JP7385857B2 - ショットキーダイオード - Google Patents
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Description
[2]前記p型半導体部材が、価電子帯の上端のエネルギーが前記Ga2O3系単結晶の価電子帯の上端のエネルギー以上である第1のp型半導体部材を含む、上記[1]に記載のショットキーダイオード。
[3]前記第1のp型半導体部材が、Ga2O3、NiO、Cu2O、SnO、ZnSe、GaN、SiC、Si、又はGaAsからなる、上記[2]に記載のショットキーダイオード。
[4]前記p型半導体部材が、価電子帯の上端のエネルギーが前記Ga2O3系単結晶の価電子帯の上端のエネルギーに2eVを加えたエネルギー以下である第2のp型半導体部材を含む、上記[1]~[3]のいずれか1項に記載のショットキーダイオード。
[5]前記第2のp型半導体部材が、ZnSe、GaN、又はダイアモンドからなる、上記[4]に記載のショットキーダイオード。
[6]前記第2のp型半導体部材の価電子帯の上端のエネルギーが、前記Ga2O3系単結晶の価電子帯の上端のエネルギー以下である、上記[4]に記載のショットキーダイオード。
(ショットキーダイオードの構成)
図1は、第1の実施の形態に係るショットキーダイオード1の垂直断面図である。ショットキーダイオード1は、トレンチMOS構造を有する縦型のショットキーダイオードである。
上記実施の形態によれば、高耐圧かつ低損失であり、かつサージ電流への耐性に優れたGa2O3系のショットキーダイオードを提供することができる。
Claims (6)
- Ga2O3系単結晶からなり、一方の面に開口する複数のトレンチを有するn型半導体層と、
前記n型半導体層の隣接する前記トレンチの間のメサ形状領域に接続されたアノード電極と、
絶縁膜に覆われた状態で前記複数のトレンチのそれぞれに埋め込まれ、前記アノード電極に電気的に接続されたトレンチアノード電極と、
前記n型半導体層の前記アノード電極と反対側に直接又は間接的に接続されたカソード電極と、
前記メサ形状領域の一部及び前記アノード電極に接続されたp型半導体部材と、
を備えた、ショットキーダイオード。 - 前記p型半導体部材が、価電子帯の上端のエネルギーが前記Ga2O3系単結晶の価電子帯の上端のエネルギー以上である第1のp型半導体部材を含む、
請求項1に記載のショットキーダイオード。 - 前記第1のp型半導体部材が、Ga2O3、NiO、Cu2O、SnO、ZnSe、GaN、SiC、Si、又はGaAsからなる、
請求項2に記載のショットキーダイオード。 - 前記p型半導体部材が、価電子帯の上端のエネルギーが前記Ga2O3系単結晶の価電子帯の上端のエネルギーに2eVを加えたエネルギー以下である第2のp型半導体部材を含む、
請求項1~3のいずれか1項に記載のショットキーダイオード。 - 前記第2のp型半導体部材が、ZnSe、GaN、又はダイアモンドからなる、
請求項4に記載のショットキーダイオード。 - 前記第2のp型半導体部材の価電子帯の上端のエネルギーが、前記Ga2O3系単結晶の価電子帯の上端のエネルギー以下である、
請求項4に記載のショットキーダイオード。
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