JP7159938B2 - コイル部品 - Google Patents

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Description

本発明は、コイル部品に関する。
従来から、インダクタにコイルアレイが用いられており、例えば、特許文献1には、基板の上面および下面にコイルを備えたコイルアレイが開示されている。
特開2018-137421号公報
特許文献1に記載のようなコイルアレイは、基板に磁性特性を有しない材料の基板、例えばプリント回路基板が用いられており、第1コイルと第2コイルの間の結合係数の調整の自由度が低く、十分な結合を取れない虞がある。
従って、本開示は、第1コイルと第2コイルの間の結合係数の調整の自由度が高いコイル部品を提供することを目的とする。
本開示は、以下の態様を含む。
[1] 開口部を有する支持基板と、
前記支持基板の第1主面に設けられた第1コイルと、
前記支持基板の第2主面に設けられた第2コイルと、
磁性体部と
を備えた素体と、
前記素体の表面に設けられた、前記第1コイルに電気的に接続された第1外部電極および第2外部電極、ならびに前記第2コイルに電気的に接続された第3外部電極および第4外部電極と
を備えたコイル部品であって、
前記支持基板の開口部、前記第1コイルの芯部および前記第2コイルの芯部は、前記支持基板の主面に垂直な方向から平面視した場合に少なくとも一部が重なっており、
前記磁性体部は、少なくとも前記支持基板の開口部、前記第1コイルの芯部、前記第2コイルの芯部に設けられており、
前記支持基板が焼結フェライトで構成されている、
コイル部品。
[2] 前記支持基板の厚みが40μm以上80μm以下である、上記[1]に記載のコイル部品
[3] 前記磁性体部の透磁率μ1は、20以上40以下である、上記[1]または[2]に記載のコイル部品。
[4] 前記磁性体部の透磁率μ1に対する前記支持基板の透磁率μ2の比は0.7以下である、上記[1]~[3]のいずれか1つに記載のコイル部品。
[5] 前記支持基板の厚みをx(μm)とし、前記磁性体部の透磁率μ1に対する前記支持基板の透磁率μ2の比をyとし、該(x,y)が、下記A-B-C-D-E-F-G-H-I-J-A:
A(40,0.15)、B(50,0.11)、C(60,0.08)、D(70,0.06)、E(80,0.05)、F(80,0.20)、G(70,0.25)、H(60,0.30)、I(50,0.41)、J(40,0.54)
で囲まれる領域以内に存在する、上記[1]~[4]のいずれか1つに記載のコイル部品。
本開示のコイル部品は、第1コイルと第2コイルの間の基板に、焼結フェライトから構成される基板を用いているので、第1コイルと第2コイルの間の結合係数の調整の自由度が高い。
図1は、本開示の一の態様におけるコイル部品1の斜視図である。 図2は、コイル部品1のA-A断面図である。 図3は、コイル部品1のB-B断面図である。 図4は、コイル部品1のC-C断面図である。 図5は、コイル部品1のD-D断面図である。 図6(a)および(b)は、それぞれ、コイル部品1の製造方法を説明するための平面図および断面図である。 図7(a)および(b)は、それぞれ、コイル部品1の製造方法を説明するための平面図および断面図である。 図8(a)および(b)は、それぞれ、コイル部品1の製造方法を説明するための平面図および断面図である。 図9(a)および(b)は、それぞれ、コイル部品1の製造方法を説明するための平面図および断面図である。 図10(a)および(b)は、それぞれ、コイル部品1の製造方法を説明するための平面図および断面図である。 図11(a)および(b)は、それぞれ、コイル部品1の製造方法を説明するための平面図および断面図である。 図12は、基板厚みが40μmである場合の、結合係数とμ1/μ2の関係をシミュレーションした結果を示すグラフである。 図13は、基板厚みが50μmである場合の、結合係数とμ1/μ2の関係をシミュレーションした結果を示すグラフである。 図14は、基板厚みが60μmである場合の、結合係数とμ1/μ2の関係をシミュレーションした結果を示すグラフである。 図15は、基板厚みが70μmである場合の、結合係数とμ1/μ2の関係をシミュレーションした結果を示すグラフである。 図16は、基板厚みが80μmである場合の、結合係数とμ1/μ2の関係をシミュレーションした結果を示すグラフである。
以下、本開示の一の実施形態のコイル部品1について、図面を参照しながら詳細に説明する。但し、本実施形態のコイル部品および各構成要素の形状および配置等は、図示する例に限定されない。
本実施形態のコイル部品1の斜視図を図1に、A-A断面図を図2に、B-B断面図を図3に、C-C断面図を図4に、D-D断面図を図5に示す。図1~図5に示されるように、本実施形態のコイル部品1は、略直方体形状を有するコイル部品である。コイル部品1において、図1のL軸に垂直な面を「端面」と称し、W軸に垂直な面を「側面」と称し、T軸に垂直な面を「上下面」と称する。コイル部品1は、素体2と、該素体2の両端面に設けられた第1外部電極3a、第2外部電極3b、第3外部電極4aおよび第4外部電極4bを有する。素体2は、支持基板6と、該支持基板6の第1主面11に設けられた第1コイル7と、該支持基板6の第2主面12に設けられた第2コイル8と、第1コイル7および第2コイル8の周囲に設けられた絶縁部9と、これらを取り囲むように設けられた磁性体部10とを有する。即ち、第1コイル7および第2コイル8は、磁性体部10に埋設されている。第1コイル7の一端は第1外部電極3aに電気的に接続され、他端は第2外部電極3bに電気的に接続されている。第2コイル8の一端は第3外部電極4aに電気的に接続され、他端は第4外部電極4bに電気的に接続されている。第1コイル7と第2コイル8は、α巻コイルであり、支持基板6を介して対向して位置する。第1コイル7の軸と第2コイル8の軸は、支持基板6の主面に対して垂直な一の直線上にある。即ち、第1コイル7と第2コイル8は、コイルの軸方向から平面視した場合に、第1コイル7の巻き線部と第2コイル8の巻き線部が重なるように配置されている。尚、コイルの巻き線部とは、コイル導体が巻回された部分をいう。支持基板6は、第1コイル7および第2コイル8を支持しており、コイルの軸方向から平面視した場合、少なくとも第1コイル7または第2コイル8が存在する領域に存在する。支持基板6は開口部を有し、該開口部は、コイルの軸方向から平面視した場合、第1コイルおよび第2コイルの芯部と重なるように配置されている。尚、コイルの芯部とは、コイルの巻き線部の内側の領域をいう。
上記支持基板6は、焼結フェライトで構成されている。支持基板を焼結フェライトで構成することにより、第1コイルと第2コイル間の結合係数の調整の自由度が向上する。
上記支持基板6は、平面視において、第1コイルのコイル導体および第2コイルのコイル導体と重なる位置に存在する。また、支持基板6は開口部5を有し、該開口部は、第1コイルの芯部および第2コイルの芯部を重なる位置に設けられている。本開示のコイル部品において支持基板の形状は、平面視において、少なくとも第1コイルのコイル導体および第2コイルのコイル導体と重なり、第1コイルの芯部および第2コイルの芯部と少なくとも一部が重なる開口部を有するような形状であればよい。支持基板を上記の形状とすることにより、第1のコイルと第2のコイルの結合係数の調整の自由度が向上する。
上記支持基板6の厚みは、好ましくは40μm以上80μm以下、より好ましくは50μm以上70μm以下であり得る。支持基板6の厚みをかかる範囲にすることにより、第1のコイルと第2のコイルの結合係数の調整の自由度が向上し、例えば結合係数を-0.7以上-0.5以下の範囲に調整することが容易になる。
上記支持基板6の透磁率μ2は、μ2/μ1の比(μ1は磁性体部の透磁率)として、好ましくは0.05以上0.54以下、より好ましくは0.15以上0.20以下となる値であり得る。
上記焼結フェライトは、主成分としてFe、Zn、およびNiを含み、所望によりさらにCuを含む。通常、上記焼結フェライトの主成分は、実質的にFe、Zn、NiおよびCuの酸化物から成る。焼結フェライトは、Ni-Cu-Zn系フェライトが好ましい。
上記焼結フェライトにおいて、Fe含有量は、Feに換算して、好ましくは40.0モル%以上49.5モル%以下(主成分合計基準、以下も同様)であり、より好ましくは45.0モル%以上49.5モル%以下であり得る。
上記焼結フェライトにおいて、Zn含有量は、ZnOに換算して、好ましくは2.0モル%以上35.0モル%以下(主成分合計基準、以下も同様)であり、より好ましくは5.0モル%以上30.0モル%以下であり得る。
上記焼結フェライトにおいて、Cu含有量は、CuOに換算して、好ましくは6.0モル%以上13.0モル%以下(主成分合計基準、以下も同様)であり、より好ましくは8.0モル%以上10.0モル%以下である。
上記焼結フェライトにおいて、Ni含有量は、特に限定されず、上記した他の主成分であるFe、ZnおよびCuの残部とし得、好ましくは、NiOに換算して、10.0モル%以上45.0モル%以下(主成分合計基準、以下も同様)であり得る。
本開示において、上記焼結フェライトは、さらに添加成分を含んでいてもよい。焼結フェライトにおける添加成分としては、例えばMn、Co、Sn、Bi、Si等が挙げられるが、これに限定されるものではない。Mn、Co、Sn、BiおよびSiの含有量(添加量)は、主成分(Fe(Fe換算)、Zn(ZnO換算)、Cu(CuO換算)およびNi(NiO換算))の合計100重量部に対して、それぞれ、Mn、Co、SnO、Bi、およびSiOに換算して、0.1重量部以上1重量部以下であることが好ましい。また、上記焼結フェライトは、さらに製造上不可避な不純物を含んでいてもよい。
上記支持基板6は、例えば、以下のように製造することができる。フェライト材料として、Fe、ZnO、CuO、NiO、および必要に応じて添加成分を所定の組成になるように秤量し、混合および粉砕する。粉砕したフェライト材料を乾燥し、例えば600℃以上800℃以下で仮焼し、仮焼粉末を得る。この仮焼粉末に、所定量のポリビニルブチラール系等の有機バインダ、エタノール、トルエン等の有機溶剤、および可塑剤を入れて混合、粉砕し、シート成形する。作製したシートを所定の厚みになるように複数枚重ね合わせ、熱圧着する。所定の大きさになるように切断し、開口部を設ける。これを、例えば1000℃以上1200℃以下の温度で焼成して、焼結フェライトで構成された支持基板を得ることができる。
上記第1コイル7および第2コイル8は、それぞれ、支持基板6の第1主面11および第2主面12上に設けられている。即ち、第1コイル7および第2コイル8は、支持基板6を介して対向するように配置されている。
上記第1コイル7および第2コイル8は、それぞれ、コイル導体が相互に電気的に接続されることにより構成されている。コイル導体は、導電性材料を含む。好ましくは、コイル導体は、実質的に導電性材料からなる。かかる導電性材料としては、特に限定されないが、例えば、Au、Ag、Cu、Pd、Ni等が挙げられる。上記導電性材料は、好ましくはAgまたはCu、より好ましくはCuである。導電性材料は、1種のみであっても、2種以上であってもよい。
上記したように、本実施形態において、第1コイル7および第2コイル8は、コイル導体が相互に電気的に接続されることにより構成されているが、これに限定されず、別途形成されたコイルを支持基板上に配置したものであってもよい。また、本実施形態において、第1コイル7および第2コイル8はα巻コイルであるが、これに限定されない。さらに、コイルの巻回方向は、同じであっても異なっていてもよい。
上記絶縁部9は、第1コイル7のコイル導体および第2コイル8のコイル導体間に設けられている。絶縁部9を設けることによりコイル導体間の絶縁をより確実にすることができる。
上記絶縁部9は、好ましくは絶縁性樹脂から構成される。かかる絶縁性樹脂としては、好ましくは、熱硬化性のポリイミド樹脂、エポキシ樹脂が挙げられる。
上記磁性体部10は、磁性粉末および樹脂材料を含むコンポジット材料から構成される。
上記樹脂材料としては、特に限定されないが、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリオレフィン樹脂などの熱硬化性樹脂が挙げられる。樹脂材料は、1種のみであっても、2種以上であってもよい。
上記磁性粉末は、好ましくは金属粒子またはフェライト粒子、より好ましくは金属粒子である。該磁性粉末は、1種のみであっても、2種以上であってもよい。
上記金属粒子を構成する金属材料としては、特に限定されないが、例えば、鉄、コバルト、ニッケルもしくはガドリニウム、またはこれらの1種または2種以上を含む合金が挙げられる。
上記金属材料は、好ましくは、鉄または鉄合金である。鉄は、鉄そのものであってもよく、鉄誘導体、例えば錯体であってもよい。かかる鉄誘導体としては、特に限定されないが、鉄とCOの錯体であるカルボニル鉄、好ましくはペンタカルボニル鉄が挙げられる。特に、オニオンスキン構造(粒子の中心から同心球状の層を形成している構造)のハードグレードのカルボニル鉄(例えば、BASF社製のハードグレードのカルボニル鉄)が好ましい。上記鉄合金としては、特に限定されないが、例えば、Fe-Si系合金、Fe-Si-Cr系合金、Fe-Si-Al系合金、Fe-Ni系合金、Fe-Co系合金、Fe-Si-B-Nb-Cu系合金等が挙げられる。上記合金は、さらに、他の副成分としてB、C等を含んでいてもよい。副成分の含有量は、特に限定されないが、例えば0.1wt%以上5.0wt%以下、好ましくは0.5wt%以上3.0wt%以下であり得る。上記金属材料は、1種のみであっても、2種以上であってもよい。
上記フェライト粒子を構成するフェライト材料としては、特に限定されないが、例えば、主成分としてFe、Zn、Cu、およびNiを含むフェライト材料が挙げられる。
一の態様において、上記磁性粉末は、好ましくは0.5μm以上20μm以下、より好ましくは1.0μm以上15μm以下、さらに好ましくは1.0μm以上10μm以下の平均粒径を有する。上記磁性粉末の平均粒径を0.5μm以上とすることにより、磁性粉末の取り扱いが容易になる。また、上記磁性粉末の平均粒径を、20μm以下とすることにより、磁性粉末の充填率をより大きくすることが可能になり、磁性粉末の特性をより有効に得ることができる。例えば、磁性粉末が金属粒子の場合、磁気的特性が向上する。
ここに、上記平均粒径とは、素体の断面のSEM(走査型電子顕微鏡)画像における磁性粉末の円相当径のから算出する。例えば、上記平均粒径は、コイル部品1を切断して得られた断面について、複数箇所(例えば5箇所)の領域(例えば130μm×100μm)をSEMで撮影し、このSEM画像を画像解析ソフト(例えば、旭化成エンジニアリング株式会社製、A像くん(登録商標))用いて解析して、500個以上の金属粒子について円相当径を求めて算出することにより得ることができる。
上記磁性粉末の表面は、絶縁材料の被膜(以下、単に「絶縁被膜」ともいう)により覆われていてもよい。磁性粉末の表面を絶縁被膜により覆うことにより、素体の内部の比抵抗を高くすることができる。
上記磁性粉末の表面は、粒子間の絶縁性を高めることができる程度に絶縁被膜に覆われていればよく、磁性粉末の表面の一部だけ絶縁被膜に覆われていてもよい。また、絶縁被膜の形状は、特に限定されず、網目状であっても、層状であってもよい。好ましい態様において、上記磁性粉末は、その表面の30%以上、好ましくは60%以上、より好ましくは80%以上、さらに好ましくは90%以上、特に好ましくは100%の領域が絶縁被膜により覆われていてもよい。
上記絶縁被膜の厚みは、特に限定されないが、好ましくは1nm以上100nm以下、より好ましくは3nm以上50nm以下、さらに好ましくは5nm以上30nm以下、例えば10nm以上30nm以下または5nm以上20nm以下であり得る。絶縁被膜の厚みをより大きくすることにより、素体の比抵抗をより高くすることができる。また、絶縁被膜の厚みをより小さくすることにより、素体中の金属材料の量をより多くすることができ、素体の磁気的特性が向上し、コイル部品の小型化を図ることが容易になる。
一の態様において、上記絶縁被膜は、Siを含んだ絶縁材料により形成される。Siを含んだ絶縁材料としては、例えば、ケイ素系化合物、例えばSiO(xは1.5以上2.5以下、代表的にはSiO)が挙げられる。
一の態様において、上記絶縁被膜は、磁性粉末の表面が酸化することにより形成された酸化膜である。
上記絶縁被膜のコーティングの方法は、特に限定されず、当業者に公知のコーティング法、例えば、ゾル-ゲル法、メカノケミカル法、スプレードライ法、流動層造粒法、アトマイズ法、バレルスパッタ等を用いて行うことができる。
上記磁性体部10の透磁率μ1は、好ましくは20以上40以下、より好ましくは25以上35以下であり得る。
上記素体2において、上記磁性体部10の透磁率μ1に対する上記支持基板6の透磁率μ2との比(μ2/μ1)は、好ましくは0.7以下、より好ましくは0.54以下、さらに好ましくは0.30以下、さらにより好ましくは0.20以下であり得る。また、かかる比μ2/μ1は、好ましくは0.05以上、より好ましくは0.08以上、さらに好ましくは0.15以上であり得る。かかる比μ2/μ1を上記の範囲とすることにより、第1コイル7と第2コイル8の結合係数の調整の自由度が向上する。
上記素体2において、上記支持基板6の厚みをx(μm)とし、前記μ1とμ2との比(μ2/μ1)をyとした場合、座標(x,y)は、下記点A-B-C-D-E-F-G-H-I-J-Aで囲まれる領域以内に存在する。
A(40,0.15)、B(50,0.11)、C(60,0.08)、D(70,0.06)、E(80,0.05)、F(80,0.20)、G(70,0.25)、H(60,0.30)、I(50,0.41)、J(40,0.54)
(x,y)が、上記の関係を満たすことにより、第1コイル7および第2コイル8の結合係数を-0.7以上-0.5以下の範囲にすることが容易になる。
好ましい態様において、座標(x,y)は、下記点A’-B’-C’-D’-E’-F’-G’-H’-I’-J’-A’で囲まれる領域以内に存在する。
A’(40,0.23)、B’(50,0.17)、C’(60,0.13)、D’(70,0.11)、E’(80,0.08)、F’(80,0.14)、G’(70,0.18)、H’(60,0.22)、I’(50,0.29)、J’(40,0.39)
(x,y)が、上記の関係を満たすことにより、第1コイル7および第2コイル8の結合係数を-0.65以上-0.55以下の範囲にすることが容易になる。
上記第1外部電極3a、第2外部電極3b、第3外部電極4aおよび第4外部電極4b(以下、まとめて「外部電極」ともいう)は、コイル部品1の端面と該端面から延在した上下面の一部に設けられている。
上記外部電極は、導電性材料、好ましくはAu、Ag、Pd、Ni、SnおよびCuから選択される1種またはそれ以上の金属材料から構成される。
上記外部電極は、例えば、めっき、あるいは導電性材料を含んだペーストを塗布し、硬化または焼き付けすることで形成することができ、これらを組み合わせて形成してもよい。
上記外部電極は、単層であっても、多層であってもよい。
一の態様において、外部電極は多層である。外部電極は、好ましくはAg層、Ni層およびSn層の3層であり得る。
上記コイル部品1は、外部電極を除いて、保護層により覆われていてもよい。
上記保護層を構成する材料は、好ましくは絶縁性材料である。かかる絶縁性材料としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド等の電気絶縁性が高い樹脂材料が挙げられ、2種類以上の樹脂材料で上記保護層を形成してもよい。
上記保護層の厚みは、特に限定されないが、好ましくは3μm以上20μm以下、より好ましくは3μm以上10μm以下、さらに好ましくは3μm以上8μm以下であり得る。保護層の厚みを上記の範囲とすることにより、コイル部品1のサイズの増加を抑制しつつ、コイル部品1の表面の絶縁性を確保することができる。
次に、上記した本実施形態のコイル部品1の製造方法について説明する。
まず、支持基板6を準備し、かかる支持基板6の第1主面および第2主面の全体に、コイル導体を形成するためのシード層21を形成する。かかるシード層21は、無電解銅めっき、スパッタ等により形成することができる。次いで、シード層21上に、感光性レジスト層を形成する。かかる感光性レジスト層は、フィルムレジストを貼り付けて形成してもよく、あるいは、液状のレジストを塗布することで形成してもよい。感光性レジスト層にマスクを介して露光を行い、さらに現像を行うことで、コイル導体を形成するためのレジストパターン22を形成する。次いで、レジストパターン22の間にコイル導体23を形成する(図6(a)および(b))。かかるコイル導体23は、電解めっき、好ましくは電解銅めっき等により形成することができる。
次に、有機溶剤、アルカリ溶剤等を用いてレジストパターン22を除去する。次いで、硫酸系エッチャント、リン酸系エッチャント等を用いて、レジストパターン22下のシード層21を除去する。次いで、熱硬化性樹脂を、コイル導体23の間(レジストパターン22が存在した箇所)に流し込み、熱硬化することで絶縁部24を形成する(図7(a)および(b))。上記熱硬化性樹脂としては、好ましくはポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。
次に、感光性レジスト層を形成し、マスクを介して露光し、現像することで接続導体が形成される箇所が開口したレジストパターン25を形成する。次いで、レジストパターン25の間に接続導体26を形成する(図8(a)および(b))。かかる接続導体26は、電解めっき、好ましくは電解銅めっき等により形成することができる。
次に、有機溶剤、アルカリ溶剤等を用いてレジストパターン25を除去する。次いで、熱硬化性樹脂を、レジストパターン25が存在した箇所に流し込み、熱硬化することで絶縁部27を形成する。次いで、主面全体に、無電解銅めっき、スパッタ等により、コイル導体を形成するためのシード層28を形成する。次いで、シード層28全体に感光性レジスト層を形成し、マスクを介して露光を行い、さらに現像を行うことで、コイル導体を形成するためのレジストパターン29を形成する。次いで、電解銅めっき等で、レジストパターン29の間にコイル導体30を形成する(図9(a)および(b))。
次に、有機溶剤、アルカリ溶剤等を用いてレジストパターン29を除去する。次いで、硫酸系エッチャント、リン酸系エッチャント等を用いて、レジストパターン29下のシード層28を除去する。次いで、熱硬化性樹脂を、コイル導体30の間(レジストパターン29が存在した箇所)に流し込み、熱硬化することで絶縁部31を形成する(図10(a)および(b))。
次に、端面を除く全ての面(開口部を含む)に、磁性粉末および樹脂材料を含む磁性ペーストを塗布し、熱硬化することで磁性体部10を形成する(図11(a)および(b))。
次に、コイルの始端の終端が引き出された端面の4ヶ所に、導電性ペースト、例えばAg粉末とエポキシ樹脂からなるペーストを塗布し、熱硬化することで下地電極を形成する。下地電極の上に電解めっきで順次、Ni被膜、Sn被膜を形成して、第1~第4外部電極を形成して、本開示のコイル部品1を得る。
上記のようにして、図1~図5に示すコイル部品1を製造することができる。
以上、本開示の1つの実施形態について説明したが、本開示はかかる実施形態に限定されず、種々の改変が可能である。
図1~図5に示すコイル部品1(L=2.0mm、W=1.6mm、T=0.65mm)について、支持基板の厚みを40μm、50μm、60μm、70μmおよび80μmとし、磁性体部の透磁率μ1を20、25、30、35および40として、磁性体部の透磁率μ1と支持基板の透磁率μ2との比(μ2/μ1)と、第1コイル7と第2コイルの間の結合係数の関係をシミュレーションした。結果を、図12~図16に示す。
シミュレーションの結果、結合係数が-0.7以上-0.5以下となるのは、支持基板の厚みをx(μm)とし、μ1とμ2との比(μ2/μ1)をyとしたとき、(x,y)が、下記点A-B-C-D-E-F-G-H-I-J-Aで囲まれる領域以内にある場合であることが確認された。
A(40,0.15)、B(50,0.11)、C(60,0.08)、D(70,0.06)、E(80,0.05)、F(80,0.20)、G(70,0.25)、H(60,0.30)、I(50,0.41)、J(40,0.54)
本開示のコイル部品は、インダクタ等として、有用に用いることができる。
1…コイル部品
2…素体
3a,3b…第1外部電極,第2外部電極
4a,4b…第3外部電極,第4外部電極
5…開口部
6…支持基板
7…第1コイル
8…第2コイル
9…絶縁部
10…磁性体部
11…第1主面
12…第2主面
13…コイル導体
21…シード層
22…レジストパターン
23…コイル導体
24…絶縁部
25…レジストパターン
26…接続導体
27…絶縁部
28…シード層
29…レジストパターン
30…コイル導体
31…絶縁部

Claims (5)

  1. 開口部を有する支持基板と、
    前記支持基板の第1主面に設けられた第1コイルと、
    前記支持基板の第2主面に設けられた第2コイルと、
    磁性体部と
    を備えた素体と、
    前記素体の表面に設けられた、前記第1コイルに電気的に接続された第1外部電極および第2外部電極、ならびに前記第2コイルに電気的に接続された第3外部電極および第4外部電極と
    を備えたコイル部品であって、
    前記第1コイル全体と前記第2コイル全体は、前記支持基板を介して対向するように配置されており、
    前記支持基板の開口部、前記第1コイルの芯部および前記第2コイルの芯部は、前記支持基板の主面に垂直な方向から平面視した場合に少なくとも一部が重なっており、
    前記磁性体部は、少なくとも前記支持基板の開口部、前記第1コイルの芯部、前記第2コイルの芯部に設けられており、
    前記支持基板が焼結フェライトで構成されている、
    コイル部品。
  2. 前記支持基板の厚みが40μm以上80μm以下である、請求項1に記載のコイル部品
  3. 前記磁性体部の透磁率μ1は、20以上40以下である、請求項1または2に記載のコイル部品。
  4. 前記磁性体部の透磁率μ1に対する前記支持基板の透磁率μ2の比は0.7以下である、請求項1~3のいずれか1項に記載のコイル部品。
  5. 前記支持基板の厚みをx(μm)とし、前記磁性体部の透磁率μ1に対する前記支持基板の透磁率μ2の比をyとし、該(x,y)が、下記A-B-C-D-E-F-G-H-I-J-A:
    A(40,0.15)、B(50,0.11)、C(60,0.08)、D(70,0.06)、E(80,0.05)、F(80,0.20)、G(70,0.25)、H(60,0.30)、I(50,0.41)、J(40,0.54)
    で囲まれる領域以内に存在する、請求項1~4のいずれか1項に記載のコイル部品。
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