JP7386184B2 - 高周波および高電力薄膜部品 - Google Patents
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Description
本願は、2018年6月6日の出願日を有する米国仮特許出願第62/681,262号の出願日の権利を主張する。この特許出願をここで引用したことにより、その内容全体が本願にも含まれるものとする。
ある実施形態では、表面実装部品は、フリップ・チップ・デバイスとして構成することもできる。例えば、印刷回路ボードのような実装面に隣接して実装するように構成されたデバイスの面上に、部品(component)の1つ以上の素子(element)を形成してもよい。図1を参照すると、表面実装部品10は、第1端16に隣接する第1端面14(図1では見えない)と、第2端20に隣接する第2端面18とを有する電気絶縁ビーム12を含むことができる。第2端面18は、X方向22において、第1端面14の反対側にあればよい。ある実施形態では、第1端面14が第2端面18と平行でもよい。また、ビーム12は、第1表面26(例えば、図1に示すような上面)と、第1表面26の反対側にある第2表面(図1では見えない)とを有するのももっともである。第2表面28は、X方向22およびY方向24の各々に対して垂直なZ方向30に第1表面26からずれてもよい。ある実施形態では、ビーム12の第1および第2表面26、28は互いに平行であってもよい。
図3Aおよび図3Bを参照すると、ある実施形態では、表面実装部品10、端子34、36、44の1つ以上を、包み込み端子(wrap-around terminal)として構成することができる。こうすると、1つ以上の(例えば、薄膜部品32)を、実装面から見て外方に向く表面上に配置されるように、表面実装部品を実装することが可能になる。
図5Aは、本開示の態様による周波数補償層を含む例示的な薄膜抵抗器100を示す。例えば、薄膜抵抗器100は、図1から図4までを参照して先に論じた薄膜部品32に対応するとしてよい。薄膜抵抗器100は、基板102(例えば、先に論じたビーム12の一部分に対応する)上に形成された抵抗層104(例えば、先に論じた抵抗層38に対応する。)を含むことができる。抵抗層104の層は、第1および第2接触パッド106、108と接続することができる。第1および第2接触パッド106、108は、それぞれ、先に論じた第1端子34および第2端子36に対応するとしてよい。あるいは、第1および第2接触パッド106、108は、それぞれ、第1端子34および第2端子36と接触する別個の構造であってもよい。
本明細書において説明した表面実装部品の種々の実施形態は、適した種類の電気部品であればいずれに応用することができる。表面実装部品は、特に、高周波無線信号を受信する、送信する、またそうでなければ採用するデバイスに応用することができる。応用例には、5G周波数あるいは関連する計測(instrumentation)または機材(equipment)に合わせて適合されたデバイスが含まれる。更に他の用途には、スマートフォン、信号反応器(例えば、スモール・セル)、中継局、およびレーダを含むことができる。
次の章では、電力容量および面積電力容量を測定するための表面実装部品の検査方法例について示す。
本開示の態様による表面実装部品をシミュレートするために、コンピュータ・モデリングを使用した。表面実装部品の種々の特性を判定するために検査ボードを使用することができる。しかしながら、検査ボードの材料および寸法が結果に影響を及ぼすことがわかり、したがってこれもコンピュータ・モデリングを使用してシミュレートした。
Claims (15)
- 表面実装部品であって、
熱伝導性の電気絶縁ビームであって、第1端と、前記第1端の反対側にある第2端とを有する、電気絶縁ビームと、
前記電気絶縁ビームの第1端に隣接して、前記電気絶縁ビーム上に形成された薄膜部品であって、抵抗層と、前記抵抗層上に形成された周波数補償導電層とを含み、前記周波数補償導電層の厚さが約0.001μmから約1,000μmまでの範囲にわたる、薄膜部品と、
前記電気絶縁ビームの第2端に隣接して、前記電気絶縁ビーム上に形成されたヒート・シンク端子と、
を備え、前記薄膜部品が、約28GHzおよび約44.8℃における定常状態で1Wよりも大きい電力容量を有する、表面実装部品。 - 請求項1記載の表面実装部品において、前記薄膜部品が第1端子および第2端子を含み、前記第1端子、前記第2端子、および前記ヒート・シンク端子の各々が、前記電気絶縁ビームの第1表面上に配置される、表面実装部品。
- 請求項2記載の表面実装部品において、前記薄膜部品が第1端子および第2端子を含み、前記電気絶縁ビームが、前記第1表面の反対側の第2表面を含み、前記第1端子、前記第2端子、または前記ヒート・シンク端子の内少なくとも1つの少なくとも一部が前記第2表面上に配置されるように、前記第1端子、前記第2端子、または前記ヒート・シンク端子の内少なくとも1つが、前記電気絶縁ビームを包み込む、表面実装部品。
- 請求項1記載の表面実装部品において、前記薄膜部品が第1端子および第2端子を含み、前記第1端子、前記第2端子、または前記ヒート・シンク端子の内少なくとも1つが、包み込み端子として構成される、表面実装部品。
- 請求項1記載の表面実装部品において、前記薄膜部品が、フリップ・チップ部品として構成される、表面実装部品。
- 表面実装部品であって、
熱伝導性の電気絶縁ビームと、
前記電気絶縁ビーム上に形成された薄膜部品と、
前記電気絶縁ビーム上に形成されたヒート・シンク端子と、を備え、前記薄膜部品が、約28GHzおよび約44.8℃における定常状態で1W/mm2よりも大きい面積電力容量を有する、表面実装部品。 - 請求項6記載の表面実装部品において、前記薄膜部品の面積電力容量が、約28GHzおよび約44.8℃における定常状態で2W/mm 2 よりも大きく約10W/mm2よりも小さい、表面実装部品。
- 請求項1記載の表面実装部品において、前記薄膜部品が、約20GHzから約40GHzまでの範囲に及ぶ周波数にわたって、約20%未満だけ変動する伝達係数を有する、表面実装部品。
- 請求項1記載の表面実装部品において、前記薄膜部品が、約20GHzから約40GHzまでの範囲に及ぶ周波数にわたって、約10%未満だけ変動する抵抗を有する、表面実装部品。
- 請求項1記載の表面実装部品において、前記薄膜部品が、第1端子と、第2端子とを含み、前記抵抗層が、前記第1端子と前記第2端子との間に接続される、表面実装部品。
- 請求項1記載の表面実装部品において、前記電気絶縁ビームが、約22°Cにおいて約150W/m・°Cから約300W/m・°Cまでの熱伝導率を有する材料を含む、表面実装部品。
- 請求項1記載の表面実装部品において、前記電気絶縁ビームが、窒化アルミニウムまたは酸化ベリリウムの内少なくとも1つを含む、表面実装部品。
- 請求項1記載の表面実装部品において、前記表面実装部品の全長が、約0.1mmよりも長く、約5mmよりも短い、表面実装部品。
- 請求項1記載の表面実装部品において、前記表面実装部品の全幅が、約0.05mmよりも長く、約2.5mmよりも短い、表面実装部品。
- 請求項1記載の表面実装部品において、前記表面実装部品の全厚が、約0.05mmよりも長く、約2.5mmよりも短い、表面実装部品。
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