JP7370863B2 - ナノワイヤ構造及びそのような構造の製造方法 - Google Patents
ナノワイヤ構造及びそのような構造の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7370863B2 JP7370863B2 JP2019552287A JP2019552287A JP7370863B2 JP 7370863 B2 JP7370863 B2 JP 7370863B2 JP 2019552287 A JP2019552287 A JP 2019552287A JP 2019552287 A JP2019552287 A JP 2019552287A JP 7370863 B2 JP7370863 B2 JP 7370863B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nanowire
- layer
- receiving end
- forming
- nanowires
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/08—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/42—Transparent materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/16—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system containing nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/34—Materials of the light emitting region containing only elements of group IV of the periodic system
Description
平面を形成するように形成された前記受容端を有するナノワイヤデバイスを形成するステップと、
特に転写により、前記膜を受け入れるための前記受容端の前記平面において前記ナノワイヤ上に膜デバイスを直接配置するステップと、を含む方法。
第2の基板、特にシリコンウェハを準備するステップと、
前記第2の基板上に、犠牲層、特に金属犠牲層、具体的にはニッケル又は銅の犠牲層を堆積するステップと、
前記犠牲層上に、第1の材料の層、特に約30nmの厚さの層を堆積するステップと、
前記第1の材料の層上にレジスト層を堆積するステップと、
例えばFeCl3溶液を用いて前記犠牲層を化学的に侵食するステップと、を含む。
多数のナノワイヤ間の充填材料、又は、
ナノワイヤ上のバリア層、具体的にはナノワイヤの自由端部に載置されるバリア層。
Claims (19)
- 複数のナノワイヤ(1)の受容端(13)と接触する第1の材料、具体的には酸化インジウムスズの膜(3)を備える構造(100)を製造する方法であって、
平面を形成するように形成された前記受容端(13)を有するナノワイヤデバイス(10)を形成するステップと、
転写により、前記膜を受け入れるための前記受容端の前記平面において前記ナノワイヤ上に直接膜デバイス(3;34)を配置するステップと、を含む方法。 - 導電性の第2の材料の膜(4)を前記膜(3)上に堆積するステップを含むことを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記膜が透明であり導電性である、及び/又は、前記膜が電極を形成するためのものである、及び/又は、前記ナノワイヤが発光ダイオード構造であることを特徴とする請求項1又は2記載の方法。
- 前記膜デバイス(3,34)を製造するステップを含み、
前記製造するステップは、
第2の基板(31)を準備するステップと、
犠牲層(32)を前記第2の基板上に堆積するステップと、
第1の材料の層(3)を前記犠牲層上に堆積するステップと、
レジスト層(34)を前記第1の材料の層上に堆積するステップと、
前記犠牲層を化学的に侵食するステップと、を含むことを特徴とする請求項1乃至3いずれか1項記載の方法。 - 前記受容端において前記ナノワイヤ上に前記膜デバイスを配置するステップの後、前記構造が溶媒で洗浄されることを特徴とする請求項1乃至4いずれか1項記載の方法。
- 前記ナノワイヤデバイスを形成するステップは、
分子線エピタキシー、有機金属気相成長法又はエッチングにより実施されることを特徴とする請求項1乃至5いずれか1項記載の方法。 - 前記形成するステップは、
前記デバイスが第1の基板(2)を有し、前記ナノワイヤが前記第1の基板上に配置され、前記デバイスを形成するステップを含むことを特徴とする請求項1乃至6いずれか1項記載の方法。 - 前記形成するステップは、
前記受容端が平らな又は実質的に平らな不連続面を形成するように、前記受容端を形成するステップを含むことを特徴とする請求項1乃至7いずれか1項記載の方法。 - 前記形成するステップは、
前記受容端の表面の面積の合計と、前記受容端と接触するための膜の表面の連続面積との比が、80%より大きく、又は90%より大きく、又は95%より大きくなるように、前記デバイスを形成するステップを含むことを特徴とする請求項7記載の方法。 - 前記形成するステップは、
前記ナノワイヤが、前記受容端の方向にサイズが増加する若しくはラッパ状に広がる幾何学的形状を有するように、ナノワイヤを形成するステップを含み、
及び/又は、
前記形成するステップは、
前記ナノワイヤが、受容端を有するマイクロピラー若しくはナノピラーを形成し、前記受容端の表面の寸法が、前記受容端から離れた前記ナノワイヤの多角形底部の内接円の径の寸法よりも大きくなるように、ナノワイヤを形成するステップを含むことを特徴とする請求項7記載の方法。 - 前記形成するステップは、
ナノワイヤがそれぞれ本体(11;11’)及びヘッド(12;12’)を有し、前記ヘッドは受容端(13)を有し、前記受容端の表面が、ナノワイヤの前記本体の断面の面積より、20%大きい又は50%も大きい面積を有するように、ナノワイヤを形成するステップを含むことを特徴とする請求項7記載の方法。 - 前記形成するステップは、
前記ナノワイヤの前記本体を、n型GaNの層(111)、InGaNの層(112)及びブロッキング層(113)の積層体に形成するステップを含むことを特徴とする請求項11記載の方法。 - 前記形成するステップは、
前記ナノワイヤの前記ヘッドを、p型GaNの層(121)及びp++型GaNの層(122)の積層体に形成するステップを含むことを特徴とする請求項11記載の方法。 - 前記形成するステップは、
シリコン系材料から前記ナノワイヤを形成するステップを含むことを特徴とする請求項1乃至11いずれか1項記載の方法。 - 導電性の第2の材料の膜(4)を前記膜(3)上に堆積する前記ステップは、前記第1の材料と同じ第2の材料の層を堆積するステップを含むことを特徴とする請求項2記載の方法。
- 前記第2の基板(31)はシリコンウェハであり、
前記犠牲層(32)はニッケル又は銅の犠牲層であり、
前記第1の材料の層(3)は約30nmの厚さの層であり、
前記犠牲層を化学的に侵食する前記ステップにはFeCl3溶液が用いられる、
ことを特徴とする請求項4記載の方法。 - 前記構造は、前記膜デバイスのレジスト層を溶解するために溶媒で洗浄されることを特徴とする請求項5記載の方法。
- 前記ナノワイヤが前記第1の基板の表面(21)に垂直若しくは実質的に垂直に配置され、及び/又は、前記ナノワイヤがプリズム状若しくは実質的にプリズム状であるように、及び/又は、前記ナノワイヤが発光ダイオード構造を有することを特徴とする請求項7記載の方法。
- 前記受容端の前記表面が、前記受容端から少なくとも2μmの距離で前記受容端と平行に計測される前記ナノワイヤの断面の面積より、若しくは、前記ナノワイヤの中央において前記受容端と平行に計測される前記ナノワイヤの断面の面積より、20%大きい又は50%も大きい面積を有することを特徴とする請求項11記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR1752286 | 2017-03-20 | ||
FR1752286A FR3064109A1 (fr) | 2017-03-20 | 2017-03-20 | Structure a nanofils et procede de realisation d'une telle structure |
PCT/EP2018/056881 WO2018172281A1 (fr) | 2017-03-20 | 2018-03-19 | Structure a nanofils et procede de realisation d'une telle structure |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020515078A JP2020515078A (ja) | 2020-05-21 |
JP7370863B2 true JP7370863B2 (ja) | 2023-10-30 |
Family
ID=58707864
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019552287A Active JP7370863B2 (ja) | 2017-03-20 | 2018-03-19 | ナノワイヤ構造及びそのような構造の製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11189752B2 (ja) |
EP (1) | EP3602640A1 (ja) |
JP (1) | JP7370863B2 (ja) |
KR (1) | KR102582831B1 (ja) |
CN (1) | CN110582858B (ja) |
FR (1) | FR3064109A1 (ja) |
WO (1) | WO2018172281A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200063411A (ko) * | 2018-11-27 | 2020-06-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자, 이의 제조 방법 및 발광 소자를 구비한 표시 장치 |
CN113451108A (zh) * | 2020-03-24 | 2021-09-28 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种超柔性透明半导体薄膜及其制备方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002208483A (ja) | 2001-01-11 | 2002-07-26 | Sharp Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
WO2006025407A1 (ja) | 2004-08-31 | 2006-03-09 | Akihiko Kikuchi | 発光素子及びその製造方法 |
US20080210956A1 (en) | 2005-08-19 | 2008-09-04 | Seoul Opto Device, Ltd. | Light Emitting Diode Employing an Array of Nanorods and Method of Fabricating the Same |
JP2009009978A (ja) | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 化合物半導体素子およびそれを用いる照明装置ならびに化合物半導体素子の製造方法 |
JP2009152474A (ja) | 2007-12-21 | 2009-07-09 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 化合物半導体発光素子およびそれを用いる照明装置ならびに化合物半導体発光素子の製造方法 |
JP2015212213A (ja) | 2014-05-07 | 2015-11-26 | 国立大学法人 名古屋工業大学 | グラフェンシートとの一体化ZnOナノロッド、およびグラフェンシート上へのZnOナノロッドの製造方法 |
JP2016518708A (ja) | 2013-03-28 | 2016-06-23 | アレディア | アクティブナノワイヤとコンタクトナノワイヤとを含む発光装置および作製方法 |
CN105741979A (zh) | 2016-03-02 | 2016-07-06 | 武汉华星光电技术有限公司 | 柔性石墨烯导电薄膜的制备方法 |
JP2016225525A (ja) | 2015-06-02 | 2016-12-28 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100765722B1 (ko) * | 2005-05-27 | 2007-10-11 | 엘지전자 주식회사 | 나노 로드를 갖는 발광 소자 및 그의 제조 방법 |
WO2008079078A1 (en) * | 2006-12-22 | 2008-07-03 | Qunano Ab | Elevated led and method of producing such |
KR20100056478A (ko) * | 2007-08-21 | 2010-05-27 | 더 리전트 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 | 고성능 열전 속성을 갖는 나노구조체 |
KR101469979B1 (ko) | 2008-03-24 | 2014-12-05 | 엘지이노텍 주식회사 | 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자 및 이의 제조방법 |
US20110147786A1 (en) * | 2008-04-08 | 2011-06-23 | Song June O | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
FR2984599B1 (fr) * | 2011-12-20 | 2014-01-17 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'un micro- ou nano- fil semiconducteur, structure semiconductrice comportant un tel micro- ou nano- fil et procede de fabrication d'une structure semiconductrice |
FR2988904B1 (fr) | 2012-04-02 | 2015-01-16 | Commissariat Energie Atomique | Structure semiconductrice optoelectronique a nanofils et procede de fabrication d'une telle structure |
KR101338148B1 (ko) * | 2012-05-01 | 2014-01-06 | 주식회사 칩테크놀러지 | 반도체 발광 칩 및 그의 제조 방법 |
EP2665100A3 (en) * | 2012-05-14 | 2015-01-07 | National Tsing Hua University | Light-emitting diode display and method of producing the same |
CN102709410B (zh) * | 2012-06-04 | 2014-08-27 | 中国科学院半导体研究所 | 纳米柱发光二极管的制作方法 |
CN102881762A (zh) * | 2012-10-17 | 2013-01-16 | 长春理工大学 | MgZnO纳米线阵列紫外光电探测器 |
US9012883B2 (en) * | 2012-12-21 | 2015-04-21 | Sol Voltaics Ab | Recessed contact to semiconductor nanowires |
JP6147542B2 (ja) * | 2013-04-01 | 2017-06-14 | 株式会社東芝 | 透明導電フィルムおよび電気素子 |
CN103681962B (zh) * | 2013-11-21 | 2016-02-17 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 基于竖直排列半导体纳米线的光电探测器制备方法 |
CN103943754A (zh) * | 2014-03-06 | 2014-07-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种电致发光器件及其制备方法和显示装置 |
US10290767B2 (en) * | 2015-06-09 | 2019-05-14 | The Royal Institution For The Advancement Of Learning/Mcgill University | High efficiency visible and ultraviolet nanowire emitters |
EP3323152B1 (en) | 2015-07-13 | 2021-10-27 | Crayonano AS | Nanowires/nanopyramids shaped light emitting diodes and photodetectors |
US10665451B2 (en) * | 2015-10-20 | 2020-05-26 | King Abdullah University Of Science And Technology | Nanowires-based light emitters on thermally and electrically conductive substrates and of making same |
FR3044470B1 (fr) * | 2015-11-30 | 2018-03-23 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Dispositif optoelectronique comportant des structures semiconductrices tridimensionnelles en configuration axiale |
US10651343B2 (en) * | 2017-02-28 | 2020-05-12 | King Abdullah University Of Science And Technology | Integration of III-nitride nanowire on transparent conductive substrates for optoelectronic and electronic devices |
-
2017
- 2017-03-20 FR FR1752286A patent/FR3064109A1/fr active Pending
-
2018
- 2018-03-19 CN CN201880029732.XA patent/CN110582858B/zh active Active
- 2018-03-19 KR KR1020197030967A patent/KR102582831B1/ko active IP Right Grant
- 2018-03-19 WO PCT/EP2018/056881 patent/WO2018172281A1/fr unknown
- 2018-03-19 US US16/495,579 patent/US11189752B2/en active Active
- 2018-03-19 JP JP2019552287A patent/JP7370863B2/ja active Active
- 2018-03-19 EP EP18711346.9A patent/EP3602640A1/fr active Pending
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002208483A (ja) | 2001-01-11 | 2002-07-26 | Sharp Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
WO2006025407A1 (ja) | 2004-08-31 | 2006-03-09 | Akihiko Kikuchi | 発光素子及びその製造方法 |
US20080210956A1 (en) | 2005-08-19 | 2008-09-04 | Seoul Opto Device, Ltd. | Light Emitting Diode Employing an Array of Nanorods and Method of Fabricating the Same |
JP2009009978A (ja) | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 化合物半導体素子およびそれを用いる照明装置ならびに化合物半導体素子の製造方法 |
JP2009152474A (ja) | 2007-12-21 | 2009-07-09 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 化合物半導体発光素子およびそれを用いる照明装置ならびに化合物半導体発光素子の製造方法 |
JP2016518708A (ja) | 2013-03-28 | 2016-06-23 | アレディア | アクティブナノワイヤとコンタクトナノワイヤとを含む発光装置および作製方法 |
JP2015212213A (ja) | 2014-05-07 | 2015-11-26 | 国立大学法人 名古屋工業大学 | グラフェンシートとの一体化ZnOナノロッド、およびグラフェンシート上へのZnOナノロッドの製造方法 |
JP2016225525A (ja) | 2015-06-02 | 2016-12-28 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
CN105741979A (zh) | 2016-03-02 | 2016-07-06 | 武汉华星光电技术有限公司 | 柔性石墨烯导电薄膜的制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11189752B2 (en) | 2021-11-30 |
KR102582831B1 (ko) | 2023-09-25 |
FR3064109A1 (fr) | 2018-09-21 |
EP3602640A1 (fr) | 2020-02-05 |
CN110582858B (zh) | 2023-01-13 |
CN110582858A (zh) | 2019-12-17 |
JP2020515078A (ja) | 2020-05-21 |
KR20190131076A (ko) | 2019-11-25 |
WO2018172281A1 (fr) | 2018-09-27 |
US20200028027A1 (en) | 2020-01-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102181621B1 (ko) | 유체 어셈블리 중 비대칭 안정성을 제공하는 다이오드 | |
KR101681242B1 (ko) | 발광다이오드의 제조방법 및 이에 의해 제조된 발광다이오드 | |
US10985150B2 (en) | Display devices and methods for forming the same | |
JP7370863B2 (ja) | ナノワイヤ構造及びそのような構造の製造方法 | |
US20150228631A1 (en) | Process for forming ultra-micro leds | |
US20150263237A1 (en) | Nanowire led structure and method for manufacturing the same | |
JP2009231689A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
US20180076352A1 (en) | Substrate Features for Enhanced Fluidic Assembly of Electronic Devices | |
WO2013049008A2 (en) | Nanowire sized opto-electronic structure and method for manufacturing the same | |
US20110315957A1 (en) | Light emitting device | |
KR200472973Y1 (ko) | 발광 다이오드 기판 및 발광 다이오드 | |
TWI688115B (zh) | 轉移奈米結構材料堆疊體之方法及裝置 | |
GB2487917A (en) | Using a thin protective layer under a mask when etching a nano-rod LED | |
EP1837924B1 (en) | Semiconductor light emitting device using a post structure | |
JP2012507840A5 (ja) | ||
US20130313596A1 (en) | Light-emitting device having patterned interface and the manufacturing method thereof | |
WO2014150800A1 (en) | Two step transparent conductive film deposition method and gan nanowire devices made by the method | |
FR3004006A1 (fr) | Dispositif electroluminescent a nanofils actifs et nanofils de contact et procede de fabrication | |
JPH08505735A (ja) | 発光デバイス | |
CN104201264A (zh) | 一种具有高可靠性电极的红外发光二极管制作方法 | |
KR20130107143A (ko) | 나노 패턴이 형성된 정공 추출층을 포함한 플렉서블 유기태양전지 제조방법 및 이에 의해 제조된 플렉서블 유기태양전지 | |
US8900801B2 (en) | Method for producing a LED device | |
US11141890B2 (en) | Substrate including nano/micro structure, method for manufacturing the same, method for refining nano/micro structure, method for manufacturing nano/micro structure network, and manufacturing apparatus therefor | |
KR20210141822A (ko) | 파핑 현상을 방지하는 반도체 웨이퍼 이송용 미끄럼 방지 패드 및 이를 장착한 로봇암 블레이드 | |
WO2019127424A1 (zh) | 垂直结构led芯片及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210311 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220301 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20220519 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220901 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221018 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20230106 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230418 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230613 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230911 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231003 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231018 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7370863 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |