JP7272413B2 - 静電荷像現像用トナー、静電荷像現像剤、トナーカートリッジ、プロセスカートリッジ、画像形成装置、及び画像形成方法 - Google Patents
静電荷像現像用トナー、静電荷像現像剤、トナーカートリッジ、プロセスカートリッジ、画像形成装置、及び画像形成方法 Download PDFInfo
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本発明は、トナー用外添剤、静電荷像現像用トナー、静電荷像現像剤、トナーカートリッジ、プロセスカートリッジ、画像形成装置、及び画像形成方法に関する。
特許文献１には、トナーと、研磨粒子として、一次粒子の平均粒径が３０ｎｍ以上３００ｎｍ以下で、立方体状の粒子形状及び／又は直方体状の粒子形状を有し、かつ、ペロブスカイト型結晶を有するチタン酸ストロンチウム粒子と、を含む現像剤が開示されている。
特許文献２には、トナー粒子に、ＢＥＴ比表面積が２０～５０ｍ２／ｇであり、かつ粒子形状として直方体状粒子を含有するチタン酸ストロンチウムと疎水性シリカとを外添剤として混合添加してなる電子写真用トナーが開示されている。
特許文献３には、着色粒子の表面に、シリコーンオイルにより表面処理されたチタン酸ストロンチウムからなる荷電調整粒子が、付着及び／又は埋没している静電荷像現像用トナーが開示されている。
特許文献４には、個数平均粒径が０．０３μｍ以上、２．００μｍ以下である直方体状の無機研磨微粒子として、チタン酸ストロンチウムの微粒子を含む現像剤が開示されている。
特許文献５には、トナー粒子と、個数平均粒子径８０ｎｍ以上４００ｎｍ以下であり、体積固有抵抗率が１．０×１０３Ω／ｃｍ３以上１．０×１０９Ω／ｃｍ３以下であるチタン酸ストロンチウムと、を含むトナーが開示されている。
特許文献６には、トナー母粒子１００重量部に対して、重量平均粒径が３０～７５ｎｍのチタン酸ストロンチウムを０．１～１．０重量部を含有してなる二成分現像剤が開示されている。
本発明は、疎水化処理表面を有し、平均一次粒径が１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下でありつつも、体積固有抵抗率Ｒ１の常用対数値ｌｏｇＲ１が１１未満である又は１４を超えるチタン酸ストロンチウム粒子を含む場合に比べて、連続出力時に発生するカブリを抑制するトナー用外添剤を提供することを課題とする。
上記課題は、以下の手段により解決される。
＜１＞に係る発明は、
疎水化処理表面を有し、平均一次粒径が１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、体積固有抵抗率Ｒ１が常用対数値ｌｏｇＲ１にて１１以上１４以下であるチタン酸ストロンチウム粒子を含む、トナー用外添剤。
＜１＞に係る発明は、
疎水化処理表面を有し、平均一次粒径が１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、体積固有抵抗率Ｒ１が常用対数値ｌｏｇＲ１にて１１以上１４以下であるチタン酸ストロンチウム粒子を含む、トナー用外添剤。
＜２＞に係る発明は、
前記チタン酸ストロンチウム粒子をインピーダンス法により測定したときの抵抗成分Ｒ及び容量成分Ｃが以下の式（ａ）及び式（ｂ）を満たす、＜１＞に記載のトナー用外添剤。
式（ａ） ８≦抵抗成分Ｒの常用対数値ｌｏｇＲ≦１０
式（ｂ） －１１≦容量成分Ｃの常用対数値ｌｏｇＣ≦－９．５
＜３＞に係る発明は、
前記抵抗成分Ｒ及び容量成分Ｃが以下の式（ａ１）及び式（ｂ１）を満たす、＜２＞に記載のトナー用外添剤。
式（ａ１） ８．５≦抵抗成分Ｒの常用対数値ｌｏｇＲ≦９．５
式（ｂ２） －１０．５≦容量成分Ｃの常用対数値ｌｏｇＣ≦－９．５
前記チタン酸ストロンチウム粒子をインピーダンス法により測定したときの抵抗成分Ｒ及び容量成分Ｃが以下の式（ａ）及び式（ｂ）を満たす、＜１＞に記載のトナー用外添剤。
式（ａ） ８≦抵抗成分Ｒの常用対数値ｌｏｇＲ≦１０
式（ｂ） －１１≦容量成分Ｃの常用対数値ｌｏｇＣ≦－９．５
＜３＞に係る発明は、
前記抵抗成分Ｒ及び容量成分Ｃが以下の式（ａ１）及び式（ｂ１）を満たす、＜２＞に記載のトナー用外添剤。
式（ａ１） ８．５≦抵抗成分Ｒの常用対数値ｌｏｇＲ≦９．５
式（ｂ２） －１０．５≦容量成分Ｃの常用対数値ｌｏｇＣ≦－９．５
＜４＞に係る発明は、
疎水化処理表面が形成される前における前記チタン酸ストロンチウム粒子の体積固有抵抗率Ｒ２が常用対数値ｌｏｇＲ２にて６以上１０以下である、＜１＞～＜３＞のいずれか１項に記載のトナー用外添剤。
＜５＞に係る発明は、
疎水化処理表面が形成される前における前記チタン酸ストロンチウム粒子の体積固有抵抗率Ｒ２が常用対数値ｌｏｇＲ２にて７以上９以下である、＜４＞に記載のトナー用外添剤。
疎水化処理表面が形成される前における前記チタン酸ストロンチウム粒子の体積固有抵抗率Ｒ２が常用対数値ｌｏｇＲ２にて６以上１０以下である、＜１＞～＜３＞のいずれか１項に記載のトナー用外添剤。
＜５＞に係る発明は、
疎水化処理表面が形成される前における前記チタン酸ストロンチウム粒子の体積固有抵抗率Ｒ２が常用対数値ｌｏｇＲ２にて７以上９以下である、＜４＞に記載のトナー用外添剤。
＜６＞に係る発明は、
前記体積固有抵抗率Ｒ１の常用対数値ｌｏｇＲ１と前記体積固有抵抗率Ｒ２の常用対数値ｌｏｇＲ２との差（ｌｏｇＲ１－ｌｏｇＲ２）が２以上７以下である、＜４＞又は＜５＞のいずれか１項に記載のトナー用外添剤。
＜７＞に係る発明は、
前記体積固有抵抗率Ｒ１の常用対数値ｌｏｇＲ１と前記体積固有抵抗率Ｒ２の常用対数値ｌｏｇＲ２との差（ｌｏｇＲ１－ｌｏｇＲ２）が３以上５以下である、＜６＞に記載のトナー用外添剤。
前記体積固有抵抗率Ｒ１の常用対数値ｌｏｇＲ１と前記体積固有抵抗率Ｒ２の常用対数値ｌｏｇＲ２との差（ｌｏｇＲ１－ｌｏｇＲ２）が２以上７以下である、＜４＞又は＜５＞のいずれか１項に記載のトナー用外添剤。
＜７＞に係る発明は、
前記体積固有抵抗率Ｒ１の常用対数値ｌｏｇＲ１と前記体積固有抵抗率Ｒ２の常用対数値ｌｏｇＲ２との差（ｌｏｇＲ１－ｌｏｇＲ２）が３以上５以下である、＜６＞に記載のトナー用外添剤。
＜８＞に係る発明は、
前記チタン酸ストロンチウム粒子の含水率が１．５％以上１０％以下である＜１＞～＜７＞のいずれか１項に記載のトナー用外添剤。
＜９＞に係る発明は、
前記チタン酸ストロンチウム粒子の含水率が２％以上５％以下である＜８＞に記載のトナー用外添剤。
前記チタン酸ストロンチウム粒子の含水率が１．５％以上１０％以下である＜１＞～＜７＞のいずれか１項に記載のトナー用外添剤。
＜９＞に係る発明は、
前記チタン酸ストロンチウム粒子の含水率が２％以上５％以下である＜８＞に記載のトナー用外添剤。
＜１０＞に係る発明は、
前記チタン酸ストロンチウム粒子の平均一次粒径が２０ｎｍ以上８０ｎｍ以下である＜１＞～＜９＞のいずれか１項に記載のトナー用外添剤。
＜１１＞に係る発明は、
前記チタン酸ストロンチウム粒子の平均一次粒径が２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下である＜１０＞に記載のトナー用外添剤。
前記チタン酸ストロンチウム粒子の平均一次粒径が２０ｎｍ以上８０ｎｍ以下である＜１＞～＜９＞のいずれか１項に記載のトナー用外添剤。
＜１１＞に係る発明は、
前記チタン酸ストロンチウム粒子の平均一次粒径が２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下である＜１０＞に記載のトナー用外添剤。
＜１２＞に係る発明は、
前記チタン酸ストロンチウム粒子の体積固有抵抗率Ｒ１が常用対数値ｌｏｇＲ１にて１１以上１３以下である、＜１＞～＜１１＞のいずれか１項に記載のトナー用外添剤。
＜１３＞に係る発明は、
前記チタン酸ストロンチウム粒子の体積固有抵抗率Ｒ１が常用対数値ｌｏｇＲ１にて１２以上１３以下である、＜１２＞に記載のトナー用外添剤。
前記チタン酸ストロンチウム粒子の体積固有抵抗率Ｒ１が常用対数値ｌｏｇＲ１にて１１以上１３以下である、＜１＞～＜１１＞のいずれか１項に記載のトナー用外添剤。
＜１３＞に係る発明は、
前記チタン酸ストロンチウム粒子の体積固有抵抗率Ｒ１が常用対数値ｌｏｇＲ１にて１２以上１３以下である、＜１２＞に記載のトナー用外添剤。
＜１４＞に係る発明は、
前記チタン酸ストロンチウム粒子は、チタン及びストロンチウム以外の金属元素がドープされたチタン酸ストロンチウム粒子である、＜１＞～＜１３＞のいずれか１項に記載のトナー用外添剤。
＜１５＞に係る発明は、
前記チタン酸ストロンチウム粒子は、ランタンがドープされたチタン酸ストロンチウム粒子である、＜１４＞に記載のトナー用外添剤。
前記チタン酸ストロンチウム粒子は、チタン及びストロンチウム以外の金属元素がドープされたチタン酸ストロンチウム粒子である、＜１＞～＜１３＞のいずれか１項に記載のトナー用外添剤。
＜１５＞に係る発明は、
前記チタン酸ストロンチウム粒子は、ランタンがドープされたチタン酸ストロンチウム粒子である、＜１４＞に記載のトナー用外添剤。
＜１６＞に係る発明は、
前記チタン酸ストロンチウム粒子は、ケイ素含有有機化合物にて表面処理されてなる前記疎水化処理表面を有するチタン酸ストロンチウム粒子である、＜１＞～＜１５＞のいずれか１項に記載のトナー用外添剤。
＜１７＞に係る発明は、
前記ケイ素含有有機化合物がアルコキシシラン化合物及びシリコーンオイルからなる群より選択される少なくとも１種である＜１６＞に記載のトナー用外添剤。
＜１８＞に係る発明は、
前記チタン酸ストロンチウム粒子の蛍光Ｘ線分析の定量及び定性分析から算出されるケイ素（Ｓｉ）とストロンチウム（Ｓｒ）との質量比（Ｓｉ／Ｓｒ）が０．０３以上０．１５以下である＜１６＞又は＜１７＞に記載のトナー用外添剤。
前記チタン酸ストロンチウム粒子は、ケイ素含有有機化合物にて表面処理されてなる前記疎水化処理表面を有するチタン酸ストロンチウム粒子である、＜１＞～＜１５＞のいずれか１項に記載のトナー用外添剤。
＜１７＞に係る発明は、
前記ケイ素含有有機化合物がアルコキシシラン化合物及びシリコーンオイルからなる群より選択される少なくとも１種である＜１６＞に記載のトナー用外添剤。
＜１８＞に係る発明は、
前記チタン酸ストロンチウム粒子の蛍光Ｘ線分析の定量及び定性分析から算出されるケイ素（Ｓｉ）とストロンチウム（Ｓｒ）との質量比（Ｓｉ／Ｓｒ）が０．０３以上０．１５以下である＜１６＞又は＜１７＞に記載のトナー用外添剤。
＜１９＞に係る発明は、
トナー粒子と、
前記トナー粒子に外添された、＜１＞～＜１８＞のいずれか１項に記載のトナー用外添剤と、を有する静電荷像現像用トナー。
＜２０＞に係る発明は、
誘電率が０．００３以上０．０１以下である＜１９＞に記載の静電荷像現像用トナー。
トナー粒子と、
前記トナー粒子に外添された、＜１＞～＜１８＞のいずれか１項に記載のトナー用外添剤と、を有する静電荷像現像用トナー。
＜２０＞に係る発明は、
誘電率が０．００３以上０．０１以下である＜１９＞に記載の静電荷像現像用トナー。
＜２１＞に係る発明は、
＜１９又は＜２０＞に記載の静電荷像現像用トナーを含む静電荷像現像剤。
＜１９又は＜２０＞に記載の静電荷像現像用トナーを含む静電荷像現像剤。
＜２２＞に係る発明は、
＜１９＞又は＜２０＞に記載の静電荷像現像用トナーを収容し、
画像形成装置に着脱されるトナーカートリッジ。
＜１９＞又は＜２０＞に記載の静電荷像現像用トナーを収容し、
画像形成装置に着脱されるトナーカートリッジ。
＜２３＞に係る発明は、
＜２１＞に記載の静電荷像現像剤を収容し、前記静電荷像現像剤により、像保持体の表面に形成された静電荷像をトナー画像として現像する現像手段を備え、
画像形成装置に着脱されるプロセスカートリッジ。
＜２１＞に記載の静電荷像現像剤を収容し、前記静電荷像現像剤により、像保持体の表面に形成された静電荷像をトナー画像として現像する現像手段を備え、
画像形成装置に着脱されるプロセスカートリッジ。
＜２４＞に係る発明は、
像保持体と、
前記像保持体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記像保持体の表面に静電荷像を形成する静電荷像形成手段と、
＜２１＞に記載の静電荷像現像剤を収容し、前記静電荷像現像剤により、前記像保持体の表面に形成された静電荷像をトナー画像として現像する現像手段と、
前記像保持体の表面に形成されたトナー画像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
前記記録媒体の表面に転写されたトナー画像を定着する定着手段と、
を備える画像形成装置。
像保持体と、
前記像保持体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記像保持体の表面に静電荷像を形成する静電荷像形成手段と、
＜２１＞に記載の静電荷像現像剤を収容し、前記静電荷像現像剤により、前記像保持体の表面に形成された静電荷像をトナー画像として現像する現像手段と、
前記像保持体の表面に形成されたトナー画像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
前記記録媒体の表面に転写されたトナー画像を定着する定着手段と、
を備える画像形成装置。
＜２５＞に係る発明は、
像保持体の表面を帯電する帯電工程と、
帯電した前記像保持体の表面に静電荷像を形成する静電荷像形成工程と、
＜２１＞に記載の静電荷像現像剤により、前記像保持体の表面に形成された静電荷像をトナー画像として現像する現像工程と、
前記像保持体の表面に形成されたトナー画像を記録媒体の表面に転写する転写工程と、
前記記録媒体の表面に転写されたトナー画像を定着する定着工程と、
を有する画像形成方法。
像保持体の表面を帯電する帯電工程と、
帯電した前記像保持体の表面に静電荷像を形成する静電荷像形成工程と、
＜２１＞に記載の静電荷像現像剤により、前記像保持体の表面に形成された静電荷像をトナー画像として現像する現像工程と、
前記像保持体の表面に形成されたトナー画像を記録媒体の表面に転写する転写工程と、
前記記録媒体の表面に転写されたトナー画像を定着する定着工程と、
を有する画像形成方法。
＜１＞、＜１０＞、＜１１＞、＜１２＞、＜１３＞、＜１６＞、＜１７＞、又は＜１８＞に係る発明によれば、疎水化処理表面を有し、平均一次粒径が１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下でありつつも、体積固有抵抗率Ｒ１の常用対数値ｌｏｇＲ１が１１未満である又は１４を超えるチタン酸ストロンチウム粒子を含む場合に比べて、連続出力時に発生するカブリを抑制するトナー用外添剤が提供される。
＜２＞又は＜３＞に係る発明によれば、前記チタン酸ストロンチウム粒子の容量成分Ｃの常用対数値ｌｏｇＣが－１１未満又は－９．５を超える場合に比べ、連続出力時に発生するカブリを抑制するトナー用外添剤が提供される。
＜４＞又は＜５＞に係る発明によれば、疎水化処理表面が形成される前におけるチタン酸ストロンチウム粒子の体積固有抵抗率Ｒ２が常用対数値ｌｏｇＲ２にて６未満又は１０を超える場合に比べ、連続出力時に発生するカブリを抑制するトナー用外添剤が提供される。
＜６＞又は＜７＞に係る発明によれば、前記ｌｏｇＲ１－ｌｏｇＲ２が２未満又は７を超える場合に比べ、連続出力時に発生するカブリを抑制するトナー用外添剤が提供される。
＜８＞又は＜９＞に係る発明によれば、前記チタン酸ストロンチウム粒子の含水率が１．５質量％未満又は１０質量％を超える場合に比べ、連続出力時に発生するカブリを抑制するトナー用外添剤が提供される。
＜１０＞又は＜１１＞に係る発明によれば、前記チタン酸ストロンチウム粒子の平均一次粒子粒径が２０ｎｍ未満の場合に比べて、連続出力時に発生するカブリを抑制するトナー用外添剤が提供される。
＜１４＞又は＜１５＞に係る発明によれば、前記チタン酸ストロンチウム粒子にチタン及びストロンチウム以外の金属元素がドープされていない場合に比べて、連続出力時に発生するカブリを抑制するトナー用外添剤が提供される。
＜１８＞に係る発明によれば、前記チタン酸ストロンチウム粒子の定量及び定性分析から算出されるケイ素（Ｓｉ）とストロンチウム（Ｓｒ）との質量比（Ｓｉ／Ｓｒ）が０．０２５未満又は０．２５を超える場合に比べて、連続出力時に発生するカブリを抑制するトナー用外添剤が提供される。
＜１９＞又は＜２０＞に係る発明によれば、疎水化処理表面を有し、平均一次粒径が１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下でありつつも、体積固有抵抗率Ｒ１の常用対数値ｌｏｇＲ１が１１未満である又は１４を超えるチタン酸ストロンチウム粒子を含むトナー外添剤を有する場合に比べ、連続出力時に発生するカブリを抑制する静電荷像現像用トナーが提供される。
＜２１＞、＜２２＞、＜２３＞、＜２４＞、又は＜２５＞に係る発明によれば、疎水化処理表面を有し、平均一次粒径が１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下でありつつも、体積固有抵抗率Ｒ１の常用対数値ｌｏｇＲ１が１１未満である又は１４を超えるチタン酸ストロンチウム粒子を含むトナー外添剤を有する静電荷像現像用トナーを適用した場合に比べ、連続出力時に発生するカブリを抑制する静電荷像現像剤、トナーカートリッジ、プロセスカートリッジ、画像形成装置、又は画像形成方法が提供される。
以下に、発明の実施形態を説明する。これらの説明及び実施例は実施形態を例示するものであり、発明の範囲を制限するものではない。
本開示において組成物中の各成分の量について言及する場合、組成物中に各成分に該当する物質が複数種存在する場合には、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の物質の合計量を意味する。
本開示において「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。
本開示において、「トナー用外添剤」を単に「外添剤」ともいい、「静電荷像現像用トナー」を単に「トナー」ともいい、「静電荷像現像剤」を単に「現像剤」ともいう。
＜トナー用外添剤＞
本実施形態に係るトナー用外添剤について説明する。
本実施形態に係る外添剤は、疎水化処理表面を有し、平均一次粒径が１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、体積固有抵抗率Ｒ１が常用対数値ｌｏｇＲ１にて１１以上１４以下であるチタン酸ストロンチウム粒子（以下、特定チタン酸ストロンチウム粒子ともいう）を含む。
本実施形態に係るトナー用外添剤について説明する。
本実施形態に係る外添剤は、疎水化処理表面を有し、平均一次粒径が１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、体積固有抵抗率Ｒ１が常用対数値ｌｏｇＲ１にて１１以上１４以下であるチタン酸ストロンチウム粒子（以下、特定チタン酸ストロンチウム粒子ともいう）を含む。
チタン酸ストロンチウム粒子は、ペロブスカイトの結晶構造（立方体又は直方体）をとるため、結晶性が高く、高抵抗の粒子である。この結晶構造を利用し、チタン酸ストロンチウム粒子は、研磨剤として用いられている。
しかしながら、高抵抗のチタン酸ストロンチウム粒子をトナー用外添剤として用いると、連続出力時にカブリ（非画像部にトナーが付着する現象）が発生することがあることが分かった。これは、高抵抗のチタン酸ストロンチウム粒子は、電荷交換の応答性が遅いため、連続出力により摩擦帯電を繰り返すことでトナーの帯電が高くなり、そこへ低帯電のトナーが追加された際、トナー同士の相互帯電等が生じるが、両者の間で電荷交換が効率よく行われず、広い帯電分布を有するトナーとなってしまうことに起因する。
一方で、チタン酸ストロンチウム粒子の抵抗を低くしすぎると（例えば、体積固有抵抗率の常用対数値が１１未満であると）、トナーの帯電した電荷が漏れ（リーク）てしまい、トナーの十分な帯電が得らずにカブリが生じてしまう。
しかしながら、高抵抗のチタン酸ストロンチウム粒子をトナー用外添剤として用いると、連続出力時にカブリ（非画像部にトナーが付着する現象）が発生することがあることが分かった。これは、高抵抗のチタン酸ストロンチウム粒子は、電荷交換の応答性が遅いため、連続出力により摩擦帯電を繰り返すことでトナーの帯電が高くなり、そこへ低帯電のトナーが追加された際、トナー同士の相互帯電等が生じるが、両者の間で電荷交換が効率よく行われず、広い帯電分布を有するトナーとなってしまうことに起因する。
一方で、チタン酸ストロンチウム粒子の抵抗を低くしすぎると（例えば、体積固有抵抗率の常用対数値が１１未満であると）、トナーの帯電した電荷が漏れ（リーク）てしまい、トナーの十分な帯電が得らずにカブリが生じてしまう。
本実施形態の外添剤は、疎水化処理表面を有し、平均一次粒径が１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、体積固有抵抗率Ｒ１が常用対数値ｌｏｇＲ１にて１１以上１４以下であるチタン酸ストロンチウム粒子（特定チタン酸ストロンチウム粒子）を含む。
この特定チタン酸ストロンチウム粒子を含む外添剤を用いることで、連続出力時に発生するカブリが抑制される。その理由は、以下のように推測される。
特定チタン酸ストロンチウム粒子の体積固有抵抗率Ｒ１は、ペロブスカイトの結晶構造（立方体又は直方体）を有するチタン酸ストロンチウム粒子よりも低い。そのため、特定チタン酸ストロンチウム粒子は良好な電荷交換性を有することとなり、連続出力を行ってもトナーの帯電分布が広がることを抑制しうる。
また、特定チタン酸ストロンチウム粒子は、高抵抗を示す疎水化処理表面を有する。特定チタン酸ストロンチウム粒子は、表面における抵抗が高いことから、トナーの帯電した電荷が漏れ（リーク）してしまうことが抑制される。
更にいうならば、特定チタン酸ストロンチウム粒子は、上記のような平均一次粒径を有し、小径であることが分かる。そのため、トナー粒子の表面に分散し易く、また、その被覆量も多くし易い。その結果、上記の、トナーの帯電分布が広がること、及び、トナーの帯電した電荷が漏れること、を更に抑制し易くなる。
以上のことから、本実施形態に係る外添剤によれば、連続出力時に発生するカブリが抑制される。
この特定チタン酸ストロンチウム粒子を含む外添剤を用いることで、連続出力時に発生するカブリが抑制される。その理由は、以下のように推測される。
特定チタン酸ストロンチウム粒子の体積固有抵抗率Ｒ１は、ペロブスカイトの結晶構造（立方体又は直方体）を有するチタン酸ストロンチウム粒子よりも低い。そのため、特定チタン酸ストロンチウム粒子は良好な電荷交換性を有することとなり、連続出力を行ってもトナーの帯電分布が広がることを抑制しうる。
また、特定チタン酸ストロンチウム粒子は、高抵抗を示す疎水化処理表面を有する。特定チタン酸ストロンチウム粒子は、表面における抵抗が高いことから、トナーの帯電した電荷が漏れ（リーク）してしまうことが抑制される。
更にいうならば、特定チタン酸ストロンチウム粒子は、上記のような平均一次粒径を有し、小径であることが分かる。そのため、トナー粒子の表面に分散し易く、また、その被覆量も多くし易い。その結果、上記の、トナーの帯電分布が広がること、及び、トナーの帯電した電荷が漏れること、を更に抑制し易くなる。
以上のことから、本実施形態に係る外添剤によれば、連続出力時に発生するカブリが抑制される。
以下、本実施形態に係る外添剤に含まれる特定チタン酸ストロンチウム粒子について詳細に説明する。
［特定チタン酸ストロンチウム粒子］
・疎水化処理表面
特定チタン酸ストロンチウム粒子は、疎水化処理表面を有するチタン酸ストロンチウム粒子である。つまり、特定チタン酸ストロンチウム粒子は、（未処理の）チタン酸ストロンチウム粒子の表面を疎水化処理してなるものである。
このように、特定チタン酸ストロンチウム粒子は、疎水化処理表面を有することで表面の抵抗が高まり、トナーの帯電した電荷が漏れ（リーク）してしまうことが抑制される。
・疎水化処理表面
特定チタン酸ストロンチウム粒子は、疎水化処理表面を有するチタン酸ストロンチウム粒子である。つまり、特定チタン酸ストロンチウム粒子は、（未処理の）チタン酸ストロンチウム粒子の表面を疎水化処理してなるものである。
このように、特定チタン酸ストロンチウム粒子は、疎水化処理表面を有することで表面の抵抗が高まり、トナーの帯電した電荷が漏れ（リーク）してしまうことが抑制される。
特定チタン酸ストロンチウム粒子の疎水化処理表面は、抵抗を高められる点から、ケイ素含有有機化合物にて表面処理されてなることが好ましい。ケイ素含有有機化合物としては、アルコキシシラン化合物、シラザン化合物、シリコーンオイル等が挙げられ、中でも、アルコキシシラン化合物及びシリコーンオイルからなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。
ケイ素含有有機化合物については、特定チタン酸ストロンチウム粒子の製造方法の欄にて詳細に説明する。
ケイ素含有有機化合物については、特定チタン酸ストロンチウム粒子の製造方法の欄にて詳細に説明する。
特定チタン酸ストロンチウム粒子の疎水化処理表面は、目的とする体積固有抵抗率Ｒ１が得られる点、シャープな粒度分布の特定チタン酸ストロンチウム粒子が得られる点から、蛍光Ｘ線分析の定性及び定量分析から算出されるケイ素（Ｓｉ）とストロンチウム（Ｓｒ）との質量比（Ｓｉ／Ｓｒ）が０．０２５以上０．２５以下であることが好ましく、０．０５以上０．２０以下であることがより好ましい。
ここで、特定チタン酸ストロンチウム粒子の疎水化処理表面の蛍光Ｘ線分析は、以下の方法で行われる。
即ち、蛍光Ｘ線解析装置（島津製作所社製、ＸＲＦ１５００）を用いて、Ｘ線出力４０Ｖ、７０ｍＡ、測定面積１０ｍｍφ、測定時間１５分の条件で定性及び定量分析測定を実施する。ここで、分析する元素は、酸素（Ｏ）、ケイ素（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、及びチタン及びストロンチウム以外の金属元素（Ｍｅ）とし、測定された各元素の総計から、別途に作成した各元素を定量可能な検量線データ等を参照して、各々の各元素の質量比(％)を算出する。
この測定にて得られたケイ素（Ｓｉ）質量比の値とストロンチウム（Ｓｒ）の質量比の値を元に、質量比（Ｓｉ／Ｓｒ）を算出する。
即ち、蛍光Ｘ線解析装置（島津製作所社製、ＸＲＦ１５００）を用いて、Ｘ線出力４０Ｖ、７０ｍＡ、測定面積１０ｍｍφ、測定時間１５分の条件で定性及び定量分析測定を実施する。ここで、分析する元素は、酸素（Ｏ）、ケイ素（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、及びチタン及びストロンチウム以外の金属元素（Ｍｅ）とし、測定された各元素の総計から、別途に作成した各元素を定量可能な検量線データ等を参照して、各々の各元素の質量比(％)を算出する。
この測定にて得られたケイ素（Ｓｉ）質量比の値とストロンチウム（Ｓｒ）の質量比の値を元に、質量比（Ｓｉ／Ｓｒ）を算出する。
・平均一次粒径
特定チタン酸ストロンチウム粒子は、トナー粒子に対する分散性及び被覆率の向上の点から、平均一次粒径が１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、経時での帯電維持性の点から、２０ｎｍ以上８０ｎｍ以下がより好ましく、２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下が更に好ましく、３０ｎｍ以上６０ｎｍ以下が更に好ましい。
特定チタン酸ストロンチウム粒子は、トナー粒子に対する分散性及び被覆率の向上の点から、平均一次粒径が１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、経時での帯電維持性の点から、２０ｎｍ以上８０ｎｍ以下がより好ましく、２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下が更に好ましく、３０ｎｍ以上６０ｎｍ以下が更に好ましい。
本実施形態において、特定チタン酸ストロンチウム粒子の一次粒径とは、一次粒子像と同じ面積をもつ円の直径（いわゆる円相当径）であり、特定チタン酸ストロンチウム粒子の平均一次粒径とは、一次粒子の個数基準の分布において小径側から累積５０％となる粒径である。
特定チタン酸ストロンチウム粒子の平均一次粒径は、例えば、以下の方法で測定される。
まず、体積平均粒径１００μｍの樹脂粒子（ポリエステル、重量平均分子量Ｍｗ＝５００００）の表面に特定チタン酸ストロンチウム粒子を分散させた後、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により倍率４万倍で観察し、一視野内からチタン酸ストロンチウム粒子の一次粒子２００個を無作為に特定する。特定したチタン酸ストロンチウム粒子を画像解析ソフトによる画像解析によって、一次粒子３００個それぞれの円相当径を求める。
そして、一次粒子３００個の個数基準の分布における小径側から累積５０％となる円相当径を求める。
ここで、走査型電子顕微鏡としては、日立ハイテクノロジーズ製Ｓ－４８００を用い、測定条件は、加速電圧１５ｋＶ、エミッション電流２０μＡ、ＷＤ１５ｍｍとする。また、画像解析ソフトとしては、画像処理解析ソフトＷｉｎＲｏｏｆ（三谷商事株式会社）を用いる。
まず、体積平均粒径１００μｍの樹脂粒子（ポリエステル、重量平均分子量Ｍｗ＝５００００）の表面に特定チタン酸ストロンチウム粒子を分散させた後、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により倍率４万倍で観察し、一視野内からチタン酸ストロンチウム粒子の一次粒子２００個を無作為に特定する。特定したチタン酸ストロンチウム粒子を画像解析ソフトによる画像解析によって、一次粒子３００個それぞれの円相当径を求める。
そして、一次粒子３００個の個数基準の分布における小径側から累積５０％となる円相当径を求める。
ここで、走査型電子顕微鏡としては、日立ハイテクノロジーズ製Ｓ－４８００を用い、測定条件は、加速電圧１５ｋＶ、エミッション電流２０μＡ、ＷＤ１５ｍｍとする。また、画像解析ソフトとしては、画像処理解析ソフトＷｉｎＲｏｏｆ（三谷商事株式会社）を用いる。
特定チタン酸ストロンチウム粒子の平均一次粒径は、例えば、チタン酸ストロンチウム粒子を湿式製法により製造する際の各種条件によって制御し得る。
・体積固有抵抗率Ｒ１
特定チタン酸ストロンチウム粒子は、トナーの帯電量が十分に得られ易い点、及び、連続出力時に発生するカブリを抑制し易い点から、体積固有抵抗率Ｒ１が常用対数値ｌｏｇＲ１にて１１以上１４以下であり、１１以上１３以下がより好ましく、１２以上１３以下が更に好ましい。
特定チタン酸ストロンチウム粒子は、トナーの帯電量が十分に得られ易い点、及び、連続出力時に発生するカブリを抑制し易い点から、体積固有抵抗率Ｒ１が常用対数値ｌｏｇＲ１にて１１以上１４以下であり、１１以上１３以下がより好ましく、１２以上１３以下が更に好ましい。
本実施形態において、特定チタン酸ストロンチウム粒子の体積固有抵抗率Ｒ１は、以下のようにして測定する。
即ち、エレクトロメーター（商品名：「ＫＥＩＴＨＬＥＹ６１０Ｃ」ＫＥＹＴＨＬＥＹ社製）と高圧電源（商品名：「ＦＬＵＫＥ４１５Ｂ」ＦＫＵＫＥ社製）に接続された一対の２０ｃｍ２の円形極板（鋼製）である測定治具の下部極板上に、チタン酸ストロンチウム粒子を、厚さ１ｍｍ以上２ｍｍ以下の範囲の平坦な層を形成するように入れる。
その後、形成されたチタン酸ストロンチウム粒子層を、２２℃、５５％ＲＨにて２４時間調湿する。
次に、２２℃、５５％ＲＨの環境下で、調湿したチタン酸ストロンチウム粒子層上に上部極板を配置した後、チタン酸ストロンチウム粒子層内の空隙を除くために上部極板上に４ｋｇの重しを乗せ、その状態でチタン酸ストロンチウム粒子層の厚さを測定する。
次いで、両極板に１０００Ｖの電圧を印加して電流値を測定し、下記式（１）に基づいて体積固有抵抗率を算出する。
式（１） 体積固有抵抗率Ｒ１＝Ｖ×Ｓ÷（Ａ－Ａ０）÷ｄ（Ωｃｍ）
（式（１）中、Ｖは印加電圧１０００（Ｖ）、Ｓは極板面積２０（ｃｍ２）、Ａは測定電流値（Ａ）、Ａ０は印加電圧０の時の初期電流値（Ａ）、ｄはチタン酸ストロンチウム粒子層厚（ｃｍ）を示す。
本実施形態では、上記の方法で得られた体積固有抵抗率Ｒ１の常用対数値ｌｏｇＲ１を採用している。
即ち、エレクトロメーター（商品名：「ＫＥＩＴＨＬＥＹ６１０Ｃ」ＫＥＹＴＨＬＥＹ社製）と高圧電源（商品名：「ＦＬＵＫＥ４１５Ｂ」ＦＫＵＫＥ社製）に接続された一対の２０ｃｍ２の円形極板（鋼製）である測定治具の下部極板上に、チタン酸ストロンチウム粒子を、厚さ１ｍｍ以上２ｍｍ以下の範囲の平坦な層を形成するように入れる。
その後、形成されたチタン酸ストロンチウム粒子層を、２２℃、５５％ＲＨにて２４時間調湿する。
次に、２２℃、５５％ＲＨの環境下で、調湿したチタン酸ストロンチウム粒子層上に上部極板を配置した後、チタン酸ストロンチウム粒子層内の空隙を除くために上部極板上に４ｋｇの重しを乗せ、その状態でチタン酸ストロンチウム粒子層の厚さを測定する。
次いで、両極板に１０００Ｖの電圧を印加して電流値を測定し、下記式（１）に基づいて体積固有抵抗率を算出する。
式（１） 体積固有抵抗率Ｒ１＝Ｖ×Ｓ÷（Ａ－Ａ０）÷ｄ（Ωｃｍ）
（式（１）中、Ｖは印加電圧１０００（Ｖ）、Ｓは極板面積２０（ｃｍ２）、Ａは測定電流値（Ａ）、Ａ０は印加電圧０の時の初期電流値（Ａ）、ｄはチタン酸ストロンチウム粒子層厚（ｃｍ）を示す。
本実施形態では、上記の方法で得られた体積固有抵抗率Ｒ１の常用対数値ｌｏｇＲ１を採用している。
特定チタン酸ストロンチウム粒子の体積固有抵抗率Ｒ１は、例えば、表面処理される前のチタン酸ストロンチウム粒子の体積抵抗率Ｒ２（含水率、チタン及びストロンチウム以外の金属元素（以降、ドーパントともいう）の種類、ドーパントの添加量等により変化）、疎水化処理剤の種類、疎水化処理量、表面処理（疎水化処理）後の乾燥温度、乾燥時間等によって制御し得る。特に、体積固有抵抗率Ｒ１は、表面処理される前のチタン酸ストロンチウム粒子の含水率、及び疎水化処理量の少なくとも一方により制御されることが好ましい。
・インピーダンス法により求められる抵抗成分Ｒ及び容量成分Ｃ
本発明者らは、インピーダンス法によれば、交流電圧下で周波数を変化させその応答性が測定されることから、かかるインピーダンス法を用いることで、特定チタン酸ストロンチウム粒子に対し交流電圧を印加した際の電荷の移動の速さ（つまり、電荷交換性の程度）を確認しうることを見出した。
そして、特定チタン酸ストロンチウム粒子のインピーダンス法により求められる抵抗成分Ｒ及び容量成分Ｃの値（特に容量成分Ｃの値）を制御することで、目的とする電荷交換性が得られ、更に、トナーの帯電した電荷が漏れることを抑制しうる、といった知見を得た。
本発明者らは、インピーダンス法によれば、交流電圧下で周波数を変化させその応答性が測定されることから、かかるインピーダンス法を用いることで、特定チタン酸ストロンチウム粒子に対し交流電圧を印加した際の電荷の移動の速さ（つまり、電荷交換性の程度）を確認しうることを見出した。
そして、特定チタン酸ストロンチウム粒子のインピーダンス法により求められる抵抗成分Ｒ及び容量成分Ｃの値（特に容量成分Ｃの値）を制御することで、目的とする電荷交換性が得られ、更に、トナーの帯電した電荷が漏れることを抑制しうる、といった知見を得た。
そこで、特定チタン酸ストロンチウム粒子は、トナーの帯電した電荷が漏れることを抑制し易い点、及び、電荷交換性が高く、連続出力時に発生するカブリを抑制し易い点から、インピーダンス法により測定したときの抵抗成分Ｒ及び容量成分Ｃが以下の式（ａ）及び式（ｂ）を満たすことが好ましく、式（ａ１）及び式（ｂ１）を満たすことがより好ましい。
式（ａ） ８≦抵抗成分Ｒの常用対数値ｌｏｇＲ≦１０
式（ｂ） －１１≦容量成分Ｃの常用対数値ｌｏｇＣ≦－９．５
式（ａ１） ８．５≦抵抗成分Ｒの常用対数値ｌｏｇＲ≦９．５
式（ｂ２） －１０．５≦容量成分Ｃの常用対数値ｌｏｇＣ≦－９．５
式（ａ） ８≦抵抗成分Ｒの常用対数値ｌｏｇＲ≦１０
式（ｂ） －１１≦容量成分Ｃの常用対数値ｌｏｇＣ≦－９．５
式（ａ１） ８．５≦抵抗成分Ｒの常用対数値ｌｏｇＲ≦９．５
式（ｂ２） －１０．５≦容量成分Ｃの常用対数値ｌｏｇＣ≦－９．５
本実施形態において、インピーダンス法により求められる抵抗成分Ｒ及び容量成分Ｃは、以下のようにして測定する。
まず、電源及び電流計としてインピーダンスアナライザ（１２６０型ソーラトロン社製）と誘電率測定インターフェイス（１２９６型ソーラトロン社製）とを用いる。チタン酸ストロンチウム粒子１ｇをサンプルホルダーに投入し、０．１ＭＰａの加重をかけ１５分静置した後、電流計と誘電率インターフェイスとに接続し、チタン酸ストロンチウムに交流電圧を印加することでインピーダンス測定を行う。測定条件は以下の通りである。
・直流印加電圧：３Ｖ
・交流印加電圧：１Ｖ
・周波数：１０ＭＨｚから１０ｍＨｚ
測定結果から、コール・コールプロット解析により、抵抗成分Ｒ及び容量成分Ｃを算出する。解析ソフトには、Ｚｖｉｅｗ Ｖｅｒ．３．１ｃ（Ｓｃｒｉｂｎｅｒ Ａｓｓｏｃｉａｔｅｓ社製）を使用する。
まず、電源及び電流計としてインピーダンスアナライザ（１２６０型ソーラトロン社製）と誘電率測定インターフェイス（１２９６型ソーラトロン社製）とを用いる。チタン酸ストロンチウム粒子１ｇをサンプルホルダーに投入し、０．１ＭＰａの加重をかけ１５分静置した後、電流計と誘電率インターフェイスとに接続し、チタン酸ストロンチウムに交流電圧を印加することでインピーダンス測定を行う。測定条件は以下の通りである。
・直流印加電圧：３Ｖ
・交流印加電圧：１Ｖ
・周波数：１０ＭＨｚから１０ｍＨｚ
測定結果から、コール・コールプロット解析により、抵抗成分Ｒ及び容量成分Ｃを算出する。解析ソフトには、Ｚｖｉｅｗ Ｖｅｒ．３．１ｃ（Ｓｃｒｉｂｎｅｒ Ａｓｓｏｃｉａｔｅｓ社製）を使用する。
特定チタン酸ストロンチウム粒子のインピーダンス法による抵抗成分Ｒ及び容量成分Ｃは、体積固有抵抗率Ｒ１と同様の因子により制御しうる。特に、容量成分Ｃは、表面処理される前のチタン酸ストロンチウム粒子中のドーパントの種類、及びドーパントの添加量の少なくとも一方を用いて制御されることが好ましい。
・疎水化処理表面が形成される前のチタン酸ストロンチウム粒子の体積固有抵抗率Ｒ２
本実施形態においては、疎水化処理表面が形成される前（未処理）のチタン酸ストロンチウム粒子の体積固有抵抗率Ｒ２は、常用対数値ｌｏｇＲ２にて、６以上１０以下であることが好ましく、７以上９以下であることが好ましい。
つまり、特定チタン酸ストロンチウム粒子の疎水化処理表面の内部は、上記のような抵抗を有するということになり、特定チタン酸ストロンチウム粒子は内部が低抵抗であり、表面が疎水化処理によって高抵抗な粒子ということになる。
このような体積固有抵抗率Ｒ２を有することにより、トナーの帯電量が十分に得られ易く、また、トナーの帯電した電荷が経時にて漏れることを抑制し易い。
本実施形態においては、疎水化処理表面が形成される前（未処理）のチタン酸ストロンチウム粒子の体積固有抵抗率Ｒ２は、常用対数値ｌｏｇＲ２にて、６以上１０以下であることが好ましく、７以上９以下であることが好ましい。
つまり、特定チタン酸ストロンチウム粒子の疎水化処理表面の内部は、上記のような抵抗を有するということになり、特定チタン酸ストロンチウム粒子は内部が低抵抗であり、表面が疎水化処理によって高抵抗な粒子ということになる。
このような体積固有抵抗率Ｒ２を有することにより、トナーの帯電量が十分に得られ易く、また、トナーの帯電した電荷が経時にて漏れることを抑制し易い。
本実施形態において、体積固有抵抗率Ｒ１の常用対数値ｌｏｇＲ１と体積固有抵抗率Ｒ２の常用対数値ｌｏｇＲ２との差（ｌｏｇＲ１－ｌｏｇＲ２）は、２以上７以下であることが好ましく、３以上５以下であることがより好ましい。
ｌｏｇＲ１－ｌｏｇＲ２が上記の範囲であると、トナーの帯電した電荷が経時にて漏れることを抑制し易く、トナーの帯電分布が広くなることを抑制し易い。
ｌｏｇＲ１－ｌｏｇＲ２が上記の範囲であると、トナーの帯電した電荷が経時にて漏れることを抑制し易く、トナーの帯電分布が広くなることを抑制し易い。
疎水化処理表面が形成される前（未処理）のチタン酸ストロンチウム粒子の体積固有抵抗率Ｒ２は、前記した特定チタン酸ストロンチウム粒子の体積固有抵抗率Ｒ１と同様の方法にて測定される。
疎水化処理表面が形成される前のチタン酸ストロンチウム粒子の体積固有抵抗率Ｒ２は、例えば、チタン酸ストロンチウム粒子の含水率、ドーパントの種類、ドーパントの添加量等によって制御し得る。
・含水率
特定チタン酸ストロンチウム粒子の含水率は、トナーの帯電分布を狭くし易い点、及び、トナーの帯電した電荷が漏れることを抑制し易い点から、１．５質量％以上１０質量％以下が好ましく、２質量％以上５質量％以下が好ましい。
特定チタン酸ストロンチウム粒子の含水率は、トナーの帯電分布を狭くし易い点、及び、トナーの帯電した電荷が漏れることを抑制し易い点から、１．５質量％以上１０質量％以下が好ましく、２質量％以上５質量％以下が好ましい。
特定チタン酸ストロンチウム粒子の含水率は、次のように測定する。
測定試料２０ｍｇを温度２２℃／相対湿度５５％のチャンバーにて１７時間静置し調湿した後、温度２２℃／相対湿度５５％の室内にて、熱天秤（島津製作所製ＴＧＡ－５０型）によりチッ素ガス雰囲気中にて３０℃／分の温度上昇速度にて３０℃から２５０℃まで加熱し、加熱減量（加熱によって失われた質量）を測定する。
そして、測定した加熱減量を元に以下の式にて含水率を算出する。
含水率（質量％）＝（３０℃から２５０℃における加熱減量）÷（調湿後加熱前の質量）×１００
測定試料２０ｍｇを温度２２℃／相対湿度５５％のチャンバーにて１７時間静置し調湿した後、温度２２℃／相対湿度５５％の室内にて、熱天秤（島津製作所製ＴＧＡ－５０型）によりチッ素ガス雰囲気中にて３０℃／分の温度上昇速度にて３０℃から２５０℃まで加熱し、加熱減量（加熱によって失われた質量）を測定する。
そして、測定した加熱減量を元に以下の式にて含水率を算出する。
含水率（質量％）＝（３０℃から２５０℃における加熱減量）÷（調湿後加熱前の質量）×１００
特定チタン酸ストロンチウム粒子の含水率は、チタン酸ストロンチウム粒子を湿式製法により製造すること、湿式製法の際の各種条件、疎水化処理剤の種類、疎水化処理量等によって制御し得る。
・チタン及びストロンチウム以外の金属元素のドープ
特定チタン酸ストロンチウム粒子において、疎水化処理表面の内部のチタン酸ストロンチウム粒子（疎水化処理表面３０が形成される前のチタン酸ストロンチウム粒子）は、チタン及びストロンチウム以外の金属元素（ドーパント）がドープされていることが好ましい。
チタン酸ストロンチウム粒子はドーパントを含むことにより、ペロブスカイト構造の結晶性が下がり、抵抗が低くなるため、前述の体積固有抵抗率Ｒ１、体積固有抵抗率Ｒ２、及びインピーダンス法による容量成分Ｃを前述の範囲に制御し易くなる。
特定チタン酸ストロンチウム粒子において、疎水化処理表面の内部のチタン酸ストロンチウム粒子（疎水化処理表面３０が形成される前のチタン酸ストロンチウム粒子）は、チタン及びストロンチウム以外の金属元素（ドーパント）がドープされていることが好ましい。
チタン酸ストロンチウム粒子はドーパントを含むことにより、ペロブスカイト構造の結晶性が下がり、抵抗が低くなるため、前述の体積固有抵抗率Ｒ１、体積固有抵抗率Ｒ２、及びインピーダンス法による容量成分Ｃを前述の範囲に制御し易くなる。
チタン酸ストロンチウム粒子に用いられるドーパントは、チタン及びストロンチウム以外の金属元素であれば特に制限されない。
ドーパントとして、より具体的には、ランタノイド、シリカ、アルミニウム、カルシウム、マグネシウム、バリウム、リン、硫黄、カルシウム、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、ガリウム、イットリウム、亜鉛、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、インジウム、スズ、アンチモン、バリウム、タンタル、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、ビスマス、イットリウム、ジルコニウム、ニオブ、銀、錫が挙げられる。ランタノイドとしては、ランタン、セリウムが好ましい。これらの中でも、特定チタン酸ストロンチウム粒子にドープし易い点から、ランタンが好ましい。
ドーパントとして、より具体的には、ランタノイド、シリカ、アルミニウム、カルシウム、マグネシウム、バリウム、リン、硫黄、カルシウム、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、ガリウム、イットリウム、亜鉛、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、インジウム、スズ、アンチモン、バリウム、タンタル、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、ビスマス、イットリウム、ジルコニウム、ニオブ、銀、錫が挙げられる。ランタノイドとしては、ランタン、セリウムが好ましい。これらの中でも、特定チタン酸ストロンチウム粒子にドープし易い点から、ランタンが好ましい。
また、ドーパントとしては、前述の体積固有抵抗率Ｒ１、体積固有抵抗率Ｒ２、及びインピーダンス法による容量成分Ｃの制御がし易い点から、電気陰性度がオールレッド・ロコウの値で２以下、好ましくは１．３以下の金属元素が好ましい。
電気陰性度が２．０以下の金属元素として好適なものを電気陰性度と共に以下に示す。 電気陰性度が２．０以下の金属元素としては、ランタン（１．０８）、マグネシウム（１．２３）、アルミニウム（１．４７）、シリカ（１．７４）、カルシウム（１．０４）、バナジウム（１．４５）、クロム（１．５６）、マンガン（１．６０）、鉄（１．６４）、コバルト（１．７０）、ニッケル（１．７５）、銅（１．７５）、亜鉛（１．６６）、ガリウム（１．８２）、イットリウム（１．１１）、ジルコニウム（１．２２）、ニオブ（１．２３）、銀（１．４２）、インジウム（１．４９）、錫（１．７２）、バリウム（０．９７）、タンタル（１．３３）、レニウム（１．４６）、セリウム（１．０６）等が挙げられる。
電気陰性度が２．０以下の金属元素として好適なものを電気陰性度と共に以下に示す。 電気陰性度が２．０以下の金属元素としては、ランタン（１．０８）、マグネシウム（１．２３）、アルミニウム（１．４７）、シリカ（１．７４）、カルシウム（１．０４）、バナジウム（１．４５）、クロム（１．５６）、マンガン（１．６０）、鉄（１．６４）、コバルト（１．７０）、ニッケル（１．７５）、銅（１．７５）、亜鉛（１．６６）、ガリウム（１．８２）、イットリウム（１．１１）、ジルコニウム（１．２２）、ニオブ（１．２３）、銀（１．４２）、インジウム（１．４９）、錫（１．７２）、バリウム（０．９７）、タンタル（１．３３）、レニウム（１．４６）、セリウム（１．０６）等が挙げられる。
チタン酸ストロンチウム粒子内のドーパントの量は、目的とする体積固有抵抗率Ｒ１、体積固有抵抗率Ｒ２、及びインピーダンス法による容量成分Ｃの値に応じて、適宜、調整すればよいが、例えば、ストロンチウムに対しドーパントが０．１モル％以上２０モル％以下となる範囲が好ましく、０．１モル％以上１５モル％以下となる範囲がより好ましく、０．１モル％以上１０モル％以下となる範囲が更に好ましい。
－特定チタン酸ストロンチウム粒子の製造方法－
特定チタン酸ストロンチウム粒子は、チタン酸ストロンチウム粒子の表面を疎水化処理することで製造される。
チタン酸ストロンチウム粒子の製造方法は、特に制限されないが、粒径及び形状を制御する観点から、湿式製法であることが好ましい。
特定チタン酸ストロンチウム粒子は、チタン酸ストロンチウム粒子の表面を疎水化処理することで製造される。
チタン酸ストロンチウム粒子の製造方法は、特に制限されないが、粒径及び形状を制御する観点から、湿式製法であることが好ましい。
・チタン酸ストロンチウム粒子の製造
チタン酸ストロンチウム粒子の湿式製法は、例えば、酸化チタン源とストロンチウム源との混合液にアルカリ水溶液を添加しながら反応させ、次いで酸処理を行う製造方法である。本製造方法においては、酸化チタン源とストロンチウム源の混合割合、反応初期の酸化チタン源濃度、アルカリ水溶液を添加するときの温度及び添加速度などによって、チタン酸ストロンチウム粒子の粒径が制御される。
チタン酸ストロンチウム粒子の湿式製法は、例えば、酸化チタン源とストロンチウム源との混合液にアルカリ水溶液を添加しながら反応させ、次いで酸処理を行う製造方法である。本製造方法においては、酸化チタン源とストロンチウム源の混合割合、反応初期の酸化チタン源濃度、アルカリ水溶液を添加するときの温度及び添加速度などによって、チタン酸ストロンチウム粒子の粒径が制御される。
酸化チタン源としてはチタン化合物の加水分解物の鉱酸解膠品が好ましい。ストロンチウム源としては、硝酸ストロンチウム、塩化ストロンチウム等が挙げられる。
酸化チタン源とストロンチウム源の混合割合は、ＳｒＯ／ＴｉＯ２モル比で０．９以上１．４以下が好ましく、１．０５以上１．２０以下がより好ましい。反応初期の酸化チタン源濃度は、ＴｉＯ２として０．０５モル／Ｌ以上１．３モル／Ｌ以下が好ましく、０．５モル／Ｌ以上１．０モル／Ｌ以下がより好ましい。
チタン酸ストロンチウム粒子の抵抗を調整するため、酸化チタン源とストロンチウム源との混合液にドーパント源を添加することが好ましい。ドーパント源としては、チタン及びストロンチウム以外の金属の酸化物が挙げられる。ドーパント源としての金属酸化物は、例えば、硝酸、塩酸、硫酸等に溶解した溶液として添加する。ドーパント源の添加量は、ストロンチウム１００モルに対して、ドーパントである金属が０．１モル以上２０モル以下となる量が好ましく、０．５モル以上１０モル以下となる量がより好ましい。
また、ドーパント源の添加は、酸化チタン源とストロンチウム源との混合液にアルカリ水溶液を添加する際であってもよい。その際も、ドーパント源の金属の酸化物は、硝酸、塩酸、又は硫酸に溶解した溶液として添加されればよい。
アルカリ水溶液としては、水酸化ナトリウム水溶液が好ましい。アルカリ水溶液を添加するときの温度は、高いほど結晶性の良好なチタン酸ストロンチウム粒子が得られる傾向があるため、目的とする体積固有抵抗率Ｒ１及び体積固有抵抗率Ｒ２を得るために、本実施形態では、６０℃以上１００℃以下の範囲が好ましい。
アルカリ水溶液の添加速度は、添加速度が遅いほど大きな粒子径のチタン酸ストロンチウム粒子が得られ、添加速度が速いほど小さな粒子径のチタン酸ストロンチウム粒子が得られる。アルカリ水溶液の添加速度は、仕込み原料に対し、例えば、０．００１当量／ｈ以上１．２当量／ｈ以下であり、０．００２当量／ｈ以上１．１当量／ｈ以下が適切である。
アルカリ水溶液の添加速度は、添加速度が遅いほど大きな粒子径のチタン酸ストロンチウム粒子が得られ、添加速度が速いほど小さな粒子径のチタン酸ストロンチウム粒子が得られる。アルカリ水溶液の添加速度は、仕込み原料に対し、例えば、０．００１当量／ｈ以上１．２当量／ｈ以下であり、０．００２当量／ｈ以上１．１当量／ｈ以下が適切である。
アルカリ水溶液を添加した後、未反応のストロンチウム源を取り除く目的で酸処理を行う。酸処理は、例えば、塩酸を用いて、反応液のｐＨを２．５乃至７．０、より好ましくは４．５乃至６．０に調整する。
酸処理後、反応液を固液分離し、固形分を乾燥処理して、チタン酸ストロンチウム粒子が得られる。
酸処理後、反応液を固液分離し、固形分を乾燥処理して、チタン酸ストロンチウム粒子が得られる。
・表面処理
チタン酸ストロンチウム粒子の表面処理は、例えば、疎水化処理剤であるケイ素含有有機化合物と溶媒とを混合してなる処理液を調製し、撹拌下、チタン酸ストロンチウム粒子と処理液とを混合し、更に撹拌を続けることで行われる。
表面処理後は、処理液の溶媒を除去する目的で乾燥処理を行う。
チタン酸ストロンチウム粒子の表面処理は、例えば、疎水化処理剤であるケイ素含有有機化合物と溶媒とを混合してなる処理液を調製し、撹拌下、チタン酸ストロンチウム粒子と処理液とを混合し、更に撹拌を続けることで行われる。
表面処理後は、処理液の溶媒を除去する目的で乾燥処理を行う。
疎水化処理剤であるケイ素含有有機化合物としては、アルコキシシラン化合物、シラザン化合物、シリコーンオイル等が挙げられる。
疎水化処理剤であるアルコキシシラン化合物としては、例えば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン；メチルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、ｎ－オクチルトリメトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ブチルトリエトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、デシルトリエトキシシラン、ドデシルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ｏ－メチルフェニルトリメトキシシラン、ｐ－メチルフェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ベンジルトリエトキシシラン；ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、メチルビニルジメトキシシラン、メチルビニルジエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン；トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン；が挙げられる。
疎水化処理剤であるシラザン化合物としては、例えば、ジメチルジシラザン、トリメチルジシラザン、テトラメチルジシラザン、ペンタメチルジシラザン、ヘキサメチルジシラザン等が挙げられる。
疎水化処理剤であるシリコーンオイルとしては、例えば、ジメチルポリシロキサン、ジフェニルポリシロキサン、フェニルメチルポリシロキサン等のシリコーンオイル；アミノ変性ポリシロキサン、エポキシ変性ポリシロキサン、カルボキシル変性ポリシロキサン、カルビノール変性ポリシロキサン、フッ素変性ポリシロキサン、メタクリル変性ポリシロキサン、メルカプト変性ポリシロキサン、フェノール変性ポリシロキサン等の反応性シリコーンオイル；等が挙げられる。
これらの中でも、疎水化処理剤としては、帯電環境差及び流動性が良化できる点から、アルコキシシラン化合物を用いることが好ましく、特に、帯電環境差が得られる点から、ブチルトリメトキシシランが好ましい。
前記処理液の調製に用いる溶媒としては、ケイ素含有有機化合物がアルコキシシラン化合物又はシラザン化合物である場合はアルコール（例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール）が好ましく、ケイ素含有有機化合物がシリコーンオイルである場合は炭化水素類（例えば、ベンゼン、トルエン、ノルマルヘキサン、ノルマルヘプタン）が好ましい。
前記処理液において、ケイ素含有有機化合物の濃度は、１質量％以上５０質量％以下が好ましく、５質量％以上４０質量％以下がより好ましく、１０質量％以上３０質量％以下が更に好ましい。
表面処理に用いるケイ素含有有機化合物の量は、目的とする体積固有抵抗率Ｒ１等に応じて決定されればよく、例えば、チタン酸ストロンチウム粒子１００質量部に対して、１質量部以上５０質量部以下が好ましく、５質量部以上４０質量部以下がより好ましく、５質量部以上３０質量部以下が更に好ましい。
チタン酸ストロンチウム粒子の含水率は、表面処理が行われた後の乾燥処理の条件を調整することにより制御されることが好ましい。
ここで、含水率の制御する際の乾燥条件として好ましくは、例えば、乾燥温度が９０℃以上３００℃以下（好ましくは１００℃以上１５０℃以下）、乾燥時間が１時間以上１５時間以下（好ましくは５時間以上１０時間以下）である。
ここで、含水率の制御する際の乾燥条件として好ましくは、例えば、乾燥温度が９０℃以上３００℃以下（好ましくは１００℃以上１５０℃以下）、乾燥時間が１時間以上１５時間以下（好ましくは５時間以上１０時間以下）である。
以上のようにして、疎水化処理表面を有するチタン酸ストロンチウム粒子が得られる。
・外添量
特定チタン酸ストロンチウム粒子の外添量は、トナー粒子１００質量部に対して、０．１質量部以上５質量部以下が好ましく、０．５質量部以上３質量部以下がより好ましく、０．７質量部以上２質量部以下が更に好ましい。
特定チタン酸ストロンチウム粒子の外添量は、トナー粒子１００質量部に対して、０．１質量部以上５質量部以下が好ましく、０．５質量部以上３質量部以下がより好ましく、０．７質量部以上２質量部以下が更に好ましい。
［特定チタン酸ストロンチウム粒子以外の粒子］
本実施形態に係るトナー用外添剤は、連続出力時に発生するカブリを抑制するといった効果を損なわない範囲において、前述した特定チタン酸ストロンチウム以外の粒子を含んでいてもよい。
他の粒子としては、疎水化処理表面を有しないチタン酸ストロンチウム粒子（未処理チタン酸ストロンチウム粒子ともいう。）、及びその他の無機粒子が挙げられる。
その他の無機粒子として、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＣｕＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＣｅＯ２、Ｆｅ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＢａＯ、ＣａＯ、Ｋ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、ＺｒＯ２、ＣａＯ・ＳｉＯ２、Ｋ２Ｏ・（ＴｉＯ２）ｎ、Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２、ＣａＣＯ３、ＭｇＣＯ３、ＢａＳＯ４、ＭｇＳＯ４等が挙げられる。
本実施形態に係るトナー用外添剤は、連続出力時に発生するカブリを抑制するといった効果を損なわない範囲において、前述した特定チタン酸ストロンチウム以外の粒子を含んでいてもよい。
他の粒子としては、疎水化処理表面を有しないチタン酸ストロンチウム粒子（未処理チタン酸ストロンチウム粒子ともいう。）、及びその他の無機粒子が挙げられる。
その他の無機粒子として、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＣｕＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＣｅＯ２、Ｆｅ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＢａＯ、ＣａＯ、Ｋ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、ＺｒＯ２、ＣａＯ・ＳｉＯ２、Ｋ２Ｏ・（ＴｉＯ２）ｎ、Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２、ＣａＣＯ３、ＭｇＣＯ３、ＢａＳＯ４、ＭｇＳＯ４等が挙げられる。
外添剤としての無機粒子の表面は、疎水化処理が施されていることがよい。疎水化処理は、例えば疎水化処理剤に無機粒子を浸漬する等して行う。疎水化処理剤は特に制限されないが、例えば、シラン系カップリング剤、シリコーンオイル、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤等が挙げられる。これらは１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
疎水化処理剤の量は、通常、無機粒子１００質量部に対して、１質量部以上１０質量部以下である。
疎水化処理剤の量は、通常、無機粒子１００質量部に対して、１質量部以上１０質量部以下である。
その他の粒子としては、樹脂粒子（ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、メラミン樹脂等の樹脂粒子）、クリーニング活剤（例えばフッ素系高分子量体の粒子）等も挙げられる。
本実施形態に係る外添剤において、特定チタン酸ストロンチウム粒子以外の粒子を含む場合、全粒子における特定チタン酸ストロンチウム粒子以外の粒子の含有量が１５質量％以下であることが好ましく、３質量％以上１０質量％以下であることがより好ましく、４質量％以上８質量％以下であることが更に好ましい。
＜静電荷像現像用トナー＞
本実施形態に係る静電荷像現像用トナーは、トナー粒子と、前述した特定チタン酸ストロンチウム粒子を含むトナー用外添剤と、を有する。
以下、本実施形態に係るトナーの構成を詳細に説明する。
本実施形態に係る静電荷像現像用トナーは、トナー粒子と、前述した特定チタン酸ストロンチウム粒子を含むトナー用外添剤と、を有する。
以下、本実施形態に係るトナーの構成を詳細に説明する。
［トナー粒子］
トナー粒子は、例えば、結着樹脂と、必要に応じて、着色剤と、離型剤と、その他添加剤とを含む。
トナー粒子は、例えば、結着樹脂と、必要に応じて、着色剤と、離型剤と、その他添加剤とを含む。
－結着樹脂－
結着樹脂としては、例えば、スチレン類（例えばスチレン、パラクロロスチレン、α－メチルスチレン等）、（メタ）アクリル酸エステル類（例えばアクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸ｎ－プロピル、アクリル酸ｎ－ブチル、アクリル酸ラウリル、アクリル酸２－エチルヘキシル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸ｎ－プロピル、メタクリル酸ラウリル、メタクリル酸２－エチルヘキシル等）、エチレン性不飽和ニトリル類（例えばアクリロニトリル、メタクリロニトリル等）、ビニルエーテル類（例えばビニルメチルエーテル、ビニルイソブチルエーテル等）、ビニルケトン類（例えばビニルメチルケトン、ビニルエチルケトン、ビニルイソプロペニルケトン等）、オレフィン類（例えばエチレン、プロピレン、ブタジエン等）等の単量体の単独重合体、又はこれら単量体を２種以上組み合せた共重合体からなるビニル系樹脂が挙げられる。
結着樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ポリエーテル樹脂、変性ロジン等の非ビニル系樹脂、これらと前記ビニル系樹脂との混合物、又は、これらの共存下でビニル系単量体を重合して得られるグラフト重合体等も挙げられる。
これらの結着樹脂は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
結着樹脂としては、例えば、スチレン類（例えばスチレン、パラクロロスチレン、α－メチルスチレン等）、（メタ）アクリル酸エステル類（例えばアクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸ｎ－プロピル、アクリル酸ｎ－ブチル、アクリル酸ラウリル、アクリル酸２－エチルヘキシル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸ｎ－プロピル、メタクリル酸ラウリル、メタクリル酸２－エチルヘキシル等）、エチレン性不飽和ニトリル類（例えばアクリロニトリル、メタクリロニトリル等）、ビニルエーテル類（例えばビニルメチルエーテル、ビニルイソブチルエーテル等）、ビニルケトン類（例えばビニルメチルケトン、ビニルエチルケトン、ビニルイソプロペニルケトン等）、オレフィン類（例えばエチレン、プロピレン、ブタジエン等）等の単量体の単独重合体、又はこれら単量体を２種以上組み合せた共重合体からなるビニル系樹脂が挙げられる。
結着樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ポリエーテル樹脂、変性ロジン等の非ビニル系樹脂、これらと前記ビニル系樹脂との混合物、又は、これらの共存下でビニル系単量体を重合して得られるグラフト重合体等も挙げられる。
これらの結着樹脂は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
結着樹脂としては、ポリエステル樹脂が好適である。ポリエステル樹脂としては、例えば、多価カルボン酸と多価アルコールとの縮重合体が挙げられる。
多価カルボン酸としては、例えば、脂肪族ジカルボン酸（例えばシュウ酸、マロン酸、マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、イタコン酸、グルタコン酸、コハク酸、アルケニルコハク酸、アジピン酸、セバシン酸等）、脂環式ジカルボン酸（例えばシクロヘキサンジカルボン酸等）、芳香族ジカルボン酸（例えばテレフタル酸、イソフタル酸、フタル酸、ナフタレンジカルボン酸等）、これらの無水物、又はこれらの低級（例えば炭素数１以上５以下）アルキルエステルが挙げられる。これらの中でも、多価カルボン酸としては、例えば、芳香族ジカルボン酸が好ましい。
多価カルボン酸としては、ジカルボン酸と共に、架橋構造又は分岐構造をとる３価以上のカルボン酸を併用してもよい。３価以上のカルボン酸としては、例えば、トリメリット酸、ピロメリット酸、これらの無水物、又はこれらの低級（例えば炭素数１以上５以下）アルキルエステル等が挙げられる。
多価カルボン酸は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
多価カルボン酸としては、ジカルボン酸と共に、架橋構造又は分岐構造をとる３価以上のカルボン酸を併用してもよい。３価以上のカルボン酸としては、例えば、トリメリット酸、ピロメリット酸、これらの無水物、又はこれらの低級（例えば炭素数１以上５以下）アルキルエステル等が挙げられる。
多価カルボン酸は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
多価アルコールとしては、例えば、脂肪族ジオール（例えばエチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、プロピレングリコール、ブタンジオール、ヘキサンジオール、ネオペンチルグリコール等）、脂環式ジオール（例えばシクロヘキサンジオール、シクロヘキサンジメタノール、水添ビスフェノールＡ等）、芳香族ジオール（例えばビスフェノールＡのエチレンオキサイド付加物、ビスフェノールＡのプロピレンオキサイド付加物等）が挙げられる。これらの中でも、多価アルコールとしては、例えば、芳香族ジオール、脂環式ジオールが好ましく、より好ましくは芳香族ジオールである。
多価アルコールとしては、ジオールと共に、架橋構造又は分岐構造をとる３価以上の多価アルコールを併用してもよい。３価以上の多価アルコールとしては、例えば、グリセリン、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトールが挙げられる。
多価アルコールは、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
多価アルコールとしては、ジオールと共に、架橋構造又は分岐構造をとる３価以上の多価アルコールを併用してもよい。３価以上の多価アルコールとしては、例えば、グリセリン、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトールが挙げられる。
多価アルコールは、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
ポリエステル樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、５０℃以上８０℃以下が好ましく、５０℃以上６５℃以下がより好ましい。
ガラス転移温度は、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）により得られたＤＳＣ曲線より求め、より具体的にはＪＩＳ Ｋ７１２１－１９８７「プラスチックの転移温度測定方法」のガラス転移温度の求め方に記載の「補外ガラス転移開始温度」により求められる。
ガラス転移温度は、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）により得られたＤＳＣ曲線より求め、より具体的にはＪＩＳ Ｋ７１２１－１９８７「プラスチックの転移温度測定方法」のガラス転移温度の求め方に記載の「補外ガラス転移開始温度」により求められる。
ポリエステル樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、５０００以上１００００００以下が好ましく、７０００以上５０００００以下がより好ましい。ポリエステル樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）は、２０００以上１０００００以下が好ましい。ポリエステル樹脂の分子量分布Ｍｗ／Ｍｎは、１．５以上１００以下が好ましく、２以上６０以下がより好ましい。
ポリエステル樹脂の重量平均分子量及び数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）により測定する。ＧＰＣによる分子量測定は、測定装置として東ソー製ＧＰＣ・ＨＬＣ－８１２０ＧＰＣを用い、東ソー製カラム・ＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨＭ－Ｍ（１５ｃｍ）を使用し、ＴＨＦ溶媒で行う。重量平均分子量及び数平均分子量は、この測定結果から単分散ポリスチレン標準試料により作成した分子量校正曲線を使用して算出する。
ポリエステル樹脂の重量平均分子量及び数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）により測定する。ＧＰＣによる分子量測定は、測定装置として東ソー製ＧＰＣ・ＨＬＣ－８１２０ＧＰＣを用い、東ソー製カラム・ＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨＭ－Ｍ（１５ｃｍ）を使用し、ＴＨＦ溶媒で行う。重量平均分子量及び数平均分子量は、この測定結果から単分散ポリスチレン標準試料により作成した分子量校正曲線を使用して算出する。
ポリエステル樹脂は、公知の製造方法により得られる。具体的には、例えば、重合温度を１８０℃以上２３０℃以下とし、必要に応じて反応系内を減圧し、縮合の際に発生する水やアルコールを除去しながら反応させる方法により得られる。
原料の単量体が、反応温度下で溶解又は相溶しない場合は、高沸点の溶剤を溶解補助剤として加え溶解させてもよい。この場合、重縮合反応は溶解補助剤を留去しながら行う。相溶性の悪い単量体が存在する場合は、あらかじめ相溶性の悪い単量体とその単量体と重縮合予定の酸又はアルコールとを縮合させておいてから主成分と重縮合させるとよい。
原料の単量体が、反応温度下で溶解又は相溶しない場合は、高沸点の溶剤を溶解補助剤として加え溶解させてもよい。この場合、重縮合反応は溶解補助剤を留去しながら行う。相溶性の悪い単量体が存在する場合は、あらかじめ相溶性の悪い単量体とその単量体と重縮合予定の酸又はアルコールとを縮合させておいてから主成分と重縮合させるとよい。
結着樹脂の含有量は、トナー粒子全体に対して、４０質量％以上９５質量％以下が好ましく、５０質量％以上９０質量％以下がより好ましく、６０質量％以上８５質量％以下が更に好ましい。
－着色剤－
着色剤としては、例えば、カーボンブラック、クロムイエロー、ハンザイエロー、ベンジジンイエロー、スレンイエロー、キノリンイエロー、ピグメントイエロー、パーマネントオレンジＧＴＲ、ピラゾロンオレンジ、バルカンオレンジ、ウオッチヤングレッド、パーマネントレッド、ブリリアントカーミン３Ｂ、ブリリアントカーミン６Ｂ、デュポンオイルレッド、ピラゾロンレッド、リソールレッド、ローダミンＢレーキ、レーキレッドＣ、ピグメントレッド、ローズベンガル、アニリンブルー、ウルトラマリンブルー、カルコオイルブルー、メチレンブルークロライド、フタロシアニンブルー、ピグメントブルー、フタロシアニングリーン、マラカイトグリーンオキサレート等の顔料；アクリジン系、キサンテン系、アゾ系、ベンゾキノン系、アジン系、アントラキノン系、チオインジコ系、ジオキサジン系、チアジン系、アゾメチン系、インジコ系、フタロシアニン系、アニリンブラック系、ポリメチン系、トリフェニルメタン系、ジフェニルメタン系、チアゾール系等の染料；が挙げられる。
着色剤は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
着色剤としては、例えば、カーボンブラック、クロムイエロー、ハンザイエロー、ベンジジンイエロー、スレンイエロー、キノリンイエロー、ピグメントイエロー、パーマネントオレンジＧＴＲ、ピラゾロンオレンジ、バルカンオレンジ、ウオッチヤングレッド、パーマネントレッド、ブリリアントカーミン３Ｂ、ブリリアントカーミン６Ｂ、デュポンオイルレッド、ピラゾロンレッド、リソールレッド、ローダミンＢレーキ、レーキレッドＣ、ピグメントレッド、ローズベンガル、アニリンブルー、ウルトラマリンブルー、カルコオイルブルー、メチレンブルークロライド、フタロシアニンブルー、ピグメントブルー、フタロシアニングリーン、マラカイトグリーンオキサレート等の顔料；アクリジン系、キサンテン系、アゾ系、ベンゾキノン系、アジン系、アントラキノン系、チオインジコ系、ジオキサジン系、チアジン系、アゾメチン系、インジコ系、フタロシアニン系、アニリンブラック系、ポリメチン系、トリフェニルメタン系、ジフェニルメタン系、チアゾール系等の染料；が挙げられる。
着色剤は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
着色剤は、必要に応じて表面処理された着色剤を用いてもよく、分散剤と併用してもよい。また、着色剤は、複数種を併用してもよい。
着色剤の含有量は、トナー粒子全体に対して、１質量％以上３０質量％以下が好ましく、３質量％以上１５質量％以下がより好ましい。
－離型剤－
離型剤としては、例えば、炭化水素系ワックス；カルナバワックス、ライスワックス、キャンデリラワックス等の天然ワックス；モンタンワックス等の合成又は鉱物・石油系ワックス；脂肪酸エステル、モンタン酸エステル等のエステル系ワックス；などが挙げられる。離型剤は、これに限定されるものではない。
離型剤としては、例えば、炭化水素系ワックス；カルナバワックス、ライスワックス、キャンデリラワックス等の天然ワックス；モンタンワックス等の合成又は鉱物・石油系ワックス；脂肪酸エステル、モンタン酸エステル等のエステル系ワックス；などが挙げられる。離型剤は、これに限定されるものではない。
離型剤の融解温度は、５０℃以上１１０℃以下が好ましく、６０℃以上１００℃以下がより好ましい。
融解温度は、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）により得られたＤＳＣ曲線から、ＪＩＳ Ｋ７１２１－１９８７「プラスチックの転移温度測定方法」の融解温度の求め方に記載の「融解ピーク温度」により求める。
融解温度は、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）により得られたＤＳＣ曲線から、ＪＩＳ Ｋ７１２１－１９８７「プラスチックの転移温度測定方法」の融解温度の求め方に記載の「融解ピーク温度」により求める。
離型剤の含有量は、トナー粒子全体に対して、１質量％以上２０質量％以下が好ましく、５質量％以上１５質量％以下がより好ましい。
－その他の添加剤－
その他の添加剤としては、例えば、磁性体、帯電制御剤、無機粉体等の公知の添加剤が挙げられる。これらの添加剤は、内添剤としてトナー粒子に含まれる。
その他の添加剤としては、例えば、磁性体、帯電制御剤、無機粉体等の公知の添加剤が挙げられる。これらの添加剤は、内添剤としてトナー粒子に含まれる。
［トナー粒子の特性］
トナー粒子は、単層構造のトナー粒子であってもよいし、芯部（コア粒子）と芯部を被覆する被覆層（シェル層）とで構成された所謂コア・シェル構造のトナー粒子であってもよい。コア・シェル構造のトナー粒子は、例えば、結着樹脂と必要に応じて着色剤及び離型剤等を含む芯部と、結着樹脂を含む被覆層と、で構成されている。
トナー粒子は、単層構造のトナー粒子であってもよいし、芯部（コア粒子）と芯部を被覆する被覆層（シェル層）とで構成された所謂コア・シェル構造のトナー粒子であってもよい。コア・シェル構造のトナー粒子は、例えば、結着樹脂と必要に応じて着色剤及び離型剤等を含む芯部と、結着樹脂を含む被覆層と、で構成されている。
トナー粒子の体積平均粒径（Ｄ５０ｖ）は、２μｍ以上１０μｍ以下が好ましく、４μｍ以上８μｍ以下がより好ましい。
トナー粒子の体積平均粒径は、コールターマルチサイザーII（ベックマン・コールター社製）を用い、電解液はＩＳＯＴＯＮ－II（ベックマン・コールター社製）を使用して測定される。
測定に際しては、分散剤として、界面活性剤（アルキルベンゼンスルホン酸ナトリウムが好ましい）の５質量％水溶液２ｍｌ中に測定試料を０．５ｍｇ以上５０ｍｇ以下加える。これを電解液１００ｍｌ以上１５０ｍｌ以下中に添加する。
試料を懸濁した電解液は超音波分散器で１分間分散処理を行い、コールターマルチサイザーIIにより、アパーチャー径１００μｍのアパーチャーを用いて２μｍ以上６０μｍ以下の範囲の粒径の粒子について、各々の粒径を測定する。サンプリングする粒子数は５００００個である。
測定された粒径について、小径側から体積基準の累積分布を描いて、累積５０％となる粒径を体積平均粒径Ｄ５０ｖと定義する。
測定に際しては、分散剤として、界面活性剤（アルキルベンゼンスルホン酸ナトリウムが好ましい）の５質量％水溶液２ｍｌ中に測定試料を０．５ｍｇ以上５０ｍｇ以下加える。これを電解液１００ｍｌ以上１５０ｍｌ以下中に添加する。
試料を懸濁した電解液は超音波分散器で１分間分散処理を行い、コールターマルチサイザーIIにより、アパーチャー径１００μｍのアパーチャーを用いて２μｍ以上６０μｍ以下の範囲の粒径の粒子について、各々の粒径を測定する。サンプリングする粒子数は５００００個である。
測定された粒径について、小径側から体積基準の累積分布を描いて、累積５０％となる粒径を体積平均粒径Ｄ５０ｖと定義する。
トナー粒子の形状係数ＳＦ１としては、１１０以上１５０以下が好ましく、１２０以上１４０以下がより好ましい。
なお、形状係数ＳＦ１は、下記式により求められる。
式：ＳＦ１＝（ＭＬ２／Ａ）×（π／４）×１００
上記式中、ＭＬはトナーの絶対最大長、Ａはトナーの投影面積を各々示す。
具体的には、形状係数ＳＦ１は、主に顕微鏡画像又は走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像を画像解析装置を用いて解析することによって数値化され、以下のようにして算出される。すなわち、スライドガラス表面に散布した粒子の光学顕微鏡像をビデオカメラによりルーゼックス画像解析装置に取り込み、１００個の粒子の最大長と投影面積を求め、上記式によって計算し、その平均値を求めることにより得られる。
式：ＳＦ１＝（ＭＬ２／Ａ）×（π／４）×１００
上記式中、ＭＬはトナーの絶対最大長、Ａはトナーの投影面積を各々示す。
具体的には、形状係数ＳＦ１は、主に顕微鏡画像又は走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像を画像解析装置を用いて解析することによって数値化され、以下のようにして算出される。すなわち、スライドガラス表面に散布した粒子の光学顕微鏡像をビデオカメラによりルーゼックス画像解析装置に取り込み、１００個の粒子の最大長と投影面積を求め、上記式によって計算し、その平均値を求めることにより得られる。
［トナーの製造方法］
次に、本実施形態に係るトナーの製造方法について説明する。
本実施形態に係るトナーは、トナー粒子を製造後、トナー粒子に対して、外添剤を外添することで得られる。
次に、本実施形態に係るトナーの製造方法について説明する。
本実施形態に係るトナーは、トナー粒子を製造後、トナー粒子に対して、外添剤を外添することで得られる。
トナー粒子は、乾式製法（例えば、混練粉砕法等）、湿式製法（例えば、凝集合一法、懸濁重合法、溶解懸濁法等）のいずれにより製造してもよい。これらの製法に特に制限はなく、公知の製法が採用される。これらの中でも、凝集合一法により、トナー粒子を得ることがよい。
具体的には、例えば、トナー粒子を凝集合一法により製造する場合、
結着樹脂となる樹脂粒子が分散された樹脂粒子分散液を準備する工程（樹脂粒子分散液準備工程）と、樹脂粒子分散液中で（必要に応じて他の粒子分散液を混合した後の分散液中で）、樹脂粒子（必要に応じて他の粒子）を凝集させ、凝集粒子を形成する工程（凝集粒子形成工程）と、凝集粒子が分散された凝集粒子分散液を加熱し、凝集粒子を融合・合一して、トナー粒子を形成する工程（融合・合一工程）と、を経て、トナー粒子を製造する。
結着樹脂となる樹脂粒子が分散された樹脂粒子分散液を準備する工程（樹脂粒子分散液準備工程）と、樹脂粒子分散液中で（必要に応じて他の粒子分散液を混合した後の分散液中で）、樹脂粒子（必要に応じて他の粒子）を凝集させ、凝集粒子を形成する工程（凝集粒子形成工程）と、凝集粒子が分散された凝集粒子分散液を加熱し、凝集粒子を融合・合一して、トナー粒子を形成する工程（融合・合一工程）と、を経て、トナー粒子を製造する。
以下、各工程の詳細について説明する。
以下の説明では、着色剤、及び離型剤を含むトナー粒子を得る方法について説明するが、着色剤、離型剤は、必要に応じて用いられるものである。無論、着色剤、離型剤以外のその他添加剤を用いてもよい。
以下の説明では、着色剤、及び離型剤を含むトナー粒子を得る方法について説明するが、着色剤、離型剤は、必要に応じて用いられるものである。無論、着色剤、離型剤以外のその他添加剤を用いてもよい。
－樹脂粒子分散液準備工程－
結着樹脂となる樹脂粒子が分散された樹脂粒子分散液と共に、例えば、着色剤粒子が分散された着色剤粒子分散液、離型剤粒子が分散された離型剤粒子分散液を準備する。
結着樹脂となる樹脂粒子が分散された樹脂粒子分散液と共に、例えば、着色剤粒子が分散された着色剤粒子分散液、離型剤粒子が分散された離型剤粒子分散液を準備する。
樹脂粒子分散液は、例えば、樹脂粒子を界面活性剤により分散媒中に分散させることにより調製する。
樹脂粒子分散液に用いる分散媒としては、例えば水系媒体が挙げられる。
水系媒体としては、例えば、蒸留水、イオン交換水等の水、アルコール類等が挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
水系媒体としては、例えば、蒸留水、イオン交換水等の水、アルコール類等が挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
界面活性剤としては、例えば、硫酸エステル塩系、スルホン酸塩系、リン酸エステル系、せっけん系等のアニオン界面活性剤；アミン塩型、４級アンモニウム塩型等のカチオン界面活性剤；ポリエチレングリコール系、アルキルフェノールエチレンオキサイド付加物系、多価アルコール系等の非イオン系界面活性剤等が挙げられる。これらの中でも特に、アニオン界面活性剤、カチオン界面活性剤が挙げられる。非イオン系界面活性剤は、アニオン界面活性剤又はカチオン界面活性剤と併用してもよい。
界面活性剤は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
界面活性剤は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
樹脂粒子分散液において、樹脂粒子を分散媒に分散する方法としては、例えば回転せん断型ホモジナイザーや、メディアを有するボールミル、サンドミル、ダイノミル等の一般的な分散方法が挙げられる。また、樹脂粒子の種類によっては、転相乳化法によって分散媒に樹脂粒子を分散させてもよい。転相乳化法とは、分散すべき樹脂を、その樹脂が可溶な疎水性有機溶剤中に溶解せしめ、有機連続相（Ｏ相）に塩基を加えて中和したのち、水系媒体（Ｗ相）を投入することによって、Ｗ／ＯからＯ／Ｗへの転相を行い、樹脂を水系媒体中に粒子状に分散する方法である。
樹脂粒子分散液中に分散する樹脂粒子の体積平均粒径としては、例えば０．０１μｍ以上１μｍ以下が好ましく、０．０８μｍ以上０．８μｍ以下がより好ましく、０．１μｍ以上０．６μｍ以下が更に好ましい。
樹脂粒子の体積平均粒径は、レーザ回折式粒度分布測定装置（例えば、堀場製作所製、ＬＡ－７００）の測定によって得られた粒度分布を用い、分割された粒度範囲（チャンネル）に対し、体積について小粒径側から累積分布を引き、全粒子に対して累積５０％となる粒径を体積平均粒径Ｄ５０ｖとして測定される。他の分散液中の粒子の体積平均粒径も同様に測定される。
樹脂粒子の体積平均粒径は、レーザ回折式粒度分布測定装置（例えば、堀場製作所製、ＬＡ－７００）の測定によって得られた粒度分布を用い、分割された粒度範囲（チャンネル）に対し、体積について小粒径側から累積分布を引き、全粒子に対して累積５０％となる粒径を体積平均粒径Ｄ５０ｖとして測定される。他の分散液中の粒子の体積平均粒径も同様に測定される。
樹脂粒子分散液に含まれる樹脂粒子の含有量は、５質量％以上５０質量％以下が好ましく、１０質量％以上４０質量％以下がより好ましい。
樹脂粒子分散液と同様にして、例えば、着色剤粒子分散液、離型剤粒子分散液も調製される。つまり、樹脂粒子分散液における粒子の体積平均粒径、分散媒、分散方法、及び粒子の含有量に関しては、着色剤粒子分散液中に分散する着色剤粒子、及び離型剤粒子分散液中に分散する離型剤粒子についても同様である。
－凝集粒子形成工程－
次に、樹脂粒子分散液と、着色剤粒子分散液と、離型剤粒子分散液と、を混合する。そして、混合分散液中で、樹脂粒子と着色剤粒子と離型剤粒子とをヘテロ凝集させ目的とするトナー粒子の径に近い径を持つ、樹脂粒子と着色剤粒子と離型剤粒子とを含む凝集粒子を形成する。
次に、樹脂粒子分散液と、着色剤粒子分散液と、離型剤粒子分散液と、を混合する。そして、混合分散液中で、樹脂粒子と着色剤粒子と離型剤粒子とをヘテロ凝集させ目的とするトナー粒子の径に近い径を持つ、樹脂粒子と着色剤粒子と離型剤粒子とを含む凝集粒子を形成する。
具体的には、例えば、混合分散液に凝集剤を添加すると共に、混合分散液のｐＨを酸性（例えばｐＨ２以上５以下）に調整し、必要に応じて分散安定剤を添加した後、樹脂粒子のガラス転移温度に近い温度（具体的には、例えば、樹脂粒子のガラス転移温度－３０℃以上ガラス転移温度－１０℃以下）に加熱し、混合分散液に分散された粒子を凝集させて、凝集粒子を形成する。
凝集粒子形成工程においては、例えば、混合分散液を回転せん断型ホモジナイザーで撹拌下、室温（例えば２５℃）で凝集剤を添加し、混合分散液のｐＨを酸性（例えばｐＨ２以上５以下）に調整し、必要に応じて分散安定剤を添加した後に、加熱を行ってもよい。
凝集粒子形成工程においては、例えば、混合分散液を回転せん断型ホモジナイザーで撹拌下、室温（例えば２５℃）で凝集剤を添加し、混合分散液のｐＨを酸性（例えばｐＨ２以上５以下）に調整し、必要に応じて分散安定剤を添加した後に、加熱を行ってもよい。
凝集剤としては、例えば、混合分散液に含まれる界面活性剤と逆極性の界面活性剤、無機金属塩、２価以上の金属錯体が挙げられる。凝集剤として金属錯体を用いた場合には、界面活性剤の使用量が低減され、帯電特性が向上する。
凝集剤と共に、該凝集剤の金属イオンと錯体もしくは類似の結合を形成する添加剤を必要に応じて用いてもよい。この添加剤としては、キレート剤が好適に用いられる。
凝集剤と共に、該凝集剤の金属イオンと錯体もしくは類似の結合を形成する添加剤を必要に応じて用いてもよい。この添加剤としては、キレート剤が好適に用いられる。
無機金属塩としては、例えば、塩化カルシウム、硝酸カルシウム、塩化バリウム、塩化マグネシウム、塩化亜鉛、塩化アルミニウム、硫酸アルミニウム等の金属塩；ポリ塩化アルミニウム、ポリ水酸化アルミニウム、多硫化カルシウム等の無機金属塩重合体；などが挙げられる。
キレート剤としては、水溶性のキレート剤を用いてもよい。キレート剤としては、例えば、酒石酸、クエン酸、グルコン酸等のオキシカルボン酸；イミノ二酢酸（ＩＤＡ）、ニトリロ三酢酸（ＮＴＡ）、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）等のアミノカルボン酸；などが挙げられる。
キレート剤の添加量は、樹脂粒子１００質量部に対して０．０１質量部以上５．０質量部以下が好ましく、０．１質量部以上３．０質量部未満がより好ましい。
キレート剤としては、水溶性のキレート剤を用いてもよい。キレート剤としては、例えば、酒石酸、クエン酸、グルコン酸等のオキシカルボン酸；イミノ二酢酸（ＩＤＡ）、ニトリロ三酢酸（ＮＴＡ）、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）等のアミノカルボン酸；などが挙げられる。
キレート剤の添加量は、樹脂粒子１００質量部に対して０．０１質量部以上５．０質量部以下が好ましく、０．１質量部以上３．０質量部未満がより好ましい。
－融合・合一工程－
次に、凝集粒子が分散された凝集粒子分散液を、例えば、樹脂粒子のガラス転移温度以上（例えば樹脂粒子のガラス転移温度より１０℃から３０℃高い温度以上）に加熱して、凝集粒子を融合・合一し、トナー粒子を形成する。
次に、凝集粒子が分散された凝集粒子分散液を、例えば、樹脂粒子のガラス転移温度以上（例えば樹脂粒子のガラス転移温度より１０℃から３０℃高い温度以上）に加熱して、凝集粒子を融合・合一し、トナー粒子を形成する。
以上の工程を経て、トナー粒子が得られる。
凝集粒子が分散された凝集粒子分散液を得た後、当該凝集粒子分散液と、樹脂粒子が分散された樹脂粒子分散液と、を更に混合し、凝集粒子の表面に更に樹脂粒子を付着するように凝集して、第２凝集粒子を形成する工程と、第２凝集粒子が分散された第２凝集粒子分散液に対して加熱をし、第２凝集粒子を融合・合一して、コア・シェル構造のトナー粒子を形成する工程と、を経て、トナー粒子を製造してもよい。
凝集粒子が分散された凝集粒子分散液を得た後、当該凝集粒子分散液と、樹脂粒子が分散された樹脂粒子分散液と、を更に混合し、凝集粒子の表面に更に樹脂粒子を付着するように凝集して、第２凝集粒子を形成する工程と、第２凝集粒子が分散された第２凝集粒子分散液に対して加熱をし、第２凝集粒子を融合・合一して、コア・シェル構造のトナー粒子を形成する工程と、を経て、トナー粒子を製造してもよい。
融合・合一工程終了後、溶液中に形成されたトナー粒子に、公知の洗浄工程、固液分離工程、及び乾燥工程を施して乾燥した状態のトナー粒子を得る。洗浄工程は、帯電性の観点から、イオン交換水による置換洗浄を充分に施すことがよい。固液分離工程は、生産性の観点から、吸引濾過、加圧濾過等を施すことがよい。乾燥工程は、生産性の観点から、凍結乾燥、気流乾燥、流動乾燥、振動型流動乾燥等を施すことがよい。
そして、本実施形態に係るトナーは、例えば、得られた乾燥状態のトナー粒子に、外添剤を添加し、混合することにより製造される。混合は、例えばＶブレンダー、ヘンシェルミキサー、レーディゲミキサー等によって行うことがよい。更に、必要に応じて、振動篩分機、風力篩分機等を使ってトナーの粗大粒子を取り除いてもよい。
・トナーの誘電率
本実施形態に係るトナーは、その誘電率が０．００３以上０．０１以下であることが好ましい。
前述の特定チタン酸ストロンチウム粒子を含むトナー用外添剤を用いることで、上記の誘電率を達成しうる。
上記の誘電率を有するトナーは、連続出力時に発生するカブリを効果的に抑制しうる。
本実施形態に係るトナーは、その誘電率が０．００３以上０．０１以下であることが好ましい。
前述の特定チタン酸ストロンチウム粒子を含むトナー用外添剤を用いることで、上記の誘電率を達成しうる。
上記の誘電率を有するトナーは、連続出力時に発生するカブリを効果的に抑制しうる。
ここで、トナーの誘電率の測定方法は、以下の通りである。
即ち、測定試料を、直径５０ｍｍ、厚み３ｍｍのディスク状となるように、９８０６７ＫＰａ（１０００Ｋｇｆ／ｃｍ２）で１分間加圧成形する。２２℃、相対湿度５５％の雰囲気中に２４時間放置した後、誘電率を測定する。測定は、電極直径が３８ｍｍの固体用電極（安藤電気社製、ＳＥ－７１形）に加圧成形した試料をセットし、誘電体測定システム（ソーラトロン社製、１２６０９６Ｗ型）を用い、1kＨｚ、５Ｖの印加電圧条件下で測定する。
即ち、測定試料を、直径５０ｍｍ、厚み３ｍｍのディスク状となるように、９８０６７ＫＰａ（１０００Ｋｇｆ／ｃｍ２）で１分間加圧成形する。２２℃、相対湿度５５％の雰囲気中に２４時間放置した後、誘電率を測定する。測定は、電極直径が３８ｍｍの固体用電極（安藤電気社製、ＳＥ－７１形）に加圧成形した試料をセットし、誘電体測定システム（ソーラトロン社製、１２６０９６Ｗ型）を用い、1kＨｚ、５Ｖの印加電圧条件下で測定する。
・トナー粒子に外添された特定チタン酸ストロンチウム粒子
本実施形態に係るトナーは、トナー粒子に、前述の特定チタン酸ストロンチウム粒子を含む外添剤が外添されたものである。
本実施形態に係るトナーにおいて、連続出力時に発生するカブリを効果的に抑制しうる点からは、トナー粒子に外添された（トナー粒子表面に付着した）特定チタン酸ストロンチウム粒子の平均一次粒径及び体積固有抵抗率Ｒ１を測定したときに、その値が共に前述した範囲（平均一次粒径であれば１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下、体積固有抵抗率Ｒ１の常用対数値ｌｏｇＲ１であれば１１以上１４以下）であることが好ましい。
本実施形態に係るトナーは、トナー粒子に、前述の特定チタン酸ストロンチウム粒子を含む外添剤が外添されたものである。
本実施形態に係るトナーにおいて、連続出力時に発生するカブリを効果的に抑制しうる点からは、トナー粒子に外添された（トナー粒子表面に付着した）特定チタン酸ストロンチウム粒子の平均一次粒径及び体積固有抵抗率Ｒ１を測定したときに、その値が共に前述した範囲（平均一次粒径であれば１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下、体積固有抵抗率Ｒ１の常用対数値ｌｏｇＲ１であれば１１以上１４以下）であることが好ましい。
トナー粒子に外添された特定チタン酸ストロンチウム粒子の平均一次粒径は、トナー粒子ごと走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により倍率４万倍で観察することで求められ、その具体的な測定方法は、前述の特定チタン酸ストロンチウム粒子の平均一次粒径の測定方法と同じである。
ここで、トナー粒子に特定チタン酸ストロンチウム粒子以外の粒子が外添されている場合には、エネルギー分散型Ｘ線分析装置（ＥＤＸ装置）（堀場製作所製、EMAX Evolution X-Max80mm2）を取り付けた走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いることで、ＥＤＸ分析によって、Ｔｉ及びＳｒの存在を確認し、特定チタン酸ストロンチウムの一次粒子を特定すればよい。ＥＤＸ分析の条件は、加速電圧１５ｋＶ、エミッション電流２０μＡ、ＷＤ１５ｍｍ、検出時間６０分間とする。
ここで、トナー粒子に特定チタン酸ストロンチウム粒子以外の粒子が外添されている場合には、エネルギー分散型Ｘ線分析装置（ＥＤＸ装置）（堀場製作所製、EMAX Evolution X-Max80mm2）を取り付けた走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いることで、ＥＤＸ分析によって、Ｔｉ及びＳｒの存在を確認し、特定チタン酸ストロンチウムの一次粒子を特定すればよい。ＥＤＸ分析の条件は、加速電圧１５ｋＶ、エミッション電流２０μＡ、ＷＤ１５ｍｍ、検出時間６０分間とする。
また、トナー粒子に外添された特定チタン酸ストロンチウム粒子の体積固有抵抗率Ｒ１を測定する際には、トナー粒子から特定チタン酸ストロンチウム粒子を分離し、分離したチタン酸ストロンチウム粒子について、前述した方法で体積固有抵抗率Ｒ１を測定すればよい。
トナー粒子から特定チタン酸ストロンチウム粒子を分離する方法としては、濃度０．２％のトリトン溶液（重合度１０のポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、和光純薬工業製）中にトナーを十分に分散させ、発振周波数２０ｋＨｚの超音波振動子を浸した超音波振動装置（超音波ホモジナイザーＵＳ３００Ｔ、日本精機製作所製）を出力１５０ｍＡで３０分間作動させて、特定チタン酸ストロンチウム粒子を脱離させて回収する方法がある。
トナー粒子から特定チタン酸ストロンチウム粒子を分離する方法としては、濃度０．２％のトリトン溶液（重合度１０のポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、和光純薬工業製）中にトナーを十分に分散させ、発振周波数２０ｋＨｚの超音波振動子を浸した超音波振動装置（超音波ホモジナイザーＵＳ３００Ｔ、日本精機製作所製）を出力１５０ｍＡで３０分間作動させて、特定チタン酸ストロンチウム粒子を脱離させて回収する方法がある。
＜静電荷像現像剤＞
本実施形態に係る静電荷像現像剤は、本実施形態に係るトナーを少なくとも含むものである。本実施形態に係る静電荷像現像剤は、本実施形態に係るトナーのみを含む一成分現像剤であってもよいし、当該トナーとキャリアとを混合した二成分現像剤であってもよい。
本実施形態に係る静電荷像現像剤は、本実施形態に係るトナーを少なくとも含むものである。本実施形態に係る静電荷像現像剤は、本実施形態に係るトナーのみを含む一成分現像剤であってもよいし、当該トナーとキャリアとを混合した二成分現像剤であってもよい。
キャリアとしては、特に制限はなく、公知のキャリアが挙げられる。キャリアとしては、例えば、磁性粉からなる芯材の表面に樹脂を被覆した被覆キャリア；マトリックス樹脂中に磁性粉が分散して配合された磁性粉分散型キャリア；多孔質の磁性粉に樹脂を含浸させた樹脂含浸型キャリア；等が挙げられる。磁性粉分散型キャリア及び樹脂含浸型キャリアは、当該キャリアの構成粒子を芯材とし、この表面に樹脂を被覆したキャリアであってもよい。
磁性粉としては、例えば、鉄、ニッケル、コバルト等の磁性金属；フェライト、マグネタイト等の磁性酸化物；などが挙げられる。
被覆用の樹脂及びマトリックス樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリビニルアセテート、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリ塩化ビニル、ポリビニルエーテル、ポリビニルケトン、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、スチレン－アクリル酸エステル共重合体、オルガノシロキサン結合を含んで構成されるストレートシリコーン樹脂又はその変性品、フッ素樹脂、ポリエステル、ポリカーボネート、フェノール樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。被覆用の樹脂及びマトリックス樹脂には、導電性粒子等の添加剤を含ませてもよい。導電性粒子としては、金、銀、銅等の金属、カーボンブラック、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、硫酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、チタン酸カリウム等の粒子が挙げられる。
芯材の表面を樹脂で被覆するには、被覆用の樹脂、及び各種添加剤（必要に応じて使用する）を適当な溶媒に溶解した被覆層形成用溶液により被覆する方法等が挙げられる。溶媒としては、特に限定されるものではなく、使用する樹脂の種類や、塗布適性等を勘案して選択すればよい。具体的な樹脂被覆方法としては、芯材を被覆層形成用溶液中に浸漬する浸漬法；被覆層形成用溶液を芯材表面に噴霧するスプレー法；芯材を流動エアーにより浮遊させた状態で被覆層形成用溶液を噴霧する流動床法；ニーダーコーター中でキャリアの芯材と被覆層形成用溶液とを混合し、その後に溶剤を除去するニーダーコーター法；等が挙げられる。
二成分現像剤におけるトナーとキャリアとの混合比（質量比）は、トナー：キャリア＝１：１００乃至３０：１００が好ましく、３：１００乃至２０：１００がより好ましい。
＜画像形成装置、画像形成方法＞
本実施形態に係る画像形成装置／画像形成方法について説明する。
本実施形態に係る画像形成装置は、像保持体と、像保持体の表面を帯電する帯電手段と、帯電した像保持体の表面に静電荷像を形成する静電荷像形成手段と、静電荷像現像剤を収容し、静電荷像現像剤により、像保持体の表面に形成された静電荷像をトナー画像として現像する現像手段と、像保持体の表面に形成されたトナー画像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、記録媒体の表面に転写されたトナー画像を定着する定着手段と、を備える。そして、静電荷像現像剤として、本実施形態に係る静電荷像現像剤が適用される。
本実施形態に係る画像形成装置／画像形成方法について説明する。
本実施形態に係る画像形成装置は、像保持体と、像保持体の表面を帯電する帯電手段と、帯電した像保持体の表面に静電荷像を形成する静電荷像形成手段と、静電荷像現像剤を収容し、静電荷像現像剤により、像保持体の表面に形成された静電荷像をトナー画像として現像する現像手段と、像保持体の表面に形成されたトナー画像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、記録媒体の表面に転写されたトナー画像を定着する定着手段と、を備える。そして、静電荷像現像剤として、本実施形態に係る静電荷像現像剤が適用される。
本実施形態に係る画像形成装置では、像保持体の表面を帯電する帯電工程と、帯電した像保持体の表面に静電荷像を形成する静電荷像形成工程と、本実施形態に係る静電荷像現像剤により、像保持体の表面に形成された静電荷像をトナー画像として現像する現像工程と、像保持体の表面に形成されたトナー画像を記録媒体の表面に転写する転写工程と、記録媒体の表面に転写されたトナー画像を定着する定着工程と、を有する画像形成方法（本実施形態に係る画像形成方法）が実施される。
本実施形態に係る画像形成装置は、像保持体の表面に形成されたトナー画像を直接記録媒体に転写する直接転写方式の装置；像保持体の表面に形成されたトナー画像を中間転写体の表面に一次転写し、中間転写体の表面に転写されたトナー画像を記録媒体の表面に二次転写する中間転写方式の装置；トナー画像の転写後、帯電前の像保持体の表面をクリーニングするクリーニング手段を備えた装置；トナー画像の転写後、帯電前に像保持体の表面に除電光を照射して除電する除電手段を備える装置；等の公知の画像形成装置が適用される。
本実施形態に係る画像形成装置が中間転写方式の装置の場合、転写手段は、例えば、表面にトナー画像が転写される中間転写体と、像保持体の表面に形成されたトナー画像を中間転写体の表面に一次転写する一次転写手段と、中間転写体の表面に転写されたトナー画像を記録媒体の表面に二次転写する二次転写手段と、を有する構成が適用される。
本実施形態に係る画像形成装置が中間転写方式の装置の場合、転写手段は、例えば、表面にトナー画像が転写される中間転写体と、像保持体の表面に形成されたトナー画像を中間転写体の表面に一次転写する一次転写手段と、中間転写体の表面に転写されたトナー画像を記録媒体の表面に二次転写する二次転写手段と、を有する構成が適用される。
本実施形態に係る画像形成装置において、例えば、現像手段を含む部分が、画像形成装置に対して着脱するカートリッジ構造（プロセスカートリッジ）であってもよい。プロセスカートリッジとしては、例えば、本実施形態に係る静電荷像現像剤を収容した現像手段を備えるプロセスカートリッジが好適に用いられる。
以下、本実施形態に係る画像形成装置の一例を説明するが、これに限定されるわけではない。以下の説明においては、図に示す主要部を説明し、その他はその説明を省略する。
図１は、本実施形態に係る画像形成装置を示す概略構成図である。
図１に示す画像形成装置は、色分解された画像データに基づく、イエロー（Ｙ）、マゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃ）、ブラック（Ｋ）の各色の画像を出力する電子写真方式の第１乃至第４の画像形成ユニット１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｋ（画像形成手段）を備えている。これらの画像形成ユニット（以下、単に「ユニット」ともいう）１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｋは、水平方向に互いに予め定められた距離離間して並設されている。これらユニット１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｋは、画像形成装置に対して着脱するプロセスカートリッジであってもよい。
図１に示す画像形成装置は、色分解された画像データに基づく、イエロー（Ｙ）、マゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃ）、ブラック（Ｋ）の各色の画像を出力する電子写真方式の第１乃至第４の画像形成ユニット１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｋ（画像形成手段）を備えている。これらの画像形成ユニット（以下、単に「ユニット」ともいう）１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｋは、水平方向に互いに予め定められた距離離間して並設されている。これらユニット１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｋは、画像形成装置に対して着脱するプロセスカートリッジであってもよい。
各ユニット１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｋの上方には、各ユニットを通して中間転写ベルト（中間転写体の一例）２０が延設されている。中間転写ベルト２０は、中間転写ベルト２０の内面に接する、駆動ロール２２及び支持ロール２４に巻きつけて設けられ、第１のユニット１０Ｙから第４のユニット１０Ｋに向う方向に走行するようになっている。支持ロール２４は、図示しないバネ等により駆動ロール２２から離れる方向に力が加えられており、両者に巻きつけられた中間転写ベルト２０に張力が与えられている。中間転写ベルト２０の像保持面側には、駆動ロール２２と対向して中間転写ベルトクリーニング装置３０が備えられている。
各ユニット１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｋの現像装置（現像手段の一例）４Ｙ、４Ｍ、４Ｃ、４Ｋのそれぞれには、トナーカートリッジ８Ｙ、８Ｍ、８Ｃ、８Ｋに収められたイエロー、マゼンタ、シアン、ブラックの各トナーの供給がなされる。
第１乃至第４のユニット１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｋは、同等の構成及び動作を有しているため、ここでは中間転写ベルト走行方向の上流側に配設されたイエローの画像を形成する第１のユニット１０Ｙについて代表して説明する。
第１のユニット１０Ｙは、像保持体として作用する感光体１Ｙを有している。感光体１Ｙの周囲には、感光体１Ｙの表面を予め定められた電位に帯電させる帯電ロール（帯電手段の一例）２Ｙ、帯電された表面を色分解された画像信号に基づくレーザ光線３Ｙによって露光して静電荷像を形成する露光装置（静電荷像形成手段の一例）３、静電荷像に帯電したトナーを供給して静電荷像を現像する現像装置（現像手段の一例）４Ｙ、現像したトナー画像を中間転写ベルト２０上に転写する一次転写ロール（一次転写手段の一例）５Ｙ、及び一次転写後に感光体１Ｙの表面に残存するトナーを除去する感光体クリーニング装置（像保持体クリーニング手段の一例）６Ｙが順に配置されている。
一次転写ロール５Ｙは、中間転写ベルト２０の内側に配置され、感光体１Ｙに対向した位置に設けられている。各ユニットの一次転写ロール５Ｙ、５Ｍ、５Ｃ、５Ｋには、一次転写バイアスを印加するバイアス電源（図示せず）がそれぞれ接続されている。各バイアス電源は、図示しない制御部による制御によって、各一次転写ロールに印加する転写バイアスの値を変える。
以下、第１のユニット１０Ｙにおいてイエロー画像を形成する動作について説明する。
まず、動作に先立って、帯電ロール２Ｙによって感光体１Ｙの表面が－６００Ｖ乃至－８００Ｖの電位に帯電される。
感光体１Ｙは、導電性（例えば２０℃における体積抵抗率１×１０－６Ωｃｍ以下）の基体上に感光層を積層して形成されている。この感光層は、通常は高抵抗（一般の樹脂の抵抗）であるが、レーザ光線が照射されると、レーザ光線が照射された部分の比抵抗が変化する性質を持っている。そこで、帯電した感光体１Ｙの表面に、図示しない制御部から送られてくるイエロー用の画像データに従って、露光装置３からレーザ光線３Ｙを照射する。それにより、イエローの画像パターンの静電荷像が感光体１Ｙの表面に形成される。
まず、動作に先立って、帯電ロール２Ｙによって感光体１Ｙの表面が－６００Ｖ乃至－８００Ｖの電位に帯電される。
感光体１Ｙは、導電性（例えば２０℃における体積抵抗率１×１０－６Ωｃｍ以下）の基体上に感光層を積層して形成されている。この感光層は、通常は高抵抗（一般の樹脂の抵抗）であるが、レーザ光線が照射されると、レーザ光線が照射された部分の比抵抗が変化する性質を持っている。そこで、帯電した感光体１Ｙの表面に、図示しない制御部から送られてくるイエロー用の画像データに従って、露光装置３からレーザ光線３Ｙを照射する。それにより、イエローの画像パターンの静電荷像が感光体１Ｙの表面に形成される。
静電荷像とは、帯電によって感光体１Ｙの表面に形成される像であり、レーザ光線３Ｙによって、感光層の被照射部分の比抵抗が低下し、感光体１Ｙの表面の帯電した電荷が流れ、一方、レーザ光線３Ｙが照射されなかった部分の電荷が残留することによって形成される、いわゆるネガ潜像である。
感光体１Ｙ上に形成された静電荷像は、感光体１Ｙの走行に従って予め定められた現像位置まで回転する。そして、この現像位置で、感光体１Ｙ上の静電荷像が、現像装置４Ｙによってトナー画像として現像され可視化される。
感光体１Ｙ上に形成された静電荷像は、感光体１Ｙの走行に従って予め定められた現像位置まで回転する。そして、この現像位置で、感光体１Ｙ上の静電荷像が、現像装置４Ｙによってトナー画像として現像され可視化される。
現像装置４Ｙ内には、例えば、少なくともイエロートナーとキャリアとを含む静電荷像現像剤が収容されている。イエロートナーは、現像装置４Ｙの内部で撹拌されることで摩擦帯電し、感光体１Ｙ上に帯電した帯電荷と同極性（負極性）の電荷を有して現像剤ロール（現像剤保持体の一例）上に保持されている。そして、感光体１Ｙの表面が現像装置４Ｙを通過していくことにより、感光体１Ｙ表面上の除電された潜像部にイエロートナーが静電的に付着し、潜像がイエロートナーによって現像される。イエローのトナー画像が形成された感光体１Ｙは、引続き予め定められた速度で走行され、感光体１Ｙ上に現像されたトナー画像が予め定められた一次転写位置へ搬送される。
感光体１Ｙ上のイエローのトナー画像が一次転写位置へ搬送されると、一次転写ロール５Ｙに一次転写バイアスが印加され、感光体１Ｙから一次転写ロール５Ｙに向う静電気力がトナー画像に作用し、感光体１Ｙ上のトナー画像が中間転写ベルト２０上に転写される。このとき印加される転写バイアスは、トナーの極性（－）と逆極性の（＋）極性であり、第１のユニット１０Ｙでは制御部（図示せず）によって例えば＋１０μＡに制御されている。感光体１Ｙ上に残留したトナーは、感光体クリーニング装置６Ｙで除去されて回収される。
第２ユニット１０Ｍ以降の一次転写ロール５Ｍ、５Ｃ、５Ｋに印加される一次転写バイアスも、第１のユニットに準じて制御されている。
こうして、第１のユニット１０Ｙにてイエローのトナー画像が転写された中間転写ベルト２０は、第２乃至第４のユニット１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｋを通して順次搬送され、各色のトナー画像が重ねられて多重転写される。
こうして、第１のユニット１０Ｙにてイエローのトナー画像が転写された中間転写ベルト２０は、第２乃至第４のユニット１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｋを通して順次搬送され、各色のトナー画像が重ねられて多重転写される。
第１乃至第４のユニットを通して４色のトナー画像が多重転写された中間転写ベルト２０は、中間転写ベルト２０と、中間転写ベルトの内面に接する支持ロール２４と、中間転写ベルト２０の像保持面側に配置された二次転写ロール（二次転写手段の一例）２６とから構成された二次転写部へと至る。一方、記録紙（記録媒体の一例）Ｐが供給機構を介して二次転写ロール２６と中間転写ベルト２０とが接触した隙間に予め定められたタイミングで給紙され、二次転写バイアスが支持ロール２４に印加される。このとき印加される転写バイアスは、トナーの極性（－）と同極性の（－）極性であり、中間転写ベルト２０から記録紙Ｐに向う静電気力がトナー画像に作用し、中間転写ベルト２０上のトナー画像が記録紙Ｐ上に転写される。この際の二次転写バイアスは二次転写部の抵抗を検出する抵抗検出手段（図示せず）により検出された抵抗に応じて決定されるものであり、電圧制御されている。
トナー画像が転写された記録紙Ｐは定着装置（定着手段の一例）２８における一対の定着ロールの圧接部（ニップ部）へと送り込まれ、トナー画像が記録紙Ｐ上へ定着され、定着画像が形成される。カラー画像の定着が完了した記録紙Ｐは、排出部へ向けて搬出され、一連のカラー画像形成動作が終了される。
トナー画像を転写する記録紙Ｐとしては、例えば、電子写真方式の複写機、プリンター等に使用される普通紙が挙げられる。記録媒体としては、記録紙Ｐ以外にも、ＯＨＰシート等も挙げられる。定着後における画像表面の平滑性を更に向上させるには、記録紙Ｐの表面も平滑であることが好ましく、例えば、普通紙の表面を樹脂等でコーティングしたコート紙、印刷用のアート紙等が好適に使用される。
＜プロセスカートリッジ、トナーカートリッジ＞
本実施形態に係るプロセスカートリッジは、本実施形態に係る静電荷像現像剤を収容し、静電荷像現像剤により、像保持体の表面に形成された静電荷像をトナー画像として現像する現像手段を備え、画像形成装置に着脱されるプロセスカートリッジである。
本実施形態に係るプロセスカートリッジは、本実施形態に係る静電荷像現像剤を収容し、静電荷像現像剤により、像保持体の表面に形成された静電荷像をトナー画像として現像する現像手段を備え、画像形成装置に着脱されるプロセスカートリッジである。
本実施形態に係るプロセスカートリッジは、現像手段と、必要に応じて、例えば、像保持体、帯電手段、静電荷像形成手段、及び転写手段等のその他手段から選択される少なくとも一つと、を備える構成であってもよい。
以下、本実施形態に係るプロセスカートリッジの一例を示すが、これに限定されるわけではない。以下の説明においては、図に示す主要部を説明し、その他はその説明を省略する。
図２は、本実施形態に係るプロセスカートリッジの一例を示す概略構成図である。
図２に示すプロセスカートリッジ２００は、例えば、取り付けレール１１６及び露光のための開口部１１８が備えられた筐体１１７により、感光体１０７（像保持体の一例）と、感光体１０７の周囲に備えられた帯電ロール１０８（帯電手段の一例）、現像装置１１１（現像手段の一例）、及び感光体クリーニング装置１１３（クリーニング手段の一例）を一体的に組み合わせて保持して構成し、カートリッジ化されている。
図２中、１０９は露光装置（静電荷像形成手段の一例）、１１２は転写装置（転写手段の一例）、１１５は定着装置（定着手段の一例）、３００は記録紙（記録媒体の一例）を示している。
図２に示すプロセスカートリッジ２００は、例えば、取り付けレール１１６及び露光のための開口部１１８が備えられた筐体１１７により、感光体１０７（像保持体の一例）と、感光体１０７の周囲に備えられた帯電ロール１０８（帯電手段の一例）、現像装置１１１（現像手段の一例）、及び感光体クリーニング装置１１３（クリーニング手段の一例）を一体的に組み合わせて保持して構成し、カートリッジ化されている。
図２中、１０９は露光装置（静電荷像形成手段の一例）、１１２は転写装置（転写手段の一例）、１１５は定着装置（定着手段の一例）、３００は記録紙（記録媒体の一例）を示している。
次に、本実施形態に係るトナーカートリッジについて説明する。
本実施形態に係るトナーカートリッジは、本実施形態に係るトナーを収容し、画像形成装置に着脱されるトナーカートリッジである。トナーカートリッジは、画像形成装置内に設けられた現像手段に供給するための補給用のトナーを収容するものである。
本実施形態に係るトナーカートリッジは、本実施形態に係るトナーを収容し、画像形成装置に着脱されるトナーカートリッジである。トナーカートリッジは、画像形成装置内に設けられた現像手段に供給するための補給用のトナーを収容するものである。
図１に示す画像形成装置は、トナーカートリッジ８Ｙ、８Ｍ、８Ｃ、８Ｋが着脱される構成を有する画像形成装置であり、現像装置４Ｙ、４Ｍ、４Ｃ、４Ｋは、各々の色に対応したトナーカートリッジと、図示しないトナー供給管で接続されている。トナーカートリッジ内に収容されているトナーが少なくなった場合には、このトナーカートリッジが交換される。
以下、実施例により発明の実施形態を詳細に説明するが、発明の実施形態は、これら実施例に何ら限定されるものではない。以下の説明において、特に断りのない限り、「部」は質量基準である。
＜チタン酸ストロンチウム粒子の作製＞
［チタン酸ストロンチウム粒子（１）］
脱硫及び解膠したチタン源であるメタチタン酸をＴｉＯ２として０．７モル採取し、反応容器に入れた。次いで、反応容器に、塩化ストロンチウム水溶液を、ＳｒＯ／ＴｉＯ２モル比が１．１になるように０．７７モル添加した。次いで、反応容器に、酸化ランタンを硝酸に溶解した溶液を、ストロンチウム１００モルに対してランタンが５モルになる量添加した。３つの材料の混合液における初期ＴｉＯ２濃度が０．７５モル／Ｌになるようにした。
次いで、混合液を撹拌し、混合液を９０℃に加温し、液温を９０℃に維持し撹拌しながら、１０Ｎ水酸化ナトリウム水溶液１５３ｍＬを３．８時間かけて添加し、更に、液温を９０℃に維持しなが１時間撹拌を続けた。次いで、反応液を４０℃まで冷却し、ｐＨ５．５になるまで塩酸を添加し１時間撹拌を行った。次いで、デカンテーションと水への分散とを繰り返すことによって沈殿物を洗浄した。洗浄した沈殿物を含むスラリーに塩酸を加えｐＨ６．５に調整し、濾過により固液分離を行った。
［チタン酸ストロンチウム粒子（１）］
脱硫及び解膠したチタン源であるメタチタン酸をＴｉＯ２として０．７モル採取し、反応容器に入れた。次いで、反応容器に、塩化ストロンチウム水溶液を、ＳｒＯ／ＴｉＯ２モル比が１．１になるように０．７７モル添加した。次いで、反応容器に、酸化ランタンを硝酸に溶解した溶液を、ストロンチウム１００モルに対してランタンが５モルになる量添加した。３つの材料の混合液における初期ＴｉＯ２濃度が０．７５モル／Ｌになるようにした。
次いで、混合液を撹拌し、混合液を９０℃に加温し、液温を９０℃に維持し撹拌しながら、１０Ｎ水酸化ナトリウム水溶液１５３ｍＬを３．８時間かけて添加し、更に、液温を９０℃に維持しなが１時間撹拌を続けた。次いで、反応液を４０℃まで冷却し、ｐＨ５．５になるまで塩酸を添加し１時間撹拌を行った。次いで、デカンテーションと水への分散とを繰り返すことによって沈殿物を洗浄した。洗浄した沈殿物を含むスラリーに塩酸を加えｐＨ６．５に調整し、濾過により固液分離を行った。
続いて、得られた固形分（未処理のチタン酸ストロンチウム粒子）にｉ－ブチルトリメトキシシランのエタノール溶液を、固形分１００部に対してｉ－ブチルトリメトキシシランが１５部になる量添加して１時間撹拌を行った。
濾過により固液分離を行い、固形分を１１０℃の大気中で５時間乾燥し、チタン酸ストロンチウム粒子（１）を得た。
濾過により固液分離を行い、固形分を１１０℃の大気中で５時間乾燥し、チタン酸ストロンチウム粒子（１）を得た。
［チタン酸ストロンチウム粒子（２）］
酸化ランタンを硝酸に溶解した溶液を、ストロンチウム１００モルに対してランタンが１０モルになる量添加することにし、更に、ｉ－ブチルトリメトキシシランのエタノール溶液の添加量を、固形分１００部に対してｉ－ブチルトリメトキシシランが１０部となるように変えた以外は、チタン酸ストロンチウム粒子（１）の作製と同様にして、チタン酸ストロンチウム粒子（２）を作製した。
酸化ランタンを硝酸に溶解した溶液を、ストロンチウム１００モルに対してランタンが１０モルになる量添加することにし、更に、ｉ－ブチルトリメトキシシランのエタノール溶液の添加量を、固形分１００部に対してｉ－ブチルトリメトキシシランが１０部となるように変えた以外は、チタン酸ストロンチウム粒子（１）の作製と同様にして、チタン酸ストロンチウム粒子（２）を作製した。
［チタン酸ストロンチウム粒子（３）］
酸化ランタンを硝酸に溶解した溶液を、ストロンチウム１００モルに対してランタンが２．５モルになる量添加することにし、更に、ｉ－ブチルトリメトキシシランのエタノール溶液の添加量を、固形分１００部に対してｉ－ブチルトリメトキシシランが２０部となるように変えた以外は、チタン酸ストロンチウム粒子（１）の作製と同様にして、チタン酸ストロンチウム粒子（３）を作製した。
酸化ランタンを硝酸に溶解した溶液を、ストロンチウム１００モルに対してランタンが２．５モルになる量添加することにし、更に、ｉ－ブチルトリメトキシシランのエタノール溶液の添加量を、固形分１００部に対してｉ－ブチルトリメトキシシランが２０部となるように変えた以外は、チタン酸ストロンチウム粒子（１）の作製と同様にして、チタン酸ストロンチウム粒子（３）を作製した。
［チタン酸ストロンチウム粒子（４）］
濾過により固液分離を行い、固形分を１１０℃の大気中で８時間乾燥した以外は、チタン酸ストロンチウム粒子（１）の作製と同様にして、チタン酸ストロンチウム粒子（４）を作製した。
濾過により固液分離を行い、固形分を１１０℃の大気中で８時間乾燥した以外は、チタン酸ストロンチウム粒子（１）の作製と同様にして、チタン酸ストロンチウム粒子（４）を作製した。
［チタン酸ストロンチウム粒子（５）］
酸化ランタンを硝酸に溶解した溶液を、ストロンチウム１００モルに対してランタンが７．５モルになる量添加することにし、更に、ｉ－ブチルトリメトキシシランのエタノール溶液の添加量を、固形分１００部に対してｉ－ブチルトリメトキシシランが２５部となるように変え、更に濾過により固液分離を行い、固形分を１１０℃の大気中で３時間乾燥した以外は、チタン酸ストロンチウム粒子（１）の作製と同様にして、チタン酸ストロンチウム粒子（５）を作製した。
酸化ランタンを硝酸に溶解した溶液を、ストロンチウム１００モルに対してランタンが７．５モルになる量添加することにし、更に、ｉ－ブチルトリメトキシシランのエタノール溶液の添加量を、固形分１００部に対してｉ－ブチルトリメトキシシランが２５部となるように変え、更に濾過により固液分離を行い、固形分を１１０℃の大気中で３時間乾燥した以外は、チタン酸ストロンチウム粒子（１）の作製と同様にして、チタン酸ストロンチウム粒子（５）を作製した。
［チタン酸ストロンチウム粒子（６）］
酸化ランタンを硝酸に溶解した溶液を、ストロンチウム１００モルに対してランタンが２．５モルになる量添加することにし、更に、ｉ－ブチルトリメトキシシランのエタノール溶液の添加量を、固形分１００部に対してｉ－ブチルトリメトキシシランが１０部となるように変更した以外は、チタン酸ストロンチウム粒子（５）の作製と同様にして、チタン酸ストロンチウム粒子（６）を作製した。
酸化ランタンを硝酸に溶解した溶液を、ストロンチウム１００モルに対してランタンが２．５モルになる量添加することにし、更に、ｉ－ブチルトリメトキシシランのエタノール溶液の添加量を、固形分１００部に対してｉ－ブチルトリメトキシシランが１０部となるように変更した以外は、チタン酸ストロンチウム粒子（５）の作製と同様にして、チタン酸ストロンチウム粒子（６）を作製した。
［チタン酸ストロンチウム粒子（７）］
固形分を１１０℃の大気中で１０時間乾燥した以外は、チタン酸ストロンチウム粒子（６）の作製と同様にして、チタン酸ストロンチウム粒子（７）を作製した。
固形分を１１０℃の大気中で１０時間乾燥した以外は、チタン酸ストロンチウム粒子（６）の作製と同様にして、チタン酸ストロンチウム粒子（７）を作製した。
［チタン酸ストロンチウム粒子（８）］
ｉ－ブチルトリメトキシシランのエタノール溶液の添加量を、固形分１００部に対してｉ－ブチルトリメトキシシランが２０部となるように変えた以外は、チタン酸ストロンチウム粒子（６）の作製と同様にして、チタン酸ストロンチウム粒子（８）を作製した。
ｉ－ブチルトリメトキシシランのエタノール溶液の添加量を、固形分１００部に対してｉ－ブチルトリメトキシシランが２０部となるように変えた以外は、チタン酸ストロンチウム粒子（６）の作製と同様にして、チタン酸ストロンチウム粒子（８）を作製した。
［チタン酸ストロンチウム粒子（９）］
ｉ－ブチルトリメトキシシランのエタノール溶液の添加量を、固形分１００部に対してｉ－ブチルトリメトキシシランが２３部となるように変更した以外は、チタン酸ストロンチウム粒子（５）の作製と同様にして、チタン酸ストロンチウム粒子（９）を作製した。
ｉ－ブチルトリメトキシシランのエタノール溶液の添加量を、固形分１００部に対してｉ－ブチルトリメトキシシランが２３部となるように変更した以外は、チタン酸ストロンチウム粒子（５）の作製と同様にして、チタン酸ストロンチウム粒子（９）を作製した。
［チタン酸ストロンチウム粒子（１０）］
酸化ランタンを硝酸に溶解した溶液を、ストロンチウム１００モルに対してランタンが１０モルになる量添加することにし、更に、ｉ－ブチルトリメトキシシランのエタノール溶液の添加量を、固形分１００部に対してｉ－ブチルトリメトキシシランが１５部となるように変えた以外は、チタン酸ストロンチウム粒子（４）の作製と同様にして、チタン酸ストロンチウム粒子（１０）を作製した。
酸化ランタンを硝酸に溶解した溶液を、ストロンチウム１００モルに対してランタンが１０モルになる量添加することにし、更に、ｉ－ブチルトリメトキシシランのエタノール溶液の添加量を、固形分１００部に対してｉ－ブチルトリメトキシシランが１５部となるように変えた以外は、チタン酸ストロンチウム粒子（４）の作製と同様にして、チタン酸ストロンチウム粒子（１０）を作製した。
［チタン酸ストロンチウム粒子（１１）］
酸化ランタンを硝酸に溶解した溶液を、ストロンチウム１００モルに対してランタンが２．５モルになる量添加することにし、更に、１０Ｎ水酸化ナトリウム水溶液１５３ｍＬを１．５時間かけて添加することに変えた以外は、チタン酸ストロンチウム粒子（１０）の作製と同様にして、チタン酸ストロンチウム粒子（１１）を作製した。
酸化ランタンを硝酸に溶解した溶液を、ストロンチウム１００モルに対してランタンが２．５モルになる量添加することにし、更に、１０Ｎ水酸化ナトリウム水溶液１５３ｍＬを１．５時間かけて添加することに変えた以外は、チタン酸ストロンチウム粒子（１０）の作製と同様にして、チタン酸ストロンチウム粒子（１１）を作製した。
［チタン酸ストロンチウム粒子（１２）］
酸化ランタンを硝酸に溶解した溶液を、ストロンチウム１００モルに対してランタンが５モルになる量添加することにし、更に、１０Ｎ水酸化ナトリウム水溶液１５３ｍＬを１０時間かけて添加することに変更した以外は、チタン酸ストロンチウム粒子（１０）の作製と同様にして、チタン酸ストロンチウム粒子（１２）を作製した。
酸化ランタンを硝酸に溶解した溶液を、ストロンチウム１００モルに対してランタンが５モルになる量添加することにし、更に、１０Ｎ水酸化ナトリウム水溶液１５３ｍＬを１０時間かけて添加することに変更した以外は、チタン酸ストロンチウム粒子（１０）の作製と同様にして、チタン酸ストロンチウム粒子（１２）を作製した。
［チタン酸ストロンチウム粒子（１３）］
ｉ－ブチルトリメトキシシランのエタノール溶液の添加量を、固形分１００部に対してｉ－ブチルトリメトキシシランが３部となるように変えた以外は、チタン酸ストロンチウム粒子（１）の作製と同様にして、チタン酸ストロンチウム粒子（１３）を作製した。
ｉ－ブチルトリメトキシシランのエタノール溶液の添加量を、固形分１００部に対してｉ－ブチルトリメトキシシランが３部となるように変えた以外は、チタン酸ストロンチウム粒子（１）の作製と同様にして、チタン酸ストロンチウム粒子（１３）を作製した。
［チタン酸ストロンチウム粒子（１４）］
酸化ランタンを硝酸に溶解した溶液を、ストロンチウム１００モルに対してランタンが０．５モルになる量添加することにし、ｉ－ブチルトリメトキシシランのエタノール溶液の添加量を、固形分１００部に対してｉ－ブチルトリメトキシシランが１０部となるように変え、更に、濾過により固液分離を行い、固形分を１１０℃の大気中で１２時間乾燥した以外は、チタン酸ストロンチウム粒子（１）の作製と同様にして、チタン酸ストロンチウム粒子（１４）を作製した。
酸化ランタンを硝酸に溶解した溶液を、ストロンチウム１００モルに対してランタンが０．５モルになる量添加することにし、ｉ－ブチルトリメトキシシランのエタノール溶液の添加量を、固形分１００部に対してｉ－ブチルトリメトキシシランが１０部となるように変え、更に、濾過により固液分離を行い、固形分を１１０℃の大気中で１２時間乾燥した以外は、チタン酸ストロンチウム粒子（１）の作製と同様にして、チタン酸ストロンチウム粒子（１４）を作製した。
［チタン酸ストロンチウム粒子（１５）］
酸化ランタンを硝酸に溶解した溶液を、ストロンチウム１００モルに対してランタンが１２モルになる量添加することにし、ｉ－ブチルトリメトキシシランのエタノール溶液の添加量を、固形分１００部に対してｉ－ブチルトリメトキシシランが３０部となるように変え、更に、濾過により固液分離を行い、固形分を１１０℃の大気中で２時間乾燥した以外は、チタン酸ストロンチウム粒子（１）の作製と同様にして、チタン酸ストロンチウム粒子（１５）を作製した。
酸化ランタンを硝酸に溶解した溶液を、ストロンチウム１００モルに対してランタンが１２モルになる量添加することにし、ｉ－ブチルトリメトキシシランのエタノール溶液の添加量を、固形分１００部に対してｉ－ブチルトリメトキシシランが３０部となるように変え、更に、濾過により固液分離を行い、固形分を１１０℃の大気中で２時間乾燥した以外は、チタン酸ストロンチウム粒子（１）の作製と同様にして、チタン酸ストロンチウム粒子（１５）を作製した。
［チタン酸ストロンチウム粒子（１６）］
酸化ランタンを硝酸に溶解した溶液を添加せず、ｉ－ブチルトリメトキシシランのエタノール溶液による疎水化処理も行わず、濾過により固液分離を行い、固形分を１２０℃の大気中で1２時間乾燥した以外は、チタン酸ストロンチウム粒子（１）の作製と同様にして、チタン酸ストロンチウム粒子（１６）を作製した。
酸化ランタンを硝酸に溶解した溶液を添加せず、ｉ－ブチルトリメトキシシランのエタノール溶液による疎水化処理も行わず、濾過により固液分離を行い、固形分を１２０℃の大気中で1２時間乾燥した以外は、チタン酸ストロンチウム粒子（１）の作製と同様にして、チタン酸ストロンチウム粒子（１６）を作製した。
［チタン酸ストロンチウム粒子（１７）］
酸化ランタンを硝酸に溶解した溶液を添加しなかった以外は、チタン酸ストロンチウム粒子（２）の作製と同様にして、チタン酸ストロンチウム粒子（１７）を作製した。
酸化ランタンを硝酸に溶解した溶液を添加しなかった以外は、チタン酸ストロンチウム粒子（２）の作製と同様にして、チタン酸ストロンチウム粒子（１７）を作製した。
［チタン酸ストロンチウム粒子（１８）］
酸化ランタンを硝酸に溶解した溶液を、ストロンチウム１００モルに対してランタンが１０モルになる量添加することにし、１０Ｎ水酸化ナトリウム水溶液１５３ｍＬを１６時間かけて添加することに変え、酸化ランタンを硝酸に溶解した溶液を、更に、ｉ－ブチルトリメトキシシランのエタノール溶液の添加量を、固形分１００部に対してｉ－ブチルトリメトキシシランが８部に変更した以外は、チタン酸ストロンチウム粒子（１）の作製と同様にして、チタン酸ストロンチウム粒子（１８）を作製した。
酸化ランタンを硝酸に溶解した溶液を、ストロンチウム１００モルに対してランタンが１０モルになる量添加することにし、１０Ｎ水酸化ナトリウム水溶液１５３ｍＬを１６時間かけて添加することに変え、酸化ランタンを硝酸に溶解した溶液を、更に、ｉ－ブチルトリメトキシシランのエタノール溶液の添加量を、固形分１００部に対してｉ－ブチルトリメトキシシランが８部に変更した以外は、チタン酸ストロンチウム粒子（１）の作製と同様にして、チタン酸ストロンチウム粒子（１８）を作製した。
［チタン酸ストロンチウム粒子（１９）］
酸化ランタンを硝酸に溶解した溶液を、ストロンチウム１００モル対してランタンが１モルになる量添加することにし、更に、濾過により固液分離を行い、固形分を１１０℃の大気中で１０時間乾燥した以外は、チタン酸ストロンチウム粒子（１）の作製と同様にして、チタン酸ストロンチウム粒子（１９）を作製した。
酸化ランタンを硝酸に溶解した溶液を、ストロンチウム１００モル対してランタンが１モルになる量添加することにし、更に、濾過により固液分離を行い、固形分を１１０℃の大気中で１０時間乾燥した以外は、チタン酸ストロンチウム粒子（１）の作製と同様にして、チタン酸ストロンチウム粒子（１９）を作製した。
＜各種測定＞
得られたチタン酸ストロンチウム粒子について、平均一次粒径、体積固有抵抗率Ｒ１、インピーダンス法による抵抗成分Ｒ及び容量成分Ｃ、含水率、及び蛍光Ｘ線分析の定量及び定性分析から算出されるケイ素（Ｓｉ）とストロンチウム（Ｓｒ）との質量比（Ｓｉ／Ｓｒ）を測定した。
また、チタン酸ストロンチウム粒子を作製する過程にて得られる未処理のチタン酸ストロンチウム粒子について、体積固有抵抗率Ｒ２を測定し、ｌｏｇＲ１－ｌｏｇＲ２も算出した。
これらの測定は、全て前述した測定方法により行った。
各種測定結果を表１に示す。
得られたチタン酸ストロンチウム粒子について、平均一次粒径、体積固有抵抗率Ｒ１、インピーダンス法による抵抗成分Ｒ及び容量成分Ｃ、含水率、及び蛍光Ｘ線分析の定量及び定性分析から算出されるケイ素（Ｓｉ）とストロンチウム（Ｓｒ）との質量比（Ｓｉ／Ｓｒ）を測定した。
また、チタン酸ストロンチウム粒子を作製する過程にて得られる未処理のチタン酸ストロンチウム粒子について、体積固有抵抗率Ｒ２を測定し、ｌｏｇＲ１－ｌｏｇＲ２も算出した。
これらの測定は、全て前述した測定方法により行った。
各種測定結果を表１に示す。
＜トナー粒子の作製＞
［トナー粒子（１）］
－樹脂粒子分散液（１）の調製－
・テレフタル酸 ：３０モル部
・フマル酸 ：７０モル部
・ビスフェノールＡエチレンオキサイド付加物 ： ５モル部
・ビスフェノールＡプロピレンオキサイド付加物：９５モル部
撹拌装置、窒素導入管、温度センサ及び精留塔を備えたフラスコに、上記の材料を仕込み、１時間かけて温度を２２０℃まで上げ、上記材料１００部に対してチタンテトラエトキシド１部を投入した。生成する水を留去しながら３０分間かけて２３０℃まで温度を上げ、該温度で１時間脱水縮合反応を継続した後、反応物を冷却した。こうして、重量平均分子量１８，０００、ガラス転移温度６０℃のポリエステル樹脂を得た。
［トナー粒子（１）］
－樹脂粒子分散液（１）の調製－
・テレフタル酸 ：３０モル部
・フマル酸 ：７０モル部
・ビスフェノールＡエチレンオキサイド付加物 ： ５モル部
・ビスフェノールＡプロピレンオキサイド付加物：９５モル部
撹拌装置、窒素導入管、温度センサ及び精留塔を備えたフラスコに、上記の材料を仕込み、１時間かけて温度を２２０℃まで上げ、上記材料１００部に対してチタンテトラエトキシド１部を投入した。生成する水を留去しながら３０分間かけて２３０℃まで温度を上げ、該温度で１時間脱水縮合反応を継続した後、反応物を冷却した。こうして、重量平均分子量１８，０００、ガラス転移温度６０℃のポリエステル樹脂を得た。
温度調節手段及び窒素置換手段を備えた容器に、酢酸エチル４０部及び２－ブタノール２５部を投入し、混合溶剤とした後、ポリエステル樹脂１００部を徐々に投入し溶解させ、ここに、１０質量％アンモニア水溶液（樹脂の酸価に対してモル比で３倍量相当量）を入れて３０分間撹拌した。次いで、容器内を乾燥窒素で置換し、温度を４０℃に保持して、混合液を撹拌しながらイオン交換水４００部を２部／分の速度で滴下した。滴下終了後、室温（２０℃乃至２５℃）に戻し、撹拌しつつ乾燥窒素により４８時間バブリングを行うことにより、酢酸エチル及び２－ブタノールを１０００ｐｐｍ以下まで低減させた樹脂粒子分散液を得た。該樹脂粒子分散液にイオン交換水を加え、固形分量を２０質量％に調整し、樹脂粒子分散液（１）を得た。
－着色剤粒子分散液（１）の調製－
・Ｒｅｇａｌ３３０（キャボット社製カーボンブラック） ： ７０部
・アニオン性界面活性剤（第一工業製薬、ネオゲンＲＫ） ： ５部
・イオン交換水 ：２００部
上記の材料を混合し、ホモジナイザー（ＩＫＡ社、商品名ウルトラタラックスＴ５０）を用いて１０分間分散した。分散液中の固形分量が２０質量％となるようイオン交換水を加え、体積平均粒径１７０ｎｍの着色剤粒子が分散された着色剤粒子分散液（１）を得た。
・Ｒｅｇａｌ３３０（キャボット社製カーボンブラック） ： ７０部
・アニオン性界面活性剤（第一工業製薬、ネオゲンＲＫ） ： ５部
・イオン交換水 ：２００部
上記の材料を混合し、ホモジナイザー（ＩＫＡ社、商品名ウルトラタラックスＴ５０）を用いて１０分間分散した。分散液中の固形分量が２０質量％となるようイオン交換水を加え、体積平均粒径１７０ｎｍの着色剤粒子が分散された着色剤粒子分散液（１）を得た。
－離型剤粒子分散液（１）の調製－
・パラフィンワックス（日本精蝋、ＨＮＰ－９） ：１００部
・アニオン性界面活性剤（第一工業製薬、ネオゲンＲＫ）： １部
・イオン交換水 ：３５０部
上記の材料を混合して１００℃に加熱し、ホモジナイザー（ＩＫＡ社、商品名ウルトラタラックスＴ５０）を用いて分散した後、マントンゴーリン高圧ホモジナイザー（ゴーリン社）で分散処理し、体積平均粒径２００ｎｍの離型剤粒子が分散された離型剤粒子分散液（１）（固形分量２０質量％）を得た。
・パラフィンワックス（日本精蝋、ＨＮＰ－９） ：１００部
・アニオン性界面活性剤（第一工業製薬、ネオゲンＲＫ）： １部
・イオン交換水 ：３５０部
上記の材料を混合して１００℃に加熱し、ホモジナイザー（ＩＫＡ社、商品名ウルトラタラックスＴ５０）を用いて分散した後、マントンゴーリン高圧ホモジナイザー（ゴーリン社）で分散処理し、体積平均粒径２００ｎｍの離型剤粒子が分散された離型剤粒子分散液（１）（固形分量２０質量％）を得た。
－トナー（１）の作製－
・樹脂粒子分散液（１） ：４０３部
・着色剤粒子分散液（１） ： １２部
・離型剤粒子分散液（１） ： ５０部
・アニオン性界面活性剤（ＴａｙｃａＰｏｗｅｒ）： ２部
上記の材料を丸型ステンレス製フラスコに入れ、０．１Ｎの硝酸を添加してｐＨを３．５に調整した後、ポリ塩化アルミニウム濃度が１０質量％の硝酸水溶液３０部を添加した。次いで、ホモジナイザー（ＩＫＡ社、商品名ウルトラタラックスＴ５０）を用いて液温３０℃において分散した後、加熱用オイルバス中で４５℃まで加熱し３０分間保持した。
その後、樹脂粒子分散液（１）１００部を緩やかに追加し１時間保持し、０．１Ｎの水酸化ナトリウム水溶液を添加してｐＨを８．５に調整した後、攪拌を継続しながら８4℃まで加熱し、２．５時間保持した。その後、２０℃／分の速度で２０℃まで冷却し、濾過し、イオン交換水で充分に洗浄し、乾燥させることにより、体積平均粒径５．８μｍのトナー粒子（１）を得た。
・樹脂粒子分散液（１） ：４０３部
・着色剤粒子分散液（１） ： １２部
・離型剤粒子分散液（１） ： ５０部
・アニオン性界面活性剤（ＴａｙｃａＰｏｗｅｒ）： ２部
上記の材料を丸型ステンレス製フラスコに入れ、０．１Ｎの硝酸を添加してｐＨを３．５に調整した後、ポリ塩化アルミニウム濃度が１０質量％の硝酸水溶液３０部を添加した。次いで、ホモジナイザー（ＩＫＡ社、商品名ウルトラタラックスＴ５０）を用いて液温３０℃において分散した後、加熱用オイルバス中で４５℃まで加熱し３０分間保持した。
その後、樹脂粒子分散液（１）１００部を緩やかに追加し１時間保持し、０．１Ｎの水酸化ナトリウム水溶液を添加してｐＨを８．５に調整した後、攪拌を継続しながら８4℃まで加熱し、２．５時間保持した。その後、２０℃／分の速度で２０℃まで冷却し、濾過し、イオン交換水で充分に洗浄し、乾燥させることにより、体積平均粒径５．８μｍのトナー粒子（１）を得た。
＜キャリアの作製＞
キャリアは次のように作製されたものを用いた。
・フェライト粒子（体積平均粒子径：３６μｍ） １００部
・トルエン １４部
・スチレン－メチルメタクリレート共重合体 ２部
（成分比：９０／１０、Ｍｗ＝８００００）
・カーボンブラック（Ｒ３３０：キャボット社製） ０．２部
まず、フェライト粒子を除く上記成分を１０分間スターラーで撹拌させて、分散した被覆液を調製し、次に、この被覆液とフェライト粒子とを真空脱気型ニーダーに入れて、６０℃において３０分撹拌した後、更に加温しながら減圧して脱気し、乾燥させることによりキャリアを得た。
キャリアは次のように作製されたものを用いた。
・フェライト粒子（体積平均粒子径：３６μｍ） １００部
・トルエン １４部
・スチレン－メチルメタクリレート共重合体 ２部
（成分比：９０／１０、Ｍｗ＝８００００）
・カーボンブラック（Ｒ３３０：キャボット社製） ０．２部
まず、フェライト粒子を除く上記成分を１０分間スターラーで撹拌させて、分散した被覆液を調製し、次に、この被覆液とフェライト粒子とを真空脱気型ニーダーに入れて、６０℃において３０分撹拌した後、更に加温しながら減圧して脱気し、乾燥させることによりキャリアを得た。
〔トナー及び現像剤の作製：実施例１〕
トナー粒子（１）１００部に、外添剤としてチタン酸ストロンチウム粒子（１）０．９５部を添加し、ヘンシェルミキサーで撹拌周速３０ｍ／ｓｅｃで１５分間混合し、トナーを得た。
トナー粒子（１）１００部に、外添剤としてチタン酸ストロンチウム粒子（１）０．９５部を添加し、ヘンシェルミキサーで撹拌周速３０ｍ／ｓｅｃで１５分間混合し、トナーを得た。
そして、得られた各トナーとキャリアとを、トナー：キャリア＝８：９２（質量比）の割合でＶブレンダーに入れ、２０分間撹拌し、現像剤を得た。
〔トナー及び現像剤の作製：実施例２～１５、比較例１～４〕
チタン酸ストロンチウム粒子（１）を、下記表１に記載のチタン酸ストロンチウム粒子に変えた以外は、実施例１と同様にして、トナー及び現像剤を作製した。
チタン酸ストロンチウム粒子（１）を、下記表１に記載のチタン酸ストロンチウム粒子に変えた以外は、実施例１と同様にして、トナー及び現像剤を作製した。
＜評価＞
得られた各例の現像剤を、画像形成装置「ＡｐｅｏｓＰｏｒｔ－ＩＶ Ｃ５５７５（富士ゼロックス社製）」の改造機（環境変動における濃度自動制御センサーを切った改造機）」の現像装置に収容した。
この画像形成装置の改造機を用いて、高温高湿環境下（２８℃／８５％ＲＨ環境下）及び低温低湿環境下（１０℃／１５％ＲＨ環境下）のそれぞれで、画像密度１％の画像をＡ４紙に連続３万枚出力し、最後の３０枚を目しで観察した際のカブリ評価を実施した。評価結果を表１に示す。
評価基準は以下の通りである。
Ｇ１：３０枚すべてにカブリは認められない。
Ｇ２：１枚に僅かにカブリが認められるが、実用上の許容範囲である。
Ｇ３：２枚に僅かにカブリが認められるが、実用上の許容範囲である。
Ｇ４：複数枚に僅かなカブリが認められが、実用上の許容範囲である。
Ｇ５：複数枚に明らかなカブリが認められ、実用に適しない。
Ｇ６：複数枚に全面的にカブリが認められる。
得られた各例の現像剤を、画像形成装置「ＡｐｅｏｓＰｏｒｔ－ＩＶ Ｃ５５７５（富士ゼロックス社製）」の改造機（環境変動における濃度自動制御センサーを切った改造機）」の現像装置に収容した。
この画像形成装置の改造機を用いて、高温高湿環境下（２８℃／８５％ＲＨ環境下）及び低温低湿環境下（１０℃／１５％ＲＨ環境下）のそれぞれで、画像密度１％の画像をＡ４紙に連続３万枚出力し、最後の３０枚を目しで観察した際のカブリ評価を実施した。評価結果を表１に示す。
評価基準は以下の通りである。
Ｇ１：３０枚すべてにカブリは認められない。
Ｇ２：１枚に僅かにカブリが認められるが、実用上の許容範囲である。
Ｇ３：２枚に僅かにカブリが認められるが、実用上の許容範囲である。
Ｇ４：複数枚に僅かなカブリが認められが、実用上の許容範囲である。
Ｇ５：複数枚に明らかなカブリが認められ、実用に適しない。
Ｇ６：複数枚に全面的にカブリが認められる。
１Ｙ、１Ｍ、１Ｃ、１Ｋ 感光体（像保持体の一例）
２Ｙ、２Ｍ、２Ｃ、２Ｋ 帯電ロール（帯電手段の一例）
３ 露光装置（静電荷像形成手段の一例）
３Ｙ、３Ｍ、３Ｃ、３Ｋ レーザ光線
４Ｙ、４Ｍ、４Ｃ、４Ｋ 現像装置（現像手段の一例）
５Ｙ、５Ｍ、５Ｃ、５Ｋ 一次転写ロール（一次転写手段の一例）
６Ｙ、６Ｍ、６Ｃ、６Ｋ 感光体クリーニング装置（像保持体クリーニング手段の一例）
８Ｙ、８Ｍ、８Ｃ、８Ｋ トナーカートリッジ
１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｋ 画像形成ユニット
２０ 中間転写ベルト（中間転写体の一例）
２２ 駆動ロール
２４ 支持ロール
２６ 二次転写ロール（二次転写手段の一例）
２８ 定着装置（定着手段の一例）
３０ 中間転写ベルトクリーニング装置（中間転写体クリーニング手段の一例）
Ｐ 記録紙（記録媒体の一例）
２Ｙ、２Ｍ、２Ｃ、２Ｋ 帯電ロール（帯電手段の一例）
３ 露光装置（静電荷像形成手段の一例）
３Ｙ、３Ｍ、３Ｃ、３Ｋ レーザ光線
４Ｙ、４Ｍ、４Ｃ、４Ｋ 現像装置（現像手段の一例）
５Ｙ、５Ｍ、５Ｃ、５Ｋ 一次転写ロール（一次転写手段の一例）
６Ｙ、６Ｍ、６Ｃ、６Ｋ 感光体クリーニング装置（像保持体クリーニング手段の一例）
８Ｙ、８Ｍ、８Ｃ、８Ｋ トナーカートリッジ
１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｋ 画像形成ユニット
２０ 中間転写ベルト（中間転写体の一例）
２２ 駆動ロール
２４ 支持ロール
２６ 二次転写ロール（二次転写手段の一例）
２８ 定着装置（定着手段の一例）
３０ 中間転写ベルトクリーニング装置（中間転写体クリーニング手段の一例）
Ｐ 記録紙（記録媒体の一例）
１０７ 感光体（像保持体の一例）
１０８ 帯電ロール（帯電手段の一例）
１０９ 露光装置（静電荷像形成手段の一例）
１１１ 現像装置（現像手段の一例）
１１２ 転写装置（転写手段の一例）
１１３ 感光体クリーニング装置（像保持体クリーニング手段の一例）
１１５ 定着装置（定着手段の一例）
１１６ 取り付けレール
１１７ 筐体
１１８ 露光のための開口部
２００ プロセスカートリッジ
３００ 記録紙（記録媒体の一例）
１０８ 帯電ロール（帯電手段の一例）
１０９ 露光装置（静電荷像形成手段の一例）
１１１ 現像装置（現像手段の一例）
１１２ 転写装置（転写手段の一例）
１１３ 感光体クリーニング装置（像保持体クリーニング手段の一例）
１１５ 定着装置（定着手段の一例）
１１６ 取り付けレール
１１７ 筐体
１１８ 露光のための開口部
２００ プロセスカートリッジ
３００ 記録紙（記録媒体の一例）
Claims (21)
- ポリエステル樹脂からなる結着樹脂を含むトナー粒子と、
疎水化処理表面を有し、平均一次粒径が１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、体積固有抵抗率Ｒ１（Ω・ｃｍ）が常用対数値ｌｏｇＲ１にて１１以上１４以下であるチタン酸ストロンチウム粒子を含み、前記チタン酸ストロンチウム粒子は、チタン及びストロンチウム以外の金属元素としてランタンがドープされ、前記ランタンの量がストロンチウムに対しランタンを０．１モル％以上１５モル％以のチタン酸ストロンチウム粒子である、トナー用外添剤と、
を有する静電荷像現像用トナー。 - 前記チタン酸ストロンチウム粒子をインピーダンス法により測定したときの抵抗成分Ｒ及び容量成分Ｃが以下の式（ａ）及び式（ｂ）を満たす、請求項１に記載の静電荷像現像用トナー。
式（ａ） ８≦抵抗成分Ｒの常用対数値ｌｏｇＲ≦１０
式（ｂ） －１１≦容量成分Ｃの常用対数値ｌｏｇＣ≦－９．５ - 前記抵抗成分Ｒ及び容量成分Ｃが以下の式（ａ１）及び式（ｂ１）を満たす、請求項２に記載の静電荷像現像用トナー。
式（ａ１） ８．５≦抵抗成分Ｒの常用対数値ｌｏｇＲ≦９．５
式（ｂ２） －１０．５≦容量成分Ｃの常用対数値ｌｏｇＣ≦－９．５ - 疎水化処理表面が形成される前における前記チタン酸ストロンチウム粒子の体積固有抵抗率Ｒ２（Ω・ｃｍ）が常用対数値ｌｏｇＲ２にて６以上１０以下である、請求項１～請求項３のいずれか１項に記載の静電荷像現像用トナー。
- 疎水化処理表面が形成される前における前記チタン酸ストロンチウム粒子の体積固有抵抗率Ｒ２（Ω・ｃｍ）が常用対数値ｌｏｇＲ２にて７以上９以下である、請求項４に記載の静電荷像現像用トナー。
- 前記体積固有抵抗率Ｒ１（Ω・ｃｍ）の常用対数値ｌｏｇＲ１と前記体積固有抵抗率Ｒ２（Ω・ｃｍ）の常用対数値ｌｏｇＲ２との差（ｌｏｇＲ１－ｌｏｇＲ２）が２以上７以下である、請求項４又は請求項５のいずれか１項に記載の静電荷像現像用トナー。
- 前記体積固有抵抗率Ｒ１（Ω・ｃｍ）の常用対数値ｌｏｇＲ１と前記体積固有抵抗率Ｒ２（Ω・ｃｍ）の常用対数値ｌｏｇＲ２との差（ｌｏｇＲ１－ｌｏｇＲ２）が３以上５以下である、請求項６に記載の静電荷像現像用トナー。
- 前記チタン酸ストロンチウム粒子の含水率が１．５％以上１０％以下である請求項１～請求項７のいずれか１項に記載の静電荷像現像用トナー。
- 前記チタン酸ストロンチウム粒子の含水率が２％以上５％以下である請求項８に記載の静電荷像現像用トナー。
- 前記チタン酸ストロンチウム粒子の平均一次粒径が２０ｎｍ以上８０ｎｍ以下である請求項１～請求項９のいずれか１項に記載の静電荷像現像用トナー。
- 前記チタン酸ストロンチウム粒子の平均一次粒径が２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下である請求項１０に記載の静電荷像現像用トナー。
- 前記チタン酸ストロンチウム粒子の体積固有抵抗率Ｒ１（Ω・ｃｍ）が常用対数値ｌｏｇＲ１にて１１以上１３以下である、請求項１～請求項１１のいずれか１項に記載の静電荷像現像用トナー。
- 前記チタン酸ストロンチウム粒子の体積固有抵抗率Ｒ１（Ω・ｃｍ）が常用対数値ｌｏｇＲ１にて１２以上１３以下である、請求項１２に記載の静電荷像現像用トナー。
- 前記チタン酸ストロンチウム粒子は、ケイ素含有有機化合物にて表面処理されてなる前記疎水化処理表面を有するチタン酸ストロンチウム粒子である、請求項１～請求項１３のいずれか１項に記載の静電荷像現像用トナー。
- 前記ケイ素含有有機化合物がアルコキシシラン化合物及びシリコーンオイルからなる群より選択される少なくとも１種である請求項１４に記載の静電荷像現像用トナー。
- 前記チタン酸ストロンチウム粒子の蛍光Ｘ線分析の定量及び定性分析から算出されるケイ素（Ｓｉ）とストロンチウム（Ｓｒ）との質量比（Ｓｉ／Ｓｒ）が０．０２５以上０．２５以下である請求項１４又は請求項１５に記載の静電荷像現像用トナー。
- 請求項１～請求項１６のいずれか１項に記載の静電荷像現像用トナーを含む静電荷像現像剤。
- 請求項１～請求項１６のいずれか１項に記載の静電荷像現像用トナーを収容し、
画像形成装置に着脱されるトナーカートリッジ。 - 請求項１７に記載の静電荷像現像剤を収容し、前記静電荷像現像剤により、像保持体の表面に形成された静電荷像をトナー画像として現像する現像手段を備え、
画像形成装置に着脱されるプロセスカートリッジ。 - 像保持体と、
前記像保持体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記像保持体の表面に静電荷像を形成する静電荷像形成手段と、
請求項１７に記載の静電荷像現像剤を収容し、前記静電荷像現像剤により、前記像保持体の表面に形成された静電荷像をトナー画像として現像する現像手段と、
前記像保持体の表面に形成されたトナー画像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
前記記録媒体の表面に転写されたトナー画像を定着する定着手段と、
を備える画像形成装置。 - 像保持体の表面を帯電する帯電工程と、
帯電した前記像保持体の表面に静電荷像を形成する静電荷像形成工程と、
請求項１７に記載の静電荷像現像剤により、前記像保持体の表面に形成された静電荷像をトナー画像として現像する現像工程と、
前記像保持体の表面に形成されたトナー画像を記録媒体の表面に転写する転写工程と、
前記記録媒体の表面に転写されたトナー画像を定着する定着工程と、
を有する画像形成方法。
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