JP7316673B2 - 撮像装置 - Google Patents

撮像装置 Download PDF

Info

Publication number
JP7316673B2
JP7316673B2 JP2020552512A JP2020552512A JP7316673B2 JP 7316673 B2 JP7316673 B2 JP 7316673B2 JP 2020552512 A JP2020552512 A JP 2020552512A JP 2020552512 A JP2020552512 A JP 2020552512A JP 7316673 B2 JP7316673 B2 JP 7316673B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
source
pixel
imaging device
drain
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2020552512A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2020079884A1 (ja
Inventor
真明 柳田
佳壽子 西村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Original Assignee
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd filed Critical Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Publication of JPWO2020079884A1 publication Critical patent/JPWO2020079884A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7316673B2 publication Critical patent/JP7316673B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/78Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/709Circuitry for control of the power supply
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14665Imagers using a photoconductor layer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Description

本開示は、画像を撮像する撮像装置に関する。
従来、画像を撮像する撮像装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。
米国特許第6664530号明細書
撮像装置では、連続撮像する際の高フレームレート化が求められている。
本開示の一態様に係る撮像装置は、入射光を電荷に変換する光電変換部、ソースおよびドレインの一方が前記光電変換部に接続される第1トランジスタ、および、ゲートが前記第1光電変換部に接続されソースおよびドレインの一方が前記第1トランジスタのソースおよびドレインの他方に接続される第2トランジスタをそれぞれが含み、行列状に配置された複数の画素のうち同じ列に位置する複数の第1画素および複数の第2画素と、前記複数の第1画素の前記第2トランジスタのソースおよびドレインの前記一方に接続される第1電流源と、前記複数の第2画素の前記第2トランジスタのソースおよびドレインの前記一方に接続される第2電流源と、前記複数の第1画素および前記複数の第2画素の、前記第2トランジスタのソースおよびドレインの他方に接続される信号線と、を備える。
連続撮像する際の高フレームレート化が可能な撮像装置が提供される。
図1は、実施の形態1に係る撮像装置の概要を示すブロック図である。 図2は、実施の形態1に係る撮像装置を構成する主要な構成要素を示すブロック図である。 図3は、実施の形態1に係る光電変換部およびFDの構造を模式的に示す断面図である。 図4は、実施の形態1に係る第1動作のタイミングチャートである。 図5Aは、実施の形態1に係る増幅トランジスタがソースフォロア回路として動作する場合における電流の流れる様子を示す模式図である。 図5Bは、実施の形態1に係る増幅トランジスタがソース接地アンプ回路として動作する場合における電流の流れる様子を示す模式図である。 図6Aは、実施の形態1に係るフィードバック信号線に生じる電圧降下の勾配の様子を示す模式図である。 図6Bは、比較例における従来型の撮像装置における信号線に生じる電圧降下の勾配の様子を示す模式図である。 図7は、実施の形態1に係る第2動作のタイミングチャートである。 図8は、実施の形態2に係る撮像装置を構成する主要な構成要素を示すブロック図である。 図9は、実施の形態2に係る撮像装置のタイミングチャートである。 図10は、実施の形態3に係る撮像装置を構成する主要な構成要素を示すブロック図である。 図11は、実施の形態3に係る撮像装置のタイミングチャートである。 図12は、実施の形態4に係る撮像装置を構成する主要な構成要素を示すブロック図である。 図13は、実施の形態4に係る撮像装置のタイミングチャートである。 図14は、実施の形態5に係る撮像装置を構成する主要な構成要素を示すブロック図である。 図15は、実施の形態5に係る撮像装置のタイミングチャートである。 図16は、実施の形態1に係る撮像装置の一例を示すブロック図である。 図17は、実施の形態1に係る撮像装置の他の例の主要な構成要素を示すブロック図である。
本開示の一態様に係る撮像装置は、第1画素と、前記第1画素と同じ列に位置する第2画素と、を含む行列状に配置された複数の画素を備える撮像装置であって、前記第1画素は、入射光を電荷に変換する第1光電変換部と、第1ソース、第1ドレインおよび第1ゲートを備え、前記第1ソースおよび前記第1ドレインの一方が前記第1光電変換部に電気的に接続された第1トランジスタと、第2ソース、第2ドレインおよび第2ゲートを備え、前記第2ゲートが前記第1光電変換部に電気的に接続され、前記第2ソースおよび前記第2ドレインの一方が前記第1ソースおよび前記第1ドレインの他方に電気的に接続された第2トランジスタと、を備え、前記第2画素は、入射光を電荷に変換する第2光電変換部と、第3ソース、第3ドレインおよび第3ゲートを備え、前記第3ソースおよび前記第3ドレインの一方が前記第2光電変換部に電気的に接続された第3トランジスタと、第4ソース、第4ドレインおよび第4ゲートを備え、前記第4ゲートが前記第2光電変換部に電気的に接続され、前記第4ソースおよび前記第4ドレインの一方が前記第3ソースおよび前記第3ドレインの他方に電気的に接続された第4トランジスタと、を備え、前記第2ソースおよび前記第2ドレインの前記一方に電気的に接続された第1電流源と、前記第4ソースおよび前記第4ドレインの前記一方に電気的に接続された第2電流源と、前記第2ソースおよび前記第2ドレインの他方および前記第4ソースおよび前記第4ドレインの他方に電気的に接続された第3電流源と、を備える。
上記構成の撮像装置によると、第1画素において第1光電変換部により変換された電荷のリセットと、第2画素において第2光電変換部により変換された電荷のリセットとを、互いに独立に実行することができる。これにより、上記構成の撮像装置によると、連続撮像する際の高フレームレート化を実現することができる。
また、前記第2トランジスタは第1導電型であり、前記第4トランジスタは前記第1導電型であり、前記第1電流源は、前記第1導電型とは異なる第2導電型の第1電流源トランジスタを含み、前記第2電流源は、前記第2導電型の第2電流源トランジスタを含み、前記第3電流源は、前記第1導電型の第3電流源トランジスタを含むとしてもよい。
これにより、第1画素において第1光電変換部により変換された電荷をリセットする場合において第2トランジスタに流れる電流の向きと、その電荷を読み出す場合において第2トランジスタに流れる電流の向きとをそろえることができる。また、第2画素において第2光電変換部により変換された電荷をリセットする場合において第4トランジスタに流れる電流の向きと、その電荷を読み出す場合において第4トランジスタに流れる電流の向きとをそろえることができる。従って、上記構成の撮像装置によると、撮像する画像の高画質化を実現することができる。
また、前記第2ソースおよび前記第2ドレインの前記他方および前記第4ソースおよび前記第4ドレインの前記他方に電気的に接続された基準電圧源を備えていてもよい。
これにより、基準電圧源を、第2トランジスタおよび、第4トランジスタのアナログGND(グラウンド)として利用することができる。
また、前記第2ソースおよび前記第2ドレインの前記一方に電気的に接続された第1電源と、前記第4ソースおよび前記第4ドレインの前記一方に電気的に接続された第2電源と、を備えていてもよい。
これにより、第1電源を、第2トランジスタへの電圧供給源として利用し、第2電源を、第4トランジスタへの電圧供給源として利用することができる。
また、前記第2ソースおよび前記第2ドレインの前記他方と、前記第3電流源との間に電気的に接続された第5トランジスタと、前記第4ソースおよび前記第4ドレインの前記他方と、前記第3電流源との間に電気的に接続された第6トランジスタと、を備えていてもよい。
これにより、第2ソースおよび第2ドレインの他方と、第3電流源との間の電気的接続状態を切り替えること、並びに、第4ソースおよび第4ドレインの他方と、第3電流源との間の電気的接続状態を切り替えることができる。
また、前記第1ソースおよび前記第1ドレインの前記他方と、前記第2ソースおよび前記第2ドレインの前記一方と、の間に電気的に接続された第7トランジスタを備えていてもよい。
これにより、第1ソースおよび第1ドレインの他方と、第2ソースおよび第2ドレインの一方との間の電気的接続状態を切り替えることができる。
また、前記第1電流源トランジスタのソースおよびドレインの間に電気的に接続された、導通状態と非導通状態とに切り替わる第1スイッチと、前記第2電流源トランジスタのソースおよびドレインの間に電気的に接続された、導通状態と非導通状態とに切り替わる第2スイッチと、を備えていてもよい。
これにより、第1電流源トランジスタのソースおよびドレイン間の導通状態と非導通状態とを切り替えること、並びに、第2電流源トランジスタのソースおよびドレイン間の導通状態と非導通状態とを切り替えることができる。
本開示の他の態様に係る撮像装置は、
入射光を電荷に変換する光電変換部、およびゲートが前記第1光電変換部に接続されるトランジスタ、を含む第1画素と、
前記複数の第1画素の、前記第2トランジスタのソースおよびドレインの一方に接続される第1電流源と、
前記複数の第1画素の、前記第2トランジスタのソースおよびドレインの他方に接続される第2電流源と、
を備える。
前記撮像装置は、さらに、
前記複数の第1画素の、前記第2トランジスタのソースおよびドレインの一方に接続される第1基準電圧源と、
前記複数の第1画素の、前記第2トランジスタのソースおよびドレインの他方に接続される第2基準電圧源と、
を備えていてもよい。
前記撮像装置は、さらに、
前記第1電流源および前記第1基準電圧源のいずれか一方を前記第2トランジスタのソースおよびドレインの前記一方に電気的に接続させる第1切替回路と、
前記第2電流源および前記第2基準電圧源のいずれか一方を前記第2トランジスタのソースおよびドレインの前記他方に電気的に接続させる第2切替回路と、
をさらに備えていてもよい。
以下、本開示の一態様に係る撮像装置の具体例について、図面を参照しながら説明する。ここで示す実施の形態は、いずれも本開示の一具体例を示すものである。従って、以下の実施の形態で示される数値、形状、構成要素、構成要素の配置及び接続形態、並びに、ステップ(工程)及びステップの順序等は、一例であって本開示を限定するものではない。以下の実施の形態における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意に付加可能な構成要素である。また、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。同一または類似の構成要素については、同一の参照符号を付して、その説明を省略する場合がある。
なお、本明細書において、ある素子が他の素子に「接続される」と表現されている場合は、これらの素子の間には第3の素子が介在していてもよいことを意味する。ある素子が他の素子に「直接的に接続される」と表現されている場合は、これらの素子の間には第3の素子が介在しないことを意味する。さらに、ある素子が他の素子に「電気的に接続される」と表現されている場合は、これらの素子が常に電気的に接続されている必要はなく、少なくともある時点において電気的に接続されることを意味する。
(実施の形態1)
以下、実施の形態1に係る撮像装置の構成について、図面を参照しながら説明する。
図1は、撮像装置1の構成の概要を示すブロック図である。
図1に示されるように、撮像装置1は、画素アレイ100と、行走査回路110と、第1バイアス回路120と、第2バイアス回路130とを備える。
画素アレイ100は、行列状に配置された複数の画素を含む。画素の構成については、後程、図2等を用いて説明する。
行走査回路110は、画素アレイ100に対して、行単位で共通な複数の信号線(図示せず)を介して、各画素の動作を行単位で制御する。
第1バイアス回路120は、画素アレイ100に対して、列単位で共通な複数の信号線(図示せず)を介して、各画素に電圧及び電流を供給する。
第2バイアス回路130は、行走査回路110と同期して動作し、列単位で共通な複数の信号線(図示せず)を介して、行走査回路110によって制御される行単位で、その行に位置する画素に蓄積された電荷を読み出す。
なお、以降では説明を簡潔にするため、第1バイアス回路120を画素アレイ100の上側に、第2バイアス回路130を画素アレイ100の下側に配置した例で説明するが、この形態には限らない。また第1バイアス回路120および第2バイアス回路130は、画素アレイ100と同じ基板上に配置されなくてもよい。例えば画素アレイ100が第1の基板上に配置され、第1バイアス回路120および第2バイアス回路130が第1の基板に積層された第2の基板上に配置されてもよい。
図2は、撮像装置1を構成する主要な構成要素を示すブロック図である。
図2に示されるように、撮像装置1は、第1画素10aと、第2画素10bと、第1電流源21と、第2電流源22と、第3電流源23と、第1電源31と、第2電源32と、基準電圧源33と、スイッチS1と、スイッチS2と、スイッチS3と、スイッチS4と、スイッチS5と、スイッチS6と、フィードバック信号線51と、フィードバック信号線52と、垂直信号線53とを備える。ここで、基準電圧源33は、後述のFD16aおよびFD16bに基準電圧を供給する電圧源である。基準電圧は、例えば1.0Vである。
これら構成要素のうち、第1画素10aと、第2画素10bとは、画素アレイ100に含まれる。また、第1電流源21と、第2電流源22と、第1電源31と、第2電源32と、スイッチS3と、スイッチS4と、スイッチS5と、スイッチS6とは、第1バイアス回路120に含まれる。また、第3電流源23と、基準電圧源33と、スイッチS1と、スイッチS2とは、第2バイアス回路130に含まれる。
第1画素10aは、画素アレイ100を構成する画素のうちの1つである。
第2画素10bは、画素アレイ100を構成する画素のうちの1つであって、第1画素10aと同じ列に位置する。
ここでは、一例として、第1画素10aは、画素アレイ100の偶数行に位置し、第2画素10bは、画素アレイ100の奇数行に位置するとして説明する。しかしながら、他の配列構成であっても構わない。また、ここでは、一例として、画素アレイ100を構成する画素は、第1画素10aと第2画素10bのいずれかの画素であるとして説明する。しかしながら、画素アレイ100を構成する画素は、第1画素10a及び第2画素10b以外の画素を備えていてもよい。また、ここでは、一例として、画素アレイ100の各偶数行の画素は、第1画素10aであり、各奇数行の画素は、第2画素10bであるとして説明する(図16参照)。しかしながら、他の配列構成であっても構わない。
図2に示されるように、第1画素10aは、第1光電変換部11aと、リセットトランジスタ12aと、増幅トランジスタ13aと、第1選択トランジスタ14aと、第2選択トランジスタ15aと、FD16aとを備える。
ここで、リセットトランジスタ12aは、本開示の第1画素の第1トランジスタの例である。また、増幅トランジスタ13aは、本開示の第1画素の第2トランジスタの例である。また、第1選択トランジスタ14aは、本開示の第1画素の第3トランジスタの例である。
第1光電変換部11aは、入射光を電荷に変換する。
リセットトランジスタ12aは、第1ソース、第1ドレインおよび第1ゲートを備える第1導電型のトランジスタであって、第1ソースおよび第1ドレインの一方が第1光電変換部11aに電気的に接続される。ここでは、一例として、第1導電型と、後述の第2導電型とは、それぞれ、n型とp型とであるとして説明する。しかしながら、第1導電型と第2導電型とは、必ずしも、それぞれ、n型とp型とである例に限定される必要はない。例えば、第1導電型と第2導電型とは、それぞれ、p型とn型とであるとしても構わない。
増幅トランジスタ13aは、第2ソース、第2ドレインおよび第2ゲートを備える第1導電型のトランジスタであって、第2ゲートが第1光電変換部11aに電気的に接続され、第2ソースおよび第2ドレインの一方が、第1ソースおよび第1ドレインの他方に電気的に接続される。
第1選択トランジスタ14aは、第1導電型のトランジスタであって、第2ソースおよび第2ドレインの他方と、第3電流源23との間に電気的に接続される。第1選択トランジスタ14aは、垂直信号線53に接続される第1画素10aを選択するために利用される。
第2選択トランジスタ15aは、第1導電型のトランジスタであって、第2ソースおよび第2ドレインの一方と、第1電流源21との間に電気的に接続される。第2選択トランジスタ15aは、フィードバック信号線51に接続される第1画素10aの中から、増幅トランジスタ13aにソース接地アンプ動作あるいはソースフォロア動作をさせる第1画素10aを選択するために利用される。
FD16aは、第1光電変換部11aによって変換された電荷を蓄積する電荷蓄積領域であって、第1光電変換部11aと、第2ゲートと、第1ソースおよび第1ドレインの一方とに電気的に接続される。
第2画素10bは、第2光電変換部11bと、リセットトランジスタ12bと、増幅トランジスタ13bと、第1選択トランジスタ14bと、第2選択トランジスタ15bと、FD16bとを備える。
ここで、リセットトランジスタ12bは、本開示の第2画素の第1トランジスタの例である。また、増幅トランジスタ13bは、本開示の第2画素の第2トランジスタの例である。また、第1選択トランジスタ14bは、本開示の第2画素の第3トランジスタの例である。
第2光電変換部11bは、入射光を電荷に変換する。第2光電変換部11bは、第1光電変換部11aと同様である。このため、以下では、第1光電変換部11aと第2光電変換部11bとを明示的に区別する必要がない場合には、第1光電変換部11aと第2光電変換部11bとのことを光電変換部11と称することもある。
リセットトランジスタ12bは、第3ソース、第3ドレインおよび第3ゲートを備える第1導電型のトランジスタであって、第3ソースおよび第3ドレインの一方が第2光電変換部11bに電気的に接続される。リセットトランジスタ12bは、リセットトランジスタ12aと同様である。
増幅トランジスタ13bは、第4ソース、第4ドレインおよび第4ゲートを備える第1導電型のトランジスタであって、第4ゲートが第2光電変換部11bに電気的に接続され、第4ソースおよび第4ドレインの一方が、第3ソースおよび第3ドレインの他方に電気的に接続される。増幅トランジスタ13bは、増幅トランジスタ13aと同様である。
第1選択トランジスタ14bは、第1導電型のトランジスタであって、第4ソースおよび第4ドレインの他方と、第3電流源23との間に電気的に接続される。第1選択トランジスタ14bは、第1選択トランジスタ14aと同様である。
第2選択トランジスタ15bは、第1導電型のトランジスタであって、第4ソースおよび第4ドレインの一方と、第2電流源22との間に電気的に接続される。第2選択トランジスタ15bは、第2選択トランジスタ15aと同様である。
FD16bは、第2光電変換部11bによって変換された電荷を蓄積する電荷蓄積領域であって、第2光電変換部11bと、第4ゲートと、第3ソースおよび第3ドレインの一方とに電気的に接続される。FD16bは、FD16aと同様である。このため、以下では、FD16aとFD16bとを明示的に区別する必要のない場合には、FD16aとFD16bとのことをFD16と称することもある。
上述したように、第1画素10aと第2画素10bとは、外部との接続関係を除けば同様に構成される。このため、以下では、第1画素10aと第2画素10bとを明示的に区別する必要のない場合には、第1画素10aと第2画素10bとのことを画素10と称することもある。
図3は、光電変換部11およびFD16の構造を模式的に示す断面図である。
図3に示されるように、光電変換部11は、薄膜状の光電変換層105Cと、光電変換層105Cの上方に位置する薄膜状の透明電極105Aと、光電変換層105Cの下方に位置する薄膜状の画素電極105Bとを備える。画素電極105Bは、コンタクトプラグ105Eを介して、半導体基板105D内に設けられたFD16に接続される。FD16は、例えば不純物を含む拡散層である。
光電変換層105Cは、透明電極105Aと画素電極105Bとの間にバイアス電圧が印加された状態において受光することで、光電効果による電荷を生成する。すなわち、入射光を電荷に変換する。変換された電荷のうち、正の電荷と負の電荷とのうちの一方が、画素電極105Bに収集される。画素電極105Bに収集された電荷は、FD16に蓄積される。
再び、図2に戻り、撮像装置1の構成についての説明を続ける。
スイッチS1は、制御信号VS1により導通状態と非導通状態とに切り替わるスイッチである。スイッチS2は、制御信号VS2により導通状態と非導通状態とに切り替わるスイッチである。スイッチS3は、制御信号VS3により導通状態と非導通状態とに切り替わるスイッチである。スイッチS4は、制御信号VS4により導通状態と非導通状態とに切り替わるスイッチである。スイッチS5は、制御信号VS5により導通状態と非導通状態とに切り替わるスイッチである。スイッチS6は、制御信号VS6により導通状態と非導通状態とに切り替わるスイッチである。
フィードバック信号線51は、画素アレイ100における列方向に伸びる信号線であって、スイッチS3およびスイッチS4と、画素アレイ100内の同じ列に位置する各第1画素10aの第2選択トランジスタ15aとに接続される。
フィードバック信号線52は、画素アレイ100における列方向に伸びる信号線であって、スイッチS5およびスイッチS6と、フィードバック信号線51に接続される各第1画素10aと同じ列に位置する各第2画素10bの第2選択トランジスタ15bとに接続される。
垂直信号線53は、画素アレイ100における列方向に伸びる信号線であって、スイッチS1およびスイッチS2と、フィードバック信号線51に接続される各第1画素10aの第1選択トランジスタ14a、および、フィードバック信号線52に接続される各第2画素10bの第1選択トランジスタ14bとに接続される。
第1電流源21は、第2ソースおよび第2ドレインの一方に電気的に接続された電流源である。より具体的には、第1電流源21は、スイッチS4、フィードバック信号線51、および、第2選択トランジスタ15aを介して、増幅トランジスタ13aの第2ソースおよび第2ドレインの一方に電気的に接続される。ここでは、一例として、第1電流源21は、第2導電型のトランジスタによって実現されるとして説明する。しかしながら、電流源としての機能を有する構成であれば、必ずしも第2導電型のトランジスタによって実現される構成に限定される必要はない。
第2電流源22は、第4ソースおよび第4ドレインの一方に電気的に接続された電流源である。より具体的には、第2電流源22は、スイッチS6、フィードバック信号線52、および、第2選択トランジスタ15bを介して、増幅トランジスタ13bの第4ソースおよび第4ドレインの一方に電気的に接続される。ここでは、一例として、第2電流源22は、第2導電型のトランジスタによって実現されるとして説明する。しかしながら、電流源としての機能を有する構成であれば、必ずしも第2導電型のトランジスタによって実現される構成に限定される必要はない。
第3電流源23は、第2ソースおよび第2ドレインの他方、および、第4ソースおよび第4ドレインの他方に電気的に接続された電流源である。より具体的には、第3電流源23は、スイッチS2、垂直信号線53、および、第1選択トランジスタ14aを介して、増幅トランジスタ13aの第2ソースおよび第2ドレインの他方に電気的に接続され、スイッチS2、垂直信号線53、および、第1選択トランジスタ14bを介して、増幅トランジスタ13bの第2ソースおよび第2ドレインの他方に電気的に接続される。ここでは、一例として、第3電流源23は、第1導電型のトランジスタによって実現されるとして説明する。しかしながら、電流源としての機能を有する構成であれば、必ずしも第1導電型のトランジスタによって実現される構成に限定される必要はない。
第1電源31は、第2ソースおよび第2ドレインの一方に電気的に接続された電源である。より具体的には、第1電源31は、スイッチS3、フィードバック信号線51、および、第2選択トランジスタ15aを介して、増幅トランジスタ13aの第2ソースおよび第2ドレインの一方に電気的に接続される。第1電源31の電圧は、後述の基準電圧源33の電圧よりも高電圧である。第1電源は、例えば電源電圧を供給する。電源電圧は、例えば、3.3Vである。
第2電源32は、第4ソースおよび第4ドレインの一方に電気的に接続された電源である。より具体的には、第2電源32は、スイッチS5、フィードバック信号線52、および、第2選択トランジスタ15bを介して、増幅トランジスタ13bの第4ソースおよび第4ドレインの一方に電気的に接続される。第2電源32が供給する電圧は、後述の基準電圧源33が供給する電圧よりも高電圧である。第2電源は、例えば電源電圧を供給する。電源電圧は、例えば、3.3Vであってよい。
基準電圧源33は、第2ソースおよび第2ドレインの他方、および、第4ソースおよび第4ドレインの他方に電気的に接続された電圧源である。より具体的には、基準電圧源33は、スイッチS1、垂直信号線53、および、第1選択トランジスタ14aを介して、増幅トランジスタ13aの第2ソースおよび第2ドレインの他方に接続され、スイッチS1、垂直信号線53、および、第1選択トランジスタ14bを介して、増幅トランジスタ13bの第4ソースおよび第4ドレインの他方に接続される。例えば、基準電圧源33は、基準電圧として1.0Vの電圧を供給する。
上記構成の撮像装置1は、第1動作と、第2動作とを行う。以下、撮像装置1が行う第1動作と、第2動作とについて、図を用いて順に説明する。
図4は、撮像装置1が行う第1動作における各信号のタイミングチャートである。このタイミングチャートは、画素アレイ100におけるn(nは1以上の整数)行目に第1画素10aが配置され、m(mは、1以上のn以外の整数)行目に第2画素10bが配置されている場合における、第1動作のタイミングチャートとなっている。例えば、第1画素10aが奇数行、第2画素10bが偶数行に交互に配置されていてもよい。その場合、nは奇数であり、mは偶数である。
図4において、制御信号SEL1<n>は、画素アレイ100におけるn行目に配置された第1画素10aの制御信号であり、第1選択トランジスタ14aのゲートに入力される。制御信号SEL2<n>は、画素アレイ100におけるn行目に配置された第1画素10aの制御信号であり、第2選択トランジスタ15aのゲートに入力される。制御信号RST<n>は、第1画素10aの制御信号であり、リセットトランジスタ12aのゲートに入力される。制御信号SEL1<m>は、画素アレイ100におけるm行目に配置された第2画素10bの制御信号であり、第1選択トランジスタ14aのゲートに入力される。制御信号SEL2<m>は、第2画素10bの制御信号であり、第2選択トランジスタ15bのゲートに入力される。制御信号RST<m>は、第2画素10bの制御信号であり、リセットトランジスタ12bのゲートに入力される。
これらの制御信号は、行走査回路110で生成され、それぞれ、画素アレイ100の行単位に共通な信号線を介して、その行に並ぶ各画素10に供給される。
SFOUTは、垂直信号線53の信号である。FBOUT1は、フィードバック信号線51の信号である。FBOUT2は、フィードバック信号線52の信号である。
VSは、基準電圧源33の電圧である。AVDDは、第1電源31および第2電源32の電圧である。
図4に示されるように、第1動作では、時刻t1から時刻t2の期間P1において、制御信号SEL1<n>と制御信号SEL2<n>とがHIGHレベルとなる。これにより、垂直信号線53に第1画素10aが接続され、フィードバック信号線51に第1画素10aが接続される。また、期間P1において、制御信号VS2と制御信号VS3とがHIGHレベルとなり、スイッチS2とスイッチS3とが導通状態となる。これにより、フィードバック信号線51に第1電源31が接続され、垂直信号線53に第3電流源23が接続される。このため、期間P1において、増幅トランジスタ13aは、第2ソースおよび第2ドレインの一方から他方へと電流を流すソースフォロア回路として動作する。従って、FD16aに蓄積された電荷は、垂直信号線53に、信号電圧VSIGとして出力される。すなわち、FD16aに蓄積された電荷が読み出される。言い換えると、期間P1は画素信号が読み出される信号読み出し期間である。
図5Aは、期間P1において、増幅トランジスタ13aがソースフォロア回路として動作する場合における電流の流れる様子を示す模式図である。
上述したように、期間P1において、増幅トランジスタ13aは、第2ソースおよび第2ドレインの一方から他方へと電流を流すソースフォロア回路として動作する。このため、図5Aに示されるように、期間P1において、増幅トランジスタ13aがソースフォロア回路として動作する場合に、フィードバック信号線51に流れる電流は、第1バイアス回路120側から第2バイアス回路130側に流れる。具体的には、ソースフォロア動作する増幅トランジスタ13aに流れる電流は、第1電源31から流れ出し、フィードバック信号線51、リセットトランジスタ12a、第1選択トランジスタ14a、垂直信号線53、スイッチS1を通って、第3電流源23へと流れ込む。
再び図4に戻って、第1動作の説明を続ける。
図4に示されるように、第1動作では、時刻t2から時刻t3の期間P2において、制御信号SEL1<n>と制御信号SEL2<n>と制御信号SEL1<m>と制御信号SEL2<m>とがHIGHレベルとなる。これにより、垂直信号線53に第1画素10aと第2画素10bとが接続され、フィードバック信号線51に第1画素10aが接続され、フィードバック信号線52に第2画素10bが接続される。また、期間P2において、制御信号VS1と制御信号VS4と制御信号VS6とがHIGHレベルとなり、スイッチS1とスイッチS4とスイッチS6とが導通状態となる。これにより、フィードバック信号線51に第1電流源21が接続され、フィードバック信号線52に第2電流源22が接続され、垂直信号線53に基準電圧源33が接続される。また、期間P2において、制御信号RST<n>と制御信号RST<m>とがHIGHレベルとなる。このため、期間P2において、増幅トランジスタ13aは、第2ソースおよび第2ドレインの一方から他方へと電流を流すソース接地アンプ回路として動作し、増幅トランジスタ13bは、第4ソースおよび第4ドレインの一方から他方へと電流を流すソース接地アンプ回路として動作する。従って、FD16aに蓄積された電荷は、基準電圧源33によりリセットされ、FD16bに蓄積された電荷は、基準電圧源33によりリセットされる。ここで、FD16a又はFD16bに蓄積された電荷が、基準電圧源33によりリセットされるとは、FD16a又はFD16bの電圧が、基準電圧源33の電圧に設定されることをいう。
図5Bは、期間P2において、増幅トランジスタ13aがソース接地アンプ回路として動作する場合における電流の流れる様子を示す模式図である。
上述したように、期間P2において、増幅トランジスタ13aは、第2ソースおよび第2ドレインの一方から他方へと電流を流すソース接地アンプ回路として動作する。このため、図5Bに示されるように、期間P2において、増幅トランジスタ13aがソース接地アンプ回路として動作する場合に、フィードバック信号線51に流れる電流は、第1バイアス回路120側から第2バイアス回路130側に流れる。同様に、期間P2において、増幅トランジスタ13bがソース接地アンプ回路として動作する場合に、フィードバック信号線52に流れる電流は、第1バイアス回路120側から第2バイアス回路130側に流れる。具体的には、アンプ動作する増幅トランジスタ13aに流れる電流は、第1電流源21から流れ出し、フィードバック信号線51、リセットトランジスタ12a、第1選択トランジスタ14a、垂直信号線53、スイッチS1を通って、基準電圧源33へと流れ込む。
再び図4に戻って、第1動作の説明を続ける。
図4に示されるように、第1動作では、時刻t3から時刻t4の期間P3において、制御信号SEL1<n>と制御信号SEL2<n>と制御信号VS2と制御信号VS3とが、期間P1と同様となる。従って、期間P1の場合と同様に、期間P3において、増幅トランジスタ13aは、第2ソースおよび第2ドレインの一方から他方へと電流を流すソースフォロア回路として動作する。従って、FD16aに蓄積された電荷は、垂直信号線53に、信号電圧VSIGとして出力される。すなわち、FD16aに蓄積された電荷が読み出される。
ここで、期間P3は、図4に示さるように、期間P2の直後に連続する期間である。このため、期間P3において、垂直信号線53に出力される信号電圧VSIGは、リセットされた直後のFD16aに蓄積された電荷に対応する電圧となる。この期間P3に出力される信号電圧VSIGは、第1画素10aの露光期間中にFD16aに蓄積された電荷を精度良く算出する際に行われる相関2重サンプリング処理において利用される。言い換えると、期間P3はリセット信号が読み出されるリセット信号読み出し期間である。
上述したように、第1動作において、撮像装置1は、期間P1から期間P3において、第1画素10aのFD16aに蓄積された電荷を読み出して、読み出し直後にFD16aに蓄積された電荷をリセットし、リセット直後にFD16aに蓄積された電荷を読み出すという一連の動作からなる読み出し動作を行う。また、撮像装置1は、期間P2において、m行目の第2画素10bのFD16bに蓄積された電荷を読み出すことなくリセットするというシャッター動作を行う。このように、撮像装置1は、第1動作において、第1セル10aの読み出し動作と、第2セル10bのシャッター動作とを同時に実行する。
また、図5Aを用いて説明した通り、撮像装置1では、増幅トランジスタ13aがソースフォロア動作する場合に、フィードバック信号線51には、第1バイアス回路120側から第2バイアス回路130側に電流が流れる。また、図5Bを用いて説明した通り、撮像装置1では、増幅トランジスタ13aがアンプ動作する場合に、フィードバック信号線51には、第1バイアス回路120側から第2バイアス回路130側に電流が流れる。すなわち、撮像装置1では、増幅トランジスタ13aがソースフォロア動作とアンプ動作する場合とで、フィードバック信号線51に、同じ向きに電流が流れる。
図6Aは、撮像装置1において、第1画素10aの増幅トランジスタ13aがソースフォロア動作とアンプ動作する場合とで、フィードバック信号線51に電流が流れることに起因してフィードバック信号線51に生じる電圧降下の勾配の様子を示す模式図である。
図6Bは、参考例の撮像装置1000において、本願の増幅トランジスタ13aに対応するトランジスタがソースフォロア動作とアンプ動作する場合とで、信号線1051に電流が流れることに起因して信号線1051に生じる電圧降下の勾配の様子を示す模式図である。信号線1051は本願のフィードバック信号線51に対応する。ここで、撮像装置1000とは、以下のように動作する仮想的な撮像装置である。撮像装置1000において、本願の増幅トランジスタ13aに対応するトランジスタがソースフォロア動作する場合に、信号線1051には、第1バイアス回路1120側から第2バイアス回路1130側に電流が流れる。撮像装置1000において、本願の増幅トランジスタ13aに対応するトランジスタがソースフォロア動作する場合に、信号線1051には、第2バイアス回路1130側から第1バイアス回路1120側に電流が流れる。
図6Aに示されるように、撮像装置1では、増幅トランジスタ13aがソースフォロア動作とアンプ動作する場合とで、フィードバック信号線51に生じる電圧降下の勾配の向きが一致する。このため、撮像装置1では、同じ画素における、増幅トランジスタ13aのソースフォロア動作時とアンプ動作時との、フィードバック信号線51の電圧変動は小さい。
これに対して、図6Bに示されるように、撮像装置1000では、本願の増幅トランジスタ13aに対応するトランジスタがソースフォロア動作とアンプ動作する場合とで、信号線1051に生じる電圧降下の勾配の向きが逆になる。このため、撮像装置1000では、同じ画素における、増幅トランジスタ13aに対応するトランジスタのソースフォロア動作時とアンプ動作時との、フィードバック信号線51の電圧変動が生じる。
これらのことから、撮像装置1は、相関2重サンプリング処理において利用される、FD16aに蓄積された電荷のリセットの直後に行われる、信号電圧VSIGの出力を、撮像装置1000に比べてより精度の良い出力とすることができる。ここで、リセットとは増幅トランジスタ13aがアンプ動作を行うことでなされるリセットである。また、ここで、リセットの直後に行われる信号電圧VSIGの出力とは、増幅トランジスタ13aがソースフォロア動作を行うことでなされる信号電圧VSIGの出力である。従って、撮像装置1によると、撮像装置1000に比べて、撮像する画像の高画質化を実現することができる。
また、上述したように、画素アレイ100におけるn行目に配置された第1画素10aにおいて、制御信号SEL1<n>と制御信号SEL2<n>と制御信号VS1と制御信号VS4とをHIGHレベルとすることで、FD16aに蓄積された電荷をリセットすることができる。また、m行目に配置された第2画素10bにおいて、制御信号SEL1<m>と制御信号SEL2<m>と制御信号VS1と制御信号VS6とをHIGHレベルとすることで、FD16bに蓄積された電荷をリセットすることができる。このように、撮像装置1では、第1画素10aにおいて蓄積された電荷のリセットと、第2画素10bにおいて蓄積された電荷のリセットとを、互いに独立に実行することができる。従って、撮像装置1によると、連続撮像における高フレームレート化を実現することができる。
なお、第1動作において、画素アレイ100におけるn行目に配置された画素が第2画素10bであり、画素アレイ100におけるm行目に配置された画素が第1画素10aであるとしても構わない。この場合には、制御信号SEL1<n>、制御信号SEL2<n>、制御信号RST<n>が第2画素10bの制御信号であると読み替え、制御信号SEL1<m>、制御信号SEL2<m>、制御信号RST<m>が第1画素10aの制御信号であると読み替えることで、その動作が理解される。すなわち、この場合には、撮像装置1は、第1動作において、第2セル10bの読み出し動作と、第1セル10aのリセット動作とを同時に実行する。
図7は、撮像装置1が行う第2動作における各信号のタイミングチャートである。このタイミングチャートは、画素アレイ100におけるn行目に第3画素が配置され、m行目に第2画素10bが配置され、l(lは、1以上のnおよびm以外の整数)行目に第1画素10aが配置されている場合における、第1動作のタイミングチャートとなっている。ここで、第3画素は、第1画素10aと同様の回路構成である。このため、以下では、第3画素に関する説明を、第1画素10aの構成要素に付与した符号を用いて説明する。
図7において、制御信号SEL1<n>、制御信号SEL2<n>、制御信号RST<n>、制御信号SEL1<m>、制御信号SEL2<m>、制御信号RST<m>、制御信号VS1、制御信号VS2、制御信号VS3、制御信号VS4、制御信号VS5、制御信号VS6の各信号は、図4において図示される同名の信号と同様の信号である。
制御信号SEL1<l>は、画素アレイ100におけるl行目に配置された第1画素10aの制御信号であり、第1選択トランジスタ14aのゲートに入力される。制御信号SEL2<l>は、第1画素10aの制御信号であり、第2選択トランジスタ15aのゲートに入力される。制御信号RST<l>は、第1画素10aの制御信号であり、リセットトランジスタ12aのゲートに入力される。
これら制御信号は、行走査回路110で生成され、それぞれ、画素アレイ100の行単位に共通な信号線を介して、その行に並ぶ各画素に供給される。
図7に示されるように、第2動作では、第1動作と同様に、時刻t1から時刻t2の期間P11において、制御信号SEL1<n>と制御信号SEL2<n>と制御信号VS2と制御信号VS3とがHIGHレベルとなる。このため、期間P11において、第3画素の増幅トランジスタ13aは、第2ソースおよび第2ドレインの一方から他方へと電流を流すソースフォロア回路として動作する。従って、第3画素のFD16aに蓄積された電荷は、垂直信号線53に、信号電圧VSIGとして出力される。すなわち、FD16aに蓄積された電荷が読み出される。言い換えると、期間P11は画素信号が読み出される信号読み出し期間である。
また、第2動作では、時刻t2から時刻t3の期間P12において、制御信号SEL1<n>と制御信号SEL2<n>とがHIGHレベルとなる。これにより、垂直信号線53に第1画素10aが接続され、フィードバック信号線51に第1画素10aが接続される。また、期間P12において、制御信号VS1と制御信号VS4とがHIGHレベルとなり、スイッチS1とスイッチS4とが導通状態となる。これにより、フィードバック信号線51に第1電流源21が接続され、垂直信号線53に基準電圧源33が接続される。また、期間P12において、RST<n>がHIGHレベルとなる。このため、期間P12において、第3画素の増幅トランジスタ13aは、第2ソースおよび第2ドレインの一方から他方へと電流を流すソース接地アンプ回路として動作する。従って、第3のFD16aに蓄積された電荷は、基準電圧源33によりリセットされる。
また、第2動作では、第1動作と同様に、時刻t3から時刻t4の期間P13において、制御信号SEL1<n>と制御信号VS2と制御信号VS3とが、期間P11と同様となる。従って、期間P11の場合と同様に、期間P13において、第1画素10aの増幅トランジスタ13aは、第2ソースおよび第2ドレインの一方から他方へと電流を流すソースフォロア回路として動作する。従って、画素アレイ100のn行目に配置された第3画素のFD16aに蓄積された電荷は、垂直信号線53に、信号電圧VSIGとして出力される。すなわち、FD16aに蓄積された電荷が読み出される。
また、第2動作では、時刻t4から時刻t5の期間、制御信号SEL1<n>と制御信号SEL2<n>と制御信号SEL1<m>と制御信号SEL2<m>と制御信号SEL1<l>と制御信号SEL2<l>とがLOWレベルとなる。そして、その後、時刻t5から時刻t6の期間P5(において、制御信号SEL1<m>と制御信号SEL2<m>と制御信号SEL1<l>と制御信号SEL2<l>とがHIGHレベルとなる。これにより、垂直信号線53に第1画素10aと第2画素10bとが接続され、フィードバック信号線51に第1画素10aが接続され、フィードバック信号線52に第2画素10bが接続される。また、期間P5において、制御信号VS1と制御信号VS4と制御信号VS6とがHIGHレベルとなり、スイッチS1とスイッチS4とスイッチS6とが導通状態となる。これにより、フィードバック信号線51に第1電流源21が接続され、フィードバック信号線52に第2電流源22が接続され、垂直信号線53に基準電圧源33が接続される。このため、期間P5において、第1画素10aの増幅トランジスタ13aは、第2ソースおよび第2ドレインの一方から他方へと電流を流すソース接地アンプ回路として動作し、第2画素10bの増幅トランジスタ13bは、第4ソースおよび第4ドレインの一方から他方へと電流を流すソース接地アンプ回路として動作する。従って、第1画素10aのFD16aに蓄積された電荷は、基準電圧源33によりリセットされ、第2画素10bのFD16bに蓄積された電荷は、基準電圧源33によりリセットされる。
上述したように、第2動作において、撮像装置1は、期間P11から期間P13において、第1画素10aのFD16aに蓄積された電荷を読み出して、読み出し直後にFD16aに蓄積された電荷をリセットし、リセット直後にFD16aに蓄積された電荷を読み出すという一連の動作からなる読み出し動作を行う。また、撮像装置1は、期間P5に、第1画素10aのFD16aに蓄積された電荷を読み出すことなくリセットするという第1シャッター動作と、第2画素10bのFD16bに蓄積された電荷を読み出すことなくリセットするという第2シャッター動作とを行う。このように、撮像装置1は、2行の画素のシャッター動作を同時に行うことができる。
連続撮像中の撮像装置において、フレーム間で露光期間を変更する場合には、2行の画素のシャッター動作を同時に行う場合がある。具体的なケースは以下の通りである。例えば、連続撮像中に急に周囲が暗くなったケースを考える。このような場合、例えば、第2フレームにおける露光期間を、その直前の第1フレームにおける露光期間よりも長くしたい場合がある。露光期間は、各画素にシャッター動作を行うタイミングを変更することで調整することができる。例えば、第2フレームにおいてシャッター動作を行うタイミングを、第1フレームにおいてシャッター動作を行うタイミングよりも早くすることにより、第2フレームにおける露光期間を、第1フレームにおける露光期間よりも長くすることができる。このとき、第1フレームにおける、画素アレイの下方に位置する行のシャッター動作と、第2フレームにおける、画素アレイの上方に位置する行のシャッター動作とを、同時に行う場合が生じる。
このため、撮像装置1は、連続撮像中に露光時間を変更できる撮像装置として利用することができる。
なお、上記した形態では、ソース接地アンプ回路の出力をフィードバックすることで、FD16aに発生したリセットノイズを低減させている。しかし図2に示す構成において、ソース接地アンプ回路により画素信号を出力してもよい。具体的には図2において、第1画素10aのリセットトランジスタ12aをオフし、第2選択トランジスタ15aをオンしてフィードバック信号線51に画素信号を出力するように制御してもよい。この場合、フィードバック信号線51は信号読み出し用の第2の垂直信号線として機能する。この構成により垂直信号線53側には低ゲイン(例えば、1倍より小さいゲイン)で画素信号を出力し、フィードバック信号線51側には高ゲイン(例えば、1倍以上のゲイン)で画素信号を出力することができる。このように2種類のゲインで画素信号を出力することにより、ダイナミックレンジを拡大することができる。
さらに、低ゲインの画素信号と高ゲインの画素信号とを切り替えて垂直信号線に出力するようにしてもよい。具体的な回路構成の一例を図17に示す。図17において、信号線53aと信号線53bとは、それぞれスイッチS5、S6を介して垂直信号線53に接続される。ソースフォロア動作により1倍よりも小さいゲインで読み出すためには、スイッチS2、S3、S5、第1選択トランジスタ14a、第2選択トランジスタ15aをオン状態にする。このとき、増幅トランジスタ13aと電流源23とがソースフォロワを形成する。一方、ソース接地アンプ動作により1倍よりも大きなゲインで読み出すためには、スイッチS1、S4、S6、第1選択トランジスタ14a、第2選択トランジスタ15aをオン状態にする。このとき、増幅トランジスタ13aと電流源21とがソース接地反転アンプを形成する。低ゲインで読み出された画素信号は中間照度から画素が飽和する照度までの範囲に適する。高ゲインで読み出された画素信号は暗時から中間照度までの範囲に適する。したがって、これらの2つの画素信号を合成することによりダイナミックレンジを拡大することができる。
(実施の形態2)
図8は、実施の形態2に係る撮像装置1aを構成する主要な構成要素を示すブロック図である。
図8に示されるように、撮像装置1aは、実施の形態1に係る撮像装置1と比較して、スイッチS4を含まず、実施の形態1に係るスイッチS3の替わりに、スイッチS3aを含むところが異なる。スイッチS3aは、第2導電型のトランジスタである第1電流源21のソースおよびドレインの間に接続される。また、図8には図示されていないが、撮像装置1aは、さらに、実施の形態1に係る撮像装置1と比較して、スイッチS6を含まず、スイッチS5の替わりに、変形スイッチを含むところが異なる。変形スイッチは、第2導電型のトランジスタである第2電流源22のソースおよびドレインの間に接続される。上記以外の撮像装置1aの構成は、実施の形態1に係る撮像装置1と同じである。
撮像装置1aにおいて、スイッチS3aが導通状態になると、フィードバック信号線51に第1電源31が接続される。そして、第1電流源21のソースおよびドレイン間の電位差がなくなる。このため、第1電流源21が電流を流さなくなる。また、スイッチS3aが非導通状態になると、第1電流源21が電流を流すようになり、第1電流源21からフィードバック信号線51に電流が流れる。このように、スイッチS3aは、実施の形態1に係る撮像装置1におけるスイッチS3の役割とスイッチS4の役割とを兼用することができる。
また、同様に、変形スイッチは、実施の形態1に係る撮像装置1におけるスイッチS5の役割とスイッチS6の役割とを兼用することができる。
このように、撮像装置1aは、実施の形態1に係る撮像装置1と同様の動作を行うことができる。
図9に、撮像装置1aにおける各信号のタイミングチャートを示す。
図9に示されるように、撮像装置1aにおける各信号は、実施の形態1に係る撮像装置1における各信号と同様に変化する。
上記構成の撮像装置1aは、実施の形態1に係る撮像装置1よりも少ない素子数で、実施の形態1に係る撮像装置1と同様の動作を行うことができる。従って、撮像装置1aによると、そのサイズを、実施の形態1に係る撮像装置1のサイズよりも小さくすることができる。
(実施の形態3)
図10は、実施の形態3に係る撮像装置1bを構成する主要な構成要素を示すブロック図である。
図10に示されるように、撮像装置1bは、実施の形態2に係る撮像装置1aと比較して、第1画素10aに、第4トランジスタ17aと、第1容量18aと、第1容量19aとが設けられているところが異なる。また、図10には図示されていないが、撮像装置1bは、さらに、実施の形態2に係る撮像装置1aと比較して、第2画素10bに、第4トランジスタと、第2容量18bと、第2容量19bと設けられているところが異なる。上記以外の撮像装置1bの構成は、実施の形態2に係る撮像装置1aと同じである。
第1画素10aの第4トランジスタ17aは、第1導電型のトランジスタであって、リセットトランジスタ12aの第1ソースおよび第1ドレインの他方と、増幅トランジスタ13aの第2ソースおよび第2ドレインの一方との間に電気的に接続される。
第2画素10bの第4トランジスタは、第1導電型のトランジスタであって、リセットトランジスタ12bの第3ソースおよび第3ドレインの他方と、増幅トランジスタ13bの第4ソースおよび第4ドレインの一方との間に電気的に接続される。
第1容量18aは2つの端子を備え、一方の端子は、リセットトランジスタ12aの第1ソースおよび第1ドレインの他方に接続される。第1容量18aの他方の端子には、固定電圧が供給される。
第1容量19aは、リセットトランジスタ12aの第1ソースおよび第1ドレインの他方と、リセットトランジスタ12aの第1ソースおよび第1ドレインの一方との間の容量である。
第2容量18bは2つの端子を備え、一方の端子は、リセットトランジスタ12bの第3ソースおよび第3ドレインの他方に接続される。第2容量の他方の端子には、固定電圧が供給される。
第2容量19bは、リセットトランジスタ12bの第3ソースおよび第3ドレインの他方と、リセットトランジスタ12bの第3ソースおよび第3ドレインの一方との間に接続される。
図10において、SEL1を設けず、増幅トランジスタ13aが垂直信号線53と接続されていてもよい。
図11に、撮像装置1bにおける各信号のタイミングチャートを示す。
図11に示されるように、撮像装置1aにおける各信号は、リセットトランジスタ12aの第1ゲートおよびリセットトランジスタ12bの第3ゲートに入力される制御信号であるRST、並びに、第1画素10aの第4トランジスタ17aのゲートおよび第2画素10bの第4トランジスタのゲートに入力される制御信号である制御信号FBを除いて、実施の形態1に係る撮像装置1における各信号と同様に変化する。
制御信号RSTは、時刻t2から時刻t3の期間P2において、時刻t2から時刻t22の期間P21の間HIGHレベルとなり、その後時刻t22から時刻t3までの期間P22及び期間P23の間LOWレベルとなる。
また、制御信号FBは、期間P2において、期間P21の間HIGHレベルとなり、その後時刻t22から時刻t23までの期間P22の間一旦LOWレベルとなった後、時刻t23から時刻t3までの期間P23の間LOWレベルからHIGHレベルへとテーパ状に信号レベルが上昇する。
上記構成の撮像装置1bは、期間P2において、画素10において形成されるフィードバックループの帯域が制限されること、第1容量18aと第1容量19aとで容量分圧が行われること、および第2容量18bと第2容量18bとで容量分圧が行われることにより、画素10におけるリセットノイズを効果的に抑制することができる。
(実施の形態4)
図12は、実施の形態4に係る撮像装置1cを構成する主要な構成要素を示すブロック図である。
図12に示されるように、撮像装置1cは、実施の形態3に係る撮像装置1bと比較して、第2選択トランジスタ15aを備えていないところが異なる。また、図12には図示されていないが、撮像装置1cは、さらに、実施の形態3に係る撮像装置1bと比較して、第2選択トランジスタ15bを備えていないところが異なる。上記以外の撮像装置1cの構成は、実施の形態3に係る撮像装置1bと同じである。
撮像装置1cでは、第2選択トランジスタ15aを利用しなくても、第1選択トランジスタ14aを利用して、フィードバック信号線51に接続される第1画素10aの中から、増幅トランジスタ13aにアンプ動作させる第1画素10aを選択することができる。
また、撮像装置1cでは、第2選択トランジスタ15aを利用しなくても、第1選択トランジスタ14aを利用して、フィードバック信号線51に接続される第1画素10aの中から、増幅トランジスタ13aにソースフォロア動作させる第1画素10aを選択することができる。
このように、第1選択トランジスタ14aは、第2選択トランジスタ15aの役割を兼用することができる。
同様に、第1選択トランジスタ14bは、第2選択トランジスタ15bの役割を兼用することができる。
このように、撮像装置1cは、実施の形態3に係る撮像装置1bと同様の動作を行うことができる。
上記の構成に代えて、実施の形態4は、実施の形態3の第2選択トランジスタ15aを備えるが、第1選択トランジスタ14aを備えていなくてもよい。実施の形態4は、第1選択トランジスタ14aを備えていない構成であっても、実施の形態3に係る撮像装置1bと同様の動作を行うことができる。
図13に、撮像装置1cにおける各信号のタイミングチャートを示す。
図13に示されるように、撮像装置1cにおける各信号は、実施の形態3に係る撮像装置1bにおける各信号と同様に変化する。
上記構成の撮像装置1cは、実施の形態3に係る撮像装置1bよりも少ない素子数で、実施の形態3に係る撮像装置1bと同様の動作を行うことができる。従って、撮像装置1cによると、そのサイズを、実施の形態3に係る撮像装置1bのサイズよりも小さくすることができる。
(実施の形態5)
図14は、実施の形態5に係る撮像装置1dを構成する主要な回路構成を示すブロック図である。
撮像装置1dは、実施の形態1に係る撮像装置1における第1画素10aと第2画素10bとのセットに加えて、さらに、同様のセットである第3画素210a(後述)と第4画素210b(後述)とのセットをもう1組備える。より具体的には、図14に示されるように、撮像装置1dは、実施の形態1に係る撮像装置1から、第3画素210aと、第4画素210bと、第4電流源221と、第5電流源222と、第6電流源223と、第3電源231と、第4電源232と、基準電圧源233と、スイッチS11と、スイッチS12と、スイッチS13と、スイッチS14と、スイッチS15と、スイッチS16と、フィードバック信号線251と、フィードバック信号線252と、垂直信号線254とが追加されている。また、実施の形態1に係る垂直信号線53が、垂直信号線253に変更されている。また、第2画素10bの接続先の信号線が、垂直信号線53から、垂直信号線254へと変更されている。
第3画素210aは、第1画素10aと同様であって、第1画素10aと同じ列に位置する。このため、以下では、第3画素210aの構成要素について説明する必要がある場合には、第1画素10aの構成要素に振られている符号を用いて説明する。
第4画素210bは、第2画素10bと同様であって、第2画素10bと同じ列に位置する。このため、以下では、第4画素210bの構成要素について説明する必要がある場合には、第2画素10bの構成要素に振られている符号を用いて説明する。
実施の形態1において説明した通り、第1画素10aと、第2画素10bとは同様である。すなわち、第1画素10aと、第2画素10bと、第3画素210aと、第4画素210bとは同様である。このため、以下では、第1画素10aと、第2画素10bと、第3画素210aと、第4画素210bとを明示的に区別する必要がない場合には、第1画素10aと、第2画素10bと、第3画素210aと、第4画素210bとのことを画素10と称することもある。
第4電流源221と第1電流源21とは同様である。第5電流源222と第2電流源22とは同様である。第6電流源223と第3電流源23とは同様である。第3電源231と第1電源31とは同様である。第4電源232と第2電源32とは同様である。基準電圧源233と基準電圧源33とは同様である。スイッチS11とスイッチS1とは同様である。スイッチS12とスイッチS2とは同様である。スイッチS13とスイッチとは同様である。スイッチS14とスイッチとは同様である。スイッチS15とスイッチとは同様である。スイッチS16とスイッチS6とは同様である。
フィードバック信号線251は、画素アレイにおける列方向に伸びる信号線であって、スイッチS13およびスイッチS14と、第3画素210aの第2選択トランジスタ15aとに接続される。
フィードバック信号線252は、画素アレイにおける列方向に伸びる信号線であって、スイッチS15およびスイッチS16と、第4画素210bの第2選択トランジスタ15bとに接続される。
垂直信号線253は、画素アレイにおける列方向に伸びる信号線であって、スイッチS1およびスイッチS2と、第1画素10aの第1選択トランジスタ14a、および、第3画素210aの第1選択トランジスタ14aとに接続される。
垂直信号線254は、画素アレイにおける列方向に伸びる信号線であって、スイッチS11およびスイッチS12と、第2画素10bの第1選択トランジスタ14b、および、第4画素210bの第1選択トランジスタ14bとに接続される。
ここで、垂直信号線253および第3電流源23は、接続される画素10に対して読み出し動作を行う読み出し回路の一部として機能し、垂直信号線254および第6電流源223は、接続される画素10に対して読み出し動作を行う読み出し回路の一部として機能する。
図15は、撮像装置1dにおけるタイミングチャートである。
図15において、期間SIG1、期間SIG2、期間SIG3、期間SIG4は、それぞれ、実施の形態1における期間P1に対応する。期間FB1、期間FB2、期間FB3、期間FB4は、それぞれ、実施の形態1における期間P2または期間P12に対応する。期間RST1、期間RST2、期間RST3、期間RST4は、それぞれ、実施の形態1における期間P3に対応する。
図15に示されるように、撮像装置1dは、最初の1周期において、まず、第1画素10aに対する読み出し動作と、第2画素10bに対する読み出し動作とを同時に行う。次に、フィードバック信号線51に接続される任意の第1画素10a、および、フィードバック信号線52に接続される任意の第2画素10bに対するシャッター動作と、フィードバック信号線251に接続される任意の第3画素210a、および、フィードバック信号線252に接続される任意に第4画素210bに対するシャッター動作とを同時に行う。
また、撮像装置1dは、次の1周期において、まず、第3画素210aに対する読み出し動作と、第4画素210bに対する読み出し動作とを同時に行う。次に、フィードバック信号線251に接続される任意の第3画素210a、および、フィードバック信号線252に接続される任意の第4画素210bに対するシャッター動作と、フィードバック信号線51に接続される任意の第1画素10a、および、フィードバック信号線52に接続される任意の第2画素10bに対するシャッター動作とを同時に行う。
その後、撮像装置1dは、最初の1周期における動作と次の1周期における動作とを、交互に繰り返し行う。
上述したように、撮像装置1dは、1の周期において、異なる行の2つの画素10に対して読み出し動作を同時に行うことができる。
これにより、撮像装置1dは、連続撮像する際の高フレームレート化を実現することができる。
(補足)
以上のように、本出願において開示する技術の例示として、実施の形態1~実施の形態5について説明した。しかしながら、本開示による技術は、これらに限定されず、本開示の趣旨を逸脱しない限り、適宜、変更、置き換え、付加、省略等を行った実施の形態にも適用可能である。
以下に、本開示における変形例の一例について列記する。
(1)第1の変形例に係る撮像装置は、実施の形態1に係る撮像装置1に対して、第1バイアス回路120と同様の構成を有する第3バイアス回路を含んだものとしてもよい。第3バイアス回路はフィードバック信号線51およびフィードバック信号線52に接続される。第3バイアス回路は、画素アレイ100の下方に配置される。
第1の変形例に係る撮像装置では、フィードバック信号線51に、第1バイアス回路120と第3バイアス回路の双方から電流を供給する。また、フィードバック信号線52に、第1バイアス回路120と第3バイアス回路との双方から電流を供給する。このことにより、フィードバック信号線51に、画素アレイ100の上方および下方の双方から電流を供給することができる。したがって、図6を用いた説明したフィードバック信号線に生じる電圧降下を小さくすることができる。
(2)第2の変形例に係る撮像装置は、実施の形態1に係る撮像装置1に対して、第2バイアス回路130と同様の構成を有する第4バイアス回路を含んだものとしてもよい。第4バイアス回路は垂直信号線53に接続される。第4バイアス回路は、画素アレイ100の上方に配置される。
第2の変形例に係る撮像装置では、垂直信号線53に流れ込む電流を、第2バイアス回路130と第4バイアス回路との双方に引き込む。このことにより、垂直信号線53に流れ込む電流を、画素アレイ100の上方および下方の双方に引き込むことができる。したがって、垂直信号線53に生じる電圧降下を小さくすることができる。
なお、第2の変形例に係る撮像装置は、実施の形態1に係る撮像装置1に対して、第3バイアス回路と第4バイアス回路との両方を含んだものとしてもよい。
(3)第3の変形例に係る撮像装置は、互いに異なる行の画素10に接続されるk(kは3以上の整数)個の読み出し回路を備えることで、1の周期において、互いに異なる行のk個の画素10に対して読み出し動作を行うことができる構成であってもよい。この構成の場合、1の周期において読み出し動作を行うことができる画素の数をN_READ_PIXEL、読み出し動作時において、読み出し動作の対象となる画素から電流を引き抜く信号線として機能する垂直信号線の数(すなわち、読み出し回路の数)をN_SFOUT、読み出し動作時において、読み出し動作の対象となる画素に電流を流し込む信号線として機能するフィードバック信号線の数をN_FBOUTとすると、N_READ_PIXELと、N_SFOUTと、N_FBOUTとの関係は、以下の(式1)、(式2)を満たす関係となる。
N_SFOUT = N_FBOUT/2 (式1)
N_READ_PIXEL = N_SFOUT (式2)
(4)実施の形態1から実施の形態5において記載されているトランジスタの導電型は、あくまでも一例に過ぎない。実施の形態1から実施の形態5において、増幅トランジスタ13aおよび増幅トランジスタ13bと、第3電流源23中のトランジスタとが同じ導電型であり、増幅トランジスタ13aおよび増幅トランジスタ13bと、第1電流源21および第2電流源22中のトランジスタとが同じ導電型であればよく、他のトランジスタの導電型は限定されない。例えば、1の画素10内のトランジスタの導電型は、必ずしも、全て同じ導電型である必要はない。
本開示に係る撮像装置は、画像を撮像する装置に広く利用可能である。
1、1a、1b、1c、1d、1000 撮像装置
10 画素
10a 第1画素
10b 第2画素
11 光電変換部
11a 第1光電変換部
11b 第2光電変換部
12a、12b リセットトランジスタ
13a、13b 増幅トランジスタ
14a、14b 第1選択トランジスタ
15a、15b 第2選択トランジスタ
16、16a、16b FD
17a 第4トランジスタ
18a、19a 第1容量
21 第1電流源
22 第2電流源
23 第3電流源
31 第1電源
32 第2電源
33、233 基準電圧源
51 フィードバック信号線
52 フィードバック信号線
53 垂直信号線
100 画素アレイ
110 行走査回路
120、1120 第1バイアス回路
130、1130 第2バイアス回路
210a 第3画素
210b 第4画素
221 第4電流源
222 第5電流源
223 第6電流源
231 第3電源
232 第4電源
251 フィードバック信号線
252 フィードバック信号線
253 垂直信号線
254 垂直信号線

Claims (13)

  1. 入射光を電荷に変換する光電変換部、ソースおよびドレインの一方が前記光電変換部に接続される第1トランジスタ、および、ゲートが前記光電変換部に接続されソースおよびドレインの一方が前記第1トランジスタのソースおよびドレインの他方に接続される第2トランジスタをそれぞれが含み、行列状に配置された複数の画素のうち同じ列に位置する複数の第1画素および複数の第2画素と、
    前記複数の第1画素の前記第2トランジスタのソースおよびドレインの前記一方に接続される第1電流源と、
    前記複数の第2画素の前記第2トランジスタのソースおよびドレインの前記一方に接続される第2電流源と、
    前記複数の第1画素および前記複数の第2画素の、前記第2トランジスタのソースおよびドレインの他方に接続される信号線と、
    前記信号線に接続される第3電流源と、
    を備える、撮像装置。
  2. 前記複数の第1画素の前記第2トランジスタのソースおよびドレインの前記一方に接続される第1電源と、
    前記複数の第2画素の前記第2トランジスタのソースおよびドレインの前記一方に接続される第2電源と、
    をさらに備える、請求項1に記載の撮像装置。
  3. 前記第1電流源および前記第1電源のいずれか一方を選択的に前記複数の第1画素の前記第2トランジスタのソースおよびドレインの前記一方に電気的に接続させる第1切替回路と、
    前記第2電流源および前記第2電源のいずれか一方を選択的に前記複数の第2画素の前記第2トランジスタのソースおよびドレインの前記一方に電気的に接続させる第2切替回路と、
    をさらに備える、請求項2に記載の撮像装置。
  4. 前記信号線に接続される基準電圧源をさらに備える、請求項に記載の撮像装置。
  5. 前記第3電流源および前記基準電圧源のいずれか一方を選択的に前記信号線に電気的に接続させる第3切替回路をさらに備える、請求項に記載の撮像装置。
  6. 前記第1電流源は、第1電流源トランジスタを含み、
    前記第2電流源は、第2電流源トランジスタを含み、
    前記第3電流源は、第3電流源トランジスタを含み、
    前記第2トランジスタおよび前記第3電流源トランジスタは、第1導電型であり、
    前記第1電流源トランジスタおよび前記第2電流源トランジスタは、前記第1導電型とは異なる第2導電型である、請求項から請求項のいずれか1項に記載の撮像装置。
  7. 前記第1電流源は、第1電流源トランジスタと、前記第1電流源トランジスタのソースおよびドレインの間に接続された第1スイッチと、を含み、
    前記第2電流源は、第2電流源トランジスタと、前記第2電流源トランジスタのソースおよびドレインの間に接続された第2スイッチと、を含む、請求項1に記載の撮像装置。
  8. 前記信号線に接続される基準電圧源をさらに備える、
    請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の撮像装置。
  9. 前記複数の第1画素および前記複数の第2画素は、前記第2トランジスタのソースおよびドレインの前記他方と、前記信号線と、の間に接続される第3トランジスタをさらに備える、
    請求項1から請求項のいずれか1項に記載の撮像装置。
  10. 前記複数の第1画素および前記複数の第2画素は、前記第1トランジスタのソースおよびドレインの前記他方と、前記第2トランジスタのソースおよびドレインの前記一方と、の間に接続される第4トランジスタを備える、
    請求項1から請求項のいずれか1項に記載の撮像装置。
  11. 前記複数の第1画素および前記複数の第2画素は、前記電荷の量に対応する信号を前記信号線に出力する、請求項1から10のいずれか1項に記載の撮像装置。
  12. 前記複数の第1画素および前記複数の第2画素は、前記複数の画素が配置された第1領域内に位置し、
    前記第1電流源および前記第2電流源は、平面視において前記第1領域を取り囲む第2領域内に位置する、請求項1から請求項11のいずれか1項に記載の撮像装置。
  13. 前記複数の第1画素および前記複数の第2画素は、第1の基板上に位置し、
    前記第1電流源および前記第2電流源は、前記第1の基板とは異なる第2の基板上に位置する、請求項1から請求項11のいずれか1項に記載の撮像装置。
JP2020552512A 2018-10-19 2019-06-12 撮像装置 Active JP7316673B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018197088 2018-10-19
JP2018197088 2018-10-19
PCT/JP2019/023180 WO2020079884A1 (ja) 2018-10-19 2019-06-12 撮像装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2020079884A1 JPWO2020079884A1 (ja) 2021-09-16
JP7316673B2 true JP7316673B2 (ja) 2023-07-28

Family

ID=70284493

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020552512A Active JP7316673B2 (ja) 2018-10-19 2019-06-12 撮像装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11258970B2 (ja)
JP (1) JP7316673B2 (ja)
WO (1) WO2020079884A1 (ja)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003051986A (ja) * 2001-05-28 2003-02-21 St Microelectronics Sa 低雑音cmosアクティブピクセル
JP2017130872A (ja) * 2016-01-22 2017-07-27 パナソニックIpマネジメント株式会社 撮像装置
JP2017175588A (ja) * 2015-07-07 2017-09-28 パナソニックIpマネジメント株式会社 撮像装置
JP2018007000A (ja) * 2016-06-30 2018-01-11 キヤノン株式会社 光電変換装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6493030B1 (en) 1998-04-08 2002-12-10 Pictos Technologies, Inc. Low-noise active pixel sensor for imaging arrays with global reset
JP4425950B2 (ja) 2007-06-01 2010-03-03 シャープ株式会社 固体撮像装置および電子情報機器
JP5418073B2 (ja) * 2009-08-28 2014-02-19 ソニー株式会社 Da変換器及び固体撮像装置
JP5953028B2 (ja) * 2011-11-02 2016-07-13 オリンパス株式会社 固体撮像装置、撮像装置、および信号読み出し方法
JP6180318B2 (ja) * 2013-12-27 2017-08-16 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 コンパレータ回路
JP6323813B2 (ja) 2014-12-26 2018-05-16 パナソニックIpマネジメント株式会社 撮像装置
CN108987420B (zh) * 2017-06-05 2023-12-12 松下知识产权经营株式会社 摄像装置
JP7286431B2 (ja) * 2019-06-20 2023-06-05 キヤノン株式会社 光電変換装置、光電変換システム、および移動体
JP7204694B2 (ja) * 2020-02-26 2023-01-16 キヤノン株式会社 比較器、ad変換器、光電変換装置及び撮像システム

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003051986A (ja) * 2001-05-28 2003-02-21 St Microelectronics Sa 低雑音cmosアクティブピクセル
JP2017175588A (ja) * 2015-07-07 2017-09-28 パナソニックIpマネジメント株式会社 撮像装置
JP2017130872A (ja) * 2016-01-22 2017-07-27 パナソニックIpマネジメント株式会社 撮像装置
JP2018007000A (ja) * 2016-06-30 2018-01-11 キヤノン株式会社 光電変換装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20210075984A1 (en) 2021-03-11
US11258970B2 (en) 2022-02-22
WO2020079884A1 (ja) 2020-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101177140B1 (ko) 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 구동 방법 및 촬상 장치
JP5546257B2 (ja) 固体撮像装置
US9029752B2 (en) Solid state imaging apparatus including reference signal generator with a slope converting circuit
JP5506450B2 (ja) 固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法
CN105917644B (zh) 固态成像元件及成像装置
CN106341627B (zh) 摄像装置
JP6413401B2 (ja) 固体撮像素子
JP2007174478A (ja) 固体撮像素子
US8792036B2 (en) Image sensor and image capture apparatus
JP5744543B2 (ja) 撮像装置、撮像システム、および撮像装置の駆動方法
JP4661212B2 (ja) 物理情報取得方法および物理情報取得装置並びに半導体装置
JP7316673B2 (ja) 撮像装置
KR20140107212A (ko) 고체 촬상 소자 및 그 구동 방법, 카메라 시스템
JP5460342B2 (ja) 固体撮像素子および固体撮像素子の駆動方法
US11044430B2 (en) Image sensor and electronic camera
JP5177198B2 (ja) 物理情報取得方法および物理情報取得装置
JPWO2020079884A1 (ja) 撮像装置
JP2015207948A (ja) 撮像素子及び撮像装置
JP7384211B2 (ja) 撮像素子、及び、撮像装置
US11765485B2 (en) Photoelectric conversion apparatus, image capturing apparatus, equipment, and method of driving photoelectric conversion apparatus
JP7384212B2 (ja) 撮像素子、及び、撮像装置
JP5347783B2 (ja) 固体撮像素子
JPWO2017085848A1 (ja) 固体撮像装置および撮像装置
JP2019009820A (ja) 固体撮像素子
JP2014217012A (ja) 固体撮像素子及び撮像装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220113

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230314

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230428

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230613

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230710

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 7316673

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151