sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L cobalt(2+) sulfate Chemical compound [Co+2].[O-]S([O-])(=O)=O KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 150000003014 phosphoric acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- -1 thiol compounds Chemical class 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
- C25D5/12—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals at least one layer being of nickel or chromium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/48—After-treatment of electroplated surfaces
- C25D5/50—After-treatment of electroplated surfaces by heat-treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
- H01R13/02—Contact members
- H01R13/03—Contact members characterised by the material, e.g. plating, or coating materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R43/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing, assembling, maintaining, or repairing of line connectors or current collectors or for joining electric conductors
- H01R43/16—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing, assembling, maintaining, or repairing of line connectors or current collectors or for joining electric conductors for manufacturing contact members, e.g. by punching and by bending
Definitions
- the present invention relates to a connector male pin and a method for manufacturing a connector male pin.
- Connectors which are connecting parts for consumer and vehicle-mounted electronic devices, use materials obtained by plating the surface of brass or phosphor bronze with Ni or Cu underplating, and then further plating it with Sn or Sn alloy. .
- Sn or Sn alloy plating is required to reduce the insertion force when fitting a male terminal and a female terminal formed by pressing a plated material.
- a surface plating layer consisting of a Ni layer, a Cu—Sn alloy layer and a Sn layer is formed in this order on the surface of a base material made of Cu or a Cu alloy, and the thickness of the Ni layer is 0.1 to 0.1.
- the thickness of the Cu—Sn alloy layer is 0.1 to 1.0 ⁇ m
- the Cu concentration is 35 to 75 at %
- the thickness of the Sn layer is 2.0 ⁇ m or less
- 0.001 to 0.1 A conductive material for connecting parts containing mass percent carbon is disclosed. Further, according to such a configuration, it is described that low contact resistance can be maintained even after a long period of time in a high-temperature atmosphere.
- Patent Document 2 the base material is plated, then the first layer of Sn plating is applied, and further In plating having an average thickness of 1/2 or less of the first layer is applied thereon, followed by reflowing. It is described that a Sn--In alloy plating with a good appearance can be obtained.
- the maximum insertion force of the terminal is generated when the contact portion of the female terminal crosses the boundary between the inclined portion and the flat portion of the tip of the male terminal.
- plating that imparts a low coefficient of friction or to improve the shape of the terminal.
- Three-layer plating known as Sn-based plating that provides a low coefficient of friction, has a structure in which a hard Cu--Sn layer holds the load applied to the sliding portion when the terminal is fitted and keeps the insertion force low.
- Sn-based plating Three-layer plating, known as Sn-based plating that provides a low coefficient of friction
- the surface layer is pure Sn, friction occurs by the same mechanism as reflow Sn.
- various plating structures have been conventionally known, but each has problems.
- the insertion force is further reduced, but there is concern that the contact resistance may be deteriorated due to the formation of Cu oxide on the surface. This applies not only to Cu, but also to alloys of oxidizing metals and Sn.
- the present invention has been made to solve the above problems, and provides a male pin for a connector having a low insertion force (frictional force) into the female pin and good contact resistance with the female pin, and a method for manufacturing the male pin for the connector.
- the task is to provide
- the present inventors found that a first region including the boundary between the inclined portion and the flat portion of the male pin and a second region electrically contacting the female pin in the state of being fitted to the female pin. It was found that the above problem can be solved by distinguishing between and coating with different platings to give predetermined characteristics to the first region and the second region, respectively.
- a method of manufacturing a male pin for a connector comprising: (7) A method for manufacturing a connector male pin plated on a base material made of copper or a copper alloy, comprising an inclined portion inserted into a female pin and a flat portion connected to the inclined portion, the method comprising: A step 1 of performing base plating on a first region including the boundary between the inclined portion and the flat portion and a second region electrically contacting the female pin in a state where the female pin is engaged with the female pin.
- a method of manufacturing a male pin for a connector comprising: (8) A method for manufacturing a connector male pin plated on a base material made of copper or a copper alloy, comprising an inclined portion to be inserted into the female pin and a flat portion connected to the inclined portion, comprising: A step 1 of performing base plating on a first region including the boundary between the inclined portion and the flat portion and a second region electrically contacting the female pin in a state where the female pin is engaged with the female pin.
- a method of manufacturing a male pin for a connector comprising: (9) A method for manufacturing a connector male pin plated on a base material made of copper or a copper alloy, comprising an inclined portion to be inserted into the female pin and a flat portion connected to the inclined portion, the method comprising: A step 1 of performing base plating on a first region including the boundary between the inclined portion and the flat portion and a second region electrically contacting the female pin in a state where the female pin is engaged with the female pin.
- a method of manufacturing a male pin for a connector comprising: (10) A method for manufacturing a connector male pin plated on a base material made of copper or a copper alloy, comprising an inclined portion inserted into a female pin and a flat portion connected to the inclined portion, the method comprising: A step 1 of performing base plating on a first region including the boundary between the inclined portion and the flat portion and a second region electrically contacting the female pin in a state where the female pin is engaged with the female pin.
- a step 2 of plating the first region and the second region with one or more of Sn, Au, Pd and Ag When, a step 2 of plating the first region and the second region with one or more of Sn, Au, Pd and Ag; Step 3 of performing In plating or In alloy plating on the plating surface containing one or more of Sn, Au, Pd and Ag in the first region; Step 4 of performing a reflow treatment on the plating containing one or more of Sn, Au, Pd and Ag in the second region;
- a method of manufacturing a male pin for a connector comprising: (11) A method for manufacturing a connector male pin plated on a base material made of copper or a copper alloy, the method comprising a slanted portion inserted into a female pin and a flat portion connected to the slanted portion, comprising: A step 1 of performing base plating on a first region including the boundary between the inclined portion and the flat portion and a second region electrically contacting the female pin in a state where the female pin is
- Step 2 of performing a first plating containing one or more of Sn, Au, Pd and Ag on the first region A step 3 of performing a second plating containing one or more of Sn, Au, Pd and Ag having a thickness larger than that of the first plating on the second region; a step 4 of performing a reflow treatment on the first plating of the first region and the second plating of the second region; Step 5 of applying an oil coating treatment to the first region;
- a method of manufacturing a male pin for a connector comprising:
- FIG. 1 is a schematic external view of a connector male pin and a connector female pin to be fitted according to an embodiment of the present invention.
- 1 is a schematic top view of a connector male pin according to an embodiment of the present invention;
- FIG. 1 is a layered structure of a connector male pin manufactured by "manufacturing method 1" according to an embodiment of the present invention.
- 3 is a layer structure of a connector male pin manufactured by "manufacturing method 2" or “manufacturing method 5" according to an embodiment of the present invention.
- 3 is a layered structure of a connector male pin manufactured by "manufacturing method 3" according to an embodiment of the present invention.
- FIG. (A) is an appearance observation photograph according to Example 2.
- FIG. (B) is an SEM image measured in the region including the boundary between the first region (Ni) and the second region (Sn) indicated in the direction of the arrow in (A).
- (A) is a cross-sectional TEM image of the first region of Example 6.
- FIG. (B) is a graph of each element concentration in the depth direction by line analysis according to the first region of Example 6.
- FIG. (A) is a cross-sectional TEM image of the first region of Example 10.
- FIG. (B) is a graph of each element concentration in the depth direction by line analysis according to the first region of Example 10;
- (A) is a cross-sectional TEM image of the second region of Example 10.
- FIG. (B) is a graph of each element concentration in the depth direction by line analysis according to the second region of Example 10;
- (A) is a cross-sectional TEM image of the first region of Example 11;
- (B) is a graph of each element concentration in the depth direction by line analysis according to the first region of Example 11;
- A) is a cross-sectional TEM image of the second region of Example 11;
- (B) is a graph of each element concentration in the depth direction by line analysis according to the second region of Example 11;
- (A) is a cross-sectional TEM image of the first region of Example 12;
- (B) is a graph of each element concentration in the depth direction by line analysis according to the first region of Example 12;
- (A) is a cross-sectional TEM image according to
- a connector male pin according to an embodiment of the present invention comprises a base material made of copper or a copper alloy and a plating layer formed on the surface of the base material.
- a base layer made of Ni or a Ni alloy is formed on the surface of the base material of the connector male pin, and a predetermined plated layer is formed on a predetermined portion as described later.
- the shape of the connector male pin according to the embodiment of the present invention is not particularly limited as long as it has an inclined portion and a flat portion, which will be described later.
- FIG. 1 shows, as an example, a schematic external view of a connector male pin 10 and a connector female pin 20 to be fitted according to an embodiment of the present invention.
- the connector male pin 10 includes an inclined portion 11 to be inserted into the connector female pin 20 and a flat portion 12 connected to the inclined portion 11 .
- the male pin 10 for connector shown in FIG. Four side surfaces of the quadrangular prism each have a flat portion 12 .
- the connector male pin 10 may be cylindrical, or may be formed in the shape of a polygonal prism such as a triangular prism or a pentagonal prism.
- the angle of the inclined portion 11 is not particularly limited, and can be appropriately designed in relation to the connector female pin 20 to be fitted.
- the connector male pin 10 has a first region 14 including a boundary 13 between the inclined portion 11 and the inclined portion 11 and the flat portion 12, and the connector female pin 20 in a state of being fitted with the female pin and the electrical connection.
- the second regions 15 in direct contact with each other are coated with different platings.
- the first region 14 corresponds to a portion that is inserted first when the connector male pin 10 is fitted to the connector female pin 20, includes an inclined portion 11, and further includes a boundary 13 between the inclined portion 11 and the flat portion 12. is a region containing The first region 14 may extend from the inclined portion 11 to the boundary 13, or may be a region slightly extending from the boundary 13 to the flat portion 12 as shown in FIG.
- the second region 15 corresponds to a region that is in electrical contact with the connector female pin 20 in a state of being fitted thereto, and as shown in FIG.
- the length of the area can be appropriately adjusted according to the size of the connector female pin 20 .
- the size of the connector male pin 10 is not particularly limited, and can be appropriately adjusted in relation to the connector female pin 20.
- the length of the first region 14 in the axial direction of the connector female pin 20 can be designed to be, for example, about 1.5 to 3 mm from the tip, and the length of the second region can be designed to be 2 mm or more from the boundary with the first region. can.
- the connector male pin 10 has the first region 14 that is first inserted into the connector female pin 20 and the second region 15 that is in electrical contact with the connector female pin 20 in a state of being fitted into the connector female pin 20 . are coated with different platings, so that different parts have different characteristics, as shown in Embodiments 1 and 2 below.
- the hardness of the first region 14 is higher than that of the second region 15 . According to such a configuration, since the hardness of the first region 14 that is inserted into the female connector pin 20 first is higher than the hardness of the second region 15, the insertion force of the male connector pin 10 can be suppressed. It is necessary that the hardness of the first region 14 is relatively higher than the hardness of the second region 15, and the hardness standard is not particularly limited. , the Vickers hardness of the second region 15 can be less than the Vickers hardness of the first region 14 and less than Hv100.
- the first region 14 may be coated with at least one of Ni, Sn alloy, Co, Zn, Fe, Au, W, Ti, Ag, Bi, Zn and Cr. According to such a configuration, since Ni, Sn alloy, Co, Zn, Fe, Au, W, Ti, Ag, Bi, Zn, and Cr are metals with high hardness, the hardness of the first region 14 is improved. be able to.
- the contact resistance of the second region 15 is lower than the contact resistance of the first region 14 .
- the second region 15 electrically contacts the connector female pin 20 in a state of being fitted to the female pin. becomes relatively high. It is preferable that the contact resistance of the second region 15 is small from the viewpoint of obtaining good electrical conductivity. Moreover, if the contact resistance is too large, there is a possibility that a problem of poor conduction may occur. From this point of view, the contact resistance of the second region 15 is preferably 5 m ⁇ or less, more preferably 3 m ⁇ or less.
- At least the first region 14 of the connector male pin 10 according to Embodiment 1 of the present invention is coated with oil.
- oil those generally used as contact oils such as phosphate esters, paraffins and thiol compounds can be used.
- the oil covering at least the first region 14 constitutes a very thin layer with a thickness of 10 nm or less.
- the reason why the first region of the male pin is coated with oil is that the first region of the male pin is dissolved in an organic solvent (suitable solvent such as acetone), and the eluted component is analyzed by GC-MS (gas chromatography mass spectrometry). This can be verified by calling
- the first region and the second region which are different parts, have different characteristics. Both force and contact resistance can be achieved, and the insertion force (frictional force) to the connector female pin 20 is low, and the contact resistance with the female pin is good.
- the first region 14 is coated with In or an In alloy. According to such a configuration, since the first region 14 is covered with In or an In alloy, which is a metal having a self-lubricating effect, the insertion force of the first region 14 can be suppressed.
- the contact resistance of the second region 15 is lower than the contact resistance of the first region. According to such a configuration, since the contact resistance of the second region 15 is lower than the contact resistance of the first region 14, the second region 15 electrically contacts the connector female pin 20 in a state of being fitted to the female pin. becomes relatively high.
- the first region and the second region which are different parts, have different characteristics. Both force and contact resistance can be achieved, and the insertion force (frictional force) to the connector female pin 20 is low, and the contact resistance with the female pin is good.
- the second region 15 may be coated with one or more of Sn, Au, Pd and Ag. According to such a configuration, the contact resistance of the second region 15 that is in electrical contact with the female pin 20 in a state of being fitted to the connector female pin 20 is reduced, and the electrical conductivity is improved. Also, the solder wettability of the second region 15 is improved.
- the male pin 10 for connector according to the embodiment of the present invention preferably has a contact resistance of 10 m ⁇ or less in the second region after heating at 160° C. for 120 hours. With such a configuration, it is possible to suppress an increase in contact resistance due to long-term use (energization) of the connector male pin 10, thereby improving the durability of the product.
- the connector male pin 10 can be manufactured by the following five manufacturing methods shown in "manufacturing method 1" to "manufacturing method 5".
- the outermost layer of the first region is Ni, Co, In, or an alloy thereof, and the outermost layer of the second region is Sn. is not limited to this.
- a (male pin) substrate made of copper or a copper alloy is prepared, which has an inclined portion to be inserted into the female pin and a flat portion connected to the inclined portion.
- the surface of the substrate is pretreated by degreasing and pickling.
- the first region including the boundary between the sloped portion and the flat portion and the second region that is in electrical contact with the female pin in a state of being fitted with the female pin are subjected to underplating by Ni or Ni. forming an alloy layer;
- the below-described Sn plating may be performed after forming the intermediate layer plating by Cu plating or the like, or the below-described Sn plating may be performed without forming the intermediate layer plating.
- the intermediate layer plating is formed to suppress the diffusion of metal such as Ni in the underlying plating to the upper layer.
- Wet (electrical, electroless) plating can be used as the intermediate layer plating.
- dry (sputtering, ion plating, etc.) plating or the like may be used.
- Sn plating is applied to the first region and the second region.
- Wet (electrical, electroless) plating can be used as the Sn plating.
- dry (sputtering, ion plating, etc.) plating or the like may be used.
- the Sn plating may be plating containing one or more of Sn, Au, Pd and Ag.
- the Sn plating on the first region is peeled off.
- the method for stripping the Sn plating is not particularly limited, but for example, the Sn plating on the surface layer can be stripped by immersing only the first region in a stripping solution (eg, SPF-11 manufactured by Ishihara Chemical Co., Ltd.). .
- a stripping solution eg, SPF-11 manufactured by Ishihara Chemical Co., Ltd.
- the intermediate layer plating of the first region may be peeled off at the same time.
- reflow treatment heat treatment
- the first region may also be reflowed at the same time, that is, the entire plating material may be reflowed.
- the thickness and composition of the surface layer are determined by adjusting the reflow conditions, that is, the heating temperature and heating time.
- the reflow conditions may be, for example, a maximum temperature of 160 to 300° C. and a heating time of 8 to 20 seconds from room temperature to the final temperature.
- FIG. 3 shows the layer structure of the connector male pin manufactured by the method described in the above "manufacturing method 1".
- Manufacturing method 2 Peel off the plating of the first region after reflow
- a base material made of copper or a copper alloy having an inclined portion to be inserted into a female pin and a flat portion connected to the inclined portion is prepared. to form a Ni or Ni alloy layer. Further, intermediate layer plating may be performed in the same manner as in manufacturing method 1.
- Sn plating is applied to the first region and the second region.
- Wet (electrical, electroless) plating can be used as the Sn plating.
- dry (sputtering, ion plating, etc.) plating or the like may be used.
- the Sn plating may be plating containing one or more of Sn, Au, Pd and Ag.
- reflow treatment heat treatment
- the thickness and composition of the surface layer are determined by adjusting the reflow conditions, that is, the heating temperature and heating time.
- the reflow conditions can be the same as in manufacturing method 1.
- the Sn plating on the first region is peeled off.
- the method for stripping the Sn plating is not particularly limited, but for example, the Sn plating on the surface layer can be stripped by immersing only the first region in a stripping solution (eg, SPF-11 manufactured by Ishihara Chemical Co., Ltd.). .
- a stripping solution eg, SPF-11 manufactured by Ishihara Chemical Co., Ltd.
- the intermediate layer plating of the first region may be peeled off at the same time.
- FIG. 4 shows the layer structure of the connector male pin manufactured by the method described in the above "manufacturing method 2".
- Sn plating is applied to the second region so as to exclude the first region.
- Wet (electrical, electroless) plating can be used as the Sn plating.
- dry (sputtering, ion plating, etc.) plating or the like may be used.
- the Sn plating may be plating containing one or more of Sn, Au, Pd and Ag.
- reflow treatment heat treatment
- the first region may also be reflow-processed at the same time.
- the thickness and composition of the surface layer are determined by adjusting the reflow conditions, that is, the heating temperature and heating time.
- the reflow conditions can be the same as in manufacturing method 1.
- FIG. 5 shows the layer structure of the connector male pin manufactured by the method described in the above "manufacturing method 3".
- Manufacturing method 4 post-plating on the first region
- a base material made of copper or a copper alloy having an inclined portion to be inserted into a female pin and a flat portion connected to the inclined portion is prepared. to form a Ni or Ni alloy layer. Further, intermediate layer plating may be performed in the same manner as in manufacturing method 1.
- Sn plating is applied to the first region and the second region.
- Wet (electrical, electroless) plating can be used as the Sn plating.
- dry (sputtering, ion plating, etc.) plating or the like may be used.
- the Sn plating may be plating containing one or more of Sn, Au, Pd and Ag.
- Ni plating, Co plating, In plating, or In alloy plating is applied to the Sn-plated surface of the first region.
- Ni plating, Co plating, In plating, and In alloy plating wet (electrical or electroless) plating can be used.
- dry (sputtering, ion plating, etc.) plating or the like may be used.
- reflow treatment heat treatment
- the first region may also be reflow-processed at the same time.
- the thickness and composition of the surface layer are determined by adjusting the reflow conditions, that is, the heating temperature and heating time.
- the reflow conditions can be the same as in manufacturing method 1.
- FIG. 6 shows the layer structure of the connector male pin manufactured by the method described in "Manufacturing method 4" above.
- Manufacturing method 5 differential thickness plating
- a base material made of copper or a copper alloy having an inclined portion to be inserted into a female pin and a flat portion connected to the inclined portion is prepared. to form a Ni or Ni alloy layer.
- intermediate layer plating may be performed in the same manner as in manufacturing method 1.
- Sn plating (first Sn plating) with a thickness of 0.1 to 0.2 ⁇ m is applied to the first region.
- an intermediate layer plating such as Cu plating
- the Sn plating be formed to a thickness of about twice the thickness of the intermediate layer plating or less.
- the Sn plating is preferably formed with a thickness of 0.6 ⁇ m or less. According to such a configuration, it is possible to suppress excessive Sn in the production of the Cu—Sn alloy.
- Wet (electrical, electroless) plating can be used as the Sn plating. Alternatively, dry (sputtering, ion plating, etc.) plating or the like may be used.
- the first Sn plating may be plating containing one or more of Sn, Au, Pd and Ag.
- Sn plating (second Sn plating) having a thickness greater than that of the first Sn plating is applied to the second region.
- the second Sn plating preferably has a thickness three to six times the thickness of the first Sn plating.
- Contact resistance can be reduced when the second Sn plating has a thickness that is at least three times the thickness of the first Sn plating. Further, when the second Sn plating has a thickness of 6 times or less that of the first Sn plating, productivity can be improved.
- the second Sn plating may be plating containing one or more of Sn, Au, Pd and Ag.
- reflow treatment heat treatment
- the reflow conditions can be the same as in manufacturing method 1. However, the reflow conditions are appropriately set so that the pure Sn layer does not remain on the outermost layer of the first region.
- FIG. 4 shows the layer structure of the connector male pin manufactured by the method described in "Manufacturing method 5" above. According to manufacturing method 5, by covering the first region of the plating material with an edge mask or the like and reducing the amount of current flowing in the first region, the first Sn plating and the second Sn plating can be performed at one time (with one plating bath). Since Sn plating can be performed at the same time, manufacturing efficiency is good.
- the reflow Sn plating in the second region is preferably 0.8 to 2 ⁇ m.
- the second region is three-layer plating (base plating layer, intermediate layer, surface layer)
- the thickness of the base plating layer is 0.2 to 1.5 ⁇ m
- the thickness of the intermediate layer is 0.1 to 1.5 ⁇ m.
- the thickness of the surface layer is preferably 0.2 to 1.5 ⁇ m.
- Ni plating, Co plating, In plating, or In alloy plating is performed on the Sn plating surface of the first region. From the viewpoint of sufficiently covering the underlying Sn plating, the thickness of each plating is 0.3 ⁇ m. It is preferable that it is above.
- the thickness of each plating is preferably 1.0 ⁇ m or less in order to suppress an increase in manufacturing cost.
- the surface layer of the first region of the connector male pin is plated with a metal other than Sn, and the insertion power is suppressed.
- Metals other than Sn tend to have higher contact resistance than pure Sn, but there is no functional problem because the tip of the connector male pin is not used as an electrical contact with the female pin.
- the second region of the connector male pin is formed with reflow Sn plating or three-layer plating to maintain good contact resistance. Reflow Sn plating or three-layer plating worsens the coefficient of friction, but lowers the insertion force at the tip of the connector male pin, thereby reducing the maximum insertion force of the entire connector male pin.
- Base material A base material for a connector male pin having the shape shown in FIG. 1 was prepared.
- the total length of the substrate was 23 mm, the first region was defined as 2 mm from the tip to the inclined portion, and the remaining region was defined as the second region.
- the point of contact with the female pin is located 3 mm from the tip.
- the component of the base material was Cu-30Zn.
- Platinum treatment A plating treatment of manufacturing method 1
- Manufacturing method 1 The first region including the boundary between the inclined portion and the flat portion and the second region that is in electrical contact with the female pin in the state of being fitted with the female pin were coated with matte Ni under the following conditions as base plating. Plating was performed to form a Ni layer having a thickness of 1 ⁇ m.
- Matte Ni plating Plating method Electroplating Plating solution: Ni sulfamate plating solution (JX Metal Trading Co., Ltd., Ni sulfamate plating solution 1014) Plating temperature: 55°C
- matte Sn plating was applied to the first region and the second region under the following conditions to form an Sn layer with a thickness of 1 ⁇ m.
- Matte Sn plating Plating method Electroplating Plating solution: Sn methanesulfonic acid plating solution (JX Metal Trading Co., Ltd., NSP-S200)
- Platinum treatment B plating treatment of manufacturing method 3
- the first region including the boundary between the sloped portion and the flat portion and the second region that is in electrical contact with the female pin in the state of being fitted with the female pin are coated with a matte base plating under the following conditions: Ni plating, semi-bright Ni plating, or bright Ni plating was performed to form a Ni layer having a thickness of 1 ⁇ m.
- Matte Ni plating Plating method Electroplating Plating solution: Ni sulfamate plating solution (JX Metal Trading Co., Ltd., Ni sulfamate plating solution 1014) Plating temperature: 55°C
- Ni plating Plating method electroplating Plating solution: Ni sulfamate plating solution (JX Metal Trading Co., Ltd., Ni sulfamate plating solution 1014) + saccharin Plating temperature: 55°C
- Electroplating Plating solution Ni sulfamate plating solution (JX Metal Trading Co., Ltd., Ni sulfamate plating solution 1014) + saccharin + additive Plating temperature: 55°C
- the second region was subjected to matte Sn plating under the same conditions as the plating treatment A described above to form an Sn layer having a thickness of 1 ⁇ m.
- the sample was subjected to reflow treatment (heat treatment) under the same conditions as the plating treatment A described above.
- reflow treatment heat treatment
- the first region was subjected to an oil coating treatment under the same conditions as the plating treatment A described above.
- Platinum treatment C plating treatment of manufacturing method 4
- the first region including the boundary between the inclined portion and the flat portion and the second region that is in electrical contact with the female pin in the state of being fitted with the female pin are subjected to the same plating treatment A as the base plating. Matte Ni plating was performed under the conditions of to form a Ni layer having a thickness of 1 ⁇ m. Further, in Example 12, a Cu plating having a thickness of 0.36 ⁇ m was applied as an intermediate layer plating on the base plating under the following conditions.
- Electroplating Plating solution Cu sulfate plating solution (Cu concentration 60 g / L)
- the first region and the second region were subjected to matte Sn plating under the same conditions as the plating treatment A described above to form a Sn layer having a thickness of 1 ⁇ m or 0.27 ⁇ m.
- Ni plating, Co plating, or In plating was performed on the Sn-plated surface of the first region under the following conditions.
- Each plating thickness, as shown in Table 1, was 0.3 ⁇ m, 0.4 ⁇ m, 0.5 ⁇ m, or 1.0 ⁇ m.
- Electroplating Plating solution Ni sulfamate plating solution (JX Metal Trading Co., Ltd., Ni sulfamate plating solution 1014) Plating temperature: 55°C
- Electroplating Plating solution Cobalt sulfate plating solution (Co concentration 85 g/L) Plating temperature: 55°C
- Electroplating Plating solution In plating solution (Japan Electroplating Engineers Co., Ltd., Microfab In4950) Plating temperature: 30°C
- the sample was subjected to reflow treatment (heat treatment) under the same conditions as the plating treatment A described above.
- reflow treatment heat treatment
- oil coating treatment oil coating treatment
- Platinum treatment D plating treatment of manufacturing method 5
- the first region including the boundary between the inclined portion and the flat portion and the second region that is in electrical contact with the female pin in the state of being fitted with the female pin are subjected to the same plating treatment A as the base plating. Matte Ni plating was performed under the conditions of to form a Ni layer having a thickness of 1 ⁇ m.
- a Cu plating having a thickness of 0.3 ⁇ m was applied as an intermediate layer plating on the base plating under the same conditions as the plating treatment C described above.
- matte Sn plating (first Sn plating) was performed on the first region under the same conditions as the plating treatment A described above, and Sn plating with a thickness of 0.1 ⁇ m or 0.4 ⁇ m was formed only on the first region.
- matte Sn plating (second Sn plating) was performed on the second region under the same conditions as the plating treatment A described above, and Sn plating with a thickness of 0.9 ⁇ m or 0.4 ⁇ m was formed only on the second region.
- the sample was subjected to reflow treatment (heat treatment) under the same conditions as the plating treatment A described above. After performing the reflow treatment, the first region was subjected to an oil coating treatment under the same conditions as the plating treatment A described above.
- Platinum treatment E conventional plating treatment
- the first region including the boundary between the inclined portion and the flat portion and the second region that is in electrical contact with the female pin in the state of being fitted with the female pin are subjected to the same plating treatment A as the base plating. Matte Ni plating was performed under the conditions of to form a Ni layer having a thickness of 1 ⁇ m. Further, in Comparative Examples 2 to 5, a Cu plating having a thickness of 0.3 ⁇ m was applied as an intermediate layer plating on the base plating under the same conditions as the plating treatment C described above.
- the first region and the second region are subjected to matte Sn plating under the same conditions as the plating treatment A described above, and the thickness is 1 ⁇ m, 0.8 ⁇ m, 0.4 ⁇ m, 0.2 ⁇ m, or 0.1 ⁇ m.
- a Sn layer was formed.
- the sample was subjected to reflow treatment (heat treatment) under the same conditions as the plating treatment A described above.
- the first region was subjected to an oil coating treatment under the same conditions as the plating treatment A described above.
- FIG. 7(A) shows an appearance observation photograph of a sample in which five male pins described above are connected in Example 2.
- FIG. 7(B) shows an SEM image measured in a region including the boundary between the first region (Ni) and the second region (Sn) indicated in the direction of the arrow in FIG. 7(A).
- FIG. 8B first region of Example 6
- FIG. 9B first region of Example 10
- FIG. B second region of Example 10
- FIG. 11(B) first region of Example 11
- FIG. 12(B) second region of Example 11
- FIG. 13(B) Example 12
- FIG. 14B comparativative example 1
- the first region was estimated from the SEM image
- the second region was estimated from Comparative Example 1.
- the layer structure of Example 4 it was presumed that the structure was the same as that of Examples 1-3.
- the layer structure of the first region of Example 6 was confirmed from the results of cross-sectional TEM image and line analysis.
- the layer structure of the second region was estimated from Comparative Example 1.
- the first region was confirmed from the cross-sectional TEM image and line analysis results of Example 6, and the second region was estimated from Comparative Example 1.
- the layer structures of the first regions of Examples 5 to 9 are considered not to be one type of layer structure but to differ depending on the location.
- the layer structure of the first region of Example 6 is a layer structure of base material/Ni/Ni—Sn and a layer structure of base material/Ni/Ni— A layer structure of Sn/Sn/Ni—Sn is mixed.
- the layer structures of the first region and the second region of Examples 10 and 11 were confirmed from cross-sectional TEM images and line analysis results.
- the first region was estimated from the cross-sectional TEM image and line analysis results (not shown) of plating with the composition applied to the entire surface, and the second region was estimated from Comparative Example 4.
- the layer structures of Comparative Examples 1, 2, and 4 were confirmed from cross-sectional TEM images and line analysis results.
- the layer structure of Comparative Example 3 was estimated from Comparative Examples 1, 2, and 4.
- Insertion force The insertion force of the obtained sample was evaluated by performing an insertion/extraction test with a plated male pin using a commercially available Sn reflow-plated female pin (025-type Sumitomo TS/Yazaki 090II series female terminal non-waterproof).
- the measuring device used for the test was 1311NR manufactured by Aikoh Engineering Co., Ltd., and the evaluation was performed with a male pin sliding distance of 3 mm. Five samples were used. As the insertion force, a value obtained by averaging the maximum values of each sample was adopted.
- ⁇ Contact resistance (initial) The contact resistance was measured by the four-probe method using a CRS-G2050 type precision sliding tester manufactured by Yamazaki Seiki Laboratory Co., Ltd. with a contact load of 1N.
- a Sn-plated plate Cu-30Zn plated with Sn to a thickness of 1 ⁇ m
- the contact resistance is shown in Table 2 as "contact resistance (initial)".
- the heat resistance was evaluated by measuring the contact resistance of the sample after atmospheric heating (160° C., 120 hours or longer) test.
- a target characteristic is a contact resistance of 10 m ⁇ or less.
- the contact resistance is shown in Table 2 as "contact resistance (heat resistance)".
- Solder wettability A sample having the same plating structure as the second region was immersed in melted lead-free solder, and the solder wettability time was measured using a Solder checker SAT-5200. Solder wetting time (time to reach 2/3 of the maximum wetting force) was evaluated as A for 1 second or less, B for more than 1 second and 3 seconds or less, and C for more than 3 seconds.
- Tables 1 and 2 show the test conditions and evaluation results.
- Comparative Examples 1, 4, 6 and 8 had large insertion forces. Comparative Example 8 had a large contact resistance (heat resistance). In addition, Comparative Example 8 has a large contact resistance even though the plating thickness of the surface layer is as thick as 0.2 ⁇ m. , and Comparative Example 9, in which the thickness of the plating on the surface layer is the same as that of Comparative Example 8, also has a large contact resistance. Also, generally, if the Sn plating thickness of the surface layer is thin, the insertion force is lowered. In Comparative Example 2, since the Sn plating thickness is between Comparative Examples 1 and 4, it can be inferred that the insertion force is also between them, that is, between 1.39 and 1.5.
- Comparative Example 3 can also be presumed to be between Comparative Examples 1 and 5, that is, between 1.12 and 1.5. Since Comparative Example 3 was produced in the same manner as Comparative Example 2 except that the first region was subjected to oil coating treatment, it is considered that the contact resistance equivalent to that of Comparative Example 2 is exhibited. Comparative Example 5 was produced in the same manner as Comparative Example 4 except that the first region was subjected to an oil coating treatment, so it is considered that the contact resistance equivalent to that of Comparative Example 4 is exhibited.
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
Abstract
メスピンへの挿入力（摩擦力）が低く、且つ、メスピンとの接触抵抗が良好なコネクタ用オスピン及びコネクタ用オスピンの製造方法を提供する。銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンであって、メスピンに挿入される傾斜部と、傾斜部に連なる平坦部とを備え、傾斜部から傾斜部と平坦部との境界を含む第１領域と、メスピンに嵌合された状態においてメスピンと電気的に接触する第２領域とが、互いに異なるめっきで被覆されており、第１領域の硬度は、第２領域の硬度よりも高く、第２領域の接触抵抗は、第１領域の接触抵抗よりも低く、少なくとも第１領域はオイルで被覆されている、コネクタ用オスピン。
Description
本発明は、コネクタ用オスピン及びコネクタ用オスピンの製造方法に関する。
民生用及び車載用電子機器用接続部品であるコネクタには、黄銅やリン青銅の表面にＮｉやＣｕの下地めっきを施し、さらにその上にＳｎ又はＳｎ合金めっきを施した材料が使用されている。近年、Ｓｎ又はＳｎ合金めっきは、めっき材をプレス加工で成形したオス端子及びメス端子嵌合時の挿入力の低減化が求められている。
特許文献１には、Ｃｕ又はＣｕ合金からなる母材表面に、Ｎｉ層、Ｃｕ－Ｓｎ合金層及びＳｎ層からなる表面めっき層がこの順に形成され、かつＮｉ層の厚さが０．１～１．０μｍ、Ｃｕ－Ｓｎ合金層の厚さが０．１～１．０μｍ、そのＣｕ濃度が３５～７５ａｔ％、Ｓｎ層の厚さが２．０μｍ以下で、かつ０．００１～０．１質量％のカーボンを含有する接続部品用導電材料が開示されている。そして、このような構成によれば、高温雰囲気下で長時間経過後も低接触抵抗を維持することができると記載されている。
特許文献２には、基材に下地めっきを施し、次に第１層のＳｎめっきを施し、更にその上に第１層の１／２以下の平均厚みＩｎめっきを施し、続いてリフローして外観良好なＳｎ－Ｉｎ合金めっきを得ることができると記載されている。
一般に、端子の最大挿入力は、オス端子先端の傾斜部と平坦部との境界をメス端子の接点部が乗り越えるときに生じる。この挿入力を低減するには、低摩擦係数を付与するめっきの適用または端子形状の改善が求められる。低摩擦係数を付与するＳｎ系めっきとして知られる３層めっきは、硬いＣｕ－Ｓｎ層で端子嵌合時の摺動部に掛かる荷重を保持し、挿入力を低く保つ構造となっている。しかしながら、表層が純ＳｎであるためリフローＳｎと同様の機構で摩擦が発生する。その他、従来、種々のめっき構造が知られているが、それぞれ問題がある。例えば、表面にＣｕ－Ｓｎ層を露出させた構造では、挿入力は更に低減するが、表面に酸化Ｃｕが生じることで、接触抵抗が悪化する懸念がある。これは、Ｃｕに限らず、酸化する金属とＳｎとの合金を用いても同様である。
本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、メスピンへの挿入力（摩擦力）が低く、且つ、メスピンとの接触抵抗が良好なコネクタ用オスピン及びコネクタ用オスピンの製造方法を提供することを課題とする。
本発明者らは、鋭意検討の結果、オスピンの傾斜部から傾斜部と平坦部との境界を含む第１領域と、メスピンに嵌合された状態においてメスピンと電気的に接触する第２領域とを区別して互いに異なるめっきで被覆し、第１領域と第２領域とに、それぞれ所定の特性を持たせることにより、上記課題を解決することができることを見出した。
以上の知見を基礎として完成した本発明の実施形態は、以下のように特定される。
（１）銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンであって、
メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備え、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とが、互いに異なるめっきで被覆されており、
前記第１領域の硬度は、前記第２領域の硬度よりも高く、
前記第２領域の接触抵抗は、前記第１領域の接触抵抗よりも低く、
少なくとも前記第１領域はオイルで被覆されている、コネクタ用オスピン。
（２）前記第１領域は、Ｎｉ、Ｓｎ合金、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ａｕ、Ｗ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｂｉ、Ｚｎ及びＣｒの少なくとも一種以上によって被覆されている、（１）に記載のコネクタ用オスピン。
（３）銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンであって、
メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備え、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とが、互いに異なるめっきで被覆されており、
前記第１領域は、Ｉｎ又はＩｎ合金によって被覆されており、
前記第２領域の接触抵抗は、前記第１領域の接触抵抗よりも低い、コネクタ用オスピン。
（４）前記第２領域は、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上によって被覆されている、（１）～（３）のいずれかに記載のコネクタ用オスピン。
（５）１６０℃で１２０時間加熱した後の前記第２領域の接触抵抗が１０ｍΩ以下である、（１）～（４）のいずれかに記載のコネクタ用オスピン。
（６）メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域及び第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第１領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを剥離させる工程３と、
前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程４と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程５と、
を含む、コネクタ用オスピンの製造方法。
（７）メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域及び第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第１領域及び前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程３と、
前記第１領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを剥離させる工程４と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程５と、
を含む、コネクタ用オスピンの製造方法。
（８）メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程３と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程４と、
を含む、コネクタ用オスピンの製造方法。
（９）メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域及び第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第１領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっき表面にＮｉめっき、又はＣｏめっきを行う工程３と、
前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程４と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程５と、
を含む、コネクタ用オスピンの製造方法。
（１０）メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域及び第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第１領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっき表面にＩｎめっき又はＩｎ合金めっきを行う工程３と、
前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程４と、
を含む、コネクタ用オスピンの製造方法。
（１１）メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含む第１のめっきを行う工程２と、
前記第２領域に、前記第１のめっきより厚みの大きいＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含む第２のめっきを行う工程３と、
前記第１領域の第１のめっき、及び、前記第２領域の第２のめっきにリフロー処理を行う工程４と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程５と、
を含む、コネクタ用オスピンの製造方法。
（１）銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンであって、
メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備え、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とが、互いに異なるめっきで被覆されており、
前記第１領域の硬度は、前記第２領域の硬度よりも高く、
前記第２領域の接触抵抗は、前記第１領域の接触抵抗よりも低く、
少なくとも前記第１領域はオイルで被覆されている、コネクタ用オスピン。
（２）前記第１領域は、Ｎｉ、Ｓｎ合金、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ａｕ、Ｗ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｂｉ、Ｚｎ及びＣｒの少なくとも一種以上によって被覆されている、（１）に記載のコネクタ用オスピン。
（３）銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンであって、
メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備え、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とが、互いに異なるめっきで被覆されており、
前記第１領域は、Ｉｎ又はＩｎ合金によって被覆されており、
前記第２領域の接触抵抗は、前記第１領域の接触抵抗よりも低い、コネクタ用オスピン。
（４）前記第２領域は、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上によって被覆されている、（１）～（３）のいずれかに記載のコネクタ用オスピン。
（５）１６０℃で１２０時間加熱した後の前記第２領域の接触抵抗が１０ｍΩ以下である、（１）～（４）のいずれかに記載のコネクタ用オスピン。
（６）メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域及び第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第１領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを剥離させる工程３と、
前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程４と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程５と、
を含む、コネクタ用オスピンの製造方法。
（７）メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域及び第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第１領域及び前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程３と、
前記第１領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを剥離させる工程４と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程５と、
を含む、コネクタ用オスピンの製造方法。
（８）メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程３と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程４と、
を含む、コネクタ用オスピンの製造方法。
（９）メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域及び第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第１領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっき表面にＮｉめっき、又はＣｏめっきを行う工程３と、
前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程４と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程５と、
を含む、コネクタ用オスピンの製造方法。
（１０）メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域及び第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第１領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっき表面にＩｎめっき又はＩｎ合金めっきを行う工程３と、
前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程４と、
を含む、コネクタ用オスピンの製造方法。
（１１）メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含む第１のめっきを行う工程２と、
前記第２領域に、前記第１のめっきより厚みの大きいＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含む第２のめっきを行う工程３と、
前記第１領域の第１のめっき、及び、前記第２領域の第２のめっきにリフロー処理を行う工程４と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程５と、
を含む、コネクタ用オスピンの製造方法。
本発明の実施形態によれば、メスピンへの挿入力（摩擦力）が低く、且つ、メスピンとの接触抵抗が良好なコネクタ用オスピン及びコネクタ用オスピンの製造方法を提供することができる。
以下、本発明のコネクタ用オスピン及びコネクタ用オスピンの製造方法の実施形態について説明するが、本発明は、これに限定されて解釈されるものではなく、本発明の範囲を逸脱しない限りにおいて、当業者の知識に基づいて、種々の変更、修正、改良を加え得るものである。
＜コネクタ用オスピンの構成＞
本発明の実施形態に係るコネクタ用オスピンは、銅又は銅合金からなる基材と、基材の表面に形成されためっき層とで構成されている。コネクタ用オスピンの基材の表面にはＮｉまたはＮｉ合金などからなる下地層が形成されており、さらに後述のように、所定の部位に所定のめっき層が形成されている。本発明の実施形態に係るコネクタ用オスピンの形状は、後述の傾斜部と平坦部とを有する限り特に限定されず、一般に公知のコネクタ用オスピンが有する形状とすることができる。図１に、一例として、本発明の実施形態に係るコネクタ用オスピン１０、及び、嵌合するコネクタ用メスピン２０の外観模式図を示す。
本発明の実施形態に係るコネクタ用オスピンは、銅又は銅合金からなる基材と、基材の表面に形成されためっき層とで構成されている。コネクタ用オスピンの基材の表面にはＮｉまたはＮｉ合金などからなる下地層が形成されており、さらに後述のように、所定の部位に所定のめっき層が形成されている。本発明の実施形態に係るコネクタ用オスピンの形状は、後述の傾斜部と平坦部とを有する限り特に限定されず、一般に公知のコネクタ用オスピンが有する形状とすることができる。図１に、一例として、本発明の実施形態に係るコネクタ用オスピン１０、及び、嵌合するコネクタ用メスピン２０の外観模式図を示す。
図１に示すように、本発明の実施形態に係るコネクタ用オスピン１０は、コネクタ用メスピン２０に挿入される傾斜部１１と、傾斜部１１に連なる平坦部１２とを備えている。図１に示すコネクタ用オスピン１０では、四角柱状に形成され、先端が傾斜して先細り、傾斜部１１を構成している。当該四角柱の４つの側面が、それぞれ平坦部１２を有している。コネクタ用オスピン１０は、円柱状であってもよく、三角柱、五角柱などの多角柱状に形成されていてもよい。また、傾斜部１１の角度についても特に限定されず、嵌合するコネクタ用メスピン２０との関係で適宜設計することができる。
コネクタ用オスピン１０は、図２に示すように、傾斜部１１から傾斜部１１と平坦部１２との境界１３を含む第１領域１４と、コネクタ用メスピン２０に嵌合された状態においてメスピンと電気的に接触する第２領域１５とが、互いに異なるめっきで被覆されている。第１領域１４は、コネクタ用オスピン１０をコネクタ用メスピン２０に嵌合させる際に、初めに挿入される部分に対応し、傾斜部１１を含み、さらに傾斜部１１と平坦部１２との境界１３を含む領域である。第１領域１４は、傾斜部１１から境界１３までであってもよく、図２に示すように、境界１３から少し平坦部１２まで伸びた領域であってもよい。
第２領域１５は、コネクタ用メスピン２０に嵌合された状態においてメスピンと電気的に接触する領域に対応し、図２に示すように、第１領域１４の終端から、平坦部１２の所定の長さまでの領域とされ、その長さはコネクタ用メスピン２０の大きさによって適宜調整することができる。
コネクタ用オスピン１０の大きさは特に限定されず、コネクタ用メスピン２０との関係から適宜調整することができる。コネクタ用メスピン２０の軸方向における第１領域１４の長さは、例えば、先端から１．５～３ｍｍ程度、第２領域の長さは第１領域との境目から２ｍｍ以上にそれぞれ設計することができる。
コネクタ用オスピン１０は、上述のように、コネクタ用メスピン２０に初めに挿入される第１領域１４と、コネクタ用メスピン２０に嵌合された状態においてメスピンと電気的に接触する第２領域１５とを、互いに異なるめっきで被覆することで、後述の実施形態１及び２で示すように、それぞれ別々の部位で別々の特性を持たせている。
（実施形態１）
本発明の実施形態１に係るコネクタ用オスピン１０は、第１領域１４の硬度が、第２領域１５の硬度よりも高い。このような構成によれば、コネクタ用メスピン２０に初めに挿入される第１領域１４の硬度が第２領域１５の硬度よりも高いため、コネクタ用オスピン１０の挿入力を抑えることができる。第１領域１４の硬度が第２領域１５の硬度よりも相対的に高いことが必要であり、硬さの基準については特に限定されないが、例えば、第１領域１４のビッカース硬さをＨｖ１００以上とし、第２領域１５のビッカース硬さを、第１領域１４のビッカース硬さ未満であり、且つ、Ｈｖ１００未満とすることができる。
本発明の実施形態１に係るコネクタ用オスピン１０は、第１領域１４の硬度が、第２領域１５の硬度よりも高い。このような構成によれば、コネクタ用メスピン２０に初めに挿入される第１領域１４の硬度が第２領域１５の硬度よりも高いため、コネクタ用オスピン１０の挿入力を抑えることができる。第１領域１４の硬度が第２領域１５の硬度よりも相対的に高いことが必要であり、硬さの基準については特に限定されないが、例えば、第１領域１４のビッカース硬さをＨｖ１００以上とし、第２領域１５のビッカース硬さを、第１領域１４のビッカース硬さ未満であり、且つ、Ｈｖ１００未満とすることができる。
第１領域１４は、Ｎｉ、Ｓｎ合金、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ａｕ、Ｗ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｂｉ、Ｚｎ及びＣｒの少なくとも一種以上によって被覆されていてもよい。このような構成によれば、Ｎｉ、Ｓｎ合金、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ａｕ、Ｗ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｃｒは硬度が高い金属であるため、第１領域１４の硬度を向上させることができる。
本発明の実施形態１に係るコネクタ用オスピン１０は、第２領域１５の接触抵抗が第１領域１４の接触抵抗よりも低い。このような構成によれば、第２領域１５の接触抵抗が第１領域１４の接触抵抗よりも低いため、コネクタ用メスピン２０に嵌合された状態においてメスピンと電気的に接触する第２領域１５の導電率が相対的に高くなる。第２領域１５の接触抵抗は、良好な導電率を得るという観点からは小さいほうが好ましい。また、接触抵抗が大きすぎると導通不良という問題が生じるおそれがある。このような観点から、第２領域１５の接触抵抗は、５ｍΩ以下であるのが好ましく、３ｍΩ以下であるのがより好ましい。
本発明の実施形態１に係るコネクタ用オスピン１０は、少なくとも第１領域１４がオイルで被覆されている。オイルとしては、リン酸エステル、パラフィン類及びチオール化合物等のコンタクトオイルとして一般に用いられているものを使用することができる。少なくとも第１領域１４に被覆されたオイルは、１０ｎｍ以下の厚みの非常に薄い層を構成している。このように、第１領域１４がオイルで被覆されていることで、第１領域１４の潤滑性が向上し、コネクタ用オスピン１０の挿入力を良好に抑制することができる。また、第１領域１４の耐食性が向上し、酸化が抑制されて、耐熱性やはんだ濡れ性等の耐久性を向上させることができる。なお、オスピンの第１領域がオイルで被覆されていることは、オスピンの第１領域を有機溶剤（アセトンなど適宜適した溶媒）に溶かし、当該溶出成分をＧＣ－ＭＳ（ガスクロマトグラフィー質量分析）にかけることによって確認することが出来る。
上述のように、本発明の実施形態１に係るコネクタ用オスピン１０は、第１領域と第２領域という異なる部位に、それぞれ異なる特性を持たせているため、共に高い特性を得ることが難しい挿入力と接触抵抗とを両立させることができ、コネクタ用メスピン２０への挿入力（摩擦力）が低く、且つ、メスピンとの接触抵抗が良好となる。
（実施形態２）
本発明の実施形態２に係るコネクタ用オスピン１０は、第１領域１４が、Ｉｎ又はＩｎ合金によって被覆されている。このような構成によれば、第１領域１４が、自己潤滑作用を有する金属であるＩｎ又はＩｎ合金によって被覆されているため、第１領域１４の挿入力を抑制することができる。
本発明の実施形態２に係るコネクタ用オスピン１０は、第１領域１４が、Ｉｎ又はＩｎ合金によって被覆されている。このような構成によれば、第１領域１４が、自己潤滑作用を有する金属であるＩｎ又はＩｎ合金によって被覆されているため、第１領域１４の挿入力を抑制することができる。
本発明の実施形態２に係るコネクタ用オスピン１０は、第２領域１５の接触抵抗が、第１領域の接触抵抗よりも低い。このような構成によれば、第２領域１５の接触抵抗が第１領域１４の接触抵抗よりも低いため、コネクタ用メスピン２０に嵌合された状態においてメスピンと電気的に接触する第２領域１５の導電率が相対的に高くなる。
上述のように、本発明の実施形態２に係るコネクタ用オスピン１０は、第１領域と第２領域という異なる部位に、それぞれ異なる特性を持たせているため、共に高い特性を得ることが難しい挿入力と接触抵抗とを両立させることができ、コネクタ用メスピン２０への挿入力（摩擦力）が低く、且つ、メスピンとの接触抵抗が良好となる。
本発明の実施形態に係るコネクタ用オスピン１０は、第２領域１５が、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上によって被覆されていてもよい。このような構成によれば、コネクタ用メスピン２０に嵌合された状態においてメスピンと電気的に接触する第２領域１５の接触抵抗が低下し、導電率が向上する。また、第２領域１５のはんだ濡れ性も向上する。
本発明の実施形態に係るコネクタ用オスピン１０は、１６０℃で１２０時間加熱した後の第２領域の接触抵抗が１０ｍΩ以下であるのが好ましい。このような構成によれば、コネクタ用オスピン１０の長時間の使用（通電）による接触抵抗の上昇を抑制することができ、製品としての耐久性が向上する。
＜コネクタ用オスピンの製造方法＞
次に、本発明の実施形態に係るコネクタ用オスピン１０の製造方法について詳述する。コネクタ用オスピン１０は、以下の「製法１」～「製法５」に示す５通りの製造方法によってそれぞれ製造することができる。なお、以下の説明では便宜的に第１領域の最表層をＮｉ、Ｃｏ、Ｉｎ、又はこれらの合金とし、第２領域の最表層をＳｎとしているが、上述の通り第１領域および第２領域の最表層はこれに限定されるものではない。
次に、本発明の実施形態に係るコネクタ用オスピン１０の製造方法について詳述する。コネクタ用オスピン１０は、以下の「製法１」～「製法５」に示す５通りの製造方法によってそれぞれ製造することができる。なお、以下の説明では便宜的に第１領域の最表層をＮｉ、Ｃｏ、Ｉｎ、又はこれらの合金とし、第２領域の最表層をＳｎとしているが、上述の通り第１領域および第２領域の最表層はこれに限定されるものではない。
（製法１：リフロー前に第１領域のめっきを剥離）
まず、図１に示すような、メスピンに挿入される傾斜部と、傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる（オスピンの）基材を準備する。基材表面は、前処理として脱脂及び酸洗を行っておく。
次に、傾斜部から傾斜部と平坦部との境界を含む第１領域と、メスピンに嵌合された状態においてメスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行い、ＮｉまたはＮｉ合金層を形成する。
まず、図１に示すような、メスピンに挿入される傾斜部と、傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる（オスピンの）基材を準備する。基材表面は、前処理として脱脂及び酸洗を行っておく。
次に、傾斜部から傾斜部と平坦部との境界を含む第１領域と、メスピンに嵌合された状態においてメスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行い、ＮｉまたはＮｉ合金層を形成する。
下地めっきを行った後は、Ｃｕめっき等によって中間層めっきを形成した後に後述のＳｎめっきを行ってもよいし、中間層めっきを形成することなく後述のＳｎめっきを行ってもよい。中間層めっきは、下地めっきのＮｉなどの金属が上層へ拡散することを抑制するために形成される。当該中間層めっきとしては、湿式（電気、無電解）めっきを用いることができる。また、乾式（スパッタ、イオンプレーティング等）めっき等を用いてもよい。
次に、第１領域及び第２領域にＳｎめっきを行う。当該Ｓｎめっきとしては、湿式（電気、無電解）めっきを用いることができる。また、乾式（スパッタ、イオンプレーティング等）めっき等を用いてもよい。なお、当該Ｓｎめっきは、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきであってもよい。
次に、第１領域のＳｎめっきを剥離させる。Ｓｎめっきの剥離方法としては特に限定されないが、例えば、第１領域のみを剥離液（例えば、石原ケミカル株式会社製のＳＰＦ－１１）に浸漬することで、表層のＳｎめっきを剥離させることができる。なお、中間層めっきを形成している場合は、このとき同時に第１領域の中間層めっきを剥離させてもよい。
次に、第２領域のＳｎめっきにリフロー処理（加熱処理）を行う。このとき、第１領域も同時に、すなわち、めっき材料全体がリフロー処理されていてもよい。リフローの条件、すなわち加熱温度と加熱時間を調整することにより、表層の厚みや組成が決定される。リフロー条件は、例えば、最高到達点１６０～３００℃とし、加熱時間８～２０秒を、室温から到達温度までの加熱時間で実施してもよい。
リフロー処理を施した後に、後処理として、第１領域に対し、更に摩擦を低下させ、また低ウィスカ性及び耐久性も向上させる目的でコンタクトオイル等によるオイル被覆処理を行う。オイル被覆処理としては、第１領域をオイル浴に浸漬してもよく、オイルを噴霧または塗布してもよい。最後に熱風等でオイルを乾燥させる。
以上の「製法１」に記載の方法で製造したコネクタ用オスピンの層構造を、図３に示す。
以上の「製法１」に記載の方法で製造したコネクタ用オスピンの層構造を、図３に示す。
（製法２：リフロー後に第１領域のめっきを剥離）
まず、図１に示すような、メスピンに挿入される傾斜部と、傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材を準備し、製法１と同様にして、下地めっきを行い、ＮｉまたはＮｉ合金層を形成する。また、製法１と同様にして、さらに中間層めっきを行ってもよい。
まず、図１に示すような、メスピンに挿入される傾斜部と、傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材を準備し、製法１と同様にして、下地めっきを行い、ＮｉまたはＮｉ合金層を形成する。また、製法１と同様にして、さらに中間層めっきを行ってもよい。
次に、第１領域及び第２領域にＳｎめっきを行う。当該Ｓｎめっきとしては、湿式（電気、無電解）めっきを用いることができる。また、乾式（スパッタ、イオンプレーティング等）めっき等を用いてもよい。なお、当該Ｓｎめっきは、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきであってもよい。
次に、第１領域及び第２領域のＳｎめっきにリフロー処理（加熱処理）を行う。リフローの条件、すなわち加熱温度と加熱時間を調整することにより、表層の厚みや組成が決定される。リフロー条件は、製法１と同様とすることができる。
次に、第１領域のＳｎめっきを剥離させる。Ｓｎめっきの剥離方法としては特に限定されないが、例えば、第１領域のみを剥離液（例えば、石原ケミカル株式会社製のＳＰＦ－１１）に浸漬することで、表層のＳｎめっきを剥離させることができる。なお、中間層めっきを形成している場合は、このとき同時に第１領域の中間層めっきを剥離させてもよい。
第１領域のＳｎめっきを剥離させた後に、後処理として、第１領域に対し、オイル被覆処理を行う。オイル被覆処理としては、製法１と同様とすることができる。最後に熱風等でオイルを乾燥させる。
以上の「製法２」に記載の方法で製造したコネクタ用オスピンの層構造を、図４に示す。
以上の「製法２」に記載の方法で製造したコネクタ用オスピンの層構造を、図４に示す。
（製法３：第２領域にのみＳｎめっき）
まず、図１に示すような、メスピンに挿入される傾斜部と、傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材を準備し、製法１と同様にして、下地めっきを行い、ＮｉまたはＮｉ合金層を形成する。また、製法１と同様にして、さらに中間層めっきを行ってもよい。
まず、図１に示すような、メスピンに挿入される傾斜部と、傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材を準備し、製法１と同様にして、下地めっきを行い、ＮｉまたはＮｉ合金層を形成する。また、製法１と同様にして、さらに中間層めっきを行ってもよい。
次に、第１領域を除くように第２領域にＳｎめっきを行う。当該Ｓｎめっきとしては、湿式（電気、無電解）めっきを用いることができる。また、乾式（スパッタ、イオンプレーティング等）めっき等を用いてもよい。なお、当該Ｓｎめっきは、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきであってもよい。
次に、第２領域のＳｎめっきにリフロー処理（加熱処理）を行う。このとき、第１領域も同時にリフロー処理されていてもよい。リフローの条件、すなわち加熱温度と加熱時間を調整することにより、表層の厚みや組成が決定される。リフロー条件は、製法１と同様とすることができる。
リフロー処理を施した後に、後処理として、第１領域に対し、オイル被覆処理を行う。オイル被覆処理としては、製法１と同様とすることができる。最後に熱風等でオイルを乾燥させる。
以上の「製法３」に記載の方法で製造したコネクタ用オスピンの層構造を、図５に示す。
以上の「製法３」に記載の方法で製造したコネクタ用オスピンの層構造を、図５に示す。
（製法４：第１領域に後付けめっき）
まず、図１に示すような、メスピンに挿入される傾斜部と、傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材を準備し、製法１と同様にして、下地めっきを行い、ＮｉまたはＮｉ合金層を形成する。また、製法１と同様にして、さらに中間層めっきを行ってもよい。
まず、図１に示すような、メスピンに挿入される傾斜部と、傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材を準備し、製法１と同様にして、下地めっきを行い、ＮｉまたはＮｉ合金層を形成する。また、製法１と同様にして、さらに中間層めっきを行ってもよい。
次に、第１領域及び第２領域にＳｎめっきを行う。当該Ｓｎめっきとしては、湿式（電気、無電解）めっきを用いることができる。また、乾式（スパッタ、イオンプレーティング等）めっき等を用いてもよい。なお、当該Ｓｎめっきは、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきであってもよい。
次に、第１領域のＳｎめっき表面にＮｉめっき、Ｃｏめっき、Ｉｎめっき又はＩｎ合金めっきを行う。当該Ｎｉめっき、Ｃｏめっき、Ｉｎめっき、Ｉｎ合金めっきとしては、それぞれ、湿式（電気、無電解）めっきを用いることができる。また、乾式（スパッタ、イオンプレーティング等）めっき等を用いてもよい。
次に、第２領域のＳｎめっきにリフロー処理（加熱処理）を行う。このとき、第１領域も同時にリフロー処理されていてもよい。リフローの条件、すなわち加熱温度と加熱時間を調整することにより、表層の厚みや組成が決定される。リフロー条件は、製法１と同様とすることができる。
リフロー処理を施した後に、後処理として、第１領域に対し、オイル被覆処理を行う。オイル被覆処理としては、製法１と同様とすることができる。最後に熱風等でオイルを乾燥させる。
以上の「製法４」に記載の方法で製造したコネクタ用オスピンの層構造を、図６に示す。
以上の「製法４」に記載の方法で製造したコネクタ用オスピンの層構造を、図６に示す。
（製法５：差厚めっき）
まず、図１に示すような、メスピンに挿入される傾斜部と、傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材を準備し、製法１と同様にして、下地めっきを行い、ＮｉまたはＮｉ合金層を形成する。また、製法１と同様にして、さらに中間層めっきを行ってもよい。
まず、図１に示すような、メスピンに挿入される傾斜部と、傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材を準備し、製法１と同様にして、下地めっきを行い、ＮｉまたはＮｉ合金層を形成する。また、製法１と同様にして、さらに中間層めっきを行ってもよい。
次に、第１領域に厚さ０．１～０．２μｍのＳｎめっき（第１のＳｎめっき）を行う。なお、下地めっき上に中間層めっき（Ｃｕめっき等）を形成している場合は、Ｓｎめっきは中間層めっきの２倍程度の厚み以下に形成することが好ましい。例えば、中間層めっきとして厚み０．３μｍのＣｕめっきを形成した場合は、Ｓｎめっきは０．６μｍ以下の厚みに形成することが好ましい。このような構成によれば、Ｃｕ－Ｓｎ合金の生成においてＳｎが余ってしまうことを抑制することができる。当該Ｓｎめっきとしては、湿式（電気、無電解）めっきを用いることができる。また、乾式（スパッタ、イオンプレーティング等）めっき等を用いてもよい。なお、当該第１のＳｎめっきは、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきであってもよい。
次に、第２領域に、第１のＳｎめっきより厚みの大きいＳｎめっき（第２のＳｎめっき）を行う。このとき、第２のＳｎめっきは、第１のＳｎめっきの厚みの３～６倍の厚みを有することが好ましい。第２のＳｎめっきが、第１のＳｎめっきの厚みの３倍以上の厚みを有すると、接触抵抗を低くすることができる。また、第２のＳｎめっきが、第１のＳｎめっきの厚みの６倍以下の厚みを有すると、生産性を上げることができる。なお、当該第２のＳｎめっきは、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきであってもよい。
次に、第１領域の第１のＳｎめっき、及び、第２領域の第２のＳｎめっきにリフロー処理（加熱処理）を行う。リフロー条件は、製法１と同様とすることができる。但し、第１領域の最表層に純Ｓｎ層が残らないようにリフロー条件を適宜設定する。
リフロー処理を施した後に、後処理として、第１領域に対し、オイル被覆処理を行う。オイル被覆処理としては、製法１と同様とすることができる。最後に熱風等でオイルを乾燥させる。
以上の「製法５」に記載の方法で製造したコネクタ用オスピンの層構造を、図４に示す。製法５によれば、めっき材料の第１領域をエッジマスクなどで覆い、第１領域に流れる電流量を減らすことで、一回で（一つのめっき浴で）第１のＳｎめっき及び第２のＳｎめっきを同時に行うことができるため、製造効率が良好である。
以上の「製法５」に記載の方法で製造したコネクタ用オスピンの層構造を、図４に示す。製法５によれば、めっき材料の第１領域をエッジマスクなどで覆い、第１領域に流れる電流量を減らすことで、一回で（一つのめっき浴で）第１のＳｎめっき及び第２のＳｎめっきを同時に行うことができるため、製造効率が良好である。
上述の製法１～５で製造されるコネクタ用オスピンの各めっき層の厚みに関して、第２領域におけるリフローＳｎめっきは０．８～２μｍであるのが好ましい。また、第２領域が３層めっき（下地めっき層、中間層、表層）である場合は、下地めっき層の厚みは０．２～１．５μｍ、中間層の厚みは０．１～１．５μｍ、表層の厚みは０．２～１．５μｍであるのが好ましい。
また、製法４で、第１領域のＳｎめっき表面にＮｉめっき、Ｃｏめっき、Ｉｎめっき又はＩｎ合金めっきを行うが、下層のＳｎめっきを十分に覆うという観点から、各めっきの厚みが０．３μｍ以上であるのが好ましい。また、製造コストの増加を抑制することができるため、各めっきの厚みは１．０μｍ以下であるのが好ましい。
また、製法４で、第１領域のＳｎめっき表面にＮｉめっき、Ｃｏめっき、Ｉｎめっき又はＩｎ合金めっきを行うが、下層のＳｎめっきを十分に覆うという観点から、各めっきの厚みが０．３μｍ以上であるのが好ましい。また、製造コストの増加を抑制することができるため、各めっきの厚みは１．０μｍ以下であるのが好ましい。
上述の製法１～５で示した本発明の実施形態に係るコネクタ用オスピンの製造方法によれば、いずれも、コネクタ用オスピンの第１領域は表層がＳｎ以外の金属でめっきされており、挿入力が抑制されている。Ｓｎ以外の金属は、純Ｓｎと比べると接触抵抗が高くなりやすいが、コネクタ用オスピンの先端はメスピンとの電気的な接点として使用されないため、機能上問題はない。また、コネクタ用オスピンの第２領域は、リフローＳｎめっきまたは３層めっきが形成されており、良好な接触抵抗を維持している。リフローＳｎめっきまたは３層めっきは摩擦係数が悪化するが、コネクタ用オスピンの先端の挿入力が低下することでコネクタ用オスピン全体の最大挿入力は低減する。
以下、本発明の実施例と比較例を共に示すが、これらは本発明をより良く理解するために提供するものであり、本発明が限定されることを意図するものではない。
＜コネクタ用オスピンの作製＞
実施例１～１２及び比較例１～９として、下記の基材に対し、電解脱脂、酸洗をこの順で行った。次に、下記のめっき処理Ａ～Ｅを行った。
実施例１～１２及び比較例１～９として、下記の基材に対し、電解脱脂、酸洗をこの順で行った。次に、下記のめっき処理Ａ～Ｅを行った。
（基材）
図１に示す形状のコネクタ用オスピンの基材を準備した。基材の全長は２３ｍｍ、先端から傾斜部を含む２ｍｍまでを第１領域とし、残りの領域を第２領域とした。メスピンとの接点は先端から３ｍｍの位置となる。基材の成分はＣｕ－３０Ｚｎであった。
図１に示す形状のコネクタ用オスピンの基材を準備した。基材の全長は２３ｍｍ、先端から傾斜部を含む２ｍｍまでを第１領域とし、残りの領域を第２領域とした。メスピンとの接点は先端から３ｍｍの位置となる。基材の成分はＣｕ－３０Ｚｎであった。
（めっき処理Ａ：製法１のめっき処理）
（製法１）
傾斜部から傾斜部と平坦部との境界を含む第１領域と、メスピンに嵌合された状態においてメスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきとして、以下の条件で無光沢Ｎｉめっきを行い、厚み１μｍのＮｉ層を形成した。
（製法１）
傾斜部から傾斜部と平坦部との境界を含む第１領域と、メスピンに嵌合された状態においてメスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきとして、以下の条件で無光沢Ｎｉめっきを行い、厚み１μｍのＮｉ層を形成した。
・無光沢Ｎｉめっき
めっき方法：電気めっき
めっき液：スルファミン酸Ｎｉめっき液（ＪＸ金属商事（株）、スルファミン酸Ｎｉめっき液１０１４）
めっき温度：５５℃
めっき方法：電気めっき
めっき液：スルファミン酸Ｎｉめっき液（ＪＸ金属商事（株）、スルファミン酸Ｎｉめっき液１０１４）
めっき温度：５５℃
次に、第１領域及び第２領域に、以下の条件で無光沢Ｓｎめっきを行い、厚み１μｍのＳｎ層を形成した。
・無光沢Ｓｎめっき
めっき方法：電気めっき
めっき液：メタンスルホン酸Ｓｎめっき液（ＪＸ金属商事（株）、ＮＳＰ－Ｓ２００）
めっき方法：電気めっき
めっき液：メタンスルホン酸Ｓｎめっき液（ＪＸ金属商事（株）、ＮＳＰ－Ｓ２００）
次に、サンプルの第１領域のみを、剥離液（石原ケミカル株式会社製のＳＰＦ－１１）に４０℃で１分浸漬させた後、洗浄することで、第１領域のＳｎめっきを剥離させた。
次に、サンプルに対し、リフロー処理（加熱処理）を行った。リフロー処理は、電気管状炉を６５０℃に設定し、大気雰囲気の電気管状炉内におかれたサンプルが１６０℃～３００℃に達したことを熱電対で確認して、表１に示す処理時間及び設定温度で実施した。
リフロー処理を施した後に、後処理として、第１領域に対し、コンタクトオイル（Ｈａｒｒｙ Ｍｉｌｌｅｒ Ｃｏｒｐ製ＨＭ－１５）を塗布した後、熱風で乾燥させることで、第１領域にオイル層を形成した。
次に、サンプルに対し、リフロー処理（加熱処理）を行った。リフロー処理は、電気管状炉を６５０℃に設定し、大気雰囲気の電気管状炉内におかれたサンプルが１６０℃～３００℃に達したことを熱電対で確認して、表１に示す処理時間及び設定温度で実施した。
リフロー処理を施した後に、後処理として、第１領域に対し、コンタクトオイル（Ｈａｒｒｙ Ｍｉｌｌｅｒ Ｃｏｒｐ製ＨＭ－１５）を塗布した後、熱風で乾燥させることで、第１領域にオイル層を形成した。
（めっき処理Ｂ：製法３のめっき処理）
傾斜部から傾斜部と平坦部との境界を含む第１領域と、メスピンに嵌合された状態においてメスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきとして、以下の条件で、無光沢Ｎｉめっき、半光沢Ｎｉめっき、または、光沢Ｎｉめっきを行い、厚み１μｍのＮｉ層を形成した。
傾斜部から傾斜部と平坦部との境界を含む第１領域と、メスピンに嵌合された状態においてメスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきとして、以下の条件で、無光沢Ｎｉめっき、半光沢Ｎｉめっき、または、光沢Ｎｉめっきを行い、厚み１μｍのＮｉ層を形成した。
・無光沢Ｎｉめっき
めっき方法：電気めっき
めっき液：スルファミン酸Ｎｉめっき液（ＪＸ金属商事（株）、スルファミン酸Ｎｉめっき液１０１４）
めっき温度：５５℃
めっき方法：電気めっき
めっき液：スルファミン酸Ｎｉめっき液（ＪＸ金属商事（株）、スルファミン酸Ｎｉめっき液１０１４）
めっき温度：５５℃
・半光沢Ｎｉめっき
めっき方法：電気めっき
めっき液：スルファミン酸Ｎｉめっき液（ＪＸ金属商事（株）、スルファミン酸Ｎｉめっき液１０１４）＋サッカリン
めっき温度：５５℃
めっき方法：電気めっき
めっき液：スルファミン酸Ｎｉめっき液（ＪＸ金属商事（株）、スルファミン酸Ｎｉめっき液１０１４）＋サッカリン
めっき温度：５５℃
・光沢Ｎｉめっき
めっき方法：電気めっき
めっき液：スルファミン酸Ｎｉめっき液（ＪＸ金属商事（株）、スルファミン酸Ｎｉめっき液１０１４）＋サッカリン＋添加剤
めっき温度：５５℃
めっき方法：電気めっき
めっき液：スルファミン酸Ｎｉめっき液（ＪＸ金属商事（株）、スルファミン酸Ｎｉめっき液１０１４）＋サッカリン＋添加剤
めっき温度：５５℃
次に、第２領域に、上述のめっき処理Ａと同様の条件で無光沢Ｓｎめっきを行い、厚み１μｍのＳｎ層を形成した。
次に、サンプルに対し、上述のめっき処理Ａと同様の条件でリフロー処理（加熱処理）を行った。
リフロー処理を施した後に、上述のめっき処理Ａと同様の条件で、第１領域に対し、オイル被覆処理を行った。
次に、サンプルに対し、上述のめっき処理Ａと同様の条件でリフロー処理（加熱処理）を行った。
リフロー処理を施した後に、上述のめっき処理Ａと同様の条件で、第１領域に対し、オイル被覆処理を行った。
（めっき処理Ｃ：製法４のめっき処理）
傾斜部から傾斜部と平坦部との境界を含む第１領域と、メスピンに嵌合された状態においてメスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきとして、上述のめっき処理Ａと同様の条件で無光沢Ｎｉめっきを行い、厚み１μｍのＮｉ層を形成した。
また、実施例１２については、下地めっき上に、中間層めっきとして、以下の条件で厚み０．３６μｍのＣｕめっきを施した。
傾斜部から傾斜部と平坦部との境界を含む第１領域と、メスピンに嵌合された状態においてメスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきとして、上述のめっき処理Ａと同様の条件で無光沢Ｎｉめっきを行い、厚み１μｍのＮｉ層を形成した。
また、実施例１２については、下地めっき上に、中間層めっきとして、以下の条件で厚み０．３６μｍのＣｕめっきを施した。
・Ｃｕめっき
めっき方法：電気めっき
めっき液：硫酸Ｃｕめっき液（Ｃｕ濃度６０ｇ／Ｌ）
めっき方法：電気めっき
めっき液：硫酸Ｃｕめっき液（Ｃｕ濃度６０ｇ／Ｌ）
次に、第１領域及び第２領域に、上述のめっき処理Ａと同様の条件で無光沢Ｓｎめっきを行い、厚み１μｍまたは０．２７μｍのＳｎ層を形成した。
次に、第１領域のＳｎめっき表面に、以下の条件で、Ｎｉめっき、Ｃｏめっき、または、Ｉｎめっきを行った。各めっき厚みは表１に示すように、０．３μｍ、０．４μｍ、０．５μｍ、または、１．０μｍであった。
次に、第１領域のＳｎめっき表面に、以下の条件で、Ｎｉめっき、Ｃｏめっき、または、Ｉｎめっきを行った。各めっき厚みは表１に示すように、０．３μｍ、０．４μｍ、０．５μｍ、または、１．０μｍであった。
・Ｎｉめっき
めっき方法：電気めっき
めっき液：スルファミン酸Ｎｉめっき液（ＪＸ金属商事（株）、スルファミン酸Ｎｉめっき液１０１４）
めっき温度：５５℃
めっき方法：電気めっき
めっき液：スルファミン酸Ｎｉめっき液（ＪＸ金属商事（株）、スルファミン酸Ｎｉめっき液１０１４）
めっき温度：５５℃
・Ｃｏめっき
めっき方法：電気めっき
めっき液：硫酸コバルトめっき液（Ｃｏ濃度８５ｇ／Ｌ）
めっき温度：５５℃
めっき方法：電気めっき
めっき液：硫酸コバルトめっき液（Ｃｏ濃度８５ｇ／Ｌ）
めっき温度：５５℃
・Ｉｎめっき
めっき方法：電気めっき
めっき液：Ｉｎめっき液（日本エレクトロプレイティング・エンジニヤース株式会社、ミクロファブＩｎ４９５０）
めっき温度：３０℃
めっき方法：電気めっき
めっき液：Ｉｎめっき液（日本エレクトロプレイティング・エンジニヤース株式会社、ミクロファブＩｎ４９５０）
めっき温度：３０℃
次に、サンプルに対し、上述のめっき処理Ａと同様の条件でリフロー処理（加熱処理）を行った。
リフロー処理を施した後に、上述のめっき処理Ａと同様の条件で、第１領域に対し、オイル被覆処理を行った。
リフロー処理を施した後に、上述のめっき処理Ａと同様の条件で、第１領域に対し、オイル被覆処理を行った。
（めっき処理Ｄ：製法５のめっき処理）
傾斜部から傾斜部と平坦部との境界を含む第１領域と、メスピンに嵌合された状態においてメスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきとして、上述のめっき処理Ａと同様の条件で無光沢Ｎｉめっきを行い、厚み１μｍのＮｉ層を形成した。
また、実施例１１については、下地めっき上に、中間層めっきとして、上述のめっき処理Ｃと同様の条件で厚み０．３μｍのＣｕめっきを施した。
次に、第１領域に上述のめっき処理Ａと同様の条件で無光沢Ｓｎめっき（第１のＳｎめっき）を行い、第１領域のみに厚み０．１μｍまたは０．４μｍのＳｎめっきを形成した。
次に、第２領域に上述のめっき処理Ａと同様の条件で無光沢Ｓｎめっき（第２のＳｎめっき）を行い、第２領域のみに厚み０．９μｍまたは０．４μｍのＳｎめっきを形成した。
次に、サンプルに対し、上述のめっき処理Ａと同様の条件でリフロー処理（加熱処理）を行った。
リフロー処理を施した後に、上述のめっき処理Ａと同様の条件で、第１領域に対し、オイル被覆処理を行った。
傾斜部から傾斜部と平坦部との境界を含む第１領域と、メスピンに嵌合された状態においてメスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきとして、上述のめっき処理Ａと同様の条件で無光沢Ｎｉめっきを行い、厚み１μｍのＮｉ層を形成した。
また、実施例１１については、下地めっき上に、中間層めっきとして、上述のめっき処理Ｃと同様の条件で厚み０．３μｍのＣｕめっきを施した。
次に、第１領域に上述のめっき処理Ａと同様の条件で無光沢Ｓｎめっき（第１のＳｎめっき）を行い、第１領域のみに厚み０．１μｍまたは０．４μｍのＳｎめっきを形成した。
次に、第２領域に上述のめっき処理Ａと同様の条件で無光沢Ｓｎめっき（第２のＳｎめっき）を行い、第２領域のみに厚み０．９μｍまたは０．４μｍのＳｎめっきを形成した。
次に、サンプルに対し、上述のめっき処理Ａと同様の条件でリフロー処理（加熱処理）を行った。
リフロー処理を施した後に、上述のめっき処理Ａと同様の条件で、第１領域に対し、オイル被覆処理を行った。
（めっき処理Ｅ：従来のめっき処理）
傾斜部から傾斜部と平坦部との境界を含む第１領域と、メスピンに嵌合された状態においてメスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきとして、上述のめっき処理Ａと同様の条件で無光沢Ｎｉめっきを行い、厚み１μｍのＮｉ層を形成した。
また、比較例２～５については、下地めっき上に、中間層めっきとして、上述のめっき処理Ｃと同様の条件で厚み０．３μｍのＣｕめっきを施した。
次に、第１領域及び第２領域に、上述のめっき処理Ａと同様の条件で無光沢Ｓｎめっきを行い、厚み１μｍ、０．８μｍ、０．４μｍ、０．２μｍ、または、０．１μｍのＳｎ層を形成した。
次に、サンプルに対し、上述のめっき処理Ａと同様の条件でリフロー処理（加熱処理）を行った。
リフロー処理を施した後に、上述のめっき処理Ａと同様の条件で、第１領域に対し、オイル被覆処理を行った。
傾斜部から傾斜部と平坦部との境界を含む第１領域と、メスピンに嵌合された状態においてメスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきとして、上述のめっき処理Ａと同様の条件で無光沢Ｎｉめっきを行い、厚み１μｍのＮｉ層を形成した。
また、比較例２～５については、下地めっき上に、中間層めっきとして、上述のめっき処理Ｃと同様の条件で厚み０．３μｍのＣｕめっきを施した。
次に、第１領域及び第２領域に、上述のめっき処理Ａと同様の条件で無光沢Ｓｎめっきを行い、厚み１μｍ、０．８μｍ、０．４μｍ、０．２μｍ、または、０．１μｍのＳｎ層を形成した。
次に、サンプルに対し、上述のめっき処理Ａと同様の条件でリフロー処理（加熱処理）を行った。
リフロー処理を施した後に、上述のめっき処理Ａと同様の条件で、第１領域に対し、オイル被覆処理を行った。
＜評価＞
・層構成
各サンプルの層構成は、以下に示すように、ＳＥＭ像及びＴＥＭ像を撮影して評価した。また、いくつかのサンプルについては、他のサンプルの評価結果から推定した。
実施例１～３、５～９のサンプルについて、それぞれ、ＳＥＭ（ＪＥＯＬ株式会社製、型式ＪＳＭ－５４１０）にて１００～１００００倍の倍率で断面観察を行った。図７（Ａ）に、実施例２について、上述のオスピンが５本連なったサンプルの外観観察写真を示す。図７（Ｂ）に、図７（Ａ）の矢印方向に指し示す第１領域（Ｎｉ）と第２領域（Ｓｎ）との境界を含む領域において測定したＳＥＭ像を示す。
実施例６、１０～１２、比較例１、２、４のサンプルについて、それぞれ、透過電子顕微鏡：ＴＥＭ（日本電子株式会社製ＪＥＭ－２１００Ｆ）を用いて、加速電圧：２００ｋＶとして、断面分析を行った。得られた断面ＴＥＭ像について、図８（Ａ）（実施例６の第１領域）、図９（Ａ）（実施例１０の第１領域）、図１０（Ａ）（実施例１０の第２領域）、図１１（Ａ）（実施例１１の第１領域）、図１２（Ａ）（実施例１１の第２領域）、図１３（Ａ）（実施例１２の第１領域）、図１４（Ａ）（比較例１）、図１５（比較例２）、図１６（比較例４）に示す。各ＴＥＭ像では、ライン分析方向を矢印で示している。
また、上記ライン分析による深さ方向の各元素濃度のグラフについて、図８（Ｂ）（実施例６の第１領域）、図９（Ｂ）（実施例１０の第１領域）、図１０（Ｂ）（実施例１０の第２領域）、図１１（Ｂ）（実施例１１の第１領域）、図１２（Ｂ）（実施例１１の第２領域）、図１３（Ｂ）（実施例１２の第１領域）、図１４（Ｂ）（比較例１）に示す。
実施例１～３の層構成について、第１領域はＳＥＭ像から推定し、第２領域は比較例１から推定した。
実施例４の層構成について、実施例１～３と構造は同じであると推定した。
実施例６の第１領域の層構成について、断面ＴＥＭ像・ライン分析結果から確認した。第２領域の層構成は比較例１から推定した。
実施例５、７～９の層構成について、第１領域は実施例６の断面ＴＥＭ像・ライン分析結果から確認し、第２領域は比較例１から推定した。なお、表２において実施例５～９の第１領域の層構成は、１種類の層構成ではなく場所によってその層構成が異なると考えられる。例えば、実施例６の第１領域の層構成は図８（Ａ）及び図８（Ｂ）に示されるように、基材／Ｎｉ／Ｎｉ－Ｓｎの層構成と、基材／Ｎｉ／Ｎｉ－Ｓｎ／Ｓｎ／Ｎｉ－Ｓｎの層構成とが混在している。
実施例１０、１１の第１領域および第２領域の層構成それぞれについて、断面ＴＥＭ像・ライン分析結果から確認した。
実施例１２の層構成について、第１領域は全面にその組成を付けためっきの断面ＴＥＭ像・ライン分析結果（不図示）から、第２領域は比較例４から推定した。なお、実施例１２の第２領域はＣｕ／Ｓｎ＝０．３６／０．２７に対し、比較例４は０．３０／０．４０とＳｎ比が厚いが、図１６に示される断面では表層までＣｕ－Ｓｎ合金化しているため、実施例１２の第２領域も表層までＣｕ－Ｓｎ合金化していると考えられる。
比較例１、２、４の層構成について、断面ＴＥＭ像・ライン分析結果から確認した。
比較例３の層構成について、比較例１、２、４から推定した。
・層構成
各サンプルの層構成は、以下に示すように、ＳＥＭ像及びＴＥＭ像を撮影して評価した。また、いくつかのサンプルについては、他のサンプルの評価結果から推定した。
実施例１～３、５～９のサンプルについて、それぞれ、ＳＥＭ（ＪＥＯＬ株式会社製、型式ＪＳＭ－５４１０）にて１００～１００００倍の倍率で断面観察を行った。図７（Ａ）に、実施例２について、上述のオスピンが５本連なったサンプルの外観観察写真を示す。図７（Ｂ）に、図７（Ａ）の矢印方向に指し示す第１領域（Ｎｉ）と第２領域（Ｓｎ）との境界を含む領域において測定したＳＥＭ像を示す。
実施例６、１０～１２、比較例１、２、４のサンプルについて、それぞれ、透過電子顕微鏡：ＴＥＭ（日本電子株式会社製ＪＥＭ－２１００Ｆ）を用いて、加速電圧：２００ｋＶとして、断面分析を行った。得られた断面ＴＥＭ像について、図８（Ａ）（実施例６の第１領域）、図９（Ａ）（実施例１０の第１領域）、図１０（Ａ）（実施例１０の第２領域）、図１１（Ａ）（実施例１１の第１領域）、図１２（Ａ）（実施例１１の第２領域）、図１３（Ａ）（実施例１２の第１領域）、図１４（Ａ）（比較例１）、図１５（比較例２）、図１６（比較例４）に示す。各ＴＥＭ像では、ライン分析方向を矢印で示している。
また、上記ライン分析による深さ方向の各元素濃度のグラフについて、図８（Ｂ）（実施例６の第１領域）、図９（Ｂ）（実施例１０の第１領域）、図１０（Ｂ）（実施例１０の第２領域）、図１１（Ｂ）（実施例１１の第１領域）、図１２（Ｂ）（実施例１１の第２領域）、図１３（Ｂ）（実施例１２の第１領域）、図１４（Ｂ）（比較例１）に示す。
実施例１～３の層構成について、第１領域はＳＥＭ像から推定し、第２領域は比較例１から推定した。
実施例４の層構成について、実施例１～３と構造は同じであると推定した。
実施例６の第１領域の層構成について、断面ＴＥＭ像・ライン分析結果から確認した。第２領域の層構成は比較例１から推定した。
実施例５、７～９の層構成について、第１領域は実施例６の断面ＴＥＭ像・ライン分析結果から確認し、第２領域は比較例１から推定した。なお、表２において実施例５～９の第１領域の層構成は、１種類の層構成ではなく場所によってその層構成が異なると考えられる。例えば、実施例６の第１領域の層構成は図８（Ａ）及び図８（Ｂ）に示されるように、基材／Ｎｉ／Ｎｉ－Ｓｎの層構成と、基材／Ｎｉ／Ｎｉ－Ｓｎ／Ｓｎ／Ｎｉ－Ｓｎの層構成とが混在している。
実施例１０、１１の第１領域および第２領域の層構成それぞれについて、断面ＴＥＭ像・ライン分析結果から確認した。
実施例１２の層構成について、第１領域は全面にその組成を付けためっきの断面ＴＥＭ像・ライン分析結果（不図示）から、第２領域は比較例４から推定した。なお、実施例１２の第２領域はＣｕ／Ｓｎ＝０．３６／０．２７に対し、比較例４は０．３０／０．４０とＳｎ比が厚いが、図１６に示される断面では表層までＣｕ－Ｓｎ合金化しているため、実施例１２の第２領域も表層までＣｕ－Ｓｎ合金化していると考えられる。
比較例１、２、４の層構成について、断面ＴＥＭ像・ライン分析結果から確認した。
比較例３の層構成について、比較例１、２、４から推定した。
・挿入力
得られた試料の挿入力は、市販のＳｎリフローめっきメスピン（０２５型住友ＴＳ／矢崎０９０ＩＩシリーズメス端子非防水）を用いてめっきを施したオスピンと挿抜試験することによって評価した。
得られた試料の挿入力は、市販のＳｎリフローめっきメスピン（０２５型住友ＴＳ／矢崎０９０ＩＩシリーズメス端子非防水）を用いてめっきを施したオスピンと挿抜試験することによって評価した。
試験に用いた測定装置は、アイコーエンジニアリング株式会社製１３１１ＮＲであり、オスピンの摺動距離３ｍｍで評価した。サンプル数は５個とした。挿入力は、各サンプルの最大値を平均した値を採用した。
・接触抵抗（初期）
接触抵抗は株式会社山崎精機研究所製の精密摺動試験装置ＣＲＳ－Ｇ２０５０型を用い、接点荷重１Ｎに設定し、四端子法にて測定した。コネクタを模倣するため、接点部の凸材はＳｎめっき板材（Ｃｕ－３０ＺｎにＳｎを１μｍめっき）をφ３ｍｍの半球状に加工したものを使用した。当該接触抵抗を表２に「接触抵抗（初期）」として示す。
接触抵抗は株式会社山崎精機研究所製の精密摺動試験装置ＣＲＳ－Ｇ２０５０型を用い、接点荷重１Ｎに設定し、四端子法にて測定した。コネクタを模倣するため、接点部の凸材はＳｎめっき板材（Ｃｕ－３０ＺｎにＳｎを１μｍめっき）をφ３ｍｍの半球状に加工したものを使用した。当該接触抵抗を表２に「接触抵抗（初期）」として示す。
・接触抵抗（耐熱）
耐熱性は、大気加熱（１６０℃、１２０時間以上）試験後のサンプルの接触抵抗を測定し、評価した。目標とする特性は、接触抵抗１０ｍΩ以下である。当該接触抵抗を表２に「接触抵抗（耐熱）」として示す。
耐熱性は、大気加熱（１６０℃、１２０時間以上）試験後のサンプルの接触抵抗を測定し、評価した。目標とする特性は、接触抵抗１０ｍΩ以下である。当該接触抵抗を表２に「接触抵抗（耐熱）」として示す。
・はんだ濡れ性
第２領域と同じめっき構造を有するサンプルを溶かした鉛フリーはんだに浸漬し、Ｓｏｌｄｅｒ ｃｈｅｃｋｅｒ ＳＡＴ－５２００を用いてはんだ濡れ時間を測定した。はんだ濡れ時間（最大濡れ力の２／３に達するまでの時間）が１秒以下をＡ、１秒超３秒以下をＢ、３秒超をＣと評価した。
第２領域と同じめっき構造を有するサンプルを溶かした鉛フリーはんだに浸漬し、Ｓｏｌｄｅｒ ｃｈｅｃｋｅｒ ＳＡＴ－５２００を用いてはんだ濡れ時間を測定した。はんだ濡れ時間（最大濡れ力の２／３に達するまでの時間）が１秒以下をＡ、１秒超３秒以下をＢ、３秒超をＣと評価した。
試験条件及び評価結果を表１、２に示す。
（評価結果）
実施例１～１２は、いずれも、挿入力（摩擦力）が１．３Ｎよりも低かった。
実施例１～１２は、接触抵抗は未評価であるが、表層のめっき構成がこれらと同様である比較例１または比較例４の接触抵抗が良好に抑制されていることから、実施例１～１２も同様に接触抵抗が抑制されていると考えられる。
実施例１～１１は、良好なはんだ濡れ性を示した。
実施例１～１２は、いずれも、挿入力（摩擦力）が１．３Ｎよりも低かった。
実施例１～１２は、接触抵抗は未評価であるが、表層のめっき構成がこれらと同様である比較例１または比較例４の接触抵抗が良好に抑制されていることから、実施例１～１２も同様に接触抵抗が抑制されていると考えられる。
実施例１～１１は、良好なはんだ濡れ性を示した。
比較例１、４、６、８は、挿入力が大きかった。
比較例８は、接触抵抗（耐熱）が大きかった。また、比較例８は表層のめっき厚みが０．２μｍと厚いにもかかわらず接触抵抗が大きいため、同様のめっき構成であり、且つ、表層のめっき厚みが比較例８より薄い比較例６、７、及び、表層のめっき厚みが比較例８と同じである比較例９についても、接触抵抗が大きいことがわかる。
また、一般に表層のＳｎめっき厚みが薄いと挿入力が下がる。比較例２は、Ｓｎめっき厚みが比較例１及び４の間であるため、挿入力についてもそれらの間、すなわち、１．３９～１．５の間にあると類推できる。比較例３の挿入力も同様の観点から、比較例１及び５の間、すなわち、１．１２～１．５の間にあると類推できる。
比較例３は、第１領域に対し、オイル被覆処理を行った以外は比較例２と同様に作製したものであるため、比較例２と同等の接触抵抗を示すと考えられる。
比較例５は、第１領域に対し、オイル被覆処理を行った以外は比較例４と同様に作製したものであるため、比較例４と同等の接触抵抗を示すと考えられる。
比較例８は、接触抵抗（耐熱）が大きかった。また、比較例８は表層のめっき厚みが０．２μｍと厚いにもかかわらず接触抵抗が大きいため、同様のめっき構成であり、且つ、表層のめっき厚みが比較例８より薄い比較例６、７、及び、表層のめっき厚みが比較例８と同じである比較例９についても、接触抵抗が大きいことがわかる。
また、一般に表層のＳｎめっき厚みが薄いと挿入力が下がる。比較例２は、Ｓｎめっき厚みが比較例１及び４の間であるため、挿入力についてもそれらの間、すなわち、１．３９～１．５の間にあると類推できる。比較例３の挿入力も同様の観点から、比較例１及び５の間、すなわち、１．１２～１．５の間にあると類推できる。
比較例３は、第１領域に対し、オイル被覆処理を行った以外は比較例２と同様に作製したものであるため、比較例２と同等の接触抵抗を示すと考えられる。
比較例５は、第１領域に対し、オイル被覆処理を行った以外は比較例４と同様に作製したものであるため、比較例４と同等の接触抵抗を示すと考えられる。
１０ コネクタ用オスピン
１１ 傾斜部
１２ 平坦部
１３ 傾斜部と平坦部との境界
１４ 第１領域
１５ 第２領域
２０ コネクタ用メスピン
１１ 傾斜部
１２ 平坦部
１３ 傾斜部と平坦部との境界
１４ 第１領域
１５ 第２領域
２０ コネクタ用メスピン
Claims (11)
- 銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンであって、
メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備え、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とが、互いに異なるめっきで被覆されており、
前記第１領域の硬度は、前記第２領域の硬度よりも高く、
前記第２領域の接触抵抗は、前記第１領域の接触抵抗よりも低く、
少なくとも前記第１領域はオイルで被覆されている、コネクタ用オスピン。 - 前記第１領域は、Ｎｉ、Ｓｎ合金、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ａｕ、Ｗ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｂｉ、Ｚｎ及びＣｒの少なくとも一種以上によって被覆されている、請求項１に記載のコネクタ用オスピン。
- 銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンであって、
メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備え、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とが、互いに異なるめっきで被覆されており、
前記第１領域は、Ｉｎ又はＩｎ合金によって被覆されており、
前記第２領域の接触抵抗は、前記第１領域の接触抵抗よりも低い、コネクタ用オスピン。 - 前記第２領域は、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上によって被覆されている、請求項１～３のいずれか一項に記載のコネクタ用オスピン。
- １６０℃で１２０時間加熱した後の前記第２領域の接触抵抗が１０ｍΩ以下である、請求項１～４のいずれか一項に記載のコネクタ用オスピン。
- メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域及び第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第１領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを剥離させる工程３と、
前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程４と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程５と、
を含む、コネクタ用オスピンの製造方法。 - メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域及び第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第１領域及び前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程３と、
前記第１領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを剥離させる工程４と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程５と、
を含む、コネクタ用オスピンの製造方法。 - メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程３と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程４と、
を含む、コネクタ用オスピンの製造方法。 - メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域及び第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第１領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっき表面にＮｉめっき、又はＣｏめっきを行う工程３と、
前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程４と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程５と、
を含む、コネクタ用オスピンの製造方法。 - メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域及び第２領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程２と、
前記第１領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっき表面にＩｎめっき又はＩｎ合金めっきを行う工程３と、
前記第２領域のＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程４と、
を含む、コネクタ用オスピンの製造方法。 - メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第１領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第２領域とに、下地めっきを行う工程１と、
前記第１領域にＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含む第１のめっきを行う工程２と、
前記第２領域に、前記第１のめっきより厚みの大きいＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＡｇのいずれか一種以上を含む第２のめっきを行う工程３と、
前記第１領域の第１のめっき、及び、前記第２領域の第２のめっきにリフロー処理を行う工程４と、
前記第１領域にオイル被覆処理を行う工程５と、
を含む、コネクタ用オスピンの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021067981A JP7394086B2 (ja) | 2021-04-13 | 2021-04-13 | コネクタ用オスピン及びコネクタ用オスピンの製造方法 |
| JP2021-067981 | 2021-04-13 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2022219904A1 true WO2022219904A1 (ja) | 2022-10-20 |
Family
ID=83639555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2022/005354 WO2022219904A1 (ja) | 2021-04-13 | 2022-02-10 | コネクタ用オスピン及びコネクタ用オスピンの製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7394086B2 (ja) |
| TW (1) | TW202240989A (ja) |
| WO (1) | WO2022219904A1 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012028139A (ja) * | 2010-07-22 | 2012-02-09 | Shinko Leadmikk Kk | 接続用端子 |
| JP2012099398A (ja) * | 2010-11-04 | 2012-05-24 | Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk | 電気接点及びコネクタ端子 |
| JP2015124434A (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-06 | 三菱マテリアル株式会社 | 錫めっき銅合金端子材 |
| JP2020149805A (ja) * | 2019-03-11 | 2020-09-17 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 端子、コネクタ、端子対、及びコネクタ対 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3810205B2 (ja) * | 1998-03-10 | 2006-08-16 | 株式会社神戸製鋼所 | ワイヤボンディング用ピン端子 |
| JP2015167099A (ja) * | 2014-03-04 | 2015-09-24 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | コネクタ端子及びその製造方法 |
| JP2020149770A (ja) * | 2019-03-11 | 2020-09-17 | 矢崎総業株式会社 | 金属めっき端子及びその製造方法 |
-
2021
- 2021-04-13 JP JP2021067981A patent/JP7394086B2/ja active Active
-
2022
- 2022-02-10 WO PCT/JP2022/005354 patent/WO2022219904A1/ja active Application Filing
- 2022-02-14 TW TW111105253A patent/TW202240989A/zh unknown
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012028139A (ja) * | 2010-07-22 | 2012-02-09 | Shinko Leadmikk Kk | 接続用端子 |
| JP2012099398A (ja) * | 2010-11-04 | 2012-05-24 | Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk | 電気接点及びコネクタ端子 |
| JP2015124434A (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-06 | 三菱マテリアル株式会社 | 錫めっき銅合金端子材 |
| JP2020149805A (ja) * | 2019-03-11 | 2020-09-17 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 端子、コネクタ、端子対、及びコネクタ対 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2022162913A (ja) | 2022-10-25 |
| JP7394086B2 (ja) | 2023-12-07 |
| TW202240989A (zh) | 2022-10-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP2868773B1 (en) | Electronic component metal material and manufacturing method thereof, and connector terminal, connector and electronic component using said electronic component metal material | |
| EP2868776B1 (en) | Electronic component metal material and manufacturing method thereof, and connector terminal, connector and electronic component using said electronic component metal material | |
| JP5667152B2 (ja) | 表面処理めっき材およびその製造方法、並びに電子部品 | |
| EP2878704B1 (en) | Metal material for electronic components, method for producing same, connector terminal using same, connector and electronic component | |
| EP2868772B1 (en) | Electronic component metal material and manufacturing method thereof, and connector terminal, connector and electronic component using said electronic component metal material | |
| JP5355935B2 (ja) | 電気電子部品用金属材料 | |
| KR20190117596A (ko) | 전자 부품용 금속 재료 및 그 제조 방법, 그것을 사용한 커넥터 단자, 커넥터 및 전자 부품 | |
| JP5692799B2 (ja) | Ｓｎめっき材およびその製造方法 | |
| JPH11193494A (ja) | かん合型接続端子用めっき材及びかん合型接続端子 | |
| JP2014139345A (ja) | 表面処理めっき材およびその製造方法、並びに電子部品 | |
| WO2022219904A1 (ja) | コネクタ用オスピン及びコネクタ用オスピンの製造方法 | |
| JP7281970B2 (ja) | 電気接点用材料およびその製造方法、コネクタ端子、コネクタならびに電子部品 | |
| JP7155312B2 (ja) | 電子部品用めっき材料及び電子部品 | |
| WO2022054953A1 (ja) | めっき材料及び電子部品 | |
| JP2023061782A (ja) | めっき材及び電子部品 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 22787832 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
| 122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 22787832 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |