JP7238947B2 - なす科の苗栽培装置及び栽培方法 - Google Patents
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Description
本発明では、UV光等の「苗の栽培面における光強度」(以下、「栽培面UV強度」又は「栽培面光強度」ということがある。)は、苗の葉の位置に分光放射照度計の受光面を水平かつ上向きに配置して測定された値である。
照明装置による苗への光の照射時間は、1日当り8~20時間、特に12~18時間程度が好ましい。
K =I1/I2
=(Wk×m)/(Ws×n)
m:空調装置の台数(基)
n:照明装置の本数(本)
相馬光学株式会社製、分光放射照度計(製品名:S-2431 modelII)を使用し、栽培面における各波長領域の範囲におけるUV強度、光強度、光合成有効光量子束密度を測定した。分光放射照度計の受光面を、苗の葉の位置に、水平上向きに配置して測定を行った。
表1に示す条件で照明装置を使用した苗栽培装置を使用し、照明を1日あたり16時間点灯し、トマトの苗を12日育成した。生育状態について以下の基準で評価を行った。結果を表1に示す。
VG(非常に良い):葉こぶ症の発生が見られない。
G(良好):一部の苗に軽度の葉こぶ症の発生が見られる。(一部の苗の葉に突起状のこぶは発生するがその程度は軽微で、葉に重度の黄化や落葉は見られない。)
NG(不良):多くの苗に葉こぶ症が発生し、重篤な症状が見られる。(多くの苗の葉に突起状のこぶが発生し、葉の縮れや重度の黄化、落葉が発生。)
閉鎖型建物構造物1(内法寸法:奥行450cm、横幅300cm、高さ240cm)内の完全閉鎖された空間内に5段3棚の多段棚式植物育成装置3を2基設置して、トマトの苗を栽培した(セルトレイ40の寸法:奥行60cm、幅30cm)。空調装置は、冷房能力14kWの空調装置を1台設置し、照明装置は、植物の栽培面において表1に示す波長特性を有する照明装置を使用した。得られた結果を表1に示す。
本出願は、2016年6月2日付で出願された日本特許出願2016-111043に基づいており、その全体が引用により援用される。
3~8 多段棚式植物育成装置
3a 側面パネル
3b 背面パネル
3c 台座
3e トップパネル
9 空調装置
9A 空調装置本体
9a 取込口
9b 吐出口
9f 吹出口
10 風向制御板
10a 開口
12 育苗棚
13 人工照明器
13a ボックス
13b ソケット
13c 蛍光灯
13d 天板
13e 底板
13f 電気回路部材
13g 電源ユニット
13s スイッチ
15 空気ファン
16 炭酸ガスボンベ
30,30’ 潅水装置
31 潅水トレイ
31d 底版
32 排水溝
32a 排水口
33 給水管
33a 小孔
34 堰
34a 切欠部
35 リブ
40 セルトレイ
41 セル
42 セル穴
50 アンダートレイ
51 小孔
52 突起
Claims (8)
- なす科の植物の苗を栽培する、照明装置を備えた栽培装置であって、
該照明装置は、少なくとも450~660nmの波長領域の光を照射する半導体照明装置を含み、
前記照明装置は、苗の栽培面における295nm以上、320nm未満の波長領域のUV強度が4.0μW/cm2以上である苗栽培装置。 - 前記照明装置は、前記苗の栽培面で測定される光合成有効光量子束密度が50μmol/m2/sec以上である請求項1に記載の苗栽培装置。
- 前記栽培装置は、閉鎖型構造物の中に配置されており、
前記閉鎖型構造物内を空調する空調装置が設けられており、
前記苗に灌水する灌水装置が設けられている
請求項1または2に記載の苗栽培装置。 - 前記閉鎖構造物内の湿度は30~100%である請求項3に記載の苗栽培装置。
- 前記照明装置は、苗の栽培面における295nm以上、320nm未満の波長領域のUV強度が500μW/cm2以下である請求項1~4のいずれか1項に記載の苗栽培装置。
- 前記照明装置は、苗の栽培面における295nm以上、320nm未満の波長領域のUV強度I1と、苗の栽培面における450~660nmの波長領域の光強度I2との比I1/I2が0.0001~0.01である請求項1~5のいずれか1項に記載の苗栽培装置。
- 請求項1~6のいずれか1項に記載の苗栽培装置を使用して、なす科の苗を栽培する苗栽培方法。
- 前記苗は、トマト、ピーマン又はナスの苗である請求項7に記載の苗栽培方法。
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