JP6836938B2 - Manufacturing method of die bonding equipment and semiconductor equipment - Google Patents

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Description

本開示はダイボンディング装置に関し、例えばダイと基板との相対位置を検査する機能を備えるダイボンディング装置に適用可能である。 The present disclosure relates to a die bonding apparatus, and is applicable to, for example, a die bonding apparatus having a function of inspecting a relative position between a die and a substrate.

半導体装置の製造工程の一部に半導体チップ(以下、単にダイという。)を配線基板やリードフレーム等(以下、単に基板という。)に搭載してパッケージを組み立てる工程があり、パッケージを組み立てる工程の一部に、半導体ウェハ(以下、単にウェハという。)からダイを分割(ダイシング)する工程と、分割したダイを基板の上に搭載するボンディング工程と、がある。ボンディング工程に使用される製造装置がダイボンダ等のダイボンディング装置である。 A part of the manufacturing process of a semiconductor device includes a process of mounting a semiconductor chip (hereinafter, simply referred to as a die) on a wiring board, a lead frame, etc. (hereinafter, simply referred to as a substrate) and assembling a package. Partly, there is a step of dividing (dying) a die from a semiconductor wafer (hereinafter, simply referred to as a wafer) and a bonding step of mounting the divided die on a substrate. The manufacturing apparatus used in the bonding process is a die bonding apparatus such as a die bonder.

ダイボンダは、はんだ、金メッキ、樹脂を接合材料として、ダイを基板または既にボンディングされたダイの上にボンディング(搭載して接着)する装置である。ダイを、例えば、基板の表面にボンディングするダイボンダにおいては、コレットと呼ばれる吸着ノズルを用いてダイをウェハから吸着してピックアップし、基板上に搬送し、押付力を付与すると共に、接合材を加熱することによりボンディングを行うという動作(作業)が繰り返して行われる。 A die bonder is a device that uses solder, gold plating, or resin as a bonding material to bond (mount and bond) a die onto a substrate or a die that has already been bonded. In a die bonder that bonds a die to the surface of a substrate, for example, the die is sucked from a wafer using a suction nozzle called a collet, picked up, transported onto the substrate, and a pressing force is applied and the bonding material is heated. By doing so, the operation (work) of performing bonding is repeated.

特開2015−195261号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2015-195261

ボンディング工程では、基板上の所定のボンディング位置に高い精度でボンディングする必要がある。
本開示の課題は、ダイと基板の相対位置の検査の検査精度を向上することが可能な技術を提供することである。
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
In the bonding process, it is necessary to bond to a predetermined bonding position on the substrate with high accuracy.
An object of the present disclosure is to provide a technique capable of improving the inspection accuracy of the inspection of the relative position between the die and the substrate.
Other challenges and novel features will become apparent from the description and accompanying drawings herein.

本開示のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
すなわち、ダイボンディング装置は、ダイがボンディングされた基板および前記ダイを撮像する撮像部と、前記撮像部を制御する制御部と、を備える。前記制御部は、(a)前記撮像部の同一露光内において、前記ダイの領域外の基板の領域を第一撮像条件にし、かつ、前記ダイの領域を第二撮像条件にして撮像し、(b)前記撮像部の撮像結果に基づいて前記ダイと前記基板の相対位置の検査を行う。
The following is a brief overview of the representative ones of the present disclosure.
That is, the die bonding apparatus includes a substrate to which the die is bonded, an imaging unit that images the die, and a control unit that controls the imaging unit. The control unit (a) takes an image in the same exposure of the imaging unit, with the region of the substrate outside the region of the die as the first imaging condition and the region of the die as the second imaging condition. b) The relative position between the die and the substrate is inspected based on the imaging result of the imaging unit.

上記ダイボンディング装置によれば、ボンディング工程における検査精度を向上することができる。 According to the die bonding apparatus, the inspection accuracy in the bonding process can be improved.

実施例に係るダイボンダの構成を示す概略上面図Schematic top view showing the configuration of the die bonder according to the embodiment 図1のダイボンダの概略構成とその動作を説明する図The figure explaining the schematic structure of the die bonder of FIG. 1 and its operation. 図1のダイ供給部の構成を示す外観斜視図External perspective view showing the configuration of the die supply unit of FIG. 図2のダイ供給部の主要部を示す概略断面図Schematic cross-sectional view showing the main part of the die supply part of FIG. 図1のダイボンダの制御系の概略構成を示すブロック図A block diagram showing a schematic configuration of the control system of the die bonder of FIG. 図1のダイボンダのウェハ供給部の光学系を説明するための図The figure for demonstrating the optical system of the wafer supply part of the die bonder of FIG. 図1のダイボンダにおけるダイボンディング工程を説明するフローチャートA flowchart illustrating a die bonding process in the die bonder of FIG. 倣い動作を説明するためのフローチャートFlowchart for explaining copying operation ダイのユニークな部分(選択領域)の例を示す図Diagram showing an example of a unique part (selected area) of a die 連続着工動作を説明するためのフローチャートFlowchart for explaining continuous construction start operation 登録画像および類似画像の例を示す図Diagram showing examples of registered images and similar images パターンの位置関係からダイの中心を求める例を示す図The figure which shows the example which finds the center of a die from the positional relationship of a pattern 倣い動作を説明するためのフローチャートFlowchart for explaining copying operation 基板のユニークな部分(選択領域)の例を示す図The figure which shows the example of the unique part (selection area) of a substrate ダイがボンディングされた基板を示す図The figure which shows the substrate which the die was bonded 連続着工動作を説明するためのフローチャートFlowchart for explaining continuous construction start operation ばらつき分を拡張した領域を説明する図The figure explaining the area which expanded the variation ダイがボンディングされた基板を撮像した画像Image of the substrate to which the die is bonded ダイと基板の光の反射率が異なる場合の問題を説明する図A diagram illustrating a problem when the light reflectance of the die and the substrate are different. 比較例に係るボンディング精度検査のフローチャートFlowchart of bonding accuracy inspection according to comparative example 比較例に係るボンディング精度検査の問題を説明する図The figure explaining the problem of the bonding accuracy inspection which concerns on a comparative example

以下、実施例および比較例について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明を省略することがある。なお、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。 Hereinafter, Examples and Comparative Examples will be described with reference to the drawings. However, in the following description, the same components may be designated by the same reference numerals and repeated description may be omitted. In addition, in order to clarify the explanation, the drawings may schematically represent the width, thickness, shape, etc. of each part as compared with the actual embodiment, but this is just an example, and the interpretation of the present invention is used. It is not limited.

本願発明者はダイが基板にボンディングされた状態でダイと基板の相対位置を検査する技術について検討した。発明者が検討した技術(比較例)について図19〜21を説明する。図19はダイと基板の光の反射率が異なる場合の問題を説明する図である。図20は比較例に係るボンディング精度検査のフローチャートである。図21は比較例に係るボンディング精度検査の問題を説明する図であり、図21(A)は画像を揺らす例であり、図21(B)は基板の適正条件で撮像した画像であり、図21(C)はダイの適正条件で撮像した画像である。 The inventor of the present application has studied a technique for inspecting the relative position between the die and the substrate while the die is bonded to the substrate. FIGS. 19 to 21 will be described with respect to the techniques (comparative examples) examined by the inventor. FIG. 19 is a diagram illustrating a problem when the light reflectances of the die and the substrate are different. FIG. 20 is a flowchart of a bonding accuracy inspection according to a comparative example. 21 is a diagram for explaining a problem of bonding accuracy inspection according to a comparative example, FIG. 21 (A) is an example of shaking an image, and FIG. 21 (B) is an image captured under appropriate conditions of a substrate. 21 (C) is an image taken under appropriate conditions of the die.

ダイと基板は光の反射率が異なることがある。(そういうケースが多い)ボンディング後の検査でダイと基板のタブを同時に撮像しようとすると、反射率が異なり、カメラのダイナミックレンジに収まらない。例えば、図19(A)に示すように、基板の適正照明ではダイが真っ白になる。また、図19(B)に示すように、ダイの適正照明では基板のリードが見えない。 The die and the substrate may have different light reflectances. If you try to image the tabs of the die and the board at the same time in the inspection after bonding (in many cases), the reflectance will be different and it will not fit in the dynamic range of the camera. For example, as shown in FIG. 19A, the die becomes pure white under proper illumination of the substrate. Further, as shown in FIG. 19B, the leads of the substrate cannot be seen with proper illumination of the die.

よって、図19に示すように、ダイを認識するときと、タブを認識するときでは、照明出力またはシャッター開口時間(露光時間)またはカメラのゲインを変えて2回の撮像を必要とする。 Therefore, as shown in FIG. 19, when recognizing a die and when recognizing a tab, it is necessary to take two images by changing the illumination output, the shutter opening time (exposure time), or the gain of the camera.

図21(A)に示すように、装置内に振動VIBが合った場合は装置の振動VIBがカメラに伝わって画像を揺らし、画面全体を同期的に影響する陽炎HHなどがあった場合は陽炎HHが画像を揺らす。図21(B)に示すように、基板の適性条件で1回目の撮像を行い、図21(C)に示すように、ダイの適性条件で2回目の撮像を行う。1回目の撮像のダイの画像D1および基板の画像TAB1に対して2回目の撮像のダイの画像D2および基板の画像TAB2はずれる。その結果、撮像(画像の取込み)を2回に分けることで、ダイとタブの相対位置の演算結果に、撮像タイミングの違いによって生じる画像の移動オフセットを含んでしまい、ダイと基板の正確な相対距離が測定できなくなり、検査精度を劣化させる。 As shown in FIG. 21 (A), when the vibration VIB fits in the device, the vibration VIB of the device is transmitted to the camera to shake the image, and when there is a heat haze HH or the like that synchronously affects the entire screen, the heat haze. HH shakes the image. As shown in FIG. 21 (B), the first imaging is performed under the suitability condition of the substrate, and as shown in FIG. 21 (C), the second imaging is performed under the suitability condition of the die. The image D2 of the die of the second imaging and the image TAB2 of the substrate deviate from the image D1 of the die of the first imaging and the image TAB1 of the substrate. As a result, by dividing the imaging (image capture) into two times, the calculation result of the relative position of the die and the tab includes the image movement offset caused by the difference in the imaging timing, and the accurate relative between the die and the substrate is included. The distance cannot be measured and the inspection accuracy deteriorates.

そこで、実施形態に係るダイボンディング装置では同一露光タイミング内で撮像エリア毎に入力明度信号のレベル(撮像条件)を切り替えて撮像する。撮像条件としては、例えば、撮像装置のゲインが挙げられる。また、撮像エリア毎にシャッター開口時間(露光時間)を変えるようにしてもよい。これにより、反射率の大きく異なるベース(基板など)とアタッチする製品(ダイなど)の載置精度を測定するときに、撮像タイミングを同じにして、撮像タイミングの違い(振動および陽炎など)によって生じるオフセットの影響を受けずに載置精度を測定することができる。位置決めターゲット(パターン)の反射率の違いにより、同一撮像できなかった被写体の同一撮像を可能にし、タイミングの違いで発生するオフセットの影響を受けなくなるため、ベースとアタッチする製品の相対位置の測定精度を向上することができる。また、2回の画像取込を1回で行うことで処理時間を改善することができる。 Therefore, in the die bonding apparatus according to the embodiment, the level of the input brightness signal (imaging condition) is switched for each imaging area within the same exposure timing to perform imaging. Examples of the imaging condition include the gain of the imaging device. Further, the shutter opening time (exposure time) may be changed for each imaging area. As a result, when measuring the mounting accuracy of a product (die, etc.) that is attached to a base (such as a substrate) that has significantly different reflectance, the imaging timing is the same, and this is caused by the difference in imaging timing (vibration, heat haze, etc.). The placement accuracy can be measured without being affected by the offset. Due to the difference in reflectance of the positioning target (pattern), it is possible to take the same image of a subject that could not be imaged in the same way, and it is not affected by the offset generated by the difference in timing. Can be improved. Further, the processing time can be improved by performing the image acquisition twice.

図1は実施例に係るダイボンダの概略を示す上面図である。図2は図1において矢印A方向から見たときに、ピックアップヘッド及びボンディングヘッドの動作を説明する図である。 FIG. 1 is a top view showing an outline of a die bonder according to an embodiment. FIG. 2 is a diagram illustrating the operation of the pickup head and the bonding head when viewed from the direction of arrow A in FIG.

ダイボンダ10は、大別して、ダイ供給部1と、ピックアップ部2、中間ステージ部3と、ボンディング部4と、搬送部5、基板供給部6と、基板搬出部7と、各部の動作を監視し制御する制御部8と、を有する。Y軸方向がダイボンダ10の前後方向であり、X軸方向が左右方向である。ダイ供給部1がダイボンダ10の手前側に配置され、ボンディング部4が奥側に配置される。 The die bonder 10 is roughly divided into a die supply unit 1, a pickup unit 2, an intermediate stage unit 3, a bonding unit 4, a transport unit 5, a board supply unit 6, and a board carry-out unit 7, and monitors the operation of each unit. It has a control unit 8 for controlling. The Y-axis direction is the front-rear direction of the die bonder 10, and the X-axis direction is the left-right direction. The die supply unit 1 is arranged on the front side of the die bonder 10, and the bonding unit 4 is arranged on the back side.

まず、ダイ供給部1は基板Pに実装するダイDを供給する。ダイ供給部1は、ウェハ11を保持するウェハ保持台12と、ウェハ11からダイDを突き上げる点線で示す突上げユニット13と、を有する。ダイ供給部1は図示しない駆動手段によってXY方向に移動し、ピックアップするダイDを突上げユニット13の位置に移動させる。 First, the die supply unit 1 supplies the die D to be mounted on the substrate P. The die supply unit 1 includes a wafer holding table 12 for holding the wafer 11, and a pushing unit 13 indicated by a dotted line for pushing the die D from the wafer 11. The die supply unit 1 is moved in the XY direction by a driving means (not shown), and the die D to be picked up is moved to the position of the push-up unit 13.

ピックアップ部2は、ダイDをピックアップするピックアップヘッド21と、ピックアップヘッド21をY方向に移動させるピックアップヘッドのY駆動部23と、コレット22を昇降、回転及びX方向移動させる図示しない各駆動部と、を有する。ピックアップヘッド21は、突き上げられたダイDを先端に吸着保持するコレット22(図2も参照)を有し、ダイ供給部1からダイDをピックアップし、中間ステージ31に載置する。ピックアップヘッド21は、コレット22を昇降、回転及びX方向移動させる図示しない各駆動部を有する。 The pickup unit 2 includes a pickup head 21 that picks up the die D, a Y drive unit 23 of the pickup head that moves the pickup head 21 in the Y direction, and each drive unit (not shown) that moves the collet 22 up / down, rotates, and moves in the X direction. , Have. The pickup head 21 has a collet 22 (see also FIG. 2) that attracts and holds the pushed-up die D to the tip, picks up the die D from the die supply unit 1, and places it on the intermediate stage 31. The pickup head 21 has drive units (not shown) that move the collet 22 up / down, rotate, and move in the X direction.

中間ステージ部3は、ダイDを一時的に載置する中間ステージ31と、中間ステージ31上のダイDを認識する為のステージ認識カメラ32を有する。 The intermediate stage unit 3 has an intermediate stage 31 on which the die D is temporarily placed, and a stage recognition camera 32 for recognizing the die D on the intermediate stage 31.

ボンディング部4は、中間ステージ31からダイDをピックアップし、搬送されてくる基板P上にボンディングし、又は既に基板Pの上にボンディングされたダイの上に積層する形でボンディングする。ボンディング部4は、ピックアップヘッド21と同様にダイDを先端に吸着保持するコレット42(図2も参照)を備えるボンディングヘッド41と、ボンディングヘッド41をY方向に移動させるY駆動部43と、基板Pの位置認識マーク(図示せず)を撮像し、ボンディング位置を認識する基板認識カメラ44とを有する。
このような構成によって、ボンディングヘッド41は、ステージ認識カメラ32の撮像データに基づいてピックアップ位置・姿勢を補正し、中間ステージ31からダイDをピックアップし、基板認識カメラ44の撮像データに基づいて基板PにダイDをボンディングする。
The bonding unit 4 picks up the die D from the intermediate stage 31 and bonds it on the conveyed substrate P, or bonds it in a form of being laminated on the die already bonded on the substrate P. The bonding unit 4 includes a bonding head 41 having a collet 42 (see also FIG. 2) that attracts and holds the die D to the tip like the pickup head 21, a Y drive unit 43 that moves the bonding head 41 in the Y direction, and a substrate. It has a substrate recognition camera 44 that captures a position recognition mark (not shown) of P and recognizes the bonding position.
With such a configuration, the bonding head 41 corrects the pickup position / orientation based on the image data of the stage recognition camera 32, picks up the die D from the intermediate stage 31, and bases the board based on the image data of the board recognition camera 44. Bond the die D to P.

搬送部5は、一枚又は複数枚の基板P(図1では4枚)を載置した基板搬送パレット51と、基板搬送パレット51が移動するパレットレール52とを具備し、並行して設けられた同一構造の第1、第2搬送部とを有する。基板搬送パレット51は、基板搬送パレット51に設けられた図示しないナットをパレットレール52に沿って設けられた図示しないボールネジで駆動することによって移動する。
このような構成によって、基板搬送パレット51は、基板供給部6で基板Pを載置し、パレットレール52に沿ってボンディング位置まで移動し、ボンディング後、基板搬出部7まで移動して、基板搬出部7に基板Pを渡す。第1、第2搬送部は、互いに独立して駆動され、一方の基板搬送パレット51に載置された基板PにダイDをボンディング中に、他方の基板搬送パレット51は、基板Pを搬出し、基板供給部6に戻り、新たな基板Pを載置するなどの準備を行なう。
The transport unit 5 includes a board transport pallet 51 on which one or a plurality of boards P (4 boards in FIG. 1) are placed, and a pallet rail 52 on which the board transport pallet 51 moves, and is provided in parallel. It also has first and second transport units having the same structure. The substrate transfer pallet 51 moves by driving a nut (not shown) provided on the substrate transfer pallet 51 with a ball screw (not shown) provided along the pallet rail 52.
With such a configuration, the substrate transport pallet 51 mounts the substrate P on the substrate supply unit 6, moves to the bonding position along the pallet rail 52, and after bonding, moves to the substrate carry-out portion 7 to carry out the board. The substrate P is passed to the unit 7. The first and second transport units are driven independently of each other, and while the die D is bonded to the substrate P mounted on one substrate transport pallet 51, the other substrate transport pallet 51 carries out the substrate P. , Return to the board supply unit 6 and make preparations such as mounting a new board P.

次に、ダイ供給部1の構成について図3および図4を用いて説明する。図3はダイ供給部の外観斜視図を示す図である。図4はダイ供給部の主要部を示す概略断面図である。 Next, the configuration of the die supply unit 1 will be described with reference to FIGS. 3 and 4. FIG. 3 is a view showing an external perspective view of the die supply unit. FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a main part of the die supply part.

ダイ供給部1は、水平方向(XY方向)に移動するウェハ保持台12と、上下方向に移動する突上げユニット13と、を備える。ウェハ保持台12は、ウェハリング14を保持するエキスパンドリング15と、ウェハリング14に保持され複数のダイDが接着されたダイシングテープ16を水平に位置決めする支持リング17と、を有する。突上げユニット13は支持リング17の内側に配置される。 The die supply unit 1 includes a wafer holding table 12 that moves in the horizontal direction (XY direction) and a push-up unit 13 that moves in the vertical direction. The wafer holding table 12 has an expanding ring 15 for holding the wafer ring 14 and a support ring 17 for horizontally positioning the dicing tape 16 held on the wafer ring 14 and to which a plurality of dies D are adhered. The push-up unit 13 is arranged inside the support ring 17.

ダイ供給部1は、ダイDの突き上げ時に、ウェハリング14を保持しているエキスパンドリング15を下降させる。その結果、ウェハリング14に保持されているダイシングテープ16が引き伸ばされダイDの間隔が広がり、突上げユニット13によりダイD下方よりダイDを突き上げ、ダイDのピックアップ性を向上させている。なお、薄型化に伴いダイを基板に接着する接着剤は、液状からフィルム状となり、ウェハ11とダイシングテープ16との間にダイアタッチフィルム(DAF)18と呼ばれるフィルム状の接着材料を貼り付けている。ダイアタッチフィルム18を有するウェハ11では、ダイシングは、ウェハ11とダイアタッチフィルム18に対して行なわれる。従って、剥離工程では、ウェハ11とダイアタッチフィルム18をダイシングテープ16から剥離する。 The die supply unit 1 lowers the expanding ring 15 holding the wafer ring 14 when the die D is pushed up. As a result, the dicing tape 16 held by the wafer ring 14 is stretched to widen the interval between the dies D, and the push-up unit 13 pushes up the dicing D from below the die D to improve the pick-up property of the die D. The adhesive that adheres the die to the substrate as it becomes thinner changes from a liquid to a film, and a film-like adhesive material called a die attach film (DAF) 18 is attached between the wafer 11 and the dicing tape 16. There is. In the wafer 11 having the die attach film 18, dicing is performed on the wafer 11 and the die attach film 18. Therefore, in the peeling step, the wafer 11 and the die attach film 18 are peeled from the dicing tape 16.

ダイボンダ10は、ウェハ11上のダイDの姿勢を認識するウェハ認識カメラ24と、中間ステージ31に載置されたダイDの姿勢を認識するステージ認識カメラ32と、ボンディングステージBS上の実装位置を認識する基板認識カメラ44とを有する。認識カメラ間の姿勢ずれ補正しなければならないのは、ボンディングヘッド41によるピックアップに関与するステージ認識カメラ32と、ボンディングヘッド41による実装位置へのボンディングに関与する基板認識カメラ44である。本実施例ではウェハ認識カメラ24を用いてダイDの位置決めを行い、基板認識カメラ44を用いて基板Pの位置決めおよび基板Pと基板Pにボンディングされたダイの相対位置の検査を行う。 The die bonder 10 has a wafer recognition camera 24 that recognizes the posture of the die D on the wafer 11, a stage recognition camera 32 that recognizes the posture of the die D mounted on the intermediate stage 31, and a mounting position on the bonding stage BS. It has a substrate recognition camera 44 for recognizing. It is the stage recognition camera 32 involved in the pickup by the bonding head 41 and the substrate recognition camera 44 involved in bonding to the mounting position by the bonding head 41 that must correct the posture deviation between the recognition cameras. In this embodiment, the wafer recognition camera 24 is used to position the die D, and the substrate recognition camera 44 is used to position the substrate P and inspect the relative position of the die bonded to the substrate P and the substrate P.

制御系について図5を用いて説明する。図5は図1のダイボンダの制御系の概略構成を示すブロック図である。制御系80は制御部8と駆動部86と信号部87と光学系88とを備える。制御部8は、大別して、主としてCPU(Central Processor Unit)で構成される制御・演算装置81と、記憶装置82と、入出力装置83と、バスライン84と、電源部85とを有する。記憶装置82は、処理プログラムなどを記憶しているRAMで構成されている主記憶装置82aと、制御に必要な制御データや画像データ等を記憶しているHDDで構成されている補助記憶装置82bとを有する。入出力装置83は、装置状態や情報等を表示するモニタ83aと、オペレータの指示を入力するタッチパネル83bと、モニタを操作するマウス83cと、光学系88からの画像データを取り込む画像取込装置83dと、を有する。また、入出力装置83は、ダイ供給部1のXYテーブル(図示せず)やボンディングヘッドテーブルのZY駆動軸等の駆動部86を制御するモータ制御装置83eと、種々のセンサ信号や照明装置などのスイッチ等の信号部87から信号を取り込み又は制御するI/O信号制御装置83fとを有する。光学系88には、ウェハ認識カメラ24、ステージ認識カメラ32、基板認識カメラ44が含まれる。制御・演算装置81はバスライン84を介して必要なデータを取込み、演算し、ピックアップヘッド21等の制御や、モニタ83a等に情報を送る。 The control system will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a block diagram showing a schematic configuration of the control system of the die bonder of FIG. The control system 80 includes a control unit 8, a drive unit 86, a signal unit 87, and an optical system 88. The control unit 8 is roughly divided into a control / arithmetic unit 81 mainly composed of a CPU (Central Processor Unit), a storage device 82, an input / output device 83, a bus line 84, and a power supply unit 85. The storage device 82 is an auxiliary storage device 82b composed of a main storage device 82a composed of a RAM for storing a processing program and the like, and an HDD for storing control data, image data, and the like necessary for control. And have. The input / output device 83 includes a monitor 83a for displaying the device status and information, a touch panel 83b for inputting an operator's instruction, a mouse 83c for operating the monitor, and an image capture device 83d for capturing image data from the optical system 88. And have. Further, the input / output device 83 includes a motor control device 83e that controls a drive unit 86 such as an XY table (not shown) of the die supply unit 1 and a ZZ drive shaft of a bonding head table, various sensor signals, lighting devices, and the like. It has an I / O signal control device 83f that captures or controls a signal from a signal unit 87 such as a switch of the above. The optical system 88 includes a wafer recognition camera 24, a stage recognition camera 32, and a substrate recognition camera 44. The control / arithmetic unit 81 takes in necessary data via the bus line 84, calculates the data, controls the pickup head 21 and the like, and sends the information to the monitor 83a and the like.

制御部8は画像取込装置83dを介してウェハ認識カメラ24および基板認識カメラ44で撮像した画像データを記憶装置82に保存する。保存した画像データに基づいてプログラムしたソフトウェアにより、制御・演算装置81を用いてダイDおよび基板Pの位置決めを行う。制御・演算装置81が算出したダイDおよび基板Pの位置に基づいてソフトウェアによりモータ制御装置83eを介して駆動部86を動かす。このプロセスによりウェハ上のダイの位置決めを行い、ピックアップ部2およびボンディング部4の駆動部で動作させダイDを基板P上にボンディングする。使用するウェハ認識カメラ24および基板認識カメラ44はグレースケール、カラー等であり、光強度を数値化する。 The control unit 8 stores the image data captured by the wafer recognition camera 24 and the substrate recognition camera 44 in the storage device 82 via the image acquisition device 83d. The die D and the substrate P are positioned by using the control / arithmetic unit 81 by the software programmed based on the stored image data. Based on the positions of the die D and the substrate P calculated by the control / arithmetic unit 81, the drive unit 86 is moved by software via the motor control device 83e. By this process, the die on the wafer is positioned and operated by the drive unit of the pickup unit 2 and the bonding unit 4 to bond the die D onto the substrate P. The wafer recognition camera 24 and the substrate recognition camera 44 to be used are grayscale, color, or the like, and the light intensity is quantified.

次に、ウェハ認識カメラについて図6を用いて説明する。図6はウェハ供給部の光学系を説明するための図であり、ウェハ認識カメラおよびピックアップ対象のダイに画像撮影用の光を照射する照明部の配置を示している。ステージ認識カメラ32および基板認識カメラ44はウェハ認識カメラ24と同様である。
ウェハ認識カメラ24の撮像部IDは鏡筒BTの一端と接続され、鏡筒BTの他端には対物レンズ(図示は省略)が取り付けられ、この対物レンズを通してダイDの主面の画像を撮影する構成となっている。
撮像部IDとダイDとを結ぶ線上の鏡筒BTとダイDとの間には、面発光照明(光源)SL、ハーフミラー(半透過鏡)HMを内部に備えた照明部LDが配置されている。面発光照明SLからの照射光は、ハーフミラーHMによって撮像部IDと同じ光軸で反射され、ダイDに照射される。撮像部IDと同じ光軸でダイDに照射されたその散乱光は、ダイDで反射し、そのうちの正反射光がハーフミラーHMを透過して撮像部IDに達し、ダイDの映像を形成する。すなわち、照明部LDは同軸落射照明(同軸照明)の機能を有する。
Next, the wafer recognition camera will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a diagram for explaining the optical system of the wafer supply unit, and shows the arrangement of the wafer recognition camera and the illumination unit that irradiates the die to be picked up with light for image capture. The stage recognition camera 32 and the substrate recognition camera 44 are the same as the wafer recognition camera 24.
The imaging unit ID of the wafer recognition camera 24 is connected to one end of the lens barrel BT, an objective lens (not shown) is attached to the other end of the lens barrel BT, and an image of the main surface of the die D is taken through this objective lens. It is configured to do.
An illumination unit LD equipped with a surface emitting illumination (light source) SL and a half mirror (semi-transmissive mirror) HM is arranged between the lens barrel BT and the die D on the line connecting the imaging unit ID and the die D. ing. The irradiation light from the surface emission illumination SL is reflected by the half mirror HM on the same optical axis as the image pickup unit ID, and is applied to the die D. The scattered light emitted to the die D on the same optical axis as the image pickup unit ID is reflected by the die D, and the specularly reflected light of the scattered light passes through the half mirror HM and reaches the image pickup unit ID to form an image of the die D. To do. That is, the illumination unit LD has a function of coaxial epi-illumination (coaxial illumination).

照明システムは同軸照明に限定されるものではなく、ドーム照明、斜光リング照明、斜光バー照明、透過照明等であってもよい。被写体によりこれらの照明の複数種による組み合わせでシステムを構築してもよい。光源色は単色以外に白等がある。光源は出力調節を線形変化にて行えるもの、例えばLEDのパルス調光デューティーにて光量調節するものを用いる。 The lighting system is not limited to coaxial lighting, and may be dome lighting, oblique ring illumination, oblique bar illumination, transmitted illumination, or the like. Depending on the subject, a system may be constructed by combining a plurality of these types of lighting. The light source color includes white and the like in addition to a single color. As the light source, one that can adjust the output linearly, for example, one that adjusts the amount of light by the pulse dimming duty of the LED is used.

図7は実施例に係る半導体製造装置におけるダイボンディング工程を説明するフローチャートである。
実施例のダイボンディング工程では、まず、制御部8は、ウェハ11を保持しているウェハリング14をウェハカセットから取り出してウェハ保持台12に載置し、ウェハ保持台12をダイDのピックアップが行われる基準位置まで搬送する(ウェハローディング(工程P1))。次いで、制御部8は、ウェハ認識カメラ24によって取得した画像から、ウェハ11の配置位置がその基準位置と正確に一致するように微調整を行う。
FIG. 7 is a flowchart illustrating a die bonding process in the semiconductor manufacturing apparatus according to the embodiment.
In the die bonding step of the embodiment, first, the control unit 8 takes out the wafer ring 14 holding the wafer 11 from the wafer cassette and places it on the wafer holding table 12, and the wafer holding table 12 is picked up by the die D. It is conveyed to the reference position where it is performed (wafer loading (step P1)). Next, the control unit 8 makes fine adjustments so that the arrangement position of the wafer 11 exactly matches the reference position from the image acquired by the wafer recognition camera 24.

次に、制御部8は、ウェハ11が載置されたウェハ保持台12を所定ピッチでピッチ移動させ、水平に保持することによって、最初にピックアップされるダイDをピックアップ位置に配置する(ダイ搬送(工程P2))。ウェハ11は、予めプローバ等の検査装置により、ダイ毎に検査され、ダイ毎に良、不良を示すマップデータが生成され、制御部8の記憶装置82に記憶される。ピックアップ対象となるダイDが良品であるか、不良品であるかの判定はマップデータにより行われる。制御部8は、ダイDが不良品である場合は、ウェハ11が載置されたウェハ保持台12を所定ピッチでピッチ移動させ、次にピックアップされるダイDをピックアップ位置に配置し、不良品のダイDをスキップする。 Next, the control unit 8 arranges the first die D to be picked up at the pickup position by moving the wafer holding table 12 on which the wafer 11 is placed at a predetermined pitch and holding it horizontally (die transfer). (Step P2)). The wafer 11 is inspected in advance for each die by an inspection device such as a prober, and map data indicating good or bad is generated for each die and stored in the storage device 82 of the control unit 8. Whether the die D to be picked up is a non-defective product or a defective product is determined by the map data. When the die D is a defective product, the control unit 8 moves the wafer holding table 12 on which the wafer 11 is placed at a predetermined pitch, arranges the die D to be picked up next at the pickup position, and arranges the defective product. Die D is skipped.

制御部8は、ウェハ認識カメラ24によってピックアップ対象のダイDの主面(上面)を撮影し、取得した画像からピックアップ対象のダイDの上記ピックアップ位置からの位置ずれ量を算出する。制御部8は、この位置ずれ量を基にウェハ11が載置されたウェハ保持台12を移動させ、ピックアップ対象のダイDをピックアップ位置に正確に配置する(ダイ位置決め(工程P3))。ダイの位置決めの詳細は後述する。 The control unit 8 photographs the main surface (upper surface) of the die D to be picked up by the wafer recognition camera 24, and calculates the amount of displacement of the die D to be picked up from the pickup position from the acquired image. The control unit 8 moves the wafer holding table 12 on which the wafer 11 is placed based on this amount of misalignment, and accurately arranges the die D to be picked up at the pickup position (die positioning (step P3)). Details of die positioning will be described later.

制御部8は、基板供給部6で基板Pを基板搬送パレット51に載置する(基板ローディング(工程P4))。制御部8は、基板Pが載置された基板搬送パレット51をボンディング位置まで移動させる(基板搬送(工程P5))。 The control unit 8 places the substrate P on the substrate transfer pallet 51 by the substrate supply unit 6 (board loading (process P4)). The control unit 8 moves the substrate transfer pallet 51 on which the substrate P is placed to the bonding position (board transfer (process P5)).

基板認識カメラ44にて基板を撮像して位置決めを行う(基板位置決め(工程P6))。基板の位置決めの詳細は後述する。 The board is imaged by the board recognition camera 44 and positioned (board positioning (process P6)). The details of the positioning of the substrate will be described later.

制御部8は、ピックアップ対象のダイDを正確にピックアップ位置に配置した後、コレット22を含むピックアップヘッド21によってダイDをダイシングテープ16からピックアップし、中間ステージ31に載置する(ダイハンドリング(工程P7))。制御部8は、中間ステージ31に載置したダイの姿勢ずれ(回転ずれ)の検出をステージ認識カメラ32にて撮像して行う。制御部8は、姿勢ずれがある場合は中間ステージ31に設けられた旋回駆動装置(不図示)によって実装位置を有する実装面に平行な面で中間ステージ31を旋回させて姿勢ずれを補正する。 After accurately arranging the die D to be picked up at the pickup position, the control unit 8 picks up the die D from the dicing tape 16 by the pickup head 21 including the collet 22 and places it on the intermediate stage 31 (die handling (process). P7)). The control unit 8 detects the posture deviation (rotational deviation) of the die placed on the intermediate stage 31 with the stage recognition camera 32. When there is a posture deviation, the control unit 8 rotates the intermediate stage 31 on a surface parallel to the mounting surface having the mounting position by a turning drive device (not shown) provided on the intermediate stage 31 to correct the posture deviation.

制御部8は、コレット42を含むボンディングヘッド41によって中間ステージ31からダイDをピックアップし、基板Pまたは既に基板Pにボンディングされているダイにダイボンディングする(ダイアタッチ(工程P8))。 The control unit 8 picks up the die D from the intermediate stage 31 by the bonding head 41 including the collet 42, and performs die bonding to the substrate P or a die already bonded to the substrate P (diatouch (step P8)).

制御部8は、ダイDをボンディングした後、そのボンディング位置が正確になされているかを検査する(ダイと基板の相対位置検査(工程P9))。ダイと基板の相対位置検査の詳細は後述する。 After bonding the die D, the control unit 8 inspects whether the bonding position is accurate (relative position inspection between the die and the substrate (step P9)). Details of the relative position inspection between the die and the substrate will be described later.

以後、同様の手順に従ってダイDが1個ずつ基板Pにボンディングする。1つの基板のボンディングが完了すると、基板搬送パレット51を基板搬出部7まで移動して(基板搬送(工程PA))、基板搬出部7に基板Pを渡す(基板アンローディング(工程PB))。 After that, the dies D are bonded to the substrate P one by one according to the same procedure. When the bonding of one substrate is completed, the substrate transport pallet 51 is moved to the substrate carry-out portion 7 (board transport (process PA)), and the substrate P is passed to the board carry-out portion 7 (board unloading (process PB)).

また、同様の手順に従ってダイDが1個ずつダイシングテープ16から剥がされる(工程P7)。不良品を除くすべてのダイDのピックアップが完了すると、それらダイDをウェハ11の外形で保持していたダイシングテープ16およびウェハリング14等をウェハカセットへアンローディングする(工程PC)。 Further, the dies D are peeled off from the dicing tape 16 one by one according to the same procedure (step P7). When the pickup of all the dies D except the defective products is completed, the dicing tape 16 and the wafer ring 14 and the like holding the dies D in the outer shape of the wafer 11 are unloaded to the wafer cassette (process PC).

ダイの位置決めの方法について図8〜12を用いて説明する。図8は倣い動作を説明するためのフローチャートである。図9はダイのユニークな部分(選択領域)の例を示す図である。図10は連続着工動作を説明するためのフローチャートである。図11は登録画像および類似画像の例を示す図である。図12はパターンの位置関係からダイの中心を求める例を示す図であり、図12(A)は登録画像であり、図12(B)は位置合わせを行うダイの画像である。 The method of positioning the die will be described with reference to FIGS. 8 to 12. FIG. 8 is a flowchart for explaining the copying operation. FIG. 9 is a diagram showing an example of a unique portion (selection area) of the die. FIG. 10 is a flowchart for explaining the continuous construction start operation. FIG. 11 is a diagram showing an example of a registered image and a similar image. FIG. 12 is a diagram showing an example of finding the center of the die from the positional relationship of the pattern, FIG. 12 (A) is a registered image, and FIG. 12 (B) is an image of the die for alignment.

ダイの位置決めアルゴリズムは、主にテンプレートマッチングを用い、一般に知られている正規化相関式での演算とする。その結果を一致率とする。テンプレートマッチングはリファレンス学習の倣い動作と連続着工用動作がある。 The die positioning algorithm mainly uses template matching, and is an operation using a generally known normalized correlation equation. The result is used as the match rate. Template matching includes a copy operation of reference learning and an operation for continuous construction start.

まず、倣い動作について説明する。制御部8はリファレンスサンプルをピックアップ位置に搬送する(ステップS1)。制御部8はウェハ認識カメラ24でリファレンスサンプルの画像PCrを取得する(ステップS2)。ダイボンダの操作者がヒューマンインタフェース(タッチパネル83bやマウス83c)により画像内から、図8に示すようなユニークな部分UAを選択する(ステップS3)。制御部8は選択されたユニークな部分(選択領域)UAとリファレンスサンプルとの位置関係(座標)を記憶装置82に保存する(ステップS4)。制御部8は選択領域の画像(テンプレート画像)PTを記憶装置82に保存する(ステップS5)。基準となるワーク画像(登録画像)とその座標を記憶装置82に保存する。 First, the copying operation will be described. The control unit 8 conveys the reference sample to the pickup position (step S1). The control unit 8 acquires the image PCr of the reference sample with the wafer recognition camera 24 (step S2). The operator of the die bonder selects a unique partial UA as shown in FIG. 8 from the image by using the human interface (touch panel 83b or mouse 83c) (step S3). The control unit 8 stores the positional relationship (coordinates) between the selected unique portion (selected area) UA and the reference sample in the storage device 82 (step S4). The control unit 8 stores the image (template image) PT of the selected area in the storage device 82 (step S5). The reference work image (registered image) and its coordinates are stored in the storage device 82.

登録画像を複数用意することで、図12に示すように、検出した登録画像に一致する各位置との相対関係からダイの中心を算出し位置決めを行う。 By preparing a plurality of registered images, as shown in FIG. 12, the center of the die is calculated from the relative relationship with each position matching the detected registered image and positioned.

次に、連続動作について説明する。制御部8は連続着工用に部材(製品用ウェハ)をピックアップ位置に搬送する(ステップS11)。制御部8はウェハ認識カメラ24で製品用ダイの画像PCnを取得する(ステップS2)。図11に示すように、制御部8は倣い動作で保存していたテンプレート画像PTと製品用ダイの取得画像PCnとを比較し、最も類似した部分の画像PTnの座標を算出する(ステップS13)。その座標とリファレンスサンプルで測定した座標とを比較し、製品用ダイの位置(画像PTnとテンプレート画像PTとのオフセット)を算出する(ステップS14)。
基板の位置決めおよびダイがボンディングされた基板とダイの相対位置検査の方法について図13〜17を用いて説明する。図13は倣い動作を説明するためのフローチャートである。図14は基板のユニークな部分(選択領域)の例を示す図である。図15はダイがボンディングされた基板を示す図である。図16は連続着工動作を説明するためのフローチャートである。図17はばらつき分を拡張した領域を説明するための図である。
Next, continuous operation will be described. The control unit 8 conveys the member (product wafer) to the pickup position for continuous construction (step S11). The control unit 8 acquires the image PCn of the product die with the wafer recognition camera 24 (step S2). As shown in FIG. 11, the control unit 8 compares the template image PT saved in the copying operation with the acquired image PCn of the product die, and calculates the coordinates of the image PTn of the most similar portion (step S13). .. The coordinates are compared with the coordinates measured by the reference sample, and the position of the product die (offset between the image PTn and the template image PT) is calculated (step S14).
The method of positioning the substrate and inspecting the relative position of the substrate to which the die is bonded and the die will be described with reference to FIGS. 13 to 17. FIG. 13 is a flowchart for explaining the copying operation. FIG. 14 is a diagram showing an example of a unique portion (selection area) of the substrate. FIG. 15 is a diagram showing a substrate to which a die is bonded. FIG. 16 is a flowchart for explaining the continuous construction start operation. FIG. 17 is a diagram for explaining a region in which the variation is expanded.

基板の位置決め、ダイがボンディングされた基板およびダイの認識アルゴリズムは前述のダイの位置決めアルゴリズムと同様に、主にテンプレートマッチングを用い、テンプレートマッチングはリファレンス学習の倣い動作と連続着工用動作がある。 Similar to the above-mentioned die positioning algorithm, the substrate positioning and die-bonded substrate and die recognition algorithms mainly use template matching, and template matching includes a reference learning imitation operation and a continuous construction start operation.

まず、倣い動作について説明する。倣い動作は、大きく分けて、基板認識の倣い(ステップS21)とダイ認識の倣い(ステップS24)との二つがある。 First, the copying operation will be described. The copying operation is roughly divided into two types: substrate recognition copying (step S21) and die recognition copying (step S24).

制御部8はリファレンスサンプル用の基板をボンディング位置に搬送する(ステップS211)。制御部8は基板認識カメラ44の照明値(L1)、ゲイン(G1)、露光時間(V1)を調整する(ステップS212)。制御部8は基板認識カメラ44でリファレンスサンプル用の基板の画像を取得する(ステップS213)。ダイボンダの操作者がヒューマンインタフェース(タッチパネル83bやマウス83c)により画像内から、図14に示すようなユニークな部分TUAを選択する(ステップS214)。なお、基板Pは複数のタブ(製品領域)TABが格子状に配置され、タブTABはダイDがボンディングされる領域DRと、ダイDのボンディングパッドとボンディングワイヤで電気的に接続される端子TTと、基板のユニークな部分TUAと、を備える。制御部8は選択されたユニークな部分(選択領域)TUAとリファレンスサンプル用の基板との位置関係(座標)を記憶装置82に保存する(ステップS215)。制御部8は選択領域の画像(テンプレート画像)を記憶装置82に保存する(ステップS216)。基準となるワーク画像(登録画像)とその座標を記憶装置82に保存する。以上が基板認識の倣い(ステップS21)である。 The control unit 8 conveys the substrate for the reference sample to the bonding position (step S211). The control unit 8 adjusts the illumination value (L1), gain (G1), and exposure time (V1) of the substrate recognition camera 44 (step S212). The control unit 8 acquires an image of the substrate for the reference sample with the substrate recognition camera 44 (step S213). The operator of the die bonder selects a unique partial TUA as shown in FIG. 14 from the image by the human interface (touch panel 83b or mouse 83c) (step S214). A plurality of tabs (product areas) TABs are arranged in a grid pattern on the substrate P, and the tab TABs are a region DR to which the die D is bonded and a terminal TT electrically connected to the bonding pad of the die D by a bonding wire. And a unique part TUA of the substrate. The control unit 8 stores the positional relationship (coordinates) between the selected unique portion (selected area) TUA and the substrate for the reference sample in the storage device 82 (step S215). The control unit 8 saves the image (template image) of the selected area in the storage device 82 (step S216). The reference work image (registered image) and its coordinates are stored in the storage device 82. The above is the imitation of substrate recognition (step S21).

基板認識の倣い(ステップS21)後、基板上のダイボンディング位置を決定し、座標データとして記憶装置82に保存し(ステップS22)、基板上にダイをボンディングする(ステップS23)。その後、以下に説明するダイ認識の倣い(ステップS24)を行う。 After copying the substrate recognition (step S21), the die bonding position on the substrate is determined, stored as coordinate data in the storage device 82 (step S22), and the die is bonded onto the substrate (step S23). After that, the die recognition imitation (step S24) described below is performed.

制御部8は基板上のダイ範囲(ダイサイズ)を決定する(ステップS241)。制御部8はリファレンスサンプル用の基板のテンプレート画像を取得したときの基板認識カメラ44の照明値(L1)、露光時間(V1)において、ダイ範囲のみのゲイン(G2)を調整する(ステップS242)。制御部8は基板認識カメラ44でリファレンスサンプル用のダイの画像を取得する(ステップS243)。ダイボンダの操作者がヒューマンインタフェース(タッチパネル83bやマウス83c)により画像内から、図15に示すようなユニークな部分UAを選択する(ステップS244)。制御部8は選択されたユニークな部分(選択領域)UAとリファレンスサンプル用のダイとの位置関係(座標)を記憶装置82に保存する(ステップS245)。制御部8は選択領域の画像(テンプレート画像)を記憶装置82に保存する(ステップS246)。基準となるワーク画像(登録画像)とその座標を記憶装置82に保存する。 The control unit 8 determines the die range (die size) on the substrate (step S241). The control unit 8 adjusts the gain (G2) of only the die range in the illumination value (L1) and the exposure time (V1) of the substrate recognition camera 44 when the template image of the substrate for the reference sample is acquired (step S242). .. The control unit 8 acquires an image of the die for the reference sample with the substrate recognition camera 44 (step S243). The operator of the die bonder selects a unique partial UA as shown in FIG. 15 from the image by the human interface (touch panel 83b or mouse 83c) (step S244). The control unit 8 stores the positional relationship (coordinates) between the selected unique portion (selected area) UA and the die for the reference sample in the storage device 82 (step S245). The control unit 8 saves the image (template image) of the selected area in the storage device 82 (step S246). The reference work image (registered image) and its coordinates are stored in the storage device 82.

次に、連続着工動作について説明する。制御部8は連続着工用に部材(製品用基板)をボンディング位置に搬送する(ステップS31)。制御部8は基板認識カメラ44の撮像条件を調整する。倣い動作のステップS212の調整値であり、照明値をL1、ゲインをG1、露光時間をV1とする(ステップS32)。制御部8は基板認識カメラ44で製品用基板の画像を取得する(ステップS33)。このとき、画面内のゲインはダイが搭載される領域とダイが搭載されない領域のゲインは共通でよい。基板位置決めも、図14に示すように、基板のユニークな部分TUAを用いてダイが搭載されるタブTABの中心位置を算出して行う。倣い動作で取得したテンプレート画像とステップS33で取得した画像を比較して最も類似した部分の座標を算出し、その座標とリファレンスサンプル用の基板で測定した座標を比較して製品基板の位置を算出するテンプレートマッチングにより基板の位置決めを行う(ステップS34)。基板の位置決め結果により、基板の位置に合わせてダイをボンディングする(ステップS35)。 Next, the continuous construction start operation will be described. The control unit 8 conveys the member (product substrate) to the bonding position for continuous construction (step S31). The control unit 8 adjusts the imaging conditions of the substrate recognition camera 44. It is an adjustment value of step S212 of the copying operation, and the illumination value is L1, the gain is G1, and the exposure time is V1 (step S32). The control unit 8 acquires an image of the product board with the board recognition camera 44 (step S33). At this time, the gain in the screen may be the same in the area where the die is mounted and the area where the die is not mounted. As shown in FIG. 14, the substrate positioning is also performed by calculating the center position of the tab TAB on which the die is mounted by using the unique portion TUA of the substrate. The template image acquired by the copying operation is compared with the image acquired in step S33 to calculate the coordinates of the most similar part, and the coordinates are compared with the coordinates measured on the reference sample substrate to calculate the position of the product substrate. The substrate is positioned by template matching (step S34). Based on the positioning result of the substrate, the die is bonded according to the position of the substrate (step S35).

制御部8は、図17に示すように、データ上の基板位置PDと実際の基板位置PRとからステップS22で保存したボンディング座標データに基板認識の結果を反映したダイのボンディングされているべき位置を予測計算する(ステップS36)。制御部8は予測計算した結果にステップS241で決定したダイサイズを反映させたダイの形状範囲DDを予想計算する(ステップS37)。制御部8は予想計算エリアに通常起こりうるボンディングばらつき分を加算して拡張した領域DAを計算する(ステップS38)。 As shown in FIG. 17, the control unit 8 is a position where the die should be bonded, reflecting the result of board recognition in the bonding coordinate data saved in step S22 from the board position PD on the data and the actual board position PR. Is predicted and calculated (step S36). The control unit 8 predictively calculates the shape range DD of the die in which the die size determined in step S241 is reflected in the result of the prediction calculation (step S37). The control unit 8 calculates the extended region DA by adding the bonding variation that can normally occur to the expected calculation area (step S38).

制御部8は倣い動作で基板のテンプレート画像を取得したときの基板認識カメラ44の照明値(L1)、露光時間(V1)において、領域DAのゲインを倣い動作のステップS242で調整したG2、その他の領域のゲインをステップS212で調整したG1にして、基板認識カメラ44でカメラ画像を取得する(ステップS39)。制御部8は基板認識カメラ44でダイが搭載された製品用基板の画像を取得する(ステップS3A)。制御部8は画像内の基板上のユニークな部分より基板の中心位置を算出し、ダイ上のユニークな部分よりダイの中心位置を算出し、相対位置が正しいかどうかを検査する(ステップS3B)。ダイ上のユニークな部分よりダイの中心位置を算出する際にステップS246で保存したテンプレート画像を用いる。 The control unit 8 adjusts the gain of the region DA in step S242 of the copying operation in the illumination value (L1) and the exposure time (V1) of the board recognition camera 44 when the template image of the board is acquired by the copying operation, G2, and the like. The gain in this region is set to G1 adjusted in step S212, and a camera image is acquired by the substrate recognition camera 44 (step S39). The control unit 8 acquires an image of the product board on which the die is mounted by the board recognition camera 44 (step S3A). The control unit 8 calculates the center position of the substrate from the unique portion on the substrate in the image, calculates the center position of the die from the unique portion on the die, and inspects whether the relative position is correct (step S3B). .. The template image saved in step S246 is used when calculating the center position of the die from the unique portion on the die.

ステップS39〜3Bの具体例、例えば基板Pの光の反射率がダイDの光の反射率よりも小さい場合について図18を用いて説明する。図18はダイがボンディングされた基板を撮像した画像である。 A specific example of steps S39 to 3B, for example, a case where the reflectance of the light of the substrate P is smaller than the reflectance of the light of the die D will be described with reference to FIG. FIG. 18 is an image of a substrate to which a die is bonded.

ダイDを基板Pに実装した直後のタブTABを基板認識カメラ44で撮像する。基板認識カメラ44には同一露光タイミング内で撮像エリア毎に入力明度信号のレベルを切り替えが可能なカメラ(例えば、ソニー株式会社のマシンビジョンカメラ(製品名)、XCL−SG510(型式))を使用する。このときのシャッター開口タイミングはその露光時間長と合わせて同じタイミングとする。ダイDのゲインとダイDの周囲のゲインとを異ならせ、ダイDのゲインは上げずにダイDの周囲が明るく撮像できるようダイDの周囲のゲインを上げて撮像する。これにより、ダイDとその周囲の互いの撮像画像をカメラのダイナミックレンジ内に収めることができる。相対位置検査のパターンはタブTABで2箇所のユニークな部分TUA、ダイDで2箇所のユニークな部分UAを登録し、互いの位置を測定する。 The tab TAB immediately after the die D is mounted on the substrate P is imaged by the substrate recognition camera 44. For the substrate recognition camera 44, a camera capable of switching the input brightness signal level for each imaging area within the same exposure timing (for example, Sony Corporation's machine vision camera (product name), XCL-SG510 (model)) is used. To do. The shutter opening timing at this time is the same as the exposure time length. The gain of the die D and the gain around the die D are made different, and the gain around the die D is increased so that the periphery of the die D can be imaged brightly without increasing the gain of the die D. As a result, the captured images of the die D and its surroundings can be accommodated within the dynamic range of the camera. As for the relative position inspection pattern, two unique partial UAs are registered with the tab TAB and two unique partial UAs are registered with the die D, and the positions of each other are measured.

以上、本発明者によってなされた発明を実施形態および実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、上記実施形態および実施例に限定されるものではなく、種々変更可能であることはいうまでもない。 The invention made by the present inventor has been specifically described above based on the embodiments and examples, but the present invention is not limited to the above embodiments and examples, and can be variously modified. Not to mention.

例えば、実施例ではダイDのゲインとダイDの周囲のゲインとを異ならせて撮像することを説明したが、ダイDのシャッター開口時間(露光時間)とダイDの周囲の露光時間とを異ならせて撮像するようにしてもよいし、ダイDの照明出力とダイDの周囲の照明出力とを異ならせて撮像するようにしてもよい。
また、実施例では同軸照明は対物レンズ−ダイ間に配置するタイプについて説明したが、レンズ内挿入タイプであってもよい。
また、実施例ではウェハの裏面にDAFが貼付されているが、DAFはなくてもよい。
また、実施例ではピックアップヘッドおよびボンディングヘッドをそれぞれ1つ備えているが、それぞれ2つ以上であってもよい。また、実施例では中間ステージを備えているが、中間ステージがなくてもよい。この場合、ピックアップヘッドとボンディングヘッドは兼用してもよい。
また、実施例ではダイの表面を上にしてボンディングされるが、ダイをピックアップ後ダイの表裏を反転させて、ダイの裏面を上にしてボンディングしてもよい。この場合、中間ステージは設けなくてもよい。この装置はフリップチップボンダという。
For example, in the embodiment, it has been described that the gain of the die D and the gain around the die D are different from each other for imaging. However, if the shutter opening time (exposure time) of the die D and the exposure time around the die D are different, The image may be taken separately, or the illumination output of the die D and the illumination output around the die D may be different from each other for imaging.
Further, in the embodiment, the type in which the coaxial illumination is arranged between the objective lens and the die has been described, but the coaxial illumination may be an in-lens insertion type.
Further, in the embodiment, the DAF is attached to the back surface of the wafer, but the DAF may not be present.
Further, in the embodiment, one pickup head and one bonding head are provided, but two or more of each may be provided. Further, although the intermediate stage is provided in the embodiment, the intermediate stage may not be provided. In this case, the pickup head and the bonding head may be used in combination.
Further, in the embodiment, the die is bonded with the front surface facing up, but after picking up the die, the front and back surfaces of the die may be inverted and the die may be bonded with the back surface facing up. In this case, the intermediate stage may not be provided. This device is called a flip chip bonder.

10・・・ダイボンダ
1・・・ウェハ供給部
D・・・ダイ
ID・・・撮像部
LD・・・照明部
2・・・ピックアップ部
24・・・ウェハ認識カメラ
3・・・アライメント部
31・・・中間ステージ
32・・・ステージ認識カメラ
4・・・ボンディング部
41・・・ボンディングヘッド
42・・・コレット
44・・・基板認識カメラ
5・・・搬送部
BS・・・ボンディングステージ
P・・・基板
8・・・制御部
10 ・ ・ ・ Die bonder 1 ・ ・ ・ Wafer supply part D ・ ・ ・ Die ID ・ ・ ・ Imaging part LD ・ ・ ・ Lighting part 2 ・ ・ ・ Pickup part 24 ・ ・ ・ Wafer recognition camera 3 ・ ・ ・ Alignment part 31 ・・ ・ Intermediate stage 32 ・ ・ ・ Stage recognition camera 4 ・ ・ ・ Bonding part 41 ・ ・ ・ Bonding head 42 ・ ・ ・ Collet 44 ・ ・ ・ Board recognition camera 5 ・ ・ ・ Conveying part BS ・ ・ ・ Bonding stage P ・ ・・ Board 8 ・ ・ ・ Control unit

Claims (16)

ダイがボンディングされた基板および前記ボンディングされたダイを撮像する撮像装置と、
前記撮像装置を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記撮像装置により第一撮像条件で基板を撮像して基板位置を認識し、
予め決められているダイのボンディング座標と前記認識した基板位置とに基づきダイのボンディングされるべき位置を予測し、
前記予測したボンディングされるべき位置にダイサイズを反映させたダイの形状範囲を予測し、
前記予測したダイの形状範囲に通常起こり得るボンディングばらつき分を拡張した領域を求め、
前記撮像装置の同一露光内において、前記ダイがボンディングされた基板における前記拡張した領域の外の領域を前記第一撮像条件にし、かつ、前記ダイがボンディングされた基板における前記拡張した領域を第二撮像条件にして撮像し、
前記撮像装置が前記第一撮像条件および前記第二撮像条件で撮像した結果に基づいて前記ボンディングされたダイと前記ダイがボンディングされた基板の相対位置の検査を行うよう構成されるダイボンディング装置。
An image pickup device that images the substrate to which the die is bonded and the bonded die, and
A control unit that controls the image pickup device and
With
The control unit
The substrate is imaged by the imaging device under the first imaging condition to recognize the substrate position, and the substrate position is recognized.
The position where the die should be bonded is predicted based on the predetermined die bonding coordinates and the recognized substrate position, and the die is bonded.
Predict the shape range of the die that reflects the die size at the predicted position to be bonded,
A region obtained by extending the bonding variation that can normally occur in the predicted die shape range was obtained.
In the same exposure of the image pickup apparatus, wherein the die is a region outside the region to the expansion of the substrate which is bonded to the first imaging condition, and the area was the expansion of the substrate in which the die is bonded second Take an image under the imaging conditions,
Die bonding apparatus configured to the imaging apparatus performs an inspection of the relative position of the substrate on which the die and the bonded die is bonded on the basis of the result of imaging by the first imaging condition and the second imaging condition.
請求項1において、
前記制御部は、前記認識した基板位置に基づいてダイを前記基板にボンディングするよう構成されるダイボンディング装置。
In claim 1,
The control unit is a die bonding device configured to bond a die to the substrate based on the recognized substrate position.
請求項2において、
前記制御部は、リファレンス用の基板に対して、照明値、露光時間、ゲインを調整して前記第一撮像条件とし、
前記リファレンス用の基板に実装されたリファレンス用のダイに対して、照明値、露光時間、ゲインを調整して前記第二撮像条件とし、
前記第二撮像条件の照明値および露光時間は、それぞれ前記第一撮像条件の照明値および露光時間に調整するダイボンディング装置。
In claim 2,
The control unit adjusts the illumination value, the exposure time, and the gain with respect to the reference substrate to set the first imaging condition.
The illumination value, exposure time, and gain were adjusted with respect to the reference die mounted on the reference substrate to obtain the second imaging condition.
A die bonding apparatus that adjusts the illumination value and exposure time of the second imaging condition to the illumination value and exposure time of the first imaging condition, respectively.
請求項3において、さらに、
前記ダイが貼り付けられたダイシングテープを保持するウェハリングを保持するウェハ供給部と、
前記ダイシングテープ上のダイを撮像するウェハ認識カメラと、
を備えるダイボンディング装置。
In claim 3, further
A wafer supply unit that holds a wafer ring that holds the dicing tape to which the die is attached, and a wafer supply unit.
A wafer recognition camera that captures the die on the dicing tape and
A die bonding device equipped with.
請求項4において、さらに、
前記基板または前記ダイを既にボンディングされているダイ上にボンディングするボンディングヘッドを備えるダイボンディング装置。
In claim 4, further
A die bonding apparatus including a bonding head for bonding the substrate or the die onto a die that has already been bonded.
請求項4において、さらに、
前記ダイをピックアップするピックアップヘッドと、
ピックアップされた前記ダイが載置される中間ステージと、
前記中間ステージに載置されたダイを前記基板または既に前記基板にボンディングされたダイ上にボンディングするボンディングヘッドと、
を備えるダイボンディング装置。
In claim 4, further
A pickup head that picks up the die and
The intermediate stage on which the picked-up die is placed and
A bonding head that bonds a die placed on the intermediate stage onto the substrate or a die that has already been bonded to the substrate.
A die bonding device equipped with.
a)ダイが貼付されたダイシングテープを保持するウェハリングホルダを準備する工程と、
(b)第一撮像装置を用いて前記ダイシングテープ上のダイの位置決めを行う工程と、
(c)基板を準備する工程と、
(d)第二撮像装置を用いて前記基板の位置決めを行う工程と、
(e)前記ダイを前記基板または既にボンディングされたダイの上にボンディングする工程と、
(f)前記第二撮像装置を用いて前記ボンディングされたダイと前記基板との相対位置を検査する工程と、
を備え、
前記(d)工程は前記第二撮像装置により第一撮像条件で前記基板を撮像して基板位置を認識し、
前記(f)工程は、
(f1)予め決められているダイのボンディング座標と前記認識した基板位置とに基づきダイのボンディングされるべき位置を予測する工程と、
(f2)前記予測したボンディングされるべき位置にダイサイズを反映させたダイの形状範囲を予測する工程と、
(f3)前記予測したダイの形状範囲に通常起こり得るボンディングばらつき分を拡張した領域を求める工程と、
(f4)前記第二撮像装置の同一露光内において、前記ダイがボンディングされた基板における前記拡張した領域の外の領域を前記第一撮像条件にし、かつ、前記ダイがボンディングされた基板における前記拡張した領域を第二撮像条件にして撮像する工程と、
(f5)前記第二撮像装置が前記第一撮像条件および前記第二撮像条件で撮像した結果に基づいて前記ボンディングされたダイと前記ダイがボンディングされた基板の相対位置の検査を行う工程と、
を備える半導体装置の製造方法
(A ) The process of preparing a wafer ring holder for holding the dicing tape to which the die is attached, and
(B) A step of positioning the die on the dicing tape using the first imaging device, and
(C) The process of preparing the substrate and
(D) A step of positioning the substrate using the second imaging device, and
(E) A step of bonding the die onto the substrate or a die that has already been bonded.
(F) A step of inspecting the relative position between the bonded die and the substrate using the second imaging device, and
With
In the step (d), the substrate is imaged by the second imaging apparatus under the first imaging condition to recognize the position of the substrate.
The step (f) is
(F1) A step of predicting a position to be bonded of a die based on a predetermined die bonding coordinate and the recognized substrate position.
(F2) A step of predicting the shape range of the die reflecting the die size at the predicted position to be bonded, and
(F3) A step of obtaining a region in which the bonding variation that can normally occur in the predicted die shape range is expanded, and a step of obtaining the region.
(F4) in the same exposure of the second imaging device, the outer region of the expanded regions in the substrate on which the die is bonded to the first imaging condition, and the expansion in the substrate on which the die is bonded The process of taking an image with the created area as the second imaging condition,
(F5) A step of inspecting the relative positions of the bonded die and the substrate to which the die is bonded based on the results of imaging under the first imaging condition and the second imaging condition by the second imaging device.
A method for manufacturing a semiconductor device .
請求項7の半導体装置の製造方法において、
前記()工程は前記(d)工程において認識した基板位置に基づいてダイを前記基板にボンディングする半導体装置の製造方法
In the method for manufacturing a semiconductor device according to claim 7,
The step (e ) is a method for manufacturing a semiconductor device that bonds a die to the substrate based on the substrate position recognized in the step (d) .
請求項8の半導体装置の製造方法において、さらに、
(g)リファレンス用の基板に対して、照明値、露光時間、ゲインを調整して前記第一撮像条件を得る工程と、
(h)前記リファレンス用の基板に実装されたリファレンス用のダイに対して、照明値、露光時間、ゲインを調整して前記第二撮像条件を得る工程と、
を備え、
前記(h)工程は、前記第二撮像条件の照明値および露光時間を、それぞれ前記第一撮像条件の照明値および露光時間に調整する半導体装置の製造方法
In the method for manufacturing a semiconductor device according to claim 8, further
(G) A step of adjusting the illumination value, the exposure time, and the gain with respect to the reference substrate to obtain the first imaging condition.
(H) A step of adjusting the illumination value, the exposure time, and the gain with respect to the reference die mounted on the reference substrate to obtain the second imaging condition.
With
The step (h) is a method for manufacturing a semiconductor device that adjusts the illumination value and the exposure time of the second imaging condition to the illumination value and the exposure time of the first imaging condition, respectively.
請求項9の半導体装置の製造方法において、さらに、
(i)前記ダイをピックアップする工程と、
(j)ピックアップされた前記ダイを中間ステージに載置する工程と、
を備える半導体装置の製造方法
In the method for manufacturing a semiconductor device according to claim 9, further
(I) The process of picking up the die and
(J) The step of placing the picked-up die on the intermediate stage and
A method for manufacturing a semiconductor device .
ダイが貼り付けられたダイシングテープを保持するウェハ供給部と、
前記ダイシングテープ上のダイを撮像するウェハ認識カメラと、
基板を撮像する基板認識カメラと、
前記ウェハ認識カメラおよび基板認識カメラを制御する制御部と、
前記ダイを前記基板にボンディングするボンディングヘッドと、
を備え、
前記制御部は、
前記ウェハ認識カメラにより前記ダイを撮像し前記ダイの位置決めを行い、
前記基板認識カメラにより前記基板を撮像し前記基板の位置決めを行い、
前記基板認識カメラにより前記基板にボンディングされたダイと前記基板とを撮像し前記ダイと前記基板との位置関係の検査を行う場合、
前記基板認識カメラにより第一撮像条件で基板を撮像して基板位置を認識し、
予め決められているダイのボンディング座標と前記認識した基板位置とに基づきダイのボンディングされるべき位置を予測し、
前記予測したボンディングされるべき位置にダイサイズを反映させたダイの形状範囲を予測し、
前記予測したダイの形状範囲に通常起こり得るボンディングばらつき分を拡張した領域を求め、
前記基板認識カメラの同一露光内において、前記ダイがボンディングされた基板における前記拡張した領域の外の領域を前記第一撮像条件にし、かつ、前記ダイがボンディングされた基板における前記拡張した領域を第二撮像条件にして撮像し、
前記基板認識カメラが前記第一撮像条件および前記第二撮像条件で撮像した結果に基づいて前記ボンディングされたダイと前記ダイがボンディングされた基板の相対位置の検査を行うよう構成されるダイボンディング装置。
A wafer supply unit that holds the dicing tape to which the die is attached, and
A wafer recognition camera that captures the die on the dicing tape and
A board recognition camera that captures the board and
A control unit that controls the wafer recognition camera and the substrate recognition camera,
A bonding head that bonds the die to the substrate,
With
The control unit
The die is imaged by the wafer recognition camera, the die is positioned, and the die is positioned.
The substrate is imaged by the substrate recognition camera, the substrate is positioned, and the substrate is positioned.
When the substrate recognition camera captures an image of the die bonded to the substrate and the substrate to inspect the positional relationship between the die and the substrate.
The board is imaged by the board recognition camera under the first imaging condition to recognize the position of the board.
The position where the die should be bonded is predicted based on the predetermined die bonding coordinates and the recognized substrate position, and the die is bonded.
Predict the shape range of the die that reflects the die size at the predicted position to be bonded,
A region obtained by extending the bonding variation that can normally occur in the predicted die shape range was obtained.
In the same exposure of the board recognition camera, the die is a region outside the region to the expansion of the substrate which is bonded to the first imaging condition, and the area was the expansion of the substrate in which the die is bonded a (2) Imaging under the imaging conditions,
Die bonding apparatus configured to inspect the relative position of the substrate on which the die and the bonded die is bonded on the basis of the result of imaging by the board recognition camera the first imaging condition and the second imaging condition ..
請求項11において、
前記制御部は、
前記認識した基板位置に基づいてダイを前記基板にボンディングするよう構成されるダイボンディング装置。
11.
The control unit
A die bonding apparatus configured to bond a die to the substrate based on the recognized substrate position.
請求項12において、
前記制御部は、リファレンス用の基板に対して、照明値、露光時間、ゲインを調整して前記第一撮像条件とし、
前記リファレンス用の基板に実装されたリファレンス用のダイに対して、照明値、露光時間、ゲインを調整して前記第二撮像条件とし、
前記第二撮像条件の照明値および露光時間は、それぞれ前記第一撮像条件の照明値および露光時間に調整するダイボンディング装置。
In claim 12,
The control unit adjusts the illumination value, the exposure time, and the gain with respect to the reference substrate to set the first imaging condition.
The illumination value, exposure time, and gain were adjusted with respect to the reference die mounted on the reference substrate to obtain the second imaging condition.
A die bonding apparatus that adjusts the illumination value and exposure time of the second imaging condition to the illumination value and exposure time of the first imaging condition, respectively.
a)ダイが貼付されたダイシングテープを保持するウェハリングホルダを準備する工程と、
(b)ウェハ認識カメラを用いて前記ダイの位置決めを行う工程と、
(c)基板を準備する工程と、
(d)基板認識カメラを用いて前記基板の位置決めを行う工程と、
(e)前記ダイをピックアップする工程と、
(f)前記ピックアップしたダイを前記基板または既にボンディングされたダイの上にボンディングする工程と、
(g)前記基板認識カメラを用いて前記ダイと前記基板との相対位置を検査する工程と、
を備え、
前記(f)工程は前記基板認識カメラにより第一撮像条件で前記基板を撮像して基板位置を認識し、
前記(g)工程は、
(g1)予め決められているダイのボンディング座標と前記認識した基板位置とに基づきダイのボンディングされるべき位置を予測する工程と、
(g2)前記予測したボンディングされるべき位置にダイサイズを反映させたダイの形状範囲を予測する工程と、
(g3)前記予測したダイの形状範囲に通常起こり得るボンディングばらつき分を拡張した領域を求める工程と、
(g4)前記基板認識カメラの同一露光内において、前記ダイがボンディングされた基板における前記拡張した領域の外の領域を前記第一撮像条件にし、かつ、前記ダイがボンディングされた基板における前記拡張した領域を第二撮像条件にして撮像する工程と、
(g5)前記基板認識カメラが前記第一撮像条件および前記第二撮像条件で撮像した結果に基づいて前記ボンディングされたダイと前記ダイがボンディングされた基板の相対位置の検査を行う工程と、
を備える半導体装置の製造方法
(A ) The process of preparing a wafer ring holder for holding the dicing tape to which the die is attached, and
(B) A step of positioning the die using a wafer recognition camera and
(C) The process of preparing the substrate and
(D) A step of positioning the board using a board recognition camera and
(E) The process of picking up the die and
(F) A step of bonding the picked-up die onto the substrate or a die that has already been bonded.
(G) A step of inspecting the relative position between the die and the substrate using the substrate recognition camera, and
With
In the step (f), the substrate is imaged by the substrate recognition camera under the first imaging condition to recognize the substrate position.
The step (g) is
(G1) A step of predicting a position to be bonded of a die based on a predetermined die bonding coordinate and the recognized substrate position.
(G2) The step of predicting the shape range of the die reflecting the die size at the predicted position to be bonded, and
(G3) A step of obtaining a region in which the bonding variation that can normally occur in the predicted die shape range is extended, and a step of obtaining the region.
(G4) in the same exposure of the board recognition camera, the outer region of the expanded regions in the substrate on which the die is bonded to the first imaging condition, and were the expansion of the substrate where the die is bonded The process of imaging with the region as the second imaging condition,
(G5) A step of inspecting the relative position of the bonded die and the substrate to which the die is bonded based on the results of imaging by the substrate recognition camera under the first imaging condition and the second imaging condition.
A method for manufacturing a semiconductor device .
請求項14の半導体装置の製造方法において、
前記()工程は前記(d)工程において認識した基板位置に基づいてダイを前記基板にボンディングする半導体装置の製造方法
In the method for manufacturing a semiconductor device according to claim 14,
The step (f ) is a method for manufacturing a semiconductor device for bonding a die to the substrate based on the substrate position recognized in the step (d) .
請求項15の半導体装置の製造方法において、さらに、
(h)リファレンス用の基板に対して、照明値、露光時間、ゲインを調整して前記第一撮像条件を得る工程と、
(i)前記リファレンス用の基板に実装されたリファレンス用のダイに対して、照明値、露光時間、ゲインを調整して前記第二撮像条件を得る工程と、
を備え、
前記(i)工程は、前記第二撮像条件の照明値および露光時間を、それぞれ前記第一撮像条件の照明値および露光時間に調整する半導体装置の製造方法
In the method for manufacturing a semiconductor device according to claim 15, further
(H) A step of adjusting the illumination value, the exposure time, and the gain with respect to the reference substrate to obtain the first imaging condition.
(I) A step of adjusting the illumination value, the exposure time, and the gain with respect to the reference die mounted on the reference substrate to obtain the second imaging condition.
With
The step (i) is a method for manufacturing a semiconductor device that adjusts the illumination value and the exposure time of the second imaging condition to the illumination value and the exposure time of the first imaging condition, respectively.
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