JP7279427B2 - 振動子及び振動子の製造方法 - Google Patents
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<水晶振動子1>
まず、図1及び図2を参照しつつ、本実施形態に係る水晶振動子(Quartz Crystal Resonator Unit)1の構成を説明する。ここで、図1は、水晶振動子1の分解斜視図であり、図2は図1のII-II線断面図である。なお、図2において、水晶振動素子10の各種電極の図示は省略されている。
次に、図1及び図2を参照しつつ、本実施形態に係る水晶振動素子10の構成を説明する。水晶振動素子10は、振動素子の一例であり、板状をなしている。また、水晶振動素子10は、水晶片11と、この水晶片11に形成されている一対の励振電極14a,14b、電極パッド16a,16b及び引出電極15a,15bとを備える。
次に、図1及び図2を参照しつつ、本実施形態に係る蓋部20の構成を説明する。蓋部20は、シリコン基板30と接合する側に開口が形成されている箱状をなしており、平面視形状が水晶振動素子10の平面視形状よりも大きく形成されている矩形状である。この蓋部20は、天面部21と、この天面部21の外縁から突起するように形成されている側壁部22とを有する。また、蓋部20は、天面部21、側壁部22の内側の面によって構成される凹状の内面24を有する。この内面24におけるXY´Z´軸方向の各寸法は、水晶振動素子10に比べて、大きく形成されている。
続いて、図1及び図2を参照しつつ、本実施形態に係るシリコン基板30の構成を詳細に説明する。シリコン基板30は、平板な板状をなしており、平面視形状が蓋部20の平面視形状よりも大きく形成されている矩形状である。また、シリコン基板30は、水晶振動素子10を励振可能に支持するものであり、シリコン基体31と、このシリコン基体31に設けられている複数の信号入出力のための電極及び容量を形成するための電極を有する。信号入出力のための電極には、接続電極33a,33b、ビア電極34a,34b及び外部電極35a,35b,35c,35dが含まれ、容量を形成するための電極は、容量形成用電極51a,51b及びグランド電極52が含まれている。
次に、図3を参照しつつ、本発明の実施形態に係る水晶振動子1の製造方法について説明する。本実施形態では、一例として、水晶振動子1の製造方法を説明する。図3は、水晶振動子1の製造方法を説明するためのフローチャート図である。
まず、シリコン基板30を準備する(S10)。
具体的には、シリコン基体31に、信号入出力のための電極としての接続電極33a,33b、ビア電極34a,34b及び外部電極35a,35b,35c,35dと、容量を形成するための電極としての容量形成用電極51a,51b及びグランド電極52とを形成し、シリコン基板30を構成する。また、本実施形態では、容量形成用電極51a及びグランド電極52で構成される電極対と、容量形成用電極51b及びグランド電極52で構成される電極対と、これらの電極対によって挟まれたシリコン基体31に係る部分とは、シリコン基板30の容量部50を構成する。
次に、準備したシリコン基板30に水晶振動素子10を搭載する(S11)。
具体的には、シリコン基体31の第1主面32a上の接続電極33a,33b上に導電性接着剤を塗布し、水晶振動素子10を搭載した状態で導電性接着剤を熱硬化させる。こうして、導電性接着剤が熱硬化した導電性保持部材36a,36bによって、水晶振動素子10の電極パッド16a,16bと、シリコン基板30の接続電極33a,33bを電気的に接続する。導電性保持部材36a,36bによって水晶振動素子10を励振可能に保持することができる。また、水晶振動素子10は、励振電極14bがシリコン基板30側を向くように第1主面32aに搭載される。
続いて、シリコン基板30に蓋部20を接合することにより、シリコン基板30に搭載された水晶振動素子10をこのシリコン基板30及び蓋部20によって構成された内部空間26に封止する(S12)。
具体的には、シリコン基板30の封止枠37上に接合部材40を設け、封止枠37及び接合部材40を蓋部20の側壁部22の対向面23とシリコン基板30の第1主面32aとの間に介在させる。そして、接合部材40を加熱することで、蓋部20をシリコン基板30に接合する。こうして、蓋部20及びシリコン基板30によって水晶振動素子10が内部空間26に収容された水晶振動子1を構成することができる。
その後、封止された水晶振動子1を中性子線で照射する(S13)。
中性子線照射工程は、シリコンドーピング工程とも言える。具体的には、中性子線照射工程は、水晶振動子1が封止された状態で、中性子線を蓋部20及び水晶振動素子10に透過させて、透過後の中性子線でシリコン基板30を照射すること、又は水晶振動子1が封止された状態で、シリコン基板30側から中性子線でシリコン基板30を直接照射することを含む。より詳細に説明すると、中性子線照射工程は、少なくともシリコン基板30の容量部50、すなわち容量部50を構成するシリコン基体31の部分を中性子線で照射する工程である。なお、以下では、「容量部50を構成するシリコン基体31の部分」を「シリコン基体31の容量部分」とする。
また、シリコンに比べて、中性子線の照射による水晶への影響は、ほとんどない。このため、中性子線照射工程が行われる後に、水晶片11の質量は変わらないので、中性子線が水晶片11に影響を与えることによる水晶振動素子10の共振周波数を変化させることがない。このため、水晶振動子1の共振周波数を調整する際に、中性子線が水晶片11に影響を与えることによる水晶振動素子10の共振周波数の変化を考慮する必要がなく、容量部50の容量の調整だけを考慮することで、水晶振動子1の共振周波数を調整することができる。よって、共振周波数の調整が容易になる。
また、中性子線が金属に影響を及ばない、すなわち、水晶振動素子10及びシリコン基板30に形成されている様々な電極をトリミングすることがないので、水晶振動子1の収容容器の内部にパーティクルを発生させることがない。また、このため、中性子線の照射の可能な位置は、特に制限することがなく、シリコン基体31の容量部分の少なくとも一部を照射することができれば、励振電極14を含む水晶片11の第1主面12a又は第2主面12bの全体、側面12c等の任意位置に向かって照射することが可能である。
さらに、中性子線照射工程が行われる後に、シリコン単結晶中のリンの分布が均一にされている。これによって、リンの不均一分布によるシリコン基板30の面内の抵抗率分布の不均一性として現れるシリコン基板30の特性のバラツキを抑制することができ、水晶振動子1の品質の安定化を図ることができる。
なお、中性子線照射工程に係る中性子照射時間を制御することにより変換されるリンの濃度を精度良く決めることができる。
本発明の一実施形態に係る振動素子の製造方法では、電極対によって挟まれた容量部を有する容量内蔵型のシリコン基板を準備する準備工程と、シリコン基板に振動素子を搭載する搭載工程と、振動素子が搭載されたシリコン基板又は振動素子に蓋部を接合することで、振動素子を封止する封止工程と、を含む振動子の製造方法であって、少なくともシリコン基板の容量部に中性子線を照射する中性子線照射工程をさらに含む。
上記方法によれば、振動子の共振周波数のバラツキを抑制し、品質の安定化を図ることができる。
上記方法によれば、シリコン基板の容量を調整することを介して、振動子の共振周波数の調整を実現することができる。
上記方法によれば、シリコン基板の容量を調整することで、振動子の共振周波数の調整を実現することができる。
上記方法によれば、振動素子の共振周波数の変動を抑制しつつ、シリコン基板の容量を調整することができる。
上記方法によれば、振動子の封止容器の材料による制限を受けることなく、振動子の共振周波数の調整が可能となり、振動子の共振周波数のバラツキを抑制することができる。
上記方法によれば、金属の蓋部を採用する場合であっても、封止後に振動子の共振周波数の調整が可能となり、振動子の共振周波数のバラツキを抑制することができる。
上記方法によれば、シリコン基板とともに蓋部の容量の調整が可能となり、振動子の調整できる容量値の増加を実現することができる。
上記方法によれば、蓋部の容量はシリコン基板の容量の調整に影響を受けずにもとの容量値を維持することができるとともに、振動子全体の調整できる容量値の増加を実現することができる。
上記方法によれば、水晶振動素子の共振周波数の変動を抑制しつつ、シリコン基板の容量の調整を介して、中性子線照射による振動子の共振周波数の調整を実現することができる。
上記方法によれば、リコン基板の容量を調整することとともに、水晶振動素子の共振周波数を調整することで、振動子の共振周波数の調整できる範囲を広げることができる。
上記方法によれば、水晶振動素子の共振周波数を確実に調整することができる。
上記構成によれば、振動子の共振周波数のバラツキを抑制し、品質の安定化を図ることができる。
上記構成によれば、水晶振動素子の共振周波数の変動を抑制しつつ、シリコン基板の容量の調整を介して、中性子線照射による振動子の共振周波数の調整を実現することができる。
[変形例]
ここで、蓋部20は、容量内蔵型のシリコン基板である場合において、上述したシリコン基板30の容量部50の容量を調整することとともに、シリコン基板30と同様な中性子線による蓋容量部の容量の調整を行うことができる。これによって、水晶振動子1の調整できる容量値の増加を実現することができる。
また、蓋部20は、電容量内蔵型の水晶基板である場合において、上述したように、中性子線が水晶片11に影響を与えることによる水晶振動素子10の共振周波数を変化させることがない。このため、蓋部20には中性子線で調整されない蓋容量部を形成できる。このため、水晶振動子1の共振周波数を調整する際に、蓋容量部の容量の変化を考慮する必要がなく、容量部50の容量の調整だけを考慮することで、水晶振動子1の共振周波数を調整することができる。
なお、蓋部20は、絶縁材料又は導電材料・絶縁材料の複合構造であってもよい。
トリミング調整は、例えば、減圧状態下でイオンビームを照射して、励振電極14aの一部を除去することにより励振電極14aの厚さを薄くして所定の周波数に調整する。さらに説明すると、トリミング調整は、未封止状態の水晶振動素子10の励振電極14aに向かってイオンビームを照射することで、この励振電極14aの一部を蒸散させて、その質量を軽くする質量負荷効果による周波数の調整である。トリミング調整後、励振電極14aの質量が軽くなるため、水晶振動素子10の共振周波数が高くなる。また、このトリミング調整において、励振電極14aの質量を大きく変更することができるため、水晶振動素子10周波数の粗調整に該当する。このトリミング調整工程によって、封止前の水晶振動素子10を所定の周波数に調整することができる。また、複数の水晶振動素子10の共振周波数を揃えることができる。なお、トリミング調整工程は、励振電極14とは別の金属膜をトリミングして水晶振動素子10の共振周波数を調整してもよい。
Claims (11)
- 電極対によって挟まれた容量部を有する容量内蔵型のシリコン基板を準備する準備工程と、
前記シリコン基板に振動素子を搭載する搭載工程と、
前記振動素子が搭載された前記シリコン基板又は前記振動素子に蓋部を接合することで、前記振動素子を封止する封止工程と、
を含む振動子の製造方法であって、
少なくとも前記シリコン基板の前記容量部に中性子線を照射する中性子線照射工程をさらに含む、振動子の製造方法。 - 前記中性子線照射工程は、前記容量部の容量を調整することを含む、請求項1に記載の振動子の製造方法。
- 前記中性子線照射工程は、前記容量部に含まれるシリコン材料にリンをドーピングすることを含む、請求項2に記載の振動子の製造方法。
- 前記中性子線照射工程は、少なくとも一回が、前記搭載工程後に行われる、請求項1乃至3の何れかの一項に記載の振動子の製造方法。
- 前記中性子線照射工程は、少なくとも一回が、前記封止工程前及び/又は前記封止工程後に行われる、請求項1乃至4の何れかの一項に記載の振動子の製造方法。
- 前記蓋部の材料は、金属であり、
前記中性子線照射工程は、少なくとも一回が、前記封止工程後に行われ、中性子線を前記蓋部に透過させて前記シリコン基板の前記容量部に照射する、請求項1乃至5の何れかの一項に記載の振動子の製造方法。 - 前記蓋部は、電極対によって挟まれた蓋容量部を有する容量内蔵型のシリコン基板であり、
前記中性子線照射工程は、少なくとも前記蓋部の前記蓋容量部に中性子線を照射することを含む、請求項1乃至5の何れかの一項に記載の振動子の製造方法。 - 前記蓋部は、電極対によって挟まれた蓋容量部を有する容量内蔵型の水晶基板であり、
前記中性子線照射工程は、前記蓋部を透過して前記シリコン基板を照射する、請求項1
乃至5の何れかの一項に記載の振動子の製造方法。 - 前記振動素子は、水晶振動素子である、請求項1乃至8の何れかの一項に記載の振動子
の製造方法。 - 前記水晶振動素子は、水晶基板と、前記水晶基板の両主面のそれぞれに設けられている励振電極と、有し、
前記振動子の製造方法は、前記励振電極の少なくとも一部をトリミングして前記振動素子の共振周波数を調整するトリミング調整工程をさらに含む、請求項9に記載の振動子の製造方法。 - 前記トリミング調整工程は、前記封止工程前に行われる、請求項10に記載の振動子の製造方法。
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