JP7343278B2 - 受発光装置の制御回路、位置検出装置、撮像装置 - Google Patents

受発光装置の制御回路、位置検出装置、撮像装置 Download PDF

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Description

本開示は、受発光装置およびその制御に関する。
たとえば、電子機器等に接近する物体を検出するために、フォトリフレクタと称される受発光装置が用いられている。特許文献１には、従来の受発光装置の一例が開示されている。同文献に開示された受発光装置は、基板と、当該基板に搭載された発光素子および受光素子と、これらの発光素子および受光素子を覆う封止樹脂とを備える。封止樹脂は、発光素子からの光を透過する。発光素子からの光が物体によって反射されると、この反射光を受光素子が受光する。これにより、物体の接近を検出することができる。
特開２０１０－４５１０８号公報
本発明は係る状況においてされたものであり、そのある態様の例示的な目的のひとつは、受発光装置における駆動電流の減少あるいはＳ／Ｎ比の改善にある。また別の態様の例示的な目的のひとつは、より高精度な検出機能を果たすことが可能な受発光装置を提供にある。
本発明のある態様は、発光素子、第１受光素子および第２受光素子を含む受発光装置の制御回路に関する。制御回路は、所定の基準周波数の成分を含む基準信号を生成する基準信号発生器と、第１受光素子の出力に応じたフィードバック信号と基準信号が一致するように、発光素子に駆動信号を供給する駆動回路と、第２受光素子の出力を、基準周波数の成分を用いて相関検波する検波回路と、を備える。
本発明の別の態様は、受発光装置に関する。受発光装置は、基材と、前記基材に形成された導電部と、前記基材に搭載され且つ光を発する第１素子と、前記基材に搭載され且つ前記第１素子から発せられた光を受光する第２素子と、前記第１素子および前記第２素子を覆い且つ前記第１素子から発せられた光を透過する封止樹脂と、を備えており、前記第１素子および前記第２素子は、前記基材の厚さ方向と直角である第１方向において互いに離間して配置されており、前記第１方向において前記第１素子を挟んで前記第２素子とは反対側に配置され且つ前記第１素子からの光を受光する第３素子と、前記封止樹脂のうち前記厚さ方向視において前記第３素子に重なる被覆部に形成され且つ前記封止樹脂よりも光の透過率が低い材質からなる遮光層と、を備える。
本発明のある態様によれば、駆動電流を低減でき、あるいはＳ／Ｎ比を改善できる。また本発明のある態様によれば、より高精度な検出機能を果たすことが可能である。
本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
本開示の第１実施形態に係る受発光装置を示す要部平面図である。 本開示の第１実施形態に係る受発光装置を示す正面図である。 本開示の第１実施形態に係る受発光装置を示す背面図である。 本開示の第１実施形態に係る受発光装置を示す底面図および回路図である。 図１のＶ－Ｖ線に沿う断面図である。 図１のＶＩ－ＶＩ線に沿う断面図である。 図１のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う断面図である。 図１のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。 図１のＩＸ－ＩＸ線に沿う断面図である。 本開示の第１実施形態に係る受発光装置を示す要部拡大断面図である。 本開示の第１実施形態に係る受発光装置を示す要部拡大断面図である。 本開示の第１実施形態に係る受発光装置を示す要部拡大背面図である。 本開示の第１実施形態に係る受発光装置の第１素子を示す拡大断面斜視図である。 本開示の第１実施形態に係る受発光装置の製造方法の一例を示す要部拡大断面図である。 本開示の第１実施形態に係る受発光装置の製造方法の一例を示す要部拡大断面図である。 本開示の第１実施形態に係る受発光装置の第１変形例を示す要部拡大断面図である。 本開示の第１実施形態に係る受発光装置の第２変形例を示す要部拡大断面図である。 本開示の第１実施形態に係る受発光装置の第３変形例を示す要部拡大断面図である。 本開示の第１実施形態に係る受発光装置の第４変形例を示す要部拡大断面図である。 本開示の第１実施形態に係る受発光装置の第５変形例を示す要部拡大断面図である。 本開示の第１実施形態に係る受発光装置の第６変形例を示す要部拡大断面図である。 本開示の第１実施形態に係る受発光装置の第７変形例を示す要部拡大断面図である。 本開示の第１実施形態に係る受発光装置の第８変形例を示す要部平面図である。 本開示の第１実施形態に係る受発光装置の第９変形例を示す要部平面図である。 本開示の第１実施形態に係る受発光装置の第１０変形例を示す要部平面図である。 本開示の第１実施形態に係る受発光装置の第１０変形例の第１素子を示す拡大断面斜視図である。 本開示の第１実施形態に係る受発光装置の第１０変形例の第１素子を示す要部拡大断面図である。 本開示の第２実施形態に係る受発光装置を示す要部平面図である。 本開示の第２実施形態に係る受発光装置を示す底面図である。 図２８のＸＸＸ－ＸＸＸ線に沿う断面図である。 図２８のＸＸＸＩ－ＸＸＸＩ線に沿う断面図である。 本開示の第３実施形態に係る受発光装置を示す要部平面図である。 本開示の第３実施形態に係る受発光装置を示す底面図である。 図３２のＸＸＸＩＶ－ＸＸＸＩＶ線に沿う断面図である。 図３２のＸＸＸＶ－ＸＸＸＶ線に沿う断面図である。 図３２のＸＸＸＶＩ－ＸＸＸＶＩ線に沿う断面図である。 図３２のＸＸＸＶＩＩ－ＸＸＸＶＩＩ線に沿う断面図である。 本開示の第４実施形態に係る受発光装置を示す要部平面図である。 本開示の第４実施形態に係る受発光装置の第１変形例を示す要部平面図である。 本開示の第４実施形態に係る受発光装置の第２変形例を示す要部平面図である。 位置検出システムのブロック図である。 図４２（ａ）は、図４１の位置検出システムの動作を説明する図であり、図４２（ｂ）は、位置ｚと第２検出信号Ｖｓ２の関係を示す図であり、図４２（ｃ）は、図４１の位置検出システムの別の動作を説明する図である。 実施の形態に係る制御回路を備える位置検出システムの回路図である。 図４３の位置検出システムの動作を説明する図である。 フリッカノイズの周波数特性を示す図である。 制御回路の一実施例を示す回路図である。 一実施例に係る受発光装置および制御回路のピン配置を示す図である。 一実施例に係る受発光装置および制御回路のピン配置を示す図である。 一実施例に係る受発光装置および制御回路のピン配置を示す図である。 位置決めシステムのブロック図である。 変形例に係る遮光層が形成される封止樹脂の断面図である。
以下、本開示の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単にラベルとして用いたものであり、それらの対象物に順列を付することを意図していない。
＜第１実施形態＞
図１～図１５は、本開示の第１実施形態に係る受発光装置を示している。本実施形態の受発光装置Ａ１は、基材１、導電部２、第１素子３、第２素子４、第３素子５、第１ワイヤ６１、第２ワイヤ６２、第３ワイヤ６３、封止樹脂７および遮光層８を備えている。
図１は、受発光装置Ａ１を示す要部平面図である。図２は、受発光装置Ａ１を示す正面図である。図３は、受発光装置Ａ１を示す背面図である。図４は、受発光装置Ａ１を示す底面図および回路図である。図５は、図１のＶ－Ｖ線に沿う断面図である。図６は、図１のＶＩ－ＶＩ線に沿う断面図である。図７は、図１のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う断面図である。図８は、図１のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。図９は、図１のＩＸ－ＩＸ線に沿う断面図である。図１０は、受発光装置Ａ１を示す要部拡大断面図である。図１１は、受発光装置Ａ１を示す要部拡大断面図である。図１２は、受発光装置Ａ１を示す要部拡大背面図である。図１４は、受発光装置Ａ１の製造方法の一例を示す要部拡大断面図である。図１５は、受発光装置Ａ１の製造方法の一例を示す要部拡大断面図である。これらの図において、ｚ方向は、基材１の厚さ方向である。ｘ方向は、本開示の第１方向である。ｙ方向は、ｘ方向およびｚ方向に対して直角である方向である。また、図１においては、理解の便宜上封止樹脂７を省略しており、後述の第２部７５を想像線およびハッチングによって示している。また、遮光層８にハッチングを付している。
受発光装置Ａ１の大きさは特に限定されない。受発光装置Ａ１の大きさを例示すると、ｘ方向寸法が、１．３ｍｍ～３．５ｍｍ、ｙ方向寸法が、０．４ｍｍ～２．０ｍｍ、ｚ方向寸法が、０．２ｍｍ～０．８ｍｍであり、図示された例においては、たとえばｘ方向寸法が１．５ｍｍ、ｙ方向寸法が０．５５ｍｍ、ｚ方向寸法が０．３ｍｍである。
基材１は、第１素子３、第２素子４および第３素子５を支持している。基材１の材質は特に限定されず、たとえばガラスエポキシ樹脂等の絶縁性材料からなる。本実施形態においては、基材１は、ｚ方向視においてｘ方向を長手方向とし、ｙ方向を短手方向とする長矩形状である。基材１の厚さは、たとえば４０μｍ～５０μｍである。
基材１は、主面１１、裏面１２、一対の側面１３および一対の端面１４を有する。主面１１は、ｚ方向を向いており、第１素子３、第２素子４および第３素子５が搭載される綿である。裏面１２は、ｚ方向において主面１１とは反対側を向いている。本実施形態においては、裏面１２は、受発光装置Ａ１が回路基板等に実装される際の実装面として用いられる。一対の側面１３は、ｙ方向両側を向いており、それぞれが主面１１と裏面１２とを繋いでいる。一対の端面１４は、ｘ方向両側を向いており、それぞれが主面１１と裏面１２とを繋いでいる。
導電部２は、基材１に形成されており、第１素子３、第２素子４および第３素子５への導通経路を構成している。導電部２の材質は特に限定されず、良好な導電性を有する金属が用いられ、具体例として、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ａｇ，Ａｕ等が挙げられる。導電部２は、たとえばめっきによって形成される。導電部２の厚さは、たとえば３０μｍ程度であり、たとえば、２０μｍ程度のＣｕ層に１０μｍ程度のＡｕ層が積層された構成である。
本実施形態の導電部２は、第１ダイボンディング部２１１、第１延出部２２１、第１貫通部２３１、第２ボンディング部２１２、一対の第２延出部２２２、一対の第２貫通部２３２、第３ダイボンディング部２１３、一対の第３延出部２２３、一対の第３貫通部２３３、共通ワイヤボンディング部２４０、共通貫通部２４６、第１実装電極２７１、一対の第２実装電極２７２、一対の第３実装電極２７３および第４実装電極２７４を有する。
第１ダイボンディング部２１１は、基材１の主面１１に形成されている。第１ダイボンディング部２１１は、第１素子３がダイボンディングされる部位である。本実施形態においては、第１ダイボンディング部２１１は、主面１１のｘ方向略中央に配置されている。第１ダイボンディング部２１１の形状は特に限定されず、図示された例においては、ｚ方向視において矩形状である。第１ダイボンディング部２１１は、一対の側面１３から離間している。第１ダイボンディング部２１１は、ｙ方向において図１の図中上側に偏って配置されている。
第２ボンディング部２１２は、基材１の主面１１に形成されている。第２ボンディング部２１２は、第２素子４がダイボンディングされる部位である。本実施形態においては、第２ボンディング部２１２は、第１ダイボンディング部２１１に対して図１におけるｘ方向右側に配置されている。第２ボンディング部２１２の形状は特に限定されず、図示された例においては、ｚ方向視において矩形状である。第２ボンディング部２１２は、一対の側面１３および端面１４から離間している。第２ボンディング部２１２は、主面１１のｙ方向略中央に配置されている。
第３ダイボンディング部２１３は、基材１の主面１１に形成されている。第３ダイボンディング部２１３は、第３素子５がダイボンディングされる部位である。本実施形態においては、第３ダイボンディング部２１３は、第１ダイボンディング部２１１に対して図１におけるｘ方向左側に配置されている。言い換えると、第３ダイボンディング部２１３は、ｘ方向において、第１ダイボンディング部２１１を挟んで第２ボンディング部２１２とは反対側に配置されている。第３ダイボンディング部２１３の形状は特に限定されず、図示された例においては、ｚ方向視において矩形状である。第３ダイボンディング部２１３は、一対の側面１３および端面１４から離間している。第３ダイボンディング部２１３は、主面１１のｙ方向略中央に配置されている。
共通ワイヤボンディング部２４０は、第１ワイヤ６１、第２ワイヤ６２および第３ワイヤ６３がボンディングされる部位である。本実施形態においては、共通ワイヤボンディング部２４０は、ｘ方向において第２ボンディング部２１２と第３ダイボンディング部２１３との間に位置しており、ｙ方向視において第１ダイボンディング部２１１と重なる。図示された例においては、第１ダイボンディング部２１１と共通ワイヤボンディング部２４０とは、ｘ方向位置が同じである。共通ワイヤボンディング部２４０は、ｙ方向において第１ダイボンディング部２１１と離間して配置されている。共通ワイヤボンディング部２４０の形状は特に限定されず、図示された例においては、ｚ方向視においてｘ方向を長手方向とする長矩形状である。
図示された例においては、第２ボンディング部２１２および第３ダイボンディング部２１３のｙ方向寸法は、それぞれ寸法ｙ１で同じである。第１ダイボンディング部２１１のｙ方向寸法は、寸法ｙ１よりも小さい。また、図１において、第１ダイボンディング部２１１、第２ボンディング部２１２および第３ダイボンディング部２１３のｙ方向図中上端縁は、ｙ方向における位置が互いに一致している。共通ワイヤボンディング部２４０のｘ方向寸法は、第１ダイボンディング部２１１のｘ方向寸法である寸法ｘ１よりも大きい。図１において、第２ボンディング部２１２、第３ダイボンディング部２１３および共通ワ イヤボンディング部２４０のｙ方向図中下端縁は、ｙ方向における位置が互いに一致している。
第１延出部２２１は、第１ダイボンディング部２１１に繋がっており、一方の側面１３に向けてｙ方向に延びている。図示された例においては、第１延出部２２１は、一方の側面１３に到達している。第１延出部２２１の形状は特に限定されず、図示された例においては、ｘ方向寸法が第１ダイボンディング部２１１よりも小さい矩形状である。
一対の第２延出部２２２は、第２ボンディング部２１２に繋がっており、一対の側面１３に向けてｙ方向両側に延びている。図示された例においては、一対の第２延出部２２２は、一対の側面１３に個別に到達している。第２延出部２２２の形状は特に限定されず、図示された例においては、ｘ方向寸法が第２ボンディング部２１２よりも小さい矩形状である。
一対の第３延出部２２３は、第３ダイボンディング部２１３に繋がっており、一対の側面１３に向けてｙ方向両側に延びている。図示された例においては、一対の第３延出部２２３は、一対の側面１３に個別に到達している。第３延出部２２３の形状は特に限定されず、図示された例においては、ｘ方向寸法が第３ダイボンディング部２１３よりも小さい矩形状である。
共通延出部２４５は、共通ワイヤボンディング部２４０に繋がっており、他方の側面１３に向けてｙ方向に延びている。図示された例においては、第１延出部２２１は、他方の側面１３に到達している。共通延出部２４５の形状は特に限定されず、図示された例においては、ｘ方向寸法が共通ワイヤボンディング部２４０よりも小さい矩形状である。
第１実装電極２７１は、基材１の裏面１２に形成されている。図示された例においては、第１実装電極２７１は、一方の側面１３に到達している。また、第１実装電極２７１は、裏面１２のｘ方向略中央に配置されている。第１実装電極２７１の形状は特に限定されず、図示された例においては、矩形状である。図１に示すように、第１実装電極２７１は、ｚ方向視において第１延出部２２１および第１ダイボンディング部２１１と重なっている。より詳しくは、第１実装電極２７１は、ｚ方向視において第１延出部２２１のすべてと重なっており、第１ダイボンディング部２１１の一部と重なっている。
一対の第２実装電極２７２は、基材１の裏面１２に形成されている。図示された例においては、一対の第２実装電極２７２は、一対の側面１３に個別に到達している。また、一対の第２実装電極２７２は、ｘ方向において第１実装電極２７１に対して図４における図中右側に配置されている。第２実装電極２７２の形状は特に限定されず、図示された例においては、矩形状である。図１に示すように、一対の第２実装電極２７２は、ｚ方向視において一対の第２延出部２２２および第２ボンディング部２１２と重なっている。より詳しくは、一対の第２実装電極２７２は、ｚ方向視において一対の第２延出部２２２のすべてと重なっており、第２ボンディング部２１２の一部と重なっている。
一対の第３実装電極２７３は、基材１の裏面１２に形成されている。図示された例においては、一対の第３実装電極２７３は、一対の側面１３に個別に到達している。また、一対の第３実装電極２７３は、ｘ方向において第１実装電極２７１に対して図４における図中左側に配置されている。第３実装電極２７３の形状は特に限定されず、図示された例においては、矩形状である。図１に示すように、一対の第３実装電極２７３は、ｚ方向視において一対の第３延出部２２３および第３ダイボンディング部２１３と重なっている。より詳しくは、一対の第３実装電極２７３は、ｚ方向視において一対の第３延出部２２３のすべてと重なっており、第３ダイボンディング部２１３の一部と重なっている。
第４実装電極２７４は、基材１の裏面１２に形成されている。図示された例においては、第４実装電極２７４は、他方の側面１３に到達している。また、第４実装電極２７４は、裏面１２のｘ方向略中央に配置されている。第４実装電極２７４は、ｙ方向において第１実装電極２７１と並べられている。第４実装電極２７４の形状は特に限定されず、図示された例においては、矩形状である。図１に示すように、第４実装電極２７４は、ｚ方向視において共通延出部２４５および共通ワイヤボンディング部２４０と重なっている。より詳しくは、第４実装電極２７４は、ｚ方向視において共通延出部２４５のすべてと重なっており、共通ワイヤボンディング部２４０の一部と重なっている。
第１貫通部２３１は、基材１を貫通している。第１貫通部２３１は、第１延出部２２１と第１実装電極２７１とに繋がっており、ｚ方向視において第１延出部２２１および第１実装電極２７１と重なる。図１、図３および図１２に示すように、本実施形態においては、第１貫通部２３１は、第１露出面２３１１を有する。第１露出面２３１１は、基材１の側面１３からｙ方向に露出した面である。第１露出面２３１１は、側面１３と略面一である。本実施形態の第１貫通部２３１は、ｚ方向視において半円形状である。
図示された例においては、第１貫通部２３１は、底面２３１２および天面２３１３を有する。底面２３１２は、第１実装電極２７１からｚ方向下方に露出している。天面２３１３は、第１延出部２２１との境界面である。底面２３１２は、ｚ方向上方に僅かに凹む曲面である。天面２３１３は、ｚ方向上方に僅かに膨らむ曲面である。
このような構成の第１貫通部２３１の製造方法の一例について説明する。まず、図１４に示すように、基板材料１０を用意する。次いで、基板材料１０に第１延出部２２１および第１実装電極２７１を形成する。基板材料１０は、複数の基材１を形成可能な大きさおよび形状であり、図１４は、側面１３となるべき面における断面図である。
次いで、第１実装電極２７１側から、たとえばレーザ光を照射することにより、貫通孔２３１０を形成する。レーザ光の照射により、まず第１実装電極２７１に貫通孔が形成され、引き続き基板材料１０に貫通孔が形成される。そして、第１延出部２２１の一部が僅かに除去された時点で、レーザ光の照射を停止する。これにより、図示された形状の貫通孔２３１０が得られる。この際、第１延出部２２１には、僅かな凹曲面が形成される。
ついで、めっき等の手法により、貫通孔２３１０を金属によって埋める。このめっきにより、第１貫通部２３１となるべき金属部分が形成される。この金属部分のｚ方向下面は、ｚ方向上方に僅かに凹む曲面とすることが好ましい。そして、基板材料１０、第１実装電極２７１、第１延出部２２１および金属部分を一括して切断することにより、基材１、第１延出部２２１、第１実装電極２７１および第１貫通部２３１が形成される。そして、基材１には側面１３が形成され、第１貫通部２３１には、第１露出面２３１１が形成される。
このような第１貫通部２３１の態様は、第１貫通部２３１の具体的形状の一例である。以降に述べる一対の第２貫通部２３２、一対の第３貫通部２３３および共通貫通部２４６は、第１貫通部２３１と同様の製造方法を経た場合等においては、同様の詳細形状となりうるが、異なる詳細形状であってもよい。
一対の第２貫通部２３２は、基材１を貫通している。一対の第２貫通部２３２は、一対の第２延出部２２２と一対の第２実装電極２７２とに個別に繋がっており、ｚ方向視において一対の第２延出部２２２および一対の第２実装電極２７２と重なる。図１～図３に示すように、本実施形態においては、第２貫通部２３２は、第２露出面２３２１を有する。 第２露出面２３２１は、基材１の側面１３からｙ方向に露出した面である。第２露出面２３２１は、側面１３と略面一である。本実施形態の第２貫通部２３２は、ｚ方向視において半円形状である。
一対の第３貫通部２３３は、基材１を貫通している。一対の第３貫通部２３３は、一対の第３延出部２２３と一対の第３実装電極２７３とに個別に繋がっており、ｚ方向視において一対の第３延出部２２３および一対の第３実装電極２７３と重なる。図１～図３に示すように、本実施形態においては、第３貫通部２３３は、第３露出面２３３１を有する。第３露出面２３３１は、基材１の側面１３からｙ方向に露出した面である。第３露出面２３３１は、側面１３と略面一である。本実施形態の第３貫通部２３３は、ｚ方向視において半円形状である。
共通貫通部２４６は、基材１を貫通している。共通貫通部２４６は、共通延出部２４５と第４実装電極２７４とに繋がっており、ｚ方向視において共通延出部２４５および第４実装電極２７４と重なる。図１および図２に示すように、本実施形態においては、共通貫通部２４６は、共通露出面２４６１を有する。共通露出面２４６１は、基材１の側面１３からｙ方向に露出した面である。共通露出面２４６１は、側面１３と略面一である。本実施形態の共通貫通部２４６は、ｚ方向視において半円形状である。
第１素子３は、受発光装置Ａ１における光源であり、所定の波長帯の光を発する。第１素子３は、第１ダイボンディング部２１１にダイボンディングされており、基材１の主面１１に搭載されている。第１素子３は、たとえばＬＥＤチップである。第１素子３から発せられる光は特に限定されず、その一例として赤外光が例示される。本実施形態の第１素子３は、第１電極３１を有する。第１電極３１は、第１素子３のｚ方向上面に形成されている。第１素子３は、ｚ方向下面に形成された電極（図示略）を有する。第１素子３の第１ダイボンディング部２１１への接合は、第１導電接合材３９によってなされている。第１導電接合材３９は、Ａｇペーストまたははんだ等であり、第１素子３の電極を第１ダイボンディング部２１１に導通させている。
図１３は、第１素子３としてのＬＥＤチップの一例を示している。図示された例の第１素子３は、第１電極３１、第４電極３２、第１基板３１１、第１金属層３１２、第１半導体層３１３、第２半導体層３１４、発光層３１５および第３半導体層３１６を有する。なお、本例においては、第１電極３１がｎ側電極であり、第４電極がｐ側電極である場合について説明するが、これらが逆性となった構成であってもよい。
第１基板３１１は、たとえば、シリコン基板で構成されている。むろん、第１基板３１１は、たとえば、ＧａＡｓ（ガリウム砒素）、ＧａＰ（リン化ガリウム）等の半導体基板で構成されていてもよい。第１基板３１１は、本例においては平面視略正方形状に形成されているが、第１基板３１１の平面形状は特に制限されず、たとえば、平面視長方形状であってもよい。第１基板３１１の厚さは、たとえば１５０μｍ程度である。
第１金属層３１２は、第１基板３１１を覆うように形成されている。第１金属層３１２は、たとえば、ＡｕまたはＡｕを含む合金で構成されている。第１金属層３１２は、Ａｕ層およびＡｕ合金層それぞれの単層であってもよいし、これらの層および他の金属層が複数積層された層であってもよい。第１金属層３１２は、複数の積層構造である場合、たとえば、Ａｕ／ＡｕＢｅＮｉ／Ａｕ／Ｍｏ／Ａｕ／Ｍｏ／Ａｕ／Ｔｉで示される積層構造であってもよい。第１金属層３１２の厚さは、たとえば、０．５μｍ程度である。
第１半導体層３１３は、本例においてはｐ型半導体層であり、たとえばｐ型コンタクト層およびｐ型ウィンドウ層を含む。第１半導体層３１３の厚さは、たとえば１．５μｍ程度である。
第２半導体層３１４は、本例においてはｐ型半導体層であり、たとえばｐ型クラッド層を含む。第２半導体層第１電極３１４の厚さは、たとえば０．８μｍ程度である。
発光層３１５は、たとえばＭＱＷ(multiple-quantum well)構造（多重量子井戸構造） を有しており、電子と正孔とが再結合することによって光が発生し、その発生した光を増幅させるための層である。
第３半導体層３１６は、本例においてはｎ型半導体層であり、たとえばｎ型クラッド層、ｎ型ウィンドウ層およびｎ型コンタクト層を含む。第３半導体層第１電極３１６の厚さは、たとえば３．０μｍ程度である。
第１電極３１は、ｎ側電極であり、第３半導体層３１６上に形成されている。第１電極３１は、たとえばＡｕまたはＡｕを含む合金で構成されている。具体的には、Ａｕ／Ｇｅ／Ｎｉ／Ａｕで示される積層構造であってもよい。
第４電極３２は、ｐ側電極であり、第１基板３１１の裏面に形成されている。第４電極３２は、たとえばＡｕまたはＡｕを含む合金で構成されている。具体的には、）Ｔｉ／Ａｕ／Ｍｏ／Ａｕで示される積層構造であってもよい。
第２素子４は、第１素子３から発せられた波長帯の光を受光することにより電気信号を生じさせる光電変換機能を果たす素子である。第２素子４は、第１素子３から発せられた光が外部の物体によって反射された際の反射光を検出するために用いられる。第２素子４は、第２ボンディング部２１２にダイボンディングされており、基材１の主面１１に搭載されている。第２素子４は、たとえばフォトダイオードやフォトトランジスタであり、図示された第２素子４は、フォトダイオードからなる場合である。本実施形態の第２素子４は、第２電極４１および受光部４２を有する。第２電極４１は、第２素子４のｚ方向上面に形成されている。図示された例においては、第２電極４１は、ｘ方向において第１素子３寄りに配置されており、ｙ方向において共通ワイヤボンディング部２４０寄りに配置されている。受光部４２は、第２電極４１と離間した領域に設けられており、光電変換機能における受光を行う部位である。第２素子４は、ｚ方向下面に形成された電極（図示略）を有する。第２素子４の第２ボンディング部２１２への接合は、第２導電接合材４９によってなされている。第２導電接合材４９は、Ａｇペーストまたははんだ等であり、第２素子４の電極を第２ボンディング部２１２に導通させている。
第３素子５は、第１素子３から発せられた波長帯の光を受光することにより電気信号を生じさせる光電変換機能を果たす素子である。第３素子５は、第１素子３から発せられた光のうち、外部に出射されず、受発光装置Ａ１内部（封止樹脂７内部）を進行してきた光を検出するために用いられる。第３素子５は、第３ダイボンディング部２１３にダイボンディングされており、基材１の主面１１に搭載されている。第３素子５は、たとえばフォトダイオードやフォトトランジスタであり、図示された第３素子５は、フォトダイオードからなる場合である。本実施形態の第３素子５は、第３電極５１および受光部５２を有する。第３電極５１は、第３素子５のｚ方向上面に形成されている。図示された例においては、第３電極５１は、ｘ方向において第１素子３寄りに配置されており、ｙ方向において共通ワイヤボンディング部２４０寄りに配置されている。受光部５２は、第３電極５１と離間した領域に設けられており、光電変換機能における受光を行う部位である。第３素子５は、ｚ方向下面に形成された電極（図示略）を有する。第３素子５の第３ダイボンディング部２１３への接合は、第３導電接合材５９によってなされている。第３導電接合材５９は、Ａｇペーストまたははんだ等であり、第３素子５の電極を第３ダイボンディング部 ２１３に導通させている。
図６に示す、第１素子３のｚ方向の高さＨ３、第２素子４のｚ方向の高さＨ４および第３素子５のｚ方向の高さＨ５は、様々に設定可能であり、高さＨ３～Ｈ５がすべて同じでもよいし、すべてが互いに異なっていてもよいし、いずれか２つのみが同じであってもよい。図示された例においては、高さＨ３が、高さＨ４，Ｈ５よりも低い。また、高さＨ４と高さＨ５は、同じ高さである。高さＨ３は、たとえば０．１０ｍｍ程度であり、高さＨ４および高さＨ５は、たとえば０．１３ｍｍ程度である。
第１ワイヤ６１は、第１素子３と導電部２とを導通させるものである。第１ワイヤ６１は、たとえばＡｕからなる。第１ワイヤ６１は、第１素子３の第１電極３１と導電部２の共通ワイヤボンディング部２４０とにボンディングされている。ボンディング部６１１は、第１ワイヤ６１のうち共通ワイヤボンディング部２４０にボンディングされた部分である。
第２ワイヤ６２は、第２素子４と導電部２とを導通させるものである。第２ワイヤ６２は、たとえばＡｕからなる。第２ワイヤ６２は、第２素子４の第２電極４１と導電部２の共通ワイヤボンディング部２４０とにボンディングされている。ボンディング部６２１は、第２ワイヤ６２のうち共通ワイヤボンディング部２４０にボンディングされた部分である。
第３ワイヤ６３は、第３素子５と導電部２とを導通させるものである。第３ワイヤ６３は、たとえばＡｕからなる。第３ワイヤ６３は、第３素子５の第３電極５１と導電部２の共通ワイヤボンディング部２４０とにボンディングされている。ボンディング部６３１は、第３ワイヤ６３のうち共通ワイヤボンディング部２４０にボンディングされた部分である。
図１に示すように、本実施形態においては、ボンディング部６１１、ボンディング部６２１およびボンディング部６３１のすべてが、ｙ方向において第２ボンディング部２１２および第３ダイボンディング部２１３が存在する領域（寸法ｙ１の領域）に存在している。また、ボンディング部６１１、ボンディング部６２１およびボンディング部６３１のすべてが、ｘ方向において第１ダイボンディング部２１１が存在する領域（寸法ｘ１の領域）に存在している。
図４の回路図に示すように、本実施形態においては、第１素子３の第１電極３１が第１素子３のカソード電極であり、図示しない裏面電極がアノード電極である。また、第２素子４の第２電極４１および第３素子５の第３電極５１が、アノード電極であり、第２素子４および第３素子５の図示しない裏面電極がカソード電極である。これにより、第１実装電極２７１は、第１素子３のアノード電極と導通し、第２実装電極２７２は、第２素子４のカソード電極と導通し、第３実装電極２７３は、第３素子５のカソード電極と導通している。また、第４実装電極２７４は、第１ワイヤ６１、第２ワイヤ６２および第３ワイヤ６３が共通ワイヤボンディング部２４０にボンディングされていることにより、第１素子３のカソード電極と第２素子４および第３素子５のアノード電極とに導通している。すなわち、第１素子３と第２素子４および第３素子５とは、逆極性の関係で接続されている。
封止樹脂７は、第１素子３、第２素子４および第３素子５を覆っており、基材１の主面１１に形成されている。封止樹脂７は、第１素子３から発せられる波長帯の光を透過させる材質からなり、たとえば透光性を有するエポキシ樹脂やシリコーン樹脂からなる。本実施形態の封止樹脂７は、出射部７１、入射部７２、被覆部７３、第１部７４および第２部７５を有する。
出射部７１は、第１素子３からの光を出射させる面であり、ｚ方向視において第１素子３と重なっている。図示された例においては、出射部７１は、平滑な平面である。
入射部７２は、外部の物体によって反射された光を第３素子５に向けて入射させる面である。入射部７２は、ｚ方向視において第２素子４と重なっている。本実施形態においては、入射部７２は、出射部７１に対してｘ方向に並んで配置されている。図示された例においては、入射部７２は、平滑な平面である。
被覆部７３は、ｘ方向において出射部７１に対して入射部７２とは反対側に位置する面である。被覆部７３は、ｚ方向視において第３素子５と重なっている。図示された例においては、被覆部７３は、平滑な平面である。
第１部７４は、被覆部７３の出射部７１側の境界に位置しており、屈曲した形状の部分である。図示された例においては、図１１に示すように、第１部７４は、第１角部７４１、第２角部７４２および側面７４３を有する。側面７４３は、出射部７１と被覆部７３との間に位置する面である。図示された例においては、被覆部７３は、出射部７１よりもｚ方向において基材１の主面１１から離間している。側面７４３は、たとえばｚ方向に平行な面である。第１角部７４１は、被覆部７３と側面７４３との境界からなる。被覆部７３と側面７４３とは、互いのなす角が１８０°を超えており、図示された例においては、２７０°程度である。第２角部７４２は、側面７４３と出射部７１との境界からなる。側面７４３と出射部７１とがなす角は、９０°程度である。
第２部７５は、出射部７１および入射部７２の間に位置しており、封止樹脂７の内部からの光の反射率が出射部７１よりも低い部位である。図示された例においては、第２部７５は、出射部７１および入射部７２からｚ方向に凹む溝状である。図１０に示すように、第２部７５は、底面７５２および一対の側面７５３を有する溝部７５１からなる。底面７５２は、ｚ方向奥方に位置する面である。一対の側面７５３は、出射部７１および入射部７２と底面７５２とを繋いでいる。図示された例においては、底面７５２および一対の側面７５３は、出射部７１および入射部７２よりも表面粗さが粗い面である。第２部７５は、たとえば樹脂材料を硬化させることにより封止樹脂７を形成し、封止樹脂７の一部をブレード等によって切削することにより形成される。なお、第２部７５が金型によって形成される場合、底面７５２のみが表面粗さが粗い面によって構成され、側面７５３が出射部７１や入射部７２と同等の平滑な面によって構成されていてもよい。
図１に示すように、図示された例においては、第２部７５は、ｚ方向視における領域Ｒ１において第１ダイボンディング部２１１と重なっている。また、第２部７５は、ｚ方向における領域Ｒ２において第２ボンディング部２１２と重なっている。また、第２部７５は、ｚ方向視における領域Ｒ３において第１部７４と重なっている。領域Ｒ１、領域Ｒ２および領域Ｒ３においては、底面７５２と第１ダイボンディング部２１１、第２ボンディング部２１２および共通ワイヤボンディング部２４０との距離である高さＨが、底面７５２と主面１１との距離よりも小さい。また、第２部７５は、ｚ方向視において第２ワイヤ６２と重なっている。
遮光層８は、封止樹脂７よりも光の透過率が低い材質からなり、たとえば黒色や濃色の塗料によって形成される。遮光層８は、封止樹脂７の被覆部７３を覆っており、ｚ方向視において第３素子５の少なくとも一部と重なる。図示された例においては、遮光層８は、ｚ方向において第３素子５のすべてと重なっている。なお、遮光層８の材料としては、たとえば塗布可能な材料としてレジストインクやエポキシ樹脂が例示される。また、遮光層８の別の材料としては、接着等の手段によって形成可能なものとして光学フィルターや光学フィルム等が例示される。
図１１に示すように、遮光層８は、端縁８０を有する。端縁８０は、第１部７４と一致しており、図示された例においては、第１部７４の第１角部７４１と一致している。また、遮光層８は、曲面８１を有する。曲面８１は、端縁８０に繋がっており、凸形状の曲面である。曲面８１は、遮光層８を形成するための塗料を封止樹脂７の被覆部７３に塗布した際に形成される。被覆部７３から広がろうとする塗料が、第１角部７４１において接触角が大きくなることにより、表面張力の作用によって留められた状態で硬化することにより曲面８１が形成される。なお、遮光層８は、曲面８１を有していなくてもよい。また、遮光層８の端縁８０は、第１部７４と一致していなくてもよい。
次に、受発光装置Ａ１の作用について説明する。
本実施形態によれば、遮光層８が設けられていることにより、受発光装置Ａ１外から進行してくる光を、第３素子５が受光することを抑制することが可能である。これにより、第３素子５による第１素子３の状態監視をより正確に行うことが可能である。したがって、受発光装置Ａ１は、より高精度な検出機能を果たすことができる。
また、第１素子３および第２素子４に加えて、第３素子５が備えられている。第３素子５は、第１素子３から発せられた光のうち、封止樹脂７内を進行してきた光を受光する。このため、第３素子５の検出信号は、受発光装置Ａ１の外部の状況に左右されにくく、経年変化等の第１素子３自体の状態が反映される。これにより、第１素子３の発光状態を継続的に監視することが可能である。したがって、第２素子４の検出信号の処理に、第３素子５の検出結果を反映させることにより、より長い期間において受発光装置Ａ１を適切に機能させることができる。
封止樹脂７に入射部７２が設けられていることにより、遮光層８を所望の領域により正確に形成することが可能である。また、遮光層８の曲面８１が設けられていることは、遮光層８の当該部分の厚さが相対的に厚い構成となりやすい。この部分の厚さが厚いことは、遮光層８による遮光効果を高めるのに有利である。また、遮光層８が、ｚ方向視において第３素子５のすべてと重なる構成は、遮光層８による遮光効果を高めるのに好ましい。
第２部７５は、出射部７１や入射部７２よりも表面粗さが粗い。このような第２部７５が設けられていることにより、第１素子３から発せられた光が、封止樹脂７の表面において反射され、第２素子４に意図せず受光されることを抑制することができる。これにより、第２素子４による誤検出を抑制することができる。
第２部７５が溝状であることにより、第２部７５による反射抑制を促進することができる。また、図示された例においては、領域Ｒ１、領域Ｒ２および領域Ｒ３において、第２部７５が第１ダイボンディング部２１１、第２ボンディング部２１２および共通ワイヤボンディング部２４０と重なる。これらの領域においては、図５および図６に示すように、底面７５２と第１ダイボンディング部２１１、第２ボンディング部２１２および共通ワイヤボンディング部２４０との距離である高さＨが、底面７５２と主面１１との距離よりも小さい。これは、第１素子３から発せられた光が封止樹脂７内を進行する経路を狭めることを意味しており、第２素子４による意図しない受光を抑制するのに好ましい。
図１に示すように、第２素子４の第２電極４１が、ｘ方向およびｙ方向において共通ワイヤボンディング部２４０寄りに設けられている。これにより、図５に示すように、第２ワイヤ６２が、第２素子４の受光部４２等と干渉することを回避しつつ、第２ワイヤ６２の基材１からのｚ方向高さを抑制することが可能である。これは、受発光装置Ａ１の薄型化に好ましい。同様に、図１に示すように、第３電極５１は、ｘ方向およびｙ方向において共通ワイヤボンディング部２４０寄りに設けられている。これにより、第３ワイヤ６３の基材１からのｚ方向高さを抑制することが可能である。これは、受発光装置Ａ１の薄型化に好ましい。
図１６～図４０は、本開示の他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。
＜第１実施形態 第１変形例＞
図１６は、受発光装置Ａ１の第１変形例を示す要部拡大断面図である。本変形例の受発光装置Ａ１１においては、側面７４３と出射部７１とのなす角度αが、９０°よりも大きい。このような構成は、たとえば封止樹脂７を形成するための金型を、封止樹脂７からスムーズに離脱させるのに有利である。
＜第１実施形態 第２変形例＞
図１７は、受発光装置Ａ１の第２変形例を示す要部拡大断面図である。本変形例の受発光装置Ａ１２においては、出射部７１がｚ方向において被覆部７３よりも基材１の主面１１から離間している。そして、第１部７４は、被覆部７３側から、第２角部７４２、側面７４３および第１角部７４１を有する構成となっている。すなわち、本変形例の第１角部７４１は、側面７４３と出射部７１との境界からなる。側面７４３と出射部７１とは、互いのなす角度が１８０°を超えており、たとえば２７０°程度である。このような変形例によっても、第１部７４の第１角部７４１において、遮光層８を形成するための塗料を留まらせることが可能であり、所望の領域に遮光層８をより正確に形成することができる。
なお、封止樹脂７を金型により成形する際に、出射部７１と被覆部７３が同時に形成してもよいがその限りでない。金型による成形の段階では被覆部７３を形成せずに、出射部７１とフラットな面を形成しておき、その後、レーザ照射によって、遮光層８を塗布すべき領域を掘り下げ、被覆部７３を形成してもよい。
＜第１実施形態 第３変形例＞
図１８は、受発光装置Ａ１の第３変形例を示す要部拡大断面図である。本変形例の受発光装置Ａ１３においては、出射部７１と被覆部７３とが、ｚ方向において略同じ位置にある。また、第１部７４は、底面７４４および一対の側面７４３と一対の第１角部７４１および一対の第２角部７４２を有する、溝状である。底面７４４は、ｚ方向奥方に位置する面である。一対の側面７４３は、底面７４４と出射部７１および入射部７２とを個別に繋いでいる。一対の第１角部７４１は、一方の側面７４３と出射部７１との境界、および他方の側面７４３と被覆部７３との境界、によって構成されている。
このような変形例によっても、第１部７４の第１角部７４１において、遮光層８を形成するための塗料を留まらせることが可能であり、所望の領域に遮光層８をより正確に形成することができる。また、第１部７４が一対の第１角部７４１を有することにより、図中左方の第１角部７４１によって遮光層８を形成するための塗料が留まらない場合であっても、図中において想像線で示すように図中右方の第１角部７４１によってこの塗料を留まらせることができる。
＜第１実施形態 第４変形例＞
図１９は、受発光装置Ａ１の第４変形例を示す要部拡大断面図である。本変形例の受発光装置Ａ１４においては、出射部７１と被覆部７３とが、ｚ方向において略同じ位置にある。また、第１部７４は、頂面７４５および一対の側面７４３と一対の第１角部７４１および一対の第２角部７４２を有する、凸状である。頂面７４５は、ｚ方向最上位に位置する面である。一対の側面７４３は、頂面７４５と出射部７１および入射部７２とを個別に繋いでいる。一対の第１角部７４１は、一方の側面７４３と頂面７４５との境界によって構成されている。
このような変形例によっても、第１部７４の第１角部７４１において、遮光層８を形成するための塗料を留まらせることが可能であり、所望の領域に遮光層８をより正確に形成することができる。また、第１部７４が一対の第１角部７４１を有することにより、図中左方の第１角部７４１によって遮光層８を形成するための塗料が留まらない場合であっても、図中において想像線で示すように図中右方の第１角部７４１によってこの塗料を留まらせることができる。
＜第１実施形態 第５変形例＞
図２０は、受発光装置Ａ１の第５変形例を示す要部拡大断面図である。本変形例の受発光装置Ａ１５においては、出射部７１と被覆部７３とが、ｚ方向において略同じ位置にある。また、出射部７１と入射部７２との間には、上述した第１部７４が形成されていない。本変形例においては、遮光層８の形成では、たとえば出射部７１となる領域をマスクした状態で、遮光層８の材料を塗布する。そして、当該マスクを除去することにより、遮光層８が得られる。
このような変形例から理解されるように、封止樹脂７が第１部７４を有さない構成であっても、出射部７１を露出させ、被覆部７３を覆うように遮光層８が設けられることにより、より高度な検出機能を果たすことができる。
＜遮光層に関する変形＞
１． 遮光層８として、封止樹脂７よりも光の透過率が低い材質を用いたがその限りでない。たとえば、遮光層８として、反射膜を用いてもよい。この場合、反射膜としてはアルミニウムなどの金属材料を用いることができ、たとえばめっきにより被覆部７３の上面に成膜してもよい。
２． 封止樹脂７を変質させることにより遮光層８を形成してもよい。図１７を参照してこの工法を説明する。はじめに、被覆部７３を設けずに封止樹脂７を金型成形する。そして封止樹脂７の表面の、遮光層８を形成すべき領域に、レーザを照射し、透明の封止樹脂７を変質させ、透過率を低下させる。変質のメカニズムは特に限定されないが、熱的な反応を利用してもよいし、光学的な反応を利用してもよい。レーザはＵＶレーザが好適である。
図１７や図１９において、被覆部７３をフラットとしたがその限りでない。図５１（ａ）、（ｂ）は、変形例に係る遮光層を備える受発光装置Ａ１の断面図である。
図５１（ａ）、（ｂ）において、被覆部７３は、出射部７１に近い第１部７４、言い換えれば第１素子３と第３素子５の境界部分に、溝７６を有し、溝７６に遮光層８が充填される。図５１（ａ）では断面が矩形の溝７６が設けられ、図５１（ｂ）では、丸みを帯びた溝７８が形成される。この溝７６、７８により、受発光装置Ａ１外からの入射光Ｌ１が第３素子５に入射するのを抑制することが可能である。
＜第１実施形態 第６変形例＞
図２１は、受発光装置Ａ１の第６変形例を示している。本変形例の受発光装置Ａ１６においては、第２部７５が曲面からなる溝部７５１によって構成されている。このような構成であっても、第１素子３から発せられた光が、封止樹脂７の表面において反射され、第２素子４に意図せず受光されることを抑制することができる。
＜第１実施形態 第７変形例＞
図２２は、受発光装置Ａ１の第７変形例を示している。本変形例の受発光装置Ａ１７においては、第２部７５は、平坦な形状の粗い面からなり、溝状や凸状の形状ではない。本変形例においても、第２部７５は、出射部７１および入射部７２よりも表面粗さが粗い。このような構成であっても、第１素子３から発せられた光が、封止樹脂７の表面において反射され、第２素子４に意図せず受光されることを抑制することができる。また、第２部７５における応力集中を緩和する効果が期待できる。
＜第１実施形態 第８変形例＞
図２３は、受発光装置Ａ１の第８変形例を示している。本変形例の受発光装置Ａ１８においては、第２部７５が、ｚ方向視での領域Ｒ１において第１ダイボンディング部２１１と重なり、領域Ｒ３において共通ワイヤボンディング部２４０と重なる一方、第２ボンディング部２１２とは重なっていない。このような変形例によっても、領域Ｒ１および領域Ｒ３が設定されていることにより、意図しない第３素子５の受光を抑制する効果が高められる。
＜第１実施形態 第９変形例＞
図２４は、受発光装置Ａ１の第９変形例を示している。本変形例の受発光装置Ａ１９においては、第２部７５が、ｚ方向視での領域Ｒ２において第２ボンディング部２１２と重なる一方、第１ダイボンディング部２１１および共通ワイヤボンディング部２４０とは重なっていない。このような変形例によっても、領域Ｒ２が設定されていることにより、意図しない第３素子５の受光を抑制する効果が高められる。
＜第１実施形態 第１０変形例＞
図２５～図２７は、受発光装置Ａ１の第１０変形例を示している。本変形例の受発光装置Ａ１ａにおいては、第１素子３として、ＶＣＳＥＬ素子が用いられている。
図２５に示すように、本例の第１素子３は、平面視において第１電極３１と複数の発光領域３６０が設けられている。第１電極３１は、ｙ方向において共通ワイヤボンディング部２４０寄りに配置されている。複数の発光領域３６０は、第１素子３の平面視において第１電極３１を除く領域に離散配置されている。
図２６および図２７に示すように、本例の第１素子３は、第１電極３１、第４電極３２、第２基板３５１、第４半導体層３５２、活性層３５３、第５半導体層３５４、電流狭窄層３５５、絶縁層３５６および導電層３５７を備え、複数の発光領域３６０が形成されている。なお、同図に示す構成例は、第１素子３としてのＶＣＳＥＬ素子の一例であり、本構成に限定されるものではない。図２７は、１つの発光領域３６０を含む部分を拡大して示している。
第２基板３５１は、半導体よりなる。第２基板３５１を構成する半導体は、たとえば、ＧａＡｓである。第２基板３５１を構成する半導体は、ＧａＡｓ以外であってもよい。
活性層３５３は、自然放出および誘導放出によって、たとえば、９８０ｎｍ帯（以下、「λａ」とする）の波長の光を放出する化合物半導体により構成されている。活性層３５３は、第４半導体層３５２と第５半導体層３５４との間に位置している。
第４半導体層３５２は、典型的にはＤＢＲ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂｒａｇｇ Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）層であり、第２基板３５１に形成されている。第４半導体層３５２は第１導電型を有する半導体よりなる。本例では第１導電型はｎ型である。第４半導体層３５２は、活性層３５３から発せられる光を効率よく反射させるためのＤＢＲとして構成されている。より具体的には、活性層３５３は、厚さλａ／４のＡｌＧａＡｓ層であってそれぞれ反射率が異なる２層からなるペアを、複数段重ね合わせることにより構成されている。
第５半導体層３５４は、典型的にはＤＢＲ層であり、第２導電型を有する半導体よりなる。本例では第２導電型はｐ型である。本実施形態とは異なり、第１導電型がｐ型であり、第２導電型がｎ型であってもよい。第５半導体層３５４および第２基板３５１の間に、第４半導体層３５２が位置している。第５半導体層３５４は、活性層３５３から発せられる光を効率よく反射させるためのＤＢＲとして構成されている。より具体的には、第５半導体層３５４は、厚さλａ／４のＡｌＧａＡｓ層であってそれぞれ反射率が異なる２層からなるペアを、複数段重ね合わせることにより構成されている。
電流狭窄層３５５は、第５半導体層３５４内に位置している。電流狭窄層３５５はたとえばＡｌを多く含み、酸化しやすい層からなる。電流狭窄層３５５は、この酸化しやすい層を酸化することにより形成される。電流狭窄層３５５は、酸化によって形成される必要は必ずしもなく、その他の方法（たとえばイオン注入）によって形成されてもよい。電流狭窄層３５５には開口３５５１が形成されている。開口３５５１を電流が流れる。
絶縁層３５６は第５半導体層３５４に形成されている。絶縁層３５６は、たとえば、ＳｉＯ2よりなる。絶縁層３５６には、開口３５６１が形成されている。
導電層３５７は、絶縁層３５６に形成されている。導電層３５７は導電材料（たとえば金属）よりなる。導電層３５７は、絶縁層３５６の開口３５６１を通じて第５半導体層３５４に導通している。導電層３５７は、開口３５７１を有する。
発光領域３６０は、活性層３５３からの光が直接または反射の後に出射される領域である。本例においては、発光領域３６０は、平面視円環形状であるが、その形状は特に限定されない。発光領域３６０は、上述した第５半導体層３５４、電流狭窄層３５５、絶縁層３５６および導電層３５７が積層され、電流狭窄層３５５の開口３５５１、絶縁層３５６の開口３５６１および導電層３５７の開口３５７１等が形成されることにより設けられている。発光領域６００においては、活性層３５３からの光が、導電層３５７の開口３５７１を通じて出射される。
第１電極３１は、たとえば金属からなり、第５半導体層３５４に導通している。第４電極３２は、第２基板３５１の裏面に形成されており、たとえば金属からなる。
本変形例によれば、いわゆる表面発光デバイスであるＶＣＳＥＬを第１素子３として用いることにより、高輝度化や照射面積の拡大を図ることができる。本変形例から理解されるように、第１素子３は、検出を実現しうる発光機能を果たすものであれば、その具体的構成は特に限定されない。
＜第２実施形態＞
図２８～図３１は、本開示の第２実施形態に係る受発光装置を示している。図２８は、本実施形態の受発光装置Ａ２を示す要部平面図である。図２９は、受発光装置Ａ２を示す底面図である。図３０は、図２８のＸＸＸ－ＸＸＸ線に沿う断面図である。図３１は、図２８のＸＸＸＩ－ＸＸＸＩ線に沿う断面図である。
本実施形態においては、共通ワイヤボンディング部２４０が、共通第１部２４１、共通第２部２４２、共通第３部２４３および共通第４部２４４を有する。共通第１部２４１は、ｘ方向において第１ダイボンディング部２１１と第３ダイボンディング部２１３との間に位置している。図示された例においては、共通第１部２４１は、ｙ方向に長く延びる形状である。本実施形態においては、第１ワイヤ６１のボンディング部６１１と第３ワイヤ６３のボンディング部６３１とが、共通第１部２４１に形成されている。
共通第２部２４２は、第１ダイボンディング部２１１に対してｙ方向に離間した位置に配置されている。また、共通第２部２４２は、ｘ方向において第１ダイボンディング部２１１の中心よりも第２ボンディング部２１２側に配置されている。図示された例においては、共通第２部２４２は、ｘ方向を長軸とする略楕円形状である。本実施形態においては、第２ワイヤ６２のボンディング部６２１が、共通第２部２４２に形成されている。
共通第３部２４３は、共通第１部２４１のｙ方向一端に繋がっている。共通第１部２４１は、共通第２部２４２よりも面積が大きい部位であり、図示された例においては、円形状である。ｚ方向視において、共通第３部２４３は、共通貫通部２４６と重なっている。共通第４部２４４は、共通第２部２４２と共通第３部２４３とを繋いでいる。図示された例においては、共通第４部２４４は、ｘ方向に長く延びる帯状である。
本実施形態においては、共通ワイヤボンディング部２４０がｚ方向視においてＬ字状とされている。第１ダイボンディング部２１１は、共通ワイヤボンディング部２４０に対して、ｘ方向一方側およびｙ方向一方側においてそれぞれ対向している。また、第１ダイボンディング部２１１には、凹部２１１１が形成されている。凹部２１１１は、第１ダイボンディング部２１１のうち共通ワイヤボンディング部２４０の共通第３部２４３に対向する部位であり、ｚ方向視において凹んでいる。
図２９に示すように、本実施形態においては、導電部２は、第１実装電極２７１、第２実装電極２７２、第３実装電極２７３および第４実装電極２７４を有する。第１実装電極２７１、第２実装電極２７２、第３実装電極２７３および第４実装電極２７４は、いずれも基材１の一対の側面１３および一対の端面１４から離間している。本実施形態においては、第１貫通部２３１、第２貫通部２３２、第３貫通部２３３および共通貫通部２４６は、基材１を貫通する貫通孔に形成されており、ｚ方向視において円形状である。また、図示された例においては、第１貫通部２３１の中心を通るｘ方向に平行な中心線Ｏ２３１と、第２貫通部２３２の中心を通るｘ方向に平行な中心線Ｏ２３２および第３貫通部２３３の中心を通るｘ方向に平行な中心線Ｏ２３３と、共通貫通部２４６の中心を通るｘ方向に平行な中心線Ｏ２４６とは、ｙ方向における位置が互いに異なっている。また、中心線Ｏ２３２と中心線Ｏ２３３とは、ｙ方向における位置が同じである。ただし、これらの中心線の位置関係は図示された関係に限定されるものではない。
図示された例においては、第２部７５は、ｚ方向視における領域Ｒ１および領域Ｒ２において第１ダイボンディング部２１１および第２ボンディング部２１２と重なっており、共通ワイヤボンディング部２４０とは重なっていない。ただし、第２部７５が共通ワイヤボンディング部２４０と重なる構成であってもよい。また、第２部７５は、ｚ方向視において第２ワイヤ６２と重なっている。
本実施形態においては、遮光層８は、共通ワイヤボンディング部２４０と重なっている。さらに、遮光層８は、共通ワイヤボンディング部２４０の共通第１部２４１のすべてと重なっている。
図示された例においては、第２素子４は、受光部４２を有する。受光部４２は、第２電極４１と離間した領域に設けられており、光電変換機能における受光を行う部位である。また、第３素子５は、受光部５２を有する。受光部５２は、第３電極５１と離間した領域に設けられており、光電変換機能における受光を行う部位である。なお、上述した実施形態においても、受光部４２および受光部５２に相当する部位が第２素子４および第３素子５に設けられている。
ボンディング部６１１、ボンディング部６２１、およびボンディング部６３１は、いずれもｙ方向において寸法ｙ１の領域に存在している。また、ｙ方向視において第１ダイボンディング部２１１は、ボンディング部６２１と重なり、ボンディング部６１１およびボンディング部６３１と重なっていない。ボンディング部６１１およびボンディング部６３１は、ｘ方向において第１素子３と第３素子５との間に位置している。
本実施形態によっても、より高精度な検出機能を果たすことができる。また、第１素子３と第３素子５との間に共通ワイヤボンディング部２４０の共通第１部２４１が配置されていることにより、第１素子３と第３素子５との距離が拡大されている。この拡大された領域に遮光層８を設けることにより、外部から進行してきた光が、第３素子５に意図せず入射することを抑制することができる。
＜第３実施形態＞
図３２～図３７は、本開示の第３実施形態に係る受発光装置を示している。本実施形態の受発光装置Ａ３は、主に導電部２の構成が上述した実施形態と異なっている。図３２は、受発光装置Ａ３を示す要部平面図である。図３３は、受発光装置Ａ３を示す底面図である。図３４は、図３２のＸＸＸＩＶ－ＸＸＸＩＶ線に沿う断面図である。図３５は、図３２のＸＸＸＶ－ＸＸＸＶ線に沿う断面図である。図３６は、図３２のＸＸＸＶＩ－ＸＸＸＶＩ線に沿う断面図である。図３７は、図３２のＸＸＸＶＩＩ－ＸＸＸＶＩＩ線に沿う断面図である。
図３２に示すように、本実施形態の導電部２は、第１ダイボンディング部２１１、第２ボンディング部２１２、第３ダイボンディング部２１３、第１ワイヤボンディング部２５ １、第２ワイヤボンディング部２５２および第３ワイヤボンディング部２５３を有している。これらは、基材１の主面１１に形成されている。
第１ワイヤボンディング部２５１は、第１ダイボンディング部２１１に対してｙ方向一方側に並んで配置されている。第２ワイヤボンディング部２５２は、第２ボンディング部２１２に対してｙ方向一方側に並んで配置されている。第３ワイヤボンディング部２５３は、第３ダイボンディング部２１３に対してｙ方向一方側に並んで配置されている。第１ワイヤボンディング部２５１、第２ワイヤボンディング部２５２および第３ワイヤボンディング部２５３は、いずれも側面１３および端面１４から離間している。第１ワイヤボンディング部２５１、第２ワイヤボンディング部２５２および第３ワイヤボンディング部２５３の形状は特に限定されず、図示された例においては、略矩形状である。
図３３に示すように、本実施形態の導電部２は、第１実装電極２７１、第２実装電極２７２、第３実装電極２７３、第４実装電極２７４、第５実装電極２７５および第６実装電極２７６を有する。これらは、基材１の裏面１２に形成されている。
第１実装電極２７１、第２実装電極２７２および第３実装電極２７３は、ｘ方向に並んで配置されている。第４実装電極２７４、第５実装電極２７５および第６実装電極２７６は、ｘ方向に並んで配置されている。第１実装電極２７１、第２実装電極２７２、第３実装電極２７３、第４実装電極２７４、第５実装電極２７５および第６実装電極２７６は、いずれも側面１３および端面１４から離間している。図３２に示すように、第１実装電極２７１、第２実装電極２７２、第３実装電極２７３、第４実装電極２７４、第５実装電極２７５および第６実装電極２７６は、ｚ方向視において第１ダイボンディング部２１１、第２ボンディング部２１２、第３ダイボンディング部２１３、第１ワイヤボンディング部２５１、第２ワイヤボンディング部２５２および第３ワイヤボンディング部２５３と、個別に重なっている。
本実施形態においては、導電部２は、第１貫通部２３１、第２貫通部２３２、第３貫通部２３３、第４貫通部２６１、第５貫通部２６２および第６貫通部２６３を有する。これらは、基材１をｚ方向に貫通している。
第１貫通部２３１は、第１ダイボンディング部２１１と第１実装電極２７１とに繋がっている。第２貫通部２３２は、第２ボンディング部２１２と第２実装電極２７２とに繋がっている。第３貫通部２３３は、第３ダイボンディング部２１３と第３実装電極２７３とに繋がっている。第４貫通部２６１は、第１ワイヤボンディング部２５１と第１実装電極２７１とに繋がっている。第５貫通部２６２は、第２ワイヤボンディング部２５２と第２実装電極２７２とに繋がっている。第６貫通部２６３は、第３ワイヤボンディング部２５３と第３実装電極２７３とに繋がっている。また、図示された例においては、第１貫通部２３１の中心を通るｙ方向に平行な中心線Ｏ２３１と、第４貫通部２６１の中心を通るｙ方向に平行な中心線Ｏ２６１と、第２貫通部２３２の中心を通るｙ方向に平行な中心線Ｏ２３２および第５実装電極２７５の中心を通るｙ方向に平行な中心線Ｏ２７５と、第３貫通部２３３の中心を通るｙ方向に平行な中心線Ｏ２３３および第６実装電極２７６の中心を通るｙ方向に平行な中心線Ｏ２７６とは、ｘ方向における位置が互いに異なっている。また、中心線Ｏ２３２と中心線Ｏ２７５とは、ｘ方向における位置が同じである。また、中心線Ｏ２３３と、中心線Ｏ２７６とは、ｘ方向における位置が同じである。ただし、これらの中心線の位置関係は図示された関係に限定されるものではない。
第１ワイヤ６１は、第１素子３の第１電極３１と第１ワイヤボンディング部２５１とにボンディングされている。第２ワイヤ６２は、第２素子４の第２電極４１と第２ワイヤボンディング部２５２とにボンディングされている。第３ワイヤ６３は、第３素子５の第３ 電極５１と第３ワイヤボンディング部２５３とにボンディングされている。第１電極３１の中心を通るｙ方向に平行な中心線Ｏ３１とボンディング部６１１の中心を通るｙ方向に平行な中心線Ｏ６１１とは、互いのｘ方向における位置が異なっている。ただし、これらの中心線の位置関係は図示された関係に限定されるものではない。
第２部７５は、ｚ方向視での領域Ｒ１および領域Ｒ２において第１ダイボンディング部２１１および第２ボンディング部２１２と重なっているが、第２部７５の配置はこれに限定されない。図３４に示すように、第２部７５は、底面７５２および一対の側面７５３を有している。底面７５２は、第１素子３および第２素子４のｚ方向上面よりもｚ方向において基材１の主面１１に近く、たとえば第２素子４のｚ方向上面よりも高さＨ’だけ低い位置にある。
本実施形態によっても、より高精度な検出機能を果たすことができる。また、本実施形態から理解されるように、第１素子３、第２素子４および第３素子５を含む回路構成は、第１素子３、第２素子４および第３素子５が適切に機能するものであれば、その具体的な構成は何ら限定されない。また、第２部７５が第１ワイヤ６１、第２ワイヤ６２および第３ワイヤ６３のいずれともｚ方向視において交差しない。これにより、第２部７５が溝状である場合に、第２部７５をより深い位置まで形成することができる。これは、第２素子４に意図せず受光されることを抑制するのに好ましい。
＜第４実施形態＞
図３８は、本開示の第４実施形態に係る受発光装置を示す要部平面図である。本実施形態の受発光装置Ａ４は、第３素子５および遮光層８を備えていない点が、上述した実施形態と異なる。第１素子３および第２素子４の構成や、第１素子３および第２素子４と導電部２の各構成要素との関係は、上述した受発光装置Ａ３と同様である。
また、図示された例においては、第１貫通部２３１の中心を通るｙ方向に平行な中心線Ｏ２３１と、第４貫通部２６１の中心を通るｙ方向に平行な中心線Ｏ２６１と、第２貫通部２３２の中心を通るｙ方向に平行な中心線Ｏ２３２および第５貫通部２６２の中心を通るｙ方向に平行な中心線Ｏ２６２とは、ｘ方向における位置が互いに異なっている。また、中心線Ｏ２３２と中心線Ｏ２６２とは、ｘ方向における位置が同じである。ただし、これらの中心線の位置関係は図示された関係に限定されるものではない。
このような実施形態によっても、第１素子３から発せられた光が、封止樹脂７の表面において反射され、第２素子４に意図せず受光されることを抑制することができる。
＜第４実施形態 第１変形例＞
図３９は、受発光装置Ａ４の第１変形例を示している。本変形例の受発光装置Ａ４１においては、導電部２が共通ワイヤボンディング部２４０を有している。第１ワイヤ６１および第２ワイヤ６２は、共通ワイヤボンディング部２４０にボンディングされている。また、第２部７５は、ｚ方向視において第２ワイヤ６２と重なっている。
また、図示された例においては、第１貫通部２３１の中心を通るｙ方向に平行な中心線Ｏ２３１と、共通貫通部２４６の中心を通るｙ方向に平行な中心線Ｏ２４６とは、ｘ方向における位置が互いに異なっている。ただし、これらの中心線の位置関係は図示された関係に限定されるものではない。
＜第４実施形態 第２変形例＞
図４０は、受発光装置Ａ４の第１変形例を示している。本変形例の受発光装置Ａ４２においては、共通ワイヤボンディング部２４０がｚ方向視において第２部７５と交差しており、第２部７５のｘ方向両側に設けられている。ボンディング部６１１およびボンディング部６２１は、それぞれ第２部７５のｘ方向両側に配置されている。第２部７５は、ｚ方向視において第１ワイヤ６１および第２ワイヤ６２と交差していない。
また、図示された例においては、第１貫通部２３１の中心を通るｙ方向に平行な中心線Ｏ２３１と、共通貫通部２４６の中心を通るｙ方向に平行な中心線Ｏ２４６と、第２貫通部２３２の中心を通るｙ方向に平行な中心線Ｏ２３２および共通貫通部２４６の中心を通るＯ２４６とは、ｘ方向における位置が互いに異なっている。また、中心線Ｏ２３２と中心線Ｏ２４６とは、互いのｘ方向における位置が同じである。ただし、これらの中心線の位置関係は図示された関係に限定されるものではない。
本開示に係る受発光装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本開示に係る受発光装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
以上に述べた実施形態および変形例における各要素の部分的構成は、それぞれが独立して採用されてもよいし、様々に組み合わせて採用されてもよい。部分的構成としては、たとえば、遮光層８の有無および具体的構成、第１部７４の有無および第１部７４の具体的構成、第２部７５の有無および具体的構成、基材１および導電部２の具体的構成、等が挙げられる。
＜駆動回路＞
続いて、上述の実施形態や変形例に係る受発光装置、もしくはその他の受発光装置を駆動するための制御回路について説明する。
図４１は、位置検出システム８００のブロック図である。位置検出システム８００は、位置検出の対象物ＯＢＪの位置ｚを示す位置検出信号ＰＤＥＴを生成する。
位置検出システム８００は、受発光装置８１０、制御回路８２０を備える。受発光装置８１０は、発光素子８１２、第１受光素子ＰＤ１、第２受光素子ＰＤ２、を含む。発光素子８１２の出射光は、対象物ＯＢＪに照射される。第１受光素子ＰＤ１には、発光素子８１２から直接光のみが入射可能であり、対象物ＯＢＪの反射光は入射しないように遮蔽されている。第１受光素子ＰＤ１の出力信号（検出電流）は、対象物ＯＢＪの位置ｚに依存せず、発光素子８１２の出力強度に依存する。
制御回路８２０は、受発光装置８１０を制御し、対象物ＯＢＪの位置ｚを検出する。制御回路８２０は、電流ドライバ８２２、センスアンプ８２４、エラーアンプ８２６、センスアンプ８２８を備える。
電流ドライバ８２２は、発光素子８１２に直流の駆動電流ＩＤＲＶを供給することにより、発光素子８１２を駆動電流ＩＤＲＶに応じた輝度で発光させる。
センスアンプ８２４は、第１受光素子ＰＤ１の出力信号に応じた第１検出信号Ｖｓ１を生成する。第１検出信号Ｖｓ１は、発光素子８１２の発光輝度を表す。
エラーアンプ８２６には、発光素子８１２の発光輝度の目標値ＳＲＥＦが入力される。エラーアンプ８２６は、第１検出信号Ｖｓ１が目標値ＳＲＥＦに近づくように、電流ドライバ８２２の出力ＩＤＲＶをフィードバック制御する。
第２受光素子ＰＤ２には、対象物ＯＢＪの反射光のみが入射可能となっており、第２受光素子ＰＤ２の受光量は、対象物ＯＢＪの位置ｚに応じて変化する。つまり第２受光素子ＰＤ２の出力信号は、対象物ＯＢＪの位置ｚを示す。センスアンプ８２８は、第２受光素子ＰＤ２の出力信号に応じた第２検出信号Ｖｓ２を生成する。かくして制御回路８２０は、第２検出信号Ｖｓ２に応じて位置検出信号ＰＤＥＴを出力することができる。
図４２（ａ）は、図４１の位置検出システム８００の動作を説明する図である。駆動電流ＩＤＲＶは、８２６および電流ドライバ８２２によるフィードバック制御によって、目標値ＳＲＥＦに応じた目標量ＩＲＥＦ（たとえば３０ｍＡ程度）に安定化され、発光素子８１２の発光輝度も一定に保たれる。この状態で対象物ＯＢＪの位置ｚが変化すると、第２受光素子ＰＤ２に入射する対象物ＯＢＪの反射光の量が変化するため、第２検出信号Ｖｓ２が変化する。図４２（ｂ）は、位置ｚと第２検出信号Ｖｓ２の関係を示す図である。位置ｚのある範囲ｚ１～ｚ２において、第２検出信号Ｖｓ２は単調変化しており、したがって第２検出信号Ｖｓ２は、位置ｚと１対１で対応付けることができる。
図４１の位置検出システム８００において、位置検出のＳ／Ｎ比は、駆動電流ＩＤＲＶの量に応じて決まる。したがってＳ／Ｎ比を高く取るためには、駆動電流ＩＤＲＶを大きくすればよいが、駆動電流ＩＤＲＶを大きくしすぎると、消費電力が増大する。また発熱量が増加するため、放熱対策のコストが高くなる。
図４２（ｃ）は、図４１の位置検出システム８００の別の動作を説明する図である。この動作では、駆動電流ＩＤＲＶが時分割でオン、オフされ、オンである検出期間の間に対象物ＯＢＪの位置ｚが検出される。駆動電流ＩＤＲＶの平均量を小さく維持しつつ、オン区間における電流量を増大させることができるため、Ｓ／Ｎ比を高めることができる。ただし、駆動電流ＩＤＲＶのオフ区間ＴＯＦＦは、位置を検出不能であるため、時間的な分解能が低下する。
以下では、駆動電流ＩＤＲＶを小さく維持しつつ、高Ｓ／Ｎ比が得られる制御回路および制御方法について説明する。
図４３は、実施の形態に係る制御回路９００を備える位置検出システム８００の回路図である。位置検出システム８００は、受発光装置８１０および制御回路９００を備える。受発光装置８１０の構成は、図４１のそれと同様である。
制御回路９００は、基準信号発生器９１０、駆動回路９２０、相関検波器９３０、第１検出回路９４０、第２検出回路９５０を備え、ひとつの半導体基板（チップ、ダイ）に集積化された機能ＩＣである。
制御回路９００は、出力（ＯＵＴ）ピン、接地（ＧＮＤ）ピン、フィードバック（ＰＤ１）ピン、センス（ＰＤ２）ピンを備える。ＯＵＴピンは、受発光装置８１０の発光素子８１２のアノードピン（ＬＥＤ）と接続され、ＧＮＤピンは接地され、ＰＤ１ピンは受発光装置８１０の第１受光素子ＰＤ１のカソードピンＰＤ（Ｆ）と接続され、第２受光素子ＰＤ２ピンは、受発光装置８１０の第２受光素子ＰＤ２のカソードピンＰＤ（Ｓ）と接続される。
基準信号発生器９１０は、所定の基準周波数ω０の成分を含む基準信号ＳＲＥＦを生成する。基準周波数ｆ０（＝ω０／２π）、サーボ帯域の１０倍より大きいことが好ましい。第１検出回路９４０は、第１受光素子ＰＤ１の出力電流ＩＰＤ１に応じた第１検出信号（フィードバック信号）ＳＦＢを生成する。また第２検出回路９５０は、第２受光素子ＰＤ２の出力電流ＩＰＤ２に応じた第２検出信号ＳＤＥＴを生成する。第１検出回路９４０および第２検出回路９５０は、電流信号を電圧信号に変換するＩ／Ｖ変換器（トランスインピーダンスアンプ）を含んでもよい。
駆動回路９２０は、第１受光素子ＰＤ１の出力ＩＰＤ１に応じたフィードバック信号ＳＦＢと基準信号ＳＲＥＦが一致するように駆動信号ＩＤＲＶを生成し、発光素子８１２に供給する。駆動回路９２０は、電流ドライバ９２２およびフィードバック回路９２４を含む。フィードバック回路９２４は、フィードバック信号ＳＦＢと基準信号ＳＲＥＦの誤差がゼロに近づくように、電流ドライバ９２２を調節する。これにより、発光素子８１２の発光輝度は、基準信号ＳＲＥＦに応じて変化する。フィードバック回路９２４は、アナログ回路で実装する場合、エラーアンプ（オペアンプ）で構成することができる。またデジタル回路で実装する場合、フィードバック信号ＳＦＢと基準信号ＳＲＥＦの誤差を生成する減算器と、誤差を処理するＰＩ（比例・積分）制御器やＰＩＤ（比例・積分・微分）制御器と、で構成することができる。
相関検波器９３０は、第２検出回路９５０が生成する第２検出信号ＳＤＥＴを、基準信号ＳＲＥＦに含まれる基準周波数ω０の成分を用いて相関検波し、位置検出信号ＰＤＥＴを生成する。
以上が制御回路９００の構成である。続いてその動作を説明する。
図４４は、図４３の位置検出システム８００の動作を説明する図である。基準信号ＳＲＥＦは、直流のベースラインに所定の周波数の正弦波が重畳された波形を有する。駆動回路９２０によるフィードバックによって、発光素子８１２の発光輝度は、基準信号ＳＲＥＦに応じた波形を有する。
フィードバックループの安定化のために、発光素子８１２を、駆動電流ＩＤＲＶに対する発光輝度のリニアリティが高い領域で動作させることが望ましい。この観点において、発光素子８１２は、駆動電流ＩＤＲＶがあるしきい値を下回ると消灯する。そこで駆動電流ＩＤＲＶのボトムが非ゼロとなるように、依り好ましくは発光しきい値より高くなるように、基準信号ＳＲＥＦを生成するとよい。たとえば発光素子８１２の発光しきい値が０．５ｍＡである場合、マージンを考慮して、駆動電流ＩＤＲＶのボトムを１ｍＡとしてもよく、駆動電流ＩＤＲＶを２ｍＡをセンターとして１ｍＡ～３ｍＡの範囲で変化させてもよい。これは図４２（ａ）のＩＲＥＦ＝３０ｍＡの１／１０倍程度であることに留意されたい。
第２受光素子ＰＤ２に入射する光強度Ｉ２（ｔ）は、以下の式で表すことができる。
Ｉ２（ｔ）＝Ａ（ｚ）×Ｉ１（ｔ）
Ｉ１（ｔ）は、発光素子８１２の出射強度であり、Ｉ１＝Ｉ０＋ｃｏｓ（ω０ｔ）で表される。Ａ（ｚ）は、位置ｚに依存する変調信号であり、第２受光素子ＰＤ２の入射光強度Ｉ２（ｔ）は、ｃｏｓ（ω０ｔ）をキャリアとするＡＭ（振幅変調）波と把握される。ｆ０＝ω０／２πは、サーボ帯域に応じて規定すればよく、サーボ帯域の１０倍以上、より好ましくは２０倍以上とするとよい。サーボ帯域を２００Ｈｚがであるとき、ｆ０＝１０ｋＨｚとしてもよい。
相関検波器９３０は、第２検出信号ＳＤＥＴを、基準信号ＳＤＥＴに含まれる所定基準周波数ω０の成分を用いて相関検波し、振幅変調成分Ａ（ｚ）を示す位置検出信号ＰＤＥＴを生成する。
以上が制御回路９００の動作である。この制御回路９００によれば、駆動電流ＩＤＲＶに正弦波を用いることで、駆動電流ＩＤＲＶの平均値を低減できる。
加えて、図４４に示すように、第２検出信号ＳＤＥＴにノイズＮが混入する場合がある。多くの場合ノイズＮの周波数は、ω０と異なっているため、相関検波器９３０によって好適に除去することができる。この制御回路９００によれば、相関検波を利用することによりＳ／Ｎ比を高めることができる。
別の観点から見ると、同じＳ／Ｎ比を得るために必要な駆動電流ＩＤＲＶの量を、従来より小さくすることができ、低消費電力化を図ることができる。
また制御回路９００は、フリッカノイズの耐性が高いという利点を有する。図４５は、フリッカノイズの周波数特性を示す図である。フリッカノイズは、１／ｆノイズとも称され、パワーが周波数ｆに反比例する。図４２（ａ）、（ｂ）に示す方式では、図４５の破線で囲む領域で動作するため、フリッカノイズの影響を受けやすい。これに対して本実施の形態では、周波数ｆ０＝ω０／２πに対応する実線で囲む周波数領域で動作するため、フリッカノイズを低減できる。フリッカノイズの低減を考慮すると、動作周波数ｆ０＝ω０／２πを、１／ｆコーナー周波数ｆｃに近づけることが望ましい。
図４６は、制御回路９００の一実施例を示す回路図である。制御回路９００は、フロントエンドのアナログ回路とバックエンドのデジタル回路のハイブリッドで構成される。
第１検出回路９４０および第２検出回路９５０は、トランスインピーダンスアンプで構成され、オペアンプＯＰ１、抵抗Ｒ１、キャパシタＣ１を含む。
基準信号発生器９１０は、波形発生器９１２、ゲイン回路９１４、オフセット回路９１６、Ｄ／Ａコンバータ９１８を含む。波形発生器９１２は、所定の周波数ω０を有する正弦波ｓｉｎω０ｔおよび余弦波ｃｏｓω０ｔを生成し、一方（この例ではｃｏｓω０ｔ）が基準信号ＳＲＥＦの生成に使用される。ゲイン回路９１４は、余弦波ｃｏｓω０ｔの振幅を設定する。オフセット回路９１６は、余弦波ω０ｔにオフセットＯＦＳ１を加算し、Ｄ／Ａコンバータ９１８はオフセット回路９１６の出力をアナログの基準信号ＳＲＥＦに変換する。
駆動回路９２０は、電流出力型のオペアンプＯＰ２を含む。オペアンプＯＰ２は、図４３の電流ドライバ９２２とフィードバック回路９２４が一体化された回路であり、その出力電流ＩＤＲＶは、フィードバック信号ＳＦＢと基準信号ＳＲＥＦの誤差がゼロに近づくように調節される。
相関検波器９３０は、ローパスフィルタ９３２、Ａ／Ｄコンバータ９３４、減算器９３６、ゲイン回路９３８、乗算器９６０、乗算器９６２、フィルタ９６４、演算器９６６を備える。ローパスフィルタ９３２は、アンチエイリアシングフィルタであり、第２検出信号ＳＤＥＴから不要な周波数帯域（サンプリング周波数の１／２倍以上）の成分を除去する。Ａ／Ｄコンバータ９３４は、ローパスフィルタ９３２の出力をデジタル値の検出信号ＤＤＥＴに変換する。オフセット回路９３６は、検出信号ＤＤＥＴからオフセットＯＦＳ２を減算する。ゲイン回路９３８は、オフセット回路９３６の出力にゲインを乗算する。乗算器９６０，９６２はそれぞれ、ゲイン回路９３８の出力に余弦波ｃｏｓω０ｔ、正弦波ｓｉｎω０ｔを乗算する。フィルタ９６４は、乗算器９６０，９６２の出力それぞれのＤＣ成分α，βを抽出する。演算器９６６は、√（α２＋β２）を計算し、位置検出信号ＰＤＥＴとして出力する。√（α２＋β２）は、振幅成分Ａ（ｚ）を表す。
当業者によれば、制御回路９００の構成が図４６のそれに限定されないことが理解される。
変形例１． たとえば制御回路９００は、フルアナログ回路で実装してもよい。
変形例２． 駆動回路９２０に関して、電流ドライバ９２２をデジタルの電流ＤＡＣで構成し、電流ドライバ９２２をデジタルのフィードバックコントローラで構成してもよい。
制御回路９００、受発光装置８１０のピン配置ならびに位置検出システム８００のレイアウトの好ましい実施例を説明する。
図４７は、一実施例に係る受発光装置８１０および制御回路９００のピン配置を示す図である。
受発光装置８１０のピン配置を説明する。第１受光素子ＰＤ１は、発光素子８１２の出射光を直接受光するのに対して、第２受光素子ＰＤ２は、対象物ＯＢＪの反射光を受光する。そのため、第２受光素子ＰＤ２が生成する第２検出信号ＩＰＤ２の信号強度は微弱であり、ＰＤ（Ｓ）ピンのノイズ耐性は低いと言える。したがってＰＤ（Ｓ）ピンに対するノイズの混入を極力小さくすることが好ましく、特に、第１検出電流ＩＰＤ１と第２検出電流ＩＰＤ２間の結合をなるべく小さくすることが有効である。
受発光装置８１０のピン配置に関して、ＰＤ（Ｆ）とＰＤ（Ｓ）の間にＧＮＤピンを挿入している。さらにＰＤ（Ｆ）ピンとＰＤ（Ｓ）ピンの間には、ＬＥＤピンを挿入し、ＰＤ（Ｆ）ピンとＰＤ（Ｓ）ピンを最も遠ざけている。
制御回路９００は８ピンパッケージであり、制御回路９００と受発光装置８１０は、長辺同士が平行となるように配置される。そして受発光装置８１０のＰＤ（Ｆ），ＧＮＤ，ＬＥＤ，ＰＤ（Ｓ）ピンと接続されるべきＰＤ１，ＧＮＤ，ＯＵＴ，ＰＤ２を、実装時において受発光装置８１０と対向する１辺Ｅ１に沿って配置している。これにより、対応するピン同士の配線距離を最端にすることができる。
制御回路９００の別の一辺Ｅ２には、ホストプロセッサとの通信用のピンや、電源ピンＶＣＣなどが割り当てられる。通信用のピンは、たとえばＩ２Ｃ（Inter IC）インタフェースの場合、クロック（ＳＣＬ）ピンとデータ（ＳＤＡ）ピン）が含まれる。
制御回路９００および受発光装置８１０は、プリント基板上に実装される。図中、ＰＴＮ１～ＰＴＮ４は、プリント基板上の配線パターンを示す。グランドパターンＰＴＮ１は、グランド用のパターンであり、制御回路９００のＧＮＤピンと受発光装置８１０のＧＮＤピンを接続する第１部分ＰＴＮ１ａを含む。
パターンＰＴＮ２は、受発光装置８１０のＰＤ（Ｆ）ピンと制御回路９００のＰＤ１ピンを接続する。パターンＰＴＮ３は、受発光装置８１０のＬＥＤピンと制御回路９００のＯＵＴピンを接続する。パターンＰＴＮ４は、受発光装置８１０のＰＤ（Ｓ）ピンと制御回路９００のＰＤ２ピンを接続する。
グランドパターンＰＴＮ１は、ＯＵＴピンとＰＤ２ピンの間を分離する第２部分ＰＴＮ１ｂを含む。さらにグランドパターンＰＴＮ１は、ＧＮＤピンとＰＤ１ピンの間を分離する第３部分ＰＴＮ１ｃを含む。さらにグランドパターンＰＴＮ１は、長辺Ｅ１に沿うピン群（ＰＤ１，ＧＮＤ，ＯＵＴ，ＰＤ２）と、長辺Ｅ２に沿うピン群の間を分離する第４部分ＰＴＮ１ｄを含む。これにより、望ましくないクロストークを抑制でき、Ｓ／Ｎ比を改善できる。
図４８は、一実施例に係る受発光装置８１０および制御回路９００のピン配置を示す図である。受発光装置８１０のピン配置は図４７と同様である。制御回路９００においてＰＤ１ピンとＰＤ２ピンは、異なる長辺Ｅ１，Ｅ２に設けられる。この例では、ＯＵＴ，ＰＤ１，ＧＮＤピンが、第１の長辺Ｅ１に沿って設けられ、ＰＤ２ピンを含む残りのピンが、第２の長辺Ｅ２に沿って設けられる。図４７と同様に、グランドパターンＰＴＮ１は第１辺Ｅ１に沿うピン群と、第２辺Ｅ２に沿うピン群を分離する部分ＰＴＮ１ｄを含む。これにより、ＰＤ２ピンに対するノイズの混入を防止できる。
また、微弱な電流信号ＩＰＤ２が伝搬するパターンＰＴＮ４と、ノイズ源となりうる電流信号ＩＰＤ１（あるいはＩＤＲＶ）が伝搬するパターンＰＴＮ２（ＰＴＮ３）は、グランドパターンＰＴＮ１の第１部分ＰＴＮ１ａによって分離されるため、Ｓ／Ｎ比を改善できる。
図４９は、一実施例に係る受発光装置８１０および制御回路９００のピン配置を示す図である。受発光装置８１０のピン配置は図４７と同様である。この実施例においてもＰＤ１ピンとＰＤ２ピンは、異なる長辺Ｅ１，Ｅ２に設けられる。この例では、ＰＤ１，ＧＮＤピンが、第１の長辺Ｅ１に沿って設けられ、ＰＤ２ピンおよびＯＵＴピンが、第２の長辺Ｅ２に沿って設けられる。図４８と同様に、グランドパターンＰＴＮ１は第１辺Ｅ１に沿うピン群と、第２辺Ｅ２に沿うピン群を分離する部分ＰＴＮ１ｄを含む。これにより、ＰＤ２ピンに対するノイズの混入を防止できる。
また、グランドパターンＰＴＮ１は、ＰＤ２ピンとＯＵＴピンを分離する部分ＰＴＮ１ｂを含む。これにより、駆動信号ＩＤＲＶが流れるＯＵＴピンから、ＰＤ２ピンへのノイズを遮蔽でき、Ｓ／Ｎ比を改善できる。
（用途）
位置検出システム８００の用途を説明する。位置検出システム８００は、位置決めシステムに用いることができる。図５０は、位置決めシステム７００のブロック図である。たとえば位置決めシステム７００は、カメラ付きの電子機器に搭載され、レンズ７０２の位置決めに用いることができる。レンズ７０２は、撮像素子７０３への入射光路上に設けられている。
位置決めシステム７００は、対象物ＯＢＪであるレンズ７０２、レンズ７０２を位置決めするアクチュエータ７０４と、アクチュエータ７０４を制御するアクチュエータドライバ７１０を備える。
位置決め対象のレンズ７０２は、ＡＦ用のレンズであってもよく、この場合、アクチュエータドライバ７１０は、レンズ７０２をｚ軸方向に位置決めする。受発光装置８１０および制御回路９００からなる位置検出システム８００は、レンズ７０２のｚ軸方向の位置を検出する。
レンズ７０２は、手振れ補正用のレンズであってもよい。この場合、アクチュエータドライバ７１０は、レンズ７０２をｘ軸方向（あるいはｙ軸方向）に位置決めする。受発光装置８１０および制御回路９００からなる位置検出システム８００は、レンズ７０２のｘ軸方向（あるいはｙ軸方向）の位置を検出する。
アクチュエータドライバ７１０は、駆動回路７２０と、フィードバックコントローラ７３０と、上述の制御回路９００を含む。制御回路９００は、レンズ７０２の位置を示す位置検出信号ＰＤＥＴを生成する。アクチュエータドライバ７１０には、外部のプロセッサから、レンズ７０２の目標位置を示す信号ＰＲＥＦが与えられる。フィードバックコントローラ７３０は、位置検出信号ＰＤＥＴと位置目標信号ＰＲＥＦの誤差がゼロに近づくように、駆動制御信号を生成する。駆動回路７２０は、駆動制御信号に応じた駆動電流をアクチュエータ７０４に供給する。
従来のＡＦシステムやＯＩＳ（手ブレ補正）システムでは、レンズ７０２の位置検出に、磁気的手段を用いていたが、微弱な磁気信号を用いるため、Ｓ／Ｎ比が低く、またバラツキの影響を受けやすいという問題があった。その代替として、本実施の形態に係る位置検出システム８００を用いることで、レンズ７０２の位置を高速かつ正確に検出でき、ＡＦやＯＩＳの制御速度を高めることができる。
なお位置検出システム８００の用途は、レンズの位置決めには限定されない。
〔付記１〕
基材と、
前記基材に形成された導電部と、
前記基材に搭載され且つ光を発する第１素子と、
前記基材に搭載され且つ前記第１素子から発せられた光を受光する第２素子と、
前記第１素子および前記第２素子を覆い且つ前記第１素子から発せられた光を透過する封止樹脂と、を備えており、
前記第１素子および前記第２素子は、前記基材の厚さ方向と直角である第１方向において互いに離間して配置されており、
前記第１方向において前記第１素子を挟んで前記第２素子とは反対側に配置され且つ前記第１素子からの光を受光する第３素子と、
前記封止樹脂のうち前記厚さ方向視において前記第３素子に重なる被覆部に形成され且つ前記封止樹脂よりも光の透過率が低い材質からなる遮光層と、を備える、受発光装置。
〔付記２〕
前記遮光層は、前記厚さ方向視において前記第３素子のすべてと重なる、付記１に記載の受発光装置。
〔付記３〕
前記被覆部は、平坦な面である、付記１または２に記載の受発光装置。
〔付記４〕
前記導電部は、前記第３素子が搭載された第３ダイボンディング部を有しており、
前記遮光層は、前記厚さ方向視において、前記第３ダイボンディング部と重なる、付記１ないし３のいずれかに記載の受発光装置。
〔付記５〕
前記封止樹脂は、前記第１素子からの光を出射させる出射部と、前記被覆部の前記出射部側の境界に位置する第１部と、を有している、付記１ないし４のいずれかに記載の受発光装置。
〔付記６〕
前記遮光層は、前記第１部と一致する端縁を有する、付記５に記載の受発光装置。
〔付記７〕
前記遮光層は、前記端縁に繋がる凸形状の曲面を有する、付記６に記載の受発光装置。
〔付記８〕
前記第１部は、互いのなす角が１８０°を超える面の境界からなる第１角部を含む、付記５ないし７のいずれかに記載の受発光装置。
〔付記９〕
前記第１部は、複数の前記第１角部を含む、付記８に記載の受発光装置。
〔付記１０〕
前記封止樹脂は、前記第１素子からの光を出射させる出射部と、前記第２素子への光を入射させる入射部と、前記出射部および前記入射部の間に位置し且つ内部からの光の反射率が前記出射部よりも低い第２部と、を有する、付記１に記載の受発光装置。
〔付記１１〕
前記導電部は、前記第１素子が搭載された第１ダイボンディング部と、前記第２素子が搭載された第２ボンディング部と、を有しており、
前記第２部は、前記厚さ方向視において前記第１ダイボンディング部および前記第２ボンディング部の少なくともいずれかと重なる、付記１０に記載の受発光装置。
〔付記１２〕
前記第２部は、前記厚さ方向視において前記第１ダイボンディング部および前記第２ボンディング部の双方に重なる、付記１１に記載の受発光装置。
〔付記１３〕
前記第２素子に接続された第２ワイヤを備え、
前記導電部は、前記第２ワイヤがボンディングされたワイヤボンディング部を有しており、
前記第２部は、前記厚さ方向視において前記第２ワイヤと重なる、付記１０ないし１２のいずれかに記載の受発光装置。
〔付記１４〕
前記第２部は、前記厚さ方向視において前記ワイヤボンディング部と重なる、付記１３に記載の受発光装置。
〔付記１５〕
前記第２部は、前記出射部および前記入射部から前記厚さ方向に凹む溝状である、付記１０ないし１４のいずれかに記載の受発光装置。
〔付記１６〕
前記第２部は、前記出射部および前記入射部よりも粗い面である、付記１０ないし１５のいずれかに記載の受発光装置。
〔付記１７〕
前記第２部は、前記厚さ方向および前記第１方向と直角である第２方向において前記封止樹脂の両端に到達している、付記１０ないし１６のいずれかに記載の受発光装置。
Ａ１，Ａ１１，Ａ１２，Ａ１３，Ａ１４，Ａ１６，Ａ１７，Ａ１８，Ａ１９，Ａ１ａ，Ａ２，Ａ３，Ａ４，Ａ４１，Ａ４２：受発光装置
１ ：基材
２ ：導電部
３ ：第１素子
４ ：第２素子
５ ：第３素子
７ ：封止樹脂
８ ：遮光層
１０ ：基板材料
１１ ：主面
１２ ：裏面
１３ ：側面
１４ ：端面
３１ ：第１電極
３２ ：第４電極
３９ ：第１導電接合材
４１ ：第２電極
４２ ：受光部
４９ ：第２導電接合材
５１ ：第３電極
５２ ：受光部
５９ ：第３導電接合材
６１ ：第１ワイヤ
６２ ：第２ワイヤ
６３ ：第３ワイヤ
７１ ：出射部
７２ ：入射部
７３ ：被覆部
７４ ：第１部
７５ ：第２部
８０ ：端縁
８１ ：曲面
２１１ ：第１ダイボンディング部
２１２ ：第２ボンディング部
２１３ ：第３ダイボンディング部
２２１ ：第１延出部
２２２ ：第２延出部
２２３ ：第３延出部
２３１ ：第１貫通部
２３２ ：第２貫通部
２３３ ：第３貫通部
２４０ ：共通ワイヤボンディング部
２４１ ：共通第１部
２４２ ：共通第２部
２４３ ：共通第３部
２４４ ：共通第４部
２４５ ：共通延出部
２４６ ：共通貫通部
２５１ ：第１ワイヤボンディング部
２５２ ：第２ワイヤボンディング部
２５３ ：第３ワイヤボンディング部
２６１ ：第４貫通部
２６２ ：第５貫通部
２６３ ：第６貫通部
２７１ ：第１実装電極
２７２ ：第２実装電極
２７３ ：第３実装電極
２７４ ：第４実装電極
２７５ ：第５実装電極
２７６ ：第６実装電極
３１１ ：第１基板
３１２ ：第１金属層
３１３ ：第１半導体層
３１４ ：第２半導体層第１電極
３１４ ：第２半導体層
３１５ ：発光層
３１６ ：第３半導体層
３１６ ：第３半導体層第１電極
３５１ ：第２基板
３５２ ：第４半導体層
３５３ ：活性層
３５４ ：第５半導体層
３５５ ：電流狭窄層
３５６ ：絶縁層
３５７ ：導電層
３６０ ：発光領域
６１１，６２１，６３１：ボンディング部
７４１ ：第１角部
７４２ ：第２角部
７４３ ：側面
７４４ ：底面
７４５ ：頂面
７５１ ：溝部
７５２ ：底面
７５３ ：側面
２１１１ ：凹部
２３１０ ：貫通孔
２３１１ ：第１露出面
２３１２ ：底面
２３１３ ：天面
２３２１ ：第２露出面
２３３１ ：第３露出面
２４６１ ：共通露出面
３５５１，３５６１，３５７１：開口
Ｈ，Ｈ’，Ｈ３，Ｈ４，Ｈ５：高さ
Ｏ２３１，Ｏ２３２，Ｏ２３３，Ｏ２４６，Ｏ２６１，Ｏ２６２，Ｏ２７５，Ｏ２７６，Ｏ３１，Ｏ６１１：中心線
Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３：領域
ｘ１，ｙ１：寸法
α ：角度
８００ ：位置検出システム
ＯＢＪ ：対象物
８０２ ：アクチュエータ
８１０ ：受発光装置
８１２ ：発光素子
ＰＤ１ ：第１受光素子
ＰＤ２ ：第２受光素子
８２０ ：制御回路
８２２ ：電流ドライバ
８２４ ：センスアンプ
８２６ ：エラーアンプ
８２８ ：センスアンプ
９００ ：制御回路
９１０ ：基準信号発生器
９１２ ：波形発生器
９１４ ：ゲイン回路
９１６ ：オフセット回路
９１８ ：Ｄ／Ａコンバータ
９２０ ：駆動回路
９２２ ：電流ドライバ
９２４ ：フィードバック回路
９３０ ：相関検波器
９３２ ：ローパスフィルタ
９３４ ：Ａ／Ｄコンバータ
９３６ ：オフセット回路
９３８ ：ゲイン回路
９６０ ：乗算器
９６２ ：乗算器
９６４ ：フィルタ
９６６ ：演算器
９４０ ：第１検出回路
９５０ ：第２検出回路

Claims (14)

  1. 発光素子と、前記発光素子により発生された光を受けるように配置された第１受光素子と、前記発光素子により発生された光にもとづく対象物の反射光を受けるように配置された第２受光素子と、を含む受発光装置の制御回路であって、
    所定の基準周波数の成分を含む基準信号を生成する基準信号発生器と、
    前記第１受光素子の出力に応じたフィードバック信号と前記基準信号が一致するように、前記発光素子に駆動信号を供給する駆動回路と、
    前記第２受光素子の出力を、前記基準周波数の成分を用いて相関検波する検波回路と、
    を備え、
    前記基準信号発生器は、
    所定の周波数を有する正弦波および余弦波を生成する波形発生器と、
    前記正弦波および前記余弦波の一方にオフセットを加算する第１オフセット回路と、
    を含み、前記基準信号は、前記第１オフセット回路の出力にもとづいており、
    前記検波回路は、
    前記第２受光素子の出力からオフセットを減算する第２オフセット回路と、
    前記第２オフセット回路の出力に、前記正弦波を乗算する第１乗算器と、
    前記第２オフセット回路の出力に、前記余弦波を乗算する第２乗算器と、
    前記第１乗算器と前記第２乗算器それぞれの出力のＤＣ成分α、βを抽出するフィルタと、
    √（α２＋β２）を計算する演算器と、
    を含むことを特徴とする制御回路。
  2. 前記駆動信号のレベルは、前記発光素子の輝度が非ゼロとなる範囲で規定されることを特徴とする請求項１に記載の制御回路。
  3. 前記検波回路は、前記第２受光素子と前記第２オフセット回路の間に設けられたローパスフィルタをさらに含むことを特徴とする請求項１または２に記載の制御回路。
  4. 前記第１受光素子の出力を電圧信号の前記フィードバック信号に変換する第１トランスインピーダンスアンプを含む第１検出回路と、
    前記第２受光素子の出力電流を電圧信号に変換する第２トランスインピーダンスアンプを含む第２検出回路と、
    をさらに備えることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の制御回路。
  5. 前記駆動回路は、非反転入力端子に前記基準信号を受け、反転入力端子に前記フィードバック信号を受け、出力端子と前記反転入力端子の間にキャパシタが接続されたオペアンプを含むことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の制御回路。
  6. 前記駆動回路は、前記基準信号のＤＣレベルを調節可能に構成されることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の制御回路。
  7. 前記制御回路は、
    前記発光素子と接続されるべき出力ピンと、
    前記第１受光素子と接続されるべき第１ピンと、
    前記第２受光素子と接続されるべき第２ピンと、
    接地されるべき接地ピンと、
    を有し、
    前記第１ピンと前記第２ピンは、前記制御回路のパッケージの同一の辺に隣接しないように設けられることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の制御回路。
  8. 前記制御回路は、
    前記発光素子と接続されるべき出力ピンと、
    前記第１受光素子と接続されるべき第１ピンと、
    前記第２受光素子と接続されるべき第２ピンと、
    接地されるべき接地ピンと、
    を有し、
    前記第１ピンと前記第２ピンは、前記制御回路のパッケージの対向する異なる辺に設けられることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の制御回路。
  9. 受発光装置と、
    請求項１から８のいずれかに記載の制御回路と、
    を備え、
    前記受発光装置は、
    基材と、
    前記基材に形成された導電部と、
    前記基材に搭載され且つ光を発する前記発光素子と、
    前記基材に搭載され且つ前記発光素子から発せられた光を受光する前記第２受光素子と、
    前記発光素子および前記第２受光素子を覆い且つ前記発光素子から発せられた光を透過する封止樹脂と、を備えており、
    前記発光素子および前記第２受光素子は、前記基材の厚さ方向と直角である第１方向において互いに離間して配置されており、
    前記第１方向において前記発光素子を挟んで前記第２受光素子とは反対側に配置され且つ前記発光素子からの光を受光する前記第１受光素子と、
    前記封止樹脂のうち前記厚さ方向視において前記第１受光素子に重なる被覆部に形成され且つ前記封止樹脂よりも光の透過率が低い材質からなる遮光層と、を備える、位置検出装置。
  10. 前記遮光層は、前記厚さ方向視において前記第１受光素子のすべてと重なる、請求項９に記載の位置検出装置。
  11. 前記被覆部は、平坦な面である、請求項９または１０に記載の位置検出装置。
  12. 前記導電部は、前記第１受光素子が搭載された第３ダイボンディング部を有しており、
    前記遮光層は、前記厚さ方向視において、前記第３ダイボンディング部と重なる、請求項９から１１のいずれかに記載の位置検出装置。
  13. 前記封止樹脂は、前記発光素子からの光を出射させる出射部と、前記被覆部の前記出射部側の境界に位置する第１部と、を有している、請求項９から１２のいずれかに記載の位置検出装置。
  14. 撮像素子と、
    前記撮像素子の入射光路上に設けられたレンズと、
    前記レンズを位置決めするアクチュエータと、
    前記アクチュエータを制御するアクチュエータドライバと、
    受発光装置と、
    を備え、
    前記アクチュエータドライバは、前記受発光装置を制御する請求項１から８のいずれかに記載の制御回路を含むことを特徴とする撮像装置。
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