JP7305959B2 - 基板、および画像表示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 148
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 174
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 127
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 120
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 79
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 65
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 64
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 46
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 41
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 40
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 29
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 16
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 13
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 9
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 2
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 53
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 53
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 47
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 45
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 40
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 37
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 34
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 description 27
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 27
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 20
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 20
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 20
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 16
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 16
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 14
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 13
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Chemical compound CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- BDLXTDLGTWNUFM-UHFFFAOYSA-N 2-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]ethanol Chemical compound CC(C)(C)OCCO BDLXTDLGTWNUFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 11
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N [3-prop-2-enoyloxy-2-[[3-prop-2-enoyloxy-2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)propoxy]methyl]-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 10
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000011161 development Methods 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 7
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 6
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 6
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 6
- JLGNHOJUQFHYEZ-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(3,3,3-trifluoropropyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCC(F)(F)F JLGNHOJUQFHYEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 5
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 5
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 5
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- OVTCUIZCVUGJHS-VQHVLOKHSA-N trans-dipyrrin Chemical class C=1C=CNC=1/C=C1\C=CC=N1 OVTCUIZCVUGJHS-VQHVLOKHSA-N 0.000 description 5
- FALRKNHUBBKYCC-UHFFFAOYSA-N 2-(chloromethyl)pyridine-3-carbonitrile Chemical compound ClCC1=NC=CC=C1C#N FALRKNHUBBKYCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KBQVDAIIQCXKPI-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl prop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C=C KBQVDAIIQCXKPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JGFZNNIVVJXRND-UHFFFAOYSA-N N,N-Diisopropylethylamine (DIPEA) Chemical compound CCN(C(C)C)C(C)C JGFZNNIVVJXRND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 4
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 229940014800 succinic anhydride Drugs 0.000 description 4
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 238000002296 dynamic light scattering Methods 0.000 description 3
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 3
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 3
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 238000010898 silica gel chromatography Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000870 ultraviolet spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 3
- HZNVUJQVZSTENZ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dichloro-5,6-dicyano-1,4-benzoquinone Chemical compound ClC1=C(Cl)C(=O)C(C#N)=C(C#N)C1=O HZNVUJQVZSTENZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RRPCBMLYCVUGAC-UHFFFAOYSA-N 3,5-bis(4-tert-butylphenyl)benzaldehyde Chemical compound C(C)(C)(C)C1=CC=C(C=C1)C=1C=C(C=O)C=C(C1)C1=CC=C(C=C1)C(C)(C)C RRPCBMLYCVUGAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- KZMGYPLQYOPHEL-UHFFFAOYSA-N Boron trifluoride etherate Chemical compound FB(F)F.CCOCC KZMGYPLQYOPHEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N Trifluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AFTOJASXLVFLLA-UHFFFAOYSA-N [3-(4-tert-butylphenyl)-5-(4-methoxyphenyl)-1h-pyrrol-2-yl]-(2-methoxyphenyl)methanone Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1C1=CC(C=2C=CC(=CC=2)C(C)(C)C)=C(C(=O)C=2C(=CC=CC=2)OC)N1 AFTOJASXLVFLLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229940110728 nitrogen / oxygen Drugs 0.000 description 2
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MNJYZNVROSZZQC-UHFFFAOYSA-N (4-tert-butylphenyl)boronic acid Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=C(B(O)O)C=C1 MNJYZNVROSZZQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MFFMQGGZCLEMCI-UHFFFAOYSA-N 2,4-dimethyl-1h-pyrrole Chemical compound CC1=CNC(C)=C1 MFFMQGGZCLEMCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RZNHSEZOLFEFGB-UHFFFAOYSA-N 2-methoxybenzoyl chloride Chemical compound COC1=CC=CC=C1C(Cl)=O RZNHSEZOLFEFGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCHZICNRHXRCHY-UHFFFAOYSA-N 2h-oxazine Chemical compound N1OC=CC=C1 BCHZICNRHXRCHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZADOWCXTUZWAKL-UHFFFAOYSA-N 3-(3-trimethoxysilylpropyl)oxolane-2,5-dione Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCC1CC(=O)OC1=O ZADOWCXTUZWAKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WCTZZWHUWIYXND-UHFFFAOYSA-N 4-(4-tert-butylphenyl)-2-(4-methoxyphenyl)-1h-pyrrole Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1C1=CC(C=2C=CC(=CC=2)C(C)(C)C)=CN1 WCTZZWHUWIYXND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017115 AlSb Inorganic materials 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910015894 BeTe Inorganic materials 0.000 description 1
- HEKYCQHPSQEJID-UHFFFAOYSA-N BrC=1C=C(C=O)C=C(C1)Br.[P] Chemical compound BrC=1C=C(C=O)C=C(C1)Br.[P] HEKYCQHPSQEJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021589 Copper(I) bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021593 Copper(I) fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021595 Copper(I) iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- PAPNRQCYSFBWDI-UHFFFAOYSA-N DMP Natural products CC1=CC=C(C)N1 PAPNRQCYSFBWDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005987 Ge3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005829 GeS Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005866 GeSe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005900 GeTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- 229910005642 SnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- MPFUOCVWJGGDQN-UHFFFAOYSA-N butan-1-ol;1,2-xylene Chemical compound CCCCO.CC1=CC=CC=C1C MPFUOCVWJGGDQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000009322 hypertrophic pyloric stenosis Diseases 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N kaolin Chemical compound O.O.O=[Al]O[Si](=O)O[Si](=O)O[Al]=O NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- IZDROVVXIHRYMH-UHFFFAOYSA-N methanesulfonic anhydride Chemical compound CS(=O)(=O)OS(C)(=O)=O IZDROVVXIHRYMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- RLUCXJBHKHIDSP-UHFFFAOYSA-N propane-1,2-diol;propanoic acid Chemical compound CCC(O)=O.CC(O)CO RLUCXJBHKHIDSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M sodium;chloride;hydrate Chemical class O.[Na+].[Cl-] HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- 230000009974 thixotropic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
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- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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Description
有機蛍光体の1H-NMR測定は、超伝導FT-NMR装置 EX-270(日本電子(株)製)を用い、重クロロホルム溶液にて行った。また、シリカ粒子含有ポリシロキサンの1H-NMR測定は、超伝導FT-NMR装置 EX-270を用い、重アセトン溶液にて行った。
シリカ粒子含有ポリシロキサンの29Si-NMR測定は、超伝導FT-NMR装置 EX-270を用い、重アセトン溶液にて行った。
量子ドット材料であるLumidot 640およびLumidot 530をそれぞれ石英セルに入れ、ダイナミック光散乱光度計DLS-8000(大塚電子(株)製)を用いて平均粒子径を測定した。
4-(4-t-ブチルフェニル)-2-(4-メトキシフェニル)ピロール300mg、2-メトキシベンゾイルクロリド201mgとトルエン10mlの混合溶液を、窒素気流下、120℃で6時間加熱した。室温に冷却後、エバポレートした。エタノール20mlで洗浄し、真空乾燥した後、2-(2-メトキシベンゾイル)-3-(4-t-ブチルフェニル)-5-(4-メトキシフェニル)ピロール260mgを得た。次に、2-(2-メトキシベンゾイル)-3-(4-t-ブチルフェニル)-5-(4-メトキシフェニル)ピロール260mg、4-(4-t-ブチルフェニル)-2-(4-メトキシフェニル)ピロール180mg、メタンスルホン酸無水物206mgと脱気したトルエン10mlの混合溶液を、窒素気流下、125℃で7時間加熱した。室温に冷却後、水20mlを注入し、ジクロロメタン30mlで抽出した。有機層を水20mlで2回洗浄し、エバポレートし、真空乾燥後の残留物としてピロメテン体を得た。次に、得られたピロメテン体とトルエン10mlの混合溶液に、窒素気流下、ジイソプロピルエチルアミン305mg、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体670mgを加え、室温で3時間撹拌した。水20mlを注入し、ジクロロメタン30mlで抽出した。有機層を水20mlで2回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、エバポレートした。シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、真空乾燥した後、赤紫色粉末0.27gを得た(収率70%)。得られた赤紫色粉末の1H-NMR分析結果は次の通りであり、上記で得られた赤紫色粉末が、下記構造式で表される[R-1]であることが確認された。
1H-NMR(CDCl3(d=ppm)):1.19(s,18H),3.42(s,3H),3.85(s,6H),5.72(d,1H),6.20(t,1H),6.42-6.97(m,16H),7.89(d,4H)。
3,5-ジブロモベンズアルデヒド(3.0g)、4-t-ブチルフェニルボロン酸(5.3g)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(0.4g)、炭酸カリウム(2.0g)をフラスコに入れ、窒素置換した。ここに脱気したトルエン(30mL)および脱気した水(10mL)を加え、4時間還流した。反応溶液を室温まで冷却し、有機層を、分液した後に飽和食塩水で洗浄した。この有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過後、溶媒を留去した。得られた反応生成物をシリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、3,5-ビス(4-t-ブチルフェニル)ベンズアルデヒド(3.5g)の白色固体を得た。次に、3,5-ビス(4-t-ブチルフェニル)ベンズアルデヒド(1.5g)と2,4-ジメチルピロール(0.7g)をフラスコに入れ、脱水ジクロロメタン(200mL)およびトリフルオロ酢酸(1滴)を加えて、窒素雰囲気下、4時間撹拌した。2,3-ジクロロ-5,6-ジシアノ-1,4-ベンゾキノン(0.85g)の脱水ジクロロメタン溶液を加え、さらに1時間撹拌した。反応終了後、三弗化ホウ素ジエチルエーテル錯体(7.0mL)およびジイソプロピルエチルアミン(7.0mL)を加えて、4時間撹拌した後、さらに水(100mL)を加えて撹拌し、有機層を分液した。この有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過後、溶媒を留去した。得られた反応生成物をシリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、緑色粉末0.4gを得た(収率17%)。得られた緑色粉末の1H-NMR分析結果は次の通りであり、上記で得られた緑色粉末が、下記構造式で表される[G-1]であることが確認された。
1H-NMR(CDCl3(d=ppm)):7.95(s,1H)、7.63-7.48(m,10H)、6.00(s,2H)、2.58(s,6H)、1.50(s,6H)、1.37(s,18H)。
500mlの三口フラスコに、メチルトリメトキシシラン(KBM-13:信越化学工業(株)製)を0.05g(0.4mmol)、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン(KBM-7103:信越化学工業(株)製)を0.66g(3.0mmol)、トリメトキシシリルプロピルコハク酸無水物(KBM-967:信越化学工業(株)製)を0.10g(0.4mmol)、γ-アクリロキシプロピルトリメトキシシラン(KBM-5103:信越化学工業(株)製)を7.97g(34mmol)、15.6重量%のシリカ粒子のイソプロピルアルコール分散液(IPA-ST-UP:日産化学工業(株)製)を224.37g混合し、エチレングリコールモノ-t-ブチルエーテル163.93gを加えた。室温で撹拌しながら、水4.09gにリン酸0.088gを溶かしたリン酸水溶液を3分間かけて添加した。その後、フラスコを40℃のオイルバスに浸けて60分間撹拌した後、オイルバスを30分間かけて115℃まで昇温した。昇温開始1時間後に溶液の内温が100℃に到達し、そこから2時間加熱撹拌し(内温は100~110℃)、シリカ粒子含有ポリシロキサン溶液(PS-1)を得た。なお、昇温および加熱撹拌中、窒素を0.05l(リットル)/分流した。反応中に副生成物であるメタノール、水が合計194.01g留出した。得られたシリカ粒子含有ポリシロキサン溶液(PS-1)の固形分濃度は24.3重量%、固形分中のポリシロキサンとシリカ粒子の含有量はそれぞれ15重量%、85重量%であった。得られたシリカ粒子含有ポリシロキサン(PS-1)の1H-NMRおよび29Si-NMR分析結果は次の通りであり、上記で得られたシリカ粒子含有ポリシロキサン(PS-1)が、前記一般式(1)~(3)で表される構造単位、(4)~(6)で表される構造単位を有することが確認された。
一般式(1)~(3)のR1に相当するピーク
1H-NMR(C3D6O(d=ppm)):0.5~0.6(m,2H)
1H-NMR(C3D6O(d=ppm)):1.7~1.8(m,2H)
一般式(1)のSiに相当するピーク
29Si-NMR(C3D6O(d=ppm)):-63~-72(m,Si)
一般式(2)のSiに相当するピーク
29Si-NMR(C3D6O(d=ppm)):-56~-63(m,Si)
一般式(3)のSiに相当するピーク
29Si-NMR(C3D6O(d=ppm)):-51~-54(m,Si)
一般式(4)~(6)のR4およびR5を含む(メタ)アクリロイル基に相当するピーク
1H-NMR(C3D6O(d=ppm)):1.5~1.6(m,2H)
1H-NMR(C3D6O(d=ppm)):4.1~4.2(m,2H)
1H-NMR(C3D6O(d=ppm)):5.8~5.9(m,H)
1H-NMR(C3D6O(d=ppm)):6.1(m,H)
1H-NMR(C3D6O(d=ppm)):6.4(m,H)
一般式(4)のSiに相当するピーク
29Si-NMR(C3D6O(d=ppm)):-63~-72(m,Si)
一般式(5)のSiに相当するピーク
29Si-NMR(C3D6O(d=ppm)):-56~-63(m,Si)
一般式(6)のSiに相当するピーク
29Si-NMR(C3D6O(d=ppm)):-51~-54(m,Si)。
500mlの三口フラスコに、メチルトリメトキシシラン(KBM-13)を0.03g(0.25mmol)、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン(KBM-7103)を0.43g(2.0mmol)、トリメトキシシリルプロピルコハク酸無水物(KBM-967)を0.06g(0.25mmol)、γ-アクリロキシプロピルトリメトキシシラン(KBM-5103)を5.19g(22.5mmol)、15.6重量%のシリカ粒子のイソプロピルアルコール分散液(IPA-ST-UP)を232.02g混合し、エチレングリコールモノ-t-ブチルエーテル160.36gを加えた。室温で撹拌しながら、水2.66gにリン酸0.057gを溶かしたリン酸水溶液を3分間かけて添加した。その後、フラスコを40℃のオイルバスに浸けて60分間撹拌した後、オイルバスを30分間かけて115℃まで昇温した。昇温開始1時間後に溶液の内温が100℃に到達し、そこから2時間加熱撹拌し(内温は100~110℃)、シリカ粒子含有ポリシロキサン溶液(PS-2)を得た。なお、昇温および加熱撹拌中、窒素を0.05l(リットル)/分流した。反応中に副生成物であるメタノール、水が合計198.85g留出した。得られたシリカ粒子含有ポリシロキサン溶液(PS-2)の固形分濃度は24.4重量%、固形分中のポリシロキサンとシリカ粒子の含有量はそれぞれ10重量%、90重量%であった。得られたシリカ粒子含有ポリシロキサン(PS-2)の1H-NMRおよび29Si-NMR分析結果は次の通りであり、上記で得られたシリカ粒子含有ポリシロキサン(PS-2)が、前記一般式(1)~(3)で表される構造単位、(4)~(6)で表される構造単位を有することが確認された。
一般式(1)~(3)のR1に相当するピーク
1H-NMR(C3D6O(d=ppm)):0.5~0.6(m,2H)
1H-NMR(C3D6O(d=ppm)):1.7~1.8(m,2H)
一般式(1)のSiに相当するピーク
29Si-NMR(C3D6O(d=ppm)):-63~-72(m,Si)
一般式(2)のSiに相当するピーク
29Si-NMR(C3D6O(d=ppm)):-56~-63(m,Si)
一般式(3)のSiに相当するピーク
29Si-NMR(C3D6O(d=ppm)):-51~-54(m,Si)
一般式(4)~(6)のR4およびR5を含む(メタ)アクリロイル基に相当するピーク
1H-NMR(C3D6O(d=ppm)):1.5~1.6(m,2H)
1H-NMR(C3D6O(d=ppm)):4.1~4.2(m,2H)
1H-NMR(C3D6O(d=ppm)):5.8~5.9(m,H)
1H-NMR(C3D6O(d=ppm)):6.1(m,H)
1H-NMR(C3D6O(d=ppm)):6.4(m,H)
一般式(4)のSiに相当するピーク
29Si-NMR(C3D6O(d=ppm)):-63~-72(m,Si)
一般式(5)のSiに相当するピーク
29Si-NMR(C3D6O(d=ppm)):-56~-63(m,Si)
一般式(6)のSiに相当するピーク
29Si-NMR(C3D6O(d=ppm)):-51~-54(m,Si)。
500mlの三口フラスコに、メチルトリメトキシシラン(KBM-13)を0.11g(0.8mmol)、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン(KBM-7103)を1.42g(6.5mmol)、トリメトキシシリルプロピルコハク酸無水物(KBM-967)を0.21g(0.8mmol)、γ-アクリロキシプロピルトリメトキシシラン(KBM-5103)を17.16g(73mmol)、15.6重量%のシリカ粒子のイソプロピルアルコール分散液(IPA-ST-UP)を199.05g混合し、エチレングリコールモノ-t-ブチルエーテル175.74gを加えた。室温で撹拌しながら、水8.82gにリン酸0.189gを溶かしたリン酸水溶液を3分間かけて添加した。その後、フラスコを40℃のオイルバスに浸けて60分間撹拌した後、オイルバスを30分間かけて115℃まで昇温した。昇温開始1時間後に溶液の内温が100℃に到達し、そこから2時間加熱撹拌し(内温は100~110℃)、シリカ粒子含有ポリシロキサン溶液(PS-3)を得た。なお、昇温および加熱撹拌中、窒素を0.05l(リットル)/分流した。反応中に副生成物であるメタノール、水が合計178g留出した。得られたシリカ粒子含有ポリシロキサン溶液(PS-3)の固形分濃度は24.2重量%、固形分中のポリシロキサンとシリカ粒子の含有量はそれぞれ30重量%、70重量%であった。得られたシリカ粒子含有ポリシロキサン(PS-3)の1H-NMRおよび29Si-NMR分析結果は次の通りであり、上記で得られたシリカ粒子含有ポリシロキサン(PS-3)が、前記一般式(1)~(3)で表される構造単位、(4)~(6)で表される構造単位を有することが確認された。
一般式(1)~(3)のR1に相当するピーク
1H-NMR(C3D6O(d=ppm)):0.5~0.6(m,2H)
1H-NMR(C3D6O(d=ppm)):1.7~1.8(m,2H)
一般式(1)のSiに相当するピーク
29Si-NMR(C3D6O(d=ppm)):-63~-72(m,Si)
一般式(2)のSiに相当するピーク
29Si-NMR(C3D6O(d=ppm)):-56~-63(m,Si)
一般式(3)のSiに相当するピーク
29Si-NMR(C3D6O(d=ppm)):-51~-54(m,Si)
一般式(4)~(6)のR4およびR5を含む(メタ)アクリロイル基に相当するピーク
1H-NMR(C3D6O(d=ppm)):1.5~1.6(m,2H)
1H-NMR(C3D6O(d=ppm)):4.1~4.2(m,2H)
1H-NMR(C3D6O(d=ppm)):5.8~5.9(m,H)
1H-NMR(C3D6O(d=ppm)):6.1(m,H)
1H-NMR(C3D6O(d=ppm)):6.4(m,H)
一般式(4)のSiに相当するピーク
29Si-NMR(C3D6O(d=ppm)):-63~-72(m,Si)
一般式(5)のSiに相当するピーク
29Si-NMR(C3D6O(d=ppm)):-56~-63(m,Si)
一般式(6)のSiに相当するピーク
29Si-NMR(C3D6O(d=ppm)):-51~-54(m,Si)。
500mlの三口フラスコに、メチルトリメトキシシラン(KBM-13)を0.2g(1.5mmol)、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン(KBM-7103)を2.64g(12.1mmol)、トリメトキシシリルプロピルコハク酸無水物(KBM-967)を0.41g(1.5mmol)、γ-アクリロキシプロピルトリメトキシシラン(KBM-5103)を31.89g(136mmol)、15.6重量%のシリカ粒子のイソプロピルアルコール分散液(IPA-ST-UP)を158.5g混合し、エチレングリコールモノ-t-ブチルエーテル197.8gを加えた。室温で撹拌しながら、水16.38gにリン酸0.351gを溶かしたリン酸水溶液を3分間かけて添加した。その後、フラスコを40℃のオイルバスに浸けて60分間撹拌した後、オイルバスを30分間かけて115℃まで昇温した。昇温開始1時間後に溶液の内温が100℃に到達し、そこから2時間加熱撹拌し(内温は100~110℃)、シリカ粒子含有ポリシロキサン溶液(PS-3)を得た。なお、昇温および加熱撹拌中、窒素を0.05l(リットル)/分流した。反応中に副生成物であるメタノール、水が合計153g留出した。得られたシリカ粒子含有ポリシロキサン溶液(PS-4)の固形分濃度は24.4重量%、固形分中のポリシロキサンとシリカ粒子の含有量はそれぞれ50重量%、50重量%であった。得られたシリカ粒子含有ポリシロキサン(PS-4)の1H-NMRおよび29Si-NMR分析結果は次の通りであり、上記で得られたシリカ粒子含有ポリシロキサン(PS-4)が、前記一般式(1)~(3)で表される構造単位、(4)~(6)で表される構造単位を有することが確認された。
一般式(1)~(3)のR1に相当するピーク
1H-NMR(C3D6O(d=ppm)):0.5~0.6(m,2H)
1H-NMR(C3D6O(d=ppm)):1.7~1.8(m,2H)
一般式(1)のSiに相当するピーク
29Si-NMR(C3D6O(d=ppm)):-63~-72(m,Si)
一般式(2)のSiに相当するピーク
29Si-NMR(C3D6O(d=ppm)):-56~-63(m,Si)
一般式(3)のSiに相当するピーク
29Si-NMR(C3D6O(d=ppm)):-51~-54(m,Si)
一般式(4)~(6)のR4およびR5を含む(メタ)アクリロイル基に相当するピーク
1H-NMR(C3D6O(d=ppm)):1.5~1.6(m,2H)
1H-NMR(C3D6O(d=ppm)):4.1~4.2(m,2H)
1H-NMR(C3D6O(d=ppm)):5.8~5.9(m,H)
1H-NMR(C3D6O(d=ppm)):6.1(m,H)
1H-NMR(C3D6O(d=ppm)):6.4(m,H)
一般式(4)のSiに相当するピーク
29Si-NMR(C3D6O(d=ppm)):-63~-72(m,Si)
一般式(5)のSiに相当するピーク
29Si-NMR(C3D6O(d=ppm)):-56~-63(m,Si)
一般式(6)のSiに相当するピーク
29Si-NMR(C3D6O(d=ppm)):-51~-54(m,Si)。
500mlの三口フラスコに、メチルトリメトキシシラン(KBM-13)を0.01g(0.07mmol)、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン(KBM-7103)を0.12g(0.56mmol)、トリメトキシシリルプロピルコハク酸無水物(KBM-967)を0.02g(0.07mmol)、γ-アクリロキシプロピルトリメトキシシラン(KBM-5103)を1.5g(6.3mmol)、15.6重量%のシリカ粒子のイソプロピルアルコール分散液(IPA-ST-UP)を242.16g混合し、エチレングリコールモノ-t-ブチルエーテル155.78gを加えた。室温で撹拌しながら、水0.77gにリン酸0.0166gを溶かしたリン酸水溶液を3分間かけて添加した。その後、フラスコを40℃のオイルバスに浸けて60分間撹拌した後、オイルバスを30分間かけて115℃まで昇温した。昇温開始1時間後に溶液の内温が100℃に到達し、そこから2時間加熱撹拌し(内温は100~110℃)、シリカ粒子含有ポリシロキサン溶液(PS-5)を得た。なお、昇温および加熱撹拌中、窒素を0.05l(リットル)/分流した。反応中に副生成物であるメタノール、水が合計205g留出した。得られたシリカ粒子含有ポリシロキサン溶液(PS-5)の固形分濃度は24.3重量%、固形分中のポリシロキサンとシリカ粒子の含有量はそれぞれ3重量%、97重量%であった。得られたシリカ粒子含有ポリシロキサン(PS-5)の1H-NMRおよび29Si-NMR分析結果は次の通りであり、上記で得られたシリカ粒子含有ポリシロキサン(PS-5)が、前記一般式(1)~(3)で表される構造単位、(4)~(6)で表される構造単位を有することが確認された。
一般式(1)~(3)のR1に相当するピーク
1H-NMR(C3D6O(d=ppm)):0.5~0.6(m,2H)
1H-NMR(C3D6O(d=ppm)):1.7~1.8(m,2H)
一般式(1)のSiに相当するピーク
29Si-NMR(C3D6O(d=ppm)):-63~-72(m,Si)
一般式(2)のSiに相当するピーク
29Si-NMR(C3D6O(d=ppm)):-56~-63(m,Si)
一般式(3)のSiに相当するピーク
29Si-NMR(C3D6O(d=ppm)):-51~-54(m,Si)
一般式(4)~(6)のR4およびR5を含む(メタ)アクリロイル基に相当するピーク
1H-NMR(C3D6O(d=ppm)):1.5~1.6(m,2H)
1H-NMR(C3D6O(d=ppm)):4.1~4.2(m,2H)
1H-NMR(C3D6O(d=ppm)):5.8~5.9(m,H)
1H-NMR(C3D6O(d=ppm)):6.1(m,H)
1H-NMR(C3D6O(d=ppm)):6.4(m,H)
一般式(4)のSiに相当するピーク
29Si-NMR(C3D6O(d=ppm)):-63~-72(m,Si)
一般式(5)のSiに相当するピーク
29Si-NMR(C3D6O(d=ppm)):-56~-63(m,Si)
一般式(6)のSiに相当するピーク
29Si-NMR(C3D6O(d=ppm)):-51~-54(m,Si)。
赤色量子ドット材料(Lumidot 640 CdSe/ZnS、平均粒子径6.3nm:アルドリッチ社製)の0.5重量%トルエン溶液を20重量部、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート(DPHA:新中村化学工業(株)製)を45重量部、“Irgacure”(登録商標)907(BASF社製)を5重量部、アルカリ可溶性樹脂(“アデカアークルズ”WR-301:(株)ADEKA製)をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)で希釈した30重量%溶液を166重量部およびトルエンを97重量部混合して撹拌し、均一に溶解した。0.45μmのシリンジフィルターで濾過し、赤色量子ドット含有画素形成用組成物1を調製した。
合成例1により得た赤色蛍光体R-1を0.1重量部、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート(DPHA)を45重量部、“Irgacure”907を5重量部、アルカリ可溶性樹脂(WR-301)の30重量%PGMEA溶液を166重量部およびトルエンを117重量部混合して撹拌し、均一に溶解した。0.45μmのシリンジフィルターで濾過し、赤色有機蛍光体含有画素形成用組成物2を調製した。
緑色量子ドット材料(Lumidot 530 CdSe/ZnS、平均粒子径3.3nm:アルドリッチ社製)の0.5重量%トルエン溶液を80重量部、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート(DPHA)を45重量部、“Irgacure”907を5重量部、アルカリ可溶性樹脂(WR-301)の30重量%PGMEA溶液を166重量部およびトルエンを38重量部混合して撹拌し、均一に溶解した。0.45μmのシリンジフィルターで濾過し、緑色量子ドット含有画素形成用組成物3を調製した。
合成例2により得た緑色蛍光体G-1を0.4重量部、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート(DPHA)を45重量部、“Irgacure”907を5重量部、アルカリ可溶性樹脂(WR-301)の30重量%PGMEA溶液を166重量部およびトルエンを117重量部混合して撹拌し、均一に溶解した。0.45μmのシリンジフィルターで濾過し、緑色有機蛍光体含有画素形成用組成物4を調製した。
合成例3により得たシリカ粒子含有ポリシロキサン溶液(PS-1)を54g、エチレングリコールモノ-t-ブチルエーテル(ETB)を12g、ジアセトンアルコール(DAA)を35g混合した。その後、0.45μmのシリンジフィルターで濾過し、光拡散防止用樹脂組成物5を調製した。
合成例4により得たシリカ粒子含有ポリシロキサン溶液(PS-2)を54g、ETBを12g、DAAを35g混合した。その後、0.45μmのシリンジフィルターで濾過し、光拡散防止用樹脂組成物6を調製した。
合成例5により得たシリカ粒子含有ポリシロキサン溶液(PS-3)を54g、ETBを12g、DAAを35g混合した。その後、0.45μmのシリンジフィルターで濾過し、光拡散防止用樹脂組成物7を調製した。
合成例6により得たシリカ粒子含有ポリシロキサン溶液(PS-4)を54g、ETBを12g、DAAを35g混合した。その後、0.45μmのシリンジフィルターで濾過し、ポリシロキサン樹脂組成物8を調製した。
合成例7により得たシリカ粒子含有ポリシロキサン溶液(PS-5)を54g、ETBを12g、DAAを35g混合した。その後、0.45μmのシリンジフィルターで濾過し、ポリシロキサン樹脂組成物9を調製した。
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート(DPHA)を45重量部、“Irgacure”907を5重量部、アルカリ可溶性樹脂(WR-301)の30重量%PGMEA溶液を166重量部、PGMEAを117重量部加えて混合した。0.45μmのシリンジフィルターで濾過し、樹脂組成物10を調製した。
各実施例および比較例における光拡散防止層にかえて、以下の方法により作製した硬化膜について、メトリコン社製屈折率測定装置プリズムカプラPC-2000を用いて、23℃において、波長550nmにおける屈折率を測定した。
各実施例および比較例に用いた基板の透過率は、紫外-可視分光光度計「UV-260」(島津製作所(株)製)を用いて、波長400~800nmにおいて測定した。
各実施例および比較例における画素膜厚は、画素パターンを形成したカラーフィルター基板について、サーフコム触針式膜厚測定装置を用いて段差の高さを測定することにより算出した。また、画素サイズは、画素パターンを形成したカラーフィルター基板について、光学顕微鏡(オリンパス製LG-PS2)を用いて画素パターンを倍率100倍で拡大観察して測定した。
各実施例における光拡散防止層膜厚は、光拡散防止層を形成したカラーフィルター基板について、サーフコム触針式膜厚測定装置を用いて画素および光拡散防止層の合計膜厚を測定し、前記方法により測定した画素膜厚を差し引くことにより算出した。
発光波長領域が410~480nm、発光波長ピークが460nmのLEDパッケージ(シーシーエス製、HLV2-22)上に、各実施例および比較例により得られた基板を静置した。LEDパッケージに30mAの電流を流してLEDを点灯させ、分光放射輝度計(CS-1000、コニカミノルタ社製)を用いて、最大発光波長における輝度を測定した。なお、基板とLEDパッケージとの距離を3cmとした。
5cm角のガラス基板(AGCテクノグラス(株)製、厚み0.5mm、透過率:95%(400nm)、95%(550nm)、95%(633nm)、95%(800nm))上に、調製例1により得られた赤色量子ドット含有画素形成用組成物1をスピナーにより塗布した後、熱風オーブン中100℃で10分間乾燥した。次に、パラレルライトマスクアライナー(キヤノン(株)製PLA-501F)を用いて、超高圧水銀灯を光源とし、フォトマスクを介して露光量200mJ/cm2(i線)で露光した。水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて60秒間シャワー現像した後、純水で洗浄し、パターニング基板を得た。得られたパターニング基板を熱風オーブン中150℃で30分間加熱し、ガラス基板上に、短辺30μm、長辺150μmの長方形の赤色画素パターンを形成した。
5cm角のガラス基板(AGCテクノグラス(株)製、厚み0.5mm、透過率:95%(400nm)、95%(550nm)、95%(633nm)、95%(800nm))上に、調製例2により得られた赤色有機蛍光体含有画素形成用組成物2をスピナーにより塗布した後、熱風オーブン中100℃で10分間乾燥した。次に、パラレルライトマスクアライナー(キヤノン(株)製PLA-501F)を用いて、超高圧水銀灯を光源とし、フォトマスクを介して露光量200mJ/cm2(i線)で露光した。水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて60秒間シャワー現像した後、純水で洗浄し、パターニング基板を得た。得られたパターニング基板を熱風オーブン中150℃で30分間加熱処理し、ガラス基板上に、短辺30μm、長辺150μmの長方形の赤色画素パターンを形成した。
赤色画素および緑色画素の膜厚を表1に記載のとおり変更したこと以外は、実施例1と同様の方法により、基板を作製した。評価結果を表2に示す。
光拡散防止用樹脂組成物5にかえて、調製例6により得られた光拡散防止用樹脂組成物6を用いたこと以外は、実施例1と同様の方法により、基板を作製した。光拡散防止層の透過率を測定したところ、400nmにおける透過率は99%、550nmにおける透過率は99%、633nmにおける透過率は99%、800nmにおける透過率は99%であった。評価結果を表2に示す。
光拡散防止用樹脂組成物5にかえて、調製例7により得られた光拡散防止用樹脂組成物7を用いたこと以外は、実施例1と同様の方法により、基板を作製した。光拡散防止層の透過率を測定したところ、400nmにおける透過率は98%、550nmにおける透過率は99%、633nmにおける透過率は99%、800nmにおける透過率は99%であった。評価結果を表2に示す。
5cm角のガラス基板(AGCテクノグラス(株)製、厚み0.5mm、透過率:95%(400nm)、95%(550nm)、95%(633nm)、95%(800nm))上に、プラズマCVD装置(PD-220NL、サムコ社製)を用いて、厚み4μmの窒化ケイ素膜を形成した。窒化ケイ素膜の屈折率は1.9であった。窒化ケイ素膜上に、ポジ型フォトレジストAZ-601(AZエレクトロニクスマテリアルズ社製)を塗布した後、露光および現像することにより、図8に示すような、線幅5μm、膜厚2μmのレジストパターン11を形成した。ドライエッチング装置(RIE-200iP、サムコ社製)を用いて窒化ケイ素膜をエッチングし、図9に示す窒化ケイ素の隔壁7を形成した。
実施例1と同様の方法により、ガラス基板上に、赤色画素パターンおよび緑色画素パターンを形成した後、プラズマCVD装置(PD-220NL、サムコ社製)を用いて、膜厚500nmの窒化ケイ素膜を形成し、保護層Iを形成した。保護層I上に、実施例1と同様の方法により光拡散防止層を形成し、図11に示す構成の基板を得た。評価結果を表2に示す。
保護層Iの厚みを2000nmに変更したこと以外は実施例8と同様の方法により、基板を得た。評価結果を表2に示す。
実施例1と同様の方法により、赤色画素パターンおよび緑色画素パターンが形成されたガラス基板上に光拡散防止層を形成した後、プラズマCVD装置(PD-220NL、サムコ社製)を用いて、膜厚500nmの窒化ケイ素からなる保護層IIを形成し、図12に示す構成の基板を得た。評価結果を表2に示す。
保護層IIの厚みを2000nmに変更したこと以外は実施例10と同様の方法により、基板を得た。評価結果を表2に示す。
実施例1と同様の方法により、ガラス基板上に、赤色画素パターンおよび緑色画素パターンを形成した後、プラズマCVD装置(PD-220NL、サムコ社製)を用いて、膜厚500nmの窒化ケイ素膜を形成し、保護層Iを形成した。保護層I上に、実施例1と同様の方法により光拡散防止層を形成し、図10に示す構成の基板を得た。さらに、プラズマCVD装置(PD-220NL、サムコ社製)を用いて、膜厚500nmの窒化ケイ素からなる保護層IIを形成し、図4に示す構成の基板を得た。
5cm角のガラス基板(AGCテクノグラス(株)製、厚み0.5mm、透過率:95%(400nm)、95%(550nm)、95%(633nm)、95%(800nm))上に、調製例5により得られた光拡散防止用樹脂組成物5をスピナーにより塗布した後、熱風オーブン中100℃で5分間乾燥し、さらに熱風オーブン中150℃で30分間加熱して屈折率調整層とした。さらに、屈折率調整層の上に、調製例1により得られた赤色量子ドット含有画素形成用組成物1をスピナーにより塗布した後、熱風オーブン中100℃で10分間乾燥した。次に、パラレルライトマスクアライナー(キヤノン(株)製PLA-501F)を用いて、超高圧水銀灯を光源とし、フォトマスクを介して露光量200mJ/cm2(i線)で露光した。水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて60秒間シャワー現像した後、純水で洗浄し、パターニング基板を得た。得られたパターニング基板を熱風オーブン中150℃で30分間加熱し、ガラス基板上に、短辺30μm、長辺150μmの長方形の赤色画素パターンを形成した。
5cm角のガラス基板(AGCテクノグラス(株)製、厚み0.5mm、透過率:95%(400nm)、95%(550nm)、95%(633nm)、95%(800nm))上に、調製例7により得られた光拡散防止用樹脂組成物7をスピナーにより塗布した後、熱風オーブン中100℃で5分間乾燥し、さらに熱風オーブン中150℃で30分間加熱して屈折率調整層とした。さらに、屈折率調整層の上に、調製例1により得られた赤色量子ドット含有画素形成用組成物1をスピナーにより塗布した後、熱風オーブン中100℃で10分間乾燥した。次に、パラレルライトマスクアライナー(キヤノン(株)製PLA-501F)を用いて、超高圧水銀灯を光源とし、フォトマスクを介して露光量200mJ/cm2(i線)で露光した。水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて60秒間シャワー現像した後、純水で洗浄し、パターニング基板を得た。得られたパターニング基板を熱風オーブン中150℃で30分間加熱し、ガラス基板上に、短辺30μm、長辺150μmの長方形の赤色画素パターンを形成した。
光拡散防止層を形成しなかったこと以外は実施例1と同様の方法により、図13に示す構成の基板を得た。輝度を測定した結果、発光波長ピークは530nm、640nmであり、輝度は2560cd/m2であった。
光拡散防止層を形成しなかったこと以外は実施例2と同様の方法により、図14に示す構成の基板を得た。輝度を測定した結果、発光波長ピークは526nm、640nmであり、輝度は2131cd/m2であった。結果を表2に示す。
光拡散防止用樹脂組成物5にかえて、調製例8により得られたポリシロキサン樹脂組成物8を用いたこと以外は、実施例1と同様の方法により、基板を作製した。光拡散防止層の透過率を測定したところ、400nmにおける透過率は98%、550nmにおける透過率は99%、633nmにおける透過率は99%、800nmにおける透過率は99%であった。また、屈折率が1.42であることから、本発明における光拡散防止層の屈折率の範囲外である。評価結果を表2に示す。
光拡散防止用樹脂組成物5にかえて、調製例9により得られたポリシロキサン樹脂組成物9を用いたこと以外は、実施例1と同様の方法により、基板を作製したところ、光拡散防止層全面にクラックが見られ、評価不可能であった。本発明における光拡散防止層中のシリカ粒子の範囲から外れており、膜のストレスが大きくなったと考えられる。
実施例1と同様の方法により、ガラス基板上に、赤色画素パターンおよび緑色画素パターンを形成した後、調製例10により得られた樹脂組成物10をスピナーにより塗布し、熱風オーブン中100℃で5分間乾燥した。次に、パラレルライトマスクアライナー(キヤノン(株)製PLA-501F)を用いて、超高圧水銀灯を光源とし、露光量200mJ/cm2(i線)で露光した。自動現像装置(AD-2000、滝沢産業(株)製)を用いて、2.38重量%水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて60秒間シャワー現像し、次いで水で30秒間リンスした。さらに熱風オーブン中150℃で30分間加熱し、ポリシロキサン樹脂組成物10の硬化膜を形成した基板を作製した。前述の方法により輝度を測定したところ、発光波長ピークは530nm、640nmであり、輝度は2048cd/m2であった。光拡散防止層の透過率を測定したところ、400nmにおける透過率は97%、550nmにおける透過率は99%、633nmにおける透過率は99%、800nmにおける透過率は99%であった。また、屈折率が1.54であること、シロキサンとシリカを含有しない点から、本発明における光拡散防止層には該当しない。
5cm角のガラス基板(AGCテクノグラス(株)製、厚み0.5mm、透過率:95%(400nm)、95%(550nm)、95%(633nm)、95%(800nm))上に、調製例5により得られた光拡散防止用樹脂組成物5をスピナーにより塗布した後、熱風オーブン中100℃で5分間乾燥し、さらに熱風オーブン中150℃で30分間加熱して屈折率調整層とした。さらに、屈折率調整層の上に、調製例1により得られた赤色量子ドット含有画素形成用組成物1をスピナーにより塗布した後、熱風オーブン中100℃で10分間乾燥した。次に、パラレルライトマスクアライナー(キヤノン(株)製PLA-501F)を用いて、超高圧水銀灯を光源とし、フォトマスクを介して露光量200mJ/cm2(i線)で露光した。水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて60秒間シャワー現像した後、純水で洗浄し、パターニング基板を得た。得られたパターニング基板を熱風オーブン中150℃で30分間加熱し、ガラス基板上に、短辺30μm、長辺150μmの長方形の赤色画素パターンを形成した。
2:光拡散防止層
3:赤色量子ドットを含有する色変換発光層
4:緑色量子ドットを含有する色変換発光層
5:赤色有機蛍光体を含有する色変換発光層
6:緑色有機蛍光体を含有する色変換発光層
7:隔壁
8:保護層I
9:保護層II
10:液晶/バックライトユニット10
11:レジストパターン
12:屈折率調整層
Claims (12)
- 透明基板上に、透明基板側から(a)色変換発光層および(b)光拡散防止層をこの順に有する基板であって、
前記(b)光拡散防止層が、ポリシロキサンと、鎖状シリカ粒子を含み、(b)光拡散防止層中のポリシロキサンの含有量が4~32重量%、鎖状シリカ粒子の含有量が68~96重量%であり、
前記(a)色変換発光層と(b)光拡散防止層の間に、厚み50~1,000nmの無機膜からなる(c)保護層Iを有し、
前記(b)光拡散防止層上に、厚み50~1,000nmの無機膜からなる(d)保護層IIを有する基板。 - 前記(b)光拡散防止層の波長550nmにおける屈折率が1.20~1.35である請求項1記載の基板。
- 透明基板上に、透明基板側から(a)色変換発光層および(b)光拡散防止層をこの順に有する基板であって、
(b)光拡散防止層の波長550nmにおける屈折率が1.20~1.35であり、前記(b)光拡散防止層が、ポリシロキサンと、中空構造を有しないシリカ粒子を含み、(b)光拡散防止層中のポリシロキサンの含有量が4~32重量%、中空構造を有しないシリカ粒子の含有量が68~96重量%であり、
前記(a)色変換発光層と(b)光拡散防止層の間に、厚み50~1,000nmの無機膜からなる(c)保護層Iを有し、
前記(b)光拡散防止層上に、厚み50~1,000nmの無機膜からなる(d)保護層IIを有する基板。 - 前記(a)色変換発光層が無機蛍光体および/または有機蛍光体を含む請求項1~5いずか記載の基板。
- 前記無機蛍光体が平均粒子径1~10nmの量子ドットを含む請求項6記載の基板。
- 前記(a)色変換発光層が隔壁によって隔てられて配列している請求項1~7いずれか記載の基板。
- 前記(c)保護層Iが、窒化ケイ素および/または酸化ケイ素を含む請求項1または3記載の基板。
- 前記(d)保護層IIが、窒化ケイ素および/または酸化ケイ素を含む請求項1または3記載の基板。
- さらに、透明基板上に屈折率調整層を有する請求項1~10いずれか記載の基板。
- 請求項1~11いずれか記載の基板、TFTおよびバックライトを有する画像表示装置。
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017232355 | 2017-12-04 | ||
JP2017232355 | 2017-12-04 | ||
JP2018113520 | 2018-06-14 | ||
JP2018113520 | 2018-06-14 | ||
JP2018128004 | 2018-07-05 | ||
JP2018128004 | 2018-07-05 | ||
PCT/JP2018/043482 WO2019111748A1 (ja) | 2017-12-04 | 2018-11-27 | 基板、光拡散防止用樹脂組成物および画像表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019111748A1 JPWO2019111748A1 (ja) | 2020-10-22 |
JP7305959B2 true JP7305959B2 (ja) | 2023-07-11 |
Family
ID=66751584
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018562693A Active JP7305959B2 (ja) | 2017-12-04 | 2018-11-27 | 基板、および画像表示装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20200379299A1 (ja) |
JP (1) | JP7305959B2 (ja) |
KR (1) | KR20200096487A (ja) |
CN (1) | CN111279230B (ja) |
TW (1) | TWI784095B (ja) |
WO (1) | WO2019111748A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113745288A (zh) * | 2021-08-18 | 2021-12-03 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
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JP2009244383A (ja) | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Fujifilm Corp | 液晶表示装置 |
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-
2018
- 2018-11-27 KR KR1020207012122A patent/KR20200096487A/ko active IP Right Grant
- 2018-11-27 WO PCT/JP2018/043482 patent/WO2019111748A1/ja active Application Filing
- 2018-11-27 JP JP2018562693A patent/JP7305959B2/ja active Active
- 2018-11-27 CN CN201880069613.7A patent/CN111279230B/zh active Active
- 2018-11-27 US US16/767,841 patent/US20200379299A1/en not_active Abandoned
- 2018-11-29 TW TW107142783A patent/TWI784095B/zh active
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JP2016181474A (ja) | 2015-03-25 | 2016-10-13 | 大日本印刷株式会社 | 導光部材、面光源装置及び表示装置 |
WO2016158097A1 (ja) | 2015-03-31 | 2016-10-06 | 富士フイルム株式会社 | 光学機能層形成用組成物、これを用いた固体撮像素子およびカメラモジュール |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2019111748A1 (ja) | 2019-06-13 |
JPWO2019111748A1 (ja) | 2020-10-22 |
KR20200096487A (ko) | 2020-08-12 |
US20200379299A1 (en) | 2020-12-03 |
TW201925389A (zh) | 2019-07-01 |
CN111279230B (zh) | 2022-07-01 |
TWI784095B (zh) | 2022-11-21 |
CN111279230A (zh) | 2020-06-12 |
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Date | Code | Title | Description |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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