JP7195086B2 - 炭化ケイ素半導体装置及び炭化ケイ素半導体装置の製造方法 - Google Patents
炭化ケイ素半導体装置及び炭化ケイ素半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
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Description
炭化ケイ素半導体層と、
前記炭化ケイ素半導体層に設けられた電極部と、
前記電極部に設けられた接続部と、
を備え、
前記電極部が、緩衝層として機能する平均粒径からなるモリブデン又はチタンの多結晶を含む第一多結晶層と、前記第一多結晶層の一方側に設けられ、前記接続部が設けられた接続電極と、を有してもよい。
前記接続部はワイヤであり、
前記ワイヤの横断面における大きさは、前記接続電極の面方向における大きさの1/4以上となってもよい。
前記電極部は、前記第一多結晶層の一方側であって前記接続電極の他方側に、平均粒径が前記第一多結晶層における平均粒径よりも大きい多結晶を含む第二多結晶層を有してもよい。
前記第一多結晶層における多結晶の平均粒径は2nm未満であり、
前記第二多結晶層における多結晶の平均粒径は20nm以上であってもよい。
前記第二多結晶層は前記第一多結晶層と同じ材料からなってもよい。
前記第二多結晶層の厚みは前記第一多結晶層の厚みの3倍以上5倍以下となってもよい。
前記第一多結晶層における前記多結晶及び前記第二多結晶層における前記多結晶は共にモリブデンであり、
前記接続部はワイヤであり、
前記ワイヤの横断面における大きさは、前記接続電極の面方向における大きさの1/4以上となってもよい。
前記第一多結晶層の厚みは100nm以上200nm以下であってもよい。
面内方向における前記接続部が設けられる領域で前記第一多結晶層が設けられ、前記電極部における前記第一多結晶層の周縁領域に前記第一多結晶層以外の多結晶層が設けられてもよい。
真空状態において、モリブデン又はチタンを第一成膜レートで炭化ケイ素半導体層に蒸着させて、第一多結晶層を形成する工程と、
真空状態において、モリブデン又はチタンを第二成膜レートで前記第一多結晶層に蒸着させて、第二多結晶層を形成する工程と、
を備え、
前記第二成膜レートは前記第一成膜レートよりも速くてもよい。
《構成》
本実施の形態で「一方側」とは図1の上方側を意味し、「他方側」とは図1の下方側を意味する。また、図1の上下方向(他方から一方に向かう方向及び一方から他方に向かう方向)を「第一方向」とし、第一方向に直交する面内方向を「面内方向」といい、図1の上方から見た場合を「平面視」という。
次に、上述した構成からなる本実施の形態による作用・効果の一例について説明する。なお、「効果」で説明するあらゆる態様を、上記構成で採用することができる。
次に、本発明の第2の実施の形態について説明する。
次に、本発明の第3の実施の形態について説明する。
次に、本発明の第4の実施の形態について説明する。
20 第一電極部(電極部)
21 第一多結晶層
22 第二多結晶層
30 接続部
40 接続電極
Claims (9)
- 炭化ケイ素半導体層と、
前記炭化ケイ素半導体層に設けられた電極部と、
前記電極部に設けられた接続部と、
を備え、
前記電極部は、緩衝層として機能する平均粒径からなるモリブデン又はチタンの多結晶を含む第一多結晶層と、前記第一多結晶層の一方側に設けられ、前記接続部が設けられた接続電極と、を有し、
前記電極部は、前記第一多結晶層の一方側であって前記接続電極の他方側に、平均粒径が前記第一多結晶層における平均粒径よりも大きい多結晶を含む第二多結晶層を有し、
前記第一多結晶層における多結晶の平均粒径は2nm未満であり、
前記第二多結晶層における多結晶の平均粒径は20nm以上である炭化ケイ素半導体装置。 - 炭化ケイ素半導体層と、
前記炭化ケイ素半導体層に設けられた電極部と、
前記電極部に設けられた接続部と、
を備え、
前記電極部は、緩衝層として機能する平均粒径からなるモリブデン又はチタンの多結晶を含む第一多結晶層と、前記第一多結晶層の一方側に設けられ、前記接続部が設けられた接続電極と、を有し、
前記電極部は、前記第一多結晶層の一方側であって前記接続電極の他方側に、平均粒径が前記第一多結晶層における平均粒径よりも大きい多結晶を含む第二多結晶層を有し、
前記第二多結晶層の厚みは前記第一多結晶層の厚みの3倍以上5倍以下となる炭化ケイ素半導体装置。 - 炭化ケイ素半導体層と、
前記炭化ケイ素半導体層に設けられた電極部と、
前記電極部に設けられた接続部と、
を備え、
前記電極部は、緩衝層として機能する平均粒径からなるモリブデン又はチタンの多結晶を含む第一多結晶層と、前記第一多結晶層の一方側に設けられ、前記接続部が設けられた接続電極と、を有し、
前記第一多結晶層の厚みは100nm以上200nm以下である炭化ケイ素半導体装置。 - 炭化ケイ素半導体層と、
前記炭化ケイ素半導体層に設けられた電極部と、
前記電極部に設けられた接続部と、
を備え、
前記電極部は、緩衝層として機能する平均粒径からなるモリブデン又はチタンの多結晶を含む第一多結晶層と、前記第一多結晶層の一方側に設けられ、前記接続部が設けられた接続電極と、を有し、
面内方向における前記接続部が設けられる領域で前記第一多結晶層が設けられ、前記電極部における前記第一多結晶層の周縁領域に前記第一多結晶層以外の多結晶層が設けられる炭化ケイ素半導体装置。 - 前記接続部はワイヤであり、
前記ワイヤの横断面における大きさは、前記接続電極の面方向における大きさの1/4以上となっている請求項1乃至4のいずれか1項に記載の炭化ケイ素半導体装置。 - 前記電極部は、前記第一多結晶層の一方側であって前記接続電極の他方側に、平均粒径が前記第一多結晶層における平均粒径よりも大きい多結晶を含む第二多結晶層を有する請求項3又は4に記載の炭化ケイ素半導体装置。
- 前記第二多結晶層は前記第一多結晶層と同じ材料からなる請求項1、2又は6に記載の炭化ケイ素半導体装置。
- 前記第一多結晶層における前記多結晶及び前記第二多結晶層における前記多結晶は共にモリブデンであり、
前記接続部はワイヤであり、
前記ワイヤの横断面における大きさは、前記接続電極の面方向における大きさの1/4以上となっている請求項1、2又は6に記載の炭化ケイ素半導体装置。 - 真空状態において、モリブデン又はチタンを第一成膜レートで炭化ケイ素半導体層に蒸着させて、第一多結晶層を形成する工程と、
真空状態において、モリブデン又はチタンを第二成膜レートで前記第一多結晶層に蒸着させて、第二多結晶層を形成する工程と、
を備え、
前記第二成膜レートは前記第一成膜レートよりも速い、炭化ケイ素半導体装置の製造方法。
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JP2018160055A JP7195086B2 (ja) | 2018-08-29 | 2018-08-29 | 炭化ケイ素半導体装置及び炭化ケイ素半導体装置の製造方法 |
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JP2011176015A (ja) | 2010-02-23 | 2011-09-08 | Denso Corp | ショットキーバリアダイオードを備えた炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
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WO2013183677A1 (ja) | 2012-06-06 | 2013-12-12 | ローム株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
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