JP7373436B2 - Die bonding equipment and semiconductor device manufacturing method - Google Patents

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Description

本開示はダイボンディング装置に関し、例えば複数の認識カメラでアタッチメント領域を撮像するダイボンダに適用可能である。 The present disclosure relates to a die bonding apparatus, and is applicable to, for example, a die bonder that images an attachment area with a plurality of recognition cameras.

半導体装置の製造工程の一部に半導体チップ(以下、単にダイという。)を配線基板やリードフレーム等(以下、単に基板という。)に載置してパッケージを組み立てる工程があり、パッケージを組み立てる工程の一部に、半導体ウェハ(以下、単にウェハという。)からダイを分割する工程(ダイシング工程)と、分割したダイを基板の上に載置するボンディング工程とがある。ボンディング工程に使用される半導体製造装置がダイボンダ等のダイボンディング装置である。 Part of the manufacturing process for semiconductor devices is the process of assembling a package by mounting a semiconductor chip (hereinafter simply referred to as a die) on a wiring board, lead frame, etc. (hereinafter simply referred to as a board). The process includes a process (dicing process) of dividing die from a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as wafer) and a bonding process of placing the divided die on a substrate. A semiconductor manufacturing device used in the bonding process is a die bonding device such as a die bonder.

ダイボンダは、樹脂ペースト、はんだ、金メッキ等を接合材料として、ダイを基板または既にボンディングされたダイの上にボンディング(載置して接着)する装置である。例えば、ダイを基板の表面にボンディングするダイボンダにおいては、ボンディングヘッドの先端に取り付けられたコレットと呼ばれる吸着ノズルを用いてダイをウェハから吸着してピックアップし、基板上の所定の位置に載置し、押付力を付与すると共に、接合材を加熱することによりボンディングを行うという動作(作業)が繰り返して行われる。 A die bonder is a device that uses resin paste, solder, gold plating, or the like as a bonding material to bond (place and bond) a die onto a substrate or an already bonded die. For example, in a die bonder that bonds a die to the surface of a substrate, a suction nozzle called a collet attached to the tip of the bonding head is used to pick up the die from the wafer and place it on a predetermined position on the substrate. The operation (work) of applying a pressing force and performing bonding by heating the bonding material is repeatedly performed.

樹脂を接合材料として使用する場合、Agエポキシ及びアクリル等の樹脂ペーストが接着剤(以下、ペースト状接着剤という)として使用される。ダイを基板に接着するペースト状接着剤はシリンジ内に封入され、このシリンジが、基板に対して上下動してペースト状接着剤を射出して塗布する。すなわち、ペースト状接着剤を封入したシリンジによってペースト状接着剤が所定の位置に所定量塗布され、そのペースト状接着剤上にダイが圧着・ベークされて接着される。シリンジの近傍には認識カメラが取り付けられ、この認識カメラで、ペースト状接着剤が塗布される位置を確認して位置決めが行われ、また塗布されたペースト状接着剤が所定位置に所定の形状で所定量だけ塗布されているかが確認される。 When resin is used as the bonding material, resin pastes such as Ag epoxy and acrylic are used as adhesives (hereinafter referred to as paste adhesives). A paste adhesive for bonding the die to the substrate is enclosed in a syringe, and the syringe moves up and down relative to the substrate to inject and apply the paste adhesive. That is, a predetermined amount of the paste adhesive is applied to a predetermined position using a syringe filled with the paste adhesive, and the die is bonded by pressing and baking onto the paste adhesive. A recognition camera is installed near the syringe, and this recognition camera confirms and determines the position where the paste adhesive will be applied, and also ensures that the applied paste adhesive is in the specified position and shape. It is confirmed whether a predetermined amount has been applied.

また、ボンディングヘッドの近傍には認識カメラが取り付けられ、この認識カメラで、ダイがボンディングされる基板の位置を確認して位置決めが行われ、またボンディングされたダイが所定位置にボンディングされているかが確認される。 In addition, a recognition camera is installed near the bonding head, and this recognition camera confirms and determines the position of the substrate to which the die is bonded, and also checks whether the bonded die is bonded in the specified position. It is confirmed.

特開2013-197277号公報Japanese Patent Application Publication No. 2013-197277

非テレセントリックレンズを用いた一つの撮像装置で複数の撮像対象物を撮像すると、撮像装置の真下から遠ざかった撮像対象物は斜めから撮像することになり、立体形状の側面をみてしまう。
本開示の課題は、複数の撮像対象物の撮像条件の一様性を向上することが可能な技術を提供することにある。
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
When a plurality of objects are imaged with a single imaging device using a non-telecentric lens, objects that are far away from directly below the imaging device are imaged from an oblique angle, resulting in viewing the sides of the three-dimensional shape.
An object of the present disclosure is to provide a technique that can improve the uniformity of imaging conditions for a plurality of imaging targets.
Other objects and novel features will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

本開示のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
すなわち、ダイボンディング装置は、基板を搬送する搬送路と、前記搬送路の上方に前記基板の幅方向に沿って一列に固定配設された複数の撮像装置と、前記基板の上に位置する前記幅方向に沿った一列の複数のアタッチメント領域を前記複数の撮像装置で撮像して複数の画像を取得し、取得した複数の前記画像に基づいて合成画像を生成し、前記合成画像に基づいて前記アタッチメント領域の撮像対象物を認識するよう構成される制御部と、を備える。各撮像装置の撮像視野は前記基板の上で重複し、重複した前記撮像視野は前記アタッチメント領域よりも大きく構成される。
A brief overview of typical features of the present disclosure is as follows.
That is, the die bonding apparatus includes a transport path for transporting a substrate, a plurality of imaging devices fixedly disposed in a line above the transport path along the width direction of the substrate, and a plurality of imaging devices located above the substrate. A plurality of attachment regions in a row along the width direction are captured by the plurality of imaging devices to obtain a plurality of images, a composite image is generated based on the plurality of acquired images, and a composite image is generated based on the composite image. A control unit configured to recognize an imaging target in the attachment area. The imaging fields of each imaging device overlap on the substrate, and the overlapping imaging fields are configured to be larger than the attachment area.

上記ダイボンディング装置によれば、複数の撮像対象物の撮像条件の一様性を向上することが可能になる。 According to the die bonding apparatus described above, it is possible to improve the uniformity of imaging conditions for a plurality of imaging targets.

図1(a)は通常視野光学系を示す斜視図であり、図1(b)は広視野光学系を示す斜視図である。FIG. 1(a) is a perspective view showing a normal field of view optical system, and FIG. 1(b) is a perspective view of a wide field of view optical system. 図2(a)はマクロレンズを用いた広視野光学系の概念図であり、図2(b)はテレセントリックレンズを用いた広視野光学系の概念図である。FIG. 2(a) is a conceptual diagram of a wide-field optical system using a macro lens, and FIG. 2(b) is a conceptual diagram of a wide-field optical system using a telecentric lens. 図3(a)はペーストの立体形状のイメージを示す図であり、図3(b)は基板をマクロレンズでワイドエリアに見た時のペースト上の輝線を示す図である。FIG. 3(a) is a diagram showing an image of the three-dimensional shape of the paste, and FIG. 3(b) is a diagram showing bright lines on the paste when the substrate is viewed in a wide area with a macro lens. 図4(a)は実施形態の撮像装置の多連化について説明する上面図であり、図4(b)は図4(a)において矢印A方向から見たときの側面図である。FIG. 4(a) is a top view illustrating multiple imaging devices according to the embodiment, and FIG. 4(b) is a side view when viewed from the direction of arrow A in FIG. 4(a). 図5は実施形態の撮像装置に用いる照明装置について説明する図である。FIG. 5 is a diagram illustrating a lighting device used in the imaging device of the embodiment. 図6は複数の撮像装置の撮像視野の重複について説明する上面図である。FIG. 6 is a top view illustrating the overlapping of imaging fields of view of a plurality of imaging devices. 図7は図6において矢印A方向から見たときの側面図である。FIG. 7 is a side view when viewed from the direction of arrow A in FIG. 図8は撮像視野の重複量について説明する図である。FIG. 8 is a diagram illustrating the amount of overlap of imaging fields of view. 図9はイメージモザイキングと座標マッピングを説明する図である。FIG. 9 is a diagram explaining image mosaicing and coordinate mapping. 図10はキャリブレーションプレートを用いたイメージモザイキングと座標変換を説明する模式図である。FIG. 10 is a schematic diagram illustrating image mosaicing and coordinate transformation using a calibration plate. 図11はディストーションを説明する図である。FIG. 11 is a diagram illustrating distortion. 図12はアフィン変換および射影変換の変換行列の式を示す図である。FIG. 12 is a diagram showing equations of transformation matrices for affine transformation and projective transformation. 図13は基板のターゲットモデルによるイメージモザイキングと座標変換を説明する図である。FIG. 13 is a diagram illustrating image mosaicking and coordinate transformation using a target model of a substrate. 図14は撮像装置の経時変位の影響を説明する図である。FIG. 14 is a diagram illustrating the influence of temporal displacement of the imaging device. 図15は空間再補正を説明する図である。FIG. 15 is a diagram illustrating spatial re-correction. 図16はキャリブレーションプレートの高さを変える方法を説明する図である。FIG. 16 is a diagram illustrating a method of changing the height of the calibration plate. 図17はシュートに設けるマーカを説明する図である。FIG. 17 is a diagram illustrating markers provided on the chute. 図18は変形例における撮像装置の多連化について説明する斜視図である。FIG. 18 is a perspective view illustrating multiple imaging devices in a modified example. 図19は実施例におけるダイボンダの概略を示す上面図である。FIG. 19 is a top view schematically showing the die bonder in the example. 図20は図19において矢印A方向から見たときに、ピックアップヘッド及びボンディングヘッドの動作を説明する図である。FIG. 20 is a diagram illustrating the operation of the pickup head and the bonding head when viewed from the direction of arrow A in FIG. 19. 図21は図19のダイ供給部の主要部を示す概略断面図である。FIG. 21 is a schematic cross-sectional view showing the main parts of the die supply section of FIG. 19. 図22は図19のダイボンダの制御系の概略構成を示すブロック図である。FIG. 22 is a block diagram showing a schematic configuration of the control system of the die bonder shown in FIG. 19. 図23は半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。FIG. 23 is a flowchart showing a method for manufacturing a semiconductor device.

以下、実施形態、変形例および実施例について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明を省略することがある。なお、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。 Embodiments, modifications, and examples will be described below with reference to the drawings. However, in the following description, the same constituent elements may be denoted by the same reference numerals and repeated explanations may be omitted. In addition, in order to make the explanation more clear, the drawings may schematically represent the width, thickness, shape, etc. of each part compared to the actual aspect, but these are only examples, and the interpretation of the present invention is It is not limited.

まず、本開示者らが検討した技術について図1~図3を用いて説明する。図1(a)は通常視野光学系を示す斜視図であり、図1(b)は広視野光学系を示す斜視図である。 First, the technology studied by the present inventors will be explained using FIGS. 1 to 3. FIG. 1(a) is a perspective view showing a normal field of view optical system, and FIG. 1(b) is a perspective view of a wide field of view optical system.

基板Sの位置決め、アタッチメント(ダイボンディングまたはペースト塗布)、検査を順次行う動作において、図1(a)に示すように、低解像度の撮像装置CMLを用いた通常視野光学系を用いると、一つのアタッチメント領域AAよりも少し大きな領域しか撮像しないので、アタッチメント領域AAの数だけの撮像および画像認識が必要である。ここで、一例として基板Sには一列に六個のアタッチメント領域AAを有し、五列のアタッチメント領域を有する例を示している。低解像度の撮像装置とは、一つのアタッチメント領域よりも少し大きな領域しか十分な解像度で撮像できない撮像装置であり、例えば、解像度が約30万~約130万画素の撮像装置である。 In the operation of sequentially positioning the substrate S, attaching it (die bonding or paste coating), and inspecting it, as shown in FIG. Since only an area slightly larger than the attachment area AA is imaged, as many images and image recognitions as there are attachment areas AA are required. Here, as an example, the substrate S has six attachment areas AA in one row, and an example is shown in which five rows of attachment areas are provided. A low-resolution imaging device is an imaging device that can only image an area slightly larger than one attachment area with sufficient resolution, and is, for example, an imaging device with a resolution of about 300,000 to about 1.3 million pixels.

そのため、図1(a)に示すように、撮像装置CMLを基板Sの幅方向(Y軸方向)に移動させて、その列における他のアタッチメント領域の撮像および画像認識を行って、その画像認識に基づく処理を行うという動作を繰り返して行う必要がある。なお、一列の撮像後は基板Sを基板搬送方向(X軸方向)に移動して次の列の撮像を行う。 Therefore, as shown in FIG. 1(a), the imaging device CML is moved in the width direction (Y-axis direction) of the substrate S to perform imaging and image recognition of other attachment areas in that row. It is necessary to repeat the process of performing processing based on . Note that after imaging one row, the substrate S is moved in the substrate transport direction (X-axis direction) and imaging of the next row is performed.

したがって、撮像装置CMLの支持部材(不図示)を基板Sの幅方向に移動させる移動機構が必要となり、撮像装置CMLの支持機構が複雑化および大型化し、高価になる。また、撮像装置CMLの幅方向への移動時間のため、さらに、支持部材の移動に伴って生じる振動による撮像装置CMLの揺れが収まるまでの撮像の待ち時間が必要なため、ダイボンダを高速化することができない。または、振動を防止するためには振動防止機構が必要になり、さらに、ダイボンダが高価になる。また、アタッチメント領域の上空であって撮像装置の下方を往復動作する機構部がある場合は、当該機構部によって撮像視野が遮蔽されていないタイミングを見計らって撮像する必要がある。この撮像タイミングを確保することにより、ダイボンダを高速化することができない。 Therefore, a moving mechanism for moving the support member (not shown) of the imaging device CML in the width direction of the substrate S is required, which makes the supporting mechanism of the imaging device CML complicated, large, and expensive. In addition, because of the time required to move the imaging device CML in the width direction, and the waiting time for imaging until the shaking of the imaging device CML due to vibrations caused by the movement of the support member subsides, the speed of the die bonder must be increased. I can't. Alternatively, a vibration prevention mechanism is required to prevent vibration, and furthermore, the die bonder becomes expensive. Furthermore, if there is a mechanism that moves back and forth above the attachment area and below the imaging device, it is necessary to take an image at a time when the imaging field of view is not blocked by the mechanism. By securing this imaging timing, the speed of the die bonder cannot be increased.

一方、基板の搬送後のアタッチメント毎にそれを繰り返すのではなく、図1(b)に示すように、高解像度の撮像装置CMHを用いた広視野光学系を用いると、前段の位置決めまたは後段の検査を基板Sの全アタッチメント領域(全タブ一纏め)または基板の幅方向の少なくとも1列のアタッチメント領域で撮像して認識することは処理時間の効率化となり、上述した問題点は解決できる。ここで、高解像度の撮像装置とは、少なくとも基板Sの幅方向一列分の全領域を一括して十分な解像度で撮像することができる撮像装置であり、例えば、解像度が約500万画素以上の撮像装置である。一列には複数のアタッチメント領域が含まれ、例えば少なくとも四個のアタッチメント領域が含まれる。 On the other hand, instead of repeating this process for each attachment after the substrate is transported, if a wide-field optical system using a high-resolution imaging device CMH is used, as shown in Figure 1(b), it is possible to position the front stage or the rear stage. Performing the inspection by imaging and recognizing the entire attachment area of the substrate S (all tabs together) or at least one row of attachment areas in the width direction of the substrate improves processing time and solves the above-mentioned problems. Here, a high-resolution imaging device is an imaging device that can image at least the entire area of one row in the width direction of the substrate S at a time with sufficient resolution, for example, a device with a resolution of about 5 million pixels or more. It is an imaging device. A row includes a plurality of attachment areas, for example at least four attachment areas.

しかし、広視野光学系(ワイドエリアカメラ)には、以下の問題点がある。この問題点について図2および図3を用いて説明する。図2(a)はマクロレンズを用いた広視野光学系の概念図であり、図2(b)はテレセントリックレンズを用いた広視野光学系の概念図である。図3(a)はペーストの立体形状のイメージを示す図であり、図3(b)は基板をマクロレンズでワイドエリアに見た時のペースト上の輝線を示す図である。 However, wide-field optical systems (wide-area cameras) have the following problems. This problem will be explained using FIGS. 2 and 3. FIG. 2(a) is a conceptual diagram of a wide-field optical system using a macro lens, and FIG. 2(b) is a conceptual diagram of a wide-field optical system using a telecentric lens. FIG. 3(a) is a diagram showing an image of the three-dimensional shape of the paste, and FIG. 3(b) is a diagram showing bright lines on the paste when the substrate is viewed in a wide area with a macro lens.

(1)テレセントリック性の確保
マクロレンズの倍率を単純に下げるだけでもワイドエリアになるが、視野の中心から外れるほど斜め上から見た状態となり、図2(a)に示すように、視野中心の撮像対象物OBCでは側面は見えないが、左側の撮像対象物OBLでは右側面が見え、右側の撮像対象物OBRでは左側面が見え、立体形状の側面をみてしまう。また、撮像対象物OBLの高さによって倍率が変化してしまい、高さが変わってしまうと例えばアライメントが難しくなる。例えば、基板に塗布されたペーストや基板に積層されたダイは箇所によって高さが異なる。
(1) Ensuring telecentricity Simply lowering the magnification of the macro lens will make the area wider, but the further you move away from the center of the field of view, the more you will see it from diagonally above, as shown in Figure 2(a). Although the side surface of the object to be imaged OBC is not visible, the right side surface is visible for the object to be imaged on the left side OBL, and the left side surface is visible for the object to be imaged on the right side OBR, so that the side surface of the three-dimensional shape is visible. Further, the magnification changes depending on the height of the object to be imaged OBL, and if the height changes, alignment becomes difficult, for example. For example, the height of a paste applied to a substrate or a die stacked on a substrate differs depending on the location.

これらの問題点は、テレセントリックレンズを使用することで解消することが可能である。テレセントリックレンズは平行光を集光するので全ての撮像対象物において側面は見えなくなる。しかし、その場合、図2(b)に示すように、一般的には見たい視野より大きい口径のレンズが必要になり、例えば100mm角の視野を確保しようとすると、その対角である141mm以上の口径が必要となり、それに伴い焦点距離も長くなってしまう。このような大型のレンズをダイボンディング装置に実装することは効率性の観点から好ましくない。 These problems can be solved by using a telecentric lens. Since the telecentric lens focuses parallel light, the sides of all objects to be imaged become invisible. However, in that case, as shown in Figure 2(b), a lens with a larger aperture than the desired field of view is generally required. This requires a larger aperture, and the focal length also becomes longer. Mounting such a large lens in a die bonding device is not preferable from the viewpoint of efficiency.

(2)視野内における均一な照明の照射
非テレセントリックレンズを使ってワイドエリアを確保しようとした場合、視野の端の方では斜め上から見る状態になる。これが視野の右端と左端、または上端と下端では方向が逆になるため、照明の照射方向が不均一になりやすい。またテレセントリック光を使った平行光を照射した場合でも、撮像視野内で均一に照射した画像を得ることが難しくなる。例えば、図3(a)に示すように、十字形状に基板に塗布されたペースト状接着剤PAは中心部分が高く、先端部分は低く形成される。図3(a)に示すようなペースト状接着剤が塗布された基板をマクロレンズでワイドエリアに見た場合、図3(b)に示すように、撮像視野の中央部は撮像対象物を真上から見るので明るいが、周辺部は斜めに見るので暗く、また、ペースト状接着剤の高さが均一でないので、ペースト状接着剤PAの上の輝線が移動してしまう。ここで、図3(b)の画像中心に撮像装置の視野中心が位置する。基板Sには、一列に六個のアタッチメント領域であるタブTBがあり、七列示されている。基板Sの右側の四列のタブTBにはペースト状接着剤PAが塗布されている。
(2) Irradiation of uniform illumination within the field of view When trying to secure a wide area using a non-telecentric lens, the end of the field of view will be viewed from diagonally above. Since the directions are reversed at the right and left ends, or at the top and bottom ends of the field of view, the direction of illumination tends to be uneven. Furthermore, even when parallel light using telecentric light is irradiated, it is difficult to obtain an image uniformly irradiated within the imaging field of view. For example, as shown in FIG. 3(a), the paste adhesive PA applied to the substrate in the shape of a cross is formed such that the center portion is high and the tip portion is low. When a substrate coated with a paste adhesive as shown in Figure 3(a) is viewed in a wide area with a macro lens, the central part of the imaging field of view is directly centered on the object to be imaged, as shown in Figure 3(b). It is bright when viewed from above, but the peripheral area is dark when viewed diagonally, and since the height of the paste adhesive is not uniform, the bright line above the paste adhesive PA shifts. Here, the center of the field of view of the imaging device is located at the center of the image in FIG. 3(b). The substrate S has tabs TB, which are six attachment areas in one row, and seven rows are shown. A paste adhesive PA is applied to four rows of tabs TB on the right side of the substrate S.

次に、上述した問題点を解決する実施形態について図4~図5を用いて説明する。図4(a)は実施形態の撮像装置の多連化について説明する上面図であり、図4(b)は図4(a)において矢印A方向から見たときの側面図である。図5は実施形態の撮像装置に用いる照明装置について説明する図であり、図5(a)は照明装置の断面図、図5(b)は側面図である。 Next, an embodiment that solves the above-mentioned problems will be described with reference to FIGS. 4 and 5. FIG. 4(a) is a top view illustrating multiple imaging devices according to the embodiment, and FIG. 4(b) is a side view when viewed from the direction of arrow A in FIG. 4(a). FIGS. 5A and 5B are diagrams illustrating an illumination device used in the imaging device of the embodiment, in which FIG. 5A is a cross-sectional view and FIG. 5B is a side view of the illumination device.

上述した問題点を解決する実施形態として撮像装置の多連化(ステレオ化)を行う。例えば、図4に示すように、基板Sの上方に基板Sの幅方向(Y軸方向)に複数の撮像装置CM1~CM4を一列に並べて固定的に配設する。ここで、撮像装置CM1~CM4のそれぞれは、撮像装置CMLと同程度以上の解像度の撮像装置であり、基板Sの幅方向一列分の全領域を一括して十分な解像度で撮像することができない撮像装置である。また、撮像装置CM1~CM4のそれぞれはテレセントリックレンズを使用してもよいが、マクロレンズ等の非テレセントリックレンズを使用するのが好ましい。これら撮像装置CM1~CM4は同じ高さで水平方向に所定間隔をあけており、各撮像装置CM1~CM4の光軸は互いに平行かつ基板Sに対して垂直とされる。なお、撮像装置CM1~CM4の光軸は、撮像視野における焦点ぼけが許容される範囲で、基板Sに対する垂直線からやや傾斜させてもよい。 As an embodiment for solving the above-mentioned problems, multiple imaging devices (stereo conversion) are performed. For example, as shown in FIG. 4, a plurality of imaging devices CM1 to CM4 are fixedly arranged above the substrate S in a line in the width direction of the substrate S (Y-axis direction). Here, each of the imaging devices CM1 to CM4 is an imaging device with a resolution equal to or higher than that of the imaging device CML, and cannot image the entire area of one row in the width direction of the substrate S at once with sufficient resolution. It is an imaging device. Furthermore, although each of the imaging devices CM1 to CM4 may use a telecentric lens, it is preferable to use a non-telecentric lens such as a macro lens. These imaging devices CM1 to CM4 are at the same height and spaced apart from each other by a predetermined distance in the horizontal direction, and the optical axes of the imaging devices CM1 to CM4 are parallel to each other and perpendicular to the substrate S. Note that the optical axes of the imaging devices CM1 to CM4 may be slightly inclined from the perpendicular line to the substrate S within a range that allows defocusing in the imaging field of view.

本実施形態では撮像装置CM1~CM4のそれぞれはアタッチメント領域AA11~AA14の撮像対象物を撮像する。また、撮像装置CM1~CM4のそれぞれの撮像視野IA1~IA4は重複していない。また、基板Sを搬送方向(Y軸方向)に移動することにより残りの列の撮像対象物を順次撮像する。撮像装置を多連化することで撮像対象物のほぼ直上で撮像でき、撮像視野内の照明の均一性を向上させて検査することができる。また、撮像装置を多連化することで撮像装置を動かす必要が無くなり、広視野光学系と同じ処理効率を得ることができる。 In this embodiment, each of the imaging devices CM1 to CM4 images the object to be imaged in the attachment areas AA11 to AA14. Furthermore, the imaging fields of view IA1 to IA4 of the imaging devices CM1 to CM4 do not overlap. Furthermore, by moving the substrate S in the transport direction (Y-axis direction), images of the remaining rows of objects to be imaged are sequentially imaged. By using multiple imaging devices, images can be taken almost directly above the object to be imaged, and the uniformity of illumination within the imaging field of view can be improved for inspection. Furthermore, by connecting multiple imaging devices, there is no need to move the imaging devices, and it is possible to obtain the same processing efficiency as a wide-field optical system.

ここで、基板Sは、例えば、図4(a)(b)に示すように、矩形状、かつ平板状で、縦横に多数のアタッチメント領域AA11~AA14,AA21~AA24,・・・を有している。基板Sは搬送方向(X軸方向)の長さは幅方向(Y軸方向)の長さよりも長く構成されている。 Here, as shown in FIGS. 4(a) and 4(b), the substrate S is rectangular and flat, and has a large number of attachment areas AA11 to AA14, AA21 to AA24, etc. in the vertical and horizontal directions. ing. The length of the substrate S in the transport direction (X-axis direction) is longer than the length in the width direction (Y-axis direction).

多連化した撮像装置は各々が同様の照明系を持つのが好ましい。例えば、図5(a)に示すように、撮像装置CM1~CM4と基板Sとの間には、面発光照明(光源)SL、ハーフミラー(半透過鏡)HMを内部に備えた照明装置LDが配置されている。面発光照明SLからの照射光は、ハーフミラーHMによって撮像装置CM1~CM4と同じ光軸で反射され、基板Sのアタッチメント領域AA11~AA14の撮像対象物に照射される。撮像装置CM1~CM4と同じ光軸でアタッチメント領域AA11~AA14の撮像対象物に照射されたその散乱光は、アタッチメント領域AA11~AA14の撮像対象物で反射し、そのうちの正反射光がハーフミラーHMを透過して撮像装置CM1~CM4に達し、アタッチメント領域AA11~AA14の撮像対象物の映像を形成する。すなわち、照明装置LDは同軸落射照明(同軸照明)の機能を有する。 Preferably, each of the multiple imaging devices has a similar illumination system. For example, as shown in FIG. 5(a), between the imaging devices CM1 to CM4 and the substrate S, there is a lighting device LD that includes a surface emitting illumination (light source) SL and a half mirror (semi-transmissive mirror) HM. is located. The irradiation light from the surface emitting illumination SL is reflected by the half mirror HM along the same optical axis as the imaging devices CM1 to CM4, and is irradiated onto the imaging target in the attachment areas AA11 to AA14 of the substrate S. The scattered light irradiated onto the imaging targets in the attachment areas AA11 to AA14 with the same optical axis as the imaging devices CM1 to CM4 is reflected by the imaging targets in the attachment areas AA11 to AA14, and the specularly reflected light is reflected by the half mirror HM. The light passes through and reaches the imaging devices CM1 to CM4, and forms an image of the object to be imaged in the attachment areas AA11 to AA14. That is, the illumination device LD has a function of coaxial epi-illumination (coaxial illumination).

図5(b)に示すように、面発光照明SLおよびハーフミラーHMのY軸方向の長さは基板Sの幅方向における撮像装置CM1~CM4の撮像視野全体よりも少し広く構成されており、面発光照明SLは撮像装置CM1~CM4の各撮像視野よりも少し広い発光エリアSL1~SL4に分割されて、個々に点灯/消灯可能にされている。同軸照明装置の発光エリアが分かれているので、撮像装置CM1~CM4毎に調光することが可能である。これにより、撮像装置CM1~CM4の撮像視野の全てのエリアでの照明の均一性を向上させることが可能になる。なお、後述するように撮像装置CM1~CM4の撮像視野のそれぞれが重複する場合は、発光エリアSL1~SL4も重複する。 As shown in FIG. 5(b), the length of the surface emitting illumination SL and the half mirror HM in the Y-axis direction is configured to be slightly wider than the entire imaging field of view of the imaging devices CM1 to CM4 in the width direction of the substrate S. The surface emitting illumination SL is divided into light emitting areas SL1 to SL4 that are slightly wider than the respective imaging fields of the imaging devices CM1 to CM4, and can be turned on and off individually. Since the light emitting area of the coaxial illumination device is divided, it is possible to control the light for each of the imaging devices CM1 to CM4. This makes it possible to improve the uniformity of illumination in all areas of the imaging field of view of the imaging devices CM1 to CM4. Note that, as described later, when the imaging fields of view of the imaging devices CM1 to CM4 overlap, the light emitting areas SL1 to SL4 also overlap.

次に、複数の撮像装置の撮像視野の重複について図6から図8を用いて説明する。図6は複数の撮像装置の撮像視野の重複について説明する上面図である。図7は図6において矢印A方向から見たときの側面図である。図8は撮像視野の重複量について説明する図である。 Next, the overlap of the imaging fields of the plurality of imaging devices will be explained using FIGS. 6 to 8. FIG. 6 is a top view illustrating the overlapping of imaging fields of view of a plurality of imaging devices. FIG. 7 is a side view when viewed from the direction of arrow A in FIG. FIG. 8 is a diagram illustrating the amount of overlap of imaging fields of view.

上述した実施形態では撮像装置CM1~CM4のそれぞれの撮像視野IA1~IA4は重複していない例を示している。しかし、撮像装置の多連化を行う際に多様な製品ピッチ(アタッチメント領域のピッチ)と撮像装置のピッチが必ずしも同じにならないため、図6および図7に示すように、撮像視野間をある程度重複させるのが好ましい。 In the embodiment described above, the respective imaging fields of view IA1 to IA4 of the imaging devices CM1 to CM4 do not overlap. However, when multiple imaging devices are installed, the various product pitches (pitch of attachment areas) and the pitch of the imaging devices are not necessarily the same, so as shown in Figures 6 and 7, the imaging fields overlap to some extent. It is preferable to let

図6および図7では、一例として撮像装置を四台設け、基板Sの一列にアタッチメント領域を六個設けた例を示しており、撮像装置のピッチがアタッチメント領域のピッチよりも大きくなっている。このため、隣接する撮像装置の撮像視野が重複させ、例えば一つの撮像装置の撮像視野には二つ以上の撮像対象物が含まれるようにする。よって、撮像装置CM1~CM4のそれぞれは撮像装置CMLよりも高い解像度の撮像装置である。撮像装置CM1~CM4のそれぞれは基板Sの幅方向一列分の全領域を一括して十分な解像度で撮像することができない撮像装置であるが、基板Sの幅方向一列分の全領域を一括して十分な解像度で撮像することができる撮像装置であってもよい。ここで、基板Sは、例えば、図6に示すように、矩形状、かつ平板状で、縦横に多数のアタッチメント領域AA11~AA16,AA21~AA26,~を有している。基板Sは搬送方向(X軸方向)の長さは幅方向(Y軸方向)の長さよりも長く構成されている。 6 and 7 show an example in which four imaging devices are provided and six attachment regions are provided in one row of the substrate S, and the pitch of the imaging devices is larger than the pitch of the attachment regions. For this reason, the imaging fields of adjacent imaging devices are made to overlap, so that, for example, the imaging field of one imaging device includes two or more imaging objects. Therefore, each of the imaging devices CM1 to CM4 has a higher resolution than the imaging device CML. Each of the imaging devices CM1 to CM4 is an imaging device that cannot image the entire area of one row of the substrate S in the width direction at once with sufficient resolution; An imaging device that can capture an image with sufficient resolution may also be used. Here, as shown in FIG. 6, for example, the substrate S is rectangular and flat, and has a large number of attachment areas AA11 to AA16, AA21 to AA26, etc. in the vertical and horizontal directions. The length of the substrate S in the transport direction (X-axis direction) is longer than the length in the width direction (Y-axis direction).

撮像視野の重複領域OVLは、最大サイズの撮像対象物が含まれる大きさであればよい(最大製品サイズを保持すればよい)。これにより、全ての撮像対象物は何れかの撮像視野にその撮像対象物の全体が納まる。図8に示すように、重複領域OVLは撮像対象物OB2が納まる大きさであればよく、例えば、サブストレート基板なら最大タブサイズの重複量があれば、全てのタブはいずれかの視野にそのタブの全景が入る。 The overlapping region OVL of the imaging field of view may have a size that includes the maximum size of the imaging target (the maximum product size may be maintained). As a result, all of the objects to be imaged are completely contained in one of the imaging fields of view. As shown in FIG. 8, the overlapping area OVL only needs to be large enough to fit the imaging target object OB2. For example, if the overlapping area is the maximum tab size for a substrate substrate, all tabs can be placed in one field of view. Contains a full view of the tab.

複数の撮像画像の合成について図9から図15を用いて説明する。図9はイメージモザイキングと座標マッピングを説明する図である。図10はキャリブレーションプレートを用いたイメージモザイキングと座標変換を説明する模式図である。図11はディストーションを説明する図である。図12はアフィン変換および射影変換の変換行列の式を示す図である。図13は基板のターゲットモデルによるイメージモザイキングと座標変換を説明する図である。図14は多連リードフレームのタブ上にペースト状接着剤を塗布した状態を複数の撮像装置で撮像した画像であり、図14(a)は経時変異がない場合の撮像画像であり、図14(b)は経時変異がある場合の撮像画像である。図15は空間再補正を説明する図であり、図15(a)は空間再補正前の状態を示す図であり、図15(b)は空間再補正後の状態を示す図である。
Combining a plurality of captured images will be explained using FIGS. 9 to 15. FIG. 9 is a diagram explaining image mosaicing and coordinate mapping. FIG. 10 is a schematic diagram illustrating image mosaicing and coordinate transformation using a calibration plate. FIG. 11 is a diagram illustrating distortion. FIG. 12 is a diagram showing equations of transformation matrices for affine transformation and projective transformation. FIG. 13 is a diagram illustrating image mosaicking and coordinate transformation using a target model of a substrate. FIG. 14 is an image taken with multiple imaging devices of a state in which paste adhesive is applied on the tabs of a multi-lead frame, and FIG. 14(a) is an image taken when there is no change over time. (b) is a captured image when there is variation over time. FIG. 15 is a diagram illustrating spatial re-correction. FIG. 15(a) is a diagram showing a state before spatial re-correction, and FIG. 15(b) is a diagram showing a state after spatial re-correction.

重複量を抑えるために、制御部CNTは複数の撮像装置で撮像した画像をイメージモザイキングなどで合成する。一般的なイメージモザイキングは複数の画像を滑らかにつなぎ合わせようとするため、そのままでは画像のキャリブレーションを失ってしまう場合がある。 In order to suppress the amount of overlap, the control unit CNT combines images captured by a plurality of imaging devices by image mosaicing or the like. Typical image mosaicing attempts to seamlessly stitch multiple images together, which may result in loss of image calibration.

そこで、実施形態では、複数台の撮像装置で撮像した画像の合成において、
(A)ダイボンディング装置の出荷時または調整時はキャリブレーションプレートを用いたイメージモザイキングと座標変換を行い、
(B)ダイボンディング装置の微調整時または連続運転中は基板のターゲットモデルによるイメージモザイキングとシュート上に配置したターゲットモデルによる座標変換を行う。
Therefore, in the embodiment, in combining images captured by multiple imaging devices,
(A) When shipping or adjusting the die bonding equipment, image mosaicing and coordinate transformation are performed using a calibration plate.
(B) During fine adjustment of the die bonding apparatus or during continuous operation, image mosaicing is performed using the target model of the substrate and coordinate conversion is performed using the target model placed on the chute.

上記(A)について図9から図12を用いて説明する。
図9に示すように、制御部CNTは、ダイボンディング装置の調整時に多連化された撮像装置の全ての撮像視野をカバーするスケールとなる座標マーカCMRKを映し、重複領域OVL範囲に入る座標マーカCMRKの同一交点IPを基準に画像を射影変換やアフィン変換等による座標変換をして、各撮像装置間の画像を滑らかにつなぎ合わせた一枚の画像(合成画像)を得る。ここで、座標マーカCMRKは、調整治具としてキャリブレーションプレートを用意し、そのプレートにマーキングして用いるものであり、座標マーカCMRKは例えば格子状のものである。座標変換時は全体の空間の位置関係を保証するマーカが必要になる。図9に示すような合成視野全体をカバーする座標マーカCMRKがあれば、射影変換等の座標変換時は全体の空間の位置関係を保証することができ、各交点ピッチで画像空間座標と実空間座標のマッチングは可能である。
The above (A) will be explained using FIGS. 9 to 12.
As shown in FIG. 9, the control unit CNT displays the coordinate marker CMRK, which is a scale that covers all the imaging field of view of the multiple imaging devices, when adjusting the die bonding apparatus, and displays the coordinate marker CMRK that is a scale that covers all the imaging fields of the multiple imaging devices, and selects a coordinate marker that falls within the overlapping region OVL range. Coordinate transformation is performed on the image by projective transformation, affine transformation, etc. using the same intersection point IP of CMRK as a reference, and a single image (composite image) is obtained by smoothly joining the images of each imaging device. Here, the coordinate marker CMRK is used by preparing a calibration plate as an adjustment jig and marking the plate, and the coordinate marker CMRK is, for example, grid-shaped. During coordinate transformation, a marker is required to guarantee the positional relationship of the entire space. If there is a coordinate marker CMRK that covers the entire synthetic field of view as shown in Figure 9, the positional relationship of the entire space can be guaranteed during coordinate transformation such as projective transformation, and the image space coordinates and real space can be adjusted at each intersection pitch. Coordinate matching is possible.

図10に示すように、制御部CNTは、格子状の模様を持つ1つの大きなキャリブレーションプレートCPを例えば三台の撮像装置により視野を分けて撮像する。三台の撮像装置は隣接する互いの撮像装置によりある程度視野が重複する重複領域OV12,OV23を持つ。重複領域OV12,OV23内の格子模様の交点IPが黒点で示されている。 As shown in FIG. 10, the control unit CNT images one large calibration plate CP having a lattice pattern using, for example, three imaging devices with different fields of view. The three imaging devices have overlapping regions OV12 and OV23 in which the fields of view overlap to some extent due to the adjacent imaging devices. Intersection points IP of the checkered patterns in the overlapping regions OV12 and OV23 are indicated by black dots.

まず、制御部CNTは、アフィン変換もしくは射影変換にて隣接する撮像装置のいずれかを基準にもう一方の撮像装置の画像の画素座標を変換する。ここでは例として基準画像が画像IV1、変換画像を画像IV2として説明する。変換は互いの変換される画像における交点IPの座標(黒点座標)が対応する基準画像における交点IPの座標(黒点座標)に合うよう、アフィン変換もしくは射影変換の変換行列の各パラメータを算出する。ここで、一般的に、アフィン変換の変換行列は図12の式(1)に示され、射影変換の行列式は図12の式(2)に示される。変換行列の算出には一般に三点の座標があればよいが、変換を一義的ではなく、格子状のマス目に相当する部分別に行うことでより正確な変換が可能になるため、マス目毎に変換を行うのが好ましい。
First, the control unit CNT transforms the pixel coordinates of an image of an adjacent imaging device based on one of the adjacent imaging devices using affine transformation or projective transformation. Here, as an example, the reference image will be described as image IV1, and the converted image as image IV2. In the transformation, each parameter of the transformation matrix of affine transformation or projective transformation is calculated so that the coordinates (black point coordinates) of the intersection point IP in the images to be transformed match the coordinates (black point coordinates) of the intersection point IP in the corresponding reference image. Here, in general, a transformation matrix for affine transformation is shown in equation (1) in FIG. 12, and a determinant for projective transformation is shown in equation (2) in FIG. 12. Generally, it is sufficient to have the coordinates of three points to calculate the transformation matrix. It is preferable to perform the conversion.

基準となる画像IV1が図11に示すような樽型もしくは糸巻型などに代表されるディストーションを持っている場合は先に視野内に入るキャリブレーションプレートCP全ての交点IPを用いて元画像を正立する直交座標系にあわせた画像に変換してディストーション補正をしておくのが好ましい(第一ディストーション補正)。これにより重複領域OV12,OV23以外も単純な倍率合わせによって合成画像に組み込むことができる。 If the reference image IV1 has a distortion represented by a barrel shape or a pincushion shape as shown in Fig. 11, first correct the original image using the intersection points IP of all the calibration plates CP that fall within the field of view. It is preferable to perform distortion correction by converting the image into an image conforming to the vertical orthogonal coordinate system (first distortion correction). Thereby, areas other than the overlapping areas OV12 and OV23 can be incorporated into the composite image by simply adjusting the magnification.

座標合わせは画素座標系にて行うため、画像IV2の変換後の座標は整数値になることを求められるが、アフィン変換や射影変換にて変換された画素は、必ずその場所に収まるわけではなく、変換後座標が中間の値になる場合がある。そのような時は変換後の画像の各座標は、近接する変換後の座標の濃淡値からニアレストネイバー法やバイリニア法、バイキュービック法などで代表される濃淡値補間を行う。
Since coordinate alignment is performed in the pixel coordinate system, the coordinates of image IV2 after transformation are required to be integer values, but pixels transformed by affine transformation or projective transformation do not always fit in the same location. , the coordinates may become intermediate values after conversion. In such a case, each coordinate of the transformed image is subjected to gray value interpolation using the nearest neighbor method, bilinear method, bicubic method, etc. from the gray value of the adjacent transformed coordinate.

上記(B)について図13から図15を用いて説明する。
生産稼動前の調整作業における変換は視野内画像空間において座標の基準を示すキャリブレーションプレートCPの交点IPが多数かつ等ピッチで配置されているため、画像空間と実座標空間の合わせ込みが比較的容易である。これに対し、連続運転中もしくは簡易調整ではキャリブレーションプレートCPを用いずに画像合成と座標合わせを行う。画像合成は互いに同じ場所を示す位置がわかればよいので、基板上の位置決め用ターゲットマークTMなどを利用する。位置決め用ターゲットマークTMはアタッチメント(ボンディングもしくはペースト)の際のタブの位置決め工程としてテンプレートモデルの登録が成されているためそれを利用する。図13に示すように、画像の重複領域OV12,OV23に複数のタブが入る場合は隣接するタブの位置決め用ターゲットマークTMを用いて三点以上のポイントを確保する。重複領域に一つのタブしか入らない場合は一つのタブにあらかじめ三点の位置決め用ターゲットマークTMをテンプレートイメージモデルとして登録しておく。
The above (B) will be explained using FIGS. 13 to 15.
In the conversion during adjustment work before production starts, the alignment of the image space and the actual coordinate space is relatively easy because a large number of intersection points IP of the calibration plate CP, which indicate the reference coordinates, are arranged at equal pitches in the image space within the field of view. It's easy. On the other hand, during continuous operation or simple adjustment, image synthesis and coordinate alignment are performed without using the calibration plate CP. For image synthesis, it is only necessary to know the positions that indicate the same location, so a positioning target mark TM on the substrate is used. The positioning target mark TM is used because a template model has been registered as a tab positioning process during attachment (bonding or pasting). As shown in FIG. 13, when a plurality of tabs are included in the overlapping areas OV12 and OV23 of the images, three or more points are secured using positioning target marks TM of adjacent tabs. If only one tab can fit into the overlapping area, three positioning target marks TM are registered in advance in one tab as a template image model.

この方法だと画像間の座標合わせによる合成は可能であるが実空間との位置合わせができてない。いずれかの画像を基準として合わせるにしても、先に座標空間との合わせ込みこみを行わない、そのまま合成すると、図11に示すように、基準画像としての画像IV1に隣接する画像IV2および画像IV2に隣接する画像IV3は画像IV1のディストーションの影響を受けてしまう。ディストーションによるズレは画像IV1から順次隣接していくと、最も遠い位置の画像IV3が最も増幅される。この増幅量を抑制するために、シュートSCT上の既知の座標にマーカSMRKを設置し、設置したマーカSMRKの座標を再度画像から測定することで、合成後の画像にて一括返還する。ここの画像のディストーションは撮像装置のレンズに依存するため、最初の変換時の変換(第一ディストーション補正)を実施後に画像合成を行い、全体の座標を合わせるためにシュートSCT上のマーカSMRKを用いるのが好ましい。すなわち、制御部CNTは座標マーカCMRKを用いて実空間と画像空間との補正を行った後、搬送路としてのシュートSCT上に別途設けたマーカSMRKの座標を把握する。ここで、シュートSCTは基板Sの幅方向の両端部の外側に位置する。 With this method, it is possible to synthesize images by aligning their coordinates, but alignment with real space is not possible. Even if one of the images is used as a reference, if the images are combined as they are without first performing alignment with the coordinate space, as shown in FIG. 11, images IV2 and IV2 adjacent to image IV1 as the reference image Image IV3 adjacent to image IV3 is affected by the distortion of image IV1. The deviation due to distortion is amplified the most in the image IV3 at the farthest position when the images are successively adjacent to each other starting from the image IV1. In order to suppress this amplification amount, a marker SMRK is installed at a known coordinate on the chute SCT, and the coordinates of the installed marker SMRK are measured again from the image, thereby returning the combined image at once. Since the distortion of the image here depends on the lens of the imaging device, image synthesis is performed after the first transformation (first distortion correction) is performed, and marker SMRK on the shoot SCT is used to align the overall coordinates. is preferable. That is, the control unit CNT corrects the real space and the image space using the coordinate marker CMRK, and then grasps the coordinates of the marker SMRK separately provided on the chute SCT as a conveyance path. Here, the chute SCT is located outside both ends of the substrate S in the width direction.

上述したように、座標マーカCMRKは、ダイボンディング装置による生産稼動前に調整作業として合わせ込む。しかし、着工が進むにつれ、撮像装置の自発熱とその飽和状態や、撮像装置間の熱分布のバラツキにより、図14(b)に示すように、各撮像装置の撮像視野はわずかに各々の経時変位を持つ場合がある。ここで、撮像装置CM2の撮像視野IA2内の画像は撮像装置CM1の撮像視野IA1内の画像に対して右にずれている。すなわち、撮像装置CM2は右に変位している。また、四角形の枠で囲った箇所は各タブの左下の角部付近を示している。μm単位での精度を要求されるダイボンディング装置ではこのずれは無視できない。着工中でもそれらの微細なずれを補正する必要がある。以下にその微細なずれを補正する方法について図15を用いて説明する。 As described above, the coordinate markers CMRK are adjusted as adjustment work before the die bonding device starts production. However, as construction progresses, the field of view of each imaging device slightly changes over time due to the self-heating of the imaging device, its saturation state, and variations in heat distribution between imaging devices, as shown in Figure 14(b). It may have some displacement. Here, the image within the imaging field of view IA2 of the imaging device CM2 is shifted to the right with respect to the image within the imaging field of view IA1 of the imaging device CM1. That is, the imaging device CM2 is displaced to the right. Also, the area surrounded by a rectangular frame indicates the vicinity of the lower left corner of each tab. This deviation cannot be ignored in a die bonding apparatus that requires precision on the micrometer level. Even during construction, it is necessary to correct these minute deviations. A method for correcting the minute deviation will be explained below using FIG. 15.

上述したように、連続着工中に撮像装置間のずれが生じると既知のピッチをもつ基板Sのタブ間ピッチに差異が生じる場合がある。制御部CNTはこの既知のタブ間ピッチを定期的に測定することで撮像装置の熱などの要因による固有の変位を検出する。また、制御部CNTは既知のシュートSCT上のマーカSMRK間の距離を定期的に測定することでも撮像装置の熱などの要因による固有の変位を検出する。 As described above, if a shift occurs between the imaging devices during continuous construction, a difference may occur in the pitch between the tabs of the substrate S having a known pitch. The control unit CNT periodically measures this known pitch between tabs to detect specific displacement due to factors such as heat of the imaging device. The control unit CNT also detects specific displacement due to factors such as heat of the imaging device by periodically measuring the distance between the markers SMRK on the known chute SCT.

この変位を検出した際に、制御部CNTは基板S上の位置決め用ターゲットマークTM等の特徴マーカを用いて画像を合成変換する射影変換行列やアフィン変換行列を再計算する。このとき、求めた射影変換行列やアフィン変換行列は画像のつなぎ合わせはできるが、図15(a)に示すように、画像空間と実空間のマッチングができていない状態になる場合がある。そのため、制御部CNTは最初に測定していたシュートSCT上のマーカSMRKを用いて、その座標を基準に再変換を行う。これにより、図15(b)に示すような合成画像を得る。
When this displacement is detected, the control unit CNT recalculates a projective transformation matrix or an affine transformation matrix for synthesizing and transforming images using feature markers such as positioning target marks TM on the substrate S. At this time, although the obtained projective transformation matrix and affine transformation matrix can connect images, as shown in FIG. 15(a), the image space and the real space may not be matched. Therefore, the control unit CNT uses the marker SMRK on the chute SCT that was initially measured, and re-converts the coordinates based on the marker SMRK. As a result, a composite image as shown in FIG. 15(b) is obtained.

なお、基板Pの厚さ(基板Pの上面の高さ)によって倍率が変化してしまい、高さが変わってしまうとアライメントが難しくなる。基板の厚さの影響を軽減する為の手法を図16および図17を用いて説明する。 Note that the magnification changes depending on the thickness of the substrate P (height of the top surface of the substrate P), and if the height changes, alignment becomes difficult. A method for reducing the influence of the substrate thickness will be explained using FIGS. 16 and 17.

図16はキャリブレーションプレートの高さを変える方法を説明する図であり、図16(a)は基板がアタッチメントステージ上に搬送されて載置された状態を示す断面図であり、図16(b)はキャリブレーションプレートの上下動を示す断面図である。図17はシュートに設けるマーカを説明する図であり、図17(a)は基板がアタッチメントステージ上に搬送されて載置された状態を示す断面図であり、図17(b)はマーカが設けられたシュートの上面図であり、図17(b)は他の例におけるマーカが設けられたシュートの断面図である。 FIG. 16 is a diagram illustrating a method of changing the height of the calibration plate, FIG. ) is a sectional view showing vertical movement of the calibration plate. FIG. 17 is a diagram illustrating markers provided on the chute, FIG. 17(a) is a cross-sectional view showing a state in which the substrate is transported and placed on the attachment stage, and FIG. 17(b) is a diagram illustrating markers provided on the chute. FIG. 17(b) is a top view of a chute provided with markers, and FIG. 17(b) is a cross-sectional view of a chute provided with markers in another example.

制御部CNTは、高さ変位に対応するため、キャリブレーションプレートCPを上下に微動させて、高さ毎に射影変換行列を得る。制御部CNTは既知の基板の厚さやペースト高さ、ダイ厚などからアライメントパターン位置や検査視野位置の予想高さを算出し、高さ毎に保持しているどの射影変換行列を用いるか自動選択する。制御部CNTは隣接する撮像装置間の重複領域にて基板上の同一ポイントの認識を行い、高さを測定する。制御部CNTはその測定値から使用する射影変換行列を自動選択する。

In order to cope with the height displacement, the control unit CNT slightly moves the calibration plate CP up and down to obtain a projective transformation matrix for each height. The control unit CNT calculates the expected height of the alignment pattern position and inspection field position from the known substrate thickness, paste height, die thickness, etc., and automatically selects which projective transformation matrix held for each height is used. do. The control unit CNT recognizes the same point on the substrate in the overlapping area between adjacent imaging devices and measures the height. The control unit CNT automatically selects a projective transformation matrix to be used from the measured values.

具体的には、最初のキャリブレーションプレートCPによる補正時に、図16(b)に示すように、キャリブレーションプレートCPを設置しているアタッチメントステージASを上下させて、キャリブレーションプレートCPの交点の座標をアタッチメントステージASの高さ毎に測定する。アタッチメントステージの上下機構は、μm単位での上下動が可能に構成されている。 Specifically, during the first correction using the calibration plate CP, as shown in FIG. 16(b), the attachment stage AS on which the calibration plate CP is installed is moved up and down, and the coordinates of the intersection of the calibration plates CP are determined. is measured for each height of attachment stage AS. The up and down mechanism of the attachment stage is configured to be able to move up and down in μm units.

また、シュートSCT上に設置するマーカSMRKは、基板Pの上面の高さと同じ高さにするのが好ましい。図17(a)(b)に示すように、例えば、シュートSCTに深さおよび径の異なるホール(穴)を成形する。マーカSMRKを示すホールは、図17(c)に示すように、深さ毎に個別に設けてもよい。マーカSMRKは基板Pの上面と高さが合っていればホールでなくても良い。 Furthermore, it is preferable that the marker SMRK placed on the chute SCT be at the same height as the top surface of the substrate P. As shown in FIGS. 17(a) and 17(b), for example, holes having different depths and diameters are formed in the chute SCT. Holes indicating markers SMRK may be provided individually for each depth, as shown in FIG. 17(c). Marker SMRK does not need to be a hole as long as the height matches the top surface of substrate P.

実施形態によれば、以下の一つ又は複数の効果を有する。
(a)各撮像対象物をほぼ直上から見ることができるので、単純な低倍率光学系で生じる視野の淵での画像の高さ方向の傾斜を防ぐことが可能である。
(b)撮像装置の熱などの要因による固有の変位を検出することができ、撮像装置間の補正をダイボンダの運転動作中に実施できるので、撮像装置の経時変位の影響を軽減することが可能である。
(c)高さ変位に対応することができ、基板の品種による厚さの変化の影響を受けなくなるので、品種の違いの影響を軽減することが可能である。
(d)少なくとも上記(a)~(c)の何れか一つにより、位置決め精度の安定化、検査の安定化が可能である。
According to the embodiment, it has one or more of the following effects.
(a) Since each object to be imaged can be viewed from almost directly above, it is possible to prevent tilting of the image in the height direction at the edge of the field of view, which occurs with a simple low-magnification optical system.
(b) It is possible to detect the inherent displacement of the imaging device due to factors such as heat, and it is possible to perform corrections between the imaging devices while the die bonder is operating, so it is possible to reduce the influence of the temporal displacement of the imaging device. It is.
(c) It is possible to cope with height displacement and is not affected by changes in thickness depending on the type of substrate, so it is possible to reduce the influence of differences in type.
(d) By using at least one of the above (a) to (c), it is possible to stabilize positioning accuracy and stabilize inspection.

<変形例>
以下、実施形態の代表的な変形例について、例示する。以下の変形例の説明において、上述の実施形態にて説明されているものと同様の構成および機能を有する部分に対しては、上述の実施形態と同様の符号が用いられ得るものとする。そして、かかる部分の説明については、技術的に矛盾しない範囲内において、上述の実施形態における説明が適宜援用され得るものとする。また、上述の実施形態の一部、および、変形例の全部または一部が、技術的に矛盾しない範囲内において、適宜、複合的に適用され得る。
<Modified example>
Typical modified examples of the embodiment will be illustrated below. In the following description of the modified example, the same reference numerals as in the above-described embodiment may be used for parts having the same configuration and function as those described in the above-described embodiment. As for the explanation of such portions, the explanation in the above-mentioned embodiments may be used as appropriate within the scope that is not technically contradictory. Moreover, a part of the above-described embodiments and all or part of the modified examples may be applied in combination as appropriate within a technically consistent range.

図18は変形例における撮像装置の多連化について説明する斜視図である。実施形態では、基板Sの幅方向の1列の撮像対象物を複数の撮像装置で撮像する例を説明したが、基板Sの長さ方向にも複数の撮像装置を配置し、すなわち、複数の撮像装置を格子状に配置し、複数列の撮像対象物を撮像するようにしてもよい。 FIG. 18 is a perspective view illustrating multiple imaging devices in a modified example. In the embodiment, an example has been described in which one row of imaging objects in the width direction of the substrate S is imaged by a plurality of imaging devices, but a plurality of imaging devices are also arranged in the length direction of the substrate S, that is, a plurality of The imaging devices may be arranged in a grid pattern to image multiple rows of objects to be imaged.

例えば、図18に示すように、四列の撮像装置群CM10~CM40が配置され、各撮像装置群はそれぞれ一列に配置された実施形態の四台の撮像装置CM1~CM4を有し、十六台の撮像装置が格子状に配置される。ここで、基板Sには、一列六個の撮像対象部が五列配置されており、隣接する撮像装置の撮像視野は重複している。 For example, as shown in FIG. 18, four rows of imaging device groups CM10 to CM40 are arranged, each imaging device group has four imaging devices CM1 to CM4 of the embodiment arranged in one row, and sixteen The imaging devices on the stand are arranged in a grid pattern. Here, on the substrate S, five rows of six imaging target parts are arranged, and the imaging fields of adjacent imaging devices overlap.

図18に示すように、基板Sの第一列目の全撮像対象物のみならず、第二列目以降の数列目までの全撮像対象物を並行して撮像して、合成した画像を認識することができるので、基板Sを移動して撮像する回数が実施形態よりも少なくすることが可能である。 As shown in FIG. 18, not only all the objects to be imaged in the first row of the substrate S, but also all the objects to be imaged in the second and subsequent rows are imaged in parallel, and the combined image is recognized. Therefore, it is possible to reduce the number of times the substrate S is moved and imaged than in the embodiment.

上述した実施形態を適用した実施例について以下説明する。図19は実施例におけるダイボンダの概略を示す上面図である。図20は図19において矢印A方向から見たときに、ピックアップヘッド及びボンディングヘッドの動作を説明する図である。 An example to which the above-described embodiment is applied will be described below. FIG. 19 is a top view schematically showing the die bonder in the example. FIG. 20 is a diagram illustrating the operation of the pickup head and the bonding head when viewed from the direction of arrow A in FIG. 19.

ダイボンダ10は、大別して、基板Sに実装するダイDを供給するダイ供給部1と、ピックアップ部2と、中間ステージ部3と、プリフォーム部9と、ボンディング部4と、搬送部5と、基板供給部6と、基板搬出部7と、各部の動作を監視し制御する制御部8と、を有する。Y軸方向がダイボンダ10の前後方向であり、X軸方向が左右方向である。ダイ供給部1がダイボンダ10の手前側に配置され、ボンディング部4が奥側に配置される。ここで、基板Sには、最終一パッケージとなる、複数の製品エリア(以下、パッケージエリアPという。)が形成されている。例えば、基板Sがリードフレームである場合、パッケージエリアPはダイDが載置されるタブを有する。 The die bonder 10 is roughly divided into a die supply section 1 that supplies the die D to be mounted on the substrate S, a pickup section 2, an intermediate stage section 3, a preform section 9, a bonding section 4, a transport section 5, It has a substrate supply section 6, a substrate unloading section 7, and a control section 8 that monitors and controls the operation of each section. The Y-axis direction is the front-rear direction of the die bonder 10, and the X-axis direction is the left-right direction. A die supply section 1 is arranged on the front side of the die bonder 10, and a bonding section 4 is arranged on the back side. Here, a plurality of product areas (hereinafter referred to as package areas P) are formed on the substrate S, which will become the final package. For example, if the substrate S is a lead frame, the package area P has a tab on which the die D is placed.

まず、ダイ供給部1は基板SのパッケージエリアPに実装するダイDを供給する。ダイ供給部1は、ウェハ11を保持するウェハ保持台12と、ウェハ11からダイDを突き上げる点線で示す剥離ユニット13と、を有する。ダイ供給部1は図示しない駆動手段によってXY軸方向に移動し、ピックアップするダイDを剥離ユニット13の位置に移動させる。 First, the die supply unit 1 supplies the die D to be mounted on the package area P of the substrate S. The die supply unit 1 includes a wafer holding table 12 that holds the wafer 11 and a peeling unit 13 shown by a dotted line that pushes up the die D from the wafer 11. The die supply unit 1 is moved in the XY-axis directions by a drive means (not shown), and moves the die D to be picked up to the position of the peeling unit 13.

ピックアップ部2は、ダイDをピックアップするピックアップヘッド21と、ピックアップヘッド21をY軸方向に移動させるピックアップヘッドのY駆動部23と、コレット22を昇降、回転及びX軸方向移動させる図示しない各駆動部と、ウェハ11からピックアップするダイDのピックアップ位置を把握するウェハ認識カメラ24と、を有する。ピックアップヘッド21は、突き上げられたダイDを先端に吸着保持するコレット22(図14も参照)を有し、ダイ供給部1からダイDをピックアップし、中間ステージ31に載置する。ピックアップヘッド21は、コレット22を昇降、回転及びX軸方向移動させる図示しない各駆動部を有する。 The pickup section 2 includes a pickup head 21 that picks up the die D, a pickup head Y drive section 23 that moves the pickup head 21 in the Y-axis direction, and various drives (not shown) that move the collet 22 up and down, rotated, and moved in the X-axis direction. and a wafer recognition camera 24 that grasps the pickup position of the die D to be picked up from the wafer 11. The pickup head 21 has a collet 22 (see also FIG. 14) that attracts and holds the pushed-up die D at its tip, picks up the die D from the die supply section 1, and places it on the intermediate stage 31. The pickup head 21 has drive units (not shown) that move the collet 22 up and down, rotate it, and move it in the X-axis direction.

中間ステージ部3は、ダイDを一時的に載置する中間ステージ31と、中間ステージ31上のダイDを認識する為のステージ認識カメラ32と、を有する。 The intermediate stage section 3 includes an intermediate stage 31 on which the die D is temporarily placed, and a stage recognition camera 32 for recognizing the die D on the intermediate stage 31.

プリフォーム部9はシリンジ91とシリンジ91をY方向およびZ方向に移動させる駆動部93と、シリンジ91の塗布位置等を把握する撮像装置としての接着剤認識カメラ94と、を有する。ここで、接着剤認識カメラ94は、例えば実施形態の多連化された撮像装置CM1~CM4であり、撮像装置CM1~CM4はそれぞれ照明装置LDを用いて撮像するように構成されている。プリフォーム部9は搬送部5により搬送されてきた基板Sにシリンジ91でエポキシ樹脂等のペースト状接着剤を塗布する。シリンジ91は内部にペースト状接着剤が封入されており、空気圧によりペースト状接着剤がノズル先端から基板Sに押し出されて塗布されるように構成されている。基板Sが、例えば、複数個の単位リードフレームが横一列に並べられて一連に連設されている多連リードフレームの場合は、単位リードフレームのタブごとにペースト状接着剤を塗布する。 The preform section 9 includes a syringe 91, a drive section 93 that moves the syringe 91 in the Y direction and the Z direction, and an adhesive recognition camera 94 as an imaging device that detects the application position of the syringe 91 and the like. Here, the adhesive recognition camera 94 is, for example, the multiple imaging devices CM1 to CM4 of the embodiment, and each of the imaging devices CM1 to CM4 is configured to take an image using a lighting device LD. The preform section 9 applies a paste adhesive such as epoxy resin to the substrate S transported by the transport section 5 using a syringe 91 . The syringe 91 has a paste adhesive sealed therein, and is configured such that the paste adhesive is pushed out from the nozzle tip and applied onto the substrate S by air pressure. If the substrate S is, for example, a multi-lead frame in which a plurality of unit lead frames are arranged in a horizontal row and connected in series, a paste adhesive is applied to each tab of the unit lead frame.

ボンディング部4は、中間ステージ31からダイDをピックアップし、搬送されてくる基板Sのペースト状接着剤が塗布されたパッケージエリアP上にボンディングする。ボンディング部4は、ピックアップヘッド21と同様にダイDを先端に吸着保持するコレット42(図20も参照)を備えるボンディングヘッド41と、ボンディングヘッド41をY軸方向に移動させるY駆動部43と、基板SのパッケージエリアPの位置認識マーク(図示せず)を撮像し、ボンディング位置を認識する基板認識カメラ44とを有する。ここで、基板認識カメラ44は、例えば実施形態の多連化された撮像装置CM1~CM4であり、撮像装置CM1~CM4はそれぞれ照明装置LDを用いて撮像するように構成されている。このような構成によって、ボンディングヘッド41は、ステージ認識カメラ32の撮像データに基づいてピックアップ位置・姿勢を補正し、中間ステージ31からダイDをピックアップし、基板認識カメラ44の撮像データに基づいて基板にダイDをボンディングする。 The bonding unit 4 picks up the die D from the intermediate stage 31 and bonds it onto the package area P on which the paste adhesive of the substrate S being conveyed is applied. The bonding section 4 includes a bonding head 41 including a collet 42 (see also FIG. 20) that attracts and holds the die D at the tip, similar to the pickup head 21, and a Y drive section 43 that moves the bonding head 41 in the Y-axis direction. It has a board recognition camera 44 that takes an image of a position recognition mark (not shown) in the package area P of the board S and recognizes the bonding position. Here, the board recognition camera 44 is, for example, the multiple imaging devices CM1 to CM4 of the embodiment, and each of the imaging devices CM1 to CM4 is configured to take an image using a lighting device LD. With such a configuration, the bonding head 41 corrects the pickup position and posture based on the imaged data of the stage recognition camera 32, picks up the die D from the intermediate stage 31, and picks up the substrate based on the imaged data of the substrate recognition camera 44. Bond D to the die D.

搬送部5は、基板Sを掴み搬送する基板搬送爪51と、基板Sが移動する搬送レーン52と、を有する。基板Sは、搬送レーン52に設けられた基板搬送爪51の図示しないナットを搬送レーン52に沿って設けられた図示しないボールネジで駆動することによって移動する。このような構成によって、基板Sは、基板供給部6から搬送レーン52に沿ってボンディング位置まで移動し、ボンディング後、基板搬出部7まで移動して、基板搬出部7に基板Sを渡す。 The transport unit 5 includes a substrate transport claw 51 that grips and transports the substrate S, and a transport lane 52 along which the substrate S moves. The substrate S is moved by driving a nut (not shown) of a substrate transport claw 51 provided on the transport lane 52 with a ball screw (not shown) provided along the transport lane 52 . With this configuration, the substrate S is moved from the substrate supply section 6 along the transport lane 52 to the bonding position, and after bonding, is moved to the substrate unloading section 7 and is delivered to the substrate unloading section 7.

次に、ダイ供給部1の構成について図21を用いて説明する。図21は図19のダイ供給部の主要部を示す概略断面図である。 Next, the configuration of the die supply section 1 will be explained using FIG. 21. FIG. 21 is a schematic cross-sectional view showing the main parts of the die supply section of FIG. 19.

ダイ供給部1は、水平方向(XY軸方向)に移動するウェハ保持台12と、上下方向に移動する剥離ユニット13と、を備える。ウェハ保持台12は、ウェハリング14を保持するエキスパンドリング15と、ウェハリング14に固定されたダイシングテープ16を水平に位置決めする支持リング17と、を有する。ウェハ11において網目状にダイシングされたダイDは、ダイシングテープ16に接着固定されている。剥離ユニット13は支持リング17の内側に配置される。 The die supply unit 1 includes a wafer holding table 12 that moves in the horizontal direction (XY axis direction) and a peeling unit 13 that moves in the vertical direction. The wafer holding table 12 includes an expand ring 15 that holds the wafer ring 14, and a support ring 17 that horizontally positions the dicing tape 16 fixed to the wafer ring 14. The dies D diced into a mesh shape on the wafer 11 are adhesively fixed to a dicing tape 16 . The peeling unit 13 is arranged inside the support ring 17.

ダイ供給部1は、ダイDの突き上げ時に、ウェハリング14を保持しているエキスパンドリング15を下降させる。その結果、ウェハリング14に保持されているダイシングテープ16が引き伸ばされダイDの間隔が広がり、剥離ユニット13によりダイD下方からダイシングテープ16を突上げたり水平移動したりして、ダイDのピックアップ性を向上させている。 The die supply unit 1 lowers the expand ring 15 holding the wafer ring 14 when pushing up the die D. As a result, the dicing tape 16 held by the wafer ring 14 is stretched, increasing the distance between the dies D, and the peeling unit 13 pushes up or horizontally moves the dicing tape 16 from below the dies D to pick up the dies D. Improving sexuality.

図22に示すように、制御系80は制御部8と駆動部86と信号部87と光学系88とを備える。制御部8は、大別して、主としてCPU(Central Processor Unit)で構成される制御・演算装置81と、記憶装置82と、入出力装置83と、バスライン84と、電源部85とを有する。記憶装置82は、処理プログラムなどを記憶しているRAMで構成されている主記憶装置82aと、制御に必要な制御データや画像データ等を記憶しているHDDで構成されている補助記憶装置82bとを有する。入出力装置83は、装置状態や情報等を表示するモニタ83aと、オペレータの指示を入力するタッチパネル83bと、モニタを操作するマウス83cと、光学系88からの画像データを取り込む画像取込装置83dと、を有する。また、入出力装置83は、ダイ供給部1のXYテーブル(図示せず)やボンディングヘッドテーブルのZY駆動軸等の駆動部86を制御するモータ制御装置83eと、種々のセンサ信号や照明装置などのスイッチ等の信号部87から信号を取り込み又は制御するI/O信号制御装置83fとを有する。光学系88には、図20に示すウェハ認識カメラ24、接着剤認識カメラ94、ステージ認識カメラ32、基板認識カメラ44が含まれる。制御・演算装置81はバスライン84を介して必要なデータを取込み、演算し、ボンディングヘッド41等の制御や、モニタ83a等に情報を送る。 As shown in FIG. 22, the control system 80 includes a control section 8, a drive section 86, a signal section 87, and an optical system 88. The control section 8 is roughly divided into a control/arithmetic unit 81 mainly composed of a CPU (Central Processor Unit), a storage device 82, an input/output device 83, a bus line 84, and a power supply section 85. The storage device 82 includes a main storage device 82a made up of a RAM that stores processing programs, etc., and an auxiliary storage device 82b made up of an HDD that stores control data, image data, etc. necessary for control. and has. The input/output device 83 includes a monitor 83a that displays the device status and information, a touch panel 83b that inputs operator instructions, a mouse 83c that operates the monitor, and an image capture device 83d that captures image data from the optical system 88. and has. The input/output device 83 also includes a motor control device 83e that controls a drive section 86 such as an XY table (not shown) of the die supply section 1 and a ZY drive axis of the bonding head table, and a motor control device 83e that controls various sensor signals, a lighting device, etc. It has an I/O signal control device 83f that takes in or controls signals from a signal unit 87 such as a switch. The optical system 88 includes the wafer recognition camera 24, adhesive recognition camera 94, stage recognition camera 32, and substrate recognition camera 44 shown in FIG. The control/calculation device 81 takes in necessary data via the bus line 84, performs calculations, controls the bonding head 41, etc., and sends information to the monitor 83a, etc.

制御部8は画像取込装置83dを介して光学系88で撮像した画像データを記憶装置82に保存する。保存した画像データに基づいてプログラムしたソフトウェアにより、制御・演算装置81を用いてダイDおよび基板Sの位置決め、ペースト状接着剤の塗布パターンの検査並びにダイDおよび基板Sの表面検査を行う。制御・演算装置81が算出したダイDおよび基板Sの位置に基づいてソフトウェアによりモータ制御装置83eを介して駆動部86を動かす。このプロセスによりウェハ11上のダイDの位置決めを行い、ダイ供給部1およびダイボンディング部4の駆動部で動作させダイDを基板S上にボンディングする。光学系88で使用する認識カメラはグレースケール、カラーカメラ等であり、光強度を数値化する。 The control unit 8 stores image data captured by the optical system 88 in the storage device 82 via the image capture device 83d. Using software programmed based on the stored image data, the control/arithmetic unit 81 is used to position the die D and the substrate S, inspect the application pattern of the paste adhesive, and inspect the surfaces of the die D and the substrate S. Based on the positions of the die D and the substrate S calculated by the control/arithmetic device 81, the drive unit 86 is moved by software via the motor control device 83e. Through this process, the die D on the wafer 11 is positioned, and the die D is bonded onto the substrate S by operating the drive unit of the die supply section 1 and the die bonding section 4. The recognition camera used in the optical system 88 is a gray scale camera, a color camera, etc., and converts the light intensity into numerical values.

次に、実施例に係るダイボンダを用いた半導体装置の製造方法について図23を用いて説明する。図23は図19のダイボンダを用いた半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。 Next, a method for manufacturing a semiconductor device using the die bonder according to the example will be described using FIG. 23. FIG. 23 is a flowchart showing a method of manufacturing a semiconductor device using the die bonder of FIG. 19.

(ステップS51:ウェハ・基板搬入工程)
ウェハ11から分割されたダイDが貼付されたダイシングテープ16を保持したウェハリング14をウェハカセット(不図示)に格納し、ダイボンダ10に搬入する。制御部8はウェハリング14が充填されたウェハカセットからウェハリング14をダイ供給部1に供給する。また、基板Sを準備し、ダイボンダ10に搬入する。制御部8は基板供給部6で基板Sを基板搬送爪51に取り付ける。
(Step S51: Wafer/substrate loading process)
The wafer ring 14 holding the dicing tape 16 to which the die D divided from the wafer 11 is attached is stored in a wafer cassette (not shown) and carried into the die bonder 10. The control section 8 supplies the wafer rings 14 to the die supply section 1 from the wafer cassette filled with the wafer rings 14 . Further, a substrate S is prepared and carried into the die bonder 10. The control section 8 attaches the substrate S to the substrate transport claw 51 using the substrate supply section 6 .

(ステップS52:ピックアップ工程)
制御部8は、ウェハ保持台12により所望するダイDをウェハリング14からピックアップできるようにウェハリング14を移動し、ウェハ認識カメラ24により撮像したデータに基づいて位置決めおよび表面検査を行う。制御部8は位置決めされたダイDを剥離ユニット13によりダイシングテープ16から剥離する。
(Step S52: Pick-up process)
The control unit 8 moves the wafer ring 14 so that the wafer holding table 12 can pick up a desired die D from the wafer ring 14, and performs positioning and surface inspection based on data captured by the wafer recognition camera 24. The control unit 8 causes the peeling unit 13 to peel the positioned die D from the dicing tape 16 .

制御部8は剥離されたダイDをピックアップヘッド21によりウェハ11からピックアップする。このようにして、ダイシングテープ16から剥離されたダイDは、ピックアップヘッド21のコレット22に吸着、保持されて次工程(ステップBS13)に搬送される。そして、ダイDを次工程に搬送したコレット22がダイ供給部1に戻ってくると、上記した手順に従って、次のダイDがダイシングテープ16から剥離され、以後同様の手順に従ってダイシングテープ16から1個ずつダイDが剥離される。 The control unit 8 picks up the peeled die D from the wafer 11 using the pick-up head 21 . In this way, the die D peeled off from the dicing tape 16 is attracted and held by the collet 22 of the pickup head 21, and is transported to the next process (step BS13). Then, when the collet 22 that has transported the die D to the next process returns to the die supply section 1, the next die D is peeled off from the dicing tape 16 according to the above-described procedure. The dies D are peeled off one by one.

(ステップS53:ボンディング工程)
制御部8は接着剤認識カメラ94により塗布前の基板Sの表面の画像を取得してペースト状接着剤を塗布すべき面を確認する。塗布すべき面に問題なければ、制御部8は搬送部5により搬送された基板Sにシリンジ91からペースト状接着剤を塗布する。基板Sが多連リードフレームの場合はすべてのタブにペースト状接着剤を塗布する。制御部8は、塗布後ペースト状接着剤が正確に塗布されているかを接着剤認識カメラ94で再度確認し、塗布されたペースト状接着剤を検査する。塗布に問題なければ、制御部8は搬送部により基板SをボンディングステージBSに搬送し、基板認識カメラ44により撮像した画像データに基づいて位置決めを行う。
(Step S53: Bonding process)
The control unit 8 uses the adhesive recognition camera 94 to obtain an image of the surface of the substrate S before application, and confirms the surface to which the paste adhesive is to be applied. If there is no problem with the surface to be coated, the control unit 8 applies the paste adhesive from the syringe 91 to the substrate S transported by the transport unit 5. If the board S is a multi-lead frame, paste adhesive is applied to all the tabs. After application, the control unit 8 uses the adhesive recognition camera 94 to check again whether the paste adhesive has been applied accurately, and inspects the applied paste adhesive. If there is no problem with the coating, the control unit 8 transports the substrate S to the bonding stage BS by the transport unit, and performs positioning based on image data captured by the board recognition camera 44.

制御部8はウェハ11からピックアップヘッド21によりピックアップしたダイDを中間ステージ31に載置し、ボンディングヘッド41で中間ステージ31から再度ダイDをピックアップし、位置決めされた基板Sにボンディングする。制御部8は基板認識カメラ44により撮像した画像データに基づいてダイDが所望の位置にボンディングされたかどうか等の検査を行う。 The control unit 8 places the die D picked up from the wafer 11 by the pickup head 21 on the intermediate stage 31, picks up the die D again from the intermediate stage 31 with the bonding head 41, and bonds it to the positioned substrate S. The control unit 8 inspects whether the die D is bonded at a desired position based on the image data captured by the board recognition camera 44.

(ステップS54:基板搬出工程)
制御部8は基板搬出部7で基板搬送爪51からダイDがボンディングされた基板Sを取り出す。ダイボンダ10から基板Sを搬出する。
(Step S54: Board unloading process)
The control unit 8 takes out the substrate S to which the die D is bonded from the substrate transport claw 51 in the substrate unloading unit 7 . The substrate S is carried out from the die bonder 10.

以上、本開示者らによってなされた発明を実施形態、変形例および実施例に基づき具体的に説明したが、本開示は、上記実施形態、変形例および実施例に限定されるものではなく、種々変更可能であることはいうまでもない。 Although the invention made by the present disclosers has been specifically explained based on the embodiments, modifications, and examples, the present disclosure is not limited to the above-described embodiments, modifications, and examples; Needless to say, it can be changed.

例えば、実施例では、プリフォーム部で基板にペースト状接着剤を塗布する例を説明したが、ダイを基板に接着する接着剤は、シリンジ91によって塗布されるペースト状接着剤に代えてウェハ11とダイシングテープ16との間に貼り付けるダイアタッチフィルム(DAF)と呼ばれるフィルム状の接着材料を用いてもよい。DAFは基板Sの上のダイの上にダイを何枚も載置されて構成される積層パッケージに適している。 For example, in the embodiment, an example was described in which a paste adhesive is applied to the substrate in the preform section, but the adhesive for bonding the die to the substrate is applied to the wafer 11 instead of the paste adhesive applied by the syringe 91. A film-like adhesive material called a die attach film (DAF) may be used, which is attached between the dicing tape 16 and the dicing tape 16 . DAF is suitable for a stacked package in which a number of dies are placed on top of each other on a substrate S.

また、実施例では、ダイ供給部1とボンディング部4との間に中間ステージ部3を設け、ピックアップヘッド21でダイ供給部1からピックアップしたダイDを中間ステージ31に載置し、ボンディングヘッド41で中間ステージ31から再度ダイDをピックアップし、搬送されてきた基板Sにボンディングする例を説明したが、ボンディングヘッド41でダイ供給部1からピックアップしたダイDを基板Sにボンディングするようにしてもよい。 Further, in the embodiment, an intermediate stage section 3 is provided between the die supply section 1 and the bonding section 4, and the die D picked up from the die supply section 1 by the pickup head 21 is placed on the intermediate stage 31. In the example described above, the die D is picked up again from the intermediate stage 31 and bonded to the substrate S that has been transported. good.

10:ダイボンダ(ダイボンディング装置)
AA:アタッチメント領域
CM1~CM4:撮像装置
CNT:制御部
S:基板
SCT:シュート(搬送路)
10: Die bonder (die bonding equipment)
AA: Attachment area CM1 to CM4: Imaging device CNT: Control unit S: Substrate SCT: Chute (transport path)

Claims (23)

基板を搬送する搬送路と、
前記搬送路の上方に前記基板の幅方向に沿って一列に固定配設された複数の撮像装置と、
前記基板の上に位置する前記幅方向に沿った一列の複数のアタッチメント領域を前記複数の撮像装置で撮像して複数の画像を取得し、取得した複数の前記画像に基づいて合成画像を生成し、前記合成画像に基づいて前記アタッチメント領域の撮像対象物を認識するよう構成される制御部と、
を備え、
各撮像装置の撮像視野は前記基板の上で重複し、重複した前記撮像視野は前記アタッチメント領域よりも大きく構成されるダイボンディング装置。
a conveyance path for conveying the substrate;
a plurality of imaging devices fixedly arranged in a line above the transport path along the width direction of the substrate;
A plurality of attachment areas located on the substrate in a row along the width direction are captured by the plurality of imaging devices to obtain a plurality of images, and a composite image is generated based on the plurality of images obtained. , a control unit configured to recognize an imaged object in the attachment area based on the composite image;
Equipped with
A die bonding apparatus in which the imaging fields of each imaging device overlap on the substrate, and the overlapping imaging fields are larger than the attachment area.
請求項1のダイボンディング装置において、
前記制御部は、重複した前記撮像視野に位置する座標マーカに基づいて前記合成画像を生成するよう構成されるダイボンディング装置。
The die bonding apparatus according to claim 1,
The die bonding apparatus is configured such that the control unit generates the composite image based on coordinate markers located in the overlapping imaging field of view.
請求項2のダイボンディング装置において、
前記座標マーカは全ての前記撮像装置の視野をカバーする格子状のスケールであり、
前記制御部は、前記座標マーカを映し、重複した前記撮像視野に入る前記座標マーカの同一交点を基準に画像を射影変換して、各撮像装置間の画像をつなぎ合わせて前記合成画像を生成するよう構成されるダイボンディング装置。
The die bonding apparatus according to claim 2,
The coordinate marker is a grid-like scale that covers the field of view of all the imaging devices,
The control unit projects the coordinate markers, projectively transforms the image based on the same intersection of the coordinate markers that fall within the overlapped imaging field of view, and connects the images between the imaging devices to generate the composite image. A die bonding device configured as follows.
請求項3のダイボンディング装置において、
前記搬送路は、前記基板の幅方向の両端の外側にそれぞれ複数の基準マーカを有し、
前記基板は所定の間隔で配置される複数のタブを有し、
前記制御部は、前記タブの間隔または前記基準マーカの間隔を前記撮像装置で測定し、前記撮像装置間の変位を検出するように構成されるダイボンディング装置。
The die bonding apparatus according to claim 3,
The transport path has a plurality of reference markers on the outside of both ends of the substrate in the width direction, and
The substrate has a plurality of tabs arranged at predetermined intervals,
The die bonding apparatus is configured such that the control unit measures the interval between the tabs or the interval between the reference markers with the imaging device, and detects a displacement between the imaging devices.
請求項4のダイボンディング装置において、
前記基板は、さらに、特徴マーカを有し、
前記制御部は、前記撮像装置間の変位を検出した場合、前記特徴マーカに基づいて画像を合成変換する射影変換行列を再計算するように構成されるダイボンディング装置。
The die bonding apparatus according to claim 4,
The substrate further includes a feature marker,
The die bonding apparatus is configured such that, when a displacement between the imaging devices is detected, the control unit recalculates a projective transformation matrix for synthesizing and transforming images based on the feature marker.
請求項5のダイボンディング装置において、
前記制御部は、予め測定していた前記基準マーカに基づいて、その座標を基準に前記射影変換行列を再計算するように構成されるダイボンディング装置。
The die bonding apparatus according to claim 5,
The die bonding apparatus is configured such that the control unit recalculates the projective transformation matrix based on the coordinates of the reference marker measured in advance.
請求項6のダイボンディング装置において、
前記制御部は、前記基板を上下に微動させて、高さ毎に射影変換行列を求め、
前記基板の厚さまたはペースト高さまたはダイ厚からアライメントパターン位置または検査視野位置の予想高さを算出し、算出した予想高さに基づいて高さ毎に保持している前記射影変換行列の何れかを選択するように構成されるダイボンディング装置。
The die bonding apparatus according to claim 6,
The control unit slightly moves the substrate up and down to obtain a projective transformation matrix for each height,
An expected height of the alignment pattern position or inspection field position is calculated from the thickness of the substrate, paste height, or die thickness, and which of the projective transformation matrices is maintained for each height based on the calculated expected height. A die bonding device configured to select either of the following:
請求項7のダイボンディング装置において、
前記制御部は、隣接する撮像装置間の重複した撮像視野において前記基板の上の同一ポイントの認識を行い、高さを測定し、測定された前記高さに基づいて高さ毎に保持している前記射影変換行列を選択するように構成されるダイボンディング装置。
The die bonding apparatus according to claim 7,
The control unit recognizes the same point on the substrate in overlapping imaging fields of view between adjacent imaging devices, measures the height, and holds the same point for each height based on the measured height. A die bonding apparatus configured to select the projective transformation matrix.
請求項1から8の何れか1項のダイボンディング装置において、
さらに、複数の前記撮像装置のそれぞれに対応して設けられた複数の照明装置を備え、
前記制御部は、複数の前記照明装置を独立して調光するよう構成されるダイボンディング装置。
The die bonding apparatus according to any one of claims 1 to 8,
Furthermore, it includes a plurality of illumination devices provided corresponding to each of the plurality of imaging devices,
The die bonding apparatus is configured such that the control unit independently controls the light of the plurality of lighting devices.
請求項1から8の何れか1項のダイボンディング装置において、
前記制御部は、前記基板を当該基板の長さ方向に搬送して次の列の複数のアタッチメント領域を前記複数の撮像装置で撮像するよう構成されるダイボンディング装置。
The die bonding apparatus according to any one of claims 1 to 8,
The die bonding apparatus is configured such that the control unit transports the substrate in the length direction of the substrate and images the plurality of attachment areas in the next row with the plurality of imaging devices.
請求項1から8の何れか1項のダイボンディング装置において、
前記撮像対象物は前記基板に塗布されたペースト状接着剤であるダイボンディング装置。
The die bonding apparatus according to any one of claims 1 to 8,
In the die bonding apparatus, the object to be imaged is a paste adhesive applied to the substrate.
請求項11のダイボンディング装置において、
前記制御部は前記撮像装置により前記基板に塗布されたペースト状接着剤の外観検査を行うよう構成されるダイボンディング装置。
The die bonding apparatus according to claim 11,
The die bonding apparatus is configured such that the control unit performs an appearance inspection of the paste adhesive applied to the substrate using the imaging device.
請求項1から8の何れか1項のダイボンディング装置において、
前記撮像対象物は前記基板または既にボンディングされたダイの上にボンディングされたダイであるダイボンディング装置。
The die bonding apparatus according to any one of claims 1 to 8,
A die bonding apparatus, wherein the imaged object is a die bonded on the substrate or an already bonded die.
複数のアタッチメント領域を有する基板を搬送する搬送路と、前記搬送路の上方に前記基板の幅方向に沿って一列に固定配設された複数の撮像装置と、複数の前記撮像装置のそれぞれに対応して設けられた複数の照明装置と、を備え、各撮像装置の撮像視野は前記基板の上で重複し、重複した前記撮像視野は前記アタッチメント領域よりも大きくするよう構成されるダイボンディング装置に基板を搬入する工程と、
前記基板の上に位置する前記幅方向に沿った一列の複数の前記アタッチメント領域を前記複数の撮像装置で撮像して複数の画像を取得し、取得した複数の前記画像に基づいて合成画像を生成し、前記合成画像に基づいて前記アタッチメント領域の撮像対象物を認識する工程と、
前記基板を当該基板の長さ方向に搬送して次の列の複数のアタッチメント領域を前記複数の撮像装置で撮像する工程と、
を備える半導体装置の製造方法。
A transport path for transporting a substrate having a plurality of attachment areas, a plurality of imaging devices fixedly arranged in a line above the transport path along the width direction of the substrate, and corresponding to each of the plurality of imaging devices. a plurality of illumination devices provided as a die bonding device, wherein the imaging field of each imaging device overlaps on the substrate, and the overlapping imaging field of view is configured to be larger than the attachment area. A process of loading the board,
acquiring a plurality of images by capturing images of the plurality of attachment regions in a row along the width direction located on the substrate with the plurality of imaging devices, and generating a composite image based on the plurality of acquired images. and a step of recognizing an imaged object in the attachment area based on the composite image;
transporting the substrate in the length direction of the substrate and imaging a plurality of attachment areas in the next row with the plurality of imaging devices;
A method for manufacturing a semiconductor device comprising:
請求項14の半導体装置の製造方法において、
重複した前記撮像視野に位置する座標マーカに基づいて前記合成画像を生成する半導体装置の製造方法。
The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 14,
A method for manufacturing a semiconductor device, wherein the composite image is generated based on coordinate markers located in the overlapping imaging field of view.
請求項15の半導体装置の製造方法において、
前記座標マーカは全ての前記撮像装置の視野をカバーする格子状のスケールであり、
前記座標マーカを映し、重複した前記撮像視野に入る前記座標マーカの同一交点を基準に画像を射影変換して、各撮像装置間の画像をつなぎ合わせて前記合成画像を生成する半導体装置の製造方法。
The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 15,
The coordinate marker is a grid-like scale that covers the field of view of all the imaging devices,
A method for manufacturing a semiconductor device, which projects the coordinate markers, projectively transforms the image based on the same intersection of the coordinate markers that fall into the overlapping imaging field, and connects the images between the respective imaging devices to generate the composite image. .
請求項16の半導体装置の製造方法において、
前記搬送路は、前記基板の幅方向の両端の外側にそれぞれ複数の基準マーカを有し、
前記基板は所定の間隔で配置される複数のタブを有し、
前記タブの間隔または前記基準マーカの間隔を前記撮像装置で測定し、前記撮像装置間の変位を検出する半導体装置の製造方法。
The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 16,
The transport path has a plurality of reference markers on the outside of both ends of the substrate in the width direction, and
The substrate has a plurality of tabs arranged at predetermined intervals,
A method for manufacturing a semiconductor device, wherein the interval between the tabs or the interval between the reference markers is measured by the imaging device, and displacement between the imaging devices is detected.
請求項17の半導体装置の製造方法において、
前記基板は、さらに、特徴マーカを有し、
前記撮像装置間の変位を検出した場合、前記特徴マーカに基づいて画像を合成変換する射影変換行列を再計算する半導体装置の製造方法。
The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 17,
The substrate further includes a feature marker,
A method for manufacturing a semiconductor device, wherein when a displacement between the imaging devices is detected, a projective transformation matrix for synthesizing and transforming images is recalculated based on the feature marker.
請求項18の半導体装置の製造方法において、
予め測定していた前記基準マーカに基づいて、その座標を基準に前記射影変換行列を再計算する半導体装置の製造方法。
The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 18,
A method for manufacturing a semiconductor device, wherein the projective transformation matrix is recalculated based on the coordinates of the reference marker measured in advance.
請求項19の半導体装置の製造方法において、
前記基板を上下に微動させて、高さ毎に射影変換行列を求め、
前記基板の厚さまたはペースト高さまたはダイ厚からアライメントパターン位置または検査視野位置の予想高さを算出し、算出した予想高さに基づいて高さ毎に保持している前記射影変換行列の何れかを選択する半導体装置の製造方法。
The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 19,
Slightly move the substrate up and down to obtain a projective transformation matrix for each height,
An expected height of the alignment pattern position or inspection field position is calculated from the thickness of the substrate, paste height, or die thickness, and which of the projective transformation matrices is maintained for each height based on the calculated expected height. A semiconductor device manufacturing method to choose from.
請求項20の半導体装置の製造方法において、
隣接する撮像装置間の重複した撮像視野において前記基板の上の同一ポイントの認識を行い、高さを測定し、測定された前記高さに基づいて高さ毎に保持している前記射影変換行列を選択する半導体装置の製造方法。
The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 20,
The projective transformation matrix that recognizes the same point on the substrate in overlapping imaging fields of view between adjacent imaging devices, measures the height, and holds each height based on the measured height. A manufacturing method for semiconductor devices that selects.
請求項14から21の何れか1項の半導体装置の製造方法において、
さらに、前記基板にペースト状接着剤を塗布する工程を備え、
前記撮像対象物は塗布された前記ペースト状接着剤である半導体装置の製造方法。
The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of claims 14 to 21,
Furthermore, the step of applying a paste adhesive to the substrate,
The method for manufacturing a semiconductor device, wherein the object to be imaged is the applied paste adhesive.
請求項14から21の何れか1項の半導体装置の製造方法において、
さらに、前記基板または既にボンディングされたダイの上にダイをボンディングする工程を備え、
前記撮像対象物はボンディングされた前記ダイである半導体装置の製造方法。
The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of claims 14 to 21,
further comprising the step of bonding a die onto the substrate or already bonded die;
The method for manufacturing a semiconductor device, wherein the imaged object is the bonded die.
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