JP7241757B2 - エレクトロルミネッセンス構造体を転移させる方法 - Google Patents
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Description
a)金属壁、詳細にはトラックの真上に反射面を有する厚い金属壁を形成するステップであり、前記金属壁はエレクトロルミネッセンス構造体の互いの範囲を定める、形成するステップと、
b)支持基板と仮基板とを組み立てるステップと、
c)該支持基板を少なくとも部分的に薄化するステップと、
d)エレクトロルミネッセンス構造体を、収納基板上へ転移させるステップであり、前記基板は、エレクトロルミネッセンス構造体の各々に個々に対応することを目的として相互接続手段を含む、転移させるステップと
を含む。
a)エレクトロルミネッセンス構造体の、エレクトロルミネッセンス面と呼ばれる面を覆う第1の材料から作製されている、第1の領域を設けられている中間層、およびトラックの上方に溝部内に形成されかつ前記第1の領域を分離する反射壁を形成するステップであり、前記壁は、溝部の少なくとも側面を覆う金属薄膜および該金属薄膜を覆いかつ前記溝部を埋める第2の材料を含む、形成するステップと、
b)中間層と、仮基板の、仮面と呼ばれる面とを組み立てるステップと、
c)支持基板を少なくとも部分的に除去するステップと、
d)エレクトロルミネッセンス構造体を、収納基板の、収納面と呼ばれる面上へ転移させるステップと
を含み、
第1の材料および第2の材料の少なくとも一方または他方が中間層と仮面との間に接着をもたらすことを目的としている。
b1)中間層を仮面と接触させるステップと、
b2)500℃未満の、有利には300℃未満の温度でこのように形成された組立体を熱処理するステップと
を含む。
a1)第1の領域を形成するステップと、
a2)第1の領域ならびに溝部の底部および側面を覆う金属層を堆積させるステップを含む、金属薄膜を形成するステップと、
a3)溝部を第2の材料で満たすステップと
を含む。
d1)収納基板および仮基板を含む組立体を形成するステップであり、エレクトロルミネッセンス構造体は前記基板間に間置される、形成するステップと、
d2)有利には機械的薄化によりまたはレーザ剥離により、仮基板を除去するステップと
を含む。
a1)第1の領域310(図1bおよび図2b)を形成するステップと、
a2)該第1の領域310ならびに溝部(図1cおよび図2c)の底部および側面を覆う金属層を堆積させるステップを含む、金属薄膜を形成するステップと、
a3)第2の材料320b(図1d、図1eおよび図2d)で溝部を満たすステップと
を含み得る。
FR3012676
Maszara et al, “Bonding of silicon wafers for silicon-on-insulator”, J. Appl. Phys. 64 (10), 1988年11月15日
100a エレクトロルミネッセンス面
100b (エレクトロルミネッセンス構造体の)後面、(エレクトロルミネッセンス面の)反対側の面
110 支持基板、支持構造体
110a (支持基板の)前面
120 金属接点
130 トラック
130a (溝部の)底部
130b (溝部の)側面
300 中間層
310 第1の領域
320 溝部
320a 金属薄膜
320b 第2の材料
400 仮基板
400a 仮面
500 収納基板
500a 収納面
510 相互接続手段
M 列
N 行
Tg ガラス転移温度
Claims (20)
- 支持基板(110)の、前面(110a)と呼ばれる面上に形成されておりかつトラック(130)により互いに分離されているエレクトロルミネッセンス構造体(100)を転移させる方法であって、下記の連続ステップ:
a)前記エレクトロルミネッセンス構造体(100)の、エレクトロルミネッセンス面(100a)と呼ばれる面を覆う第1の材料から作製されている第1の領域(310)を設けられている中間層(300)、およびトラック(130)の上方に溝部(320)内に形成されておりかつ前記第1の領域(310)を分離する反射壁を形成するステップであり、前記壁は、前記溝部(320)の少なくとも側面を覆う金属薄膜(320a)、および前記金属薄膜(320a)を覆いかつ前記溝部を埋める第2の材料(320b)を含む、形成するステップと、
b)前記中間層(300)と、仮基板(400)の、仮面(400a)と呼ばれる面とを組み立てるステップと、
c)前記支持基板(110)を少なくとも部分的に除去するステップと、
d)前記エレクトロルミネッセンス構造体(100)を、収納基板(500)の、収納面(500a)と呼ばれる面上へ転移させるステップと
を含み、
前記第1の材料および前記第2の材料の少なくとも一方が、前記仮面(400a)とともに前記中間層(300)に接着をもたらすことを目的としている、
方法。 - 前記第2の材料の熱膨張係数と前記支持基板の前記熱膨張係数との間の相対的差異が20%未満である、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の材料および前記第2の材料の一方または他方は、前記中間層と前記仮面との間に接着をもたらすことを目的としている熱可塑性ポリマーを含む、請求項1または2に記載の方法。
- 前記第1の材料および前記第2の材料の他方は熱硬化性ポリマーを含む、請求項3に記載の方法。
- 前記第1の材料および前記第2の材料はポリイミドである、請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第1の材料および前記第2の材料は、150℃と450℃の間のガラス転移温度を有する、請求項1から5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ステップb)は、次の:
b1)前記中間層(300)を前記仮面(400a)と接触させるステップと、
b2)500℃未満の温度でこのように形成された組立体を熱処理するステップと
を含む、請求項1から6のいずれか一項に記載の方法。 - 前記ステップa)は、次の:
a1)前記第1の領域(310)を形成するステップと、
a2)前記第1の領域(310)および前記溝部(320)の少なくとも前記側面を覆う金属層を堆積させるステップを含む、前記金属薄膜(320a)を形成するステップと、
a3)前記溝部(320)を前記第2の材料(320b)で満たすステップと
を含む、請求項1から7のいずれか一項に記載の方法。 - 前記ステップa1)は、前記第1の材料から作製される第1の層を形成するステップと、その後に続く、前記層内に前記第1の領域(310)を画定するステップとを含む、請求項8に記載の方法。
- 前記ステップa3)は、前記第2の材料(320b)から作製され、かつ前記第1の領域(310)を覆いかつ前記溝部(320)を満たす第2の層を形成するステップを含む、請求項8または9に記載の方法。
- 前記ステップc)は、研磨により実行される機械的薄化を含む、請求項1から10のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ステップc)の後に、前記エレクトロルミネッセンス構造体(100)の、前記エレクトロルミネッセンス面の反対側の面上に金属接点を形成するステップc1)が続き、前記収納面(500a)は、前記金属接点と協働しかつしたがって前記エレクトロルミネッセンス構造体(100)の各々に個々に対応することを目的としている相互接続手段をさらに含む、請求項1から11のいずれか一項に記載の方法。
- 転移させる前記ステップd)は、
d1)前記収納基板(500)および前記仮基板(400)を含む組立体を形成するステップであり、前記エレクトロルミネッセンス構造体(100)は前記基板間に間置される、形成するステップと、
d2)前記仮基板(400)を除去するステップと
を含む、請求項1から12のいずれか一項に記載の方法。 - 前記ステップa)は、次の:
a1)前記第1の領域(310)を形成するステップと、
a2)前記第1の領域(310)および前記溝部(320)の少なくとも前記側面を覆う金属層を堆積させるステップを含む、前記金属薄膜(320a)を形成するステップと、
a3)前記溝部(320)を前記第2の材料(320b)で満たすステップと
を含み、
前記方法は、前記第2の材料(320b)および前記金属層を部分的に除去するステップa4)を含み、部分的に除去する前記ステップは前記反射壁を保存するように実行される、請求項8と併用して請求項1から7および9から13のいずれか一項に記載の方法。 - 前記第2の材料(320b)は熱可塑性ポリマーであり、前記ステップa4)は前記ステップb)の前または前記ステップd)の後のどちらかで実行される、請求項14に記載の方法。
- 前記第2の材料は熱硬化性ポリマーであり、前記ステップa4)は前記ステップb)の前に実行される、請求項15に記載の方法。
- 前記エレクトロルミネッセンス構造体(100)は各々、第1の半導体層と第2の半導体層との間に間置される活性層を含む、請求項1から16のいずれか一項に記載の方法。
- 各エレクトロルミネッセンス構造体は、前記エレクトロルミネッセンス面に対して垂直な複数のナノワイヤを含む、請求項1から17のいずれか一項に記載の方法。
- 前記エレクトロルミネッセンス構造体(100)はマトリクス様に配置される、請求項1から18のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ステップd)の後に、前記エレクトロルミネッセンス面を剥き出しにすることを目的としている、前記第1の領域を除去し、前記反射壁を保存するステップe)が続く、請求項1から19のいずれか一項に記載の方法。
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