JP7161862B2 - 配線構造体および電子部品 - Google Patents

Description

本発明は、配線構造体および電子部品に関する。

特許文献１の図５には、電子部品が開示されている。電子部品は、基板の上に半導体チップが配置された構造を有している。基板には、配線が形成されている。半導体チップには、電極が形成されている。半導体チップの電極は、導電性接合材を介して基板の配線に接続されている。

特開２０１３－１１０４０２号公報

従来の電子部品では、配線の上に導電性接合材が配置されている。そのため、導電性接合材が溶融した場合には、配線外の領域に導電性接合材が流出する可能性がある。配線外の領域に流出した導電性接合材は、短絡等の予期しない不具合の原因になり得る。
本発明の一実施形態は、導電性接合材の流出を抑制できる配線構造体および電子部品を提供することを一つの目的とする。

本発明の一実施形態は、下地電極層と、前記下地電極層の周縁部を露出させるように前記下地電極層の上に形成された配線層と、前記下地電極層の上から前記下地電極層外の領域に張り出すように前記下地電極層の周縁部の上に形成された絶縁層と、を含む、配線構造体を提供する。
この配線構造体によれば、配線層に導電性接合材が接続された場合、溶融した導電性接合材の流出を絶縁層によって抑制できる。しかも、配線層の下層に形成された下地電極層は、絶縁層よりも内側の領域に位置している。

したがって、仮に、溶融した導電性接合材が配線層外にしみ出したとしても、絶縁層よりも内側の領域において導電性接合材を下地電極層に伝わらせることができる。これにより、導電性接合材が絶縁層外の領域に流出することを抑制できる。よって、導電性接合材の流出を抑制できる配線構造体を提供できる。
本発明の一実施形態は、下地電極層と、外部接続される接続部を有し、前記下地電極層の上から前記下地電極層外の領域に張り出すように前記下地電極層の上に形成された配線層と、前記接続部を露出させるように前記配線層を被覆する絶縁層と、を含む、配線構造体を提供する。

この配線構造体によれば、接続部に導電性接合材が接続された場合、溶融した導電性接合材の流出を絶縁層によって抑制できる。しかも、下地電極層は、配線層よりも内側の領域に位置している。
したがって、仮に、溶融した導電性接合材が絶縁層外にしみ出したとしても、配線層よりも内側の領域において導電性接合材を下地電極層に伝わらせることができる。これにより、導電性接合材が配線層外の領域に流出することを抑制できる。よって、導電性接合材の流出を抑制できる配線構造体を提供できる。

本発明の一実施形態は、主面を有する基板と、前記基板の前記主面の上に形成された配線構造体と、前記配線構造体の上に形成された導電性接合材と、前記導電性接合材を介して前記配線構造体に接続されたチップと、を含み、前記配線構造体は、前記基板の前記主面の上に形成された下地電極層と、前記下地電極層の周縁部を露出させるように前記下地電極層の上に形成され、前記導電性接合材を介して前記チップに接続された接続部を有する配線層と、前記下地電極層の上から前記下地電極層外の領域に張り出すように前記下地電極層の周縁部の上に形成された絶縁層と、を含む、電子部品を提供する。

この電子部品によれば、基板およびチップの間の領域に配線構造体が介在している。この配線構造体は、下地電極層の上から下地電極層外の領域に張り出すように下地電極層の周縁部の上に形成された絶縁層を含む。これにより、溶融した導電性接合材の流出を絶縁層によって抑制できる。しかも、配線構造体の下地電極層は、配線層よりも内側の領域に位置している。

したがって、仮に、溶融した導電性接合材が絶縁層外にしみ出したとしても、配線層よりも内側の領域において導電性接合材を下地電極層に伝わらせることができる。これにより、導電性接合材が配線層外の領域に流出することを抑制できる。よって、導電性接合材の流出を抑制できる電子部品を提供できる。
本発明の一実施形態は、封止絶縁層と、前記封止絶縁層内に設けられた配線構造体と、前記封止絶縁層内に設けられ、前記配線構造体の上に形成された導電性接合材と、前記封止絶縁層内に設けられ、前記導電性接合材を介して前記配線構造体に接続されたチップと、を含み、前記配線構造体は、前記封止絶縁層内において前記チップと対向する対向面、および、前記対向面とは反対側に位置し、前記封止絶縁層から露出する露出面を有する下地電極層と、前記下地電極層および前記チップの間に介在し、前記下地電極層の周縁部を露出させるように前記下地電極層の前記対向面の上に形成され、前記導電性接合材を介して前記チップに接続された接続部を有する配線層と、前記下地電極層および前記チップの間に介在し、前記下地電極層の上から前記下地電極層外の領域に張り出すように前記下地電極層の周縁部の上に形成された絶縁層と、を含む、電子部品を提供する。

この電子部品によれば、配線構造体およびチップが封止絶縁層によって封止されている。この配線構造体は、下地電極層の上から下地電極層外の領域に張り出すように下地電極層の周縁部の上に形成された絶縁層を含む。これにより、溶融した導電性接合材の流出を絶縁層によって抑制できる。しかも、下地電極層は、配線層よりも内側の領域に位置している。

したがって、仮に、溶融した導電性接合材が絶縁層外にしみ出したとしても、配線層よりも内側の領域において導電性接合材を下地電極層に伝わらせることができる。これにより、導電性接合材が、配線層外の領域に流出することを抑制できる。よって、導電性接合材の流出を抑制できる電子部品を提供できる。

図１は、本発明の第１実施形態に係る配線構造体の内部構造を示す平面図である。 図２は、図１に示すII-II線に沿う断面図である。 図３Ａは、図１に示す配線構造体の製造方法の一例を説明するための断面図である。 図３Ｂは、図３Ａの工程の後の工程を示す断面図である。 図３Ｃは、図３Ｂの工程の後の工程を示す断面図である。 図３Ｄは、図３Ｃの工程の後の工程を示す断面図である。 図３Ｅは、図３Ｄの工程の後の工程を示す断面図である。 図３Ｆは、図３Ｅの工程の後の工程を示す断面図である。 図３Ｇは、図３Ｆの工程の後の工程を示す断面図である。 図３Ｈは、図３Ｇの工程の後の工程を示す断面図である。 図３Ｉは、図３Ｈの工程の後の工程を示す断面図である。 図４は、本発明の第２実施形態に係る配線構造体の内部構造を示す平面図である。 図５は、図４に示すV-V線に沿う断面図である。 図６Ａは、図４に示す配線構造体の製造方法の一例を説明するための断面図である。 図６Ｂは、図６Ａの工程の後の工程を示す断面図である。 図６Ｃは、図６Ｂの工程の後の工程を示す断面図である。 図６Ｄは、図６Ｃの工程の後の工程を示す断面図である。 図６Ｅは、図６Ｄの工程の後の工程を示す断面図である。 図６Ｆは、図６Ｅの工程の後の工程を示す断面図である。 図７は、本発明の第３実施形態に係る配線構造体を示す断面図である。 図８は、本発明の第４実施形態に係る配線構造体の内部構造を示す平面図である。 図９は、図８に示すIX-IX線に沿う断面図である。 図１０Ａは、図８に示す配線構造体の製造方法の一例を説明するための断面図である。 図１０Ｂは、図１０Ａの工程の後の工程を示す断面図である。 図１０Ｃは、図１０Ｂの工程の後の工程を示す断面図である。 図１０Ｄは、図１０Ｃの工程の後の工程を示す断面図である。 図１０Ｅは、図１０Ｄの工程の後の工程を示す断面図である。 図１１は、本発明の第５実施形態に係る配線構造体の内部構造を示す平面図である。 図１２は、図１１に示すXII-XII線に沿う断面図である。 図１３Ａは、図１１に示す配線構造体の製造方法の一例を説明するための断面図である。 図１３Ｂは、図１３Ａの工程の後の工程を示す断面図である。 図１３Ｃは、図１３Ｂの工程の後の工程を示す断面図である。 図１３Ｄは、図１３Ｃの工程の後の工程を示す断面図である。 図１３Ｅは、図１３Ｄの工程の後の工程を示す断面図である。 図１３Ｆは、図１３Ｅの工程の後の工程を示す断面図である。 図１４は、本発明の第６実施形態に係る配線構造体を示す断面図である。 図１５は、本発明の第１実施形態に係る電子部品の内部構造を示す平面図である。 図１６は、図１５に示すXVI-XVI線に沿う断面図である。 図１７は、本発明の第２実施形態に係る電子部品の内部構造を示す平面図である。 図１８は、図１７に示すXVIII-XVIII線に沿う断面図である。 図１９は、本発明の第３実施形態に係る電子部品の内部構造を示す平面図である。 図２０は、図１９に示すXX-XX線に沿う断面図である。 図２１は、図１５に示す電子部品の第１変形例を示す断面図である。 図２２は、図１５に示す電子部品の第２変形例を示す断面図である。 図２３は、図１７に示す電子部品の第１変形例を示す断面図である。 図２４は、図１７に示す電子部品の第２変形例を示す断面図である。 図２５は、図１９に示す電子部品の第１変形例を示す断面図である。 図２６は、図１９に示す電子部品の第２変形例を示す断面図である。 図２７は、図２に示すバンプ構造の第１変形例を説明するための断面図である。 図２８は、図２に示すバンプ構造の第２変形例を説明するための断面図である。 図２９は、図２に示すバンプ構造の第３変形例を説明するための断面図である。 図３０は、図１７に対応する平面図であって、第２実施形態に係る電子部品の配線構造体の第１変形例を示す図である。 図３１は、図１７に対応する平面図であって、第２実施形態に係る電子部品の配線構造体の第２変形例を示す図である。

以下では、添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る配線構造体１の内部構造を示す平面図である。図２は、図１に示すII-II線に沿う断面図である。
配線構造体１は、チップ部品を接続対象物に接合する場合に、チップ部品および接続対象物の間に介在される部材である。配線構造体１は、チップ部品および接続対象物の間の電流経路を形成する。たとえば、配線構造体１は、接続対象物からの電気信号をチップ部品に伝達し、または、チップ部品からの電気信号を接続対象物に伝達する。

チップ部品は、機能デバイスを含んでいてもよい。チップ部品は、複数の機能デバイスを備えた集積回路デバイスであってもよい。チップ部品は、単一機能デバイスからなるディスクリートデバイスであってもよい。
図１および図２を参照して、配線構造体１は、支持基板２、下地電極層３、配線層４、絶縁層５、バンプ構造６および封止絶縁層７を含む。図１では、封止絶縁層７を透過した配線構造体１の内部構造が示されている。図１および図２では、チップ部品が配線構造体１に接続されていない状態が示されている。

支持基板２は、主面８を有している。支持基板２は、基体９および主面絶縁膜１０を含む。主面絶縁膜１０は、基体９の主面を被覆している。基体９は、半導体基板であってもよい。半導体基板は、シリコンを含んでいてもよい。主面絶縁膜１０は、酸化シリコンまたは窒化シリコンを含んでいてもよい。
下地電極層３は、支持基板２の主面８の上に形成されている。下地電極層３は、支持基板２の主面８の上をライン状に引き回されていてもよい。下地電極層３は、支持基板２の主面８の法線方向から見た平面視（以下、単に「平面視」という。）において任意の平面形状に形成される。図１では、下地電極層３において四角形状に形成された領域が示されている。

下地電極層３は、膜状に形成されている。下地電極層３は、支持基板２側からこの順に積層された第１電極層１１および第２電極層１２を含む積層構造を有している。第１電極層１１の側面は、第２電極層１２の側面に対して面一に形成されていてもよい。第１電極層１１の側面は、第２電極層１２の側面に対して外側に張り出していてもよい。第１電極層１１の側面は、第２電極層１２の側面に対して内側に形成されていてもよい。

第１電極層１１は、チタンまたはクロムのうちの少なくとも一つを含む。第１電極層１１は、この形態では、チタンを含む。第２電極層１２は、銅または金のうちの少なくとも一つを含む。第２電極層１２は、この形態では、銅を含む。
下地電極層３の厚さＴ０は、０．１μｍ以上１．５μｍ以下であってもよい。厚さＴ０は、０．１μｍ以上０．５μｍ以下であってもよい。厚さＴ０は、０．５μｍ以上１．０μｍ以下であってもよい。厚さＴ０は、１．０μｍ以上１．５μｍ以下であってもよい。

第１電極層１１の厚さＴ１は、０．０５μｍ以上０．５μｍ以下であってもよい。厚さＴ１は、０．０５μｍ以上０．１μｍ以下であってもよい。厚さＴ１は、０．１μｍ以上０．２μｍ以下であってもよい。厚さＴ１は、０．２μｍ以上０．３μｍ以下であってもよい。厚さＴ１は、０．３μｍ以上０．４μｍ以下であってもよい。厚さＴ１は、０．４μｍ以上０．５μｍ以下であってもよい。

第２電極層１２の厚さＴ２は、０．０５μｍ以上１．０μｍ以下であってもよい。厚さＴ２は、０．０５μｍ以上０．１μｍ以下であってもよい。厚さＴ２は、０．１μｍ以上０．５μｍ以下であってもよい。厚さＴ２は、０．５μｍ以上１．０μｍ以下であってもよい。
下地電極層３の厚さＴ０、第１電極層１１の厚さＴ１および第２電極層１２の厚さＴ２は、前記数値の範囲において、任意の態様で組み合わせられてもよい。第１電極層１１の厚さＴ１は、下地電極層３の厚さＴ０以下（Ｔ１≦Ｔ０）であってもよい。第２電極層１２の厚さＴ２は、下地電極層３の厚さＴ０以下（Ｔ２≦Ｔ０）であってもよい。第１電極層１１の厚さＴ１は、第２電極層１２の厚さＴ２以下（Ｔ１≦Ｔ２）であってもよい。

配線層４は、下地電極層３の上に形成されている。配線層４は、平面視において下地電極層３に対応した平面形状を有している。配線層４は、この形態では下地電極層３に沿ってライン状に引き回されている。図１では、配線層４において四角形状に形成された領域が示されている。
配線層４は、下地電極層３の周縁部から内方領域に間隔を空けて形成され、下地電極層３の周縁部を露出させている。配線層４は、より具体的には、下地電極層３の内方領域において第２電極層１３の上に形成されている。配線層４は、外部接続されるパッド部１３（接続部）を含む。パッド部１３は、配線層４において任意の領域に形成される。

配線層４は、膜状に形成されている。配線層４の厚さＴ３は、下地電極層３の厚さＴ０以上（Ｔ０≦Ｔ３）である。配線層４の厚さＴ３は、より具体的には、下地電極層３の厚さＴ０よりも大きい（Ｔ０＜Ｔ３）。
配線層４の厚さＴ３は、０．０５μｍ以上２０μｍ以下であってもよい。厚さＴ３は、０．０５μｍ以上５μｍ以下であってもよい。厚さＴ３は、５μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。厚さＴ３は、１０μｍ以上１５μｍ以下であってもよい。厚さＴ３は、１５μｍ以上２０μｍ以下であってもよい。

配線層４は、銅、ニッケルまたは金のうちの少なくとも一つを含む。配線層４は、第２電極層１２と同一の導電材料を含むことが好ましい。配線層４は、この形態では、銅を含む。また、配線層４は、この形態では、単層構造を有している。
絶縁層５は、下地電極層３の上に形成されている。絶縁層５は、より具体的には、下地電極層３の周縁部において第２電極層１３の上に形成されている。絶縁層５は、下地電極層３の平面形状に対応した平面形状を有している。絶縁層５は、この形態では下地電極層３に沿ってライン状に引き回されている。図１では、絶縁層５において四角形状に形成された領域が示されている。

絶縁層５は、下地電極層３の上に形成されている。絶縁層５は、パッド部１３を露出させるように配線層４を選択的に被覆している。これにより、絶縁層５には、配線層４のパッド部１３を露出させるパッド開口１４が形成されている。
また、絶縁層５は、下地電極層３の周縁部の上から下地電極層３外の領域に張り出し、支持基板２の主面８に対向している。絶縁層５は、より具体的には、下地電極層３の上面に沿う横方向に張り出している。絶縁層５は、下地電極層３の側面から第１電極層１１および第２電極層１２を露出させている。

絶縁層５は、より具体的には、基部１５、被覆部１６および張り出し部１７を有している。絶縁層５の基部１５は、下地電極層３の周縁部の上に形成されている。絶縁層５の基部１５は、より具体的には、下地電極層３の周縁部において第２電極層１２の上に形成されている。絶縁層５の被覆部１６は、基部１５から配線層４側に向けて延びている。絶縁層５の被覆部１６は、パッド部１３を露出させるように配線層４を被覆している。
絶縁層５の張り出し部１７は、基部１５から配線層４とは反対側の方向に向けて延びている。絶縁層５の張り出し部１７は、下地電極層３の上面に沿う横方向に延び、下地電極層３外の領域に張り出している。絶縁層５の張り出し部１７は、支持基板２の主面８に対向している。

絶縁層５の厚さＴ４は、０．５μｍ以上４０μｍ以下であってもよい。厚さＴ４は、０．５μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。厚さＴ４は、１０μｍ以上２０μｍ以下であってもよい。厚さＴ４は、２０μｍ以上３０μｍ以下であってもよい。厚さＴ４は、３０μｍ以上４０μｍ以下であってもよい。
絶縁層５は、無機系の絶縁体または有機系の絶縁体を含んでいてもよい。無機系の絶縁体は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウムまたは酸窒化アルミニウムのうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。

有機系の絶縁体は、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂またはフェノール樹脂のうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。有機系の絶縁体は、感光性樹脂を含んでいてもよい。
下地電極層３の厚さＴ０に対する絶縁層５の張り出し部１７の幅Ｗ１の比Ｗ１／Ｔ０は、１以上１０以下（１≦Ｗ１／Ｔ０≦１０）であってもよい。比Ｗ１／Ｔ０は、１以上５以下（１≦Ｗ１／Ｔ０≦５）であってもよい。

絶縁層５の張り出し部１７の幅Ｗ１は、０．０５μｍ以上６．０μｍ以下であってもよい。幅Ｗ１は、０．０５μｍ以上１．０μｍ以下であってもよい。幅Ｗ１は、１．０μｍ以上２．０μｍ以下であってもよい。幅Ｗ１は、２．０μｍ以上３．０μｍ以下であってもよい。幅Ｗ１は、３．０μｍ以上４．０μｍ以下であってもよい。幅Ｗ１は、４．０μｍ以上５．０μｍ以下であってもよい。幅Ｗ１は、５．０μｍ以上６．０μｍ以下であってもよい。

支持基板２の主面８、下地電極層３の側面および絶縁層５の張り出し部１７によって、配線層４側に向かって窪んだ空間１８が区画されている。
バンプ構造６は、配線層４のパッド部１３の上に形成されている。バンプ構造６は、配線層４側からこの順に積層されたＵＢＭ（Under Bump Metal）層１９および導電性接合材層２０を含む。

ＵＢＭ層１９は、この形態では、絶縁層５のパッド開口１４内に形成されている。ＵＢＭ層１９は、配線層４側からこの順に積層された第１電極層２１および第２電極層２２を含む。
第１電極層２１は、銅またはニッケルのうちの少なくとも一つを含む。第２電極層２２は、ニッケルまたは銅のうちの少なくとも一つを含む。第１電極層２１の厚さは、０．５μｍ以上６．０μｍ以下であってもよい。第２電極層２２の厚さは、０．５μｍ以上６．０μｍ以下であってもよい。

導電性接合材層２０は、半田または金属ペースト（この形態では、半田）を含む。半田は、錫（Ｓｎ）を含んでいてもよい。半田は、ＳｎＡｇ合金、ＳｎＳｂ合金、ＳｎＡｇＣｕ合金、ＳｎＺｎＢｉ合金、ＳｎＣｕ合金、ＳｎＣｕＮｉ合金またはＳｎＳｂＮｉ合金のうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。金属ペーストは、アルミニウム、銅、銀または金のうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。

封止絶縁層７は、支持基板２の主面８の上において、下地電極層３、配線層４、絶縁層５およびバンプ構造６を封止している。封止絶縁層７は、空間１８に入り込んでいる。チップ部品が導電性接合材層２０を介して配線構造体１に接続されている場合、封止絶縁層７は、チップ部品も封止する。
封止絶縁層７は、感光性樹脂または熱硬化性樹脂であってもよい。封止絶縁層７は、空間１８を封止している。封止絶縁層７は、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂またはフェノール樹脂のうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。

図３Ａ～図３Ｉは、図１に示す配線構造体１の製造方法の一例を説明するための断面図である。
まず、図３Ａを参照して、支持基板２が用意される。支持基板２は、シリコン基板の主面に主面絶縁膜１０を形成することによって形成されている。主面絶縁膜１０は、酸化処理法（たとえば熱酸化処理法）またはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって形成されてもよい。

次に、支持基板２の主面８の上に下地電極層３が形成される。下地電極層３を形成する工程は、支持基板２の主面８側から、第１電極層１１および第２電極層１２をこの順に形成する工程を含む。第１電極層１１および第２電極層１２は、それぞれ、スパッタ法によって形成されてもよい。
次に、図３Ｂを参照して、所定パターンを有するマスク３１が下地電極層３の上に形成される。マスク３１は、下地電極層３において配線層４を形成すべき領域を露出させる開口３２を有している。マスク３１は、感光性樹脂であってもよい。マスク３１の開口３２は、フォトマスクを介する露光工程の後、現像工程を経て形成される。

次に、図３Ｃを参照して、下地電極層３の上に配線層４が形成される。配線層４は、マスク３１から露出する下地電極層３の上に形成される。配線層４は、電解銅めっき法によって形成されてもよい。配線層４が形成された後、マスク３１は除去される。
次に、図３Ｄを参照して、下地電極層３の上に絶縁層５が形成される。絶縁層５は、配線層４の全域を被覆する。絶縁層５が無機系の絶縁体を含む場合、絶縁層５は、ＣＶＤ法によって形成されてもよい。絶縁層５が有機系の絶縁体を含む場合、絶縁層５は、感光性樹脂を支持基板２の主面８の上に塗布することによって形成されてもよい。

次に、図３Ｅを参照して、絶縁層５の不要な部分が除去される。絶縁層５が無機系の絶縁体を含む場合、絶縁層５の不要な部分は、マスク（図示せず）を介するエッチング法によって除去されてもよい。
絶縁層５が有機系の絶縁体を含む場合、絶縁層５の不要な部分は、露光および現像によって除去されてもよい。これにより、パッド開口１４を有する所定パターンの絶縁層５が形成される。

次に、図３Ｆを参照して、所定パターンを有するマスク３３が、絶縁層５を被覆するように下地電極層３の上に形成される。マスク３３は、パッド開口１４を露出させる開口３４を有している。
次に、バンプ構造６が形成される。バンプ構造６を形成する工程では、まず、ＵＢＭ層１９が、パッド開口１４から露出する配線層４の上に形成される。ＵＢＭ層１９を形成する工程は、配線層４側から、第１電極層２１および第２電極層２２をこの順に形成する工程を含む。

第１電極層２１は、電解銅めっき法によって形成されてもよい。第２電極層２２は、電解ニッケルめっき法によって形成されてもよい。次に、導電性接合材層２０が、ＵＢＭ層１９の上に形成される。導電性接合材層２０は、電解半田めっき法によって形成されてもよい。その後、マスク３３は、除去される。
次に、図３Ｇを参照して、導電性接合材層２０が加熱される。これにより、導電性接合材層２０が、半球状に整形される。導電性接合材層２０に対する加熱工程は、必ずしもこのタイミングで実施される必要はない。導電性接合材層２０に対する加熱工程は、封止絶縁層７の形成工程前であれば、任意のタイミングで実施され得る。

次に、図３Ｈを参照して、下地電極層３の不要な部分が除去される。この工程では、まず、第２電極層１２の不要な部分が除去される。より具体的には、第２電極層１２において絶縁層５から露出する部分が除去される。第２電極層１２は、等方性エッチング法（たとえばウエットエッチング法）によって除去されてもよい。
この工程では、第２電極層１２において絶縁層５の周縁部直下に位置する部分も、エッチング法によって除去される。これにより、第２電極層１２の周縁部が、絶縁層５の周縁部よりも内方の領域に形成される。

次に、第１電極層１１の不要な部分が除去される。より具体的には、第１電極層１１において絶縁層５から露出する部分が除去される。第１電極層１１は、等方性エッチング法（たとえばウエットエッチング法）によって除去されてもよい。
この工程では、第１電極層１１において絶縁層５の周縁部直下に位置する部分も、エッチング法によって除去される。これにより、第１電極層１１の周縁部が、絶縁層５の周縁部よりも内方の領域に形成される。このようにして、所定パターンを有する下地電極層３が形成される。

次に、図３Ｉを参照して、支持基板２の主面８の上に、封止絶縁層７が形成される。封止絶縁層７は、下地電極層３、配線層４、絶縁層５およびバンプ構造６を封止する。
封止絶縁層７は、感光性樹脂または熱硬化性樹脂を支持基板２の主面８の上に塗布することによって形成されてもよい。以上を含む工程を経て、配線構造体１が形成される。チップ部品がバンプ構造６（導電性接合材２０）に接続される場合には、チップ部品は、封止絶縁層７の形成工程に先だってバンプ構造６（導電性接合材２０）に接続される。

以上、配線構造体１によれば、下地電極層３の上から下地電極層３外の領域に張り出すように下地電極層３の周縁部の上に絶縁層５が形成されている。これにより、溶融した導電性接合材層２０の流出を絶縁層５によって抑制できる。
特に、絶縁層５には、配線層４のパッド部１３を露出させるパッド開口１４が形成されている。このパッド開口１４内には、導電性接合材層２０を含むバンプ構造６が形成されている。これにより、溶融した導電性接合材層２０の流出を絶縁層５によって適切に抑制できる。

しかも、配線層４の下層に形成された下地電極層３は、絶縁層５よりも内側の領域に位置している。したがって、仮に、溶融した導電性接合材層２０が配線層４外にしみ出したとしても、絶縁層５よりも内側の領域において導電性接合材を下地電極層３に伝わらせることができる。これにより、導電性接合材層２０が、絶縁層５外の領域に流出することを抑制できる。

また、絶縁層５の張り出し部１７および支持基板２の主面８の間の領域に区画された空間１８は、封止絶縁層７によって封止されている。これにより、溶融した導電性接合材層２０が空間１８に存在する場合には、空間１８内において導電性接合材層２０を封止できる。よって、溶融した導電性接合材層２０の流出を適切に抑制できる。
図４は、本発明の第２実施形態に係る配線構造体４１の内部構造を示す平面図である。図５は、図４に示すV-V線に沿う断面図である。以下では、配線構造体１（図１および図２等参照）に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付して説明を省略する。

図４および図５を参照して、配線構造体４１は、支持基板２、下地電極層３、配線層４、絶縁層５、バンプ構造６および封止絶縁層７を含む。図４では、封止絶縁層７を透過した配線構造体４１の内部構造が示されている。図４および図５では、チップ部品が配線構造体４１に接続されていない状態が示されている。
下地電極層３の第２電極層１２は、第１電極層１１の上から第１電極層１１外の領域に張り出し、支持基板２の主面８に対向している。第２電極層１２は、第１電極層１１の上面に沿う横方向に張り出している。

第２電極層１２は、より具体的には、電極基部４２および電極張り出し部４３を含む。電極基部４２は、第１電極層１１を被覆している。電極張り出し部４３は、電極基部４２から第１電極層１１とは反対側に向けて延びている。電極張り出し部４３は、第１電極層１１の上面に沿う横方向に延び、第１電極層１１外の領域に張り出している。電極張り出し部４３は、支持基板２の主面８に対向している。

第１電極層１１の厚さＴ１に対する第２電極層１２の電極張り出し部４３の幅Ｗ２の比Ｗ２／Ｔ１は、１以上１０以下（１≦Ｗ２／Ｔ１≦１０）であってもよい。比Ｗ２／Ｔ１は、１以上５以下（１≦Ｗ２／Ｔ１≦５）であってもよい。
第２電極層１２の電極張り出し部４３の幅Ｗ２は、０．０１μｍ以上６．０μｍ以下であってもよい。幅Ｗ２は、０．０１μｍ以上１．０μｍ以下であってもよい。幅Ｗ２は、１．０μｍ以上２．０μｍ以下であってもよい。幅Ｗ２は、２．０μｍ以上３．０μｍ以下であってもよい。幅Ｗ２は、３．０μｍ以上４．０μｍ以下であってもよい。幅Ｗ２は、４．０μｍ以上５．０μｍ以下であってもよい。幅Ｗ２は、５．０μｍ以上６．０μｍ以下であってもよい。

支持基板２の主面８、第１電極層１１の側面および第２電極層１２の電極張り出し部４３によって、第１電極層１１側に向かって窪んだ第１空間４４が区画されている。
配線層４は、下地電極層３の上に形成されている。第２電極層１２の電極基部４２および電極張り出し部４３を一括して被覆している。配線層４は、より具体的には、配線基部４５および配線張り出し部４６を含む。

配線基部４５は、第２電極層１２の電極基部４２を被覆している。配線張り出し部４６は、第２電極層１２の電極張り出し部４３を被覆している。配線層４の側面は、第２電極層１２の側面に段差なく接続されていてもよい。
配線層４は、第２電極層１２の上から第２電極層１２外の領域に張り出し、支持基板２の主面８に対向していてもよい。この場合、配線層４は、第２電極層１２の上面に沿う横方向に張り出していてもよい。配線層４の側面および第２電極層１２の側面の間には、段差部が形成されていてもよい。

絶縁層５は、配線層４の上に形成されている。絶縁層５は、配線層４の上から配線層４外の領域に張り出し、支持基板２の主面８に対向している。絶縁層５は、配線層４の上面に沿う横方向に張り出している。絶縁層５は、配線層４の側面を露出させている。
絶縁層５は、より具体的には、絶縁基部４７および絶縁張り出し部４８を含む。絶縁基部４７は、配線層４の配線基部４５を被覆している。絶縁張り出し部４８は、配線層４の配線張り出し部４６を被覆している。絶縁張り出し部４８は、配線層４の上面に沿う横方向に延び、配線層４外の領域に張り出している。絶縁張り出し部４８は、支持基板２の主面８に対向している。

絶縁層５の絶縁張り出し部４８の幅は、第１電極層１１の厚さＴ１以上であってもよい。絶縁層５の厚さＴ５は、０．５μｍ以上４０μｍ以下であってもよい。厚さＴ５は、０．５μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。厚さＴ５は、１０μｍ以上２０μｍ以下であってもよい。厚さＴ５は、２０μｍ以上３０μｍ以下であってもよい。厚さＴ５は、３０μｍ以上４０μｍ以下であってもよい。

支持基板２の主面８、配線層４の側面および絶縁層５の絶縁張り出し部４８によって、配線層４側に向かって窪んだ第２空間４９が区画されている。第２空間４９は、第１空間４４に連通している。
バンプ構造６は、絶縁層５に形成されたパッド開口１４内に形成されている。パッド開口１４は、配線層４の配線基部４５を露出させている。これにより、バンプ構造６は、配線層４の配線基部４５に接続されている。

封止絶縁層７は、支持基板２の主面８の上において、下地電極層３、配線層４、絶縁層５およびバンプ構造６を封止している。封止絶縁層７は、第１空間４４および第２空間４９に入り込んでいる。チップ部品が導電性接合材層２０を介して配線構造体４１に接続されている場合、封止絶縁層７は、チップ部品も封止する。
図６Ａ～図６Ｆは、図４に示す配線構造体４１の製造方法の一例を説明するための断面図である。

まず、図６Ａを参照して、前述の図３Ａ～図３Ｄの工程を経て、支持基板２の上に、下地電極層３、配線層４および絶縁層５が形成される。
次に、図６Ｂを参照して、絶縁層５の不要な部分が除去される。この形態では、絶縁層５において、パッド開口１４を形成すべき領域および配線層４外の領域が除去される。これにより、絶縁層５が、配線層４の上だけに形成される。

次に、図６Ｃを参照して、バンプ構造６が形成される。バンプ構造６は、図３Ｆ～図３Ｇと同様の工程を経て形成される。
次に、図６Ｄを参照して、下地電極層３の不要な部分が除去される。この工程では、まず、第２電極層１２の不要な部分が除去される。より具体的には、第２電極層１２において配線層４から露出する部分が除去される。第２電極層１２は、等方性エッチング法（たとえばウエットエッチング法）によって除去されてもよい。

この工程では、配線層４において絶縁層５から露出する部分も除去される。配線層４は、第２電極層１２の厚さＴ２に応じた分だけ除去される。これにより、配線層４の側面および第２電極層１２の側面が、絶縁層５の周縁部よりも内側の領域に形成される。
次に、図６Ｅを参照して、第１電極層１１の不要な部分が除去される。より具体的には、第１電極層１１において第２電極層１２から露出する部分が除去される。第２電極層１２は、等方性エッチング法（たとえばウエットエッチング法）によって除去されてもよい。

この工程では、第１電極層１１において第２電極層１２の周縁部直下に位置する部分も、エッチング法によって除去される。これにより、第１電極層１１の周縁部が、第２電極層１２の周縁部よりも内方の領域に形成される。このようにして、所定パターンを有する下地電極層３が形成される。
次に、図６Ｆを参照して、支持基板２の主面８の上に、封止絶縁層７が形成される。封止絶縁層７は、下地電極層３、配線層４、絶縁層５およびバンプ構造６を封止する。封止絶縁層７は、第１空間４４および第２空間４９を封止する。

以上を含む工程を経て、配線構造体４１が形成される。チップ部品がバンプ構造６（導電性接合材２０）に接続される場合には、チップ部品は、封止絶縁層７の形成工程に先だってバンプ構造６（導電性接合材２０）に接続される。
以上、配線構造体４１によれば、配線層４を被覆する絶縁層５が形成されている。したがって、この絶縁層５によって、溶融した導電性接合材層２０の流出を抑制できる。しかも、下地電極層３は、配線層４よりも内側の領域に位置している。

したがって、仮に、溶融した導電性接合材層２０が絶縁層５外にしみ出したとしても、配線層４および下地電極層３に伝わらせることができる。下地電極層３では、配線層４よりも内側の領域において導電性接合材層２０を伝わらせることができる。これにより、導電性接合材層２０が、配線層４外の領域に流出することを抑制できる。よって、導電性接合材層２０の流出を抑制できる配線構造体１を提供できる。

また、配線層４の張り出し部１７および支持基板２の主面８の間の領域に区画された第１空間４４は、封止絶縁層７によって封止されている。これにより、溶融した導電性接合材層２０が第１空間４４に存在する場合には、第１空間４４内において導電性接合材層２０を封止できる。よって、溶融した導電性接合材層２０の流出を適切に抑制できる。
また、絶縁層５の絶縁張り出し部４８および支持基板２の主面８の間の領域に区画された第２空間４９は、封止絶縁層７によって封止されている。これにより、溶融した導電性接合材層２０が第２空間４９に存在する場合には、第２空間４９内において導電性接合材層２０を封止できる。よって、溶融した導電性接合材層２０の流出を適切に抑制できる。

図７は、本発明の第３実施形態に係る配線構造体５１を示す断面図である。以下では、配線構造体４１（図４および図５等参照）に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付して説明を省略する。
図７を参照して、配線構造体５１では、絶縁層５は、絶縁張り出し部４８を備えていない。絶縁層５は、配線層４の上面において周縁部よりも内側の領域に形成されている。絶縁層５は、少なくとも配線層４の配線基部４５を被覆している。絶縁層５は、配線層４の配線張り出し部４６の一部を被覆していてもよい。

配線層４の外面において、絶縁層５から露出する露出部には、下地電極層３側に向かって窪んだリセス部５２が形成されている。リセス部５２は、絶縁層５の側面に段差なく繋がっている。
このような構造の配線構造体５１は、前述の図６Ｂの工程において、配線層４の上面において周縁部よりも内側の領域に絶縁層５を形成することによって製造される。リセス部５２は、図６Ｄの工程において、第２電極層１２を除去すると共に、配線層４の一部が除去されることによって形成される。

以上、配線構造体５１によっても、配線構造体４１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。
図８は、本発明の第４実施形態に係る配線構造体６１の内部構造を示す平面図である。図９は、図８に示すIX-IX線に沿う断面図である。以下では、配線構造体１（図１および図２等参照）に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付して説明を省略する。

図８および図９を参照して、配線構造体６１は、下地電極層３、配線層４、絶縁層５、バンプ構造６、封止絶縁層７、下地絶縁層６２および端子電極層６３を含む。図８では、封止絶縁層７を透過した配線構造体６１の内部構造が示されている。図８および図９では、チップ部品が配線構造体６１に接続されていない状態が示されている。
以下では、下地電極層３において、配線層４とは反対側の主面を電極面６４という。下地電極層３の電極面６４は、第１電極層１１によって形成されている。

配線構造体６１は、配線構造体１とは異なり、支持基板２を備えていない。下地電極層３および絶縁層５の張り出し部１７の間の領域には、空間１８に代えて段差部６５が区画されている。段差部６５は、下地電極層３の側面および絶縁層５の張り出し部１７によって区画されている。
封止絶縁層７は、配線層４、絶縁層５およびバンプ構造６を封止している。封止絶縁層７は、下地電極層３を露出させ、段差部６５を被覆している。チップ部品が導電性接合材層２０を介して配線構造体６１に接続されている場合、封止絶縁層７は、チップ部品も封止する。封止絶縁層７において段差部６５を被覆する部分は、絶縁層５が封止絶縁層７から抜け落ちるのを抑制する抜け止め部を形成している。

封止絶縁層７は、下地電極層３の電極面６４を露出させている。下地電極層３の電極面６４は、封止絶縁層７の外面に対して面一に形成されている。下地電極層３の電極面６４および封止絶縁層７の外面によって、一つの平坦面が形成されている。この平坦面は、研削面ではない。
下地絶縁層６２は、下地電極層３の電極面６４を被覆している。下地絶縁層６２において、下地電極層３とは反対側に位置する面は、外部に露出する露出面として形成されている。下地絶縁層６２は、下地電極層３側から封止絶縁層７側に向けて延び、封止絶縁層７の外面を被覆している。

下地絶縁層６２は、下地電極層３および封止絶縁層７によって形成された平坦面を一括して被覆している。下地絶縁層６２は、封止絶縁層７（抜け止め部）を挟んで、絶縁層５の張り出し部１７と対向している。これにより、絶縁層５の抜け落ちを適切に抑制できる。
下地絶縁層６２は、無機系の絶縁体または有機系の絶縁体を含んでいてもよい。無機系の絶縁体は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウムまたは酸窒化アルミニウムのうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。

有機系の絶縁体は、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂またはフェノール樹脂のうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。有機系の絶縁体は、感光性樹脂を含んでいてもよい。
下地絶縁層６２には、下地電極層３の電極面６４の任意の領域をパッド部として露出させる下側パッド開口６６が形成されている。下側パッド開口６６は、この形態では、平面視においてバンプ構造６と重ならない領域に形成されている。

端子電極層６３は、下地絶縁層６２を貫通し、下地電極層３に接続されている。より具体的には、端子電極層６３は、下地絶縁層６２の下側パッド開口６６内に形成されている。これにより、端子電極層６３は、平面視においてバンプ構造６と重ならない領域に形成されている。
端子電極層６３は、下側パッド開口６６内において、下地電極層３に接続されている。端子電極層６３は、外部接続される外部端子電極層として形成されていてもよい。端子電極層６３は、下地絶縁層６２の外面から下地電極層３とは反対側の方向に突出している。

端子電極層６３は、下地絶縁層６２の外面を被覆するオーバラップ部を有していてもよい。端子電極層６３は、下地電極層３側からこの順に形成されたＮｉ層、Ｐｄ層およびＡｕ層を含む積層構造を有していてもよい。
図１０Ａ～図１０Ｅは、図８に示す配線構造体６１の製造方法の一例を説明するための断面図である。

まず、図１０Ａを参照して、支持基板７１が用意される。支持基板７１は、製造途中で除去可能な部材であればどのような部材が用いられてもよい。支持基板７１の除去には、支持基板７１の研削、剥離またはエッチングが含まれる。
支持基板７１は、半導体基板または金属基板であってもよい。半導体基板は、シリコン基板であってもよい。金属基板は、銅基板またはステンレス基板であってもよい。以下では、支持基板７１がステンレス基板からなる例について説明する。

支持基板７１が用意された後、樹脂層７２が、支持基板７１の主面に形成される。樹脂層７２は、永久膜とも称される。樹脂層７２は、ネガティブタイプの感光性樹脂を含んでいてもよい。
樹脂層７２は、フィルム状の樹脂シートを支持基板７１の主面に貼着することによって形成されてもよい。樹脂層７２は、液状樹脂を支持基板７１の主面に塗布することによって形成されてもよい。樹脂層７２は、支持基板７１の主面の上において、露光および現像される。

次に、図１０Ｂを参照して、下地電極層３、配線層４、絶縁層５、バンプ構造６および封止絶縁層７を含む封止構造体７３が、樹脂層７２の上に形成される。封止構造体７３は、前述の配線構造体１の製造方法（図３Ａ～図３Ｉ参照）と同様の工程を経て形成される。
封止構造体７３は、樹脂層７２の上面に沿って形成される。したがって、封止構造体７３において樹脂層７２に被覆された下面は平坦に形成される。封止構造体７３の下面は、下地電極層３および封止絶縁層７によって形成されている。封止構造体７３の下面は、研削面ではない。

次に、図１０Ｃを参照して、封止構造体７３が、樹脂層７２から剥離される。これにより、封止構造体７３の下面が露出する。封止構造体７３の下面において、下地電極層３は、封止絶縁層７の外面に対して面一に形成される。封止構造体７３から剥離された支持基板７１は、配線構造体６１を製造するための基板として再利用される。
次に、図１０Ｄを参照して、下地絶縁層６２が、封止構造体７３の下面を被覆するように形成される。下地絶縁層６２は、より具体的には、下地電極層３および封止絶縁層７を被覆する。

下地絶縁層６２が無機系の絶縁体を含む場合、下地絶縁層６２は、ＣＶＤ法によって形成されてもよい。下地絶縁層６２が有機系の絶縁体を含む場合、下地絶縁層６２は、感光性樹脂を封止構造体７３の下面の上に塗布することによって形成されてもよい。
次に、図１０Ｅを参照して、下地絶縁層６２に、下地電極層３を露出させるパッド開口１４が形成される。

下地絶縁層６２が無機系の絶縁体を含む場合、下地絶縁層６２の不要な部分は、マスク（図示せず）を介するエッチング法によって除去されてもよい。下地絶縁層６２が有機系の絶縁体を含む場合、下地絶縁層６２の不要な部分は、露光および現像によって除去されてもよい。これにより、パッド開口１４を有する所定パターンの下地絶縁層６２が形成される。

次に、端子電極層６３が、下側パッド開口６６内に形成される。端子電極層６３を形成する工程は、Ｎｉ層、Ｐｄ層およびＡｕ層を、下地電極層３側からこの順に形成する工程を含む。Ｎｉ層、Ｐｄ層およびＡｕ層は、無電解めっき法によってそれぞれ形成されてもよい。
以上を含む工程を経て、配線構造体６１が製造される。チップ部品がバンプ構造６（導電性接合材２０）に接続される場合には、チップ部品は、封止絶縁層７の形成工程に先だってバンプ構造６（導電性接合材２０）に接続される。

配線構造体６１によっても、配線構造体１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。
図１１は、本発明の第５実施形態に係る配線構造体８１の内部構造を示す平面図である。図１２は、図１１に示すXII-XII線に沿う断面図である。以下では、配線構造体６１（図８および図９等参照）に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付して説明を省略する。

図１１および図１２を参照して、配線構造体８１は、下地電極層３、配線層４、絶縁層５、バンプ構造６、封止絶縁層７、下地絶縁層６２および端子電極層６３を含む。図１１では、封止絶縁層７を透過した配線構造体８１の内部構造が示されている。図１１および図１２では、チップ部品が配線構造体８１に接続されていない状態が示されている。
下地電極層３の第２電極層１２は、第１電極層１１の上から下地電極層３外の領域に張り出している。第２電極層１２は、第１電極層１１の上面に沿う横方向に張り出している。

第２電極層１２は、より具体的には、電極基部８２および電極張り出し部８３を含む。電極基部８２は、第１電極層１１を被覆している。電極張り出し部８３は、電極基部８２から第１電極層１１とは反対側に向けて延びている。電極張り出し部８３は、第１電極層１１の上面に沿う横方向に延び、第１電極層１１外の領域に張り出している。
第１電極層１１の厚さＴ１に対する第２電極層１２の電極張り出し部８３の幅Ｗ３の比Ｗ３／Ｔ１は、１以上１０以下（１≦Ｗ３／Ｔ１≦１０）であってもよい。比Ｗ３／Ｔ１は、１以上５以下（１≦Ｗ３／Ｔ１≦５）であってもよい。

第２電極層１２の電極張り出し部８３の幅Ｗ３は、０．０１μｍ以上５．０μｍ以下であってもよい。幅Ｗ３は、０．０５μｍ以上１．０μｍ以下であってもよい。幅Ｗ３は、１．０μｍ以上２．０μｍ以下であってもよい。幅Ｗ３は、２．０μｍ以上３．０μｍ以下であってもよい。幅Ｗ３は、３．０μｍ以上４．０μｍ以下であってもよい。幅Ｗ３は、４．０μｍ以上５．０μｍ以下であってもよい。

第１電極層１１の側面および第２電極層１２の電極張り出し部８３の間の領域には、第１段差部８４が区画されている。
配線層４は、下地電極層３の上に形成されている。配線層４は、第２電極層１２の電極基部８２および電極張り出し部８３を一括して被覆している。
配線層４は、より具体的には、配線基部８５および配線張り出し部８６を含む。配線基部８５は、第２電極層１２の電極基部８２を被覆している。配線張り出し部８６は、第２電極層１２の電極張り出し部８３を被覆している。配線層４の側面は、第２電極層１２の側面に段差なく接続されていてもよい。

配線層４は、第２電極層１２の上から第２電極層１２外の領域に張り出していてもよい。この場合、配線層４は、第２電極層１２の上面に沿う横方向に張り出していてもよい。配線層４の側面および第２電極層１２の側面の間には、段差部が形成されていてもよい。
絶縁層５は、配線層４の上に形成されている。絶縁層５は、配線層４の上から配線層４外の領域に張り出している。絶縁層５は、配線層４の上面に沿う横方向に張り出している。絶縁層５は、配線層４の側面を露出させている。

絶縁層５は、より具体的には、絶縁基部８７および絶縁張り出し部８８を有している。絶縁基部８７は、配線層４の配線基部８５を被覆している。絶縁張り出し部８８は、配線層４の配線張り出し部８６を被覆している。絶縁張り出し部８８は、配線層４の上面に沿う横方向に延び、配線層４外の領域に張り出している。
絶縁層５の絶縁張り出し部８８の幅は、第１電極層１１の厚さＴ１以上であってもよい。絶縁層５の厚さＴ６は、０．５μｍ以上４０μｍ以下であってもよい。厚さＴ６は、０．５μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。厚さＴ６は、１０μｍ以上２０μｍ以下であってもよい。厚さＴ６は、２０μｍ以上３０μｍ以下であってもよい。厚さＴ６は、３０μｍ以上４０μｍ以下であってもよい。

配線層４の側面および絶縁層５の絶縁張り出し部８８の間の領域には、第２段差部８９が区画されている。
封止絶縁層７は、配線層４、絶縁層５およびバンプ構造６を封止している。封止絶縁層７は、第１段差部８４および第２段差部８９を封止し、下地電極層３の電極面６４を露出させている。チップ部品が導電性接合材層２０を介して配線構造体８１に接続されている場合、封止絶縁層７は、チップ部品も封止する。

封止絶縁層７において第１段差部８４を被覆する部分は、配線層４が封止絶縁層７から抜け落ちるのを抑制する第１抜け止め部を形成している。封止絶縁層７において第２段差部８９を被覆する部分は、絶縁層５が封止絶縁層７から抜け落ちるのを抑制する第２抜け止め部を形成している。
下地絶縁層６２は、封止絶縁層７（第１抜け止め部および第２抜け止め部）を挟んで、電極面６４の電極張り出し部８３および絶縁層５の絶縁張り出し部８８と対向している。これにより、配線層４および絶縁層５の抜け落ちを適切に抑制できる。

図１３Ａ～図１３Ｆは、図１１に示す配線構造体８１の製造方法の一例を説明するための断面図である。
まず、図１３Ａを参照して、支持基板７１の上に樹脂層７２が形成される。次に、樹脂層７２の上に、下地電極層３、配線層４および絶縁層５が形成される。下地電極層３、配線層４および絶縁層５は、前述の図３Ｂ～図３Ｄと同様の工程を経て形成される。

次に、図１３Ｂを参照して、絶縁層５の不要な部分が除去される。この形態では、絶縁層５において、パッド開口１４を形成すべき領域および配線層４外の領域が除去される。これにより、絶縁層５が、配線層４の上だけに形成される。
次に、図１３Ｃを参照して、バンプ構造６が形成される。バンプ構造６は、図３Ｆ～図３Ｇと同様の工程を経て形成される。

次に、図１３Ｄを参照して、下地電極層３の不要な部分が除去される。この工程では、まず、第２電極層１２の不要な部分が除去される。より具体的には、第２電極層１２において配線層４から露出する部分が除去される。第２電極層１２は、等方性エッチング法（たとえばウエットエッチング法）によって除去されてもよい。
この工程では、配線層４において絶縁層５から露出する部分も除去される。配線層４は、第２電極層１２の厚さＴ２に応じた分だけ除去される。これにより、配線層４の側面および第２電極層１２の側面が、絶縁層５の周縁部よりも内方の領域に形成される。

次に、図１３Ｅを参照して、第１電極層１１の不要な部分が除去される。より具体的には、第１電極層１１において第２電極層１２から露出する部分が除去される。第２電極層１２は、等方性エッチング法（たとえばウエットエッチング法）によって除去されてもよい。
この工程では、第１電極層１１において第２電極層１２の周縁部直下に位置する部分も、エッチング法によって除去される。これにより、第１電極層１１の周縁部が、第２電極層１２の周縁部よりも内方の領域に形成される。このようにして、所定パターンを有する下地電極層３が形成される。

次に、図１３Ｆを参照して、樹脂層７２の上に、封止絶縁層７が形成される。これにより、封止構造体７３が形成される。その後、図１０Ｃ～図１０Ｅと同様の工程を経て、配線構造体８１が製造される。チップ部品がバンプ構造６（導電性接合材２０）に接続される場合には、チップ部品は、封止絶縁層７の形成工程に先だってバンプ構造６（導電性接合材２０）に接続される。

以上、配線構造体８１によっても、配線構造体６１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。
図１４は、本発明の第６実施形態に係る配線構造体９１を示す断面図である。以下では、配線構造体８１（図１１および図１２等参照）に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付して説明を省略する。

図１４を参照して、配線構造体９１では、絶縁層５は、絶縁張り出し部８８を備えていない。絶縁層５は、配線層４の上面において周縁部よりも内側の領域に形成されている。絶縁層５は、少なくとも配線層４の配線基部８５を被覆している。絶縁層５は、配線層４の配線張り出し部８６の一部を被覆していてもよい。
配線層４の外面において、絶縁層５から露出する露出部には、下地電極層３側に向かって窪んだリセス部９２が形成されている。リセス部９２は、絶縁層５の側面に段差なく繋がっている。

このような構造の配線構造体９１は、前述の図１３Ｂの工程において、配線層４の上面において周縁部よりも内側の領域に絶縁層５を形成することによって製造される。リセス部９２は、図１３Ｄの工程において、第２電極層１２と共に、配線層４の一部が除去されることによって形成される。
以上、配線構造体９１によっても、配線構造体８１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。

図１５は、本発明の第１実施形態に係る電子部品１０１の内部構造を示す平面図である。図１６は、図１５に示すXVI-XVI線に沿う断面図である。
電子部品１０１は、前述の配線構造体１（図１および図２参照）が組み込まれた部品である。以下では、配線構造体１に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付し、一部の説明（たとえば配線構造体１に含まれる各構造のサイズ）については省略する。

電子部品１０１は、ピッチ変換用の基板（支持基板）としてのインターポーザ１０２、配線構造体１、チップ部品１０３、電極体１０４、封止絶縁層１０５および外部端子１０６を含む。
インターポーザ１０２および封止絶縁層１０５は、配線構造体１の支持基板２および封止絶縁層７に相当する。つまり、配線構造体１は、この形態では、インターポーザ１０２の一部、封止絶縁層１０５の一部、下地電極層３、配線層４、絶縁層５およびバンプ構造６を含む。

インターポーザ１０２は、一方側の第１主面１０７、他方側の第２主面１０８、ならびに、第１主面１０７および第２主面１０８を接続する側面１０９を有している。第１主面１０７および第２主面１０８は、それぞれ平坦に形成されている。第１主面１０７および第２主面１０８は、それらの法線方向から見た平面視（以下、単に「平面視」という。）において四角形状（この形態では長方形状）に形成されている。

インターポーザ１０２は、基体１１０および主面絶縁層１１１を含む。インターポーザ１０２の基体１１０および主面絶縁層１１１は、それぞれ、配線構造体１に係る支持基板２の基体９および主面絶縁膜１０に相当する。
主面絶縁層１１１は、基体１１０の主面を被覆している。基体１１０は、半導体基板であってもよい。半導体基板は、シリコンを含んでいてもよい。主面絶縁層１１１は、酸化シリコンまたは窒化シリコンを含んでいてもよい。

インターポーザ１０２には、チップ配置領域１１２および外側領域１１３が設定されている。チップ配置領域１１２は、チップ部品１０３が配置される領域である。チップ配置領域１１２は、主面絶縁層１１１の中央領域に設定されている。
チップ配置領域１１２は、平面視において、チップ部品１０３の平面形状に対応した四角形状に設定されている。外側領域１１３は、チップ配置領域１１２の外側の領域に設定されている。外側領域１１３は、平面視においてチップ配置領域１１２を取り囲む無端状（四角環状）に設定されている。

この形態では、複数（ここでは４つ）の配線構造体１が、インターポーザ１０２の第１主面１０７の上に形成されている。各配線構造体１は、チップ配置領域１１２および外側領域１１３に跨っている。各配線構造体１は、第１パッド領域１２１、第２パッド領域１２２および接続領域１２３を含む。
第１パッド領域１２１は、チップ配置領域１１２に形成されている。第１パッド領域１２１には、チップ部品１０３が接続される。第１パッド領域１２１は、この形態では、平面視において四角形状に形成されている。第１パッド領域１２１の平面形状は、任意であり、四角形状に限定されない。

第２パッド領域１２２は、第１パッド領域１２１とは異なる領域に形成されている。第２パッド領域１２２は、外側領域１１３に形成されている。第２パッド領域１２２には、電極体１０４が接続される。第２パッド領域１２２は、この形態では、平面視において四角形状に形成されている。第２パッド領域１２２の平面形状は、任意であり、四角形状に限定されない。

接続領域１２３は、第１パッド領域１２１および第２パッド領域１２２を接続している。接続領域１２３は、この形態では、第１パッド領域１２１および第２パッド領域１２２の間の任意の領域をライン状に引き回されている。
下地電極層３は、インターポーザ１０２の第１主面１０７の上に形成されている。下地電極層３は、第１パッド領域１２１、第２パッド領域１２２および接続領域１２３に対応した平面形状を有している。

下地電極層３は、インターポーザ１０２側からこの順に積層された第１電極層１１および第２電極層１２を含む積層構造を有している。第１電極層１１の側面は、第２電極層１２の側面に対して面一に形成されていてもよい。第１電極層１１の側面は、第２電極層１２の側面に対して外側に張り出していてもよい。第１電極層１１の側面は、第２電極層１２の側面に対して内側に形成されていてもよい。

配線層４は、下地電極層３の上に形成されている。配線層４は、第１パッド領域１２１、第２パッド領域１２２および接続領域１２３に対応した平面形状を有している。配線層４は、下地電極層３の周縁部から内方領域に間隔を空けて形成され、下地電極層３の周縁部を露出させている。
配線層４は、第１パッド部１２４（接続部）および第２パッド部１２５を含む。第１パッド部１２４は、第１パッド領域１２１に形成されている。第２パッド部１２５は、第２パッド領域１２２に形成されている。

絶縁層５は、下地電極層３の上に形成されている。絶縁層５は、第１パッド領域１２１、第２パッド領域１２２および接続領域１２３に対応した平面形状を有している。第１パッド開口１２６は、配線層４の第１パッド部１２４および第２パッド部１２５を露出させるように配線層４を選択的に被覆している。これにより、絶縁層５には、第１パッド開口１２６および第２パッド開口１２７が形成されている。

絶縁層５は、下地電極層３の周縁部の上から下地電極層３外の領域に張り出し、インターポーザ１０２の第１主面１０７に対向している。絶縁層５は、下地電極層３の上面に沿う横方向に張り出している。
絶縁層５は、より具体的には、基部１５、被覆部１６および張り出し部１７を有している。絶縁層５の基部１５は、下地電極層３の周縁部の上に形成されている。絶縁層５の被覆部１６は、基部１５から配線層４側に向けて延びている。絶縁層５の被覆部１６は、配線層４の第１パッド部１２４および第２パッド部１２５を露出させるように配線層４を選択的に被覆している。

絶縁層５の張り出し部１７は、基部１５から配線層４とは反対側の方向に向けて延びている。絶縁層５の張り出し部１７は、下地電極層３の上面に沿う横方向に延び、下地電極層３外の領域に張り出している。絶縁層５の張り出し部１７は、インターポーザ１０２の第１主面１０７に対向している。
インターポーザ１０２の第１主面１０７、下地電極層３の側面および絶縁層５の張り出し部１７によって、配線層４側に向かって窪んだ空間１８が区画されている。

バンプ構造６は、配線層４の第１パッド部１２４の上に形成されている。バンプ構造６は、配線層４側からこの順に積層されたＵＢＭ層１９および導電性接合材層２０を含む。ＵＢＭ層１９は、この形態では、絶縁層５の第１パッド開口１２６内に形成されている。ＵＢＭ層１９は、配線層４側からこの順に積層された第１電極層２１および第２電極層２２を含む。

電極体１０４は、各配線層４の第２パッド部１２５の上に形成されている。電極体１０４は、ブロック状または柱状に立設されている。電極体１０４は、銅層（より具体的には銅めっき層）を含む単層構造を有している。
電極体１０４は、一方側の第１電極主面１２８、他方側の第２電極主面１２９、ならびに、第１電極主面１２８および第２電極主面１２９を接続する電極側面１３０を有している。各電極体１０４の第２電極主面１２９は、各配線層４の第２パッド部１２５に接合されている。電極体１０４は、絶縁層５にオーバラップしていてもよい。

チップ部品１０３は、インターポーザ１０２の第１主面１０７の上に配置されている。チップ部品１０３は、直方体形状のチップ本体１３１を含む。チップ本体１３１は、一方側の実装面１３２、他方側の非実装面１３３、ならびに、実装面１３２および非実装面１３３を接続するチップ側面１３４を有している。
チップ本体１３１は、シリコン、窒化物半導体材料（たとえば窒化ガリウム）、酸化物半導体材料（たとえば酸化ガリウム）、酸化シリコン、窒化シリコンまたはセラミックのうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。

チップ本体１３１は、機能デバイスを含む。チップ部品１０３は、複数の機能デバイスを備えた集積回路デバイスであってもよい。チップ本体１３１は、単一機能デバイスからなるディスクリートデバイスであってもよい。
チップ部品１０３の実装面１３２には、複数（この形態では４個）のチップ側端子電極１３５が形成されている。複数のチップ側端子電極１３５は、それぞれ、機能デバイスに電気的に接続されている。チップ部品１０３の非実装面１３３には、この形態では、いずれの電極も形成されていない。

チップ部品１０３の実装面１３２は、絶縁層によって被覆されていてもよい。絶縁層には、チップ側端子電極１３５および機能デバイスを電気的に接続させるための配線を含む配線層が形成されていてもよい。複数のチップ側端子電極１３５は、最上絶縁層から外部に露出した最上配線であってもよい。
チップ部品１０３は、実装面１３２をインターポーザ１０２に対向させた姿勢で、インターポーザ１０２の第１主面１０７の上に配置されている。チップ部品１０３のチップ側端子電極１３５は、バンプ構造６（導電性接合材層２０）を介して、対応する配線構造体１の第１パッド領域１２１に接合されている。

封止絶縁層１０５は、インターポーザ１０２の第１主面１０７の上において、配線構造体１、チップ部品１０３および電極体１０４を封止している。封止絶縁層１０５は、空間１８を封止している。
封止絶縁層１０５は、封止主面１４１および封止側面１４２を含む。封止主面１４１は、インターポーザ１０２の第１主面１０７に対向している。封止主面１４１は、インターポーザ１０２の第１主面１０７に対して略平行に形成されている。封止側面１４２は、封止主面１４１の周縁部からインターポーザ１０２側に向けて延びている。

封止絶縁層１０５の封止側面１４２は、インターポーザ１０２の側面１０９と段差なく繋がっている。封止絶縁層１０５の封止側面１４２およびインターポーザ１０２の側面１０９は、連続的に延びる一つの平坦面を形成している。この平坦面は、一つの研削面によって形成されている。つまり、封止絶縁層１０５は、インターポーザ１０２の側面１０９に対して面一な外面を有している。

封止絶縁層１０５の封止主面１４１は、各電極体１０４の第１電極主面１２８と段差なく繋がっている。封止絶縁層１０５の封止主面１４１および各電極体１０４の第１電極主面１２８は、連続的に延びる一つの平坦面を形成している。
この平坦面は、一つの研削面によって形成されている。つまり、封止絶縁層１０５は、各電極体１０４の第１電極主面１２８に対して面一な外面を有している。また、この平坦面は、インターポーザ１０２の第２主面１０８に対して略平行に形成されている。

外部端子１０６は、各電極体１０４の第１電極主面１２８の上に形成されている。各外部端子１０６は、複数の電極層を含む積層構造を有していてもよい。各外部端子１０６は、電極体１０４の第１電極主面１２８側からこの順に積層されたＮｉ層、Ｐｄ層およびＡｕ層を含む積層構造を有していてもよい。
以上、電子部品１０１によれば、インターポーザ１０２の第１主面１０７およびチップ部品１０３の実装面１３２の間に、配線構造体１が介在している。配線構造体１は、下地電極層３の上から下地電極層３外の領域に張り出すように下地電極層３の周縁部の上に形成された絶縁層５を含む。これにより、溶融した導電性接合材層２０の流出を絶縁層５によって抑制できる。

特に、絶縁層５には、配線層４のパッド部１３を露出させるパッド開口１４が形成されている。このパッド開口１４内には、導電性接合材層２０を含むバンプ構造６が形成されている。これにより、溶融した導電性接合材層２０の流出を絶縁層５によって適切に抑制できる。
しかも、下地電極層３は、配線層４よりも内側の領域に位置している。したがって、仮に、溶融した導電性接合材層２０が絶縁層５外にしみ出したとしても、配線層４よりも内側の領域において導電性接合材層２０を下地電極層３に伝わらせることができる。これにより、導電性接合材層２０が、配線層４外の領域に流出することを抑制できる。よって、導電性接合材層２０の流出を抑制できる電子部品１０１を提供できる。

また、絶縁層５の張り出し部１７およびインターポーザ１０２の第１主面１０７の間の領域に区画された空間１８には、封止絶縁層１０５が埋め込まれている。これにより、溶融した導電性接合材層２０が空間１８に存在する場合には、空間１８内において導電性接合材層２０を封止できる。これにより、溶融した導電性接合材層２０の流出を適切に抑制できる。

本実施形態では、電子部品１０１が外部端子１０６を含む例について説明した。しかし、電子部品１０１は、外部端子１０６有していなくてもよい。この場合、各電極体１０４の第１電極主面１２８が外部端子として形成されていてもよい。
図１７は、本発明の第２実施形態に係る電子部品１５１の内部構造を示す平面図である。図１８は、図１７に示すXVIII-XVIII線に沿う断面図である。以下では、電子部品１０１（図１５および図１６参照）に対して述べた構造に対応する構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。

インターポーザ１０２の第１主面１０７には、第２主面１０８側に向かって窪んだリセス部１５２が形成されている。インターポーザ１０２の第２主面１０８は、平坦に形成されている。
リセス部１５２は、インターポーザ１０２の周縁部から間隔を空けて、インターポーザ１０２の第１主面１０７の中央部に形成されている。リセス部１５２は、平面視においてインターポーザ１０２の各辺と略平行な四角形状に形成されている。

リセス部１５２の平面形状は、任意であり、四角形状に限定されない。リセス部１５２は、平面視において、三角形状、六角形状、円形状または楕円形状に形成されていてもよい。リセス部１５２は、さらには、インターポーザ１０２の側面１０９に連通していてもよい。
インターポーザ１０２の第１主面１０７には、リセス部１５２によって低域部１５３、高域部１５４および接続部１５５が形成されている。低域部１５３は、リセス部１５２の底部からなる。高域部１５４は、リセス部１５２の周囲の領域からなる。接続部１５５は、低域部１５３および高域部１５４を接続している。

低域部１５３は、平面視においてインターポーザ１０２の各辺と略平行な四角形状に形成されている。高域部１５４は、平面視においてリセス部１５２を取り囲む無端状（四角環状）に形成されている。
リセス部１５２は、高域部１５４から低域部１５３に向かって開口幅が狭まる断面視テーパ状に形成されている。接続部１５５は、高域部１５４から低域部１５３に向かって下り傾斜する傾斜面を有している。低域部１５３によって、チップ配置領域１１２が区画されている。高域部１５４によって、チップ配置領域１１２の外側領域１１３が区画されている。

各配線構造体１の第１パッド領域１２１は、低域部１５３に形成されている。各配線構造体１の第２パッド領域１２２は、高域部１５４に形成されている。各配線構造体１の接続領域１２３は、接続部１５５を横切るように、低域部１５３および高域部１５４の間の任意の領域をライン状に引き回されている。
つまり、各配線構造体１の絶縁層５は、この形態では、下地電極層３の周縁部の上から下地電極層３外の領域に張り出し、低域部１５３、高域部１５４および接続部１５５に対向している。

チップ部品１０３は、インターポーザ１０２のリセス部１５２に収容されている。チップ部品１０３は、実装面１３２を低域部１５３に対向させた姿勢で、低域部１５３の上に配置されている。チップ部品１０３のチップ側端子電極１３５は、バンプ構造６（導電性接合材層２０）を介して、対応する配線構造体１の第１パッド領域１２１に接合されている。

チップ部品１０３は、非実装面１３３が、インターポーザ１０２の高域部１５４よりも上方に突出するように、リセス部１５２に収容されている。チップ部品１０３の実装面１３２は、インターポーザ１０２の低域部１５３および高域部１５４の間の領域に位置している。チップ部品１０３の実装面１３２および非実装面１３３が、インターポーザ１０２の低域部１５３および高域部１５４の間の領域に位置していてもよい。

チップ部品１０３の実装面１３２および非実装面１３３は、平面視において低域部１５３の面積よりも小さい面積を有している。チップ部品１０３の実装面１３２の全面は、低域部１５３に対向している。つまり、チップ部品１０３は、低域部１５３の周縁に取り囲まれた領域内に位置している。
チップ部品１０３の実装面１３２は、低域部１５３に加えて、接続部１５５の一部と対向していてもよい。チップ部品１０３の実装面１３２および非実装面１３３は、平面視において低域部１５３の面積よりも大きい面積を有していてもよい。

封止絶縁層１０５は、この形態では、リセス部１５２を埋めるように、配線構造体１、チップ部品１０３および電極体１０４を封止している。封止絶縁層１０５は、リセス部１５２の内側の領域（低域部１５３および接続部１５５）および外側の領域（高域部１５４）において空間１８を封止している。 以上、電子部品１５１によっても、電子部品１０１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。

図１９は、本発明の第３実施形態に係る電子部品１６１の内部構造を示す平面図である。図２０は、図１９に示すXX-XX線に沿う断面図である。
電子部品１６１は、前述の配線構造体６１（図８および図９参照）が組み込まれた部品である。以下では、配線構造体６１に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付し、一部の説明（たとえば配線構造体６１に含まれる各構造のサイズ）については省略する。

電子部品１６１は、封止絶縁層１６２、配線構造体６１、チップ部品１０３、下地絶縁層６２および端子電極層６３を含む。封止絶縁層１６２は、配線構造体６１およびチップ部品１０３を封止している。電子部品１６１に係る配線構造体６１は、封止絶縁層１６２の一部、下地電極層３、配線層４、絶縁層５、バンプ構造６、下地絶縁層６２および端子電極層６３を含む。

封止絶縁層１６２は、一方側の第１封止主面１６３、他方側の第２封止主面１６４、ならびに、第１封止主面１６３および第２封止主面１６４を接続する封止側面１６５を有している。
第１封止主面１６３および第２封止主面１６４は、それらの法線方向から見た平面視において四角形状（より具体的には、長方形状）に形成されている。封止側面１６５は、第１封止主面１６３および第２封止主面１６４の法線方向に沿って延びている。第１封止主面１６３は、研削面であってもよい。封止側面１６５は、研削面であってもよい。第２封止主面１６４は、研削面ではない。

封止絶縁層１６２の内部には、チップ配置領域１６６および外側領域１６７が設定されている。チップ配置領域１６６は、チップ部品１０３が配置される領域である。
チップ配置領域１６６は、平面視において封止絶縁層１６２の中央領域に設定されている。チップ配置領域１６６は、平面視において四角形状に設定されている。外側領域１６７は、チップ配置領域１６６の外側の領域に設定されている。外側領域１６７は、平面視においてチップ配置領域１６６を取り囲む無端状（四角環状）に設定されている。

この形態では、複数（ここでは４つ）の配線構造体６１が形成されている。各配線構造体６１は、封止絶縁層１６２の第２封止主面１６４から露出するように、封止絶縁層１６２によって封止されている。
各配線構造体６１は、チップ配置領域１６６および外側領域１６７に跨っている。各配線構造体６１は、第１パッド領域１６８、第２パッド領域１６９および接続領域１７０を含む。

第１パッド領域１６８は、チップ配置領域１６６に形成されている。第１パッド領域１６８には、チップ部品１０３が接続される。第１パッド領域１６８は、この形態では、平面視において四角形状に形成されている。第１パッド領域１６８の平面形状は、任意であり、四角形状に限定されない。
第２パッド領域１６９は、第１パッド領域１６８とは異なる領域に形成されている。第２パッド領域１６９は、外側領域１６７に形成されている。第２パッド領域１６９には、端子電極層６３が接続される。第２パッド領域１６９は、この形態では、平面視において四角形状に形成されている。第２パッド領域１６９の平面形状は、任意であり、四角形状に限定されない。

接続領域１７０は、第１パッド領域１６８および第２パッド領域１６９を接続している。接続領域１７０は、この形態では、第１パッド領域１６８および第２パッド領域１６９の間の任意の領域をライン状に引き回されている。
下地電極層３は、第１パッド領域１６８、第２パッド領域１６９および接続領域１７０に対応した平面形状を有している。下地電極層３は、封止絶縁層１６２の第２封止主面１６４側からこの順に積層された第１電極層１１および第２電極層１２を含む積層構造を有している。

第１電極層１１の側面は、第２電極層１２の側面に対して面一に形成されていてもよい。第１電極層１１の側面は、第２電極層１２の側面に対して外側に張り出していてもよい。第１電極層１１の側面は、第２電極層１２の側面に対して内側に形成されていてもよい。
下地電極層３の電極面６４は、封止絶縁層１６２の第２封止主面１６４から露出している。下地電極層３の電極面６４は、封止絶縁層１６２の第２封止主面１６４に対して面一に形成されている。下地電極層３の電極面６４および封止絶縁層１６２の第２封止主面１６４によって、一つの平坦面が形成されている。この平坦面は、研削面ではない。

配線層４は、下地電極層３の上に形成されている。配線層４は、第１パッド領域１６８、第２パッド領域１６９および接続領域１７０に対応した平面形状を有している。配線層４は、下地電極層３の周縁部を露出させるように、下地電極層３の周縁部から内方領域に間隔を空けて形成されている。
配線層４は、第１パッド部１７１（接続部）および第２パッド部１７２を含む。第１パッド部１７１は、第１パッド領域１６８側に形成されている。第２パッド部１７２は、第２パッド領域１６９側に形成されている。

絶縁層５は、下地電極層３の上に形成されている。絶縁層５は、第１パッド領域１６８、第２パッド領域１６９および接続領域１７０に対応した平面形状を有している。パッド開口１７３は、配線層４の第１パッド部１７１を露出させるように配線層４を選択的に被覆している。
これにより、絶縁層５には、第１パッド部１７１を露出させるパッド開口１７３が形成されている。絶縁層５は、下地電極層３の上から下地電極層３外の領域に張り出している。絶縁層５は、下地電極層３の上面に沿う横方向に張り出している。

絶縁層５は、より具体的には、基部１５、被覆部１６および張り出し部１７を有している。絶縁層５の基部１５は、下地電極層３の周縁部の上に形成されている。絶縁層５の被覆部１６は、基部１５から配線層４側に向けて延びている。絶縁層５の被覆部１６は、配線層４の第１パッド部１７１を露出させるように配線層４を被覆している。
絶縁層５の張り出し部１７は、基部１５から配線層４とは反対側の方向に向けて延びている。絶縁層５の張り出し部１７は、下地電極層３の上面に沿う横方向に延び、下地電極層３外の領域に張り出している。

下地電極層３および絶縁層５の張り出し部１７の間の領域には、段差部６５が区画されている。段差部６５は、下地電極層３の側面および絶縁層５の張り出し部１７によって区画されている。
バンプ構造６は、配線層４の第１パッド部１７１の上に形成されている。バンプ構造６は、配線層４側からこの順に積層されたＵＢＭ層１９および導電性接合材層２０を含む。ＵＢＭ層１９は、絶縁層５のパッド開口１７３内に形成されている。ＵＢＭ層１９は、配線層４側からこの順に積層された第１電極層２１および第２電極層２２を含む。

チップ部品１０３は、チップ配置領域１６６に配置されている。チップ部品１０３は、実装面１３２を封止絶縁層１６２の第２封止主面１６４に対向させた姿勢で、各配線構造体６１に接続されている。チップ部品１０３のチップ側端子電極１３５は、バンプ構造６（導電性接合材層２０）を介して、対応する配線構造体６１の第１パッド領域１６８に接合されている。

封止絶縁層１６２は、配線構造体６１およびチップ部品１０３を封止している。封止絶縁層１６２は、段差部６５を被覆し、下地電極層３の電極面６４を露出させている。封止絶縁層１６２において段差部６５を被覆する部分は、絶縁層５が封止絶縁層１６２から抜け落ちるのを抑制する抜け止め部を形成している。
下地絶縁層６２は、下地電極層３の電極面６４を被覆している。下地絶縁層６２は、下地電極層３側から封止絶縁層１６２側に向けて延び、封止絶縁層１６２の第２封止主面１６４を被覆している。

下地絶縁層６２は、下地電極層３および封止絶縁層１６２を一括して被覆している。下地絶縁層６２は、封止絶縁層１６２（抜け止め部）を挟んで、絶縁層５の張り出し部１７と対向している。これにより、絶縁層５の抜け落ちを適切に抑制できる。
下地絶縁層６２には、下地電極層３の電極面６４を露出させる下側パッド開口１７４が形成されている。下側パッド開口１７４は、電極面６４の任意の領域をパッド部として露出させている。

下側パッド開口１７４は、より具体的には、平面視においてバンプ構造６と重ならない領域に形成されている。下側パッド開口１７４は、さらに具体的には、各配線構造体６１の第２パッド領域１６９に形成されている。つまり、下側パッド開口１７４は、各配線構造体６１の第２パッド領域１６９において下地電極層３の電極面６４を露出させている。
端子電極層６３は、下地絶縁層６２を貫通し、下地電極層３に接続されている。より具体的には、端子電極層６３は、下地絶縁層６２の下側パッド開口１７４内に形成されている。これにより、端子電極層６３は、平面視においてバンプ構造６と重ならない領域に形成されている。

端子電極層６３は、下側パッド開口１７４内において下地電極層３を介して配線層４の第２パッド部１７２に電気的に接続されている。端子電極層６３は、外部接続される外部端子電極層として形成されている。
端子電極層６３は、下地絶縁層６２の外面から下地電極層３とは反対側の方向に突出している。端子電極層６３は、下地絶縁層６２の外面を被覆するオーバラップ部を有していてもよい。端子電極層６３は、下地電極層３側からこの順に形成されたＮｉ層、Ｐｄ層およびＡｕ層を含む積層構造を有していてもよい。

以上、電子部品１６１によっても、電子部品１０１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。
本発明の実施形態について説明したが、本発明はさらに他の形態で実施することもできる。
図２１は、図１５に示す電子部品１０１の第１変形例を示す断面図である。以下では、電子部品１０１に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付して説明を省略する。

図２１を参照して、この形態では、配線構造体１に代えて配線構造体４１（図４および図５も併せて参照）が、電子部品１０１に組み込まれている。以下では、配線構造体４１に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付し、一部の説明（たとえば配線構造体４１に含まれる各構造のサイズ）については省略する。
下地電極層３の第２電極層１２は、この形態では、第１電極層１１の上から第１電極層１１外の領域に張り出し、インターポーザ１０２の第１主面１０７に対向している。第２電極層１２は、第１電極層１１の上面に沿う横方向に張り出している。

第２電極層１２は、より具体的には、電極基部４２および電極張り出し部４３を含む。電極基部４２は、第１電極層１１を被覆している。電極張り出し部４３は、電極基部４２から第１電極層１１とは反対側に向けて延びている。
電極張り出し部４３は、第１電極層１１の上面に沿う横方向に延び、第１電極層１１外の領域に張り出している。電極張り出し部４３は、インターポーザ１０２の第１主面１０７に対向している。

インターポーザ１０２の第１主面１０７、第１電極層１１の側面および第２電極層１２の電極張り出し部４３によって、第１電極層１１側に向かって窪んだ第１空間４４が区画されている。
配線層４は、下地電極層３の上に形成されている。第２電極層１２の電極基部４２および電極張り出し部４３を一括して被覆している。配線層４は、より具体的には、配線基部４５および配線張り出し部４６を含む。

配線基部４５は、第２電極層１２の電極基部４２を被覆している。配線張り出し部４６は、第２電極層１２の電極張り出し部４３を被覆している。配線層４の側面は、第２電極層１２の側面に段差なく接続されていてもよい。
配線層４は、第２電極層１２の上から第２電極層１２外の領域に張り出し、インターポーザ１０２の第１主面１０７に対向していてもよい。この場合、配線層４は、第２電極層１２の上面に沿う横方向に張り出していてもよい。配線層４の側面および第２電極層１２の側面の間には、段差部が形成されていてもよい。

絶縁層５は、配線層４の上に形成されている。絶縁層５は、配線層４の上から配線層４外の領域に張り出し、インターポーザ１０２の第１主面１０７に対向している。絶縁層５は、配線層４の上面に沿う横方向に張り出している。絶縁層５は、配線層４の側面を露出させている。
絶縁層５は、より具体的には、絶縁基部４７および絶縁張り出し部４８を含む。絶縁基部４７は、配線層４の配線基部４５を被覆している。絶縁張り出し部４８は、配線層４の配線張り出し部４６を被覆している。

絶縁張り出し部４８は、配線層４の上面に沿う横方向に延び、配線層４外の領域に張り出している。絶縁張り出し部４８は、インターポーザ１０２の第１主面１０７に対向している。
インターポーザ１０２の第１主面１０７、配線層４の側面および絶縁層５の絶縁張り出し部４８によって、配線層４側に向かって窪んだ第２空間４９が区画されている。第２空間４９は、第１空間４４に連通している。

バンプ構造６は、絶縁層５に形成された第１パッド開口１２６内に形成されている。第１パッド開口１２６は、配線層４の配線基部４５を露出させている。これにより、バンプ構造６は、配線層４の配線基部４５に接続されている。
封止絶縁層１０５は、インターポーザ１０２の第１主面１０７の上において、配線構造体４１、チップ部品１０３および電極体１０４を封止している。封止絶縁層１０５は、第１空間４４および第２空間４９に入り込んでいる。

このような構造によっても、電子部品１０１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。
図２２は、図１５に示す電子部品１０１の第２変形例を示す断面図である。以下では、電子部品１０１に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付して説明を省略する。

図２２を参照して、この形態では、配線構造体１に代えて配線構造体５１（図７および図８も併せて参照）が、電子部品１０１に組み込まれている。以下では、配線構造体５１に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付し、一部の説明（たとえば配線構造体５１に含まれる各構造のサイズ）については省略する。
絶縁層５は、この形態では、絶縁張り出し部４８を備えていない。絶縁層５は、配線層４の上面において周縁部よりも内側の領域に形成されている。絶縁層５は、少なくとも配線層４の配線基部４５を被覆している。絶縁層５は、配線層４の配線張り出し部４６の一部を被覆していてもよい。

配線層４の外面において、絶縁層５から露出する露出部には、下地電極層３側に向かって窪んだリセス部５２が形成されている。リセス部５２は、絶縁層５の側面に段差なく繋がっている。
このような構造の配線構造体５１は、前述の図６Ｂの工程において、配線層４の上面において周縁部よりも内側の領域に絶縁層５を形成することによって製造される。リセス部５２は、図６Ｄの工程において、第２電極層１２を除去すると共に、配線層４の一部が除去されることによって形成される。

このような構造によっても、電子部品１０１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。
図２３は、図１７に示す電子部品１５１の第１変形例を示す断面図である。以下では、電子部品１５１に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付して説明を省略する。

図２３を参照して、この形態では、配線構造体１に代えて配線構造体４１（図４および図５も併せて参照）が、電子部品１５１に組み込まれている。以下では、配線構造体４１に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付し、一部の説明（たとえば配線構造体４１に含まれる各構造のサイズ）については省略する。
下地電極層３の第２電極層１２は、この形態では、第１電極層１１の上から第１電極層１１外の領域に張り出し、インターポーザ１０２の第１主面１０７（低域部１５３、高域部１５４および接続部１５５）に対向している。第２電極層１２は、第１電極層１１の上面に沿う横方向に張り出している。

第２電極層１２は、より具体的には、電極基部４２および電極張り出し部４３を含む。電極基部４２は、第１電極層１１を被覆している。電極張り出し部４３は、電極基部４２から第１電極層１１とは反対側に向けて延びている。
電極張り出し部４３は、第１電極層１１の上面に沿う横方向に延び、第１電極層１１外の領域に張り出している。電極張り出し部４３は、インターポーザ１０２の第１主面１０７（低域部１５３、高域部１５４および接続部１５５）に対向している。

インターポーザ１０２の第１主面１０７、第１電極層１１の側面および第２電極層１２の電極張り出し部４３によって、第１電極層１１側に向かって窪んだ第１空間４４が区画されている。
配線層４は、下地電極層３の上に形成されている。第２電極層１２の電極基部４２および電極張り出し部４３を一括して被覆している。配線層４は、より具体的には、配線基部４５および配線張り出し部４６を含む。

配線基部４５は、第２電極層１２の電極基部４２を被覆している。配線張り出し部４６は、第２電極層１２の電極張り出し部４３を被覆している。配線層４の側面は、第２電極層１２の側面に段差なく接続されていてもよい。
配線層４は、第２電極層１２の上から第２電極層１２外の領域に張り出し、インターポーザ１０２の第１主面１０７（低域部１５３、高域部１５４および接続部１５５）に対向していてもよい。この場合、配線層４は、第２電極層１２の上面に沿う横方向に張り出していてもよい。配線層４の側面および第２電極層１２の側面の間には、段差部が形成されていてもよい。

絶縁層５は、配線層４の上に形成されている。絶縁層５は、配線層４の上から配線層４外の領域に張り出し、インターポーザ１０２の第１主面１０７（低域部１５３、高域部１５４および接続部１５５）に対向している。絶縁層５は、配線層４の上面に沿う横方向に張り出している。絶縁層５は、配線層４の側面を露出させている。
絶縁層５は、より具体的には、絶縁基部４７および絶縁張り出し部４８を含む。絶縁基部４７は、配線層４の配線基部４５を被覆している。絶縁張り出し部４８は、配線層４の配線張り出し部４６を被覆している。

絶縁張り出し部４８は、配線層４の上面に沿う横方向に延び、配線層４外の領域に張り出している。絶縁張り出し部４８は、インターポーザ１０２の第１主面１０７（低域部１５３、高域部１５４および接続部１５５）に対向している。
インターポーザ１０２の第１主面１０７、配線層４の側面および絶縁層５の絶縁張り出し部４８によって、配線層４側に向かって窪んだ第２空間４９が区画されている。第２空間４９は、第１空間４４に連通している。

バンプ構造６は、絶縁層５に形成された第１パッド開口１２６内に形成されている。第１パッド開口１２６は、配線層４の配線基部４５を露出させている。これにより、バンプ構造６は、配線層４の配線基部４５に接続されている。
封止絶縁層１０５は、リセス部１５２を埋めるように、配線構造体４１、チップ部品１０３および電極体１０４を封止している。封止絶縁層１０５は、リセス部１５２の内側の領域（低域部１５３および接続部１５５）および外側の領域（高域部１５４）において第１空間４４および第２空間４９に入り込んでいる。

このような構造によっても、電子部品１５１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。
図２４は、図１７に示す電子部品１５１の第２変形例を示す断面図である。以下では、電子部品１５１に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付して説明を省略する。

図２４を参照して、この形態では、配線構造体１に代えて配線構造体５１（図７および図８も併せて参照）が、電子部品１５１に組み込まれている。以下では、配線構造体５１に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付し、一部の説明（たとえば配線構造体５１に含まれる各構造のサイズ）については省略する。
絶縁層５は、この形態では、絶縁張り出し部４８を備えていない。絶縁層５は、配線層４の上面において周縁部よりも内側の領域に形成されている。絶縁層５は、少なくとも配線層４の配線基部４５を被覆している。絶縁層５は、配線層４の配線張り出し部４６の一部を被覆していてもよい。

配線層４の外面において、絶縁層５から露出する露出部には、下地電極層３側に向かって窪んだリセス部５２が形成されている。リセス部５２は、絶縁層５の側面に段差なく繋がっている。
このような構造の配線構造体５１は、前述の図６Ｂの工程において、配線層４の上面において周縁部よりも内側の領域に絶縁層５を形成することによって製造される。リセス部５２は、図６Ｄの工程において、第２電極層１２を除去すると共に、配線層４の一部が除去されることによって形成される。

このような構造によっても、電子部品１５１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。
図２５は、図１９に示す電子部品１６１の第１変形例を示す断面図である。以下では、電子部品１６１に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付して説明を省略する。

図２５を参照して、この形態では、配線構造体６１に代えて配線構造体８１（図１１および図１２も併せて参照）が、電子部品１６１に組み込まれている。以下では、配線構造体８１に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付し、一部の説明（たとえば配線構造体８１に含まれる各構造のサイズ）については省略する。
下地電極層３の第２電極層１２は、この形態では、第１電極層１１の上から下地電極層３外の領域に張り出している。第２電極層１２は、第１電極層１１の上面に沿う横方向に張り出している。

第２電極層１２は、より具体的には、電極基部８２および電極張り出し部８３を含む。電極基部８２は、第１電極層１１を被覆している。電極張り出し部８３は、電極基部８２から第１電極層１１とは反対側に向けて延びている。電極張り出し部８３は、第１電極層１１の上面に沿う横方向に延び、第１電極層１１外の領域に張り出している。
第１電極層１１の側面および第２電極層１２の電極張り出し部８３の間の領域には、第１段差部８４が区画されている。

配線層４は、下地電極層３の上に形成されている。配線層４は、第２電極層１２の電極基部８２および電極張り出し部８３を一括して被覆している。
配線層４は、より具体的には、配線基部８５および配線張り出し部８６を含む。配線基部８５は、第２電極層１２の電極基部８２を被覆している。配線張り出し部８６は、第２電極層１２の電極張り出し部８３を被覆している。配線層４の側面は、第２電極層１２の側面に段差なく接続されていてもよい。

配線層４は、第２電極層１２の上から第２電極層１２外の領域に張り出していてもよい。この場合、配線層４は、第２電極層１２の上面に沿う横方向に張り出していてもよい。配線層４の側面および第２電極層１２の側面の間には、段差部が形成されていてもよい。
絶縁層５は、配線層４の上に形成されている。絶縁層５は、配線層４の上から配線層４外の領域に張り出している。絶縁層５は、配線層４の上面に沿う横方向に張り出している。絶縁層５は、配線層４の側面を露出させている。

絶縁層５は、より具体的には、絶縁基部８７および絶縁張り出し部８８を有している。絶縁基部８７は、配線層４の配線基部８５を被覆している。絶縁張り出し部８８は、配線層４の配線張り出し部８６を被覆している。絶縁張り出し部８８は、配線層４の上面に沿う横方向に延び、配線層４外の領域に張り出している。
配線層４の側面および絶縁層５の絶縁張り出し部８８の間の領域には、第２段差部８９が区画されている。

封止絶縁層１６２は、チップ部品１０３および配線構造体８１を封止している。封止絶縁層１６２は、下地電極層３を露出させ、第１段差部８４および第２段差部８９を被覆している。
封止絶縁層１６２において第１段差部８４を被覆する部分は、配線層４が封止絶縁層１６２から抜け落ちるのを抑制する第１抜け止め部を形成している。封止絶縁層１６２において第２段差部８９を被覆する部分は、絶縁層５が封止絶縁層１６２から抜け落ちるのを抑制する第２抜け止め部を形成している。

下地絶縁層６２は、封止絶縁層１６２（第１抜け止め部および第２抜け止め部）を挟んで、電極面６４の電極張り出し部８３および絶縁層５の絶縁張り出し部８８と対向している。これにより、配線層４および絶縁層５の抜け落ちを適切に抑制できる。
このような構造によっても、電子部品１６１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。

図２６は、図１９に示す電子部品１６１の第２変形例を示す断面図である。以下では、電子部品１６１に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付して説明を省略する。
この形態では、配線構造体６１に代えて配線構造体９１（図１４も併せて参照）が、電子部品１６１に組み込まれている。以下では、配線構造体５１に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付し、一部の説明（たとえば配線構造体５１に含まれる各構造のサイズ）については省略する。

絶縁層５は、この形態では、絶縁張り出し部８８を備えていない。絶縁層５は、配線層４の上面において周縁部よりも内側の領域に形成されている。絶縁層５は、少なくとも配線層４の配線基部８５を被覆している。絶縁層５は、配線層４の配線張り出し部８６の一部を被覆していてもよい。
配線層４の外面において、絶縁層５から露出する露出部には、下地電極層３側に向かって窪んだリセス部９２が形成されている。リセス部９２は、絶縁層５の側面に段差なく繋がっている。

このような構造の配線構造体９１は、前述の図１３Ｂの工程において、配線層４の上面において周縁部よりも内側の領域に絶縁層５を形成することによって製造される。リセス部９２は、図１３Ｄの工程において、第２電極層１２と共に、配線層４の一部が除去されることによって形成される。
このような構造によっても、電子部品１６１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。

図２７は、図２に示すバンプ構造６の第１変形例を説明するための断面図である。以下では、図２に示すバンプ構造６に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付して説明を省略する。
図２７を参照して、ＵＢＭ層１９は、電極層１８１からなる単層構造を有していてもよい。電極層１８１は、チタンを含んでいてもよい。このような構造は、配線構造体１に限らず、配線構造体４１，５１，６１，８１，９１にも適用できる。

図２８は、図２に示すバンプ構造６の第２変形例を説明するための断面図である。以下では、図２に示すバンプ構造６に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付して説明を省略する。
図２８を参照して、ＵＢＭ層１９は、配線層４側からこの順に積層された第１電極層１８２、第２電極層１８３および第３電極層１８４を含む積層構造を有していてもよい。

第１電極層１８２は、銅を含んでいてもよい。第２電極層１８３は、チタンを含んでいてもよい。第３電極層１８４は、銅を含んでいてもよい。このような構造は、配線構造体１に限らず、配線構造体４１，５１，６１，８１，９１にも適用できる。
図２９は、図２に示すバンプ構造６の第３変形例を説明するための断面図である。以下では、図２に示すバンプ構造６に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付して説明を省略する。

図２９を参照して、バンプ構造６は、導電性接合材層２０を有さず、ＵＢＭ層１９だけを有している。ＵＢＭ層１９は、図２に示された形態、図２７に示された形態、または、図２８に示された形態を有していてもよい。
このような構造は、チップ部品１０３が、導電性接合材層２０を備えている場合に採用できる。このような構造は、配線構造体１に限らず、配線構造体４１，５１，６１，８１，９１にも適用できる。

前述の第２実施形態に係る電子部品１５１において、各配線構造体１は、図３０に示される構造を有していてもよい。
図３０は、図１７に対応する平面図であって、第２実施形態に係る電子部品１５１の配線構造体１の第１変形例を示す図である。以下では、電子部品１５１に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付して説明を省略する。

各配線構造体１の接続領域１２３は、この形態では、接続部１５５の傾斜面を、高域部１５４から低域部１５３に向かって直線状に延びている。つまり、各配線構造体１の接続領域１２３は、接続部１５５の傾斜面において屈曲部を有していない。
ここで、各配線構造体１の形成工程時に行われるマスク３１のパターニング工程について考える（図３Ｂも併せて参照）。高域部１５４から低域部１５３に向けて下り傾斜した接続部１５５を有する電子部品１５１では、接続部１５５の上にもマスク３１が形成される。マスク３１に対する露光工程では、光源に対するマスク３１の距離は、高域部１５４から低域部１５３に向けて大きくなる。

そのため、マスク３１において接続部１５５に位置する部分に対する光の照射位置は、インターポーザ１０２の第１主面１０７に形成された高低差に応じて、ずれる可能性がある。
特に、接続領域１２３が接続部１５５において屈曲部を有している構造では、光の照射位置のずれによって生じる影響が大きくなる可能性がある。そのため、マスク３１において接続部１５５に位置する部分に対する光の照射条件を厳しく設定する必要が生じる。

これに対して、各配線構造体１の接続領域１２３が接続部１５５の傾斜面を直線状に延びている構造では、傾斜面において屈曲部を有していない。よって、光の照射位置のずれによって生じる影響を最低限に留めることができるので、各配線構造体１の形成工程の難易度が高まるのを回避できる。
この例は、飽くまでインターポーザ１０２の第１主面１０７にリセス部１５２が形成された構造において、各配線構造体１の形成工程の難易度を低下させる一形態例を示しているに過ぎない。

したがって、接続領域１２３が接続部１５５を直線状に延びる構造は、接続領域１２３が接続部１５５において屈曲部を有している構造を否定するものではない。また、図３０の構造は、リセス部１５２が形成された全ての形態に適用可能である。
前述の第２実施形態に係る電子部品１５１において、各配線構造体１は、図３１に示される構造を有していてもよい。

図３１は、図１７に対応する平面図であって、第２実施形態に係る電子部品１５１の配線構造体１の第２変形例を示す図である。以下では、電子部品１５１に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付して説明を省略する。
電子部品１５１において、各配線構造体１の接続領域１２３は、接続部１５５の傾斜面を、高域部１５４から低域部１５３に向かって直線状に延びている。また、各配線構造体１の接続領域１２３は、この形態では、接続部１５５の傾斜面を直線状に延びるという基本形態を保ちながら、高域部１５４から低域部１５３に向かって幅が大きくなる裾広がり状（テーパ状）に形成されている。

各配線構造体１の接続領域１２３は、接続部１５５において一方方向（インターポーザ１０２の短手方向）に沿って延びる傾斜面を横切っている。各配線構造体１の接続領域１２３は、接続部１５５において一方方向に沿って延びる傾斜面に接続され、かつ、一方方向に交差する交差方向（インターポーザ１０２の長手方向）に沿って延びる傾斜面にオーバラップしたオーバラップ部１９０を有していてもよい。

このような構造によっても、図３０において述べた効果と同様の効果を奏することができる。また、各配線構造体１の接続領域１２３は、高域部１５４から低域部１５３に向かって幅が大きくなる裾広がり状（テーパ状）に形成されている。
したがって、限られた条件下において、配線面積を増加させることができる。これにより、配線抵抗の低減を図ることもできる。むろん、図３１の構造は、リセス部１５２が形成された全ての形態に適用可能である。

その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。

１ 配線構造体
２ 支持基板
３ 下地電極層
４ 配線層
５ 絶縁層
６ バンプ構造
７ 封止絶縁層
８ 支持基板の主面
１３ 配線層のパッド部（接続部）
１５ 絶縁層の基部
１６ 絶縁層の被覆部
１７ 絶縁層の張り出し部
１８ 空間
２０ 導電性接合材層
４５ 配線層の配線基部
４６ 配線層の配線張り出し部
５１ 配線構造体
６１ 配線構造体
６２ 下地絶縁層
６３ 端子電極層
８１ 配線構造体
８５ 配線層の配線基部
８６ 配線層の配線張り出し部
９１ 配線構造体
１０１ 電子部品
１０２ インターポーザ（基板）
１０３ チップ部品（チップ）
１０５ 封止絶縁層
１０７ インターポーザの第１主面
１２４ 配線層の第１パッド部（接続部）
１５１ 電子部品
１６１ 電子部品
１６２ 封止絶縁層
１７１ 配線層の第１パッド部（接続部）

Claims (24)

1. 第１電極層および第２電極層を含む積層構造を有する下地電極層と、
   前記下地電極層の周縁部から前記第２電極層を露出させるように前記下地電極層の内方領域において前記第２電極層の上に形成された配線層と、
   前記下地電極層の上から前記下地電極層外の領域に張り出すように前記下地電極層の前記周縁部において前記第２電極層の上に形成された絶縁層と、を含む、配線構造体。
2. 前記配線層は、前記第２電極層と同一の導電材料を含む、請求項１に記載の配線構造体。
3. 前記下地電極層は、前記第１電極層および前記第２電極層によって形成された側面を有し、
   前記絶縁層は、前記下地電極層の前記側面から前記第１電極層および前記第２電極層を露出させている、請求項１または２に記載の配線構造体。
4. 前記配線層は、単層構造を有している、請求項１～３のいずれか一項に記載の配線構造体。
5. 前記絶縁層は、前記下地電極層の前記周縁部において前記第２電極層の上に形成された基部、および、前記基部から前記配線層とは反対側に向けて延び、前記下地電極層の前記周縁部よりも外側に張り出した張り出し部を有している、請求項１～４のいずれか一項に記載の配線構造体。
6. 前記絶縁層は、前記基部から延び、前記配線層を選択的に被覆する被覆部を有している、請求項５に記載の配線構造体。
7. 前記配線層の上に形成された導電性接合材層をさらに含む、請求項１～６のいずれか一項に記載の配線構造体。
8. 前記絶縁層とは反対側から前記下地電極層を支持し、前記下地電極層外の領域において前記絶縁層に対向する主面を有する支持基板をさらに含む、請求項１～７のいずれか一項に記載の配線構造体。
9. 前記絶縁層および前記支持基板の前記主面の間に区画された空間に埋め込まれ、前記絶縁層を封止する封止絶縁層をさらに含む、請求項８に記載の配線構造体。
10. 前記下地電極層および前記絶縁層によって区画された段差部を被覆するように、前記絶縁層を封止する封止絶縁層をさらに含む、請求項１に記載の配線構造体。
11. 前記絶縁層とは反対側から前記下地電極層を被覆する下地絶縁層をさらに含む、請求項１０に記載の配線構造体。
12. 前記下地絶縁層は、前記封止絶縁層を被覆し、前記封止絶縁層を挟んで前記段差部に対向している、請求項１１に記載の配線構造体。
13. 前記下地絶縁層を貫通して前記下地電極層に接続された端子電極層をさらに含む、請求項１１または１２に記載の配線構造体。
14. 下地電極層と、
    外部接続される接続部を有し、前記下地電極層の上から前記下地電極層外の領域に張り出すように前記下地電極層の上に形成された配線層と、
    前記接続部を露出させるように前記配線層を被覆する絶縁層と、
    前記絶縁層とは反対側から前記下地電極層を支持し、前記下地電極層外の領域において前記配線層に対向する主面を有する支持基板と、
    前記配線層および前記支持基板の前記主面の間に区画された空間に埋め込まれ、前記絶縁層を封止する封止絶縁層と、を含む、配線構造体。
15. 下地電極層と、
    外部接続される接続部を有し、前記下地電極層の上から前記下地電極層外の領域に張り出すように前記下地電極層の上に形成された配線層と、
    前記接続部を露出させるように前記配線層を被覆する絶縁層と、
    前記下地電極層および前記配線層によって区画された段差部を被覆するように、前記配線層を封止する封止絶縁層と、を含む、配線構造体。
16. 前記配線層は、前記下地電極層の上に形成された配線基部、および、前記配線基部から延び、前記下地電極層外の領域に張り出した配線張り出し部を有している、請求項１４または１５に記載の配線構造体。
17. 前記配線層の前記接続部の上に形成された導電性接合材層をさらに含む、請求項１４～１６のいずれか一項に記載の配線構造体。
18. 前記配線層とは反対側から前記下地電極層を被覆する下地絶縁層をさらに含む、請求項１５に記載の配線構造体。
19. 前記下地絶縁層は、前記封止絶縁層を被覆し、前記封止絶縁層を挟んで前記段差部に対向している、請求項１８に記載の配線構造体。
20. 前記下地絶縁層を貫通して前記下地電極層に接続された端子電極層をさらに含む、請求項１８または１９に記載の配線構造体。
21. 主面を有する基板と、
    前記主面側からこの順に積層された第１電極層および第２電極層を含む積層構造を有する下地電極層と、
    前記下地電極層の周縁部から前記第２電極層を露出させるように前記下地電極層の内方領域において前記第２電極層の上に形成された配線層と、
    前記下地電極層の上から前記下地電極層外の領域に張り出すように前記下地電極層の前記周縁部において前記第２電極層の上に形成された絶縁層と、
    前記配線層の上に形成された導電性接合材と、
    前記導電性接合材を介して前記配線層に電気的に接続されたチップと、を含む、電子部品。
22. 封止絶縁層と、
    前記封止絶縁層内に設けられたチップと、
    前記封止絶縁層の外面から露出する第１電極層、および、前記チップに対向する第２電極層を含む積層構造を有し、前記封止絶縁層内に配置された下地電極層と、
    前記封止絶縁層内において前記チップおよび前記下地電極層の間に介在され、前記下地電極層の周縁部から前記第２電極層を露出させるように前記下地電極層の内方領域において前記第２電極層の上に形成された配線層と、
    前記封止絶縁層内において前記チップおよび前記下地電極層の間に介在され、前記下地電極層の上から前記下地電極層外の領域に張り出すように前記下地電極層の前記周縁部において前記第２電極層の上に形成された絶縁層と、
    前記封止絶縁層内において前記チップおよび前記配線層の間に介在され、前記チップおよび前記配線層を電気的に接続させる導電性接合材と、を含む、電子部品。
23. 前記絶縁層は、前記下地電極層の前記周縁部において前記第２電極層の上に形成された基部、および、前記基部から前記配線層とは反対側に向けて延び、前記下地電極層の前記周縁部よりも外側に張り出した張り出し部を有している、請求項２１または２２に記載の電子部品。
24. 前記絶縁層は、前記基部から延び、前記配線層を選択的に被覆する被覆部を有し、
    前記導電性接合材は、前記配線層のうち前記絶縁層から露出した部分の上に形成されている、請求項２３に記載の電子部品。

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