JP7266387B2 - 表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、表示装置に関する。

表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）や無機発光ダイオード（マイクロＬＥＤ（ｍｉｃｒｏ ＬＥＤ））を用いた表示装置が知られている。マイクロＬＥＤは、サイズが小さく高輝度であるため、表示装置の発光素子に適している。特許文献１に記載された表示装置において、青色発光ダイオードを赤色又は緑色を表示する画素に用いている。青色発光ダイオードの光は、光変換構造により赤色又は緑色に変換される。また、特許文献２は、青色発光ダイオードを光源として用いた液晶表示装置が記載されている。

米国特許出願公開第２０１７／０１３９２７６号明細書 特開２０１０－６６４３７号公報

無機発光ダイオードを用いた表示装置は、光取出し効率の向上が望まれている。特許文献１において、光変換構造として蛍光体を用いた場合には、蛍光体は等方的に発光するため、表示面側への光取出し効率が低下する可能性がある。また、特許文献２は、液晶表示装置であり、表示素子として無機発光ダイオードを用いた構成について記載されていない。

本発明は、光取出し効率を向上させることができる表示装置を提供することを目的とする。

本発明の一態様の表示装置は、第１基板と、前記第１基板に設けられた複数の画素と、複数の前記画素の各々に設けられる発光素子と、前記発光素子の少なくとも上面を覆う蛍光体層と、前記発光素子の側面と対向する第１反射層と、前記蛍光体層の側面に設けられ、前記第１基板の法線方向において、前記第１反射層と離隔して、前記第１反射層よりも前記第１基板から離れて配置される第２反射層と、を有する。

図１は、第１実施形態に係る表示装置を模式的に示す斜視図である。 図２は、複数の画素を示す平面図である。 図３は、画素回路を示す回路図である。 図４は、図２におけるＩＶ－ＩＶ’断面図である。 図５は、図４の発光素子を拡大して示す断面図である。 図６は、カソード電極とカソード接続線との接続を説明するための平面図である。 図７は、アノード電極で反射された光の進行方向を説明するための説明図である。 図８は、アノード電極で反射された光の進行方向の他の例を説明するための説明図である。 図９は、蛍光分布角度と蛍光強度との関係を示すグラフである。 図１０は、図２におけるＸ－Ｘ’断面図である。 図１１は、第１実施形態の第１変形例に係る表示装置の複数の画素を示す平面図である。 図１２は、第１実施形態の第２変形例に係る表示装置の複数の画素を示す平面図である。 図１３は、第１実施形態の第３変形例に係る表示装置を示す断面図である。 図１４は、第１実施形態の第４変形例に係る表示装置を示す断面図である。 図１５は、第２実施形態に係る表示装置を示す断面図である。 図１６は、第３実施形態に係る表示装置を示す断面図である。 図１７は、第４実施形態に係る表示装置を示す断面図である。 図１８は、発光素子からの光が、光取出し層を伝播する様子を説明するための説明図である。 図１９は、第４実施形態の第５変形例に係る表示装置において、光取出し層を拡大して示す断面図である。 図２０は、第４実施形態の第６変形例に係る表示装置において、光取出し層を拡大して示す断面図である。 図２１は、第４実施形態の第７変形例に係る表示装置において、光取出し層を拡大して示す断面図である。 図２２は、第４実施形態の第８変形例に係る表示装置において、光取出し層を拡大して示す断面図である。 図２３は、第５実施形態に係る表示装置を示す断面図である。 図２４は、第５実施形態の第９変形例に係る表示装置を示す断面図である。 図２５は、第６実施形態に係る表示装置を模式的に示す斜視図である。 図２６は、第６実施形態に係る表示装置を示す断面図である。 図２７は、第６実施形態の第１０変形例に係る表示装置を示す断面図である。

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る表示装置を模式的に示す斜視図である。図１に示すように、表示装置ＤＳＰは、第１基板ＳＵ１と、第２基板ＳＵ２と、画素Ｐｉｘと、周辺回路ＧＣと、接続部ＣＮとを有する。図１には、第１基板ＳＵ１上の構成を透過して示す。第１基板ＳＵ１、複数のトランジスタ、複数の容量及び各種配線等により、各画素Ｐｉｘを駆動するためのアレイ基板ＳＵＡが構成される。アレイ基板ＳＵＡは、駆動回路基板であり、バックプレーン又はアクティブマトリクス基板とも呼ばれる。駆動ＩＣ（Integrated Circuit）は、接続部ＣＮを介して接続される。

図１に示すように、表示装置ＤＳＰは、表示領域ＤＡと、周辺領域ＧＡとを有する。表示領域ＤＡは、表示部ＤＰと重なって配置され、画像を表示する領域である。周辺領域ＧＡは、表示部ＤＰと重ならない領域であり、表示領域ＤＡの外側に配置される。第２基板ＳＵ２は、表示部ＤＰにおいて第１基板ＳＵ１に重なっている。

表示部ＤＰは複数の画素Ｐｉｘを有し、複数の画素Ｐｉｘは、表示領域ＤＡにおいて、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙに配列される。なお、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙは、第１基板ＳＵ１の表面に対して平行な方向である。第１方向Ｄｘは、第２方向Ｄｙと直交する。ただし、第１方向Ｄｘは、第２方向Ｄｙと直交しないで交差してもよい。第３方向Ｄｚは、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙと直交する方向である。第３方向Ｄｚは、例えば、第１基板ＳＵ１の法線方向に対応する。なお、以下、平面視とは、第３方向Ｄｚから見た場合の位置関係を示す。

周辺回路ＧＣ及び接続部ＣＮは、周辺領域ＧＡに設けられる。接続部ＣＮは、周辺領域ＧＡのうち第２基板ＳＵ２と重ならない領域に設けられる。周辺回路ＧＣは、駆動ＩＣからの各種制御信号に基づいて複数のゲート線（例えば、リセット制御信号線ＲＳＬ、出力制御信号線ＭＳＬ、画素制御信号線ＳＳＬ、初期化制御信号線ＩＳＬ（図３参照））を駆動する回路である。周辺回路ＧＣは、複数のゲート線を順次又は同時に選択し、選択されたゲート線にゲート駆動信号を供給する。これにより、周辺回路ＧＣは、ゲート線に接続された複数の画素Ｐｉｘを選択する。

駆動ＩＣは、表示装置ＤＳＰの表示を制御する回路である。駆動ＩＣは、第１基板ＳＵ１の接続部ＣＮに接続されたフレキシブルプリント基板やリジット基板の上にＣＯＦ（Chip On Film）として実装されてもよい。これに限定されず、駆動ＩＣは、第１基板ＳＵ１の周辺領域ＧＡにＣＯＧ（Chip On Glass）として実装されてもよい。

図２は、複数の画素を示す平面図である。図２に示すように、１つの画素Ｐｉｘは、例えば、第１画素ＰｘＲと、第２画素ＰｘＧと、第３画素ＰｘＢとを有する。第１画素ＰｘＲは、第１色としての原色の赤色を表示する。第２画素ＰｘＧは、第２色としての原色の緑色を表示する。第３画素ＰｘＢは、第３色としての原色の青色を表示する。図２に示すように、１つの画素Ｐｉｘにおいて、第１画素ＰｘＲと第２画素ＰｘＧと第３画素ＰｘＢとは第１方向Ｄｘで並ぶ。なお、第１色、第２色、第３色は、それぞれ赤色、緑色、青色に限られず、補色などの任意の色を選択することができる。以下において、第１画素ＰｘＲと、第２画素ＰｘＧと、第３画素ＰｘＢとをそれぞれ区別する必要がない場合、画素Ｐｘという。

第１画素ＰｘＲは、第２青色発光素子ＢＬＥＤ２とアノード電極ＡＤと蛍光体層ＲＦとを有する。第２青色発光素子ＢＬＥＤ２は、青色の光を出射する。蛍光体層ＲＦは、第２青色発光素子ＢＬＥＤ２から出射された光を波長変換して赤色の光を出射する。第２画素ＰｘＧは、緑色発光素子ＧＬＥＤとアノード電極ＡＤと光散乱層ＬＳＬとを有する。緑色発光素子ＧＬＥＤは緑色の光を出射する。光散乱層ＬＳＬは、緑色発光素子ＧＬＥＤから出射された光を散乱させる。第３画素ＰｘＢは、第１青色発光素子ＢＬＥＤ１とアノード電極ＡＤと光散乱層ＬＳＬとを有する。第１青色発光素子ＢＬＥＤ１は、青色の光を出射する。光散乱層ＬＳＬは、第１青色発光素子ＢＬＥＤ１から出射された光を散乱させる。

本実施形態では、第２青色発光素子ＢＬＥＤ２と蛍光体層ＲＦとの組み合わせで第１画素ＰｘＲを構成している。第２青色発光素子ＢＬＥＤ２は、赤色発光素子に比べて発光効率が高いため、第１画素ＰｘＲとして赤色発光素子を用いた場合に比べて、表示装置ＤＳＰは、全体として発光効率を向上させることができる。

図２では、画素回路ＰＩＣＡの各種配線のうち、映像信号線ＳＬ、アノード電源線ＩＰＬ及び画素制御信号線ＳＳＬを示している。映像信号線ＳＬ及びアノード電源線ＩＰＬは、第２方向Ｄｙに延出している。一対の映像信号線ＳＬ及びアノード電源線ＩＰＬは、第１方向Ｄｘに複数配列されている。画素制御信号線ＳＳＬは、第１方向Ｄｘに延出し、平面視で、映像信号線ＳＬ及びアノード電源線ＩＰＬと交差する。コンタクトホールＣＨは、一対の映像信号線ＳＬ及びアノード電源線ＩＰＬと、画素制御信号線ＳＳＬとで形成される格子中に配置される。複数のコンタクトホールＣＨは、第１方向Ｄｘに配列される。

図２において、複数のコンタクトホールＣＨの配列に対して、第１青色発光素子ＢＬＥＤ１及び第２青色発光素子ＢＬＥＤ２は第２方向Ｄｙの一方に配置され、緑色発光素子ＧＬＥＤは第２方向Ｄｙの他方に配置される。言い換えると、第１青色発光素子ＢＬＥＤ１及び第２青色発光素子ＢＬＥＤ２と、緑色発光素子ＧＬＥＤとの間に、複数のコンタクトホールＣＨ及び画素制御信号線ＳＳＬが設けられる。なお、以下において、第１青色発光素子ＢＬＥＤ１、第２青色発光素子ＢＬＥＤ２及び緑色発光素子ＧＬＥＤをそれぞれ区別する必要がない場合、発光素子ＬＥＤという。

表示装置ＤＳＰは、第１画素ＰｘＲ、第２画素ＰｘＧ及び第３画素ＰｘＢにおいて、各発光素子ＬＥＤと、蛍光体層ＲＦ又は光散乱層ＬＳＬの組み合わせで構成され、それぞれ異なる光を出射することで画像を表示する。発光素子ＬＥＤは、平面視で、３μｍ以上、１００μｍ以下程度の大きさを有する無機発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）チップであり、マイクロＬＥＤ（ｍｉｃｒｏ ＬＥＤ）と呼ばれる。各画素にマイクロＬＥＤを備える表示装置ＤＳＰは、マイクロＬＥＤ表示装置とも呼ばれる。なお、マイクロＬＥＤのマイクロは、発光素子ＬＥＤの大きさを限定するものではない。

なお、複数の画素Ｐｘ及び発光素子ＬＥＤの配置は、図２に示す構成に限定されない。例えば、第１青色発光素子ＢＬＥＤ１、第２青色発光素子ＢＬＥＤ２及び緑色発光素子ＧＬＥＤは、第１方向Ｄｘに隣り合っていてもよい。また、第１青色発光素子ＢＬＥＤ１と第２青色発光素子ＢＬＥＤ２とが、第１方向Ｄｘに隣り合い、緑色発光素子ＧＬＥＤと第１青色発光素子ＢＬＥＤ１とが第２方向Ｄｙに隣り合うように配置されていてもよい。

発光素子ＬＥＤは、アノード電極ＡＤに接続される。また、アノード電極ＡＤは、平面視で、発光素子ＬＥＤの内側から外側に延出し、発光素子ＬＥＤの周囲に設けられる。蛍光体層ＲＦ及び光散乱層ＬＳＬは、平面視で、それぞれアノード電極ＡＤに重なる領域に設けられる。

図３は、画素回路を示す回路図である。図３は、１つの画素Ｐｘに設けられた画素回路ＰＩＣＡを示しており、画素回路ＰＩＣＡは複数の画素Ｐｘのそれぞれに設けられている。図３に示すように、画素回路ＰＩＣＡは、発光素子ＬＥＤと、５つのトランジスタと、２つの容量とを含む。具体的には、画素回路ＰＩＣＡは、駆動トランジスタＤＲＴ、出力トランジスタＢＣＴ、初期化トランジスタＩＳＴ、画素選択トランジスタＳＳＴ及びリセットトランジスタＲＳＴを含む。駆動トランジスタＤＲＴ、出力トランジスタＢＣＴ、初期化トランジスタＩＳＴ、画素選択トランジスタＳＳＴ及びリセットトランジスタＲＳＴは、それぞれｎ型ＴＦＴ（Thin Film Transistor）で構成される。また、画素回路ＰＩＣＡは、第１容量Ｃｓ１及び第２容量Ｃｓ２を含む。

発光素子ＬＥＤのカソード（カソード端子ＥＬＥＤ２（図５参照））は、カソード電源線ＣＤＬに接続される。また、発光素子ＬＥＤのアノード（アノード端子ＥＬＥＤ１（図５参照））は、駆動トランジスタＤＲＴ及び出力トランジスタＢＣＴを介してアノード電源線ＩＰＬに接続される。アノード電源線ＩＰＬには、アノード電源電位ＰＶＤＤが供給される。カソード電源線ＣＤＬには、カソード電源電位ＰＶＳＳが供給される。アノード電源電位ＰＶＤＤは、カソード電源電位ＰＶＳＳよりも高い電位である。

アノード電源線ＩＰＬは、画素Ｐｘに、駆動電位であるアノード電源電位ＰＶＤＤを供給する。具体的には、発光素子ＬＥＤは、アノード電源電位ＰＶＤＤとカソード電源電位ＰＶＳＳとの電位差（ＰＶＤＤ－ＰＶＳＳ）により順方向電流（駆動電流）が供給され発光する。つまり、アノード電源電位ＰＶＤＤは、カソード電源電位ＰＶＳＳに対し、発光素子ＬＥＤを発光させる電位差を有している。発光素子ＬＥＤのアノード端子ＥＬＥＤ１はアノード電極ＡＤに接続され、アノード電極ＡＤとアノード電源線ＩＰＬと間に等価回路として、第２容量Ｃｓ２が接続される。

駆動トランジスタＤＲＴのソース電極は、アノード電極ＡＤを介して発光素子ＬＥＤのアノード端子ＥＬＥＤ１に接続され、ドレイン電極は、出力トランジスタＢＣＴのソース電極に接続される。駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極は、第１容量Ｃｓ１、画素選択トランジスタＳＳＴのドレイン電極及び初期化トランジスタＩＳＴのドレイン電極に接続される。

出力トランジスタＢＣＴのゲート電極は、出力制御信号線ＭＳＬに接続される。出力制御信号線ＭＳＬには、出力制御信号ＢＧが供給される。出力トランジスタＢＣＴのドレイン電極は、アノード電源線ＩＰＬに接続される。

初期化トランジスタＩＳＴのソース電極は、初期化電源線ＩＮＬに接続される。初期化電源線ＩＮＬには、初期化電位Ｖｉｎｉが供給される。初期化トランジスタＩＳＴのゲート電極は、初期化制御信号線ＩＳＬに接続される。初期化制御信号線ＩＳＬには、初期化制御信号ＩＧが供給される。すなわち、駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極には、初期化トランジスタＩＳＴを介して初期化電源線ＩＮＬが接続される。

画素選択トランジスタＳＳＴのソース電極は、映像信号線ＳＬに接続される。映像信号線ＳＬには、映像信号Ｖｓｉｇが供給される。画素選択トランジスタＳＳＴのゲート電極には、画素制御信号線ＳＳＬが接続されている。画素制御信号線ＳＳＬには、画素制御信号ＳＧが供給される。

リセットトランジスタＲＳＴのソース電極は、リセット電源線ＲＬに接続される。リセット電源線ＲＬには、リセット電源電位Ｖｒｓｔが供給される。リセットトランジスタＲＳＴのゲート電極には、リセット制御信号線ＲＳＬが接続される。リセット制御信号線ＲＳＬには、リセット制御信号ＲＧが供給される。リセットトランジスタＲＳＴのドレイン電極は、発光素子ＬＥＤのアノード端子ＥＬＥＤ１及び駆動トランジスタＤＲＴのソース電極に接続される。

リセットトランジスタＲＳＴのドレイン電極と、駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極との間に、等価回路として、第１容量Ｃｓ１が設けられる。画素回路ＰＩＣＡは、第１容量Ｃｓ１及び第２容量Ｃｓ２により、駆動トランジスタＤＲＴの寄生容量とリーク電流とによるゲート電圧の変動を抑制することができる。

駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極には、映像信号Ｖｓｉｇ（または、階調信号）に応じた電位が供給される。つまり、駆動トランジスタＤＲＴは、出力トランジスタＢＣＴを介して供給されたアノード電源電位ＰＶＤＤに基づいて、映像信号Ｖｓｉｇに応じた電流を発光素子ＬＥＤに供給する。このように、アノード電源線ＩＰＬに供給されたアノード電源電位ＰＶＤＤは、駆動トランジスタＤＲＴ及び出力トランジスタＢＣＴによって降下するため、発光素子ＬＥＤのアノード端子ＥＬＥＤ１には、アノード電源電位ＰＶＤＤよりも低い電位が供給される。

第２容量Ｃｓ２の一方の電極には、アノード電源線ＩＰＬを介してアノード電源電位ＰＶＤＤが供給され、第２容量Ｃｓ２の他方の電極には、アノード電源電位ＰＶＤＤよりも低い電位が供給される。つまり、第２容量Ｃｓ２の一方の電極には、第２容量Ｃｓ２の他方の電極よりも高い電位が供給される。第２容量Ｃｓ２の一方の電極は、例えば、アノード電源線ＩＰＬであり、第２容量Ｃｓ２の他方の電極は、駆動トランジスタＤＲＴのアノード電極ＡＤ及びこれに接続されたアノード接続電極である。

表示装置ＤＳＰにおいて、周辺回路ＧＣ（図１参照）は、複数の画素行を、先頭行（例えば、図１中の表示領域ＤＡにおいて、最上部に位置する画素行）から順番に選択する。駆動ＩＣは、選択された画素行の画素Ｐｘに映像信号Ｖｓｉｇ（映像書き込み電位）を書き込み、発光素子ＬＥＤを発光させる。駆動ＩＣは、１水平走査期間ごとに、映像信号線ＳＬに映像信号Ｖｓｉｇを供給し、リセット電源線ＲＬにリセット電源電位Ｖｒｓｔを供給し、初期化電源線ＩＮＬに初期化電位Ｖｉｎｉを供給する。表示装置ＤＳＰは、これらの動作が１フレームの画像ごとに繰り返される。

なお、上述した図３に示す画素回路ＰＩＣＡの構成は適宜変更することができる。例えば１つの画素Ｐｘでの配線の数及びトランジスタの数は異なっていてもよい。また、画素回路ＰＩＣＡはカレントミラー回路等であってもよい。

次に、図４から図６を参照しつつ、発光素子ＬＥＤ、蛍光体層ＲＦ及び反射層（第１反射層ＲＦＬ１及び第２反射層ＲＦＬ２）の具体的な構成例について説明する。図４は、図２におけるＩＶ－ＩＶ’断面図である。図４は、第１画素ＰｘＲの断面構造を示す。

図４に示すように、表示装置ＤＳＰは、アレイ基板ＳＵＡと、対向基板ＳＵＢとを有する。アレイ基板ＳＵＡにおいて、第１基板ＳＵ１の一方の面に、遮光層ＬＳ、アンダーコート層ＵＣ、半導体層ＰＳ、ゲート絶縁膜ＧＺＬ、走査配線ＧＬ、層間絶縁膜ＬＺＬ、アノード電源線ＩＰＬ及び台座ＢＳ、第１平坦化層ＬＬ１、共通電極ＣＥ、容量窒化膜ＬＳＮ、画素電極ＰＥ、アノード電極ＡＤ及び壁状構造ＷＬ、接続層ＣＬ、第２青色発光素子ＢＬＥＤ２及び第２平坦化層ＬＬ２、カソード電極ＣＤの順に設けられている。なお、第１基板ＳＵ１の一方の面は、第２基板ＳＵ２と対向する面である。

対向基板ＳＵＢにおいて、第２基板ＳＵ２の一方の面に、赤色カラーフィルタＲＣＦ、蛍光体層ＲＦ、第２反射層ＲＦＬ２及び充填層ＦＩＬの順に設けられている。なお、第２基板ＳＵ２の一方の面は、第１基板ＳＵ１と対向する面である。第２基板ＳＵ２の他方の面に、円偏光板ＣＰＬが設けられている。アレイ基板ＳＵＡと、対向基板ＳＵＢとは、蛍光体層ＲＦが第２青色発光素子ＢＬＥＤ２の上面を覆うように対向して貼り合わされる。充填層ＦＩＬは、アレイ基板ＳＵＡと、対向基板ＳＵＢとが組み合わされたときに、壁状構造ＷＬと第２反射層ＲＦＬ２との隙間を埋めるように形成される。

本明細書において、第１基板ＳＵ１の表面に垂直な方向において、第１基板ＳＵ１から第２基板ＳＵ２に向かう方向を「上側」とする。また、第２基板ＳＵ２から第１基板ＳＵ１に向かう方向を「下側」とする。

第２青色発光素子ＢＬＥＤ２は、第１基板ＳＵ１の上に設けられる。第１基板ＳＵ１は絶縁基板であり、例えば、ガラス基板、樹脂基板又は樹脂フィルム等が用いられる。第１基板ＳＵ１は、例えば、厚さ１００μｍのホウケイ酸ガラスを用いることができる。

駆動トランジスタＤＴＲは、第１基板ＳＵ１の一方の面側に設けられる。図４では、画素回路ＰＩＣＡの複数のトランジスタのうち、駆動トランジスタＤＴＲを示す。出力トランジスタＢＣＴ、初期化トランジスタＩＳＴ、画素選択トランジスタＳＳＴ及びリセットトランジスタＲＳＴも第１基板ＳＵ１の一方の面側に設けられる。出力トランジスタＢＣＴ、初期化トランジスタＩＳＴ、画素選択トランジスタＳＳＴ及びリセットトランジスタＲＳＴの積層構造は、駆動トランジスタＤＴＲと類似した構成であり、詳細な説明は省略する。

遮光層ＬＳは、層厚５０ｎｍ程度のモリブデンタングステン（ＭｏＷ）合金膜である。遮光層ＬＳは、第１基板ＳＵ１よりも光の透過率が小さい材料で形成され、半導体層ＰＳの下に設けられる。アンダーコート層ＵＣは、窒化珪素（ＳｉＮ）層と酸化珪素（ＳｉＯ_２）層の積層体で、層厚はそれぞれ１００ｎｍ、１５０ｎｍ程度である。半導体層ＰＳは、例えばポリシリコンであり、アモルファスシリコン層をレーザアニール法で多結晶化したものである。半導体層ＰＳの層厚は、例えば５０ｎｍ程度である。

ゲート絶縁膜ＧＺＬは、層厚１００ｎｍ程度の酸化珪素層である。走査配線ＧＬは、層厚３００ｎｍ程度のモリブデンタングステン合金膜である。走査配線ＧＬは、画素選択トランジスタＳＳＴのドレイン線と、初期化トランジスタＩＳＴのドレイン線とが合流した配線である。第１基板ＳＵ１の法線方向において、半導体層ＰＳと走査配線ＧＬとの間にゲート絶縁膜ＧＺＬが設けられる。層間絶縁膜ＬＺＬは、酸化珪素層と窒化珪素層の積層体であり、層厚はそれぞれ３５０ｎｍ、３７５ｎｍ程度である。

アノード電源線ＩＰＬ及び台座ＢＳは、同層に設けられ、それぞれ、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）の３層積層膜である。各層の層厚は、それぞれ、１００ｎｍ、４００ｎｍ、２００ｎｍ程度である。アノード電源線ＩＰＬのうち、半導体層ＰＳと重なる部分が駆動トランジスタＤＴＲのドレイン電極ＤＥとして機能する。台座ＢＳのうち、半導体層ＰＳと重なる部分が駆動トランジスタＤＴＲのソース電極ＳＥとして機能する。ドレイン電極ＤＥ及びソース電極ＳＥは、それぞれ、層間絶縁膜ＬＺＬ及びゲート絶縁膜ＧＺＬに設けられたコンタクトホールを介して半導体層ＰＳと接続される。

第１平坦化層ＬＬ１及び第２平坦化層ＬＬ２は、有機絶縁膜であり、層厚はそれぞれ２μｍ、１０μｍ程度である。共通電極ＣＥ、画素電極ＰＥ及びカソード電極ＣＤは、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ、Indium Tin Oxide）であり、層厚は、それぞれ５０ｎｍ、５０ｎｍ、１００ｎｍ程度である。容量窒化膜ＬＳＮは、低温成膜した窒化珪素層であり、層厚は１２０ｎｍ程度である。容量窒化膜ＬＳＮは、第１基板ＳＵ１の法線方向において、共通電極ＣＥと画素電極ＰＥとの間に設けられる。

壁状構造ＷＬは、発光素子ＬＥＤの側面と対向して設けられている。壁状構造ＷＬは、発光素子ＬＥＤの周囲を囲むように容量窒化膜ＬＳＮの上に設けられる。壁状構造ＷＬと容量窒化膜ＬＳＮとで形成される凹部内に画素電極ＰＥ、アノード電極ＡＤ、接続層ＣＬ、発光素子ＬＥＤ及び第２平坦化層ＬＬ２が設けられる。壁状構造ＷＬの材料として、例えば、ノボラック樹脂と感光材のナフトキノンから構成されるポジ型ホトレジストや、アクリル樹脂から成るネガ型レジスト等を用いることができる。あるいはまた、ネガ型レジスト形成後にその側面をポジ型ホトレジストで被覆して形成してもよい。

アノード電極ＡＤは、ＩＴＯ、銀（Ａｇ）、ＩＴＯの積層体である。アノード電極ＡＤは、画素電極ＰＥの上に設けられ、第１平坦化層ＬＬ１に設けられたコンタクトホールＣＨを介して台座ＢＳに接続される。アノード電極ＡＤは、アノード電極底部ＡＤａとアノード電極傾斜部ＡＤｂとを含む。アノード電極底部ＡＤａは容量窒化膜ＬＳＮの上に設けられ、第２青色発光素子ＢＬＥＤ２と重なる領域及び第２青色発光素子ＢＬＥＤ２と重ならない領域に亘って設けられる。アノード電極傾斜部ＡＤｂは、アノード電極底部ＡＤａの端部と接続され、壁状構造ＷＬの内壁面に沿って傾斜して設けられる。アノード電極傾斜部ＡＤｂは、第２平坦化層ＬＬ２を挟んで第２青色発光素子ＢＬＥＤ２の側面と対向する。アノード電極ＡＤは、光を反射する金属材料が用いられており、第２青色発光素子ＢＬＥＤ２からの光を反射する第１反射層ＲＦＬ１としても機能する。

接続層ＣＬは、銀ペーストにより形成され、第１基板ＳＵ１と発光素子ＬＥＤとの間において、アノード電極ＡＤの上に設けられる。第２青色発光素子ＢＬＥＤ２は、接続層ＣＬの上に設けられ、接続層ＣＬと電気的に接続される。つまり第２青色発光素子ＢＬＥＤ２は、接続層ＣＬを介してアノード電極ＡＤと電気的に接続される。

第２平坦化層ＬＬ２は、第２青色発光素子ＢＬＥＤ２の側面を覆って、壁状構造ＷＬ及びアノード電極ＡＤで形成される凹部内に設けられる。つまり、第２平坦化層ＬＬ２は、第２青色発光素子ＢＬＥＤ２の側面を覆って、第２青色発光素子ＢＬＥＤ２とアノード電極ＡＤ（第１反射層ＲＦＬ１）との間に設けられる。第２平坦化層ＬＬ２の上面の位置は、壁状構造ＷＬの上面と一致する。

対向基板ＳＵＢにおいて、第２基板ＳＵ２は、第１基板ＳＵ１と同様に、例えば、厚さ１００μｍのホウケイ酸ガラスを用いることができる。

赤色カラーフィルタＲＣＦは、蛍光体層ＲＦの上、すなわち、第１基板ＳＵ１の法線方向において、蛍光体層ＲＦと対向基板ＳＵＢとの間に設けられる。赤色カラーフィルタＲＣＦは、赤色顔料を混合したネガ型レジストをパターニングして形成される。赤色カラーフィルタＲＣＦの層厚は、例えば２μｍ程度である。赤色カラーフィルタＲＣＦは、第２青色発光素子ＢＬＥＤ２から出射された青色の波長成分の光を吸収して、第２基板ＳＵ２側に出射される光の色純度を向上させることができる。また、赤色カラーフィルタＲＣＦは、緑色及び青色の光を吸収するので、蛍光体ＲＦが外光によって発光することを抑制できる。

蛍光体層ＲＦは、赤色カラーフィルタＲＣＦと重なって設けられる。蛍光体層ＲＦ及び赤色カラーフィルタＲＣＦの側面は、基板の法線方向（第３方向Ｄｚ）に対して傾斜している。蛍光体層ＲＦの下面の面積は、赤色カラーフィルタＲＣＦの上面の面積よりも小さい。蛍光体層ＲＦは、赤色発光の量子ドットを混合したネガ型レジストをパターニングして形成される。蛍光体層ＲＦの層厚は、例えば３０μｍ程度である。

量子ドットは、カドミウムセレン（ＣｄＳｅ）のコア構造と、これを取り巻く硫化亜鉛（ＺｎＳ）のシェル構造で構成される。量子ドットの粒子径は、波長６３０ｎｍに蛍光の極大波長を示すように調整されており、吸収スペクトルは連続的で、第２青色発光素子ＢＬＥＤ２の極大発光波長においても十分な吸収を示す。また、シェル構造の表面にはネガ型レジストとの相溶性を向上するための有機分子鎖を有する。なお、これに限定されず、非カドミウム系の量子ドットも適用可能である。非カドミウム系の量子ドットとして、燐化インジウム（ＩｎＰ）のコア構造と、硫化亜鉛（ＺｎＳ）のシェル構造で構成されるものが挙げられる。

第２反射層ＲＦＬ２は、金属材料、例えばアルミニウム（Ａｌ）が用いられる。第２反射層ＲＦＬ２の層厚は、例えば１００ｎｍ程度である。第２反射層ＲＦＬ２は、蛍光体層ＲＦ及び赤色カラーフィルタＲＣＦの側面に亘って設けられる。

充填層ＦＩＬは、有機絶縁膜であり、第２反射層ＲＦＬ２、蛍光体層ＲＦ及び赤色カラーフィルタＲＣＦの周囲に設けられる。

アレイ基板ＳＵＡと、対向基板ＳＵＢとは、第２平坦化層ＬＬ２と蛍光体層ＲＦとが重なるように、また、壁状構造ＷＬと充填層ＦＩＬとが重なるように貼り合わされる。これにより、蛍光体層ＲＦが第２青色発光素子ＢＬＥＤ２及び第２平坦化層ＬＬ２の上面を覆って設けられる。

また、第２反射層ＲＦＬ２は、蛍光体層ＲＦの側面に設けられ、第１基板ＳＵ１の法線方向において、第１反射層ＲＦＬ１（アノード電極ＡＤ）よりも第１基板ＳＵ１から離れて配置される。アノード電極傾斜部ＡＤｂ及び第２反射層ＲＦＬ２は、第１基板ＳＵ１の法線方向に対して傾斜する。第２反射層ＲＦＬ２の下端と、アノード電極傾斜部ＡＤｂの上端との間には、絶縁層として第２平坦化層ＬＬ２が設けられる。第２反射層ＲＦＬ２の下端側の開口部分は、アノード電極ＡＤの上端側の開口部分と、平面視で重なる。断面形状において、第２反射層ＲＦＬ２は、アノード電極ＡＤのアノード電極傾斜部ＡＤｂと同一直線上に配置される。ただし、これに限定されず、第２反射層ＲＦＬ２は、アノード電極ＡＤのアノード電極傾斜部ＡＤｂとずれた位置に設けられていてもよい。例えば、第２反射層ＲＦＬ２の下端側の開口部分は、アノード電極ＡＤの上端側の開口部分よりも大きい面積を有していてもよい。

なお、各層の材料及び層厚はあくまで一例であり、適宜変更することができる。例えば、半導体層ＰＳは、ポリシリコンに限定されず、アモルファスシリコン、微結晶酸化物半導体、アモルファス酸化物半導体、低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ：Low Temperature Polycrystalline Silicone）又は窒化ガリウム（ＧａＮ）であってもよい。酸化物半導体としては、ＩＧＺＯ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ＩＴＺＯが例示される。ＩＧＺＯは、インジウムガリウム亜鉛酸化物である。ＩＴＺＯは、インジウムスズ亜鉛酸化物である。また、図４に示す例では、駆動トランジスタＤＴＲは、いわゆるトップゲート構造である。ただし、駆動トランジスタＤＴＲは、半導体層ＰＳの下側にゲート電極が設けられたボトムゲート構造でもよく、半導体層ＰＳの上側及び下側の両方にゲート電極が設けられたデュアルゲート構造でもよい。

次に、発光素子ＬＥＤの構成について説明する。図５は、図４の発光素子を拡大して示す断面図である。なお、図５では、第２青色発光素子ＢＬＥＤ２の断面構造を示しているが、第１青色発光素子ＢＬＥＤ１及び緑色発光素子ＧＬＥＤも同様の積層構造である。図５に示すように、第２青色発光素子ＢＬＥＤ２は、発光素子基板ＳＵＬＥＤ、ｎ型クラッド層ＮＣ、発光層ＥＭ、ｐ型クラッド層ＰＣ、アノード端子ＥＬＥＤ１及びカソード端子ＥＬＥＤ２を有する。発光素子基板ＳＵＬＥＤの上に、ｎ型クラッド層ＮＣ、発光層ＥＭ、ｐ型クラッド層ＰＣ及びカソード端子ＥＬＥＤ２の順に積層される。アノード端子ＥＬＥＤ１は、発光素子基板ＳＵＬＥＤと接続層ＣＬとの間に設けられる。

青色の光を出射する第１青色発光素子ＢＬＥＤ１及び第２青色発光素子ＢＬＥＤ２において、発光層ＥＭは、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）であり、インジウムとガリウムの組成比は、例えば０．２：０．８である。ｐ型クラッド層ＰＣとｎ型クラッド層ＮＣは、窒化ガリウム（ＧａＮ）である。発光素子基板ＳＵＬＥＤは、炭化珪素（ＳｉＣ）である。

緑色の光を出射する緑色発光素子ＧＬＥＤにおいて、発光層ＥＭは、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）であり、インジウムとガリウムの組成比は、例えば０．４５：０．５５である。ｐ型クラッド層ＰＣとｎ型クラッド層ＮＣは、窒化ガリウム（ＧａＮ）である。発光素子基板ＳＵＬＥＤは、炭化珪素（ＳｉＣ）である。

第１青色発光素子ＢＬＥＤ１、第２青色発光素子ＢＬＥＤ２及び緑色発光素子ＧＬＥＤのアノード端子ＥＬＥＤ１及びカソード端子ＥＬＥＤ２は、いずれもアルミニウムである。

緑色発光素子ＧＬＥＤの極大発光波長は、５３０ｎｍである。第１青色発光素子ＢＬＥＤ１及び第２青色発光素子ＢＬＥＤ２の極大発光波長は、４５０ｎｍである。

各発光素子ＬＥＤの製造工程において、製造装置は、発光素子基板ＳＵＬＥＤの上に、ｎ型クラッド層ＮＣ、発光層ＥＭ、ｐ型クラッド層ＰＣ及びカソード端子ＥＬＥＤ２を成膜する。その後、製造装置は、発光素子基板ＳＵＬＥＤを薄膜化して、発光素子基板ＳＵＬＥＤの底面にアノード端子ＥＬＥＤ１を形成する。そして、製造装置は、方形に切断加工した発光素子ＬＥＤを接続層ＣＬの上に配置した。

接続層ＣＬに銀ペーストを用いることで、発光素子ＬＥＤを配置する際に、接続層ＣＬは、圧力に応じて変形しつつ、発光素子ＬＥＤと密着して導通する。又は、接続層ＣＬに、アノード端子ＥＬＥＤ１と同じ金属材料、例えばアルミニウムを用いてもよい。この場合、接続層ＣＬの上に発光素子ＬＥＤを配置した後に加熱処理を施すことで、アノード端子ＥＬＥＤ１と接続層ＣＬとが一体化される。これにより、接続層ＣＬは、発光素子ＬＥＤと良好に導通する。また、カソード電極ＣＤは、発光素子ＬＥＤの上面に設けられ、発光素子ＬＥＤと蛍光体ＲＦとの間に配置される。

図６は、カソード電極とカソード接続線との接続を説明するための平面図である。カソード電極ＣＤは、複数の発光素子ＬＥＤ（第１青色発光素子ＢＬＥＤ１、第２青色発光素子ＢＬＥＤ２及び緑色発光素子ＧＬＥＤ）のそれぞれに個別に設けられている。カソード電極ＣＤは、カソード接続線ＣＤＣＬに電気的に接続される。カソード電極ＣＤは、カソード接続線ＣＤＣＬを介して他の発光素子ＬＥＤに設けられたカソード電極ＣＤと電気的に接続される。これにより、複数の発光素子ＬＥＤに共通のカソード電源電位ＰＶＳＳが供給される。

カソード接続線ＣＤＣＬは、アノード電極ＡＤと同層に、すなわち、容量窒化膜ＬＳＮの上に設けられる。ただし、カソード接続線ＣＤＣＬは、アノード電極ＡＤと異なる層であってもよい。

次に、図４及び図７から図９を参照しつつ、第２青色発光素子ＢＬＥＤ２から出射された光の光路及び波長変換について説明する。

図４では、第２青色発光素子ＢＬＥＤ２から出射される光のうち、上側に出射される光Ｌａと側方に出射される光Ｌｂ、Ｌｃについて示す。光Ｌａは、第２青色発光素子ＢＬＥＤ２の上面からカソード電極ＣＤを通って蛍光体層ＲＦに入射する。また、光Ｌｂは、第２青色発光素子ＢＬＥＤ２の側面から出射され、第２平坦化層ＬＬ２を通ってアノード電極傾斜部ＡＤｂに入射する。アノード電極傾斜部ＡＤｂが傾斜して設けられているので、アノード電極傾斜部ＡＤｂで反射された光Ｌｂは、蛍光体層ＲＦに入射する。光Ｌｃは、光Ｌｂよりも下側（第１基板ＳＵ１側）に向けて出射される。光Ｌｃは、第２平坦化層ＬＬ２を通ってアノード電極底部ＡＤａに入射する。アノード電極底部ＡＤａで反射された光Ｌｃは、蛍光体層ＲＦに入射する。

このように、アノード電極ＡＤ（第１反射層ＲＦＬ１）により、第２青色発光素子ＢＬＥＤ２から側方に出射された光Ｌｂ、Ｌｃは、蛍光体層ＲＦに入射する。また、光Ｌａは、アノード電極ＡＤで反射せずに蛍光体層ＲＦに入射する。なお、アノード電極傾斜部ＡＤｂと、第２反射層ＲＦＬ２との隙間に入射した光Ｌａ、Ｌｂ、Ｌｃは漏れ光となる。ただし、漏れ光の量は全体から見てわずかであり、光Ｌａ、Ｌｂ、Ｌｃのほとんどが蛍光体層ＲＦに入射する。

蛍光体層ＲＦは、光Ｌａ、Ｌｂ、Ｌｃが入射することで赤色の光を発光する。蛍光体層ＲＦは等方的に発光する。図４では、蛍光体層ＲＦで発生した光のうち、蛍光Ｌｄ、Ｌｅ、Ｌｆを示している。上側に向けて発光する蛍光Ｌｄは、第２反射層ＲＦＬ２に入射せず、カラーフィルタＲＣＦを介して第２基板ＳＵ２側に出射する。側方に向けて発光する蛍光Ｌｅは、第２反射層ＲＦＬ２に入射する。第２反射層ＲＦＬ２が傾斜して設けられているので、第２反射層ＲＦＬ２で反射された蛍光Ｌｅは、カラーフィルタＲＣＦを介して第２基板ＳＵ２側に出射する。下側に向けて発光する蛍光Ｌｆは、アノード電極ＡＤに入射する。アノード電極ＡＤで反射された蛍光Ｌｆは、再度蛍光体層ＲＦを通って第２基板ＳＵ２側に出射する。

このように、蛍光体層ＲＦの側面と対向して第２反射層ＲＦＬ２が設けられ、また、蛍光体層ＲＦの下側にもアノード電極ＡＤが設けられている。第２反射層ＲＦＬ２は、蛍光体層ＲＦの上面よりも上側に延びており、アノード電極ＡＤは、蛍光体層ＲＦの下面よりも下側に延びる。このため、蛍光体層ＲＦの側面にのみ反射層を設けた場合に比べ、光Ｌａ、Ｌｂ、Ｌｃ及び蛍光Ｌｄ、Ｌｅ、Ｌｆの反射回数を多くすることができる。蛍光Ｌｄ、Ｌｅ、Ｌｆは、アノード電極ＡＤ及び第２反射層ＲＦＬ２で複数回繰り返し反射して、進行方向が変更される。すなわち、蛍光体層ＲＦで等方的に発光した蛍光Ｌｄ、Ｌｅ、Ｌｆの進行方向がアノード電極ＡＤ及び第２反射層ＲＦＬ２により第１基板ＳＵ１の法線方向に近い方向に変換される。そして、蛍光Ｌｄ、Ｌｅ、Ｌｆは、第２基板ＳＵ２側に出射する。これにより、表示装置ＤＳＰは、光取出し効率を向上させることができる。

図７は、アノード電極で反射された光の進行方向を説明するための説明図である。図８は、アノード電極で反射された光の進行方向の他の例を説明するための説明図である。図９は、蛍光分布角度と蛍光強度との関係を示すグラフである。図７及び図８では、アノード電極ＡＤでの反射を説明しているが、図７及び図８の説明は、第２反射層ＲＦＬ２についても適用できる。

図７は、アノード電極ＡＤと第３方向Ｄｚとの成す角度がθａであり、図８では、アノード電極ＡＤと第３方向Ｄｚとの成す角度がθｂである。角度θｂは、角度θａよりも小さい。図７において、光Ｌｂの進行方向は、角度２θａの範囲、すなわち、第３方向Ｄｚを中心とした±θａの範囲内に分布する。同様に、図８において、光Ｌｂの進行方向は、角度２θｂの範囲内に分布する。

図７に示すように、光Ｌｂが左下方向に出射した場合であっても、アノード電極ＡＤで２回の反射を繰り返すことで、進行方向が上側に変更され、光Ｌｂは、蛍光体層ＲＦ（図４参照）側に向けて出射される。一方、図８では、光Ｌｂは、アノード電極ＡＤで１１回の反射を繰り返すことで、進行方向が上側に変更され、光Ｌｂは、蛍光体層ＲＦ（図４参照）側に向けて出射される。

アノード電極ＡＤと第３方向Ｄｚとの成す角度をθとすると、光Ｌｂの進行方向は、アノード電極ＡＤで反射されるたびに、第３方向Ｄｚに２θだけ近づく。すなわち、第３方向Ｄｚに対して、角度０°から角度θの範囲で進む光Ｌｂは、一度も反射せずに蛍光体層ＲＦ側に向けて出射される。第３方向Ｄｚに対して、角度θ以上角度３θよりも小さい角度範囲で進む光Ｌｂは、１回の反射で蛍光体層ＲＦ側に向けて出射される。第３方向Ｄｚに対して、角度３θ以上角度５θよりも小さい角度範囲で進む光Ｌｂは、２回の反射で蛍光体層ＲＦ側に向けて出射される。角度５θ以上の光も同様に、反射回数を増やすことで蛍光体層ＲＦ側に向けて出射される。

第２反射層ＲＦＬ２についても同様に、蛍光体層ＲＦで発光した蛍光Ｌｄ、Ｌｅ、Ｌｆは、第２反射層ＲＦＬ２で複数回反射を繰り返すことで、第２基板ＳＵ２側に向けて出射される。

光Ｌａ、Ｌｂ、Ｌｃ及び蛍光Ｌｄ、Ｌｅ、Ｌｆは、アノード電極ＡＤ及び第２反射層ＲＦＬ２で反射するたびに減衰する。図９は、アノード電極ＡＤ及び第２反射層ＲＦＬ２が十分に長い場合において、アノード電極ＡＤ及び第２反射層ＲＦＬ２で多重反射した後の蛍光強度と蛍光分布角度との関係を示している。なお、蛍光分布角度とは、上述した角度２θである。

アノード電極ＡＤ及び第２反射層ＲＦＬ２での反射率が１００％の場合、蛍光強度は１となる。アノード電極ＡＤ及び第２反射層ＲＦＬ２としてアルミニウムを用いた場合、反射率は８５％である。アノード電極ＡＤ及び第２反射層ＲＦＬ２として銀を用いた場合、反射率９０％である。

ここで、空気界面における全反射角をθ_ＴＲとする。アノード電極ＡＤ及び第２反射層ＲＦＬ２と第３方向Ｄｚとの成す角度θを、θ_ＴＲ以上とすると、全ての光が上側に向けて出射される。空気界面での発光素子ＬＥＤの屈折率をｎ_ＬＥＤとすると、全反射角θ_ＴＲは、下記の式（１）となる。
θ_ＴＲ＝ａｒｃｓｉｎ（１／ｎ_ＬＥＤ） ・・・ （１）

式（１）から、ｎ_ＬＥＤ＝２．４の場合、θ_ＴＲ＝２５°となる。これにより、本実施形態では、アノード電極ＡＤ及び第２反射層ＲＦＬ２と第３方向Ｄｚとの成す角度θを２５°とした。すなわち、蛍光分布角度２θは５０°である。この場合、アノード電極ＡＤ及び第２反射層ＲＦＬ２での光の反射回数は、０回から３回となるので、蛍光強度の低下が抑制される。図９に示すように、アノード電極ＡＤ及び第２反射層ＲＦＬ２の反射率が、８５％、９０％の場合、蛍光強度はそれぞれ７５％、８３％となる。

また、角度θを全反射角θ_ＴＲよりも小さくすることで、蛍光体層ＲＦから出射される光の進行方向が第３方向Ｄｚに近づく。すなわち、表示装置ＤＳＰは、第１基板ＳＵ１の法線方向における光の強度を高めることができる。

図１０は、図２におけるＸ－Ｘ’断面図である。図１０は、第３画素ＰｘＢの断面構造を示している。なお、図１０は、第３画素ＰｘＢの断面構造を示しているが、図１０の説明は、第２画素ＰｘＧにも適用できる。図１０に示すように、第３画素ＰｘＢは、図４に示す第１画素ＰｘＲと異なり、第１青色発光素子ＢＬＥＤ１及び第２平坦化層ＬＬ２の上に光散乱層ＬＳＬが設けられている。光散乱層ＬＳＬは、第２基板ＳＵ２の一方の面に設けられ、第２反射層ＲＦＬ２は、光散乱層ＬＳＬの側面に設けられている。すなわち、第３画素ＰｘＢは、図４に示すカラーフィルタ層ＣＦ及び蛍光体層ＲＦを有さない。

光散乱層ＬＳＬは、高屈折率の微粒子を含むネガ型レジストをパターニングして形成される。第３画素ＰｘＢにおいて、第１青色発光素子ＢＬＥＤ１から出射された光Ｌｂ、Ｌｃは、第２平坦化層ＬＬ２を通ってアノード電極ＡＤで反射されて光散乱層ＬＳＬに入射する。光散乱層ＬＳＬで散乱された光Ｌｄ’、Ｌｅ’、Ｌｆ’は、アノード電極ＡＤ及び第２反射層ＲＦＬ２で複数回反射され第２基板ＳＵ２側に出射される。又は、散乱された光Ｌｄ’、Ｌｅ’、Ｌｆ’の一部は、アノード電極ＡＤ及び第２反射層ＲＦＬ２で反射されず第２基板ＳＵ２側に出射される。

第３画素ＰｘＢのアノード電極ＡＤ及び第２反射層ＲＦＬ２の角度θは、第１画素ＰｘＲのアノード電極ＡＤ及び第２反射層ＲＦＬ２の角度θと等しくすることができる。これにより、光散乱層ＬＳＬで散乱された光Ｌｄ’、Ｌｅ’、Ｌｆ’の進行方向は、角度２θの範囲内に分布する。光散乱層ＬＳＬ、アノード電極ＡＤ及び第２反射層ＲＦＬ２により、第３画素ＰｘＢの発光分布角度を、第１画素ＰｘＲの蛍光分布角度と同等にすることができる。したがって、表示装置ＤＳＰは、視角によらず一定の色相が得られる。

（第１実施形態の第１変形例）
図１１は、第１実施形態の第１変形例に係る表示装置の複数の画素を示す平面図である。なお、以下の説明において、上述した実施形態で説明した構成要素については、同じ符号を付して、説明を省略する。

図１１に示すように、第１変形例において、第１画素ＰｘＲの発光素子として緑色発光素子ＧＬＥＤを用いている。この場合、蛍光体層ＲＦとして、有機低分子材料であるＤＣＭ（４－(ジシアノメチレン)－２－メチル－６－(４－ジメチルアミノスチリル)－４Ｈ-ピラン）を用いた。ＤＣＭの吸収スペクトルは、緑色に相当する波長付近に極大を有する。このため、蛍光体層ＲＦは、緑色発光素子ＧＬＥＤからの光を吸収して、赤色の光を発光できる。また、蛍光体層ＲＦに用いる有機低分子材料は、上記のＤＣＭに代えて、ＤＣＭ２（4-(ジシアノメチレン)-2-[2-(ジュロリジン-9-イル)ビニル]-6-メチル-4H-ピラン）や、ＤＣＪＴＢ（2-tert-ブチル-4-(ジシアノメチレン)-6-[2-(1,1,7,7テトラメチルジュロリジン-9-イル)ビニル]-4H-ピラン）を用いても良い。なお、第１画素ＰｘＲの断面構造は、図４と同様である。また、第２画素ＰｘＧ及び第３画素ＰｘＢの構成は、図１０と同様である。

有機低分子材料であるＤＣＭにおいても、量子ドットと同様にネガ型レジスト中に単分子で分散される。このため、光散乱を生じず、再吸収による効率低下や残光を生じないという利点がある。また、有機低分子材料は量子ドットに比べて安価であり、表示装置ＤＳＰの製造コストを低減できる。

（第１実施形態の第２変形例）
図１２は、第１実施形態の第２変形例に係る表示装置の複数の画素を示す平面図である。図１２に示すように、第２変形例において、第２画素ＰｘＧは、第３青色発光素子ＢＬＥＤ３、蛍光体層ＲＦ及び緑色カラーフィルタ（図１２では図示しない）との組み合わせで構成される。第３青色発光素子ＢＬＥＤ３は、青色の光を出射する。第２画素ＰｘＧの蛍光体層ＲＦは、第３青色発光素子ＢＬＥＤ３からの光を緑色に変換する。第２画素ＰｘＧの蛍光体層ＲＦは、緑色の光を発光する量子ドットを含有するネガ型レジストで形成される。これに限定されず、蛍光体層ＲＦは、量子ドットに換えて、Ａｌｑ３等の有機金属錯体を用いることができる。第２画素ＰｘＧの緑色カラーフィルタは、緑色顔料を含むネガ型レジストで形成される。

このような構成により第２画素ＰｘＧは、第３青色発光素子ＢＬＥＤ３からの光を波長変換して、緑色の光を出射する。また、第１画素ＰｘＲは、図４等に示したように、第２青色発光素子ＢＬＥＤ２からの光を波長変換して、赤色の光を出射する。

第２変形例では、第１画素ＰｘＲ、第２画素ＰｘＧ及び第３画素ＰｘＢにおいて、全て青色発光素子ＢＬＥＤが用いられる。このため、各画素Ｐｘで同一の発光素子ＬＥＤが用いられるため、表示装置ＤＳＰの製造工程において、発光素子ＬＥＤの配列工程を簡略化することができる。

第３画素ＰｘＢは、図１０と同様に、第１青色発光素子ＢＬＥＤ１と、光散乱層ＬＳＬとの組み合わせで構成される。ただし、第３画素ＰｘＢにおいても、光散乱層ＬＳＬに換えて、第１青色発光素子ＢＬＥＤ１の上に青色の光を発光する蛍光体層と、青色カラーフィルタ－とを設けてもよい。青色蛍光体層は第１青色発光素子ＢＬＥＤ１から出射された青色の光を吸収して、青色の光を発光する。この際、青色蛍光体層は等方的に発光するので、青色蛍光体層は光散乱層ＬＳＬと同様の効果を有する。また、青色カラーフィルタを設けているため、表示装置ＤＳＰは、外光による光散乱を抑制することができ、コントラスト比の低下を抑制することができる。

（第１実施形態の第３変形例）
図１３は、第１実施形態の第３変形例に係る表示装置を示す断面図である。第１実施形態、第１変形例及び第２変形例の発光素子ＬＥＤは、下部でアノード電極ＡＤと接続され、上部でカソード電極ＣＤと接続される垂直構造であるが、これに限定されない。図１３に示すように、第３変形例において、アノード端子ＥＬＥＤ１及びカソード端子ＥＬＥＤ２は、いずれも第２青色発光素子ＢＬＥＤ２の上面側に設けられている。

カソード端子ＥＬＥＤ２はカソード電極ＣＤと電気的に接続される。アノード端子ＥＬＥＤ１は、アノード接続層ＡＤＣＬを介して接続層ＣＬに電気的に接続される。アノード接続層ＡＤＣＬは、モリブデンタングステン合金を用いることができる。又は、アノード接続層ＡＤＣＬは、モリブデンタングステン合金とアルミニウムの積層膜を用いることができる。

このように、アノード端子ＥＬＥＤ１及びカソード端子ＥＬＥＤ２が同一面側に配置された水平構造の第２青色発光素子ＢＬＥＤ２も適用可能である。また、図１３では、第１画素ＰｘＲの第２青色発光素子ＢＬＥＤ２を示しているが、第２画素ＰｘＧの緑色発光素子ＧＬＥＤ及び第３画素ＰｘＢの第１青色発光素子ＢＬＥＤ１においても、同様の構成とすることができる。

（第１実施形態の第４変形例）
図１４は、第１実施形態の第４変形例に係る表示装置を示す断面図である。図１４に示すように、第４変形例において、アノード電極傾斜部ＡＤｂ及び第２反射層ＲＦＬ２は、第１基板ＳＵ１の法線方向に延びている。この場合であっても、第２青色発光素子ＢＬＥＤ２から側方に出射される光Ｌｂ、Ｌｃ（図４参照）は、アノード電極ＡＤにより蛍光体層ＲＦに出射される。また、蛍光体層ＲＦで発光した蛍光Ｌｄ、Ｌｅ、Ｌｆは、第２反射層ＲＦＬ２で多重反射して、第２基板ＳＵ２側に出射される。このため、表示装置ＤＳＰは、光取出し効率を向上させることができる。

（第２実施形態）
図１５は、第２実施形態に係る表示装置を示す断面図である。図１５に示すように、第２実施形態では、第１実施形態に示した第２平坦化層ＬＬ２に換えて、第２蛍光体層ＲＦ２が設けられている。すなわち、第１画素ＰｘＲにおいて、蛍光体層は、第１蛍光体層ＲＦ１と、第２蛍光体層ＲＦ２とを有する。第１蛍光体層ＲＦ１は、対向基板ＳＵＢに設けられ、第２青色発光素子ＢＬＥＤ２の少なくとも上面を覆って設けられる。第２蛍光体層ＲＦ２は、第２青色発光素子ＢＬＥＤ２の側面を覆って、第１基板ＳＵ１の法線方向において、第１基板ＳＵ１と第１蛍光体層ＲＦ１の間に設けられる。より具体的には、第２蛍光体層ＲＦ２は、壁状構造ＷＬ及びアノード電極ＡＤで形成される凹部内に設けられる。

第２青色発光素子ＢＬＥＤ２の側面から出射される光Ｌｂ、Ｌｃ（図４参照）により、第２青色発光素子ＢＬＥＤ２の側方において、第２蛍光体層ＲＦ２は発光する。第２蛍光体層ＲＦ２で発光する光は等方的である。第２蛍光体層ＲＦ２で発光する光のうち、第１基板ＳＵ１側に向かう光や、第１基板ＳＵ１と平行な方向に向かう光も、アノード電極ＡＤにより反射されて、第１蛍光体層ＲＦ１に入射する。

第２蛍光体層ＲＦ２を設けることにより、光Ｌｂ、Ｌｃが第１蛍光体層ＲＦ１及び第２蛍光体層ＲＦ２を通過する光の経路が長くなる。このため、本実施形態では、第２青色発光素子ＢＬＥＤ２から出射される青色の波長成分の光を吸収できる効果を向上することができる。また、第２蛍光体層ＲＦ２を設けることにより、第１実施形態に比べて、第２青色発光素子ＢＬＥＤ２の上面よりも上側に設けられた部分の第１蛍光体層ＲＦ１の厚さｔａを薄くすることができる。

また、第１実施形態では、第２反射層ＲＦＬ２のみが蛍光体層ＲＦの側面に設けられているが、第２実施形態では、アノード電極ＡＤ及び第２反射層ＲＦＬ２が、第１蛍光体層ＲＦ１及び第２蛍光体層ＲＦ２の側面に接して設けられる。つまり、蛍光体層（第１蛍光体層ＲＦ１及び第２蛍光体層ＲＦ２）に接する反射層の長さが長くなる。このため、表示装置ＤＳＰは、第１蛍光体層ＲＦ１及び第２蛍光体層ＲＦ２で発光した光の進行方向を、蛍光分布角度２θ内に近づくように集約できる。

なお、本実施形態においても、上述した第１変形例から第４変形例の構成を適用することができる。

（第３実施形態）
図１６は、第３実施形態に係る表示装置を示す断面図である。図１６に示すように、第３実施形態では、第１画素ＰｘＲは、アノード電極ＡＤ、第２反射層ＲＦＬ２に加え、第３反射層ＲＦＬ３を有する。第３反射層ＲＦＬ３は、カソード電極ＣＤを覆って第２蛍光体層ＲＦ２の上に設けられている。言い換えると、第３反射層ＲＦＬ３は、第２青色発光素子ＢＬＥＤ２の上面と第１蛍光体層ＲＦ１との間に設けられる。第３反射層ＲＦＬ３は、例えばアルミニウム、銀などの金属材料が用いられる。

第３反射層ＲＦＬ３は、アノード電極ＡＤ及び第２反射層ＲＦＬ２と離隔しており、アノード電極ＡＤの上端及び第２反射層ＲＦＬ２の下端との間に開口部ＯＰが設けられている。第２青色発光素子ＢＬＥＤ２から上側に向けて出射される光Ｌａは、第３反射層ＲＦＬ３により反射されて第２青色発光素子ＢＬＥＤ２の内部に戻る。若しくは、第３反射層ＲＦＬ３により反射された光Ｌａの一部は、第２青色発光素子ＢＬＥＤ２の側面から出射される。そして、第３反射層ＲＦＬ３により反射された光Ｌａは、アノード電極ＡＤで反射されて、開口部ＯＰを通って第１蛍光体層ＲＦに入射する。

第３実施形態では、上述した第１実施形態及び第２実施形態に比べて、上側に向けて出射される光Ｌａの、蛍光体層（第１蛍光体層ＲＦ１及び第２蛍光体層ＲＦ２）の内部を通る経路が長くなる。このため、第１蛍光体層ＲＦ１及び第２蛍光体層ＲＦ２は、効果的に第２青色発光素子ＢＬＥＤ２の光を吸収することができる。また、上述した第２実施形態と同様に、第１蛍光体層ＲＦ１の厚さｔａを薄くすることができる。

なお、第３実施形態では、第２実施形態と同様に、第１蛍光体層ＲＦ１及び第２蛍光体層ＲＦ２が積層された構成を示した。ただし、これに限定されず。第１実施形態と同様に、第２平坦化層ＬＬ２の上に蛍光体層ＲＦが設けられていてもよい。この場合、第３反射層ＲＦＬ３は、カソード電極ＣＤを覆って第２平坦化層ＬＬ２の上に設けられる。また、第３反射層ＲＦＬ３は、反射した光の進行方向を所定の方向、例えばアノード電極傾斜部ＡＤｂ側に向けるように、断面形状において湾曲していてもよい。なお、第３実施形態においても、上述した第１変形例から第４変形例の構成を適用することができる。

（第４実施形態）
図１７は、第４実施形態に係る表示装置を示す断面図である。第４実施形態では、第１画素ＰｘＲは、さらに光取出し層ＬＰＬを有する。なお、図１７及び図１８では、第１画素ＰｘＲを示しているが、第２画素ＰｘＧ及び第３画素ＰｘＢにも光取出し層ＬＰＬを設けてもよい。

光取出し層ＬＰＬは、透光性を有する無機絶縁層であって、第２青色発光素子ＢＬＥＤ２の少なくとも一部及びアノード電極ＡＤを覆って設けられる。具体的には、光取出し層ＬＰＬは、例えば、層厚３００ｎｍ程度の酸化チタン層である。光取出し層ＬＰＬは、第２青色発光素子ＢＬＥＤ２を接続層ＣＬの上に配置し、カソード電極ＣＤを成膜した後、ＣＶＤ法で成膜することができる。

光取出し層ＬＰＬは、第２青色発光素子ＢＬＥＤ２の側面を囲み、さらに、第２青色発光素子ＢＬＥＤ２の周辺にも設けられる。具体的には、光取出し層ＬＰＬは、側部ＬＰＬａと、傾斜部ＬＰＬｂと、延出部ＬＰＬｃと、対向部ＬＰＬｄとを含む。側部ＬＰＬａは、発光素子ＬＥＤの側面を囲んで設けられる。側部ＬＰＬａの上端は、カソード電極ＣＤの下に設けられる。傾斜部ＬＰＬｂは、側部ＬＰＬａの下端と接続され、側部ＬＰＬａと延出部ＬＰＬｃとの間に設けられる。傾斜部ＬＰＬｂは、接続層ＣＬの側面に沿って設けられ、側部ＬＰＬａに対して傾斜する。

延出部ＬＰＬｃは、アノード電極ＡＤのアノード電極底部ＡＤａの上に設けられ、傾斜部ＬＰＬｂの下端と接続される。言い換えると、第１基板ＳＵ１の法線方向において、アノード電極ＡＤは、容量窒化膜ＬＳＮと延出部ＬＰＬｃとの間に設けられる。つまり、延出部ＬＰＬｃは、側部ＬＰＬａの下端側に設けられ、平面視で、側部ＬＰＬａよりも第２青色発光素子ＢＬＥＤ２の外側、すなわち第２青色発光素子ＢＬＥＤ２の側面から離れる方向に延出する。

対向部ＬＰＬｄは、第２青色発光素子ＢＬＥＤ２の側面と対向する。具体的には、対向部ＬＰＬｄは、延出部ＬＰＬｃの端部に接続され、壁状構造ＷＬの内壁面及びアノード電極傾斜部ＡＤｂに沿って傾斜して設けられる。壁状構造ＷＬの内壁面から、アノード電極傾斜部ＡＤｂ、対向部ＬＰＬｄの順に積層される。

光取出し層ＬＰＬは、アノード電極ＡＤと重なる全領域に設けられている。図１７では、アノード電極傾斜部ＡＤｂ及び対向部ＬＰＬｄは同じ高さで形成されているが、これに限定されない。対向部ＬＰＬｄは、アノード電極傾斜部ＡＤｂよりも高く形成され、アノード電極傾斜部ＡＤｂの上端を覆っていてもよい。アノード電極傾斜部ＡＤｂ及び対向部ＬＰＬｄの高さは、壁状構造ＷＬの高さよりも低い。すなわち、アノード電極傾斜部ＡＤｂの上端及び対向部ＬＰＬｄの上端は、第２反射層ＲＦＬ２の下端と離隔している。

第２平坦化層ＬＬ２は、第２青色発光素子ＢＬＥＤ２の側面、側部ＬＰＬａ、傾斜部ＬＰＬｂ、延出部ＬＰＬｃ及び対向部ＬＰＬｄを覆って設けられる。なお、光取出し層ＬＰＬは図１７に示す構成に限定されず、適宜変更してもよい。例えば、対向部ＬＰＬｄが設けられていない場合であってもよい。又は、第２青色発光素子ＢＬＥＤ２の上面にも光取出し層ＬＰＬが設けられていてもよい。

図１８は、発光素子からの光が、光取出し層を伝播する様子を説明するための説明図である。第２青色発光素子ＢＬＥＤ２から、これに近接する層への光Ｌｃの入射のし易さは、全反射角θｒで表される。全反射角θｒとは、第２青色発光素子ＢＬＥＤ２で生じた光Ｌｃが、近接する層との界面において全反射される入射角度である。光Ｌｃの側部ＬＰＬａへの入射角θｃは、第２青色発光素子ＢＬＥＤ２の側面の法線方向と、光Ｌｃの進行方向とが成す角度である。入射角θｃが全反射角θｒ以下の場合、透過成分が存在するので、全反射角θｒが大きいほど光Ｌｃは近接する層に入射しやすい。

ここで、発光素子ＬＥＤの屈折率をｎ_ＬＥＤとし、近接する層の屈折率をｎ_ＡＪとすると、全反射角θｒは下記の式（２）で表される。
θｒ＝ａｒｃｓｉｎ（ｎ_ＡＪ／ｎ_ＬＥＤ） ・・・ （２）

ｎ_ＡＪ＞ｎ_ＬＥＤの関係を満たす場合、全ての入射角θｃで光Ｌｃは近接する層に入射できる。ｎ_ＡＪ＜ｎ_ＬＥＤの場合、ｎ_ＡＪが大きいほど全反射角θｒが大きくなるので、光Ｌｃのうち、近接する層に入射する成分が大きくなる。

本実施形態では、第２青色発光素子ＢＬＥＤ２の側面と第２平坦化層ＬＬ２との間に、光取出し層ＬＰＬの側部ＬＰＬａが設けられている。第２青色発光素子ＢＬＥＤ２の屈折率ｎ_ＬＥＤは、例えば、ｎ_ＬＥＤ＝２．４であり、第２平坦化層ＬＬ２の屈折率は、例えば１．５である。光取出し層ＬＰＬの屈折率は、ｎ_ＡＪ＝２．４程度であり、第２平坦化層ＬＬ２の屈折率よりも大きい。すなわち、光取出し層ＬＰＬの屈折率と第２青色発光素子ＢＬＥＤ２の屈折率ｎ_ＬＥＤとの差は、第２平坦化層ＬＬ２の屈折率と第２青色発光素子ＢＬＥＤ２の屈折率との差よりも小さい。このため、第２青色発光素子ＢＬＥＤ２の側面に接して第２平坦化層ＬＬ２を設けた場合に比べて、本実施形態では、第２青色発光素子ＢＬＥＤ２と側部ＬＰＬａとの界面での全反射角θｒが大きくなり、第２青色発光素子ＢＬＥＤ２からの光Ｌｃは、側部ＬＰＬａに入射しやすくなる。なお、第２青色発光素子ＢＬＥＤ２の屈折率ｎ_ＬＥＤは、光取出し層ＬＰＬの屈折率ｎ_ＡＪと同じであるが、異なっていてもよい。

側部ＬＰＬａと延出部ＬＰＬｃとの間に傾斜部ＬＰＬｂが設けられているので、側部ＬＰＬａと延出部ＬＰＬｃとを直接連結した場合に比べて、側部ＬＰＬａと傾斜部ＬＰＬｂとが成す角度及び延出部ＬＰＬｃと傾斜部ＬＰＬｂとが成す角度が緩やかになる。これにより、側部ＬＰＬａに入射した光Ｌｇは、傾斜部ＬＰＬｂを介して延出部ＬＰＬｃに良好に導かれる。

延出部ＬＰＬｃの上部に第２平坦化層ＬＬ２が設けられ、下部にアノード電極ＡＤが設けられる。これにより、光Ｌｇは、延出部ＬＰＬｃの内部で反射しながら、発光素子ＬＥＤから離れる方向に伝播する。その過程で、光Ｌｇの入射角が、延出部ＬＰＬｃと第２平坦化層ＬＬ２との界面の全反射角よりも小さくなると、光Ｌｈが上側に向けて出射される。さらに光Ｌｇは、対向部ＬＰＬｄにも伝播し、対向部ＬＰＬｄと第２平坦化層ＬＬ２との界面の全反射角よりも小さくなると、光Ｌｈが上側に向けて出射される。このように、本実施形態では、光取出し層ＬＰＬを設けたことにより、第２青色発光素子ＢＬＥＤからの光Ｌｃは、光取出し層ＬＰＬの全面から第２平坦化層ＬＬ２及び蛍光体層ＲＦに向けて出射できる。これにより、表示装置ＤＳＰは、光取出し効率を向上させることができる。

また、光取出し層ＬＰＬは、光Ｌｇを伝播させることができるため、第１画素ＰｘＲ、第２画素ＰｘＧ及び第３画素ＰｘＢ（図２参照）ごとに光取出し層ＬＰＬを区切ることで、発光素子ＬＥＤの混色を抑制することができる。

光取出し層ＬＰＬの材料として酸化チタン層を例示したが、これに限定されない。光取出し層ＬＰＬの材料として、高屈折率で透光性を有する材料が好ましく、例えば、酸化タンタル、酸化ニオブ、バリウムチタン酸化物等が適用可能である。また、光取出し層ＬＰＬの厚さも、あくまで一例であり適宜変更できる。また、第２基板ＳＵ２と円偏光板ＣＰＬとの間に紫外線吸収層を設けてもよい。光取出し層ＬＰＬの材料として酸化チタンを用いた場合、酸化チタンは紫外線を吸収するため、第２平坦化層ＬＬ２が光分解する可能性がある。紫外線吸収層を設けることにより、第２平坦化層ＬＬ２への紫外線の入射が低減され、光分解反応を抑制できる。

図１７及び図１８では、第２青色発光素子ＢＬＥＤ２について説明したが、緑色発光素子ＧＬＥＤの屈折率ｎ_ＬＥＤも、例えば、ｎ_ＬＥＤ＝２．４であり、上述の説明を適用できる。第３画素ＰｘＢ及び第２画素ＰｘＧでは、光取出し層ＬＰＬから、第２平坦化層ＬＬ２及び光散乱層ＬＳＬ側に光Ｌｈが出射される。

（第４実施形態の第５変形例）
図１９は、第４実施形態の第５変形例に係る表示装置において、光取出し層を拡大して示す断面図である。図１９に示すように、第５変形例において、光取出し層ＬＰＬの表面に複数の微小な凹部ＣＯＣが設けられる。凹部ＣＯＣは、側部ＬＰＬａ、延出部ＬＰＬｃ及び対向部ＬＰＬｄに設けられる。ただし、凹部ＣＯＣは、傾斜部ＬＰＬｂにも設けられていてもよい。凹部ＣＯＣは、光取出し層ＬＰＬの表面を削って形成することができ、例えば、サンドブラストなどの研磨剤を光取出し層ＬＰＬに吹き付ける方法で形成できる。

延出部ＬＰＬｃの内部を伝播する光Ｌｇは、延出部ＬＰＬｃと第２平坦化層ＬＬ２との界面のうち、凹部ＣＯＣが設けられていない領域で反射する。凹部ＣＯＣが設けられた部分では、局所的に界面が傾いており、凹部ＣＯＣが設けられていない領域とは、光Ｌｇの入射角が異なる。このため、光Ｌｈは、効率よく第２平坦化層ＬＬ２及び蛍光体層ＲＦ側に出射される。

（第４実施形態の第６変形例）
図２０は、第４実施形態の第６変形例に係る表示装置において、光取出し層を拡大して示す断面図である。図２０に示すように、第６変形例において、光取出し層ＬＰＬの表面に複数の微小な凸部ＣＯＶが設けられる。凸部ＣＯＶは、側部ＬＰＬａ、延出部ＬＰＬｃ及び対向部ＬＰＬｄに設けられる。ただし、凸部ＣＯＶは、傾斜部ＬＰＬｂにも設けられていてもよい。凸部ＣＯＶは、光取出し層ＬＰＬと同じ材料、例えば酸化チタンの微粒子を付着させることで形成できる。より具体的には、第２平坦化層ＬＬ２を構成する有機材料中に酸化チタンの微粒子を混合させて第２平坦化層ＬＬ２を形成し、第２平坦化層ＬＬ２中の微粒子の一部が、光取出し層ＬＰＬの表面に付着することで凸部ＣＯＶが形成される。

第６変形例においても、凸部ＣＯＶが設けられた部分では、局所的に界面が傾いており、凸部ＣＯＶが設けられていない領域とは、光Ｌｇの入射角度が異なる。このため、光Ｌｈは効率よく第２平坦化層ＬＬ２及び蛍光体層ＲＦ側に出射される。なお、図１９及び図２０の構成に限定されず、光取出し層ＬＰＬの表面に複数の微小な凹凸構造が形成されていてもよい。具体的には、逆スパッタ法などにより、光取出し層ＬＰＬの表面を粗面化することで、凹凸構造を形成してもよい。

（第４実施形態の第７変形例）
図２１は、第４実施形態の第７変形例に係る表示装置において、光取出し層を拡大して示す断面図である。図２１に示すように、第７変形例において、容量窒化膜ＬＳＮの上に複数の凸状構造ＰＴが設けられている。複数の凸状構造ＰＴは、容量窒化膜ＬＳＮの上に有機レジストをパターニングすることで形成できる。その後、熱処理を施すことにより有機レジストが溶融しながら固化して、複数の凸状構造ＰＴは、曲面を有する半円状の断面構造となる。

アノード電極ＡＤ及び延出部ＬＰＬｃは、容量窒化膜ＬＳＮ及び複数の凸状構造ＰＴの上に設けられる。アノード電極ＡＤの延出部ＬＰＬｃと重なる部分には、凸状構造ＰＴの形状に倣って複数の凸部が形成される。延出部ＬＰＬｃの表面にも、凸状構造ＰＴの形状に倣って複数の凸部が形成される。

これにより、アノード電極ＡＤと、延出部ＬＰＬｃとの界面は、複数の凸部が設けられた部分で局所的に傾いており、光Ｌｇの反射角が異なる。これにより、複数の凸部が設けられた部分と、複数の凸部が設けられていない部分とで光Ｌｇの進行方向が変化する。光Ｌｇのうち、延出部ＬＰＬｃと第２平坦化層ＬＬ２との界面の法線方向に進行する成分が増大し、光Ｌｈは、第２平坦化層ＬＬ２に透過できる。また、延出部ＬＰＬｃと第２平坦化層ＬＬ２との界面においても複数の凸部が設けられた部分で局所的に傾いている。これにより、凸部が設けられた部分と、凸部が設けられていない部分とは、光Ｌｇの入射角度が異なる。このため、光Ｌｈは効率よく第２平坦化層ＬＬ２及び蛍光体層ＲＦ側に出射される。

（第４実施形態の第８変形例）
図２２は、第４実施形態の第８変形例に係る表示装置において、光取出し層を拡大して示す断面図である。図２２に示すように、第８変形例において、容量窒化膜ＬＳＮの上に設けられた複数の凸状構造ＰＴの断面形状は台形状である。凸状構造ＰＴは、有機レジストの溶融温度よりも低い温度で熱処理を施すことにより形成できる。

第８変形例においても、アノード電極ＡＤ及び延出部ＬＰＬｃには、凸状構造ＰＴの形状に倣って、複数の凸部が形成される。光Ｌｇの一部は、アノード電極ＡＤに形成された凸部の側面で反射して、進行方向が変化する。凸部の側面で反射した光Ｌｇは、さらに接続層ＣＬの表面で反射する。そして、光Ｌｈは、傾斜部ＬＰＬｂから上側に向けて出射される。なお、図２２では図面を見やすくするために、延出部ＬＰＬｃの内部を進行する光Ｌｇは省略している。第８変形例においても、上述した第７変形例と同様に、アノード電極ＡＤ及び延出部ＬＰＬｃに形成された複数の凸部により、光Ｌｈは効率よく第２平坦化層ＬＬ２及び蛍光体層ＲＦ側に出射される。

なお、第４実施形態及び第５変形例から第８変形例においても、上述した第１実施形態の第１変形例から第４変形例、第２実施形態及び第３実施形態の各構成を適用することができる。

（第５実施形態）
図２３は、第５実施形態に係る表示装置を示す断面図である。図２３に示すように、第５実施形態の表示装置ＤＳＰは、さらに第１共振層ＣＡ１、第２共振層ＣＡ２及び第３共振層ＣＡ３を有する。第１共振層ＣＡ１及び第２共振層ＣＡ２は、発光素子ＬＥＤＡの内部に設けられる。具体的には、第１共振層ＣＡ１は、発光素子基板ＳＵＬＥＤとｎ型クラッド層ＮＣとの間に設けられる。第１共振層ＣＡ１は、１層の誘電体層で構成される。第１共振層ＣＡ１の材料として低屈折率の酸化珪素膜を用いることができる。第１共振層ＣＡ１の層厚は、緑色発光素子ＧＬＥＤにおいて、１７４ｎｍ程度であり、第１青色発光素子ＢＬＥＤ１及び第２青色発光素子ＢＬＥＤ２において、１５４ｎｍ程度である。

第２共振層ＣＡ２は、ｎ型クラッド層ＮＣ、発光層ＥＭ及びｐ型クラッド層ＰＣの層厚を調整したものである。第２共振層ＣＡ２の層厚は、発光素子ＬＥＤＡから出射される光の主要な発光波長の二分の一を、その屈折率で割った値である。つまり、第２共振層ＣＡ２の層厚をｄ_２とし、発光素子ＬＥＤＡから出射される光の主要な発光波長をλとし、第２共振層ＣＡ２の屈折率をｎ_２としたときに、下記の式（３）の関係を満たす。ただし、ｉは正の整数である。
ｄ_２＝ｉλ／２ｎ_２ ・・・ （３）

第３共振層ＣＡ３は、発光素子ＬＥＤＡ及び第２平坦化層ＬＬ２の上側に設けられる。発光素子ＬＥＤＡの上に、カソード電極ＣＤ、第３共振層ＣＡ３、蛍光体層ＲＦの順に積層される。つまり、第３共振層ＣＡ３は、アノード電極ＡＤ（第１反射層ＲＦＬ１）及び発光素子ＬＥＤＡと、蛍光体層ＲＦ及び第２反射層ＲＦＬ２との間に設けられる。

第３共振層ＣＡ３は、１層の低屈折率誘電体層ＣＡＬ３と、１層の高屈折率誘電体層ＣＡＨ３とを有する。低屈折率誘電体層ＣＡＬ３は、第１共振層ＣＡ１と同じ層厚の酸化珪素膜である。高屈折率誘電体層ＣＡＨ３の材料として酸化チタンが用いられる。高屈折率誘電体層ＣＡＨ３の層厚は、緑色発光素子ＧＬＥＤにおいて８６ｎｍ程度であり、第１青色発光素子ＢＬＥＤ１及び第２青色発光素子ＢＬＥＤ２において７６ｎｍ程度である。

本実施形態では、発光素子ＬＥＤＡの内部に設けられた第１共振層ＣＡ１及び第２共振層ＣＡ２と、発光素子ＬＥＤＡの外部に設けられた第３共振層ＣＡ３とで、共振器構造を形成する。これにより、発光層ＥＭから上側に向かって出射された光Ｌａは、第３共振層ＣＡ３に入射する。光Ｌａのうち、一部の光Ｌｉは第３共振層ＣＡ３を透過して発光素子ＬＥＤＡの上側に出射され、一部の光は発光層ＥＭ側に戻る。発光層ＥＭに戻った光は、第１共振層ＣＡ１で反射される。光Ｌａは、第３共振層ＣＡ３と第１共振層ＣＡ１との間で複数回、繰り返し反射する。

第３共振層ＣＡ３の低屈折率誘電体層ＣＡＬ３又は高屈折率誘電体層ＣＡＨ３の層厚ｄ_３は、下記の式（４）で表される。ただし、ｎ_３は、低屈折率誘電体層ＣＡＬ３又は高屈折率誘電体層ＣＡＨ３の屈折率である。
ｄ_３＝ｉλ／２ｎ_３ ・・・ （４）

これにより、各界面で反射した光は、位相が揃って互いに強め合う。その結果、第１共振層ＣＡ１及び第３共振層ＣＡ３で反射されて上側に出射された光Ｌｉの発光強度が増大する。

上述した低屈折率誘電体層ＣＡＬ３及び高屈折率誘電体層ＣＡＨ３の層厚ｄ_３は、上記の式（４）において、ｉ＝１とした場合である。ｉの値が大きくなるほど、共振器構造から出射される光Ｌｉの入射角度依存性、発光波長依存性が急峻になり、法線方向における発光成分が増大し、半値幅が減少する。このため、表示総理ＤＳＰは、色純度を向上させることができる。ただし、ｉの値が大きくなるほど、各共振器構造の層厚を大きくする必要があり、製造コストが増大する可能性がある。このため、ｉ＝１とすることが好ましい。

蛍光体層ＲＦの吸収スペクトルは極大波長を示す。蛍光体層ＲＦと共振器構造とを組み合わせることにより、共振器構造から出射される光Ｌｉの半値幅が減少するので、吸収スペクトルは極大波長近傍の光をより多く蛍光体層ＲＦに入射できる。これにより、蛍光体層ＲＦの変換効率が向上する。このため、蛍光体層ＲＦの厚さを薄くすることができる。

なお、高屈折率誘電体層ＣＡＨ３は、酸化チタンに限定されず、酸化タンタル、酸化ニオブ、バリウムチタン酸化物等が適用可能である。低屈折率誘電体層ＣＡＬ３には、酸化アルミニウム、フッ素化カルシウム、フッ素化マグネシウム等が適用可能である。また、第１共振層ＣＡ１は、発光素子ＬＥＤＢの主要波長の発光を反射するので、低屈折率層に、アルミニウム膜などの高反射率の金属膜を積層してもよい。

（第５実施形態の第９変形例）
図２４は、第５実施形態の第９変形例に係る表示装置を示す断面図である。図２４に示すように、第９変形例において、発光素子ＬＥＤＢは、５層の誘電体層で構成された第１共振層ＣＡ１を含む。すなわち、第１共振層ＣＡ１は、発光素子基板ＳＵＬＥＤの上に、低屈折率層、高屈折率層、低屈折率層、高屈折率層、低屈折率層の順に積層される。また、第３共振層ＣＡ３は６層の誘電体層で構成される。第３共振層ＣＡ３は、カソード電極ＣＤ及び第２平坦化層ＬＬ２の上に、低屈折率層、高屈折率層、低屈折率層、高屈折率層、低屈折率層、高屈折率層の順に積層される。第３共振層ＣＡ３の最上層に高屈折率層が設けられる。

これにより、発光素子ＬＥＤＢを用いた表示装置ＤＳＰは、発光素子ＬＥＤＡを用いた表示装置ＤＳＰに比べ、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のいずれの波長においても、発光スペクトルの強度が大きくなり、かつ、半値幅が小さくなる。また、発光素子ＬＥＤＢを用いた表示装置ＤＳＰは、発光素子ＬＥＤＡを用いた表示装置ＤＳＰに比べ、法線方向の発光強度が大きくなる。このように、第１共振層ＣＡ１及び第３共振層ＣＡ３の積層数を増やすことで、表示装置ＤＳＰは、法線方向の発光強度が増大し、且つ、半値幅も減少してさらに鮮やかな発光色が得られる。これにより、表示装置ＤＳＰを使用する際に観察頻度が高い法線方向で、表示性能を向上させることができる。

なお、第５実施形態及び第９変形例において、各共振層の積層数及び層厚はあくまで一例であり、適宜変更してもよい。例えば、第９変形例の第３共振層ＣＡ３は、５層以下でもよく、７層以上でもよい。また、第５実施形態及び第９変形例においても、上述した第２実施形態から第４実施形態及び第１変形例から第８変形例の構成を適用することができる。例えば、図１２に示した第１実施形態の第２変形例に係る表示装置ＤＳＰでは、第１画素ＰｘＲ、第２画素ＰｘＧ及び第３画素ＰｘＢに青色発光素子ＢＬＥＤを用いているので、画素ごとに共振器構造の膜厚を異ならせる必要がなく、多層膜構造を比較的容易に形成できる。

（第６実施形態）
図２５は、第６実施形態に係る表示装置を模式的に示す斜視図である。図２６は、第６実施形態に係る表示装置を示す断面図である。なお、図２５は、図面を見やすくするために、第２基板ＳＵ２を省略して示している。また、図２６では、第１画素ＰｘＲの断面構造と、周辺領域ＧＡにおけるカソード電極ＣＤの接続部分の断面構造とを、模式的に示している。

図２５に示すように、表示装置ＤＳＰは、カソード接続線ＣＤＣＬａを有する。カソード接続線ＣＤＣＬａは、第１基板ＳＵ１の周辺領域ＧＡに設けられ、表示部ＤＰ及び周辺回路ＧＣを囲むように設けられる。カソード接続線ＣＤＣＬａは、接続部ＣＮに接続され、外部の駆動ＩＣからカソード電源電位ＰＶＳＳが供給される。

図２６に示すように、第１画素ＰｘＲにおいて、壁状構造ＷＬ及びアノード電極ＡＤで形成される凹部内に第１充填層ＦＩＬ１が設けられる。また、第２基板ＳＵ２側に設けられた第２反射層ＲＦＬ２とカソード電極ＣＤとの間に、第２充填層ＦＩＬ２が設けられる。第１充填層ＦＩＬ１及び第２充填層ＦＩＬ２は、周辺領域ＧＡにおいて、第１基板ＳＵ１側の容量窒化膜ＬＳＮと、第２基板ＳＵ２との間に設けられる。第１充填層ＦＩＬ１及び第２充填層ＦＩＬ２は、耐光性に優れる樹脂材料であり、例えば、エポキシ樹脂あるいはシリコーン樹脂(ジメチルシリコーン樹脂フェニルシリコーン樹脂）である。

カソード電極ＣＤは、表示領域ＤＡから周辺領域ＧＡに亘って連続して設けられる。これにより、各画素Ｐｘに設けられた発光素子ＬＥＤは、共通のカソード電極ＣＤに電気的に接続される。具体的には、カソード電極ＣＤは、第２青色発光素子ＢＬＥＤ２、第１充填層ＦＩＬ１及び壁状構造ＷＬの上に設けられる。第１基板ＳＵ１の法線方向において、カソード電極ＣＤは、蛍光体層ＲＦと、第２青色発光素子ＢＬＥＤ２及び第１充填層ＦＩＬ１との間に設けられ、また、第２充填層ＦＩＬ２と、壁状構造ＷＬとの間に設けられる。

第２反射層ＲＦＬ２の下端及びアノード電極ＡＤの上端は、カソード電極ＣＤと離隔している。カソード電極ＣＤと第２反射層ＲＦＬ２の下端との間には、絶縁層として第２充填層ＦＩＬ２が設けられる。カソード電極ＣＤとアノード電極ＡＤの上端との間には、絶縁層として第１充填層ＦＩＬ１が設けられる。

カソード接続線ＣＤＣＬａは、周辺領域ＧＡにおいて、層間絶縁膜ＬＺＬの上に設けられる。カソードコンタクトホールＣＤＣＨは、カソード接続線ＣＤＣＬａと重なる領域で、第１充填層ＦＩＬ１及び第１平坦化層ＬＬ１に設けられる。カソード電極ＣＤは、カソードコンタクトホールＣＤＣＨを介してカソード接続線ＣＤＣＬａに電気的に接続される。

本実施形態では、複数の発光素子ＬＥＤとカソード電極ＣＤとを接続するためのカソード接続線ＣＤＣＬ（図６参照）を、表示領域ＤＡに設ける必要がないため、各画素Ｐｘでの配線の数を少なくすることができる。

（第６実施形態の第１０変形例）
図２７は、第６実施形態の第１０変形例に係る表示装置を示す断面図である。上述した各実施形態及び変形例では、第１基板ＳＵ１と第２基板ＳＵ２とが対向する構成を示したが、これに限定されない。図２７に示すように、第１０変形例の表示装置ＤＳＰは、第２基板ＳＵ２を有さず、カラーフィルタＲＣＦ及び第２反射層ＲＦＬ２の上に第３平坦化層ＬＬ３が設けられている。第３平坦化層ＬＬ３は、周辺領域ＧＡまで設けられ、カソード電極ＣＤを覆っている。

本実施形態では、第１基板ＳＵ１の上に、壁状構造ＷＬ１、アノード電極ＡＤ、接続層ＣＬ、第２青色発光素子ＢＬＥＤ２及び第１充填層ＦＩＬ１等を形成した後に、カソード電極ＣＤを成膜する。そして、カソード電極ＣＤ上に、壁状構造ＷＬ２、第２反射層ＲＦＬ２、蛍光体層ＲＦ、カラーフィルタＲＣＦ、第３平坦化層ＬＬ３等を形成する。

第１０変形例では、第２基板ＳＵ２を有さないので、表示装置ＤＳＰの薄型化に有利である。なお、第６実施形態及び第１０変形例においても、上述した第２実施形態から第５実施形態及び第１変形例から第９変形例の構成を適用することができる。

以上、本発明の好適な実施の形態を説明したが、本発明はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本発明の技術的範囲に属する。上述した各実施形態及び各変形例の要旨を逸脱しない範囲で、構成要素の種々の省略、置換及び変更のうち少なくとも１つを行うことができる。

ＡＤ アノード電極
ＣＡ１ 第１共振層
ＣＡ２ 第２共振層
ＣＡ３ 第３共振層
ＣＤ カソード電極
ＣＬ 接続層
ＤＡ 表示領域
ＤＳＰ 表示装置
ＤＲＴ 駆動トランジスタ
ＦＩＬ 充填層、 ＦＩＬ１ 第１充填層、ＦＩＬ２ 第２充填層
ＬＥＤ、ＬＥＤＡ、ＬＥＤＢ、ＧＬＥＤ、ＢＬＥＤ 発光素子
ＬＬ１ 第１平坦化層
ＬＬ２ 第２平坦化層
ＬＰＬ 光取出し層
ＬＰＬａ 側部
ＬＰＬｂ 傾斜部
ＬＰＬｃ 延出部
ＬＰＬｄ 対向部
ＬＳ 遮光層
ＬＳＬ 光散乱層
Ｐｉｘ 画素
ＰｘＲ 第１画素
ＰｘＧ 第２画素
ＰｘＢ 第３画素
ＰＴ 凸状構造
ＲＦ 蛍光体層
ＲＦ１ 第１蛍光体層
ＲＦ２ 第２蛍光体層
ＲＦＬ１ 第１反射層
ＲＦＬ２ 第２反射層
ＲＦＬ３ 第３反射層
ＳＵ１ 第１基板
ＳＵ２ 第２基板
ＷＬ、ＷＬ１、ＷＬ２ 壁状構造
ＢＬＥＤ１ 第１青色発光素子
ＢＬＥＤ２ 第２青色発光素子
ＢＬＥＤ３ 第３青色発光素子
ＧＡ 周辺領域
ＡＤａ アノード電極底部
ＡＤｂ アノード電極傾斜部
ＣＤＣＬ、ＣＤＣＬａ カソード接続線
ＡＤＣＬ アノード接続層
ＣＡＬ３ 低屈折率誘電体層
ＣＡＨ３ 高屈折率誘電体層

Claims (20)

1. 第１基板と、
   前記第１基板に設けられた複数の画素と、
   複数の前記画素の各々に設けられる発光素子と、
   前記発光素子の少なくとも上面を覆う蛍光体層と、
   前記発光素子の側面と対向する第１反射層と、
   前記蛍光体層の側面に設けられ、前記第１基板の法線方向において、前記第１反射層と離隔して、前記第１反射層よりも前記第１基板から離れて配置される第２反射層と、
   前記発光素子の上面と前記蛍光体層との間に設けられた第３反射層と、を有する
   表示装置。
2. 第１基板と、
   前記第１基板に設けられた複数の画素と、
   複数の前記画素の各々に設けられる発光素子と、
   前記発光素子の少なくとも上面を覆う蛍光体層と、
   前記発光素子の側面と対向する第１反射層と、
   前記蛍光体層の側面に設けられ、前記第１基板の法線方向において、前記第１反射層と離隔して、前記第１反射層よりも前記第１基板から離れて配置される第２反射層と、
   透光性を有し、前記発光素子の少なくとも一部及び前記第１反射層を覆う無機絶縁層と、を有する
   表示装置。
3. 前記無機絶縁層の表面に、複数の凹部又は複数の凸部が設けられる
   請求項２に記載の表示装置。
4. 前記第１反射層の、前記無機絶縁層と重なる部分に、複数の凸部が設けられる
   請求項２に記載の表示装置。
5. 前記第１反射層及び前記発光素子と、前記蛍光体層及び前記第２反射層との間に設けられ、複数層の誘電体層が積層された共振層を有する
   請求項２から請求項４のいずれか１項に記載の表示装置。
6. 前記発光素子は、第１共振層と、第２共振層とを含み、
   前記発光素子及び前記第１反射層の上側に、複数層の誘電体層が積層された第３共振層が設けられる
   請求項２から請求項４のいずれか１項に記載の表示装置。
7. 前記発光素子の上面と前記蛍光体層との間に設けられた第３反射層を有する
   請求項２から請求項４のいずれか１項に記載の表示装置。
8. 第１基板と、
   前記第１基板に設けられた複数の画素と、
   複数の前記画素の各々に設けられる発光素子と、
   前記発光素子の少なくとも上面を覆う蛍光体層と、
   前記発光素子の側面と対向する第１反射層と、
   前記蛍光体層の側面に設けられ、前記第１基板の法線方向において、前記第１反射層と離隔して、前記第１反射層よりも前記第１基板から離れて配置される第２反射層と、
   前記第１反射層及び前記発光素子と、前記蛍光体層及び前記第２反射層との間に設けられ、複数層の誘電体層が積層された共振層と、を有する
   表示装置。
9. 第１基板と、
   前記第１基板に設けられた複数の画素と、
   複数の前記画素の各々に設けられる発光素子と、
   前記発光素子の少なくとも上面を覆う蛍光体層と、
   前記発光素子の側面と対向する第１反射層と、
   前記蛍光体層の側面に設けられ、前記第１基板の法線方向において、前記第１反射層と離隔して、前記第１反射層よりも前記第１基板から離れて配置される第２反射層と、を有し、
   前記発光素子は、第１共振層と、第２共振層とを含み、
   前記発光素子及び前記第１反射層の上側に、複数層の誘電体層が積層された第３共振層が設けられる
   表示装置。
10. 前記第１共振層は、前記発光素子の基板と、前記発光素子の発光層との間に設けられ、
    前記第２共振層は、前記発光素子の前記発光層及びクラッド層で構成される
    請求項６又は請求項９に記載の表示装置。
11. 前記第１反射層及び前記第２反射層は、前記第１基板の法線方向に対して傾斜する
    請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の表示装置。
12. 前記発光素子の側面と対向する壁状構造を有し、
    前記第１反射層は、
    前記発光素子と重なる領域から前記発光素子の周囲に延出する底部と、
    前記底部に接続され、前記壁状構造の壁面に沿って設けられて前記第１基板の法線方向に対して傾斜する傾斜部と、を有する
    請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の表示装置。
13. 前記第１反射層は、前記発光素子と電気的に接続されたアノード電極である
    請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の表示装置。
14. 前記蛍光体層の上に設けられたカラーフィルタを有し、
    前記第２反射層は、前記蛍光体層の側面及び前記カラーフィルタの側面に亘って設けられる
    請求項１から請求項１３のいずれか１項に記載の表示装置。
15. 前記発光素子の側面を覆い、前記発光素子と前記第１反射層との間に設けられた平坦化層を有し、
    前記蛍光体層は、前記平坦化層の上に設けられる
    請求項１から請求項１４のいずれか１項に記載の表示装置。
16. 前記第１基板と対向する第２基板を有し、
    前記第２基板の前記第１基板と対向する面に前記蛍光体層及び前記第２反射層が設けられ、
    前記第１基板の前記第２基板と対向する面に前記第１反射層及び前記発光素子が設けられる
    請求項１から請求項１５のいずれか１項に記載の表示装置。
17. 前記蛍光体層は、第１蛍光体層と、第２蛍光体層とを有し、
    前記第１蛍光体層は、前記発光素子の少なくとも上面を覆って設けられ、
    前記第２蛍光体層は、前記発光素子の側面を覆って、前記第１基板の法線方向において、前記第１基板と前記第１蛍光体層の間に設けられる
    請求項１から請求項１４のいずれか１項に記載の表示装置。
18. 複数の前記画素は、赤色を表示する第１画素と、緑色を表示する第２画素と、青色を表示する第３画素と、を含み
    前記第１画素には、青色の光を出射する青色発光素子と、青色発光素子からの光を赤色に変換する蛍光体層とが設けられる
    請求項１から請求項１７のいずれか１項に記載の表示装置。
19. 前記第２画素には、青色の光を出射する青色発光素子と、青色発光素子からの光を緑色に変換する蛍光体層とが設けられる
    請求項１８に記載の表示装置。
20. 複数の前記画素は、赤色を表示する第１画素と、緑色を表示する第２画素と、青色を表示する第３画素と、を含み
    前記蛍光体層は、有機低分子材料のＤＣＭ（４－(ジシアノメチレン)－２－メチル－６－(４－ジメチルアミノスチリル)－４Ｈ-ピラン）を含み、
    前記第１画素には、緑色の光を出射する緑色発光素子が設けられる
    請求項１から請求項１７のいずれか１項に記載の表示装置。

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