JP7279629B2 - 光電気化学エッチング装置 - Google Patents

光電気化学エッチング装置 Download PDF

Info

Publication number
JP7279629B2
JP7279629B2 JP2019233452A JP2019233452A JP7279629B2 JP 7279629 B2 JP7279629 B2 JP 7279629B2 JP 2019233452 A JP2019233452 A JP 2019233452A JP 2019233452 A JP2019233452 A JP 2019233452A JP 7279629 B2 JP7279629 B2 JP 7279629B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
electrode
vacuum chuck
etchant
etching
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019233452A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2021103706A (ja
Inventor
正助 中林
邦夫 明渡
栄子 石井
浩司 野田
健次 中嶋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp filed Critical Denso Corp
Priority to JP2019233452A priority Critical patent/JP7279629B2/ja
Publication of JP2021103706A publication Critical patent/JP2021103706A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7279629B2 publication Critical patent/JP7279629B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Weting (AREA)

Description

本明細書が開示する技術は、光電気化学エッチング装置に関する。
特許文献1に、光電気化学エッチング装置が開示されている。このエッチング装置は、エッチング液を収容するとともに、紫外線を透過する窓を有する液槽と、半導体ウェハ(以下、単にウェハと称する)を、その一方の表面がエッチング液に接触する位置で支持する基板設置部と、液槽の窓を通じて、液槽の外部からウェハの一方の表面に光を照射する光源と、エッチング液に電気的に接続される第1電極と、基板設置部に支持されたウェハに電気的に接続される第2電極と、第1電極と第2電極とに接続された電源と、を備える。
特開2018-67689号公報
上記した光電気化学エッチング装置では、ウェハの周縁部が液槽によって支持される。このような構成によると、ウェハの周縁部には、エッチング液を接触させることも、紫外線を照射することもできない。その結果、ウェハの中央部のみがエッチングされることとなり、ウェハの周縁部のみが、中央部と比較して厚く残ってしまう。本明細書では、このようなエッチング後の厚みのばらつきを防止し得る技術を提供する。
本明細書が開示する光電気化学エッチング装置は、エッチング液を収容するとともに、紫外線を透過させる窓を有する液槽と、ウェハの一方の表面がエッチング液に接触する位置で、ウェハの他方の表面を吸着して支持する真空チャックと、液槽の窓を通じて、液槽の外部からウェハの一方の表面に光を照射する光源と、エッチング液に電気的に接続される第1電極と、真空チャックに支持されたウェハに電気的に接続される第2電極と、第1電極と第2電極とに接続された電源とを備える。真空チャックは、ウェハに対して垂直な回転軸の周りに回転可能である。
上記した光電気化学エッチング装置では、ウェハの一方の表面をエッチング液に浸漬する際に、ウェハの他方の表面を真空チャックによって吸着支持する。このような構成によると、ウェハの一方の表面(即ち、エッチングすべき表面)の全体を、エッチング液に接触させることができ、かつ、当該表面の全体に紫外線を照射することができる。さらに、真空チャックは回転可能に構成されており、ウェハを介して液槽内のエッチング液を攪拌することで、ウェハの一方の表面の全体に均質なエッチング液を接触させ続けることができる。従って、ウェハのエッチングが均一に進行することによって、エッチング後のウェハの厚みのばらつきが抑制される。
本技術の一実施形態において、真空チャックは、真空チャックとウェハとの間に、ウェハの外周縁に沿って延びる封止材を備えてもよい。このような構成によると、ウェハの他方の表面に、エッチング液が接触することを禁止して、当該表面が意図せずエッチングされることを避けることができる。ここで、特に限定されないが、封止材は環状形を有するとともに、その外径はウェハの径よりも大きいとよい。このような構成によると、ウェハの他方の表面が真空チャックによって吸着支持されたときに、真空チャック、封止材、及び第2電極によってその全面を覆うことができる。
実施例の光電気化学エッチング装置10の構成を示す。 光電気化学エッチング装置10の要部を模式的に示す図。
図1及び図2を参照して、実施例の光電気化学エッチング装置10について説明する。光電気化学エッチング装置10は、ウェハ20といった加工対象物に、光電気化学エッチングを実施する装置である。一般的に、光電気化学エッチングでは、エッチング液中に加工対象物(例えばウェハ20)を配置し、同様にエッチング液中に配置された電極と、加工対象物との間に電圧を印加しながら、加工対象物に向けて紫外線等の光を照射する。これにより、光を照射されたウェハの表面が酸化されるとともに、その酸化物がエッチング液に溶解することによって、ウェハの当該表面がエッチングされる。
図1、図2に示すように、光電気化学エッチング装置10は、液槽30と、真空チャック12と、光源36とを備える。前述したように、ウェハ20は、光電気化学エッチングによる加工対象であり、真空チャック12によって支持される。ウェハ20は、概して円板形状をしており、上面20aとその反対に位置する下面20bとを有する。なお、後述にて詳細に説明するが、真空チャック12はウェハ20の上面20aを吸着して支持しており、液槽30内でウェハ20の位置を保持することができる。
液槽30は、エッチング液32を収容する。エッチング液32は、一例ではあるが、フッ酸と硝酸の混合水溶液であってよい。液槽30は、その一部分に、紫外線38を透過させる窓34を有する。特に限定されないが、窓34は、例えばサファイアガラスといった、透明又は半透明の材料で構成されている。また、窓34は、液槽30の底壁に設けられているが、その位置は特に限定されない。
光源36は、例えば紫外線ランプであって、主に紫外線38を放射する発光器である。光源36は、液槽30の外部であって、特に、窓34に対向する位置に設けられている。光源36から照射された紫外線38は、窓34を通じて、液槽30の内部に照射される。液槽30内に照射された紫外線38は、エッチング液32を透過して、ウェハ20の下面20bに照射される。他の実施形態として、光源36は、液槽30内に配置されてもよく、この場合、液槽30の窓は必ずしも必要とされない。
光電気化学エッチング装置10は、一組の電極42、44をさらに備える。一組の電極42、44は、エッチング液32に電気的に接続される第1電極42と、真空チャック12に支持されたウェハ20に電気的に接続される第2電極44とを有する。第1電極42は、液槽30に取り付けられており、その少なくとも一部は、液槽30内のエッチング液32内に浸漬されている。第1電極42の具体的な位置や構成については、特に限定されない。本実施例における第1電極42は、ウェハ20の下面20bの近傍に位置しており、光源36によって下面20bに照射される紫外線38の経路を遮らないように配置されている。特に限定されないが、第1電極42は環状形を有しており、例えばウェハ20の径D1よりも大きい、内径D2及び外径D3を有する。
第2電極44は、真空チャック12に取り付けられており、真空チャック12によって支持されたウェハ20に接触する。これにより、第2電極44は、真空チャック12によって支持されたウェハ20に電気的に接続されている。特に限定されないが、第2電極44は真空チャック12とウェハ20の間に配置され、その両方に接続される。
第1電極42と第2電極44は、どちらも共通の電源40に接続されている。なお、電源40の正極は第2電極44(即ちウェハ20)に接続されており、電源40の負極は、第1電極42に接続されている。前述したように、第2電極44は、真空チャック12によって吸着支持されているウェハ20と、電気的に接続されている。従って、電源40が、第1電極42と第2電極44との間に電圧を印加すると、第1電極42とウェハ20との間に、エッチング液32を介して電圧が印加される。
真空チャック12は、ウェハ20を保持するための治具であり、特に限定されないが、液槽30に対して進退可能に構成されている。前述したように、真空チャック12は、ウェハ20の上面20aを吸着支持しており、液槽30内でウェハ20の位置を保持することができる。詳細には、真空チャック12は、上面20aに接触し、接触面に負圧をかけることによって吸着し、ウェハ20を支持する。さらに、真空チャック12は、ウェハ20の下面20bがエッチング液32に浸漬する位置で、ウェハ20を保持することができる。従って、下面20bには、エッチング液32のみが接触している。このような構成によると、下面20bの全体を、エッチング液32に接触させることができ、かつ、当該下面20bの全体に、光源36から照射される紫外線38を照らすことができる。その結果、下面20bの全体は、光電気化学エッチング加工が実施される。その結果、エッチング後のウェハ20の厚みのばらつきが抑制される。
真空チャック12は、さらに、ウェハ20に対して垂直な回転軸の周りに回転可能である。従って、真空チャック12は、ウェハ20を介して液槽30内のエッチング液32を攪拌することができる。その結果、エッチング加工中に、ウェハ20の下面20bの全体に対して、均質なエッチング液32を接触させ続けることができる。即ち、ウェハ20のエッチングが均一に進行する。その結果、エッチング後のウェハ20の厚みのばらつきがさらに抑制される。
光電気化学エッチング装置10は、さらに、真空チャック12とウェハ20との間に、ウェハ20の外周縁に沿って延びる封止材26を備える。封止材26を構成する材料としては、特に限定されないが、例えばゴムやエラストマといった、柔軟性を有する材料が挙げられる。封止材26は環状形を有するとともに、その外径D4はウェハ20の径D1よりも大きいとよい。このような構成によると、上面20aが真空チャック12によって吸着支持されるときに、真空チャック12、封止材26、及び第2電極44によってその全面を覆うことができる。従って、上面20aに、エッチング液32が接触することが禁止される。即ち、上面20aにエッチング液32が意図せず接触し、エッチングすることを避けることができる。
以上、いくつかの具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書又は図面に説明した技術要素は、単独であるいは組み合わせによって技術的有用性を発揮するものである。
10: 光電気化学エッチング装置
12:真空チャック
20:ウェハ
20a:上面
20b:下面
26:封止材
30:液槽
32:エッチング液
34:窓
36:光源
38:紫外線
40:電源
42:第1電極
44:第2電極

Claims (2)

  1. エッチング液を収容するとともに、その一部に紫外線を透過させる窓を有する液槽と、
    ウェハの一方の表面が前記エッチング液に接触する位置で、前記ウェハの他方の表面を吸着して支持する真空チャックと、
    前記液槽の前記窓を通じて、前記液槽の外部から前記ウェハの前記一方の表面に光を照射する光源と、
    前記エッチング液に電気的に接続される第1電極と、前記真空チャックに支持された前記ウェハに電気的に接続される第2電極と、
    前記第1電極と前記第2電極とに接続された電源と、を備え、
    前記真空チャックは、前記ウェハに対して垂直な回転軸の周りに回転可能であ
    前記真空チャックは、前記真空チャックと前記ウェハとの間に、前記ウェハの外周縁に沿って延びる封止材を備え、
    前記封止材は、環状形を有しており、
    前記封止材の外径は、前記ウェハの径よりも大きい、光電気化学エッチング装置。
  2. 前記第1電極は、環状形を有しており、前記光源から前記ウェハの前記一方の表面に照射される光の経路を取り囲むように配置されている、請求項1に記載の光電気化学エッチング装置。
JP2019233452A 2019-12-24 2019-12-24 光電気化学エッチング装置 Active JP7279629B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019233452A JP7279629B2 (ja) 2019-12-24 2019-12-24 光電気化学エッチング装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019233452A JP7279629B2 (ja) 2019-12-24 2019-12-24 光電気化学エッチング装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021103706A JP2021103706A (ja) 2021-07-15
JP7279629B2 true JP7279629B2 (ja) 2023-05-23

Family

ID=76755316

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019233452A Active JP7279629B2 (ja) 2019-12-24 2019-12-24 光電気化学エッチング装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP7279629B2 (ja)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5911864A (en) 1996-11-08 1999-06-15 Northrop Grumman Corporation Method of fabricating a semiconductor structure
JP2005528794A (ja) 2002-05-31 2005-09-22 エイエスエム・ナトゥール・インコーポレーテッド 全面電気化学めっきのためにウェハの裏側をシールする方法及び装置
JP2007297714A (ja) 2006-05-04 2007-11-15 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 抵抗性半導体ウェハ上に薄膜を電気化学処理するための装置及び方法
JP2011216520A (ja) 2010-03-31 2011-10-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板保持回転装置および基板処理装置
JP2016215183A (ja) 2015-05-18 2016-12-22 パナソニックIpマネジメント株式会社 紫外光照射装置
JP2018067689A (ja) 2016-10-21 2018-04-26 株式会社豊田中央研究所 半導体基板の光電気化学エッチングに用いるエッチング装置
JP2019153679A (ja) 2018-03-02 2019-09-12 株式会社サイオクス GaN材料および半導体装置の製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5911864A (en) 1996-11-08 1999-06-15 Northrop Grumman Corporation Method of fabricating a semiconductor structure
JP2005528794A (ja) 2002-05-31 2005-09-22 エイエスエム・ナトゥール・インコーポレーテッド 全面電気化学めっきのためにウェハの裏側をシールする方法及び装置
JP2007297714A (ja) 2006-05-04 2007-11-15 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 抵抗性半導体ウェハ上に薄膜を電気化学処理するための装置及び方法
JP2011216520A (ja) 2010-03-31 2011-10-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板保持回転装置および基板処理装置
JP2016215183A (ja) 2015-05-18 2016-12-22 パナソニックIpマネジメント株式会社 紫外光照射装置
JP2018067689A (ja) 2016-10-21 2018-04-26 株式会社豊田中央研究所 半導体基板の光電気化学エッチングに用いるエッチング装置
JP2019153679A (ja) 2018-03-02 2019-09-12 株式会社サイオクス GaN材料および半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2021103706A (ja) 2021-07-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5528394B2 (ja) プラズマ処理装置、搬送キャリア、及びプラズマ処理方法
JP4719051B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
US9543162B2 (en) Substrate processing method
KR102090838B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
US10435808B2 (en) Etching apparatus used for photo electrochemical etching of semiconductor substrate
JP6282904B2 (ja) 基板処理装置
TWI735547B (zh) 鍍覆裝置及鍍覆方法
JP5962921B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
CN112397415A (zh) 热处理装置及热处理装置的洗净方法
JP7279629B2 (ja) 光電気化学エッチング装置
JP6028892B2 (ja) 基板処理装置
TWI753353B (zh) 基板處理方法以及基板處理裝置
US6258240B1 (en) Anodizing apparatus and method
TWI774198B (zh) 基板處理方法
JPH0758016A (ja) 成膜処理装置
TWI794675B (zh) 基板處理裝置
CN111640691B (zh) 蚀刻装置
JP2019067895A (ja) 光電気化学エッチングによるSiCウェハの加工方法
KR20210133288A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP2020178085A (ja) 表面除去加工装置
JP2015177015A (ja) 基板処理装置
JP2006286830A (ja) レジスト除去方法およびレジスト除去装置
JP2009105144A (ja) 基板処理装置
JP5016462B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2021019146A (ja) ウェーハの加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20200720

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220413

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230127

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230207

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230329

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230411

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230424

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 7279629

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151