JP7242960B2 - Pwm制御誘導性負荷を通って流れている電流を測定する装置及び方法 - Google Patents
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Description
少なくとも2つの半導体スイッチのうちの少なくとも1つの、スイッチオン状態及びスイッチオフ状態を判定するように設計された監視デバイスと、
同期測定増幅器であって、監視デバイスにより制御されて、半導体スイッチの判定されたスイッチオン状態の間に、半導体スイッチに存在する電圧降下を測定し、電圧降下を増倍させて増倍電圧を形成するように設計されている、同期測定増幅器と、
監視デバイスにより制御されて電圧信号を生成する同期電圧フォロワであって、電圧信号は、誘導性負荷における電流の特徴を示し、半導体スイッチのスイッチオン状態では増倍電圧に追随し、半導体スイッチのスイッチオフ状態では実質的に一定のままであるか又は予め定められたプロファイルに従って減少する、同期電圧フォロワと、を有する。
ハーフブリッジ回路の半導体スイッチを、PWM法に従って(例えば、供給されるPWM制御信号に基づき)、相補的な形でオン及びオフを切り替えるためのPWM制御デバイスと、
前述の請求項のうちの1つに記載される第1の装置であって、2つの第1の半導体スイッチのうちの少なくとも1つに接続している、第1の装置と、
前述の請求項のうちの1つに記載される第2の装置であって、2つの第2の半導体スイッチのうちの少なくとも1つに接続している、第2の装置と、
制御デバイスであって、誘導性負荷を流れる電流の測定のために、制御デバイスを用いて第1の装置又は第2の装置が選択され得る、制御デバイスと、を有する。
少なくとも2つの半導体スイッチのうちの少なくとも1つのスイッチオン状態及びスイッチオフ状態を判定するために、少なくとも2つの半導体スイッチのうちの少なくとも1つを監視するステップと、
半導体スイッチの判定されたスイッチオン状態の間、半導体スイッチに存在する電圧降下を測定するステップと、
半導体スイッチの判定されたスイッチオン状態の間に、半導体スイッチにおいて測定された電圧降下を同期的に増倍させて増倍電圧を形成するステップと、
電圧信号を生成するステップであって、電圧信号は、誘導性負荷における電流の特徴を示し、半導体スイッチのスイッチオン状態において増倍電圧に追随し、半導体スイッチのスイッチオフ状態において実質的に一定のままであるか又は予め定められたプロファイルに従って減少する、ステップと、を含む。
半導体スイッチの温度を検出するステップと、
電圧信号と半導体スイッチの検出された温度とに基づき、誘導性負荷を通って流れている電流を決定するステップと、を更に含む。
誘導性負荷を通って流れている測定された電流を所定の閾値と比較するステップと、
測定された電流が閾値を超過した場合、閾値を超過したことを示す過負荷信号を生成するステップと、を更に含む。
スイッチ(この場合、MOSFET)T1及びT2のスイッチオン状態及びスイッチオフ状態を判定するように設計された監視デバイス12と、
同期測定増幅器A2であって、監視デバイス12により制御されて、スイッチT1の判定されたスイッチオン状態の間に、スイッチT1に存在する電圧降下(この場合、U1-GND)を測定し、電圧降下を増倍させて増倍電圧U2を形成するように設計されている、同期測定増幅器A2と、
監視デバイス12により制御されて電圧信号OUTを生成する同期電圧フォロワA3であって、電圧信号OUTは、モータ電流の特徴を示し、スイッチT1のスイッチオン状態では増倍電圧U2に追随し、スイッチT1のスイッチオフ状態では実質的に一定のままである、同期電圧フォロワA3と、を有する。
U1:ハーフブリッジHBの中央タップにおけるハーフブリッジ電圧、
U2:同期測定増幅器A2の出力における増倍電圧、
OUT:同期電圧フォロワA3の出力における特性電圧信号。
Claims (17)
- 少なくとも2つの半導体スイッチ(T1、T2)を有するハーフブリッジ回路(HB)によって通電されている誘導性負荷(M)を通って流れている電流を測定するための装置(10)であって、前記半導体スイッチ(T1、T2)は、PWM法に従って相補的な形でオン及びオフが切り替えられ、
前記装置(10)は、
前記少なくとも2つの半導体スイッチ(T1、T2)のうちの少なくとも1つ半導体スイッチ(T1)の、スイッチオン状態及びスイッチオフ状態を判定するように設計された監視デバイス(12)と、
同期測定増幅器(A2)であって、前記監視デバイス(12)により制御され、前記半導体スイッチ(T1)の判定された前記スイッチオン状態の間に、前記半導体スイッチ(T1)に存在する電圧降下(U1)を測定し、前記電圧降下を増倍させて増倍電圧(U2)を形成するように設計されている、同期測定増幅器(A2)と、
前記監視デバイス(12)により制御されて電圧信号(OUT)を生成する同期電圧フォロワ(A3)であって、前記電圧信号(OUT)は、前記誘導性負荷(M)における前記電流の特徴を示し、前記半導体スイッチ(T1)の前記スイッチオン状態では前記増倍電圧(U2)に追随し、前記半導体スイッチ(T1)の前記スイッチオフ状態では実質的に一定のままであるか又は予め定められたプロファイルに従って減少する、同期電圧フォロワ(A3)と、
を有することを特徴とする、装置(10)。 - 前記同期電圧フォロワ(A3)は、前記半導体スイッチ(T1)の前記スイッチオフ状態の間に、前記電圧信号(OUT)を実質的に一定に保つように設計されている、請求項1に記載の装置(10)。
- 前記同期電圧フォロワ(A3)は、前記半導体スイッチ(T1)の前記スイッチオフ状態の間に、前記電圧信号(OUT)を予め定められたプロファイルに従って減少させるように設計されている、請求項1に記載の装置(10)。
- 前記半導体スイッチ(T1)の前記スイッチオフ状態の間の前記予め定められたプロファイルは前記誘導性負荷(M)における予想される電流減少を近似する、及び/又は前記予め定められたプロファイルは構成可能なように設計されてプログラミングインタフェースを介して定めることができる、請求項3に記載の装置(10)。
- 前記誘導性負荷(M)は、電気DCモータにより形成される、請求項1~4のいずれか一項に記載の装置(10)。
- 前記半導体スイッチ(T1)の温度を検出するための温度検出デバイスと、前記電圧信号(OUT)及び前記半導体スイッチ(T1)の検出された温度に基づいて、前記誘導性負荷(M)を通って流れている前記電流を決定する評価デバイスと、を更に有する、請求項1~5のいずれか一項に記載の装置(10)。
- 前記誘導性負荷(M)を通って流れている測定された前記電流を所定の閾値と比較する比較デバイスを更に有し、前記閾値を超過した場合に、前記超過を示す過負荷信号を生成する評価デバイスを有する、請求項1~6のいずれか一項に記載の装置(10)。
- 前記ハーフブリッジ回路は複数のハーフブリッジ(HB1、HB2)を有し、前記ハーフブリッジ(HB1、HB2)の各々が、2つの半導体スイッチ(T11、T21、T12、T22)を有し、前記装置(10)は制御可能選択デバイス(32)を更に有し、前記誘導性負荷(M)を通って流れている前記電流を測定するために、前記制御可能選択デバイス(32)を用いて、複数の前記半導体スイッチ(T11、T21、T12、T22)のうちの1つの半導体スイッチ(T11、T12)が選択され得る、請求項1~7のいずれか一項に記載の装置(10)。
- 誘導性負荷(M)に通電するために使用されるハーフブリッジ回路(HB1、HB2)を制御するための、及び前記誘導性負荷(M)を通って流れている電流を測定するための集積回路(30)であって、前記ハーフブリッジ回路(HB1、HB2)は、2つの第1の半導体スイッチ(T11、T21)を有する少なくとも1つの第1のハーフブリッジ(HB1)と、2つの第2の半導体スイッチ(T12、T22)を有する第2のハーフブリッジ(HB2)とを有し、
前記集積回路(30)は、
前記ハーフブリッジ回路(HB1、HB2)の前記半導体スイッチ(T11、T21、T12、T22)を、PWM法に従って、相補的な形でオン及びオフを切り替えるためのPWM制御デバイス(CTL1、CTL2)と、
前記2つの第1の半導体スイッチ(T11、T21)のうちの少なくとも1つの第1の半導体スイッチ(T11)に接続している、請求項1~8のいずれか一項に記載の第1の装置(12-1、A2-1、A3-1)と、
前記2つの第2の半導体スイッチ(T12、T22)のうちの少なくとも1つの第2の半導体スイッチ(T12)に接続している、請求項1~8のいずれか一項に記載の第2の装置(12-2、A2-2、A3-2)と、
制御デバイス(32)であって、前記誘導性負荷(M)を通って流れている前記電流を測定するために、前記制御デバイス(32)を用いて、前記第1の装置(12-1、A2-1、A3-1)又は前記第2の装置(12-2、A2-2、A3-2)が選択され得る、制御デバイス(32)と、を有する、集積回路(30)。 - 少なくとも2つの半導体スイッチ(T1、T2)を有するハーフブリッジ回路(HB)によって通電されている誘導性負荷(M)を通って流れている電流を測定するための方法であって、前記半導体スイッチ(T1、T2)は、PWM法に従って相補的な形でオン及びオフが切り替えられ、
前記方法は、
前記少なくとも2つの半導体スイッチ(T1、T2)のうちの少なくとも1つの半導体スイッチ(T1)のスイッチオン状態及びスイッチオフ状態を判定するために、前記少なくとも2つの半導体スイッチ(T1、T2)のうちの前記少なくとも1つの半導体スイッチ(T1)を監視するステップと、
前記半導体スイッチ(T1)の判定された前記スイッチオン状態の間に、前記半導体スイッチ(T1)に存在する電圧降下(U1)を測定するステップと、
前記半導体スイッチ(T1)の判定された前記スイッチオン状態の間に、前記半導体スイッチ(T1)において測定された前記電圧降下(U1)を同期的に増倍させて増倍電圧(U2)を形成するステップと、
電圧信号(OUT)を生成するステップであって、前記電圧信号(OUT)は、前記誘導性負荷(M)における前記電流の特徴を示し、前記半導体スイッチ(T1)の前記スイッチオン状態において前記増倍電圧(U2)に追随し、前記半導体スイッチ(T1)の前記スイッチオフ状態において実質的に一定のままであるか又は予め定められたプロファイルに従って減少する、ステップと、
を含むことを特徴とする、方法。 - 前記電圧信号(OUT)は、同期電圧フォロワ(A3)によって生成される、請求項10に記載の方法。
- 前記半導体スイッチ(T1)の電気抵抗が温度依存性を有し、前記方法は、
前記半導体スイッチ(T1)の温度を検出するステップと、
前記電圧信号(OUT)と前記半導体スイッチ(T1)の検出された前記温度とに基づき、前記誘導性負荷(M)を通って流れている前記電流を決定するステップと、を更に含む、請求項10又は11に記載の方法。 - 前記方法は、
前記誘導性負荷(M)を通って流れている測定された前記電流を所定の閾値と比較するステップと、
測定された前記電流が前記閾値を超過した場合、前記閾値を超過したことを示す過負荷信号を生成するステップと、を更に含む、請求項10~12のいずれか一項に記載の方法。 - 前記半導体スイッチ(T1)の前記スイッチオフ状態において、前記電圧信号(OUT)は、予め定められたプロファイルに従って減少する、請求項10~13のいずれか一項に記載の方法。
- 前記半導体スイッチ(T1)の前記スイッチオフ状態の間の前記予め定められたプロファイルは前記誘導性負荷(M)における予想される電流減少を近似する、及び/又は前記予め定められたプロファイルは構成可能なように設計されてプログラミングインタフェースを介して定めることができる、請求項14に記載の方法。
- 前記誘導性負荷(M)は、電気DCモータにより形成される、請求項10~15のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ハーフブリッジ回路は複数のハーフブリッジ(HB1、HB2)を有し、前記ハーフブリッジの各々が、2つの半導体スイッチ(T11、T21、T12、T22)を有し、前記方法は、前記誘導性負荷(M)を通って流れている前記電流を測定するために、複数の半導体スイッチ(T11、T21、T12、T22)のうちの1つの半導体スイッチ(T11、T12)を選択するステップを更に含む、請求項10~16のいずれか一項に記載の方法。
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