JP7258633B2 - ビーム発散のハイブリッド制御を用いたx線分析のための装置及び方法 - Google Patents
ビーム発散のハイブリッド制御を用いたx線分析のための装置及び方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7258633B2 JP7258633B2 JP2019076037A JP2019076037A JP7258633B2 JP 7258633 B2 JP7258633 B2 JP 7258633B2 JP 2019076037 A JP2019076037 A JP 2019076037A JP 2019076037 A JP2019076037 A JP 2019076037A JP 7258633 B2 JP7258633 B2 JP 7258633B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- width
- angle
- divergence
- slit
- adjustable slit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
- G01N23/20008—Constructional details of analysers, e.g. characterised by X-ray source, detector or optical system; Accessories therefor; Preparing specimens therefor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
- G01N23/207—Diffractometry using detectors, e.g. using a probe in a central position and one or more displaceable detectors in circumferential positions
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/2206—Combination of two or more measurements, at least one measurement being that of secondary emission, e.g. combination of secondary electron [SE] measurement and back-scattered electron [BSE] measurement
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
- G01N2223/05—Investigating materials by wave or particle radiation by diffraction, scatter or reflection
- G01N2223/056—Investigating materials by wave or particle radiation by diffraction, scatter or reflection diffraction
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
- G01N2223/30—Accessories, mechanical or electrical features
- G01N2223/316—Accessories, mechanical or electrical features collimators
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
- G01N2223/30—Accessories, mechanical or electrical features
- G01N2223/32—Accessories, mechanical or electrical features adjustments of elements during operation
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
- G01N23/20008—Constructional details of analysers, e.g. characterised by X-ray source, detector or optical system; Accessories therefor; Preparing specimens therefor
- G01N23/20016—Goniometers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/223—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material by irradiating the sample with X-rays or gamma-rays and by measuring X-ray fluorescence
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
X線を生成するように構成されているX線源と、
試料を支持するように構成されている試料ステージであって、X線源及び試料ステージは、X線源によって発生されたX線が試料を照射する入射ビームを画定するように配置される、試料ステージと、
X線源と試料の間にある調節可能スリットと、
X線源と調節可能スリットの間又は調節可能スリットと試料の間にあるさらなるスリットと、
調節可能スリットの幅を制御するように構成されているコントローラと、含み、
コントローラは、第1の幅、第2の幅、及び第3の幅の間で調節可能スリットの幅を変更するように構成されており、第3の幅は第2の幅よりも大きく、第2の幅は第1の幅よりも大きく、第2の幅は第1の幅よりも大きく、
第1の幅では、
調節可能スリットが入射ビームの発散を第1の発散角に制限し、それによって試料の照射される領域を制限し、
さらなるスリットは、好ましくは、入射ビームの発散を制限せず、
第2の幅では、
調節可能スリットが入射ビームの発散を第2の発散角に制限し、それによって試料の照射される領域を制限し、
さらなるスリットは、好ましくは入射ビームの発散を制限せず、
第3の幅では、
調節可能スリットは入射ビームの発散を制限せず、
さらなるスリットが入射ビームの発散を第3の発散角に制限し、それによって試料の照射される面積を制限し、
第3の発散角は第2の発散角よりも大きく、第2の発散角は第1の発散角よりも大きい。
X線を生成するように構成されているX線源と、
試料を支持するように構成されている試料ステージであって、X線源及び試料ステージは、X線源によって生成されたX線が試料を照射する入射ビームを画定するように配置される、試料ステージと、
X線源と試料の間にある調節可能スリットと、
X線源と調節可能スリットの間又は調節可能スリットと試料との間にあるさらなるスリットと、
調節可能スリットの幅を制御するように構成されているコントローラと、を含み、
その方法は、
コントローラによって、調節可能スリットを第1の幅に設定し、第1の幅では、調節可能スリットが入射ビームの発散を第1の発散角に制限し、それによって試料の照射される領域を制限し、好ましくはさらなるスリットは入射ビームの発散を制限しない、設定することと、
コントローラによって、調節可能スリットを第2の幅に設定し、第2の幅では、調節可能スリットが入射ビームの発散を第2の発散角に制限し、それによって試料の照射される領域を制限し、好ましくはさらなるスリットは入射ビームの発散を制限しない、設定することと、
コントローラによって、調節可能スリットを第3の幅に設定し、第3の幅では、調節可能スリットは入射ビームの発散を制限せず、さらなるスリットが入射ビームの発散を第3の発散角に制限し、それによって試料の照射される領域を制限する、設定することと、を含み、
第3の幅は第2の幅よりも大きく、第2の幅は第1の幅よりも大きく、
第3の発散角は第2の発散角よりも大きく、第2の発散角は第1の発散角よりも大きい。
X線を生成するように構成されているX線源と、
試料を支持するように構成された試料ステージであって、X線源及び試料ステージは、X線源によって発生されたX線が試料を照射する入射ビームを画定するように配置される、試料ステージと、
X線源と試料の間にある調節可能スリットと、
ゴニオメータであって、X線源は、ゴニオメータの軸周りに回転可能となるようにゴニオメータに取り付けられ、異なる入射角の範囲で試料を照射する、ゴニオメータと、
ゴニオメータ及び調節可能スリットの幅を制御するように構成されているコントローラと、を含み、
その方法は、
ゴニオメータが第1の入射角に設定された状態で、コントローラによって、調節可能スリットを第1の幅に設定することであって、第1の幅では、調節可能スリットが入射ビームの発散を第1の発散角に制限し、それによって試料の照射される領域を制限する、設定することと、
ゴニオメータが第2の入射角に設定された状態で、コントローラによって、調節可能スリットを第2の幅に設定することであって、第2の幅では、調節可能スリットが入射ビームの発散を第2の発散角に制限し、それによって試料の照射される領域を制限する、設定することと、
ゴニオメータが第3の入射角に設定された状態で、コントローラによって、調節可能スリットを第3の幅に設定することであって、第3の幅では、調節可能スリットが入射ビームの発散を第3の発散角に制限し、それによって照射される試料の領域を制限する、設定することと、
ゴニオメータが第4の入射角に設定された状態で、コントローラによって、調節可能スリットを第3の幅に設定することと、を含み、
第3の幅は第2の幅よりも大きく、第2の幅は第1の幅よりも大きく、
第3の発散角は前記第2の発散角よりも大きく、第2の発散角は前記第1の発散角よりも大きく、
第4の入射角は第3の入射角よりも大きく、第3の入射角は第2の入射角よりも大きく、第2の入射角は第1の入射角よりも大きい。
X線を生成するように構成されているX線源と、
試料を支持するように構成されている試料ステージであって、X線源及び試料ステージは、X線源によって発生されたX線が試料を照射する入射ビームを画定するように配置される、試料ステージと、
X線源と試料の間にある調節可能スリットと、
ゴニオメータであって、X線源が異なる入射角の範囲で試料を照射するようにゴニオメータに取り付けられる、ゴニオメータと、
ゴニオメータ及び調節可能スリットの幅を制御するように構成されているコントローラと、を含み、
コントローラは、第1の幅、第2の幅、及び第3の幅の間で調節可能スリットの幅を変更するように構成されており、第3の幅は第2の幅よりも大きく、第2の幅は第1の幅よりも大きく、第2の幅は第1の幅よりも大きく、
第1の幅では、
調節可能スリットは入射ビームの発散を第1の発散角に制限し、それによって試料の照射される領域を制限し、
第2の幅では、
調節可能スリットは入射ビームの発散を第2の発散角に制限し、それによって試料の照射される領域を制限し、
第3の幅では、
調節可能スリットは入射ビームの発散を第3の発散角に制限し、それによって試料の照射される領域を制限し、
第3の発散角が第2の発散角よりも大きく、第2の発散角は第1の発散角よりも大きく、
コントローラは、
ゴニオメータが第1の入射角に設定された状態で、調節可能スリットが第1の幅に設定され、
ゴニオメータが第2の入射角に設定された状態で、調節可能スリットが第2の幅に設定され、
ゴニオメータが第3の入射角に設定された状態で、調節可能スリットが第3の幅に設定され、
ゴニオメータが第4の入射角に設定された状態で、調節可能スリットが第3の幅に設定されるように、ゴニオメータ及び調節可能スリットを制御するように構成されており、
第4の入射角は第3の入射角よりも大きく、第3の入射角は第2の入射角よりも大きく、第2の入射角は第1の入射角よりも大きい。
Claims (15)
- X線を生成するように構成されているX線源と、
試料を支持するように構成されている試料ステージであって、前記X線源及び該試料ステージは、前記X線源によって生成されたX線が該試料を照射する入射ビームを画定するように配置される、試料ステージと、
前記X線源と前記試料の間にある調節可能スリットと、
前記X線源と前記調節可能スリットの間、又は前記調節可能スリットと前記試料の間にあるさらなるスリットと、
前記調節可能スリットの幅を制御するように構成されているコントローラと、を含み、
前記コントローラは、第1の幅、第2の幅、及び第3の幅の間で前記調節可能スリットの幅を変更するように構成されており、該第3の幅は該第2の幅よりも大きく、該第2の幅は該第1の幅よりも大きく、
前記第1の幅では、前記調節可能スリットが前記入射ビームの発散を第1の発散角に制限し、それによって前記試料の照射される領域を制限し、
前記第2の幅では、前記調節可能スリットが前記入射ビームの発散を第2の発散角に制限し、それによって前記試料の照射される領域を制限し、
前記第3の幅では、
前記調節可能スリットは前記入射ビームの発散を制限せず、
前記さらなるスリットが前記入射ビームの発散を第3の発散角に制限し、それによって前記試料の照射される領域を制限し、
前記第3の発散角は前記第2の発散角よりも大きく、前記第2の発散角は第1の発散角よりも大きい、X線分析装置。 - 前記さらなるスリットは調節不可能スリットである、請求項1に記載のX線分析装置。
- 前記さらなるスリットは調節可能である、請求項1に記載のX線分析装置。
- ゴニオメータをさらに含み、前記X線源は該ゴニオメータの軸周りに回転可能となるように該ゴニオメータに取り付けられて、異なる入射角の範囲で前記試料を照射する、請求項1から3のいずれか一項に記載のX線分析装置。
- 前記コントローラは、
前記ゴニオメータが第1の入射角に設定された状態で、前記調節可能スリットが前記第1の幅に設定され、
前記ゴニオメータが第2の入射角に設定された状態で、前記調節可能スリットが前記第2の幅に設定され、
前記ゴニオメータが第3の入射角に設定された状態で、前記調節可能スリットが前記第3の幅に設定される、
ように前記ゴニオメータ及び前記調節可能スリットを制御するように構成されており、
前記第3の入射角は前記第2の入射角よりも大きく、前記第2の入射角は前記第1の入射角よりも大きい、請求項4に記載のX線分析装置。 - 前記コントローラは、前記ゴニオメータの入射角の範囲にわたって、前記入射ビームが前記試料の一定領域を照射するように、前記調節可能スリットの幅を制御するように構成されている、請求項4又は5に記載のX線分析装置。
- 前記試料からのX線を受けるように配置され、受けた該X線の強度を測定する出力信号を生成するように構成されているX線検出器をさらに含み、
前記コントローラは、前記X線検出器から前記出力信号を受信するように構成されており、
前記調節可能スリットが前記第1の幅又は前記第2の幅に設定されるとき、前記調節可能スリットの幅に基づいて第1の正規化計算を実行し、
前記調節可能スリットが前記第3の幅に設定されるとき、前記さらなるスリットの幅に基づいて第2の正規化計算を実行する、
ことによって、測定された前記強度を正規化するように構成されている、請求項1から6のいずれか一項に記載のX線分析装置。 - 前記X線分析装置は、蛍光X線測定のために構成されている、請求項1から7のいずれかに一項に記載のX線分析装置。
- 前記X線分析装置は、回折計である、請求項1から8のいずれか一項に記載のX線分析装置。
- 装置を用いたX線分析の方法であって、該装置は、
X線を生成するように構成されているX線源と、
試料を支持するように構成されている試料ステージであって、前記X線源及び該試料ステージは、前記X線源によって生成されたX線が該試料を照射する入射ビームを画定するように配置される、試料ステージと、
前記X線源と前記試料の間にある調節可能スリットと、
前記X線源と前記調節可能スリットの間、又は前記調節可能スリットと前記試料の間にあるさらなるスリットと、
前記調節可能スリットの幅を制御するように構成されているコントローラと、を含み、
当該方法は、
前記コントローラによって、前記調節可能スリットを第1の幅に設定することであって、該第1の幅では、前記調節可能スリットが前記入射ビームの発散を第1の発散角に制限し、それによって前記試料の照射される領域を制限する、設定することと、
前記コントローラによって、前記調節可能スリットを第2の幅に設定することであって、該第2の幅では、前記調節可能スリットが前記入射ビームの発散を第2の発散角に制限し、それによって前記試料の照射される領域を制限する、設定することと、
前記コントローラによって、前記調節可能スリットを第3の幅に設定することであって、該第3の幅では、前記調節可能スリットは前記入射ビームの発散を制限せず、前記さらなるスリットが前記入射ビームの発散を第3の発散角に制御して、それによって前記試料の照射される試料の領域を制限する、設定することと、を含み、
前記第3の幅は前記第2の幅よりも大きく、前記第2の幅は前記第1の幅よりも大きく、
前記第3の発散角は前記第2の発散角よりも大きく、前記第2の発散角は前記第1の発散角よりも大きい、方法。 - 装置を用いたX線分析の方法であって、該装置は、
X線を生成するように構成されているX線源と、
試料を支持するように構成されている試料ステージであって、前記X線源及び該試料ステージは、前記X線源によって生成されたX線が該試料を照射する入射ビームを画定するように配置される、試料ステージと、
前記X線源と前記試料の間にある調節可能スリットと、
ゴニオメータであって、前記X線源が該ゴニオメータの軸周りに回転可能となるように該ゴニオメータに取り付けられ、異なる入射角の範囲で前記試料を照射する、ゴニオメータと、
前記ゴニオメータ及び前記調節可能スリットの幅を制御するように構成されているコントローラと、を含み、
当該方法は、
前記ゴニオメータが第1の入射角に設定された状態で、前記コントローラによって、前記調節可能スリットを第1の幅に設定することであって、該第1の幅では、前記調節可能スリットが前記入射ビームの発散を第1の発散角に制限し、それによって前記試料の照射される領域を制限する、設定することと、
前記ゴニオメータが第2の入射角に設定された状態で、前記コントローラによって、前記調節可能スリットを第2の幅に設定することであって、該第2の幅では、前記調節可能スリットが前記入射ビームの発散を第2の発散角に制限し、それによって前記試料の照射される領域を制限する、設定することと、
前記ゴニオメータが第3の入射角に設定された状態で、前記コントローラによって、前記調節可能スリットを第3の幅に設定することであって、該第3の幅では、前記調節可能スリットが前記入射ビームの発散を第3の発散角に制限し、それによって前記試料の照射される領域を制限する、設定することと、
前記ゴニオメータが第4の入射角に設定された状態で、前記コントローラによって、前記調節可能スリットを前記第3の幅に設定することと、を含み、
前記第3の幅は前記第2の幅よりも大きく、前記第2の幅は前記第1の幅よりも大きく、
前記第3の発散角は前記第2の発散角よりも大きく、前記第2の発散角は前記第1の発散角よりも大きく、
前記第4の入射角は前記第3の入射角よりも大きく、前記第3の入射角は前記第2の入射角よりも大きく、前記第2の入射角は前記第1の入射角よりも大きい、方法。 - 前記コントローラは、前記第1の入射角から前記第2の入射角までの入射角の範囲にわたって、前記入射ビームが前記試料の一定領域を照射するように、前記調節可能スリットの幅を制御する、請求項11に記載の方法。
- 前記装置は、前記入射ビームがさらなるスリットを通過するが、該さらなるスリットが前記入射ビームの発散を制限しないように、前記調節可能スリットと前記試料との間に配置された該さらなるスリットを含む、請求項11又は12に記載の方法。
- コンピュータプログラムであって、当該コンピュータプログラムが前記コントローラ上で実行されるとき、X線分析装置のコントローラに請求項10から13のいずれか一項に記載の方法のすべてのステップを行わせるように構成されているコンピュータプログラムコードを含む、コンピュータプログラム。
- 非一時的なコンピュータ読み取り可能媒体に具現化されている、請求項14に記載のコンピュータプログラム。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP18167382 | 2018-04-13 | ||
EP18167382.3 | 2018-04-13 | ||
EP19161754.7 | 2019-03-08 | ||
EP19161754.7A EP3553506A3 (en) | 2018-04-13 | 2019-03-08 | Apparatus and method for x-ray analysis with hybrid control of beam divergence |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019184610A JP2019184610A (ja) | 2019-10-24 |
JP7258633B2 true JP7258633B2 (ja) | 2023-04-17 |
Family
ID=62002038
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019076037A Active JP7258633B2 (ja) | 2018-04-13 | 2019-04-12 | ビーム発散のハイブリッド制御を用いたx線分析のための装置及び方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10782252B2 (ja) |
EP (1) | EP3553506A3 (ja) |
JP (1) | JP7258633B2 (ja) |
CN (1) | CN110376231A (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11058895B2 (en) * | 2017-08-15 | 2021-07-13 | Daegu Gyeongbuk Institute Of Science And Technology | Collimator and medical robot including the same |
CN112823280A (zh) | 2018-09-07 | 2021-05-18 | 斯格瑞公司 | 用于深度可选x射线分析的系统和方法 |
EP3719484B1 (en) * | 2019-04-04 | 2024-02-14 | Malvern Panalytical B.V. | X-ray beam shaping apparatus and method |
WO2021046059A1 (en) * | 2019-09-03 | 2021-03-11 | Sigray, Inc. | System and method for computed laminography x-ray fluorescence imaging |
US11175243B1 (en) | 2020-02-06 | 2021-11-16 | Sigray, Inc. | X-ray dark-field in-line inspection for semiconductor samples |
JP7395775B2 (ja) | 2020-05-18 | 2023-12-11 | シグレイ、インコーポレイテッド | 結晶解析装置及び複数の検出器素子を使用するx線吸収分光法のためのシステム及び方法 |
CN111992514B (zh) * | 2020-08-06 | 2022-03-25 | 北京霍里思特科技有限公司 | 宽体智能分选设备的双光源信号采集单元及信号采集方法 |
JP2023542674A (ja) | 2020-09-17 | 2023-10-11 | シグレイ、インコーポレイテッド | X線を用いた深さ分解計測および分析のためのシステムおよび方法 |
WO2022126071A1 (en) | 2020-12-07 | 2022-06-16 | Sigray, Inc. | High throughput 3d x-ray imaging system using a transmission x-ray source |
US11885755B2 (en) | 2022-05-02 | 2024-01-30 | Sigray, Inc. | X-ray sequential array wavelength dispersive spectrometer |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60205243A (ja) * | 1984-03-30 | 1985-10-16 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | X線回折装置 |
JP3529068B2 (ja) * | 1995-10-25 | 2004-05-24 | 理学電機株式会社 | X線小角散乱装置 |
JP3519203B2 (ja) * | 1996-02-20 | 2004-04-12 | 理学電機株式会社 | X線装置 |
DE19721535C2 (de) * | 1997-05-22 | 2001-09-06 | Siemens Ag | Röntgen-Computertomograph zur Erzeugung von Röntgenschattenbildern |
US6459769B1 (en) * | 1999-05-03 | 2002-10-01 | Sherwood Services Ag | Movable miniature multi-leaf collimator |
JP3717115B2 (ja) * | 2002-06-12 | 2005-11-16 | 株式会社リガク | 伝播線を用いた解析方法及びその装置 |
US7110491B2 (en) * | 2004-12-22 | 2006-09-19 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd. | Measurement of critical dimensions using X-ray diffraction in reflection mode |
DE102005028208A1 (de) * | 2005-06-17 | 2006-12-28 | Siemens Ag | Strahlenblende für eine Röntgeneinrichtung |
WO2008011900A1 (de) * | 2006-07-27 | 2008-01-31 | Deutsches Krebsforschungszentrum Stiftung des öffentlichen Rechts | Bestrahlungsvorrichtung und kollimator |
JP4711430B2 (ja) * | 2006-08-01 | 2011-06-29 | 株式会社リガク | X線回折装置 |
CA2745370A1 (en) * | 2008-12-01 | 2010-06-10 | Brookhaven Science Associates | Systems and methods for detecting an image of an object using multi-beam imaging from an x-ray beam having a polychromatic distribution |
EP2778665B1 (en) * | 2013-03-15 | 2019-05-08 | Bruker AXS GmbH | X-ray analyzing system for x-ray scattering analysis |
EP2818851B1 (en) * | 2013-06-26 | 2023-07-26 | Malvern Panalytical B.V. | Diffraction Imaging |
EP2896960B1 (en) | 2014-01-15 | 2017-07-26 | PANalytical B.V. | X-ray apparatus for SAXS and Bragg-Brentano measurements |
US11333621B2 (en) * | 2017-07-11 | 2022-05-17 | Kla-Tencor Corporation | Methods and systems for semiconductor metrology based on polychromatic soft X-Ray diffraction |
-
2019
- 2019-03-08 EP EP19161754.7A patent/EP3553506A3/en active Pending
- 2019-04-09 CN CN201910280993.5A patent/CN110376231A/zh active Pending
- 2019-04-12 JP JP2019076037A patent/JP7258633B2/ja active Active
- 2019-04-12 US US16/382,606 patent/US10782252B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110376231A (zh) | 2019-10-25 |
US20190317031A1 (en) | 2019-10-17 |
US10782252B2 (en) | 2020-09-22 |
JP2019184610A (ja) | 2019-10-24 |
EP3553506A2 (en) | 2019-10-16 |
EP3553506A3 (en) | 2020-02-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7258633B2 (ja) | ビーム発散のハイブリッド制御を用いたx線分析のための装置及び方法 | |
JP4278108B2 (ja) | 超小角x線散乱測定装置 | |
JP7208851B2 (ja) | X線分析装置 | |
JP3284198B2 (ja) | 蛍光x線分析装置 | |
US9640292B2 (en) | X-ray apparatus | |
JP4994722B2 (ja) | 超小角x線散乱測定の測定結果表示方法、及び超小角x線散乱測定に基づく配向度の解析方法 | |
US9031203B2 (en) | X-ray beam system offering 1D and 2D beams | |
JP4715345B2 (ja) | X線分析装置 | |
JP4868660B2 (ja) | 多層鏡及び射出コリメータが設けられるx線分析装置 | |
CN110389142B (zh) | X射线分析设备和方法 | |
KR101211647B1 (ko) | X선 검사장비의 가변 슬릿장치 | |
US7983389B2 (en) | X-ray optical element and diffractometer with a soller slit | |
EP3543684B1 (en) | X-ray diffraction apparatus | |
CN114486971A (zh) | 多源设计的x射线分析系统和方法 | |
CN112105919A (zh) | 荧光x射线分析装置以及荧光x射线分析方法 | |
JP2000214107A (ja) | 蛍光x線分析装置 | |
JPH1114563A (ja) | X線トポグラフィック装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220411 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230222 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230307 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230405 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7258633 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |