JP7335963B2 - 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法に関する。

化学増幅型レジスト組成物は、活性光線又は放射線の照射により露光部に酸を生成させ、この酸を触媒とする反応によって、活性光線又は放射線の照射部と非照射部の現像液に対する溶解性を変化させ、パターンを基板上に形成させるパターン形成材料である。

例えば、従来、特定のポジ型レジスト組成物を用いて膜厚１μｍ以上の厚膜レジスト膜を形成し、厚膜レジスト膜を選択的に露光後、厚膜レジスト膜を現像して、３次元パターンを形成するパターン形成方法が知られている（特許文献１参照）。

国際公開第２０１７／０５７２２６号公報

近年、各種電子デバイスの高機能化が求められており、それに伴い、微細加工に用いられるレジストパターンのより一層の特性向上が求められている。
このような中で、本発明者らは、従来の厚膜レジスト膜形成用のレジスト組成物について検討したところ、特に断面形状のアスペクト比（パターンの線幅又はパターンのスペース幅とパターンの膜厚の比、即ち、（パターンの膜厚）／（パターンの線幅又はパターンのスペース幅））が非常に大きいパターンを形成する場合、そのパターンの断面形状（特に、パターントップの形状）に関して、改善の余地があることを見出した。
厚膜レジスト膜形成用レジスト組成物を用いて、厚膜レジスト膜を形成する場合、高温での露光前加熱（ＰｒｅＢａｋｅ）に晒されることがしばしばあり、かかる状況においても断面形状の矩形性に非常に優れたパターンを形成することが求められている。

本発明の課題は、厚膜の（例えば、１μｍ以上の厚さを有する）感活性光線性感放射線性膜から断面形状のアスペクト比が非常に高い（例えば、５以上）パターンを形成する場合においても、断面形状の矩形性に非常に優れたパターンを形成可能な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物により形成される感活性光線性又は感放射線性膜、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いたパターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法を提供することにある。

本発明者らは鋭意検討の結果、酸拡散制御剤のハンセン溶解度パラメーターと上記樹脂のハンセン溶解度パラメーターの差の絶対値が５ＭＰａ^０．５以下としつつ、特定の酸拡散制御剤を感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物中に用いることにより、厚膜のレジスト膜の形成に用いられた場合において、パターンの断面形状の矩形性に優れることを見出した。
すなわち、本発明者らは、以下の構成により上記課題を達成することができることを見出した。
＜１＞
酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂、
活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び
酸拡散制御剤を含む感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、
上記組成物が、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチル、３－エトキシプロピオン酸エチル、２－ヘプタノン、３－メトキシプロピオン酸メチル、酢酸３－メトキシブチル、及び酢酸ブチルからなる群より選ばれる少なくとも１種の溶剤を含み、
上記酸拡散制御剤の分子量が２００以上であり、上記酸拡散制御剤が下記一般式（Ｑ－１）又は下記一般式（Ｑ－２）で表される化合物であり、
上記酸拡散制御剤のハンセン溶解度パラメーターが１５～３０ＭＰａ^０．５であり、
上記酸拡散制御剤のハンセン溶解度パラメーターと上記樹脂のハンセン溶解度パラメーターの差の絶対値が、５ＭＰａ^０．５以下である、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

一般式（Ｑ－１）中、
Ｒ_１～Ｒ_３は、それぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。Ｒ_１～Ｒ_２が結合して環構造（但し、芳香環構造を除く）を形成してもよい。
Ｘｑは、－ＮＲ_Ｎ－、－Ｓ－、又は－Ｏ－を表す。Ｒ_Ｎは水素原子又は１価の有機基を表す。
一般式（Ｑ－２）中、
Ｒ_４、Ｒ_５は、それぞれ独立に置換基を表す。
Ｘｒは、－ＮＲ_Ｎ１－、－Ｓ－、又は－Ｏ－を表す。Ｒ_Ｎ１は水素原子又は１価の有機基を表す。
ｐは０～４の整数を示す。また、ｐが２以上の場合、複数のＲ_４が結合して環構造を形成してもよい。
＜２＞
上記樹脂が、アセタール構造を有さない＜１＞に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
＜３＞
Ｒ_１～Ｒ_３、及びＲ_Ｎの少なくとも一つが、下記一般式（Ｑ－３）で表される基である、＜１＞又は＜２＞に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

一般式（Ｑ－３）中、Ｒ_６は、水素原子又は置換基を表す。
ｍは、１以上の整数を表す。
ｐは、１以上の整数を表す。ただし、ｍとｐは異なる整数を表す。
ｍ１は、１以上の整数を表す。
ｐ１は、０以上の整数を表す。
*は、結合手を表す。
＜４＞
Ｒ_４～Ｒ_５、Ｒ_Ｎ１の少なくとも一つが、下記一般式（Ｑ－３）で表される基である、＜１＞又は＜２＞に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

一般式（Ｑ－３）中、Ｒ_６は、水素原子又は置換基を表す。
ｍは、１以上の整数を表す。
ｐは、１以上の整数を表す。ただし、ｍとｐは異なる整数を表す。
ｍ１は、１以上の整数を表す。
ｐ１は、０以上の整数を表す。
*は、結合手を表す。
＜５＞
Ｒ_１～Ｒ_３、及びＲ_Ｎの少なくとも一つが、下記一般式（Ｑ－４）又は下記一般式（Ｑ－５）で表される基である、＜１＞～＜３＞のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

一般式（Ｑ－４）中、
Ｒ_７は、水素原子又は置換基を表す。
ｎは、１以上の整数を表す。
*は、結合手を表す。
一般式（Ｑ－５）中、
Ｒ_８は、水素原子又は置換基を表す。
ｎ１は、０以上の整数を表す。
ｎ２は、１以上の整数を表す。
*は、結合手を表す。
＜６＞
Ｒ_４～Ｒ_５、Ｒ_Ｎ１の少なくとも一つが、下記一般式（Ｑ－４）又は下記一般式（Ｑ－５）で表される基である、＜１＞～＜２＞、＜４＞のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

一般式（Ｑ－４）中、
Ｒ_７は、水素原子又は置換基を表す。
ｎは、１以上の整数を表す。
*は、結合手を表す。
一般式（Ｑ－５）中、
Ｒ_８は、水素原子又は置換基を表す。
ｎ１は、０以上の整数を表す。
ｎ２は、１以上の整数を表す。
*は、結合手を表す。
＜７＞
以下の式で表される、上記樹脂に対する上記酸拡散制御剤の質量比率が、０．１以下である、＜１＞～＜６＞のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
質量比率＝（酸拡散制御剤の含有量）/（樹脂の含有量）
＜８＞
上記活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物の含有量が、上記組成物の全固形分を基準として、２０質量％未満である、＜１＞～＜７＞のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
＜９＞
上記組成物の固形分濃度が１０質量％以上である、＜１＞～＜８＞のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
＜１０＞
上記酸拡散制御剤のハンセン溶解度パラメーターが１８ＭＰａ^０．５以上２２ＭＰａ^０．５以下である、＜１＞～＜９＞のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
＜１１＞
支持体上に、＜１＞～＜１０＞のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって、感活性光線性又は感放射線性膜を形成する工程、
上記感活性光線性又は感放射線性膜に活性光線又は放射線を照射する工程、及び、
上記活性光線又は放射線が照射された感活性光線性又は感放射線性膜を、現像液を用いて現像する工程、を有するパターン形成方法。
＜１２＞
＜１１＞に記載のパターン形成方法を含む電子デバイスの製造方法。
本発明は、上記＜１＞～＜１２＞に係る発明であるが、以下、それ以外の事項（例えば、下記［１］～［１３］）についても記載している。

［１］
酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂、
活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び
酸拡散制御剤を含む感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、
上記酸拡散制御剤の分子量が２００以上であり、上記酸拡散制御剤が下記一般式（Ｑ－１）又は下記一般式（Ｑ－２）で表される化合物であり、
上記酸拡散制御剤のハンセン溶解度パラメーターと上記樹脂のハンセン溶解度パラメーターの差の絶対値が、５ＭＰａ^０．５以下である、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

一般式（Ｑ－１）中、
Ｒ_１～Ｒ_３は、それぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。Ｒ_１～Ｒ_２が結合して環構造（但し、芳香環構造を除く）を形成してもよい。
Ｘｑは、－ＮＲ_Ｎ－、－Ｓ－、又は－Ｏ－を表す。Ｒ_Ｎは水素原子又は１価の有機基を表す。
一般式（Ｑ－２）中、
Ｒ_４、Ｒ_５は、それぞれ独立に置換基を表す。
Ｘｒは、－ＮＲ_Ｎ１－、－Ｓ－、又は－Ｏ－を表す。Ｒ_Ｎ１は水素原子又は１価の有機基を表す。
ｐは０～４の整数を示す。また、ｐが２以上の場合、複数のＲ_４が結合して環構造を形成してもよい。

［２］
上記樹脂が、アセタール構造を有さない［１］に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

［３］
Ｒ_１～Ｒ_３、及びＲ_Ｎの少なくとも一つが、下記一般式（Ｑ－３）で表される基である、［１］又は［２］に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

一般式（Ｑ－３）中、Ｒ_６は、水素原子又は置換基を表す。
ｍは、１以上の整数を表す。
ｐは、１以上の整数を表す。ただし、ｍとｐは異なる整数を表す。
ｍ１は、１以上の整数を表す。
ｐ１は、０以上の整数を表す。
*は、結合手を表す。

［４］
Ｒ_４～Ｒ_５、Ｒ_Ｎ１の少なくとも一つが、下記一般式（Ｑ－３）で表される基である、［１］又は［２］に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

一般式（Ｑ－３）中、Ｒ_６は、水素原子又は置換基を表す。
ｍは、１以上の整数を表す。
ｐは、１以上の整数を表す。ただし、ｍとｐは異なる整数を表す。
ｍ１は、１以上の整数を表す。
ｐ１は、０以上の整数を表す。
*は、結合手を表す。

［５］
Ｒ_１～Ｒ_３、及びＲ_Ｎの少なくとも一つが、下記一般式（Ｑ－４）又は下記一般式（Ｑ－５）で表される基である、［１］～［３］のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

一般式（Ｑ－４）中、
Ｒ_７は、水素原子又は置換基を表す。
ｎは、１以上の整数を表す。
*は、結合手を表す。
一般式（Ｑ－５）中、
Ｒ_８は、水素原子又は置換基を表す。
ｎ１は、０以上の整数を表す。
ｎ２は、１以上の整数を表す。
*は、結合手を表す。

［６］
Ｒ_４～Ｒ_５、Ｒ_Ｎ１の少なくとも一つが、下記一般式（Ｑ－４）又は下記一般式（Ｑ－５）で表される基である、［１］～［２］、［４］のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

一般式（Ｑ－４）中、
Ｒ_７は、水素原子又は置換基を表す。
ｎは、１以上の整数を表す。
*は、結合手を表す。
一般式（Ｑ－５）中、
Ｒ_８は、水素原子又は置換基を表す。
ｎ１は、０以上の整数を表す。
ｎ２は、１以上の整数を表す。
*は、結合手を表す。

［７］
以下の式で表される、上記樹脂に対する上記酸拡散制御剤の質量比率が、０．１以下である、［１］～［６］のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
質量比率＝（酸拡散制御剤の含有量）/（樹脂の含有量）

［８］
上記活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物の含有量が、上記組成物の全固形分を基準として、２０質量％未満である、［１］～［７］のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
［９］
上記組成物の固形分濃度が１０質量％以上である、［１］～［８］のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。

［１０］
上記酸拡散制御剤のハンセン溶解度パラメーターが１８ＭＰａ^０．５以上２２ＭＰａ^０．５以下である、［１］～［９］のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
［１１］
［１］～［１０］のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて形成された感活性光線性又は感放射線性膜。

［１２］
支持体上に、［１］～［１０］のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって、感活性光線性又は感放射線性膜を形成する工程、
上記感活性光線性又は感放射線性膜に活性光線又は放射線を照射する工程、及び、
上記活性光線又は放射線が照射された感活性光線性又は感放射線性膜を、現像液を用いて現像する工程、を有するパターン形成方法。
［１３］
［１２］に記載のパターン形成方法を含む電子デバイスの製造方法。

本発明によれば、厚膜の感活性光線性感放射線性膜から断面形状のアスペクト比が非常に高い（例えば、５以上）パターンを形成する場合においても、断面形状の矩形性に非常に優れたパターンを形成可能な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物により形成される感活性光線性又は感放射線性膜、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いたパターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法を提供することができる。

以下、本発明について詳細に説明する。
以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されない。
本明細書中における「活性光線」又は「放射線」とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）、Ｘ線、軟Ｘ線、及び電子線（ＥＢ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂｅａｍ）等を意味する。本明細書中における「光」とは、活性光線又は放射線を意味する。本明細書中における「露光」とは、特に断らない限り、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線、Ｘ線、及びＥＵＶ等による露光のみならず、電子線、及びイオンビーム等の粒子線による描画も含む。
本明細書において、「～」とはその前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用される。

本明細書において、（メタ）アクリレートはアクリレート及びメタクリレートの少なくとも１種を表す。また（メタ）アクリル酸はアクリル酸及びメタクリル酸の少なくとも１種を表す。
本明細書において、樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）、数平均分子量（Ｍｎ）、及び分散度（分子量分布ともいう）（Ｍｗ／Ｍｎ）は、ＧＰＣ（Ｇｅｌ Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）装置（東ソー株式会社製ＨＬＣ－８１２０ＧＰＣ）によるＧＰＣ測定（溶剤：テトラヒドロフラン、流量（サンプル注入量）：１０μＬ、カラム：東ソー株式会社製ＴＳＫ ｇｅｌ Ｍｕｌｔｉｐｏｒｅ ＨＸＬ－Ｍ、カラム温度：４０℃、流速：１．０ｍＬ／分、検出器：示差屈折率検出器（Ｒｅｆｒａｃｔｉｖｅ Ｉｎｄｅｘ Ｄｅｔｅｃｔｏｒ））によるポリスチレン換算値として定義される。

本明細書中における基（原子団）の表記について、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さない基と共に置換基を有する基をも包含する。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有するアルキル基（置換アルキル基）をも包含する。また、本明細書中における「有機基」とは、少なくとも１個の炭素原子を含む基をいう。

また、本明細書において、「置換基を有していてもよい」というときの置換基の種類、置換基の位置、及び置換基の数は特に制限されない。置換基の数は例えば、１つ、２つ、３つ、又はそれ以上であってもよい。置換基の例としては水素原子を除く１価の非金属原子団を挙げることができ、例えば、以下の置換基Ｔから選択できる。

（置換基Ｔ）
置換基Ｔとしては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等のハロゲン原子；メトキシ基、エトキシ基及びｔｅｒｔ－ブトキシ基等のアルコキシ基；フェノキシ基及びｐ－トリルオキシ基等のアリールオキシ基；メトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基及びフェノキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；アセトキシ基、プロピオニルオキシ基及びベンゾイルオキシ基等のアシルオキシ基；アセチル基、ベンゾイル基、イソブチリル基、アクリロイル基、メタクリロイル基及びメトキサリル基等のアシル基；メチルスルファニル基及びｔｅｒｔ－ブチルスルファニル基等のアルキルスルファニル基；フェニルスルファニル基及びｐ－トリルスルファニル基等のアリールスルファニル基；アルキル基；シクロアルキル基；アリール基；ヘテロアリール基；水酸基；カルボキシ基；ホルミル基；スルホ基；シアノ基；アルキルアミノカルボニル基；アリールアミノカルボニル基；スルホンアミド基；シリル基；アミノ基；モノアルキルアミノ基；ジアルキルアミノ基；アリールアミノ基；並びにこれらの組み合わせが挙げられる。

本明細書において、「質量％」と「重量％」とは同義であり、「質量部」と「重量部」とは同義である。

〔感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物〕
本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物（以下、「本発明の組成物」ともいう）は、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び酸拡散制御剤を含む感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、上記酸拡散制御剤の分子量が２００以上であり、上記酸拡散制御剤が下記一般式（Ｑ－１）又は下記一般式（Ｑ－２）で表される化合物であり、上記酸拡散制御剤のハンセン溶解度パラメーターと上記樹脂のハンセン溶解度パラメーターの差の絶対値が５ＭＰａ^０．５以下である、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物である。

一般式（Ｑ－１）中、
Ｒ_１～Ｒ_３は、それぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。Ｒ_１～Ｒ_２が結合して環構造（但し、芳香環構造を除く）を形成してもよい。
Ｘｑは、－ＮＲ_Ｎ－、－Ｓ－、又は－Ｏ－を表す。Ｒ_Ｎは水素原子又は１価の有機基を表す。
一般式（Ｑ－２）中、
Ｒ_４、Ｒ_５は、それぞれ独立に置換基を表す。
Ｘｒは、－ＮＲ_Ｎ１－、－Ｓ－、又は－Ｏ－を表す。Ｒ_Ｎ１は水素原子又は１価の有機基を表す。
ｐは０～４の整数を示す。また、ｐが２以上の場合、複数のＲ_４が結合して環構造を形成してもよい。

本発明の組成物は、レジスト組成物であることが好ましく、ポジ型のレジスト組成物であっても、ネガ型のレジスト組成物であってもよい。また、アルカリ現像用のレジスト組成物であっても、有機溶剤現像用のレジスト組成物であってもよい。なかでも、ポジ型のレジスト組成物であることが好ましく、アルカリ現像用のレジスト組成物であることが好ましい。
また、本発明の組成物は、化学増幅型のレジスト組成物であることが好ましく、化学増幅型のポジ型レジスト組成物であることがより好ましい。

＜酸拡散制御剤＞
本発明に用いる酸拡散制御剤は、分子量が２００以上であり、上記一般式（Ｑ－１）又は上記一般式（Ｑ－２）で表される化合物であり、酸拡散制御剤のハンセン溶解度パラメーターと後述の酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂のハンセン溶解度パラメーターの差が、５ＭＰａ^０．５以下である、酸拡散制御剤である。

上述の通り、断面形状のアスペクト比は、パターンの線幅又はパターンのスペース幅とパターンの膜厚の比、即ち、（パターンの膜厚）／（パターンの線幅又はパターンのスペース幅）を表す。
本発明者らは、鋭意検討の結果、酸拡散制御剤として用いる上記一般式（Ｑ－１）又は（Ｑ－２）で表される化合物の分子量を２００以上とし、かつ、酸拡散制御剤のハンセン溶解度パラメーターと酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂のハンセン溶解度パラメーターの差の絶対値を５ＭＰａ^０．５以下とすることにより、厚膜の（例えば、１μｍ以上の厚さを有する）感活性光線性感放射線性膜から断面形状のアスペクト比が非常に高い（例えば、５以上）パターンを形成する場合においても、断面形状の矩形性に非常に優れたパターンを形成できることを見出した。
このような断面形状の矩形性に非常に優れたパターンを形成できるメカニズムとしては、詳細は明らかになっていないが、本発明者らは以下のように推定している。
先ず、感活性光線性感放射線性膜は、典型的には、基板上に感活性光線性感放射線性組成物を塗布して得られる塗布膜中の溶剤を揮発させることにより、形成されるものであるが、溶剤の揮発過程においては、上記塗布膜の表層から順次溶剤が揮発するものと考えられる。そのため、溶剤の揮発過程の初期から中期にかけては、塗布膜の表層において樹脂の濃度がより高くなっているものと考えられる。
ここで、本発明の組成物においては、酸拡散制御剤のハンセン溶解度パラメーターと酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂のハンセン溶解度パラメーターの差の絶対値が５ＭＰａ^０．５以下であるため、酸拡散制御剤と樹脂との親和性は大きいものと考えられる。
よって、塗布膜の表層においては、樹脂の濃度のみならず、樹脂との親和性が高い酸拡散制御剤の濃度もより高くなっており、その後、溶剤の揮発過程を終え、感活性光線性感放射線性膜が形成されても、樹脂及び酸拡散制御剤の膜表面側への上記偏在は、ある程度、維持されているものと考えられる。
ところで、アスペクト比が非常に高い（例えば、５以上）パターンを形成しようとする場合、換言すれば、そのパターン形成における露光領域の断面形状のアスペクト比が非常に高い（例えば、５以上）場合、しばしば、感活性光線性感放射線性膜中の、狭く、かつ、深さのある所定領域に対して露光する必要があるが、一般に、光は、膜の深さ方向に進むにつれて減衰する。そのため、膜底部に充分な量の光が到達するような露光量とした場合、かえって、膜の表面側が過露光となる傾向があり、ひいては、膜の表面側において、樹脂と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（酸発生剤）から発生する酸との反応が進行しすぎる結果、得られるパターンの断面形状における矩形性が損なわれる傾向となる。
このような現象は、特に、感活性光線性感放射線性膜の膜厚が厚膜（例えば、１μｍ以上）である場合、光が膜の深部により到達しにくいため、より顕著となっているものと考えられる。
しかしながら、本発明によれば、上述したように、感活性光線性感放射線性膜の膜表面側に、酸拡散制御剤がある程度偏在していることにより、厚膜の感活性光線性感放射線性膜から断面形状のアスペクト比が非常に高いパターンを形成する際に、上述のように、膜の表面側が過露光となったとしても、酸発生剤から発生した過剰の酸は、上記酸拡散制御剤に捕捉される傾向となるため、断面形状の矩形性に非常に優れたパターンを形成できたものと考えられる。
なお、後述するように、露光前に、残存する溶剤を揮発させる等の目的で、感活性光線性感放射線性膜を加熱する場合があり、特に、感活性光線性感放射線性膜の膜厚が厚膜である場合、残存溶剤の量がより多い傾向にあるため、例えば、より高温（例えば、１５０℃程度）による加熱処理を行うことが好ましい場合がある。ここで、酸拡散制御剤として分子量が２００未満の化合物を使用した場合は、このような加熱処理により、酸拡散制御剤が膜表面側に移動しやすくなり過ぎることにより、膜の表面において、酸発生剤から発生した過剰の酸を捕捉する以上の過剰の酸拡散制御剤が偏在する結果、樹脂と酸との反応が所望に行われず、かえって、形成されるパターンの断面形状における矩形性が損なわれる傾向となる。
また、酸拡散制御剤のハンセン溶解度パラメーターと酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂のハンセン溶解度パラメーターの差の絶対値を５ＭＰａ^０．５超過とした場合は、酸拡散制御剤と樹脂との親和性が低く、塗布膜における溶剤の揮発過程を経ても、本発明のような酸拡散制御剤の膜表面側への偏在は起こりにくい。その結果、上述のような、膜の表面側における過露光に伴って酸発生剤から発生した過剰の酸は、未露光部においても、樹脂と反応しやすくなることから、形成されるパターンの断面形状における矩形性が損なわれる傾向となる。

（分子量）
本発明に用いる酸拡散制御剤の分子量は２００以上である。酸拡散制御剤の分子量は、好ましくは２５０以上であり、更に好ましくは３００以上である。
酸拡散制御剤の分子量が２００未満の場合、パターンの断面形状における矩形性を担保することができない。
酸拡散制御剤の分子量の上限値は特に限定されないが、通常、１０００以下であり、６００以下が好ましい。

（一般式（Ｑ－１）又は一般式（Ｑ－２）で表される化合物）
本発明における酸拡散制御剤は、下記一般式（Ｑ－１）又は下記一般式（Ｑ－２）で表される化合物である。

一般式（Ｑ－１）中、
Ｒ_１～Ｒ_３は、それぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。
Ｘｑは、－ＮＲ_Ｎ－、－Ｓ－、又は－Ｏ－を表す。Ｒ_Ｎは水素原子又は１価の有機基を表す。
一般式（Ｑ－２）中、
Ｒ_４、Ｒ_５は、それぞれ独立に置換基を表す。
Ｘｒは、－ＮＲ_Ｎ１－、－Ｓ－、又は－Ｏ－を表す。Ｒ_Ｎ１は水素原子又は１価の有機基を表す。
ｐは０～４の整数を示す。また、ｐが２以上の場合、複数のＲ_４が結合して環構造を形成してもよい。

一般式（Ｑ－１）中、Ｒ_１～Ｒ_３は、それぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。
Ｒ_１～Ｒ_３が置換基を表す場合の置換基中の総炭素数は、特に限定されないが、それぞれ、１～３０であることが好ましく、３～２５であることがより好ましく、５～２０であることが更に好ましい。
置換基としては特に限定されないが、１価の有機基又はニトロ基であることが好ましい。１価の有機基としては、特に限定されないが、例えば、アルキル基（直鎖状でも分岐鎖状でもよく、炭素数１～２０であることが好ましく、炭素数３～１５であることがより好ましい）、アルコキシ基（直鎖状でも分岐鎖状でもよく、炭素数１～２０であることが好ましく、炭素数３～１５であることがより好ましく、炭素数５～１０であることが更に好ましい）、アルキルカルボニル基（直鎖状でも分岐鎖状でもよく、炭素数２～２０であることが好ましく、炭素数４～１５であることがより好ましく、炭素数６～１０であることが更に好ましい）、アルキルカルボニルオキシ基（直鎖状でも分岐鎖状でもよく、炭素数２～２０であることが好ましく、炭素数４～１５であることがより好ましく、炭素数６～１０であることが更に好ましい）、アルキルカルボニルアミノ基（直鎖状でも分岐鎖状でもよく、炭素数２～２０であることが好ましく、炭素数４～１５であることがより好ましく、炭素数６～１２であることが更に好ましい）、アルキルオキシカルボニル基（直鎖状でも分岐鎖状でもよく、炭素数２～２０であることが好ましく、炭素数４～１５であることがより好ましく、炭素数６～１０であることが更に好ましい）、アルキルスルホニル基（直鎖状でも分岐鎖状でもよく、炭素数１～２０であることが好ましく、炭素数１～１０であることがより好ましい）、アリール基（炭素数６～２０であることが好ましく、炭素数６～１５であることがより好ましく、炭素数６～１０であることが更に好ましい）、アリールオキシ基（炭素数６～２０であることが好ましく、炭素数６～１５であることがより好ましく、炭素数６～１０であることが更に好ましい）、アリールカルボニル基（炭素数７～２０であることが好ましく、炭素数７～１５であることがより好ましく、炭素数７～１０であることが更に好ましい）、アリールカルボニルオキシ基（炭素数７～２０であることが好ましく、炭素数７～１５であることがより好ましく、炭素数７～１０であることが更に好ましい）、アリールオキシカルボニル基（炭素数７～２０であることが好ましく、炭素数７～１５であることがより好ましく、炭素数７～１０であることが更に好ましい）、ヘテロアリール基（炭素数１～８であることが好ましく、１～６であることがより好ましい。具体例としては、チアゾリル基、イソチアゾリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、ピロリル基、イミダゾリル基等が挙げられる）、シクロアルキル基（炭素数３～２０であることが好ましく、炭素数４～１５であることがより好ましく、炭素数５～１０であることが更に好ましい）、シクロアルキルオキシ基（炭素数３～２０であることが好ましく、炭素数４～１５であることがより好ましく、炭素数５～１０であることが更に好ましい）、シクロアルキルカルボニル基（炭素数４～２０であることが好ましく、炭素数５～１５であることがより好ましく、炭素数６～１０であることが更に好ましい）、シクロアルキルオキシカルボニル基（炭素数４～２０であることが好ましく、炭素数５～１５であることがより好ましく、炭素数６～１０であることが更に好ましい）、又はこれらを組み合わせてなる基等が挙げられる。
これらの１価の有機基は置換基を有していてもよく、上記置換基としては、上記置換基Ｔが挙げられ、好ましくは、水酸基、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子又はこれらを組み合わせてなる基が挙げられる。
Ｒ_１～Ｒ_２が結合して環構造（但し、芳香環構造を除く）を形成してもよい。

一般式（Ｑ－１）中、Ｘｑは、－ＮＲ_Ｎ－、－Ｓ－、又は－Ｏ－を表す。Ｒ_Ｎは水素原子又は１価の有機基を表す。
Ｒ_Ｎが１価の有機基を表す場合の１価の有機基としては、アルキル基（好ましくは炭素数１～１０のアルキル基）、シクロアルキル基（好ましくは炭素数３～２０のシクロアルキル基）、アリール基（好ましくは炭素数６～２０のアリール基）等が挙げられる。これらの１価の有機基は置換基を有していてもよく、上記置換基としては、上記置換基Ｔが挙げられ、好ましくは、水酸基、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子又はこれらを組み合わせてなる基が挙げられる。
Ｒ_Ｎは、水素原子であることが好ましい。
Ｘｑは、－ＮＲ_Ｎ－であることが好ましく、－ＮＨ－であることがより好ましい。

一般式（Ｑ－２）中、
Ｒ_４、Ｒ_５は、それぞれ独立に置換基を表す。
Ｘｒは、－ＮＲ_Ｎ１－、－Ｓ－、又は－Ｏ－を表す。Ｒ_Ｎ１は水素原子又は１価の有機基を表す。
ｐは０～４の整数を示す。また、ｐが２以上の場合、複数のＲ_４が結合して環構造を形成してもよい。

Ｒ_４、Ｒ_５の置換基としては、一般式（Ｑ－１）のＲ_１～Ｒ_３の置換基と同様のものを挙げることができる。
Ｒ_Ｎ１が１価の有機基を表す場合の１価の有機基としては、一般式（Ｑ－１）のＲ_Ｎの１価の有機基と同様のものを挙げることができる。
ｐは、０～３であることが好ましく、０～２であることがより好ましい。
Ｒ_５は、好ましくはアリール基を表す。アリール基は置換基を有していてもよい。
ｐが２以上の場合、複数のＲ_４が結合して環構造を形成してもよい。複数のＲ_４が結合して形成される環構造は、環員として酸素原子を有していてもよい。

Ｒ_１～Ｒ_３、及びＲ_Ｎの少なくとも一つが、下記一般式（Ｑ－３）で表される基であることが好ましい。

一般式（Ｑ－３）中、Ｒ_６は、水素原子又は置換基を表す。
ｍは、１以上の整数を表す。
ｐは、１以上の整数を表す。ただし、ｍとｐは異なる整数を表す。
ｍ１は、１以上の整数を表す。
ｐ１は、０以上の整数を表す。
*は、結合手を表す。

Ｒ_６が置換基を表す場合の置換基としては、特に限定されないが、１価の有機基があげられ、具体的には、アルキル基（好ましくは炭素数１～１０のアルキル基）、シクロアルキル基（好ましくは炭素数３～２０のシクロアルキル基）、アリール基（好ましくは炭素数６～２０のアリール基）等が挙げられる。
ｍは、１以上の整数を表す。ｍの上限値は特に限定されないが、１０以下が好ましい。
ｐは、１以上の整数を表す。ｐの上限値は特に限定されないが、１０以下が好ましい。
ｍ１は、１以上の整数を表す。ｍ１の上限値は特に限定されないが、１５以下が好ましい。
ｐ１は、１以上の整数を表す。ｐ１の上限値は特に限定されないが、１５以下が好ましい。

Ｒ_４～Ｒ_５、Ｒ_Ｎ１の少なくとも一つが、上記一般式（Ｑ－３）で表される基であることが好ましい。

Ｒ_１～Ｒ_３、及びＲ_Ｎの少なくとも一つが、下記一般式（Ｑ－４）又は下記一般式（Ｑ－５）で表される基であることが好ましい。

一般式（Ｑ－４）中、
Ｒ_７は、水素原子又は置換基を表す。
ｎは、１以上の整数を表す。
*は、結合手を表す。
一般式（Ｑ－５）中、
Ｒ_８は、水素原子又は置換基を表す。
ｎ１は、０以上の整数を表す。
ｎ２は、１以上の整数を表す。
*は、結合手を表す。

Ｒ_７が置換基を表す場合の置換基としては、特に限定されないが、１価の有機基があげられ、具体的には、アルキル基（好ましくは炭素数１～１０のアルキル基）、シクロアルキル基（好ましくは炭素数３～２０のシクロアルキル基）、アリール基（好ましくは炭素数６～２０のアリール基）等が挙げられる。
ｎは、１以上の整数を表す。ｎの上限値は特に限定されないが、１０以下が好ましい。
ｎは、更に好ましくは１～５の整数である。

Ｒ_８が置換基を表す場合の置換基としては、特に限定されないが、１価の有機基があげられ、具体的には、アルキル基（好ましくは炭素数１～１０のアルキル基）、シクロアルキル基（好ましくは炭素数３～２０のシクロアルキル基）、アリール基（好ましくは炭素数６～２０のアリール基）等が挙げられる。
ｎ１は、０以上の整数を表す。ｎの上限値は特に限定されないが、８以下が好ましい。
ｎ１は、更に好ましくは０～２の整数である。
ｎ２は、１以上の整数を表す。ｎ２の上限値は特に限定されないが、８以下が好ましい。
ｎ２は、更に好ましくは１～５の整数である。

Ｒ_４～Ｒ_５、Ｒ_Ｎ１の少なくとも一つが、上記一般式（Ｑ－４）又は上記一般式（Ｑ－５）で表される基であることが好ましい。

以下に本発明の酸拡散制御剤の具体例を示すが、これらに限定されるものではない。

（ハンセン溶解度パラメーター）
酸拡散制御剤のハンセン溶解度パラメーター（ＨＳＰ）は、ハンセン溶解度パラメーター計算ソフト；ＨＳＰｉＰ バージョン４．１．０７（Ｈａｎｓｅｎ－Ｓｏｌｕｂｉｌｉｔｙ．ｃｏｍ）を用いて算出した。
酸拡散制御剤を２種以上有する場合、各酸拡散制御剤のＨＳＰを混合比（質量比）に基づいて加重平均することによって、酸拡散制御剤のＨＳＰを求める。

酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂のハンセン溶解度パラメーターは、下記の方法で算出する。
（酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂のハンセン溶解度パラメーターの算出方法）
酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂のハンセン溶解度パラメーター（ＨＳＰ（Ａ））は、以下のようにして算出した。
酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂を構成する各繰り返し単位のハンセン溶解度パラメーターをハンセン溶解度パラメーター計算ソフト；ＨＳＰｉＰ バージョン４．１．０７（Ｈａｎｓｅｎ－Ｓｏｌｕｂｉｌｉｔｙ．ｃｏｍ）を用いて算出し、各繰り返し単位のハンセン溶解度パラメーターを二乗した値に各繰り返し単位の重量比を掛け合わせたものの、平方根をとることで算出した。なお、各繰り返し単位のハンセン溶解度パラメーターは各繰り返し単位に対応するモノマーのハンセン溶解度パラメーターであり、上記計算ソフトで求める。
より具体的には、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂を構成する繰り返し単位を、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、・・・とした時、それぞれの繰り返し単位のハンセン溶解度パラメーター（ＨＳＰ（ａ）、ＨＳＰ（ｂ）、ＨＳＰ（ｃ）、・・・）を上記計算ソフトを用いて算出する。酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂を構成する繰り返し単位（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、・・・の質量百分率を、ｍａｓｓ％（ａ）、ｍａｓｓ％（ｂ）、ｍａｓｓ％（ｃ）、・・・とした時、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂のハンセン溶解度パラメーター（ＨＳＰ（Ａ））は以下の式（Ａ）で算出した。

式（Ａ）
ＨＳＰ（Ａ）＝［｛ＨＳＰ（ａ）｝^２×ｍａｓｓ％（ａ）＋｛ＨＳＰ（ｂ）｝^２×ｍａｓｓ％（ｂ）＋｛ＨＳＰ（ｃ）｝^２×ｍａｓｓ％（ｃ）＋・・・］^０．５／１００

本発明の組成物が２種類以上の酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂を含有する場合、各酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂のＨＳＰ（Ａ）を混合比（質量比）に基づいて加重平均することによって、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂のＨＳＰ（Ａ）を求める。

酸拡散制御剤のハンセン溶解度パラメーターと酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂のハンセン溶解度パラメーターの差の絶対値が、５ＭＰａ^０．５以下であり、好ましくは４ＭＰａ^０．５以下であり、更に好ましくは、３ＭＰａ^０．５以下である。
酸拡散制御剤のハンセン溶解度パラメーターと酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂のハンセン溶解度パラメーターの差の絶対値の下限は特に限定されないが、０ＭＰａ^０．５以上が好ましい。

酸拡散制御剤のハンセン溶解度パラメーターが酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂のハンセン溶解度パラメーターより大きくてもよく、酸拡散制御剤のハンセン溶解度パラメーターが酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂のハンセン溶解度パラメーターより小さくでもよい。

上記酸拡散制御剤のハンセン溶解度パラメーターは、上記酸拡散制御剤のハンセン溶解度パラメーターと上記酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂のハンセン溶解度パラメーターの差の絶対値が、５ＭＰａ^０．５以下となるものであれば、特に限定されないが、好ましくは、１５～３０ＭＰａ^０．５であり、更に好ましくは、１８ＭＰａ^０．５以上２２ＭＰａ^０．５以下である。

また、以下の式で表される、上記酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂（以下の式では、樹脂という）に対する上記酸拡散制御剤の質量比率が、０．１以下であることが好ましい。
質量比率＝（酸拡散制御剤の含有量）/（樹脂の含有量）

上記式で表される質量比率は、０．０５以下が更に好ましく、０．０１以下が更に好ましい。
また、上記式で表される質量比率の下限値は、特に限定されないが、好ましくは０．０００１以上である。

本発明の組成物において、酸拡散制御剤は１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
酸拡散制御剤の本発明の組成物中の含有量（複数種存在する場合はその合計）は、本発明の組成物の全固形分に対して、０．００１～２０質量％が好ましく、０．０１～１０質量％がより好ましい。
なお、本発明の組成物の全固形分とは、溶剤を除く他の成分（感活性光線性又は感放射線性膜を構成し得る成分）を意図する。

＜酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂＞
本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂を含有する。
酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂は、酸の作用により現像液に対する溶解性が増大する樹脂する樹脂でも良いし、酸の作用により現像液に対する溶解性が減少する樹脂でも良い。
酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂としては、酸の作用により分解し極性が増大する基（以下、「酸分解性基」とも言う）を有する樹脂（以下、「酸分解性樹脂」又は「樹脂（Ａ）」ともいう）又は、酸の作用により構造が変化して、現像液に対する溶解性が減少する樹脂（例えば、酸の作用により架橋剤との架橋反応により構造が変化する樹脂、架橋性基を有する樹脂同士が架橋反応により構造が変化する樹脂等）が挙げられる。
酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂が樹脂（Ａ）である場合、本発明のパターン形成方法において、典型的には、現像液としてアルカリ現像液を採用した場合には、ポジ型パターンが好適に形成され、現像液として有機系現像液を採用した場合には、ネガ型パターンが好適に形成される。
酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂が酸の作用により構造が変化して、現像液に対する溶解性が減少する樹脂である場合、本発明のパターン形成方法において、典型的には、現像液としてアルカリ現像液を採用した場合には、ネガ型パターンが好適に形成され、現像液として有機系現像液を採用した場合でも、ネガ型パターンが好適に形成される。
以下に好ましい実施態様である樹脂（Ａ）について記載する。

樹脂（Ａ）は、酸分解性基を有する繰り返し単位を有することが好ましい。

樹脂（Ａ）としては、公知の樹脂を適宜使用することができる。例えば、米国特許出願公開２０１６／０２７４４５８Ａ１号明細書の段落［００５５］～［０１９１］、米国特許出願公開２０１５／０００４５４４Ａ１号明細書の段落［００３５］～［００８５］、米国特許出願公開２０１６／０１４７１５０Ａ１号明細書の段落［００４５］～［００９０］に開示された公知の樹脂を樹脂（Ａ）として好適に使用できる。

酸分解性基は、極性基が酸の作用により分解し脱離する基（脱離基）で保護された構造を有することが好ましい。
極性基としては、例えば、カルボキシル基、フェノール性水酸基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、（アルキルスルホニル）（アルキルカルボニル）メチレン基、（アルキルスルホニル）（アルキルカルボニル）イミド基、ビス（アルキルカルボニル）メチレン基、ビス（アルキルカルボニル）イミド基、ビス（アルキルスルホニル）メチレン基、ビス（アルキルスルホニル）イミド基、トリス（アルキルカルボニル）メチレン基、及び、トリス（アルキルスルホニル）メチレン基等の酸性基（典型的には、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液中で解離する基）、並びに、アルコール性水酸基等が挙げられる。

なお、アルコール性水酸基とは、炭化水素基に結合した水酸基であって、芳香環上に直接結合した水酸基（フェノール性水酸基）以外の水酸基をいい、水酸基としてα位がフッ素原子などの電子求引性基で置換された脂肪族アルコール（例えば、ヘキサフルオロイソプロパノール基など）は除く。アルコール性水酸基としては、ｐＫａ（酸解離定数）が１２以上２０以下の水酸基であることが好ましい。

中でも、極性基としては、カルボキシル基、フェノール性水酸基、フッ素化アルコール基（好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール基）、又は、スルホン酸基が好ましい。

酸の作用により分解し脱離する基（脱離基）としては、例えば、式（Ｙ１）～（Ｙ４）で表される基が挙げられる。
式（Ｙ１）：－Ｃ（Ｒｘ_１）（Ｒｘ_２）（Ｒｘ_３）
式（Ｙ２）：－Ｃ（＝Ｏ）ＯＣ（Ｒｘ_１）（Ｒｘ_２）（Ｒｘ_３）
式（Ｙ３）：－Ｃ（Ｒ_３６）（Ｒ_３７）（ＯＲ_３８）
式（Ｙ４）：－Ｃ（Ｒｎ）（Ｈ）（Ａｒ）

式（Ｙ１）及び式（Ｙ２）中、Ｒｘ_１～Ｒｘ_３は、各々独立に、アルキル基（直鎖状若しくは分岐鎖状）又はシクロアルキル基（単環若しくは多環）を表す。なお、Ｒｘ_１～Ｒｘ_３の全てがアルキル基（直鎖若しくは分岐）である場合、Ｒｘ_１～Ｒｘ_３のうち少なくとも２つはメチル基であることが好ましい。
なかでも、Ｒｘ_１～Ｒｘ_３は、各々独立に、直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を表すことが好ましく、Ｒｘ_１～Ｒｘ_３は、各々独立に、直鎖状のアルキル基を表すことがより好ましい。
Ｒｘ_１～Ｒｘ_３の２つが結合して、単環又は多環を形成してもよい。
Ｒｘ_１～Ｒｘ_３のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、及び、ｔ－ブチル基等の炭素数１～４のアルキル基が好ましい。
Ｒｘ_１～Ｒｘ_３のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、及び、シクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基、並びに、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及び、アダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が好ましい。
Ｒｘ_１～Ｒｘ_３の２つが結合して形成されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、及び、シクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基、並びに、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及び、アダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が好ましく、炭素数５～６の単環のシクロアルキル基がより好ましい。
Ｒｘ_１～Ｒｘ_３の２つが結合して形成されるシクロアルキル基は、例えば、環を構成するメチレン基の１つが、酸素原子等のヘテロ原子、又は、カルボニル基等のヘテロ原子を有する基で置き換わっていてもよい。
式（Ｙ１）又は式（Ｙ２）で表される基は、例えば、Ｒｘ_１がメチル基又はエチル基であり、Ｒｘ_２とＲｘ_３とが結合して上述のシクロアルキル基を形成している態様が好ましい。

式（Ｙ３）中、Ｒ_３６～Ｒ_３８は、各々独立に、水素原子又は１価の有機基を表す。Ｒ_３７とＲ_３８とは、互いに結合して環を形成してもよい。１価の有機基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、及び、アルケニル基等が挙げられる。Ｒ_３６は水素原子であることも好ましい。

式（Ｙ３）としては、下記式（Ｙ３－１）で表される基が好ましい。

ここで、Ｌ_１及びＬ_２は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、又は、これらを組み合わせた基（例えば、アルキル基とアリール基とを組み合わせた基）を表す。
Ｍは、単結合又は２価の連結基を表す。
Ｑは、ヘテロ原子を含んでいてもよいアルキル基、ヘテロ原子を含んでいてもよいシクロアルキル基、ヘテロ原子を含んでいてもよいアリール基、アミノ基、アンモニウム基、メルカプト基、シアノ基、アルデヒド基、又は、これらを組み合わせた基（例えば、アルキル基とシクロアルキル基とを組み合わせた基）を表す。
アルキル基及びシクロアルキル基は、例えば、メチレン基の１つが、酸素原子等のヘテロ原子、又は、カルボニル基等のヘテロ原子を有する基で置き換わっていてもよい。
なお、Ｌ_１及びＬ_２のうち一方は水素原子であり、他方はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、又は、アルキレン基とアリール基とを組み合わせた基であることが好ましい。
Ｑ、Ｍ、及び、Ｌ_１の少なくとも２つが結合して環（好ましくは、５員若しくは６員環）を形成してもよい。
パターンの微細化の点では、Ｌ_２が２級又は３級アルキル基であることが好ましく、３級アルキル基であることがより好ましい。２級アルキル基としては、イソプロピル基、シクロヘキシル基又はノルボルニル基が挙げられ、３級アルキル基としては、ｔｅｒｔ－ブチル基又はアダマンタン基を挙げることができる。これらの態様では、Ｔｇ（ガラス転移温度）や活性化エネルギーが高くなるため、膜強度の担保に加え、かぶりの抑制ができる。

式（Ｙ４）中、Ａｒは、芳香環基を表す。Ｒｎは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。ＲｎとＡｒとは互いに結合して非芳香族環を形成してもよい。Ａｒはより好ましくはアリール基である。

樹脂（Ａ）は、アセタール構造を有してもよく、有さなくてもよいが、アセタール構造を有さないことが好ましい。
アセタール構造は、例えば、カルボキシル基、フェノール性水酸基、フッ素化アルコール基などの極性基が、上記式（Ｙ３）で表される基で保護された構造である。

酸分解性基を有する繰り返し単位としては、下記一般式（ＡＰ）で表される繰り返し単位が好ましい。

Ｌ_１Ａは、２価の連結基を表し、Ｒ_１～Ｒ_３は、各々独立に、水素原子、又は１価の置換基を表し、Ｒ_４は酸の作用によって分解し脱離する基を表す。
Ｌ_１Ａは、２価の連結基を表す。２価の連結基としては、－ＣＯ－、－Ｏ－、－Ｓ―、－ＳＯ－、―ＳＯ_２－、炭化水素基（例えば、アルキレン基、シクロアルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基等）、及び、これらの複数が連結した連結基等が挙げられる。中でも、Ｌ_１Ａとしては、－ＣＯ－、アリーレン基が好ましい。
アリーレン基としては、フェニレン基が好ましい。
アルキレン基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。アルキレン基の炭素数は特に制限されないが、１～１０が好ましく、１～３がより好ましい。

Ｒ_１～Ｒ_３は、各々独立に、水素原子又は１価の置換基を表す。１価の置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、又はハロゲン原子が挙げられる。
アルキル基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。アルキル基の炭素数は特に制限されないが、１～１０が好ましく、１～３がより好ましい。
シクロアルキル基は、単環型であってもよく、多環型であってもよい。このシクロアルキル基の炭素数は、好ましくは３～８とする。
ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子が挙げられる。

Ｒ_４は、酸の作用によって分解し脱離する基（脱離基）を表す。
中でも、脱離基としては、上記式（Ｙ１）～（Ｙ４）で表される基が挙げられ、上記式（Ｙ３）で表される基が好ましい。

上記各基が置換基を有する場合、置換基としては、例えば、アルキル基（炭素数１～４）、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基（炭素数１～４）、カルボキシル基、及び、アルコキシカルボニル基（炭素数２～６）等が挙げられる。置換基中の炭素数は、８以下が好ましい。

酸分解性基を有する繰り返し単位としては、一般式（ＡＩ）で表される繰り返し単位も好ましい。

一般式（ＡＩ）において、
Ｘａ_１は、水素原子、又は、アルキル基を表す。
Ｔは、単結合、又は、２価の連結基を表す。
Ｒｘ_１～Ｒｘ_３は、それぞれ独立に、アルキル基（直鎖状、又は、分岐鎖状）、又は、シクロアルキル基（単環、又は、多環）を表す。ただし、Ｒｘ_１～Ｒｘ_３の全てがアルキル基（直鎖状、又は、分岐鎖状）である場合、Ｒｘ_１～Ｒｘ_３のうち少なくとも２つはメチル基であることが好ましい。
Ｒｘ_１～Ｒｘ_３の２つが結合して、シクロアルキル基（単環若しくは多環）を形成してもよい。

Ｘａ_１により表される、アルキル基としては、例えば、メチル基又は－ＣＨ_２－Ｒ_１１で表される基が挙げられる。Ｒ_１１は、ハロゲン原子（フッ素原子等）、水酸基又は１価の有機基を表し、例えば、炭素数５以下のアルキル基、及び、炭素数５以下のアシル基が挙げられ、炭素数３以下のアルキル基が好ましく、メチル基がより好ましい。Ｘａ_１としては、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基、又は、ヒドロキシメチル基が好ましい。

Ｔの２価の連結基としては、アルキレン基、芳香環基、－ＣＯＯ－Ｒｔ－基、及び、－Ｏ－Ｒｔ－基等が挙げられる。式中、Ｒｔは、アルキレン基、又は、シクロアルキレン基を表す。
Ｔは、単結合又は－ＣＯＯ－Ｒｔ－基が好ましい。Ｔが－ＣＯＯ－Ｒｔ－基を表す場合、Ｒｔは、炭素数１～５のアルキレン基が好ましく、－ＣＨ_２－基、－（ＣＨ_２）_２－基、又は、－（ＣＨ_２）_３－基がより好ましい。

Ｒｘ_１～Ｒｘ_３のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、及び、ｔ－ブチル基等の炭素数１～４のアルキル基が好ましい。
Ｒｘ_１～Ｒｘ_３のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、及び、シクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基、又は、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及び、アダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が好ましい。
Ｒｘ_１～Ｒｘ_３の２つが結合して形成されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、及び、シクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基が好ましく、その他にも、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及び、アダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が好ましい。中でも、炭素数５～６の単環のシクロアルキル基が好ましい。
Ｒｘ_１～Ｒｘ_３の２つが結合して形成されるシクロアルキル基は、例えば、環を構成するメチレン基の１つが、酸素原子等のヘテロ原子、又は、カルボニル基等のヘテロ原子を有する基で置き換わっていてもよい。
一般式（ＡＩ）で表される繰り返し単位は、例えば、Ｒｘ_１がメチル基又はエチル基であり、Ｒｘ_２とＲｘ_３とが結合して上述のシクロアルキル基を形成している態様が好ましい。

上記各基が置換基を有する場合、置換基としては、例えば、アルキル基（炭素数１～４）、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基（炭素数１～４）、カルボキシル基、及び、アルコキシカルボニル基（炭素数２～６）等が挙げられる。置換基中の炭素数は、８以下が好ましい。

一般式（ＡＩ）で表される繰り返し単位としては、好ましくは、酸分解性（メタ）アクリル酸３級アルキルエステル系繰り返し単位（Ｘａ_１が水素原子又はメチル基を表し、かつ、Ｔが単結合を表す繰り返し単位）である。

樹脂（Ａ）は、酸分解性基を有する繰り返し単位を、１種単独で含んでもよく、２種以上を併用して含んでもよい。

樹脂（Ａ）に含まれる酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量（酸分解性基を有する繰り返し単位が複数存在する場合はその合計）は、樹脂（Ａ）の全繰り返し単位に対して、１０～９０モル％が好ましく、２０～８０モル％がより好ましく、３０～７０モル％が更に好ましい。

（ラクトン基又はスルトン基を有する繰り返し単位）
樹脂（Ａ）は、更にラクトン基又はスルトン基を有する繰り返し単位を有していてもよい。
ラクトン基又はスルトン基としては、ラクトン構造又はスルトン構造を有していればいずれの基でも用いることができるが、好ましくは５～７員環ラクトン構造又は５～７員環スルトン構造を有する基であり、５～７員環ラクトン構造にビシクロ構造、又は、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているもの、又は５～７員環スルトン構造にビシクロ構造、又は、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているもの、がより好ましい。下記一般式（ＬＣ１－１）～（ＬＣ１－２１）のいずれかで表されるラクトン構造を有する基、又は下記一般式（ＳＬ１－１）～（ＳＬ１－３）のいずれかで表されるスルトン構造を有する基を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。また、ラクトン構造又はスルトン構造を有する基が主鎖に直接結合していてもよい。好ましい構造としては、一般式（ＬＣ１－１）、一般式（ＬＣ１－４）、一般式（ＬＣ１－５）、一般式（ＬＣ１－６）、一般式（ＬＣ１－１３）、及び、一般式（ＬＣ１－１４）で表される基が好ましい。

ラクトン構造部分又はスルトン構造部分は、置換基（Ｒｂ_２）を有していてもよい。好ましい置換基（Ｒｂ_２）としては、炭素数１～８のアルキル基、炭素数４～７のシクロアルキル基、炭素数１～８のアルコキシ基、炭素数１～８のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、及び、酸分解性基等が挙げられる。ｎ２は、０～４の整数を表す。ｎ２が２以上の時、複数存在するＲｂ_２は、異なっていてもよく、また、複数存在するＲｂ_２同士が結合して環を形成してもよい。

ラクトン構造又はスルトン構造を有する基を有する繰り返し単位としては、例えば、下記一般式（ＡＱ）で表される繰り返し単位等が挙げられる。

一般式（ＡＱ）中、Ｒｂ_０は、水素原子、ハロゲン原子、又は、炭素数１～４のアルキル基を表す。
Ｒｂ_０のアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、及び、ハロゲン原子が挙げられる。
Ｒｂ_０のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及び、ヨウ素原子が挙げられる。Ｒｂ_０は、水素原子又はメチル基が好ましい。
Ａｂは、単結合、アルキレン基、単環又は多環の脂環炭化水素構造を有する２価の連結基、エーテル基、エステル基、カルボニル基、カルボキシル基、又は、これらを組み合わせた２価の基を表す。なかでも、単結合、又は、－Ａｂ_１－ＣＯ_２－で表される連結基が好ましい。Ａｂ_１は、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基、又は、単環若しくは多環のシクロアルキレン基であり、メチレン基、エチレン基、シクロヘキシレン基、アダマンチレン基、又は、ノルボルニレン基が好ましい。
Ｖ_１は、ラクトン構造又はスルトン構造を有する基を表す。
Ｖ_１のラクトン構造又はスルトン構造を有する基としては、一般式（ＬＣ１－１）～（ＬＣ１－２１）、一般式（ＳＬ１－１）～（ＳＬ１―３）のうちのいずれかで示される基が好ましい。

ラクトン構造又はスルトン構造を有する基を有する繰り返し単位は、通常、光学異性体が存在するが、いずれの光学異性体を用いてもよい。また、１種の光学異性体を単独で用いても、複数の光学異性体を混合して用いてもよい。１種の光学異性体を主に用いる場合、その光学純度（ｅｅ）は９０以上が好ましく、９５以上がより好ましい。

ラクトン構造又はスルトン構造を有する基を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。なお、式中ＲｘはＨ、ＣＨ_３、ＣＨ_２ＯＨ、またはＣＦ_３を表す。

ラクトン基又はスルトン基を有する繰り返し単位の含有量は、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対し、１～６０モル％が好ましく、５～５０モル％がより好ましく、１０～４０モル％が更に好ましい。

（酸基を有する繰り返し単位）
樹脂（Ａ）は、酸基を有する繰り返し単位を有していてもよい。
酸基としては、酸解離定数（ｐＫａ）が１３以下の酸基が好ましい。
ｐＫａは、後述の光酸発生剤から生成される酸のｐＫａにおけるｐＫａと同様である。

酸基を有する繰り返し単位としては、下記一般式（ＡＢ）で表される繰り返し単位が好ましい。

Ｒ_３１は、水素原子、又は、１価の有機基を表す。
１価の有機基としては、－Ｌ_４Ａ－Ｒ_８１で表される基が好ましい。Ｌ_４Ａは、単結合、又は、エステル基を表す。Ｒ_８１は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、又は、これらを組み合わせた基が挙げられる。

Ｒ_４１及びＲ_５１は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は、アルキル基を表す。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、又は、ヨウ素原子が挙げられる。

Ｌ_２Ａは、単結合、又は、エステル基を表す。
Ｌ_３Ａは、（ｎ＋ｍ＋１）価の芳香族炭化水素環基、又は、（ｎ＋ｍ＋１）価の脂環式炭化水素環基を表す。芳香族炭化水素環基としては、ベンゼン環基、及び、ナフタレン環基が挙げられる。脂環式炭化水素環基としては、単環であっても、多環であってもよく、例えば、シクロアルキル環基が挙げられる。
Ｒ_６１は、水酸基、又は、フッ素化アルコール基（好ましくは、ヘキサフルオロイソプロパノール基）を表す。なお、Ｒ_６１が水酸基の場合、Ｌ_３Ａは（ｎ＋ｍ＋１）価の芳香族炭化水素環基であることが好ましい。
Ｒ_７１は、ハロゲン原子を表す。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、又は、ヨウ素原子が挙げられる。
ｍは、１以上の整数を表す。ｍは、１～３の整数が好ましく、１～２の整数が好ましい。
ｎは、０又は１以上の整数を表す。ｎは、１～４の整数が好ましい。
なお、（ｎ＋ｍ＋１）は、１～５の整数が好ましい。

酸基を有する繰り返し単位としては、下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位も好ましい。

一般式（Ｉ）中、
Ｒ_４１、Ｒ_４２及びＲ_４３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。但し、Ｒ_４２はＡｒ_４と結合して環を形成していてもよく、その場合のＲ_４２は単結合又はアルキレン基を表す。
Ｘ_４は、単結合、－ＣＯＯ－、又は－ＣＯＮＲ_６４－を表し、Ｒ_６４は、水素原子又はアルキル基を表す。
Ｌ_４は、単結合又はアルキレン基を表す。
Ａｒ_４は、（ｎ＋１）価の芳香環基を表し、Ｒ_４２と結合して環を形成する場合には（ｎ＋２）価の芳香環基を表す。
ｎは、１～５の整数を表す。

一般式（Ｉ）におけるＲ_４１、Ｒ_４２、及び、Ｒ_４３のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ヘキシル基、２－エチルヘキシル基、オクチル基、及び、ドデシル基等の炭素数２０以下のアルキル基が好ましく、炭素数８以下のアルキル基がより好ましく、炭素数３以下のアルキル基が更に好ましい。

一般式（Ｉ）におけるＲ_４１、Ｒ_４２、及び、Ｒ_４３のシクロアルキル基としては、単環型でも、多環型でもよい。なかでも、シクロプロピル基、シクロペンチル基、及び、シクロヘキシル基等の炭素数３～８個で単環型のシクロアルキル基が好ましい。
一般式（Ｉ）におけるＲ_４１、Ｒ_４２、及び、Ｒ_４３のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及び、ヨウ素原子が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
一般式（Ｉ）におけるＲ_４１、Ｒ_４２、及び、Ｒ_４３のアルコキシカルボニル基に含まれるアルキル基としては、上記Ｒ_４１、Ｒ_４２、Ｒ_４３におけるアルキル基と同様のものが好ましい。

上記各基における好ましい置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アミノ基、アミド基、ウレイド基、ウレタン基、水酸基、カルボキシル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、チオエーテル基、アシル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、及び、ニトロ基が挙げられる。置換基の炭素数は８以下が好ましい。

Ａｒ_４は、（ｎ＋１）価の芳香環基を表す。ｎが１である場合における２価の芳香環基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基、及び、アントラセニレン基等の炭素数６～１８のアリーレン基、又は、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾピロール環、トリアジン環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、トリアゾール環、チアジアゾール環、及び、チアゾール環等のヘテロ環を含む芳香環基が好ましい。

ｎが２以上の整数である場合における（ｎ＋１）価の芳香環基の具体例としては、２価の芳香環基の上記した具体例から、（ｎ－１）個の任意の水素原子を除してなる基が挙げられる。
（ｎ＋１）価の芳香環基は、更に置換基を有していてもよい。

上述したアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルキレン基、及び、（ｎ＋１）価の芳香環基が有し得る置換基としては、例えば、一般式（Ｉ）におけるＲ_４１、Ｒ_４２、及び、Ｒ_４３で挙げたアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、及び、ブトキシ基等のアルコキシ基；フェニル基等のアリール基；等が挙げられる。
Ｘ_４により表わされる－ＣＯＮＲ_６４－（Ｒ_６４は、水素原子又はアルキル基を表す）におけるＲ_６４のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ヘキシル基、２－エチルヘキシル基、オクチル基、及び、ドデシル基等の炭素数２０以下のアルキル基が挙げられ、炭素数８以下のアルキル基が好ましい。
Ｘ_４としては、単結合、－ＣＯＯ－、又は、－ＣＯＮＨ－が好ましく、単結合、又は、－ＣＯＯ－がより好ましい。

Ｌ_４におけるアルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、及び、オクチレン基等の炭素数１～８のアルキレン基が好ましい。
Ａｒ_４としては、炭素数６～１８の芳香環基が好ましく、ベンゼン環基、ナフタレン環基、及び、ビフェニレン環基がより好ましい。
一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位は、ヒドロキシスチレン構造を備えていることが好ましい。即ち、Ａｒ_４は、ベンゼン環基であることが好ましい。

一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位としては、下記一般式（１）で表される繰り返し単位が好ましい。

一般式（１）中、
Ａは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、又はシアノ基を表す。
Ｒは、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、アラルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルスルホニルオキシ基、アルキルオキシカルボニル基又はアリールオキシカルボニル基を表し、複数個ある場合には同じであっても異なっていてもよい。複数のＲを有する場合には、互いに共同して環を形成していてもよい。Ｒとしては水素原子が好ましい。
ａは１～３の整数を表す。
ｂは０～（３－ａ）の整数を表す。

以下、一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位の具体例を示すが、本発明は、これに限定されるものではない。式中、ａは１又は２を表す。

なお、上記繰り返し単位のなかでも、以下に具体的に記載する繰り返し単位が好ましい。式中、Ｒは水素原子又はメチル基を表し、ａは２又は３を表す。

酸基を有する繰り返し単位の含有量は、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対し、１０～８０モル％が好ましく、１５～７５モル％がより好ましく、２０～７０モル％が更に好ましい。

樹脂（Ａ）は、上記した繰り返し構造単位以外にも、ドライエッチング耐性、標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、解像力、耐熱性、感度等を調節する目的などによって、様々な繰り返し単位を有していてもよい。

樹脂（Ａ）は、常法（例えばラジカル重合）に従って合成できる。一般的な合成方法としては、例えば、（１）モノマー種及び開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、（２）モノマー種と開始剤を含有する溶液を１～１０時間かけて滴下することにより加熱溶剤へ加える滴下重合法等が挙げられる。

上記酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂（好ましくは、樹脂（Ａ））のハンセン溶解度パラメーターは、上述の通りである。
上記酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂のハンセン溶解度パラメーターは、上記酸拡散制御剤のハンセン溶解度パラメーターと上記酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂のハンセン溶解度パラメーターの差の絶対値が、５ＭＰａ^０．５以下となるものであれば、特に限定されないが、好ましくは、１５ＭＰａ^０．５～３０ＭＰａ^０．５であり、更に好ましくは、１７ＭＰａ^０．５以上２３ＭＰａ^０．５以下である。

樹脂（Ａ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１，０００～２００，０００が好ましく、２，０００～３０，０００がより好ましく、３，０００～２５，０００が更に好ましい。分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、通常１．０～３．０であり、１．０～２．６が好ましく、１．０～２．０がより好ましく、１．１～２．０が更に好ましい。

樹脂（Ａ）は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
本発明の組成物中、樹脂（Ａ）の含有量は、全固形分中に対して、通常２０質量％以上の場合が多く、４０質量％以上が好ましく、５０質量％以上がより好ましく、６０質量％以上が更に好ましい。上限は特に制限されないが、９９．５質量％以下が好ましく、９９質量％以下がより好ましく、９８質量％以下が更に好ましい。
なお、本発明の組成物の全固形分とは、溶剤を除く他の成分（感活性光線性又は感放射線性膜を構成し得る成分）を意図する。

＜活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物＞
本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（以下、「光酸発生剤」又は「光酸発生剤（Ｂ）」ともいう）を含有する。
光酸発生剤は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物である。
光酸発生剤としては、活性光線又は放射線の照射により有機酸を発生する化合物が好ましい。例えば、スルホニウム塩化合物、ヨードニウム塩化合物、ジアゾニウム塩化合物、ホスホニウム塩化合物、イミドスルホネート化合物、オキシムスルホネート化合物、ジアゾジスルホン化合物、ジスルホン化合物、及びｏ－ニトロベンジルスルホネート化合物が挙げられる。

光酸発生剤としては、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する公知の化合物を、単独又はそれらの混合物として適宜選択して使用できる。例えば、米国特許出願公開２０１６／００７０１６７Ａ１号明細書の段落［０１２５］～［０３１９］、米国特許出願公開２０１５／０００４５４４Ａ１号明細書の段落［００８６］～［００９４］、及び、米国特許出願公開２０１６／０２３７１９０Ａ１号明細書の段落［０３２３］～［０４０２］に開示された公知の化合物を好適に使用できる。

光酸発生剤としては、例えば、下記一般式（ＺＩ）、一般式（ＺＩＩ）又は一般式（ＺＩＩＩ）で表される化合物が好ましい。

上記一般式（ＺＩ）において、
Ｒ_２０１、Ｒ_２０２及びＲ_２０３は、各々独立に、有機基を表す。
Ｒ_２０１、Ｒ_２０２及びＲ_２０３としての有機基の炭素数は、一般的に１～３０であり、好ましくは１～２０である。
また、Ｒ_２０１～Ｒ_２０３のうち２つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、又はカルボニル基を含んでいてもよい。Ｒ_２０１～Ｒ_２０３の内の２つが結合して形成する基としては、アルキレン基（例えば、ブチレン基、ペンチレン基）及び－ＣＨ_２－ＣＨ_２－Ｏ－ＣＨ_２－ＣＨ_２－が挙げられる。
Ｚ^－は、アニオン（非求核性アニオンが好ましい。）を表す。

一般式（ＺＩ）におけるカチオンの好適な態様としては、後述する化合物（ＺＩ－１）、化合物（ＺＩ－２）、一般式（ＺＩ－３）で表される化合物（化合物（ＺＩ－３））及び一般式（ＺＩ－４）で表される化合物（化合物（ＺＩ－４））における対応する基が挙げられる。
なお、光酸発生剤は、一般式（ＺＩ）で表される構造を複数有する化合物であってもよい。例えば、一般式（ＺＩ）で表される化合物のＲ_２０１～Ｒ_２０３の少なくとも１つと、一般式（ＺＩ）で表されるもうひとつの化合物のＲ_２０１～Ｒ_２０３の少なくとも一つとが、単結合又は連結基を介して結合した構造を有する化合物であってもよい。

まず、化合物（ＺＩ－１）について説明する。
化合物（ＺＩ－１）は、上記一般式（ＺＩ）のＲ_２０１～Ｒ_２０３の少なくとも１つがアリール基である、アリールスルホニウム化合物、すなわち、アリールスルホニウムをカチオンとする化合物である。
アリールスルホニウム化合物は、Ｒ_２０１～Ｒ_２０３の全てがアリール基でもよいし、Ｒ_２０１～Ｒ_２０３の一部がアリール基であり、残りがアルキル基又はシクロアルキル基であってもよい。
アリールスルホニウム化合物としては、例えば、トリアリールスルホニウム化合物、ジアリールアルキルスルホニウム化合物、アリールジアルキルスルホニウム化合物、ジアリールシクロアルキルスルホニウム化合物、及びアリールジシクロアルキルスルホニウム化合物が挙げられる。

アリールスルホニウム化合物に含まれるアリール基としては、フェニル基、又はナフチル基が好ましく、フェニル基がより好ましい。アリール基は、酸素原子、窒素原子、又は硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造としては、ピロール残基、フラン残基、チオフェン残基、インドール残基、ベンゾフラン残基、及びベンゾチオフェン残基等が挙げられる。アリールスルホニウム化合物が２つ以上のアリール基を有する場合に、２つ以上あるアリール基は同一であっても異なっていてもよい。
アリールスルホニウム化合物が必要に応じて有しているアルキル基又はシクロアルキル基は、炭素数１～１５の直鎖状アルキル基、炭素数３～１５の分岐鎖状アルキル基、又は炭素数３～１５のシクロアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔ－ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、及びシクロヘキシル基等が挙げられる。

Ｒ_２０１～Ｒ_２０３のアリール基、アルキル基、及びシクロアルキル基は、各々独立に、アルキル基（例えば炭素数１～１５）、シクロアルキル基（例えば炭素数３～１５）、アリール基（例えば炭素数６～１４）、アルコキシ基（例えば炭素数１～１５）、ハロゲン原子、水酸基、又はフェニルチオ基を置換基として有してもよい。

次に、化合物（ＺＩ－２）について説明する。
化合物（ＺＩ－２）は、式（ＺＩ）におけるＲ_２０１～Ｒ_２０３が、各々独立に、芳香環を有さない有機基を表す化合物である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含む芳香族環も包含する。
Ｒ_２０１～Ｒ_２０３としての芳香環を有さない有機基は、一般的に炭素数１～３０であり、炭素数１～２０が好ましい。
Ｒ_２０１～Ｒ_２０３は、各々独立に、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリル基、又はビニル基であり、より好ましくは直鎖状又は分岐鎖状の２－オキソアルキル基、２－オキソシクロアルキル基、又はアルコキシカルボニルメチル基、更に好ましくは直鎖状又は分岐鎖状の２－オキソアルキル基である。

Ｒ_２０１～Ｒ_２０３のアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数１～１０の直鎖状アルキル基又は炭素数３～１０の分岐鎖状アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、及びペンチル基）、及び、炭素数３～１０のシクロアルキル基（例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基、及びノルボルニル基）が挙げられる。
Ｒ_２０１～Ｒ_２０３は、ハロゲン原子、アルコキシ基（例えば炭素数１～５）、水酸基、シアノ基、又はニトロ基によって更に置換されていてもよい。

次に、化合物（ＺＩ－３）について説明する。

一般式（ＺＩ－３）中、Ｍは、アルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基を表し、環構造を有するとき、上記環構造は、酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、及び炭素－炭素二重結合の少なくとも１種を含んでいてもよい。Ｒ_６ｃ及びＲ_７ｃは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアリール基を表す。Ｒ_６ｃとＲ_７ｃとが結合して環を形成してもよい。Ｒ_ｘ及びＲ_ｙは、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、又はアルケニル基を表す。Ｒ_ｘ及びＲ_ｙが結合して環を形成してもよい。また、Ｍ、Ｒ_６ｃ及びＲ_７ｃから選ばれる少なくとも２つが結合して環構造を形成してもよく、上記環構造に炭素－炭素二重結合を含んでいてもよい。Ｚ^－は、アニオンを表す。

一般式（ＺＩ－３）中、Ｍで表されるアルキル基及びシクロアルキル基としては、炭素数１～１５（好ましくは炭素数１～１０）の直鎖状アルキル基、炭素数３～１５（好ましくは炭素数３～１０）の分岐鎖状アルキル基、又は炭素数３～１５（好ましくは炭素数１～１０）のシクロアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔ－ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、及びシクロヘキシル基、及びノルボルニル基等が挙げられる。
Ｍで表されるアリール基としては、フェニル基、又はナフチル基が好ましく、フェニル基がより好ましい。アリール基は、酸素原子又は硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造としては、フラン環、チオフェン環、ベンゾフラン環、及びベンゾチオフェン環等が挙げられる。

上記Ｍは、更に置換基（例えば、置換基Ｔ）を有していてもよい。この態様として、例えば、Ｍとしてベンジル基などが挙げられる。
なお、Ｍが環構造を有する場合、上記環構造は、酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、及び、炭素－炭素二重結合の少なくとも１種を含んでいてもよい。

Ｒ_６ｃ及びＲ_７ｃで表されるアルキル基、シクロアルキル基、及びアリール基としては、上述したＭと同様のものが挙げられ、その好ましい態様も同じである。また、Ｒ_６ｃとＲ_７ｃは、結合して環を形成してもよい。
Ｒ_６ｃ及びＲ_７ｃで表されるハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子が挙げられる。

Ｒ_ｘ及びＲ_ｙで表されるアルキル基、及びシクロアルキル基としては、上述したＭと同様のものが挙げられ、その好ましい態様も同じである。
Ｒ_ｘ及びＲ_ｙで表されるアルケニル基としては、アリル基又はビニル基が好ましい。
上記Ｒ_ｘ及びＲ_ｙは、更に置換基（例えば、置換基Ｔ）を有していてもよい。この態様として、例えば、Ｒ_ｘ及びＲ_ｙとして２－オキソアルキル基又はアルコキシカルボニルアルキル基などが挙げられる。
Ｒ_ｘ及びＲ_ｙで表される２－オキソアルキル基としては、例えば、炭素数１～１５（好ましくは炭素数１～１０）のものが挙げられ、具体的には、２－オキソプロピル基、及び２－オキソブチル基等が挙げられる。
Ｒ_ｘ及びＲ_ｙで表されるアルコキシカルボニルアルキル基としては、例えば、炭素数１～１５（好ましくは炭素数１～１０）のものが挙げられる。また、Ｒ_ｘとＲ_ｙは、結合して環を形成してもよい。
Ｒ_ｘとＲ_ｙとが互いに連結して形成される環構造は、酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、又は、炭素－炭素二重結合を含んでいてもよい。

一般式（ＺＩ－３）中、ＭとＲ_６ｃとが結合して環構造を形成してもよく、形成される環構造は、炭素－炭素二重結合を含んでいてもよい。

上記化合物（ＺＩ－３）は、なかでも、化合物（ＺＩ－３Ａ）であることが好ましい。
化合物（ＺＩ－３Ａ）は、下記一般式（ＺＩ－３Ａ）で表され、フェナシルスルフォニウム塩構造を有する化合物である。

一般式（ＺＩ－３Ａ）中、
Ｒ_１ｃ～Ｒ_５ｃは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、シクロアルキルカルボニルオキシ基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、アルキルチオ基又はアリールチオ基を表す。
Ｒ_６ｃ及びＲ_７ｃとしては、上述した一般式（ＺＩ－３）中のＲ_６ｃ及びＲ_７ｃと同義であり、その好ましい態様も同じである。
Ｒ_ｘ及びＲ_ｙとしては、上述した上述した一般式（ＺＩ－３）中のＲ_ｘ及びＲ_ｙと同義であり、その好ましい態様も同じである。

Ｒ_１ｃ～Ｒ_５ｃ中のいずれか２つ以上、Ｒ_ｘとＲ_ｙは、各々結合して環構造を形成してもよく、この環構造は、各々独立に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、又は、炭素－炭素二重結合を含んでいてもよい。また、Ｒ_５ｃ及びＲ_６ｃ、Ｒ_５ｃ及びＲ_ｘは、各々結合して環構造を形成してもよく、この環構造は、各々独立に炭素－炭素二重結合を含んでいてもよい。また、Ｒ_６ｃとＲ_７ｃは、各々結合して環構造を形成してもよい。
上記環構造としては、芳香族又は非芳香族の炭化水素環、芳香族又は非芳香族の複素環、及びこれらの環が２つ以上組み合わされてなる多環縮合環が挙げられる。環構造としては、３～１０員環が挙げられ、４～８員環が好ましく、５又は６員環がより好ましい。

Ｒ_１ｃ～Ｒ_５ｃ中のいずれか２つ以上、Ｒ_６ｃとＲ_７ｃ、及びＲ_ｘとＲ_ｙが結合して形成する基としては、ブチレン基、及びペンチレン基等が挙げられる。
Ｒ_５ｃとＲ_６ｃ、及びＲ_５ｃとＲ_ｘが結合して形成する基としては、単結合又はアルキレン基が好ましい。アルキレン基としては、メチレン基、及びエチレン基等が挙げられる。
Ｚｃ^－は、アニオンを表す。

次に、化合物（ＺＩ－４）について説明する。
化合物（ＺＩ－４）は、下記一般式（ＺＩ－４）で表される。

一般式（ＺＩ－４）中、
ｌは０～２の整数を表す。
ｒは０～８の整数を表す。
Ｒ_１３は、水素原子、フッ素原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、又は単環若しくは多環のシクロアルキル骨格を有する基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。
Ｒ_１４は、複数存在する場合は各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルキルスルホニル基、シクロアルキルスルホニル基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、又は単環若しくは多環のシクロアルキル骨格を有するアルコキシ基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。
Ｒ_１５は、各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基、又はナフチル基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。２つのＲ_１５が互いに結合して環を形成してもよい。２つのＲ_１５が互いに結合して環を形成するとき、環骨格内に、酸素原子、又は窒素原子等のヘテロ原子を含んでもよい。一態様において、２つのＲ_１５がアルキレン基であり、互いに結合して環構造を形成することが好ましい。
Ｚ^－は、アニオンを表す。

一般式（ＺＩ－４）において、Ｒ_１３、Ｒ_１４及びＲ_１５のアルキル基は、直鎖状又は分岐鎖状である。アルキル基の炭素数は、１～１０が好ましい。アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－ブチル基、又はｔ－ブチル基等がより好ましい。

次に、一般式（ＺＩＩ）、及び（ＺＩＩＩ）について説明する。
一般式（ＺＩＩ）、及び（ＺＩＩＩ）中、Ｒ_２０４～Ｒ_２０７は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Ｒ_２０４～Ｒ_２０７のアリール基としてはフェニル基、又はナフチル基が好ましく、フェニル基がより好ましい。Ｒ_２０４～Ｒ_２０７のアリール基は、酸素原子、窒素原子、又は硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造を有するアリール基の骨格としては、例えば、ピロール、フラン、チオフェン、インドール、ベンゾフラン、及びベンゾチオフェン等が挙げられる。
Ｒ_２０４～Ｒ_２０７のアルキル基及びシクロアルキル基としては、炭素数１～１０の直鎖状アルキル基又は炭素数３～１０の分岐鎖状アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、及びペンチル基）、又は、炭素数３～１０のシクロアルキル基（例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基、及びノルボルニル基）が好ましい。

Ｒ_２０４～Ｒ_２０７のアリール基、アルキル基、及びシクロアルキル基は、各々独立に、置換基を有していてもよい。Ｒ_２０４～Ｒ_２０７のアリール基、アルキル基、及びシクロアルキル基が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基（例えば炭素数１～１５）、シクロアルキル基（例えば炭素数３～１５）、アリール基（例えば炭素数６～１５）、アルコキシ基（例えば炭素数１～１５）、ハロゲン原子、水酸基、及びフェニルチオ基等が挙げられる。
Ｚ^－は、アニオンを表す。

一般式（ＺＩ）におけるＺ^－、一般式（ＺＩＩ）におけるＺ^－、一般式（ＺＩ－３）におけるＺｃ^－、及び一般式（ＺＩ－４）におけるＺ^－としては、下記一般式（３）で表されるアニオンが好ましい。

一般式（３）中、
ｏは、１～３の整数を表す。ｐは、０～１０の整数を表す。ｑは、０～１０の整数を表す。

Ｘｆは、フッ素原子、又は少なくとも１つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。このアルキル基の炭素数は、１～１０が好ましく、１～４がより好ましい。また、少なくとも１つのフッ素原子で置換されたアルキル基としては、パーフルオロアルキル基が好ましい。
Ｘｆは、フッ素原子又は炭素数１～４のパーフルオロアルキル基であることが好ましく、フッ素原子又はＣＦ_３であることがより好ましい。特に、双方のＸｆがフッ素原子であることが更に好ましい。

Ｒ_４及びＲ_５は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、アルキル基、又は少なくとも一つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。Ｒ_４及びＲ_５が複数存在する場合、Ｒ_４及びＲ_５は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｒ_４及びＲ_５で表されるアルキル基は、置換基を有していてもよく、炭素数１～４が好ましい。Ｒ_４及びＲ_５は、好ましくは水素原子である。
少なくとも一つのフッ素原子で置換されたアルキル基の具体例及び好適な態様は一般式（３）中のＸｆの具体例及び好適な態様と同じである。

Ｌは、２価の連結基を表す。Ｌが複数存在する場合、Ｌは、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
２価の連結基としては、例えば、－ＣＯＯ－（－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－）、－ＯＣＯ－、－ＣＯＮＨ－、－ＮＨＣＯ－、－ＣＯ－、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ－、－ＳＯ_２－、アルキレン基（好ましくは炭素数１～６）、シクロアルキレン基（好ましくは炭素数３～１５）、アルケニレン基（好ましくは炭素数２～６）及びこれらの複数を組み合わせた２価の連結基等が挙げられる。これらの中でも、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＣＯＮＨ－、－ＮＨＣＯ－、－ＣＯ－、－Ｏ－、－ＳＯ_２－、－ＣＯＯ－アルキレン基－、－ＯＣＯ－アルキレン基－、－ＣＯＮＨ－アルキレン基－又は－ＮＨＣＯ－アルキレン基－が好ましく、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＣＯＮＨ－、－ＳＯ_２－、－ＣＯＯ－アルキレン基－又は－ＯＣＯ－アルキレン基－がより好ましい。

Ｗは、環状構造を含む有機基を表す。これらの中でも、環状の有機基であることが好ましい。
環状の有機基としては、例えば、脂環基、アリール基、及び複素環基が挙げられる。
脂環基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。単環式の脂環基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、及びシクロオクチル基等の単環のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環基としては、例えば、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及びアダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が挙げられる。中でも、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及びアダマンチル基等の炭素数７以上の嵩高い構造を有する脂環基が好ましい。

アリール基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。このアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基及びアントリル基が挙げられる。
複素環基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。多環式の方がより酸の拡散を抑制可能である。また、複素環基は、芳香族性を有していてもよいし、芳香族性を有していなくてもよい。芳香族性を有している複素環としては、例えば、フラン環、チオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、及びピリジン環が挙げられる。芳香族性を有していない複素環としては、例えば、テトラヒドロピラン環、ラクトン環、スルトン環及びデカヒドロイソキノリン環が挙げられる。ラクトン環及びスルトン環の例としては、前述の樹脂において例示したラクトン構造及びスルトン構造が挙げられる。複素環基における複素環としては、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、又はデカヒドロイソキノリン環が特に好ましい。

上記環状の有機基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、アルキル基（直鎖状及び分岐鎖状のいずれであってもよく、炭素数１～１２が好ましい）、シクロアルキル基（単環、多環、及び、スピロ環のいずれであってもよく、炭素数３～２０が好ましい）、アリール基（炭素数６～１４が好ましい）、水酸基、アルコキシ基、エステル基、アミド基、ウレタン基、ウレイド基、チオエーテル基、スルホンアミド基、及びスルホン酸エステル基が挙げられる。なお、環状の有機基を構成する炭素（環形成に寄与する炭素）はカルボニル炭素であってもよい。

一般式（３）で表されるアニオンとしては、ＳＯ_３ ^－－ＣＦ_２－ＣＨ_２－ＯＣＯ－（Ｌ）ｑ’－Ｗ、ＳＯ_３ ^－－ＣＦ_２－ＣＨＦ－ＣＨ_２－ＯＣＯ－（Ｌ）ｑ’－Ｗ、ＳＯ_３ ^－－ＣＦ_２－ＣＯＯ－（Ｌ）ｑ’－Ｗ、ＳＯ_３ ^－－ＣＦ_２－ＣＦ_２－ＣＨ_２－ＣＨ_２－（Ｌ）ｑ－Ｗ、ＳＯ_３ ^－－ＣＦ_２－ＣＨ（ＣＦ_３）－ＯＣＯ－（Ｌ）ｑ’－Ｗが好ましい。ここで、Ｌ、ｑ及びＷは、一般式（３）と同様である。ｑ’は、０～１０の整数を表す。

一態様において、一般式（ＺＩ）におけるＺ^-、一般式（ＺＩＩ）におけるＺ^-、一般式（ＺＩ－３）におけるＺｃ^－、及び一般式（ＺＩ－４）におけるＺ^-としては、下記の一般式（４）で表されるアニオンも好ましい。

一般式（４）中、
Ｘ^Ｂ１及びＸ^Ｂ２は、各々独立に、水素原子、又はフッ素原子を有さない１価の有機基を表す。Ｘ^Ｂ１及びＸ^Ｂ２は、水素原子であることが好ましい。
Ｘ^Ｂ３及びＸ^Ｂ４は、各々独立に、水素原子、又は１価の有機基を表す。Ｘ^Ｂ３及びＸ^Ｂ４の少なくとも一方がフッ素原子又はフッ素原子を有する１価の有機基であることが好ましく、Ｘ^Ｂ３及びＸ^Ｂ４の両方がフッ素原子又はフッ素原子を有する１価の有機基であることがより好ましい。Ｘ^Ｂ３及びＸ^Ｂ４の両方が、フッ素原子で置換されたアルキル基であることが更に好ましい。
Ｌ、ｑ及びＷは、一般式（３）と同様である。

一般式（ＺＩ）におけるＺ^-、一般式（ＺＩＩ）におけるＺ^-、一般式（ＺＩ－３）におけるＺｃ^－、及び一般式（ＺＩ－４）におけるＺ^-は、ベンゼンスルホン酸アニオンであってもよく、分岐鎖状アルキル基又はシクロアルキル基によって置換されたベンゼンスルホン酸アニオンであることが好ましい。

一般式（ＺＩ）におけるＺ^-、一般式（ＺＩＩ）におけるＺ^-、一般式（ＺＩ－３）におけるＺｃ^－、及び一般式（ＺＩ－４）におけるＺ^-としては、下記の一般式（ＳＡ１）で表される芳香族スルホン酸アニオンも好ましい。

式（ＳＡ１）中、
Ａｒは、アリール基を表し、スルホン酸アニオン及び－（Ｄ－Ｂ）基以外の置換基を更に有していてもよい。更に有してもよい置換基としては、フッ素原子及び水酸基等が挙げられる。

ｎは、０以上の整数を表す。ｎとしては、１～４が好ましく、２～３がより好ましく、３が更に好ましい。

Ｄは、単結合又は２価の連結基を表す。２価の連結基としては、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、スルホキシド基、スルホン基、スルホン酸エステル基、エステル基、及び、これらの２種以上の組み合わせからなる基等が挙げられる。

Ｂは、炭化水素基を表す。

好ましくは、Ｄは単結合であり、Ｂは脂肪族炭化水素構造である。Ｂは、イソプロピル基又はシクロヘキシル基がより好ましい。

一般式（ＺＩ）におけるスルホニウムカチオン、及び一般式（ＺＩＩ）におけるヨードニウムカチオンの好ましい例を以下に示す。

一般式（ＺＩ）、一般式（ＺＩＩ）におけるアニオンＺ^-、一般式（ＺＩ－３）におけるＺｃ^－、及び一般式（ＺＩ－４）におけるＺ^-の好ましい例を以下に示す。

上記のカチオン及びアニオンを任意に組みわせて光酸発生剤として使用できる。

上記のカチオン又はアニオンは、ラクトン基又はスルトン基を有していても良い。
ラクトン基又はスルトン基としては、ラクトン構造又はスルトン構造を有していればいずれの基でも用いることができるが、好ましくは５～７員環ラクトン構造又は５～７員環スルトン構造を有する基であり、５～７員環ラクトン構造にビシクロ構造、又は、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているもの、又は５～７員環スルトン構造にビシクロ構造、又は、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているもの、がより好ましい。下記一般式（ＬＣ１－１）～（ＬＣ１－２１）のいずれかで表されるラクトン構造を有する基、又は下記一般式（ＳＬ１－１）～（ＳＬ１－３）のいずれかで表されるスルトン構造を有する基がより好ましい。好ましい構造としては、一般式（ＬＣ１－１）、一般式（ＬＣ１－４）、一般式（ＬＣ１－５）、一般式（ＬＣ１－６）、一般式（ＬＣ１－１３）、及び、一般式（ＬＣ１－１４）で表される基が好ましい。

ラクトン構造部分又はスルトン構造部分は、置換基（Ｒｂ_２）を有していてもよい。好ましい置換基（Ｒｂ_２）としては、炭素数１～８のアルキル基、炭素数４～７のシクロアルキル基、炭素数１～８のアルコキシ基、炭素数１～８のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、及び、酸分解性基等が挙げられる。ｎ２は、０～４の整数を表す。ｎ２が２以上の時、複数存在するＲｂ_２は、異なっていてもよく、また、複数存在するＲｂ_２同士が結合して環を形成してもよい。

上記光酸発生剤から生成される酸のｐＫａが－１０以上５以下であることが好ましい。

ｐＫａ（酸解離定数）とは、水溶液中でのｐＫａのことを表し、化学便覧（ＩＩ）（改訂４版、１９９３年、日本化学会編、丸善株式会社）に定義される。ｐＫａの値が低いほど酸強度が大きいことを示す。水溶液中でのｐＫａは、具体的には、無限希釈水溶液を用い、２５℃での酸解離定数を測定することにより実測できる。あるいは、下記ソフトウェアパッケージ１を用いて、ハメットの置換基定数及び公知文献値のデータベースに基づいた値を、計算により求めることもできる。本明細書中に記載したｐＫａの値は、全て、このソフトウェアパッケージを用いて計算により求めた値を示す。
ソフトウェアパッケージ１： Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ （ＡＣＤ／Ｌａｂｓ） Ｓｏｆｔｗａｒｅ Ｖ８．１４ ｆｏｒ Ｓｏｌａｒｉｓ （１９９４－２００７ ＡＣＤ／Ｌａｂｓ）。

光酸発生剤は、低分子化合物の形態であってもよく、重合体の一部に組み込まれた形態であってもよい。また、低分子化合物の形態と重合体の一部に組み込まれた形態を併用してもよい。
光酸発生剤は、低分子化合物の形態であることが好ましい。
光酸発生剤が、低分子化合物の形態である場合、分子量は３，０００以下が好ましく、２，０００以下がより好ましく、１，０００以下が更に好ましい。
光酸発生剤が、重合体の一部に組み込まれた形態である場合、前述した樹脂（Ａ）の一部に組み込まれてもよく、樹脂（Ａ）とは異なる樹脂に組み込まれてもよい。
光酸発生剤は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

光酸発生剤の具体例を以下に記載するが、本発明は、これに限定されるものではない。

また、光酸発生剤として、実施例で使用されている化合物Ｂ－１～Ｂ－１７も好ましく挙げられるが、これに限定されない。

本発明の組成物中、光酸発生剤の含有量（複数種存在する場合はその合計）は、組成物の全固形分を基準として、０．１～３５質量％が好ましく、０．５～３０質量％がより好ましく、１～３０質量％が更に好ましく、１～２５質量％が特に好ましい。
好ましい一態様として、本発明の組成物中、光酸発生剤の含有量は、組成物の全固形分を基準として、２０質量％未満であることが好ましい。

＜アルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基を有する含フッ素化合物＞
本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、アルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基を有する含フッ素化合物（以下、「含フッ素化合物（Ｃ）」ともいう）を含有することが好ましい。
含フッ素化合物（Ｃ）は、フッ素を含むことで本発明の感活性光線性又は感放射線性膜の表面に偏在することができ、所望の性能を発揮することができる。

アルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基は、「極性変換基」とも呼ばれ、具体例としては、ラクトン基、カルボン酸エステル基（－ＣＯＯ－）、酸無水物基（－Ｃ（Ｏ）ＯＣ（Ｏ）－）、酸イミド基（－ＮＨＣＯＮＨ－）、カルボン酸チオエステル基（－ＣＯＳ－）、炭酸エステル基（－ＯＣ（Ｏ）Ｏ－）、硫酸エステル基（－ＯＳＯ_２Ｏ－）、スルホン酸エステル基（－ＳＯ_２Ｏ－）などが挙げられる。
なお、アクリレートなどにおけるような、繰り返し単位の主鎖に直結したエステル基は、アルカリ現像液の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解性が増大する機能が劣るため、本発明における極性変換基には含まれない。
含フッ素化合物（Ｃ）は、表面偏在性の観点から、フルオロアルキル基を有することが好ましい。
含フッ素化合物（Ｃ）は、樹脂（「樹脂（Ｃ）ともいう」）であることがより好ましい。
含フッ素化合物（Ｃ）は、極性変換基を有する繰り返し単位（「繰り返し単位（ｃ）」ともいう）を含む樹脂であることがより好ましい。
繰り返し単位（ｃ）として、例えば、一般式（Ｋ０）で示される繰り返し単位を挙げることができる。

一般式（Ｋ０）中、Ｒ_ｋ１は水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は極性変換基を含む基を表す。
Ｒ_ｋ２はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は極性変換基を含む基を表す。
但し、Ｒ_ｋ１、Ｒ_ｋ２の少なくとも一方は、極性変換基を有する。
なお、一般式（Ｋ０）に示されている繰り返し単位の主鎖に直結しているエステル基は、前述したように、本発明における極性変換基には含まれない。

極性変換基としては、一般式（ＫＡ－１）又は（ＫＢ－１）で表される部分構造におけるＸで表される基であることが好ましい。
すなわち、繰り返し単位（ｃ）は、一般式（ＫＡ－１）及び（ＫＢ－１）で表される部分構造の少なくとも１つを有し、極性変換基が一般式（ＫＡ－１）又は（ＫＢ－１）で表される部分構造中のＸで表されることが好ましい。

一般式（ＫＡ－１）又は（ＫＢ－１）におけるＸは、カルボン酸エステル基：－ＣＯＯ－、酸無水物基：－Ｃ（Ｏ）ＯＣ（Ｏ）－、酸イミド基：－ＮＨＣＯＮＨ－、カルボン酸チオエステル基：－ＣＯＳ－、炭酸エステル基：－ＯＣ（Ｏ）Ｏ－、硫酸エステル基：－ＯＳＯ_２Ｏ－、スルホン酸エステル基：－ＳＯ_２Ｏ－を表す。
Ｙ^１及びＹ^２は、それぞれ同一でも異なっても良く、電子求引性基を表す。
なお、繰り返し単位（ｃ）は、一般式（ＫＡ－１）又は（ＫＢ－１）で表される部分構造を有する基を有することで、好ましい極性変換基を有するが、一般式（ＫＡ－１）で表される部分構造、Ｙ^１及びＹ^２が１価である場合の（ＫＢ－１）で表される部分構造の場合のように、上記部分構造が結合手を有しない場合は、上記部分構造を有する基とは、上記部分構造における任意の水素原子を少なくとも１つ除いた１価以上の基を有する基である。
一般式（ＫＡ－１）又は（ＫＢ－１）で表される部分構造は、任意の位置で置換基を介して樹脂（Ｃ）の主鎖に連結している。

一般式（ＫＡ－１）で表される部分構造は、Ｘとしての基とともに環構造を形成する構造である。
一般式（ＫＡ－１）におけるＸとして好ましくは、カルボン酸エステル基（即ち、ＫＡ－１としてラクトン環構造を形成する場合）、及び酸無水物基、炭酸エステル基である。より好ましくはカルボン酸エステル基である。
一般式（ＫＡ－１）で表される環構造は、置換基を有していてもよく、例えば、置換基Ｚ_ｋａ１をｎｋａ個有していてもよい。
Ｚ_ｋａ１は、複数ある場合はそれぞれ独立して、アルキル基、シクロアルキル基、エーテル基、ヒドロキシル基、アミド基、アリール基、ラクトン環基、又は電子求引性基を表す。
Ｚ_ｋａ１同士が連結して環を形成しても良い。Ｚ_ｋａ１同士が連結して形成する環としては、例えば、シクロアルキル環、ヘテロ環（環状エーテル環、ラクトン環など）が挙げられる。
ｎｋａは０～１０の整数を表す。好ましくは０～８の整数、より好ましくは０～５の整数、更に好ましくは１～４の整数、最も好ましくは１～３の整数である。

Ｚ_ｋａ１としての電子求引性基は、ハロゲン原子に代表される後述のＹ^１及びＹ^２としての電子求引性基と同様である。
なお、上記電子求引性基は、別の電子求引性基で置換されていてもよい。

Ｚ_ｋａ１は好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、エーテル基、ヒドロキシル基、又は電子求引性基であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又は電子求引性基である。なお、エーテル基としては、アルキル基又はシクロアルキル基等で置換されたもの、すなわち、アルキルエーテル基等が好ましい。電子求引性基の好ましい例は、後述のＹ^１及びＹ^２としての電子求引性基と同様である。
Ｚ_ｋａ１としてのハロゲン原子はフッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
Ｚ_ｋａ１としてのアルキル基は置換基を有していてもよく、直鎖、分岐のいずれでもよい。直鎖アルキル基としては、好ましくは炭素数１～３０、更に好ましくは１～２０であり、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デカニル基等が挙げられる。分岐アルキル基としては、好ましくは炭素数３～３０、更に好ましくは３～２０であり、例えば、ｉ－プロピル基、ｉ－ブチル基、ｔ－ブチル基、ｉ－ペンチル基、ｔ－ペンチル基、ｉ－ヘキシル基、ｔ－ヘキシル基、ｉ－ヘプチル基、ｔ－ヘプチル基、ｉ－オクチル基、ｔ－オクチル基、ｉ－ノニル基、ｔ－デカノイル基等が挙げられる。メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｉ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｉ－ブチル基、ｔ－ブチル基などの炭素数１～４のものが好ましい。
Ｚ_ｋａ１としてのシクロアルキル基は、置換基を有していてもよく、単環型でもよく、多環型でもよく、有橋式であってもよい。例えば、シクロアルキル基は橋かけ構造を有していてもよい。単環型としては、炭素数３～８のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロブチル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。多環型としては、炭素数５以上のビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を有する基を挙げることができ、炭素数６～２０のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α－ピネル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基、アンドロスタニル基等が挙げられる。シクロアルキル基としては下記構造も好ましい。なお、シクロアルキル基中の炭素原子の一部が、酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。

上記脂環部分の好ましいものとしては、アダマンチル基、ノルアダマンチル基、デカリン基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基を挙げることができる。より好ましくは、アダマンチル基、デカリン基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基、トリシクロデカニル基である。
これらの脂環式構造の置換基としては、アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基が挙げられる。アルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等の低級アルキル基が好ましく、更に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基を表す。上記アルコキシ基としては、好ましくはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１～４個のものを挙げることができる。アルキル基及びアルコキシ基が有してもよい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基（好ましくは炭素数１～４）等を挙げることができる。

Ｚ_ka１のラクトン環基としては、後述する（ＫＡ－１－１）～（ＫＡ－１－１７）のいずれかで表される構造から水素原子を除した基が挙げられる。

Ｚ_ka１のアリール基としては、例えば、フェニル基及びナフチル基が挙げられる。

Ｚ_ka１のアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基が更に有し得る置換基としては、水酸基、ハロゲン原子（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）、ニトロ基、シアノ基、上記のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ－ブトキシ基、ｔ－ブトキシ基等のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ベンジル基、フエネチル基、クミル基等のアラルキル基、アラルキルオキシ基、ホルミル基、アセチル基、ブチリル基、ベンゾイル基、シアナミル基、バレリル基等のアシル基、ブチリルオキシ基等のアシロキシ基、上記のアルケニル基、ビニルオキシ基、プロペニルオキシ基、アリルオキシ基、ブテニルオキシ基等のアルケニルオキシ基、上記のアリール基、フエノキシ基等のアリールオキシ基、ベンゾイルオキシ基等のアリールオキシカルボニル基等を挙げることができる。

一般式（ＫＡ－１）におけるＸがカルボン酸エステル基であり、一般式（ＫＡ－１）が示す部分構造がラクトン環であることが好ましく、５～７員環ラクトン環であることが好ましい。
なお、下記（ＫＡ－１－１）～（ＫＡ－１－１７）におけるように、一般式（ＫＡ－１）で表される部分構造としての５～７員環ラクトン環に、ビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環していることが好ましい。
一般式（ＫＡ－１）で表される環構造が結合してもよい周辺の環構造については、例えば、下記（ＫＡ－１－１）～（ＫＡ－１－１７）におけるもの、又はこれに準じたものを挙げることができる。

一般式（ＫＡ－１）が示すラクトン環構造を含有する構造として、下記（ＫＡ－１－１）～（ＫＡ－１－１７）のいずれかで表される構造がより好ましい。なお、ラクトン構造が主鎖に直接結合していてもよい。好ましい構造としては、（ＫＡ－１－１）、（ＫＡ－１－４）、（ＫＡ－１－５）、（ＫＡ－１－６）、（ＫＡ－１－１３）、（ＫＡ－１－１４）、（ＫＡ－１－１７）である。

上記ラクトン環構造を含有する構造は、置換基を有していても有していなくてもよい。好ましい置換基としては、上記一般式（ＫＡ－１）が示す環構造が有してもよい置換基と同様のものが挙げられる。

ラクトン構造は光学活性体が存在するものもあるが、いずれの光学活性体を用いてもよい。また、１種の光学活性体を単独で用いても、複数の光学活性体を混合して用いてもよい。１種の光学活性体を主に用いる場合、その光学純度（ｅｅ）が９０％以上のものが好ましく、より好ましくは９５％以上、最も好ましくは９８％以上である。

一般式（ＫＢ－１）のＸとして好ましくは、カルボン酸エステル基（－ＣＯＯ－）を挙げることができる。

一般式（ＫＢ－１）におけるＹ^１及びＹ^２は、それぞれ独立に、電子求引性基を表す。

電子求引性基は、下記式（ＥＷ）で示す部分構造であることが好ましい。式（ＥＷ）における＊は（ＫＡ－１）に直結している結合手、又は（ＫＢ－１）中のＸに直結している結合手を表す。

式（ＥＷ）中、
ｎ_ｅｗは－Ｃ（Ｒ_ｅｗ１）（Ｒ_ｅｗ２）－で表される連結基の繰り返し数であり、０又は１の整数を表す。ｎ_ｅｗが０の場合は単結合を表し、直接Ｙ_ｅｗ１が結合していることを示す。
Ｙ_ｅｗ１は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトリル基、ニトロ基、後述の－Ｃ（Ｒ_ｆ１）（Ｒ_ｆ２）－Ｒ_ｆ３で表されるハロ（シクロ）アルキル基、ハロアリール基、オキシ基、カルボニル基、スルホニル基、スルフィニル基、及びこれらの組み合わせをあげることができ、電子求引性基は例えば下記構造であってもよい。なお、「ハロ（シクロ）アルキル基」とは、少なくとも一部がハロゲン化したアルキル基及びシクロアルキル基を表す。Ｒ_ｅｗ３、Ｒ_ｅｗ４は、各々独立して任意の構造を表す。Ｒ_ｅｗ３、Ｒ_ｅｗ４はどのような構造でも式（ＥＷ）で表される部分構造は電子求引性を有し、例えば樹脂の主鎖に連結していてもよいが、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、フッ化アルキル基である。

Ｙ_ｅｗ１が２価以上の基である場合、残る結合手は、任意の原子又は置換基との結合を形成するものである。Ｙ_ｅｗ１、Ｒ_ｅｗ１、Ｒ_ｅｗ２の少なくとも何れかの基が更なる置換基を介して樹脂（Ｃ）の主鎖に連結していてもよい。
Ｙ_ｅｗ１は、好ましくはハロゲン原子、又は、－Ｃ（Ｒ_ｆ１）（Ｒ_ｆ２）－Ｒ_ｆ３で表されるハロ（シクロ）アルキル基又はハロアリール基である。
Ｒ_ｅｗ１、Ｒ_ｅｗ２は、各々独立して任意の置換基を表し、例えば水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。
Ｒ_ｅｗ１、Ｒ_ｅｗ２及びＹ_ｅｗ１の少なくとも２つが互いに連結して環を形成していてもよい。

ここでＲ_ｆ１はハロゲン原子、パーハロアルキル基、パーハロシクロアルキル基、又はパーハロアリール基を表し、より好ましくはフッ素原子、パーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基、更に好ましくはフッ素原子又はトリフルオロメチル基を表す。
Ｒ_ｆ２、Ｒ_ｆ３は各々独立して水素原子、ハロゲン原子又は有機基を表し、Ｒ_ｆ２とＲ_ｆ３とが連結して環を形成してもよい。有機基としては例えばアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基等を表し、これらはハロゲン原子（好ましくはフッ素原子）で置換されていても良く、より好ましくは、Ｒ_ｆ２、Ｒ_ｆ３は、（ハロ）アルキル基である。Ｒ_ｆ２はＲ_ｆ１と同様の基を表すか、又はＲ_ｆ３と連結して環を形成していることがより好ましい。
Ｒ_ｆ１とＲ_ｆ３とは連結して環を形成してもよく、形成する環としては、（ハロ）シクロアルキル環、（ハロ）アリール環等が挙げられる。
Ｒ_ｆ１～Ｒ_ｆ３における（ハロ）アルキル基としては、例えば前述したＺ_ｋａ１におけるアルキル基、及びこれがハロゲン化した構造が挙げられる。
Ｒ_ｆ１～Ｒ_ｆ３における、又は、Ｒ_ｆ２とＲ_ｆ３とが連結して形成する環における（パー）ハロシクロアルキル基及び（パー）ハロアリール基としては、例えば前述したＺ_ｋａ１におけるシクロアルキル基がハロゲン化した構造、より好ましくは－Ｃ_（ｎ）Ｆ_{（２ｎ－２）}Ｈで表されるフルオロシクロアルキル基、及び、－Ｃ_（ｎ）Ｆ_{（ｎ－１）}で表されるパーフルオロアリール基が挙げられる。ここで炭素数ｎは特に限定されないが、５～１３のものが好ましく、６がより好ましい。

Ｒ_ｅｗ１、Ｒ_ｅｗ２及びＹ_ｅｗ１の少なくとも２つが互いに連結して形成してもよい環としては、好ましくはシクロアルキル基又はヘテロ環基が挙げられ、ヘテロ環基としてはラクトン環基が好ましい。ラクトン環としては、例えば上記式（ＫＡ－１－１）～（ＫＡ－１－１７）で表される構造が挙げられる。

なお、繰り返し単位中（ｃ）中に、一般式（ＫＡ－１）で表される部分構造を複数、一般式（ＫＢ－１）で表される部分構造を複数、あるいは、一般式（ＫＡ－１）の部分構造と一般式（ＫＢ－１）の両方を有していてもよい。
なお、一般式（ＫＡ－１）の部分構造の一部又は全部が、一般式（ＫＢ－１）におけるＹ^１又はＹ^２としての電子求引性基を兼ねてもよい。例えば、一般式（ＫＡ－１）のＸがカルボン酸エステル基である場合、そのカルボン酸エステル基は一般式（ＫＢ－１）におけるＹ^１又はＹ^２としての電子求引性基として機能することもあり得る。

繰り返し単位（ｃ）が、１つの側鎖上に、フッ素原子と極性変換基とを有する繰り返し単位（ｃ’）であっても、極性変換基を有し、かつ、フッ素原子を有さない繰り返し単位（ｃ＊）であっても、１つの側鎖上に極性変換基を有し、かつ、同一繰り返し単位内の上記側鎖と異なる側鎖上に、フッ素原子を有する繰り返し単位（ｃ”）であってもよいが、樹脂（Ｃ）は繰り返し単位（ｃ）として繰り返し単位（ｃ’）を有することがより好ましい。すなわち、極性変換基を少なくとも１つ有する繰り返し単位（ｃ）が、フッ素原子を有することがより好ましい。
なお、樹脂（Ｃ）が、繰り返し単位（ｃ＊）を有する場合、フッ素原子を有する繰り返し単位（後述する繰り返し単位（ｃ１））とのコポリマーであることが好ましい。また、繰り返し単位（ｃ”）における、極性変換基を有する側鎖とフッ素原子を有する側鎖とは、主鎖中の同一の炭素原子に結合している、すなわち下記式（Ｋ１）のような位置関係にあることが好ましい。
式中、Ｂ１は極性変換基を有する部分構造、Ｂ２はフッ素原子を有する部分構造を表す。

また、繰り返し単位（ｃ＊）及び繰り返し単位（ｃ”）においては、極性変換基が、一般式（ＫＡ－１）で示す構造における－ＣＯＯ－で表される部分構造であることがより好ましい。

樹脂（Ｃ）のアルカリ現像液に対する加水分解速度は０．００１ｎｍ／ｓｅｃ以上であることが好ましく、０．０１ｎｍ／ｓｅｃ以上であることがより好ましく、０．１ｎｍ／ｓｅｃ以上であることが更に好ましく、１ｎｍ／ｓｅｃ以上であることが最も好ましい。
ここで樹脂（Ｃ）のアルカリ現像液に対する加水分解速度は２３℃のＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液）（２．３８質量％）に対して、樹脂（Ｃ）のみで樹脂膜を製膜した際の膜厚が減少する速度である。

本発明の樹脂（Ｃ）は、少なくとも２つ以上の極性変換基を有する繰り返し単位（ｃ）を含有し、かつ、フッ素原子を有する樹脂（Ｃ１）であることが好ましい。

繰り返し単位（ｃ）が少なくとも２つの極性変換基を有する場合、繰り返し単位（ｃ）は、下記一般式（ＫＹ－１）で示す、２つの極性変換基を有する部分構造を有することが好ましい。なお、一般式（ＫＹ－１）で表される構造が、結合手を有さない場合は、上記構造における任意の水素原子を少なくとも１つ除いた１価以上の基である。

一般式（ＫＹ－１）において、
Ｒ_ｋｙ１、Ｒ_ｋｙ４はそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、エーテル基、ヒドロキシル基、シアノ基、アミド基、又はアリール基を表す。或いは、Ｒ_ｋｙ１、Ｒ_ｋｙ４が同一の原子と結合して二重結合を形成していてもよく、例えばＲ_ｋｙ１、Ｒ_ｋｙ４が同一の酸素原子と結合してカルボニル基の一部（＝Ｏ）を形成してもよい。
Ｒ_ｋｙ２、Ｒ_ｋｙ３はそれぞれ独立して電子求引性基であるか、又はＲ_ｋｙ１とＲ_ｋｙ２が連結してラクトン環を形成するとともにＲ_ｋｙ３が電子求引性基である。形成するラクトン環としては、上記（ＫＡ－１－１）～（ＫＡ－１－１７）の構造が好ましい。電子求引性基としては、上記式（ＫＢ－１）におけるＹ^１、Ｙ^２と同様のものが挙げられ、好ましくはハロゲン原子、又は、上記－Ｃ（Ｒ_ｆ１）（Ｒ_ｆ２）－Ｒ_ｆ３で表されるハロ（シクロ）アルキル基又はハロアリール基である。好ましくはＲ_ｋｙ３がハロゲン原子、又は、上記－Ｃ（Ｒ_ｆ１）（Ｒ_ｆ２）－Ｒ_ｆ３で表されるハロ（シクロ）アルキル基又はハロアリール基であり、Ｒ_ｋｙ２はＲ_ｋｙ１と連結してラクトン環を形成するか、ハロゲン原子を有さない電子求引性基である。
Ｒ_ｋｙ１、Ｒ_ｋｙ２、Ｒ_ｋｙ４はそれぞれ互いに連結して単環又は多環構造を形成しても良い。

Ｒ_ｋｙ１、Ｒ_ｋｙ４は具体的には式（ＫＡ－１）におけるＺ_ｋａ１と同様の基が挙げられる。
Ｒ_ｋｙ１とＲ_ｋｙ２が連結して形成するラクトン環としては、上記（ＫＡ－１－１）～（ＫＡ－１－１７）の構造が好ましい。電子求引性基としては、上記式（ＫＢ－１）におけるＹ^１、Ｙ^２と同様のものが挙げられる。

一般式（ＫＹ－１）で表される構造としては、下記一般式（ＫＹ－２）で示す構造であることがより好ましい。なお、一般式（ＫＹ－２）で表される構造は、上記構造における任意の水素原子を少なくとも１つ除いた１価以上の基である。

式（ＫＹ－２）中、
Ｒ_ｋｙ６～Ｒ_ｋｙ１０は、各々独立して、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、エーテル基、ヒドロキシル基、シアノ基、アミド基、又はアリール基を表す。
Ｒ_ｋｙ６～Ｒ_ｋｙ１０は、２つ以上が互いに連結して単環又は多環構造を形成しても良い。
Ｒ_ｋｙ５は電子求引性基を表す。電子求引性基は上記Ｙ^１、Ｙ^２におけるものと同様のものが挙げられ、好ましくはハロゲン原子、又は、上記－Ｃ（Ｒ_ｆ１）（Ｒ_ｆ２）－Ｒ_ｆ３で表されるハロ（シクロ）アルキル基又はハロアリール基である。
Ｒ_ｋｙ５～Ｒ_ｋｙ１０は具体的には式（ＫＡ－１）におけるＺ_ｋａ１と同様の基が挙げられる。

式（ＫＹ－２）で表される構造は、下記一般式（ＫＹ－３）で示す部分構造であることがより好ましい。

式（ＫＹ－３）中、
Ｚ_ｋａ１、ｎｋａは各々上記一般式（ＫＡ－１）と同義である。Ｒ_ｋｙ５は上記式（ＫＹ－２）と同義である。
Ｌ_ｋｙはアルキレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。Ｌ_ｋｙのアルキレン基としてはメチレン基、エチレン基等が挙げられる。Ｌ_ｋｙは酸素原子又はメチレン基であることが好ましく、メチレン基であることが更に好ましい。
繰り返し単位（ｃ）は、付加重合、縮合重合、付加縮合、等、重合により得られる繰り返し単位であれば限定されるものではないが、炭素－炭素２重結合の付加重合により得られる繰り返し単位であることが好ましい。例として、アクリレート系繰り返し単位（α位、β位に置換基を有する系統も含む）、スチレン系繰り返し単位（α位、β位に置換基を有する系統も含む）、ビニルエーテル系繰り返し単位、ノルボルネン系繰り返し単位、マレイン酸誘導体（マレイン酸無水物やその誘導体、マレイミド、等）の繰り返し単位、等を挙げることが出来、アクリレート系繰り返し単位、スチレン系繰り返し単位、ビニルエーテル系繰り返し単位、ノルボルネン系繰り返し単位が好ましく、アクリレート系繰り返し単位、ビニルエーテル系繰り返し単位、ノルボルネン系繰り返し単位がより好ましく、アクリレート系繰り返し単位が最も好ましい。

繰り返し単位（ｃ）のより具体的な構造としては、以下に示す部分構造を有する繰り返し単位が好ましい。
繰り返し単位（ｃ）は、以下に示す部分構造を有する繰り返し単位であり得る。

一般式（ｃｃ）において、
Ｚ_１は、複数存在する場合はそれぞれ独立に、単結合、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合又はウレア結合を表し、好ましくはエステル結合を表す。
Ｚ_２は、複数存在する場合はそれぞれ独立に、鎖状若しくは環状アルキレン基を表し、好ましくは、炭素数１若しくは２のアルキレン基又は炭素数５～１０のシクロアルキレン基を表す。
Ｔａは、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、ニトリル基、ヒドロキシル基、アミド基、アリール基又は電子求引性基（上記一般式（ＫＢ－１）におけるＹ^１及びＹ^２としての電子求引性基と同義である）を表し、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、電子求引性基を表し、更に好ましくは電子求引性基を表す。Ｔａが複数個ある場合には、Ｔａ同士が結合して、環を形成しても良い。
Ｌ_０は、単結合又はｍ＋１価の炭化水素基（好ましくは炭素数２０以下）を表し、好ましくは単結合を表す。Ｌ_０としての単結合は、ｍが１の場合である。Ｌ_０としてのｍ＋１価の炭化水素基は、例えば、アルキレン基、シクロアルキレン基、フェニレン基、又は、これらの組み合わせから、任意の水素原子をｍ－１個除いたｍ＋１価の炭化水素基を表す。
Ｌは、それぞれ独立に、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はエーテル基を表す。
Ｔｃは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ニトリル基、ヒドロキシル基、アミド基、アリール基又は電子求引性基（上記一般式（ＫＢ－１）におけるＹ^１及びＹ^２としての電子求引性基と同義である）を表す。
＊は、樹脂の主鎖又は側鎖への結合手を表す。すなわち、式（ｃｃ）で表される部分構造が主鎖に直結していてもよいし、樹脂の側鎖に、式（ｃｃ）で表される部分構造が結合していてもよい。なお、主鎖への結合手とは、主鎖を構成する結合中に存在する原子への結合手であり、側鎖への結合手とは、主鎖を構成する結合中以外に存在する原子への結合手である。
ｍは、１～２８の整数を表し、好ましくは１～３の整数であり、更に好ましくは１である。
ｋは、０～２の整数を表し、好ましくは１である。
ｑは、基（Ｚ_２－Ｚ_１）の繰り返し数を示し、０～５の整数を表し、好ましくは０～２である。
ｒは、０～５の整数を表す。
なお、－（Ｌ）ｒ－Ｔｃの代わりに、上記－Ｌ_０－（Ｔａ）ｍが置換していてもよい。
糖ラクトンの末端にフッ素原子を有する場合、そして同一繰り返し単位内の糖ラクトン側の側鎖と異なる側鎖上にフッ素原子を有する場合（繰り返し単位（ｃ”））も好ましい。

Ｚ_２としての鎖状アルキレン基は、直鎖アルキレン基の場合は好ましくは炭素数１～３０、更に好ましくは１～２０であり、分岐アルキレン基の場合は好ましくは炭素数３～３０、更に好ましくは３～２０である。Ｒ_２としての鎖状アルキレン基の具体例としては、上記したＺ_ｋａ１としてのアルキル基の具体例から任意の水素原子を１個除いた基を挙げることができる。
Ｚ_２としての環状アルキレン基は、好ましくは炭素数３～８であり、その具体例としては、上記したＺ_ｋａ１としてのシクロアルキル基から任意の水素原子を１個除いた基を挙げることができる。
Ｔａ及びＴｃとしてのアルキル基及びシクロアルキル基における好ましい炭素数、及び、具体例は、上記したＺ_ｋａ１としてのアルキル基及びシクロアルキル基において記載したものと同様である。
Ｔａとしてのアルコキシ基としては、好ましくは炭素数１～８であり、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等を挙げることができる。
Ｔａ及びＴｃとしてのアリール基としては、好ましくは炭素数６～１２のアリール基、例えば、フェニル基及びナフチル基を挙げることができる。
Ｌ_０としてのアルキレン基、シクロアルキレン基の好ましい炭素数及びその具体例は、Ｚ_２としての鎖状アルキレン基及び環状アルキレン基で説明したものと同様である。

繰り返し単位（ｃ）のより具体的な構造としては、以下に示す部分構造を有する繰り返し単位が好ましい。

一般式（ｃａ－２）及び（ｃｂ－２）において、
ｎは、０～１１の整数を表し、好ましくは０～５の整数、より好ましくは１又は２を表す。
ｐは、０～５の整数を表し、好ましくは０～３の整数、より好ましくは１又は２を表す。
Ｔｂは、独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、ニトリル基、ヒドロキシル基、アミド基、アリール基又は電子求引性基（上記一般式（ＫＢ－１）におけるＹ^１及びＹ^２としての電子求引性基と同義である）を表し、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、電子求引性基を表す。Ｔｂが複数個ある場合には、Ｔｂ同士が結合して、環を形成しても良い。
＊は、樹脂の主鎖又は側鎖への結合手を表す。すなわち、式（ｃａ－２）又は（ｃｂ－２）で表される部分構造が主鎖に直結していてもよいし、樹脂の側鎖に、式（ｃａ－２）又は（ｃｂ－２）で表される部分構造が結合していてもよい。
Ｚ_１、Ｚ_２、Ｔａ、Ｔｃ、Ｌ、＊、ｍ、ｑ、ｒは、一般式（ｃｃ）におけるものと同義であり、好ましいものも同様である。

繰り返し単位（ｃ）のより具体的な構造としては、以下に示す部分構造を有する繰り返し単位が好ましい。

一般式（ＫＹ－４）に於いて、
Ｒ_２は、鎖状若しくは環状アルキレン基を表し、複数個ある場合は、同じでも異なっていてもよい。
Ｒ_３は、構成炭素上の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された、直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素基を示す。
Ｒ_４は、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシ基、アミド基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、フェニル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、又はＲ－Ｃ（＝Ｏ）－若しくはＲ－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－で表される基（Ｒは、アルキル基若しくはシクロアルキル基を表す。）を表す。Ｒ_４が複数個ある場合は、同じでも異なっていてもよく、また、２つ以上のＲ_４が結合し、環形成していても良い。
Ｘは、アルキレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。
Ｚ、Ｚａは、複数存在する場合はそれぞれ独立に、単結合、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合又はウレア結合を表し、複数ある場合は、同じでも異なっていてもよい。
＊は、樹脂の主鎖又は側鎖への結合手を表す。
ｏは、置換基数であって、１～７の整数を表す。
ｍは、置換基数であって、０～７の整数を表す。
ｎは、繰り返し数を表し、０～５の整数を表す。
－Ｒ_２－Ｚ－の構造として好ましくは、－（ＣＨ_２）_ｌ－ＣＯＯ－で表される構造が好ましい（ｌは１～５の整数を表す）。

Ｒ_２としての鎖状若しくは環状アルキレン基の好ましい炭素数範囲及び具体例は、一般式（ｃｃ）のＺ_２における鎖状アルキレン基及び環状アルキレン基で説明したものと同様である。
Ｒ_３としての直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素基の炭素数は、直鎖状の場合、好ましくは１～３０、更に好ましくは１～２０であり、分岐状の場合、好ましくは３～３０、更に好ましくは３～２０であり、環状の場合、６～２０である。Ｒ_３の具体例としては、上記したＺ_ｋａ１としてのアルキル基及びシクロアルキル基の具体例を挙げることができる。
Ｒ_４及びＲとしてのアルキル基及びシクロアルキル基における好ましい炭素数、及び、具体例は、上記したＺ_ｋａ１としてのアルキル基及びシクロアルキル基において記載したものと同様である。
Ｒ_４としてのアシル基としては、炭素数１～６のものが好ましく、例えば、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、ピバロイル基などを挙げることができる。
Ｒ_４としてのアルコキシ基及びアルコキシカルボニル基におけるアルキル部位としては、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル部位を挙げることができ、アルキル部位の好ましい炭素数、及び、具体例は、上記したＺ_ｋａ１としてのアルキル基及びシクロアルキル基において記載したものと同様である。
Ｘとしてのアルキレン基としては、鎖状若しくは環状アルキレン基を挙げることができ、好ましい炭素数及びその具体例は、Ｒ_２としての鎖状アルキレン基及び環状アルキレン基で説明したものと同様である。

より好ましくは一般式（ＫＹ－５）で表わされる部分構造を有する繰り返し単位である。

一般式（ＫＹ－５）に於いて、
Ｒ_２は、鎖状若しくは環状アルキレン基を表し、複数個ある場合は、同じでも異なっていてもよい。
Ｒ_３は、構成炭素上の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換され、直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素基を示す。
Ｒ_４は、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシ基、アミド基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、フェニル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、又はＲ－Ｃ（＝Ｏ）－若しくはＲ－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－で表される基（Ｒは、アルキル基若しくはシクロアルキル基を表す。）を表す。Ｒ_４が複数個ある場合は、同じでも異なっていてもよく、また、２つ以上のＲ_４が結合し、環を形成していても良い。
Ｘは、アルキレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。
Ｚは、単結合、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合又はウレア結合を表し、複数ある場合は、同じでも異なっていてもよい。
＊は、樹脂の主鎖又は側鎖への結合手を表す。
ｎは、繰り返し数を表し、０～５の整数を表す。
ｍは、置換基数であって、０～７の整数を表す。
Ｒ_２～Ｒ_４及びＸにおける炭素数の好ましい範囲及び具体例は、一般式（ＫＹ－４）で説明したものと同様である。
－Ｒ_２－Ｚ－の構造として好ましくは、－（ＣＨ_２）_ｌ－ＣＯＯ－で表される構造が好ましい（ｌは１～５の整数を表す）。

繰り返し単位（ｃ）のより具体的な構造としては、以下に示す部分構造を有する繰り返し単位が好ましい。

一般式（ｒｆ－１）及び（ｒｆ－２）中、
Ｘ´は、電子求引性の置換基を表し、好ましくは、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、フッ素原子で置換されたアルキレン基、フッ素原子で置換されたシクロアルキレン基である。
Ａは、単結合又は－Ｃ（Ｒｘ）（Ｒｙ）－で表される２価の連結基を表す。ここで、Ｒｘ、Ｒｙは、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、アルキル基（好ましくは炭素数１～６で、フッ素原子等で置換されていてもよい）、又はシクロアルキル基（好ましくは炭素数５～１２で、フッ素原子等で置換されていてもよい）を表す。Ｒｘ，Ｒｙとして好ましくは、水素原子、アルキル基、フッ素原子で置換されたアルキル基である。
Ｘは、電子求引性基を表し、好ましくは、フッ化アルキル基、フッ化シクロアルキル基、フッ素又はフッ化アルキル基で置換されたアリール基、フッ素又はフッ化アルキル基で置換されたアラルキル基である。
＊は、樹脂の主鎖又は側鎖への結合手を表す。即ち、単結合あるいは連結基を通じて樹脂の主鎖に結合する結合手を表す。
なお、Ｘ´がカルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基であるとき、Ａは単結合ではない。

Ｘ´としてのフッ素原子で置換されたアルキレン基におけるアルキレン基としては、直鎖アルキレン基の場合は好ましくは炭素数１～３０、更に好ましくは１～２０であり、分岐アルキレン基の場合は好ましくは炭素数３～３０、更に好ましくは３～２０である。上記アルキレン基の具体例としては、上記したＺ_ｋａ１としてのアルキル基の具体例から任意の水素原子を１個除いた基を挙げることができる。フッ素原子で置換されたアルキレン基としては、パーフルオロアルキレン基であることが好ましい。
Ｘ´としてのフッ素原子で置換されたシクロアルキレン基におけるシクロアルキレン基としては、好ましくは炭素数３～８であり、その具体例としては、上記したＺ_ｋａ１としてのシクロアルキル基の具体例から任意の水素原子を１個除いた基を挙げることができる。フッ素原子で置換されたシクロアルキレン基としては、パーフルオロシクロアルキレン基であることが好ましい。

Ｘとしてのフッ化アルキル基におけるアルキル基としては、直鎖アルキル基の場合は好ましくは炭素数１～３０、更に好ましくは１～２０であり、分岐アルキル基の場合は好ましくは炭素数３～３０、更に好ましくは３～２０である。上記アルキル基の具体例としては、上記したＺ_ｋａ１としてのアルキル基の具体例を挙げることができる。フッ化アルキル基としては、パーフルオロアルキル基であることが好ましい。
Ｘとしてのフッ化シクロアルキル基におけるシクロアルキル基としては、好ましくは炭素数３～８であり、その具体例としては、上記したＺ_ｋａ１としてのシクロアルキル基の具体例を挙げることができる。フッ化シクロアルキル基としては、パーフルオロシクロアルキル基であることが好ましい。
Ｘとしてのフッ素又はフッ化アルキル基で置換されたアリール基におけるアリール基としては、好ましくは炭素数６～１２のアリール基、例えば、フェニル基及びナフチル基を挙げることができる。また、フッ化アルキル基で置換されたアリール基におけるフッ化アルキル基の具体例としては、Ｘとしてのフッ化アルキル基で説明したものと同様である。
Ｘとしてのフッ素又はフッ化アルキル基で置換されたアラルキル基におけるアラルキル基としては、好ましくは炭素数６～１２のアラルキル基、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、ナフチルブチル基等を挙げることができる。また、フッ化アルキル基で置換されたアラルキル基におけるフッ化アルキル基の具体例としては、Ｘとしてのフッ化アルキル基で説明したものと同様である。

樹脂（Ｃ）は、繰り返し単位（ｃ）として、下記一般式（２）で表される繰り返し単位を有することが好ましい。

一般式（２）中、Ｒ_２１は水素原子又は１価の有機基を表す。Ｘ_２は二価の連結基を表す。Ｒ_２２及びＲ_２３はそれぞれ独立にフルオロアルキル基を表す。Ｒ_２４は水素原子、フッ素原子又は１価の有機基を表す。

一般式（２）中のＸ_２が表す二価の連結基としては、前述の極性変換基を有する二価の連結基が好ましく、ラクトン構造を有することが特に好ましい。
一般式（２）中、Ｒ_２１は水素原子又はアルキル基を表すことが好ましく、水素原子又は炭素数１～５のアルキル基を表すことがより好ましい。
一般式（２）中、Ｒ_２２及びＲ_２３はそれぞれ独立にフルオロアルキル基を表し、炭素数１～１０のフルオロアルキル基を表すことが好ましく、炭素数１～５のフルオロアルキル基を表すことがより好ましい。
一般式（２）中、Ｒ_２４は水素原子、フッ素原子又は炭素数１～１０のフルオロアルキル基を表すことが好ましく、水素原子、フッ素原子又は炭素数１～５のフルオロアルキル基を表すことがより好ましい。

極性変換基を有する繰り返し単位（ｃ）の具体例を示すが、これらに限定されるものではない。
Ｒａは水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を表す。

樹脂（Ｃ）における、繰り返し単位（ｃ）の含有率は、樹脂（Ｃ）中の全繰り返し単位に対し、１０～１００モル％が好ましく、より好ましくは２０～１００モル％、更に好ましくは３０～１００モル％、最も好ましくは４０～１００モル％である。
繰り返し単位（ｃ’）の含有率は、樹脂（Ｃ）中の全繰り返し単位に対し、１０～１００モル％が好ましく、より好ましくは２０～１００モル％、更に好ましくは３０～１００モル％、最も好ましくは４０～１００モル％である。
繰り返し単位（ｃ＊）の含有率は、樹脂（Ｃ）中の全繰り返し単位に対し、５～７０モル％が好ましく、より好ましくは５～６０モル％、更に好ましくは１０～５０モル％、最も好ましくは１０～４０モル％である。繰り返し単位（ｃ＊）と共に用いられる、フッ素原子を有する繰り返し単位の含有率は、樹脂（Ｃ）中の全繰り返し単位に対し、１０～９５モル％が好ましく、より好ましくは１５～８５モル％、更に好ましくは２０～８０モル％、最も好ましくは２５～７５モル％である。
繰り返し単位（ｃ”）の含有率は、樹脂（Ｃ）中の全繰り返し単位に対し、１０～１００モル％が好ましく、より好ましくは２０～１００モル％、更に好ましくは３０～１００モル％、最も好ましくは４０～１００モル％である。

樹脂（Ｃ）におけるフッ素原子は、樹脂の主鎖中に有していても、側鎖に置換していてもよい。

樹脂（Ｃ）は、更に、その他の繰り返し単位を有していてもよい。その他の繰り返し単位の好ましい態様としては以下が挙げられる。
（ｃｙ１）フッ素原子を有し、かつ酸に対して安定であり、かつアルカリ現像液に対して難溶若しくは不溶である繰り返し単位。
（ｃｙ２）フッ素原子を有さず、かつ酸に対して安定であり、かつアルカリ現像液に対して難溶若しくは不溶である繰り返し単位。
（ｃｙ３）フッ素原子を有し、かつ、前掲の（ｘ）、（ｚ）以外の極性基を有する繰り返し単位。
（ｃｙ４）フッ素原子を有さず、かつ、前掲の（ｘ）、（ｚ）以外の極性基を有する繰り返し単位。

（ｃｙ１）、（ｃｙ２）の繰り返し単位における、アルカリ現像液に難溶若しくは不溶とは、（ｃｙ１）、（ｃｙ２）がアルカリ可溶性基、酸又はアルカリ現像液の作用によりアルカリ可溶性基を生じる基（例えば酸分解性基又は極性変換基）を含まないことを示す。
繰り返し単位（ｃｙ１）、（ｃｙ２）は極性基を持たない脂環炭化水素構造を有することが好ましい。

以下に繰り返し単位（ｃｙ１）～（ｃｙ４）の好ましい態様を示す。
繰り返し単位（ｃｙ１）、（ｃｙ２）としては、下記一般式（ＣＩＩＩ）で表される繰り返し単位であることが好ましい。

一般式（ＣＩＩＩ）に於いて、
Ｒ_ｃ３１は、水素原子、フッ素原子で置換されていても良いアルキル基、シアノ基又は－ＣＨ_２－Ｏ－Ｒａｃ_２基を表す。式中、Ｒａｃ_２は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Ｒ_ｃ３１は、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。
Ｒ_ｃ３２は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基又はアリール基を有する基を表す。これら基は、珪素原子を含む基、フッ素原子等で置換されていても良い。
Ｌ_ｃ３は、単結合又は２価の連結基を表す。

一般式（ＣＩＩＩ）に於ける、Ｒ_ｃ３２のアルキル基は、炭素数３～２０の直鎖若しくは分岐状アルキル基が好ましい。
シクロアルキル基は、炭素数３～２０のシクロアルキル基が好ましい。
アルケニル基は、炭素数３～２０のアルケニル基が好ましい。
シクロアルケニル基は、炭素数３～２０のシクロアルケニル基が好ましい。
アリール基は、炭素数６～２０のフェニル基、ナフチル基が好ましく、これらは置換基を有していてもよい。
Ｒ_ｃ３２は無置換のアルキル基又はフッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。Ｌ_ｃ３の２価の連結基は、アルキレン基（好ましくは炭素数１～５）、オキシ基、フェニレン基、エステル結合（－ＣＯＯ－で表される基）が好ましい。
繰り返し単位（ｃｙ１）、（ｃｙ２）としては、下記一般式（Ｃ４）又は（Ｃ５）で表される繰り返し単位であることが好ましい。

一般式（Ｃ４），（Ｃ５）中、
Ｒ_ｃ５は少なくとも一つの環状構造を有し、水酸基及びシアノ基のいずれも有さない炭化水素基を表す。
Ｒａｃは水素原子、フッ素原子で置換されていても良いアルキル基、シアノ基又は－ＣＨ_２－Ｏ－Ｒａｃ_２基を表す。式中、Ｒａｃ_２は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Ｒａｃは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。

Ｒ_ｃ５が有する環状構造には、単環式炭化水素基及び多環式炭化水素基が含まれる。単環式炭化水素基としては、たとえば、炭素数３～１２のシクロアルキル基、炭素数３～１２のシクロアルケニル基が挙げられる。好ましい単環式炭化水素基としては、炭素数３から７の単環式炭化水素基である。

多環式炭化水素基には環集合炭化水素基、架橋環式炭化水素基が含まれる。架橋環式炭化水素環として、２環式炭化水素環、３環式炭化水素環、４環式炭化水素環などが挙げられる。また、架橋環式炭化水素環には、縮合環式炭化水素環（例えば、５～８員シクロアルカン環が複数個縮合した縮合環）も含まれる。好ましい架橋環式炭化水素環としてノルボニル基、アダマンチル基が挙げられる。

これらの脂環式炭化水素基は置換基を有していても良く、好ましい置換基としてはハロゲン原子、アルキル基、保護基で保護されたヒドロキシル基、保護基で保護されたアミノ基などが挙げられる。好ましいハロゲン原子としては臭素、塩素、フッ素原子、好ましいアルキル基としてはメチル、エチル、ブチル、ｔ－ブチル基が挙げられる。上記のアルキル基は更に置換基を有していても良く、更に有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、保護基で保護されたヒドロキシル基、保護基で保護されたアミノ基を挙げることができる。

保護基としては、たとえばアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、置換メチル基、置換エチル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基が挙げられる。好ましいアルキル基としては、炭素数１～４のアルキル基、好ましい置換メチル基としてはメトキシメチル、メトキシチオメチル、ベンジルオキシメチル、ｔ－ブトキシメチル、２－メトキシエトキシメチル基、好ましい置換エチル基としては、１－エトキシエチル、１－メチル－１－メトキシエチル、好ましいアシル基としては、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレリル、ピバロイル基などの炭素数１～６の脂肪族アシル基、アルコキシカルボニル基としては炭素数２～４のアルコキシカルボニル基などが挙げられる。

Ｒ_ｃ６はアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基を表す。これら基はフッ素原子、珪素原子で置換されていても良い。
Ｒ_ｃ６のアルキル基は、炭素数１～２０の直鎖若しくは分岐状アルキル基が好ましい。
シクロアルキル基は、炭素数３～２０のシクロアルキル基が好ましい。
アルケニル基は、炭素数３～２０のアルケニル基が好ましい。
シクロアルケニル基は、炭素数３～２０のシクロアルケニル基が好ましい。
アルコキシカルボニル基は、炭素数２～２０のアルコキシカルボニル基が好ましい。
アルキルカルボニルオキシ基は、炭素数２～２０のアルキルカルボニルオキシ基が好ましい。
ｎは０～５の整数を表す。ｎが２以上の場合、複数のＲ_ｃ６は同一でも異なっていても良い。
Ｒ_ｃ６は無置換のアルキル基又はフッ素原子で置換されたアルキル基が好ましく、トリフルオロメチル基、ｔ－ブチル基が特に好ましい。

（ｃｙ１）、（ｃｙ２）としては、下記一般式（ＣＩＩ－ＡＢ）で表される繰り返し単位であることも好ましい。

式（ＣＩＩ－ＡＢ）中、
Ｒ_ｃ１１’及びＲ_ｃ１２’は、各々独立に、水素原子、シアノ基、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。
Ｚｃ’は、結合した２つの炭素原子（Ｃ－Ｃ）を含み、脂環式構造を形成するための原子団を表す。

また、上記一般式（ＣＩＩ－ＡＢ）は、下記一般式（ＣＩＩ－ＡＢ１）又は一般式（ＣＩＩ－ＡＢ２）であることが更に好ましい。

式（ＣＩＩ－ＡＢ１）及び（ＣＩＩ－ＡＢ２）中、
Ｒｃ_１３’～Ｒｃ_１６’は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基あるいはシクロアルキル基を表す。
また、Ｒｃ_ｌ３’～Ｒｃ_１６’のうち少なくとも２つが結合して環を形成してもよい。
ｎは０又は１を表す。

以下に（ｃｙ１）、（ｃｙ２）の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。式中、Ｒａは、Ｈ、ＣＨ_３、ＣＨ_２ＯＨ、ＣＦ_３又はＣＮを表す。

（ｃｙ３）、（ｃｙ４）としては、極性基として水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位であることが好ましい。これにより現像液親和性が向上する。水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位は、水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位であることが好ましい。水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造に於ける、脂環炭化水素構造としては、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルニル基が好ましい。好ましい水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造としては、モノヒドロキシアダマンチル基、ジヒドロキシアダマンチル基、モノヒドロキシジアマンチル基、ジヒドロキシアダマンチル基、シアノ基で置換されたノルボルニル基等が挙げられる。
上記原子団を有する繰り返し単位としては、下記一般式（ＣＡＩＩａ）～（ＣＡＩＩｄ）で表される繰り返し単位を挙げることができる。

一般式（ＣＡＩＩａ）～（ＣＡＩＩｄ）に於いて、
Ｒ_１ｃは、水素原子、メチル基、トリフロロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。
Ｒ_２ｃ～Ｒ_４ｃは、各々独立に、水素原子、水酸基又はシアノ基を表す。ただし、Ｒ_２ｃ～Ｒ_４ｃの内の少なくとも１つは、水酸基又はシアノ基を表す。好ましくは、Ｒ_２ｃ～Ｒ_４ｃの内の１つ又は２つが、水酸基で、残りが水素原子である。一般式（ＣＡＩＩａ）に於いて、更に好ましくは、Ｒ_２ｃ～Ｒ_４ｃの内の２つが、水酸基で、残りが水素原子である。

（ｃｙ３）、（ｃｙ４）で表される繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。

（ｃｙ１）～（ｃｙ４）で表される繰り返し単位の含有率は、樹脂（Ｃ）中の全繰り返し単位に対し、５～４０ｍｏｌ％が好ましく、より好ましくは５～３０ｍｏｌ％、更に好ましくは１０～２５ｍｏｌ％である。
樹脂（Ｃ）は（ｃｙ１）～（ｃｙ４）で表される繰り返し単位を複数有していてもよい。

樹脂（Ｃ）中のフッ素原子の含有率は、樹脂（Ｃ）の分子量に対し、５～８０質量％であることが好ましく、１０～８０質量％であることがより好ましい。また、フッ素原子を含む繰り返し単位が、樹脂（Ｃ）中の全繰り返し単位に対し、１０～１００質量％であることが好ましく、３０～１００質量％であることがより好ましい。

偏在性向上の観点から、含フッ素化合物（Ｃ）の分子量は１０００～１０００００であることが好ましい。
樹脂（Ｃ）の重量平均分子量は、好ましくは１０００～１０００００で、より好ましくは１０００～５００００、更により好ましくは２０００～１５０００である。

樹脂（Ｃ）の分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ、分散度ともいう）は、１～３の範囲が好ましく、より好ましくは１～２、更に好ましくは１～１．８、最も好ましくは１～１．５の範囲である。

樹脂（Ｃ）は、各種市販品を利用することもできるし、樹脂（Ａ）同様に、常法に従って（例えばラジカル重合）合成することができる。

含フッ素化合物（Ｃ）は１種類単独又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。

本発明の組成物中の含フッ素化合物（Ｃ）の含有率は、解像性の観点から、本発明の組成物の全固形分を基準として、０．０１～１０質量％であることが好ましく、より好ましくは０．１～１０質量％、更に好ましくは０．１～５質量％である。

＜ラクトン構造又はスルトン構造を有する化合物＞
本発明の組成物は、ラクトン構造又はスルトン構造を有する化合物を含むことが好ましい。
上記ラクトン構造又はスルトン構造を有する化合物としては、上記樹脂（Ａ）において、ラクトン基又はスルトン基を有する樹脂、及びラクトン基又はスルトン基を有する光酸発生剤を挙げることができる。

＜溶剤＞
本発明の組成物は、溶剤を含んでいてもよい。
本発明の組成物においては、公知のレジスト溶剤を適宜使用できる。例えば、米国特許出願公開２０１６／００７０１６７Ａ１号明細書の段落［０６６５］～［０６７０］、米国特許出願公開２０１５／０００４５４４Ａ１号明細書の段落［０２１０］～［０２３５］、米国特許出願公開２０１６／０２３７１９０Ａ１号明細書の段落［０４２４］～［０４２６］、及び米国特許出願公開２０１６／０２７４４５８Ａ１号明細書の段落［０３５７］～［０３６６］に開示された公知の溶剤を好適に使用できる。
組成物を調製する際に使用できる溶剤としては、例えば、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキルエステル、アルコキシプロピオン酸アルキル、環状ラクトン（好ましくは炭素数４～１０）、環を有してもよいモノケトン化合物（好ましくは炭素数４～１０）、アルキレンカーボネート、アルコキシ酢酸アルキル、及びピルビン酸アルキル等の有機溶剤が挙げられる。

有機溶剤として、構造中に水酸基を有する溶剤と、水酸基を有さない溶剤とを混合した混合溶剤を使用してもよい。
水酸基を有する溶剤、及び水酸基を有さない溶剤としては、前述の例示化合物を適宜選択できるが、水酸基を含む溶剤としては、アルキレングリコールモノアルキルエーテル又は乳酸アルキル等が好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ：１－メトキシ－２－プロパノール）、プロピレングリコールモノエチルエーテル（ＰＧＥＥ）、２－ヒドロキシイソ酪酸メチル、又は乳酸エチルがより好ましい。また、水酸基を有さない溶剤としては、アルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、アルキルアルコキシプロピオネート、環を有していてもよいモノケトン化合物、環状ラクトン、又は酢酸アルキル等が好ましく、これらの中でも、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ：１－メトキシ－２－アセトキシプロパン）、エチルエトキシプロピオネート、２－ヘプタノン、γ－ブチロラクトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、又は酢酸ブチルがより好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、γ－ブチロラクトン、エチルエトキシプロピオネート、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、又は２－ヘプタノンが更に好ましい。水酸基を有さない溶剤としては、プロピレンカーボネートも好ましい。
水酸基を有する溶剤と水酸基を有さない溶剤との混合比（質量比）は、１／９９～９９／１が好ましく、１０／９０～９０／１０がより好ましく、２０／８０～６０／４０が更に好ましい。水酸基を有さない溶剤を５０質量％以上含む混合溶剤が、塗布均一性の点で好ましい。
溶剤は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含むことが好ましい。この場合、溶剤は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート単独溶剤でもよいし、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含む２種類以上の混合溶剤でもよい。

また、本発明の組成物が含んでも良い溶剤の好ましい一形態として、上記溶剤は、光学異性体のＬ体またはＤ体のうち、一方の比率が他方の比率より１％以上高い乳酸エチル（以下、「光学純度が１％以上の乳酸エチル」ともいう）を含む態様が挙げられる。
一方の比率とは、乳酸エチル全量に対するＬ体又はＤ体の含有比（質量比）を表す。

本発明においては、乳酸エチル全量に対するＬ体の比率が、乳酸エチル全量に対するＤ体の比率より１％以上高くても良く、乳酸エチル全量に対するＤ体の比率が、乳酸エチル全量に対するＬ体の比率より１％以上高くても良い。

上記溶剤における乳酸エチルの光学純度は１％以上であるが、好ましくは２０％以上であり、更に好ましくは５０％以上である。

上記溶剤における乳酸エチルの光学純度の上限値は特に限定されないが、１００％以下、典型的には９９％以下である。

上記光学純度は、キラルＧＣ（ガスクロマトグラフィー）により測定することができる。

光学純度が１％以上の乳酸エチルとしては、市販品の乳酸エチルを用いることもでき、また、ラセミ体の乳酸エチルから酵素を用いて製造することができる。
また、細菌を用いて光学純度が高い乳酸を製造し、得られた乳酸をエチルエステル化により光学純度が１％以上の乳酸エチルを製造することもできる。

また、光学純度が１％以上の乳酸エチルにおいて、光学純度の調整方法としては、所望の光学純度を有する乳酸エチルが上市されている場合には、市販品をそのまま使用してもよく、所望の光学純度を有する乳酸エチルを上記の手法等で製造してもよい。また、特定の光学純度を有する乳酸エチルと、これとは光学純度が異なる乳酸エチル（例えば光学純度が０の乳酸エチルのラセミ体など）とを混合して、所望の光学純度を有する乳酸エチルを得てもよい。

上記溶剤は、光学純度が１％以上の乳酸エチルのみを含んでも良く、光学純度が１％以上の乳酸エチルに加えて、乳酸エチル以外の溶剤（以下、「その他の溶剤」とも言う）を含んでも良い。

その他の溶剤としては、例えば、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸エチル以外の乳酸アルキルエステル、アルコキシプロピオン酸アルキル、環状ラクトン（好ましくは炭素数４～１０）、環を有してもよいモノケトン化合物（好ましくは炭素数４～１０）、アルキレンカーボネート、アルコキシ酢酸アルキル、及びピルビン酸アルキル等の有機溶剤が挙げられる。

上記光学純度が１％以上の乳酸エチルの含有量は、上記溶剤の全量に対して、１０質量％以上が好ましく、２０質量％以上がより好ましく、５０質量％以上が更に好ましい。

＜界面活性剤＞
本発明の組成物は、界面活性剤を更に含んでいてもよい。界面活性剤を含有することにより、波長が２５０ｎｍ以下、特には２２０ｎｍ以下の露光光源を使用した場合に、良好な感度及び解像度で、密着性及び現像欠陥のより少ないパターンを形成することが可能となる。
界面活性剤としては、フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤を用いることが特に好ましい。
フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤としては、例えば、米国特許出願公開第２００８／０２４８４２５号明細書の［０２７６］に記載の界面活性剤が挙げられる。また、エフトップＥＦ３０１若しくはＥＦ３０３（新秋田化成（株）製）；フロラードＦＣ４３０、４３１若しくは４４３０（住友スリーエム（株）製）；メガファックＦ１７１、Ｆ１７３、Ｆ１７６、Ｆ１８９、Ｆ１１３、Ｆ１１０、Ｆ１７７、Ｆ１２０若しくはＲ０８（ＤＩＣ（株）製）；サーフロンＳ－３８２、ＳＣ１０１、１０２、１０３、１０４、１０５若しくは１０６（旭硝子（株）製）；トロイゾルＳ－３６６（トロイケミカル（株）製）；ＧＦ－３００若しくはＧＦ－１５０（東亜合成化学（株）製）、サーフロンＳ－３９３（セイミケミカル（株）製）；エフトップＥＦ１２１、ＥＦ１２２Ａ、ＥＦ１２２Ｂ、ＲＦ１２２Ｃ、ＥＦ１２５Ｍ、ＥＦ１３５Ｍ、ＥＦ３５１、ＥＦ３５２、ＥＦ８０１、ＥＦ８０２若しくはＥＦ６０１（（株）ジェムコ製）；ＰＦ６３６、ＰＦ６５６、ＰＦ６３２０若しくはＰＦ６５２０（ＯＭＮＯＶＡ社製）；又は、ＦＴＸ－２０４Ｇ、２０８Ｇ、２１８Ｇ、２３０Ｇ、２０４Ｄ、２０８Ｄ、２１２Ｄ、２１８Ｄ若しくは２２２Ｄ（（株）ネオス製）を用いてもよい。なお、ポリシロキサンポリマーＫＰ－３４１（信越化学工業（株）製）も、シリコン系界面活性剤として用いることができる。

また、界面活性剤は、上記に示すような公知のものの他に、テロメリゼーション法（テロマー法ともいわれる）又はオリゴメリゼーション法（オリゴマー法ともいわれる）により製造されたフルオロ脂肪族化合物を用いて合成してもよい。具体的には、このフルオロ脂肪族化合物から導かれたフルオロ脂肪族基を備えた重合体を、界面活性剤として用いてもよい。このフルオロ脂肪族化合物は、例えば、特開２００２－９０９９１号公報に記載された方法によって合成することができる。
また、米国特許出願公開第２００８／０２４８４２５号明細書の［０２８０］に記載されているフッ素系及び／又はシリコン系以外の界面活性剤を使用してもよい。

これら界面活性剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

本発明の組成物が界面活性剤を含んでいる場合、その含有量は、組成物の全固形分を基準として、好ましくは０．００００１～２質量％、より好ましくは０．０００１～２質量％、更に好ましくは０．０００５～１質量％である。

＜その他の添加剤＞
本発明の組成物は、上記に説明した成分以外にも、カルボン酸、カルボン酸オニウム塩、Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ ｏｆ ＳＰＩＥ， ２７２４，３５５ （１９９６）等に記載の分子量３０００以下の溶解阻止化合物、染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤、酸化防止剤などを適宜含有することができる。

特にカルボン酸は、性能向上のために好適に用いられることもできる。カルボン酸としては、安息香酸、ナフトエ酸などの、芳香族カルボン酸が好ましい。

本発明の組成物がカルボン酸を含む場合、カルボン酸の含有量は、組成物の全固形分に対して０．０１～１０質量％が好ましく、より好ましくは０．０１～５質量％、更に好ましくは０．０１～３質量％である。

（固形分含有量）
本発明の組成物は、固形分含有量（固形分濃度）が１０質量％以上であることが好ましい。これにより、本発明の組成物を用いて、厚膜の感活性光線性又は感放射線性膜を形成することが容易となる。
本発明の組成物の固形分濃度は１５質量％以上であることが好ましく、２０質量％以上であることが好ましい。また、組成物の塗布性確保の観点から、本発明の組成物の固形分濃度は４８質量％以下であることが好ましい。
なお、固形分濃度とは、本発明の組成物の総質量に対する、溶剤を除く他の成分（感活性光線性又は感放射線性膜を構成し得る成分）の質量の質量百分率を意味する。

＜調製方法＞
本発明の組成物は、上記の成分を所定の有機溶剤（好ましくは上記混合溶剤）に溶解し、これをフィルター濾過した後、所定の支持体（基板）上に塗布して用いることが好ましい。
フィルター濾過に用いるフィルターのポアサイズは０．１μｍ以下が好ましく、０．０５μｍ以下がより好ましく、０．０３μｍ以下が更に好ましい。また、組成物の固形分濃度が高い場合（例えば、２０質量％以上）は、フィルター濾過に用いるフィルターのポアサイズは３μｍ以下が好ましく、０．５μｍ以下がより好ましく、０．３μｍ以下が更に好ましい。このフィルターは、ポリテトラフロロエチレン製、ポリエチレン製、又はナイロン製のフィルターが好ましい。フィルター濾過においては、例えば日本国特許出願公開第２００２－６２６６７号明細書（特開２００２－６２６６７）に開示されるように、循環的な濾過を行ってもよく、複数種類のフィルターを直列又は並列に接続して濾過を行ってもよい。また、組成物を複数回濾過してもよい。更に、フィルター濾過の前後で、組成物に対して脱気処理等を行ってもよい。

＜用途＞
本発明の組成物は、活性光線又は放射線の照射により反応して性質が変化する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に関する。更に詳しくは、本発明の組成物は、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）等の半導体製造工程、液晶若しくはサーマルヘッド等の回路基板の製造、インプリント用モールド構造体の作製、その他のフォトファブリケーション工程、又は平版印刷版、若しくは酸硬化性組成物の製造に使用される感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に関する。本発明において形成されるパターンは、エッチング工程、イオンインプランテーション工程、バンプ電極形成工程、再配線形成工程、及びＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）等において使用できる。

〔感活性光線性又は感放射線性膜〕
本発明は、本発明の感活性光線又は感放射線性組成物により形成された感活性光線性又は感放射線性膜（好ましくはレジスト膜）にも関する。
本発明の感活性光線性又は感放射線性膜の膜厚は、１μｍ以上であることが好ましく、２μｍ以上であることがより好ましく、加工段数を増やす、インプラ耐性を向上させる等の目的から、３μｍ以上がであることが更に好ましく、４μｍ以上が特に好ましく、５μｍ以上が最も好ましい。上限は特に限定されないが、例えば１００μｍ以下である。
なお、後述するように、本発明の組成物からパターンを形成することができる。
形成されるパターンの膜厚は、１μｍ以上であることが好ましく、２μｍ以上であることがより好ましく、加工段数を増やす、インプラ耐性を向上させる等の目的から、３μｍ以上が更に好ましく、４μｍ以上が特に好ましく、５μｍ以上が最も好ましい。上限は特に限定されないが、例えば１００μｍ以下である。

本発明によれば、厚膜の感活性光線性感放射線性膜から断面形状のアスペクト比（パターンの線幅又はパターンのスペース幅とパターンの膜厚の比、即ち、（パターンの膜厚）／（パターンの線幅又はパターンのスペース幅））が非常に高いパターンを形成する場合において、断面形状の矩形性に非常に優れたパターンを形成することができる。
アスペクト比は、特に限定されないが、５以上が好ましく、１０以上がより好ましく、１５以上が更に好ましい。
上限は特に限定されないが、例えば３０以下である。

ところで、アスペクト比が非常に高い（例えば、５以上）パターンを形成しようとする場合、そのパターン形成における露光領域の断面形状のアスペクト比が非常に高い（例えば、５以上）ことが好ましい。
ポジ型パターンが得られる場合は、断面形状のアスペクト比は、パターンのスペース幅とパターンの膜厚の比、即ち、（パターンの膜厚）／（パターンのスペース幅）となる。
一方で、ネガ型パターンが得られる場合は、断面形状のアスペクト比は、パターンの線幅とパターンの膜厚の比、即ち、（パターンの膜厚）／（パターンの線幅）となる。

〔パターン形成方法〕
本発明は上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いたパターン形成方法にも関する。以下、本発明のパターン形成方法について説明する。
本発明のパターン形成方法は、
（ｉ）支持体上に、上述した感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって、感活性光線性又は感放射線性膜を形成する工程（レジスト膜形成工程）、
（ｉｉ）上記感活性光線性又は感放射線性膜に活性光線又は放射線を照射する工程（露光工程）、及び、
（ｉｉｉ）上記活性光線又は放射線が照射された感活性光線性又は感放射線性膜を、現像液を用いて現像する工程(現像工程)、を有する。

本発明のパターン形成方法は、上記（ｉ）～（ｉｉｉ）の工程を含んでいれば特に限定されず、更に下記の工程を有していてもよい。
本発明のパターン形成方法は、（ｉｉ）露光工程における露光方法が、液浸露光であってもよい。
本発明のパターン形成方法は、（ｉｉ）露光工程の前に、（ｉｖ）前加熱（ＰＢ：ＰｒｅＢａｋｅ）工程を含むことが好ましい。
本発明のパターン形成方法は、（ｉｉ）露光工程の後、かつ、（ｉｉｉ）現像工程の前に、（ｖ）露光後加熱（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）工程を含むことが好ましい。
本発明のパターン形成方法は、（ｉｉ）露光工程を、複数回含んでいてもよい。
本発明のパターン形成方法は、（ｉｖ）前加熱工程を、複数回含んでいてもよい。
本発明のパターン形成方法は、（ｖ）露光後加熱工程を、複数回含んでいてもよい。

本発明のパターン形成方法において、上述した（ｉ）成膜工程、（ｉｉ）露光工程、及び（ｉｉｉ）現像工程は、一般的に知られている方法により行うことができる。
また、必要に応じて、レジスト膜と支持体との間にレジスト下層膜（例えば、ＳＯＧ（ＳｐｉｎＯｎ Ｇｌａｓｓ）、ＳＯＣ（ＳｐｉｎＯｎ Ｃａｒｂｏｎ）、及び、反射防止膜）を形成してもよい。レジスト下層膜を構成する材料としては、公知の有機系又は無機系の材料を適宜用いることができる。
レジスト膜の上層に、保護膜（トップコート）を形成してもよい。保護膜としては、公知の材料を適宜用いることができる。例えば、米国特許出願公開第２００７／０１７８４０７号明細書、米国特許出願公開第２００８／００８５４６６号明細書、米国特許出願公開第２００７／０２７５３２６号明細書、米国特許出願公開第２０１６／０２９９４３２号明細書、米国特許出願公開第２０１３／０２４４４３８号明細書、国際特許出願公開第２０１６／１５７９８８Ａ号明細書に開示された保護膜形成用組成物を好適に使用することができる。
上述したレジスト膜の上層に保護膜を形成してもよい。

支持体は、特に限定されるものではなく、ＩＣ等の半導体の製造工程、又は液晶若しくはサーマルヘッド等の回路基板の製造工程のほか、その他のフォトファブリケーションのリソグラフィー工程等で一般的に用いられる基板を用いることができる。支持体の具体例としては、シリコン、ＳｉＯ_２、及びＳｉＮ等の無機基板等が挙げられる。

加熱温度は、（ｉｖ）前加熱工程において、１４０～２００℃が好ましく、１４０～１８０℃がより好ましく、１４０～１６０℃が更に好ましく、１４０～１５０℃が最も好ましい。
加熱温度は、（ｖ）露光後加熱工程において、７０～１５０℃が好ましく、７０～１３０℃がより好ましく、８０～１３０℃が更に好ましく、８０～１２０℃が最も好ましい。
加熱時間は、（ｉｖ）前加熱工程及び（ｖ）露光後加熱工程のいずれにおいても、３０～３００秒が好ましく、３０～１８０秒がより好ましく、３０～９０秒が更に好ましい。
加熱は、露光装置及び現像装置に備わっている手段で行うことができ、ホットプレート等を用いて行ってもよい。

露光工程に用いられる光源波長に制限はないが、例えば、赤外光、可視光、紫外光、遠紫外光、極紫外光（ＥＵＶ）、Ｘ線、及び電子線等が挙げられる。これらの中でも遠紫外光が好ましく、その波長は２５０ｎｍ以下が好ましく、２２０ｎｍ以下がより好ましく、１～２００ｎｍが更に好ましい。具体的には、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）、Ｆ_２エキシマレーザー（１５７ｎｍ）、Ｘ線、ＥＵＶ（１３ｎｍ）、及び、電子線等であり、ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー、ＥＵＶ又は電子線が好ましく、ＫｒＦエキシマレーザーがより好ましい。

（ｉｉｉ）現像工程においては、アルカリ現像液であっても、有機溶剤を含有する現像液（以下、有機系現像液ともいう）であってもよいが、アルカリ現像液であることが好ましい。

アルカリ現像液としては、通常、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドに代表される４級アンモニウム塩が用いられるが、これ以外にも無機アルカリ、１～３級アミン、アルコールアミン、及び環状アミン等のアルカリ水溶液も使用可能である。
更に、上記アルカリ現像液は、アルコール類、及び／又は界面活性剤を適当量含有していてもよい。アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常０．１～２０質量％である。アルカリ現像液のｐＨは、通常１０～１５である。
アルカリ現像液を用いて現像を行う時間は、通常１０～３００秒である。
アルカリ現像液のアルカリ濃度、ｐＨ、及び現像時間は、形成するパターンに応じて、適宜調整できる。

有機系現像液は、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤、及び炭化水素系溶剤からなる群より選択される少なくとも１種の有機溶剤を含有する現像液であるのが好ましい。

ケトン系溶剤としては、例えば、１－オクタノン、２－オクタノン、１－ノナノン、２－ノナノン、アセトン、２－ヘプタノン（メチルアミルケトン）、４－ヘプタノン、１－ヘキサノン、２－ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセチルアセトン、アセトニルアセトン、イオノン、ジアセトニルアルコール、アセチルカービノール、アセトフェノン、メチルナフチルケトン、イソホロン、及びプロピレンカーボネート等が挙げられる。

エステル系溶剤としては、例えば、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸ペンチル、酢酸イソペンチル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル－３－エトキシプロピオネート、３－メトキシブチルアセテート、３－メチル－３－メトキシブチルアセテート、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル、ブタン酸ブチル、２－ヒドロキシイソ酪酸メチル、酢酸イソアミル、イソ酪酸イソブチル、及びプロピオン酸ブチル等が挙げられる。

アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤、及び炭化水素系溶剤としては、米国特許出願公開２０１６／００７０１６７Ａ１号明細書の段落［０７１５］～［０７１８］に開示された溶剤を使用できる。

上記の溶剤は、複数混合してもよいし、上記以外の溶剤又は水と混合してもよい。現像液全体としての含水率は、５０質量％未満が好ましく、２０質量％未満がより好ましく、１０質量％未満が更に好ましく、実質的に水分を含まないことが特に好ましい。
有機系現像液に対する有機溶剤の含有量は、現像液の全量に対して、５０～１００質量％が好ましく、８０～１００質量％がより好ましく、９０～１００質量％が更に好ましく、９５～１００質量％が特に好ましい。

有機系現像液は、必要に応じて公知の界面活性剤を適当量含有していてもよい。

界面活性剤の含有量は現像液の全量に対して、通常０．００１～５質量％であり、０．００５～２質量％が好ましく、０．０１～０．５質量％がより好ましい。

有機系現像液は、上述した酸拡散制御剤を含有していてもよい。

現像方法としては、例えば、現像液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法（ディップ法）、基板表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止する方法（パドル法）、基板表面に現像液を噴霧する方法（スプレー法）、又は一定速度で回転している基板上に一定速度で現像液吐出ノズルをスキャンしながら現像液を吐出しつづける方法（ダイナミックディスペンス法）等が挙げられる。

アルカリ水溶液を用いて現像を行う工程（アルカリ現像工程）、及び有機溶剤を含有する現像液を用いて現像する工程（有機溶剤現像工程）を組み合わせてもよい。これにより、中間的な露光強度の領域のみを溶解させずにパターン形成が行えるので、より微細なパターンを形成できる。

（ｉｉｉ）現像工程の後に、リンス液を用いて洗浄する工程（リンス工程）を含むことが好ましい。

アルカリ現像液を用いた現像工程の後のリンス工程に用いるリンス液は、例えば純水を使用できる。純水は、界面活性剤を適当量含有していてもよい。この場合、現像工程又はリンス工程の後に、パターン上に付着している現像液又はリンス液を超臨界流体により除去する処理を追加してもよい。更に、リンス処理又は超臨界流体による処理の後、パターン中に残存する水分を除去するために加熱処理を行ってもよい。

有機溶剤を含有する現像液を用いた現像工程の後のリンス工程に用いるリンス液は、パターンを溶解しないものであれば特に制限はなく、一般的な有機溶剤を含有する溶液を使用できる。リンス液としては、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、及びエーテル系溶剤からなる群より選択される少なくとも１種の有機溶剤を含有するリンス液を用いることが好ましい。
炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、及びエーテル系溶剤の具体例としては、有機溶剤を含有する現像液において説明したものと同様のものが挙げられる。
この場合のリンス工程に用いるリンス液としては、１価アルコールを含有するリンス液がより好ましい。

リンス工程で用いられる１価アルコールとしては、直鎖状、分岐鎖状、又は環状の１価アルコールが挙げられる。具体的には、１－ブタノール、２－ブタノール、３－メチル－１－ブタノール、ｔｅｒｔ―ブチルアルコール、１－ペンタノール、２－ペンタノール、１－ヘキサノール、４－メチル－２－ペンタノール、１－ヘプタノール、１－オクタノール、２－ヘキサノール、シクロペンタノール、２－ヘプタノール、２－オクタノール、３－ヘキサノール、３－ヘプタノール、３－オクタノール、４－オクタノール、及びメチルイソブチルカルビノールが挙げられる。炭素数５以上の１価アルコールとしては、１－ヘキサノール、２－ヘキサノール、４－メチル－２－ペンタノール、１－ペンタノール、３－メチル－１－ブタノール、及びメチルイソブチルカルビノール等が挙げられる。

各成分は、複数混合してもよいし、上記以外の有機溶剤と混合して使用してもよい。
リンス液中の含水率は、１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましく、３質量％以下が更に好ましい。含水率を１０質量％以下とすることで、良好な現像特性が得られる。

リンス液は、界面活性剤を適当量含有していてもよい。
リンス工程においては、有機系現像液を用いる現像を行った基板を、有機溶剤を含有するリンス液を用いて洗浄処理する。洗浄処理の方法は特に限定されないが、例えば、一定速度で回転している基板上にリンス液を吐出しつづける方法（回転塗布法）、リンス液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法（ディップ法）、又は基板表面にリンス液を噴霧する方法（スプレー法）等が挙げられる。中でも、回転塗布法で洗浄処理を行い、洗浄後に基板を２，０００～４，０００ｒｐｍ（ｒｅｖｏｌｕｔｉｏｎ ｐｅｒ ｍｉｎｕｔｅ）の回転数で回転させ、リンス液を基板上から除去することが好ましい。また、リンス工程の後に加熱工程（Ｐｏｓｔ Ｂａｋｅ）を含むことも好ましい。この加熱工程によりパターン間及びパターン内部に残留した現像液及びリンス液が除去される。リンス工程の後の加熱工程において、加熱温度は通常４０～１６０℃であり、７０～１２０℃が好ましく、７０～９５℃がより好ましく、加熱時間は通常１０秒～３分であり、３０秒～９０秒が好ましい。

本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及び、本発明のパターン形成方法において使用される各種材料（例えば、レジスト溶剤、現像液、リンス液、反射防止膜形成用組成物、又はトップコート形成用組成物等）は、金属成分、異性体、及び残存モノマー等の不純物を含まないことが好ましい。上記の各種材料に含まれるこれらの不純物の含有量としては、１ｐｐｍ以下が好ましく、１００ｐｐｔ（ｐａｒｔｓ ｐｅｒ ｔｒｉｌｌｉｏｎ）以下がより好ましく、１０ｐｐｔ以下が更に好ましく、実質的に含まないこと（測定装置の検出限界以下であること）が特に好ましい。

上記各種材料から金属等の不純物を除去する方法としては、例えば、フィルターを用いた濾過が挙げられる。フィルター孔径としては、ポアサイズ１０ｎｍ以下が好ましく、５ｎｍ以下がより好ましく、３ｎｍ以下が更に好ましい。フィルターの材質としては、ポリテトラフロロエチレン製、ポリエチレン製、又はナイロン製のフィルターが好ましい。フィルターは、有機溶剤であらかじめ洗浄したものを用いてもよい。フィルター濾過工程では、複数種類のフィルターを直列又は並列に接続して用いてもよい。複数種類のフィルターを使用する場合は、孔径及び／又は材質が異なるフィルターを組み合わせて使用してもよい。また、各種材料を複数回濾過してもよく、複数回濾過する工程が循環濾過工程であってもよい。フィルターとしては、日本国特許出願公開第２０１６－２０１４２６号明細書（特開２０１６－２０１４２６）に開示されるような溶出物が低減されたものが好ましい。
フィルター濾過のほか、吸着材による不純物の除去を行ってもよく、フィルター濾過と吸着材を組み合わせて使用してもよい。吸着材としては、公知の吸着材を用いることができ、例えば、シリカゲル若しくはゼオライト等の無機系吸着材、又は活性炭等の有機系吸着材を使用できる。金属吸着剤としては、例えば、日本国特許出願公開第２０１６－２０６５００号明細書（特開２０１６－２０６５００）に開示されるものが挙げられる。
また、上記各種材料に含まれる金属等の不純物を低減する方法としては、各種材料を構成する原料として金属含有量が少ない原料を選択する、各種材料を構成する原料に対してフィルター濾過を行う、又は装置内をテフロン（登録商標）でライニングする等してコンタミネーションを可能な限り抑制した条件下で蒸留を行う等の方法が挙げられる。各種材料を構成する原料に対して行うフィルター濾過における好ましい条件は、上記した条件と同様である。

上記の各種材料は、不純物の混入を防止するために、米国特許出願公開第２０１５／０２２７０４９号明細書、日本国特許出願公開第２０１５－１２３３５１号明細書（特開２０１５－１２３３５１）等に記載された容器に保存されることが好ましい。

本発明のパターン形成方法により形成されるパターンに、パターンの表面荒れを改善する方法を適用してもよい。パターンの表面荒れを改善する方法としては、例えば、米国特許出願公開第２０１５／０１０４９５７号明細書に開示された、水素を含有するガスのプラズマによってパターンを処理する方法が挙げられる。その他にも、日本国特許出願公開第２００４－２３５４６８号明細書（特開２００４－２３５４６８）、米国特許出願公開第２０１０／００２０２９７号明細書、Ｐｒｏｃ． ｏｆ ＳＰＩＥ Ｖｏｌ．８３２８ ８３２８０Ｎ－１“ＥＵＶ Ｒｅｓｉｓｔ Ｃｕｒｉｎｇ Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ ｆｏｒ ＬＷＲ Ｒｅｄｕｃｔｉｏｎ ａｎｄ Ｅｔｃｈ Ｓｅｌｅｃｔｉｖｉｔｙ Ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ”に記載されるような公知の方法を適用してもよい。
また、上記の方法によって形成されたパターンは、例えば日本国特許出願公開第１９９１－２７０２２７号明細書（特開平３－２７０２２７）及び米国特許出願公開第２０１３／０２０９９４１号明細書に開示されたスペーサープロセスの芯材（Ｃｏｒｅ）として使用できる。

［収容容器］
現像液及びリンス液に使用し得る有機溶剤（「有機系処理液」ともいう）としては、収容部を有する、化学増幅型又は非化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液の収容容器に保存されたものを使用することが好ましい。この収容容器としては、例えば、収容部の、有機系処理液に接触する内壁が、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、及び、ポリエチレン－ポリプロピレン樹脂のいずれとも異なる樹脂、又は、防錆・金属溶出防止処理が施された金属から形成された、レジスト膜のパターニング用有機系処理液の収容容器であることが好ましい。この収容容器の上記収容部に、レジスト膜のパターニング用有機系処理液として使用される予定の有機溶剤を収容し、レジスト膜のパターニング時において、上記収容部から排出したものを使用することができる。

上記の収容容器が、更に、上記の収容部を密閉するためのシール部を有している場合、このシール部も、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、及び、ポリエチレン－ポリプロピレン樹脂からなる群より選択される１種以上の樹脂とは異なる樹脂、又は、防錆・金属溶出防止処理が施された金属から形成されることが好ましい。

ここで、シール部とは、収容部と外気とを遮断可能な部材を意味し、パッキンやＯリングなどを好適に挙げることができる。

ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、及び、ポリエチレン－ポリプロピレン樹脂からなる群より選択される１種以上の樹脂とは異なる樹脂は、パーフルオロ樹脂であることが好ましい。

パーフルオロ樹脂としては、四フッ化エチレン樹脂（ＰＴＦＥ）、四フッ化エチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、四フッ化エチレン－六フッ化プロピレン共重合樹脂（ＦＥＰ）、四フッ化エチレン－エチレン共重合体樹脂（ＥＴＦＥ）、三フッ化塩化エチレン－エチレン共重合樹脂（ＥＣＴＦＥ）、フッ化ビニリデン樹脂（ＰＶＤＦ）、三フッ化塩化エチレン共重合樹脂（ＰＣＴＦＥ）、フッ化ビニル樹脂（ＰＶＦ）等を挙げることができる。

特に好ましいパーフルオロ樹脂としては、四フッ化エチレン樹脂、四フッ化エチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、四フッ化エチレン－六フッ化プロピレン共重合樹脂を挙げることができる。

防錆・金属溶出防止処理が施された金属における金属としては、炭素鋼、合金鋼、ニッケルクロム鋼、ニッケルクロムモリブデン鋼、クロム鋼、クロムモリブデン鋼、マンガン鋼等を挙げることができる。

防錆・金属溶出防止処理としては、皮膜技術を適用することが好ましい。

皮膜技術には、金属被覆（各種メッキ），無機被覆（各種化成処理，ガラス，コンクリート，セラミックスなど）および有機被覆（さび止め油，塗料，ゴム，プラスチックス）の３種に大別されている。

好ましい皮膜技術としては、錆止め油、錆止め剤、腐食抑制剤、キレート化合物、可剥性プラスチック、ライニング剤による表面処理が挙げられる。

中でも、各種のクロム酸塩、亜硝酸塩、ケイ酸塩、燐酸塩、オレイン酸、ダイマー酸、ナフテン酸等のカルボン酸、カルボン酸金属石鹸、スルホン酸塩、アミン塩、エステル（高級脂肪酸のグリセリンエステルや燐酸エステル）などの腐食抑制剤、エチレンジアンテトラ酢酸、グルコン酸、ニトリロトリ酢酸、ヒドロキシエチルエチオレンジアミン三作酸、ジエチレントリアミン五作酸などのキレート化合物及びフッ素樹脂ライニングが好ましい。特に好ましいのは、燐酸塩処理とフッ素樹脂ライニングである。

また、直接的な被覆処理と比較して、直接、錆を防ぐわけではないが、被覆処理による防錆期間の延長につながる処理方法として、防錆処理にかかる前の段階である「前処理」を採用することも好ましい。

このような前処理の具体例としては、金属表面に存在する塩化物や硫酸塩などの種々の腐食因子を、洗浄や研磨によって除去する処理を好適に挙げることができる。

収容容器としては具体的に以下を挙げることができる。

・Ｅｎｔｅｇｒｉｓ社製 ＦｌｕｏｒｏＰｕｒｅＰＦＡ複合ドラム（接液内面；ＰＦＡ樹脂ライニング）
・ＪＦＥ社製 鋼製ドラム缶（接液内面；燐酸亜鉛皮膜）

また、本発明において用いることができる収容容器としては、特開平１１－０２１３９３号公報［００１３］～［００３０］、及び特開平１０－４５９６１号公報［００１２］～［００２４］に記載の容器も挙げることができる。

本発明の有機系処理液は、静電気の帯電、引き続き生じる静電気放電に伴う薬液配管や各種パーツ（フィルター、Ｏ－リング、チューブなど）の故障を防止する為、導電性の化合物を添加しても良い。導電性の化合物としては特に制限されないが、例えば、メタノールが挙げられる。添加良は特に制限されないが、好ましい現像特性を維持する観点で、１０質量％以下が好ましく、更に好ましくは、５質量％以下である。薬液配管の部材に関しては、ＳＵＳ（ステンレス鋼）、或いは帯電防止処理の施されたポリエチレン、ポリプロピレン、又はフッ素樹脂（ポリテトラフルオロエチレン、パーフロオロアルコキシ樹脂など）で被膜された各種配管を用いることができる。フィルターやＯ－リングに関しても同様に、帯電防止処理の施されたポリエチレン、ポリプロピレン、又はフッ素樹脂（ポリテトラフルオロエチレン、パーフロオロアルコキシ樹脂など）を用いることができる。

なお、一般的に、現像液およびリンス液は、使用後に配管を通して廃液タンクに収容される。その際、リンス液として炭化水素系溶媒を使用すると、現像液中に溶解したレジストが析出し、ウェハ背面や、配管側面などに付着することを防ぐために、再度、レジストが溶解する溶媒を配管に通す方法がある。配管に通す方法としては、リンス液での洗浄後に基板の背面や側面などをレジストが溶解する溶媒で洗浄して流す方法や、レジストに接触させずにレジストが溶解する溶剤を配管を通るように流す方法が挙げられる。
配管に通す溶剤としては、レジストを溶解し得るものであれば特に限定されず、例えば上述した有機溶媒が挙げられ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、２－ヘプタノン、乳酸エチル、１－プロパノール、アセトン、等を用いることができる。中でも好ましくは、ＰＧＭＥＡ、ＰＧＭＥ、シクロヘキサノンを用いることができる。

［フォトマスク］
また、本発明は、上記したパターン形成方法を用いて作製されたフォトマスクにも関する。上記したパターン形成方法を用いて作成されたフォトマスクは、ＡｒＦエキシマレーザー等で用いられる光透過型マスクであっても、ＥＵＶを光源とする反射系リソグラフィーで用いられる光反射型マスクであってもよい。

〔電子デバイスの製造方法〕
また、本発明は、上記したパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法にも関する。本発明の電子デバイスの製造方法により製造された電子デバイスは、電気電子機器（例えば、家電、ＯＡ（Ｏｆｆｉｃｅ Ａｕｔｏｍａｔｉｏｎ）関連機器、メディア関連機器、光学用機器、及び通信機器等）に、好適に搭載される。

以下に実施例に基づいて本発明を更に詳細に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、及び処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す実施例により限定的に解釈されるべきものではない。

＜酸拡散制御剤＞
使用した酸拡散制御剤の構造を以下に示す。また、酸拡散制御剤の分子量とともに、酸拡散制御剤のハンセン溶解度パラメーター（ＳＰ値）についても記載する。
酸拡散制御剤のハンセン溶解度パラメーター（ＨＳＰ）は、ハンセン溶解度パラメーター計算ソフト；ＨＳＰｉＰ バージョン４．１．０７（Ｈａｎｓｅｎ－Ｓｏｌｕｂｉｌｉｔｙ．ｃｏｍ）を用いて算出した。
酸拡散制御剤を２種以上有する場合、各酸拡散制御剤のＨＳＰを混合比（質量比）に基づいて加重平均することによって、酸拡散制御剤のＨＳＰを求める。

＜樹脂（Ａ）＞
使用した樹脂Ａ－１～Ａ－９について以下に示す。各樹脂の繰り返し単位の構造及びその含有量（モル比率）、重量平均分子量（Ｍｗ）、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）、及び樹脂（Ａ）のハンセン溶解度パラメーター（ＳＰ値）も示す。
なお、樹脂（Ａ）の重量平均分子量（Ｍｗ）及び分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）はＧＰＣ（キャリア：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ））により測定した（ポリスチレン換算量である）。また、繰り返し単位の含有量は、^１３Ｃ－ＮＭＲ（ｎｕｃｌｅａｒ ｍａｇｎｅｔｉｃ ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）により測定した。
酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂（樹脂（Ａ））を構成する各繰り返し単位のハンセン溶解度パラメーターをハンセン溶解度パラメーター計算ソフト；ＨＳＰｉＰ バージョン４．１．０７（Ｈａｎｓｅｎ－Ｓｏｌｕｂｉｌｉｔｙ．ｃｏｍ）を用いて算出し、各繰り返し単位のハンセン溶解度パラメーターを二乗した値に各繰り返し単位の重量比を掛け合わせたものの、平方根をとることで算出した。なお、各繰り返し単位のハンセン溶解度パラメーターは各繰り返し単位に対応するモノマーのハンセン溶解度パラメーターであり、上記計算ソフトで求める。具体的には、上記式（Ａ）に基づいて求めた。
本発明の組成物が２種類以上の酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂を含有する場合、各酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂のＨＳＰ（Ａ）を混合比（質量比）に基づいて加重平均することによって、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂のＨＳＰ（Ａ）を求める。

＜光酸発生剤＞
使用した光酸発生剤の構造を以下に示す。^ｎＢｕは、ｎ－ブチル基を表し、ｔＢｕは、ｔ－ブチル基を表す。

使用した界面活性剤を下記に示す。

Ｅ－２： メガファックＲ－４１（ＤＩＣ（株）製）
Ｅ－３： ＫＦ－５３（信越化学工業（株）製）
Ｅ－４： メガファックＦ１７６（ＤＩＣ（株）製）
Ｅ－５： メガファックＲ０８（ＤＩＣ（株）製）

使用した添加剤を下記に示す。

使用した溶剤を下記に示す。
Ｓ－１：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）
Ｓ－２：プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）
Ｓ－３：乳酸エチル
Ｓ－４：３－エトキシプロピオン酸エチル
Ｓ－５：２－ヘプタノン
Ｓ－６：３－メトキシプロピオン酸メチル
Ｓ－７：酢酸３－メトキシブチル
Ｓ－８：酢酸ブチル

＜感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の調製＞
下記表３に示した各成分を、下記表３に記載した含有量（質量％）で混合し、下記表３に記載の固形分濃度（質量％）の溶液を得た。次いで、得られた溶液を、３μｍのポアサイズを有するポリエチレンフィルターで濾過することにより、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物（レジスト組成物）ｒｅｓ－１～ｒｅｓ－３６、ｒｅｓ－Ｒ１～ｒｅｓ－Ｒ４を調製した。なお、レジスト組成物において、固形分とは、溶剤以外の全ての成分を意味する。得られたレジスト組成物を、実施例及び比較例で使用した。

下記表３において、溶剤以外の各成分の含有量（質量％）は、全固形分に対する含有比率を意味する。下記表３には用いた溶剤の使用量（質量部）を記載した。
下記表３において、ＣＲ－１、ＣＲ－２、及びＣＲ－３は、本発明の酸拡散制御剤ではないが、便宜的に、酸拡散制御剤の欄に記載している。
また、表３において、樹脂（Ａ）に対する酸拡散制御剤の質量比率も記載する。なお、ＳＰ値の単位は、「ＭＰａ^０．５」である。

〔パターン形成及び各種評価〕
＜パターン形成（実施例１～２４、２６～３６、比較例１～４）（ＫｒＦ－ポジ）＞
東京エレクトロン（株）製スピンコーター「ＡＣＴ－８」を用いて、ヘキサメチルジシラザン処理を施したＳｉ基板（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製（以下、「基板」ともいう。））上に、反射防止層を設けることなく、上記で調製したレジスト組成物を塗布し、１５０℃にて６０秒間加熱乾燥（ＰＢ）を行い、膜厚５μｍのレジスト膜を形成した。
このレジスト膜に対し、縮小投影露光及びポジ型現像をした後のスペースパターンが２５０ｎｍ、ピッチが１０００ｎｍとなるような、ラインアンドスペースパターンを有するマスクを介して、ＫｒＦエキシマレーザースキャナー（ＡＳＭＬ製、ＰＡＳ５５００／８５０Ｃ波長２４８ｎｍ）を用いて、ＮＡ＝０．６８、σ＝０．６０の露光条件でパターン露光した。照射後に１３０℃、６０秒ベーク（ＰＥＢ）し、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）水溶液を用いて６０秒間浸漬した後、３０秒間、水でリンスして乾燥して、スペースサイズ２５０ｎｍ、ピッチ１０００ｎｍのラインアンドスペースパターンを形成した。
上記マスクを介して露光し、形成されるラインアンドスペースパターンが、パターンの高さ５μｍを１００％とした時に１０％にあたる高さ０．５μｍ位置でのスペースサイズが２５０ｎｍ、ピッチが１０００ｎｍとなるような露光量を最適露光量とし、この最適露光量を感度（ｍＪ／ｃｍ^２）とした。スペースパターン幅の測定は走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）（株式会社日立ハイテクノロジーズ製９３８０ＩＩ）社製９３８０Ｉ）を用いた。
上記手順により、基板と基板表面に形成されたパターンとを有する評価用パターンウェハ（Ｉ）を得た。

＜パターン形成（実施例２５）（ＫｒＦ－ネガ）＞
東京エレクトロン（株）製スピンコーター「ＡＣＴ－８」を用いて、ヘキサメチルジシラザン処理を施したＳｉ基板（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製（以下、「基板」ともいう。））上に、反射防止層を設けることなく、上記で調製したレジスト組成物を塗布し、１５０℃にて６０秒間加熱乾燥（ＰＢ）を行い、膜厚５μｍのレジスト膜を形成した。
このレジスト膜に対し、縮小投影露光及びネガ型現像をした後のスペースパターンが２５０ｎｍ、ピッチが１０００ｎｍとなるような、ラインアンドスペースパターンを有するマスクを介して、ＫｒＦエキシマレーザースキャナー（ＡＳＭＬ製、ＰＡＳ５５００／８５０Ｃ波長２４８ｎｍ）を用いて、ＮＡ＝０．６８、σ＝０．６０の露光条件でパターン露光した。照射後に１３０℃、６０秒ベーク（ＰＥＢ）し、酢酸ブチルを用いて６０秒間浸漬した後、３０秒間、４－メチル－２－ペンタノールでリンスして乾燥して、ラインアンドスペースパターンを形成した。
上記マスクを介して露光し、形成されるラインアンドスペースパターンが、パターンの高さ５μｍを１００％とした時に１０％にあたる高さ０．５μｍ位置でのスペースサイズが２５０ｎｍ、ピッチが１０００ｎｍとなるような露光量を最適露光量とし、この最適露光量を感度（ｍＪ／ｃｍ^２）とした。スペースパターン幅の測定は走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）（株式会社日立ハイテクノロジーズ製９３８０ＩＩ）社製９３８０Ｉ）を用いた。
上記手順により、基板と基板表面に形成されたパターンとを有する評価用パターンウェハ（ＩＩ）を得た。

＜性能評価＞
得られた評価用パターンウェハ用いて、パターンの性能評価を実施した。

（パターンの断面形状の評価）
上記評価用パターンウェハ（Ｉ）、（ＩＩ）の各々の製造の際に、レジスト膜厚を高さ方向の９０％に相当する４．５μｍ位置でのスペースサイズも同時に測定し、高さ９０％位置での線幅と、高さ１０％位置（上記の高さ０．５μｍ位置に相当）での線幅の差分（（高さ１０％位置での線幅）－（高さ９０％位置での線幅））の絶対値をＣＤ－Ｂｉａｓとして定義した。
ＣＤ－Ｂｉａｓの値が大きくなるほど、形状はトップ部が開いた形状又は底部が開いた形状になり、ＣＤ－Ｂｉａｓの値が小さくなるほど、形状は矩形となる。
ＣＤ－Ｂｉａｓの値は、以下の指標を用いて評価した。Ａ、Ｂ、Ｃであれば、実用上問題がない。
Ａ：５０ｎｍ未満
Ｂ：５０ｎｍ以上１００ｎｍ未満
Ｃ：１００ｎｍ以上１５０ｎｍ未満
Ｄ：１５０ｎｍ以上

得られた結果を表４に示す。また、酸拡散制御剤のハンセン溶解度パラメーターと上記樹脂のハンセン溶解度パラメーターの差の絶対値（△ＳＰ値）（ＭＰａ^０．５）も記載する。

表４の結果から、実施例のレジスト組成物は、厚膜のレジスト膜の形成に用いられた場合において、パターンの断面形状の矩形性に優れることが分かった。

本発明によれば、厚膜の感活性光線性感放射線性膜から断面形状のアスペクト比が非常に高い（例えば、５以上）パターンを形成する場合においても、断面形状の矩形性に非常に優れたパターンを形成可能な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物により形成される感活性光線性又は感放射線性膜、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いたパターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法を提供することができる。

本発明を詳細にまた特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の精神と範囲を逸脱することなく様々な変更や修正を加えることができることは当業者にとって明らかである。
本出願は、２０１９年８月２９日出願の日本特許出願（特願２０１９－１５７４４２）に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。

Claims (12)

1. 酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂、
   活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び
   酸拡散制御剤を含む感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、
   前記組成物が、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチル、３－エトキシプロピオン酸エチル、２－ヘプタノン、３－メトキシプロピオン酸メチル、酢酸３－メトキシブチル、及び酢酸ブチルからなる群より選ばれる少なくとも１種の溶剤を含み、
   前記酸拡散制御剤の分子量が２００以上であり、前記酸拡散制御剤が下記一般式（Ｑ－１）又は下記一般式（Ｑ－２）で表される化合物であり、
   前記酸拡散制御剤のハンセン溶解度パラメーターが１５～３０ＭＰａ^０．５であり、
   前記酸拡散制御剤のハンセン溶解度パラメーターと前記樹脂のハンセン溶解度パラメーターの差の絶対値が、５ＭＰａ^０．５以下である、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
   

   

   
   一般式（Ｑ－１）中、
   Ｒ_１～Ｒ_３は、それぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。Ｒ_１～Ｒ_２が結合して環構造（但し、芳香環構造を除く）を形成してもよい。
   Ｘｑは、－ＮＲ_Ｎ－、－Ｓ－、又は－Ｏ－を表す。Ｒ_Ｎは水素原子又は１価の有機基を表す。
   一般式（Ｑ－２）中、
   Ｒ_４、Ｒ_５は、それぞれ独立に置換基を表す。
   Ｘｒは、－ＮＲ_Ｎ１－、－Ｓ－、又は－Ｏ－を表す。Ｒ_Ｎ１は水素原子又は１価の有機基を表す。
   ｐは０～４の整数を示す。また、ｐが２以上の場合、複数のＲ_４が結合して環構造を形成してもよい。
2. 前記樹脂が、アセタール構造を有さない請求項１に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
3. Ｒ_１～Ｒ_３、及びＲ_Ｎの少なくとも一つが、下記一般式（Ｑ－３）で表される基である、請求項１又は２に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
   

   

   
   一般式（Ｑ－３）中、Ｒ_６は、水素原子又は置換基を表す。
   ｍは、１以上の整数を表す。
   ｐは、１以上の整数を表す。ただし、ｍとｐは異なる整数を表す。
   ｍ１は、１以上の整数を表す。
   ｐ１は、０以上の整数を表す。
   *は、結合手を表す。
4. Ｒ_４～Ｒ_５、Ｒ_Ｎ１の少なくとも一つが、下記一般式（Ｑ－３）で表される基である、請求項１又は２に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
   

   

   
   一般式（Ｑ－３）中、Ｒ_６は、水素原子又は置換基を表す。
   ｍは、１以上の整数を表す。
   ｐは、１以上の整数を表す。ただし、ｍとｐは異なる整数を表す。
   ｍ１は、１以上の整数を表す。
   ｐ１は、０以上の整数を表す。
   *は、結合手を表す。
5. Ｒ_１～Ｒ_３、及びＲ_Ｎの少なくとも一つが、下記一般式（Ｑ－４）又は下記一般式（Ｑ－５）で表される基である、請求項１～３のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
   

   

   
   一般式（Ｑ－４）中、
   Ｒ_７は、水素原子又は置換基を表す。
   ｎは、１以上の整数を表す。
   *は、結合手を表す。
   一般式（Ｑ－５）中、
   Ｒ_８は、水素原子又は置換基を表す。
   ｎ１は、０以上の整数を表す。
   ｎ２は、１以上の整数を表す。
   *は、結合手を表す。
6. Ｒ_４～Ｒ_５、Ｒ_Ｎ１の少なくとも一つが、下記一般式（Ｑ－４）又は下記一般式（Ｑ－５）で表される基である、請求項１～２、４のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
   

   

   
   一般式（Ｑ－４）中、
   Ｒ_７は、水素原子又は置換基を表す。
   ｎは、１以上の整数を表す。
   *は、結合手を表す。
   一般式（Ｑ－５）中、
   Ｒ_８は、水素原子又は置換基を表す。
   ｎ１は、０以上の整数を表す。
   ｎ２は、１以上の整数を表す。
   *は、結合手を表す。
7. 以下の式で表される、前記樹脂に対する前記酸拡散制御剤の質量比率が、０．１以下である、請求項１～６のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
   質量比率＝（酸拡散制御剤の含有量）/（樹脂の含有量）
8. 前記活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物の含有量が、前記組成物の全固形分を基準として、２０質量％未満である、請求項１～７のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
9. 前記組成物の固形分濃度が１０質量％以上である、請求項１～８のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
10. 前記酸拡散制御剤のハンセン溶解度パラメーターが１８ＭＰａ^０．５以上２２ＭＰａ^０．５以下である、請求項１～９のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
11. 支持体上に、請求項１～１０のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって、感活性光線性又は感放射線性膜を形成する工程、
    前記感活性光線性又は感放射線性膜に活性光線又は放射線を照射する工程、及び、
    前記活性光線又は放射線が照射された感活性光線性又は感放射線性膜を、現像液を用いて現像する工程、を有するパターン形成方法。
12. 請求項１１に記載のパターン形成方法を含む電子デバイスの製造方法。