JP7265113B2 - 電子部品用ポリイミド基板 - Google Patents
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Description
本発明は、電子部品用ポリイミド基板に関する。特に、電子部品である表示パネルおよびプリント配線板に用いる電子部品用ポリイミド基板に関する。
電子部品、特に表示パネル等の部品において、樹脂基板は軽量で薄くすることが可能であり、且つ柔軟で割れにくいことから、ガラス基板から樹脂基板への置き換えが進んでいる。なお、表示パネルを用いた装置としては、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ、液晶ディスプレイおよび電子ペーパー等を挙げることができる。
例えば、非特許文献１に、表示パネルとしての薄膜トランジスタをスイッチング素子とするＴＦＴ（ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）液晶パネルに、樹脂基板を用いることが記載されている。さらに、非特許文献１には、ＴＦＴ液晶パネルに用いる樹脂基板には、ＴＦＴ製造工程における３００～３５０℃の加熱に耐える耐熱性が必要であること、その際、加熱後の基板に反りが発生しないこと、およびフォトレイヤ間の正確な位置合わせのため熱膨張係数（以下、ＣＴＥと記載することがある）が低いことが必要であると記載されている。
プリント配線板としては、樹脂基板を用いたタッチパネルを挙げることができる。例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）またはポリカーボネート（ＰＣ）を基材とする酸化インジウムスズ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）層付き導電性基板が、帝人株式会社よりエレクリアの商品名でタッチパネルの部品として市販されている。
ポリイミドはＰＥＴ、ＰＣに比べ、高い耐熱性を示す。耐熱性に加え、ポリイミドは優れた電気絶縁性を有していることが知られており、絶縁材に用いられている。ポリイミドの中でも、全芳香族ポリイミドは熱膨張係数が低く、それが金属配線に近いことから、絶縁材料として用いた際に、金属配線との間に熱膨張による歪が生じ難く、高精度の配線回路の絶縁が可能である。なお、機械強度とは、その材料が持つ変形や破壊に対する抵抗量であり、本明細書においては、同軸方向の歪と応力の比である弾性率を指す。
ポリイミドはＰＥＴ、ＰＣに比べ、高い耐熱性を示す。耐熱性に加え、ポリイミドは優れた電気絶縁性を有していることが知られており、絶縁材に用いられている。ポリイミドの中でも、全芳香族ポリイミドは熱膨張係数が低く、それが金属配線に近いことから、絶縁材料として用いた際に、金属配線との間に熱膨張による歪が生じ難く、高精度の配線回路の絶縁が可能である。なお、機械強度とは、その材料が持つ変形や破壊に対する抵抗量であり、本明細書においては、同軸方向の歪と応力の比である弾性率を指す。
しかしながら、全芳香族ポリイミドの成形体は通常、黄色から褐色に着色しており透明性に劣り、透明性が必要とされる表示パネルおよびプリント配線板の基板として適しているとはいい難い。
また、ポリイミドは原料として芳香族ジアミンとテトラカルボン酸二無水物を反応させて、ポリアミド酸を得た後、本ポリアミド酸を脱水環化する（以下、イミド化と呼ぶことがある）手順で合成される。
全芳香族ポリイミドは有機溶剤に対する溶解性が低い。しかしながら、前駆体であるポリアミド酸の段階では有機溶剤に溶解するので、ポリアミド酸の溶液の状態で塗布または成形した後でイミド化し、ポリイミドの成形品を得ることが行われている。
特許文献１～２には、へキサフルオロイソプロパノール基（－Ｃ（ＣＦ３）２ＯＨ、以下、ＨＦＩＰ基と呼ぶことがある）を構造中への導入したポリイミド（以下、ＨＦＩＰ基含有ポリイミドと呼ぶことがある）の成形体からなる有機エレクトロルミネッセンス用基板が開示されている。
特許文献１～２には、ＨＦＩＰ基を構造中に導入することで、全芳香族ポリイミドが特定の有機溶剤に溶解可能となることが記載される。また、特許文献１～２には、ＨＦＩＰ基含有ポリイミドを有機溶剤に溶解してポリイミド溶液を得、それを基板上に塗布し塗膜を成形し、そのまま乾燥させてあるいは膜を基板から剥がしてポリイミド基板とすることが記載される。特許文献１～２に開示されるＨＦＩＰ基含有ポリイミドを含む有機エレクトロルミネッセンス用基板は、可視光領域における透明性に優れ、耐有機溶剤性、耐熱性、寸法安定性および機械強度をバランスよく併せ持つと記載されている。
具体的には、特許文献１には、以下の繰り返し単位を有するＨＦＩＰ基含有ポリイミド（Ｋ）を含む成形体からなる、有機エレクトロルミネッセンス用基板が開示されている。
（式中、Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基であり、Ｒ３は芳香環を含む４価の有機基であって、以下の何れかの構造で表される。）
特許文献２には、以下の式で表される繰り返し単位を５０モル％以上有するＨＦＩＰ基含有ポリイミド（Ｌ）を含む成形体からなる、有機エレクトロルミネッセンス用基板が開示されている。
（式中、Ｒ１は、エーテル結合、スルフィド結合、スルホキシ結合、メチレン基またはエチレン基であり、Ｒ２およびＲ３はそれぞれ独立に水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基であり、Ｒ４は芳香環を含む４価の有機基であって、以下の何れかの構造で表される。）
また、特許文献３には、以下の繰り返し単位を含むＨＦＩＰ基含有ポリイミド（Ｍ）が開示されている。
（ａ は、１ ～ ４ の整数を表す。Ｒ１は脂環、芳香環、アルキレン基から選ばれた一種以上を含有した４ 価の有機基であり、フッ素、塩素、酸素、硫黄、窒素等を含有してもよく、さらには水素の一部がアルキル基、フルオロアルキル基、カルボキシル基、ヒドロキシ基、シアノ基で置換されてもよい。ｎ は重合度を表す。）
特許文献３には、ＨＦＩＰ基含有ポリイミド（Ｍ）は、含フッ素材料としての表面特性（ 撥水性、撥油性等） 、耐性（ 耐熱性、耐候性、耐腐食性等） 、その他の特性（透明性、低屈折率性、低誘電性等） とアルカリ可溶性、感光性、有機溶剤溶解性等を併せ持ち、電子デバイス用感光性絶縁膜に使用可能であることが記載されている。
特許文献３の実施例には、ＨＦＩＰ基含有ポリイミド（Ｍ）の例として、以下の繰り返し単位を含むＨＦＩＰ基含有ポリイミド（Ｍ１）～（Ｍ３）が記載されている。
また、特許文献４には、表示装置の部品として用いる無色透明フレキシブル基板には、十分な透明性と高いヤング率が要求されることが記載され、要求を満たすものとして、１，４－シクロヘキサンジアミンと、特定構造のテトラカルボン酸二無水物２種を共重合させることによるポリイミド樹脂膜が開示されている。
シャープ技報第85号 プラスチックカラーＴＦＴ液晶の開発 2003年4月 30～33頁
特許文献１または特許文献２に記載のＨＦＩＰ基含有ポリイミドは特定の有機溶剤に可溶でありポリイミド基板の成形が容易であり、ポリイミド基板とした際に優れた透明性および耐熱性を有し、有機エレクトロルミネッセンス用基板として使用可能である。
本発明は、これらの特徴に加え、さらに機械強度および寸法安定性に優れる電子部品用ポリイミド基板を提供することを目的とする。
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討を行った。その結果、意外なことに、以下の繰り返し単位（１）を有するポリイミドを含むポリイミド基板の弾性率を測定したところ、測定値は３．０ＧＰａ以上であった。また、５０℃以上、２００℃以下における熱膨張係数は４０ｐｐｍ／℃以下であった（本明細書の［実施例］の表１における実施例１～４参照）。
比較して、特許文献１～２に開示される有機エレクトロルミネッセンス用基板の弾性率は、その明細書の実施例において、低い値である（特許文献１、２．２０～２．９１ＧＰａ、特許文献２、１．６５～２．４０ＧＰａ）。
ＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）は特定の有機溶剤に可溶なことから、基板への形成が容易であり、それから得られた基板は透明性および耐熱性に優れる。本発明者らは、さらに弾性率に係る機械強度に優れ、熱膨張係数が低く寸法安定性に優れることを見出した。
これらの特徴から、本発明者らは、ＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）を含む基板は、電子部品用ポリイミド基板、特に透明性が必要とされる表示パネルおよびプリント配線板に用いる電子部品用ポリイミド基板として優れていることがわかり、本発明に到達するに至った。
本発明は、以下の発明１～７を含む。
［発明１］
式（１）で表される繰り返し単位を有するポリイミドを含む、電子部品用ポリイミド基板。
［発明１］
式（１）で表される繰り返し単位を有するポリイミドを含む、電子部品用ポリイミド基板。
（式（１）中、Ｒ１は式（２）で表される２価の有機基である。Ｒ２は４価の有機基である。
式（２）中、Ｒ３は水素原子、アルキル基またはフルオロアルキル基であり、aは１～２の整数である。）
［発明２］
前記Ｒ２が、以下のいずれかの４価の有機基である、発明１の電子部品用ポリイミド基板。
［発明２］
前記Ｒ２が、以下のいずれかの４価の有機基である、発明１の電子部品用ポリイミド基板。
［発明３］
前記Ｒ１が、以下のいずれかの２価の有機基である、発明１または発明２の電子部品用ポリイミド基板。
前記Ｒ１が、以下のいずれかの２価の有機基である、発明１または発明２の電子部品用ポリイミド基板。
［発明４］
前記ポリイミドが、さらに、式（５）で表される繰り返し単位を含むポリイミドである、発明１～３の電子部品用ポリイミド基板。
前記ポリイミドが、さらに、式（５）で表される繰り返し単位を含むポリイミドである、発明１～３の電子部品用ポリイミド基板。
（式（５）中、Ｒ２は前記式（１）におけるＲ２の意味するところと同義である。Ｒ４は、以下の式で表されるいずれかの２価の有機基である。）
［発明５］
前記ポリイミドの重量平均分子量が、１００００以上、５０００００以下である、発明１～４の電子部品用ポリイミド基板。
前記ポリイミドの重量平均分子量が、１００００以上、５０００００以下である、発明１～４の電子部品用ポリイミド基板。
［発明６］
５０℃以上、２００℃以下における熱膨張係数が４５ｐｐｍ／℃以下である、発明１～５の電子部品用ポリイミド基板。
５０℃以上、２００℃以下における熱膨張係数が４５ｐｐｍ／℃以下である、発明１～５の電子部品用ポリイミド基板。
［発明７］
弾性率が３．０ＧＰａ以上、６．０ＧＰａ以下である、発明１～６の電子部品用ポリイミド基板。
弾性率が３．０ＧＰａ以上、６．０ＧＰａ以下である、発明１～６の電子部品用ポリイミド基板。
［発明８］
基板の厚さ２０～７０μｍにおける波長４００ｎｍ以上、７８０ｎｍ以下での光透過率が６０％以上である、発明１～７に記載の電子部品用ポリイミド基板。
基板の厚さ２０～７０μｍにおける波長４００ｎｍ以上、７８０ｎｍ以下での光透過率が６０％以上である、発明１～７に記載の電子部品用ポリイミド基板。
本発明の電子部品用ポリイミド基板は、特定の有機溶剤に可溶でありポリイミド基板の成形が容易であること、透明性および耐熱性に優れることに加え、さらに機械強度且つ寸法安定性に優れる。
以下の実施形態における各構成およびそれらの組み合わせは、本発明の電子部品用ポリイミド基板に用いる実施形態の一例であり、本発明の電子部品用ポリイミド基板はこれに限定されるものではない。本発明の趣旨から逸脱しない範囲内で、構成の付加、省略、置換およびその他の変更が可能である。
１．ＨＦＩＰ基含有ポリイミド
本発明の電子部品用ポリイミド基板が含むＨＦＩＰ基含有ポリイミド について説明する。
本発明の電子部品用ポリイミド基板が含むＨＦＩＰ基含有ポリイミド について説明する。
［式（１）で表される繰り返し単位を有するポリイミド］
本発明の電子部品用ポリイミド基板は、以下の式（１）で表される繰り返し単位を有するＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）を含む。
本発明の電子部品用ポリイミド基板は、以下の式（１）で表される繰り返し単位を有するＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）を含む。
（式（１）中、Ｒ１は式（２）で表される２価の有機基である。Ｒ２は４価の有機基である。
式（２）中、Ｒ３は水素原子、アルキル基またはフルオロアルキル基であり、aは１～２の整数である。）
前記Ｒ２は、以下のいずれかの４価の有機であることが好ましい。
前記Ｒ１は、以下のいずれかの２価の有機であることが好ましい。
ＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）として、以下のいずれかの繰り返し単位を有するポリイミドを例示することができる。
［式（５）で表される繰り返し単位を有するポリイミド］
ＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）は、耐熱性、寸法安定性、および機械強度等の物性の調製のために、さらに式（５）で表される繰り返し単位を有してもよい。以後、一般式（５）で表される繰り返し単位を繰り返し単位（５）と呼ぶことがある。
ＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）は、耐熱性、寸法安定性、および機械強度等の物性の調製のために、さらに式（５）で表される繰り返し単位を有してもよい。以後、一般式（５）で表される繰り返し単位を繰り返し単位（５）と呼ぶことがある。
（式（５）中、Ｒ２は前記式（１）のＲ２の意味するところと同義である。Ｒ４は、以下の式で表されるいずれかの２価の有機基である。）
なお、式（５）において、前記Ｒ２は、以下のいずれかの４価の有機基であることが好ましい。
ＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）として、繰り返し単位（１）に加え、以下に例示されるいずれかの繰り返し単位（５）を有するポリイミドを例示することができる。
［ＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）における繰り返し単位（１）と繰り返し単位（２）の存在比］
ＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）が繰り返し単位（１）に加え、さらに繰り返し単位（５）を有する場合において、繰り返し単位（１）と繰り返し単位（５）の存在比は、特に限定されるものではないが、繰り返し単位（１）と繰り返し単位（５）を有するＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）を本発明の電子部品用ポリイミド基板として使用する際に必要とされる、耐熱性、寸法安定性、および機械強度等の物性を得るためには、繰り返し単位の個数比で表して繰り返し単位（５）の存在が、繰り返し単位（１）を１として、好ましくは、０．０５以上あり、さらに好ましくは０．１以上であり、さらに好ましくは０．５以上である。すなわち、繰り返し単位（１）：繰り返し単位（５）＝１：０．０５～１：１である。繰り返し単位（５）の存在が０．０５より小さいと、得られるＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）の物性値を調製する効果がなく、繰り返し単位（５）の存在比が１より大きいと、弾性率が低下する。
ＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）が繰り返し単位（１）に加え、さらに繰り返し単位（５）を有する場合において、繰り返し単位（１）と繰り返し単位（５）の存在比は、特に限定されるものではないが、繰り返し単位（１）と繰り返し単位（５）を有するＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）を本発明の電子部品用ポリイミド基板として使用する際に必要とされる、耐熱性、寸法安定性、および機械強度等の物性を得るためには、繰り返し単位の個数比で表して繰り返し単位（５）の存在が、繰り返し単位（１）を１として、好ましくは、０．０５以上あり、さらに好ましくは０．１以上であり、さらに好ましくは０．５以上である。すなわち、繰り返し単位（１）：繰り返し単位（５）＝１：０．０５～１：１である。繰り返し単位（５）の存在が０．０５より小さいと、得られるＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）の物性値を調製する効果がなく、繰り返し単位（５）の存在比が１より大きいと、弾性率が低下する。
［ＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）の重量平均分子量］
ＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、限定されるものではないが、好ましくは、１００００以上、５０００００以下であり、特に好ましくは、３００００以上、２０００００以下である。２００００より少ないと、強靭なポリイミド基板を得ることが難しく、５０００００より多いと基材上に製膜し基板を得ることが難しい。なお、本明細書において、重量平均分子量は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィ（ＧＰＣ）により測定し、標準ポリスチレン検量線を用いポリスチレン換算して得られる値である。
ＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、限定されるものではないが、好ましくは、１００００以上、５０００００以下であり、特に好ましくは、３００００以上、２０００００以下である。２００００より少ないと、強靭なポリイミド基板を得ることが難しく、５０００００より多いと基材上に製膜し基板を得ることが難しい。なお、本明細書において、重量平均分子量は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィ（ＧＰＣ）により測定し、標準ポリスチレン検量線を用いポリスチレン換算して得られる値である。
２．ＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）の製造方法
本発明の電子部品用基板に用いるＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）の製造方法について以下に示す。
本発明の電子部品用基板に用いるＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）の製造方法について以下に示す。
ＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）は、原料にテトラカルボン酸二無水物と、芳香環を１個のみ有する芳香族単環化合物であって芳香環の水素原子をＨＦＩＰ基に置換したジアミンを用いて合成される。
ＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）の製造方法は限定されるものではないが、例えば、以下に示す式（６）で表されるフェニレンジアミンと、式（７）で表されるテトラカルボン酸二無水物とを反応させて得ることができる。
（式（６）中、Ｒ３は水素原子、アルキル基またはフルオロアルキル基であり、aは１～２の整数である。）
（式（７）中、Ｒ２は４価の有機基である。）
式（７）で表されるテトラカルボン酸二無水物として、以下のテトラカルボン酸二無水物を例示することができる。
式（７）で表されるテトラカルボン酸二無水物として、以下のテトラカルボン酸二無水物を例示することができる。
[ポリイミドの製造方法（Ａ）～（Ｂ）]
ＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）の製造方法として、以下のポリイミドの製造方法（Ａ）または（Ｂ）を挙げることができる。
＜製造方法（Ａ）＞
式（６）で表されるフェニレンジアミンと式（７）で表されるテトラカルボン酸二無水物を有機溶剤中で縮重合してポリアミック酸を得て、次いで該ポリアミック酸を脱水閉環させてイミド化することでＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）を得るポリイミドの製造方法。
＜製造方法（Ｂ）＞
式（６）で表されるＨＦＩＰ基を有するフェニレンジアミンと式（７）で表されるテトラカルボン酸二無水物の共存下、無溶剤で１５０℃以上に加熱溶融し反応させることで、ＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）を得るポリイミドの製造方法。
ＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）の製造方法として、以下のポリイミドの製造方法（Ａ）または（Ｂ）を挙げることができる。
＜製造方法（Ａ）＞
式（６）で表されるフェニレンジアミンと式（７）で表されるテトラカルボン酸二無水物を有機溶剤中で縮重合してポリアミック酸を得て、次いで該ポリアミック酸を脱水閉環させてイミド化することでＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）を得るポリイミドの製造方法。
＜製造方法（Ｂ）＞
式（６）で表されるＨＦＩＰ基を有するフェニレンジアミンと式（７）で表されるテトラカルボン酸二無水物の共存下、無溶剤で１５０℃以上に加熱溶融し反応させることで、ＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）を得るポリイミドの製造方法。
（Ａ）または（Ｂ）のポリイミドの製造方法において、得られるポリイミドの物性値の調製等の必要に応じ、式（６）で表される以外のジアミン、式（７）で表される以外のテトラカルボン酸二無水物、またはその両方を加えてもよい。
（Ａ）または（Ｂ）のポリイミドの製造方法ともに、ジアミンとテトラカルボン酸二無水物との縮重合反応はモル比で表して１対１で反応することから、式（６）で表されるフェニレンジアミンと式（７）で表されるテトラカルボン酸二無水物の存在比は、モル比で表して、フェニレンジアミン：テトラカルボン酸二無水物＝０．５：１～１：０．５であり、好ましくは１：１である。
２－１．ポリイミドの製造方法（Ａ）
以下、ポリイミドの製造方法（Ａ）について説明する。
以下、ポリイミドの製造方法（Ａ）について説明する。
[有機溶剤]
使用する有機溶剤は、式（６）で表されるフェニレンジアミンと式（７）で表されるテトラカルボン酸二無水物からポリアミック酸を得る縮重合反応を阻害しなく、式（６）で表されるフェニレンジアミン、式（７）で表されるテトラカルボン酸二無水物および生成するポリアミック酸を溶解させるものであればよく、このような有機溶剤として、アミド系溶剤、芳香族系溶剤、ハロゲン系溶剤、ラクトン類溶剤、アルコール類溶剤またはグリコールエーテル類溶剤を挙げることができる。これらの有機溶剤は単独で用いてもよいし、二種以上を併用してもよい。
使用する有機溶剤は、式（６）で表されるフェニレンジアミンと式（７）で表されるテトラカルボン酸二無水物からポリアミック酸を得る縮重合反応を阻害しなく、式（６）で表されるフェニレンジアミン、式（７）で表されるテトラカルボン酸二無水物および生成するポリアミック酸を溶解させるものであればよく、このような有機溶剤として、アミド系溶剤、芳香族系溶剤、ハロゲン系溶剤、ラクトン類溶剤、アルコール類溶剤またはグリコールエーテル類溶剤を挙げることができる。これらの有機溶剤は単独で用いてもよいし、二種以上を併用してもよい。
＜アミド系溶剤＞
Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、ヘキサメチルリン酸トリアミド、またはＮ－メチル－２－ピロリドンを例示することができる。
Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、ヘキサメチルリン酸トリアミド、またはＮ－メチル－２－ピロリドンを例示することができる。
＜芳香族系溶剤＞
ベンゼン、アニソール、ジフェニルエーテル、ニトロベンゼン、ベンゾニトリル、またはｐ－クロロフェノールを例示することができる。
ベンゼン、アニソール、ジフェニルエーテル、ニトロベンゼン、ベンゾニトリル、またはｐ－クロロフェノールを例示することができる。
＜ハロゲン系溶剤＞
クロロホルム、ジクロロメタン、１，２－ジクロロエタン、または１，１，２，２－テトラクロロエタンを例示することができる。
クロロホルム、ジクロロメタン、１，２－ジクロロエタン、または１，１，２，２－テトラクロロエタンを例示することができる。
＜ラクトン類溶剤＞
γ－ブチロラクトン、γ－バレロラクトン、δ－バレロラクトン、γ－カプロラクトン、ε－カプロラクトン、またはα－メチル－γ－ブチロラクトンを例示することができる。
γ－ブチロラクトン、γ－バレロラクトン、δ－バレロラクトン、γ－カプロラクトン、ε－カプロラクトン、またはα－メチル－γ－ブチロラクトンを例示することができる。
＜アルコール類溶剤＞
ｎ－ブチルアルコールを例示することができる。
ｎ－ブチルアルコールを例示することができる。
＜グリコールエーテル類溶剤＞
２－メトキシエタノール、２－エトキシエタノール、または２－ブトキシエタノールを例示することができる。
２－メトキシエタノール、２－エトキシエタノール、または２－ブトキシエタノールを例示することができる。
［有機溶剤の量］
有機溶剤の量は、式（６）で表されるフェニレンジアミンと式（７）で表されるテトラカルボン酸二無水物をあわせた量に対する質量比で表して、フェニレンジアミン＋テトラカルボン酸二無水物：有機溶剤＝１：００１～１：１０である。
有機溶剤の量は、式（６）で表されるフェニレンジアミンと式（７）で表されるテトラカルボン酸二無水物をあわせた量に対する質量比で表して、フェニレンジアミン＋テトラカルボン酸二無水物：有機溶剤＝１：００１～１：１０である。
［反応温度］
式（６）で表されるフェニレンジアミンと式（７）で表されるテトラカルボン酸二無水物からポリアミック酸を得る縮重合反応は、前記有機溶剤中で、反応温度－２０℃以上、８０℃以下で行うことができる。
式（６）で表されるフェニレンジアミンと式（７）で表されるテトラカルボン酸二無水物からポリアミック酸を得る縮重合反応は、前記有機溶剤中で、反応温度－２０℃以上、８０℃以下で行うことができる。
［イミド化］
ＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）は、得られたポリアミック酸をさらに脱水閉環させイミド化することで得られる。
ＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）は、得られたポリアミック酸をさらに脱水閉環させイミド化することで得られる。
脱水閉環は、前記ポリアミック酸の溶液を１００℃以上、３５０℃以下に加熱し有機溶剤を揮発させつつ行うことができる。または、前記ポリアミック酸の溶液に０℃以上、５０℃以下で、式（７）で表されるフェニレンジアミンに対し、ピリジンまたはトリエチルアミン等の塩基と無水酢酸をそれぞれ０．１モル当量以上、１０モル当量以下を加えることでイミド化し、ＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）の溶液を得ることができる。得られたＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）溶液は、そのまま後述の電子部品用ポリイミド基板の製造に供してもよく、あるいは、濃縮または希釈してもよく、あるいは、ＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）の溶液中から有機溶剤等を除去してＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）そのものを得て使用してもよい。
３．電子部品用ポリイミド基板の製造方法
本発明の電子部品用ポリイミド基板は、支持基板上にポリイミド溶液の状態での塗布することで、支持基板上に形成が可能である、また、支持基板上に形成した状態で、あるいは支持基板から剥がして電子部品用ポリイミド基板として使用できる。例えば、前項のポリイミドの製造方法で得られたＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）の溶液を基材に塗布展開することで得ることができる。
本発明の電子部品用ポリイミド基板は、支持基板上にポリイミド溶液の状態での塗布することで、支持基板上に形成が可能である、また、支持基板上に形成した状態で、あるいは支持基板から剥がして電子部品用ポリイミド基板として使用できる。例えば、前項のポリイミドの製造方法で得られたＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）の溶液を基材に塗布展開することで得ることができる。
ＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）の溶液が含む有機溶剤としては、前項の[（Ａ）のポリイミドの製造方法]に記載のアミド系溶剤、芳香族系溶剤、ハロゲン系溶剤、ラクトン類溶剤、アルコール類溶剤またはグリコールエーテル類溶剤を挙げることができる。
本発明の電子部品用ＨＦＩＰ基含有ポリイミド基板の製造工程は特に限定されるものではないが、例えば、ＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）の溶液を支持基板に塗布する塗布工程、有機溶剤を除去乾燥しＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）を含む膜を得る有機溶剤除去工程、得られた膜を加熱する加熱工程を経て得ることができる。
［塗布工程］
塗布工程におけるＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）の溶液の塗布方法は、特に制限されず、公知の塗布方法および印刷を用いることができる。ＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）溶液の粘度および求める膜厚に応じて、スピンコーター、バーコーター、ドクターブレードコーター、エアーナイフコーター、ロールコーター、ロータリーコーター、フローコーター、ダイコーター、リップコーター、プレーコート、フローコート、ディップコート、ハケ塗り、スクリーン印刷、グラビア印刷を適宜選択し使用することができる。
塗布工程におけるＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）の溶液の塗布方法は、特に制限されず、公知の塗布方法および印刷を用いることができる。ＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）溶液の粘度および求める膜厚に応じて、スピンコーター、バーコーター、ドクターブレードコーター、エアーナイフコーター、ロールコーター、ロータリーコーター、フローコーター、ダイコーター、リップコーター、プレーコート、フローコート、ディップコート、ハケ塗り、スクリーン印刷、グラビア印刷を適宜選択し使用することができる。
ＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）溶液を塗布する基材としては、その後の工程に耐えうる耐熱性を有していれば、特に限定されず、無機基材、有機材料を適宜選択して使用されることができる。
無機基材としては、ガラス、シリコン、ステンレス鋼、アルミナ、銅、またはニッケル、有機機材としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレングリコールテレフタレート、ポリエチレングリコールナフタレート、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリプロピレン、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリフェニレンスルホンまたはポリフェニレンスルフィドを例示することができる。好ましくは、ガラス、シリコン、ステンレス鋼である。
ＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）の塗膜の膜厚は、ＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）溶液の濃度調製および塗布法の選択により適宜調製することができる。膜厚は１μｍ以上、１０００μｍ以下であり、好ましくは、３μｍ以上５００μｍ以下である。膜厚が１μｍより薄いと成形後に得られるポリイミド基板に十分な強度が得られず、１０００μｍより厚いとポリイミド基板に割れ等の欠陥が発生する虞がある。
［有機溶剤除去工程および加熱工程］
前記塗布工程により塗布膜を得た後、さらに塗布膜から有機溶剤を除去・乾燥する有機溶剤除去工程と、有機溶剤除去工程後のポリイミド基板をさらに熱処理し、硬化させる加熱工程を経ることで、機械強度に優れたポリイミド基板が得られる。有機溶剤除去工程、加熱工程における加熱時間は、通常０．５時間以上、３時間以下であり、それぞれの工程を連続または別々に行うことができる。
前記塗布工程により塗布膜を得た後、さらに塗布膜から有機溶剤を除去・乾燥する有機溶剤除去工程と、有機溶剤除去工程後のポリイミド基板をさらに熱処理し、硬化させる加熱工程を経ることで、機械強度に優れたポリイミド基板が得られる。有機溶剤除去工程、加熱工程における加熱時間は、通常０．５時間以上、３時間以下であり、それぞれの工程を連続または別々に行うことができる。
＜有機溶剤除去工程＞
有機溶剤除去工程で有機溶剤を除去し乾燥を行う際の温度は、本発明のＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）溶液に使用される有機溶剤の種類にもよるが、３０℃以上、４００℃以下であり、好ましくは、５０℃以上、２５０℃以下である。３０℃より低い温度では乾燥が不十分となり、４００℃より高い温度ではＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）が熱分解する虞がある。
有機溶剤除去工程で有機溶剤を除去し乾燥を行う際の温度は、本発明のＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）溶液に使用される有機溶剤の種類にもよるが、３０℃以上、４００℃以下であり、好ましくは、５０℃以上、２５０℃以下である。３０℃より低い温度では乾燥が不十分となり、４００℃より高い温度ではＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）が熱分解する虞がある。
＜加熱工程＞
加熱工程の温度は、１５０℃以上、４００℃以下であり、好ましくは２００℃以上、３００℃以下である。１５０℃より低い温度では、有機溶剤が残存し、４００℃より高い温度ではＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）が熱分解する虞がある。
加熱工程の温度は、１５０℃以上、４００℃以下であり、好ましくは２００℃以上、３００℃以下である。１５０℃より低い温度では、有機溶剤が残存し、４００℃より高い温度ではＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）が熱分解する虞がある。
加熱工程で使用される加熱装置は特に限定されるものではなく公知の装置を使用することができ、例えば、イナートガスオーブン、ホットプレート、箱型乾燥機、またはコンベアー型乾燥機を例示することができる。
加熱工程は、ポリイミド基板の酸化防止から、不活性ガス雰囲気化や減圧下で行うことが好ましい。
＜剥離工程＞
使用用途および目的によっては、ポリイミド基板を得るには、加熱工程後に支持基材からポリイミド膜を剥離し、それをポリイミド基板とする剥離工程が必要となる。剥離工程は、前記加熱工程後、室温（２０℃）から５０℃程度まで冷却した後、実施することができる。この際、剥離を容易に行うためには、支持基材に剥離剤を塗布してもよい。その際の剥離剤は特に限定されるものではないが、シリコン系またはフッ素系の剥離剤を挙げることができる。
使用用途および目的によっては、ポリイミド基板を得るには、加熱工程後に支持基材からポリイミド膜を剥離し、それをポリイミド基板とする剥離工程が必要となる。剥離工程は、前記加熱工程後、室温（２０℃）から５０℃程度まで冷却した後、実施することができる。この際、剥離を容易に行うためには、支持基材に剥離剤を塗布してもよい。その際の剥離剤は特に限定されるものではないが、シリコン系またはフッ素系の剥離剤を挙げることができる。
３．電子部品用ポリイミド基板の用途
上記電子部品用ポリイミド基板の製造で得られた本発明の電子部品用ポリイミド基板は、表示分野においては、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ、液晶ディスプレイおよび電子ペーパー等に用いることができる。また、表示分野においては、カバーフィルムにおいても好適に用いることができる。プリント配線板の分野では、タッチパネル等の透明配線板用途として用いることができる。
上記電子部品用ポリイミド基板の製造で得られた本発明の電子部品用ポリイミド基板は、表示分野においては、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ、液晶ディスプレイおよび電子ペーパー等に用いることができる。また、表示分野においては、カバーフィルムにおいても好適に用いることができる。プリント配線板の分野では、タッチパネル等の透明配線板用途として用いることができる。
４．電子部品用ポリイミド基板の性能
本発明の電子部品用ポリイミド基板は、十分な透明性、耐熱性を有し、さらに寸法安定性および機械強度に優れる。
本発明の電子部品用ポリイミド基板は、十分な透明性、耐熱性を有し、さらに寸法安定性および機械強度に優れる。
［透明性］
本発明の電子部品用ポリイミド基板の透明性は、膜厚２０～７０μｍにおいて、波長４００ｎｍ～７８０ｎｍでの光透過率が、６０％以上に達する（本明細書の図１参照）。電子部品用ポリイミド基板の透明性は高い方がよく、好ましくは６０％以上であり、より好ましくは、７０％以上である。
本発明の電子部品用ポリイミド基板の透明性は、膜厚２０～７０μｍにおいて、波長４００ｎｍ～７８０ｎｍでの光透過率が、６０％以上に達する（本明細書の図１参照）。電子部品用ポリイミド基板の透明性は高い方がよく、好ましくは６０％以上であり、より好ましくは、７０％以上である。
［耐熱性］
本発明の電子部品用ポリイミド基板の耐熱性は、ガラス転移温度（以下、Ｔｇと呼ぶことがある）および５％重量減少温度（以下、Ｔｄ５と呼ぶことがある）を指標とする。本明細書において、ガラス転移温度は、基板を熱機器分析（ＴＭＡ）で昇温速度１０℃／分の条件で測定した時の値である。Ｔｄ５は、熱重量分析装置を用いて基板の熱重量測定を行い、初期の重量に対して５％重量損失があった際の温度である。
本発明の電子部品用ポリイミド基板の耐熱性は、ガラス転移温度（以下、Ｔｇと呼ぶことがある）および５％重量減少温度（以下、Ｔｄ５と呼ぶことがある）を指標とする。本明細書において、ガラス転移温度は、基板を熱機器分析（ＴＭＡ）で昇温速度１０℃／分の条件で測定した時の値である。Ｔｄ５は、熱重量分析装置を用いて基板の熱重量測定を行い、初期の重量に対して５％重量損失があった際の温度である。
本発明の電子部品用ポリイミド基板は、Ｔｇ、２００℃以上、Ｔｄ５、３００℃以上を達成する（本明細書の［表１］の実施例１～２参照）。Ｔｇが２００℃より低いと耐熱性に乏しく、Ｔｄ５が３００℃より低いと、デバイス作製プロセスで基板の劣化の原因になる。好ましくは、ＴｇおよびＴｄ５ともに、３００℃以上である。
［機械強度］
本発明の電子部品用ポリイミド基板の機械強度は、弾性率を指標とする。本明細書において、弾性率は、ＪＩＳ Ｋ ７１６１に準じて、基板の引張試験を行うことで求めた値である。本発明の電子部品用ポリイミド基板は、弾性率は、３．０ＧＰａ以上、６．０ＧＰａ以下を達成する（本明細書の［表１］の実施例１～２参照）。弾性率は高い方が基板の剛性が高く好ましいが、弾性率が６．０ＧＰａより大きいと、電子部品作製プロセスで、基板が反る懸念がある。
本発明の電子部品用ポリイミド基板の機械強度は、弾性率を指標とする。本明細書において、弾性率は、ＪＩＳ Ｋ ７１６１に準じて、基板の引張試験を行うことで求めた値である。本発明の電子部品用ポリイミド基板は、弾性率は、３．０ＧＰａ以上、６．０ＧＰａ以下を達成する（本明細書の［表１］の実施例１～２参照）。弾性率は高い方が基板の剛性が高く好ましいが、弾性率が６．０ＧＰａより大きいと、電子部品作製プロセスで、基板が反る懸念がある。
［寸法安定性］
本発明の電子部品用ポリイミド基板の寸法安定性（以下、ＣＴＥと呼ぶことがある）は、５０℃以上、２００℃以下の温度範囲における熱膨張係数を指標とする。本明細書において、熱膨張係数は、熱機器分析（ＴＭＡ）で昇温速度１０℃／分の条件で基板を加温し測定した時の値である。
本発明の電子部品用ポリイミド基板の寸法安定性（以下、ＣＴＥと呼ぶことがある）は、５０℃以上、２００℃以下の温度範囲における熱膨張係数を指標とする。本明細書において、熱膨張係数は、熱機器分析（ＴＭＡ）で昇温速度１０℃／分の条件で基板を加温し測定した時の値である。
本発明の電子部品用ポリイミド基板は、５０℃以上、２００℃以下における熱膨張係数４５ｐｐｍ／℃以下を達成する（本明細書の［表１］の実施例１～２参照）。熱膨張係数が４５ｐｐｍ／℃より大きいと基板の寸法安定性に劣る。
以下に実施例に基づき本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。
１．ポリイミド基板の作製
ＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）に属するポリイミド（Ａ）～（Ｄ）の溶液（実施例１～４）、本発明の範疇に属さないポリイミド（Ｒ１）～（Ｒ３）の溶液（比較例１～３）を調製し、さらに調製した各々のポリイミド溶液を用い、ポリイミド基板（Ａ）～（Ｄ）および（Ｒ１）～（Ｒ３）を作製した。
１．ポリイミド基板の作製
ＨＦＩＰ基含有ポリイミド（１）に属するポリイミド（Ａ）～（Ｄ）の溶液（実施例１～４）、本発明の範疇に属さないポリイミド（Ｒ１）～（Ｒ３）の溶液（比較例１～３）を調製し、さらに調製した各々のポリイミド溶液を用い、ポリイミド基板（Ａ）～（Ｄ）および（Ｒ１）～（Ｒ３）を作製した。
実施例１
［ポリイミド（Ａ）の溶液の調製］
窒素導入管および攪拌翼を備えた容量５００ｍＬの三口フラスコに、以下の式に示すＨＦＩＰ－ｐＰＤを２０．０ｇ（７３ｍｍｏｌ）、および６ＦＤＡを３２．４ｇ（７３ｍｍｏｌ）加え、さらに、有機溶剤としてジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）を１１９ｇ加え、窒素雰囲気下、室温（２０℃）で２４時間攪拌した後、ピリジン１２．１ｇ（１５３ｍｍｏｌ）、無水酢酸１５．６ｇ（１５３ｍｍｏｌ）を順に加え、窒素雰囲気下、室温（２０℃）で３時間攪拌し、イミド化を行った。その後、ＤＭＡｃ加えてイミド化後の反応液を希釈し、加圧濾過することで、式（Ａ）で表される繰り返し単位を含むポリイミド（Ａ）のＤＭＡｃ溶液を調製した。
［ポリイミド（Ａ）の溶液の調製］
窒素導入管および攪拌翼を備えた容量５００ｍＬの三口フラスコに、以下の式に示すＨＦＩＰ－ｐＰＤを２０．０ｇ（７３ｍｍｏｌ）、および６ＦＤＡを３２．４ｇ（７３ｍｍｏｌ）加え、さらに、有機溶剤としてジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）を１１９ｇ加え、窒素雰囲気下、室温（２０℃）で２４時間攪拌した後、ピリジン１２．１ｇ（１５３ｍｍｏｌ）、無水酢酸１５．６ｇ（１５３ｍｍｏｌ）を順に加え、窒素雰囲気下、室温（２０℃）で３時間攪拌し、イミド化を行った。その後、ＤＭＡｃ加えてイミド化後の反応液を希釈し、加圧濾過することで、式（Ａ）で表される繰り返し単位を含むポリイミド（Ａ）のＤＭＡｃ溶液を調製した。
［ポリイミド（Ａ）の分子量の測定］
ポリイミド（Ａ）のＤＭＡｃ溶液のＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィ）による分子量の測定を行ったところ、Ｍｗ＝１７４０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．５であった。Ｍｗは重量平均分子量、Ｍｎは数平均分子量である。
ポリイミド（Ａ）のＤＭＡｃ溶液のＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィ）による分子量の測定を行ったところ、Ｍｗ＝１７４０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．５であった。Ｍｗは重量平均分子量、Ｍｎは数平均分子量である。
なお、ＧＰＣには、東ソー株式会社製、機種名：ＨＬＣ－８３２０ＧＰＣ、カラム：ＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨＺＭ－Ｈを用い、展開溶剤にはテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を用いた。
［ポリイミド基板（Ａ）の作製］
調製したポリイミド（Ａ）のＤＭＡｃ溶液をガラス基材上に垂らし、スピンコーターを用い、ガラス基材上に塗布した。窒素雰囲気下、１８０℃下で３０分間乾燥してＤＭＡｃ、ピリジンおよび無水酢酸を除去し、２５０℃で２時間加熱した後、冷却し、ガラス基材からポリイミド膜を剥がすことで、上記ポリイミド（Ａ）からなるポリイミド基板（Ａ）を厚さ、４９μｍで得た。尚、測定は、膜厚計（株式会社ニコン製、機種名：ＤＩＧＩＭＩＣＲＯ ＭＨ－１５）を用いおこなった。
調製したポリイミド（Ａ）のＤＭＡｃ溶液をガラス基材上に垂らし、スピンコーターを用い、ガラス基材上に塗布した。窒素雰囲気下、１８０℃下で３０分間乾燥してＤＭＡｃ、ピリジンおよび無水酢酸を除去し、２５０℃で２時間加熱した後、冷却し、ガラス基材からポリイミド膜を剥がすことで、上記ポリイミド（Ａ）からなるポリイミド基板（Ａ）を厚さ、４９μｍで得た。尚、測定は、膜厚計（株式会社ニコン製、機種名：ＤＩＧＩＭＩＣＲＯ ＭＨ－１５）を用いおこなった。
実施例２
［ポリイミド（Ｂ）の溶液の調製］
窒素導入管および攪拌翼を備えた容量５００ｍＬの三口フラスコに、以下の式に示すＨＦＩＰ－ｍＴＢを１９．９ｇ（３６．５ｍｍｏｌ）、ＨＦＩＰ－ｐＰＤを１０．０ｇ（３６．５ｍｍｏｌ）および６ＦＤＡを３２．４ｇ（７３ｍｍｏｌ）加え、窒素雰囲気下、室温（２０℃）で２４時間攪拌した後、ピリジン１２．１ｇ（１５３ｍｍｏｌ）、無水酢酸１５．６ｇ（１５３ｍｍｏｌ）を順に加え、窒素雰囲気下、室温（２０℃）で３時間攪拌し、イミド化を行った。その後、ＤＭＡｃ加えてイミド化後の反応液を希釈し、加圧濾過することで、以下の式（Ａ）および（Ｂ）で表される繰り返し単を含むポリイミド（Ｂ）のＤＭＡｃ溶液を調製した。
［ポリイミド（Ｂ）の溶液の調製］
窒素導入管および攪拌翼を備えた容量５００ｍＬの三口フラスコに、以下の式に示すＨＦＩＰ－ｍＴＢを１９．９ｇ（３６．５ｍｍｏｌ）、ＨＦＩＰ－ｐＰＤを１０．０ｇ（３６．５ｍｍｏｌ）および６ＦＤＡを３２．４ｇ（７３ｍｍｏｌ）加え、窒素雰囲気下、室温（２０℃）で２４時間攪拌した後、ピリジン１２．１ｇ（１５３ｍｍｏｌ）、無水酢酸１５．６ｇ（１５３ｍｍｏｌ）を順に加え、窒素雰囲気下、室温（２０℃）で３時間攪拌し、イミド化を行った。その後、ＤＭＡｃ加えてイミド化後の反応液を希釈し、加圧濾過することで、以下の式（Ａ）および（Ｂ）で表される繰り返し単を含むポリイミド（Ｂ）のＤＭＡｃ溶液を調製した。
［ポリイミド基板（Ｂ）の作製］
調製したポリイミド（Ｂ）のＤＭＡｃ溶液をさらにＤＭＡｃで希釈し、スピンコーターを用い、ガラス基材上に塗布した。窒素雰囲気下、１８０℃下で３０分間乾燥してＤＭＡｃ、ピリジンおよび無水酢酸を除去し、２５０℃で２時間加熱した後、冷却し、ガラス基材からポリイミド膜を剥がすことで、上記ポリイミド（Ｂ）からなるポリイミド基板（Ｂ）を厚さ、６０μｍで得た。尚、測定は、実施例と同じ膜厚計を用いた。
調製したポリイミド（Ｂ）のＤＭＡｃ溶液をさらにＤＭＡｃで希釈し、スピンコーターを用い、ガラス基材上に塗布した。窒素雰囲気下、１８０℃下で３０分間乾燥してＤＭＡｃ、ピリジンおよび無水酢酸を除去し、２５０℃で２時間加熱した後、冷却し、ガラス基材からポリイミド膜を剥がすことで、上記ポリイミド（Ｂ）からなるポリイミド基板（Ｂ）を厚さ、６０μｍで得た。尚、測定は、実施例と同じ膜厚計を用いた。
実施例３
［ポリイミド（Ｃ）の溶液の調製］
窒素導入管および攪拌翼を備えた容量５００ｍＬの三口フラスコに、以下の式に示すＨＦＩＰ－ｐＰＤを２０．０ｇ（７３ｍｍｏｌ）、６ＦＤＡを１６．２ｇ（３６．５ｍｍｏｌ）、ＯＤＰＡを１１．３ｇ（３６．５ｍｍｏｌ）加え、窒素雰囲気下、室温（２０℃）で２４時間攪拌した後、ピリジン１２．１ｇ（１５３ｍｍｏｌ）、無水酢酸１５．６ｇ（１５３ｍｍｏｌ）を順に加え、窒素雰囲気下、室温（２０℃）で３時間攪拌し、イミド化を行った。その後、ＤＭＡｃ加えてイミド化後の反応液を希釈し、加圧濾過することで、以下の式（Ａ）および（Ｃ）で表される繰り返し単を含むポリイミド（Ｃ）のＤＭＡｃ溶液を調製した。
［ポリイミド（Ｃ）の溶液の調製］
窒素導入管および攪拌翼を備えた容量５００ｍＬの三口フラスコに、以下の式に示すＨＦＩＰ－ｐＰＤを２０．０ｇ（７３ｍｍｏｌ）、６ＦＤＡを１６．２ｇ（３６．５ｍｍｏｌ）、ＯＤＰＡを１１．３ｇ（３６．５ｍｍｏｌ）加え、窒素雰囲気下、室温（２０℃）で２４時間攪拌した後、ピリジン１２．１ｇ（１５３ｍｍｏｌ）、無水酢酸１５．６ｇ（１５３ｍｍｏｌ）を順に加え、窒素雰囲気下、室温（２０℃）で３時間攪拌し、イミド化を行った。その後、ＤＭＡｃ加えてイミド化後の反応液を希釈し、加圧濾過することで、以下の式（Ａ）および（Ｃ）で表される繰り返し単を含むポリイミド（Ｃ）のＤＭＡｃ溶液を調製した。
［ポリイミド基板（Ｃ）の作製］
調製したポリイミド（Ｃ）のＤＭＡｃ溶液をさらにＤＭＡｃで希釈し、スピンコーターを用い、ガラス基材上に塗布した。窒素雰囲気下、１８０℃下で３０分間乾燥してＤＭＡｃ、ピリジンおよび無水酢酸を除去し、２５０℃で２時間加熱した後、冷却し、ガラス基材からポリイミド膜を剥がすことで、上記ポリイミド（Ｃ）からなるポリイミド基板（Ｃ）を厚さ、５３μｍで得た。尚、測定は、実施例と同じ膜厚計を用いた。
調製したポリイミド（Ｃ）のＤＭＡｃ溶液をさらにＤＭＡｃで希釈し、スピンコーターを用い、ガラス基材上に塗布した。窒素雰囲気下、１８０℃下で３０分間乾燥してＤＭＡｃ、ピリジンおよび無水酢酸を除去し、２５０℃で２時間加熱した後、冷却し、ガラス基材からポリイミド膜を剥がすことで、上記ポリイミド（Ｃ）からなるポリイミド基板（Ｃ）を厚さ、５３μｍで得た。尚、測定は、実施例と同じ膜厚計を用いた。
実施例４
［ポリイミド（Ｄ）の溶液の調製］
窒素導入管および攪拌翼を備えた容量５００ｍＬの三口フラスコに、以下の式に示すＨＦＩＰ－ｐＰＤを２０．０ｇ（７３ｍｍｏｌ）、ＴＦＭＢを７．８ｇ（２４ｍｍｏｌ）、６ＦＤＡを２８．１ｇ（６３ｍｍｏｌ）、ＢＰＤＡを１０．０ｇ（３４ｍｍｏｌ）加え、窒素雰囲気下、室温（２０℃）で２４時間攪拌した後、ピリジン１６．２ｇ（２０４ｍｍｏｌ）、無水酢酸２０．９ｇ（２０４ｍｍｏｌ）を順に加え、窒素雰囲気下、室温（２０℃）で３時間攪拌し、イミド化を行った。その後、ＤＭＡｃ加えてイミド化後の反応液を希釈し、加圧濾過することで、以下の式（Ａ）、（Ｄ）、（Ｅ）、(Ｆ)で表される繰り返し単を含むポリイミド（Ｄ）のＤＭＡｃ溶液を調製した。
［ポリイミド（Ｄ）の溶液の調製］
窒素導入管および攪拌翼を備えた容量５００ｍＬの三口フラスコに、以下の式に示すＨＦＩＰ－ｐＰＤを２０．０ｇ（７３ｍｍｏｌ）、ＴＦＭＢを７．８ｇ（２４ｍｍｏｌ）、６ＦＤＡを２８．１ｇ（６３ｍｍｏｌ）、ＢＰＤＡを１０．０ｇ（３４ｍｍｏｌ）加え、窒素雰囲気下、室温（２０℃）で２４時間攪拌した後、ピリジン１６．２ｇ（２０４ｍｍｏｌ）、無水酢酸２０．９ｇ（２０４ｍｍｏｌ）を順に加え、窒素雰囲気下、室温（２０℃）で３時間攪拌し、イミド化を行った。その後、ＤＭＡｃ加えてイミド化後の反応液を希釈し、加圧濾過することで、以下の式（Ａ）、（Ｄ）、（Ｅ）、(Ｆ)で表される繰り返し単を含むポリイミド（Ｄ）のＤＭＡｃ溶液を調製した。
［ポリイミド（Ｄ）の分子量の測定］
ポリイミド（Ｄ）のＤＭＡｃ溶液のＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィ）による分子量の測定を行ったところ、Ｍｗ＝１１８０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．１であった。Ｍｗは重量平均分子量、Ｍｎは数平均分子量である。
ポリイミド（Ｄ）のＤＭＡｃ溶液のＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィ）による分子量の測定を行ったところ、Ｍｗ＝１１８０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．１であった。Ｍｗは重量平均分子量、Ｍｎは数平均分子量である。
なお、ＧＰＣには、東ソー株式会社製、機種名：ＨＬＣ－８３２０ＧＰＣ、カラム：ＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨＺＭ－Ｈを用い、展開溶剤にはテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を用いた。
［ポリイミド基板（Ｄ）の作製］
調製したポリイミド（Ｄ）のＤＭＡｃ溶液をさらにＤＭＡｃで希釈し、スピンコーターを用い、ガラス基材上に塗布した。窒素雰囲気下、１８０℃下で３０分間乾燥してＤＭＡｃ、ピリジンおよび無水酢酸を除去し、２５０℃で２時間加熱した後、冷却し、ガラス基材からポリイミド膜を剥がすことで、上記ポリイミド（Ｄ）からなるポリイミド基板（Ｄ）を厚さ、６０μｍで得た。尚、測定は、実施例と同じ膜厚計を用いた。
調製したポリイミド（Ｄ）のＤＭＡｃ溶液をさらにＤＭＡｃで希釈し、スピンコーターを用い、ガラス基材上に塗布した。窒素雰囲気下、１８０℃下で３０分間乾燥してＤＭＡｃ、ピリジンおよび無水酢酸を除去し、２５０℃で２時間加熱した後、冷却し、ガラス基材からポリイミド膜を剥がすことで、上記ポリイミド（Ｄ）からなるポリイミド基板（Ｄ）を厚さ、６０μｍで得た。尚、測定は、実施例と同じ膜厚計を用いた。
比較例１
［ポリイミド（Ｒ１）の溶液の調製］
窒素導入管および攪拌翼を備えた容量５００ｍＬの三口フラスコに、以下の式に示すｐＰＤを１０．０ｇ（９３ｍｍｏｌ）、および６ＦＤＡを４１．２ｇ（９３ｍｍｏｌ）加え、さらに、有機溶剤としてジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）を８５ｇ加え、窒素雰囲気下、室温（２０℃）で２４時間攪拌した後、ピリジン１５．４ｇ（１９４ｍｍｏｌ）、無水酢酸１９．４ｇ（１９４ｍｍｏｌ）を順に加え、室温（２０℃）で３時間攪拌し、イミド化を行った。その後、ＤＭＡｃを加えてイミド化後の反応液を希釈し、加圧濾過することで、以下の式（Ｒ１）で表される繰り返し単位を含むポリイミド（Ｒ１）のＤＭＡｃ溶液を調製した。
［ポリイミド（Ｒ１）の溶液の調製］
窒素導入管および攪拌翼を備えた容量５００ｍＬの三口フラスコに、以下の式に示すｐＰＤを１０．０ｇ（９３ｍｍｏｌ）、および６ＦＤＡを４１．２ｇ（９３ｍｍｏｌ）加え、さらに、有機溶剤としてジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）を８５ｇ加え、窒素雰囲気下、室温（２０℃）で２４時間攪拌した後、ピリジン１５．４ｇ（１９４ｍｍｏｌ）、無水酢酸１９．４ｇ（１９４ｍｍｏｌ）を順に加え、室温（２０℃）で３時間攪拌し、イミド化を行った。その後、ＤＭＡｃを加えてイミド化後の反応液を希釈し、加圧濾過することで、以下の式（Ｒ１）で表される繰り返し単位を含むポリイミド（Ｒ１）のＤＭＡｃ溶液を調製した。
［ポリイミド基板（Ｒ１）の作製］
調製したポリイミド（Ｒ１）のＤＭＡｃ溶液をさらにＤＭＡｃで希釈し、スピンコーターを用い、ガラス基材上に塗布した。窒素雰囲気下、１８０℃下で３０分間乾燥してＤＭＡｃ、ピリジンおよび無水酢酸を除去し、２５０℃で２時間加熱した後、冷却し、ガラス基材からポリイミド膜を剥がすことで、上記ポリイミド（Ｂ）からなるポリイミド基板（Ｂ）を厚さ、３０μｍで得た。尚、測定は、実施例と同じ膜厚計を用いた。
調製したポリイミド（Ｒ１）のＤＭＡｃ溶液をさらにＤＭＡｃで希釈し、スピンコーターを用い、ガラス基材上に塗布した。窒素雰囲気下、１８０℃下で３０分間乾燥してＤＭＡｃ、ピリジンおよび無水酢酸を除去し、２５０℃で２時間加熱した後、冷却し、ガラス基材からポリイミド膜を剥がすことで、上記ポリイミド（Ｂ）からなるポリイミド基板（Ｂ）を厚さ、３０μｍで得た。尚、測定は、実施例と同じ膜厚計を用いた。
比較例２
［ポリイミド（Ｒ２）の溶液の調製］
窒素導入管および攪拌翼を備えた容量５００ｍＬの三口フラスコに、以下の式に示すＨＦＩＰ－ＭＤＡを５８．３ｇ（１１０ｍｍｏｌ）、およびＤＳＤＡを３９．１ｇ（１１０ｍｍｏｌ）加え、さらに、有機溶剤としてジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）を２２０ｇ加えた後、窒素雰囲気下、室温（２０℃）で２４時間攪拌した後、ピリジン３４．８ｇ（４４０ｍｍｏｌ）、無水酢酸４４．９ｇ（４４０ｍｍｏｌ）を順に加え、室温（２０℃）で３時間攪拌し、イミド化を行った。その後、ＤＭＡｃを加えてイミド化後の反応液を希釈し、加圧濾過することで、以下の式（Ｒ２）で表される繰り返し単位を含むポリイミド（Ｒ２）のＤＭＡｃ溶液を調製した。
［ポリイミド（Ｒ２）の溶液の調製］
窒素導入管および攪拌翼を備えた容量５００ｍＬの三口フラスコに、以下の式に示すＨＦＩＰ－ＭＤＡを５８．３ｇ（１１０ｍｍｏｌ）、およびＤＳＤＡを３９．１ｇ（１１０ｍｍｏｌ）加え、さらに、有機溶剤としてジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）を２２０ｇ加えた後、窒素雰囲気下、室温（２０℃）で２４時間攪拌した後、ピリジン３４．８ｇ（４４０ｍｍｏｌ）、無水酢酸４４．９ｇ（４４０ｍｍｏｌ）を順に加え、室温（２０℃）で３時間攪拌し、イミド化を行った。その後、ＤＭＡｃを加えてイミド化後の反応液を希釈し、加圧濾過することで、以下の式（Ｒ２）で表される繰り返し単位を含むポリイミド（Ｒ２）のＤＭＡｃ溶液を調製した。
［ポリイミド（Ｒ２）の分子量の測定］
実施例１と同様の方法で分子量を測定した結果、ポリイミド（Ｒ２）のＤＭＡｃ溶液のＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィ）による分子量の測定を行ったところ、Ｍｗ＝８５１００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．０であった。Ｍｗは重量平均分子量、Ｍｎは数平均分子量である。
実施例１と同様の方法で分子量を測定した結果、ポリイミド（Ｒ２）のＤＭＡｃ溶液のＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィ）による分子量の測定を行ったところ、Ｍｗ＝８５１００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．０であった。Ｍｗは重量平均分子量、Ｍｎは数平均分子量である。
［ポリイミド基板（Ｒ２）の作製］
調製したポリイミド（Ｒ２）のＤＭＡｃ溶液をさらにＤＭＡｃで希釈し、スピンコーターを用い、ガラス基材上に塗布した。窒素雰囲気下、１８０℃下で３０分間乾燥してＤＭＡｃ、ピリジンおよび無水酢酸を除去し、２００℃で２時間加熱した後、冷却し、ガラス基材からポリイミド膜を剥がすことで、上記ポリイミド（Ｒ２）からなるポリイミド基板（Ｒ２）を厚さ、５１μｍで得た。尚、測定は、実施例と同じ膜厚計を用いた。
調製したポリイミド（Ｒ２）のＤＭＡｃ溶液をさらにＤＭＡｃで希釈し、スピンコーターを用い、ガラス基材上に塗布した。窒素雰囲気下、１８０℃下で３０分間乾燥してＤＭＡｃ、ピリジンおよび無水酢酸を除去し、２００℃で２時間加熱した後、冷却し、ガラス基材からポリイミド膜を剥がすことで、上記ポリイミド（Ｒ２）からなるポリイミド基板（Ｒ２）を厚さ、５１μｍで得た。尚、測定は、実施例と同じ膜厚計を用いた。
比較例３
［ポリイミド（Ｒ３）の溶液の調製］
窒素導入管および攪拌翼を備えた容量５００ｍＬの三口フラスコに、以下の式に示すＴＦＭＢを２２．４ｇ（７０ｍｍｏｌ）、およびＯＤＰＡを２１．７ｇ（７０ｍｍｏｌ）加え、さらに、有機溶剤としてジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）を６８ｇ加え、窒素雰囲気下、室温（２０℃）で２４時間攪拌した後、ピリジン１１．６ｇ（１４７ｍｍｏｌ）、無水酢酸１５．７ｇ（１４７ｍｍｏｌ）を順に加え、室温（２０℃）で３時間攪拌し、イミド化を行った。その後、ＤＭＡｃを加えてイミド化後の反応液を希釈し、加圧濾過することで、以下の式（Ｒ３）で表される繰り返し単位を含むポリイミド（Ｒ３）のＤＭＡｃ溶液を調製した。
［ポリイミド（Ｒ３）の溶液の調製］
窒素導入管および攪拌翼を備えた容量５００ｍＬの三口フラスコに、以下の式に示すＴＦＭＢを２２．４ｇ（７０ｍｍｏｌ）、およびＯＤＰＡを２１．７ｇ（７０ｍｍｏｌ）加え、さらに、有機溶剤としてジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）を６８ｇ加え、窒素雰囲気下、室温（２０℃）で２４時間攪拌した後、ピリジン１１．６ｇ（１４７ｍｍｏｌ）、無水酢酸１５．７ｇ（１４７ｍｍｏｌ）を順に加え、室温（２０℃）で３時間攪拌し、イミド化を行った。その後、ＤＭＡｃを加えてイミド化後の反応液を希釈し、加圧濾過することで、以下の式（Ｒ３）で表される繰り返し単位を含むポリイミド（Ｒ３）のＤＭＡｃ溶液を調製した。
［ポリイミド基板（Ｒ３）の作製］
調製したポリイミド（Ｒ３）のＤＭＡｃ溶液をさらにＤＭＡｃで希釈し、スピンコーターを用い、ガラス基材上に塗布した。窒素雰囲気下、１８０℃下で３０分間乾燥してＤＭＡｃ、ピリジンおよび無水酢酸を除去し、２５０℃で２時間加熱した後、冷却し、ガラス基材からポリイミド膜を剥がすことで、上記ポリイミド（Ｒ３）からなるポリイミド基板（Ｒ３）を厚さ、６０μｍで得た。尚、測定は、実施例と同じ膜厚計を用いた。
調製したポリイミド（Ｒ３）のＤＭＡｃ溶液をさらにＤＭＡｃで希釈し、スピンコーターを用い、ガラス基材上に塗布した。窒素雰囲気下、１８０℃下で３０分間乾燥してＤＭＡｃ、ピリジンおよび無水酢酸を除去し、２５０℃で２時間加熱した後、冷却し、ガラス基材からポリイミド膜を剥がすことで、上記ポリイミド（Ｒ３）からなるポリイミド基板（Ｒ３）を厚さ、６０μｍで得た。尚、測定は、実施例と同じ膜厚計を用いた。
２．ポリイミド基板の物性測定
実施例１～４で作製したポリイミド基板（Ａ）～（Ｄ）、比較例１～３で作製したポリイミド基板（Ｒ１）～（Ｒ３）の以下の物性を測定した。
実施例１～４で作製したポリイミド基板（Ａ）～（Ｄ）、比較例１～３で作製したポリイミド基板（Ｒ１）～（Ｒ３）の以下の物性を測定した。
２－１．物性評価項目
［透明性］
透明性は、株式会社島津製作所製、紫外可視近赤外分光光度計（ＵＶ－ＶＩＳ－ＮＩＲ ＳＰＥＣＴＲＯＭＥＴＥＲ 機種名 ＵＶ－３１５０）を用い、基板の波長３００ｎｍから８００ｎｍの光透過スペクトル、および波長４００ｎｍの光透過率（Ｔ４００）、波長４２０ｎｍの光透過率（Ｔ４２０）を測定した。
［透明性］
透明性は、株式会社島津製作所製、紫外可視近赤外分光光度計（ＵＶ－ＶＩＳ－ＮＩＲ ＳＰＥＣＴＲＯＭＥＴＥＲ 機種名 ＵＶ－３１５０）を用い、基板の波長３００ｎｍから８００ｎｍの光透過スペクトル、および波長４００ｎｍの光透過率（Ｔ４００）、波長４２０ｎｍの光透過率（Ｔ４２０）を測定した。
［耐熱性］
５％重量減少温度（Ｔｄ５）ポリイミド基板の耐熱性の指標である。５％重量減少温度（Ｔｄ５）は、示差熱熱重量同時測定装置（株式会社日立ハイテクサイエンス社製、機種名ＳＴＡ７２００）を用い、昇温速度１０℃／分の条件で測定した。
またはガラス転移温度（Ｔｇ）は、熱機械分析装置（株式会社リガク社製、機種名ＴＭＡ８３１０）を用いた引張試験で測定した。
５％重量減少温度（Ｔｄ５）ポリイミド基板の耐熱性の指標である。５％重量減少温度（Ｔｄ５）は、示差熱熱重量同時測定装置（株式会社日立ハイテクサイエンス社製、機種名ＳＴＡ７２００）を用い、昇温速度１０℃／分の条件で測定した。
またはガラス転移温度（Ｔｇ）は、熱機械分析装置（株式会社リガク社製、機種名ＴＭＡ８３１０）を用いた引張試験で測定した。
［寸法安定性］
寸法安定性の指標である熱膨張係数（ＣＴＥ）は、上記の熱機械分析装置を用い、昇温速度１０℃／分の条件で基板を加温し、５０℃以上、２００℃以下における熱膨張係数を測定した。
寸法安定性の指標である熱膨張係数（ＣＴＥ）は、上記の熱機械分析装置を用い、昇温速度１０℃／分の条件で基板を加温し、５０℃以上、２００℃以下における熱膨張係数を測定した。
［機械強度］
機械強度の指標である弾性率は、万能試験機オートグラフ（株式会社島津製作所製、Ａｕｔｏｇｒａｐｈ ＡＧ－ＩＳ）を用い、基板にＪＩＳ Ｋ ７１６１に準拠する引張試験を行い測定した。
機械強度の指標である弾性率は、万能試験機オートグラフ（株式会社島津製作所製、Ａｕｔｏｇｒａｐｈ ＡＧ－ＩＳ）を用い、基板にＪＩＳ Ｋ ７１６１に準拠する引張試験を行い測定した。
２－２．物性測定結果
上記実施例１～４および比較例１～３で作製した各ポリイミド基板を用い、上記物性の測定を行った。表１に測定結果を示す。表１おいて、電子部品用基板とする際に、特に良好な評価結果をＡ、良好な評価結果をＢ、十分でない評価結果はＣとした。
上記実施例１～４および比較例１～３で作製した各ポリイミド基板を用い、上記物性の測定を行った。表１に測定結果を示す。表１おいて、電子部品用基板とする際に、特に良好な評価結果をＡ、良好な評価結果をＢ、十分でない評価結果はＣとした。
［透明性］
図１の光透過率曲線に示す様に、実施例１～２で製した、ポリイミド基板（Ａ）～（Ｂ）は、良好な透明性を示し、基板の厚さ２０～７０μｍにおける、波長４００ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の光透過率が６０％以上であった。
図１の光透過率曲線に示す様に、実施例１～２で製した、ポリイミド基板（Ａ）～（Ｂ）は、良好な透明性を示し、基板の厚さ２０～７０μｍにおける、波長４００ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の光透過率が６０％以上であった。
表１に示す様に、実施例１～４で作製したポリイミド基板（Ａ）～（Ｄ）は、波長４２０ｎｍにおける光透過は各々８４～８７％であり、比較例１～３で作製したポリイミド基板（５３～８３％）に比べ、特に短波長側で優れていた。特にＨＦＩＰ基を有しないポリイミド基板（Ｒ１）、（Ｒ３）に比べ優れる。
［耐熱性］
表１に示す様に、実施例１～４で作製したポリイミド基板（Ａ）～（Ｄ）は、Ｔｇが３０７～３３０℃、Ｔｄ５が３４０～３６７℃であり、電子部品用の基板として使用するのに十分な値であった。ポリイミド基板（Ａ）～（Ｄ）に比較して、比較例１～３で作製した、ポリイミド基板（Ｒ１）～（Ｒ３）はＴｇが低い値であった。
表１に示す様に、実施例１～４で作製したポリイミド基板（Ａ）～（Ｄ）は、Ｔｇが３０７～３３０℃、Ｔｄ５が３４０～３６７℃であり、電子部品用の基板として使用するのに十分な値であった。ポリイミド基板（Ａ）～（Ｄ）に比較して、比較例１～３で作製した、ポリイミド基板（Ｒ１）～（Ｒ３）はＴｇが低い値であった。
［機械強度］
表１に示す様に、実施例１～４で作製したポリイミド基板（Ａ）～（Ｄ）の弾性率は各々３．０～３．７ＧＰａであり、電子部品用の基板として使用するのに十分な値であった。
表１に示す様に、実施例１～４で作製したポリイミド基板（Ａ）～（Ｄ）の弾性率は各々３．０～３．７ＧＰａであり、電子部品用の基板として使用するのに十分な値であった。
［寸法安定性］
表１に示す様に、実施例１～４で作製したポリイミド基板（Ａ）～（Ｄ）のＣＴＥは２１～４０ｐｐｍ／℃であった。比較して、ポリイミド基板（Ｒ１）～（Ｒ３）は、ＣＴＥは高い値であった（４４～５５ｐｐｍ／℃）。
表１に示す様に、実施例１～４で作製したポリイミド基板（Ａ）～（Ｄ）のＣＴＥは２１～４０ｐｐｍ／℃であった。比較して、ポリイミド基板（Ｒ１）～（Ｒ３）は、ＣＴＥは高い値であった（４４～５５ｐｐｍ／℃）。
実施例１～４で作製したポリイミド基板（Ａ）～（Ｄ）は、透明性および耐熱性に加え、さらに機械強度および寸法安定性に優れ、ポリイミド基板（Ｒ１）～（Ｒ３）に対し、電子部品用ポリイミド基板として優れていた。
Claims (7)
- 式（１）で表される繰り返し単位と、式（５）で表される繰り返し単位からなるポリイミドを含み、該式（１）で表される繰り返し単位と該式（５）で表される繰り返し単位の存在比は、繰り返し単位（１）：繰り返し単位（５）＝１：０．０５～１：１である、電子部品用ポリイミド基板。
（式（１）中、Ｒ１は式（２）で表される２価の有機基である。Ｒ２は４価の有機基である。）
（式（２）中、Ｒ３は水素原子、アルキル基またはフルオロアルキル基であり、ａは１～２の整数である。）
（式（５）中、Ｒ２は前記式（１）におけるＲ２と同義である。Ｒ４は、以下の式で表されるいずれかの２価の有機基である。）
- 前記Ｒ２が、以下のいずれかの４価の有機基である、請求項１に記載の電子部品用ポリイミド基板。
- 前記Ｒ１が、以下のいずれかの２価の有機基である、請求項１または請求項２に記載の電子部品用ポリイミド基板。
- 前記ポリイミドの重量平均分子量が、１００００以上、５０００００以下である、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の電子部品用ポリイミド基板。
- ５０℃以上、２００℃以下における熱膨張係数が２１ｐｐｍ／℃以上４５ｐｐｍ／℃以下である、請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の電子部品用ポリイミド基板。
- 弾性率が３．０ＧＰａ以上、６．０ＧＰａ以下である、請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の電子部品用ポリイミド基板。
- 基板の厚さ２０～７０μｍにおける、波長４００ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の光透過率が、６０％以上８７％以下である、請求項１～６のいずれか１項に記載の電子部品用ポリイミド基板。
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