JP7300370B2 - 半導体装置の駆動装置および駆動方法、並びに電力変換装置 - Google Patents
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Description
2 デジタル制御部
2a 学習部
2b 演算部
3 アナログ出力部
4 アナログ信号入力部
5 データ入力部
6 学習データセット
7 信号分配器
10a,10b 電圧制御回路
100 パワーユニット
101,101a,101b IGBT
102,102a,102b 還流ダイオード
103 フィルタコンデンサ
104,104a,104b ゲート駆動装置
105 指令論理部
106 モータ
109 恒温槽
110 計測装置
111 処理装置
Claims (6)
- 電力変換装置におけるアームを構成する半導体装置を駆動する半導体装置の駆動装置において、
前記半導体装置の制御端子に制御電流を出力する出力部を備え、
前記出力部は、前記半導体装置の動作状態に応じて、前記アームにおける還流ダイオードの逆回復時の電圧変化率の大きさが、モータ駆動システム側からの要求に応じた所定の一定値になるように、前記制御電流の大きさを制御し、
前記動作状態に応じて、前記アームにおける前記還流ダイオードの逆回復時の前記電圧変化率の大きさが前記一定値になるように、制御電流指令を作成する演算部を備え、
前記出力部は、前記制御電流指令に応じて、前記制御電流を出力し、
前記演算部は、前記電圧変化率を前記一定値にするような前記制御電流と、前記動作状態との関係を表す線形モデルに基づいて、前記制御電流指令を作成し、
前記線形モデルを学習する学習部を備え、
前記学習部は、前記動作状態を変えながら、前記電圧変化率が前記一定値に一致する前記制御電流を計測して取得される、前記動作状態と前記制御電流とのデータセットに適合する前記線形モデルを学習し、
前記動作状態は、前記半導体装置の電圧、電流および温度であり、
前記線形モデルは、前記動作状態を特徴量とし、前記特徴量の線形和として表され、
前記学習部は、回帰分析により前記線形和として表される前記線形モデルを学習し、
前記演算部は、前記学習部が学習する前記線形モデルに基づいて前記制御電流指令を作成することを特徴とする半導体装置の駆動装置。 - 請求項1に記載の半導体装置の駆動装置において、
前記動作状態を検出するセンシング部を備え、
前記出力部は、前記センシング部によって検出される前記動作状態に応じて、前記電圧変化率の大きさが前記一定値になるように、前記制御電流を出力し、
前記センシング部は、
前記電圧を検出するために、前記半導体装置の印加電圧、または前記電力変換装置の電源電圧を検出し、
前記電流を検出するために、前記半導体装置に流れる電流、もしくは負荷電流を検出し、
前記温度を検出するために、前記半導体装置の温度、もしくは前記半導体装置の温度依存性電気的特性パラメータTSEPを検出することを特徴とする半導体装置の駆動装置。 - 請求項1に記載の半導体装置の駆動装置において、
前記出力部は、前記制御端子と制御電源電位との間に接続される複数のスイッチング素子を備え、前記複数のスイッチング素子の内、オンするスイッチング素子を変更することにより前記制御電流を制御することを特徴とする半導体装置の駆動装置。 - 請求項1に記載の半導体装置の駆動装置において、
前記出力部は、制御電源電位の大きさを変更することにより前記制御電流を制御することを特徴とする半導体装置の駆動装置。 - 電力変換装置におけるアームを構成する半導体装置を駆動する半導体装置の駆動方法において、
前記半導体装置の動作状態に応じて、前記アームにおける還流ダイオードの逆回復時の電圧変化率の大きさが、、モータ駆動システム側からの要求に応じた所定の一定値になるように、前記電圧変化率を前記一定値にするような制御電流と、前記動作状態との関係を表す線形モデルに基づいて、前記半導体装置の制御端子への前記制御電流の大きさを制御し、
前記線形モデルは、前記動作状態を変えながら、前記電圧変化率が前記一定値に一致する前記制御電流を計測して取得される、前記動作状態と前記制御電流とのデータセットに適合し、
前記動作状態は、前記半導体装置の電圧、電流および温度であり、
前記線形モデルは、前記動作状態を特徴量とし、前記特徴量の線形和として表され、回帰分析により学習されることを特徴とする半導体装置の駆動方法。 - 上下一対のアームを備える電力変換装置において、
前記上下一対のアームの内、上アームを構成する第1半導体装置を駆動する第1駆動装置と、
前記上下一対のアームの内、下アームを構成する第2半導体装置を駆動する第2駆動装置と、
を備え、
前記第1駆動装置および前記第2駆動装置は、請求項1に記載される半導体装置の駆動装置からなることを特徴とする電力変換装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019200506A JP7300370B2 (ja) | 2019-11-05 | 2019-11-05 | 半導体装置の駆動装置および駆動方法、並びに電力変換装置 |
EP20203514.3A EP3820046A1 (en) | 2019-11-05 | 2020-10-23 | Driving device and driving method of semiconductor device, and power conversion device |
CN202011217236.2A CN112787489B (zh) | 2019-11-05 | 2020-11-04 | 半导体装置的驱动装置及驱动方法和电力变换装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019200506A JP7300370B2 (ja) | 2019-11-05 | 2019-11-05 | 半導体装置の駆動装置および駆動方法、並びに電力変換装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021078166A JP2021078166A (ja) | 2021-05-20 |
JP7300370B2 true JP7300370B2 (ja) | 2023-06-29 |
Family
ID=73014267
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019200506A Active JP7300370B2 (ja) | 2019-11-05 | 2019-11-05 | 半導体装置の駆動装置および駆動方法、並びに電力変換装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP3820046A1 (ja) |
JP (1) | JP7300370B2 (ja) |
CN (1) | CN112787489B (ja) |
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-
2019
- 2019-11-05 JP JP2019200506A patent/JP7300370B2/ja active Active
-
2020
- 2020-10-23 EP EP20203514.3A patent/EP3820046A1/en active Pending
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Publication number | Publication date |
---|---|
CN112787489A (zh) | 2021-05-11 |
CN112787489B (zh) | 2023-10-03 |
JP2021078166A (ja) | 2021-05-20 |
EP3820046A1 (en) | 2021-05-12 |
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