JP7292397B2 - デジタルリソグラフィツールのためのモデルベース動的位置補正 - Google Patents

デジタルリソグラフィツールのためのモデルベース動的位置補正 Download PDF

Info

Publication number
JP7292397B2
JP7292397B2 JP2021547456A JP2021547456A JP7292397B2 JP 7292397 B2 JP7292397 B2 JP 7292397B2 JP 2021547456 A JP2021547456 A JP 2021547456A JP 2021547456 A JP2021547456 A JP 2021547456A JP 7292397 B2 JP7292397 B2 JP 7292397B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
model
temperature
stabilization period
during
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2021547456A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2022521067A (ja
Inventor
テイマー コスクン,
ムハンマド ポイラズ,
チン チョン,
パシャ モンコルウォングロイン,
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JP2022521067A publication Critical patent/JP2022521067A/ja
Priority to JP2023092916A priority Critical patent/JP2023126759A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7292397B2 publication Critical patent/JP7292397B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7019Calibration
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605Workpiece metrology
    • G03F7/70616Monitoring the printed patterns
    • G03F7/7065Defects, e.g. optical inspection of patterned layer for defects
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/705Modelling or simulating from physical phenomena up to complete wafer processes or whole workflow in wafer productions
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70516Calibration of components of the microlithographic apparatus, e.g. light sources, addressable masks or detectors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605Workpiece metrology
    • G03F7/70616Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70625Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605Workpiece metrology
    • G03F7/70616Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70633Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7092Signal processing
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7096Arrangement, mounting, housing, environment, cleaning or maintenance of apparatus

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Vehicle Body Suspensions (AREA)
  • Fluid-Damping Devices (AREA)
  • Optical Communication System (AREA)

Description

[0001]本開示の実施形態は、一般に、フォトリソグラフィシステム、およびフォトリソグラフィシステムにおける位置誤差を補正するための方法に関する。
[0002]フォトリソグラフィは、半導体デバイスや液晶ディスプレイ(LCD)などのディスプレイデバイスの製造に広く使用されている。多くの場合、LCDの製造には、大面積の基板が使用される。LCD、またはフラットパネルは、コンピュータ、タッチパネルデバイス、携帯情報端末(PDA)、携帯電話、テレビモニタなどのアクティブマトリックスディスプレイに一般に使用される。一般に、フラットパネルは、2つのプレートの間に挟まれたピクセルを形成する液晶材料の層を含み得る。電源からの電力が、液晶材料を横切って印加されると、液晶材料を通過する光の量が、ピクセル位置で制御され、画像を生成することを可能にする。
[0003]一般に、マイクロリソグラフィ技術が、ピクセルを形成する液晶材料層の一部として組み込まれる電気的フィーチャを作製するために使用される。この技術によれば、感光性フォトレジストが、通常、基板の少なくとも1つの表面に塗布される。次に、パターンジェネレータが、パターンの一部として感光性フォトレジストの選択された領域を光で露光し、選択領域のフォトレジストに化学変化を引き起こして、これらの選択領域に、電気的フィーチャを作製するための後続の材料除去および/または材料添加プロセスへの準備をさせる。
[0004]しかしながら、そのようなマイクロリソグラフィ技術に使用されるツールは、プリンティングおよびパターニング挙動を十分に安定させるのに8時間以上かかる可能性があり、その間、フォトレジストのパターニングは、熱変動などの様々な影響のために不均一になる可能性がある。このツールは、異なる伝導率と熱容量を有する多数の熱源と構成要素を含み、それぞれが、不均一なパターニングを引き起こす変動の原因となる可能性があり、トータルピッチとオーバーレイ補正の再現性に悪影響を及ぼす。
[0005]消費者が要求する価格でディスプレイデバイスおよび他のデバイスを消費者に提供し続けるためには、大面積基板などの基板上にパターンを正確かつ費用効果的に作製するための新しい装置、アプローチ、およびシステムが必要である。
[0006]本開示は、一般に、フォトリソグラフィシステム、およびフォトリソグラフィシステムにおける位置誤差を補正するための方法に関する。フォトリソグラフィシステムが最初に開始されると、システムは、安定化期間に入る。安定化期間中、システムが基板をプリンティングまたは露光しているときに、位置読み取り値と、温度、圧力、湿度のデータなどのデータが収集される。収集されたデータと位置読み取り値に基づいて、モデルが作成される。次に、モデルを使用して、後続の安定化期間での誤差を推定し、推定された誤差が、後続の安定化期間中に動的に補正される。
[0007]一実施形態では、方法は、フォトリソグラフィシステムを開始して、安定化期間に入ることと、安定化期間中にフォトリソグラフィシステムがプリンティングしているときに、データおよび位置読み取り値を収集することと、データおよび位置読み取り値に基づいてモデルを作成することと、モデルを使用して後続の安定化期間中に推定誤差を動的に補正することと、を含む。
[0008]別の実施形態では、方法は、フォトリソグラフィシステムを開始して、安定化期間に入ることと、安定化期間中にフォトリソグラフィシステムがプリンティングしているときに、温度データおよび位置読み取り値を収集することと、を含む。温度データは、加熱および冷却期間中に収集される。モデルは、温度データおよび位置読み取り値に基づいてモデルを作成することと、モデルを較正することと、較正されたモデルを使用して、後続の安定化期間での誤差を推定することと、後続の安定化期間中に推定された誤差を動的に補正することと、をさらに含む。
[0009]さらに別の実施形態では、方法は、フォトリソグラフィシステムを開始して、安定化期間に入ることと、安定化期間中にフォトリソグラフィシステムがプリンティングしているときに、温度データおよび位置読み取り値を収集することと、温度データおよび位置読み取り値に基づいてモデルを作成することと、フォトリソグラフィシステムの熱容量および伝達率を決定するための最適化問題を形成することと、モデルおよび最適化問題を使用して、後続の安定化期間での誤差を推定することと、後続の安定化期間中に推定された誤差を動的に補正することと、を含む。
[0010]本開示の上記の特徴が詳細に理解されるように、上記で簡単に要約された本開示のより具体的な説明が、実施形態を参照することによって得られ、そのいくつかが、添付の図面に示されている。しかしながら、添付の図面は、例示的な実施形態のみを示し、したがって、その範囲を限定すると見なされるべきではなく、他の同等に有効な実施形態を認めることができることに留意されたい。
一実施形態による、フォトリソグラフィシステムの斜視図である。 別の実施形態による、フォトリソグラフィシステムの斜視図である。 本明細書に開示された実施形態による、画像投影装置の斜視概略図である。 本明細書に開示された実施形態による、安定化期間中に発生する位置摂動を推定するためにシステム挙動をモデル化および較正する方法を示す。 本明細書に開示された実施形態による、データ測定値の例示的なグラフを示す。 本明細書に開示された実施形態による、データ測定値の例示的なグラフを示す。 本明細書に開示された実施形態による、データ測定値の例示的なグラフを示す。 本明細書に開示された実施形態による、データ測定値の例示的なグラフを示す。 本明細書に開示された実施形態による、データ測定値の例示的なグラフを示す。 本明細書に開示された実施形態による、データ測定値の例示的なグラフを示す。 本明細書に開示された実施形態による、それぞれがその上に配置された複数のアイを有する第1のブリッジ構成要素および第2のブリッジ構成要素の位置合わせ構成を示す。 本明細書に開示された実施形態による、200mm/秒のステージ速度でのデータ測定値および位置読み取り値の例示的なグラフを示す。 本明細書に開示された実施形態による、200mm/秒のステージ速度でのデータ測定値および位置読み取り値の例示的なグラフを示す。 本明細書に開示された実施形態による、200mm/秒のステージ速度でのデータ測定値および位置読み取り値の例示的なグラフを示す。 本明細書に開示された実施形態による、100mm/秒のステージ速度でのデータ測定値および位置読み取り値の例示的なグラフを示す。 本明細書に開示された実施形態による、100mm/秒のステージ速度でのデータ測定値および位置読み取り値の例示的なグラフを示す。 本明細書に開示された実施形態による、100mm/秒のステージ速度でのデータ測定値および位置読み取り値の例示的なグラフを示す。
[0019]理解を容易にするため、可能な場合には、図に共通する同一の要素を示すために同一の参照番号が使用されている。一実施形態の要素および特徴は、さらに列挙することなく、他の実施形態に有益に組み込まれ得ることが企図されている。
[0020]本開示は、一般に、フォトリソグラフィシステム、およびフォトリソグラフィシステムにおける位置誤差を補正するための方法に関する。フォトリソグラフィシステムが最初に開始されると、システムは、安定化期間に入る。安定化期間中、システムが基板をプリンティングまたは露光しているときに、位置読み取り値と、温度、圧力、湿度のデータなどのデータが収集される。収集されたデータと位置読み取り値に基づいて、モデルが作成される。次に、モデルを使用して、後続の安定化期間での誤差を推定し、推定された誤差が、後続の安定化期間中に動的に補正される。
[0021]図1Aは、本明細書に開示された実施形態による、フォトリソグラフィシステム100の斜視図である。システム100は、ベースフレーム110、スラブ120、ステージ130、および処理装置160を含む。ベースフレーム110は、製造施設の床に置かれ、スラブ120を支持する。パッシブエアアイソレータ112が、ベースフレーム110とスラブ120との間に配置されている。一実施形態では、スラブ120は、花崗岩のモノリシック片であり、ステージ130は、スラブ120上に配置されている。基板140が、ステージ130によって支持されている。複数の穴(図示せず)が、ステージ130に形成されて、それを通って複数のリフトピン(図示せず)が伸びることができる。いくつかの実施形態では、リフトピンは、例えば1つ以上の移送ロボット(図示せず)から、基板140を受け取るために、伸長位置まで上昇する。1つ以上の移送ロボットを使用して、基板140をロードおよびステージ130からアンロードする。
[0022]基板140は、フラットパネルディスプレイの一部として使用される任意の適切な材料、例えば、アルカリ土類ホウアルミノケイ酸塩を含む。他の実施形態では、基板140は、他の材料でできている。いくつかの実施形態では、基板140は、その上に形成されたフォトレジスト層を有する。フォトレジストは、放射線感受性が高い。ポジ型フォトレジストは、放射線に曝されたときに、パターンがフォトレジストに書き込まれた後にフォトレジストに適用されたフォトレジスト現像剤に対してそれぞれ可溶性になる、フォトレジストの部分を含む。ネガ型フォトレジストは、放射線に曝されたときに、パターンがフォトレジストに書き込まれた後にフォトレジストに適用されたフォトレジスト現像剤に対してそれぞれ不溶性になる、フォトレジストの部分を含む。フォトレジストの化学組成は、フォトレジストがポジ型フォトレジストであるかネガ型フォトレジストであるかを決定する。フォトレジストの例には、ジアゾナフトキノン、フェノールホルムアルデヒド樹脂、ポリ(メチルメタクリレート)、ポリ(メチルグルタルイミド)、およびSU-8のうちの少なくとも1つが含まれるが、これらに限定されない。このようにして、パターンは、電子回路を形成するために基板140の表面上に作成される。
[0023]システム100は、一対の支持体122および一対のトラック124を含む。一対の支持体122は、スラブ120上に配置され、一実施形態では、スラブ120および一対の支持体122は、単一の材料片である。一対のトラック124は、一対の支持体122によって支持され、ステージ130は、トラック124に沿ってx方向に移動する。一実施形態では、一対のトラック124は、一対の平行な磁気チャネルである。示されているように、一対のトラック124の各トラック124は、直線状である。別の実施形態では、エアベアリングが、高精度の非接触運動に利用され、リニアモータが、ステージ130をx方向およびy方向に前後に移動させる力を提供するように構成される。他の実施形態では、1つ以上のトラック124が、非直線状である。エンコーダ126が、位置情報をコントローラ(図示せず)に提供するために、ステージ130に連結されている。
[0024]処理装置160は、支持体162および処理ユニット164を含む。支持体162は、スラブ120上に配置され、ステージ130が処理ユニット164の下を通過するための開口166を含む。処理ユニット164は、支持体162によって支持されている。一実施形態では、処理ユニット164は、フォトリソグラフィプロセスにおいてフォトレジストを露光するように構成されたパターンジェネレータである。いくつかの実施形態では、パターンジェネレータは、マスクレスリソグラフィプロセスを実行するように構成される。処理ユニット164は、複数の画像投影装置(図2に示される)を含む。一実施形態では、処理ユニット164は、84もの画像投影装置を含む。各画像投影装置は、ケース165内に配置されている。処理装置160は、マスクレス直接パターニングを実行するのに有用である。
[0025]動作中、ステージ130は、図1Aに示されるようなローディング位置から処理位置へx方向に移動する。処理位置は、ステージ130が処理ユニット164の下を通過しているときのステージ130の1つ以上の位置である。動作中、ステージ130は、複数のエアベアリング(図示せず)によって持ち上げられ、一対のトラック124に沿ってローディング位置から処理位置へ移動する。複数の垂直ガイドエアベアリング(図示せず)が、ステージ130に連結され、ステージ130の移動を安定させるために、各支持体122の内壁128に隣接して配置される。ステージ130はまた、基板140を処理および/または割り出しするためにトラック150に沿って移動することによって、y方向にも移動する。ステージ130は、独立した動作が可能であり、基板140を一方向にスキャンし、他の方向にステップすることができる。
[0026]複数の画像投影装置のそれぞれが、フォトレジストで覆われた基板に書き込まれているパターンの位置を正確に特定することができるように、計測システムが、ステージ130のそれぞれのXおよびY横方向位置座標をリアルタイムで測定する。計測システムはまた、垂直軸またはz軸の周りのステージ130のそれぞれの角度位置のリアルタイム測定値を提供する。角度位置測定値は、サーボ機構によってスキャン中に角度位置を一定に保つために使用することができ、または、図2に示すような画像投影装置270によって基板140に書き込まれているパターンの位置に補正を適用するために使用することができる。これらの手法は、組み合わせて使用できる。
[0027]図1Bは、本明細書に開示された実施形態による、フォトリソグラフィシステム190の斜視図である。システム190は、システム100と同様である。しかしながら、システム190は、2つのステージ130を含む。2つのステージ130のそれぞれは、独立した動作が可能であり、基板140を一方向にスキャンし、他の方向にステップすることができる。いくつかの実施形態では、2つのステージ130のうちの1つが、基板140をスキャンしているとき、2つのステージ130のうちの別のものが、露光された基板をアンロードし、露光されるべき次の基板をロードしている。
[0028]図1A~図1Bは、フォトリソグラフィシステムの2つの実施形態を示しているが、他のシステムおよび構成もまた、本明細書で企図されている。例えば、任意の適切な数のステージを含むフォトリソグラフィシステムもまた企図されている。
[0029]図2は、システム100またはシステム190などのフォトリソグラフィシステムに有用である、一実施形態による画像投影装置270の斜視概略図である。画像投影装置270は、1つ以上の空間光変調器280、フォーカスセンサ283およびカメラ285を含む位置合わせおよび検査システム284、ならびに投影光学系286を含む。画像投影装置の構成要素は、使用されている空間光変調器によって異なる。空間光変調器は、マイクロLED、デジタルマイクロミラーデバイス(DMD)、液晶ディスプレイ(LCD)、および垂直共振器型面発光レーザー(VCSEL)を含むが、これらに限定されない。
[0030]動作中、空間光変調器280は、画像投影装置270を通して基板140などの基板に投影される光の、振幅、位相、または偏光などの1つ以上の特性を変調するために使用される。位置合わせおよび検査システム284は、画像投影装置270の構成要素の位置合わせおよび検査のために使用される。一実施形態では、フォーカスセンサ283は、カメラ285のレンズを通ってから、またカメラ285のレンズを通って戻って来るように向けられ、センサ上に画像化されて、画像投影装置270が焦点が合っているかどうかを検出する複数のレーザーを含む。カメラ285は、基板140などの基板を画像化して、画像投影装置270およびフォトリソグラフィシステム100または190の位置合わせが正しい、または所定の許容範囲内にあることを保証するために使用される。1つ以上のレンズなどの投影光学系286は、基板140などの基板上に光を投影するために使用される。
[0031]フォトリソグラフィシステム100、190が最初に開始されると、システム100、190は、安定化期間に入る。安定化期間は、システムのプリンティングおよびパターニング挙動が安定するまでにかかる時間(つまり、システムが完全にウォームアップするのにかかる時間)である。フォトリソグラフィシステム100、190の安定化期間中に、熱変動などの様々な影響および変動が発生し、これらは、トータルピッチおよびオーバーレイ補正の再現性に悪影響を及ぼし得る。場合によっては、様々な影響および変動のせいで、フォトリソグラフィシステム100、190がプリンティングおよびパターニング挙動を安定させるのに、8時間以上かかることがある。さらに、各システム100、190は、異なる伝導率および熱容量を有する多数の熱源および構成要素を含み、それぞれが変動に寄与する可能性があり、システム100、190を厳密に監視することを困難にする。
[0032]安定化期間中にシステム100、190を使用して、精度および正確度をもって基板を露光するために、モデルに基づくソフトウェア補正を利用して、安定化期間中に発生する誤差を補正することができる。システム100、190の挙動が、以下の図3に記載されるように、安定化期間中に発生する潜在的な変動を推定するためにモデル化および較正されて、トータルピッチおよびオーバーレイ補正の再現性を高めることができる。次に、モデルを使用して、システム100、190の後続の安定化期間中のオーバーレイおよびトータルピッチ誤差を補正することができる。このモデルを動的位置補正のために利用することにより、コストのかかるハードウェアソリューションを排除または削減できる。さらに、位置補正はデジタルマスクに適用されるので、このモデルを動的位置補正のために使用することができる。
[0033]図3は、本明細書に開示された実施形態による、安定化期間中に発生する位置摂動を推定するためにシステム挙動をモデル化および較正する方法300を示す。方法300は、図1Aおよび図1Bのそれぞれフォトリソグラフィシステム100、190で利用することができる。
[0034]方法300は、フォトリソグラフィシステムが開始され安定化期間に入る、工程302から始まる。安定化期間中、システムのプリンティングおよびパターニング挙動は、熱、圧力、および/または湿度の変動などの様々な影響および変動のため、不安定になる可能性がある。安定化期間は、システムのプリンティングおよびパターニング挙動が安定するまでにかかる時間(つまり、システムが完全にウォームアップするのにかかる時間)である。
[0035]工程304では、フォトリソグラフィシステムが安定化期間中に基板をプリンティングまたは露光しているときに、データおよび位置読み取り値が収集される。データは、生産ラインを模倣するために、システムが基板を位置合わせおよび露光しているときに継続的に収集される。一実施形態では、収集されるデータは、温度データである。温度データは、エンコーダなどの、加熱および冷却中に温度が変動することが知られているツールの部品の近くに配置された1つ以上の温度センサを使用して収集できる。例えば、約20個の温度センサをフォトリソグラフィツール上に配置して、チャック、エンコーダ、およびブリッジ/ライザーなどの温度を収集および監視することができる。
[0036]位置読み取り値を収集するために、キャリブレーションプレートまたは基板上の位置合わせマーク(図5に示す)を、安定化期間全体を通して定期的に捕捉することができる。キャリブレーションプレートは、安定化期間中に基準として使用できる。追加的または代替的に、基準として使用される干渉計の読み取り値に対するエンコーダカウントの変化が、さらに定期的に記録されてもよい。次に、使用された基準に対する相対的な位置変化が記録される。
[0037]基板またはキャリブレーションプレート上のパターンプリンティング位置は、安定化期間中に発生する熱的影響および変動のために、意図せずに乱される可能性がある。そのため、基板またはキャリブレーションプレート上の位置読み取り値の摂動は、温度の変動に直接関連付けられ得る。圧力、湿度などの他の影響も位置読み取り値の摂動を引き起こす可能性がある。このような場合、温度センサの代わりに、または温度センサに加えて、圧力データ、湿度データなどを収集するように構成されたセンサを利用することができる。ただし、全体を通して熱的影響を例として使用する。
[0038]図4A~図4Fは、データ測定値と位置読み取り値のグラフの例を示している。図4A~図4Fは、データ測定値の単なる例であり、限定することを意図したものではない。図4Aは、200mm/秒のステージ速度でのシステム内のブリッジ構成要素とライザー構成要素の一定期間における摂氏温度の変化を示している。図4Bは、200mm/秒のステージ速度でのブリッジ構成要素とライザー構成要素の加熱中に検出されたマイクロメートル単位のy軸に沿った対応する位置マークを示しており、これは、熱的影響による位置摂動を示している。図4Cは、100mm/秒のステージ速度でのシステム内の第1のブリッジ構成要素、第2のブリッジ構成要素、およびライザー構成要素の一定期間における摂氏温度の変化を示している。図4Dは、100mm/秒のステージ速度でのブリッジ構成要素とライザー構成要素の加熱中に検出されたマイクロメートル単位のy軸に沿った対応する位置マークを示しており、これは、熱的影響によるy軸の位置摂動をさらに示している。図4Eは、フォトリソグラフィシステム内でステージを移動させるマスタモータとスレーブモータの一定期間における摂氏での温度読み取り値を示している。図4Fは、一定期間においてx軸およびy軸に沿って冷却期間中に検出された位置マークを示している。図4A~図4Fは、安定化中のシステムの挙動を数学的に表すことができることを示している。
[0039]図5は、一実施形態による、それぞれがその上に配置された複数のアイ508を有する第1のブリッジ構成要素504および第2のブリッジ構成要素506の位置合わせ構成500を示す。位置合わせ構成500を使用して、上記の図4A~図4Fに示されるグラフのデータを収集し、以下に示す図6A~図6Cおよび図7A~図7Cに示されるグラフのデータを収集することができる。第1のブリッジ構成要素504および第2のブリッジ構成要素506は、基板またはプレート502より上に配置されている。プレート502は、複数の位置合わせマーク510を含む。32個の位置合わせマーク510が示されているが、任意の数の位置合わせマークを利用することができる。さらに、2つのブリッジ構成要素504、506が示されているが、追加のブリッジ構成要素が、フォトリソグラフィシステムで利用されてもよく、各ブリッジ構成要素504、506は、その上に配置された4つより多いアイを有してもよい。位置合わせ構成500は、位置読み取り値を収集するために利用されるカメラ(図示せず)を有する露光ユニットを含み得る。
[0040]図6A~図6Cは、200mm/秒のステージ速度でのデータ測定値および位置読み取り値の例示的なグラフを示す。図7A~図7Cは、100mm/秒のステージ速度でのデータ測定値および位置読み取り値の例示的なグラフを示す。図6A~図6Cおよび図7A~図7Cは、データ測定値の単なる例であり、限定することを意図したものではない。図6A~図6Cおよび図7A~図7Cのグラフに表示される温度および位置データは、任意の数の温度センサおよびプレート上に配置された任意の数の位置マークを使用して収集または測定することができる。
[0041]図6Aおよび図7Aは、安定化期間中の時間単位での一定期間における、マイクロメートル単位のx軸に沿って検出された位置マークを示しており、これは、熱的影響によるx軸の位置摂動を示している。図6Bと図7Bは、安定化期間中の時間単位での一定期間における、システムのチャック上の2つの異なる場所で測定された温度を摂氏で示している。図6Cおよび図7Cは、安定化期間中の時間単位での一定期間における、システムの第1のエンコーダ、第2のエンコーダ、および第3のエンコーダの温度を摂氏で示している。
[0042]工程306において、モデルが、収集されたデータおよび位置読み取り値に基づいて作成される。モデルは、温度の影響、圧力の影響、および/または湿度の影響などを考慮に入れるように作成されたモデルなど、データの1つより多いサブセットを含むことができる。モデルを作成するとき、システムは線形または弱い非線形であると仮定される。モデルは、モデルパラメータとして実効熱容量と伝達率を使用できる。モデルは、システムが反復的に動作することを、さらに考慮に入れることができる。図4A~図4F、図6A~図6C、および図7A~図7Cのうちの1つ以上でグラフ化されたデータが、独立してまたは組み合わせて使用されて、モデルの作成を助けることができる。
[0043]さらに、動的なアイツーアイおよび/またはブリッジツーブリッジモデルを、作成されるモデルに組み込むことができる。モデルは、互いに対するアイセンタの変動、または図5の第1および第2のブリッジ構成要素504、506ならびにアイ508などのブリッジ間の分離のドリフトを捕捉することができる。動的なアイツーアイモデルおよび/またはブリッジツーブリッジモデルは、経験的モデルであり得、モデルパラメータは、実験結果に基づいて較正され得る。
[0044]工程302および304は、モデルを作成するために使用するより多くの量のデータを収集するために、1回以上繰り返され得る。モデルは、位置誤差を複数のセンサ読み取り値に関連付けることができるカスケード過渡モデルであり得る。各構成要素の過渡応答は、構成要素の熱容量または熱質量、および熱伝達特性によって決定される。次に、このカスケードの経験的モデルを使用して、システムの熱的影響を表すことができる。
[0045]モデルは、以下の変数またはパラメータを使用して形成される:熱的影響なしで安定化期間中に位置読み取り値があるべき位置(x,y)、熱的影響により位置読み取り値が実際にある位置(x’,y’)、位置読み取り値の摂動の近似値(Δx,Δy)(つまり、熱的影響のない位置読み取り値と熱的影響のある位置読み取り値との差)、初期温度(T)、および初期温度読み取り値からの温度変化(ΔT)。一実施形態では、モデルを形成するために、少なくとも初期温度(T)および初期温度読み取り値からの温度変化(ΔT)が、知られていなければならない。熱的影響により位置読み取り値が実際にある位置を概算するために、式1~式4を使用できる。
Figure 0007292397000001
[0046]式3と式4において、Φは、空間モードであり、αは、温度と全体的な位置変化との間のモデル変換である。位置摂動(Δx,Δy)は、以前の読み取り値と現在の読み取り値の両方を含む、全ての温度センサ読み取り値の関数として定式化される。
[0047]工程308において、モデルが較正される。モデルの較正は、安定化期間をモデル化するためにフォトリソグラフィシステムを継続的に動作させること、および冷却期間をモデル化するために安定化期間後にフォトリソグラフィシステムをアイドル状態に保つことを含み得る。モデルは、最適化問題を形成することによってさらに較正される。最適化問題は、全体的コスト関数(C)(以下の式7に示されている)を最小化するためのモデルパラメータを取得するために形成される。コストは、複数の位置(x,y)および遷移を表すための複数の温度条件での測定値とモデル予測値との間の差の合計として定義される。最適化問題は、コスト関数を最小化するように形成することができる。
[0048]最適化問題は、安定化期間中のシステムの複数の熱容量と伝達率を決定するために形成される。オプティマイザの入力は、複数の位置での、収集された温度読み取り値および対応する位置誤差である。オプティマイザの出力は、熱容量と伝達率のセットである。オプティマイザは、基板上の測定された位置とモデル推定された位置との間の差を最小化することができる。モデルは、式5~式7を使用して較正できる。式5と式6は、モデルの予測誤差のために使用され、ここで、x’measとy’measは、熱的影響による測定された位置変化である。式7は、コスト関数であり、ここで、Kは、収集されたデータの数であり、Lは、較正されたパラメータの数である。
Figure 0007292397000002
[0049]工程310において、較正されたモデルは、後続の安定化期間における誤差を推定するために使用され、後続の安定化期間における推定された誤差は、動的に補正される。モデルが較正された後、モデルは、後続の安定化期間中に、熱的影響による予測された位置誤差および摂動を補正するために使用され得る。上記のように、熱的影響は、考慮され得る1つのタイプの影響または変動にすぎず、限定的な例を意図したものではない。安定化期間中の推定された位置誤差は、フォトリソグラフィシステムのデジタルマスクをオンザフライ(その場)で動的に修正することによって補正することができ、物理的なフォトリソグラフィシステム自体に加えられた補正または変更ではない。推定された位置誤差の補正は、デジタルマスクへの露光中にプレートごとまたは基板ごとに適用される動的デジタル補正であり得る。
[0050]較正されたモデルは、フォトリソグラフィシステムの安定性を監視するためにさらに使用され得る。デジタルマスクの位置合わせをモデル化する位置合わせモデルが、較正されたモデルに基づいて形成され得る。次に、位置合わせモデルを、後続の安定化期間中のデジタルマスクの位置合わせと比較することができる。後続の安定化期間中の位置合わせと位置合わせモデルとの比較を使用して、類似性メトリックを決定することができる。類似性メトリックを使用して、後続の安定化期間が、モデルの作成に使用された最初の安定化期間と同じであるかどうか(つまり、最初の安定化期間と同じ位置摂動が後続の安定化期間で発生するかどうか)を判定できる。類似性メトリックは、同じ位置摂動が繰り返し発生しているかどうかを判定することによって、システムの安定性を判定できる。システムが安定している場合、安定化期間中の同じ時点で同じ誤差が繰り返し発生するため、潜在的な位置誤差の推定が容易になる。
[0051]少なくとも1つの実施態様では、モデルは、ニューラルネットワークなどの、モデルガイダンスを備えた機械学習モデルまたは問題であり得る。例えば、大量のデータが利用可能である場合、フォトリソグラフィシステムは、複数のセンサおよび大量のデータを使用して、後続の安定化期間で誤差が発生する前に、発生頻度の高い位置摂動または誤差を事前に補正することができる。システムは、データ、センサ、および/またはモデルを使用して、発生頻度の高い誤差を推定または決定し、誤差が発生する前に潜在的な誤差を補償することができる。発生頻度の高い摂動または誤差を補償した後、システムは、さらに、現在のプリンティング位置をモデルと比較して、補償が実際に潜在的な誤差を補正したかどうかを判定することができ、必要に応じて追加の調整を行うことができる。したがって、誤差が発生したときにオンザフライで誤差を補正する代わりに、システムは、機械学習アルゴリズムを使用して、発生前に潜在的な誤差を事前に補償することができる。
[0052]上記の方法を使用して、フォトリソグラフィシステムの挙動を正確にモデル化および較正して、安定化期間中に発生する位置摂動を推定することができ、これにより、トータルピッチおよびオーバーレイ補正の再現性が向上する。次に、モデルを使用して、デジタルマスクを調整することにより、システムの後続の安定化期間中にオンザフライでオーバーレイおよびトータルピッチ誤差を補正できる。さらに、システムが大量のデータを利用できる場合、システムは、モデルガイダンスを備えた機械学習モデルを使用して、誤差が発生する前に潜在的な位置摂動または誤差を事前に補償することができる。
[0053]このモデルを動的位置補正のために利用することにより、コストのかかるハードウェアソリューションを排除または削減できる。位置補正はデジタルマスクに適用されるので、このモデルは、動的位置補正に簡単に使用できる。さらに、モデルはソフトウェアベースのソリューションであるので、以前は含まれていなかった、もしくはカバーされていなかった新しい影響を含めるために、または当初は利用できなかった追加のセンサを含めるために、新しいモデル形式を開発できる。このようにして、フォトリソグラフィシステムは、それらの安定化期間中のプレートまたは基板の露光のために、正確に利用することができる。
[0054]上記は、本開示の実施形態に向けられているが、本開示の他のさらなる実施形態が、その基本的な範囲から逸脱することなく考案されることができ、その範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。

Claims (20)

  1. フォトリソグラフィシステムを開始して、安定化期間に入ることと、
    前記安定化期間中に前記フォトリソグラフィシステムが、1つ以上の基板または1つ以上のキャリブレーションプレートをプリンティングしているときに、データおよび基板またはキャリブレーションプレート上の位置読み取り値を収集することであって、収集される前記データが、前記フォトリソグラフィシステムに配置された複数の温度センサを使用して収集される温度データである、データおよび基板またはキャリブレーションプレート上の位置読み取り値を収集することと、
    前記データおよび前記位置読み取り値に基づいてモデルを作成することであって、以下のグループ:熱的影響なしで前記安定化期間中に前記位置読み取り値があるべき位置、熱的影響により前記位置読み取り値が実際にある位置、前記フォトリソグラフィシステムの初期温度、および所定の時間が経過した後の前記初期温度からの測定された温度変化、の各々のパラメータ、または以下のグループ2:前記位置読み取り値の摂動の近似値、前記フォトリソグラフィシステムの初期温度、および所定の時間が経過した後の前記初期温度からの測定された温度変化、の各々のパラメータを使用して、前記モデルが形成される、モデルを作成することと、
    前記安定化期間中における後続の安定化期間中に1つ以上の基板をプリンティングするために、前記モデルを使用して、前記後続の安定化期間中に、推定された位置誤差を動的に補正することと、
    を含む方法。
  2. 前記温度データが、前記安定化期間の加熱期間および冷却期間中に収集される、請求項1に記載の方法。
  3. 収集される前記データが、圧力データを含む、請求項1に記載の方法。
  4. 前記モデルが、カスケード過渡モデルである、請求項1に記載の方法。
  5. フォトリソグラフィシステムを開始して、安定化期間に入ることと、
    前記安定化期間中に前記フォトリソグラフィシステムが、1つ以上の基板または1つ以上のキャリブレーションプレートをプリンティングしているときに、温度データおよび基板またはキャリブレーションプレート上の位置読み取り値を収集することであって、前記温度データが、前記フォトリソグラフィシステムに配置された複数の温度センサを使用して、加熱期間および冷却期間中に収集される、温度データおよび基板またはキャリブレーションプレート上の位置読み取り値を収集することと、
    前記温度データおよび前記位置読み取り値に基づいてモデルを作成することであって、以下のグループ:熱的影響なしで前記安定化期間中に前記位置読み取り値があるべき位置、熱的影響により前記位置読み取り値が実際にある位置、前記フォトリソグラフィシステムの初期温度、および所定の時間が経過した後の前記初期温度からの測定された温度変化、の各々のパラメータ、または以下のグループ2:前記位置読み取り値の摂動の近似値、前記フォトリソグラフィシステムの初期温度、および所定の時間が経過した後の前記初期温度からの測定された温度変化、の各々のパラメータを使用して、前記モデルが形成される、モデルを作成することと、
    前記モデルを較正することと、
    較正された前記モデルを使用して、前記安定化期間中における後続の安定化期間での位置誤差を推定することと、
    前記後続の安定化期間中に1つ以上の基板をプリンティングするために、推定された前記位置誤差を、前記後続の安定化期間中に動的に補正することと、
    を含む方法。
  6. 圧力データが、さらに収集され、前記モデルが、前記温度データおよび前記圧力データに基づいて作成される、請求項5に記載の方法。
  7. 前記モデルが、カスケード過渡モデルである、請求項5に記載の方法。
  8. フォトリソグラフィシステムを開始して、安定化期間に入ることと、
    前記安定化期間中に前記フォトリソグラフィシステムが、1つ以上の基板または1つ以上のキャリブレーションプレートをプリンティングしているときに、温度データおよび基板またはキャリブレーションプレート上の位置読み取り値を収集することであって、前記温度データが、前記フォトリソグラフィシステムに配置された複数の温度センサを使用して収集される、温度データおよび基板またはキャリブレーションプレート上の位置読み取り値を収集することと、
    前記温度データおよび前記位置読み取り値に基づいてモデルを作成することであって、以下のグループ:熱的影響なしで前記安定化期間中に前記位置読み取り値があるべき位置、熱的影響により前記位置読み取り値が実際にある位置、前記フォトリソグラフィシステムの初期温度、および所定の時間が経過した後の前記初期温度からの測定された温度変化、の各々のパラメータ、または以下のグループ2:前記位置読み取り値の摂動の近似値、前記フォトリソグラフィシステムの初期温度、および所定の時間が経過した後の前記初期温度からの測定された温度変化、の各々のパラメータを使用して、前記モデルが形成される、モデルを作成することと、
    最適化問題を形成して、前記フォトリソグラフィシステムの熱容量および熱伝導率を決定することと、
    前記モデルおよび前記最適化問題を使用して、前記安定化期間中における後続の安定化期間での位置誤差を推定することと、
    前記後続の安定化期間中に1つ以上の基板をプリンティングするために、推定された前記位置誤差を、前記後続の安定化期間中に動的に補正することと、
    を含む方法。
  9. 圧力データが、さらに収集され、前記モデルが、前記温度データおよび前記圧力データに基づいて作成される、請求項8に記載の方法。
  10. 前記温度データが、前記安定化期間の加熱期間および冷却期間中に収集される、請求項8に記載の方法。
  11. 収集される前記データが、湿度データを含む、請求項1に記載の方法。
  12. 前記複数の温度センサが、前記安定化期間中に温度が変動することが知られている前記フォトリソグラフィシステムの部品の近くに配置されている、請求項1に記載の方法。
  13. 前記データが、圧力データを収集するように構成された1つ以上のセンサ、または湿度データを収集するように構成された1つ以上のセンサを使用して収集される、請求項1に記載の方法。
  14. 湿度データが、さらに収集され、前記モデルが、前記温度データおよび前記湿度データに基づいて作成される、請求項5に記載の方法。
  15. 前記フォトリソグラフィシステムが、圧力データを収集するように構成された1つ以上のセンサ、または湿度データを収集するように構成された1つ以上のセンサを備える、請求項5に記載の方法。
  16. 前記複数の温度センサが、前記安定化期間中に温度が変動することが知られている前記フォトリソグラフィシステムの部品の近くに配置されている、請求項5に記載の方法。
  17. 湿度データが、さらに収集され、前記モデルが、前記温度データおよび前記湿度データに基づいて作成される、請求項8に記載の方法。
  18. 前記フォトリソグラフィシステムが、圧力データを収集するように構成された1つ以上のセンサ、または湿度データを収集するように構成された1つ以上のセンサを備える、請求項8に記載の方法。
  19. 前記モデルが、カスケード過渡モデルである、請求項8に記載の方法。
  20. 前記複数の温度センサが、前記安定化期間中に温度が変動することが知られている前記フォトリソグラフィシステムの部品の近くに配置されている、請求項8に記載の方法。
JP2021547456A 2019-02-15 2020-01-16 デジタルリソグラフィツールのためのモデルベース動的位置補正 Active JP7292397B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2023092916A JP2023126759A (ja) 2019-02-15 2023-06-06 デジタルリソグラフィツールのためのモデルベース動的位置補正

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/277,805 US10996572B2 (en) 2019-02-15 2019-02-15 Model based dynamic positional correction for digital lithography tools
US16/277,805 2019-02-15
PCT/US2020/013861 WO2020167408A1 (en) 2019-02-15 2020-01-16 Model based dynamic positional correction for digital lithography tools

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023092916A Division JP2023126759A (ja) 2019-02-15 2023-06-06 デジタルリソグラフィツールのためのモデルベース動的位置補正

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2022521067A JP2022521067A (ja) 2022-04-05
JP7292397B2 true JP7292397B2 (ja) 2023-06-16

Family

ID=72040798

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021547456A Active JP7292397B2 (ja) 2019-02-15 2020-01-16 デジタルリソグラフィツールのためのモデルベース動的位置補正
JP2023092916A Pending JP2023126759A (ja) 2019-02-15 2023-06-06 デジタルリソグラフィツールのためのモデルベース動的位置補正

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023092916A Pending JP2023126759A (ja) 2019-02-15 2023-06-06 デジタルリソグラフィツールのためのモデルベース動的位置補正

Country Status (6)

Country Link
US (2) US10996572B2 (ja)
JP (2) JP7292397B2 (ja)
KR (1) KR20210116707A (ja)
CN (1) CN113544594B (ja)
TW (2) TWI754209B (ja)
WO (1) WO2020167408A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102263718B1 (ko) * 2019-06-10 2021-06-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11481922B2 (en) * 2020-04-07 2022-10-25 Kla Corporation Online navigational drift correction for metrology measurements

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003107725A (ja) 2001-09-27 2003-04-09 Fuji Photo Film Co Ltd 画像記録装置
JP2004327807A (ja) 2003-04-25 2004-11-18 Canon Inc 光学素子位置決め装置、それを用いた露光装置、デバイスの製造方法
JP2005026439A (ja) 2003-07-02 2005-01-27 Hitachi High-Technologies Corp 電子線描画装置
WO2005083756A1 (ja) 2004-03-01 2005-09-09 Nikon Corporation 事前計測処理方法、露光システム及び基板処理装置
CN102445149A (zh) 2010-10-14 2012-05-09 上海微电子装备有限公司 一种工件台位置测量装置与测量方法
JP2014074837A (ja) 2012-10-05 2014-04-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 画像記録装置および画像記録方法
US20180275525A1 (en) 2017-03-24 2018-09-27 Nikon Research Corporation Of America Lithographic thermal distortion compensation with the use of machine learning

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL9000503A (nl) * 1990-03-05 1991-10-01 Asm Lithography Bv Apparaat en werkwijze voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat.
JP3048508B2 (ja) * 1994-11-04 2000-06-05 キヤノン株式会社 位置決めステージ装置およびこれを用いた露光装置
KR100431329B1 (ko) 2001-10-11 2004-05-12 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼 오버레이 보정방법
US7250237B2 (en) 2003-12-23 2007-07-31 Asml Netherlands B.V. Optimized correction of wafer thermal deformations in a lithographic process
US7025280B2 (en) * 2004-01-30 2006-04-11 Tokyo Electron Limited Adaptive real time control of a reticle/mask system
US7561251B2 (en) * 2004-03-29 2009-07-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7453063B2 (en) 2004-12-08 2008-11-18 Asml Netherlands B.V. Calibration substrate and method for calibrating a lithographic apparatus
JP2006293314A (ja) 2005-02-08 2006-10-26 Fuji Photo Film Co Ltd 画像形成装置および画像形成方法
US7184853B2 (en) 2005-05-18 2007-02-27 Infineon Technologies Richmond, Lp Lithography method and system with correction of overlay offset errors caused by wafer processing
US7617477B2 (en) * 2005-09-09 2009-11-10 Brion Technologies, Inc. Method for selecting and optimizing exposure tool using an individual mask error model
US7830493B2 (en) 2005-10-04 2010-11-09 Asml Netherlands B.V. System and method for compensating for radiation induced thermal distortions in a substrate or projection system
US7645546B2 (en) 2006-02-06 2010-01-12 Macronix International Co., Ltd. Method for determining an overlay correlation set
CN101144976B (zh) * 2007-10-30 2011-03-23 中国科学院电工研究所 一种光刻系统掩模邻近效应校正方法
JP2009238922A (ja) 2008-03-26 2009-10-15 Nikon Corp 露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法
DE102008042356A1 (de) * 2008-09-25 2010-04-08 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage mit optimierter Justagemöglichkeit
JP5713904B2 (ja) * 2008-09-30 2015-05-07 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 投影システムおよびリソグラフィ装置
US9052604B2 (en) 2008-11-06 2015-06-09 Micron Technology, Inc. Photolithography systems and associated alignment correction methods
WO2010145951A2 (en) 2009-06-17 2010-12-23 Asml Netherlands B.V. Method of overlay measurement, lithographic apparatus, inspection apparatus, processing apparatus and lithographic processing cell
US9940427B2 (en) * 2012-02-09 2018-04-10 Asml Netherlands B.V. Lens heating aware source mask optimization for advanced lithography
JP5879234B2 (ja) * 2012-09-03 2016-03-08 株式会社ニューフレアテクノロジー マスク描画装置、電子ビームの補正方法
US9430593B2 (en) 2012-10-11 2016-08-30 Kla-Tencor Corporation System and method to emulate finite element model based prediction of in-plane distortions due to semiconductor wafer chucking
US20160148850A1 (en) 2014-11-25 2016-05-26 Stream Mosaic, Inc. Process control techniques for semiconductor manufacturing processes
US9499906B2 (en) * 2015-02-13 2016-11-22 Eastman Kodak Company Coating substrate using bernoulli atomic-layer deposition
WO2017067752A1 (en) 2015-10-19 2017-04-27 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus to correct for patterning process error
DE102016205987B4 (de) * 2016-04-11 2018-01-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage mit mindestens einem Manipulator und Verfahren zum Steuern einer Projektionsbelichtungsanlage
US10401704B2 (en) 2016-11-11 2019-09-03 Asml Netherlands B.V. Compensating for a physical effect in an optical system
US10534257B2 (en) * 2017-05-01 2020-01-14 Lam Research Corporation Layout pattern proximity correction through edge placement error prediction

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003107725A (ja) 2001-09-27 2003-04-09 Fuji Photo Film Co Ltd 画像記録装置
JP2004327807A (ja) 2003-04-25 2004-11-18 Canon Inc 光学素子位置決め装置、それを用いた露光装置、デバイスの製造方法
JP2005026439A (ja) 2003-07-02 2005-01-27 Hitachi High-Technologies Corp 電子線描画装置
WO2005083756A1 (ja) 2004-03-01 2005-09-09 Nikon Corporation 事前計測処理方法、露光システム及び基板処理装置
CN102445149A (zh) 2010-10-14 2012-05-09 上海微电子装备有限公司 一种工件台位置测量装置与测量方法
JP2014074837A (ja) 2012-10-05 2014-04-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 画像記録装置および画像記録方法
US20180275525A1 (en) 2017-03-24 2018-09-27 Nikon Research Corporation Of America Lithographic thermal distortion compensation with the use of machine learning

Also Published As

Publication number Publication date
TWI754209B (zh) 2022-02-01
WO2020167408A1 (en) 2020-08-20
CN113544594A (zh) 2021-10-22
JP2022521067A (ja) 2022-04-05
US10996572B2 (en) 2021-05-04
CN113544594B (zh) 2024-03-19
JP2023126759A (ja) 2023-09-12
US20200264514A1 (en) 2020-08-20
US20210216019A1 (en) 2021-07-15
KR20210116707A (ko) 2021-09-27
TWI789191B (zh) 2023-01-01
TW202043947A (zh) 2020-12-01
TW202242569A (zh) 2022-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2023126759A (ja) デジタルリソグラフィツールのためのモデルベース動的位置補正
KR101487866B1 (ko) 위치 측정 시스템, 리소그래피 장치, 및 소자 제조 방법
US10990024B2 (en) Lithographic thermal distortion compensation with the use of machine learning
US10379450B2 (en) Apparatus and methods for on-the-fly digital exposure image data modification
KR20190125550A (ko) 리소그래피 방법 및 리소그래피 장치
US9639008B2 (en) Lithography apparatus, and article manufacturing method
JP7308943B2 (ja) レイアウト適応型パッケージングの動的生成
JP2022078075A (ja) 露光システムアライメントおよび較正方法
JP2008034537A (ja) 管理方法
US10114297B2 (en) Active eye-to-eye with alignment by X-Y capacitance measurement
KR20220082105A (ko) 프리폼 왜곡 교정
CN118092083A (zh) 用于数字光刻工具的基于模型的动态位置校正
US8928882B2 (en) Measurement apparatus, exposure apparatus, and device fabrication method
CN108713167B (zh) 光刻设备和器件制造方法
JP2003142365A (ja) 露光装置及び露光方法
JPH09330862A (ja) 露光装置の調整方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20211026

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20211026

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20220831

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220927

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20221222

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230224

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230509

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230606

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7292397

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150