JP7333162B2 - 表示装置 - Google Patents
表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7333162B2 JP7333162B2 JP2018040389A JP2018040389A JP7333162B2 JP 7333162 B2 JP7333162 B2 JP 7333162B2 JP 2018040389 A JP2018040389 A JP 2018040389A JP 2018040389 A JP2018040389 A JP 2018040389A JP 7333162 B2 JP7333162 B2 JP 7333162B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- display device
- drain
- source
- insulating film
- gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 114
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 81
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 51
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 33
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 24
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 14
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 12
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 16
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 14
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 12
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 10
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 9
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910017107 AlOx Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- OWOMRZKBDFBMHP-UHFFFAOYSA-N zinc antimony(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[Sb+3] OWOMRZKBDFBMHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
したがって、実際のレイアウトでは、疑似ゲート1071への分岐配線とゲート電極104の重複はできるだけ小さくなるようにレイアウトする。
Claims (18)
- ポリシリコンによる半導体層を覆ってゲート絶縁膜が形成され、前記ゲート絶縁膜の上にゲート電極が形成された薄膜トランジスタ(TFT)を有する画素が複数形成された表示装置であって、
前記TFTを覆って層間絶縁膜が形成され、
前記半導体層は、チャネル、n+であるドレイン、n+であるソース、前記チャネルと前記ドレインの間、及び、前記チャネルと前記ソースの間に、ドープ量が前記ドレインおよび前記ソースよりも少ないn-であるLDD領域が形成され、
前記チャネルと前記ドレインの間に形成されるLDD領域の前記ゲート絶縁膜に接する側には、マイナス電荷が存在し、
前記表示装置は有機EL表示装置であり、前記TFTは直流駆動されることを特徴とする表示装置。 - ポリシリコンによる半導体層を覆ってゲート絶縁膜が形成され、前記ゲート絶縁膜の上にゲート電極が形成された薄膜トランジスタ(TFT)を有する画素が複数形成された表示装置であって、
前記TFTを覆って層間絶縁膜が形成され、
前記半導体層は、チャネル、n+であるドレイン、n+であるソース、前記チャネルと前記ドレインの間、及び、前記チャネルと前記ソースの間に、ドープ量が前記ドレインおよび前記ソースよりも少ないn-であるLDD領域が形成され、
前記チャネルと前記ドレインの間に形成されるLDD領域の前記ゲート絶縁膜に接する側には、マイナス電荷が存在し、
前記表示装置は有機EL表示装置であり、前記TFTは有機EL層に電流を供給する駆動TFTであることを特徴とする表示装置。 - ポリシリコンによる半導体層を覆ってゲート絶縁膜が形成され、前記ゲート絶縁膜の上にゲート電極が形成された薄膜トランジスタ(TFT)を有する画素が複数形成された表示装置であって、
前記TFTを覆って層間絶縁膜が形成され、
前記半導体層は、チャネル、n+であるドレイン、n+であるソース、前記チャネルと前記ドレインの間、及び、前記チャネルと前記ソースの間に、ドープ量が前記ドレインおよび前記ソースよりも少ないn-であるLDD領域が形成され、
前記チャネルと前記ドレインの間に形成されるLDD領域の前記ゲート絶縁膜に接する側には、マイナス電荷が存在し、
前記表示装置は液晶表示装置であり、前記TFTはスイッチングTFTであり、前記TFTの前記ドレインと前記ソースは定期的に入れ替わることを特徴とする表示装置。 - 前記マイナス電荷は、前記ゲート絶縁膜内にも形成されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の表示装置。
- 前記マイナス電荷は、前記ドレイン、前記ソース、前記ソースと前記チャネルの間のLDD領域の前記ゲート絶縁膜側にも形成されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の表示装置。
- 前記マイナス電荷はボロン(B)をイオンインプランテーションによって形成したことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の表示装置。
- 前記ボロン(B)の濃度は、前記ドレインにおけるn+の不純物濃度よりも少ないことを特徴とする請求項6に記載の表示装置。
- 前記ボロン(B)の濃度は、前記ドレイン側の前記LDD領域におけるn-の不純物濃度と同等乃至10倍程度であることを特徴とする請求項6に記載の表示装置。
- 前記ボロン(B)の濃度は、前記LDD領域の厚さ方向において、前記ゲート絶縁膜に近い面のほうが、反対側の面よりも大きいことを特徴とする請求項6に記載の表示装置。
- ポリシリコンによる半導体層を覆ってゲート絶縁膜が形成され、前記ゲート絶縁膜の上にゲート電極が形成された薄膜トランジスタ(TFT)を有する画素が複数形成された表示装置であって、
前記TFTを覆って層間絶縁膜が形成され、
前記半導体層は、チャネル、n+であるドレイン、n+であるソース、前記チャネルと前記ドレインの間、及び、前記チャネルと前記ソースの間に、ドープ量が前記ドレインおよび前記ソースよりも少ないn-であるLDD領域が形成され、
前記チャネルと前記ドレインの間に形成されるLDD領域の上には、前記層間絶縁膜を介して、前記ソースと接続するソース電極から分岐した疑似ゲートが存在し、
前記表示装置は有機EL表示装置であり、前記TFTは有機EL層に電流を供給する駆動TFTであることを特徴とする表示装置。 - 前記疑似ゲートは、前記ソース電極と同じ材料で同じ層に形成され、前記ソース電極と連続して形成されていることを特徴とする請求項10に記載の表示装置。
- 前記疑似ゲートは、前記ゲート電極の前記LDD領域側端部と、平面で視てオーバーラップしていることを特徴とする請求項10に記載の表示装置。
- 前記疑似ゲートは、前記半導体層の前記ソースとスルーホールを介して接続していることを特徴とする請求項10に記載の表示装置。
- ポリシリコンによる半導体層を覆ってゲート絶縁膜が形成され、前記ゲート絶縁膜の上にゲート電極が形成された薄膜トランジスタ(TFT)を有する画素が複数形成された表示装置であって、
前記TFTを覆って層間絶縁膜が形成され、
前記半導体層は、チャネル、n+であるドレイン、n+であるソース、前記チャネルと前記ドレインの間、及び、前記チャネルと前記ソースの間に、ドープ量が前記ドレインおよび前記ソースよりも少ないn-であるLDD領域が形成され、
前記ソースにはソース電極が接続し、前記ドレインにはドレイン電極が接続し、
前記チャネルと前記ドレインの間に形成されるLDD領域の上には、前記層間絶縁膜を介して、前記ソース電極とは独立に、疑似ゲートが存在し、前記疑似ゲートには、前記ドレインに印加される電圧よりも低い電圧が印加され、
前記表示装置は有機EL表示装置であり、前記疑似ゲートにカソード電圧が印加されることを特徴とする表示装置。 - 前記疑似ゲートは、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と同時に同じ材料で同じ層に形成されることを特徴とする請求項14に記載の表示装置。
- 前記表示装置は有機EL表示装置であり、前記TFTは有機EL層に電流を供給する駆動TFTであることを特徴とする請求項14に記載の表示装置。
- ポリシリコンによる半導体層を覆ってゲート絶縁膜が形成され、前記ゲート絶縁膜の上にゲート電極が形成された薄膜トランジスタ(TFT)を有する画素が複数形成された表示装置であって、
前記TFTを覆って層間絶縁膜が形成され、
前記半導体層は、チャネル、n+であるドレイン、n+であるソース、前記チャネルと前記ドレインの間、及び、前記チャネルと前記ソースの間に、ドープ量が前記ドレインおよび前記ソースよりも少ないn-であるLDD領域が形成され、
前記ソースにはソース電極が接続し、前記ドレインにはドレイン電極が接続し、
前記チャネルと前記ドレインの間に形成されるLDD領域の上には、前記層間絶縁膜を介して、前記ソース電極とは独立に、疑似ゲートが存在し、前記疑似ゲートには、前記ドレインに印加される電圧よりも低い電圧が印加され、
前記表示装置は液晶表示装置であり、前記疑似ゲートにはコモン電圧が印加されることを特徴とする表示装置。 - 前記疑似ゲートは、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と同時に同じ材料で同じ層に形成されることを特徴とする請求項17に記載の表示装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018040389A JP7333162B2 (ja) | 2018-03-07 | 2018-03-07 | 表示装置 |
PCT/JP2019/002674 WO2019171815A1 (ja) | 2018-03-07 | 2019-01-28 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018040389A JP7333162B2 (ja) | 2018-03-07 | 2018-03-07 | 表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019160819A JP2019160819A (ja) | 2019-09-19 |
JP7333162B2 true JP7333162B2 (ja) | 2023-08-24 |
Family
ID=67845936
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018040389A Active JP7333162B2 (ja) | 2018-03-07 | 2018-03-07 | 表示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7333162B2 (ja) |
WO (1) | WO2019171815A1 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002190597A (ja) | 2000-12-21 | 2002-07-05 | Sharp Corp | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP2002353464A (ja) | 2001-05-29 | 2002-12-06 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、その製造方法及び電子機器 |
JP2003017502A (ja) | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
WO2017161626A1 (zh) | 2016-03-23 | 2017-09-28 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Tft基板的制作方法及制得的tft基板 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3128939B2 (ja) * | 1992-03-27 | 2001-01-29 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタ |
-
2018
- 2018-03-07 JP JP2018040389A patent/JP7333162B2/ja active Active
-
2019
- 2019-01-28 WO PCT/JP2019/002674 patent/WO2019171815A1/ja active Application Filing
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002190597A (ja) | 2000-12-21 | 2002-07-05 | Sharp Corp | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP2002353464A (ja) | 2001-05-29 | 2002-12-06 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、その製造方法及び電子機器 |
JP2003017502A (ja) | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
WO2017161626A1 (zh) | 2016-03-23 | 2017-09-28 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Tft基板的制作方法及制得的tft基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2019171815A1 (ja) | 2019-09-12 |
JP2019160819A (ja) | 2019-09-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN100592524C (zh) | 图像显示装置及其制造方法 | |
EP3121851B1 (en) | Thin-film transistor substrate and display device comprising the same | |
JP7085352B2 (ja) | 表示装置 | |
US7824952B2 (en) | Display apparatus and method of manufacturing thereof | |
US9954014B2 (en) | Thin film transistor substrate and display using the same | |
US8928044B2 (en) | Display device, switching circuit and field effect transistor | |
US10186529B2 (en) | Thin film transistor substrate and display using the same | |
US8133773B2 (en) | Apparatus and method for reducing photo leakage current for TFT LCD | |
US7985969B2 (en) | Transistor and display and method of driving the same | |
US10361229B2 (en) | Display device | |
US8956930B2 (en) | Process for production of thin film transistor substrate | |
US9947691B2 (en) | Array substrate, manufacturing method thereof and display panel | |
US8873001B2 (en) | Display substrate and display device including the same | |
US20060119778A1 (en) | Active matrix display device and method for manufacturing the same | |
JP2020017558A (ja) | 表示装置 | |
KR20120042031A (ko) | 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 표시 장치 | |
CN212461692U (zh) | 半导体装置 | |
US11411101B2 (en) | Manufacturing method of TFT substrate | |
JP7333162B2 (ja) | 表示装置 | |
KR20160016036A (ko) | 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
JP2015170642A (ja) | 表示装置 | |
JP2007250663A (ja) | 薄膜トランジスタ構造、表示装置及び表示装置の製造方法 | |
JP2013222178A (ja) | 表示装置 | |
KR20160119291A (ko) | 표시장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220412 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220606 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221018 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221201 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230404 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230524 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230718 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230814 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7333162 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |