JP7232495B2 - SiCインゴット製造用基板の製造方法、及び、SiCインゴット製造用基板 - Google Patents
SiCインゴット製造用基板の製造方法、及び、SiCインゴット製造用基板 Download PDFInfo
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Description
本実施形態の製造方法は、SiCインゴット製造用基板の製造方法であって、SiC結晶が形成されるSiC基板とSiC基板を支持する支持基板とが接合される接合予定面の少なくとも一方に、SiC中間層を形成する形成工程と、SiC基板と支持基板とを互いに押し付けて、SiC中間層を介してSiC基板と支持基板とを接合する接合工程と、を備える。
SiC結晶が形成されるSiC基板1と、該基板を支持する支持基板2とを用意する。
(b)SiC中間層形成工程
SiC基板1が接合される支持基板2の接合予定面に、SiC中間層3を形成する。
(c)基板接合工程
SiC基板1と支持基板2とを互いに押し付けて、SiC中間層3を介してSiC基板と支持基板とを接合して、基板接合体を形成する。この結果、SiCインゴット製造用基板が製造される。
支持基板2との接合面とは反対の面にエピタキシャル成長のためのSiC含有原料ガス4を接触流通させる。
(e)SiCインゴットの形成
SiC基板1上にSiCがエピタキシャル成長により形成され、SiC基板1とエピタキシャル成長により形成されたSiCからなるSiCインゴット5が形成される。
プラズマは数パスカル(Pa)程度の低真空度の雰囲気で発生させることができるので、真空システムを簡易化でき、かつ真空引きなどの工程を短縮化することができる。
図3を参照して、他の実施形態1を示す。本実施形態は、実施形態1の図1(b)のSiC中間層形成工程において、図3(f)のように、SiC基板1と支持基板2の両方の接合面にSiC中間層3が形成されている点のみ異なっており、その他は実施形態1と同一の工程である。
図4を参照して、他の実施形態2を示す。本実施形態は、実施形態2の図3(f)のSiC中間層形成工程において、図4(g)のように、SiC基板1と支持基板2の両方の接合面に複数のSiC中間層3が形成されている点のみ異なっており、その他は実施形態1と同一の工程である。なお、本図では、SiC中間層3はそれぞれ2層形成されているが、何層形成されてもよい。
実施例の試験は、以下の手順で行った。
(1)SiC基板(支持基板)の準備
支持基板と仮定して、厚みが0.5mmであるSiC基板を用意した。
SiC基板として、厚みが0.5mmであるSiC基板を用意した。
イオンビームスパッタを使用して、SiC中間層を、支持基板とSiC基板の接合がおこなわれる表面の両面に形成した。このときのイオンビームの入力値は、1.3Kv/400mAであった。
下記条件で、常温接合処理を行った。
(常温接合条件)
5.0kN、5min
2 SiC基板
3 SiC中間層
4 SiC含有のエピタキシャル成長原料ガス
5 SiCインゴット(エピタキシャル成長後)
Claims (11)
- SiC結晶が形成されるSiC基板とSiC基板を支持する支持基板とが接合される接合予定面の少なくとも一方に、SiC中間層を形成する形成工程と、
SiC基板と支持基板とを互いに押し付けて、SiC中間層を介してSiC基板と支持基板とを常温で接合する接合工程と、
SiC基板と支持基板とを剥離する剥離工程と、
を備え、
接合工程の前に、SiC基板と支持基板の接合予定面の少なくとも一方を不活性ガスを含むガス雰囲気中に晒すこと、
を特徴とするSiCインゴット製造用基板の製造方法。 - 接合工程の後、かつ剥離工程の前に、SiC基板上にSiC分子を蒸着させてSiCのインゴットを形成するインゴット形成工程を備えること、を特徴とする請求項1に記載のSiCインゴット製造用基板の製造方法。
- 支持基板がグラファイト(黒鉛)基板、または、SiC基板であること、を特徴とする請求項1または2に記載のSiCインゴット製造用基板の製造方法。
- 形成工程において、SiC中間層を複数形成すること、を特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載のSiCインゴット製造用基板の製造方法。
- 接合工程の前に、SiC基板か支持基板の少なくとも一方の接合予定面を、所定の運動エネルギーを備える粒子を照射することで活性化させる表面活性化工程をさらに備えること、を特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載のSiCインゴット製造用基板の製造方法。
- 接合工程の前に、SiC中間層の表面を、所定の運動エネルギーを備える粒子を照射することで活性化させる表面活性化工程をさらに備えること、を特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載のSiCインゴット製造用基板の製造方法。
- 接合工程の前に、基板接合予定面の一部を選択的に表面活性化すること、を特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載のSiCインゴット製造用基板の製造方法。
- 不活性ガスが窒素、アルゴン、またはこれらの混合ガスであること、を特徴とする請求項1に記載のSiCインゴット製造用基板の製造方法。
- 接合工程が、真空雰囲気中または不活性ガス雰囲気中で行われる、請求項1から8のいずれか一項に記載のSiCインゴット製造用基板の製造方法。
- 不活性ガス雰囲気中で行われる接合工程の不活性ガスが窒素、アルゴン、またはこれらの混合ガスであること、を特徴とする請求項9に記載のSiCインゴット製造用基板の製造方法。
- 接合工程が、バックグラウンド圧力が1×10-8Pa以上大気圧未満である、真空ないしは減圧雰囲気中で行われる、請求項1から10のいずれか一項に記載のSiCインゴット製造用基板の製造方法。
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