JP7260277B2 - レーザーダイオードバーの製造方法およびレーザーダイオードバー - Google Patents
レーザーダイオードバーの製造方法およびレーザーダイオードバー Download PDFInfo
- Publication number
- JP7260277B2 JP7260277B2 JP2018192827A JP2018192827A JP7260277B2 JP 7260277 B2 JP7260277 B2 JP 7260277B2 JP 2018192827 A JP2018192827 A JP 2018192827A JP 2018192827 A JP2018192827 A JP 2018192827A JP 7260277 B2 JP7260277 B2 JP 7260277B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- contact
- emitter
- layer
- laser diode
- electrically insulating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/0014—Measuring characteristics or properties thereof
- H01S5/0042—On wafer testing, e.g. lasers are tested before separating wafer into chips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/0014—Measuring characteristics or properties thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
- H01S5/0215—Bonding to the substrate
- H01S5/0216—Bonding to the substrate using an intermediate compound, e.g. a glue or solder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
- H01S5/0282—Passivation layers or treatments
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
- H01S5/04256—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the configuration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2607—Circuits therefor
- G01R31/2632—Circuits therefor for testing diodes
- G01R31/2635—Testing light-emitting diodes, laser diodes or photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2301/00—Functional characteristics
- H01S2301/17—Semiconductor lasers comprising special layers
- H01S2301/176—Specific passivation layers on surfaces other than the emission facet
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
- H01S5/0234—Up-side down mountings, e.g. Flip-chip, epi-side down mountings or junction down mountings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0235—Method for mounting laser chips
- H01S5/02355—Fixing laser chips on mounts
- H01S5/0237—Fixing laser chips on mounts by soldering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
- H01S5/0281—Coatings made of semiconductor materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
- H01S5/32341—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm blue laser based on GaN or GaP
Description
2 第2のエミッタ
3 n型半導体領域
4 活性層
5 p型半導体領域
6 pコンタクト
7 nコンタクト
8 電気絶縁層
9 半導体積層体
10 レーザーダイオードバー
11 第1の主面
12 第2の主面
13 支持体
14 p接続層
15 放出領域
16 コンタクトウィンドウ
17 金酸化物層
17b 分解された金酸化物層
18 接着テープ
Claims (20)
- レーザーダイオードバー(10)の製造方法であって、
レーザー放射の形成に適した活性層(4)とpコンタクト(6)とnコンタクト(7)とを有するそれぞれ1つずつの半導体積層体(9)を含む、並んで設けられた複数のエミッタ(1,2)を形成するステップと、
各前記エミッタ(1,2)の少なくとも1つの光学特性および/または電気特性を検査し、当該光学特性および/または電気特性が設定された目標値範囲内にあるエミッタ(1)を、第1のエミッタ(1)のグループに割り当て、少なくとも1つの当該光学特性および/または電気特性が前記設定された目標値範囲を外れるエミッタ(2)を、第2のエミッタ(2)のグループに割り当てるステップと、
前記第1のエミッタ(1)の前記pコンタクト(6)上にp接続層(14)を形成することによって、前記第1のエミッタ(1)の前記pコンタクト(6)を電気的に接続し、前記第2のエミッタ(2)の前記pコンタクトを、少なくとも前記第2のエミッタ(2)の前記pコンタクト(6)上にあからじめ形成されている電気絶縁層(8)によって前記p接続層(14)から電気的に絶縁するステップと、
を含む、方法。 - 前記p接続層(14)は、前記第1のエミッタ(1)の前記pコンタクト(6)上、および前記第2のエミッタ(2)の前記pコンタクト(6)上に形成される、
請求項1記載の方法。 - 前記p接続層(14)ははんだ層であり、
前記レーザーダイオードバー(10)は、前記エミッタ(1,2)の前記pコンタクト(6)が設けられる第1の主面(11)で、前記はんだ層を介して支持体(13)に接続される、
請求項1または2記載の方法。 - 前記電気絶縁層(8)は、レジストまたは色素を含み、かつ選択的に前記第2のエミッタ(2)の前記pコンタクト(6)上に形成される、
請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。 - 前記電気絶縁層(8)は、前記第1のエミッタ(1)および前記第2のエミッタ(2)の各前記pコンタクト(6)上に形成されるフォトレジスト層を含み、
前記第1のエミッタ(1)の前記pコンタクト(6)上の前記フォトレジスト層を露光し、その後除去し、
前記第2のエミッタ(2)の前記pコンタクト(6)上の前記フォトレジスト層は露光せず、除去しない、
請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。 - 前記電気絶縁層(8)は、前記第1のエミッタ(1)および前記第2のエミッタ(2)の各前記pコンタクト(6)上に形成される酸化物層を含み、
前記第1のエミッタ(1)の前記pコンタクト(6)から前記酸化物層を除去する、
請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。 - 前記第1のエミッタ(1)および前記第2のエミッタ(2)の各前記pコンタクト(6)は、金を含み、かつ前記電気絶縁層(8)の形成前に酸素プラズマによって処理され、これにより前記pコンタクト(6)の表面に金酸化物層(17)が形成され、
前記金酸化物層(17)は、前記電気絶縁層(8)の形成後、前記第1のエミッタ(1)の駆動時に生じる熱によって少なくとも部分的に分解され、これにより、前記第1のエミッタ(1)の前記pコンタクト(6)上の前記電気絶縁層(8)は、前記第2のエミッタ(2)の前記pコンタクト(6)上に比べて接着性が低下し、
前記電気絶縁層(8)は、前記第1のエミッタ(1)の前記pコンタクト(6)から少なくとも部分的に剥離される、
請求項6記載の方法。 - 前記電気絶縁層(8)は、前記エミッタ(1,2)の少なくとも1つの光学特性および/または電気特性を検査する前に形成される、
請求項3記載の方法。 - 前記電気絶縁層(8)は、前記エミッタ(1,2)の少なくとも1つの光学特性および/または電気特性を検査した後に、前記第1のエミッタ(1)から除去され、前記第2のエミッタ(2)上にとどまる、
請求項8記載の方法。 - 前記エミッタ(1,2)はそれぞれ、前記電気絶縁層(8)内にコンタクトウィンドウ(16)を有し、前記エミッタ(1,2)を検査するときに前記コンタクトウィンドウ(16)を通してテストニードルが導入され、
前記電気絶縁層(8)の厚さおよび前記コンタクトウィンドウ(16)は、前記レーザーダイオードバー(10)を前記支持体(13)に実装する際に前記はんだ層のはんだが前記pコンタクト(6)へ浸出しないように設計されている、
請求項8または9記載の方法。 - 前記エミッタ(1,2)を検査するときに、テストニードルが前記電気絶縁層(8)を貫通する、
請求項8または9記載の方法。 - 前記半導体積層体(9)は、窒化物半導体材料を含む、
請求項1から11までのいずれか1項記載の方法。 - 並んで設けられた複数のエミッタ(1,2)を含む、レーザーダイオードバーであって、
前記複数のエミッタ(1,2)は、レーザー放射の形成に適した活性層(4)とpコンタクト(6)とnコンタクト(7)とを有する半導体積層体(9)を含み、
前記複数のエミッタ(1,2)は、電気的に接続された第1のエミッタ(1)のグループと、電気的に接続されない第2のエミッタ(2)のグループとを含み、
前記第1のエミッタ(1)の前記pコンタクト(6)は、p接続層(14)を介して、電気的に接続されており、かつ
前記第2のエミッタ(2)の前記pコンタクト(6)は、電気絶縁層(8)によって前記p接続層(14)から分離されており、電気的に接続されていない、
レーザーダイオードバー。 - 前記p接続層(14)ははんだ層であり、
前記レーザーダイオードバー(10)は、前記エミッタ(1,2)の前記pコンタクト(6)が設けられる第1の主面(11)で、前記はんだ層を介して支持体(13)に接続されている、
請求項13記載のレーザーダイオードバー。 - 前記電気絶縁層(8)は、レジストまたは色素を含む、
請求項13または14記載のレーザーダイオードバー。 - 前記電気絶縁層(8)は、フォトレジスト層である、
請求項13または14記載のレーザーダイオードバー。 - 前記電気絶縁層(8)は、酸化物層である、
請求項13または14記載のレーザーダイオードバー。 - 前記電気絶縁層(8)は、ケイ素酸化物層である、
請求項17記載のレーザーダイオードバー。 - 前記第2のエミッタ(2)の前記pコンタクト(6)と前記電気絶縁層(8)との間に、金酸化物層(17)が設けられている、
請求項17または18記載のレーザーダイオードバー。 - 前記半導体積層体(9)は、窒化物半導体材料を含む、
請求項13から19までのいずれか1項記載のレーザーダイオードバー。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102017123755.0A DE102017123755B4 (de) | 2017-10-12 | 2017-10-12 | Verfahren zur Herstellung eines Laserdiodenbarrens und Laserdiodenbarren |
DE102017123755.0 | 2017-10-12 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019075563A JP2019075563A (ja) | 2019-05-16 |
JP2019075563A5 JP2019075563A5 (ja) | 2022-08-18 |
JP7260277B2 true JP7260277B2 (ja) | 2023-04-18 |
Family
ID=65909838
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018192827A Active JP7260277B2 (ja) | 2017-10-12 | 2018-10-11 | レーザーダイオードバーの製造方法およびレーザーダイオードバー |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10505337B2 (ja) |
JP (1) | JP7260277B2 (ja) |
CN (1) | CN109659813B (ja) |
DE (1) | DE102017123755B4 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6842783B1 (ja) * | 2019-10-31 | 2021-03-17 | アルディーテック株式会社 | マイクロledディスプレイの製造方法およびマイクロledディスプレイ |
WO2024015690A1 (en) * | 2022-07-15 | 2024-01-18 | Daylight Solutions, Inc. | Laser array with emitter isolation |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001284660A (ja) | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Sony Corp | 表示装置及びその製造方法 |
JP2003309293A (ja) | 2002-04-17 | 2003-10-31 | Sony Corp | 半導体発光素子パッケージ、表示装置、発光素子の除去方法及び発光素子の検査方法 |
JP2006286991A (ja) | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
US20080179602A1 (en) | 2007-01-22 | 2008-07-31 | Led Lighting Fixtures, Inc. | Fault tolerant light emitters, systems incorporating fault tolerant light emitters and methods of fabricating fault tolerant light emitters |
JP2010517274A (ja) | 2007-01-22 | 2010-05-20 | クリー レッド ライティング ソリューションズ、インコーポレイテッド | 外部で相互接続された発光素子のアレイを用いる照明デバイスとその製造方法 |
US20160351457A1 (en) | 2015-05-28 | 2016-12-01 | Mikro Mesa Technology Co., Ltd. | Light emitting diode display device and manufacturing method thereof |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4489477A (en) * | 1984-02-23 | 1984-12-25 | Northern Telecom Limited | Method for screening laser diodes |
JPH03286547A (ja) * | 1990-04-02 | 1991-12-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置の製造方法 |
EP1015936B1 (en) * | 1996-01-12 | 2006-05-24 | Cobolt AB | Method of poling of optical crystals |
DE10013265A1 (de) | 2000-03-17 | 2001-10-04 | Heidelberger Druckmasch Ag | Laserbarren |
JP4494587B2 (ja) * | 2000-05-11 | 2010-06-30 | 古河電気工業株式会社 | 光半導体素子用パッケージおよび前記パッケージを用いた光半導体素子モジュール |
CN100346543C (zh) * | 2003-11-25 | 2007-10-31 | 夏普株式会社 | 半导体激光元件及其制造方法 |
JP5034662B2 (ja) * | 2006-06-20 | 2012-09-26 | ソニー株式会社 | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 |
CA2702304A1 (en) * | 2007-10-11 | 2009-04-23 | Basf Se | Spectrometer with led array |
DE102010034665A1 (de) * | 2010-08-18 | 2012-02-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips |
JP5705387B1 (ja) * | 2013-07-26 | 2015-04-22 | シチズンホールディングス株式会社 | レーザモジュール、光源装置、およびレーザモジュールの製造方法 |
DE102013114226B4 (de) * | 2013-12-17 | 2019-03-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterlaserdiode, Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlaserdiode und Halbleiterlaserdiodenanordnung |
DE102014116512A1 (de) * | 2014-11-12 | 2016-05-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Vorrichtung mit einem optoelektronischen Halbleiterbauelement |
DE102015105752B4 (de) | 2015-04-15 | 2021-08-05 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Halbleiteranordnung mit Reservoir für Markermaterial |
DE102016111058A1 (de) | 2016-06-16 | 2017-12-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Laserdiodenbarrens und Laserdiodenbarren |
-
2017
- 2017-10-12 DE DE102017123755.0A patent/DE102017123755B4/de active Active
-
2018
- 2018-10-10 US US16/156,134 patent/US10505337B2/en active Active
- 2018-10-11 CN CN201811183129.5A patent/CN109659813B/zh active Active
- 2018-10-11 JP JP2018192827A patent/JP7260277B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001284660A (ja) | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Sony Corp | 表示装置及びその製造方法 |
JP2003309293A (ja) | 2002-04-17 | 2003-10-31 | Sony Corp | 半導体発光素子パッケージ、表示装置、発光素子の除去方法及び発光素子の検査方法 |
JP2006286991A (ja) | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
US20080179602A1 (en) | 2007-01-22 | 2008-07-31 | Led Lighting Fixtures, Inc. | Fault tolerant light emitters, systems incorporating fault tolerant light emitters and methods of fabricating fault tolerant light emitters |
CN101652861A (zh) | 2007-01-22 | 2010-02-17 | 科锐Led照明科技公司 | 容错发光体、包含容错发光体的系统以及制造容错发光体的方法 |
JP2010517274A (ja) | 2007-01-22 | 2010-05-20 | クリー レッド ライティング ソリューションズ、インコーポレイテッド | 外部で相互接続された発光素子のアレイを用いる照明デバイスとその製造方法 |
US20160351457A1 (en) | 2015-05-28 | 2016-12-01 | Mikro Mesa Technology Co., Ltd. | Light emitting diode display device and manufacturing method thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102017123755B4 (de) | 2020-12-03 |
CN109659813A (zh) | 2019-04-19 |
US20190115716A1 (en) | 2019-04-18 |
JP2019075563A (ja) | 2019-05-16 |
US10505337B2 (en) | 2019-12-10 |
CN109659813B (zh) | 2023-09-12 |
DE102017123755A1 (de) | 2019-04-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11581707B2 (en) | Method of producing a laser diode bar and laser diode bar | |
US8026530B2 (en) | Semiconductor light-emitting device, lighting module and lighting apparatus | |
US20050104081A1 (en) | Semiconductor light emitting diode and method for manufacturing the same | |
JP2000114592A (ja) | 発光ダイオードの製造方法 | |
US9865994B2 (en) | Vertical cavity surface emitting laser array and method for manufacturing the same | |
US20080067539A1 (en) | Semiconductor light emitting element and method of making the same | |
JP7260277B2 (ja) | レーザーダイオードバーの製造方法およびレーザーダイオードバー | |
KR100890468B1 (ko) | 도전성 인터커넥션부를 이용한 발광다이오드 소자 | |
JP2009231820A (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
JP2008078340A (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
JP5744054B2 (ja) | 半導体基体を製造する方法 | |
US6351481B1 (en) | Diode laser with screening window and method of fabrication | |
JP2007184556A (ja) | 半導体レーザ、半導体レーザの製造方法および評価装置 | |
CN113853689A (zh) | 光电子半导体芯片 | |
JP2591521B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体素子 | |
JP6284638B2 (ja) | 半導体層列および半導体層列の製造方法 | |
JP4964027B2 (ja) | 窒化物系半導体レーザ素子の作製方法 | |
JP2008091708A (ja) | 半導体発光モジュールの製造方法 | |
WO2005088790A1 (ja) | 半導体レーザ素子、およびその製造方法 | |
JP4956014B2 (ja) | 半導体発光素子及び発光装置 | |
JP4438024B2 (ja) | 半導体レーザ装置の検査方法 | |
CN113939921A (zh) | 具有辐射转换元件的半导体器件和用于制造辐射转换元件的方法 | |
JPS6080291A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
JP4935591B2 (ja) | Iii族窒化物半導体光素子を作製する方法、およびフォトルミネッセンススペクトルを測定する方法 | |
DE102019106931A1 (de) | Optoelektronisches Halbleiterbauelement, optoelektronische Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210721 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220418 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220509 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20220809 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220927 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221223 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230307 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230406 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7260277 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |