JP7359046B2 - 金属材、接続端子、および金属材の製造方法 - Google Patents
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Description
最初に本開示の実施形態を列記して説明する。
以下に、本開示の実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。本明細書において、各元素の含有量(濃度)は、特記しない限り、原子%等、原子数比を単位として示すものとする。また、単体金属には、不可避的不純物を含有する場合も含むものとする。さらに、ある金属を主成分とする合金とは、その金属元素が、組成中に50原子%以上含まれる合金を指すものとする。本明細書において、単に「断面」と称する場合には、金属材の表面に垂直な断面を指すものとし、表面に平行な断面を指す場合には、別途指定する。
まず、本開示の一実施形態にかかる金属材および接続端子について、簡単に説明する。
本開示の一実施形態にかかる金属材は、金属材料を積層した構造を有している。本開示の一実施形態にかかる金属材は、いかなる金属部材を構成するものであってもよいが、接続端子等、電気接続部材を構成する材料として、好適に利用することができる。
次に、本開示の一実施形態にかかる接続端子について説明する。本開示の一実施形態にかかる接続端子は、上記実施形態にかかる金属材1を用いて構成されており、少なくとも、相手方導電部材と電気的に接触する接点部の表面に、Ag-Sn被覆層14(および中間層12、Agストライク層13)を有する。
ここで、上記金属材1の製造方法について説明する。上記の金属材1においては、AgとSnをともに含むAg-Sn前駆層を形成した後、Snの融点(232℃)以上の温度で加熱を行うことで、Ag-Sn被覆層14を形成することができる。
次に、本実施形態にかかる金属材1におけるAg-Sn被覆層14の状態と、金属材1が有する特性について説明する。
最後に、Ag-Sn被覆層14を有する接続端子の特性として、図2,3に示すような、基板接続部20の表面にAg-Sn被覆層14が形成されたプレスフィット端子2について、スルーホールに対する挿抜時の特性について説明する。
清浄なCu基材の表面に、電解めっき法によって、厚さ3μmのNi中間層を形成した。さらにNi中間層の表面に、Agストライクめっきを施し、厚さ0.03μmのストライク層を形成した。さらに、Agストライク層の表面に、電解めっき法によって、AgとSnを共に含む厚さ0.35μmの金属層を形成した。この試料を、350℃で15秒間加熱して、Ag-Sn合金の形成を行い、Ag-Sn前駆層を形成した。この状態を試料1とした。なお、硬さ測定のために、Agストライク層を形成しない試料も、合わせて準備した。
(1)試験方法
上記で作製した試料1,2のそれぞれにかかる金属材に対して、SEM観察およびEBSD測定を行った。SEM観察は、金属材の表面に対して行った。EBSD測定は、金属材を表面に垂直な面で切断した試料、およびさらに金属材の表面に平行な面で切断した試料に対して行った。EBSD測定の結果から、結晶粒分布像に基づいて、結晶粒径の分布を評価するとともに、逆極点図(IPF)マップに基づいて、方位分布および塑性歪み分布に関する評価を行った。
(2-1)SEM観察
図4A,4Bに、試料1,2について、SEM像(二次電子像)を示す。図4Aは試料1、図4Bは試料2を示しており、それぞれ、上段に低倍率像(20,000×;スケールの目盛り合算が2.0μmに対応)、下段に高倍率像(50,000×;スケールの目盛り合算が1.0μmに対応)を示している。加速電圧は、いずれも5kVとしている。
次に、図5A,5Bに、試料1および試料2にかかる金属材ついて得られた、EBSDによるバンドコントラスト(BC)像を示す。図5Aは表面に垂直な断面を、図5Bは表面に平行な断面を示しており、それぞれ、上段に試料1を、下段に試料2を表示している。BC像は、結晶粒分布を示すものであり、図5Aのスケールバーが10μmに、図5Bのスケールバーが5μmに対応している。図5Cには、図5Bの表面に平行な断面における画像から得られた粒度分布を、棒グラフにて表示している。左側が試料1を、右側が試料2を表しており、横軸が粒径、縦軸が粒子個数を表示している。さらに、下の表1に、図5Bの画像から得られた粒度分布の代表値をまとめる。
図7に、試料1(左側)および試料2(右側)にかかる金属材について、硬さの測定結果を示す。それぞれ、Agストライク層を形成した場合(Agスト有)と、形成しない場合(Agスト無)について、測定された硬さ(単位:Hv)を、棒グラフにて表示している。エラーバーは、5つの試料におけるばらつきを示している。
以上のSEM観察およびEBSD解析、硬さ測定の結果によると、Ag-Sn被覆層において、リフロー加熱を経ることで、合金化が進行するとともに、結晶性が向上する。その結果として、Ag-Sn被覆層の化学的安定性が向上するとともに、結晶粒の微細化が起こる。結晶粒は、平均値で0.28μm未満まで小さくなる。Ag-Sn被覆層の硬さについては、リフロー加熱を経ることで、若干の低下が起こるが、180Hv以上の水準は維持する。
(1)試験方法
上記で作製した試料1,2のそれぞれにかかる金属材について、以下の2つの加速劣化条件を経た際に生じる変化を調べた。
・中温条件:大気中にて50℃で放置。
・高温高湿条件:温度85℃、湿度85%RHの空気中で放置。この条件での24時間の放置が、大気中にて室温で半年間放置した状態に対応する。480時間の放置ならば、大気中にて室温で10年間放置した状態に対応する。
(2-1)接続端子の表面の観察
図8A,8Bに、試料1にかかる接続端子と、試料2にかかる接続端子について、中温条件での155日間の放置を経た後に撮影した写真を示す。図8Aが試料1、図8Bが試料2の写真である。それらの写真は、プレスフィット端子において、基板接続部と端子接続部をつなぐ直線状の部位のうち、基板接続部に隣接する位置を、拡大して撮影したものである。各写真においては、硫化による黒変が分かりやすい領域を、長方形で囲んで表示している。
SEMによって、断面観察を行ったところ、観察像の掲載は省略するが、高温高湿条件で24時間を経た状態については、試料1,2とも、初期状態と比較して、Ag-Sn被覆層の断面構造に顕著な変化は見られなかった。EDXによる元素分析の結果にも、高温高湿条件で24時間を経ただけでは、大きな変化は見られなかった。
次に、深さ分析XPSを用いて、Ag-Sn被覆層における元素分布を評価した結果について検討する。まず、例として、初期状態について、図10A,10Bに、試料1,2に対して測定された、AgおよびSnのスペクトルを示す。図10Aは、AgMVVオージェ領域を示し、図10Bは、Sn3d光電子領域(3d5/2および3d3/2)を示しいている。図10A,10Bのそれぞれにおいて、試料1の測定結果を左側に、試料2の測定結果を右側に示している。各図において、異なる深さで測定されたスペクトルを、縦に並べて表示しており、最表面からの深さ位置を、右軸に表示している(単位:nm)。下側に表示されているのが最表面側、上側に表示されているのが層内部側の測定結果である。横軸は電子の結合エネルギーである。各図には、メタル状態(0価)および酸化物状態に対応する結合エネルギーを、実線にて表示している。
以上の表面黒化の観察、SEM観察、深さ分析XPSの測定結果によると、Ag-Sn被覆層においては、リフロー加熱を経ることで、その後に高温放置や長期間の放置を受けても、硫化および酸化の進行が抑制され、また、層表面におけるAg粒子の形成および層内の合金組成の変化も起こりにくくなる。この結果は、リフロー加熱によって、合金化の進行と結晶性の向上が起こることで、Ag-Sn被覆層の化学的安定性が向上していることによると解釈できる。
(1)試験方法
上記で作製した試料1,2にかかる接続端子を、中温条件および高温高湿条件に置き、スルーホールに対して挿抜する際の特性を、初期状態と比較した。試験に際しては、プレスフィット端子の基板接続部を、軸線方向に沿って、スルーホールに対して挿入する方向、および抜去する方向に変位させながら、ロードセルを用いて、接続端子に印加される荷重を計測した。測定は、試料を替えて10回行った(N=10)。
図12A,12Bに、それぞれ端子挿入時および抜去時の変位荷重曲線の例として、中温条件にて155日を経た後の試料2についての測定結果を示す。横軸に接続端子の変位量を、縦軸に印加荷重を表示している。まず、端子挿入時の変位荷重曲線においては、図12Aに示されるように、低変位量の領域で、変位量に対して荷重が徐々に増大した後、変位量に対して荷重があまり変化しない領域が続いている。この挙動において、荷重の最大値A1が、挿入力となる。次に、端子抜去時の変位荷重曲線においては、図12Bに示されるように、低変位量の領域に、急峻なピークが立ち上がった後、荷重が減少している。減少後、変位量に対して荷重がほぼ変化しない平坦域が見られる。この挙動において、ピークトップにおける荷重値A2が最大保持力となり、最初の立ち上がりピークの高さA3、つまりピークトップと平坦域の間の荷重の差が、凝着ピーク高さとなる。掲載は省略するが、試料1,2のいずれについても、また、初期状態、中温条件を経た状態、高温高湿条件を経た状態のいずれにおいても、端子挿抜時の変位荷重曲線は、荷重の増減に関して、同様の傾向を示し、挿入力、最大保持力、凝着ピーク高さをそれぞれ読み取れるものとなった。
11 基材
12 中間層
13 Agストライク層
14 Ag-Sn被覆層
15 Sn被覆層
2 プレスフィット端子
20 基板接続部
21 膨出片
22 接点部
25 端子接続部
3 基板用コネクタ
31 コネクタハウジング
Claims (16)
- 基材と、
前記基材の表面を被覆するAg-Sn被覆層と、
Snの層、または不可避的不純物とみなしうる量以上にはAgを含有しないSn合金の層として構成されたSn被覆層と、を有し、
前記Ag-Sn被覆層が形成された領域と、前記Sn被覆層が前記基材の表面を被覆している領域とが、前記基材の表面の異なる位置に形成されており、
前記Ag-Sn被覆層は、AgおよびSnを含有し、表面にAg-Sn合金を露出させており、
前記Ag-Sn被覆層の表面に平行な断面において、平均結晶粒径が、0.28μm未満であり、最大結晶粒径が、0.8μm以下である、金属材。 - 前記Ag-Sn被覆層の表面に平行な断面における結晶粒の方位について、最も大きな割合を占める方位からのずれ角度の頻度値が、前記ずれ角度の全域において、2.5%以下である、請求項1に記載の金属材。
- 前記Ag-Sn被覆層の表面の硬さは、180Hv以上、240Hv以下である、請求項1または請求項2のいずれか1項に記載の金属材。
- 温度85℃、湿度85%RHの環境に480時間放置した際に、前記Ag-Sn被覆層の表面から深さ20nmの位置における酸素の濃度が、20原子%以下となっている、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の金属材。
- 温度85℃、湿度85%RHの環境に480時間放置した際に、前記Ag-Sn被覆層の表面に、Ag粒子が形成されない、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の金属材。
- 前記基材は、CuまたはCu合金より構成され、
前記金属材はさらに、前記基材と前記Ag-Sn被覆層の間に、NiまたはNi合金より構成された中間層を有している、請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の金属材。 - 前記Ag-Sn被覆層が形成された領域と、
前記Sn被覆層が、前記基材の表面を被覆している領域とが、
前記基材の表面の異なる位置において、連続した共通の前記中間層の表面に形成されている、請求項6に記載の金属材。 - 前記金属材は、さらに、前記Ag-Sn被覆層と、前記中間層の間に、Agストライク層を有している、請求項6または請求項7に記載の金属材。
- 請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の金属材より構成され、
少なくとも、相手方導電部材と電気的に接触する接点部において、前記基材の表面に前記Ag-Sn被覆層が形成されている、接続端子。 - 前記接続端子は、長尺状に形成されており、
前記接続端子の長手方向の一端に、前記Ag-Sn被覆層を備えた第一の接点部を有し、
前記接続端子の長手方向の他端に、前記Sn被覆層を備えた第二の接点部を有する、請求項9に記載の接続端子。 - 前記接続端子は、プレスフィット端子として構成されており、
該プレスフィット端子がスルーホールに挿入された際に、スルーホールの内周面と接触する箇所に、前記Ag-Sn被覆層を有する、請求項9または請求項10に記載の接続端子。 - 前記接続端子を、内周面にSn層を有する前記スルーホールに挿入する際の挿入力について、50℃で155日間にわたって大気中に前記接続端子を放置した際の変化量が、初期状態の値に対して20%以下に抑えられている、請求項11に記載の接続端子。
- 前記接続端子を、内周面にSn層を有する前記スルーホールに挿入した状態から抜き去る際の最大保持力について、50℃で155日間にわたって大気中に前記接続端子を放置した際の変化量が、初期状態の値に対して20%以下に抑えられている、請求項11または請求項12に記載の接続端子。
- 前記接続端子を、内周面にSn層を有する前記スルーホールに挿入した状態から抜き去る際の凝着ピークの高さについて、50℃で155日間にわたって前記接続端子を大気中に放置した際の変化量が、初期状態の値に対して35%以下に抑えられている、請求項11から請求項13のいずれか1項に記載の接続端子。
- 基材の表面に、AgとSnを含む金属層を形成した後、
Snの融点以上の温度で加熱して、前記Ag-Sn被覆層を形成する工程を含み、請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の金属材を製造する、金属材の製造方法。 - 前記基材の表面の一部の領域である第一領域に、AgとSnを含む金属層を形成するとともに、
前記基材の表面の前記第一領域と異なる領域である第二領域に、Snの層、または不可避的不純物とみなしうる量以上にはAgを含有しないSn合金の層を形成した後に、
前記第一領域および第二領域をともにSnの融点以上の温度に加熱する、請求項15に記載の金属材の製造方法。
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