JP7299994B2 - Ｖｉ族前駆体化合物 - Google Patents

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Description

本発明は、特定のＶＩ族含有材料の蒸着のための特定の前駆体及びその調製方法に関する。
非常に高い融点、低い熱膨張係数、低い抵抗率、及び高い熱伝導率というその特性の結果として、モリブデン、クロム、及びタングステンなどのＶＩ族金属は、拡散障壁、電極、フォトマスク、パワーエレクトロニクス基板、低抵抗率ゲート、フラットパネルディスプレイ、及び相互接続における使用を含む、半導体デバイスの製造においてますます利用されている。
そのような有用性は、堆積された膜の高い適合性及び効率的な大量生産工程に対応するための高い堆積速度を特徴とするかかる用途に関して、モリブデン、クロム、及びタングステン膜の堆積を実現する取り組みを促してきた。これにより、蒸着工程において有用な改善されたモリブデン及びタングステン源試薬、並びに、そのような試薬を利用する改善されたプロセスパラメータを開発する取り組みが可能になった。
本発明は、固体基板、特にマイクロ電子半導体デバイス基板上への特定のＶＩ族金属の蒸着に有用な様々なＶＩ族前駆体化合物を調製するための簡易な方法を提供する。本方法は、このような揮発性の固体又は液体材料を取得して単離するための有効な手段を提供し、それらは、ひいては、かかる基板上に堆積されるモリブデン、クロム、又はタングステン含有材料の供給源とすることができる。さらに、本発明は、かかる化合物をマイクロ電子デバイス基板上に蒸着するための方法を提供する。
図１は、ＭｏＯ２Ｃｌ２（ＣＨ３ＣＮ）２の三次元固体結晶構造図である。 図２は、ＷＯ２Ｃｌ２（ＣＨ３ＣＮ）２の三次元固体結晶構造図である。 図３は、ＭｏＯ２Ｃｌ２（ジメトキシエタン）を前駆体として使用した窒化チタン基板上のモリブデン堆積速度（Å／サイクル）対基板温度（℃）のプロットである。 図４は、ＭｏＯ２Ｃｌ２（ジメトキシエタン）２を前駆体として使用した窒化チタン基板上のＸＲＦカーボン（炭素の蛍光Ｘ線分析）（μｇｍ／ｃｍ２／１００Å Ｍｏ）対基板温度（℃）のプロットである。したがって、図３及び図４は、ＭｏがＭｏＣに対して優先的に堆積されるプロセスパラメータを示す。 図５は、ＭｏＯ２Ｃｌ２（テトラヒドロフラン）２の三次元固体結晶構造図である。
第１の態様では、本発明は、式（Ｉ）の化合物を調製する方法を提供し、
Figure 0007299994000001
式中、Ｍは、モリブデン、クロム、及びタングステンから選択され、Ｘは、フルオロ、クロロ、ブロモ、及びヨードから選択され、各Ｌ１及びＬ２は、同じものか又は異なるものであって、
（ｉ）Ｍが配位した単座ヒドロカルビル配位子を構成するか、又は
（ｉｉ）一緒になって、Ｍが配位した二座ヒドロカルビル配位子を形成し、
当該方法は、
（Ａ）式
Figure 0007299994000002
の化合物を、（ａ）約０．１％（ｗ／ｗ）から約４８％（ｗ／ｗ）の式ＨＸの化合物を含有する水と、（ｂ）式Ｌ１及び／又はＬ２の化合物とに接触させること、及びこれに続いて、
（Ｂ）式（Ｉ）の化合物を固体又は液体として単離すること、を含む。
本明細書で使用される場合、「ヒドロカルビル」という用語は、炭素原子及び水素原子を含み、任意選択で、少なくとも１つの窒素原子、硫黄原子、又は酸素原子を含むＣ２～Ｃ１６基を表す。かかるヒドロカルビル基は、直鎖又は分岐鎖で、飽和、不飽和、及び多価不飽和のアルキレン基及びシクロアルキレン基を含んでいてもよく、例えば、Ｃ１～Ｃ６アルコキシ、カルボキシル、ニトロ、アミノ、Ｃ２～Ｃ６アミノカルボニル、Ｃ２～Ｃ６アミド、シアノ、Ｃ２～Ｃ７アルコキシカルボニル、Ｃ２～Ｃ７アルカノイルオキシ、ヒドロキシ、アリール、ヘテロアリール、チオール、チオエーテル、Ｃ２～Ｃ１０ジアルキルアミノ、Ｃ３～Ｃ１５トリアルキルアンモニウム、及びハロゲンから選択される１から５個の基で置換されていてもよい。「Ｃ１～Ｃ６アルコキシ」、「Ｃ２～Ｃ７アルコキシカルボニル」、及び「Ｃ２～Ｃ７アルカノイルオキシ」という用語は、それぞれ、構造－ＯＲ３、構造－ＣＯ２Ｒ３、及び構造－ＯＣＯＲ３に対応する基を示すために使用され、式中、Ｒ３は、Ｃ１～Ｃ６アルキル又は置換Ｃ１～Ｃ６アルキルである。「Ｃ２～Ｃ１６アミノカルボニル」及び「Ｃ２～Ｃ１６アミド」という用語は、それぞれ、構造－ＮＨＣＯＲ４、構造－ＣＯＮＨＲ４に対応する基を示すために使用され、式中、Ｒ４は、Ｃ１～Ｃ７アルキルである。上記のように、Ｌ１及びＬ２は、かかるヒドロカルビル基を含み、少なくとも１つの窒素原子、硫黄原子、又は酸素原子を含む。
Ｌ１及びＬ２は独立して選択され、単座配位子を表すか、又は一緒になって二座配位子を形成する。一般に、Ｌ１及びＬ２は、少なくとも１個の酸素原子、硫黄原子又は窒素原子を有するヒドロカルビル基を含む。かかる配位子は、例えば、ｔ－ブチルニトリル、トルエン、テトラヒドロフラン及びアセトニトリルから選択されてもよく、かかる基は、任意選択で、ハロ、シアノ、ニトロ、Ｃ１～Ｃ６アルキル、Ｃ１～Ｃ６アルコキシ、テトラヒドロフラン、Ｃ１～Ｃ６アルコキシカルボニル及びフェニルから選択される１つ以上の基によって置換されていてもよい。さらなる例としては、１，２－ジメトキシエタン；１，２－ジエトキシエタン；１，２－ジメトキシプロパン；Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド；Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド；Ｎ，Ｎ－ジメチルシアノアセトアミド；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチルエチレンジアミン、エチレンジアミン、ヘキサエチレンジアミン、ジエチレントリアミン及びジエチレントリアミンなどのジアミン及びトリアミン；ジメチルスルホキシド；及び、エチレングリコール、プロピレングリコール、１，２－プロパンジオール、１，３－プロパンジオール、１，４－ブタンジオール、１，５－ペンタンジオール及び１，６－ヘキサンジオールなどのグリコール類、が挙げられる。
式（Ｉ）の化合物の単離工程（Ｂ）は、水不混和性溶媒を用いて水性反応混合物から化合物を抽出し、続いて溶媒を蒸発させるか又は結晶化することによって成され得る。別法として、アルコール（例えば、エタノール）などの水混和性溶媒を水溶液に添加して、式（Ｉ）の所望の化合物の沈殿を誘導することができる。式（Ｉ）の固体化合物は、所望であれば、結晶化及び／又は真空昇華によって精製され得る。
本発明の化合物を示す上記の構造は２次元形式で描かれており、必ずしもその３次元配向を表しているとは限らないことが理解されよう。
さらに、式（Ｉ）の化合物は、形成された後に、置換反応を介して、式Ｌ１及び／又はＬ２の追加の／異なる化合物と反応して、式（Ｉ）の異なる化合物を形成することができる。したがって、さらなる実施形態では、本発明は、式（Ｉ）の化合物を、ｔ－ブチルニトリル、トルエン、テトラヒドロフラン、及びアセトニトリルから選択される化合物と接触させるステップをさらに含む上述の方法を提供し、かかる基は、任意選択で、ハロ、シアノ、ニトロ、Ｃ１～Ｃ６アルキル、Ｃ１～Ｃ６アルコキシ、テトラヒドロフラン、Ｃ１～Ｃ６アルコキシカルボニル、及びフェニル；１，２－ジメトキシエタン；１，２－ジエトキシエタン；１，２－ジメトキシプロパン；Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド；Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド；Ｎ，Ｎ－ジメチルシアノアセトアミド；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチルエチレンジアミン、エチレンジアミン、ヘキサエチレンジアミン、ジエチレントリアミン、ジエチレントリアミン；ジメチルスルホキシド；及び、エチレングリコール、プロピレングリコール、１，２－プロパンジオール、１，３－プロパンジオール、１，４－ブタンジオール、１，５－ペンタンジオール、及び１，６－ヘキサンジオール、から選択される１つ以上の基によって置換されて、式Ｌ１及び／又はＬ２の異なる配位子を有する式（Ｉ）の化合物を得る。
さらなる実施形態では、本発明は、式（Ｉ）の化合物を固体又は液体の形態で提供し、
Figure 0007299994000003
式中、Ｍは、モリブデン、クロム、及びタングステンから選択され、Ｘは、フルオロ、クロロ、ブロモ、及びヨードから選択され、各Ｌ１及びＬ２は、同じものか又は異なるものであって、
（ｉ）Ｍが配位した単座ヒドロカルビル配位子を構成するか、又は
（ｉｉ）一緒になって、Ｍが配位した二座ヒドロカルビル配位子を形成する。
特定の実施形態では、式（Ｉ）の化合物は、約３重量パーセント未満の不純物を有する。他の実施形態では、式（Ｉ）の化合物は、１重量パーセント未満の不純物を有する。他の実施形態では、式（Ｉ）の化合物は結晶形態で単離される。式（Ｉ）の化合物のかかる結晶形態の特定の例としては、ＭｏＯ２Ｃｌ２（ＣＨ３ＣＮ）２及びＷＯ２Ｃｌ２（ＣＨ３ＣＮ）２及びＭｏＯ２Ｃｌ２（テトラヒドロフラン）２が挙げられる。さらなる実施形態では、本発明は、結晶形態の式ＭｏＯ２Ｃｌ２（ＣＨ３ＣＮ）２を有し、図１に示すＸ線結晶構造を有する化合物を提供する。さらなる実施形態では、本発明は、結晶形態の式ＷＯ２Ｃｌ２（ＣＨ３ＣＮ）２を有し、図２に示すＸ線結晶構造を有する化合物を提供する。さらなる実施形態では、本発明は、結晶形態の式ＭｏＯ２Ｃｌ２（テトラヒドロフラン）２を有し、図５に示すＸ線結晶構造を有する化合物を提供する。これらの結晶形態は、以下の実験セクションでさらに述べる。
さらなる実施形態では、本発明は、式ＭｏＯ２Ｃｌ２（ＣＨ３ＣＮ）２を有し、斜方晶系の結晶系を有し、約
ａ＝１２．０３５０（８）Å α＝９０°
ｂ＝１１．５９５６（９）Å β＝９０°
ｃ＝２６．５８０７（１５）Å γ＝９０°の単位格子寸法を有する化合物を提供する。
さらなる実施形態では、本発明は、式ＷＯ２Ｃｌ２（ＣＨ３ＣＮ）２を有し、斜方晶系の結晶系を有し、約
ａ＝８．７０９１（６）Å α＝９０°
ｂ＝８．２５３６（７）Å β＝９０°
ｃ＝１２．８０２１（８）Å γ＝９０°の単位格子寸法を有する化合物を提供する。
さらなる実施形態では、本発明は、式ＭｏＯ２Ｃｌ２（テトラヒドロフラン）２を有し、斜方晶系の結晶系を有し、約
ａ＝７．４０４８（４）Å α＝９０°
ｂ＝１２．５４３７（６）Å β＝９０°
ｃ＝１３．７４８７（７）Å γ＝９０°の単位格子寸法を有する化合物を提供する。
本明細書で使用される場合、「単位格子」という用語は、結晶のパターンの単位を完全に表す、結晶の最小かつ最も単純な体積要素を指す。単位格子の寸法は、寸法ａ、ｂ、及びｃ並びに角度α、β、及びγの６つの数字によって定義される。結晶は、多くの単位格子が効率的に集まって塊になったアレイである。
本明細書で使用される場合、「斜方晶系単位格子」という用語は、ａ≠ｂ≠ｃであって、α＝β＝γ＝９０°である単位格子を指す。
本明細書で使用される場合、「結晶格子」は、単結晶Ｘ線回折分析によって決定される、塊になった単位格子の頂点によって定義される点のアレイを指す。
本明細書で使用される場合、「空間群」は、単位格子の対称性を指す。空間群の名称（例えば、Ｃ２）においては、大文字は格子タイプを示し、他の記号は単位格子に対してその外観を変えることなく実行することができる対称操作を表す。
本発明の方法において、適切な水不混和性溶媒としては、ジクロロメタン、酢酸エチル、ジエチルエーテル、トルエン、ベンゼン、ペンタンなどが挙げられる。
一実施形態では、本方法は、高温、例えば、約２０℃から約１００℃で行われる。
式（Ｉ）の化合物はまた、式
Figure 0007299994000004
の出発物質、すなわち、Ｍがクロム、モリブデン、又はタングステンから選択され、Ａが第Ｉ族及び第ＩＩ族金属又はアンモニウムカチオンから選択される一般式Ａ２ＭＯ４の化合物を用いて調製することができる。かかるカチオンとしては、例えば、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、ＮＨ４ ＋、アルキルアンモニウム化合物などが挙げられる。かかる化合物を、式Ｌ１及び／又はＬ２の化合物の存在下でＨＸと同様に反応させて、所望の前駆体化合物を得ることができる。
本発明の方法は、マイクロ電子半導体デバイス基板を含む様々な基板上への特定のＶＩ族金属の蒸着に有用な特定の化合物を提供する。したがって、別の態様では、本発明は、基板上に材料を形成する方法であって、基板を式（Ｉ）の化合物に接触させること、
Figure 0007299994000005
式中、Ｍは、モリブデン、クロム、及びタングステンから選択され、Ｘは、フルオロ、クロロ、ブロモ、及びヨードから選択され、各Ｌ１及びＬ２は、同じものか又は異なるものであって、
（ｉ）Ｍが配位した単座ヒドロカルビル配位子を構成するか、又は
（ｉｉ）一緒になって、Ｍが配位した二座ヒドロカルビル配位子を形成し、
蒸着条件下で、モリブデン、クロム、又はタングステン含有材料を当該基板上に堆積させること、を含む方法を提供する。
本発明の堆積プロセスで利用される基板は、任意の適切な種類のものであってよく、例えば、半導体デバイス基板、例えば、シリコン基板、二酸化ケイ素基板、又は他のシリコン系基板を含み得る。様々な実施形態では、基板は、１つ以上の金属又は誘電体基板、例えば、Ｃｏ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｗ、ＷＮ、ＷＣ、ＴｉＮ、Ｍｏ、ＭｏＣ、ＳｉＯ２、Ｗ、ＳｉＮ、ＷＣＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２、ＳｉＯ２、酸化ランタン（Ｌａ２Ｏ３）、窒化タンタル（ＴａＮ）、酸化ルテニウム（ＲｕＯ２）、酸化イリジウム（ＩｒＯ２）、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ３）、及び酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）を含んでいてもよい。
特定の実施形態では、例えば、二酸化ケイ素などの酸化物基板、又はシリコン若しくはポリシリコン基板の場合、基板は、続いて堆積される材料のために、その上にバリア層、例えば、窒化チタンを含むように処理又は作製されてもよい。
一実施形態では、基板表面に堆積されたモリブデン、クロム、又はタングステン含有層は、例えば、パルス化学気相成長（ＣＶＤ）又は原子層成長（ＡＬＤ）又は他の蒸着技術によって、核生成層を事前に形成することなく、すなわち、式（Ｉ）の化合物から生じた蒸気で直接形成することができる。それぞれの式（Ｉ）の蒸気接触ステップは、モリブデン、クロム、又はタングステン膜の所望の厚さを形成するために要求される数のサイクルにわたって、交互に繰り返し実行することができる。様々な実施形態では、基板（例えば、窒化チタン）層とかかる蒸気との接触は、３５０℃程度の低い温度で行われ、他の実施形態では、３００℃から７５０℃の範囲で行われる。
式（Ｉ）の化合物から生じた蒸気を用いて、モリブデン、クロム、又はタングステン含有材料を基板上に直接堆積させて、モリブデン元素、クロム元素、又はタングステン元素又はそれらの対応する酸化物のバルク堆積物を形成することができる。金属形成には４モル当量超又は過剰のＨ２が必要であるため、Ｈ２の濃度は金属又は酸化物の形成に重要である。４モル当量未満のＨ２は、かかる金属の様々な量の酸化物の形成をもたらし、その結果、形成された金属酸化物を還元するためにＨ２へのさらなる曝露を必要とする。
様々な実施形態では、モリブデン、クロム、又はタングステン含有材料は、３００℃から７５０℃の範囲の温度で基板表面に堆積される。このプロセスは、蒸着条件が、基板上に金属含有材料として、モリブデン元素、クロム元素、又はタングステン元素の堆積をもたらすように実行され得る。蒸着条件は、任意の適切な特徴をもつものであってよく、例えば、水素又は他の還元ガスの存在を含んで、基板上に、モリブデン元素、クロム元素、又はタングステン元素のバルク層を形成してもよい。
より一般的には、本開示による、基板上にモリブデン、クロム、又はタングステン含有材料を形成する広義の方法は、水素又は他の還元ガスの存在を含む蒸着条件を含むことができる。モリブデン、クロム、又はタングステン含有材料は、水素の存在下又は非存在下でバリア層又は表面に堆積させることができる。例えば、バリア層は窒化チタンで構成されてもよく、窒化チタン層は、水素の存在下で式（Ｉ）の化合物から生じる蒸気と接触してもよい。
別の実施形態では、ＭｏＯ２、ＷＯ３、及びＣｒ２Ｏ３などの金属酸化物薄膜を堆積させる手段として式（Ｉ）の化合物を使用する場合、酸素などの酸化性共反応物をプロセスに添加することができる。
本発明の方法は、多数の代替方法で、そして多種多様なプロセス条件下で実施され得ることが理解されよう。本発明の方法は、例えば、基板上に半導体デバイスを作製するためのプロセスにおいて実行されてもよい。半導体デバイスは、任意の適切なタイプのものであってもよく、例えば、ＤＲＡＭデバイス、３Ｄ ＮＡＮＤデバイス、又は他のデバイス若しくはデバイス集積構造を含んでいてもよい。様々な実施形態では、基板は、モリブデン含有材料が堆積されるビアを含んでいてもよい。デバイスは、例えば、１０：１から４０：１の範囲の深さ方向対横方向寸法のアスペクト比を有していてもよい。さらに他の実施形態では、デバイスは、フラットパネルディスプレイ又はモバイル装置に使用される膜であってもよい。
本発明によるモリブデン含有材料を堆積させるためのプロセス化学は、２ＭＯ２Ｃｌ２［（Ｌ１）（Ｌ２）］＋６Ｈ２→２Ｍ（式中、Ｍ＝モリブデン、クロム、又はタングステン）＋４ＨＣｌ＋４Ｈ２Ｏの反応によるモリブデン元素、Ｍｏ（０）の堆積を含み得る。本発明の方法に従って堆積されたモリブデン、クロム、又はタングステン含有材料（Ｍ）は、モリブデン、クロム、又はタングステン含有材料の堆積速度、堆積されたモリブデン、クロム、又はタングステン含有材料の膜抵抗率、堆積されたモリブデン、クロム、又はタングステン含有材料の膜形態、堆積されたモリブデン、クロム、又はタングステン含有材料の膜応力、材料のステップカバレッジ、及び、適切なプロセス条件のプロセスウィンドウ又はプロセスエンベロープなどの任意の適切な評価メトリック及びパラメータによって特徴を明らかにすることができる。対応する半導体製品の大量生産を可能にするために、任意の適切な評価メトリック及びパラメータを使用して、堆積された材料の特徴を明らかにし、それを特定のプロセス条件と相関させることができる。有利には、本発明の方法は、高純度のモリブデン、クロム、又はタングステンの膜を半導体デバイス上に堆積することができる。したがって、さらなる態様では、本発明は、その上に堆積されたモリブデン膜を有する半導体デバイスを提供し、当該膜は、９９％を超えるモリブデン、クロム、又はタングステンを含む。
特定の実施形態では、本開示は、基板上にモリブデン、クロム、又はタングステン含有材料を形成する方法に関し、式（Ｉ）の前駆体化合物を利用する化学蒸着（ＣＶＤ）プロセスによって基板表面にモリブデン、クロム、又はタングステンを堆積させて、基板上にモリブデン、クロム、又はタングステン含有材料を作製することを含む。
かかるプロセスは、本明細書で種々説明する任意の適切な方法で実施し得る。特定の実施形態では、かかる方法は、化学気相成長、例えば、パルス化学気相成長を含む蒸着プロセスで実施することができる。その方法は、得られたモリブデン、クロム、又はタングステン含有材料がモリブデン元素、クロム元素、又はタングステン元素から本質的に構成されるように実行されてもよく、様々な実施形態では、モリブデン、クロム、又はタングステンは、水素又は他の適切な還元ガスの存在下で基板表面に堆積されてもよい。本発明の他の実施形態では、式（Ｉ）の前駆体及び還元ガスを順次パルス化して、膜の適合性及び膜抵抗率のために最適化されたパルスシーケンスによるパルス化時にモリブデン膜を堆積させることができる。本方法は、ＤＲＡＭデバイス、又は３Ｄ ＮＡＮＤ、論理デバイス、フラットパネルディスプレイ、又はＩＣパッケージコンポーネントなどの半導体デバイス製品の製造において実行することができる。
一般に、モリブデン、クロム、又はタングステン含有材料を基板上に形成するための本開示の方法を実行することにより、高レベルのステップカバレッジ、例えば、約７５％から約１００％の範囲のステップカバレッジでのモリブデン、クロム、又はタングステン含有材料の堆積を実現し得る。
本発明は、その好ましい実施形態の以下の実施例によってさらに説明することができるが、これらの実施例は単に例示の目的で含まれるものであり、特に明記しない限り、本発明の範囲を限定することを意図しないことが理解されよう。
実験セクション
以下の一般的手順を用いて、式（Ｉ）の化合物を調製することができる。
合成手順番号１
ＭｏＯ３（２０．０ｇ、１３８ｍｍｏｌ）を、磁気撹拌子を備えた５００ｍＬ丸底フラスコに入れた。ＨＣｌ（２００ｍＬ、３７％）をＭｏＯ３に直接添加し、水冷コンデンサー（５℃）を装備した反応フラスコに入れ、得られた薄緑色の懸濁液を油浴を用いてほぼ還流（９５℃）まで加熱した。約２時間後、反応物は透明な薄緑色の溶液として示された。反応物を室温に冷却した後、氷浴に入れた。この時点で、冷却した溶液にＤＭＥ（５０ｍＬ）を直接添加し、反応物を室温に加温し、一晩撹拌した。翌朝、薄緑色の溶液を１Ｌ分液漏斗に注ぎ、ＤＣＭ（２×２００ｍＬ）で抽出した。有機層を合わせ、ＭｇＳＯ４を使用して乾燥させ、濾過し、磁気撹拌子を備えた１Ｌ丸底フラスコに入れ、溶媒を減圧下で除去して、ＭｏＯ２Ｃｌ２（ジメトキシエタン）をオフホワイトの固体として得た。質量＝１２．６８ｇ、収率＝３１．８％。生成物を真空昇華（８０℃、２５ｍＴｏｒｒ）によって精製することができる。１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、２９８Ｋ）：δ３．２９（ｓ，６Ｈ）；２．７８（ｓ，４Ｈ）ｐｐｍ．１３Ｃ｛１Ｈ｝ＮＭＲ（１００ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、２９８Ｋ）：δ７０．６８，６４．１３ｐｐｍ．
合成手順番号２
一般式Ａ２ＭＯ４（式中、Ｍ＝クロム、モリブデン、又はタングステン、Ａ＝リチウム、ナトリウム、又はカリウム）
ここで、一般的な合成手順及び後処理は、手順番号１とほぼ同様である。
Figure 0007299994000006
すなわち、一般式Ａ２ＭＯ４の化合物（式中、Ｍがクロム、モリブデン又はタングステンから選択され、Ａが第Ｉ族及び第ＩＩ族金属又はアンモニウムカチオンから選択される）例として、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、ＮＨ４ ＋、アルキルアンモニウム化合物などが挙げられる。
合成手順番号３
配位子置換を利用して、式（Ｉ）の化合物を合成することができる。例えば、上記手順番号１を用いてＭｏＯ２Ｃｌ２（Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド）２錯体を作製し、次いで、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド配位子を加溶媒分解によってジメトキシエタンに置換してＭｏＯ２Ｃｌ２（ジメトキシエタン）を生成することができる。
上記のように、図１は、ＭｏＯ２Ｃｌ２（ＣＨ３ＣＮ）２の三次元固体結晶構造図である。この化合物をＸ線結晶解析に供し、以下のデータを得た。
表１．ＭｏＯ２Ｃｌ２（ＣＨ３ＣＮ）２の結晶データ及び構造精密化
識別コード ＮＢ００６１８－００２
実験式 Ｃ４ Ｈ６ Ｃｌ２ Ｍｏ Ｎ２ Ｏ２
式量 ２８０．９５
温度 １００．０Ｋ
波長 ０．７１０７３Å
結晶系 斜方晶系
空間群 Ｐｎｍａ
単位格子寸法 ａ＝１２．０３５０（８）Å α＝９０°
ｂ＝１１．５９５６（９）Å β＝９０°
ｃ＝２６．５８０７（１５）Å γ＝９０°
体積 ３７０９．４（４）Å３
Ｚ，Ｚ’ １６，４
密度（計算値） ２．０１２Ｍｇ／ｍ３
吸光係数 １．９４５ｍｍ－１
Ｆ（０００） ２１７６
結晶サイズ ０．２４ｘ０．１９ｘ０．１８ｍｍ３
データ収集のためのシータ範囲 １．８５７～２６．７１８°
指数範囲 －１５＜＝ｈ＜＝１５、－１４＜＝ｋ＜＝１４、
－３３＜＝ｌ＜＝３２
収集された反射 ２２２５４
独立した反射 ４１３４［Ｒ（ｉｎｔ）＝０．０４７５］
シータ完全性＝２５．２４２° ９９．９％
吸収補正 等価物から半経験的
最大及び最小送信 ０．７４５４及び０．６５１６
精密化方法 Ｆ２上の全行列最小二乗
データ／拘束／パラメータ ４１３４／０／２２２
Ｆ２の適合度 １．００８
最終Ｒ指数［Ｉ＞２シグマ（Ｉ）］ Ｒ１＝０．０２５８、ｗＲ２＝０．０５１８
Ｒ指数（全データ） Ｒ１＝０．０３８８、ｗＲ２＝０．０５５８
消光係数 ０．０００１３（２）
最大のｄｉｆｆピーク及びホール ０．４９２及び－０．４６２ｅ．Å－３
表２ 原子座標（×１０４）及び等価等方性変位パラメータ（Å２×１０３）。Ｕ（ｅｑ）は、直交化Ｕｉｊテンソルのトレースの１／３として定義される。
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
ｘ ｙ ｚ Ｕ（ｅｑ）
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
Ｍｏ（４） ７２４８（１） ２５００ ４４１４（１） １０（１）
Ｍｏ（２） ２３３０（１） ７５００ ３１５１（１） １０（１）
Ｍｏ（１） ２４５５（１） ２５００ ３０６９（１） １１（１）
Ｍｏ（３） ７６６７（１） ７５００ ４４６４（１） １２（１）
Ｃｌ（２） ４３７２（１） ２５００ ２８６８（１） １７（１）
Ｃｌ（３） １０３８（１） ７５００ ２４８６（１） １９（１）
Ｃｌ（４） ４１０４（１） ７５００ ３５３１（１） １５（１）
Ｃｌ（５） ５８４５（１） ７５００ ４７８６（１） ２０（１）
Ｃｌ（７） ７５３５（１） ２５００ ３５３６（１） １７（１）
Ｃｌ（８） ７８０４（１） ２５００ ５２６４（１） １６（１）
Ｃｌ（１） ８７７（１） ２５００ ３５９２（１） １９（１）
Ｃｌ（６） ９０５４（１） ７５００ ３８３３（１） １９（１）
Ｏ（１） ２１０２（２） ３６５１（１） ２７１５（１） １９（１）
Ｎ（２） ３２５４（２） ６２５６（２） ２５９７（１） １３（１）
Ｎ（１） ３１０９（２） ３７３７（２） ３７０６（１） １６（１）
Ｎ（３） ６８４９（２） ８７４２（２） ３８８７（１） １６（１）
Ｏ（４） ６３８９（２） １３５０（２） ４４３８（１） １８（１）
Ｏ（３） ８１４２（２） ６３４７（２） ４７８８（１） ２１（１）
Ｃ（２） ３８７１（２） ５０２６（２） ４４２８（１） １７（１）
Ｃ（１） ３４３６（２） ４３０２（２） ４０２２（１） １３（１）
Ｃ（４） ４３４２（２） ４９４０（２） １９７７（１） １８（１）
Ｃ（７） ９５３４（２） ４３２０（２） ４３５５（１） １０（１）
Ｎ（４） ８７７３（２） ３７４５（２） ４３６７（１） １５（１）
Ｃ（８） １０５１７（２） ５０５７（２） ４３４２（１） １５（１）
Ｏ（２） １８１３（２） ８６４８（２） ３４６１（１） １９（１）
Ｃ（３） ３７２８（２） ５６８０（２） ２３２５（１） １３（１）
Ｃ（６） ５８２２（２） １００７３（２） ３２５９（１） １７（１）
Ｃ（５） ６４０７（２） ９３２４（２） ３６０８（１） １２（１）
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
表３ ＭｏＯ２Ｃｌ２（ＣＨ３ＣＮ）の結合長［Å］及び角度［°］
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
Ｍｏ（４）－Ｃｌ（７） ２．３６０１（９）
Ｍｏ（４）－Ｃｌ（８） ２．３５６１（９）
Ｍｏ（４）－Ｏ（４） １．６８８５（１７）
Ｍｏ（４）－Ｏ（４）＃１ １．６８８５（１７）
Ｍｏ（４）－Ｎ（４）＃１ ２．３３８（２）
Ｍｏ（４）－Ｎ（４） ２．３３８（２）
Ｍｏ（２）－Ｃｌ（３） ２．３５４７（９）
Ｍｏ（２）－Ｃｌ（４） ２．３６２３（９）
Ｍｏ（２）－Ｎ（２） ２．３４３（２）
Ｍｏ（２）－Ｎ（２）＃２ ２．３４３（２）
Ｍｏ（２）－Ｏ（２） １．６８４６（１７）
Ｍｏ（２）－Ｏ（２）＃２ １．６８４６（１７）
Ｍｏ（１）－Ｃｌ（２） ２．３６７２（１０）
Ｍｏ（１）－Ｃｌ（１） ２．３５３４（１０）
Ｍｏ（１）－Ｏ（１）＃１ １．６８６７（１７）
Ｍｏ（１）－Ｏ（１） １．６８６７（１７）
Ｍｏ（１）－Ｎ（１） ２．３５５（２）
Ｍｏ（１）－Ｎ（１）＃１ ２．３５５（２）
Ｍｏ（３）－Ｃｌ（５） ２．３５２８（１０）
Ｍｏ（３）－Ｃｌ（６） ２．３６７１（１０）
Ｍｏ（３）－Ｎ（３） ２．３２３（２）
Ｍｏ（３）－Ｎ（３）＃２ ２．３２３（２）
Ｍｏ（３）－Ｏ（３）＃２ １．６８８５（１７）
Ｍｏ（３）－Ｏ（３） １．６８８５（１７）
Ｎ（２）－Ｃ（３） １．１３７（３）
Ｎ（１）－Ｃ（１） １．１３５（３）
Ｎ（３）－Ｃ（５） １．１３４（３）
Ｃ（２）－Ｃ（１） １．４６２（３）
Ｃ（４）－Ｃ（３） １．４６２（３）
Ｃ（７）－Ｎ（４） １．１３３（３）
Ｃ（７）－Ｃ（８） １．４６１（３）
Ｃ（６）－Ｃ（５） １．４５３（３）
Ｃｌ（８）－Ｍｏ（４）－Ｃｌ（７） １５５．０９（４）
Ｏ（４）＃１－Ｍｏ（４）－Ｃｌ（７） ９７．２６（６）
Ｏ（４）－Ｍｏ（４）－Ｃｌ（７） ９７．２６（６）
Ｏ（４）＃１－Ｍｏ（４）－Ｃｌ（８） ９７．９５（６）
Ｏ（４）－Ｍｏ（４）－Ｃｌ（８） ９７．９４（６）
Ｏ（４）＃１－Ｍｏ（４）－Ｏ（４） １０４．３３（１３）
Ｏ（４）＃１－Ｍｏ（４）－Ｎ（４）＃１ １６５．９７（８）
Ｏ（４）－Ｍｏ（４）－Ｎ（４） １６５．９７（８）
Ｏ（４）－Ｍｏ（４）－Ｎ（４）＃１ ８９．７０（８）
Ｏ（４）＃１－Ｍｏ（４）－Ｎ（４） ８９．７０（８）
Ｎ（４）－Ｍｏ（４）－Ｃｌ（７） ８０．３９（５）
Ｎ（４）＃１－Ｍｏ（４）－Ｃｌ（７） ８０．３９（５）
Ｎ（４）－Ｍｏ（４）－Ｃｌ（８） ８０．０８（５）
Ｎ（４）＃１－Ｍｏ（４）－Ｃｌ（８） ８０．０８（５）
Ｎ（４）－Ｍｏ（４）－Ｎ（４）＃１ ７６．２７（１１）
Ｃｌ（３）－Ｍｏ（２）－Ｃｌ（４） １５６．６１（３）
Ｎ（２）－Ｍｏ（２）－Ｃｌ（３） ８０．８６（５）
Ｎ（２）＃２－Ｍｏ（２）－Ｃｌ（３） ８０．８６（５）
Ｎ（２）－Ｍｏ（２）－Ｃｌ（４） ８０．７６（５）
Ｎ（２）＃２－Ｍｏ（２）－Ｃｌ（４） ８０．７６（５）
Ｎ（２）＃２－Ｍｏ（２）－Ｎ（２） ７６．０３（１０）
Ｏ（２）＃２－Ｍｏ（２）－Ｃｌ（３） ９７．０８（６）
Ｏ（２）－Ｍｏ（２）－Ｃｌ（３） ９７．０８（６）
Ｏ（２）－Ｍｏ（２）－Ｃｌ（４） ９７．１８（７）
Ｏ（２）＃２－Ｍｏ（２）－Ｃｌ（４） ９７．１８（７）
Ｏ（２）＃２－Ｍｏ（２）－Ｎ（２） ８９．７５（８）
Ｏ（２）－Ｍｏ（２）－Ｎ（２）＃２ ８９．７５（８）
Ｏ（２）－Ｍｏ（２）－Ｎ（２） １６５．７８（８）
Ｏ（２）＃２－Ｍｏ（２）－Ｎ（２）＃２ １６５．７８（８）
Ｏ（２）＃２－Ｍｏ（２）－Ｏ（２） １０４．４７（１２）
Ｃｌ（１）－Ｍｏ（１）－Ｃｌ（２） １５６．８２（４）
Ｃｌ（１）－Ｍｏ（１）－Ｎ（１）＃１ ８１．０８（６）
Ｃｌ（１）－Ｍｏ（１）－Ｎ（１） ８１．０８（６）
Ｏ（１）－Ｍｏ（１）－Ｃｌ（２） ９６．８８（６）
Ｏ（１）＃１－Ｍｏ（１）－Ｃｌ（２） ９６．８８（６）
Ｏ（１）＃１－Ｍｏ（１）－Ｃｌ（１） ９７．２４（６）
Ｏ（１）－Ｍｏ（１）－Ｃｌ（１） ９７．２４（６）
Ｏ（１）＃１－Ｍｏ（１）－Ｏ（１） １０４．５６（１２）
Ｏ（１）－Ｍｏ（１）－Ｎ（１）＃１ １６５．２４（８）
Ｏ（１）＃１－Ｍｏ（１）－Ｎ（１）＃１ ９０．１９（８）
Ｏ（１）－Ｍｏ（１）－Ｎ（１） ９０．２０（８）
Ｏ（１）＃１－Ｍｏ（１）－Ｎ（１） １６５．２４（８）
Ｎ（１）＃１－Ｍｏ（１）－Ｃｌ（２） ８０．５９（６）
Ｎ（１）－Ｍｏ（１）－Ｃｌ（２） ８０．５９（６）
Ｎ（１）＃１－Ｍｏ（１）－Ｎ（１） ７５．０５（１０）
Ｃｌ（５）－Ｍｏ（３）－Ｃｌ（６） １５６．１７（４）
Ｎ（３）＃２－Ｍｏ（３）－Ｃｌ（５） ８１．１１（６）
Ｎ（３）－Ｍｏ（３）－Ｃｌ（５） ８１．１１（６）
Ｎ（３）－Ｍｏ（３）－Ｃｌ（６） ８０．２４（６）
Ｎ（３）＃２－Ｍｏ（３）－Ｃｌ（６） ８０．２４（６）
Ｎ（３）＃２－Ｍｏ（３）－Ｎ（３） ７６．５９（１０）
Ｏ（３）＃２－Ｍｏ（３）－Ｃｌ（５） ９７．４９（７）
Ｏ（３）－Ｍｏ（３）－Ｃｌ（５） ９７．４９（７）
Ｏ（３）－Ｍｏ（３）－Ｃｌ（６） ９７．００（７）
Ｏ（３）＃２－Ｍｏ（３）－Ｃｌ（６） ９７．００（７）
Ｏ（３）＃２－Ｍｏ（３）－Ｎ（３） ８９．３８（８）
Ｏ（３）－Ｍｏ（３）－Ｎ（３） １６５．９５（８）
Ｏ（３）－Ｍｏ（３）－Ｎ（３）＃２ ８９．３８（８）
Ｏ（３）＃２－Ｍｏ（３）－Ｎ（３）＃２ １６５．９５（８）
Ｏ（３）＃２－Ｍｏ（３）－Ｏ（３） １０４．６５（１３）
Ｃ（３）－Ｎ（２）－Ｍｏ（２） １７７．７（２）
Ｃ（１）－Ｎ（１）－Ｍｏ（１） １７７．７（２）
Ｃ（５）－Ｎ（３）－Ｍｏ（３） １７７．０（２）
Ｎ（１）－Ｃ（１）－Ｃ（２） １７９．３（３）
Ｎ（４）－Ｃ（７）－Ｃ（８） １７９．７（３）
Ｃ（７）－Ｎ（４）－Ｍｏ（４） １７７．４（２）
Ｎ（２）－Ｃ（３）－Ｃ（４） １７９．７（３）
Ｎ（３）－Ｃ（５）－Ｃ（６） １７８．８（３）
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
等価な原子を生成するために使用される対称変換：
＃１ｘ，－ｙ＋１／２，ｚ ＃２ｘ，－ｙ＋３／２，ｚ
表４ ＭｏＯ２Ｃｌ２（ＣＨ３ＣＮ）の異方性変位パラメータ（Å２ｘ１０３）。異方性変位係数指数は次の形式をとる：－２π２［ｈ２ａ＊２Ｕ１１＋．．．＋２ｈｋａ＊ｂ＊Ｕ１２］
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
Ｕ１１ Ｕ２２ Ｕ３３ Ｕ２３ Ｕ１３ Ｕ１２
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
Ｍｏ（４） ９（１） ９（１） １３（１） ０ ２（１） ０
Ｍｏ（２） ９（１） １０（１） １０（１） ０ ３（１） ０
Ｍｏ（１） １３（１） １０（１） １０（１） ０ －３（１） ０
Ｍｏ（３） １５（１） ９（１） １１（１） ０ －４（１） ０
Ｃｌ（２） １６（１） １８（１） １７（１） ０ ３（１） ０
Ｃｌ（３） １２（１） ２３（１） ２２（１） ０ －４（１） ０
Ｃｌ（４） １３（１） １８（１） １３（１） ０ －１（１） ０
Ｃｌ（５） ２０（１） １９（１） ２１（１） ０ ３（１） ０
Ｃｌ（７） １９（１） ２０（１） １３（１） ０ ０（１） ０
Ｃｌ（８） １９（１） １７（１） １３（１） ０ ２（１） ０
Ｃｌ（１） １５（１） ２０（１） ２３（１） ０ ４（１） ０
Ｃｌ（６） １７（１） ２０（１） ２１（１） ０ ２（１） ０
Ｏ（１） ２１（１） １６（１） ２１（１） ５（１） －４（１） １（１）
Ｎ（２） １１（１） １２（１） １７（１） １（１） －１（１） ２（１）
Ｎ（１） １８（１） １４（１） １７（１） －２（１） ０（１ －１（１）
Ｎ（３） １８（１） １３（１） １７（１） －２（１） －１（１） １（１）
Ｏ（４） １７（１） １５（１） ２１（１） －１（１） ３（１）－５（１）
Ｏ（３） ２５（１） １６（１） ２２（１） ４（１） －２（１） ４（１）
Ｃ（２） ２０（２） １６（２） １７（２） －５（１） ０（１） １（１）
Ｃ（１） １１（１） １３（１） １５（１） ５（１） ４（１） ４（１）
Ｃ（４） ２１（２） １６（２） １６（１） －２（１） ４（１） ２（１）
Ｃ（７） １６（１） ９（１） ６（１） １（１） １（１） ３（１）
Ｎ（４） １７（１） １４（１） １３（１） －１（１） ０（１） ２（１）
Ｃ（８） １４（２） １６（２） １５（１） ３（１） －３（１）－４（１）
Ｏ（２） １７（１） ２１（１） ２０（１） －４（１） ５（１） ３（１）
Ｃ（３） １２（１） １３（１） １３（１） ３（１） －４（１）－２（１）
Ｃ（６） １８（２） １５（２） １８（１） ７（１） －３（１）－１（１）
Ｃ（５） １３（１） １０（１） １４（１） －２（１） ２（１）－２（１）
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
表５ ＭｏＯ２Ｃｌ２（ＣＨ３ＣＮ）の水素座標（×１０４）及び等方性変位パラメータ（Å２×１０３）
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
ｘ ｙ ｚ Ｕ（ｅｑ）
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
Ｈ（２Ａ） ３８３５ ５８３７ ４３２７ ２６
Ｈ（２Ｂ） ４６４５ ４８１４ ４４９６ ２６
Ｈ（２Ｃ） ３４２５ ４９１０ ４７３２ ２６
Ｈ（４Ａ） ３９３７ ４８８４ １６５８ ２７
Ｈ（４Ｂ） ４４２２ ４１６９ ２１２４ ２７
Ｈ（４Ｃ） ５０８０ ５２７０ １９１６ ２７
Ｈ（８Ａ） １０８７４ ４９９５ ４０１２ ２２
Ｈ（８Ｂ） １１０４０ ４８１２ ４６０４ ２２
Ｈ（８Ｃ） １０２９８ ５８６０ ４４０２ ２２
Ｈ（６Ａ） ６２５６ １０１５０ ２９４９ ２６
Ｈ（６Ｂ） ５７２２ １０８３５ ３４１２ ２６
Ｈ（６Ｃ） ５０９４ ９７４０ ３１８１ ２６
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
上記のように、図２は、ＷＯ２Ｃｌ２（ＣＨ３ＣＮ）２の三次元固体結晶構造図である。
表６ ＷＯ２Ｃｌ２（ＣＨ３ＣＮ）２の結晶データ及び構造精密化
識別コード ＮＢ００６６６－００１
実験式 Ｃ４ Ｈ６ Ｃｌ２ Ｎ２ Ｏ２ Ｗ
式量 ３６８．８６
温度 １００．０Ｋ
波長 ０．７１０７３Å
結晶系 斜方晶系
空間群 Ｐｂｃｎ
単位格子寸法 ａ＝８．７０９１（６）Å α＝９０°
ｂ＝８．２５３６（７）Å β＝９０°
ｃ＝１２．８０２１（８）Å γ＝９０°
体積 ９２０．２３（１２）Å３
Ｚ ４
密度（計算値） ２．６６２Ｍｇ／ｍ３
吸光係数 １３．０８８ｍｍ－１
Ｆ（０００） ６７２
結晶サイズ ０．３７×０．３５×０．３３ｍｍ３
データ収集のためのシータ範囲 ３．１８３～２８．２７７°
指数範囲 －１１＜＝ｈ＜＝１０、－１１＜＝ｋ＜＝６、
－１６＜＝ｌ＜＝１６
収集された反射 ５１６８
独立した反射 １１３９［Ｒ（ｉｎｔ）＝０．０２８１］
シータ完全性＝２５．２４２° ９９．９％
吸収補正 等価物から半経験的
最大及び最小送信 ０．６０３５及び０．３６９３
精密化方法 Ｆ２上の全行列最小二乗
データ／拘束／パラメータ １１３９／０／５２
Ｆ２の適合度 １．１３３
最終Ｒ指数［Ｉ＞２シグマ（Ｉ）］ Ｒ１＝０．０１８３，ｗＲ２＝０．０４３１
Ｒ指数（全データ） Ｒ１＝０．０２５６，ｗＲ２＝０．０４５９
消光係数 ｎ／ａ
最大のｄｉｆｆピーク及びホール ０．６４１及び－１．６１１ｅ．Å－３
表７ ＷＯ２Ｃｌ２（ＣＨ３ＣＮ）２の原子座標（ｘ１０４）及び等価等方性変位パラメータ（Å２ｘ１０３）。Ｕ（ｅｑ）は、直交化Ｕｉｊテンソルのトレースの１／３として定義される。
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
ｘ ｙ ｚ Ｕ（ｅｑ）
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
Ｗ（１） ５０００ ３４２０（１） ２５００ ７（１）
Ｃｌ（１） ７３８２（１） ４００３（１） ３２７６（１） １４（１）
Ｏ（１） ５６８０（３） ２１４９（３） １５５２（２） １２（１）
Ｎ（１） ４３２４（４） ５６４６（４） ３４９５（２） １２（１）
Ｃ（２） ３７９８（５） ８３７５（４） ４４３１（３） １４（１）
Ｃ（１） ４０８０（４） ６８４１（４） ３９１１（３） １１（１）
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
表８ ＷＯ２Ｃｌ２（ＣＨ３ＣＮ）２の結合長［Å］及び角度［°］
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
Ｗ（１）－Ｃｌ（１）＃１ ２．３５０２（９）
Ｗ（１）－Ｃｌ（１） ２．３５０２（９）
Ｗ（１）－Ｏ（１）＃１ １．７１０（３）
Ｗ（１）－Ｏ（１） １．７１０（３）
Ｗ（１）－Ｎ（１）＃１ ２．３１２（３）
Ｗ（１）－Ｎ（１） ２．３１２（３）
Ｎ（１）－Ｃ（１） １．１４１（５）
Ｃ（２）－Ｈ（２Ａ） ０．９８００
Ｃ（２）－Ｈ（２Ｂ） ０．９８００
Ｃ（２）－Ｈ（２Ｃ） ０．９８００
Ｃ（２）－Ｃ（１） １．４５２（５）
Ｃｌ（１）－Ｗ（１）－Ｃｌ（１）＃１ １５６．３６（４）
Ｏ（１）－Ｗ（１）－Ｃｌ（１） ９６．８９（９）
Ｏ（１）＃１－Ｗ（１）－Ｃｌ（１） ９７．５５（９）
Ｏ（１）－Ｗ（１）－Ｃｌ（１）＃１ ９７．５５（９）
Ｏ（１）＃１－Ｗ（１）－Ｃｌ（１）＃１ ９６．８９（９）
Ｏ（１）－Ｗ（１）－Ｏ（１）＃１ １０４．３０（１７）
Ｏ（１）－Ｗ（１）－Ｎ（１） １６５．２０（１２）
Ｏ（１）－Ｗ（１）－Ｎ（１）＃１ ９０．４８（１１）
Ｏ（１）＃１－Ｗ（１）－Ｎ（１） ９０．４８（１１）
Ｏ（１）＃１－Ｗ（１）－Ｎ（１）＃１ １６５．２０（１２）
Ｎ（１）－Ｗ（１）－Ｃｌ（１）＃１ ８１．１１（８）
Ｎ（１）＃１－Ｗ（１）－Ｃｌ（１）＃１ ８０．１５（８）
Ｎ（１）＃１－Ｗ（１）－Ｃｌ（１） ８１．１１（８）
Ｎ（１）－Ｗ（１）－Ｃｌ（１） ８０．１５（８）
Ｎ（１）－Ｗ（１）－Ｎ（１）＃１ ７４．７５（１５）
Ｃ（１）－Ｎ（１）－Ｗ（１） １７２．６（３）
Ｈ（２Ａ）－Ｃ（２）－Ｈ（２Ｂ） １０９．５
Ｈ（２Ａ）－Ｃ（２）－Ｈ（２Ｃ） １０９．５
Ｈ（２Ｂ）－Ｃ（２）－Ｈ（２Ｃ） １０９．５
Ｃ（１）－Ｃ（２）－Ｈ（２Ａ） １０９．５
Ｃ（１）－Ｃ（２）－Ｈ（２Ｂ） １０９．５
Ｃ（１）－Ｃ（２）－Ｈ（２Ｃ） １０９．５
Ｎ（１）－Ｃ（１）－Ｃ（２） １７８．８（４）
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
等価な原子を生成するために使用される対称変換：
＃１－ｘ＋１，ｙ，－ｚ＋１／２
表９ ＷＯ２Ｃｌ２（ＣＨ３ＣＮ）２の異方性変位パラメータ（Å２×１０３）。異方性変位係数指数は次の形式をとる：－２π２［ｈ２ａ＊２Ｕ１１＋．．．＋２ｈｋａ＊ｂ＊Ｕ１２］
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
Ｕ１１ Ｕ２２ Ｕ３３ Ｕ２３ Ｕ１３ Ｕ１２
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
Ｗ（１） ８（１） ５（１） ７（１） ０ －１（１） ０
Ｃｌ（１）１１（１） １４（１） １６（１） －１（１） －４（１） －１（１）
Ｏ（１） １２（１） １１（１） １４（１） －１（１） －２（１） １（１）
Ｎ（１） １０（２） １２（２） １２（２） ０（１） ０（１） －１（１）
Ｃ（２） ２１（２） ８（２） １２（２） －３（１） －３（２） ２（１）
Ｃ（１） １１（２） １１（２） １１（２） １（１） －４（２） －２（１）
表１０ ＷＯ２Ｃｌ２（ＣＨ３ＣＮ）２の水素座標（ｘ１０４）及び等方性変位パラメータ（Å２ｘ１０３）
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
ｘ ｙ ｚ Ｕ（ｅｑ）
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
Ｈ（２Ａ） ３８６４ ９２５８ ３９２１ １６
Ｈ（２Ｂ） ４５６９ ８５４０ ４９７９ １６
Ｈ（２Ｃ） ２７７２ ８３６３ ４７４４ １６
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
上記のように、図５は、ＭｏＯ２Ｃｌ２（ＴＨＦ）２の三次元固体結晶構造図である。（ＴＨＦ＝テトラヒドロフラン）この化合物をＸ線結晶解析に供し、以下のデータを得た。
表１１ ＭｏＯ２Ｃｌ２（ＴＨＦ）２の結晶データ及び構造精密化
実験式 Ｃ８ Ｈ１６ Ｃｌ２ Ｍｏ Ｏ４
分子式 Ｃ８ Ｈ１６ Ｃｌ２ Ｍｏ Ｏ４
式量 ３４３．０５
温度 ２００Ｋ
波長 ０．７１０７３Å
結晶系 斜方晶系
空間群 Ｐ２１２１２１
単位格子寸法 ａ＝７．４０４８（４）Å ＝９０°．
ｂ＝１２．５４３７（６）Å ＝９０°．
ｃ＝１３．７４８７（７）Å ＝９０°．
体積 １２７７．０３（１１）Å３
Ｚ ４
密度（計算値） １．７８４Ｍｇ／ｍ３
吸光係数 １．４３７ｍｍ－１
Ｆ（０００） ６８８
結晶サイズ ０．１５×０．１５×０．１ｍｍ３
結晶色、晶癖 無色透明ブロック
データ収集のためのシータ範囲 ２．１９８から２６．３８２°
指数範囲 －９＜＝ｈ＜＝９，－１５＜＝ｋ＜＝１３，
－１７＜＝ｌ＜＝１７
収集された反射 １１５４９
独立した反射 ２６１１［Ｒ（ｉｎｔ）＝０．０７３１］
シータ完全性＝２５．２４２° ９９．９％
吸収補正 等価物から半経験的
最大及び最小送信 ０．４６５２及び０．３８９１
精密化方法 Ｆ２上の全行列最小二乗
データ／拘束／パラメータ ２６１１／０／１３６
Ｆ２の適合度 １．０６５
最終Ｒ指数［Ｉ＞２シグマ（Ｉ）］ Ｒ１＝０．０３３２、ｗＲ２＝０．０８３８
Ｒ指数（全データ） Ｒ１＝０．０３６１、ｗＲ２＝０．０８５８
絶対構造パラメータ ０．００（５）
消光係数 ｎ／ａ
最大のｄｉｆｆピーク及びホール ０．３６０及び－０．５１０ｅ．Å－３
表１２ 原子座標（×１０４）及び等価等方性変位パラメータ（Å２×１０３）
実施例１１では、Ｕ（ｅｑ）は、直交化Ｕｉｊテンソルのトレースの１／３として定義される。
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
ｘ ｙ ｚ Ｕ（ｅｑ）
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
Ｍｏ（１） ５７２８（１） ５０３６（１） ４１４６（１） ３６（１）
Ｃｌ（２） ６７９６（２） ６２２２（１） ２９４７（１） ４２（１）
Ｃｌ（１） ５６６５（２） ３６４２（１） ５２９６（１） ５９（１）
Ｏ（３） ７４８４（４） ３８７４（３） ３２９０（２） ３３（１）
Ｏ（４） ８５５５（５） ５２８６（３） ４７９９（３） ３７（１）
Ｏ（２） ３８６８（５） ４６４１（４） ３５４２（４） ６０（１）
Ｏ（１） ４９８６（７） ６０１８（４） ４８９０（３） ６３（１）
Ｃ（６） １０９５６（８） ５０５６（５） ５８９５（４） ５６（２）
Ｃ（１） ７０７３（９） ２７４６（４） ３２２０（４） ４４（１）
Ｃ（８） ９１７３（９） ６３３６（５） ５０６８（４） ５４（２）
Ｃ（２） ８３３１（１０） ２３１５（４） ２４３３（４） ５２（２）
Ｃ（４） ９００９（８） ４１３３（５） ２６５７（４） ４５（１）
Ｃ（７） １０６９８（１０） ６２１０（６） ５７０５（８） ９７（３）
Ｃ（３） ９８８８（９） ３０９９（５） ２４５２（５） ５３（２）
Ｃ（５） ９９１２（１１） ４５２０（５） ５１３１（５） ６４（２）
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
表１３ ＭｏＯ２Ｃｌ２（ＴＨＦ）２の結合長［Å］及び角度［°］
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
Ｍｏ（１）－Ｃｌ（２） ２．３５７５（１４）
Ｍｏ（１）－Ｃｌ（１） ２．３５７６（１５）
Ｍｏ（１）－Ｏ（３） ２．２８０（３）
Ｍｏ（１）－Ｏ（４） ２．３００（４）
Ｍｏ（１）－Ｏ（２） １．６８３（４）
Ｍｏ（１）－Ｏ（１） １．６９２（４）
Ｏ（３）－Ｃ（１） １．４５１（６）
Ｏ（３）－Ｃ（４） １．４６２（６）
Ｏ（４）－Ｃ（８） １．４４２（６）
Ｏ（４）－Ｃ（５） １．４６３（８）
Ｃ（６）－Ｈ（６Ａ） ０．９９００
Ｃ（６）－Ｈ（６Ｂ） ０．９９００
Ｃ（６）－Ｃ（７） １．４８３（９）
Ｃ（６）－Ｃ（５） １．４６９（８）
Ｃ（１）－Ｈ（１Ａ） ０．９９００
Ｃ（１）－Ｈ（１Ｂ） ０．９９００
Ｃ（１）－Ｃ（２） １．５２６（８）
Ｃ（８）－Ｈ（８Ａ） ０．９９００
Ｃ（８）－Ｈ（８Ｂ） ０．９９００
Ｃ（８）－Ｃ（７） １．４３８（９）
Ｃ（２）－Ｈ（２Ａ） ０．９９００
Ｃ（２）－Ｈ（２Ｂ） ０．９９００
Ｃ（２）－Ｃ（３） １．５１６（９）
Ｃ（４）－Ｈ（４Ａ） ０．９９００
Ｃ（４）－Ｈ（４Ｂ） ０．９９００
Ｃ（４）－Ｃ（３） １．４７８（８）
Ｃ（７）－Ｈ（７Ａ） ０．９９００
Ｃ（７）－Ｈ（７Ｂ） ０．９９００
Ｃ（３）－Ｈ（３Ａ） ０．９９００
Ｃ（３）－Ｈ（３Ｂ） ０．９９００
Ｃ（５）－Ｈ（５Ａ） ０．９９００
Ｃ（５）－Ｈ（５Ｂ） ０．９９００
Ｃｌ（１）－Ｍｏ（１）－Ｃｌ（２） １６０．６７（６）
Ｏ（３）－Ｍｏ（１）－Ｃｌ（２） ８１．４３（９）
Ｏ（３）－Ｍｏ（１）－Ｃｌ（１） ８３．３１（１０）
Ｏ（３）－Ｍｏ（１）－Ｏ（４） ７６．６８（１２）
Ｏ（４）－Ｍｏ（１）－Ｃｌ（２） ８３．２１（１０）
Ｏ（４）－Ｍｏ（１）－Ｃｌ（１） ８１．７８（１０）
Ｏ（２）－Ｍｏ（１）－Ｃｌ（２） ９６．６１（１７）
Ｏ（２）－Ｍｏ（１）－Ｃｌ（１） ９５．５５（１７）
Ｏ（２）－Ｍｏ（１）－Ｏ（３） ９１．３８（１８）
Ｏ（２）－Ｍｏ（１）－Ｏ（４） １６７．９７（１８）
Ｏ（２）－Ｍｏ（１）－Ｏ（１） １０４．３（２）
Ｏ（１）－Ｍｏ（１）－Ｃｌ（２） ９４．１３（１６）
Ｏ（１）－Ｍｏ（１）－Ｃｌ（１） ９７．３６（１６）
Ｏ（１）－Ｍｏ（１）－Ｏ（３） １６４．１（２）
Ｏ（１）－Ｍｏ（１）－Ｏ（４） ８７．７（２）
Ｃ（１）－Ｏ（３）－Ｍｏ（１） １２２．６（３）
Ｃ（１）－Ｏ（３）－Ｃ（４） １０９．８（４）
Ｃ（４）－Ｏ（３）－Ｍｏ（１） １２７．３（３）
Ｃ（８）－Ｏ（４）－Ｍｏ（１） １２０．９（３）
Ｃ（８）－Ｏ（４）－Ｃ（５） １０７．６（５）
Ｃ（５）－Ｏ（４）－Ｍｏ（１） １３１．１（４）
Ｈ（６Ａ）－Ｃ（６）－Ｈ（６Ｂ） １０８．９
Ｃ（７）－Ｃ（６）－Ｈ（６Ａ） １１０．８
Ｃ（７）－Ｃ（６）－Ｈ（６Ｂ） １１０．８
Ｃ（５）－Ｃ（６）－Ｈ（６Ａ） １１０．８
Ｃ（５）－Ｃ（６）－Ｈ（６Ｂ） １１０．８
Ｃ（５）－Ｃ（６）－Ｃ（７） １０４．７（５）
Ｏ（３）－Ｃ（１）－Ｈ（１Ａ） １１０．７
Ｏ（３）－Ｃ（１）－Ｈ（１Ｂ） １１０．７
Ｏ（３）－Ｃ（１）－Ｃ（２） １０５．４（５）
Ｈ（１Ａ）－Ｃ（１）－Ｈ（１Ｂ） １０８．８
Ｃ（２）－Ｃ（１）－Ｈ（１Ａ） １１０．７
Ｃ（２）－Ｃ（１）－Ｈ（１Ｂ） １１０．７
Ｏ（４）－Ｃ（８）－Ｈ（８Ａ） １１０．２
Ｏ（４）－Ｃ（８）－Ｈ（８Ｂ） １１０．２
Ｈ（８Ａ）－Ｃ（８）－Ｈ（８Ｂ） １０８．５
Ｃ（７）－Ｃ（８）－Ｏ（４） １０７．８（５）
Ｃ（７）－Ｃ（８）－Ｈ（８Ａ） １１０．２
Ｃ（７）－Ｃ（８）－Ｈ（８Ｂ） １１０．２
Ｃ（１）－Ｃ（２）－Ｈ（２Ａ） １１１．２
Ｃ（１）－Ｃ（２）－Ｈ（２Ｂ） １１１．２
Ｈ（２Ａ）－Ｃ（２）－Ｈ（２Ｂ） １０９．１
Ｃ（３）－Ｃ（２）－Ｃ（１） １０２．９（５）
Ｃ（３）－Ｃ（２）－Ｈ（２Ａ） １１１．２
Ｃ（３）－Ｃ（２）－Ｈ（２Ｂ） １１１．２
Ｏ（３）－Ｃ（４）－Ｈ（４Ａ） １１０．７
Ｏ（３）－Ｃ（４）－Ｈ（４Ｂ） １１０．７
Ｏ（３）－Ｃ（４）－Ｃ（３） １０５．０（４）
Ｈ（４Ａ）－Ｃ（４）－Ｈ（４Ｂ） １０８．８
Ｃ（３）－Ｃ（４）－Ｈ（４Ａ） １１０．７
Ｃ（３）－Ｃ（４）－Ｈ（４Ｂ） １１０．７
Ｃ（６）－Ｃ（７）－Ｈ（７Ａ） １１０．０
Ｃ（６）－Ｃ（７）－Ｈ（７Ｂ） １１０．０
Ｃ（８）－Ｃ（７）－Ｃ（６） １０８．４（６）
Ｃ（８）－Ｃ（７）－Ｈ（７Ａ） １１０．０
Ｃ（８）－Ｃ（７）－Ｈ（７Ｂ） １１０．０
Ｈ（７Ａ）－Ｃ（７）－Ｈ（７Ｂ） １０８．４
Ｃ（２）－Ｃ（３）－Ｈ（３Ａ） １１１．０
Ｃ（２）－Ｃ（３）－Ｈ（３Ｂ） １１１．０
Ｃ（４）－Ｃ（３）－Ｃ（２） １０３．７（５）
Ｃ（４）－Ｃ（３）－Ｈ（３Ａ） １１１．０
Ｃ（４）－Ｃ（３）－Ｈ（３Ｂ） １１１．０
Ｈ（３Ａ）－Ｃ（３）－Ｈ（３Ｂ） １０９．０
Ｏ（４）－Ｃ（５）－Ｃ（６） １０６．４（５）
Ｏ（４）－Ｃ（５）－Ｈ（５Ａ） １１０．４
Ｏ（４）－Ｃ（５）－Ｈ（５Ｂ） １１０．４
Ｃ（６）－Ｃ（５）－Ｈ（５Ａ） １１０．４
Ｃ（６）－Ｃ（５）－Ｈ（５Ｂ） １１０．４
Ｈ（５Ａ）－Ｃ（５）－Ｈ（５Ｂ） １０８．６
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
等価な原子を生成するために使用される対称変換：
表１４ ＭｏＯ２Ｃｌ２（ＴＨＦ）２の異方性変位パラメータ（Å２×１０３）。異方性変位係数指数は次の形式をとる：－２ ２［ｈ２ａ＊２Ｕ１１＋．．．＋２ｈｋａ＊ｂ＊Ｕ１２］
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
Ｕ１１ Ｕ２２ Ｕ３３ Ｕ２３ Ｕ１３ Ｕ１２
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
Ｍｏ（１）３０（１）３３（１）４４（１） －１（１） １２（１） ０（１）
Ｃｌ（２）４７（１）３２（１）４６（１） ７（１） －１（１） ０（１）
Ｃｌ（１）７７（１）４８（１）５２（１） １０（１） ３０（１） －８（１）
Ｏ（３） ３５（２）２４（２）３８（２） －４（１） ９（２） －２（１）
Ｏ（４） ４３（２）２５（２）４２（２） －５（２） －５（２） ０（２）
Ｏ（２） ３１（２）６３（３）８７（３） ５（３） １（２） －６（２）
Ｏ（１） ６５（３）５２（３）７２（３）－１０（２） ３２（３） １２（２）
Ｃ（６） ４３（３）６６（５）５９（４） ２（４） ４（２） －６（３）
Ｃ（１） ５３（３）２８（３）５０（３） －８（２） －２（３） －７（３）
Ｃ（８） ７５（４）３１（３）５６（４） －６（３） －１１（３） －１２（３）
Ｃ（２） ８０（４）３３（３）４２（３） －８（３） －７（３） １６（３）
Ｃ（４） ４９（３）３９（３）４６（３） －３（３） １９（３） ０（３）
Ｃ（７） ７３（５）４５（４）１７２（９）－３４（５）－５８（６） １０（４）
Ｃ（３） ５８（３）４２（４）５９（４） －１（３） ２０（３） １０（３）
Ｃ（５） ７０（４）４３（４）７８（５） －５（３） －２４（４） １３（３）
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
表１５ ＭｏＯ２Ｃｌ２（ＴＨＦ）２の水素座標（×１０４）及び等方性変位パラメータ（Å２ｘ１０３）
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
ｘ ｙ ｚ Ｕ（ｅｑ）
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
Ｈ（６Ａ） １２２４９ ４８６２ ５８５４ ６７
Ｈ（６Ｂ） １０４９６ ４８６２ ６５４８ ６７
Ｈ（１Ａ） ５７９４ ２６３６ ３０３５ ５２
Ｈ（１Ｂ） ７２９９ ２３８５ ３８４８ ５２
Ｈ（８Ａ） ９５２８ ６７４１ ４４８１ ６４
Ｈ（８Ｂ） ８１９７ ６７３０ ５４０４ ６４
Ｈ（２Ａ） ８７４５ １５８４ ２５９１ ６２
Ｈ（２Ｂ） ７７３１ ２３０９ １７９０ ６２
Ｈ（４Ａ） ９８５７ ４６２３ ２９８８ ５４
Ｈ（４Ｂ） ８５８６ ４４７１ ２０４８ ５４
Ｈ（７Ａ） １０４８０ ６５９３ ６３２４ １１６
Ｈ（７Ｂ） １１７９４ ６５１２ ５３９８ １１６
Ｈ（３Ａ） １０７６６ ２９１３ ２９６８ ６４
Ｈ（３Ｂ） １０５２１ ３１１５ １８１７ ６４
Ｈ（５Ａ） １０７１０ ４３１０ ４５８６ ７６
Ｈ（５Ｂ） ９３２２ ３８７２ ５３９２ ７６
＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
以下の表は、式（Ｉ）の特定の化合物の様々な物理的特性を示す。
Figure 0007299994000007
Figure 0007299994000008
ＳＴＡ－ＤＳＣ：
同時熱分析－示差走査熱量測定

Claims (10)

  1. 基板を式（Ｉ）の化合物、
    Figure 0007299994000009
    （式中、Ｍは、モリブデンであり、Ｘは、クロロであり、Ｌ １及びＬ２は、アセトニトリルである。）
    に接触させることと、
    蒸着条件下で、モリブデン、クロム、又はタングステン含有材料を基板上に堆積することと、を含む基板上に材料を形成するための方法であって、
    式（Ｉ）の化合物は、斜方晶系の結晶系を有し、約
    ａ＝１２．０３５０（８）Å α＝９０°
    ｂ＝１１．５９５６（９）Å β＝９０°
    ｃ＝２６．５８０７（１５）Å γ＝９０°の単位格子寸法を有する、方法。
  2. 基板を式（Ｉ）の化合物、
    Figure 0007299994000010
    （式中、Ｍは、タングステンであり、Ｘは、クロロであり、Ｌ １ 及びＬ ２ は、アセトニトリルである。）
    に接触させることと、
    蒸着条件下で、モリブデン、クロム、又はタングステン含有材料を基板上に堆積することと、を含む基板上に材料を形成するための方法であって、
    式（Ｉ）の化合物は、斜方晶系の結晶系を有し、約
    ａ＝８．７０９１（６）Å α＝９０°
    ｂ＝８．２５３６（７）Å β＝９０°
    ｃ＝１２．８０２１（８）Å γ＝９０°の単位格子寸法を有する、方法。
  3. 基板を式（Ｉ）の化合物、
    Figure 0007299994000011
    （式中、Ｍは、モリブデンであり、Ｘは、クロロであり、Ｌ １ 及びＬ ２ は、テトラヒドロフランである。）
    に接触させることと、
    蒸着条件下で、モリブデン、クロム、又はタングステン含有材料を基板上に堆積することと、を含む基板上に材料を形成するための方法であって、
    式（Ｉ）の化合物は、斜方晶系の結晶系を有し、約
    ａ＝７．４０４８（４）Å α＝９０°
    ｂ＝１２．５４３７（６）Å β＝９０°
    ｃ＝１３．７４８７（７）Å γ＝９０°の単位格子寸法を有する、方法。
  4. 結晶形態であり、１重量％未満の不純物を有する、式（Ｉ）の化合物
    Figure 0007299994000012
    （式中、Ｍは、モリブデンであり、Ｘは、クロロであり、Ｌ １及びＬ２は、アセトニトリルである。）であって、
    式（Ｉ）の化合物は、斜方晶系の結晶系を有し、約
    ａ＝１２．０３５０（８）Å α＝９０°
    ｂ＝１１．５９５６（９）Å β＝９０°
    ｃ＝２６．５８０７（１５）Å γ＝９０°の単位格子寸法を有する、化合物。
  5. 結晶形態であり、１重量％未満の不純物を有する、式（Ｉ）の化合物
    Figure 0007299994000013
    （式中、Ｍは、タングステンであり、Ｘは、クロロであり、Ｌ １ 及びＬ ２ は、アセトニトリルである。）であって、
    式（Ｉ）の化合物は、斜方晶系の結晶系を有し、約
    ａ＝８．７０９１（６）Å α＝９０°
    ｂ＝８．２５３６（７）Å β＝９０°
    ｃ＝１２．８０２１（８）Å γ＝９０°の単位格子寸法を有する、化合物。
  6. 結晶形態であり、１重量％未満の不純物を有する、式（Ｉ）の化合物
    Figure 0007299994000014
    （式中、Ｍは、モリブデンであり、Ｘは、クロロであり、Ｌ １ 及びＬ ２ は、テトラヒドロフランである。）であって、
    式（Ｉ）の化合物は、斜方晶系の結晶系を有し、約
    ａ＝７．４０４８（４）Å α＝９０°
    ｂ＝１２．５４３７（６）Å β＝９０°
    ｃ＝１３．７４８７（７）Å γ＝９０°の単位格子寸法を有する、化合物。
  7. 式（Ｉ）の化合物
    Figure 0007299994000015
    （式中、Ｍは、モリブデン、クロム、及びタングステンから選択され、Ｘは、フルオロ、クロロ、ブロモ、及びヨードから選択され、各Ｌ１及びＬ２は、同じものか又は異なるものであって、
    （ｉ）Ｍが配位した単座ヒドロカルビル配位子を構成するか、又は
    （ｉｉ）一緒になって、Ｍが配位した二座ヒドロカルビル配位子を形成する。）
    を調製する方法であって、
    （Ａ）式
    Figure 0007299994000016
    の化合物を、（ａ）約０．１％（ｗ／ｗ）～約４８％（ｗ／ｗ）の式ＨＸの化合物を含有する水と、（ｂ）式Ｌ１及び／又はＬ２の化合物とに接触させること、及びこれに続いて、
    （Ｂ）式（Ｉ）の化合物を固体又は液体として単離すること、を含み、
    式（Ｉ）の化合物が、約３重量パーセント未満の不純物を有する、
    方法。
  8. 式（Ｉ）の化合物が、結晶形態の式ＭｏＯ ２ Ｃｌ ２ （ＣＨ ３ ＣＮ） ２ を有し、１重量％未満の不純物を有する、請求項７に記載の方法。
  9. 式（Ｉ）の化合物が、結晶形態の式ＷＯ ２ Ｃｌ ２ （ＣＨ ３ ＣＮ） ２ を有し、１重量％未満の不純物を有する、請求項７に記載の方法。
  10. 式（Ｉ）の化合物が、結晶形態の式ＭｏＯ ２ Ｃｌ ２ （テトラヒドロフラン） ２ を有し、１重量％未満の不純物を有する、請求項７に記載の方法。
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