TW201936003A - 用來轉移電致發光結構的方法 - Google Patents
用來轉移電致發光結構的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TW201936003A TW201936003A TW107146442A TW107146442A TW201936003A TW 201936003 A TW201936003 A TW 201936003A TW 107146442 A TW107146442 A TW 107146442A TW 107146442 A TW107146442 A TW 107146442A TW 201936003 A TW201936003 A TW 201936003A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- electroluminescent
- layer
- forming
- regions
- temporary
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 59
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 55
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 55
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 54
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 claims description 11
- 239000004634 thermosetting polymer Substances 0.000 claims description 10
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 claims description 7
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims description 5
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 claims description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 abstract description 10
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 8
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012149 noodles Nutrition 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 239000012815 thermoplastic material Substances 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/08—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
- H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本發明係關於一種用於將電致發光結構轉移至容納基板中稱為容納面之一面上之方法。該容納面此外具備旨在單獨地尋址該等結構中之每一者的互連構件。該等電致發光結構最初形成在支撐基板上並利用軌道分開。
接著在本發明中提出在軌道的豎直上方形成反射壁，其在側面包含支撐金屬膜之支撐聚合物(第二聚合物)。此種反射壁之佈置使得可以減少在根據本發明之轉移方法期間施加在該等電致發光結構上之應力。
此外，在本發明之含義內的該等反射壁可以在擱置在支撐基板上之所有電致發光結構上產生。
接著在本發明中提出在軌道的豎直上方形成反射壁，其在側面包含支撐金屬膜之支撐聚合物(第二聚合物)。此種反射壁之佈置使得可以減少在根據本發明之轉移方法期間施加在該等電致發光結構上之應力。
此外，在本發明之含義內的該等反射壁可以在擱置在支撐基板上之所有電致發光結構上產生。
Description
發明領域
本發明係關於一種用來轉移電致發光結構的方法。詳言之，本發明係關於一種用來轉移電致發光結構的方法，該方法包括預先形成反射壁，該等反射壁旨在使電致發光結構彼此光學隔離。
本發明係關於一種用來轉移電致發光結構的方法。詳言之，本發明係關於一種用來轉移電致發光結構的方法，該方法包括預先形成反射壁，該等反射壁旨在使電致發光結構彼此光學隔離。
發明背景
先前技術中已知的一種用於轉移形成在支撐基板之所謂正面上並利用軌道彼此分離之電致發光結構之方法包含以下步驟：
a)在軌道正上方形成金屬壁，尤其具有反射表面之厚金屬壁之步驟，該等金屬壁將電致發光結構彼此定界；
b)裝配支撐基板及臨時基板之步驟；
c)至少部分地減薄支撐基板之步驟；
d)將電致發光結構轉移至容納基板上之步驟，該基板包含旨在單獨地尋址電致發光結構中之每一者的互連構件。
先前技術中已知的一種用於轉移形成在支撐基板之所謂正面上並利用軌道彼此分離之電致發光結構之方法包含以下步驟：
a)在軌道正上方形成金屬壁，尤其具有反射表面之厚金屬壁之步驟，該等金屬壁將電致發光結構彼此定界；
b)裝配支撐基板及臨時基板之步驟；
c)至少部分地減薄支撐基板之步驟；
d)將電致發光結構轉移至容納基板上之步驟，該基板包含旨在單獨地尋址電致發光結構中之每一者的互連構件。
在步驟d)結束時，電致發光結構經由其稱為背面之一個面與互連構件接觸。
電致發光結構可以包含能夠經由其稱為自由面並且與背面相對之一個面發射光輻射之發光二極體。
發光二極體可以係2D，亦即平面發光二極體，且因此包含半導體膜堆疊。
替代地，發光二極體可以係3D發光二極體，各自包含垂直於自由面之多個電致發光奈米線。
然而，此種先前技術的已知製造方法並不令人滿意。
此係因為金屬壁之形成通常涉及沈積厚的金屬物種層，例如藉由電沈積進行，產生高應力，該等高應力可能導致電致發光結構之劣化或甚至破壞。
例如，電致發光結構之劣化可能導致在例如其自由面處出現裂縫。
因此，本發明之一個目的係提出一種用於轉移由金屬壁定界之電致發光結構之方法，該等金屬壁之形成使得易於使該等結構劣化之應力很少或沒有。
本發明之另一目的係提出一種用來轉移電致發光結構的方法，對此，金屬壁在轉移該等結構之前，且因此有利地在具備多個電致發光結構之基板上產生。
發明概要
本發明之目的至少部分地利用一種用於轉移形成在支撐基板中稱為正面之一面上並利用軌道彼此分離之電致發光結構之方法來實現，該方法包括以下連續步驟：
a)形成具備第一區域之中間層，該等第一區域由第一材料製成，覆蓋電致發光結構中稱為電致發光面之一面，並且反射壁形成於軌道上方之溝槽中並且分隔該等第一區域，該等壁包含覆蓋溝槽之至少側面之金屬膜以及覆蓋金屬膜並填充在該等溝槽中之第二材料；
b)裝配中間層及臨時基板中稱為臨時面之一面；
c)至少部分地移除支撐基板；
d)將電致發光結構轉移至容納基板中稱為容納面之一面上，
第一及第二中之一者或另一者旨在提供中間層與臨時面之間的黏合。
本發明之目的至少部分地利用一種用於轉移形成在支撐基板中稱為正面之一面上並利用軌道彼此分離之電致發光結構之方法來實現，該方法包括以下連續步驟：
a)形成具備第一區域之中間層，該等第一區域由第一材料製成，覆蓋電致發光結構中稱為電致發光面之一面，並且反射壁形成於軌道上方之溝槽中並且分隔該等第一區域，該等壁包含覆蓋溝槽之至少側面之金屬膜以及覆蓋金屬膜並填充在該等溝槽中之第二材料；
b)裝配中間層及臨時基板中稱為臨時面之一面；
c)至少部分地移除支撐基板；
d)將電致發光結構轉移至容納基板中稱為容納面之一面上，
第一及第二中之一者或另一者旨在提供中間層與臨時面之間的黏合。
根據一個實施例，第二材料之熱膨脹係數與支撐基板之熱膨脹係數之間的相對差異小於20%。
根據一個實施例，第一及第二材料中之一種或另一種包含熱塑性聚合物，其旨在提供中間層與臨時面之間的黏合。
根據一個實施例，第一及第二材料中之另一種包含熱固性聚合物。
根據一個實施例，第一及第二材料係聚醯亞胺。
根據一個實施例，第一及第二材料之玻璃轉變溫度在150℃與450℃之間，有利地在250℃與450℃之間。
根據一個實施例，步驟b)包含以下步驟：
b1)使中間層與臨時面接觸，
b2)在低於500℃，有利地低於300℃之溫度下對由此形成的組配件進行熱處理。
b1)使中間層與臨時面接觸，
b2)在低於500℃，有利地低於300℃之溫度下對由此形成的組配件進行熱處理。
根據一個實施例，步驟a)包含以下步驟：
a1)形成第一區域，
a2)形成金屬膜，該金屬膜包含沈積金屬層，該金屬層覆蓋第一區域及溝槽之底部及側面，
a3)用第二材料填充溝槽。
a1)形成第一區域，
a2)形成金屬膜，該金屬膜包含沈積金屬層，該金屬層覆蓋第一區域及溝槽之底部及側面，
a3)用第二材料填充溝槽。
根據一個實施例，步驟a1)包含形成由第一材料製成之第一層，接著界定該層中之第一區域，有利地，第一區域之界定包含光微影步驟。
根據一個實施例，步驟a3)包含形成第二層，該第二層由第二材料製成，覆蓋第一區域並填充溝槽。
根據一個實施例，步驟c)包含藉由磨蝕執行之機械減薄。
根據一個實施例，步驟c)之後係在電致發光結構上形成金屬觸點之步驟c1)，該容納面進一步包含旨在與金屬觸點配合且由此單獨地尋址電致發光結構中之每一者之互連構件。
根據一個實施例，轉移步驟d)包含以下步驟：
d1)形成包含容納基板及臨時基板之組配件，電致發光結構插入在該等基板之間；
d2)有利地藉由機械減薄或藉由雷射分離來移除臨時基板。
d1)形成包含容納基板及臨時基板之組配件，電致發光結構插入在該等基板之間；
d2)有利地藉由機械減薄或藉由雷射分離來移除臨時基板。
根據一個實施例，該方法包含部分移除第二層及金屬層之步驟a4)，執行部分移除步驟以保留反射壁。
根據一個實施例，第二材料係熱塑性聚合物，且步驟a4)在步驟b)之前或步驟d)之後執行。
根據一個實施例，第二材料係熱固性聚合物，並且步驟a4)在步驟b)之前進行。
根據一個實施例，電致發光結構各自包含插入在第一半導體層與第二半導體層之間的主動層。
根據一個實施例，每個電致發光結構包含垂直於電致發光面之多個奈米線。
根據一個實施例，電致發光結構以矩陣方式排列。
根據一個實施例，步驟d)之後係移除第一區域並保留反射壁之步驟e)，旨在使電致發光面裸露。
較佳實施例之詳細說明
下面詳細描述的本發明實施一種用於將電致發光結構轉移至容納基板中稱為容納面之一面上之方法。該容納面此外具備旨在單獨地尋址該等結構中之每一者的互連構件。該等電致發光結構最初形成在支撐基板上並利用軌道分開。
下面詳細描述的本發明實施一種用於將電致發光結構轉移至容納基板中稱為容納面之一面上之方法。該容納面此外具備旨在單獨地尋址該等結構中之每一者的互連構件。該等電致發光結構最初形成在支撐基板上並利用軌道分開。
接著在本發明中提出在軌道的豎直上方形成反射壁，其在側面包含支撐金屬膜之支撐聚合物(第二聚合物)。此種反射壁結構減少在根據本發明之轉移方法期間施加在該等電致發光結構上之應力。
此外，在本發明之含義內的該等反射壁可以在擱置在支撐基板上之所有電致發光結構上產生。
在圖1a至圖1j及圖2a至圖2i中，可以看到用於將電致發光結構100轉移至容納基板500上之方法的實施實例。
「電致發光結構」通常係指一旦其有電流通過就發射光輻射之結構。
在此方面，電致發光結構100能夠經由其電致發光面100a發射光輻射(圖1a及圖2a)。
「光輻射」意謂例如在可見域中之波長範圍內，例如在400 μm與700 μm之間的波長範圍內的輻射。
電致發光結構100形成在支撐基板110中稱為正面110a之一面上，並且利用軌道130彼此分離(圖1b及圖2b)。
「軌道」意謂具有預定寬度(例如在1 μm與50 μm之間，有利地在5 μm與10 μm之間)並且對電致發光結構100進行定界之帶。
電致發光結構100包含與電致發光面100a相對並且稱為背面100b之一面(圖1a及圖2a)。
電致發光結構100經由其背面100b擱置在支撐結構110之正面上。
根據第一替代方案，電致發光結構100可以包含插入在第一半導體層與第二半導體層之間的主動層。
第一半導體層可以包含n型GaN(n型意謂摻雜有電子供體物種)。
第二半導體層可以包含p型GaN(p型意謂摻雜有電洞供體物種)。
主動層可以包含選自以下的材料中之至少一種：GaN、GaAs、InGaN、InGaAlP。
主動層、第一半導體層及第二半導體層可以藉由在支撐基板110之正面110a上磊晶利用沈積膜之技術形成。
該等層之形成使用熟習此項技術者已知的技術，且因此在本發明中不再詳細描述。
根據第二替代方案，電致發光結構100可以包含垂直於電致發光面100a之奈米線。
「微米線」或「奈米線」意謂在特許方向上之細長形狀的三維結構，其中至少二個尺寸(稱為次要尺寸)在5 nm與2.5 μm之間，較佳地在50 nm與2.5 μm之間，第三尺寸(稱為主要尺寸)至少等於比次要尺寸大1倍，較佳至少5倍，且更佳至少10倍。在一些實施例中，次要尺寸可小於或等於約1 μm，較佳地在100 nm與1 μm之間，更佳地在100 nm與300 nm之間。在一些實施例中，每個微米線或奈米線之高度可以大於或等於500 nm，較佳地在1 μm與50 μm之間。
每個奈米線可以非限制性地包含由InGaN-n區、主動區及GaN-p或InGaN-p區形成之堆疊。
在此方面，熟習此項技術者可以參考在說明書末尾引用之專利申請[1]，且更詳言之，參考第19頁第24行至第20頁第10行。
電致發光結構100之所有奈米線有利地擱置在支撐基板110之正面110a上。
多個發光結構100可以例如以矩陣形式佈置。
「矩陣形式」意謂具有N列及M行之網格。
接著將每個電致發光結構100安置在網格之一列與一行的交叉處。
根據本發明之方法接著包含在支撐基板110之正面110a上形成中間層300(圖1e及圖2d)之步驟a)。換言之，形成中間層300以便覆蓋電致發光結構100及軌道130。
中間層300包含由第一材料製成之第一區域310，第一區域310覆蓋電致發光面100a並由在軌道130豎直上方的溝槽320分開(圖1b及圖2b)並且其中形成反射壁。溝槽320之寬度小於或等於軌道130之寬度。
第一區域310可具有介於2 μm與20 μm之間，有利地介於5 μm與15 μm之間的厚度。
溝槽320包含底部130a及側面130b。
反射壁包含覆蓋溝槽320之至少側面，並且有利地覆蓋其底部130a的金屬膜320a(圖1c及圖2c)。
反射壁亦包含覆蓋金屬膜320a並填充在溝槽中之第二材料320b(圖1d、圖1e及圖2d)。
金屬膜320a之厚度可以在50 nm與2 μm之間，較佳在100 nm與300 nm之間。
第一及第二材料中之一者或另一者或二者旨在提供稍後在說明書中描述之中間層300與一面(在裝配步驟b結束時臨時基板400之一面，稱為臨時面400a)之間的黏合。
「提供黏合」意謂黏合能量大於0.5 J.cm-2
之組配件。
黏合能量通常利用在說明書末尾引用之文獻[2]中闡述的Maszara技術量測。
在說明書中稍後描述之裝配步驟b)結束時，熱塑性材料旨在提供中間層300與臨時基板400之所謂臨時面400a之間的黏合。
由於第一及第二材料中之至少一種旨在提供中間層300與臨時面400a之間的黏合，因此將理解後者在裝配步驟b)結束時與該臨時面400接觸。
第二材料可有利地具有與支撐基板之熱膨脹係數相差不超過20%的熱膨脹係數。
視本發明之各種實施例而定，尤其在步驟a)中，第一及第二材料中之一種或另一種可包含熱塑性聚合物。
以互補的方式，第一及第二材料中之另一種可包含熱固性聚合物。
「熱塑性聚合物」意謂由具有很少或沒有分支或側基之線性聚合物鏈構成之材料。結果為，當此等鏈被加熱至高於其玻璃轉變溫度Tg時，此等鏈可以相對於彼此容易地滑動而不會損壞聚合物。
「熱固性聚合物」意謂當其最初被加熱及硬化以形成三維交聯晶格時經歷化學反應之材料。此等材料一旦交聯，就具有固定的結構，即使將其加熱至高於其玻璃轉變溫度之溫度亦不能改質。
有利地，熱塑性及熱固性聚合物可包含聚醯亞胺。
熱固性聚醯亞胺可包含選自以下的至少一種聚合物：PI2611、PIQ L-100。
旨在提供中間層300與臨時面400a之間的黏合的聚醯亞胺(亦稱為黏合劑聚醯亞胺)可包含選自以下的至少一種聚合物：HD3007、HD-7010。
熱塑性聚合物可以例如包含來自Hitachi Chemical DuPont Microsystems公司之HD7010或HD3007型膠。此聚合物具有感光之優點，且因此可以根據光微影法界定圖案。
熱固性聚合物可以例如包含來自Hitachi Chemical DuPont Microsystems公司之化合物PI2611。
仍然有利地，熱塑性聚合物及熱固性聚合物之玻璃轉變溫度可以在150℃與450℃之間，有利地在250℃與450℃之間。
因此，根據步驟a)之第一實施例(圖1b至圖1e)，形成第一區域之第一材料旨在提供中間層300與臨時面400a之間的黏合。因此，在形成中間層300之步驟a)結束時，第一區域310具有暴露於外部環境之一面(圖1e)。
有利地，第一材料可包含熱塑性聚合物。
仍然根據此第一實施例，可以包含熱固性材料之第二材料320b覆蓋金屬膜320a並填充在溝槽320中。詳言之，為了允許第一區域310與臨時面400a之間的黏合，可以理解的是，第二材料相對於由暴露於第一區域310之外部環境的面形成的平面齊平或甚至凹陷。
根據步驟a)之第二實施例，第二材料旨在提供中間層300與臨時面400a之間的黏合。
在此方面，第二材料可包含熱塑性聚合物。
第一區域310可以由熱固性聚合物製成。
此外，金屬膜320a形成亦覆蓋第一區域310之連續膜(圖2c及圖2d)。
仍然根據此第二實施例，第二材料320b亦形成覆蓋金屬膜320a之連續膜。
無論所考慮的實施例如何，形成中間層300之步驟a)可包含以下步驟：
a1)形成第一區域310(圖1b及圖2b)，
a2)形成金屬膜，其包含沈積金屬層，該金屬層覆蓋第一區域310及溝槽之底部及側面(圖1c及圖2c)，
a3)用第二材料320b填充溝槽(圖1d、圖1e及圖2d)。
a1)形成第一區域310(圖1b及圖2b)，
a2)形成金屬膜，其包含沈積金屬層，該金屬層覆蓋第一區域310及溝槽之底部及側面(圖1c及圖2c)，
a3)用第二材料320b填充溝槽(圖1d、圖1e及圖2d)。
步驟a1)包含例如形成由第一材料製成之第一層，接著界定該層中之第一區域310。第一層可以例如藉由藉助於例如旋轉器將第一材料以液體形式散佈在支撐基板110之正面110a上而形成。
若第一材料係感光的，則可以利用光微影步驟執行第一區域之界定。
詳言之，光微影步驟可包含經由第一層之光微影遮罩暴露於光輻射(例如紫外輻射)之步驟，隨後為旨在露出溝槽320之顯影步驟。
替代地，第一區域310之界定可包含蝕刻步驟，例如電漿蝕刻(尤其用O2
電漿)，經由遮罩(稱為硬遮罩)。
硬遮罩可以例如包含SiO2
層，尤其100 nm厚的SiO2
層。
在步驟a2)形成之金屬層可以包含選自以下的金屬物種中之至少一種：鋁、銀或釕，因其良好的光學反射率而被選擇。
步驟a2)可以藉由蒸發或藉由轟擊金屬靶來執行。
步驟a2)之後可以直接進行蝕刻金屬膜之步驟a2bis)，該步驟適於僅將該金屬層保持在溝槽之側面上。在實施步驟a3)之前，可以藉由定向電漿執行此蝕刻步驟。
步驟a3)可以包含形成第二層，該第二層由第二材料製成，覆蓋第一區域310並填充在溝槽320中。
根據第一實施例，步驟a)之後可以係部分移除第二層及金屬層之步驟a4)(圖1e)，執行部分移除步驟以保留溝槽320中之第二材料320b及金屬膜320a。步驟a4)可以例如藉由化學機械平面化(CMP)來執行。
替代地，步驟a4)可包含藉由停止在金屬層上之化學機械平面化來移除第二層之步驟。接著藉由乾法蝕刻(例如藉由電漿)或藉由濕法蝕刻來蝕刻覆蓋第一區域之金屬層。
以與此替代方案互補的方式，形成覆蓋金屬層之平面化停止層。
接著，形成中間層300之步驟a)之後係裝配正面110a及臨時基板400中稱為臨時面400a之一面之步驟b)(圖1f及圖2e)。換言之，裝配步驟包含使中間層300與臨時面400a接觸。此接觸可以伴隨施加在支撐件110及臨時基板400中之每一者上的力，以便迫使中間層300與臨時面400a之間黏合。
此外，步驟b)亦可包含在低於500℃，有利地低於400℃之溫度下執行之熱處理步驟，以加強中間層在臨時面400a上之黏合。
臨時基板400可以有利地包含選自以下的材料中之至少一種：玻璃、矽、陶瓷。
步驟b)之後係至少部分地移除或減薄支撐基板110之步驟c)(圖1g及圖2f)。
步驟c)可以藉由機械磨蝕(研磨)及/或藉由液體蝕刻(例如使用KOH或TMAH溶液)及/或通過乾法蝕刻(例如使用SF6電漿)來執行。
步驟c)之後亦可以係在電致發光結構100之背面上(「在結構之背面上」意謂在與電致發光面相對之一面上)形成金屬觸點(120)之步驟c1)(圖1h及圖2g)。
金屬觸點120之形成對於熟習此項技術者而言係已知的，且因此在本發明中不再進一步詳細描述。
接著，步驟c)之後係將電致發光結構100轉移至容納基板500中稱為容納面500a之一面上之步驟d)(圖1i、圖1j、圖2h及圖2i)。
「電致發光結構之轉移」係指將電致發光結構黏合至容納基板之一面上並將該等結構與臨時基板斷開之步驟。
換言之，在步驟d)結束時，電致發光結構100擱置在容納基板500上。
容納面500a可以進一步包含互連構件510，其旨在與金屬觸點配合，以便單獨地尋址電致發光結構100中之每一者。
互連構件510可以包含金屬焊盤，例如由與銅、錫及銀柱相關的鈦、鎳及金之堆疊製成之金屬焊盤。
步驟d)尤其包含形成包含容納基板500及臨時基板400之組配件之步驟d1)，電致發光結構插入在該等基板之間。
接著，步驟d1)之後係移除臨時基板之步驟d2)。
步驟d2)可以藉由機械減薄來執行，例如藉由磨蝕，接著利用化學機械平面化步驟及/或利用液體方法及/或利用乾法移除。
替代地，臨時基板400一旦透明，就可以藉助於雷射輻射與中間層300斷開(或分離)。
在步驟d)結束時，電致發光結構100因此擱置在容納基板500之容納面500a上。
接著，步驟d)之後可以係移除第一區域保留反射壁之步驟e)，旨在使電致發光面裸露。
步驟e)尤其保留將電致發光結構彼此光學定界之反射壁。
因此，一旦根據第一實施例形成中間層，步驟e)就包含移除第一區域。
第一區域之移除可以包含第一區域的蝕刻，例如濕法蝕刻。詳言之，蝕刻步驟之前可以係遮蔽反射壁以便在該蝕刻步驟期間對其進行保護之步驟。
一旦根據第二實施例形成中間層，步驟e)就包含減薄第二層。
可以藉由蝕刻，例如藉由電漿蝕刻(尤其分子氧電漿)來執行第二層之移除。
步驟e)亦包含在電致發光結構的豎直上方移除金屬層。在鋁層之情況下，可以用包含例如BCl3
或Cl2
之電漿來執行金屬層之移除。
最後，步驟e)包含移除第一區域，例如用CF4
或CHF3
電漿。
本發明，尤其反射壁之形成，不需要沈積厚金屬層，該厚金屬層易於引起可能損壞或甚至破壞電致發光結構之應力。
此外，使用第一及第二聚合物使得可以調節中間層之熱膨脹係數，並且亦限制在轉移方法之執行期間的應力的產生。
因此提出的轉移方法限制了對電致發光結構之損害。
根據本發明之反射壁包含安置在由第二材料形成之支撐體之側面上的金屬膜，並且僅需要沈積小厚度的金屬。
參考文獻
參考文獻
[1] FR 3012676
[2] Maszara et al., “Bonding of silicon wafers for silicon-on-insulator ”, J. Appl. Phys. 64 (1 0), 15 November 1988.
[2] Maszara et al., “Bonding of silicon wafers for silicon-on-insulator ”, J. Appl. Phys. 64 (1 0), 15 November 1988.
100‧‧‧電致發光結構
100a‧‧‧電致發光面
100b‧‧‧背面
110‧‧‧支撐基板
110a‧‧‧正面
120‧‧‧金屬觸點
130‧‧‧軌道
130a‧‧‧底部
130b‧‧‧側面
300‧‧‧中間層
310‧‧‧第一區域
320‧‧‧溝槽
320a‧‧‧金屬膜
320b‧‧‧第二材料
400‧‧‧臨時基板
400a‧‧‧臨時面
500‧‧‧容納基板
500a‧‧‧容納面
510‧‧‧互連構件
其他特徵及優點將自以下參考附圖利用非限制性實例給出的根據本發明之用來轉移電致發光結構的方法的描述中得出，在該等附圖中：
-圖1a至1j係根據本發明第一實施例的用來轉移電致發光結構的方法沿著垂直於支撐基板正面之截面的示意圖，
-圖2a至2i係根據本發明第二實施例的用來轉移電致發光結構的方法沿著垂直於支撐基板正面之截面的示意圖。
Claims (20)
- 一種用於轉移電致發光結構之方法，該電致發光結構形成在一支撐基板中被稱為正面之一面上並利用軌道彼此分離，該方法包含以下連續步驟： a)形成具備第一區域之一中間層，該等第一區域由一第一材料製成，其覆蓋該等電致發光結構中被稱為電致發光面之一面，及反射壁形成在該等軌道上方的溝槽中並分隔該等第一區域，該等壁包含覆蓋該等溝槽之至少側面的一金屬膜以及覆蓋該金屬膜並填充在該等溝槽中之一第二材料； b)裝配該中間層及一臨時基板中被稱為臨時面之一面； c)至少部分地移除該支撐基板； d)將該等電致發光結構轉移至該容納基板中被稱為容納面之一面上， 該等第一及第二材料中之至少一種旨在提供該中間層與該臨時面之間的黏合。
- 如請求項1之方法，其中該第二材料之熱膨脹係數與該支撐基板之熱膨脹係數之間的相對差異小於20%。
- 如請求項1之方法，其中該等第一及第二材料中之一種或另一種包含旨在提供該中間層與該臨時面之間的黏合之一熱塑性聚合物。
- 如請求項3之方法，其中該等第一及第二材料中之另一種包含一熱固性聚合物。
- 如請求項1至4中任一項之方法，其中該等第一及第二材料係聚醯亞胺。
- 如請求項1至4中任一項之方法，其中該等第一及第二材料具有一玻璃轉變溫度在150℃與450℃之間，有利地在250℃與450℃之間。
- 如請求項1至4中任一項之方法，其中步驟b)包含以下步驟： b1)使該中間層與該臨時面接觸， b2)在低於500℃，有利地低於300℃之一溫度下對由此形成的組配件進行熱處理。
- 如請求項1至4中任一項之方法，其中步驟a)包含以下步驟： a1)形成該等第一區域， a2)形成該金屬膜，其包含沈積一金屬層，該金屬層覆蓋該等第一區域及該等溝槽之至少側面， a3)以該第二材料填充該等溝槽。
- 如請求項8之方法，其中步驟a1)包含形成由該第一材料製成之一第一層，接著界定該層中之該等第一區域，有利地該等第一區域之界定包含一光微影步驟。
- 如請求項8之方法，其中步驟a3)包含形成一第二層，該第二層由一第二材料製成，覆蓋該等第一區域並填充該等溝槽。
- 如請求項1至4中任一項之方法，其中步驟c)包含藉由磨蝕執行之一機械減薄。
- 如請求項1至4中任一項之方法，其中步驟c)之後係在該等電致發光結構中與該電致發光面相對之一面上形成金屬觸點的一步驟c1)，該容納面進一步包含旨在與該等金屬觸點配合且由此單獨地對應該等電致發光結構中之每一者的互連構件。
- 如請求項1至4中任一項之方法，其中該轉移步驟d)包含以下步驟： d1)形成包含該容納基板及該臨時基板之一組配件，該等電致發光結構插入在該等基板之間； d2)有利地藉由機械減薄或藉由雷射分離來移除該臨時基板。
- 如請求項1至4中任一項之方法，其中步驟a)包含以下步驟： a1)形成該等第一區域， a2)形成該金屬膜，其包含沈積一金屬層，該金屬層覆蓋該等第一區域及該等溝槽)之至少側面， a3)以該第二材料填充該等溝槽， a4)部分移除該第二層及該金屬層，執行該部分移除步驟以保留該等反射壁。
- 如請求項14之方法，其中該第二材料係熱塑性聚合物，並且步驟a4)或在步驟b)之前或在步驟d)之後執行。
- 如請求項15之方法，其中該第二材料係熱固性聚合物，並且步驟a4)在步驟b)之前執行。
- 如請求項1至4中任一項之方法，其中該等電致發光結構各自包含插入在一第一半導體層與一第二半導體層之間的一主動層。
- 如請求項1至4中任一項之方法，其中每個電致發光結構包含垂直於該電致發光面之多個奈米線。
- 如請求項1至4中任一項之方法，其中該等電致發光結構以一矩陣方式佈置。
- 如請求項1至4中任一項之方法，其中步驟d)之後係移除該等第一區域並保留該等反射壁之一步驟e)，其旨在使該等電致發光面裸露。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| ??1763169 | 2017-12-22 | ||
| FR1763169 | 2017-12-22 | ||
| FR1763169A FR3076170B1 (fr) | 2017-12-22 | 2017-12-22 | Procede de report de structures electroluminescentes |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201936003A true TW201936003A (zh) | 2019-09-01 |
| TWI801474B TWI801474B (zh) | 2023-05-11 |
Family
ID=62222774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW107146442A TWI801474B (zh) | 2017-12-22 | 2018-12-21 | 用來轉移電致發光結構的方法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11626548B2 (zh) |
| EP (1) | EP3692577B1 (zh) |
| JP (1) | JP7241757B2 (zh) |
| KR (1) | KR20200099536A (zh) |
| CN (1) | CN111373541B (zh) |
| FR (1) | FR3076170B1 (zh) |
| TW (1) | TWI801474B (zh) |
| WO (1) | WO2019122644A1 (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7392426B2 (ja) * | 2019-11-28 | 2023-12-06 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置およびプロジェクター |
| FR3104809B1 (fr) * | 2019-12-11 | 2021-12-17 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d’une couche de materiau structuree |
| FR3116381B1 (fr) * | 2020-11-19 | 2022-12-16 | Commissariat Energie Atomique | Procédé de fabrication d'un dispositif à LED |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005347647A (ja) | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Sony Corp | 素子および素子転写方法 |
| US7592637B2 (en) * | 2005-06-17 | 2009-09-22 | Goldeneye, Inc. | Light emitting diodes with reflective electrode and side electrode |
| TWI420691B (zh) | 2006-11-20 | 2013-12-21 | 尼康股份有限公司 | Ｌｅｄ裝置及其製造方法 |
| JP2008186959A (ja) * | 2007-01-29 | 2008-08-14 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ−ｖ族半導体素子、およびその製造方法 |
| JPWO2009066430A1 (ja) | 2007-11-19 | 2011-03-31 | パナソニック株式会社 | 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法 |
| FR2992466A1 (fr) * | 2012-06-22 | 2013-12-27 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de realisation de contact pour led et structure resultante |
| FR2992465B1 (fr) * | 2012-06-22 | 2015-03-20 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication collective de leds et structure pour la fabrication collective de leds |
| FR3012676A1 (fr) | 2013-10-25 | 2015-05-01 | Commissariat Energie Atomique | Diode electroluminescente a puits quantiques separes par des couches barrieres d'ingan a compositions d'indium variables |
| KR101584201B1 (ko) | 2014-01-13 | 2016-01-13 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 및 이의 제조방법 |
| US9159871B2 (en) * | 2014-01-13 | 2015-10-13 | Epistar Corporation | Light-emitting device having a reflective structure and a metal mesa and the manufacturing method thereof |
| FR3028672B1 (fr) | 2014-11-18 | 2018-01-26 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Dispositif optoelectronique a diodes electroluminescentes |
| TWI647864B (zh) * | 2014-12-23 | 2019-01-11 | 法商艾勒迪亞公司 | 用於製造具有發光二極體之光電裝置的方法 |
| FR3033939B1 (fr) | 2015-03-20 | 2018-04-27 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Dispositif optoelectronique a diode electroluminescente |
| DE102015119353B4 (de) * | 2015-11-10 | 2024-01-25 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils |
| FR3044467B1 (fr) * | 2015-11-26 | 2018-08-10 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Dalle lumineuse et procede de fabrication d'une telle dalle lumineuse |
| JP2019522226A (ja) * | 2016-04-15 | 2019-08-08 | グロ アーベーＧｌｏ Ａｂ | 集積バックライトユニット |
| FR3052915A1 (fr) | 2016-06-17 | 2017-12-22 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'une diode electroluminescente au nitrure de gallium |
| FR3061360A1 (fr) | 2016-12-22 | 2018-06-29 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Dispositif electroluminescent |
| DE102017113745A1 (de) | 2017-06-21 | 2018-12-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterdisplay, optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung solcher |
-
2017
- 2017-12-22 FR FR1763169A patent/FR3076170B1/fr active Active
-
2018
- 2018-12-17 EP EP18833954.3A patent/EP3692577B1/fr active Active
- 2018-12-17 JP JP2020534216A patent/JP7241757B2/ja active Active
- 2018-12-17 WO PCT/FR2018/053321 patent/WO2019122644A1/fr unknown
- 2018-12-17 CN CN201880075025.4A patent/CN111373541B/zh active Active
- 2018-12-17 KR KR1020207017574A patent/KR20200099536A/ko not_active Application Discontinuation
- 2018-12-17 US US16/954,891 patent/US11626548B2/en active Active
- 2018-12-21 TW TW107146442A patent/TWI801474B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111373541A (zh) | 2020-07-03 |
| JP7241757B2 (ja) | 2023-03-17 |
| FR3076170B1 (fr) | 2020-05-15 |
| JP2021509223A (ja) | 2021-03-18 |
| KR20200099536A (ko) | 2020-08-24 |
| US20200403130A1 (en) | 2020-12-24 |
| US11626548B2 (en) | 2023-04-11 |
| CN111373541B (zh) | 2023-10-31 |
| EP3692577B1 (fr) | 2022-06-08 |
| FR3076170A1 (fr) | 2019-06-28 |
| WO2019122644A1 (fr) | 2019-06-27 |
| EP3692577A1 (fr) | 2020-08-12 |
| TWI801474B (zh) | 2023-05-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7165170B2 (ja) | 製造方法、及び、光電子デバイス | |
| US9991149B2 (en) | Semiconductor bonding with compliant resin and utilizing hydrogen implantation for transfer-wafer removal | |
| TWI801474B (zh) | 用來轉移電致發光結構的方法 | |
| KR101367545B1 (ko) | 절연성 결합 매체를 이용하는 전기 전도적 결합 | |
| US9507089B2 (en) | Method of manufacturing a photonic integrated circuit optically coupled to a laser of III-V material | |
| JP2011522427A5 (zh) | ||
| JP4889361B2 (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
| US10622785B2 (en) | Micro-VCSELs in thermally engineered flexible composite assemblies | |
| WO2007013757A1 (en) | Semiconductor light emitting device and fabrication method thereof | |
| JP3928695B2 (ja) | 面発光型の半導体発光装置およびその製造方法 | |
| WO2015033633A1 (ja) | 垂直共振面発光レーザ素子、それを備えた半導体ウエハおよび発光モジュール、ならびに垂直共振面発光レーザ素子の製造方法 | |
| JP2008532279A (ja) | 熱放出構造が改善されたレーザーダイオード及びその製造方法 | |
| JP2005150716A (ja) | 半導体レーザダイオードおよびその製造方法 | |
| US8507367B2 (en) | Separation of semiconductor devices | |
| JP2023531541A (ja) | 発光アレイ | |
| JP5324821B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| CN112713214B (zh) | 通过将晶片转移到接收衬底来制造光子芯片的方法 | |
| JPS59121989A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JP4347091B2 (ja) | 光学素子の製造方法 | |
| WO2020229614A1 (en) | Vertical-cavity surface-emitting laser | |
| TW202033996A (zh) | 光波導結構及其製作方法 | |
| JP2007173851A (ja) | 面発光型の半導体発光装置およびその製造方法 |