JP7215760B2 - 真空貼合装置 - Google Patents

Description

本発明は、真空貼合装置に関する。

従来、いずれか一方に接着剤が塗布された２つの部材を対向配置し、２つの部材の周囲を真空状態にした後、大気圧状態に戻すことによって２つの部材を貼り合わせる真空貼合システムがあった（例えば特許文献１及び特許文献２参照）。ここでは、真空貼合システムが上基板（ガラス基板）と下基板（ガラス基板）とを貼り合わせて液晶パネル等の基板を組み立てる基板組立システムに用いられているものとして説明する。

基板組立システムとして用いられている真空貼合システムは、真空チャンバ内で上基板と下基板とを貼り合わせて基板を組み立てる真空貼合装置（基板組立装置）と、真空貼合装置の動作を制御する制御装置と、上基板や下基板を真空貼合装置の真空チャンバの中に搬入したり、真空貼合装置によって組み立てられた基板を真空チャンバの外に搬出したりする搬送装置とを有する構成になっている。

真空貼合装置は、上チャンバと下チャンバとが接合及び分離自在に構成された真空チャンバと、真空チャンバ内から気体を排除する真空ポンプ機構と、それぞれ真空チャンバ内で上下に対向配置された上テーブルと下テーブルとを有している。真空貼合装置は、上基板を下テーブルに対向させて上テーブルで保持するとともに、液晶が滴下された下基板を下テーブル上に保持する。なお、上基板及び下基板のいずれか一方の基板には接着剤が塗布されている。真空貼合装置は、上チャンバと下チャンバとを接合させた状態で真空ポンプ機構を作動させることによって、真空チャンバ内を真空にし、真空中で、上テーブルで上基板と下基板とを加圧することによって、いずれか一方の基板に塗布された接着剤で上基板と下基板とを貼り合わせる。以下、真空チャンバ内を真空にする動作を「真空引き」と称する。

この後、真空貼合装置は、真空チャンバ内を大気に開放して、大気圧で上基板と下基板とを加圧することによって接着剤を押し潰しながら、最終的に所定のセルギャップに到達するまで上基板と下基板とを貼り合わせる。これによって、真空貼合システムは、液晶パネル等の基板を組み立てる。

特許第４３７９４３５号公報 特許第５８３７２４７号公報

しかしながら、従来の真空貼合装置は、以下に説明するように、エリア毎に接着剤の特性を均一にすることについて、更なる改善の余地があった。

例えば、基板の各エリアには、様々な構成の回路や配線が埋め込まれている。そのため、基板は、エリア毎に蓄熱量や熱の伝達効率が異なっている。
周囲が大気圧状態になっている大気環境下では、基板の周囲に空気の対流が存在する。そのため、たとえエリア毎に基板の蓄熱量や熱の伝達効率が異なっていたとしても、空気の対流によって基板の各エリアの蓄熱がその周囲に伝達されて拡散される。その結果、大気環境下では、基板の表面温度は、全エリアでほぼ均一な温度になる。
しかしながら、周囲が真空状態になっている真空環境下では、基板の周囲に空気の対流が存在しない。そのため、空気の対流によって基板の各エリアの蓄熱がその周囲に伝達されない。したがって、基板の表面温度は、エリア毎に大きく異なった温度になる。

ところで、上基板と下基板との貼り合わせでは、近年の多種類の基板の組み立て要求に応じて、温度によって粘度等の特性が大きく変動する接着剤を用いることが要求されるときがある。
しかしながら、そのような接着剤は、真空環境下において基板の表面温度がエリア毎に大きく異なった温度になることによって、粘度等の特性が大きく変動してしまう。その結果、例えばエリア毎に接着剤の潰れ量が変動してしまう可能性があった。

そして、従来の真空貼合装置では、そのような温度によって粘度等の特性が大きく変動する接着剤を用いた場合に、大気圧で上基板と下基板とを加圧することによって接着剤を押し潰す際に、全エリアで均一に所定のセルギャップに到達するまで上基板と下基板とを貼り合わせることが阻害されてしまう可能性があった。

本発明は、前記した課題を解決するためになされたものであり、接着剤の特性を均一にする真空貼合装置を提供することを主な目的とする。

前記目的を達成するため、本発明は、下部材と上部材とを真空環境下で収納可能な真空チャンバと、前記真空チャンバ内で前記下部材を載置する下テーブルと、前記真空チャンバ内で前記上部材を保持する上テーブルと、任意に設定されたエリア毎に前記下テーブル及び前記上テーブルのいずれか一方又は双方の温度を検知する温度センサと、前記温度センサにより検知された前記各エリアの温度に基づき、前記エリア毎に設定された温度に前記各エリアの温度を調節するテーブル温度調節機構と、を備え、温度の調節対象のテーブルを冷却する場合の前記テーブル温度調節機構の温度は、（常温－１０）℃以上でかつ常温以下の温度であることを特徴とする真空貼合装置とする。

本発明の真空貼合装置は、エリア毎にテーブルの温度を調節することができるため、全エリアで接着剤の特性を均一にすることができる。これにより、例えば全エリアで接着剤の潰れ量を均一にすることができる。
その他の手段は、後記する。

本発明によれば、接着剤の特性を均一にすることができる。

実施形態１に係る真空貼合システムの構成を示す図である。 実施形態１に係る真空貼合装置のテーブル温度調節機構の構成を模式的に示す図（１）である。 実施形態１に係る真空貼合装置のテーブル温度調節機構の構成を模式的に示す図（２）である。 実施形態１に係る真空貼合装置のテーブル温度調節機構の構成を模式的に示す図（３）である。 実施形態１に係る真空貼合装置のテーブル温度調節機構の構成を模式的に示す図（４）である。 実施形態１で用いる制御装置の構成を示す図である。 実施形態１に係る真空貼合システムの動作を示すフローチャートである。 温度の検知箇所の一例を示す図である。 下テーブルの各エリアの温度の変化例を示す図である。 実施形態１における基板の寸法の補正例を模式的に示す図（１）である。 実施形態１における基板の寸法の補正例を模式的に示す図（２）である。 実施形態２に係る真空貼合装置の構成を模式的に示す図である。 実施形態２における基板の寸法の補正例を模式的に示す図（１）である。 実施形態２における基板の寸法の補正例を模式的に示す図（２）である。

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態（以下、「本実施形態」と称する）につき詳細に説明する。なお、各図は、本発明を十分に理解できる程度に、概略的に示してあるに過ぎない。よって、本発明は、図示例のみに限定されるものではない。また、各図において、共通する構成要素や同様な構成要素については、同一の符号を付し、それらの重複する説明を省略する。

［実施形態１］
＜真空貼合システムの全体の構成＞
以下、図１を参照して、本実施形態１に係る真空貼合システム１０００の構成につき説明する。図１は真空貼合システム１０００の構成を示す図である。ここでは、真空貼合システム１０００が液晶パネル等の基板を組み立てる基板組立システムに用いられているものとして説明する。また、上側に配置される部材（上部材）を上基板Ｋ１（ガラス基板）とし、下側に配置される部材（下部材）を下基板Ｋ２（ガラス基板）として、説明する。

図１に示すように、本実施形態１に係る真空貼合システム１０００は、真空貼合装置（基板組立装置）１と制御装置１００と搬送装置２００とを有する。

真空貼合装置１は、いずれか一方に接着剤が塗布された２つの部材を対向配置し、２つの部材の周囲を真空状態にした後、大気圧状態に戻すことによって２つの部材を貼り合わせる装置である。
制御装置１００は、真空貼合装置１及び搬送装置２００の動作を制御する装置である。
搬送装置２００は、上基板Ｋ１（ガラス基板）や下基板Ｋ２（ガラス基板）を真空貼合装置１の真空チャンバ５の中に搬入したり、真空貼合装置１によって組み立てられた液晶パネル等の基板を真空チャンバ５の外に搬出したりする装置である。搬送装置２００は、上基板Ｋ１や下基板Ｋ２を保持する保持部を備えている。

＜真空貼合装置の構成＞
真空貼合装置１は、架台１ａと上フレーム２とを有する。架台１ａは設置面（床面等）に載置される。上フレーム２は架台１ａの上方において上下動（上方向への移動及び下方向への移動）可能に備わっている。
架台１ａの上には、上フレーム２の上下動機構であるＺ軸駆動機構２０が取り付けられている。そのＺ軸駆動機構２０の上には、ロードセル２０ｄを介して上フレーム２が取り付けられている。本実施形態１では、Ｚ軸駆動機構２０及びロードセル２０ｄがそれぞれＸ軸方向及びＹ軸方向に２つずつ配置されており、真空貼合装置１が合計４つのＺ軸駆動機構２０と合計４つのロードセル２０ｄとを有しているものとして説明する。

真空貼合装置１には、上テーブル３と下テーブル４とが備わっている。
上テーブル３は、複数の上シャフト２ａを介して上フレーム２に固定されている。本実施形態１では、上テーブル３は、バックプレート３０とクッションシート３１とを有する。バックプレート３０は、クッションシート３１を支持する板材であり、剛性材によって構成されている。バックプレート３０は、上シャフト２ａに取り付けられ、上フレーム２と一体に上下動する。クッションシート３１は弾性材によって構成されたシート材である。

下テーブル４は、ＸＹθ移動ユニット４０を介して架台１ａに取り付けられている。ＸＹθ移動ユニット４０は、下テーブル４に対して、Ｘ軸方向への移動、Ｙ軸方向への移動、及びＺ軸周りの回転を任意に実行するユニットである。ＸＹθ移動ユニット４０は、架台１ａに対して、互いに直交する２軸（Ｘ軸，Ｙ軸）方向に独立して可動に構成されている。また、ＸＹθ移動ユニット４０は、架台１ａに対してＺ軸周りに回転可能に構成されている。

上テーブル３及び下テーブル４は、Ｙ軸方向及びＸ軸方向を縦横方向とする矩形となっている。そして、上テーブル３の下側平面（上部基板面３ａ）と下テーブル４の上側平面（下部基板面４ａ）とが対向している。

なお、本実施形態１では、架台１ａに対する上フレーム２の方向をＺ軸方向（上下方向）とする。また、Ｚ軸に対して直交する１軸の方向をＸ軸方向（横方向）とし、Ｚ軸及びＸ軸に直交する１軸の方向をＹ軸方向（縦方向）とする。

上フレーム２は、４つのＺ軸駆動機構２０及び４つのロードセル２０ｄを介して架台１ａに取り付けられている。各Ｚ軸駆動機構２０は、Ｚ軸方向（上下方向）に延設されるボールねじ軸２０ａを上下動させるボールねじ機構２０ｂを有する。ボールねじ軸２０ａは、電動モータ２０ｃで回転し、ボールねじ機構２０ｂによって上下動する。

上フレーム２には、複数の上シャフト２ａを介して上テーブル３が固定されている。上フレーム２と上テーブル３とは一体に上下動する。上テーブル３の周囲には上チャンバ５ａが配置されている。上チャンバ５ａは、下方（架台１ａの側）が開口した構成になっており、上テーブル３の上方及び側方を覆うように配置されている。

上チャンバ５ａは、吊下げ機構６を介して上フレーム２に取り付けられている。
吊下げ機構６は、上フレーム２から下方に延設される支持軸６ａと、支持軸６ａの下端部がフランジ状に広がって形成される係止部６ｂとを有する。
また、上チャンバ５ａにはフック６ｃが備わっている。フック６ｃは、支持軸６ａの周囲において自在に上下動する。また、フック６ｃは、支持軸６ａの下端において係止部６ｂと係合する。

上シャフト２ａは上チャンバ５ａを貫通している。上シャフト２ａと上チャンバ５ａとの間は真空シール（図示せず）で密封されている。
上フレーム２が上方に移動（上動）すると、フック６ｃが支持軸６ａの係止部６ｂと係合し、それに伴って上チャンバ５ａが上フレーム２とともに上動する。また、上フレーム２が下方に移動（下動）すると、フック６ｃが自重で下動し、それに伴って上チャンバ５ａが下動する。

下テーブル４の下部基板面４ａには、図示せぬ複数の吸引孔が開口している。下テーブル４の各吸引孔は真空ポンプＰ３とつながっている。真空ポンプＰ３が駆動すると、下部基板面４ａに載置された下基板Ｋ２が吸着されて下テーブル４（下部基板面４ａ）で保持される。

また、下テーブル４の周囲には下チャンバ５ｂが配置されている。下チャンバ５ｂは、架台１ａに取り付けられている複数の下シャフト１ｂで支持されている。下シャフト１ｂは下チャンバ５ｂ内に突出している。下チャンバ５ｂと下シャフト１ｂとの間は真空シール（図示せず）で密封されている。
下チャンバ５ｂは、上方（上フレーム２の側）が開口した構成になっており、下テーブル４の下方及び側方を覆うように配置されている。
ＸＹθ移動ユニット４０は、下チャンバ５ｂ内に突出している下シャフト１ｂに取り付けられて下テーブル４を支持する。

上チャンバ５ａと下チャンバ５ｂとは、互いの開口した部分が合わさって真空チャンバ５を形成する。つまり、下動した上チャンバ５ａが下チャンバ５ｂに上方から係合して、下チャンバ５ｂの開口が上チャンバ５ａで塞がれるように構成されている。なお、上チャンバ５ａと下チャンバ５ｂとの接続部はシールリング（図示せず）で密封され、真空チャンバ５の気密性が確保されている。

上フレーム２は、上チャンバ５ａが下チャンバ５ｂに接する状態よりもさらに下動可能となっている。つまり、上フレーム２は、上チャンバ５ａの下動が下チャンバ５ｂによって規制された状態よりもさらに下動可能となっている。吊下げ機構６では、上フレーム２がその状態よりもさらに下動することによって、係止部６ｂとフック６ｃの係合が解消する。このとき、上チャンバ５ａは自重で下チャンバ５ｂに載置した状態になる。そして、真空チャンバ５の内側に上テーブル３と下テーブル４とが配設される。

真空貼合装置１には真空ポンプ機構Ｐ０が備わっている。真空ポンプ機構Ｐ０は、真空チャンバ５に接続され、真空チャンバ５内の気体を外部に排出して、真空チャンバ５の内部の状態を真空状態にする。つまり、真空ポンプ機構Ｐ０が駆動すると、真空チャンバ５の内部が真空環境になる。

真空ポンプ機構Ｐ０は、図示せぬ低真空ポンプと図示せぬ高真空ポンプとが組み合わせられた構成になっている。低真空ポンプは、真空チャンバ５の内部の状態を大気圧状態（１０１，３００（Ｐａ）≒１０^５ （Ｐａ））から低真空状態に変えることができるポンプである。低真空ポンプとしては、例えば、ドライポンプ等を用いることができる。高真空ポンプは、真空チャンバ５の内部の状態を低真空状態から極高真空状態に変えることができるポンプである。高真空ポンプとしては、例えば、ターボ分子ポンプ等を用いることができる。

上テーブル３は、真空チャンバ５の内側において、上フレーム２の下動に伴って、下動する。このような上テーブル３の下動によって、真空中で、上テーブル３に保持されている上基板Ｋ１と下テーブル４に保持されている下基板Ｋ２とが加圧される。上基板Ｋ１及び下基板Ｋ２のいずれか一方の基板には接着剤が塗布されている。そのため、一方の基板に塗布された接着剤によって、上基板Ｋ１と下基板Ｋ２とが貼り合わせされる。

また、前記したように、上テーブル３は、複数の上シャフト２ａを介して上フレーム２に固定されている。このため、上テーブル３の下動によって上基板Ｋ１と下基板Ｋ２とが加圧されたときの荷重がロードセル２０ｄで検出される。ロードセル２０ｄの検出信号は制御装置１００に入力される。制御装置１００は、ロードセル２０ｄで検出された検出値に基づいて、上テーブル３から基板に加わる荷重を特定する。本実施形態１では、真空貼合装置１は４つのロードセル２０ｄを有しているため、４つのロードセル２０ｄで検出された検出値の合計値が装置全体の合計荷重値となる。つまり、４つのロードセル２０ｄで検出された検出値の合計値が上テーブル３から基板に加わっている全ての荷重の値となる。制御装置１００は、上テーブル３から基板に加わる荷重を管理している。
なお、制御装置１００は、Ｚ軸駆動機構２０で上下動される上テーブル３のＺ軸高さ（Ｚ軸座標）も管理している。

真空貼合装置１は、吸上げ機構７を有している。吸上げ機構７は、吸上げピン７ａで上基板Ｋ１を吸上げたり、吸上げピン７ａを上下動させたりするための機構である。吸上げ機構７は上フレーム２に取り付けられている。

吸上げ機構７は、複数の吸上げピン７ａ、１乃至複数の吸上げピンパッド７ｂ、及び、ピン上下動機構７０を備えている。吸上げピン７ａは、上下方向に延設される管状部材であって、上テーブル３とは独立して上下動可能に備わっている。

各吸上げピン７ａは、１乃至複数の吸上げピンパッド７ｂに取り付けられている。各吸上げピンパッド７ｂには複数の吸上げピン７ａが取り付けられている。各吸上げピン７ａは、吸上げピンパッド７ｂが上下動することにより、同時に上下動する。吸上げピンパッド７ｂは、上チャンバ５ａと上テーブル３との間に配置されている。吸上げピンパッド７ｂはピン上下動機構７０で上下動する。

本実施形態１では、ピン上下動機構７０がボールねじ機構によって構成されている場合を想定して説明する。ピン上下動機構７０は、Ｚ軸方向に回転自在に延設されているボールねじ軸７１と、ボールねじ軸７１を回転させる電動モータ７３と、ボールねじ軸７１の回転に伴って上下動するボールねじ機構７２と、を有する。電動モータ７３は、ボールねじ軸７１を回転させる。ボールねじ軸７１は、回転することによって、ボールねじ機構７２を上下動させる。ボールねじ機構７２は、吸上げピンパッド７ｂに取り付けられている。吸上げピンパッド７ｂは、ボールねじ機構７２の上下動に伴って、ボールねじ機構７２と一体に上下動する。

吸上げピン７ａは、下動していない状態において、上テーブル３の上部基板面３ａよりも上方に配置されており、一方、下動した状態において、上部基板面３ａよりも下方に突出する。また、吸上げピン７ａは、下動した状態から上動することによって、上部基板面３ａから上に引き込まれる。

吸上げピン７ａは中空の管状を呈している。また、吸上げピンパッド７ｂも中空の管状を呈している。吸上げピン７ａの中空部は吸上げピンパッド７ｂの中空部と連通している。吸上げピンパッド７ｂの中空部には真空ポンプＰ１が接続されている。真空ポンプＰ１が駆動すると吸上げピン７ａの中空部と吸上げピンパッド７ｂの中空部とが真空になり、上基板Ｋ１が吸上げピン７ａに真空吸着される。

真空貼合装置１は、粘着保持機構８を有している。粘着保持機構８は、粘着ピン８ａで上基板Ｋ１を粘着吸引したり、粘着ピン８ａを上下動させたりするための機構である。粘着保持機構８は上フレーム２に取り付けられている。

粘着保持機構８は、複数の粘着ピン８ａ、１乃至複数の粘着ピンプレート８ｂ、及び、ピン上下動機構８０を備えている。粘着ピン８ａは、上下方向に延設される管状部材であって、上テーブル３及び吸上げピン７ａとは独立して上下動可能に備わっている。

各粘着ピン８ａは、１乃至複数の粘着ピンプレート８ｂ（ベース部）に取り付けられている。各粘着ピンプレート８ｂには複数の粘着ピン８ａが取り付けられる。各粘着ピンプレート８ｂは独立して上下動（上部基板面３ａに対する垂直動作）可能になっている。各粘着ピン８ａは、粘着ピンプレート８ｂが上下動することにより、粘着ピンプレート８ｂ単位で同時に上下動する。粘着ピンプレート８ｂは、上チャンバ５ａと上テーブル３との間に配置される。粘着ピンプレート８ｂはピン上下動機構８０で上下動する。

本実施形態１では、ピン上下動機構８０がボールねじ機構によって構成されている場合を想定して説明する。ピン上下動機構８０は、Ｚ軸方向に回転自在に延設されているボールねじ軸８１と、ボールねじ軸８１を回転させる電動モータ８３と、ボールねじ軸８１の回転に伴って上下動するボールねじ機構８２と、を有する。電動モータ８３は、ボールねじ軸８１を回転させる。ボールねじ軸８１は、回転することによって、ボールねじ機構８２を上下動させる。ボールねじ機構８２は、粘着ピンプレート８ｂに取り付けられている。粘着ピンプレート８ｂは、ボールねじ機構８２の上下動に伴って、ボールねじ機構８２と一体に上下動する。

粘着ピン８ａは、下動していない状態において、上テーブル３の上部基板面３ａよりも上方に配置されており、一方、下動した状態において、上部基板面３ａよりも下方に突出する。また、粘着ピン８ａは、下動した状態から上動することによって、上部基板面３ａから上に引き込まれる。

粘着ピン８ａは、先端に、弾性材によって構成され、かつ、粘着性を有する粘着部８ｃを有する。また、粘着ピン８ａは中空の管状を呈している。また、粘着ピンプレート８ｂも中空の管状を呈している。粘着ピン８ａの中空部は粘着ピンプレート８ｂの中空部と連通している。粘着ピンプレート８ｂの中空部には真空ポンプＰ２が接続されている。真空ポンプＰ２が駆動すると粘着ピン８ａの中空部と粘着ピンプレート８ｂの中空部とが真空になり、上基板Ｋ１が粘着ピン８ａに真空吸着される。

その過程で、粘着ピン８ａは、真空ポンプＰ２が駆動して中空部が真空状態となったときに上基板Ｋ１を真空吸引し、さらに、真空吸引された上基板Ｋ１を粘着部８ｃに貼りつけて保持（粘着保持）する。粘着ピン８ａは上部基板面３ａから突出した状態のときに上基板Ｋ１を保持する。

粘着ピンプレート８ｂの中空部には図示せぬガス供給手段が接続されている。ガス供給手段は制御装置１００の指令に応じて駆動して粘着ピンプレート８ｂの中空部に所定のガス（空気や窒素ガスなど）を供給する。粘着ピン８ａの中空部は、供給されたガスによって昇圧する。これにより、粘着ピン８ａの粘着部８ｃに貼りついていた上基板Ｋ１が粘着部８ｃから剥離する。

真空貼合装置１は、テーブル温度調節機構６０を有している。テーブル温度調節機構６０は、任意に設定されたエリア毎にテーブル（本実施形態１では、下テーブル３）の温度を調節する機構である。

以下、図２～図５を参照して、テーブル温度調節機構６０の構成につき説明する。図２～図５は、それぞれ、テーブル温度調節機構６０の構成を模式的に示す図である。図２は側面方向から見たテーブル温度調節機構６０の構成を模式的に示している。図３は上面方向から見たテーブル温度調節機構６０の構成を模式的に示している。図４（ａ）は上面方向から見たテーブル温度調節機構６０の一例を示しており、図４（ｂ）は側面方向から見たその要部を示している。図５（ａ）は上面方向から見たテーブル温度調節機構６０の別の例を示しており、図５（ｂ）は側面方向から見たその要部を示している。

図２に示すように、テーブル温度調節機構６０は、例えば水やオイル等の液体を流れさせる流動路６１と、流動路６１内を流れる液体を加熱するヒータ６２とを備えた構成になっている。なお、ここでは、液体として、水が用いられているものとして説明する。また、ヒータ６２が液体を加熱する加熱機構と液体を加圧して外部に送り出す加圧機構とを備えているものとして説明する。

図３に示す例では、下テーブル４は、２行２列の４つのエリアＡｒ１～Ａｒ４に区画されている。テーブル温度調節機構６０は、エリア毎に流動路６１とヒータ６２とを備えた構成になっている。具体的には、テーブル温度調節機構６０は、左上のエリアＡｒ１に対して流動路６１ａとヒータ６２ａとを備え、右上のエリアＡｒ２に対して流動路６１ｂとヒータ６２ｂとを備え、左下のエリアＡｒ３に対して流動路６１ｃとヒータ６２ｃとを備え、右下のエリアＡｒ４に対して流動路６１ｄとヒータ６２ｄとを備えた構成になっている。

なお、エリアの数は、真空貼合装置１の仕様に応じて任意に増減することができる。また、エリアの形状やサイズは、真空貼合装置１の仕様に応じて、エリア毎に変更することができる。

流動路６１は、中空なパイプによって構成されている。図３及び図４（ａ）に示すように、流動路６１は、複数回折り返すように構成されており、下テーブル４に区画されたエリア毎に、各エリアのほぼ全面に亘って配置されている。また、図４（ｂ）に示すように、流動路６１は、下テーブル４の内部に埋め込まれている。流動路６１は、好ましくは、全エリアに亘って均一な内径になっており、下テーブル４の内部において、同じ高さの位置に、等間隔に配置されているとよい。

流動路６１は、下テーブル４における下基板Ｋ１の非載置面を介して下テーブル４の内部から外部に引き出されている。なお、図４（ａ）に示す例では、下テーブル４が２行２列の４つのエリアに区画されているため、下テーブル４の各エリアは、外部に露出した側面を備えている。そのため、流動路６１は、下テーブル４の各エリアの外部に露出した側面から外部に引き出されている。

ただし、下テーブル４のエリアの数は、増減することができ、例えば、３行３列の９つにすることもできる。仮にエリアの数を９つにした場合に、例えば下テーブル４の中央のエリアは、全側面が外部に露出しない構成になる。このような全側面が外部に露出していないエリアは、下面から外部に流動路６１を引き出すように構成するとよい。

外部に引き出された流動路６１は、ヒータ６２に接続されている。ヒータ６２は、水等の液体を内部で加熱しながら外部に送り出す。これにより、例えば図３及び図４（ａ）に示す矢印の方向に沿って、加熱された液体が流動路６１の内部を流れる。これにより、液体は、自身の熱で下テーブル４を加熱しながら下テーブル４の内部を通過した後、ヒータ６２に戻る。

なお、図４（ａ）に示すように、流動路６１は、好ましくは、直進部分を直進状のパイプで構成するとともに、折り返し部分をＵ字状のパイプで構成し、Ｕ字状のパイプを２つの直進状のパイプに連結した構成にするとよい。これにより、流動路６１は、予め直進部分のみを下テーブル４の内部に埋め込んでおき、後から折り返し部分を直進部分に取り付ける構成にすることができる。このような構成は、折り返し部分が下テーブル４の外部に突出した形状になるものの、容易に製造することができる。ただし、折り返し部分は、下テーブル４の外部に突出しない形状にすること（つまり、予め下テーブル４の内部に埋め込まれた構成にすること）もできる。

なお、本実施形態１のように、温度の調節対象のテーブル（ここでは、下テーブル４）を加熱する場合のテーブル温度調節機構６０の温度（ここでは、流動路６１の内部を流れる液体の温度）は、好ましくは、常温以上でかつ（常温＋５０）℃以下の温度であるとよい。その理由は、（常温＋５０）℃よりも高い温度で液体を加熱すると、回路や配線に影響を与えたり、液体が蒸発して下テーブル４の温度を調節し難くなったりするためである。

＜テーブル温度調節機構の別の例＞
テーブル温度調節機構６０は、例えば、図５に示すように構成することができる。図５に示す例では、テーブル温度調節機構６０は、流動路６１の代わりに、電熱線６３を備え、ヒータ６２の代わりに、ヒータ６４を備えた構成になっている。
電熱線６３は、ヒータ６４によって加熱される金属製の線材である。
ヒータ６４は、電熱線６３を加熱する装置である。ヒータ６４は、図４に示すヒータ６２と異なり、液体を加圧して外部に送り出す加圧機構を備えておらず、電熱線６３を加熱する加熱機構のみを備えている。

図５（ａ）に示すように、電熱線６３は、複数回折り返すように構成されており、下テーブル４に区画されたエリア毎に、各エリアのほぼ全面に亘って配置されている。また、図５（ｂ）に示すように、電熱線６３は、下テーブル４の内部に埋め込まれている。電熱線６３は、好ましくは、全エリアに亘って均一な幅になっており、下テーブル４の内部において、単一平面上に、等間隔に配置されているとよい。

＜制御装置の構成＞
真空貼合装置１の各部は、制御装置１００によって制御されている。以下、図６を参照して、制御装置１００の構成につき説明する。図６は、制御装置１００の構成を示す図である。

図６に示すように、制御装置１００は、制御部１１０、ＲＯＭやＲＡＭ、ＨＤＤ等の記憶部１６０、液晶ディスプレイ等の表示部１８０、及び、タッチパネルやテンキー、キーボード等の入力部１９０を有している。

制御部１１０は、ＣＰＵによって構成され、記憶部１６０に予め格納された制御プログラムＰｒ１を実行することによって、ピン高さ制御部１１１、移動制御部１１２、真空プロセス制御部１１３、及び、テーブル温度制御部１１４として機能する。

ピン高さ制御部１１１は、ピン上下動機構７０，８０（図１参照）の動作を制御する機能手段である。ピン高さ制御部１１１は、ピン上下動機構７０，８０を駆動して、吸上げピンパッド７ｂの高さ調整動作や粘着ピンプレート８ｂの高さ調整動作を制御する。

移動制御部１１２は、Ｚ軸駆動機構２０（図１参照）及びＸＹθ移動ユニット４０（図１参照）の動作を制御する機能手段である。移動制御部１１２は、Ｚ軸駆動機構２０（図１参照）を駆動して、上フレーム２を上下動させることによって、上テーブル３を上下動させる。また、また移動制御部１１２は、ＸＹθ移動ユニット４０（図１参照）を駆動して、下テーブル４を変位させることによって、上基板Ｋ１と下基板Ｋ２との貼り合せ位置を決める。

真空プロセス制御部１１３は、上チャンバ５ａ、真空ポンプ機構Ｐ０、真空ポンプＰ１，Ｐ２，Ｐ３の動作を制御する機能手段である。

テーブル温度制御部１１４は、エリア毎にテーブル温度調整機構６０の温度を制御する機能手段である。テーブル温度制御部１１４は、下テーブル４の各エリアに埋め込まれた温度センサ（図８参照）から出力される信号の値に基づいて、下テーブル４の各エリアの温度を管理している。

記憶部１６０は、例えば、制御プログラムＰｒ１、設定データＤ１等を記憶する。
制御プログラムＰｒ１は、真空貼合装置１や搬送装置２００の動作を規定するプログラムである。
設定データＤ１は、真空貼合装置１や搬送装置２００の動作の設定値を表すデータである。

本実施形態１では、設定データＤ１として、例えば、設定温度決定用データや寸法補正用データ等が記憶部１６０に予め記憶されているものとして説明する。
「設定温度決定用データ」は、後記するＳ１３０のテーブル温度調節工程（図７参照）で、後記する設定温度を決定するために参照されるデータである。「設定温度決定用データ」は、温度の調節対象のテーブル（本実施形態１では、下テーブル４）の温度がどれくらいのときに、テーブル温度調節機構６０のヒータ６２の後記する設定温度をどれくらいに設定するのかを規定している。
「寸法補正用データ」は、基板の寸法補正を行う場合において、後記するＳ１３０のテーブル温度調節工程（図７参照）で、後記する設定温度を決定するために参照されるデータである。「寸法補正用データ」は、必要とされる基板の寸法補正量がどれくらいのときに、テーブル温度調節機構６０のヒータ６２の後記する設定温度をどれくらいに設定するのかを規定している。

＜真空貼合システムの動作＞
以下、図７を参照して、真空貼合システム１０００の動作につき説明する。図７は、真空貼合システム１０００の動作を示すフローチャートである。ここでは、テーブル温度調節機構６０が図４に示す構成になっているものとして説明する。

なお、真空貼合システム１０００は図示せぬタイマによって計測された時間に基づいて動作する。また、真空貼合システム１０００の一連の動作は制御装置１００の記憶部１６０に読み出し自在に予め格納された制御プログラムＰｒ１によって規定されている。また、各情報は、記憶部１６０に読み出し自在に一旦格納されてから、その後の処理を行う所定の構成要素に出力される。以下、これらの点については、情報処理では常套手段であるので、その詳細な説明を省略する。

図７に示すように、真空貼合システム１０００を操作するオペレータは、制御装置１００を操作して、真空貼合システム１０００に基板を組み立てさせる指示を入力する。これにより、真空貼合システム１０００は動作を開始する。

オペレータが指示を入力すると、真空貼合システム１０００は、以下のようにして上基板搬入工程を実行する（Ｓ１１０）。

具体的には、制御装置１００は、搬送装置２００を駆動して、真空貼合装置１の真空チャンバ５の中に上基板Ｋ１を搬入させる。このとき、搬送装置２００は、真空チャンバ５の外部で保持部によって上基板Ｋ１を保持し、その状態で保持部を真空チャンバ５の中に入れて、上基板Ｋ１を上テーブル３の下方に配置する。

搬送装置２００が上基板Ｋ１を上テーブル３の下方に配置すると、制御装置１００は、真空貼合装置１を駆動して、吸上げピン７ａを下動させるとともに、真空ポンプＰ１を駆動する。これによって、吸上げピン７ａが、上基板Ｋ１を真空吸着して、上基板Ｋ１を保持する。

吸上げピン７ａが上基板Ｋ１を保持すると、搬送装置２００の保持部は上基板Ｋ１を放す。そして、搬送装置２００は、保持部を上動させて、上基板Ｋ１から保持部を離す。その後、搬送装置２００は、保持部を真空チャンバ５の外に出す。

搬送装置２００の保持部が真空チャンバ５の外に出ると、制御装置１００は、真空貼合装置１を駆動して吸上げピン７ａを上動させる。これによって、上基板Ｋ１が上テーブル３の上部基板面３ａに当接する。

上基板Ｋ１が上テーブル３の上部基板面３ａに当接すると、制御装置１００は、真空貼合装置１を駆動して、粘着ピン８ａを下動させるとともに、真空ポンプＰ２を駆動する。これによって、粘着ピン８ａが、上基板Ｋ１を真空吸着して、上基板Ｋ１を保持する。
これにより、Ｓ１１０の上基板搬入工程が終了する。

Ｓ１１０の上基板搬入工程が終了すると、真空貼合システム１０００は、以下のようにして下基板搬入工程を実行する（Ｓ１２０）。

具体的には、制御装置１００は、搬送装置２００を駆動して、真空貼合装置１の真空チャンバ５の中に下基板Ｋ２を搬入させる。このとき、搬送装置２００は、真空チャンバ５の外部で保持部によって下基板Ｋ２を保持し、その状態で保持部を真空チャンバ５の中に入れ、下基板Ｋ２を下テーブル４の上方に配置する。そして、搬送装置２００は、保持部を下動させて、下基板Ｋ２を下テーブル４の下部基板面４ａに載置する。この後、制御装置１００は、真空ポンプＰ３を駆動する。これによって、下テーブル４が、下基板Ｋ２を真空吸着して、下基板Ｋ２を保持する。

下テーブル４が下基板Ｋ２を保持すると、搬送装置２００の保持部は下基板Ｋ２を放す。そして、搬送装置２００は、保持部を上動させて、下基板Ｋ２から保持部を離す。その後、搬送装置２００は、保持部を真空チャンバ５の外に出す。
これにより、Ｓ１２０の下基板搬入工程が終了する。

Ｓ１２０の下基板搬入工程が終了すると、真空貼合システム１０００は、以下のようにしてテーブル温度調節工程を実行する（Ｓ１３０）。

具体的には、制御装置１００（主にテーブル温度制御部１１４）は、下テーブル４に埋め込まれた温度センサから出力される検知信号に基づいて、下テーブル４の各エリアの温度を検知する。

図８は、温度の検知箇所の一例を示す図である。図８に示す例では、２行２列の４つのエリアＡｒ１～Ａｒ４に区画された下テーブル４において、９つの温度センサＳＮ１～ＳＮ９が、各エリアの周囲に１つずつ配置されている。具体的には、４つのエリアＡｒ１～Ａｒ４を避けるように、上下方向に３つの行と左右方向に３つの列とが下テーブル４に形成されており、各行と各列との交点箇所に９つの温度センサＳＮ１～ＳＮ９が１つずつ配置されている。

ここでは、温度センサＳＮ１が左上のエリアＡｒ１の温度を代表して表すセンサＰＡｒ１であり、温度センサＳＮ３が右上のエリアＡｒ２の温度を代表して表すセンサＰＡｒ２であり、温度センサＳＮ７が左下のエリアＡｒ３の温度を代表して表すセンサＰＡｒ３であり、温度センサＳＮ９が右下のエリアＡｒ４の温度を代表して表すセンサＰＡｒ４であるものとして説明する。ただし、センサＰＡｒ１～ＰＡｒ４は、それぞれに対応する各エリアＡｒ１～Ａｒ４の中央付近に配置するようにしてもよい。センサＰＡｒ１～ＰＡｒ４によって検知された下テーブル４の各エリアの温度は、例えば、図９に示す状態になる。図９の詳細については、後記する。

制御装置１００は、下テーブル４の各エリアの温度を検知すると、例えば前記した設定温度決定用データに基づいて、エリア毎に各ヒータ６２ａ～６２ｄ（図４参照）の設定温度を決定する。このとき、制御装置１００は、真空環境下において、下テーブル４の全エリアの温度がほぼ同じ温度になるように、各ヒータ６２ａ～６２ｄの設定温度を決定する。ここでは、「真空環境下」とは、後記する図７のＳ１４０で真空引き工程を開始してから後記する図７のＳ１７０で大気開放（貼り合わせ）工程を開始するまでの真空チャンバ５内の環境を意味している。

この後、制御装置１００は、各ヒータ６２ａ～６２ｄを駆動する。このとき、各ヒータ６２ａ～６２ｄは、液体の温度がそれぞれの設定温度と同じ温度になるように、液体を加熱しながら、加熱した液体を下テーブル４に送り出す。これにより、真空貼合装置１は、下テーブル４の全エリアの温度をほぼ同じ温度にすることができる。このとき、下テーブル４から下テーブル４に載置されている下基板Ｋ２に熱が伝達されるため、下基板Ｋ２の全エリアの温度もほぼ同じ温度にすることができる。
これにより、Ｓ１３０のテーブル温度調節工程が終了する。

Ｓ１３０のテーブル温度調節工程が終了すると、真空貼合システム１０００は、以下のようにして真空引き工程を実行する（Ｓ１４０）。

具体的には、まず、制御装置１００は、Ｚ軸駆動機構２０（上下動機構）を駆動して、上チャンバ５ａを下動させて、真空チャンバ５を閉鎖させる。次に、制御装置１００は、真空ポンプ機構Ｐ０を駆動して、真空チャンバ５内の気体を外部に排除する。
これにより、Ｓ１４０の真空引き工程が終了する。

Ｓ１４０の真空引き工程が終了すると、真空貼合システム１０００は、以下のようにして位置決め工程を実行する（Ｓ１５０）。
具体的には、制御装置１００は、真空貼合装置１を駆動して、ＸＹθ移動ユニット４０で下テーブル４を変位させる。これによって、真空貼合装置１は、上基板Ｋ１と下基板Ｋ２との貼り合せ位置を決める。
上基板Ｋ１と下基板Ｋ２との貼り合せ位置が決まると、Ｓ１５０の位置決め工程が終了する。

Ｓ１５０の位置決め工程が終了すると、真空貼合システム１０００は、以下のようにして押付（加圧）工程を実行する（Ｓ１６０）。

具体的には、制御装置１００は、真空貼合装置１を駆動して、Ｚ軸駆動機構２０（上下動機構）で上テーブル３とともに上基板Ｋ１を下動させる。このとき、粘着ピン８ａの粘着部８ｃが潰れて、上基板Ｋ１の上部基板面３ａと上基板Ｋ１とが当接する。真空貼合装置１は、その状態からさらに上基板Ｋ１を下動させることによって、上基板Ｋ１を下基板Ｋ２に押し付けて、上テーブル３で上基板Ｋ１と下基板Ｋ２とを加圧する。このとき、上基板Ｋ１及び下基板Ｋ２のいずれか一方の基板に塗布された接着剤によって、上基板Ｋ１と下基板Ｋ２とが貼り合わせされる。
これにより、Ｓ１６０の押付（加圧）工程が終了する。

Ｓ１６０の押付（加圧）工程が終了すると、真空貼合システム１０００は、以下のようにして大気開放（貼り合わせ）工程を実行する（Ｓ１７０）。

具体的には、制御装置１００は、真空貼合装置１を駆動して、まず、ピン上下動機構８０で粘着ピン８ａを上動させ、次に、Ｚ軸駆動機構２０（上下動機構）で上テーブル３を上動させる。この後、真空貼合装置１は、Ｚ軸駆動機構２０（上下動機構）で上テーブル３とともに上チャンバ５ａを上動させる。このとき、真空チャンバ５の内部が大気に開放されるため、大気圧が上基板Ｋ１と下基板Ｋ２とにかかる。その結果、真空貼合装置１は、大気圧で上基板Ｋ１と下基板Ｋ２とを加圧する。これにより、真空貼合装置１は、接着剤を押し潰しながら、最終的に所定のセルギャップに到達するまで上基板Ｋ１と下基板Ｋ２とを貼り合わせる。これによって、真空貼合システム１０００は、液晶パネル等の基板を組み立てる。
これにより、Ｓ１７０の大気開放（貼り合わせ）工程が終了する。

Ｓ１７０の大気開放（貼り合わせ）工程が終了すると、真空貼合システム１０００は、以下のようにして基板搬出工程を実行する（Ｓ１８０）。

具体的には、制御装置１００は、搬送装置２００を駆動して、保持部を真空チャンバ５の中に入れさせる。搬送装置２００は、保持部を下動させて、上基板Ｋ１と下基板Ｋ２とが貼り合わされた基板を保持部で保持し、保持部を上動させて、保持部を真空チャンバ５の外に出させる。これによって、上基板Ｋ１と下基板Ｋ２とが貼り合わされた基板が真空貼合装置１の外に搬出される。
これにより、Ｓ１８０の基板搬出工程が終了する。
Ｓ１８０の基板搬出工程が終了すると、一連のルーチンの処理が終了する。

＜テーブル温度調節機構の動作＞
以下、図９を参照して、テーブル温度調節機構６０の動作につき説明する。図９は、下テーブル４の各エリアの温度の変化例を示す図である。図９は、比較例に係る温度の変化を線Ｔｏ（ＰＡｒ１）～Ｔｏ（ＰＡｒ４）で示すとともに、本実施形態１に係る温度の変化を線Ｔｎ（ＰＡｒ１）～Ｔｎ（ＰＡｒ４）で示している。比較例は、下テーブル４の温度調節を行わなかった場合の例であり、従来の真空貼合装置で基板を組み立てた場合の例に相当する。

図９において、比較例の線Ｔｏ（ＰＡｒ１）～Ｔｏ（ＰＡｒ４）と本実施形態１の線Ｔｎ（ＰＡｒ１）～Ｔｎ（ＰＡｒ４）は、それぞれ、センサＰＡｒ１～ＰＡｒ４で検知された下テーブル４の各エリアの温度の変化を示している。

（１）比較例：下テーブルの温度調節を行わなかった場合の例
（真空チャンバを閉鎖してからＳ１４０の真空引き工程が行われるまでの期間）
例えば、線Ｔｏ（ＰＡｒ１）～Ｔｏ（ＰＡｒ４）として示すように、下テーブル４の温度調節を行わなかった場合の比較例では、真空チャンバ５を閉鎖してからＳ１４０の真空引き工程が行われるまでの期間において、下テーブル４の各エリアの温度は、ほぼ一定の温度になっている。そのため、下テーブル４の各エリアの温度差は、比較的小さな温度差ΔＴｏ１の範囲内に収まっている。

前記した期間において、下テーブル４の各エリアの温度がほぼ一定の温度になる理由は、以下に説明するように、空気の対流によって下テーブル４に載置された下基板Ｋ２の各エリアの蓄熱がその周囲に伝達されて拡散されるためである。

すなわち、前記した期間において、真空チャンバ５内は、大気環境下になっている。大気環境下では、基板（上基板Ｋ１及び下基板Ｋ２）の周囲に空気の対流が存在する。そのため、たとえエリア毎に基板の蓄熱量や熱の伝達効率が異なっていたとしても、空気の対流によって基板の各エリアの蓄熱がその周囲に伝達されて拡散される。その結果、大気環境下では、基板の表面温度は、全エリアでほぼ均一な温度になる。上基板Ｋ１及び下基板Ｋ２は、それぞれに対応する上テーブル３又は下テーブル４に当接している。そのため、上基板Ｋ１の蓄熱が上基板Ｋ１から上テーブル３に伝達されるとともに、下基板Ｋ２の蓄熱が下基板Ｋ２から下テーブル４に伝達される。その結果、前記した期間において、下基板Ｋ２と同様に、下テーブル４の各エリアの温度は、ほぼ一定の温度になる。

換言すると、前記した期間において、各センサＰＡｒ１～ＰＡｒ４は、下テーブル４に載置された下基板Ｋ２の各エリアの周囲に拡散された後の温度を検知する。そのため、下テーブル４の各エリアの温度は、ほぼ一定の温度として検知される。

（Ｓ１４０の真空引き工程が行われてからＳ１７０の大気開放（貼り合わせ）工程が行われるまでの期間）
Ｓ１４０の真空引き工程が行われると、下テーブル４の各エリアの温度は、数度低下する。これは、大気環境下において真空チャンバ５内の空気中の気体分子が他の分子と衝突して発熱体となり真空チャンバ５内の温度を上昇させているのに対し、真空環境下においてその分子が真空チャンバ５の内部から外部に排出されたためである。

そして、Ｓ１４０の真空引き工程が行われてからＳ１７０の大気開放（貼り合わせ）工程が行われるまでの期間において、下テーブル４の各エリアの温度は、エリア毎に大きく異なった温度になっている。そのため、下テーブル４の各エリアの温度差は、温度差ΔＴｏ１よりも著しく大きな温度差ΔＴｏ２に広がっている。

前記した期間において、下テーブル４の各エリアの温度がエリア毎に大きく異なった温度になる理由は、以下に説明するように、空気の対流によって下テーブル４に載置された下基板Ｋ２の各エリアの蓄熱がその周囲に伝達されないためである。

すなわち、前記した期間において、真空チャンバ５内は、真空環境下になっている。真空環境下では、基板（上基板Ｋ１及び下基板Ｋ２）の周囲に空気の対流が存在しない。そのため、空気の対流によって基板の各エリアの蓄熱がその周囲に伝達されない。したがって、真空環境下では、基板の表面温度は、エリア毎に大きく異なった温度になる。上基板Ｋ１及び下基板Ｋ２は、それぞれに対応する上テーブル３又は下テーブル４に当接している。そのため、上基板Ｋ１の蓄熱が上基板Ｋ１から上テーブル３に伝達されるとともに、下基板Ｋ２の蓄熱が下基板Ｋ２から下テーブル４に伝達される。その結果、前記した期間において、下基板Ｋ２と同様に、下テーブル４の各エリアの温度は、エリア毎に大きく異なった温度になる。

換言すると、前記した期間において、各センサＰＡｒ１～ＰＡｒ４は、下テーブル４に載置された下基板Ｋ２の各エリア自体の蓄熱温度をダイレクトに検知する。そのため、下テーブル４の各エリアの温度は、エリア毎に大きく異なった温度として検知されてしまう。

（Ｓ１７０の大気開放（貼り合わせ）工程が行われた後の期間）
Ｓ１７０の大気開放（貼り合わせ）工程が行われると、下テーブル４の各エリアの温度は、数度上昇して、元の温度（Ｓ１４０の真空引き工程が行われる以前の温度）に戻る。これは、真空チャンバ５内の環境が元の状態（Ｓ１４０の真空引き工程が行われる以前の状態）に戻ったためである。つまり、大気環境下において真空チャンバ５内の空気中の気体分子が他の分子と衝突して発熱体となり真空チャンバ５内の温度を上昇させる状態に、真空チャンバ５内の環境が戻ったためである。

そして、Ｓ１７０の大気開放（貼り合わせ）工程が行われた後の期間において、下テーブル４の各エリアの温度は、ほぼ一定の温度になっている。

前記した期間において、下テーブル４の各エリアの温度がほぼ一定の温度になる理由は、真空チャンバ５を閉鎖してからＳ１４０の真空引き工程が行われるまでの期間と同様に、空気の対流によって下テーブル４に載置された下基板Ｋ２の各エリアの蓄熱がその周囲に伝達されて拡散されるためである。

（比較例における接着剤の潰れ量）
ところで、上基板Ｋ１と下基板Ｋ２との貼り合わせでは、近年の多種類の基板の組み立て要求に応じて、温度によって粘度等の特性が大きく変動する接着剤を用いることが要求されるときがある。

そのような接着剤は、比較例のように、真空環境下において基板の表面温度がエリア毎に大きく異なった温度になった場合に、接着剤の粘度等の特性が大きく変動してしまう。したがって、比較例では、例えばエリア毎に接着剤の潰れ量が変動する。

つまり、比較例では、Ｓ１４０の真空引き工程が行われてからＳ１７０の大気開放（貼り合わせ）工程が行われるまでの期間において、下テーブル４の各エリアの温度がエリア毎に大きく異なった温度になる。そのため、比較例では、各エリアで接着剤の潰れ量が不均一になる可能性がある。

（２）実施形態：下テーブルの温度調節を行ったときの場合の例
前記した比較例に対し、本実施形態１では、以下に説明するように、Ｓ１４０の真空引き工程が行われてからＳ１７０の大気開放（貼り合わせ）工程が行われるまでの期間において、下テーブル４の全エリアの温度をほぼ同じ温度にすることができるため、全エリアで接着剤の潰れ量を均一にすることができる。以下、その詳細を説明する。

（真空チャンバを閉鎖してからＳ１３０のテーブル温度調節工程が行われるまでの期間）
例えば、線Ｔｎ（ＰＡｒ１）～Ｔｎ（ＰＡｒ４）として示すように、下テーブル４の温度調節を行った場合の本実施形態１では、真空チャンバ５を閉鎖してからＳ１３０のテーブル温度調節工程が行われるまでの期間において、下テーブル４の各エリアの温度は、ほぼ一定の温度になっている。

（Ｓ１３０のテーブル温度調節工程が行われてからＳ１４０の真空引き工程が行われるまでの期間）
この後、任意のタイミングでＳ１３０のテーブル温度調節工程が行われる。その結果、Ｓ１３０のテーブル温度調節工程の実行を開始してから昇温安定時間ΔＲが経過すると、下テーブル４の各エリアの温度は、前記した設定温度まで上昇する。ここで、「昇温安定時間ΔＲ」は、流動路６１を流れる液体の温度が設定温度に到達するまでに要する時間を意味している。

昇温安定時間ΔＲが経過してからＳ１４０の真空引き工程が行われるまでの期間において、下テーブル４の各エリアの温度は、設定温度を中心にしてほぼ一定の温度になっている。そのため、下テーブル４の各エリアの温度差は、比較的小さな温度差ΔＴｎ１の範囲内に収まっている。温度差ΔＴｎ１の値は、比較例の温度差ΔＴｏ１と同等かそれよりも小さな値になっている。

前記した期間において、下テーブル４の各エリアの温度がほぼ一定の温度になる理由は、比較例の場合と同様に、空気の対流によって下テーブル４に載置された下基板Ｋ２の各エリアの蓄熱がその周囲に伝達されて拡散されるためである。

（Ｓ１４０の真空引き工程が行われてからＳ１７０の大気開放（貼り合わせ）工程が行われるまでの期間）
Ｓ１４０の真空引き工程が行われると、下テーブル４の各エリアの温度は、数度低下する。これは、比較例の場合と同様に、発熱体となっていた真空チャンバ５内の空気中の気体分子が真空チャンバ５の内部から外部に排出されたためである。

そして、Ｓ１４０の真空引き工程が行われてからＳ１７０の大気開放（貼り合わせ）工程が行われるまでの期間において、下テーブル４の各エリアの温度は、比較的小さな温度差ΔＴｎ２の範囲内に収まった温度になっている。温度差ΔＴｎ２の値は、比較例の温度差ΔＴｏ２よりも小さな値になっている。

前記した期間において、下テーブル４の各エリアの温度が温度差ΔＴｎ２の範囲内に収まった温度になっている理由は、テーブル温度調節機構６０で下テーブル４の各エリアの温度が調節されているためである。

（Ｓ１７０の大気開放（貼り合わせ）工程が行われた後の期間）
Ｓ１７０の大気開放（貼り合わせ）工程が行われると、下テーブル４の各エリアの温度は、数度上昇して、元の温度（Ｓ１４０の真空引き工程が行われる以前の温度）に戻る。これは、比較例の場合と同様に、真空チャンバ５内の環境が元の状態（Ｓ１４０の真空引き工程が行われる以前の状態）に戻ったためである。

そして、Ｓ１７０の大気開放（貼り合わせ）工程が行われた後の期間において、下テーブル４の各エリアの温度は、設定温度を中心にしてほぼ一定の温度になっている。

前記した期間において、下テーブル４の各エリアの温度がほぼ一定の温度になる理由は、比較例の場合と同様に、空気の対流によって下テーブル４に載置された下基板Ｋ２の各エリアの蓄熱がその周囲に伝達されて拡散されるためである。

（実施形態における接着剤の潰れ量）
本実施形態１では、テーブル温度調節機構６０が下テーブル４の各エリアの温度を調節しているため、真空環境下において基板の各エリアの表面温度差を小さくすることができ、接着剤の粘度等の特性の変動を抑制することができる。したがって、本実施形態１では、例えば全エリアで接着剤の潰れ量を均一にすることができる。

（基板の寸法の補正）
本実施形態１に係る真空貼合装置１は、Ｓ１３０のテーブル温度調節工程で、例えば前記した寸法補正用データを参照して、テーブルの温度を調節することによって、基板の寸法補正を行うこともできる。

以下、図１０及び図１１を参照して、基板の寸法補正につき説明する。図１０及び図１１は、それぞれ、本実施形態１における基板の寸法の補正例を模式的に示す図である。ここでは、上基板Ｋ１が、上面視において矩形状を呈しており、４つのアライメントマークＭＵａ～ＭＵｄ（図１０参照）を４つの角付近に備えているものとし、また、下基板Ｋ２が、上面視において矩形状を呈しており、４つのアライメントマークＭＬａ～ＭＬｄ（図１０参照）を４つの角付近に備えているものとして説明する。アライメントマークＭＵａ～ＭＵｄとアライメントマークＭＬａ～ＭＬｄとは、上基板Ｋ１と下基板Ｋ２との位置を合わせるために用いられるマークである。また、ここでは、上基板Ｋ１が回路パターンＰｔＵ（図１１参照）を備えており、また、下基板Ｋ２が回路パターンＰｔＬ（図１１参照）を備えているものとして説明する。

図１０（ａ）は、上基板Ｋ１のアライメントマークＭＵａ～ＭＵｄの中心と下基板Ｋ２のアライメントマークＭＬａ～ＭＬｄの中心とが正確に一致していない状態を示している。図１０（ａ）に示す例では、下基板Ｋ２のアライメントマークＭＬａ～ＭＬｄが上基板Ｋ１のアライメントマークＭＵａ～ＭＵｄの中心に対し基板の中心Ｏの方向にずれた状態になっている。このとき、上基板Ｋ１の回路パターンＰｔＵと下基板Ｋ２の回路パターンＰｔＬは、例えば図１１（ａ）に示すように、若干ずれた状態になっている。

図１０（ａ）に示す状態は、下基板Ｋ２のアライメントマークＭＬａ～ＭＬｄが上基板Ｋ１のアライメントマークＭＵａ～ＭＵｄの内部に収まっているため、一致したと見なすことが可能である。そのため、真空貼合装置１は、図１０（ａ）に示す状態であっても、上基板Ｋ１と下基板Ｋ２とを貼り合わせることができる。しかしながら、上基板Ｋ１のアライメントマークＭＵａ～ＭＵｄの中心と下基板Ｋ２のアライメントマークＭＬａ～ＭＬｄの中心とを正確に一致させた状態で貼り合わせた方が、基板の品質を向上させることができるため、好ましい。

そこで、真空貼合装置１は、下テーブル４の温度を調節することによって、下基板Ｋ２の寸法を拡大させる補正を行う（図１０（ｂ）参照）。図１０（ｂ）に示すように、下基板Ｋ２の寸法が拡大することによって、下基板Ｋ２のアライメントマークＭＬａ～ＭＬｄは、それぞれ、図１０（ａ）に示す位置から矢印Ａ１ａ～Ａ１ｄの方向に移動する。その結果、上基板Ｋ１のアライメントマークＭＵａ～ＭＵｄの中心と下基板Ｋ２のアライメントマークＭＬａ～ＭＬｄの中心とが正確に一致した状態になる。このとき、上基板Ｋ１の回路パターンＰｔＵと下基板Ｋ２の回路パターンＰｔＬは、例えば図１１（ｂ）に示すように、正確に重なった状態になっている。真空貼合装置１は、その状態で上基板Ｋ１と下基板Ｋ２とを貼り合わせることによって、高品位な基板を組み立てることができる。

以上の通り、本実施形態１に係る真空貼合装置１によれば、全エリアで接着剤の粘度等の特性を均一にすることができる。その結果、例えば全エリアで接着剤の潰れ量を均一にすることができる。
また、真空貼合装置１によれば、下基板Ｋ２の寸法の補正を行うこともできる。

［実施形態２］
以下、図１２を参照して、本実施形態２に係る真空貼合装置１Ａの構成につき説明する。図１２は、真空貼合装置１Ａの構成を模式的に示す図である。

図１２に示すように、本実施形態２に係る真空貼合装置１Ａは、実施形態１に係る真空貼合装置１と比較すると、下テーブル４だけでなく、上テーブル３と下テーブル４との双方にテーブル温度調節機構６０を有している点で相違している。

このような真空貼合装置１Ａは、下基板Ｋ２だけでなく、上基板Ｋ１に対しても寸法の補正を行うことができる。そのため、真空貼合装置１Ａは、例えば、図１３及び図１４に示すようなアライメントマークや回路パターンの位置の調節を行うことができる。図１３及び図１４は、それぞれ、本実施形態２における基板の寸法の補正例を模式的に示す図である。

図１３（ａ）は、上基板Ｋ１のアライメントマークＭＵａ～ＭＵｄの中心と下基板Ｋ２のアライメントマークＭＬａ～ＭＬｄの中心とが正確に一致していない状態を示している。図１３（ａ）に示す例では、下基板Ｋ２のアライメントマークＭＬａ～ＭＬｄが上基板Ｋ１のアライメントマークＭＵａ～ＭＵｄの中心に対し基板の中心Ｏから離間する方向にずれた状態になっている。このとき、上基板Ｋ１の回路パターンＰｔＵと下基板Ｋ２の回路パターンＰｔＬは、例えば図１４（ａ）に示すように、若干ずれた状態になっている。

そこで、真空貼合装置１Ａは、上テーブル３の温度を調節することによって、上基板Ｋ１の寸法を拡大させる補正を行う（図１３（ｂ）参照）。図１３（ｂ）に示すように、上基板Ｋ１の寸法が拡大することによって、上基板Ｋ１のアライメントマークＭＵａ～ＭＵｄは、それぞれ、図１３（ａ）に示す位置から矢印Ａ２ａ～Ａ２ｄの方向に移動する。その結果、上基板Ｋ１のアライメントマークＭＵａ～ＭＵｄの中心と下基板Ｋ２のアライメントマークＭＬａ～ＭＬｄの中心とが正確に一致した状態になる。このとき、上基板Ｋ１の回路パターンＰｔＵと下基板Ｋ２の回路パターンＰｔＬは、例えば図１４（ｂ）に示すように、正確に重なった状態になっている。真空貼合装置１Ａは、その状態で上基板Ｋ１と下基板Ｋ２とを貼り合わせることによって、高品位な基板を組み立てることができる。

以上の通り、本実施形態２に係る真空貼合装置１Ａによれば、実施形態１に係る真空貼合装置１と同様に、全エリアで接着剤の粘度等の特性を均一にすることができる。その結果、例えば全エリアで接着剤の潰れ量を均一にすることができる。
しかも、本実施形態２に係る真空貼合装置１Ａによれば、実施形態１に係る真空貼合装置１に比べて、下基板Ｋ２だけでなく、上基板Ｋ１に対しても寸法の補正を行うことができる。

本発明は、前記した実施形態に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、前記した実施形態は、本発明を分かり易く説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施形態の構成の一部を他の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施形態の構成に他の構成を加えることも可能である。また、各構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。

また、例えば、前記した実施形態では、真空貼合装置１が貼り合わせる２つの部材が上基板Ｋ１（ガラス基板）と下基板Ｋ２（ガラス基板）とであり、真空貼合装置１が上基板Ｋ１（ガラス基板）と下基板Ｋ２（ガラス基板）とを貼り合わせて、液晶パネル等の基板を組み立てる基板組立装置であるものとして説明している。しかしながら、２つの部材は、必ずしも基板に限らない。

また、例えば、前記した実施形態１では、テーブル温度調節機構６０が下テーブル４に設けられており、さらに、前記した実施形態２では、テーブル温度調節機構６０が上テーブル３と下テーブル４とに設けられているものとして説明した。しかしながら、テーブル温度調節機構６０は、上テーブル３にのみ設けられるようにすることもできる。

また、例えば、前記した実施形態１，２では、テーブル温度調整機構６０がヒータ等の加熱機構を有するものとして説明した。しかしながら、テーブル温度調節機構６０は、ヒータ６２又は６３の代わりにペルチェ素子を内蔵した加熱・冷却機構を有し、温度の調節対象のテーブルを温度制御する構成にすることもできる。つまり、テーブル温度調節機構６０は、温度の調節対象のテーブルの各エリアに配設されたペルチェ素子により加熱、又は冷却されるようにすることもできる。この場合に、テーブル温度調節機構６０は、テーブル温度調節機構６０の温度（流動路６１の内部を流れる液体の温度）は、好ましくは、（常温－１０）℃以上でかつ常温以下の温度であるとよい。その理由は、（常温－１０）℃よりも低い温度で液体を冷却すると、結露が生じる等で問題がでる恐れがあるためである。
また、例えば、テーブル温度調節機構６０は、加熱機構と冷却機構との双方を有する構成にすることもできる。

１ 真空貼合装置
１ａ 架台
１ｂ 下シャフト
２ 上フレーム
２ａ 上シャフト
３ 上テーブル
３ａ 上部基板面
４ 下テーブル
４ａ 下部基板面
５ 真空チャンバ
５ａ 上チャンバ
５ｂ 下チャンバ
６ 吊下げ機構
６ａ 支持軸
６ｂ 係止部
６ｃ フック
７ 吸上げ機構
７ａ 吸上げピン
７ｂ 吸上げピンパッド
８ 粘着保持機構
８ａ 粘着ピン
８ｂ 粘着ピンプレート（ベース部）
８ｃ 粘着部
２０ Ｚ軸駆動機構（上下動機構）
２０ａ ボールねじ軸
２０ｂ ボールねじ機構
２０ｃ 電動モータ
２０ｄ ロードセル
３０ バックプレート
３１ クッションシート
４０ ＸＹθ移動ユニット
６０ テーブル温度調整機構
７０，８０ ピン上下動機構
７１，８１ ボールねじ軸
７２，８２ ボールねじ機構
７３，８３ 電動モータ
１００ 制御装置
１１０ 制御部
１１１ ピン高さ制御部
１１２ 移動制御部
１１３ 真空プロセス制御部
１１４ テーブル温度制御部
１６０ 記憶部
１８０ 表示部
１９０ 入力部
２００ 搬送装置
１０００ 真空貼合システム
Ａｒ１，Ａｒ２，Ａｒ３，Ａｒ４ エリア
Ｄ１ 設定データ
Ｋ１ 上基板
Ｋ２ 下基板
ＭＬａ，ＭＬｂ，ＭＬｃ，ＭＬｄ，ＭＵａ，ＭＵｂ，ＭＵｃ，ＭＵｄ アライメントマーク
Ｐ０ 真空ポンプ機構
Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３ 真空ポンプ
Ｐｒ１ 制御プログラム
ＰｔＬ，ＰｔＵ 回路パターン
ＳＮ１（ＰＡｒ１），ＳＮ２，ＳＮ３（ＰＡｒ２），ＳＮ４，ＳＮ５，ＳＮ６，ＳＮ７（ＰＡｒ３），ＳＮ８，ＳＮ９（ＰＡｒ４） 温度センサ

Claims (8)

1. 下部材と上部材とを真空環境下で収納可能な真空チャンバと、
   前記真空チャンバ内で前記下部材を載置する下テーブルと、
   前記真空チャンバ内で前記上部材を保持する上テーブルと、
   任意に設定されたエリア毎に前記下テーブル及び前記上テーブルのいずれか一方又は双方の温度を検知する温度センサと、
   前記温度センサにより検知された前記各エリアの温度に基づき、前記エリア毎に設定された温度に前記各エリアの温度を調整するテーブル温度調節機構と、を備え、
   温度の調節対象のテーブルを冷却する場合の前記テーブル温度調節機構の温度は、（常温－１０）℃以上でかつ常温以下の温度である
   ことを特徴とする真空貼合装置。
2. 下部材と上部材とを真空環境下で収納可能な真空チャンバと、
   前記真空チャンバ内で前記下部材を載置する下テーブルと、
   前記真空チャンバ内で前記上部材を保持する上テーブルと、
   任意に設定されたエリア毎に前記下テーブル及び前記上テーブルのいずれか一方又は双方の温度を調整することで基板の寸法を補正するテーブル温度調節機構と、を備え、
   温度の調節対象のテーブルを冷却する場合の前記テーブル温度調節機構の温度は、（常温－１０）℃以上でかつ常温以下の温度である
   ことを特徴とする真空貼合装置。
3. 下部材と上部材とを真空環境下で収納可能な真空チャンバと、
   前記真空チャンバ内で前記下部材を載置する下テーブルと、
   前記真空チャンバ内で前記上部材を保持する上テーブルと、
   任意に設定されたエリア毎に前記下テーブル及び前記上テーブルのいずれか一方又は双方の温度を調整するテーブル温度調節機構と、
   前記エリア毎に設置された各温度センサからの信号に基づいて各エリアの温度を管理するテーブル温度制御部と、を備え、
   温度の調節対象のテーブルを冷却する場合の前記テーブル温度調節機構の温度は、（常温－１０）℃以上でかつ常温以下の温度である
   ことを特徴とする真空貼合装置。
4. 下部材と上部材とを真空環境下で収納可能な真空チャンバと、
   前記真空チャンバ内で前記下部材を載置する下テーブルと、
   前記真空チャンバ内で前記上部材を保持する上テーブルと、
   任意に設定されたエリア毎に前記下テーブル及び前記上テーブルのいずれか一方又は双方の温度を調整するテーブル温度調節機構と、
   前記エリア毎に設定された温度に前記各エリアの温度を調整する設定温度決定用データを記憶する記憶部と、を備え、
   温度の調節対象のテーブルを冷却する場合の前記テーブル温度調節機構の温度は、（常温－１０）℃以上でかつ常温以下の温度である
   ことを特徴とする真空貼合装置。
5. 下部材と上部材とを真空環境下で収納可能な真空チャンバと、
   前記真空チャンバ内で前記下部材を載置する下テーブルと、
   前記真空チャンバ内で前記上部材を保持する上テーブルと、
   任意に設定されたエリア毎に前記下テーブル及び前記上テーブルのいずれか一方又は双方の温度を調整するテーブル温度調節機構と、
   前記エリア毎に基板の寸法補正を行う場合に設定温度を決定するために参照される寸法補正用データを記憶する記憶部と、を備え、
   温度の調節対象のテーブルを冷却する場合の前記テーブル温度調節機構の温度は、（常温－１０）℃以上でかつ常温以下の温度である
   ことを特徴とする真空貼合装置。
6. 請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の真空貼合装置において、
   前記テーブル温度調節機構は、温度の調節対象のテーブルの各エリアに配設された液体の流動路と、前記液体を加熱するヒータとを有する
   ことを特徴とする真空貼合装置。
7. 請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の真空貼合装置において、
   前記テーブル温度調節機構は、温度の調節対象のテーブルの各エリアに配設された電熱線と、前記電熱線を加熱するヒータとを有する
   ことを特徴とする真空貼合装置。
8. 請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の真空貼合装置において、
   前記テーブル温度調節機構は、温度の調節対象のテーブルの各エリアに配設されたペルチェ素子により加熱、又は冷却される
   ことを特徴とする真空貼合装置。
   

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