JP7209502B2 - 照明用電源装置および過電流発生の抑制方法 - Google Patents
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Description
照明負荷に直流電力を供給する直流電力供給手段と、
前記照明負荷を接続した場合に、該照明負荷および前記直流電力供給手段の出力用コンデンサーで形成される直流回路上での過電流の発生を抑制する過電流抑制手段と、を備えた照明用電源装置であって、
前記過電流抑制手段は、
前記直流回路に流れる過電流の初期段階の電圧値を検出する電圧検出手段と、
前記直流回路上のいずれかの位置に設けられた過電流抑制用MOSFET(Q3)と、
前記過電流抑制用MOSFET(Q3)をオン状態にするゲート電圧を供給するゲート電圧供給手段と、
前記過電流抑制用MOSFET(Q3)へのゲート電圧を切り換えるためのゲート電圧切換用MOSFET(Q2)と、を含み、
前記ゲート電圧切換用MOSFET(Q2)は、前記電圧検出手段による過電流の初期段階の電圧値の検出に基づいてオンするように設けられ、さらに、該ゲート電圧切換用MOSFETのオンに連動して、前記過電流抑制用MOSFET(Q3)へのゲート電圧を降下させて、前記過電流抑制用MOSFETを前記オン状態から、前記オン状態とオフ状態の間の中間状態にするように設けられ、
前記過電流抑制用MOSFET(Q3)は、
通電状態のままでの前記照明負荷の切り離しによって前記出力用コンデンサーに定格より高い電圧がチャージされ、該照明負荷の再接続によって前記出力用コンデンサーによる過電流が生じた際に、
前記電圧検出手段および前記ゲート電圧切換用MOSFET(Q2)の動作によるゲート電圧の降下によって、該過電流抑制用MOSFETが前記オン状態から前記中間状態になり、前記照明負荷を点灯状態のまま、前記出力用コンデンサーに蓄えられた過剰なエネルギーを徐々に消費するように設けられていることを特徴とする。
照明負荷に直流電力を供給する直流電力供給手段と、
前記照明負荷を接続した場合に、該照明負荷および前記直流電力供給手段の出力用コンデンサーで形成される直流回路上での過電流の発生を抑制する過電流抑制手段と、を備えた照明用電源装置であって、
前記過電流抑制手段は、
前記直流回路において前記照明負荷より低圧側に設けられた電圧検出抵抗と、
前記直流回路において前記電圧検出抵抗よりも高圧側に設けられた過電流抑制用MOSFET(Q3)と、
前記過電流抑制用MOSFET(Q3)をオン状態にするゲート電圧を供給するゲート電圧供給手段と、
前記過電流抑制用MOSFET(Q3)へのゲート電圧を切り換えるためのゲート電圧切換用MOSFET(Q2)と、を含み、
前記ゲート電圧切換用MOSFET(Q2)は、前記電圧検出抵抗の検出電圧値が所定値以上になった場合に、該検出電圧値に基づくゲート電圧によってドレイン‐ソース間が導通するように設けられ、
前記ゲート電圧切換用MOSFET(Q2)のソース端は、前記電圧検出抵抗の低圧側に接続され、
前記ゲート電圧切換用MOSFET(Q2)のドレイン端は、前記ゲート電圧供給手段から前記過電流抑制用MOSFET(Q3)へのゲート電圧の供給ラインに接続され、
前記過電流抑制用MOSFET(Q3)は、
通電状態のままでの前記照明負荷の切り離しによって前記出力用コンデンサーに定格より高い電圧がチャージされ、該照明負荷の再接続によって前記出力用コンデンサーによる過電流が生じた際に、
前記電圧検出抵抗および前記ゲート電圧切換用MOSFET(Q2)の動作によるゲート電圧の降下によって、該過電流抑制用MOSFETが前記オン状態から、前記オン状態とオフ状態の間の中間状態になり、前記照明負荷を点灯状態のまま、前記出力用コンデンサーに蓄えられた過剰なエネルギーを徐々に消費するように設けられていることを特徴とする。
また、本発明に係る過電流発生の抑制方法は、
照明負荷に直流電力を供給する直流電力供給手段を備えた照明用電源装置を使って、前記照明負荷を接続した場合に、該照明負荷および前記直流電力供給手段の出力用コンデンサーで形成される直流回路上での過電流の発生を抑制する方法であって、
前記照明負荷を前記出力コンデンサーの正負の出力端に接続して、
前記直流回路上のいずれかの位置に過電流抑制用MOSFETを設けて、
該過電流抑制用MOSFETをオン状態にするゲート電圧を供給するゲート電圧供給手段を設けて、
通電状態のまま前記照明負荷を切り離し、
前記出力用コンデンサーに定格より高い電圧をチャージし、
該照明負荷を再接続し、
前記出力用コンデンサーから前記直流回路に流れる過電流の初期段階の電圧値を検出し、
前記電圧値の検出に基づいて、前記過電流抑制用MOSFETへのゲート電圧を切り換えるためのゲート電圧切換用MOSFETをオンし、
前記ゲート電圧切換用MOSFETのオンに連動して、前記過電流抑制用MOSFETへのゲート電圧が降下して、前記過電流抑制用MOSFETが前記オン状態から、前記オン状態とオフ状態の間の中間状態になり、
前記照明負荷を点灯状態のまま、前記出力用コンデンサーに蓄えられた過剰なエネルギーを前記照明負荷および前記過電流抑制用MOSFETで徐々に消費することを特徴とする。
トランスTの三次巻線の出力電圧を抵抗R5、R4で分圧して得られる信号FBの電圧値は、トランスTの二次側の出力用コンデンサーC5の端子電圧と比例関係がある。そこで、制御回路5は、トランスTの一次側への入力電力値を、上記の信号FBの電圧値で、割り算を実行し、トランスTの二次側のLEDモジュール8に流れるLED電流Ifの値を推定する。制御回路5は、このLED電流Ifの推定値に基づいて、MOSFET(Q1)のスイッチングタイミングを調整(PWMのオン幅を調整)することにより、LED電流Ifを定電流制御することができる。
まず、LEDモジュール8が接続されているか否かに関わらず、過電流抑制回路7には、定電圧回路6からの動作電圧が供給されているから、抵抗R7,R6で分圧された電圧が過電流抑制用MOSFET(Q3)のゲート、ソース間に印加されている。よって、MOSFET(Q3)はオン状態にある。
図4(B)に、変形例に係る過電流抑制回路7Aの構成を示す。MOSFET(Q3)は、直流回路のいずれかの位置に設けられていればよい。
図4(C)に、別の変形例に係る過電流抑制回路7Bの構成を示す。電圧検出抵抗R2は、直流回路の高圧側(直流電力供給手段の出力端(正側))に設けられていてもよい。また、MOSFET(Q2)のソース端は、直流電力供給手段の出力端(負側))に接続される必要は無く、接地だけされていてもよい。
2 :ダイオードブリッジ
3 :平滑回路
4 :スナバ回路
5 :制御回路
6 :定電圧回路(ゲート電圧供給手段)
7,7A,7B:瞬時過電流抑制回路(過電流抑制手段)
8 :LEDモジュール(負荷)
51:補助電源回路
61:補助電源回路
AC:商用交流電源
C5:出力用コンデンサー
D2:整流用ダイオード
If:順方向のLED電流
Q1:フライバック・コンバーター用MOSFET
Q2:ゲート電圧切換用MOSFET
Q3:過電流抑制用MOSFET
R2:電圧検出抵抗(電圧検出抵抗)
T :フライバック・トランス
Claims (4)
- 照明負荷に直流電力を供給する直流電力供給手段と、
前記照明負荷を接続した場合に、該照明負荷および前記直流電力供給手段の出力用コンデンサーで形成される直流回路上での過電流の発生を抑制する過電流抑制手段と、を備えた照明用電源装置であって、
前記過電流抑制手段は、
前記直流回路に流れる過電流の初期段階の電圧値を検出する電圧検出手段と、
前記直流回路上のいずれかの位置に設けられた過電流抑制用MOSFETと、
前記過電流抑制用MOSFETをオン状態にするゲート電圧を供給するゲート電圧供給手段と、
前記過電流抑制用MOSFETへのゲート電圧を切り換えるためのゲート電圧切換用MOSFETと、を含み、
前記ゲート電圧切換用MOSFETは、前記電圧検出手段による過電流の初期段階の電圧値の検出に基づいてオンするように設けられ、さらに、該ゲート電圧切換用MOSFETのオンに連動して、前記過電流抑制用MOSFETへのゲート電圧を降下させて、前記過電流抑制用MOSFETを前記オン状態から、前記オン状態とオフ状態の間の中間状態にするように設けられ、
前記過電流抑制用MOSFETは、
通電状態のままでの前記照明負荷の切り離しによって前記出力用コンデンサーに定格より高い電圧がチャージされ、該照明負荷の再接続によって前記出力用コンデンサーによる過電流が生じた際に、
前記電圧検出手段および前記ゲート電圧切換用MOSFETの動作によるゲート電圧の降下によって、該過電流抑制用MOSFETが前記オン状態から前記中間状態になり、前記照明負荷を点灯状態のまま、前記出力用コンデンサーに蓄えられた過剰なエネルギーを徐々に消費するように設けられていることを特徴とする照明用電源装置。 - 照明負荷に直流電力を供給する直流電力供給手段と、
前記照明負荷を接続した場合に、該照明負荷および前記直流電力供給手段の出力用コンデンサーで形成される直流回路上での過電流の発生を抑制する過電流抑制手段と、を備えた照明用電源装置であって、
前記過電流抑制手段は、
前記直流回路において前記照明負荷より低圧側に設けられた電圧検出抵抗と、
前記直流回路において前記電圧検出抵抗よりも高圧側に設けられた過電流抑制用MOSFETと、
前記過電流抑制用MOSFETをオン状態にするゲート電圧を供給するゲート電圧供給手段と、
前記過電流抑制用MOSFETへのゲート電圧を切り換えるためのゲート電圧切換用MOSFETと、を含み、
前記ゲート電圧切換用MOSFETは、前記電圧検出抵抗の検出電圧値が所定値以上になった場合に、該検出電圧値に基づくゲート電圧によってドレイン‐ソース間が導通するように設けられ、
前記ゲート電圧切換用MOSFETのソース端は、前記電圧検出抵抗の低圧側に接続され、
前記ゲート電圧切換用MOSFETのドレイン端は、前記ゲート電圧供給手段から前記過電流抑制用MOSFETへのゲート電圧の供給ラインに接続され、
前記過電流抑制用MOSFETは、
通電状態のままでの前記照明負荷の切り離しによって前記出力用コンデンサーに定格より高い電圧がチャージされ、該照明負荷の再接続によって前記出力用コンデンサーによる過電流が生じた際に、
前記電圧検出抵抗および前記ゲート電圧切換用MOSFETの動作によるゲート電圧の降下によって、該過電流抑制用MOSFETが前記オン状態から、前記オン状態とオフ状態の間の中間状態になり、前記照明負荷を点灯状態のまま、前記出力用コンデンサーに蓄えられた過剰なエネルギーを徐々に消費するように設けられていることを特徴とする照明用電源装置。 - 請求項1または2記載の照明用電源装置において、
前記過電流抑制用MOSFETは、前記オン状態と前記オフ状態との間に前記中間状態が存在し、前記過電流抑制用MOSFETのゲート電圧が前記中間状態におけるゲート閾値電圧に達するタイミングでドレイン電流が流れ始めて、前記過電流抑制用MOSFETのゲート電圧の上昇に伴ってドレイン電流が急増するという特性を有することを特徴とする照明用電源装置。 - 照明負荷に直流電力を供給する直流電力供給手段を備えた照明用電源装置を使って、前記照明負荷を接続した場合に、該照明負荷および前記直流電力供給手段の出力用コンデンサーで形成される直流回路上での過電流の発生を抑制する方法であって、
前記照明負荷を前記出力用コンデンサーの正負の出力端に接続して、
前記直流回路上のいずれかの位置に過電流抑制用MOSFETを設けて、
該過電流抑制用MOSFETをオン状態にするゲート電圧を供給するゲート電圧供給手段を設けて、
通電状態のまま前記照明負荷を切り離し、
前記出力用コンデンサーに定格より高い電圧をチャージし、
該照明負荷を再接続し、
前記出力用コンデンサーから前記直流回路に流れる過電流の初期段階の電圧値を検出し、
前記電圧値の検出に基づいて、前記過電流抑制用MOSFETへのゲート電圧を切り換えるためのゲート電圧切換用MOSFETをオンし、
前記ゲート電圧切換用MOSFETのオンに連動して、前記過電流抑制用MOSFETへのゲート電圧が降下して、前記過電流抑制用MOSFETが前記オン状態から、前記オン状態とオフ状態の間の中間状態になり、
前記照明負荷を点灯状態のまま、前記出力用コンデンサーに蓄えられた過剰なエネルギーを前記照明負荷および前記過電流抑制用MOSFETで徐々に消費することを特徴とする過電流発生の抑制方法。
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