JP7346804B2 - 封止用樹脂組成物、再配置ウエハ、半導体パッケージ、及び半導体パッケージの製造方法 - Google Patents

封止用樹脂組成物、再配置ウエハ、半導体パッケージ、及び半導体パッケージの製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、封止用樹脂組成物、再配置ウエハ、半導体パッケージ、及び半導体パッケージの製造方法に関する。
近年、樹脂封止材を用いた半導体実装技術として、ウエハレベルパッケージ(Wafer Level Package、WLP)と呼ばれる手法が検討されている。この手法では、半導体チップと配線基板とを接続した状態でパッケージ化が行われるフリップチップ型の手法と異なり配線基板を必要としないため、パッケージの薄型化が可能となる。また、支持体上に複数の半導体チップを配置して一括して封止した後にパッケージごとに個片化するため、生産性に優れる実装技術として注目されている。
WLPでは比較的大面積の支持体の片面を封止材で封止するため、封止材と支持体との熱膨張率、弾性率、収縮率等の違いに起因する反りが生じやすい。封止後の支持体の反りを抑制する手段としては、充填材の充填量を増やすことが検討されている(例えば、特許文献1参照)。
特開2013-10940号公報
封止材(すなわち、封止用樹脂組成物の硬化物)中の充填材の量を増やすと封止材の熱膨張率が低下して支持体の熱膨張率との差が小さくなり、支持体の反りが抑制されるが、支持体が大面積化すると反りの抑制効果が充分得られない場合があった。
近年、従来の8インチサイズに代わって12インチサイズのウエハが採用されるなど、WLPにおける支持体の大面積化が進んでいる。従って、支持体が大面積であっても封止後の支持体の反りが抑制される封止用樹脂組成物、これを用いて得られる再配置ウエハ及び半導体パッケージ、並びに封止後の支持体の反りが抑制される半導体パッケージの製造方法の提供が待たれている。
また、可とう化剤としてエラストマ成分を添加した封止用樹脂組成物では、封止後の支持体における反りに対しては十分な低減効果が認められたものの、成形後の封止材表面(すなわち、封止用樹脂組成物の硬化物の表面)において、白化状の外観不良が発生する場合があることが分かった。
本発明は上記事情に鑑み、封止後の支持体の反りを抑制しつつ成形後の封止材表面における外観不良を抑制した封止用樹脂組成物、これを用いて得られる再配置ウエハ及び半導体パッケージ、並びに封止後の支持体の反りが抑制され、かつ成形後の封止材表面の外観が良好な半導体パッケージの製造方法の提供を課題とする。
<1>
硬化性樹脂成分と、エラストマ成分と、カップリング剤と、充填材と、を含み、
前記エラストマ成分の含有率が全体の1.0質量%~8.0質量%であり、
下記条件1及び下記条件2から選ばれる少なくとも一方を満たす封止用樹脂組成物。
条件1:前記エラストマ成分を150℃の環境中で1時間放置したときの加熱減量率が1.1質量%以下
条件2:前記カップリング剤の含有率が全体の0.75質量%以下
<2>
前記エラストマ成分がシロキサン結合を有する化合物を含む<1>に記載の封止用樹脂組成物。
<3>
前記シロキサン結合を有する化合物を150℃の環境中で1時間放置したときの加熱減量率が2.1質量%以下である<2>に記載の封止用樹脂組成物。
<4>
前記シロキサン結合を有する化合物が、下記式(1)で表される構造単位を有する化合物を含む<2>又は<3>に記載の封止用樹脂組成物。
式(1)においてR及びRはそれぞれ独立に炭素数1~10のアルキル基、炭素数6~10のアリール基、炭素数1~10のアルコキシ基、エポキシ基を有する1価の有機基、カルボキシ基を有する1価の有機基、及び炭素数3~500のポリアルキレンエーテル基からなる群から選ばれる。
<5>
前記シロキサン結合を有する化合物が、エポキシ基及びエーテル結合から選択される少なくとも一方を側鎖に有する化合物を含む<2>~<4>のいずれか1つに記載の封止用樹脂組成物。
<6>
前記エポキシ基及びエーテル結合から選択される少なくとも一方を側鎖に有する化合物を150℃の環境中で1時間放置したときの加熱減量率が5.5質量%以下である<5>に記載の封止用樹脂組成物。
<7>
前記封止用樹脂組成物から前記充填材を除いた残部を150℃の環境中で1時間放置したときの加熱減量率が3.50質量%以下である<1>~<6>のいずれか1つに記載の封止用樹脂組成物。
<8>
前記硬化性樹脂成分がエポキシ樹脂と硬化剤とを含む<1>~<7>のいずれか1つに記載の封止用樹脂組成物。
<9>
前記硬化剤がフェノール硬化剤を含む<8>に記載の封止用樹脂組成物。
<10>
ウエハレベルパッケージに用いられる<1>~<9>のいずれか1つに記載の封止用樹脂組成物。
<11>
FO-WLPに用いられる<1>~<10>のいずれか1つに記載の封止用樹脂組成物。
<12>
圧縮成形による封止に用いられる<1>~<11>のいずれか1つに記載の封止用樹脂組成物。
<13>
粉末状である<1>~<11>のいずれか1つに記載の封止用樹脂組成物。
<14>
支持体と、前記支持体上に配置された複数の半導体チップと、前記半導体チップを封止している<1>~<13>のいずれか1つに記載の封止用樹脂組成物の硬化物と、を有する再配置ウエハ。
<15>
支持体と、前記支持体上に配置された半導体チップと、前記半導体チップを封止している<1>~<13>のいずれか1つに記載の封止用樹脂組成物の硬化物と、を有する半導体パッケージ。
<16>
複数の半導体チップを支持体上に配置する工程と、前記半導体チップが配置された前記支持体上に<1>~<13>のいずれか1つに記載の封止用樹脂組成物を配置する工程と、前記支持体上に配置された封止用樹脂組成物を硬化して前記半導体チップを封止する工程と、前記半導体チップを個片化する工程と、を含む半導体パッケージの製造方法。
本発明によれば、封止後の支持体の反りを抑制しつつ成形後の封止材表面における外観不良を抑制した封止用樹脂組成物、これを用いて得られる再配置ウエハ及び半導体パッケージ、並びに封止後の支持体の反りが抑制され、かつ成形後の封止材表面の外観が良好な半導体パッケージの製造方法が提供される。
実施例3におけるシリコンウエハ付き封止材サンプルの表面の外観写真である。 比較例1におけるシリコンウエハ付き封止材サンプルの表面の外観写真である。
以下、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。但し、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。以下の実施形態において、その構成要素(要素ステップ等も含む)は、特に明示した場合を除き、必須ではない。数値及びその範囲についても同様であり、本発明を制限するものではない。
本開示において「工程」との語には、他の工程から独立した工程に加え、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の目的が達成されれば、当該工程も含まれる。
本開示において「~」を用いて示された数値範囲には、「~」の前後に記載される数値がそれぞれ最小値及び最大値として含まれる。
本開示中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本開示中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。
本開示において各成分は該当する物質を複数種含んでいてもよい。組成物中に各成分に該当する物質が複数種存在する場合、各成分の含有率又は含有量は、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の物質の合計の含有率又は含有量を意味する。
本開示において各成分に該当する粒子は複数種含んでいてもよい。組成物中に各成分に該当する粒子が複数種存在する場合、各成分の粒子径は、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の粒子の混合物についての値を意味する。
〔封止用樹脂組成物〕
本実施形態の封止用樹脂組成物は、硬化性樹脂成分と、エラストマ成分と、カップリング剤と、充填材と、を含み、前記エラストマ成分の含有率が全体(封止用樹脂組成物全体)の1.0質量%~8.0質量%であり、下記条件1及び下記条件2から選ばれる少なくとも一方を満たす。
条件1:前記エラストマ成分を150℃の環境中で1時間放置したときの加熱減量率が1.1質量%以下
条件2:前記カップリング剤の含有率が全体の0.75質量%以下
以下、150℃の環境中で1時間放置したときの加熱減量率を単に「加熱減量率」と称する場合がある。
上記「加熱減量率」は、対象物を150℃の環境中で1時間放置することで減少した質量の割合であり、加熱前における対象物の質量を基準としたときの値である。
具体的には、例えば、2gの対象物をガラスビーカー中に秤量し、150℃の熱風乾燥機に1時間放置した後の質量変化から、次式により算出する。
式:加熱減量率(%)={(加熱前の質量-放置後の質量)/加熱前の質量}×100
本発明者らの検討により、上記構成を有する封止用樹脂組成物は、封止後の支持体の反りが抑制され、かつ封止材成形後の表面外観に優れることがわかった。
支持体の反りが抑制される理由は必ずしも明らかではないが、エラストマ成分を特定量含むことにより、硬化物としたときの熱膨張率が低下して支持体の熱膨張率との差が小さくなることに加え、硬化物の弾性率が低下することが反りの低減をもたらしていると推測される。硬化物の弾性率が低下する理由としては、例えば、硬化性樹脂成分が形成する樹脂マトリックス中に相分離したエラストマ成分が島状に存在することが考えられる。
さらに、封止用樹脂組成物がエラストマ成分を含むことで、相対的に硬化性樹脂成分の割合が低下する。その結果、熱膨張係数の増大を抑えつつ低弾性化し、反りの抑制効果に優れる封止用樹脂組成物が得られると考えられる。
また、封止材成形後の表面外観に優れる理由は必ずしも明らかではないが、以下のように推測される。
前記条件1を満たす封止用樹脂組成物では、前記エラストマ成分における加熱減量率が1.1質量%以下である。そして、エラストマ成分の加熱減量率が1.1質量%以下であることは、エラストマ成分に含まれる成分のうち、150℃で揮発する揮発分(例えば溶媒)がエラストマ成分全体に対して1.1質量%以下であることを意味する。つまり、封止用樹脂組成物中に含まれる揮発分が少ないことで、封止用樹脂組成物が硬化する過程において表面に染み出す上記揮発分が少なくなるため、揮発分の表面染み出しによって生じる外観不良が抑制されると推測される。
また、前記条件2を満たす封止用樹脂組成物では、前記カップリング剤の含有率が全体の0.75質量%以下である。ここで、カップリング剤は、封止用樹脂組成物が硬化する過程において表面に染み出しやすい成分であると考えられる。そのため、カップリング剤の含有率を0.75質量%以下とすることで、カップリング剤の表面染み出しによって生じる外観不良が抑制されると推測される。
支持体の反りを効果的に抑制する観点からは、エラストマ成分の含有率は封止用樹脂組成物全体の1.5質量%以上であることが好ましく、1.7質量%以上であることがより好ましく、2.0質量%以上であることがさらに好ましい。
取り扱い性と封止後の強度の観点からは、エラストマ成分の含有率は封止用樹脂組成物全体の7.0質量%以下であることが好ましく、6.0質量%以下であることがより好ましく、5.0質量%以下であることがさらに好ましい。
成形後の封止材表面における外観不良を抑制する観点から、エラストマ成分の加熱減量率は、1.1質量%以下であることが好ましく、1.05質量%以下であることがより好ましく、1.0質量%以下であることがさらに好ましい。
また、支持体の反りを抑制しつつ成形後の封止材表面における外観不良を抑制する観点から、カップリング剤の含有率は、封止用樹脂組成物全体の0.25質量%~0.75質量%であることが好ましく、0.35質量%~0.65質量%であることがより好ましく、0.45質量%~0.55質量%であることがさらに好ましい。
なお、封止用樹脂組成物は、前記条件1及び前記条件2から選ばれる少なくとも一方を満たすものであればよく、前記条件1及び前記条件2の両方を満たすものが好ましい。
封止用樹脂組成物は、固体であっても液体であってもよい。封止用樹脂組成物が固体である場合の形状としては、粉末状、タブレット状等が挙げられる。取り扱い性の観点からは、封止用樹脂組成物は固体であることが好ましく、粉末状であることがより好ましい。
以下、封止用樹脂組成物の各成分について説明するが、本開示の封止用樹脂組成物はこれらに限定されるものではない。
<エラストマ成分>
エラストマ成分の種類は特に制限されない。エラストマ成分として具体的には、分子中にシロキサン結合(Si-O-Si)を有する化合物(以下、シロキサン化合物ともいう)、スチレン系エラストマ、アクリル樹脂ブロック共重合体、NBRゴム、ブタジエンゴム、コアシェル粒子等が挙げられる。エラストマ成分は、1種を単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。
応力緩和の観点からは、エラストマ成分はシロキサン化合物を含むことが好ましい。
取り扱い性の観点からは、エラストマ成分はスチレン系エラストマを含むことが好ましく、インデン-スチレン-クマロン共重合体を含むことがより好ましい。
また、エラストマ成分として、シロキサン化合物とスチレン系エラストマとを併用してもよい。シロキサン化合物とスチレン系エラストマとを併用する場合、エラストマ成分全体に対するシロキサン化合物の含有率としては、例えば20質量%~80質量%が挙げられ、30質量%~70質量%が好ましい。
本開示において、エラストマ成分が硬化性樹脂成分にも該当する化合物である場合(例えば、エラストマ成分がエポキシ基等の硬化反応を生じる官能基を有する場合)、当該化合物はエラストマ成分に分類する。
-シロキサン化合物-
シロキサン化合物の分子量は、特に制限されない。支持体の反りを抑制する観点からは、シロキサン化合物は数平均分子量が10000以上であることが好ましく、15000以上であることがより好ましい。数平均分子量の上限は特に制限されないが、取り扱い性の観点からは30000以下であることが好ましく、20000以下であることがより好ましい。
本開示において数平均分子量(Mn)は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法(GPC)に従って標準ポリスチレンによる検量線を用いて測定した値である。具体的には、例えば、GPCにポンプ(株式会社日立製作所製、L-6200型)、カラム(TSKgel-G5000HXL及びTSKgel-G2000HXL、いずれも東ソー株式会社製、商品名)、及び検出器(株式会社日立製作所製、L-3300RI型)を使用し、溶離液としてテトラヒドロフランを使用し、温度30℃、流量1.0ml/minの条件で測定した値である。
エラストマ成分がシロキサン化合物を含む場合、シロキサン化合物の加熱減量率は、封止材成形後の表面外観の観点において、2.1質量%以下であることが好ましく、1.95質量%以下であることがより好ましく、1.8質量%以下であることがさらに好ましい。
支持体の反りを抑制する観点からは、シロキサン化合物としては、下記式(1)で表される構造単位を有するシロキサン化合物が好ましい。
式(1)においてR及びRはそれぞれ独立に炭素数1~10のアルキル基、炭素数6~10のアリール基、炭素数1~10のアルコキシ基、エポキシ基を有する1価の有機基、カルボキシ基を有する1価の有機基、及び炭素数3~500のポリアルキレンエーテル基からなる群から選ばれる。
支持体の反りの抑制効果の観点からは、R及びRはそれぞれ独立に炭素数1~10のアルキル基又は炭素数6~10のアリール基であることが好ましく、メチル基又はフェニル基であることがより好ましく、メチル基であることがさらに好ましい。式(1)で表される構造単位が複数存在する場合、複数のR及び複数のRは同じであっても異なっていてもよい。
式(1)で表される構造単位を有するシロキサン化合物において、式(1)で表される構造単位の数は特に制限されない。例えば、1~200の間から選択することができ、5~150の間から選択されることがより好ましい。
エラストマ成分は、上記シロキサン化合物として、前記式(1)で表される構造単位とともに主鎖を形成する炭素数1~10のアルキレン基を有するシロキサン化合物を含むことが、支持体の反り抑制の観点から好ましい。
式(1)で表される構造単位を含むとともに主鎖を形成する炭素数1~10のアルキレン基を有するシロキサン化合物としては、例えば、式(1)で表される構造単位と、下記式(2)で表される構造単位と、を有するシロキサン化合物が挙げられる。
式(2)においてRは炭素数1~10のアルキレン基であり、炭素数1~5のアルキレン基であることが好ましい。式(2)で表される構造単位が複数存在する場合、複数のRは同じであっても異なっていてもよい。
式(1)で表される構造単位と式(2)で表される構造単位とを有するシロキサン化合物を含む封止用樹脂組成物は、支持体の反りを抑制する効果に加え、硬化物表面の白化等の外観不良を引き起こしにくい傾向にある。これは、式(1)で表される構造単位のみを有するシロキサン化合物に比べ、式(1)で表される構造単位と式(2)で表される構造単位とを有するシロキサン化合物は硬化性樹脂成分との相溶性により優れ、封止用樹脂組成物からのシロキサン化合物の染み出しがより抑制されるためと考えられる。
式(1)で表される構造単位と式(2)で表される構造単位を有するシロキサン化合物において、式(2)で表される構造単位の数は特に制限されない。例えば、2~400の間から選択することができ、3~300の間から選択されることがより好ましい。
式(1)で表される構造単位と式(2)で表される構造単位を有するシロキサン化合物において、式(1)で表される構造単位と式(2)で表される構造単位との質量比(式(1)/式(2))は、特に制限されない。
式(1)で表される構造単位と式(2)で表される構造単位を有するシロキサン化合物において、式(1)で表される構造単位と式(2)で表される構造単位の配置の状態は特に制限されず、ブロック状であってもランダムであってもよい。支持体の反りを抑制する効果の観点からはブロック状であることが好ましく、式(2)で表される構造単位からなるブロックと、式(1)で表される構造単位からなるブロックと、式(2)で表される構造単位からなるブロックとがこの順に配置されていることがより好ましい。
式(1)で表される構造単位と式(2)で表される構造単位を有するシロキサン化合物としては、下記式(3)で表される構造を有する化合物(以下、第1の特定シロキサン化合物とも称する)が挙げられる。
式(3)においてnは1~200の整数であり、m及びmはそれぞれ独立に1~200の整数であり、R及びRはそれぞれ独立に炭素数1~10のアルキル基、炭素数6~10のアリール基、炭素数1~10のアルコキシ基、エポキシ基を有する1価の有機基、カルボキシ基を有する1価の有機基、及び炭素数3~500のポリアルキレンエーテル基からなる群から選ばれ、Rはそれぞれ独立に炭素数1~10のアルキレン基であり、Rはそれぞれ独立に炭素数1~10の2価の炭化水素基である。
式(3)においてnは5~200の整数であることが好ましく、m及びmはそれぞれ独立に3~200の整数であることが好ましい。
~Rの好ましい例は、式(1)及び式(2)におけるR~Rの好ましい例と同様である。
はそれぞれ独立に炭素数1~10のアルキレン基であることが好ましい。
第1の特定シロキサン化合物は、公知の方法により作製することができる。例えば、式(1)で表される構造単位に相当するポリシロキサン化合物と、式(2)で表される構造単位に相当する化合物(例えば、ε-カプロラクトン等の環状エステル化合物又はその重合体)とを反応させることによって作製することができる。
上記の方法により第1の特定シロキサン化合物を作製する場合、各化合物の比率を適切に選択することで、所望の構造の第1の特定シロキサン化合物を得ることができる。
第1の特定シロキサン化合物は常温(25℃)で固体(粉末状)である。このため、固体状の封止用樹脂組成物を調製する場合には液状のシロキサン化合物に比べて配合量を多くできるという利点がある。
エラストマ成分は、上記シロキサン化合物として、エポキシ基及びエーテル結合から選択される少なくとも一方を側鎖に有する化合物(以下、「第2の特定シロキサン化合物」ともいう)を含むことが、支持体の反り抑制の観点から好ましい。
エラストマ成分が、前記第2の特定シロキサン化合物を含む場合、第2の特定シロキサン化合物における加熱減量率は、封止材成形後の表面外観の観点において、5.5質量%以下であることが好ましく、5.0質量%以下であることがより好ましく、4.5質量%以下であることがさらに好ましい。
第2の特定シロキサン化合物としては、例えば、式(1)においてR及びRで表される基の少なくとも1つがエポキシ基を有する1価の有機基及び炭素数3~500のポリアルキレンエーテル基からなる群より選択されるシロキサン化合物が挙げられる。
及びRで表されるエポキシ基を有する1価の有機基としては、例えば、エポキシ基を有する炭素数1~10のアルキル基が挙げられる。
及びRで表される炭素数3~500のポリアルキレンエーテル基としては、例えば、複数の炭素数1~10のアルキレン構造がエーテル結合で連結した構造を有する1価の基が挙げられる。炭素数3~500のポリアルキレンエーテル基の具体例としては、例えば、エチレンオキシド構造(EO構造)、プロピレンオキシド構造(PO構造)、及びこれらの組み合わせを含む1価の基が挙げられる。
第2の特定シロキサン化合物は、側鎖に、エポキシ基を有する1価の有機基及び炭素数3~500のポリアルキレンエーテル基の両方を有していてもよい。
エラストマ成分は、第1の特定シロキサン化合物及び第2の特定シロキサン化合物の両方を含んでもよい。エラストマ成分が第1の特定シロキサン化合物及び第2の特定シロキサン化合物の両方を含む場合、シロキサン化合物全体に対する第1の特定シロキサン化合物の含有率としては、例えば50質量%以上が好ましく、50質量%~90質量%がより好ましく、60質量%~80質量%がさらに好ましい。また、第1の特定シロキサン化合物及び第2の特定シロキサン化合物の合計含有率は、シロキサン化合物全体に対し、80質量%以上が好ましく、90質量%以上がより好ましく、95質量%以上がさらに好ましい。
封止用樹脂組成物は、シロキサン化合物として、第1の特定シロキサン化合物及び第2の特定シロキサン化合物と異なる他のシロキサン化合物を含んでもよい。
他のシロキサン化合物の種類は特に制限されず、例えば、式(1)で表される構造単位を有するシロキサン化合物から選択してもよい。
<硬化性樹脂成分>
封止用樹脂組成物に含まれる硬化性樹脂成分の種類は、特に制限されない。封止材としての諸特性のバランスの観点からは、エポキシ樹脂と硬化剤の組み合わせであることが好ましい。
-エポキシ樹脂-
エポキシ樹脂の種類は特に制限されず、封止用樹脂組成物の所望の特性等に応じて選択できる。エポキシ樹脂として具体的には、フェノール、クレゾール、キシレノール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールA、ビスフェノールF等のフェノール化合物及びα-ナフトール、β-ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール化合物からなる群より選ばれる少なくとも1種のフェノール性化合物と、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド等の脂肪族アルデヒド化合物と、を酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるノボラック樹脂をエポキシ化したものであるノボラック型エポキシ樹脂(フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等);上記フェノール性化合物と、ベンズアルデヒド、サリチルアルデヒド等の芳香族アルデヒド化合物と、を酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるトリフェニルメタン型フェノール樹脂をエポキシ化したものであるトリフェニルメタン型エポキシ樹脂;上記フェノール化合物及びナフトール化合物と、アルデヒド化合物と、を酸性触媒下で共縮合させて得られるノボラック樹脂をエポキシ化したものである共重合型エポキシ樹脂;ビスフェノールA、ビスフェノールF等のジグリシジルエーテルであるジフェニルメタン型エポキシ樹脂;アルキル置換又は非置換のビフェノールのジグリシジルエーテルであるビフェニル型エポキシ樹脂;スチルベン系フェノール化合物のジグリシジルエーテルであるスチルベン型エポキシ樹脂;ビスフェノールS等のジグリシジルエーテルである硫黄原子含有エポキシ樹脂;ブタンジオール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール等のアルコール類のグリシジルエーテルであるエポキシ樹脂;フタル酸、イソフタル酸、テトラヒドロフタル酸等の多価カルボン酸化合物のグリシジルエステルであるグリシジルエステル型エポキシ樹脂;アニリン、ジアミノジフェニルメタン、イソシアヌル酸等の窒素原子に結合した活性水素をグリシジル基で置換したものであるグリシジルアミン型エポキシ樹脂;ジシクロペンタジエンとフェノール化合物との共縮合樹脂をエポキシ化したものであるジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂;分子内のオレフィン結合をエポキシ化したものであるビニルシクロヘキセンジエポキシド、3,4-エポキシシクロヘキシルメチル-3,4-エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、2-(3,4-エポキシ)シクロヘキシル-5,5-スピロ(3,4-エポキシ)シクロヘキサン-m-ジオキサン等の脂環型エポキシ樹脂;パラキシリレン変性フェノール樹脂のグリシジルエーテルであるパラキシリレン変性エポキシ樹脂;メタキシリレン変性フェノール樹脂のグリシジルエーテルであるメタキシリレン変性エポキシ樹脂;テルペン変性フェノール樹脂のグリシジルエーテルであるテルペン変性エポキシ樹脂;ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂のグリシジルエーテルであるジシクロペンタジエン変性エポキシ樹脂;シクロペンタジエン変性フェノール樹脂のグリシジルエーテルであるシクロペンタジエン変性エポキシ樹脂;多環芳香環変性フェノール樹脂のグリシジルエーテルである多環芳香環変性エポキシ樹脂;ナフタレン環含有フェノール樹脂のグリシジルエーテルであるナフタレン型エポキシ樹脂;ハロゲン化フェノールノボラック型エポキシ樹脂;ハイドロキノン型エポキシ樹脂;トリメチロールプロパン型エポキシ樹脂;オレフィン結合を過酢酸等の過酸で酸化して得られる線状脂肪族エポキシ樹脂;フェノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂等のアラルキル型フェノール樹脂をエポキシ化したものであるアラルキル型エポキシ樹脂;などが挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、1種を単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。
エポキシ樹脂のエポキシ当量(分子量/エポキシ基数)は、特に制限されない。成形性、耐リフロー性及び電気的信頼等の各種特性バランスの観点からは、100g/eq~1000g/eqであることが好ましく、150g/eq~500g/eqであることがより好ましい。
エポキシ樹脂のエポキシ当量は、例えば、JIS K 7236:2009に準じた方法で測定される値であってもよい。
エポキシ樹脂の軟化点又は融点は特に制限されない。封止用樹脂組成物の調製の際の取扱い性の観点からは、50℃~130℃であることが好ましい。
なお、エポキシ樹脂の融点は、示差走査熱量測定(DSC)で測定される値とし、
エポキシ樹脂の軟化点は、JIS K 7234:1986に準じた方法(環球法)で測定される値とする。
-硬化剤-
硬化剤の種類は特に制限されず、封止用樹脂組成物の所望の特性等に応じて選択できる。併用する樹脂がエポキシ樹脂である場合の硬化剤としては、フェノール硬化剤、アミン硬化剤、酸無水物硬化剤、ポリメルカプタン硬化剤、ポリアミノアミド硬化剤、イソシアネート硬化剤、ブロックイソシアネート硬化剤等が挙げられる。耐熱性の観点からは、硬化剤は、フェノール性水酸基を分子中に有するもの(フェノール硬化剤)であることが好ましい。
フェノール硬化剤として具体的には、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールA、ビスフェノールF、置換又は非置換のビフェノール等の多価フェノール化合物;フェノール、クレゾール、キシレノール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールA、ビスフェノールF、フェニルフェノール、アミノフェノール等のフェノール化合物及びα-ナフトール、β-ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種のフェノール性化合物と、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド等の脂肪族アルデヒド化合物と、を酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるノボラック型フェノール樹脂;上記フェノール性化合物と、ジメトキシパラキシレン、ビス(メトキシメチル)ビフェニル等と、から合成されるフェノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂等のアラルキル型フェノール樹脂;パラキシリレン又はメタキシリレンの少なくとも一方で変性したフェノール樹脂;メラミン変性フェノール樹脂;テルペン変性フェノール樹脂;上記フェノール性化合物と、ジシクロペンタジエンと、から共重合により合成されるジシクロペンタジエン型フェノール樹脂及びジシクロペンタジエン型ナフトール樹脂;シクロペンタジエン変性フェノール樹脂;多環芳香環変性フェノール樹脂;ビフェニル型フェノール樹脂;上記フェノール性化合物と、ベンズアルデヒド、サリチルアルデヒド等の芳香族アルデヒド化合物と、を酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるトリフェニルメタン型フェノール樹脂;これら2種以上を共重合して得たフェノール樹脂などが挙げられる。これらのフェノール硬化剤は、1種を単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。
硬化剤の官能基当量(フェノール硬化剤の場合は水酸基当量)は、特に制限されない。成形性、耐リフロー性、電気的信頼性等の各種特性バランスの観点からは、70g/eq~1000g/eqであることが好ましく、80g/eq~500g/eqであることがより好ましい。
硬化剤の官能基当量(フェノール硬化剤の場合は水酸基当量)は、例えば、JIS K 0070:1992に準じた方法により測定される値であってもよい。
硬化剤の軟化点又は融点は、特に制限されない。成形性と耐リフロー性の観点からは、40℃~180℃であることが好ましく、樹脂組成物の製造時における取扱い性の観点からは、50℃~130℃であることがより好ましい。
硬化剤の融点は、示差走査熱量測定(DSC)で測定される値とし、硬化剤の軟化点は、JIS K 7234:1986に準じた方法(環球法)で測定される値とする。
樹脂と硬化剤との当量比、すなわち樹脂中の官能基数に対する硬化剤中の官能基数の比(硬化剤中の官能基数/樹脂中の官能基数)は、特に制限されない。それぞれの未反応分を少なく抑える関連からは、0.5~2.0の範囲に設定されることが好ましく、0.6~1.3の範囲に設定されることがより好ましい。成形性と耐リフロー性の観点からは、0.8~1.2の範囲に設定されることがさらに好ましい。
<充填材>
充填材の種類は、特に制限されない。具体的には、シリカ(球状シリカ、結晶シリカ等)、ガラス、アルミナ、炭酸カルシウム、ケイ酸ジルコニウム、ケイ酸カルシウム、窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ベリリア、ジルコニア、ジルコン、フォステライト、ステアタイト、スピネル、ムライト、チタニア、タルク、クレー、マイカ等の無機材料が挙げられる。難燃効果を有する充填材を用いてもよい。難燃効果を有する充填材としては、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、マグネシウムと亜鉛の複合水酸化物等の複合金属水酸化物、硼酸亜鉛などが挙げられる。
上記充填材の中でも、線膨張係数低減の観点からはシリカが好ましく、高熱伝導性の観点からはアルミナが好ましい。充填材は1種を単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。充填材の状態としては粉未、粉末を球形化したビーズ、繊維等が挙げられる。
封止用樹脂組成物に含まれる充填材の含有率は、特に制限されない。流動性及び強度の観点からは、封止用樹脂組成物全体の30体積%~90体積%であることが好ましく、35体積%~80体積%であることがより好ましく、40体積%~70体積%であることがさらに好ましい。充填材の含有率が封止用樹脂組成物全体の30体積%以上であると、硬化物の熱膨張係数、熱伝導率、弾性率等の特性がより向上する傾向にある。充填材の含有率が封止用樹脂組成物全体の90体積%以下であると、封止用樹脂組成物の粘度の上昇が抑制され、流動性がより向上して成形性がより良好になる傾向にある。
また、封止用樹脂組成物に含まれる充填材の含有率は、流動性及び強度の観点から、封止用樹脂組成物全体の84質量%~92質量%であることが好ましく、85質量%~91質量%であることがより好ましく、86質量%~90質量%であることがさらに好ましい。
充填材が粒子状である場合、その平均粒子径は、特に制限されない。例えば、体積平均粒子径が0.2μm~20μmであることが好ましく、0.5μm~15μmであることがより好ましい。体積平均粒子径が0.2μm以上であると、封止用樹脂組成物の粘度の上昇がより抑制される傾向がある。体積平均粒子径が20μm以下であると、狭い隙間への充填性がより向上する傾向にある。充填材の体積平均粒子径は、レーザー散乱回折法粒度分布測定装置により得られる体積基準の粒度分布において小径側からの体積の累積が50%となるときの粒子径(D50)として測定することができる。
<カップリング剤>
封止用樹脂組成物は、樹脂成分と充填材との接着性を高めるために、カップリング剤を含む。カップリング剤としては、エポキシシラン、メルカプトシラン、アミノシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン、ビニルシラン等のシラン化合物、チタン化合物、アルミニウムキレート化合物、アルミニウム/ジルコニウム化合物などのカップリング剤が挙げられる。カップリング剤は、1種を単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。
なお、カップリング剤の分子量としては、例えば、1000以下が挙げられ、100以上800以下が好ましく、100以上500以下がより好ましい。
カップリング剤は、これらの中でも取り扱い性の観点から、シラン化合物が好ましい。
シラン化合物としては、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3-グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、3-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、2-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、3-グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、3-アニリノプロピルトリメトキシシラン等のエポキシ基含有シラン化合物;ビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス(β-メトキシエトキシ)シラン、3-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルジメチルメトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルジメチルエトキシシラン、3-アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3-アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン等の不飽和結合を有するシラン化合物;γ-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ-メルカプトプロピルトリエトキシシラン、ビス(トリエトキシシリルプロピル)テトラスルフィド等のイオウ原子含有シラン化合物;γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、γ-アミノプロピルトリエトキシシラン、γ-[ビス(β-ヒドロキシエチル)]アミノプロピルトリエトキシシラン、N-β-(アミノエチル)-γ-アミノプロピルトリエトキシシラン、N-(トリメトキシシリルプロピル)エチレンジアミン等のアミノ基含有シラン化合物;イソシアネートプロピルトリメトキシシラン、イソシアネートプロピルトリエトキシシラン等のイソシアネート基含有シラン化合物;メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、ジフェニルシランジオール、トリフェニルメトキシシラン、トリフェニルエトキシシラン、トリフェニルシラノール、シクロヘキシルトリメトキシシラン、シクロヘキシルトリエトキシシラン、シクロヘキシルメチルジメトキシシラン、N-β-(N-ビニルベンジルアミノエチル)-γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、γ-クロロプロピルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシラン、2-トリエトキシシリル-N-(1,3-ジメチル-ブチリデン)プロピルアミン、3-トリエトキシシリル-N-(1,3-ジメチル-ブチリデン)プロピルアミン、N-(3-トリエトキシシリルプロピル)フェニルイミン、3-(3-(トリエトキシシリル)プロピルアミノ)-N,N-ジメチルプロピオンアミド、N-トリエトキシシリルプロピル-β-アラニンメチルエステル、3-(トリエトキシシリルプロピル)ジヒドロ-3,5-フランジオン、ビス(トリメトキシシリル)ベンゼン等のシラン系化合物;1H-イミダゾール、2-アルキルイミダゾール、2,4-ジアルキルイミダゾール、4-ビニルイミダゾール等のイミダゾール化合物とγ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリエトキシシラン等のγ-グリシドキシプロピルアルコキシシランの反応物であるイミダゾール系シラン化合物;などが挙げられる。これらの1種を単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。
封止用樹脂組成物が含むカップリング剤の含有率は、封止材成形後の表面外観の観点から、全体の0.75質量%以下であることが好ましく、0.5質量%以下であることがより好ましい。また、封止用樹脂組成物の混練性及び流動性の観点から、カップリング剤の含有率は、全体の0.4質量%以上であることが好ましい。
<硬化促進剤>
封止用樹脂組成物は、硬化促進剤を含んでもよい。硬化促進剤の種類は特に制限されず、硬化性樹脂成分の種類、封止用樹脂組成物の所望の特性等に応じて選択できる。
硬化促進剤としては、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]ノネン-5(DBN)、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン-7(DBU)等のジアザビシクロアルケン、2-メチルイミダゾール、2-フェニルイミダゾール、2-フェニル-4-メチルイミダゾール、2-ヘプタデシルイミダゾール等の環状アミジン化合物;前記環状アミジン化合物の誘導体;前記環状アミジン化合物又はその誘導体のフェノールノボラック塩;これらの化合物に無水マレイン酸、1,4-ベンゾキノン、2,5-トルキノン、1,4-ナフトキノン、2,3-ジメチルベンゾキノン、2,6-ジメチルベンゾキノン、2,3-ジメトキシ-5-メチル-1,4-ベンゾキノン、2,3-ジメトキシ-1,4-ベンゾキノン、フェニル-1,4-ベンゾキノン等のキノン化合物、ジアゾフェニルメタンなどの、π結合をもつ化合物を付加してなる分子内分極を有する化合物;DBUのテトラフェニルボレート塩、DBNのテトラフェニルボレート塩、2-エチル-4-メチルイミダゾールのテトラフェニルボレート塩、N-メチルモルホリンのテトラフェニルボレート塩等の環状アミジニウム化合物;ピリジン、トリエチルアミン、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス(ジメチルアミノメチル)フェノール等の三級アミン化合物;前記三級アミン化合物の誘導体;酢酸テトラ-n-ブチルアンモニウム、リン酸テトラ-n-ブチルアンモニウム、酢酸テトラエチルアンモニウム、安息香酸テトラ-n-ヘキシルアンモニウム、水酸化テトラプロピルアンモニウム等のアンモニウム塩化合物;トリフェニルホスフィン、ジフェニル(p-トリル)ホスフィン、トリス(アルキルフェニル)ホスフィン、トリス(アルコキシフェニル)ホスフィン、トリス(アルキル・アルコキシフェニル)ホスフィン、トリス(ジアルキルフェニル)ホスフィン、トリス(トリアルキルフェニル)ホスフィン、トリス(テトラアルキルフェニル)ホスフィン、トリス(ジアルコキシフェニル)ホスフィン、トリス(トリアルコキシフェニル)ホスフィン、トリス(テトラアルコキシフェニル)ホスフィン、トリアルキルホスフィン、ジアルキルアリールホスフィン、アルキルジアリールホスフィン等の三級ホスフィン;前記三級ホスフィンと有機ボロン類との錯体等のホスフィン化合物;前記三級ホスフィン又は前記ホスフィン化合物と無水マレイン酸、1,4-ベンゾキノン、2,5-トルキノン、1,4-ナフトキノン、2,3-ジメチルベンゾキノン、2,6-ジメチルベンゾキノン、2,3-ジメトキシ-5-メチル-1,4-ベンゾキノン、2,3-ジメトキシ-1,4-ベンゾキノン、フェニル-1,4-ベンゾキノン等のキノン化合物、ジアゾフェニルメタンなどの、π結合をもつ化合物を付加してなる分子内分極を有する化合物;前記三級ホスフィン又は前記ホスフィン化合物と4-ブロモフェノール、3-ブロモフェノール、2-ブロモフェノール、4-クロロフェノール、3-クロロフェノール、2-クロロフェノール、4-ヨウ化フェノール、3-ヨウ化フェノール、2-ヨウ化フェノール、4-ブロモ-2-メチルフェノール、4-ブロモ-3-メチルフェノール、4-ブロモ-2,6-ジメチルフェノール、4-ブロモ-3,5-ジメチルフェノール、4-ブロモ-2,6-ジ-t-ブチルフェノール、4-クロロ-1-ナフトール、1-ブロモ-2-ナフトール、6-ブロモ-2-ナフトール、4-ブロモ-4’-ヒドロキシビフェニル等のハロゲン化フェノール化合物を反応させた後に、脱ハロゲン化水素の工程を経て得られる、分子内分極を有する化合物;テトラフェニルホスホニウム等のテトラ置換ホスホニウム、テトラ-p-トリルボレート等のホウ素原子に結合したフェニル基がないテトラ置換ホスホニウム及びテトラ置換ボレート;テトラフェニルホスホニウムとフェノール化合物との塩などが挙げられる。
封止用樹脂組成物が硬化促進剤を含む場合、その量は硬化性樹脂成分100質量部に対して0.1質量部~30質量部であることが好ましく、1質量部~15質量部であることがより好ましい。
<各種添加剤>
封止用樹脂組成物は、上述の成分に加えて、以下に例示する離型剤、着色剤等の各種添加剤を含んでもよい。封止用樹脂組成物は、以下に例示する添加剤以外にも必要に応じて当技術分野で周知の各種添加剤を含んでもよい。
-離型剤-
封止用樹脂組成物は、成形時における金型との良好な離型性を得る観点から、離型剤を含んでもよい。離型剤は特に制限されず、従来公知のものを用いることができる。具体的には、カルナバワックス、モンタン酸、ステアリン酸等の高級脂肪酸、高級脂肪酸金属塩、モンタン酸エステル等のエステル系ワックス、酸化ポリエチレン、非酸化ポリエチレン等のポリオレフィン系ワックスなどが挙げられる。離型剤は、1種を単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。
封止用樹脂組成物が離型剤を含む場合、その量は硬化性樹脂成分とエラストマ成分の合計100質量部に対して0.01質量部~10質量部であることが好ましく、0.1質量部~5質量部であることがより好ましい。
-着色剤-
封止用樹脂組成物は、着色剤をさらに含んでもよい。着色剤としてはカーボンブラック、有機染料、有機顔料、酸化チタン、鉛丹、ベンガラ等の公知の着色剤を挙げることができる。着色剤の含有量は目的等に応じて適宜選択できる。着色剤は、1種を単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。
封止用樹脂組成物が着色剤を含む場合、その量は硬化性樹脂成分とエラストマ成分の合計100質量部に対して0.01質量部~10質量部であることが好ましく、0.1質量部~5質量部であることがより好ましい。
<封止用樹脂組成物の調製方法>
封止用樹脂組成物の調製方法は特に制限されず、各種成分を充分に分散混合できるのであれば、いかなる手法を用いてもよい。具体的には、例えば、上述した成分を撹拌等により混合し、予め70℃~140℃に加熱したニーダー、プラネタリミキサ、3本ロールミル、2軸押出機等で混練し、冷却し、粉砕することで得ることができる。
<封止用樹脂組成物の特性>
前記封止用樹脂組成物から前記充填材を除いた残部の加熱減量率は、成形後の封止材表面における外観不良を抑制する観点から、3.50質量%以下であることが好ましく、3.25質量%以下であることがより好ましく、3.10質量%以下であることがさらに好ましい。
ここで、上記「充填材を除いた残部」とは、封止用樹脂組成物から充填材のみを除去した残りすべての成分であり、前記「残部」は、少なくとも硬化性樹脂成分、エラストマ成分、及びカップリング剤を含む。
なお、封止用樹脂組成物から「充填材を除いた残部の加熱減量率」を求める方法として、以下の方法を用いてもよい。具体的には、まず、封止用樹脂組成物全体を150℃の環境中で1時間放置することで「減少した質量」を求める。その後、さらに700℃で3時間加熱することにより充填材以外の成分をすべて燃焼し除去することで、残った充填材の質量を求める。そして、前記「減少した質量」と、封止用樹脂組成物全体の質量から充填材の質量を引いて得られる「充填材を除いた残部」の質量と、から「充填材を除いた残部の加熱減量率」を求める。
封止用樹脂組成物は、残部の加熱減量率が3.5質量%以下であることにより、封止材成形後の表面外観に優れる。その理由は必ずしも明らかではないが、以下のように推測される。具体的には、残部に含まれる成分のうち、150℃で揮発する揮発分(例えば溶媒)が残部全体に対して3.5質量%以下であること、つまり、封止用樹脂組成物中に含まれる揮発分が少ないことで、封止用樹脂組成物が硬化する過程において表面に染み出す上記揮発分が少なくなるため、揮発分の表面染み出しによって生じる外観不良が抑制されると推測される。
なお、残部の加熱減量率を上記範囲とする手段としては、例えば、エラストマ成分における加熱減量率を1.1質量%以下とする方法、エラストマ成分の中でも、前記第2の特定シロキサン化合物における加熱減量率を5.5質量%以下とする方法、カップリング剤の含有率を封止用樹脂組成物全体の0.75質量%以下とする方法等が挙げられる。
<封止用樹脂組成物の用途>
封止用樹脂組成物は、種々の実装技術に用いることができる。本実施形態の封止用樹脂組成物は支持体の反りを抑制する効果に優れているため、比較的大面積を封止する(例えば、パッケージを個片化する前に封止工程を行う)実装技術にも好適に用いられる。このような実装技術としては、FO-WLP(Fan Out Wafer Level Package)、FI-WLP(Fan In Wafer Level Package)等のウエハレベルパッケージが挙げられる。
封止用樹脂組成物を用いて半導体チップを封止する方法としては、圧縮成形法、トランスファ成形法、インジェクション成形法等が挙げられ、これらのいずれも採用できる。
封止用樹脂組成物を用いて封止する際の支持体の材質は特に制限されない。例えば、シリコン等の半導体、ガラス、セラミックス等が挙げられる。支持体の形状は特に制限されず、円盤状(ウエハ)でもその他の形状であってもよい。支持体の面積は特に制限されないが、本実施形態の封止用樹脂組成物は支持体の反りを抑制する効果に優れているため、比較的大面積であってもよい。例えば、直径が12インチ以上のウエハであってもよい。
封止用樹脂組成物を用いて封止する際の封止厚は特に制限されず、封止する半導体チップの大きさ等に応じて選択できる。本実施形態の封止用樹脂組成物は支持体の反りを抑制する効果に優れているため、封止厚が大きい(例えば、200μm~1000μm)場合にも好適に用いることができる。
〔再配置ウエハ及び半導体パッケージ〕
本実施形態の再配置ウエハは、支持体と、前記支持体上に配置された複数の半導体チップと、前記半導体チップを封止している上述した封止用樹脂組成物の硬化物と、を有する。
本実施形態の半導体パッケージは、支持体と、前記支持体上に配置された半導体チップと、前記半導体チップを封止している上述した封止用樹脂組成物の硬化物と、を有する。半導体パッケージは、例えば、上述した再配置ウエハを個片化することにより得ることができる。
本実施形態の再配置ウエハは、支持体の反りが抑制されている。このため、支持体が比較的大面積であっても半導体パッケージの製造に好適に用いることができる。例えば、支持体が直径12インチ以上のウエハであってもよい。
半導体チップを封止している封止用樹脂組成物の硬化物の厚さは特に制限されず、封止する半導体チップの大きさ等に応じて選択できる。本実施形態の封止用樹脂組成物は支持体の反りを抑制する効果に優れているため、封止厚が大きい(例えば、200μm~1000μm)場合にも好適に用いられる。
再配置ウエハ及び半導体パッケージに用いる支持体及び半導体チップの種類は特に制限されず、一般に使用されるものから選択できる。
〔半導体パッケージの製造方法〕
半導体のパッケージの製造方法は、複数の半導体チップを支持体上に配置する工程と、前記半導体チップが配置された前記支持体上に上述した封止用樹脂組成物を配置する工程と、前記支持体上に配置された封止用樹脂組成物を硬化して前記半導体チップを封止する工程と、前記支持体を個片化する工程と、を含む。
本実施形態の半導体パッケージの製造方法では、封止用樹脂組成物を硬化して前記半導体チップを封止した後の支持体の反りが抑制されている。このため、封止後の工程における位置ずれ等の発生が少なく、製品の歩留まりが高い。
半導体チップが配置された支持体上に封止用樹脂組成物を配置する方法は、特に制限されない。例えば、封止用樹脂組成物が粉末状である場合は支持体上に封止用樹脂組成物を散布して行ってもよい。
支持体上に配置された封止用樹脂組成物を硬化して半導体チップを封止する方法は、特に制限されない。例えば、圧縮成形法により行うことが好ましい。圧縮成形は、例えば、圧縮成形機を用いて所定の圧力(例えば、2MPa~10MPa)、温度(例えば、120℃~150℃)及び時間(例えば、200秒~600秒)の条件下で行うことができる。
以下、上記実施形態を実施例により具体的に説明するが、上記実施形態の範囲はこれらの実施例に限定されるものではない。
〔封止用樹脂組成物の調製〕
表1に示す成分を表1に示す量(g)にて混合し、封止用樹脂組成物を調製した。具体的には、材料を混合後、装置内部温度が70℃~100℃に調整された2軸押出機により混練し、冷却後粉砕して封止用樹脂組成物を得た。
なお、各成分の詳細は下記のとおりである。
エポキシ樹脂1…多官能型エポキシ樹脂、商品名「EPPN-501HY」、日本化薬株式会社
硬化剤1…多官能型フェノール樹脂、商品名「MEH-7500-3S」、明和化成株式会社
硬化促進剤1…2-フェニル-4-メチル-5-ヒドロキシメチルイミダゾール、商品名「2P4MHZ-PW」、四国化成工業株式会社
エラストマ成分1…両末端カプロラクトン変性ジメチルシリコーン、商品名「DBL-C32」、Gelest社
エラストマ成分1は、式(3)においてRはメチル基、Rはメチル基、Rはペンチレン基、Rは非開示、nは63~78、m及びmはそれぞれ7~10である化合物である。
エラストマ成分2…側鎖をエポキシ基とポリエーテル基で変性したジメチルシリコーン、商品名「Y-19268」、150℃環境中1時間放置後の加熱減量率は5.8質量%、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ株式会社
エラストマ成分3…側鎖をエポキシ基とポリエーテル基で変性したジメチルシリコーン、商品名「Y-19305」、150℃環境中1時間放置後の加熱減量率は4.2質量%、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ株式会社
エラストマ成分4…インデン-スチレン-クマロン共重合体、商品名「NH-100S」、日塗化学株式会社
カップリング剤1…3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、商品名「KBM-403」、信越化学工業株式会社
カップリング剤2…3-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、商品名「KBM-503」、信越化学工業株式会社
カップリング剤3…ジフェニルジメトキシシラン、商品名「KBM-202SS」、信越化学工業株式会社
着色剤1…カーボンブラック、商品名「MA600-MJS」、三菱ケミカル株式会社
離型剤1…ヘキストワックス、商品名「HW-E」、クラリアントケミカルズ株式会社
充填材1…平均粒径11μmの球状溶融シリカ、商品名「ST7010-2」、マイクロン株式会社
充填材2…平均粒径0.6μmの球状溶融シリカ、商品名「SO-25R」、株式会社アドマテックス
実施例及び比較例において得られた封止用樹脂組成物において、封止用樹脂組成物全体に対する充填材の含有率(質量%)、エラストマ成分の含有率(質量%)、及びカップリング剤の含有率(質量%)を表1に示す。
また、実施例及び比較例において得られた封止用樹脂組成物において、封止用樹脂組成物から充填材を除いた残部の加熱減量率、エラストマ成分の加熱減量率、及びシロキサン化合物の加熱減量率を、それぞれ、「加熱減量率(充填材以外)」、「加熱減量率(エラストマ成分)」、及び「加熱減量率(シロキサン化合物)」として表1に示す。
〔硬化物の作製〕
調製した封止用樹脂組成物を用いて、下記のようにして硬化物を作製した。成形には上、中、下型からなる金型を用いた。下型の上に中型を置き、その上に中型を配置した。中型は10mm×60mm×5mmまたは3mm×3mm×15mmの大きさに切り抜いてある金型を用い、中型の体積に見合うだけの量の封止用樹脂組成物を配置して上型で挟み、自動油圧加熱プレスを用いて、175℃で120秒、5MPaの条件で成形した。得られた成形物を175℃で5時間硬化し、硬化物を得た。
<熱膨張係数の評価>
3mm×3mm×10mmの大きさの硬化物を日立ハイテクサイエンス社の「TMA/SS6100」を用いて測定した。0℃~260℃まで5℃/分の昇温速度で測定を行った。10℃~30℃間での熱膨張率(ppm/℃)をCTE1、200℃~220℃間での熱膨張率(ppm/℃)をCTE2とした。結果を表1に示す。
<弾性率の評価>
10mm×50mm×3mmの大きさの硬化物をエーアンドデイ社の「テンシロンRTG-1310」を用いて測定した。25℃でそれぞれ測定した弾性率(GPa)を室温弾性率として表1に示す。
〔反り量の評価〕
厚み750μm、直径300mmのシリコンウエハ上に、500μmの厚みになるように、圧縮成形機を用いて5MPa、130℃、10分の条件で封止用樹脂組成物を圧縮成形し、硬化させて圧縮成形サンプル(130℃成形)を作製した。作製した圧縮成形サンプル(130℃成形)を175℃で5時間硬化させ、シリコンウエハ付き封止材サンプル(130℃成形)を得た。得られたシリコンウエハ付き封止材サンプル(130℃成形)を、Akrometrix社製の3D加熱表面形状測定装置「AXP」を用いて30℃での反り量(μm)を評価した。反り量の最大値を表1に示す。
〔外観性(130℃成形)の評価〕
上記反り量の評価に用いたシリコンウエハ付き封止材サンプル(130℃成形)の表面を目視で観察し、外観性(130℃成形)の評価を行った。スジ及びムラの少なくとも一方が見られるもの並びに表面が白化しているものを不良とし、ムラなく均一な表面なものを良好と評価した。結果を表1に示す。
〔外観性(150℃成形)の評価〕
厚み750μm、直径300mmのシリコンウエハ上に、500μmの厚みになるように、圧縮成形機を用いて20MPa、150℃、5分の条件で封止用樹脂組成物を圧縮成形し、硬化させて圧縮成形サンプル(150℃成形)を作製した。作製した圧縮成形サンプル(150℃成形)を175℃で5時間硬化させ、シリコンウエハ付き封止材サンプル(150℃成形)を得た。得られたシリコンウエハ付き封止材サンプル(150℃成形)の表面を目視で観察し、外観性(150℃成形)の評価を行った。スジ及びムラの少なくとも一方が見られるもの並びに表面が白化しているものを不良とし、ムラなく均一な表面なものを良好と評価した。結果を表1に示す。
また、実施例3におけるシリコンウエハ付き封止材サンプル(150℃成形)の表面の外観写真(縦2.6cm×横3.0cm)を図1に示し、比較例1におけるシリコンウエハ付き封止材サンプル(150℃成形)の表面の外観写真(縦2.6cm×横3.0cm)を図2に示す。
表1に示すように、エラストマ成分を含み、その含有率が封止用樹脂組成物全体の1.0質量%~8.0質量%であり、かつ、前記条件1及び条件2から選ばれる少なくとも一方を満たす実施例1~実施例3の封止用樹脂組成物を用いて形成したサンプルは、前記条件1及び条件2の両方を満たさない比較例1の封止用樹脂組成物を用いて形成したサンプルと比較して、成形後表面の外観に優れていた。一方、基板の反り量については、実施例と比較例とで大きな違いはなく、いずれも封止後の支持体の反りが抑制されていた。

Claims (18)

  1. エポキシ樹脂と硬化剤とを含む硬化性樹脂成分と、シロキサン結合を有する化合物を含むエラストマ成分と、シラン化合物を含むカップリング剤と、シリカを含む充填材と、を含み
    前記シロキサン結合を有する化合物が、下記式(1)で表される構造単位と下記式(2)で表される構造単位とを有する第1のシロキサン化合物と、エポキシ基及びエーテル結合から選択される少なくとも一方を側鎖に有し前記第1のシロキサン化合物以外の化合物である第2のシロキサン化合物と、を含み、
    前記エラストマ成分の含有率が全体の1.5質量%~8.0質量%であり、
    下記条件1及び下記条件2から選ばれる少なくとも一方を満たし、
    固体である封止用樹脂組成物。
    条件1:前記エラストマ成分を150℃の環境中で1時間放置したときの、加熱前における前記エラストマ成分の質量を基準とした加熱減量率が1.1質量%以下
    条件2:前記カップリング剤の含有率が全体の0.75質量%以下

    [式(1)においてR 及びR はそれぞれ独立に炭素数1~10のアルキル基、炭素数6~10のアリール基、炭素数1~10のアルコキシ基、エポキシ基を有する1価の有機基、カルボキシ基を有する1価の有機基、及び炭素数3~500のポリアルキレンエーテル基からなる群から選ばれる。]

    [式(2)においてR は炭素数1~10のアルキレン基である。]
  2. 前記シロキサン結合を有する化合物を150℃の環境中で1時間放置したときの加熱減量率が2.1質量%以下である請求項1に記載の封止用樹脂組成物。
  3. 前記第1のシロキサン化合物の含有率は、前記シロキサン結合を有する化合物全体に対し、50質量%~90質量%である、請求項1又は請求項2に記載の封止用樹脂組成物。
  4. 前記第2のシロキサン化合物を150℃の環境中で1時間放置したときの加熱減量率が5.5質量%以下である請求項1~請求項3のいずれか1項に記載の封止用樹脂組成物。
  5. 前記エラストマ成分がスチレン系エラストマをさらに含む、請求項1~請求項4のいずれか1項に記載の封止用樹脂組成物。
  6. 前記スチレン系エラストマは、インデン-スチレン-クマロン共重合体を含む、請求項5に記載の封止用樹脂組成物。
  7. 前記エラストマ成分全体に対する前記シロキサン結合を有する化合物の含有率は、20質量%~80質量%である、請求項1~請求項のいずれか1項に記載の封止用樹脂組成物。
  8. 前記封止用樹脂組成物から前記充填材を除いた残部を150℃の環境中で1時間放置したときの加熱減量率が3.50質量%以下である請求項1~請求項7のいずれか1項に記載の封止用樹脂組成物。
  9. 前記カップリング剤の含有率は、前記封止用樹脂組成物全体に対し、0.4質量%以上である、請求項1~請求項のいずれか1項に記載の封止用樹脂組成物。
  10. 前記硬化剤がフェノール硬化剤を含む請求項1~請求項のいずれか1項に記載の封止用樹脂組成物。
  11. 前記充填材の含有率は、前記封止用樹脂組成物全体に対し、84質量%~92質量%である、請求項1~請求項10のいずれか1項に記載の封止用樹脂組成物。
  12. ウエハレベルパッケージに用いられる請求項1~請求項11のいずれか1項に記載の封止用樹脂組成物。
  13. FO-WLPに用いられる請求項1~請求項12のいずれか1項に記載の封止用樹脂組成物。
  14. 圧縮成形による封止に用いられる請求項1~請求項13のいずれか1項に記載の封止用樹脂組成物。
  15. 粉末状である請求項1~請求項14のいずれか1項に記載の封止用樹脂組成物。
  16. 支持体と、前記支持体上に配置された複数の半導体チップと、前記半導体チップを封止している請求項1~請求項15のいずれか1項に記載の封止用樹脂組成物の硬化物と、を有する再配置ウエハ。
  17. 支持体と、前記支持体上に配置された半導体チップと、前記半導体チップを封止している請求項1~請求項15のいずれか1項に記載の封止用樹脂組成物の硬化物と、を有する半導体パッケージ。
  18. 複数の半導体チップを支持体上に配置する工程と、前記半導体チップが配置された前記支持体上に請求項1~請求項15のいずれか1項に記載の封止用樹脂組成物を配置する工程と、前記支持体上に配置された封止用樹脂組成物を硬化して前記半導体チップを封止する工程と、前記半導体チップを個片化する工程と、を含む半導体パッケージの製造方法。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023079751A1 (ja) * 2021-11-08 2023-05-11 株式会社レゾナック 半導体チップ積層体、電子部品装置及び半導体チップ積層体の製造方法
WO2023149521A1 (ja) * 2022-02-03 2023-08-10 味の素株式会社 樹脂組成物、硬化物、シート状積層材料、樹脂シート、プリント配線板、及び半導体装置

Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002080696A (ja) 2000-06-28 2002-03-19 Hitachi Chem Co Ltd 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JP2003026769A (ja) 2001-05-09 2003-01-29 Hitachi Chem Co Ltd 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JP2004115583A (ja) 2002-09-24 2004-04-15 Hitachi Chem Co Ltd 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JP2004307647A (ja) 2003-04-07 2004-11-04 Hitachi Chem Co Ltd 封止用エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置
JP2009097013A (ja) 2007-09-27 2009-05-07 Hitachi Chem Co Ltd 封止用液状樹脂組成物、電子部品装置及びウエハーレベルチップサイズパッケージ
JP2009097014A (ja) 2007-09-27 2009-05-07 Hitachi Chem Co Ltd 封止用液状樹脂組成物、電子部品装置及びウエハーレベルチップサイズパッケージ
JP2009256436A (ja) 2008-04-15 2009-11-05 Hitachi Chem Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置
JP2010024265A (ja) 2008-07-15 2010-02-04 Hitachi Chem Co Ltd エポキシ樹脂組成物及びこれを用いた電子部品装置
JP2011168634A (ja) 2010-02-16 2011-09-01 Shin-Etsu Chemical Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2011195742A (ja) 2010-03-23 2011-10-06 Sumitomo Bakelite Co Ltd 液状樹脂組成物、半導体パッケージ、および半導体パッケージの製造方法
JP2012255130A (ja) 2011-05-19 2012-12-27 Hitachi Chemical Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置
JP2013007022A (ja) 2011-05-25 2013-01-10 Hitachi Chemical Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置
JP2013237780A (ja) 2012-05-15 2013-11-28 Hitachi Chemical Co Ltd フェノール化合物、その製造方法、樹脂組成物及び電子部品装置
JP2014129485A (ja) 2012-12-28 2014-07-10 Hitachi Chemical Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置
JP2015151457A (ja) 2014-02-14 2015-08-24 住友ベークライト株式会社 液状エポキシ樹脂組成物及び液状エポキシ樹脂成形材料
JP2016040383A (ja) 2015-12-07 2016-03-24 日立化成株式会社 電子部品封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた電子部品装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61168619A (ja) * 1985-01-21 1986-07-30 Nippon Zeon Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法

Patent Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002080696A (ja) 2000-06-28 2002-03-19 Hitachi Chem Co Ltd 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JP2003026769A (ja) 2001-05-09 2003-01-29 Hitachi Chem Co Ltd 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JP2004115583A (ja) 2002-09-24 2004-04-15 Hitachi Chem Co Ltd 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JP2004307647A (ja) 2003-04-07 2004-11-04 Hitachi Chem Co Ltd 封止用エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置
JP2009097013A (ja) 2007-09-27 2009-05-07 Hitachi Chem Co Ltd 封止用液状樹脂組成物、電子部品装置及びウエハーレベルチップサイズパッケージ
JP2009097014A (ja) 2007-09-27 2009-05-07 Hitachi Chem Co Ltd 封止用液状樹脂組成物、電子部品装置及びウエハーレベルチップサイズパッケージ
JP2009256436A (ja) 2008-04-15 2009-11-05 Hitachi Chem Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置
JP2010024265A (ja) 2008-07-15 2010-02-04 Hitachi Chem Co Ltd エポキシ樹脂組成物及びこれを用いた電子部品装置
JP2011168634A (ja) 2010-02-16 2011-09-01 Shin-Etsu Chemical Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2011195742A (ja) 2010-03-23 2011-10-06 Sumitomo Bakelite Co Ltd 液状樹脂組成物、半導体パッケージ、および半導体パッケージの製造方法
JP2012255130A (ja) 2011-05-19 2012-12-27 Hitachi Chemical Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置
JP2013007022A (ja) 2011-05-25 2013-01-10 Hitachi Chemical Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置
JP2013237780A (ja) 2012-05-15 2013-11-28 Hitachi Chemical Co Ltd フェノール化合物、その製造方法、樹脂組成物及び電子部品装置
JP2014129485A (ja) 2012-12-28 2014-07-10 Hitachi Chemical Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置
JP2015151457A (ja) 2014-02-14 2015-08-24 住友ベークライト株式会社 液状エポキシ樹脂組成物及び液状エポキシ樹脂成形材料
JP2016040383A (ja) 2015-12-07 2016-03-24 日立化成株式会社 電子部品封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた電子部品装置

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