JP7279629B2 - 光電気化学エッチング装置 - Google Patents
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Description
12:真空チャック
20:ウェハ
20a:上面
20b:下面
26:封止材
30:液槽
32:エッチング液
34:窓
36:光源
38:紫外線
40:電源
42:第1電極
44:第2電極
Claims (2)
- エッチング液を収容するとともに、その一部に紫外線を透過させる窓を有する液槽と、
ウェハの一方の表面が前記エッチング液に接触する位置で、前記ウェハの他方の表面を吸着して支持する真空チャックと、
前記液槽の前記窓を通じて、前記液槽の外部から前記ウェハの前記一方の表面に光を照射する光源と、
前記エッチング液に電気的に接続される第1電極と、前記真空チャックに支持された前記ウェハに電気的に接続される第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極とに接続された電源と、を備え、
前記真空チャックは、前記ウェハに対して垂直な回転軸の周りに回転可能であり、
前記真空チャックは、前記真空チャックと前記ウェハとの間に、前記ウェハの外周縁に沿って延びる封止材を備え、
前記封止材は、環状形を有しており、
前記封止材の外径は、前記ウェハの径よりも大きい、光電気化学エッチング装置。 - 前記第1電極は、環状形を有しており、前記光源から前記ウェハの前記一方の表面に照射される光の経路を取り囲むように配置されている、請求項1に記載の光電気化学エッチング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2019233452A JP7279629B2 (ja) | 2019-12-24 | 2019-12-24 | 光電気化学エッチング装置 |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP (1) | JP7279629B2 (ja) |
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-
2019
- 2019-12-24 JP JP2019233452A patent/JP7279629B2/ja active Active
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A711 | Notification of change in applicant |
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