JP7240971B2 - アンテナ装置及び温度検出方法 - Google Patents

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Description

本開示の例示的実施形態は、アンテナ装置及び温度検出方法に関する。
コンパクトなサイズのアンテナ(タグアンテナ)が種々開発されている。このようなアンテナに係る技術は、例えば、特許文献1に開示されている。このアンテナは、誘電体と金属層と放射素子層と非接触給電素子とを備える。金属層は、誘電体層の一方の面に設けられる。放射素子層は、誘電体層の他方の面に設けられる。放射素子層は、スリット部を有する。スリット部は、放射素子層の中央部に設けられる。非接触給電素子は、スリット部の上部に設けられる。
特開2016-146558号公報
静電チャック上に載置されたウエハの温度を検出する場合、温度の検出はウエハに設けられた温度検出器を用いて行われ、検出結果はウエハに設けられたアンテナを介して外部の受信装置に無線で送られ場合があり得る。本開示は、ウエハに設けたアンテナを用いてウエハの温度の検出結果を好適に送信し得る技術を提供する。
一つの例示的実施形態において、アンテナ装置が提供される。アンテナ装置は、第1金属層と、第1金属層上に設けられた第1誘電体層と、第1誘電体層上に設けられた第2金属層と、第2金属層上に設けられた第2誘電体層とを備える。アンテナ装置は、更に、第2誘電体層上に設けられた第1金属端子及び第2金属端子と、第2誘電体層上に設けられた温度検出器とを備える。第1金属端子と第2金属端子とは、互いに離隔して配置される。温度検出器の一対の入出力端子の各々は、第1金属端子及び第2金属端子の各々に電気的に接続される。第2金属層は、第1誘電体層上に配置された第1部分と第2部分とを有する。第1部分と第2部分とは、互いに離隔して配置される。第1金属端子は、第1部分の上方に配置される。第2金属端子は、第2部分の上方に配置される。第1誘電体層は、FR-4樹脂よりも、高い熱伝導率と高い耐熱性とを有する。
本開示によれば、ウエハに設けたアンテナを用いてウエハの温度の検出結果を好適に送信し得る技術を提供できる。
一つの例示的実施形態に係るアンテナ装置の外観を例示する図である。 図1に示すアンテナ装置の断面の構成を例示する図である。 図1に示すアンテナ装置の表面上の構成を例示する図である。 図1に示すアンテナ装置の断面の他の構成を例示する図である。 一つの例示的実施形態に係る温度検出方法を示すフローチャートである。 図1に示すアンテナ装置がウエハに設けられている状態の断面を例示する図である。 図1に示すアンテナ装置の効果を説明するための図である。
以下、種々の例示的実施形態について説明する。一つの例示的実施形態において、アンテナ装置が提供される。アンテナ装置は、第1金属層と、第1金属層上に設けられた第1誘電体層と、第1誘電体層上に設けられた第2金属層と、第2金属層上に設けられた第2誘電体層とを備える。アンテナ装置は、更に、第2誘電体層上に設けられた第1金属端子及び第2金属端子と、第2誘電体層上に設けられた温度検出器とを備える。第1金属端子と第2金属端子とは、互いに離隔して配置される。温度検出器の一対の入出力端子の各々は、第1金属端子及び第2金属端子の各々に電気的に接続される。第2金属層は、第1誘電体層上に配置された第1部分と第2部分とを有する。第1部分と第2部分とは、互いに離隔して配置される。第1金属端子は、第1部分の上方に配置される。第2金属端子は、第2部分の上方に配置される。第1誘電体層は、FR-4樹脂よりも、高い熱伝導率と高い耐熱性とを有する。従って、アンテナ装置は熱伝導率及び耐熱性が比較的に優れているので、アンテナ装置は比較的に高い温度環境下においても、良好に動作し得る。更に、アンテナ装置が例えば金属板等の金属部材の上方に載置されて用いられる態様であっても、第1金属層を金属部材に向けてアンテナ装置を配置することによって、アンテナ装置が金属部材から受け得る影響を低減し得る。
一つの例示的実施形態において、第1誘電体層の材料は、窒化アルミニウムを有する。従って、アンテナ装置は熱伝導率及び耐熱性が比較的に優れた窒化アルミニウムを有しているので、アンテナ装置は比較的に高い温度環境下においても、良好に動作し得る。更に、アンテナ装置が例えば金属板等の金属部材の上方に載置されて用いられる態様であっても、第1金属層を金属部材に向けてアンテナ装置を配置することによって、アンテナ装置が金属部材から受け得る影響を低減し得る。
一つの例示的実施形態において、第1誘電体層は、第1金属層上に設けられた第1層と、第1層上に設けられた第2層と、第2層上に設けられた第3層とを有する。第2金属層は、第3層上に設けられる。第1層及び第3層の材料は、何れも、SiO2を含有するガラスである。第2層の材料は、シリコンである。従って、アンテナ装置は、熱伝導率及び耐熱性が比較的に優れた三層構造(SiO2を含有するガラス/シリコン/SiO2を含有するガラス)を有しているので、比較的に高い温度環境下においても、良好に動作し得る。更に、アンテナ装置が例えば金属板等の金属部材の上方に載置されて用いられる態様であっても、第1金属層を金属部材に向けてアンテナ装置を配置することによって、アンテナ装置が金属部材から受け得る影響を低減し得る。
一つの例示的実施形態において、第1層及び前記第3層の材料は、石英である。このように、第1層及び第3層の材料であるSiO2を含有するガラスとしては、石英が用いられ得る。
一つの例示的実施形態に係るアンテナ装置において、温度検出器は、弾性表面波を用いた無給電の温度センサであり得る。このように温度検出器は、無給電の温度センサなので、給電が困難な密閉空間内(例えばプラズマ処理装置内)の任意の場所においてアンテナ装置の利用が可能となる。
一つの例示的実施形態に係るアンテナ装置において、第1金属端子及び第2金属端子は、第2誘電体層の表面の中央又は縁端に配置され得る。
一つの例示的実施形態において、温度検出方法が提供される。温度検出方法は、静電チャック上のウエハの温度を検出する方法である。温度検出方法は、温度検出器を有するアンテナ装置が設けられたウエハを、静電チャック上に載置する。温度検出方法は、この後更に、外部アンテナからアンテナ装置に送られる第1信号を温度検出器が受け、温度検出器が第1信号に応じて第2信号を出力し、アンテナ装置が第2信号を外部アンテナに送る。第1信号は、温度をを検出するため温度検出器を励振する信号である。第2信号は、温度検出器によって検出された温度を示す信号である。アンテナ装置は、第1金属層と、第1金属層上に設けられた第1誘電体層と、第1誘電体層上に設けられた第2金属層と、第2金属層上に設けられた第2誘電体層とを備える。アンテナ装置は、更に、第2誘電体層上に設けられた第1金属端子及び第2金属端子と、第2誘電体層上に設けられた温度検出器とを備える。第1金属端子と第2金属端子とは、互いに離隔して配置される。温度検出器の一対の入出力端子の各々は、第1金属端子及び第2金属端子の各々に電気的に接続される。第2金属層は、第1誘電体層上に配置された第1部分と第2部分とを有する。第1部分と第2部分とは、互いに離隔して配置される。第1金属端子は、第1部分の上方に配置される。第2金属端子は、第2部分の上方に配置される。第1誘電体層は、FR-4樹脂よりも、高い熱伝導率と高い耐熱性とを有する。従って、アンテナ装置は熱伝導率及び耐熱性が比較的に優れているので、アンテナ装置はプラズマ処理時等の比較的に高い温度環境下においても、良好に動作し得る。更に、アンテナ装置が例えば金属板等の金属部材(静電チャック等)の上方に載置されて用いられる態様であっても、第1金属層を金属部材に向けてアンテナ装置を配置することによって、アンテナ装置が金属部材から受け得る影響を低減し得る。従って、プラズマ処理装置等の静電チャックに載置されプラズマ処理されるウエハ上にアンテナ装置を載置することによって、アンテナ装置は、比較的に高い温度環境下にある処理中のウエハの温度の検出にも、好適に利用され得る。
一つの例示的実施形態に係る温度検出方法において、温度検出器6は、弾性表面波を用いた無給電の温度センサであり得る。このように温度検出器は、無給電の温度センサなので、給電が困難な密閉空間内(例えばプラズマ処理装置内)の任意の場所においてアンテナ装置の利用が可能となる。
以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
図1、図2及び図3を参照して、一つの例示的実施形態に係るアンテナ装置10の構成を説明する。図2には、図1に示すA-A線に沿ったアンテナ装置10の断面が示されている。アンテナ装置10は、第1金属層1、第1誘電体層2、第2金属層3、第2誘電体層4、一対の金属端子(第1金属端子5a、第2金属端子5b)、温度検出器6を有する。第1金属層1、第1誘電体層2、第2金属層3、第2誘電体層4は、この順に積層される。
第1金属層1は、アンテナ装置10の裏面RS1を有する。第1誘電体層2は、第1金属層1上に設けられ、第1金属層1に接する。第2金属層3は、第1誘電体層2上に設けられ、第1誘電体層2に接する。第2誘電体層4は、第2金属層3上に設けられ、第2金属層3に接する。第2誘電体層4は、アンテナ装置10の主面PS1を有する。
第1誘電体層2は、FR-4(Flame Retardant Type 4)樹脂よりも、高い熱伝導率と高い耐熱性とを有し得る。第1誘電体層2は、シリコン(Si)と同程度の熱伝導率を有し得る。例えば、第1誘電体層2の材料は、窒化アルミニウム(AlN)であり得る。
また、第1誘電体層2は、窒化アルミニウムに代えて、図4に示す三層構造を有し得る。図4に示す第1誘電体層2は、第1層2a、第2層2b、第3層2cを有する。第3層2cは、第1層2aと第2層2bとの間に設けられる。第1層2a、第2層2b、第3層2cは、この順に積層される。
第1層2aは、第1金属層1上に設けられ、第1金属層1に接する。第2層2bは、第1層2a上に設けられ、第1層2aに接する。第3層2cは、第2層2b上に設けられ、第2層2bに接する。第2金属層3は、第3層2c上に設けられ、第3層2cに接する。
第1層2a及び第3層2cの材料は、何れも、SiO2を含有するガラスであり、好ましくは石英であり得る。第2層2bの材料は、シリコン(Si)であり得る。
アンテナ装置10の寸法について、主面PS1は、例えば10~30 mm×30~60 mmの程度の矩形形状であり得る。第1誘電体層2の材料が窒化アルミニウムの場合、第1誘電体層2の厚みは、例えば0.60~0.80 mmの程度であり得る。第1誘電体層2が図4に示すような三層構造の場合、第1層2a及び第3層2cの各々の厚みは例えば0.10~0.25 mmの程度であり、第2層2bの厚みは例えば0.20~0.60 mmの程度であり得る。第2誘電体層4の厚みは、例えば0.5~0.7 mmの程度であり得る。
図1~図3に戻って説明する。第2金属層3は、第1誘電体層2上に配置された第1部分3aと第2部分3bとを有する。第1部分3aと第2部分3bとは、第1誘電体層2と第2誘電体層4との間に配置される。第1部分3aと第2部分3bとは、互いに離隔して配置される。第1部分3aと第2部分3bとの間の空隙は、スリットSLを画定する。
第1金属端子5a及び第2金属端子5bは、第2誘電体層4上に設けられ(第2誘電体層4の主面PS1に設けられ)、第2誘電体層4に接する。第1金属端子5aと第2金属端子5bとは、互いに離隔して配置される。第1金属端子5aと第2金属端子5bとの間の空隙は、スリットSLの上方に画定される。第1金属端子5aは、第1部分3aの上方に配置される。第2金属端子5bは、第2部分3bの上方に配置される。
第1金属端子5a及び第2金属端子5bは、図3に示すように、第2誘電体層4の主面PS1の中央CA又は縁端EAに配置され得る。
温度検出器6は、第2誘電体層4上に設けられ(第2誘電体層4の主面PS1に設けられ)、第2誘電体層4に接する。温度検出器6の一対の入出力端子(入出力端子6a、入出力端子6b)の各々は、第1金属端子5a及び第2金属端子5bの各々に電気的に接続される。入出力端子6aと第1金属端子5a、及び、入出力端子6bと第2金属端子5bは、共に、例えばワイヤボンディング等によって電気的に接続され得る。
温度検出器6は、弾性表面波を用いた無給電の温度センサである。温度検出器6は、信号処理回路を有さない。
温度検出器6は、より具体的に、SAW(Surface Acoustic Wave)センサであり得る。SAWセンサの温度検出器6は、圧電基板と、この圧電基板上に設けられた櫛歯電極(InterdigitalTransducer:IDT)及び反射器(Reflector)とを有する(図示略)。櫛歯電極は、入出力端子6a及び入出力端子6bに電気的に接続され、反射回路と離隔して配置される。櫛歯電極と反射器とは、櫛歯電極と反射回路との間において圧電基板の表面にSAWが伝搬されるように、配置される。SAWセンサの温度検出器6は、バッテリーが不要なので、バッテリーの動作温度範囲に限定されず、動作温度の範囲が比較的に広く、例えば-100~250 ℃程度であり得る。
図5を参照して、温度検出器6を有するアンテナ装置10による温度検出方法を説明する。図5に示すフローチャートは、温度検出方法の一つの例示的実施形態に係る方法MTを表している。方法MTは、例えば、プラズマ処理装置等の処理空間内に配置されたウエハWの温度の検出方法であり得る。
まず、図5に示す方法MTにおいて、ウエハW(図6)が処理空間内の静電チャック(Electro Static Chuck:ESC)上に載置される(工程ST1)。この場合、ウエハWには、温度検出器6を有するアンテナ装置10が設けられる。ウエハWの裏面RS2は、静電チャックに接触する。温度検出器6を有するアンテナ装置10は、ウエハWの主面PS2に設けられた凹部GL内に配置される。アンテナ装置10の裏面RS1は凹部GLの底面に接触する。温度検出器6は、外部の解析装置(コンピュータ)に接続され静電チャックの周囲に予め配置された外部アンテナOAとの間で、信号の送受信が行われる。
工程ST1に引き続く工程ST2において、温度検出器6は、外部アンテナOAからアンテナ装置10に送られる第1信号SG1を、第2金属層3と、第1金属端子5a及び第2金属端子5bと介して、受ける(工程ST2)。第1信号SG1は、温度を検出するために温度検出器6を励振する信号である。
工程ST2に引き続く工程ST3において、温度検出器6は、第1信号SG1に応じて第2信号SG2を出力する。第2信号SG2は、温度検出器6によって検出された温度を示す信号である。温度検出器6がSAWセンサの場合、第2信号SG2は、第1信号SG1に応じて温度検出器6の圧電基板に生じるSAWによって、生成され得る。
工程ST3に引き続く工程ST4において、アンテナ装置10は、第2信号SG2を外部アンテナOAに送る。
以上説明した構成のアンテナ装置10は、温度検出器6を搭載する。アンテナ装置10の第1誘電体層2の材料は窒化アルミニウムであり得る。又は、第1誘電体層2は、窒化アルミニウムに代えて、SiO2を含有するガラスである第1層2a、シリコンの第2層2b、SiO2を含有するガラスである第3層2cが第1金属層1の上に順次積層された三層構成を有し得る。このように、第1誘電体層2は、FR-4樹脂よりも、高い熱伝導率と高い耐熱性とを有し、特に、シリコンと同程度の熱伝導率を有し得る。従って、アンテナ装置10はFR-4樹脂が用いられたタグアンテナよりも熱伝導率及び耐熱性が優れた窒化アルミニウム又は三層構造(SiO2を含有するガラス/シリコン/SiO2を含有するガラス)有している。このため、アンテナ装置10は(プラズマ処理時等の)比較的に高い温度環境下においても良好に動作し得る。更に、温度検出器6は無給電の温度センサなので、給電が困難な密閉空間内(例えばプラズマ処理装置内)の任意の場所においてアンテナ装置10の利用が可能となる。
更に、アンテナ装置10が例えば金属板等の金属部材(静電チャック等)の上方に載置されて用いられる態様であっても、第1金属層1を金属部材に向けてアンテナ装置10を配置することによって、アンテナ装置10が金属部材から受け得る影響を低減し得る。金属部材の有無による影響を図7に示す。図7において、横軸は周波数(Frequency)を表し、縦軸はVSWR(Voltage Standing Wave Ratio)を表す。線GA1は、金属部材が設けられていない態様で得られたアンテナ装置10のVSWRの実測結果を表す。線GB1は、金属部材が設けられた態様で得られたアンテナ装置10のVSWRの実測結果を表す。線GA2は、金属部材が設けられていない態様で得られたアンテナ装置10のVSWRのシミュレーション(simulation)結果を表す。線GB2は、金属部材が設けられた態様で得られたアンテナ装置10のVSWRのシミュレーション結果を表す。図7によれば、アンテナ装置10のVSWRが金属部材から受け得る影響は、実測、シミュレーションの何れによっても、比較的に低いことがわかる。
アンテナ装置10は、少なくとも上記した効果を奏し得る。従って、例えば、プラズマ処理装置等の静電チャックに載置されプラズマ処理されるウエハ上にアンテナ装置10を載置することによって、アンテナ装置10は、比較的に高い温度環境下にある処理中のウエハの温度の検出にも、好適に利用され得る。
以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な省略、置換、及び変更がなされてもよい。また、異なる例示的実施形態における要素を組み合わせて他の例示的実施形態を形成することが可能である。
以上の説明から、本開示の種々の例示的実施形態は、説明の目的で本明細書で説明されており、本開示の範囲及び主旨から逸脱することなく種々の変更をなし得ることが、理解されるであろう。したがって、本明細書に開示した種々の例示的実施形態は限定することを意図しておらず、真の範囲と主旨は、添付の特許請求の範囲によって示される。
1…第1金属層、10…アンテナ装置、2…第1誘電体層、2a…第1層、2b…第2層、2c…第3層、3…第2金属層、3a…第1部分、3b…第2部分、4…第2誘電体層、5a…第1金属端子、5b…第2金属端子、6…温度検出器、6a…入出力端子、6b…入出力端子、CA…中央、OA…外部アンテナ、EA…縁端、GA1…線、GA2…線、GB1…線、GB2…線、GL…凹部、MT…方法、PS1…主面、PS2…主面、RS1…裏面、RS2…裏面、SG1…第1信号、SG2…第2信号、SL…スリット、W…ウエハ。

Claims (9)

  1. 第1金属層と、
    前記第1金属層上に配置された第1誘電体層と、
    前記第1誘電体層上に配置された第2金属層であり、前記第2金属層は互いに離隔した第1部分及び第2部分を含む、該第2金属層と、
    前記第2金属層上に配置された第2誘電体層と、
    前記第2誘電体層上に互いに離隔して配置された第1金属端子及び第2金属端子であり、該第1金属端子及び該第2金属端子は、前記第1部分及び前記第2部分の上方にそれぞれ配置される、該第1金属端子及び該第2金属端子と、
    前記第2誘電体層上に配置された温度検出器であり、該温度検出器は、該第1金属端子及び該第2金属端子の各々に電気的に接続された一対の入出力端子を有する、該温度検出器と、
    を備え
    前記第1誘電体層は、FR-4樹脂よりも、高い熱伝導率と高い耐熱性とを有する、
    アンテナ装置。
  2. 前記第1誘電体層は、窒化アルミニウムで構成される
    請求項1に記載のアンテナ装置。
  3. 前記第1誘電体層は、
    前記第1金属層上に配置された第1層と、
    前記第1層上に配置された第2層と、
    前記第2層上に配置された第3層と、
    を有し
    前記第1層及び前記第3層、何れも、SiO2含有ガラスで構成され
    前記第2層、シリコンで構成される、
    請求項1に記載のアンテナ装置。
  4. 前記第1層及び前記第3層、石英で構成される、
    請求項3に記載のアンテナ装置。
  5. 前記温度検出器は、弾性表面波により動作可能な無給電の温度センサで構成される、
    請求項1~4の何れか一項に記載のアンテナ装置。
  6. 前記第1金属端子及び前記第2金属端子は、前記第2誘電体層の中央領域に配置される、
    請求項1~の何れか一項に記載のアンテナ装置。
  7. 前記第1金属端子及び前記第2金属端子は、前記第2誘電体層の表面のエッジ領域に配置される、
    請求項1~4の何れか一項に記載のアンテナ装置。
  8. 請求項1~7の何れか一項に記載のアンテナ装置を備えたウエハの温度を検出する温度検出方法であって、
    前記ウエハを、静電チャック上に配置する工程と
    外部アンテナから第1信号を前記アンテナ装置を介して前記温度検出器で受信する工程であり該第1信号は、温度を検出するため該温度検出器を励振する、該工程と、
    前記第1信号に応じて前記温度検出器から第2信号を出力する工程であり、該第2信号は、該温度検出器によって検出された温度を示す、該工程と、
    前記第2信号を前記アンテナ装置から前記外部アンテナに送る工程と、
    を有する、
    温度検出方法。
  9. 前記温度検出器は、弾性表面波により動作可能な無給電の温度センサで構成される、
    請求項に記載の温度検出方法。
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