JP2005275238A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 上下基板の貼り合わせ時に高粘度のシール材を使用することにより、上述したシールパス、液晶のシール内部への浸食等の現象を抑制、又は防止する液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の液晶表示装置の製造方法は、第１基板又は第２基板の少なくとも一方にシール材を描画する工程と、前記第１基板又は前記第２基板の少なくとも一方に液晶を配置する工程と、チャンバー内部に設けられた一対の対向するステージに前記第１基板と前記第２基板とをそれぞれ配置し、前記ステージを相対的に近接することにより前記第１基板と前記第２基板とを前記シール材を介して貼り合わせる工程と、前記シール材を硬化させるシール材硬化工程と、を有し前記貼り合わせ工程において、前記シール材の貼り合わせ時の粘度を７００Ｐａ・ｓ以上に制御することを特徴とする。
【選択図】 図５

Description

本発明は、液晶表示装置の製造方法に関する。

近年、液晶表示装置を製造する方法として、例えば、封口レス（ＯＤＦ、One Drop Fill）方式が広く利用されている。この封口レス方式は、まず、基板上にシール材を描画し、上下基板の貼り合わせ時に基板上に液晶を配置する。続けて、この液晶が配置された上下基板を真空中にて貼り合せ、貼り合わせ後に大気開放する。このような工程により封口レス方式においては液晶表示装置を製造する。しかし、この封口レス方式においては、液晶が配置された上下基板を真空中にて貼り合わせた後、大気開放するため、シールパス現象が発生する場合がある。すなわち、貼り合わせた上下基板が大気開放される際に、液晶の膨張力にシール材が耐えられず、パネル外部に液晶が漏れ出す現象である。そこで、近年においては、上下基板の貼り合わせ時に使用するシール材には、大気開放時の液晶の膨張力に耐え得るシール材（例えば、２５℃で粘度が５０Ｐａ・ｓ以上）が使用されている（特許文献１参照）。
特開平８−１０６１０１号公報

しかしながら、上記特許文献１において使用されているシール材の粘度では、実際には、シールパス現象が発生してしまう場合があり、シール材の粘度としては不十分であった。さらに、上記シール材の粘度では、液晶量とパネル内容積との関係において以下の問題が発生した。すなわち、基板上に配置する液晶量がパネル内容積を上回ると、液晶がシール内部に浸食してしまい、シール剤と基板との密着性を悪化させ、透湿性及び剥離において不都合が生じる場合があった。一方、液晶量がパネル内容積を下回ると、パネル内部が負圧の状態となりシール材をパネル内部に引き込んでしまう場合があり、表示部分にシール材が干渉してしまうという問題があった。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、上下基板の貼り合わせ時に高粘度のシール材を使用することにより、上述したシールパス、液晶のシール内部への浸食等の現象を抑制、又は防止する液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、上記課題を解決するために、第１基板及び第２基板の少なくとも一方にシ
ール材を形成する工程と、前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方に液晶を配置する工程と、チャンバー内部に設けられた一対の対向するステージに前記第１基板と前記第２基板とをそれぞれ配置し、前記ステージを相対的に近接させることにより前記第１基板と前記第２基板とを前記シール材を介して貼り合わせる工程と、前記シール材を硬化させるシール材硬化工程と、を有し前記貼り合わせ工程において、前記シール材の貼り合わせ時の粘度を７００Ｐａ・ｓ以上に制御することを特徴とする。

このような構成によれば、上下基板の貼り合わせ時において、シール材の粘度が７００Ｐａ・ｓ以上と高粘度であるため、シール材の粘度が低粘度である場合に発生するシールパス現象を防止することが可能となる。また、これにより、液晶量がパネル内部の容積を上回る場合に発生する液晶がシール内部に浸食する現象、又は液晶量がパネル内部の容積より少ない場合に発生するシール材がパネル内部に引き込まれる現象を回避することが可能となる。

本発明は、前記シール材の形成工程において、前記シール材の貼り合わせ時よりも低
い粘度にて前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方に前記シール材を形成することを特徴とする。
このような構成によれば、シール材の形成工程において、シール材の貼り合わせ時よりも低い粘度であるため、第１基板又は第２基板の少なくとも一方にシール材を円滑に形成することが可能となる。

また、前記シール材の形成工程は、前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方に前記シール材を形成することを特徴とする。
このような構成によれば、第１基板及び第２基板の両基板にシール材を形成することができ、基板とシール材との界面の密着性を高めることが可能となり、これによって、シールパス等の発生を回避することが可能となる。

以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。

［液晶表示装置］
まず、本発明に係る製造方法により得られる液晶表示装置について説明する。
図１は、本発明に係る液晶表示装置について、各構成要素とともに示す対向基板側から見た平面図であり、図２は図１のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。図３は、液晶表示装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図で、図４は、液晶表示装置の部分拡大断面図である。

図１及び２において、本実施の形態の液晶表示装置１００は、対をなす下基板１０（第１基板）と上基板２０（第２基板）とが光硬化性の封止材であるシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域内に封入材としての液晶（電気光学材料）５０が封入、保持されている。シール材５２は、基板面内の領域において閉ざされた枠状に形成されてなり、液晶注入口を備えないものとなっている。

シール材５２の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる周辺見切り５３が形成
されている。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路２０１及び実装端子２０
２が下基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路２０４が形成されている。下基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路２０４の間を接続するための複数の配線２０５が設けられている。また、上基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、下基板１０と上基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材２０６が配設されている。

なお、データ線駆動回路２０１及び走査線駆動回路２０４を下基板１０の上に形成する代わりに、例えば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（Tape Automated Bonding）基板と下基板１０の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。なお、液晶表示装置１００においては、使用する液晶５０の種類、すなわち、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。
また、液晶表示装置１００をカラー表示用として構成する場合には、上基板２０において、下基板１０の後述する各画素電極に対向する領域に、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。

このような構造を有する液晶表示装置１００の画像表示領域においては、図３に示すように、複数の画素１００ａがマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素１００ａの各々には、画素スイッチング用のＴＦＴ３０が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを供給するデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。

画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子で
あるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される
画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして
画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、
図２に示す上基板２０の対向電極２１との間で一定期間保持される。なお、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極９と対向電極２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量６０が付加されている。例えば、画素電極９の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量６０により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い液晶表示装置１００を実現することができる。

図４は液晶表示装置１００の部分拡大断面図であって、ガラス基板１０’を主体として構成される下基板１０上には、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）を主体とする透明電極にて構成された画素電極９がマトリクス状に形成されており（図３参照）、これら各画素電極９に対して画素スイッチング用のＴＦＴ３０（図３参照）がそれぞれ電気的に接続されている。また、画素電極９が形成された領域の縦横の境界に沿って、データ線６ａ、走査線３ａ及び容量線３ｂが形成され、ＴＦＴ３０がデータ線６ａ及び走査線３ａに対して接続されている。すなわち、データ線６ａは、コンタクトホール８を介してＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ａに電気的に接続され、画素電極９は、コンタクトホール１５及びドレイン電極６ｂを介してＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域に電気的に接続されている。なお、画素電極９の表層にはポリイミド主体として構成される膜に対してラビング処理を行った配向膜１２が形成されている。

一方、上基板２０においては、上基板２０側のガラス基板２０’上であって、下基板１０上の画素電極９の縦横の境界領域と対向する領域に、ブラックマトリクス又はブラックストライプと称せられる遮光膜２３が形成され、その上層側にはＩＴＯ膜からなる対向電極２１が形成されている。また、対向電極２１の上層側には、ポリイミド膜からなる配向膜２２が形成されている。そして、下基板１０と上基板２０との間には、液晶５０がシール材５２（図１参照）により基板内に封入されている。

[液晶表示装置の製造装置]
次に、上記液晶表示装置１００の製造方法に使用する液晶表示装置の製造装置について、図面を参照して説明する。図５は、真空チャンバーが閉じた状態を示す概略構成図である。
本実施の形態の液晶表示装置の製造装置においては、図５に示すように、真空チャンバー６０（チャンバー）は上側チャンバー６２と下側チャンバー６４とに分割されており、この上側チャンバー６２と下側チャンバー６４とが一体化されることにより構成される。上側チャンバー６２及び下側チャンバー６４は、それぞれ断面がコ字型の容器状に形成された本体部６６、６８から構成され、それぞれの本体部６６、６８の開口部が対向するように対向配置されている。

下側チャンバー６４は、本体部６８の底面部を貫通する支持シャフト７８によって固定されている。略直方体形状の下加圧版７２（ステージ）は、この支持シャフト７８の先端部に取り付けられている。そして、下基板１０は、この下加圧版７２上に載置される。なお、下加圧版７２及び上加圧版７０は、上基板２０及び下基板１０をそれぞれ挟持するための粘着部材等を備えているが、この詳細については発明の理解を容易にするため省略する。

また、下側チャンバー６４には、一対の仮置き台７４が内部に設けられている。仮置き台７４は、高さ方向に立設する立設部８２と、この立設部８２に垂直に内側に屈曲する屈曲部８４とを備えた略Ｌ字状に形成されている。一対の仮置き台７４の屈曲部８４の高さは、下加圧版７２上に載置される下基板１０のシール材５２及び液晶５０の表面（不図示）よりも上側に位置するように設置される。また、仮置き台７４は、高さの変動及び仮置き台７４同士の間隔の増大又は減少が可能である。この仮置き台７４の屈曲部８４上には、上基板２０が一時的に載置される。
なお、下側チャンバー６４には、真空ポンプ（不図示）が接続されており、この真空ポンプを動作させることにより真空チャンバー６０内を真空引きできるようになっている。

上側チャンバー６２は、本体部６６の天井部を貫通する押圧シャフト７６によって固定されている。略直方体からなる上加圧版７０（ステージ）は、この押圧シャフト７６の下端に取り付けられている。そして、押圧シャフト７６は、上側チャンバー６２のコ字状の本体部６６と一体的に昇降運動することも可能であり、本体部６６とは独立して昇降運動することも可能である。上加圧版７０は、粘着部材等（不図示）を備えており、押圧シャフト７６の降下とともに上加圧版７０も降下し、仮置き台７４の屈曲部８４上に載置されている上基板２０を吸着し保持する。

また、上加圧版７０と下加圧版７２の各々は、内部にヒーター８０（温度制御手段）を内蔵している。さらに、ヒーター８０は、上加圧版７０及び下加圧版７２の各々の表面の温度を検出する温度検出部（不図示）と、この温度検出部に接続され、温度検出部によって検出された温度に基づいて加圧版の表面温度を制御する制御部（不図示）とを備えている。

以下、下加圧版７２の表面の温度制御の動作について説明する。
制御部は予め下加圧版７２の表面温度の目標値を設定する。この目標値は、下加圧版７２に載置される下基板１０の熱伝導、この下基板１０に配置されるシール材５２の熱伝導及びシール材５２の材料等に基づいて設定される。そして、制御部は、温度検出部が検出した下加圧版７２の表面温度を、予め設定した目標値と比較する。この結果、制御部は、検出された表面温度が目標値よりも低い場合には、さらに、ヒーター８０を作動し、下加圧版７２の表面温度を上げる。一方、検出した表面温度が目標値よりも高い場合には、制御部は、ヒーター８０を停止等させ、加圧版の表面温度を下げる。このような動作が繰り返されることにより、下加圧版７２の表面温度は、常に一定に保持される。

このように、本実施の形態の液晶表示装置の製造装置は、両加圧版に載置又は保持される基板上の表面温度及びこの基板上に配置されるシール材５２の温度についても一定に保持することができる。また、シール材５２の粘度はシール材５２の温度に依存する。そのため、シール材５２の温度を制御することにより、外部環境の温度変化に影響されることなく、シール材５２の粘度を制御することが可能となる。
なお、上加圧版７０に内蔵されるヒーター８０についても、上述した動作により、上基板２０の表面温度を外部環境の温度変化に影響されることなく一定に保持することが可能となる。

[液晶表示装置の製造方法]
以下、本発明の液晶表示装置の製造方法を説明する。なお、本実施の形態においては、下基板１０にシール材５２を配置し、真空チャンバー６０内部で上基板２０と下基板１０とを貼り合わせるまでの工程について詳細に説明し、その他の工程については省略する。

まず、上記工程を説明する前に、本実施の形態において使用するシール材５２について表１を参照して説明する。表１は、粘度の異なるシール材５２を用いた４インチの液晶表示パネルを試作し、基板上に描画（形成）したシール材５２の任意の４点における粘度とシールパス、液晶５０の浸食、及びシール材５２の引き込み等の現象との関係を検査し、その結果を示したものである。
なお、表中に示すシール材５２の粘度は２５℃の条件下で測定した値である。また、表中の×、△、及び○は、液晶表示パネルの良品率を表し、×は、良品率が０〜２０％、△は良品率が２０〜６０％、○は良品率が６０〜１００％である。

このように、表１から明らかなように、シール材５２の粘度が２５℃で７００Ｐａ・ｓ以上の場合に、シールパス、液晶２５の浸食、及びシール材５２の引き込み等の現象を防止することが可能となる。従って、本実施の形態においては、上下基板の貼り合わせ時のシール材５２の粘度が２３℃で８００Ｐａ・ｓ以上のシール材５２を使用する。なお、貼り合わせ時のシール材５２の粘度の上限としては、２０万Ｐａ・ｓまでのシール材５２の粘度であれば使用することが可能である。

本実施形態の液晶表示装置の製造方法は、下基板１０と上基板２０に液晶５０を封止するシール材５２をそれぞれ描画するシール材の描画工程と、描画したシール材５２の予備硬化工程と、一対の基板上の少なくとも一方に液晶５０を配置する液晶配置工程と、これらの工程を経た一対の基板をシール材５２を介して一体化するように貼り合わせる貼り合わせ工程と、シール材５２を硬化させるシール材硬化工程とを有する。

（シール材の描画工程）
シール材の描画工程において、液滴吐出装置又はディスペンサーは、下基板１０上の遮光性材料からなる周辺見切り５３の外周部にシール材５２を描画する。この描画するシール材５２の幅としては０．１〜０．４ｍｍが好ましく、シール材５２の厚さとしては０．０１〜０．０４ｍｍが好ましい。また、上記液滴吐出装置等は、シール材５２の粘度を調整するためのヒーター８０ーを備えている。ヒーター８０は、上記液滴吐出装置等のノズルからシール材５２を吐出することが可能な粘度までシール材５２を加熱する。なお、シール材５２を形成する方法としては、スクリーン印刷機による印刷方式等の各種方法が適用可能である。

また、シール材５２は、粘性を有するエポキシ系やアクリル系の樹脂、又はエポキシ系樹脂とアクリル系樹脂とからなる樹脂を用いる。この樹脂の種類としては、紫外線による硬化（ＵＶ硬化）処理と熱による硬化処理とを併用して硬化させるＵＶ硬化＆熱硬化型あるいはＵＶ硬化処理のみで硬化を行う１００％ＵＶ硬化型がある。本実施の形態においてはＵＶ硬化＆熱硬化型を使用している。

シール材５２を基板上に描画した後、液晶５０のセル厚を制御するために、シール材５２によって区画された領域にギャップ制御材（スペーサ）を配置する。また、ギャップ制御材は、セルギャップの寸法と略同じ直径の略球形状の物質をシール材に混入させ、このシール材５２を基板上に配置することも可能である。さらに、セル厚を制御するためにギャップ制御材に代えて、基板から柱状に突出して形成されたもの等使用することも可能である。

（シール材の予備硬化工程）
次に、シール材の予備硬化工程を行う。このシール材５２の予備硬化工程は、シール材５２を描画し、１０〜１２０秒（時間）が経過した後に行われる。予備硬化工程においては、ホットプレート等の加熱手段により、例えば、８０〜１２０℃の温度で１５〜６０秒間シール材５２を加熱する。このようにして、予備硬化工程において、シール材５２を弾力性や接着性を維持しつつ適度に硬化させる。なお、所定の出力において所定時間、このシール材５２に紫外線を照射して、シール材５２を硬化させることも好ましい。また、上記実施の形態では、ＵＶ硬化＆熱硬化型のシール材５２を使用したが、熱硬化型からなるシール材５２を使用して、予め所定の温度にてこのシール材５２を加熱して硬化（プリベーク）させても良いし、光硬化型からなるシール材５２を使用して、所定時間紫外線を照射してシール材５２を硬化させても良い。

（液晶配置工程）
次に、液晶配置工程を行う。液晶配置工程においては、液滴吐出装置又はディスペンサーは、下基板１０上のシール材５２で区画された領域に液晶５０を配置する。液晶５０は、セル内の容積を上回らず、かつ下回らない適量を配置する必要がある。液晶５０の量がセル内の容積を上回る場合には、液晶５０のシール材５２内部への侵食等し、液晶５０の量がセル内の容積を下回る場合には、シール材５２がセル内部に引き込まれてしまうからである。

（基板の貼り合わせ工程）
次に、上下基板の貼り合わせ工程を行う。基板の貼り合わせ工程においては、まず、上基板２０と下基板１０とを真空チャンバー６０内部に搬送する。そして、下基板１０は、真空チャンバー６０に設けられた下加圧版７２上に載置され、上基板２０は、仮置き台７４の屈曲部８４上に載置される。仮置き台７４に上基板２０が載置されると、上加圧版７０は、押下シャフト７６を降下することにより降下し、上加圧版７０の下面を上基板２０に近接させる。そして、上加圧版７０は、上基板２０を吸着してこの状態を保持する。

このときに、上加圧版７０及び下加圧版７２の表面の温度は、ヒーター８０により一定の温度に保持されている。従って、この両加圧版に載置又は保持された上下基板上の温度は、一定に保持され、さらには、シール材５２の粘度についても一定に保持される。
本実施の形態において、ヒーター８０は、シール材５２の温度が２３℃になるように両加圧版の表面温度を制御する。このようにして、シール材５２の粘度を８００Ｐａ・ｓ以上の高粘度に制御することが可能となる。

続けて、上加圧版７０は、上基板２０を保持した状態を維持したまま、再度上昇し仮置き台７４から離間する。なお、仮置き台７４は、上基板２０の下基板１０との貼り合わせ時の昇降動作に干渉しないように退避させる。

次に、押下シャフト７６は、上側チャンバー６２を降下させ、下側チャンバー６４とＯリング８６を介して接合させる。すなわち、真空チャンバー６０が閉じた状態となる。この状態で、真空ポンプ（不図示）は、真空チャンバー６０内部の圧力を下げていき、所定の基準圧力（例えば１Ｐａ）まで減圧させる。真空チャンバー６０内部の減圧が完了した後、押下シャフト７６は、再度上加圧版７０を降下させていき、上加圧版７０に保持された上基板２０と下基板１０と当接させて、加圧して貼り合わせを行う。

貼り合わせに必要な所定時間が経過した後に、上加圧版７０は、保持している上基板２０を離脱させる。そして、上加圧版７０は、押下シャフト７６の上昇とともに上昇し、所定の基準位置にまで復帰させる。その後、真空ポンプは、真空チャンバー６０内部の圧力を外部と同様の圧力（大気圧）にする。また、押下シャフト７６は、上側チャンバー６２を下側チャンバー６４に対して上昇させて両者を分離し、真空チャンバー６０を開いた状態とする。その後、上記方法により貼り合せた上基板２０と下基板１０とは、真空チャンバー６０内部から搬送される。

（シール材硬化工程）
次に、上基板２０と下基板１０とを貼り合わせ、真空チャンバー６０の内部から両基板を取り出した後、シール材硬化工程を行う。このシール材硬化工程においては、ＵＶランプや、加熱装置、可視光照射装置など、種々の装置を用いた方法が使用できるが、本実施形態においてはＵＶランプを用いた紫外線照射によってシール材５２を硬化させる。紫外線照射は、例えば２０００〜１００００ｍＪ／ｃｍ^２程度の照射条件で行う。

このように、本実施の形態の液晶表示装置の製造方法は、上下基板の貼り合わせ時において、シール材の粘度が７００Ｐａ・ｓ以上と高粘度であるため、シール材の粘度が低粘度の場合に発生するシールパス現象を防止することが可能となる。また、液晶量がパネル内部の容積を上回る場合に発生する液晶がシール内部に浸食する現象、又は液晶量がパネル内部の容積より少ない場合に発生するシール材がパネル内部に引き込まれる現象を回避することが可能となる。

なお、本発明の技術範囲は、上記実施の形態に限定されるもではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。

本発明に係る液晶表示装置の平面図である。 図１のＨ−Ｈ´線に沿う断面図である。 同、液晶表示装置の複数の画素における等価回路図である。 同、液晶表示装置の部分拡大断面図である。 本発明に係る液晶製造装置の真空チャンバーを示す概略構成図である。

符号の説明

１０…下基板（第１基板）、 ２０…上基板（第２基板）、 ５２…シール材、 ６０…真空チャンバー（チャンバー）、 ６２…上側チャンバー、 ６４…下側チャンバー、 ７０…上加圧版（ステージ）、 ７２…下加圧版（ステージ）、 ８０…ヒーター

Claims (3)

1. 第１基板及び第２基板の少なくとも一方にシール材を形成する工程と、
   前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方に液晶を配置する工程と、
   チャンバー内部に設けられた一対の対向するステージに前記第１基板と前記第２基板
   とをそれぞれ配置し、前記ステージを相対的に近接させることにより前記第１基板と前記第２基板とを前記シール材を介して貼り合わせる工程と、
   前記シール材を硬化させるシール材硬化工程と、を有し
   前記貼り合わせ工程において、前記シール材の貼り合わせ時の粘度を７００Ｐａ・ｓ以上
   に制御することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
2. 前記シール材の形成工程において、前記シール材の貼り合わせ時よりも低い粘度にて
   前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方に前記シール材を形成することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
3. 前記シール材の形成工程は、前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方に前記シール材を形成することを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置の製造方法。

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