JP7195411B2 - 放射システム - Google Patents
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Description
[0001] この出願は、2018年9月21日に出願された欧州出願18195886.9の優先権を主張し、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
1.放射源及び放射調節装置を備えた放射システムであって、
放射源が、紫外線から赤外線に及ぶ波長を有する放射ビームを提供するように構成され、
放射調節装置が、放射ビームを少なくとも2つのビーム部分に分離するように構成され、
少なくとも2つのビーム部分を、少なくとも2つの測定システムによって受け取られる前に、異なるように調節するようにさらに構成されている、放射システム。
2.放射調節装置が、第1のビーム部分を調節して第1のタイプの測定システムによる使用のために調節された放射を提供し、第2のビーム部分を調節して第2のタイプの測定システムによる使用のために調節された放射を提供するように構成されている、条項1の放射システム。
3.放射調節装置が、1つ以上のビーム部分からコヒーレンスを除去する又は低減させるように構成されたコヒーレンス除去装置を備える、条項1又は2の放射システム。
4.放射調節装置が、1つ以上のビーム部分のエタンデュを増加させるように構成されている、条項1から3の何れか一項の放射システム。
5.放射調節装置が、1つ以上のビーム部分の不均一性を減らすように構成されたホモジナイザを備える、条項1から4の何れか一項の放射システム。
6.放射調節装置が、放射ビーム又は放射ビーム部分を波長に基づいて少なくとも2つのビーム部分に分離するように構成された波長ベースのビーム分離装置を備える、条項1から5の何れか一項の放射システム。
7.波長ベースのビーム分離装置が、異なる波長を有する3つ以上のビーム部分を提供するように構成されている、条項6の放射システム。
8.波長ベースのビーム分離装置が、少なくとも1つのダイクロイックミラーを備える、条項6又は7の放射システム。
9.放射調節装置が、放射ビームの一部又は放射ビーム部分の一部と交差するように構成され、その一部を反射するが放射ビーム又は放射ビーム部分の残りの部分を反射しない、ビーム分離装置を備える、条項1から8の何れか一項の放射システム。
10.放射調節装置が、放射ビームの一部又は放射ビーム部分と周期的に交差し、これを反射するように構成されたビーム分離装置を備える、条項1から9の何れか一項の放射システム。
11.放射調節装置が、第1の偏光を有する放射ビームの一部又は放射ビーム部分を反射するように構成され、第2の偏光を有する放射ビームの一部又は放射ビーム部分を透過するように構成された偏光ビームスプリッタを備える、条項1から10の何れか一項の放射システム。
12.放射調節装置が、放射ビーム又は放射ビーム部分を少なくとも2つの部分に分離するように構成された電気光学素子を備える、条項1から11の何れか一項の放射システム。
13.放射調節システムが、少なくとも2つのビーム部分の偏光を回転させることができるように構成された複数の波長板をさらに備える、条項1から12の何れか一項の放射システム。
14.第1のタイプの測定システムが、トポグラフィ測定システム又は燃料液滴メトロロジシステムを含む、条項2の放射システム。
15.第2のタイプの測定システムが、アライメントシステム、位置測定システム、メトロロジシステム、又はレチクル検査システムを含む、条項2の放射システム。
16.パターンをパターニングデバイスから基板に転写するように構成されたリソグラフィ装置であって、
リソグラフィ装置が、第1のタイプの測定システム及び第2のタイプの測定システムを備え、
リソグラフィ装置が、放射源及び放射調節装置を備えた放射システムをさらに備え、
放射源が、紫外線から赤外線に及ぶ波長を有する放射ビームを提供するように構成され、
放射調節装置が、
放射ビームを第1のビーム部分及び第2のビーム部分に分離し、
第1のビーム部分を調節して、第1のタイプの測定システムに提供される調節された放射を提供し、
第2のビーム部分を調節して、第2のタイプの測定システムに提供される調節された放射を提供する
ように構成されている、リソグラフィ装置。
17.基板の特性を測定するように構成されたリソグラフィツールであって、
リソグラフィツールが、第1のタイプの測定システム及び第2のタイプの測定システムを備え、
リソグラフィツールが、放射源及び放射調節装置を備えた放射システムをさらに備え、
放射源が、紫外線から赤外線に及ぶ波長を有する放射ビームを提供するように構成され、
放射調節装置が、
放射ビームを第1のビーム部分及び第2のビーム部分に分離し、
第1のビーム部分を調節して、第1のタイプの測定システムに提供される調節された放射を提供し、
第2のビーム部分を調節して、第2のタイプの測定システムに提供される調節された放射を提供する
ように構成されている、リソグラフィツール。
18.紫外線から赤外線に及ぶ波長を有する放射ビームを提供することと、
放射ビームを少なくとも2つのビーム部分に分離することと、
少なくとも2つのビーム部分を異なるように調節することと、
を含む、方法。
19.第1のビーム部分が、第1のタイプの測定システムによる使用のために調節され、
第2のビーム部分が、第2のタイプの測定システムによる使用のために調節される、条項18の方法。
20.ビーム部分の調節が、コヒーレンスを除去する又は低減させること、エタンデュを増加させること、不均一性を減らすこと、波長に依存した選択、のうちの少なくとも1つを含む、条項18又は19の方法。
Claims (12)
- 放射源及び放射調節装置を備えた放射システムであって、
前記放射源が、紫外線から赤外線に及ぶ波長を有する放射ビームを提供するように構成され、
前記放射調節装置が、前記放射ビームを少なくとも2つのビーム部分に分離するように構成され、前記少なくとも2つのビーム部分を、少なくとも2つの測定システムによって受け取られる前に、異なるように調節するようにさらに構成されており、
前記放射調節装置が、
第1のビーム部分を調節して、トポグラフィ測定システム又は燃料液滴メトロロジシステムを含む第1のタイプの測定システムによる使用のために調節された紫外線放射を提供する一方、
第2のビーム部分を調節して、アライメントシステム、位置測定システム、メトロロジシステム又はレチクル検査システムを含む第2のタイプの測定システムによる使用のために調節された赤外線放射を提供する
ように構成されている、放射システム。 - 前記放射調節装置が、1つ以上の前記ビーム部分からコヒーレンスを除去する又は低減させるように構成されたコヒーレンス除去装置を備える、請求項1の放射システム。
- 前記放射調節装置が、1つ以上の前記ビーム部分の不均一性を減らすように構成されたホモジナイザを備える、請求項1又は2の放射システム。
- 前記放射調節装置が、前記放射ビーム又は放射ビーム部分を波長に基づいて少なくとも2つのビーム部分に分離するように構成された波長ベースのビーム分離装置を備える、請求項1から3の何れか一項の放射システム。
- 前記放射調節装置が、前記放射ビームの一部又は放射ビーム部分の一部と交差するように構成され、その一部を反射するが前記放射ビーム又は放射ビーム部分の残りの部分を反射しないビーム分離装置を備える、請求項1から4の何れか一項の放射システム。
- 前記放射調節装置が、前記放射ビームの一部又は放射ビーム部分と周期的に交差し、これを反射するように構成されたビーム分離装置を備える、請求項1から5の何れか一項の放射システム。
- 前記放射調節装置が、第1の偏光を有する前記放射ビームの一部又は放射ビーム部分を反射するように構成され、第2の偏光を有する前記放射ビームの一部又は放射ビーム部分を透過するように構成された偏光ビームスプリッタを備える、請求項1から6の何れか一項の放射システム。
- 前記放射調節装置が、前記放射ビーム又は放射ビーム部分を少なくとも2つの部分に分離するように構成された電気光学素子を備えた、請求項1から7の何れか一項の放射システム。
- 前記放射調節システムが、前記少なくとも2つのビーム部分の偏光を回転させることができるように構成された複数の波長板をさらに備えた、請求項1から8の何れか一項の放射システム。
- パターンをパターニングデバイスから基板に転写するように構成されたリソグラフィ装置であって、
前記リソグラフィ装置が、トポグラフィ測定システム又は燃料液滴メトロロジシステムを含む第1のタイプの測定システムと、アライメントシステム、位置測定システム、メトロロジシステム又はレチクル検査システムを含む第2のタイプの測定システムと、を備え、
前記リソグラフィ装置が、放射源及び放射調節装置を備えた放射システムをさらに備え、
前記放射源が、紫外線から赤外線に及ぶ波長を有する放射ビームを提供するように構成され、
前記放射調節装置が、
前記放射ビームを第1のビーム部分及び第2のビーム部分に分離し、
前記第1のビーム部分を調節して、前記第1のタイプの測定システムに提供される調節された紫外線放射を提供する一方、
前記第2のビーム部分を調節して、前記第2のタイプの測定システムに提供される調節された赤外線放射を提供する
ように構成されている、リソグラフィ装置。 - 基板の特性を測定するように構成されたリソグラフィツールであって、
前記リソグラフィツールが、トポグラフィ測定システム又は燃料液滴メトロロジシステムを含む第1のタイプの測定システムと、アライメントシステム、位置測定システム、メトロロジシステム又はレチクル検査システムを含む第2のタイプの測定システムと、を備え、
前記リソグラフィツールが、放射源及び放射調節装置を備えた放射システムをさらに備え、
前記放射源が、紫外線から赤外線に及ぶ波長を有する放射ビームを提供するように構成され、
前記放射調節装置が、
前記放射ビームを第1のビーム部分及び第2のビーム部分に分離し、
前記第1のビーム部分を調節して、前記第1のタイプの測定システムに提供される調節された紫外線放射を提供し、
前記第2のビーム部分を調節して、前記第2のタイプの測定システムに提供される調節された赤外線放射を提供する
ように構成されている、リソグラフィツール。 - 紫外線から赤外線に及ぶ波長を有する放射ビームを提供することと、
前記放射ビームを少なくとも2つのビーム部分に分離することと、
前記少なくとも2つのビーム部分を異なるように調節することと、を含み、
第1のビーム部分が、トポグラフィ測定システム又は燃料液滴メトロロジシステムを含む第1のタイプの測定システムによる使用のために、紫外線放射を提供するように調節され、
第2のビーム部分が、アライメントシステム、位置測定システム、メトロロジシステム又はレチクル検査システムを含む第2のタイプの測定システムによる使用のために、赤外線放射を提供するように調節される、方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP18195886 | 2018-09-21 | ||
EP18195886.9 | 2018-09-21 | ||
PCT/EP2019/072983 WO2020057924A1 (en) | 2018-09-21 | 2019-08-28 | Radiation system |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022501632A JP2022501632A (ja) | 2022-01-06 |
JP7195411B2 true JP7195411B2 (ja) | 2022-12-23 |
Family
ID=63678456
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021510190A Active JP7195411B2 (ja) | 2018-09-21 | 2019-08-28 | 放射システム |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11467507B2 (ja) |
JP (1) | JP7195411B2 (ja) |
CN (1) | CN112740111A (ja) |
WO (1) | WO2020057924A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117203516A (zh) * | 2021-02-04 | 2023-12-08 | 南方科技大学 | 用于表征物体的方法和设备 |
EP4356194A1 (en) * | 2021-06-14 | 2024-04-24 | ASML Netherlands B.V. | An illumination source and associated method apparatus |
CN118435129A (zh) * | 2021-12-23 | 2024-08-02 | Asml荷兰有限公司 | 用于水平传感器的投射单元、监测衬底的高度的方法、和包括投射单元的光刻系统 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000221138A (ja) | 1999-02-01 | 2000-08-11 | Nikon Corp | 基板検査装置および基板検査方法 |
JP2000357644A (ja) | 1999-06-14 | 2000-12-26 | Canon Inc | 露光方法及び露光装置 |
WO2009075103A1 (ja) | 2007-12-11 | 2009-06-18 | Nikon Corporation | 移動体装置、露光装置及びパターン形成装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2009229414A (ja) | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Osaka Gas Co Ltd | 検知装置 |
JP2011504782A (ja) | 2007-11-27 | 2011-02-17 | ユニヴァーシティ オブ ワシントン | 多数の撮像装置を用いる撮像中の照射クロストークの除去 |
JP2016540996A (ja) | 2013-11-04 | 2016-12-28 | トムラ・ソーティング・エヌ・ヴィ | 検査装置 |
WO2017060014A1 (en) | 2015-10-08 | 2017-04-13 | Asml Netherlands B.V. | Topography measurement system |
JP2018054303A (ja) | 2016-09-26 | 2018-04-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検出装置及び欠陥観察装置 |
JP2018124557A (ja) | 2017-02-03 | 2018-08-09 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 露光装置 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4349277A (en) * | 1980-06-11 | 1982-09-14 | General Electric Company | Non-contact measurement of surface profile |
JPH0794969B2 (ja) | 1992-01-29 | 1995-10-11 | 株式会社ソルテック | 位置合せ方法及びその装置 |
DE60319462T2 (de) | 2002-06-11 | 2009-03-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels |
JP3977324B2 (ja) | 2002-11-12 | 2007-09-19 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置 |
EP1517183A1 (en) * | 2003-08-29 | 2005-03-23 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
US7330239B2 (en) | 2005-04-08 | 2008-02-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a blazing portion of a contrast device |
JP4778755B2 (ja) * | 2005-09-09 | 2011-09-21 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法及びこれを用いた装置 |
US20070127005A1 (en) * | 2005-12-02 | 2007-06-07 | Asml Holding N.V. | Illumination system |
US7948606B2 (en) | 2006-04-13 | 2011-05-24 | Asml Netherlands B.V. | Moving beam with respect to diffractive optics in order to reduce interference patterns |
US7649676B2 (en) | 2006-06-14 | 2010-01-19 | Asml Netherlands B.V. | System and method to form unpolarized light |
JP4885762B2 (ja) * | 2007-02-27 | 2012-02-29 | 株式会社ディスコ | チャックテーブルに保持された被加工物の計測装置およびレーザー加工機 |
CN101286010B (zh) * | 2008-04-25 | 2010-10-20 | 上海微电子装备有限公司 | 用于光刻设备的对准系统及其对准方法和光刻设备 |
CN104321703B (zh) | 2012-04-12 | 2017-09-22 | Asml控股股份有限公司 | 位置测量方法、位置测量设备、光刻设备以及装置制造方法、光学元件 |
NL2011726A (en) | 2012-11-05 | 2014-05-08 | Asml Netherlands Bv | Method and apparatus for measuring asymmetry of a microstructure, position measuring method, position measuring apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
CN203786295U (zh) | 2014-02-17 | 2014-08-20 | 北京师范大学 | 振动-转动拉曼-米散射多波长激光雷达系统 |
KR20160123184A (ko) | 2015-04-15 | 2016-10-25 | (주)이오시스템 | 복합 파장용 정렬 장치 |
JP6581220B2 (ja) * | 2015-07-17 | 2019-09-25 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及び方法 |
JP6600749B2 (ja) * | 2015-12-22 | 2019-10-30 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | トポグラフィ測定システム、測定装置、放射ソース、およびリソグラフィ装置 |
US10690995B2 (en) | 2016-06-09 | 2020-06-23 | Asml Netherlands B.V. | Radiation source |
US9921104B2 (en) * | 2016-06-11 | 2018-03-20 | Kla-Tencor Corporation | Simultaneous multi-angle spectroscopy |
-
2019
- 2019-08-28 CN CN201980062105.0A patent/CN112740111A/zh active Pending
- 2019-08-28 WO PCT/EP2019/072983 patent/WO2020057924A1/en active Application Filing
- 2019-08-28 JP JP2021510190A patent/JP7195411B2/ja active Active
- 2019-08-28 US US17/277,554 patent/US11467507B2/en active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000221138A (ja) | 1999-02-01 | 2000-08-11 | Nikon Corp | 基板検査装置および基板検査方法 |
JP2000357644A (ja) | 1999-06-14 | 2000-12-26 | Canon Inc | 露光方法及び露光装置 |
JP2011504782A (ja) | 2007-11-27 | 2011-02-17 | ユニヴァーシティ オブ ワシントン | 多数の撮像装置を用いる撮像中の照射クロストークの除去 |
WO2009075103A1 (ja) | 2007-12-11 | 2009-06-18 | Nikon Corporation | 移動体装置、露光装置及びパターン形成装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2009229414A (ja) | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Osaka Gas Co Ltd | 検知装置 |
JP2016540996A (ja) | 2013-11-04 | 2016-12-28 | トムラ・ソーティング・エヌ・ヴィ | 検査装置 |
WO2017060014A1 (en) | 2015-10-08 | 2017-04-13 | Asml Netherlands B.V. | Topography measurement system |
JP2018054303A (ja) | 2016-09-26 | 2018-04-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検出装置及び欠陥観察装置 |
JP2018124557A (ja) | 2017-02-03 | 2018-08-09 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 露光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2020057924A1 (en) | 2020-03-26 |
US11467507B2 (en) | 2022-10-11 |
CN112740111A (zh) | 2021-04-30 |
JP2022501632A (ja) | 2022-01-06 |
US20210356871A1 (en) | 2021-11-18 |
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Date | Code | Title | Description |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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