TWI830133B - 用於製備vi族前驅化合物之方法 - Google Patents

用於製備vi族前驅化合物之方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI830133B
TWI830133B TW111103407A TW111103407A TWI830133B TW I830133 B TWI830133 B TW I830133B TW 111103407 A TW111103407 A TW 111103407A TW 111103407 A TW111103407 A TW 111103407A TW I830133 B TWI830133 B TW I830133B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
formula
compound
molybdenum
tungsten
chromium
Prior art date
Application number
TW111103407A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202222816A (zh
Inventor
大衛 Ｍ 艾曼特
湯瑪士 Ｈ 邦姆
羅柏茲 二世 懷特
Original Assignee
美商恩特葛瑞斯股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 filed Critical 美商恩特葛瑞斯股份有限公司
Publication of TW202222816A publication Critical patent/TW202222816A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI830133B publication Critical patent/TWI830133B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F11/00—Compounds containing elements of Groups 6 or 16 of the Periodic Table
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
    • C23C16/08—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metal halides
    • C23C16/10—Deposition of chromium only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F11/00—Compounds containing elements of Groups 6 or 16 of the Periodic Table
    • C07F11/005—Compounds containing elements of Groups 6 or 16 of the Periodic Table compounds without a metal-carbon linkage
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
    • C23C16/08—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metal halides
    • C23C16/14—Deposition of only one other metal element
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
    • C23C16/18—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metallo-organic compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
    • H01L21/02192—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing at least one rare earth metal element, e.g. oxides of lanthanides, scandium or yttrium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/32051—Deposition of metallic or metal-silicide layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/405—Oxides of refractory metals or yttrium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45553—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the use of precursors specially adapted for ALD

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

本發明提供用於製備各種VI族前驅化合物之簡便方法，該等VI族前驅化合物可用於將該等VI族金屬氣相沈積於固體基板、尤其微電子半導體裝置基板上。該方法提供獲得該等揮發性材料之有效手段，然後該等揮發性材料可為欲沈積於該等基板上之含鉬、鉻或鎢之材料之來源。另外，本發明提供用於將該等化合物氣相沈積於微電子裝置基板上之方法。

Description

用於製備VI　族前驅化合物之方法
本發明係關於用於某些含VI族材料之氣相沈積之某些前驅物及其製備方法。
由於其極高熔點、低熱膨脹係數、低電阻率及高導熱率之特性，VI族金屬(例如鉬、鉻及鎢)越來越多地用於半導體裝置之製造中，其包括於擴散障壁、電極、光罩、電力電子基板、低電阻率柵極、平板顯示器及互連中之使用。
該實用性已促使努力達成用於該等應用之鉬、鉻及鎢膜之沈積，其特徵在於所沈積膜之高保形性及高沈積速率以適應有效的大批量製造操作。此繼而使得能夠努力開發用於氣相沈積操作之經改良鉬及鎢源試劑以及利用該等試劑之經改良製程參數。
本發明提供用於製備可用於將某些VI族金屬氣相沈積於固體基板、尤其微電子半導體裝置基板上之各種VI族前驅化合物之簡便方法。該方法提供獲得及分離該等揮發性固體或液體材料之有效手段，該等揮發性固體或液體材料然後可作為欲沈積於該等基板上之含鉬、鉻或含鎢材料之來源。另外，本發明提供用於將該等化合物氣相沈積於微電子裝置基板上之方法。
在第一態樣中，本發明提供製備式(I)化合物之方法 (I)， 其中M選自鉬、鉻及鎢，X選自氟、氯、溴及碘，且每一L 1及L 2相同或不同且構成： (i) 與M配位之單齒烴基配體，或 (ii) 一起形成與M配位之二齒烴基配體； 該方法包含： (A)使下式化合物 與以下各項接觸：(a) 含有約0.1% (w/w)至約48% (w/w)式HX化合物之水，及(b) 式L 1及/或L 2之化合物；隨後 (B) 將該式(I)化合物分離為固體或液體。
如本文所用，術語「烴基」代表包含碳及氫原子且視情況含有至少一個氮、硫或氧原子之C 2-C 16基團。該等烴基可包含直鏈或具支鏈飽和、不飽和及多不飽和伸烷基及伸環烷基且可經(例如)一至五個選自以下之基團取代：C 1-C 6烷氧基、羧基、硝基、胺基、C 2-C 6胺基羰基、C 2-C 6醯胺基、氰基、C 2-C 7-烷氧基羰基、C 2-C 7-烷醯基氧基、羥基、芳基、雜芳基、硫醇、硫醚、C 2-C 10二烷基胺基、C 3-C 15三烷基銨及鹵素。術語「C 1-C 6烷氧基」、「C 2-C 7-烷氧基羰基」及「C 2-C 7-烷醯基氧基」係用於表示分別對應於結構--OR 3、--CO 2R 3及--OCOR 3之基團，其中R 3係C 1-C 6烷基或經取代C 1-C 6烷基。術語「C 2-C 16胺基羰基」及「C 2-C 16醯胺基」係用於表示分別對應於結構--NHCOR 4、--CONHR 4之基團，其中R 4係C 1-C 7烷基。如上所述，L 1及L 2包含該等烴基，且含有至少一個氮、硫或氧原子。
L 1及L 2係獨立地選擇且代表單齒配體或一起形成二齒配體。一般而言，L 1及L 2包含具有至少一個氧、硫或氮原子之烴基。該等配體可選自例如第三丁基腈、甲苯、四氫呋喃及乙腈，且該等基團視情況經一或多個選自以下之基團取代：鹵基、氰基、硝基、C 1-C 6烷基、C 1-C 6烷氧基、四氫呋喃、C 1-C 6烷氧基羰基及苯基。其他實例包括1,2-二甲氧基乙烷；1,2-二乙氧基乙烷；1,2-二甲氧基丙烷；N,N-二甲基乙醯胺；N,N-二甲基甲醯胺；N,N-二甲基氰基乙醯胺；二胺及三胺，例如N,N,N',N'-四甲基乙二胺、乙二胺、六伸乙基二胺、二伸乙基三胺(diethylene triamine)及二伸乙基三胺(diethylenetriamine)；二甲亞碸；及二醇，例如乙二醇、丙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、1,5-戊二醇及1,6-己二醇。
步驟(B)分離式(I)化合物可藉由以下實施：利用水不混溶溶劑自水性反應混合物萃取化合物，隨後蒸發溶劑或結晶。另一選擇為，可將諸如醇(例如乙醇)之水溶性溶劑添加至水溶液以誘導期望式(I)化合物沈澱。若期望，式(I)之固體化合物可藉由結晶及/或真空昇華來純化。
應瞭解，上文繪示本發明化合物之結構係以二維形式繪製，未必代表其三維定向。
另外，式(I)化合物一旦形成，便可與式L 1及/或L 2之額外/不同化合物反應，以經由置換反應形成不同的式(I)化合物。因此，在另一實施例中，本發明提供上述方法，其包含使式(I)化合物與選自以下之化合物接觸之步驟：第三丁基腈、甲苯、四氫呋喃及乙腈，且該等基團視情況經一或多個選自：鹵基、氰基、硝基、C 1-C 6烷基、C 1-C 6烷氧基、四氫呋喃、C 1-C 6烷氧基羰基及苯基之基團取代；1,2-二甲氧基乙烷；1,2-二乙氧基乙烷；1,2-二甲氧基丙烷；N,N-二甲基乙醯胺；N,N-二甲基甲醯胺；N,N-二甲基氰基乙醯胺；N,N,N',N'-四甲基乙二胺、乙二胺、六伸乙基二胺、二伸乙基三胺(diethylene triamine)及二伸乙基三胺(diethylenetriamine)；二甲亞碸；及乙二醇、丙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、1,5-戊二醇及1,6-己二醇， 以獲得具有式L 1及/或L 2之不同配體之式(I)化合物。
在其他實施例中，本發明提供式(I)化合物 (I)， 其中M選自鉬、鉻及鎢，X選自氟、氯、溴及碘，且每一L 1及L 2相同或不同且構成： (i) 與M配位之單齒烴基配體，或 (ii) 一起形成與M配位之二齒烴基配體； 其呈固體或液體形式。在某些實施例中，式(I)化合物具有小於約3重量%雜質。在其他實施例中，式(I)化合物具有小於1重量%雜質。在其他實施例中，式(I)化合物係以結晶型分離。式(I)化合物之該等結晶型之特定實例包括MoO 2Cl 2(CH 3CN) 2及WO 2Cl 2(CH 3CN) 2及MoO 2Cl 2(四氫呋喃) 2。在另一實施例中，本發明提供具有式MoO 2Cl 2(CH 3CN) 2、呈結晶型且具有如圖1中所示之x射線晶體結構之化合物。在另一實施例中，本發明提供具有式WO 2Cl 2(CH 3CN) 2、呈結晶型且具有如圖2中所示之x射線晶體結構之化合物。在另一實施例中，本發明提供具有式MoO 2Cl 2(四氫呋喃) 2、呈結晶型且具有如圖5中所示之x射線晶體結構之化合物。該等結晶型進一步在以下試驗部分中表徵。
在另一實施例中，本發明提供具有式MoO 2Cl 2(CH 3CN) 2且具有斜方晶系且單位晶胞尺寸約為以下之化合物： a = 12.0350(8) Å             α= 90° b = 11.5956(9) Å             β= 90° c = 26.5807(15) Å            γ = 90°。
在另一實施例中，本發明提供具有式WO 2Cl 2(CH 3CN) 2且具有斜方晶系且單位晶胞尺寸約為以下之化合物： a = 8.7091(6) Å               α = 90° b = 8.2536(7) Å               β = 90° c = 12.8021(8) Å             γ = 90°。
在另一實施例中，本發明提供具有式MoO 2Cl 2(四氫呋喃) 2且具有斜方晶系且單位晶胞尺寸約為以下之化合物： a = 7.4048(4) Å               α = 90° b = 12.5437(6) Å             β = 90° c = 13.7487(7) Å              γ = 90°。
如本文所用，術語「單位晶胞」係指完全代表晶體圖案之單元之晶體的最小且最簡單之體積元素。單位晶胞之尺寸係由六個數值界定：尺寸a、b及c及角度α、β及γ。晶體係許多單位晶胞之有效堆積陣列。
如本文所用，術語「斜方單位晶胞」係指其中a≠b≠c；α=β=γ=90°之單位晶胞。
如本文所用，「晶格」係指由堆積之單位晶胞之頂點界定之點陣列，如藉由單晶x-射線繞射分析所測定。
如本文所用，「空間群」係指單位晶胞之對稱性。在空間群名稱(例如C2)中，大寫字母指示晶格類型，且其他符號代表在不改變其外觀的情況下可對單位晶胞實施之對稱操作。
在本發明之方法中，適宜水不混溶溶劑包括二氯甲烷、乙酸乙酯、二乙醚、甲苯、苯、戊烷及諸如此類。
在一個實施例中，方法係在升高之溫度(例如約20℃至約100℃)下實施。
式(I)化合物亦可藉由利用下式之起始材料來製備： ， 即，通式A 2MO 4之化合物，其中M選自鉻、鉬或鎢，且A選自I族及II族金屬或銨陽離子。該等陽離子之實例包括Li +、Na +、K +、NH 4 +、烷基銨化合物及諸如此類。該等化合物可在式L 1及/或L 2之化合物之存在下與HX類似地反應，以獲得期望之前驅化合物。
本發明方法提供某些化合物，其繼而可用於將某些VI族金屬氣相沈積於各種基板、包括微電子半導體裝置基板上。因此，在另一態樣中，本發明提供在基板上形成材料之方法，其包含使基板與式(I)之化合物接觸 (I)， 其中M選自鉬、鉻及鎢，X選自氟、氯、溴及碘，且每一L 1及L 2相同或不同且構成： (i) 與M配位之單齒烴基配體，或 (ii) 一起形成與M配位之二齒烴基配體； 在氣相沈積條件下將含鉬、鉻或鎢之材料沈積於基板上。
用於本發明沈積方法中之基板可為任何適宜類型，且可包含(例如)半導體裝置基板，例如矽基板、二氧化矽基板或其他基於矽之基板。在各個實施例中，基板可包含一或多種金屬或電介質基板，例如Co、Cu、Al、W、WN、WC、 TiN、Mo、MoC、SiO 2、W、SiN、、WCN、Al 2O 3、AlN、ZrO2、HfO 2、SiO 2、氧化鑭(La 2O 3)、氮化鉭(TaN)、氧化釕(RuO 2)、氧化銥(IrO 2)、氧化鈮(Nb 2O 3)及氧化釔(Y 2O 3)。
在某些實施例中，例如在氧化物基板(例如二氧化矽)或另一選擇矽或多晶矽基板之情形中，基板可經處理或製作以在其上包括用於後續沈積材料之障壁層(例如氮化鈦)。
在一個實施例中，沈積於基板表面上之含鉬、鉻或鎢之層可係藉由(例如)脈衝化學氣相沈積(CVD)或原子層沈積(ALD)或其他氣相沈積技術形成，而不需預先形成成核層且因此直接利用源自式(I)化合物之蒸氣。各別式(I)蒸氣接觸步驟可交替並重複地實施所期望之循環次數，以形成期望厚度之鉬、鉻或鎢膜。在各個實施例中，基板(例如氮化鈦)層與該蒸氣之接觸係在低至350℃且在其他實施例中在300℃至750℃範圍內之溫度下實施。
利用源自式(I)化合物之蒸氣，含鉬、鉻或鎢之材料可直接沈積於基板上，以形成元素鉬、鉻或鎢或其相應氧化物之塊體沈積物。H 2之濃度對於金屬或氧化物之形成至關重要，此乃因金屬形成需要大於四莫耳當量或過量之H 2。少於四(4)莫耳當量之H 2將導致形成不同量之該等金屬之氧化物，且因此將需要進一步暴露於H 2以還原由此形成之金屬氧化物。
在各個實施例中，含鉬、鉻或鎢之材料係在300℃至750℃範圍內之溫度下沈積於基板表面上。可實施該方法，以使得氣相沈積條件引起元素鉬、鉻或鎢作為含金屬材料於基板上之沈積。氣相沈積條件可具有任何適宜特徵，且可包含(例如)氫氣或其他還原性氣體之存在，以在基板上形成元素鉬、鉻或鎢之塊體層。
更一般而言，根據本揭示內容，在基板上形成含鉬、鉻或鎢之材料之廣泛方法可包含包括存在氫氣或其他還原性氣體之氣相沈積條件。含鉬、鉻或鎢之材料可在存在或不存在氫氣之情形中沈積於障壁層或表面上。舉例而言，障壁層可由氮化鈦構成，且氮化鈦層可在氫氣之存在下與源自式(I)化合物之蒸氣接觸。
在另一實施例中，在使用式(I)化合物作為沈積金屬氧化物薄膜(例如MoO 2、WO 3及Cr 2O 3)之手段時，可將氧化共反應物(例如氧)添加至方法中。
應瞭解，本發明可以許多替代方式並在眾多種製程條件下實施。本發明方法可在(例如)在基板上製造半導體裝置之製程中實施。半導體裝置可為任何適宜類型，且可包含例如DRAM裝置、3-D NAND裝置或其他裝置或裝置積體結構。在各個實施例中，基板可包含含鉬材料沈積於其中之通孔。舉例而言，裝置可具有在10:1至40:1範圍內之深度對橫向尺寸之縱橫比。在其他實施例中，裝置可為用於平板顯示器或行動裝置中之膜。
根據本發明，沈積含鉬材料之製程化學可包括藉由以下反應沈積元素鉬Mo(0)：2 MO 2Cl 2[(L 1)(L 2)] + 6H 2→ 2M (其中M = 鉬、鉻或鎢) + 4HCl + 4H 2O。根據本發明方法沈積之含鉬、鉻或鎢之材料(M)可藉由任何適當評估指標及參數來表徵，例如，含鉬、鉻或鎢之材料之沈積速率、所沈積含鉬、鉻或鎢之材料之膜電阻率、所沈積含鉬、鉻或鎢之材料之膜形態、所沈積含鉬、鉻或鎢之材料之膜應力、材料之階梯覆蓋率以及適當處理條件之製程窗或製程包絡。可採用任何適當評估指標及參數來表徵所沈積之材料並將其與具體製程條件相關聯，以能夠大量生產相應半導體產品。有利地，本發明方法能夠將高純度鉬、鉻或鎢之膜沈積於半導體裝置上。因此，在另一態樣中，本發明提供具有沈積於其上之鉬膜之半導體裝置，其中該膜包含大於99%鉬、鉻或鎢。
在某些實施例中，本發明係關於在基板上形成含鉬、鉻或鎢之材料之方法，其包含藉由化學氣相沈積(CVD)製程利用前驅物式(I)化合物將鉬、鉻或鎢沈積於基板表面上，以在該基板上產生含鉬、鉻或鎢之材料。
該等製程可以如本文多方面闡述之任何適宜方式實施。在具體實施例中，該方法可利用包含化學氣相沈積(例如，脈衝化學氣相沈積)之氣相沈積製程實施。該方法可經實施，以使得所得含鉬、鉻或鎢之材料基本上由元素鉬、鉻或鎢構成，且在各個實施例中，鉬、鉻或鎢可在氫氣或其他適宜還原性氣體之存在下沈積於基板表面上。在本發明之其他實施例中，式(I)之前驅物及還原性氣體可相繼以脈衝方式輸送，以脈衝方式沈積鉬膜，其中脈衝序列針對膜保形性及膜電阻率經最佳化。該方法可在半導體裝置產品(例如DRAM裝置、或3-D NAND、邏輯裝置、平板顯示器或IC封裝組件)之製造中實施。
通常，本發明用於在基板上形成含鉬、鉻或鎢之材料之方法可經實施以達成含鉬、鉻或鎢之材料以高程度之階梯覆蓋率(例如，在約75%至約100%範圍內之階梯覆蓋率)之沈積。
本發明可藉由其較佳實施例之下列實例進一步說明，但應理解，除非另外特定指出，否則包括該等實例僅用於說明之目的且並非意欲限制本發明之範圍。
試驗部分使用以下一般程序，可製備式(I)化合物：
合成程序 1 號 .將MoO 3(20.0 g, 138 mmol)加載於配備有磁力攪拌棒之500 mL圓底燒瓶中。將HCl (200 mL, 37%)直接添加至MoO 3，反應燒瓶裝備有水冷式冷凝器(5℃)，並使用油浴將所得淺綠色懸浮液加熱至接近回流(95℃)。約2小時後，反應呈現為澄清淺綠色溶液。將反應冷卻至室溫，然後置於冰浴中。此時，將DME (50 mL)直接添加至經冷卻之溶液並使反應升溫至室溫並攪拌過夜。第二天早晨，將淺綠色溶液傾倒於1L分液漏斗中並用DCM (2 x 200 mL)萃取。將有機層合併，使用MgSO 4乾燥，過濾，置於配備有磁力攪拌棒之1L圓底燒瓶，並在減壓下去除溶劑，以獲得呈灰白色固體之MoO 2Cl 2(二甲氧基乙烷)。質量= 12.68g，產率 = 31.8%。產物可經真空昇華(80℃，在25毫托(mTorr)下)純化。 1H NMR (400 MHz, C 6D 6, 298K): δ 3.29 (s, 6H)；2.78 (s, 4H) ppm。 13C{1H} NMR (100 MHz, C 6D 6, 298K): δ 70.68, 64.13 ppm。
合成程序 2 號通式A 2MO 4，其中M = 鉻、鉬或鎢且A = 鋰、鈉或鉀。 此處，一般合成程序及後處理極類似於程序1號 ， 即，通式A 2MO 4之化合物，其中M係選自鉻、鉬或鎢，且A係選自I及II族金屬或銨陽離子。實例包括Li +、Na +、K +、NH 4 +、烷基銨化合物及諸如此類。
合成程序 3 號可利用配體取代以合成式(I)化合物。舉例而言，可使用上文程序1號製備MoO 2Cl 2(N,N-二甲基甲醯胺) 2錯合物，且然後N,N-二甲基甲醯胺配體經由溶劑分解來取代二甲氧基乙烷以產生MoO 2Cl 2(二甲氧基乙烷)。
如上所述，圖1係MoO 2Cl 2(CH 3CN) 2之三維固態晶體結構繪示。此化合物經受x-射線結晶學分析並獲得以下資料： 表1. MoO 2Cl 2(CH 3CN) 2之晶體資料及結構精修. 識別碼                            NB00618-002 經驗式                            C4 H6 Cl2 Mo N2 O2 式量                               280.95 溫度                               100.0 K 波長                               0.71073 Å 晶系                               斜方 空間群                            Pnma 單位晶胞尺寸                  a = 12.0350(8) Å   α= 90°。 b = 11.5956(9) Å   β= 90°。 c = 26.5807(15) Å  γ = 90°. 體積                               3709.4(4) Å 3Z, Z’                              16, 4 密度(計算值)                   2.012 Mg/m 3吸收係數                         1.945 mm -1F(000)                           2176 晶體大小                         0.24 x 0.19 x 0.18 mm 3用於資料收集之θ範圍       1.857至26.718°. 指數範圍                         -15＜=h＜=15, -14＜=k＜=14, -33＜=l＜=32 所收集之反射                  22254 獨立反射                         4134 [R(int) = 0.0475] 至θ= 25.242°之完整性      99.9 % 吸收校正                         由等效值之半經驗校正 最大及最小透射               0.7454及0.6516 精修方法                         對F 2之全矩陣最小二乘法 資料/約束/參數                4134 / 0 / 222 對F 2之擬合優度               1.008 最終R指數[I＞2σ(I)]          R1 = 0.0258, wR2 = 0.0518 R指數(所有資料)              R1 = 0.0388, wR2 = 0.0558 消光係數                         0.00013(2) 最大繞射峰及谷               0.492及-0.462 e.Å -3表2. 原子坐標( × 10 4)及等效各向同性位移參數(Å 2x 10 3)。U(eq)定義為正交化U ij張量之跡線的三分之一。
   x y z U(eq)
Mo(4) 7248(1) 2500 4414(1) 10(1)
Mo(2) 2330(1) 7500 3151(1) 10(1)
Mo(1) 2455(1) 2500 3069(1) 11(1)
Mo(3) 7667(1) 7500 4464(1) 12(1)
Cl(2) 4372(1) 2500 2868(1) 17(1)
Cl(3) 1038(1) 7500 2486(1) 19(1)
Cl(4) 4104(1) 7500 3531(1) 15(1)
Cl(5) 5845(1) 7500 4786(1) 20(1)
Cl(7) 7535(1) 2500 3536(1) 17(1)
Cl(8) 7804(1) 2500 5264(1) 16(1)
Cl(1) 877(1) 2500 3592(1) 19(1)
Cl(6) 9054(1) 7500 3833(1) 19(1)
O(1) 2102(2) 3651(1) 2715(1) 19(1)
N(2) 3254(2) 6256(2) 2597(1) 13(1)
N(1) 3109(2) 3737(2) 3706(1) 16(1)
N(3) 6849(2) 8742(2) 3887(1) 16(1)
O(4) 6389(2) 1350(2) 4438(1) 18(1)
O(3) 8142(2) 6347(2) 4788(1) 21(1)
C(2) 3871(2) 5026(2) 4428(1) 17(1)
C(1) 3436(2) 4302(2) 4022(1) 13(1)
C(4) 4342(2) 4940(2) 1977(1) 18(1)
C(7) 9534(2) 4320(2) 4355(1) 10(1)
N(4) 8773(2) 3745(2) 4367(1) 15(1)
C(8) 10517(2) 5057(2) 4342(1) 15(1)
O(2) 1813(2) 8648(2) 3461(1) 19(1)
C(3) 3728(2) 5680(2) 2325(1) 13(1)
C(6) 5822(2) 10073(2) 3259(1) 17(1)
C(5) 6407(2) 9324(2) 3608(1) 12(1)
表3. MoO 2Cl 2(CH 3CN)之鍵長[Å]及角度[°]。
Mo(4)-Cl(7) 2.3601(9)   
Mo(4)-Cl(8) 2.3561(9)   
Mo(4)-O(4) 1.6885(17)   
Mo(4)-O(4)#1 1.6885(17)   
Mo(4)-N(4)#1 2.338(2)   
Mo(4)-N(4) 2.338(2)   
Mo(2)-Cl(3) 2.3547(9)   
Mo(2)-Cl(4) 2.3623(9)   
Mo(2)-N(2) 2.343(2)   
Mo(2)-N(2)#2 2.343(2)   
Mo(2)-O(2) 1.6846(17)   
Mo(2)-O(2)#2 1.6846(17)   
Mo(1)-Cl(2) 2.3672(10)   
Mo(1)-Cl(1) 2.3534(10)   
Mo(1)-O(1)#1 1.6867(17)   
Mo(1)-O(1) 1.6867(17)   
Mo(1)-N(1) 2.355(2)   
Mo(1)-N(1)#1 2.355(2)   
Mo(3)-Cl(5) 2.3528(10)   
Mo(3)-Cl(6) 2.3671(10)   
Mo(3)-N(3) 2.323(2)   
Mo(3)-N(3)#2 2.323(2)   
Mo(3)-O(3)#2 1.6885(17)   
Mo(3)-O(3) 1.6885(17)   
N(2)-C(3) 1.137(3)   
N(1)-C(1) 1.135(3)   
N(3)-C(5) 1.134(3)   
C(2)-C(1) 1.462(3)   
C(4)-C(3) 1.462(3)   
C(7)-N(4) 1.133(3)   
C(7)-C(8) 1.461(3)   
C(6)-C(5) 1.453(3)   
Cl(8)-Mo(4)-Cl(7) 155.09(4)   
O(4)#1-Mo(4)-Cl(7) 97.26(6)   
O(4)-Mo(4)-Cl(7) 97.26(6)   
O(4)#1-Mo(4)-Cl(8) 97.95(6)   
O(4)-Mo(4)-Cl(8) 97.94(6)   
O(4)#1-Mo(4)-O(4) 104.33(13)   
O(4)#1-Mo(4)-N(4)#1 165.97(8)   
O(4)-Mo(4)-N(4) 165.97(8)   
O(4)-Mo(4)-N(4)#1 89.70(8)   
O(4)#1-Mo(4)-N(4) 89.70(8)   
N(4)-Mo(4)-Cl(7) 80.39(5)   
N(4)#1-Mo(4)-Cl(7) 80.39(5)   
N(4)-Mo(4)-Cl(8) 80.08(5)   
N(4)#1-Mo(4)-Cl(8) 80.08(5)   
N(4)-Mo(4)-N(4)#1 76.27(11)   
Cl(3)-Mo(2)-Cl(4) 156.61(3)   
N(2)-Mo(2)-Cl(3) 80.86(5)   
N(2)#2-Mo(2)-Cl(3) 80.86(5)   
N(2)-Mo(2)-Cl(4) 80.76(5)   
N(2)#2-Mo(2)-Cl(4) 80.76(5)   
N(2)#2-Mo(2)-N(2) 76.03(10)   
O(2)#2-Mo(2)-Cl(3) 97.08(6)   
O(2)-Mo(2)-Cl(3) 97.08(6)   
O(2)-Mo(2)-Cl(4) 97.18(7)   
O(2)#2-Mo(2)-Cl(4) 97.18(7)   
O(2)#2-Mo(2)-N(2) 89.75(8)   
O(2)-Mo(2)-N(2)#2 89.75(8)   
O(2)-Mo(2)-N(2) 165.78(8)   
O(2)#2-Mo(2)-N(2)#2 165.78(8)   
O(2)#2-Mo(2)-O(2) 104.47(12)   
Cl(1)-Mo(1)-Cl(2) 156.82(4)   
Cl(1)-Mo(1)-N(1)#1 81.08(6)   
Cl(1)-Mo(1)-N(1) 81.08(6)   
O(1)-Mo(1)-Cl(2) 96.88(6)   
O(1)#1-Mo(1)-Cl(2) 96.88(6)   
O(1)#1-Mo(1)-Cl(1) 97.24(6)   
O(1)-Mo(1)-Cl(1) 97.24(6)   
O(1)#1-Mo(1)-O(1) 104.56(12)   
O(1)-Mo(1)-N(1)#1 165.24(8)   
O(1)#1-Mo(1)-N(1)#1 90.19(8)   
O(1)-Mo(1)-N(1) 90.20(8)   
O(1)#1-Mo(1)-N(1) 165.24(8)   
N(1)#1-Mo(1)-Cl(2) 80.59(6)   
N(1)-Mo(1)-Cl(2) 80.59(6)   
N(1)#1-Mo(1)-N(1) 75.05(10)   
Cl(5)-Mo(3)-Cl(6) 156.17(4)   
N(3)#2-Mo(3)-Cl(5) 81.11(6)   
N(3)-Mo(3)-Cl(5) 81.11(6)   
N(3)-Mo(3)-Cl(6) 80.24(6)   
N(3)#2-Mo(3)-Cl(6) 80.24(6)   
N(3)#2-Mo(3)-N(3) 76.59(10)   
O(3)#2-Mo(3)-Cl(5) 97.49(7)   
O(3)-Mo(3)-Cl(5) 97.49(7)   
O(3)-Mo(3)-Cl(6) 97.00(7)   
O(3)#2-Mo(3)-Cl(6) 97.00(7)   
O(3)#2-Mo(3)-N(3) 89.38(8)   
O(3)-Mo(3)-N(3) 165.95(8)   
O(3)-Mo(3)-N(3)#2 89.38(8)   
O(3)#2-Mo(3)-N(3)#2 165.95(8)   
O(3)#2-Mo(3)-O(3) 104.65(13)   
C(3)-N(2)-Mo(2) 177.7(2)   
C(1)-N(1)-Mo(1) 177.7(2)   
C(5)-N(3)-Mo(3) 177.0(2)   
N(1)-C(1)-C(2) 179.3(3)   
N(4)-C(7)-C(8) 179.7(3)   
C(7)-N(4)-Mo(4) 177.4(2)   
N(2)-C(3)-C(4) 179.7(3)   
N(3)-C(5)-C(6) 178.8(3)   
對稱變換用於生成等效原子： #1 x,-y+1/2,z    #2 x,-y+3/2,z 表4. MoO 2Cl 2(CH 3CN)之各向異性位移參數(Å 2x 10 3)。各向異性位移因子指數採取以下形式：-2π 2[ h 2a* 2U 11+ ...  + 2 h k a* b* U 12]
   U 11 U 22 U 33 U 23 U 13 U 12
Mo(4) 9(1) 9(1) 13(1) 0 2(1) 0
Mo(2) 9(1) 10(1) 10(1) 0 3(1) 0
Mo(1) 13(1) 10(1) 10(1) 0 -3(1) 0
Mo(3) 15(1) 9(1) 11(1) 0 -4(1) 0
Cl(2) 16(1) 18(1) 17(1) 0 3(1) 0
Cl(3) 12(1) 23(1) 22(1) 0 -4(1) 0
Cl(4) 13(1) 18(1) 13(1) 0 -1(1) 0
Cl(5) 20(1) 19(1) 21(1) 0 3(1) 0
Cl(7) 19(1) 20(1) 13(1) 0 0(1) 0
Cl(8) 19(1) 17(1) 13(1) 0 2(1) 0
Cl(1) 15(1) 20(1) 23(1) 0 4(1) 0
Cl(6) 17(1) 20(1) 21(1) 0 2(1) 0
O(1) 21(1) 16(1) 21(1) 5(1) -4(1) 1(1)
N(2) 11(1) 12(1) 17(1) 1(1) -1(1) 2(1)
 N(1) 18(1) 14(1) 17(1) -2(1) 0(1) -1(1)
N(3) 18(1) 13(1) 17(1) -2(1) -1(1) 1(1)
O(4) 17(1) 15(1) 21(1) -1(1) 3(1) -5(1)
O(3) 25(1) 16(1) 22(1) 4(1) -2(1) 4(1)
C(2) 20(2) 16(2) 17(2) -5(1) 0(1) 1(1)
C(1) 11(1) 13(1) 15(1) 5(1) 4(1) 4(1)
C(4) 21(2) 16(2) 16(1) -2(1) 4(1) 2(1)
C(7) 16(1) 9(1) 6(1) 1(1) 1(1) 3(1)
N(4) 17(1) 14(1) 13(1) -1(1) 0(1) 2(1)
C(8) 14(2) 16(2) 15(1) 3(1) -3(1) -4(1)
O(2) 17(1) 21(1) 20(1) -4(1) 5(1) 3(1)
C(3) 12(1) 13(1) 13(1) 3(1) -4(1) -2(1)
C(6) 18(2) 15(2) 18(1) 7(1) -3(1) -1(1)
C(5) 13(1) 10(1) 14(1) -2(1) 2(1) -2(1)
表5. MoO 2Cl 2(CH 3CN)之氫坐標( × 10 4)及各向同性位移參數(Å 2x 10 3)。
   x y z U(eq)
H(2A) 3835 5837 4327 26
H(2B) 4645 4814 4496 26
H(2C) 3425 4910 4732 26
H(4A) 3937 4884 1658 27
H(4B) 4422 4169 2124 27
H(4C) 5080 5270 1916 27
H(8A) 10874 4995 4012 22
H(8B) 11040 4812 4604 22
H(8C) 10298 5860 4402 22
H(6A) 6256 10150 2949 26
H(6B) 5722 10835 3412 26
H(6C) 5094 9740 3181 26
如上所述，圖2係WO 2Cl 2(CH 3CN) 2之三維固態晶體結構繪示。 表6.  WO 2Cl 2(CH 3CN) 2之晶體資料及結構精修. 識別碼                            NB00666-001 經驗式                            C4 H6 Cl2 N2 O2 W 式量                               368.86 溫度                               100.0 K 波長                               0.71073 Å 晶系                               斜方 空間群                            Pbcn 單位晶胞尺寸                  a = 8.7091(6) Å     α= 90°。 b = 8.2536(7) Å     β= 90°。 c = 12.8021(8) Å   γ = 90°。 體積                               920.23(12) Å 3Z                                   4 密度(計算值)                   2.662 Mg/m 3吸收係數                         13.088 mm -1F(000)                           672 晶體大小                         0.37 x 0.35 x 0.33 mm 3用於資料收集之θ範圍       3.183至28.277°. 指數範圍                         -11＜=h＜=10, -11＜=k＜=6, -16＜=l＜=16 所收集之反射                  5168 獨立反射                         1139 [R(int) = 0.0281] 至θ= 25.242°之完整性      99.9 % 吸收校正                         由等效值之半經驗校正 最大及最小透射               0.6035及0.3693 精修方法                         對F 2之全矩陣最小二乘法 資料/約束/參數                1139 / 0 / 52 對F 2之擬合優度               1.133 最終R指數[I＞2σ(I)]          R1 = 0.0183, wR2 = 0.0431 R指數(所有資料)              R1 = 0.0256, wR2 = 0.0459 消光係數                         n/a 最大繞射峰及谷               0.641及-1.611 e.Å -3表7. WO 2Cl 2(CH 3CN) 2之原子坐標( × 10 4)及等效各向同性位移參數(Å 2x 10 3)。U(eq)定義為正交化U ij張量之跡線的三分之一。
   x y z U(eq)
W(1) 5000 3420(1) 2500 7(1)
Cl(1) 7382(1) 4003(1) 3276(1) 14(1)
O(1) 5680(3) 2149(3) 1552(2) 12(1)
 N(1) 4324(4) 5646(4) 3495(2) 12(1)
C(2) 3798(5) 8375(4) 4431(3) 14(1)
C(1) 4080(4) 6841(4) 3911(3) 11(1)
表8. WO 2Cl 2(CH 3CN) 2之鍵長[Å]及角度[°]。
W(1)-Cl(1)#1 2.3502(9)
W(1)-Cl(1) 2.3502(9)
W(1)-O(1)#1 1.710(3)
W(1)-O(1) 1.710(3)
W(1)-N(1)#1 2.312(3)
W(1)-N(1) 2.312(3)
N(1)-C(1) 1.141(5)
C(2)-H(2A) 0.9800
C(2)-H(2B) 0.9800
C(2)-H(2C) 0.9800
C(2)-C(1) 1.452(5)
     
Cl(1)-W(1)-Cl(1)#1 156.36(4)
O(1)-W(1)-Cl(1) 96.89(9)
O(1)#1-W(1)-Cl(1) 97.55(9)
O(1)-W(1)-Cl(1)#1 97.55(9)
O(1)#1-W(1)-Cl(1)#1 96.89(9)
O(1)-W(1)-O(1)#1 104.30(17)
O(1)-W(1)-N(1) 165.20(12)
O(1)-W(1)-N(1)#1 90.48(11)
O(1)#1-W(1)-N(1) 90.48(11)
O(1)#1-W(1)-N(1)#1 165.20(12)
N(1)-W(1)-Cl(1)#1 81.11(8)
N(1)#1-W(1)-Cl(1)#1 80.15(8)
N(1)#1-W(1)-Cl(1) 81.11(8)
N(1)-W(1)-Cl(1) 80.15(8)
N(1)-W(1)-N(1)#1 74.75(15)
C(1)-N(1)-W(1) 172.6(3)
H(2A)-C(2)-H(2B) 109.5
H(2A)-C(2)-H(2C) 109.5
H(2B)-C(2)-H(2C) 109.5
C(1)-C(2)-H(2A) 109.5
C(1)-C(2)-H(2B) 109.5
C(1)-C(2)-H(2C) 109.5
N(1)-C(1)-C(2) 178.8(4)
對稱變換用於生成等效原子： #1 -x+1,y,-z+1/2 表9. WO 2Cl 2(CH 3CN) 2之各向異性位移參數(Å 2x 10 3)。各向異性位移因子指數採取以下形式：-2π 2[ h 2a* 2U 11+ ...  + 2 h k a* b* U 12]
   U 11 U 22 U 33 U 23 U 13 U 12
W(1) 8(1) 5(1) 7(1) 0 -1(1) 0
Cl(1) 11(1) 14(1) 16(1) -1(1) -4(1) -1(1)
O(1) 12(1) 11(1) 14(1) -1(1) -2(1) 1(1)
 N(1) 10(2) 12(2) 12(2) 0(1) 0(1) -1(1)
C(2) 21(2) 8(2) 12(2) -3(1) -3(2) 2(1)
C(1) 11(2) 11(2) 11(2) 1(1) -4(2) -2(1)
表10. WO 2Cl 2(CH 3CN) 2之氫坐標( × 10 4)及各向同性位移參數(Å 2x 10 3)。
   x y z U(eq)
H(2A) 3864 9258 3921 16
H(2B) 4569 8540 4979 16
H(2C) 2772 8363 4744 16
如上所述，圖5係MoO 2Cl 2(THF) 2(THF = 四氫呋喃)之三維固態晶體結構繪示。此化合物經受x-射線結晶學分析並獲得以下資料： 表11. MoO 2Cl 2(THF) 2之晶體資料及結構精修.  經驗式                            C8 H16 Cl2 Mo O4 分子式                            C8 H16 Cl2 Mo O4 式量                               343.05 溫度                               200 K 波長                               0.71073 Å 晶系                               斜方 空間群                            P2 1 2 1 2 1 單位晶胞尺寸                  a = 7.4048(4) Å     α= 90°。 b = 12.5437(6) Å   β= 90°。 c = 13.7487(7) Å   γ = 90°。 體積                               1277.03(11) Å 3Z                                   4 密度(計算值)                   1.784 Mg/m 3吸收係數                         1.437 mm -1F(000)                           688 晶體大小                         0.15 x 0.15 x 0.1 mm 3晶體色彩，習性               透明無色塊狀 用於資料收集之θ範圍       2.198至26.382°. 指數範圍                         -9＜=h＜=9, -15＜=k＜=13, -17＜=l＜=17 所收集之反射                  11549 獨立反射                         2611 [R(int) = 0.0731] 至θ = 25.242°之完整性    99.9 % 吸收校正                         由等效值之半經驗校正 最大及最小透射               0.4652及0.3891 精修方法                         對F 2之全矩陣最小二乘法 資料/約束/參數                2611 / 0 / 136 對F 2之擬合優度               1.065 最終R指數[I＞2σ(I)]          R1 = 0.0332, wR2 = 0.0838 R指數(所有資料)              R1 = 0.0361, wR2 = 0.0858 絕對結構參數                  0.00(5) 消光係數                         n/a 最大繞射峰及谷               0.360及-0.510 e.Å -3表12. 實例11之原子坐標(x 10 4)及等效各向同性位移參數(Å 2x 10 3)。U(eq)定義為正交化U ij張量之跡線的三分之一。
   x y z U(eq)
Mo(1) 5728(1) 5036(1) 4146(1) 36(1)
Cl(2) 6796(2) 6222(1) 2947(1) 42(1)
Cl(1) 5665(2) 3642(1) 5296(1) 59(1)
O(3) 7484(4) 3874(3) 3290(2) 33(1)
O(4) 8555(5) 5286(3) 4799(3) 37(1)
O(2) 3868(5) 4641(4) 3542(4) 60(1)
O(1) 4986(7) 6018(4) 4890(3) 63(1)
C(6) 10956(8) 5056(5) 5895(4) 56(2)
C(1) 7073(9) 2746(4) 3220(4) 44(1)
C(8) 9173(9) 6336(5) 5068(4) 54(2)
C(2) 8331(10) 2315(4) 2433(4) 52(2)
C(4) 9009(8) 4133(5) 2657(4) 45(1)
C(7) 10698(10) 6210(6) 5705(8) 97(3)
C(3) 9888(9) 3099(5) 2452(5) 53(2)
C(5) 9912(11) 4520(5) 5131(5) 64(2)
表13. MoO 2Cl 2(THF) 2之鍵長[Å]及角度[°].
Mo(1)-Cl(2) 2.3575(14)
Mo(1)-Cl(1) 2.3576(15)
Mo(1)-O(3) 2.280(3)
Mo(1)-O(4) 2.300(4)
Mo(1)-O(2) 1.683(4)
Mo(1)-O(1) 1.692(4)
O(3)-C(1) 1.451(6)
O(3)-C(4) 1.462(6)
O(4)-C(8) 1.442(6)
O(4)-C(5) 1.463(8)
C(6)-H(6A) 0.9900
C(6)-H(6B) 0.9900
C(6)-C(7) 1.483(9)
C(6)-C(5) 1.469(8)
C(1)-H(1A) 0.9900
C(1)-H(1B) 0.9900
C(1)-C(2) 1.526(8)
C(8)-H(8A) 0.9900
C(8)-H(8B) 0.9900
C(8)-C(7) 1.438(9)
C(2)-H(2A) 0.9900
C(2)-H(2B) 0.9900
C(2)-C(3) 1.516(9)
C(4)-H(4A) 0.9900
C(4)-H(4B) 0.9900
C(4)-C(3) 1.478(8)
C(7)-H(7A) 0.9900
C(7)-H(7B) 0.9900
C(3)-H(3A) 0.9900
C(3)-H(3B) 0.9900
C(5)-H(5A) 0.9900
C(5)-H(5B) 0.9900
Cl(1)-Mo(1)-Cl(2) 160.67(6)
O(3)-Mo(1)-Cl(2) 81.43(9)
O(3)-Mo(1)-Cl(1) 83.31(10)
O(3)-Mo(1)-O(4) 76.68(12)
O(4)-Mo(1)-Cl(2) 83.21(10)
O(4)-Mo(1)-Cl(1) 81.78(10)
O(2)-Mo(1)-Cl(2) 96.61(17)
O(2)-Mo(1)-Cl(1) 95.55(17)
O(2)-Mo(1)-O(3) 91.38(18)
O(2)-Mo(1)-O(4) 167.97(18)
O(2)-Mo(1)-O(1) 104.3(2)
O(1)-Mo(1)-Cl(2) 94.13(16)
O(1)-Mo(1)-Cl(1) 97.36(16)
O(1)-Mo(1)-O(3) 164.1(2)
O(1)-Mo(1)-O(4) 87.7(2)
C(1)-O(3)-Mo(1) 122.6(3)
C(1)-O(3)-C(4) 109.8(4)
C(4)-O(3)-Mo(1) 127.3(3)
C(8)-O(4)-Mo(1) 120.9(3)
C(8)-O(4)-C(5) 107.6(5)
C(5)-O(4)-Mo(1) 131.1(4)
H(6A)-C(6)-H(6B) 108.9
C(7)-C(6)-H(6A) 110.8
C(7)-C(6)-H(6B) 110.8
C(5)-C(6)-H(6A) 110.8
C(5)-C(6)-H(6B) 110.8
C(5)-C(6)-C(7) 104.7(5)
O(3)-C(1)-H(1A) 110.7
O(3)-C(1)-H(1B) 110.7
O(3)-C(1)-C(2) 105.4(5)
H(1A)-C(1)-H(1B) 108.8
C(2)-C(1)-H(1A) 110.7
C(2)-C(1)-H(1B) 110.7
O(4)-C(8)-H(8A) 110.2
O(4)-C(8)-H(8B) 110.2
H(8A)-C(8)-H(8B) 108.5
C(7)-C(8)-O(4) 107.8(5)
C(7)-C(8)-H(8A) 110.2
C(7)-C(8)-H(8B) 110.2
C(1)-C(2)-H(2A) 111.2
C(1)-C(2)-H(2B) 111.2
H(2A)-C(2)-H(2B) 109.1
C(3)-C(2)-C(1) 102.9(5)
C(3)-C(2)-H(2A) 111.2
C(3)-C(2)-H(2B) 111.2
O(3)-C(4)-H(4A) 110.7
O(3)-C(4)-H(4B) 110.7
O(3)-C(4)-C(3) 105.0(4)
H(4A)-C(4)-H(4B) 108.8
C(3)-C(4)-H(4A) 110.7
C(3)-C(4)-H(4B) 110.7
C(6)-C(7)-H(7A) 110.0
C(6)-C(7)-H(7B) 110.0
C(8)-C(7)-C(6) 108.4(6)
C(8)-C(7)-H(7A) 110.0
C(8)-C(7)-H(7B) 110.0
H(7A)-C(7)-H(7B) 108.4
C(2)-C(3)-H(3A) 111.0
C(2)-C(3)-H(3B) 111.0
C(4)-C(3)-C(2) 103.7(5)
C(4)-C(3)-H(3A) 111.0
C(4)-C(3)-H(3B) 111.0
H(3A)-C(3)-H(3B) 109.0
O(4)-C(5)-C(6) 106.4(5)
O(4)-C(5)-H(5A) 110.4
O(4)-C(5)-H(5B) 110.4
C(6)-C(5)-H(5A) 110.4
C(6)-C(5)-H(5B) 110.4
H(5A)-C(5)-H(5B) 108.6
對稱變換用於生成等效原子： 表14. MoO 2Cl 2(THF) 2之各向異性位移參數(Å 2x 10 3)。各向異性位移因子指數採取以下形式：-2π 2[ h 2a* 2U 11+ ...+ 2 h k a* b* U 12]
   U 11 U 22 U 33 U 23 U 13 U 12
Mo(1) 30(1) 33(1) 44(1) -1(1) 12(1) 0(1)
Cl(2) 47(1) 32(1) 46(1) 7(1) -1(1) 0(1)
Cl(1) 77(1) 48(1) 52(1) 10(1) 30(1) -8(1)
O(3) 35(2) 24(2) 38(2) -4(1) 9(2) -2(1)
O(4) 43(2) 25(2) 42(2) -5(2) -5(2) 0(2)
O(2) 31(2) 63(3) 87(3) 5(3) 1(2) -6(2)
O(1) 65(3) 52(3) 72(3) -10(2) 32(3) 12(2)
C(6) 43(3) 66(5) 59(4) 2(4) 4(2) -6(3)
C(1) 53(3) 28(3) 50(3) -8(2) -2(3) -7(3)
C(8) 75(4) 31(3) 56(4) -6(3) -11(3) -12(3)
C(2) 80(4) 33(3) 42(3) -8(3) -7(3) 16(3)
C(4) 49(3) 39(3) 46(3) -3(3) 19(3) 0(3)
C(7) 73(5) 45(4) 172(9) -34(5) -58(6) 10(4)
C(3) 58(3) 42(4) 59(4) -1(3) 20(3) 10(3)
C(5) 70(4) 43(4) 78(5) -5(3) -24(4) 13(3)
表15. MoO 2Cl 2(THF) 2之氫坐標(x 10 4)及各向同性位移參數(Å 2x 10 3)。
   x y z U(eq)
H(6A) 12249 4862 5854 67
H(6B) 10496 4862 6548 67
H(1A) 5794 2636 3035 52
H(1B) 7299 2385 3848 52
H(8A) 9528 6741 4481 64
H(8B) 8197 6730 5404 64
 H(2A) 8745 1584 2591 62
H(2B) 7731 2309 1790 62
H(4A) 9857 4623 2988 54
H(4B) 8586 4471 2048 54
H(7A) 10480 6593 6324 116
H(7B) 11794 6512 5398 116
H(3A) 10766 2913 2968 64
H(3B) 10521 3115 1817 64
H(5A) 10710 4310 4586 76
H(5B) 9322 3872 5392 76
下表說明某些式(I)化合物之各種物理性質：
化合物 M.P. STA-DSC 實例編號
T 50( ℃ ) 殘餘質量 (%)
MoO 2Cl 2(DME) 128.4 184.4 1.69 1
MoO 2Cl 2(DMM) 200.4 46.36 2
MoO 2Cl 2(1,2-DMP) 131.8 185.0 40.89 3
MoO 2Cl 2(DMA) 2 124.7 238.3 17.06 4
MoO 2Cl 2(DMF) 2 162.6 232.0 9.93 5
MoO 2Cl 2(MeCN) 2 112.4 143.5 2.61 6
MoO 2Cl 2(tBuCN) x 95.3 135.7 4.55 7
MoO 2Cl 2(iPrCN) x 69.9 134.1 3.15 8
MoO 2Cl 2(DMCA) n/a 64.45 9
MoO 2Cl 2(TMEN) n/a 57.12 10
MoO 2Cl 2(THF) 2    138.1 18.77 11
縮寫：
DME = 1,2-二甲氧基乙烷
DMM = 1,2-二甲氧基甲烷
1,2-DMP = 1,2-二甲氧基丙烷
DMA = N,N-二甲基乙醯胺
DMF = N,N-二甲基甲醯胺
DMCA = N,N-二甲基氰基乙醯胺
TMEN = N,N,N’,N’-四甲基乙二胺
CN = 腈
THF = 四氫呋喃
STA-DSC ：同步熱分析 - 差示掃描量熱法
圖1係MoO 2Cl 2(CH 3CN) 2之三維固態晶體結構繪示。 圖2係WO 2Cl 2(CH 3CN) 2之三維固態晶體結構繪示。 圖3係使用MoO 2Cl 2(二甲氧基乙烷)作為前驅物在氮化鈦基板上鉬沈積速率(Å/循環)對基板溫度(℃)之圖表。 圖4係使用MoO 2Cl 2(二甲氧基乙烷) 2作為前驅物在氮化鈦基板上XRF碳(用於碳之X-射線螢光分析) (µgm/cm 2/100Å Mo)對基板溫度(℃)之圖表。因此，圖3及4圖解說明Mo相對於MoC優先沈積之製程參數。 圖5係MoO 2Cl 2(四氫呋喃) 2之三維固態晶體結構繪示。

Claims (7)

  1. 一種用於製備式(I)化合物之方法，
    Figure 111103407-A0305-02-0034-1
     其中M為鉬，X係選自氟、氯、溴及碘，且每一L1及L2係相同或不同且構成：(i)與M配位之單齒烴基配體，或(ii)一起形成與M配位之二齒烴基配體；該方法包含：(A)使下式化合物
    Figure 111103407-A0305-02-0034-2
     與以下各項接觸：(a)含有0.1%(w/w)至48%(w/w)式HX化合物之水，及(b)式L1及/或L2之化合物；隨後(B)以非配位、水不混溶溶劑萃取該式(I)化合物，並將該式(I)化合物分離為固體或液體。
  2. 如請求項1之方法，其中該非配位、水不混溶溶劑係係選自二氯甲烷、乙酸乙酯、二乙醚、甲苯、苯及戊烷。
  3. 如請求項1之方法，其中將該式(I)化合物分離為固體或液體係藉由結 晶來實施。
  4. 如請求項1之方法，其中該式(I)化合物含有小於3重量%雜質。
  5. 如請求項1之方法，其中L1及L2係四氫呋喃。
  6. 如請求項1之方法，其中L1及L2係CH3CN。
  7. 如請求項1之方法，其中該方法係在20℃至100℃下實施。
TW111103407A 2019-02-27 2020-02-27 用於製備vi族前驅化合物之方法 TWI830133B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201962811229P 2019-02-27 2019-02-27
US62/811,229 2019-02-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202222816A TW202222816A (zh) 2022-06-16
TWI830133B true TWI830133B (zh) 2024-01-21

Family

ID=72142315

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109106622A TWI755689B (zh) 2019-02-27 2020-02-27 Vi族前驅化合物
TW111103407A TWI830133B (zh) 2019-02-27 2020-02-27 用於製備vi族前驅化合物之方法
TW112131132A TW202406924A (zh) 2019-02-27 2020-02-27 用於製備vi 族前驅化合物之方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109106622A TWI755689B (zh) 2019-02-27 2020-02-27 Vi族前驅化合物

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW112131132A TW202406924A (zh) 2019-02-27 2020-02-27 用於製備vi 族前驅化合物之方法

Country Status (8)

Country Link
US (3) US11352383B2 (zh)
EP (1) EP3931367A4 (zh)
JP (1) JP7299994B2 (zh)
KR (2) KR102649987B1 (zh)
CN (1) CN113490764A (zh)
SG (1) SG11202108652RA (zh)
TW (3) TWI755689B (zh)
WO (1) WO2020176767A1 (zh)

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3256184A (en) * 1963-10-08 1966-06-14 Exxon Research Engineering Co Molybdenum-containing phosphosulfurized hydrocarbon, methods for its preparation, and its use in lubricants
GB9822338D0 (en) 1998-10-13 1998-12-09 Glaverbel Solar control coated glass
JP2003210993A (ja) * 2002-01-21 2003-07-29 Maruzen Petrochem Co Ltd 遷移金属錯体を固定化した酸化触媒及びこれを用いた炭化水素類の酸化方法
KR101303782B1 (ko) * 2009-09-08 2013-10-15 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드 금속 함유 막을 증착하기 위한 아미노에테르를 함유하는 액체 조성물
CN103154010A (zh) * 2010-09-14 2013-06-12 科学与工业研究委员会 有机金属钼炔化物二氧配合物及其制备方法
TWI656232B (zh) 2014-08-14 2019-04-11 法商液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司 鉬組成物及其用於形成氧化鉬膜之用途
KR102692575B1 (ko) * 2016-04-11 2024-08-07 삼성디스플레이 주식회사 페로브스카이트 화합물, 이를 포함한 박막 및 이를 포함한 광전자 장치
US10730816B2 (en) * 2017-12-12 2020-08-04 Wisconsin Alumni Research Foundation Method of selectively oxidizing lignin
US11021793B2 (en) 2018-05-31 2021-06-01 L'Air Liquide, Société Anonyme pour I'Etude et I'Exploitation des Procédés Georges Claude Group 6 transition metal-containing compositions for vapor deposition of group 6 transition metal-containing films

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
期刊 Arnaiz Addition compounds of dichlorodioxomolybdenum(VI) from hydrochloric acid solutions of molybdenum trioxide. Crystal structure of dichlorodioxodiaquamolybdenum(VI) bis(2,5,8-trioxanonane) Polyhedron 13(19) Pergamon 1994 p2745-2749

Also Published As

Publication number Publication date
US11352383B2 (en) 2022-06-07
SG11202108652RA (en) 2021-09-29
EP3931367A1 (en) 2022-01-05
US20200270289A1 (en) 2020-08-27
TW202222816A (zh) 2022-06-16
JP2022522182A (ja) 2022-04-14
KR102649987B1 (ko) 2024-03-22
TWI755689B (zh) 2022-02-21
US11807653B2 (en) 2023-11-07
EP3931367A4 (en) 2022-11-09
US20220259236A1 (en) 2022-08-18
WO2020176767A1 (en) 2020-09-03
US20240034745A1 (en) 2024-02-01
TW202406924A (zh) 2024-02-16
TW202039523A (zh) 2020-11-01
KR20240038167A (ko) 2024-03-22
CN113490764A (zh) 2021-10-08
KR20210110728A (ko) 2021-09-08
JP7299994B2 (ja) 2023-06-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI312375B (en) Organometallic complexes and their use as precursors to deposit metal films
JP6908991B2 (ja) タンタル化合物、それを利用した薄膜形成方法、及び集積回路素子の製造方法
TWI390070B (zh) β-二亞胺配位子來源及其含金屬之化合物與包含彼等之系統與方法
JP6465699B2 (ja) ジアザジエニル化合物、薄膜形成用原料、薄膜の製造方法及びジアザジエン化合物
Liu et al. Synthesis and characterization of fluorinated β-ketoiminate and imino-alcoholate Pd complexes: precursors for palladium chemical vapor deposition
TWI830133B (zh) 用於製備vi族前驅化合物之方法
EP2444406A1 (en) Metal compounds for deposition of chalcogenide films at low temperature
CN109923119B (zh) 化合物、薄膜形成用原料、薄膜的制造方法和脒化合物
Vikulova et al. Synthesis, structural, vibrational and DFT investigation of new binuclear molecular Pd–Cu and Cu–Cu complexes formed by Schiff base and hexafluoroacetylacetonate building blocks
TW201815809A (zh) 二氮雜二烯基化合物、薄膜形成用原料及薄膜之製造方法
CN111440210A (zh) 一种含铌或钽的有机化合物的制备方法、产物及应用
TWI739507B (zh) 氧鹵化物前驅物
Zhang et al. A nickel (II) guanidinate compound and its potential as CVD precursor for nickel related films
EP2444404A1 (en) Metal compounds for deposition of chalcogenide films at low temperature
KR102075418B1 (ko) 니켈 함유 박막의 제조방법 및 이에 따라 제조된 니켈 함유 박막
TW202208393A (zh) Vi族前驅物化合物
JP2005197675A (ja) ハフニウム含有膜形成材料及び該材料から作製されたハフニウム含有膜
JP2016204333A (ja) ジアルキル（アリール）ビスマスの製造方法、アルキル（アリール）ハロビスマス及びその製造方法