CN105137160A - 电流或者电压的感测 - Google Patents

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Abstract

本发明的各个实施例涉及电流或者电压的感测。一个示例涉及一种电路，该电路包括电子开关元件和温度补偿元件，该温度补偿元件布置在该电子开关元件的附近。

Description

电流或者电压的感测
技术领域
本公开的各个实施例涉及电流或者电压的感测，尤其涉及宽温度范围内的改进型感测。
发明内容
第一实施例涉及一种电路，该电路包括电子开关元件温度补偿元件，该温度补偿元件布置在该电子开关元件的附近。
第二实施例涉及一种用于感测电流或者电压的方法，该方法包括以下步骤：
—经由在本文中描述的电路，确定电压或者电流是否达到或者超过预定阈值；
—如果该电压或者该电流达到或者超过了预定阈值，那么进行预定动作。
第三实施例涉及一种用于电压或者电流的感测的电路，该电路包括：
—电子开关元件和温度补偿元件，该温度补偿元件布置在该电子开关元件的附近，
—用于基于经由该温度补偿元件感测到的电压或者电流来确定电压或者电流是否达到或者超过预定阈值的装置，
—用于如果该电压或者该电流达到或者超过了预定阈值那么进行预定动作的装置。
附图说明
参考附图对各个实施例进行示出和图示。附图用于图示基本原理，因而仅仅对理解基本原理所需的各个方面进行了图示。附图未按比例绘制。在附图中，相同的附图标记表示类似的特征。
图1示出了在单元101中包括了与作为温度依赖器件的电阻器组合的两个晶体管的示例性电路图；
图2示出了基于图1的示例性电路图，其中与图1形成对照的是，使用了具有负温度系数的电阻器；
图3示出了包括具有两个晶体管和作为温度依赖器件的电阻器的单元的示意图，具有用于确定温度补偿型电流或者电压并且因此采取行动的附接电路系统；
图4示出了包括高侧单元和低侧单元的IGBT半桥布置的电路系统，这两个单元均经由微控制器以隔离的方式控制；
图5示出了在图4中采用的驱动器的示意图。
具体实施方式
在许多功率电子电路(例如，DA/AC逆变器、DC/DC转换器等)中，需要对电流进行测量。例如，电流信息可以用于过电流保护、短路检测和/或任何其他控制功能(例如，电流模式控制)。
为了获得该电流信息，可以在MOSFET、JFET或者IGBT内部集成电流感测场。该电流感测场生成与负载电流成正比但是小于负载电流的电流。感测电流的大小可以取决于感测单元比(例如，面积比)并且取决于温度。这类温度依赖性导致感测电流的明显变化，尤其是在MOSFET、JFET或者IGBT的温度通常不可知的情况下。
然后可以进一步处理感测到的电流，以获得实际电流信息，例如，经由感测电阻器、运算放大器、施密特(Schmitt)触发器等。
嵌入式电流感测场的精确度随温度而变化。特别是在从例如-40℃到150℃范围内的宽温度范围应用中，精确度变化可以是明显的，这可以降低可靠性，并且因此降低该电流感测机构针对检测、保护和/或控制目的的可用性。
例如，短路检测电路在温度150℃下通常可以在420A下触发，与在温度-40℃下通常可以在550A下触发形成对照。因此，温度漂移可以引起130A的电流差。显而易见的是，短路电流达到420A比其达到550A更早。这转化为更长的短路脉冲、更大的电流幅度、更多的功率损耗、以及更多的短路能量，这可以使晶体管和整个电路暴露于大量的附加的由于温度变化所造成的电应力和热应力。
在本文中提供的各个示例尤其具有对感测电流或者感测电压的自身固有温度补偿，优选地在半导体内部连同电流感测场。因此，不要求附加的补偿和进一步的复杂信号处理。
在本文中展示的各个示例具有的优点在于可以在短时间内感测到电流，例如，在微秒内，以实现快速(例如，实时)响应。这类快速电流感测可能针对短路检测目的尤其有利。而且，针对成本、要求的空间和添加的功率损耗，该方案也是有效的。
在本文中建议的各个方案尤其可以用于短路检测、过载保护和/或电流模式控制。各个应用可以是(但不限于)电机驱动、空调压缩机、泵等。这类应用可以针对明显温度变化而设计，例如，在从25℃至175℃的范围内。
根据一个示例，可以经由附加元件(例如，电阻器)对晶体管(例如，IGBT或者MOSFET)的温度依赖性进行至少部分地补偿。该附加元件可以嵌入在晶体管中，并且其可以暴露于与该晶体管基本上相同的温度。附加元件可以与电流传感器(例如，电流感测电阻器)串联连接。
这允许补偿或者至少降低，包括晶体管的电路系统的温度依赖性。附加元件可以是温度依赖器件，也称为温度补偿元件。该温度补偿元件可以至少部分地补偿基于温度变化的电流波动。
示例性实施例：具有正温度系数的附加元件
根据一个示例，温度依赖器件可以具有正温度系数，即，当温度增加时，温度依赖器件的特性参数也增加。如果温度依赖器件是电阻器，那么电阻随着温度的增加而升高，并且电阻随着温度的降低而下降。
优选地，温度依赖器件，例如，具有正温度系数的电阻器，可以布置为非常接近电流传感器。
图1示出了在单元101中包括了与作为温度依赖器件的电阻器R3组合的两个晶体管Q1和Q2的示例性电路图。电阻器R3可以具有正温度系数并且其可以与晶体管Q1和Q2嵌入在一起。晶体管Q1和Q2可以是部署在相同硅片上的IGBT或者MOSFET。晶体管Q1和Q2可以共用功能单元，该功能单元可以布置在公共(例如，发射极)区域上。功能单元可以包括众多的功能元件，这些功能元件可以根据预定比例(例如，1:10000)分开。因此，晶体管Q1可以用作与晶体管Q2相比承载明显更小电流量的电流传感器。晶体管Q1和Q2可以是分立式晶体管，其中每一个晶体管都可以具有分开的发射极焊盘或者分开的源极焊盘。晶体管Q1和Q2尤其可以部署在单个芯片或者裸片上。
功能单元可以基于结构，尤其是基于器件的区域。该区域可以包括下列各项中的至少一项：栅极-源极区域、基极-发射极区域、IGBT单元、IGBT条纹等。而且，也可以使用上述的组合作为区域。
根据图1，IGBTQ1的栅极与IGBTQ2的栅极连接。IGBTQ1和Q2的集电极相连接，并且进一步连接至负载R2。IGBTQ1的发射极经由电阻器R4(感测电阻器)连接至接地。IGBTQ2的发射极连接至接地。IGBTQ1的栅极经由电压源V1和电阻器R1而被控制，并且负载R2经由电感器L进一步连接至电压源V2。电压源V1和V2、以及与电感器L组合的负载R2，仅仅是可以其中可以采用单元101的电路系统的示例性元件。负载R2和电感器L的组合也称为R-L-负载。
电阻器R3可以实现为温度补偿元件，电阻器R3显示出电阻随着温度的增加而增加。因此，可以在电阻器R3与R4之间的节点处确定的电压(即，作为跨电阻器R4的电压，该电压与流经电流感测电阻器R4的电流成正比)大体上不被温度变化所偏置。
电阻器R4尤其可以与单元101分开部署，尤其是部署在包括单元101的芯片之外。
电阻器R3可以与IGBTQ1和Q2一起集成在单元101中。电阻器R3的温度系数可以为正，基本上是线性的(尤其对应于在IGBTQ1的集电极与发射极之间的电压的温度系数)，并且优选地是大的。
有利地，电阻器的温度系数可以超过100K至少+60％。例如，电阻器R3可以包括例如镍(超过100K67％)。它在温度25℃下可以具有介于1Ohm到10Ohm范围内的电阻值。电阻器R3的精确度可以尽可能高，尤其是优于5％。电阻器R3可以包括：例如，铝、掺杂多晶硅、锗(超过100K100％)、钛、氮化钛、钨、钨化钛、钽、氮化钽和/或铜。注意，电阻器R3尤其可以包括可以用作阻挡层的材料。
当IGBT的温度增加时，集电极-发射极饱和电压VCEsat增加。当MOSFET的温度增加时，由于不断增加的电阻RDSon的影响，漏极-源极电压增加。
该电阻器R3可以承载感测电流(例如，高达100mA)。因此，可以相应地调节电阻器R3。另外，可以例如经由晶体管Q1和Q2的功能单元，来调节电流感测比，以减小感测电流量，并且因此避免在电阻器R3处的任何过载情况。例如，晶体管Q1和Q2的功能单元可以按1:10000(其中晶体管Q1具有更少量的功能单元)的比例不同，以便允许与流经负载和晶体管Q2的电流相比的小感测电流。
作为一个示例，电阻器R3可以实施为电阻性(resistive)元件，例如，在芯片上的电阻性层。电阻性元件可以包括铝、镍、钨、铁等。电阻性元件优选地非常接近晶体管Q1。电阻性元件可以是局部集中的元件或者在某种程度上遍布电路系统。
图3示出了包括具有两个晶体管Q1和Q2和作为温度依赖器件的电阻器R6的单元310(其可以与在图1中示出的单元101相似或者相同)的示意图。电阻器R6可以具有正温度系数，并且其可以与晶体管Q1和Q2一起嵌入。晶体管Q1和Q2可以是部署在相同硅片上的IGBT或者MOSFET。单元310包括：
—栅极端子G，其联接至晶体管Q1的栅极，并且连接至晶体管Q2的栅极，
—集电极端子C，其联接至晶体管Q1的集电极，并且连接至晶体管Q2的集电极，
—感测发射极端子Es，其经由电阻器R6连接至晶体管Q1的发射极，以及
—发射极端子E，其连接至晶体管Q2的发射极。
感测发射极端子Es经由电阻器R7连接至接地，并且经由电阻器R8连接至运算放大器301的非反相输入。运算放大器301的非反相输入经由电阻器R13连接至节点306。发射极端子E连接至接地。而且，发射极端子E经由电阻器R9连接至运算放大器301的反相输入。运算放大器301的反相输入及其输出经由电阻器R10连接。运算放大器301的输出连接至节点303。
运算放大器301的输出进一步连接至比较器302的第一输入(例如，第二运算放大器的非反相输入)，并且节点304连接至比较器302的第二输入(例如，第二运算放大器的反相输入)。比较器302的输出连接至节点305。
在图3中所指示的节点，例如，节点303至306，可以实现为连接点，例如，管脚或者端子。
跨电阻器R7的电压与经由感测发射极端子Es供应的电流成正比。可以在节点306处提供参考电压，并且节点303可以连接至模数转换器(ADC)或者微控制器以便进一步处理。电阻器R10和R13可以用作反馈电阻器，并且电阻器R8和R9是用于运算放大器301的输入电阻器。
可以经由节点304向比较器302供应可调节或者预定的过电流阈值电压。节点305可以连接至错误逻辑(errorlogic)或者微控制器，以便进一步处理。这类进一步处理可以包括下列各项中至少一项：设置警告标志；使错误计数器增加；断开已经确定具有过电流的晶体管；断开至少一个附加晶体管。
在发射极端子E处，可以提供在50A至500A范围内的负载电流，然而在感测发射极端子Es处，可以提供该负载电流的一部分，即，在从1mA至100mA范围内的感测电流。这些电流之间的分数可以达到1:1000或者1:5000。注意，这些数字仅仅是示例。因此，也可以采用不同的电流量和/或分数。
图4示出了包括高侧单元410a和低侧单元410b的IGBT半桥布置的电路系统。单元410a和410b可以具有与在图3中示出的单元310相同的结构。
节点409连接至单元410a的集电极端子C，单元410a的发射极端子E连接至单元410b的集电极端子C，并且单元410b的发射极端子E连接至接地。高侧二极管401跨单元410a的集电极端子C和发射极端子E连接，其中二极管401的阴极朝向集电极端子C。低侧二极管402跨单元410b的集电极端子C和发射极端子E连接，其中二极管402的阴极朝向集电极端子C。
图4示出了高侧驱动器403a和低侧驱动器403b，该高侧驱动器403a和低侧驱动器403b可以具有相同的结构。参照图5示出并且更加详细地阐释了驱动器403a和驱动器403b的示例性实施方式。驱动器403a和驱动器403b中的每一个都包括端子404至407。
单元410a的栅极端子G连接至驱动器403a的端子406。单元410a的感测发射极端子Es连接至驱动器403a的端子404。单元410a的发射极端子E连接至驱动器403a的端子405。电阻器R11(感测电阻器)连接在驱动器403a的端子404与405之间。驱动器403a的端子407连接至微控制器408。单元410b的栅极端子G连接至驱动器403b的端子406。单元410b的感测发射极端子Es连接至驱动器403b的端子404。单元410b的发射极端子E连接至驱动器403b的端子405。电阻器R12(感测电阻器)连接在驱动器403b的端子404与405之间。驱动器403b的端子407连接至微控制器408。
连接至单元410a的发射极端子E并且连接至单元410b的集电极端子C的节点411可以连接至负载，例如，三相发生器的单个相。
图5示出了包括端子404至407的驱动器403a、403b的示意图。端子404连接至比较器502的第一输入，并且端子405连接至比较器502的第二输入。因此，可以将在电阻器R11(如果是驱动器403a)和R2(如果是驱动器403b)处感测到的电压与(可调节的或者预定的)过电流阈值电压505进行比较，并且将这类比较的结果反馈至控制单元503。
微控制器408经由其端子407来控制驱动器403a、403b，该端子407经由电流隔离501连接至控制单元503。这类电流隔离501可以实现为光耦合器、变压器或者任何电流隔离元件。其实现了由微控制器408对相应单元410a、410b进行控制，其中在图4的该示例中的微控制器408具有作为参考电位的接地，并且单元410a、410b的栅极端子G可以具有不同(浮置)参考电位(而非接地)。
控制单元503经由驱动器504向连接至单元410a和410b的栅极端子的端子406提供输出信号。
节点409可以连接至高DC电压，例如，400V。作为在图4中示出的示例的替代实施方式，针对使用更低输入电压(例如，14V)的DC/DC转换器，可以使用MOSFET半桥。在这类情况下，可以经由单个驱动器和/或控制器来操作晶体管的栅极。不要求高侧开关与低侧开关的电流分隔。
示例性实施例：具有负温度系数的附加元件
根据一个示例，温度依赖器件可以具有负温度系数，即，当温度增加时，温度依赖器件的特性参数降低。如果温度依赖器件是电阻器，那么电阻随着温度的降低而升高，并且电阻随着温度的增加而下降。
优选地，温度依赖器件，例如，具有负温度系数的电阻器，可以布置为非常接近电流传感器。
图2示出了基于图1的示例性电路图。与图1的单元101形成对照的是，单元201包括具有负温度系数的电阻器R5。而且，与图1形成对照的是，不要求有串联至电阻器R5的电阻器R4。可以经由可选的发射极焊盘(在图2中未示出)来感测在IGBTQ1的发射极与电阻器R5之间的电流。
因此，IGBTQ1建立感测单元，该感测单元与电阻器R5串联集成。IGBTQ1和电阻器R5可以是主IGBTQ2的部分(都集成在单元201中)。可以跨电阻器R5确定温度补偿型电流感测电压。
例如，电阻器R5可以包括例如掺杂多晶硅。
作为一个替代实施例，具有负温度系数的附加元件可以包括至少一个二极管(正向电压随着增加的温度而降低)。该至少一个二极管可以与电阻器(例如，外部电阻器)串联布置，其中出于电流感测之目的，对跨二极管和电阻器的电压进行感测。
进一步的实施例和优点
在本文中建议的示例尤其可以基于以下方案中的至少一种。尤其可以利用以下特征的组合，以便达到期望的结果。方法的特征可以与器件、设备或者系统的任何一个或多个特征组合，反之亦然。
提供了一种电路，所述电路包括：
—电子开关元件，
—温度补偿元件，该温度补偿元件布置在电子开关元件的附近。
电子开关元件可以是任何晶体管，例如，MOSFET、JFET或者IGBT。电子开关元件可以包括至少一个晶体管。温度补偿元件可以包括至少一个元件，并且其可以布置为至少部分地(或者全部地)补偿，基于温度改变的、电流或者电压感测的变化。这尤其可以适用于预定温度范围。注意，温度补偿元件尤其可以缓和基于温度改变的效应，但是没必要全部补偿这类效应。
在一个实施例中，温度补偿元件嵌入在电子开关元件中。
在一个实施例中，温度补偿元件串联连接在电子开关元件的电流路径中。
该电流路径可以是包括IGBT的集电极和发射极或者MOSFET的源极和漏极的路径。
在一个实施例中，电子开关元件包括至少一个晶体管，尤其是至少一个IGBT和/或至少一个MOSFET。
在本文中描述的示例尤其可以适用于分立式MOSFET或者IGBT，该分立式MOSFET或者IGBT可以具有分开的发射极焊盘(如果是IGBT)或者分开的源极焊盘(如果是MOSFET)。
在一个实施例中，温度补偿元件包括电阻器和/或电阻性元件。
温度补偿元件尤其可以包括多个电阻性元件(或者电阻器)，尤其是电阻性元件的网络。
在一个实施例中，温度补偿元件具有正温度系数。
在一个实施例中，温度补偿元件和电子开关元件与附加电阻器串联连接，其中感测电流在温度补偿元件与附加电阻器之间可获得(accessible)。
在一个实施例中，温度补偿元件具有负温度系数。
在一个实施例中，温度补偿元件包括具有负温度系数的至少一个二极管。
注意，二极管的正向电压(VF)可以随着温度的增加而降低，该正向电压对应于负温度系数。
在一个实施例中，该至少一个二极管与至少一个附加电阻器串联连接，其中感测电流跨包括该至少一个二极管和该至少一个附加电阻器的串联连接而可获得。
在一个实施例中，温度补偿元件包括下列各项中的至少一项：
—镍；
—铝；
—掺杂多晶硅；
—铍(超过100K100％)；
—钛；
—氮化钛；
—钨；
—钨化钛；
—钽；
—氮化钛钽；
—铜。
而且，温度补偿元件可以包括这些元件的组合。
在一个实施例中，电子开关元件包括至少两个晶体管。
在一个实施例中，电子开关元件包括共用了公共功能单元的至少两个晶体管。
在一个实施例中，
—电子开关元件包括第一晶体管和第二晶体管，
—第一晶体管和第二晶体管位于相同的芯片上，
—第一晶体管和第二晶体管并联连接，从而使第一晶体管承载与由第二晶体管承载的电流成正比的电流，
—温度补偿元件串联连接在第一晶体管的电流路径中。
在一个实施例中，
—电子开关元件包括第一晶体管和第二晶体管，
—第一晶体管和第二晶体管位于相同的衬底上，
—第一晶体管的功能单元小于第二晶体管的功能单元，
—第一晶体管与温度补偿元件串联连接，
—第一晶体管的栅极连接至第二晶体管的栅极，
—第一晶体管的集电极连接至第二晶体管的集电极。
因此，可以将第一晶体管视为电流感测场，其使经由温度补偿元件感测到的电流与通过负载的电流相比明显更小。这有效地减少了损耗并且提高了电路的效率。
在一个实施例中，第一晶体管和第二晶体管共用功能单元，其中该功能单元的更小的部分用于第一晶体管。
这是针对IGBT类晶体管的示例。针对MOSFET或者JFET的情况，集电极对应于漏极，并且发射极对应于源极。
在一个实施例中，电路布置在单个芯片或者裸片上，尤其布置在集成电路的部分上。
提供了一种用于感测电流或者电压的方法，该方法包括下列步骤：
—经由根据权利要求1的电路，来确定电压或者电流是否达到或者超过预定阈值；
—如果该电压或者该电流达到或者超过了预定阈值，那么进行预定动作。
在实施例中，该预定动作包括下列各项中的至少一项：
—中断电流；
—控制电流或者电压；
—设置错误标志；
—向处理设备、微控制器或者处理器提供信号；
—断开至少一个晶体管。
在本文中展示的方案尤其可以用于短路检测、过载保护和/或电流模式控制应用。
提供了一种用于电压或者电流的感测的电路，所述电路包括：
—电子开关元件和温度补偿元件，该温度补偿元件布置在该电子开关元件的附近，
—用于基于经由该温度补偿元件所感测到的电压或者电流来确定电压或者电流是否达到或者超过预定阈值的装置，
—用于如果该电压或者该电流达到或者超过了预定阈值那么进行预定动作的装置。
虽然已经公开了本公开的各个示例性实施例，但是对于本领域的技术人员而言显而易见的是，可以进行各种改变和修改，这些改变和修改会实现本公开的一些优点而不脱离本公开的精神和范围。对于本领域的一般技术人员而言很明显的是，可以适当地取代执行相同功能的其他部件。应该提及的是，参考具体附图阐释的特征可以与其他附图的特征组合，即使是在此点尚未明确提及的情况下也可以组合。进一步地，在本公开中描述的方法可以通过使用适当的处理器指令在所有软件实施方式中实现，或者在利用硬件逻辑和软件逻辑的组合的混合实施方式中实现以实现相同的结果。对本发明构思的这类修改旨在由随附权利要求书覆盖。

Claims (20)

1.一种电路，包括：
电子开关元件，以及
温度补偿元件，其中所述温度补偿元件布置在所述电子开关元件的附近。
2.根据权利要求1所述的电路，其中所述温度补偿元件嵌入在所述电子开关元件中。
3.根据权利要求1所述的电路，其中所述温度补偿元件串联连接在所述电子开关元件的电流路径中。
4.根据权利要求1所述的电路，其中所述电子开关元件包括至少一个晶体管，尤其是至少一个IGBT和/或至少一个MOSFET。
5.根据权利要求1所述的电路，其中所述温度补偿元件包括电阻器和/或电阻性元件。
6.根据权利要求1所述的电路，其中所述温度补偿元件具有正温度系数。
7.根据权利要求6所述的电路，其中所述温度补偿元件和所述电子开关元件与附加电阻器串联连接，其中感测电流在所述温度补偿元件与所述附加电阻器之间可获得。
8.根据权利要求1所述的电路，其中所述温度补偿元件具有负温度系数。
9.根据权利要求8所述的电路，其中所述温度补偿元件包括具有负温度系数的至少一个二极管。
10.根据权利要求9所述的电路，其中所述至少一个二极管与至少一个附加电阻器串联连接，其中感测电流跨包括所述至少一个二极管和所述至少一个附加电阻器的所述串联连接可获得。
11.根据权利要求1所述的电路，其中所述温度补偿元件包括下列各项中的至少一项：
—镍；
—铝；
—掺杂多晶硅；
—铍(超过100K100％)；
—钛；
—氮化钛；
—钨；
—钨化钛；
—钽；
—氮化钽；以及
—铜。
12.根据权利要求1所述的电路，其中所述电子开关元件包括至少两个晶体管。
13.根据权利要求1所述的电路，其中所述电子开关元件包括共用公共功能单元的至少两个晶体管。
14.根据权利要求12所述的电路，
—其中所述电子开关元件包括第一晶体管和第二晶体管，
—其中所述第一晶体管和所述第二晶体管位于相同的芯片上，
—其中所述第一晶体管和所述第二晶体管并联连接，从而使得所述第一晶体管承载与所述第二晶体管所承载的电流成比例的电流，以及
—其中所述温度补偿元件串联连接在所述第一晶体管的电流路径中。
15.根据权利要求12所述的电路，
—其中所述电子开关元件包括第一晶体管和第二晶体管，
—其中所述第一晶体管和所述第二晶体管位于相同的衬底上，
—其中所述第一晶体管的功能单元小于所述第二晶体管的功能单元，
—其中所述第一晶体管与所述温度补偿元件串联连接，
—其中所述第一晶体管的栅极连接至所述第二晶体管的栅极，以及
—其中所述第一晶体管的集电极连接至所述第二晶体管的集电极。
16.根据权利要求15所述的电路，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管共用功能单元，其中所述功能单元的更小的部分用于所述第一晶体管。
17.根据权利要求1所述的电路，其中所述电路布置在单个芯片或者裸片上，尤其布置在集成电路的部分上。
18.一种用于在电路中感测电流或者电压的方法，所述电路包括电子开关元件和温度补偿元件，其中所述温度补偿元件布置在所述电子开关元件的附近，所述方法包括：
—经由所述电路，来确定所述电压或者所述电流是否达到或者超过预定阈值；以及
—如果所述电压或者所述电流达到或者超过了所述预定阈值，那么进行预定动作。
19.根据权利要求18所述的方法，其中所述预定动作包括下列各项中的至少一项：
—中断电流；
—控制所述电流或者所述电压；
—设置错误标志；
—向处理设备、微控制器或者处理器提供信号；以及
—断开至少一个晶体管。
20.一种用于电压或者电流的感测的电路，包括：
—电子开关元件和温度补偿元件，其中所述温度补偿元件布置在所述电子开关元件的附近，
—用于基于经由所述温度补偿元件所感测到的感测电压或者感测电流来确定电压或者电流是否达到或者超过预定阈值的装置，
—用于如果所述电压或者所述电流达到或者超过了所述预定阈值那么进行预定动作的装置。
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