JP7300597B2 - 機能性マイクロ電子デバイスの歩留まりの向上 - Google Patents
機能性マイクロ電子デバイスの歩留まりの向上 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7300597B2 JP7300597B2 JP2020524618A JP2020524618A JP7300597B2 JP 7300597 B2 JP7300597 B2 JP 7300597B2 JP 2020524618 A JP2020524618 A JP 2020524618A JP 2020524618 A JP2020524618 A JP 2020524618A JP 7300597 B2 JP7300597 B2 JP 7300597B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- manufacturing
- wafer
- metrology data
- tools
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/282—Testing of electronic circuits specially adapted for particular applications not provided for elsewhere
- G01R31/2831—Testing of materials or semi-finished products, e.g. semiconductor wafers or substrates
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/025—General constructional details concerning dedicated user interfaces, e.g. GUI, or dedicated keyboards
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
- G06F30/30—Circuit design
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2119/00—Details relating to the type or aim of the analysis or the optimisation
- G06F2119/18—Manufacturability analysis or optimisation for manufacturability
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
- Y02P90/02—Total factory control, e.g. smart factories, flexible manufacturing systems [FMS] or integrated manufacturing systems [IMS]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Evolutionary Computation (AREA)
- Geometry (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- General Factory Administration (AREA)
Description
本出願は、2017年11月3日に出願された「機能的マイクロエレクトロニクスデバイスの歩留まりの向上」と題する米国仮特許出願第62/581,535号の利益を主張し、その全体が参照により本明細書に組み入れられる。また、本出願は、2018年10月31日に出願された「アクティブプロセスモデリング」という名称の米国仮特許出願第62/753,153号の利益を主張し、その全体が参照により本明細書に組み入れられる。さらに、本出願は、2018年10月31日に提出された「マイクロエレクトロニクスデバイスの製造のための伝達関数及びプロセスモデリング」というタイトルの米国仮特許出願第62/753,155号の利益を主張し、その全体が参照により本明細書に組み入れられる。
マイクロ電子デバイスは、マイクロメートル以下の規模の個々の電子デバイス及びコンポーネント又はそれらの集まりである。個々のマイクロエレクトロニクスデバイスは、トランジスタ、コンデンサ(capacitors)、インダクタ、抵抗器、ダイオード、絶縁体、導体などを包含し得る。他のデバイスは、回路及び個々のデバイスのいくつかの組み合わせを包含し得る。集積回路(IC)は、そのようなデバイスのそのような例であり、マイクロチップなどと呼ばれることもある。
半導体製造プロセスと協働して、本明細書に記載されている技術は、半導体ウェーハのパターンのシステム全体適合性(systemic conformities)の向上を促進する。系統的不適合がほとんどないか、まったくない半導体ウェーハは、製造された半導体ウェーハの一部として形成された電子デバイスの電気機械特性及び/又は機能を最大化する。
半導体製造プロセスと協働して、本明細書に記載されている技術は、半導体ウェーハのパターンのシステム全体適合性の向上を促進する。システム全体不適合が制限された半導体ウェーハは、製造された半導体ウェーハの一部として形成された電子デバイスの電気機械特性及び/又は機能を最大化する。
図1は、典型的な半導体製造100の一例を示す。製造自体の前に、半導体ウェハ及びその中に形成されたマイクロエレクトロニクスデバイスの全体的な設計95が生成される。レイアウトはデザインから作成される。レイアウトは、製造中に半導体ウェーハを形成する材料の積み重ねられた層に転写されるパターンのセットを包含する。設計95は、製造のさまざまな部分に影響を与え且つ通知するので、それは、その特定の部分ではなく製造を一般に指す広い矢印で描かれている。
図2は、本明細書に記載されている技術に従って半導体製造から製造された機能マイクロエレクトロニクスデバイスの歩留まりを向上させる例示的なシステム200を示している。別の言い方をすれば、この図は、本明細書で説明される技術による半導体製造中のシステム全体不適合の検出及び改善を容易にする例示的なシステム200を図示する。例示的なシステム200は、上述され、且つ図1に示される半導体製造100を包含する。
図3は、本明細書で説明される技法を実装する例示的なプロセス300を示す流れ図である。例示的なプロセス300は、少なくとも部分的に、例示的なシステム200によって実行され、且つそれは、半導体製造中のパターンのシステム全体適合性の向上を容易にする。
エッジ配置エラー(EPE);グリッド限界寸法(CD)測定値;ブロック線幅ラフネス(LWR)測定値;グリッドLWR測定値;ブロックCD測定値;プロファイル;断面;選択的蒸着;形成されたマイクロエレクトロニクスデバイスの電気的特性;コンタクトホールCD;コンタクトホールラフネス;CERと楕円率;チップ間の(tip-to-tip)距離が短いトレンチ;ラインの先端から先端までの距離;層間の(layer-to-layer)変位データ;オーバーレイデータ;膜厚と均一性;単一のツールのアクション後に発生する測定値;単一層のすべてのツールの後に発生する測定値;複数の層の後に発生する測定値;及びそれらの組み合わせ;
からなる群から選択される、製造計測データの測定及び/又は計算などの測定及び/又は計算データを包含する。
例示的な実装の上記の説明では、説明の目的で、請求される本発明をよりよく説明するために、特定の数、材料構成、及び他の詳細が示されている。しかしながら、請求される発明は、本明細書に記載される例示的なものとは異なる詳細を使用して実施され得ることが当業者には明らかであろう。他の例では、例示的な実装の説明を明確にするために、よく知られている機能(features)が省略又は簡略化されている。
・ 前記半導体ウェーハの製造計測データを収集することであって、ここで、前記製造計測データは、前記半導体製造において形成された前記ウェーハの1つ以上の特性の測定値を包含し、且つ各測定値は、そのような測定が行われる前記ウェーハの空間位置に関連付けられていること;
・ 前記収集された製造計測データに基づいて、前記半導体ウェーハの不適合を検出すること;
・ 前記半導体ウェーハの不適合領域を識別することであって、ここで、前記不適合領域は、隣接する不適合の集合体を包含すること;
・ 少なくとも部分的に前記不適合領域によって形成された前記マイクロエレクトロニクスデバイスの機能性に対する、前記不適合領域の前記不適合性へのシステム全体の(systemic)影響を決定すること;
を含む。
・ 製造される前記半導体の前記層として材料のパターンの共通のスタックを使用した複数の半導体ウェーハからの測定値(measurements);
・ エッジ配置エラー(EPE)、グリッド限界寸法(CD)測定値、ブロック線幅ラフネス(LWR)測定値、グリッドLWR測定値、ブロックCD測定値、プロファイル(すなわち、断面)、選択的蒸着;前記形成されたマイクロエレクトロニクスデバイスの電気的特性;コンタクトホールCD;コンタクトホールラフネス;CERと楕円率;チップ間の(tip-to-tip)距離が短いトレンチ;ラインの先端から先端までの距離;層間の(layer-to-layer)変位データ(すなわち、オーバーレイデータ);膜厚と均一性;単一のツールのアクション後に発生する測定値;単一層のすべてのツールの後に発生する測定値;複数の層の後に発生する測定値;及びそれらの組み合わせ;からなる群から選択される、製造計測データを測定すること及び/又は計算すること;
を包含する。
・ 物理的特性、隣接するデバイスに対する配置(arrangement)/配向(orientation)(例えば、同じ層内、下の層、及び上にある層)、及び物理的機能;
・ 電気的特性、その隣接するデバイスとの電気的相互作用(例えば、同じ層内、下の層、及び上の層)、及び電気的機能;
・ 電気磁気特性、その隣接するデバイスとの相対的な電気磁気相互作用(例えば、同じ層内、下の層、及び上の層)、及び電気磁気的機能;
・ その隣接するデバイスとの相対的な電気機械的相互作用(例えば、同じ層内、下の層、及び上の層)、及び電気機械的機能;又は
・ それらの組み合わせ;
のうちの1つを包含する。
・ 少なくとも1つの半導体製造ツールを選択すること;
・ 前記選択された半導体製造ツールの前記操作において少なくとも1つの変更を選択することであって、前記少なくとも1つの変更が前記半導体製造を変更すること:
・ 前記選択された半導体製造ツールの前記操作において前記選択された変更に従って、半導体ウェーハの製造をシミュレートすること;
・ 前記シミュレートされた半導体ウェーハによって形成された前記マイクロエレクトロニクスデバイスの前記電気機械的特性及び/又は機能の影響を推定すること;
を包含する。
・ 複数の半導体製造ツールの組み合わせを選択すること;
・ 前記選択された半導体製造ツールのそれぞれの操作における少なくとも1つの変更を選択することであって、ここで、前記変更は、前記半導体製造を変更すること;
・ 前記選択された半導体製造ツールのそれぞれの前記操作における前記選択された変更に従って、半導体ウェーハの製造をシミュレートすること;
・ 前記シミュレートされた半導体ウェーハによって形成された前記マイクロエレクトロニクスデバイスの前記電気機械的特性及び/又は機能の影響を推定すること;
を包含する。
・ 少なくとも部分的に、前記不適合領域によって形成されたマイクロエレクトロニクスデバイスの何らかの部分(some portion)を包含する層のパターンを選択すること;
・ 前記選択したパターンを変更すること;
を包含する。
・ 少なくとも部分的に、前記不適合領域によって形成されたマイクロエレクトロニクスデバイスの何らかの部分を包含する層のパターンを選択すること;
・ 変更されたパターンを取得することであって、前記変更されたパターンは、前記選択されたパターンの変更であること;
を包含する。
・ 少なくとも部分的に、前記不適合領域によって形成されたマイクロエレクトロニクスデバイスの何らかの部分を包含する層のパターンを選択すること;
・ 前記選択したパターンを変更すること;
・ 前記変更されたパターンが前記選択されたパターンに置き換わる半導体ウェーハの製造をシミュレートすること;
・ 前記シミュレートされた半導体ウェーハによって形成された前記マイクロエレクトロニクスデバイスの前記電気機械的特性及び/又は機能の影響を推定すること;
を包含する。
・ 前記半導体ウェーハの製造計測データを収集することであって、ここで、前記製造計測データは、前記半導体製造において形成された前記ウェーハの特性の測定値であること;
・ 前記収集された製造計測データに基づいて、前記半導体ウェーハの不適合を検出すること;
・ 前記半導体ウェーハの不適合領域を識別することであって、ここで、前記不適合領域は、隣接する不適合の集合体を包含すること;
・ 少なくとも部分的に前記不適合領域によって形成された前記マイクロエレクトロニクスデバイスの機能性に対する、前記不適合領域の前記不適合性へのシステム全体の(systemic)影響を決定すること;
を含む。
・ 製造される前記半導体の前記層として材料のパターンの共通のスタックを使用した複数の半導体ウェーハからの測定値(measurements);
・ エッジ配置エラー(EPE)、グリッド限界寸法(CD)測定値、ブロック線幅ラフネス(LWR)測定値、グリッドLWR測定値、ブロックCD測定値、プロファイル(すなわち、断面)、選択的蒸着;前記形成されたマイクロエレクトロニクスデバイスの電気的特性;コンタクトホールCD;コンタクトホールラフネス;CERと楕円率;チップ間の(tip-to-tip)距離が短いトレンチ;ラインの先端から先端までの距離;層間の(layer-to-layer)変位データ(すなわち、オーバーレイデータ);膜厚と均一性;単一のツールのアクション後に発生する測定値;単一層のすべてのツールの後に発生する測定値;複数の層の後に発生する測定値;及びそれらの組み合わせ;からなる群から選択される、製造計測データを測定すること及び/又は計算すること;
を包含する。
・ 物理的特性、その隣接するデバイスに対する配置(arrangement)/配向(orientation)(例えば、同じ層内、下の層、及び上にある層)、及び物理的機能;
・ 電気的特性、その隣接するデバイスとの電気的相互作用(例えば、同じ層内、下の層、及び上の層)、及び電気的機能;
・ 電気磁気特性、その隣接するデバイスとの相対的な電気磁気相互作用(例えば、同じ層内、下の層、及び上の層)、及び電気磁気的機能;
・ その隣接するデバイスとの相対的な電気機械的相互作用(例えば、同じ層内、下の層、及び上の層)、及び電気機械的機能;又は
・ それらの組み合わせ;
のうちの1つを包含する。
・ 少なくとも1つの半導体製造ツールを選択すること;
・ 前記選択された半導体製造ツールの前記操作において少なくとも1つの変更を選択することであって、前記少なくとも1つの変更が前記半導体製造を変更すること:
・ 前記選択された半導体製造ツールの前記操作において前記選択された変更に従って、半導体ウェーハの製造をシミュレートすること;
・ 前記シミュレートされた半導体ウェーハによって形成された前記マイクロエレクトロニクスデバイスの前記電気機械的特性及び/又は機能の影響を推定すること;
を包含する。
・ 少なくとも1つの半導体製造ツールを選択すること;
・ 前記選択された半導体製造ツールのそれぞれの操作における少なくとも1つの変更を選択することであって、ここで、前記変更は、前記半導体製造を変更すること;
・ 前記選択された半導体製造ツールのそれぞれの前記操作における前記選択された変更に従って、半導体ウェーハの製造をシミュレートすること;
・ 前記シミュレートされた半導体ウェーハによって形成された前記マイクロエレクトロニクスデバイスの前記電気機械的特性及び/又は機能の影響を推定すること;
を包含する。
・ 少なくとも部分的に、前記不適合領域によって形成されたマイクロエレクトロニクスデバイスの何らかの部分(some portion)を包含する層のパターンを選択すること;
・ 前記選択したパターンを変更すること;
を包含する。
・ 少なくとも部分的に、前記不適合領域によって形成されたマイクロエレクトロニクスデバイスの何らかの部分を包含する層のパターンを選択すること;
・ 変更されたパターンを取得することであって、前記変更されたパターンは、前記選択されたパターンの変更であること;
を包含する。
・ 少なくとも部分的に、前記不適合領域によって形成されたマイクロエレクトロニクスデバイスの何らかの部分を包含する層のパターンを選択すること;
・ 前記選択したパターンを変更すること;
・ 前記変更されたパターンが前記選択されたパターンに置き換わる半導体ウェーハの製造をシミュレートすること;
・ 前記シミュレートされた半導体ウェーハによって形成された前記マイクロエレクトロニクスデバイスの前記電気機械的特性及び/又は機能の影響を推定すること;
を包含する。
Claims (33)
- 半導体製造と連携して機能マイクロエレクトロニクスデバイスの歩留まりを促進する方法であって、半導体製造は、半導体ウェーハの複数の層からマイクロエレクトロニクスデバイスの集合を形成することを包含し、当該方法は、
前記半導体ウェーハの製造計測データを収集することであって、前記製造計測データは、前記半導体製造において形成された前記ウェーハの1つ以上の特性の測定値を包含し、且つ各測定値は、そのような測定が行われる前記ウェーハの前記複数の層の空間位置に関連付けられている、こと;
前記収集された製造計測データを少なくとも1つの計測データしきい値と比較することによって、前記半導体ウェーハの不適合を検出すること;
前記半導体ウェーハの、隣接性の所定の測定範囲内に入る前記検出した不適合の集合体を包含する不適合領域を識別することであって、前記不適合領域は、前記半導体ウェーハの一部の領域である、こと;
少なくとも部分的に前記不適合領域によって形成された前記マイクロエレクトロニクスデバイスの計画された電気機械的な機能性に対する、前記不適合領域の前記不適合に関して前記半導体製造におけるシステム全体の影響を決定すること;
前記不適合領域の前記不適合による前記システム全体の影響を下げるために前記半導体製造を変更すること;
を含む方法。 - 請求項1に記載の方法であって、前記半導体製造を変更することが、
少なくとも1つの半導体製造ツールを選択すること;
前記選択された半導体製造ツールの操作において少なくとも1つの変更を選択すること:
前記選択された半導体製造ツールの前記操作において前記選択された変更に従って、半導体ウェーハの製造をシミュレートすること;
前記シミュレートされた半導体ウェーハによって形成された前記マイクロエレクトロニクスデバイスの電気機械的特性及び/又は機能の影響を推定すること;
を包含する方法。 - 請求項1に記載の方法であって、前記半導体製造を変更することが:
複数の半導体製造ツールの組み合わせを選択すること;
前記選択された半導体製造ツールのそれぞれの操作における少なくとも1つの変更を選択すること;
前記選択された半導体製造ツールのそれぞれの前記操作における前記選択された変更に従って、半導体ウェーハの製造をシミュレートすること;
前記シミュレートされた半導体ウェーハによって形成された前記マイクロエレクトロニクスデバイスの電気機械的特性及び/又は機能の影響を推定すること;
を包含する方法。 - 請求項1に記載の方法であって、前記半導体製造を変更することは、少なくとも1つの半導体製造ツールの操作における少なくとも1つの変更を包含する、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記半導体製造を変更することは、選択された半導体製造ツールの少なくとも1つの操作における少なくとも1つの変更を包含する、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、半導体製造の1つ又は複数のツールが、蒸着ツール、トラックツール、フォトリソグラフィツール、エッチングツール、及びクリーニングツールからなる群から選択される、方法。
- 命令を含む非一時的なコンピュータ可読記憶媒体であって、前記命令が実行されると、コンピューティングデバイスのプロセッサに、半導体ウェーハの層(例えば、材料のパターンのスタック)からマイクロエレクトロニクスデバイスの集合体を形成することによって半導体製造と協働して操作を実行させ、前記操作は、
前記半導体ウェーハの製造計測データを収集することであって、前記製造計測データは、前記半導体製造において形成された前記ウェーハの1つ以上の特性の測定値を包含し、且つ各測定値は、そのような測定が行われる前記ウェーハの複数の層の空間位置に関連付けられている、こと;
前記収集された製造計測データを少なくとも1つの計測データしきい値と比較することによって、前記半導体ウェーハの不適合を検出すること;
前記半導体ウェーハの、隣接性の所定の測定範囲内に入る前記検出した不適合の集合体を包含する不適合領域を識別することであって、前記不適合領域は、前記半導体ウェーハの一部の領域である、こと;
少なくとも部分的に前記不適合領域によって形成された前記マイクロエレクトロニクスデバイスの計画された電気機械的な機能性に対する、前記不適合領域の前記不適合に関して前記半導体製造におけるシステム全体の影響を決定すること;
前記不適合領域の前記不適合による前記システム全体の影響を下げるために前記半導体製造を変更すること;
を含む、非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。 - 請求項7に記載の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体であって、前記半導体製造を変更することは、
少なくとも1つの半導体製造ツールを選択すること;
前記選択された半導体製造ツールの操作において少なくとも1つの変更を選択すること:
前記選択された半導体製造ツールの前記操作において前記選択された変更に従って、半導体ウェーハの製造をシミュレートすること;
前記シミュレートされた半導体ウェーハによって形成された前記マイクロエレクトロニクスデバイスの電気機械的特性及び/又は機能の影響を推定すること;
を包含する、非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。 - 請求項7に記載の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体であって、前記半導体製造を変更することは、
複数の半導体製造ツールの組み合わせを選択すること;
前記選択された半導体製造ツールのうちの少なくとも1つの半導体製造ツールの操作における少なくとも1つの変更を選択すること;
前記選択された半導体製造ツールのそれぞれの前記操作における前記選択された変更に従って、半導体ウェーハの製造をシミュレートすること;
前記シミュレートされた半導体ウェーハによって形成された前記マイクロエレクトロニクスデバイスの電気機械的特性及び/又は機能の影響を推定すること;
を包含する、非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。 - 請求項7に記載の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体であって、前記半導体製造を変更することは、少なくとも1つの半導体製造ツールの前記操作における少なくとも1つの変更を包含する、非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
- 請求項7に記載の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体であって、前記半導体製造を変更することは、選択された半導体製造ツールのそれぞれの前記操作における少なくとも1つの変更を包含する、非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
- 請求項7に記載の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体であって、前記半導体製造を変更することは、選択された半導体製造ツールのそれぞれの前記操作における少なくとも1つの変更を包含する、非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
- 請求項7に記載の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体であって、半導体製造の1つ又は複数のツールが、蒸着ツール、トラックツール、フォトリソグラフィツール、エッチングツール、及びクリーニングツールからなる群から選択される、非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
- 半導体製造と連携して機能マイクロエレクトロニクスデバイスの歩留まりを促進する方法であって、半導体製造は、半導体ウェーハの層からマイクロエレクトロニクスデバイスの集合を形成することを包含し、当該方法は、
前記半導体ウェーハの製造計測データを収集することであって、前記製造計測データは、前記半導体製造において形成された前記ウェーハの1つ以上の特性の測定値を包含し、且つ各測定値は、そのような測定が行われる前記ウェーハの複数の層の空間位置に関連付けられている、こと;
前記収集された製造計測データを少なくとも1つの計測データしきい値と比較することによって、前記半導体ウェーハの不適合を検出すること;
前記半導体ウェーハの、隣接性の所定の測定範囲内に入る前記検出した不適合の集合体を包含する不適合領域を識別することであって、前記不適合領域は、前記半導体ウェーハの一部の領域である、こと;
少なくとも部分的に前記不適合領域によって形成された前記マイクロエレクトロニクスデバイスの計画された電気機械的な機能性に対する、前記不適合領域の前記不適合に関して前記半導体製造におけるシステム全体の影響を決定すること;
を含む方法。 - 請求項14に記載の方法であって、前記製造計測データを収集することが、
製造される半導体の前記層として材料のパターンの共通のスタックを使用した複数の半導体ウェーハからの測定値;
エッジ配置エラー(EPE)、グリッド限界寸法(CD)測定値、ブロック線幅ラフネス(LWR)測定値、グリッドLWR測定値、ブロックCD測定値、プロファイル(すなわち、断面)、選択的蒸着;前記形成されたマイクロエレクトロニクスデバイスの電気的特性;コンタクトホールCD;コンタクトホールラフネス(CERと楕円率;チップ間の(tip-to-tip)距離が短いトレンチ;ラインの先端から先端までの距離;層間の(layer-to-layer)変位データ(すなわち、オーバーレイデータ);膜厚と均一性;単一のツールのアクション後に発生する測定値;単一層のすべてのツールの後に発生する測定値;複数の層の後に発生する測定値;及びそれらの組み合わせ;からなる群から選択される、製造計測データを測定すること及び/又は計算すること;
を包含する、方法。 - 請求項14に記載の方法であって、不適合は、測定可能である特性を持つ活性層のエリアであり、及び/又はそのような測定値が定義された範囲及び/又はしきい値の外にある、方法。
- 請求項14に記載の方法であって、前記マイクロエレクトロニクスデバイスの機能は、
物理的特性、その隣接するデバイスに対する配置/配向、及び物理的機能;
電気的特性、その隣接するデバイスとの電気的相互作用、及び電気的機能;
電気磁気特性、その隣接するデバイスとの相対的な電気磁気相互作用、及び電気磁気的機能;
その隣接するデバイスとの相対的な電気機械的相互作用、及び電気機械的機能;又は
それらの組み合わせ;
のうちの1つを包含する、方法。 - 請求項14に記載の方法であって、前記システム全体の影響の前記決定は、前記半導体ウェーハの前記不適合領域を有する1つの層の実際のパターンの電気機械的特性及び/又は機能性を推定することを包含する、方法。
- 請求項14に記載の方法であって、前記システム全体の影響の前記決定は、前記半導体ウェーハの前記不適合領域を有する少なくとも1つの層によって形成される前記マイクロエレクトロニクスデバイスの電気機械特性及び/又は機能のモデリングを包含する、方法。
- 請求項14に記載の方法であって、半導体製造の1つ又は複数のツールが、蒸着ツール、トラックツール、フォトリソグラフィツール、エッチングツール、及びクリーニングツールからなる群から選択される、方法。
- 半導体製造と連携して機能マイクロエレクトロニクスデバイスの歩留まりを促進する方法であって、半導体製造は、半導体ウェーハの層からマイクロエレクトロニクスデバイスの集合を形成することを包含し、当該方法は、
前記半導体ウェーハの製造計測データを収集することであって、前記製造計測データは、前記半導体製造において形成された前記ウェーハの1つ以上の特性の測定値を包含し、且つ各測定値は、そのような測定が行われる前記ウェーハの複数の層の空間位置に関連付けられている、こと;
前記半導体ウェーハの前記収集された製造計測データに基づいて前記半導体ウェーハのモデルを生成すること;
前記生成されたモデルに基づいて、前記収集された製造計測データを少なくとも1つの計測データしきい値と比較することによって前記半導体ウェーハの不適合を検出すること;
前記半導体ウェーハの、隣接性の所定の測定範囲内に入る前記検出した不適合の集合体を包含する不適合領域を識別することであって、前記不適合領域は、前記半導体ウェーハの一部の領域である、こと;
少なくとも部分的に前記不適合領域によって形成された前記マイクロエレクトロニクスデバイスの計画された電気機械的な機能性に対する、前記不適合領域の前記不適合に関して前記半導体製造におけるシステム全体の影響を決定すること;
を含む方法。 - 請求項21に記載の方法であって、前記製造計測データを収集することが、
製造される半導体の前記層として材料のパターンの共通のスタックを使用した複数の半導体ウェーハからの測定値;
エッジ配置エラー(EPE);グリッド限界寸法(CD)測定値;ブロック線幅ラフネス(LWR)測定値;グリッドLWR測定値;ブロックCD測定値;プロファイル;断面;選択的蒸着;前記形成されたマイクロエレクトロニクスデバイスの電気的特性;コンタクトホールCD;コンタクトホールラフネス;CERと楕円率;チップ間の(tip-to-tip)距離が短いトレンチ;ラインの先端から先端までの距離;層間の(layer-to-layer)変位データ;オーバーレイデータ;膜厚と均一性;単一のツールのアクション後に発生する測定値;単一層のすべてのツールの後に発生する測定値;複数の層の後に発生する測定値;及びそれらの組み合わせ;からなる群から選択される、製造計測データを測定すること及び/又は計算すること;
を包含する。 - 請求項21に記載の方法であって、不適合は、測定可能である特性を持つ活性層のエリアであり、及び/又はそのような測定値が定義された範囲及び/又はしきい値の外にある、方法。
- 前記半導体ウェーハの前記収集された製造計測データの視覚化を形成することをさらに含む、請求項21に記載の方法。
- 請求項24に記載の方法であって、前記視覚化の前記形成は、製造計測データの測定された及び/又は計算された範囲に関連する、前記ウェーハの特定の位置に対応する特定の色及び/又は陰影を有する前記ウェーハの画像を生成することを包含する、方法。
- 請求項24に記載の方法であって、前記視覚化の前記形成は、前記不適合領域に関連付けられる、前記ウェーハの特定の位置に対応する特定の色及び/又は陰影を有する前記ウェーハの画像を生成することを包含する、方法。
- 命令を含む非一時的なコンピュータ可読記憶媒体であって、前記命令が実行されると、コンピューティングデバイスのプロセッサに、半導体ウェーハの層からマイクロエレクトロニクスデバイスの集合を形成することにより、半導体製造と協働して操作を実行させ、前記操作は、
前記半導体ウェーハの製造計測データを収集することであって、前記製造計測データは、前記半導体製造において形成された前記ウェーハの1つ以上の特性の測定値を包含し、且つ各測定値は、そのような測定が行われる前記ウェーハの複数の層の空間位置に関連付けられていること;
前記半導体ウェーハの前記収集された製造計測データに基づいて前記半導体ウェーハのモデルを生成すること;
前記生成されたモデルに基づいて、前記収集された製造計測データを少なくとも1つの計測データしきい値と比較することによって前記半導体ウェーハの不適合を検出すること;
前記半導体ウェーハの、隣接性の所定の測定範囲内に入る前記検出した不適合の集合体を包含する不適合領域を識別することであって、前記不適合領域は、前記半導体ウェーハの一部の領域である、こと;
少なくとも部分的に前記不適合領域によって形成された前記マイクロエレクトロニクスデバイスの計画された電気機械的な機能性に対する、前記不適合領域の前記不適合に関して前記半導体製造におけるシステム全体の影響を決定すること;
を含む、非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。 - 前記半導体ウェーハの前記収集された製造計測データの視覚化を形成することをさらに含む、請求項27に記載の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
- 請求項28に記載の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体であって、前記形成操作は、製造計測データの範囲の測定及び/又は計算に関連する、前記ウェーハの特定の位置に対応する特定の色及び/又は陰影を有する前記ウェーハの画像を生成することを包含する、非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
- 請求項28に記載の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体であって、前記形成操作は、前記不適合領域に関連する、前記ウェーハの特定の位置に対応する特定の色及び/又は陰影を有する前記ウェーハの画像を生成することを包含する、非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
- 方法であって、
半導体ウェーハの製造計測データを収集することであって、前記製造計測データは、半導体製造において形成された前記ウェーハの1つ以上の特性の測定値を包含し、且つ各測定値は、そのような測定が行われる前記ウェーハの複数の層の空間位置に関連付けられている、こと;
前記半導体ウェーハの前記収集された製造計測データに基づいて前記半導体ウェーハのモデルを生成すること;
前記生成されたモデルに基づいて、前記収集された製造計測データを少なくとも1つの計測データしきい値と比較することによって前記半導体ウェーハの不適合を検出すること;
前記半導体ウェーハの、隣接性の所定の測定範囲内に入る前記検出した不適合の集合体を包含する不適合領域を識別することであって、前記不適合領域は、前記半導体ウェーハの一部の領域である、こと;
少なくとも部分的に前記不適合領域によって形成されたマイクロエレクトロニクスデバイスの計画された電気機械的な機能性に対する、前記不適合領域の前記不適合に関して前記半導体製造におけるシステム全体の影響を決定すること;
を含む、方法。 - 半導体ウェーハの前記収集された製造計測データの視覚化を行うことをさらに含む、請求項31に記載の方法。
- 請求項32に記載の方法であって、前記視覚化が、製造計測データの測定された及び/又は計算された範囲に関連する、前記ウェーハの特定の位置に対応する特定の色及び/又は陰影を有する前記ウェーハの画像を生成することを包含する、方法。
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201762581535P | 2017-11-03 | 2017-11-03 | |
US62/581,535 | 2017-11-03 | ||
US201862753155P | 2018-10-31 | 2018-10-31 | |
US201862753153P | 2018-10-31 | 2018-10-31 | |
US62/753,153 | 2018-10-31 | ||
US62/753,155 | 2018-10-31 | ||
PCT/US2018/059019 WO2019090122A1 (en) | 2017-11-03 | 2018-11-02 | Enhancement of yield of functional microelectronic devices |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021502694A JP2021502694A (ja) | 2021-01-28 |
JP7300597B2 true JP7300597B2 (ja) | 2023-06-30 |
Family
ID=66327085
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020524618A Active JP7300597B2 (ja) | 2017-11-03 | 2018-11-02 | 機能性マイクロ電子デバイスの歩留まりの向上 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11435393B2 (ja) |
EP (1) | EP3704734A4 (ja) |
JP (1) | JP7300597B2 (ja) |
KR (1) | KR102658977B1 (ja) |
CN (1) | CN111316412A (ja) |
TW (2) | TWI813595B (ja) |
WO (1) | WO2019090122A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11435393B2 (en) | 2017-11-03 | 2022-09-06 | Tokyo Electron Limited | Enhancement of yield of functional microelectronic devices |
US10867877B2 (en) * | 2018-03-20 | 2020-12-15 | Kla Corporation | Targeted recall of semiconductor devices based on manufacturing data |
US11244873B2 (en) | 2018-10-31 | 2022-02-08 | Tokyo Electron Limited | Systems and methods for manufacturing microelectronic devices |
US11868119B2 (en) | 2021-09-24 | 2024-01-09 | Tokyo Electron Limited | Method and process using fingerprint based semiconductor manufacturing process fault detection |
WO2023091321A1 (en) * | 2021-11-17 | 2023-05-25 | Coventor, Inc. | System and method for performing hole profile modeling in a virtual fabrication environment |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002039801A (ja) | 2000-06-08 | 2002-02-06 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 特性値表示方法および特性値表示装置 |
WO2014024178A1 (en) | 2012-08-08 | 2014-02-13 | Dsp Group Ltd. | Method of improving wafer yield |
JP2014187211A (ja) | 2013-03-22 | 2014-10-02 | Toshiba Corp | 電子デバイスの製造支援システム、製造支援方法及び製造支援プログラム |
JP2014529909A (ja) | 2011-09-01 | 2014-11-13 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 問題のある高度プロセス制御パラメータの検出及び訂正のための方法及びシステム |
US20150006097A1 (en) | 2013-06-26 | 2015-01-01 | Kla-Tencor Corporation | Calculated Electrical Performance Metrics For Process Monitoring And Yield Management |
Family Cites Families (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10335193A (ja) * | 1997-05-30 | 1998-12-18 | Toshiba Corp | 製造工程仕様作成運営システム、プロセスデータ作成システム及び半導体装置の製造方法 |
US6408219B2 (en) | 1998-05-11 | 2002-06-18 | Applied Materials, Inc. | FAB yield enhancement system |
US6834375B1 (en) * | 1999-11-18 | 2004-12-21 | Pdf Solutions, Inc. | System and method for product yield prediction using a logic characterization vehicle |
US6684122B1 (en) | 2000-01-03 | 2004-01-27 | Advanced Micro Devices, Inc. | Control mechanism for matching process parameters in a multi-chamber process tool |
US7494749B2 (en) * | 2000-02-04 | 2009-02-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Photolithography using interdependent binary masks |
WO2002011183A2 (en) * | 2000-07-31 | 2002-02-07 | Ade Corporation | Shape accuracy improvement using a novel calibration approach |
US7280945B1 (en) * | 2001-10-17 | 2007-10-09 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for detection of systematic defects |
US6954883B1 (en) * | 2002-01-11 | 2005-10-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for performing fault detection using data from a database |
US7119351B2 (en) * | 2002-05-17 | 2006-10-10 | Gsi Group Corporation | Method and system for machine vision-based feature detection and mark verification in a workpiece or wafer marking system |
US6912437B2 (en) * | 2002-09-30 | 2005-06-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for controlling a fabrication process based on a measured electrical characteristic |
US7085676B2 (en) | 2003-06-27 | 2006-08-01 | Tokyo Electron Limited | Feed forward critical dimension control |
JP4455936B2 (ja) * | 2003-07-09 | 2010-04-21 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法とエッチングシステム |
US7482178B2 (en) | 2003-08-06 | 2009-01-27 | Applied Materials, Inc. | Chamber stability monitoring using an integrated metrology tool |
DE102004054566B4 (de) * | 2004-11-11 | 2008-04-30 | Siltronic Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Einebnen einer Halbleiterscheibe sowie Halbleiterscheibe mit verbesserter Ebenheit |
US7386418B2 (en) * | 2004-12-13 | 2008-06-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Yield analysis method |
US7485548B2 (en) * | 2006-03-10 | 2009-02-03 | Micron Technology, Inc. | Die loss estimation using universal in-line metric (UILM) |
US20080248412A1 (en) | 2007-04-09 | 2008-10-09 | John Douglas Stuber | Supervisory etch cd control |
US20090089024A1 (en) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Chung-Ho Huang | Methods and arrangement for creating models for fine-tuning recipes |
US8357286B1 (en) * | 2007-10-29 | 2013-01-22 | Semcon Tech, Llc | Versatile workpiece refining |
TWI416361B (zh) * | 2009-04-15 | 2013-11-21 | Inotera Memories Inc | 評估用以分析生產良率的資料價值之方法 |
US8041451B2 (en) * | 2009-04-21 | 2011-10-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for bin-based control |
US8559001B2 (en) * | 2010-01-11 | 2013-10-15 | Kla-Tencor Corporation | Inspection guided overlay metrology |
JP2012237566A (ja) | 2011-05-10 | 2012-12-06 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥観察方法及びその装置 |
US9129237B2 (en) * | 2011-12-28 | 2015-09-08 | Elitetech Technology Co., Ltd. | Integrated interfacing system and method for intelligent defect yield solutions |
US9546862B2 (en) | 2012-10-19 | 2017-01-17 | Kla-Tencor Corporation | Systems, methods and metrics for wafer high order shape characterization and wafer classification using wafer dimensional geometry tool |
US8839159B2 (en) * | 2013-01-17 | 2014-09-16 | International Business Machine Corporation | Determining overall optimal yield point for a semiconductor wafer |
US20140282327A1 (en) * | 2013-03-14 | 2014-09-18 | Nvidia Corporation | Cutter in diagnosis (cid) a method to improve the throughput of the yield ramp up process |
CN105849643B (zh) * | 2013-12-17 | 2019-07-19 | Asml荷兰有限公司 | 良品率估计和控制 |
US9470743B2 (en) * | 2014-03-04 | 2016-10-18 | Nvidia Corporation | Dynamic yield prediction |
US10483081B2 (en) * | 2014-10-22 | 2019-11-19 | Kla-Tencor Corp. | Self directed metrology and pattern classification |
US9747520B2 (en) | 2015-03-16 | 2017-08-29 | Kla-Tencor Corporation | Systems and methods for enhancing inspection sensitivity of an inspection tool |
KR102441582B1 (ko) | 2015-07-23 | 2022-09-07 | 삼성전자주식회사 | Mpc 검증 방법 및 그 검증 방법을 포함한 마스크 제조방법 |
US10078269B2 (en) * | 2015-10-02 | 2018-09-18 | Nikon Corporation | Array of encoders for alignment measurement |
US10648924B2 (en) * | 2016-01-04 | 2020-05-12 | Kla-Tencor Corp. | Generating high resolution images from low resolution images for semiconductor applications |
US10181185B2 (en) | 2016-01-11 | 2019-01-15 | Kla-Tencor Corp. | Image based specimen process control |
US10310490B2 (en) | 2016-02-01 | 2019-06-04 | Qoniac Gmbh | Method and apparatus of evaluating a semiconductor manufacturing process |
US10234401B2 (en) | 2016-02-22 | 2019-03-19 | Qoniac Gmbh | Method of manufacturing semiconductor devices by using sampling plans |
US10354873B2 (en) | 2016-06-08 | 2019-07-16 | Tokyo Electron Limited | Organic mandrel protection process |
EP3382606A1 (en) | 2017-03-27 | 2018-10-03 | ASML Netherlands B.V. | Optimizing an apparatus for multi-stage processing of product units |
US10546085B2 (en) * | 2017-04-12 | 2020-01-28 | Anchor Semiconductor Inc. | Pattern centric process control |
US10727142B2 (en) | 2017-05-30 | 2020-07-28 | Kla-Tencor Corporation | Process monitoring of deep structures with X-ray scatterometry |
US11435393B2 (en) * | 2017-11-03 | 2022-09-06 | Tokyo Electron Limited | Enhancement of yield of functional microelectronic devices |
US11244873B2 (en) * | 2018-10-31 | 2022-02-08 | Tokyo Electron Limited | Systems and methods for manufacturing microelectronic devices |
-
2018
- 2018-11-02 US US16/179,526 patent/US11435393B2/en active Active
- 2018-11-02 CN CN201880070921.1A patent/CN111316412A/zh active Pending
- 2018-11-02 EP EP18872757.2A patent/EP3704734A4/en active Pending
- 2018-11-02 WO PCT/US2018/059019 patent/WO2019090122A1/en unknown
- 2018-11-02 TW TW107138952A patent/TWI813595B/zh active
- 2018-11-02 JP JP2020524618A patent/JP7300597B2/ja active Active
- 2018-11-02 US US16/179,492 patent/US11346882B2/en active Active
- 2018-11-02 KR KR1020207015979A patent/KR102658977B1/ko active IP Right Grant
- 2018-11-02 TW TW107138959A patent/TWI797187B/zh active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002039801A (ja) | 2000-06-08 | 2002-02-06 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 特性値表示方法および特性値表示装置 |
JP2014529909A (ja) | 2011-09-01 | 2014-11-13 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 問題のある高度プロセス制御パラメータの検出及び訂正のための方法及びシステム |
WO2014024178A1 (en) | 2012-08-08 | 2014-02-13 | Dsp Group Ltd. | Method of improving wafer yield |
JP2014187211A (ja) | 2013-03-22 | 2014-10-02 | Toshiba Corp | 電子デバイスの製造支援システム、製造支援方法及び製造支援プログラム |
US20150006097A1 (en) | 2013-06-26 | 2015-01-01 | Kla-Tencor Corporation | Calculated Electrical Performance Metrics For Process Monitoring And Yield Management |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102658977B1 (ko) | 2024-04-18 |
EP3704734A1 (en) | 2020-09-09 |
US20190139798A1 (en) | 2019-05-09 |
TWI797187B (zh) | 2023-04-01 |
JP2021502694A (ja) | 2021-01-28 |
KR20200067933A (ko) | 2020-06-12 |
CN111316412A (zh) | 2020-06-19 |
US11435393B2 (en) | 2022-09-06 |
WO2019090122A1 (en) | 2019-05-09 |
US20190137565A1 (en) | 2019-05-09 |
TW201931483A (zh) | 2019-08-01 |
US11346882B2 (en) | 2022-05-31 |
EP3704734A4 (en) | 2021-08-11 |
TWI813595B (zh) | 2023-09-01 |
TW201931180A (zh) | 2019-08-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7300597B2 (ja) | 機能性マイクロ電子デバイスの歩留まりの向上 | |
TWI668518B (zh) | 獲得量測的方法、用於執行處理步驟的設備、度量衡設備、器件製造方法 | |
US9442392B2 (en) | Scanner overlay correction system and method | |
JP5466715B2 (ja) | マスク−ウエハ間の相関をとる方法及びマスク−ウエハ間の相関をとるための構造パターンを有するマスク | |
CN110546574B (zh) | 维护工艺指印集合 | |
TW201921167A (zh) | 判定圖案化製程之校正之方法、元件製造方法、用於微影裝置之控制系統及微影裝置 | |
KR102399364B1 (ko) | 기판 제조 동안의 피처 토포그래피에 대한 스핀 코트 평탄화의 용이화 | |
CN108231663A (zh) | 制作半导体装置的方法 | |
KR20190026958A (ko) | 제조 공정에서 기판 상의 패턴들의 포지셔닝을 제어하기 위한 방법 및 컴퓨터 프로그램 제품 | |
KR20190137132A (ko) | 리소그래피 프로세스의 최적화를 위한 방법 및 장치 | |
JP7423874B2 (ja) | マイクロ電子デバイスを製造するためのシステム及び方法 | |
CN112882346B (zh) | 套刻补偿的方法及其系统 | |
US8443309B2 (en) | Multifeature test pattern for optical proximity correction model verification | |
US8229205B2 (en) | Pattern matching method in manufacturing semiconductor memory devices | |
Patel et al. | Comparative study of line width roughness (LWR) in next-generation lithography (NGL) processes | |
TWI681479B (zh) | 用於分析半導體晶圓之處理的方法及裝置 | |
JP4562716B2 (ja) | 半導体デバイス製造におけるフォトリソグラフィ法 | |
JP2023513667A (ja) | マルチステッププロセス検査方法 | |
CN110807273A (zh) | 基于半导体晶片的局部畸变的确定的全局晶片畸变的改善 | |
JP2008058961A (ja) | リソグラフィプロセスにおけるレジストの限界寸法の変動の修正 | |
KR100818388B1 (ko) | 반도체 소자의 패턴 임계치수 제어 방법 | |
Holmes et al. | Engine for characterization of defects, overlay, and critical dimension control for double exposure processes for advanced logic nodes | |
CN117813555A (zh) | 用于对衬底区域上的测量数据进行建模的方法及相关联的设备 | |
TW201916235A (zh) | 用於在製造過程中控制基板上圖案之定位的方法及電腦程式產品 | |
KR20080108788A (ko) | 노광마스크 및 반도체 소자의 두께 측정 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211026 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221108 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230123 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230214 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230419 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230509 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20230523 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230523 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7300597 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |