JP7253924B2 - コバルトcmp用の代替的な酸化剤 - Google Patents
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- 239000010941 cobalt Substances 0.000 title claims description 138
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 title claims description 138
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 title claims description 80
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 title description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 215
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 212
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 137
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 49
- -1 heteroaryl nitro nitroso compounds Chemical class 0.000 claims description 40
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims description 31
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims description 29
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 28
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 28
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 22
- NBZBKCUXIYYUSX-UHFFFAOYSA-N iminodiacetic acid Chemical group OC(=O)CNCC(O)=O NBZBKCUXIYYUSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- SJRJJKPEHAURKC-UHFFFAOYSA-N N-Methylmorpholine Chemical compound CN1CCOCC1 SJRJJKPEHAURKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-N picolinic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=N1 SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 8
- WJJMNDUMQPNECX-UHFFFAOYSA-N dipicolinic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(C(O)=O)=N1 WJJMNDUMQPNECX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 8
- 150000002826 nitrites Chemical class 0.000 claims description 8
- 150000002443 hydroxylamines Chemical class 0.000 claims description 7
- 150000002832 nitroso derivatives Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- MCTWTZJPVLRJOU-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-1H-imidazole Chemical compound CN1C=CN=C1 MCTWTZJPVLRJOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- QZTKDVCDBIDYMD-UHFFFAOYSA-N 2,2'-[(2-amino-2-oxoethyl)imino]diacetic acid Chemical compound NC(=O)CN(CC(O)=O)CC(O)=O QZTKDVCDBIDYMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229940081066 picolinic acid Drugs 0.000 claims description 5
- DBVJJBKOTRCVKF-UHFFFAOYSA-N Etidronic acid Chemical compound OP(=O)(O)C(O)(C)P(O)(O)=O DBVJJBKOTRCVKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 claims description 4
- FSVCELGFZIQNCK-UHFFFAOYSA-N N,N-bis(2-hydroxyethyl)glycine Chemical compound OCCN(CCO)CC(O)=O FSVCELGFZIQNCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000007998 bicine buffer Substances 0.000 claims description 4
- 125000002768 hydroxyalkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- KZVLNAGYSAKYMG-UHFFFAOYSA-N pyridine-2-sulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC=N1 KZVLNAGYSAKYMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000003628 tricarboxylic acids Chemical class 0.000 claims description 4
- JKMHFZQWWAIEOD-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(2-hydroxyethyl)piperazin-1-yl]ethanesulfonic acid Chemical compound OCC[NH+]1CCN(CCS([O-])(=O)=O)CC1 JKMHFZQWWAIEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000004408 aryl N-oxide group Chemical group 0.000 claims description 3
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000001991 dicarboxylic acids Chemical class 0.000 claims description 3
- IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-M nitrite group Chemical group N(=O)[O-] IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 37
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 10
- 239000003139 biocide Substances 0.000 description 10
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 9
- 230000003115 biocidal effect Effects 0.000 description 9
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 8
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- FSYKKLYZXJSNPZ-UHFFFAOYSA-N sarcosine Chemical class C[NH2+]CC([O-])=O FSYKKLYZXJSNPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 6
- 150000002828 nitro derivatives Chemical class 0.000 description 6
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 5
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 5
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 5
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 5
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 5
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 4
- RXKNNAKAVAHBNK-UHFFFAOYSA-N 4-nitropyridine-n-oxide Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=[N+]([O-])C=C1 RXKNNAKAVAHBNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FEXIEMAAKBNTFK-UHFFFAOYSA-N 4-nitropyridine Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=NC=C1 FEXIEMAAKBNTFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 2
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- SCVFZCLFOSHCOH-UHFFFAOYSA-M potassium acetate Chemical compound [K+].CC([O-])=O SCVFZCLFOSHCOH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- BOFAIBPJCWFJFT-UHFFFAOYSA-N 4-methoxy-1-oxidopyridin-1-ium Chemical compound COC1=CC=[N+]([O-])C=C1 BOFAIBPJCWFJFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006538 C11 alkyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000006539 C12 alkyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010011878 Deafness Diseases 0.000 description 1
- 229910000997 High-speed steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001204 N-oxides Chemical class 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 239000003623 enhancer Substances 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 238000011540 hip replacement Methods 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- MGIYRDNGCNKGJU-UHFFFAOYSA-N isothiazolinone Chemical compound O=C1C=CSN1 MGIYRDNGCNKGJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013150 knee replacement Methods 0.000 description 1
- 229940071145 lauroyl sarcosinate Drugs 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002905 metal composite material Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 description 1
- 230000000399 orthopedic effect Effects 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000582 polyisocyanurate Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 1
- 235000011056 potassium acetate Nutrition 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229940071089 sarcosinate Drugs 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000002455 scale inhibitor Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- LJRGBERXYNQPJI-UHFFFAOYSA-M sodium;3-nitrobenzenesulfonate Chemical compound [Na+].[O-][N+](=O)C1=CC=CC(S([O-])(=O)=O)=C1 LJRGBERXYNQPJI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 150000003460 sulfonic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/32115—Planarisation
- H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/7684—Smoothing; Planarisation
Description
(1)実施形態(1)では、化学機械研磨組成物であって、
(a)砥粒、
(b)コバルト促進剤、および
(c)金属を酸化する酸化剤を含み、酸化剤が、ニトロ化合物、ニトロソ化合物、N-オキシド化合物、亜硝酸塩化合物、硝酸塩化合物、ヒドロキシルアミン化合物、オキシム化合物、およびこれらの組合せから選択され、
研磨組成物が約4から約10のpHを有する、
研磨組成物が提示される。
(2)実施形態(2)では、コバルト促進剤が、N-ジ(カルボキシルアルキル)アミン、N-ジ(ヒドロキシアルキル)アミン、N,N-ジ(ヒドロキシアルキル)-N-カルボキシルアルキルアミン、ジカルボキシヘテロ環状体、ヘテロシクリルアルキル-α-アミノ酸、N-アミノアルキルアミノ酸、非置換の複素環、アルキル置換された複素環、カルボン酸、ジカルボン酸、トリカルボン酸、アルキルアミン、N-アミノアルキル-α-アミノ酸、およびこれらの組合せから選択される、実施形態(1)の研磨組成物が提示される。
(3)実施形態(3)では、コバルト腐食阻害剤をさらに含む、実施形態(1)または(2)の研磨組成物が提示される。
(4)実施形態(4)では、砥粒がシリカである、実施形態(l)~(3)のいずれか1つの研磨組成物が提示される。
(5)実施形態(5)では、約0.1質量%から約5質量%の砥粒を含む、実施形態(l)~(4)のいずれか1つの研磨組成物が提示される。
(6)実施形態(6)では、約0.1質量%から約3質量%の砥粒を含む、実施形態(5)の研磨組成物が提示される。
(7)実施形態(7)では、コバルト促進剤が、イミノ二酢酸、N-(2-アセトアミド)イミノ二酢酸、N-メチルイミダゾール、ピコリン酸、ジピコリン酸、4-(2-ヒドロキシエチル)-l-ピペラジンエタンスルホン酸、グリシン、ビシン、トリエチルアミン、エチドロン酸、N-メチルモルホリン、マロン酸、2-ピリジンスルホネート、クエン酸、およびこれらの組合せから選択される、実施形態(l)~(6)のいずれか1つの研磨組成物が提示される。
(8)実施形態(8)では、コバルト促進剤が約5mMから約100mMの濃度で研磨組成物中に存在する、実施形態(l)~(7)のいずれか1つの研磨組成物が提示される。
(9)実施形態(9)では、コバルト促進剤が約10mMから約50mMの濃度で研磨組成物中に存在する、実施形態(8)の研磨組成物が提示される。
(10)実施形態(10)では、酸化剤が、アリールニトロ化合物、アリールニトロソ化合物、アリールN-オキシド化合物、アリールヒドロキシルアミン化合物、アリールオキシム化合物、およびこれらの組合せから選択される、実施形態(l)~(9)のいずれか1つの研磨組成物が提示される。
(11)実施形態(11)では、酸化剤が、ヘテロアリールニトロ化合物、ヘテロアリールニトロソ化合物、ヘテロアリールN-オキシド化合物、ヘテロアリールヒドロキシルアミン化合物、ヘテロアリールオキシム化合物、およびこれらの組合せから選択される、実施形態(l)~(9)のいずれか1つの研磨組成物が提示される。
(12)実施形態(12)では、酸化剤が、亜硝酸塩、硝酸塩、およびこれらの組合せから選択される、実施形態(l)~(9)のいずれか1つの研磨組成物が提示される。
(13)実施形態(13)では、酸化剤が約1mMから約100mMの濃度で研磨組成物中に存在する、実施形態(l)~(12)のいずれか1つの研磨組成物が提示される。
(14)実施形態(14)では、酸化剤が約10mMから約50mMの濃度で研磨組成物中に存在する、実施形態(13)の研磨組成物が提示される。
(15)実施形態(15)では、コバルト腐食阻害剤が約10ppmから約1000ppmの濃度で研磨組成物中に存在する、実施形態(3)~(14)のいずれか1つの研磨組成物が提示される。
(16)実施形態(16)では、約5から約9のpHを有する、実施形態(1)~(15)のいずれか1つの研磨組成物が提示される。
(17)実施形態(17)では、約6.5から約7.5のpHを有する、実施形態(16)の研磨組成物が提示される。
(18)実施形態(18)では、基板を化学機械的に研磨する方法であって、
(i)基板を提供すること、
(ii)研磨パッドを提供すること、
(iii)化学機械研磨組成物であって、
(a)砥粒、
(b)コバルト促進剤、
(c)金属を酸化する酸化剤を含み、酸化剤が、ニトロ化合物、ニトロソ化合物、N-オキシド化合物、亜硝酸塩化合物、硝酸塩化合物、ヒドロキシルアミン化合物、オキシム化合物、およびこれらの組合せから選択され、
研磨組成物が約4から約10のpHを有する、
研磨組成物を提供すること、
(iv)基板を研磨パッドおよびそれらの間にある化学機械研磨組成物と接触させること、および
(v)研磨パッドおよび化学機械研磨組成物を基板に対して移動させて基板の少なくとも一部分を摩損させることにより、基板を研磨すること
を含む、方法が提示される。
(19)実施形態(19)では、基板がコバルトを含み、かつコバルトの少なくとも一部分が摩損されて基板を研磨する、実施形態(18)の方法が提示される。
(20)実施形態(20)では、基板が半導体デバイスを含む、実施形態(18)または(19)の方法が提示される。
本実施例は、コバルト静的エッチング速度(「SER」)に対するコバルト促進剤と酸化剤との組合せの影響力を実証する。
本実施例は、広範なpH範囲にわたってコバルト促進剤および酸化剤を含む組成物が呈するコバルトSERを実証する。
本実施例は、コバルト研磨速度と実施例1に示すSER値との関係を実証する。
本実施例は、N-オキシドまたは4-ニトロピリジン酸化剤を含有する組成物が呈するコバルトSERを実証する。
本実施例は、コバルト阻害剤および殺生物剤を含むコバルト研磨組成物についてのコバルト除去速度を実証する。
Claims (34)
- 化学機械研磨組成物であって、
(a)砥粒、
(b)コバルト促進剤、前記コバルト促進剤は、前記研磨組成物中に5mM~100mMの濃度で存在する、および
(c)金属を酸化する酸化剤を含み、前記酸化剤が、ヘテロアリールニトロ化合物、ニトロソ化合物、N-オキシド化合物、亜硝酸塩化合物、ヒドロキシルアミン化合物、オキシム化合物、およびこれらの組合せから選択され、
前記研磨組成物が4から10のpHを有する、
研磨組成物。 - 前記コバルト促進剤が、N-ジ(カルボキシルアルキル)アミン、N-ジ(ヒドロキシアルキル)アミン、N,N-ジ(ヒドロキシアルキル)-N-カルボキシルアルキルアミン、ジカルボキシヘテロ環状体、ヘテロシクリルアルキル-α-アミノ酸、N-アミノアルキルアミノ酸、非置換の複素環、アルキル置換された複素環、カルボン酸、ジカルボン酸、トリカルボン酸、アルキルアミン、N-アミノアルキル-α-アミノ酸、およびこれらの組合せから選択される、請求項1に記載の研磨組成物。
- コバルト腐食阻害剤をさらに含む、請求項1に記載の研磨組成物。
- 前記砥粒がシリカである、請求項1に記載の研磨組成物。
- 0.1質量%から5質量%の前記砥粒を含む、請求項1に記載の研磨組成物。
- 0.1質量%から3質量%の前記砥粒を含む、請求項5に記載の研磨組成物。
- 前記コバルト促進剤が、イミノ二酢酸、N-(2-アセトアミド)イミノ二酢酸、N-メチルイミダゾール、ピコリン酸、ジピコリン酸、4-(2-ヒドロキシエチル)-l-ピペラジンエタンスルホン酸、グリシン、ビシン、トリエチルアミン、エチドロン酸、N-メチルモルホリン、マロン酸、2-ピリジンスルホネート、クエン酸、およびこれらの組合せから選択される、請求項1に記載の研磨組成物。
- 前記コバルト促進剤が10mMから50mMの濃度で前記研磨組成物中に存在する、請求項1に記載の研磨組成物。
- 前記酸化剤が、アリールニトロソ化合物、アリールN-オキシド化合物、アリールヒドロキシルアミン化合物、アリールオキシム化合物、およびこれらの組合せから選択される、請求項1に記載の研磨組成物。
- 前記酸化剤が、ヘテロアリールニトロソ化合物、ヘテロアリールN-オキシド化合物、ヘテロアリールヒドロキシルアミン化合物、ヘテロアリールオキシム化合物、およびこれらの組合せから選択される、請求項1に記載の研磨組成物。
- 前記酸化剤が、亜硝酸塩である、請求項1に記載の研磨組成物。
- 前記酸化剤が1mMから100mMの濃度で前記研磨組成物中に存在する、請求項1に記載の研磨組成物。
- 前記酸化剤が10mMから50mMの濃度で前記研磨組成物中に存在する、請求項12に記載の研磨組成物。
- 前記コバルト腐食阻害剤が10ppmから1000ppmの濃度で前記研磨組成物中に存在する、請求項3に記載の研磨組成物。
- 5から9のpHを有する、請求項1に記載の研磨組成物。
- 6.5から7.5のpHを有する、請求項15に記載の研磨組成物。
- 基板を化学機械的に研磨する方法であって、
(i)基板を提供すること、
(ii)研磨パッドを提供すること、
(iii)化学機械研磨組成物であって、
(a)砥粒、
(b)コバルト促進剤、および
(c)金属を酸化する酸化剤を含み、前記酸化剤が、ヘテロアリールニトロ化合物、ニトロソ化合物、N-オキシド化合物、亜硝酸塩化合物、ヒドロキシルアミン化合物、オキシム化合物、およびこれらの組合せから選択され、
前記研磨組成物が4から10のpHを有する、
前記研磨組成物を提供すること、
(iv)前記基板を前記研磨パッドおよびそれらの間にある前記化学機械研磨組成物と接触させること、および
(v)前記研磨パッドおよび前記化学機械研磨組成物を前記基板に対して移動させて前記基板の少なくとも一部分を摩損させることにより、前記基板を研磨すること
を含む、方法。 - 前記コバルト促進剤が、N-ジ(カルボキシルアルキル)アミン、N-ジ(ヒドロキシアルキル)アミン、N,N-ジ(ヒドロキシアルキル)-N-カルボキシルアルキルアミン、ジカルボキシヘテロ環状体、ヘテロシクリルアルキル-α-アミノ酸、N-アミノアルキルアミノ酸、非置換の複素環、アルキル置換された複素環、カルボン酸、ジカルボン酸、トリカルボン酸、アルキルアミン、N-アミノアルキル-α-アミノ酸、およびこれらの組合せから選択される、請求項17に記載の方法。
- 前記研磨組成物がコバルト腐食阻害剤をさらに含む、請求項17に記載の方法。
- 前記砥粒がシリカである、請求項17に記載の方法。
- 前記研磨組成物が0.1質量%から5質量%の前記砥粒を含む、請求項17に記載の方法。
- 前記研磨組成物が0.1質量%から3質量%の前記砥粒を含む、請求項21に記載の方法。
- 前記コバルト促進剤が、イミノ二酢酸、N-(2-アセトアミド)イミノ二酢酸、N-メチルイミダゾール、ピコリン酸、ジピコリン酸、4-(2-ヒドロキシエチル)-l-ピペラジンエタンスルホン酸、グリシン、ビシン、トリエチルアミン、エチドロン酸、N-メチルモルホリン、マロン酸、2-ピリジンスルホネート、クエン酸、およびこれらの組合せから選択される、請求項17に記載の方法。
- 前記コバルト促進剤が5mMから100mMの濃度で前記研磨組成物中に存在する、請求項17に記載の方法。
- 前記コバルト促進剤が10mMから50mMの濃度で前記研磨組成物中に存在する、請求項24に記載の方法。
- 前記酸化剤が、アリールニトロソ化合物、アリールN-オキシド化合物、アリールヒドロキシルアミン化合物、アリールオキシム化合物、およびこれらの組合せから選択される、請求項17に記載の方法。
- 前記酸化剤が、ヘテロアリールニトロソ化合物、ヘテロアリールN-オキシド化合物、ヘテロアリールヒドロキシルアミン化合物、ヘテロアリールオキシム化合物、およびこれらの組合せから選択される、請求項17に記載の方法。
- 前記酸化剤が、亜硝酸塩である、請求項17に記載の方法。
- 前記酸化剤が1mMから100mMの濃度で前記研磨組成物中に存在する、請求項17に記載の方法。
- 前記酸化剤が10mMから50mMの濃度で前記研磨組成物中に存在する、請求項29に記載の方法。
- 前記コバルト腐食阻害剤が10ppmから1000ppmの濃度で前記研磨組成物中に存在する、請求項19に記載の方法。
- 前記研磨組成物が5から9のpHを有する、請求項17に記載の方法。
- 前記研磨組成物が6.5から7.5のpHを有する、請求項32に記載の方法。
- 前記基板がコバルトを含み、かつ前記コバルトの少なくとも一部分が摩損されて前記基板を研磨する、請求項17に記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022064299A JP2022097502A (ja) | 2016-07-14 | 2022-04-08 | コバルトcmp用の代替的な酸化剤 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201662362222P | 2016-07-14 | 2016-07-14 | |
US62/362,222 | 2016-07-14 | ||
PCT/US2017/041988 WO2018013847A1 (en) | 2016-07-14 | 2017-07-13 | Alternative oxidizing agents for cobalt cmp |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022064299A Division JP2022097502A (ja) | 2016-07-14 | 2022-04-08 | コバルトcmp用の代替的な酸化剤 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019527468A JP2019527468A (ja) | 2019-09-26 |
JP2019527468A5 JP2019527468A5 (ja) | 2020-08-06 |
JP7253924B2 true JP7253924B2 (ja) | 2023-04-07 |
Family
ID=60942463
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018567886A Active JP7253924B2 (ja) | 2016-07-14 | 2017-07-13 | コバルトcmp用の代替的な酸化剤 |
JP2022064299A Withdrawn JP2022097502A (ja) | 2016-07-14 | 2022-04-08 | コバルトcmp用の代替的な酸化剤 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022064299A Withdrawn JP2022097502A (ja) | 2016-07-14 | 2022-04-08 | コバルトcmp用の代替的な酸化剤 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11851584B2 (ja) |
EP (1) | EP3484971A4 (ja) |
JP (2) | JP7253924B2 (ja) |
KR (2) | KR20230014887A (ja) |
CN (1) | CN109415599B (ja) |
TW (1) | TWI660017B (ja) |
WO (1) | WO2018013847A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7326048B2 (ja) * | 2018-09-28 | 2023-08-15 | 花王株式会社 | 酸化珪素膜用研磨液組成物 |
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JP2015512971A (ja) | 2012-02-15 | 2015-04-30 | インテグリス,インコーポレイテッド | 組成物を使用したcmp後除去及び使用方法 |
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US10124464B2 (en) | 2014-10-21 | 2018-11-13 | Cabot Microelectronics Corporation | Corrosion inhibitors and related compositions and methods |
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US9528030B1 (en) * | 2015-10-21 | 2016-12-27 | Cabot Microelectronics Corporation | Cobalt inhibitor combination for improved dishing |
-
2017
- 2017-07-12 TW TW106123275A patent/TWI660017B/zh active
- 2017-07-13 JP JP2018567886A patent/JP7253924B2/ja active Active
- 2017-07-13 EP EP17828487.3A patent/EP3484971A4/en active Pending
- 2017-07-13 KR KR1020237002200A patent/KR20230014887A/ko not_active Application Discontinuation
- 2017-07-13 CN CN201780041554.8A patent/CN109415599B/zh active Active
- 2017-07-13 KR KR1020197004126A patent/KR20190018751A/ko not_active Application Discontinuation
- 2017-07-13 WO PCT/US2017/041988 patent/WO2018013847A1/en unknown
- 2017-07-13 US US15/649,378 patent/US11851584B2/en active Active
-
2022
- 2022-04-08 JP JP2022064299A patent/JP2022097502A/ja not_active Withdrawn
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010541204A (ja) | 2007-09-21 | 2010-12-24 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | 研磨組成物およびアミノシランを用いて処理された研削剤粒子の使用方法 |
JP2015512971A (ja) | 2012-02-15 | 2015-04-30 | インテグリス,インコーポレイテッド | 組成物を使用したcmp後除去及び使用方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
WO2018013847A1 (en) | 2018-01-18 |
JP2019527468A (ja) | 2019-09-26 |
EP3484971A1 (en) | 2019-05-22 |
KR20230014887A (ko) | 2023-01-30 |
TWI660017B (zh) | 2019-05-21 |
CN109415599A (zh) | 2019-03-01 |
TW201807119A (zh) | 2018-03-01 |
JP2022097502A (ja) | 2022-06-30 |
EP3484971A4 (en) | 2020-02-26 |
KR20190018751A (ko) | 2019-02-25 |
US20180016469A1 (en) | 2018-01-18 |
US11851584B2 (en) | 2023-12-26 |
CN109415599B (zh) | 2022-09-27 |
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Date | Code | Title | Description |
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A02 | Decision of refusal |
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C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
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|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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|
C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
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|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
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|
C211 | Notice of termination of reconsideration by examiners before appeal proceedings |
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|
C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
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|
C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
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C302 | Record of communication |
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C13 | Notice of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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C23 | Notice of termination of proceedings |
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|
C03 | Trial/appeal decision taken |
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C30A | Notification sent |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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