CN212010662U - 线圈部件 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供线圈部件，第1线圈与第2线圈之间的耦合系数的调整的自由度较高。线圈部件具备：本体，其具备具有开口部的支承基板、在所述支承基板的第1主面设置的第1线圈、在所述支承基板的第2主面设置的第2线圈、以及磁性体部；以及设置于所述本体的表面的、与所述第1线圈电连接的第1外部电极和第2外部电极以及与所述第2线圈电连接的第3外部电极以及第4外部电极，在从与所述支承基板的主面垂直的方向俯视的情况下，所述支承基板的开口部、所述第1线圈的芯部以及所述第2线圈的芯部至少局部重叠，所述磁性体部至少设置于所述支承基板的开口部、所述第1线圈的芯部、所述第2线圈的芯部，所述支承基板由烧结铁氧体构成。
Description
技术领域
本实用新型涉及线圈部件。
背景技术
以往，电感器中使用线圈阵列，例如，在专利文献1中公开了在基板的上表面和下表面具备线圈的线圈阵列。
专利文献1：日本特开2018-137421号公报
在专利文献1中记载的线圈阵列中，基板使用不具有磁特性的材料的基板、例如印刷电路基板，第1线圈与第2线圈之间的耦合系数的调整的自由度较低，有可能无法取得充分的耦合。
实用新型内容
因此，本实用新型的目的在于，提供第1线圈与第2线圈之间的耦合系数的调整的自由度较高的线圈部件。
本实用新型包含以下的方式。[1]一种线圈部件，其具备：本体，其具备具有开口部的支承基板、在所述支承基板的第1主面设置的第1线圈、在所述支承基板的第2主面设置的第2线圈、以及磁性体部；以及设置于所述本体的表面的、与所述第1线圈电连接的第1外部电极和第2外部电极以及与所述第2线圈电连接的第3外部电极以及第4外部电极，在从与所述支承基板的主面垂直的方向俯视的情况下，所述支承基板的开口部、所述第1线圈的芯部以及所述第2线圈的芯部至少局部重叠，所述磁性体部至少设置于所述支承基板的开口部、所述第1线圈的芯部、所述第2线圈的芯部，所述支承基板由烧结铁氧体构成。[2]根据上述[1]所述的线圈部件，所述支承基板的厚度为40μm以上且80μm以下。[3]根据上述[1]或[2]所述的线圈部件，所述磁性体部的透磁率μ1为20以上且40以下。[4]根据上述[1]至[3]中任一项所述的线圈部件，所述支承基板的透磁率μ2与所述磁性体部的透磁率μ1之比值为0.7以下。[5]根据上述[1]至[4]中任一项所述的线圈部件，将所述支承基板的厚度设为x(μm)、将所述支承基板的透磁率μ2与所述磁性体部的透磁率μ1之比值设为y，该(x，y)存在于由下述A-B-C-D-E-F-G-H-I-J-A：A(40，0.15)、B(50，0.11)、C(60，0.08)、D(70，0.06)、E(80，0.05)、F(80，0.20)、G(70，0.25)、H(60，0.30)、I(50，0.41)、J(40，0.54)围起的区域以内。
在本实用新型的线圈部件中，由于第1线圈与第2线圈之间的基板使用由烧结铁氧体构成的基板，因此第1线圈与第2线圈之间的耦合系数的调整的自由度较高。
附图说明
图1是本实用新型的一个方式的线圈部件1的立体图。
图2是线圈部件1的A-A剖视图。
图3是线圈部件1的B-B剖视图。
图4是线圈部件1的C-C剖视图。
图5是线圈部件1的D-D剖视图。
图6的(a)和(b)分别是用于对线圈部件1的制造方法进行说明的俯视图和剖视图。
图7的(a)和(b)分别是用于对线圈部件1的制造方法进行说明的俯视图和剖视图。
图8的(a)和(b)分别是用于对线圈部件1的制造方法进行说明的俯视图和剖视图。
图9的(a)和(b)分别是用于对线圈部件1的制造方法进行说明的俯视图和剖视图。
图10的(a)和(b)分别是用于对线圈部件1的制造方法进行说明的俯视图和剖视图。
图11的(a)和(b)分别是用于对线圈部件1的制造方法进行说明的俯视图和剖视图。
图12是示出基板厚度为40μm的情况下的、模拟了耦合系数与μ2/μ1间的关系的结果的图表。
图13是示出基板厚度为50μm的情况下的、模拟了耦合系数与μ2/μ1间的关系的结果的图表。
图14是示出基板厚度为60μm的情况下的、模拟了耦合系数与μ2/μ1间的关系的结果的图表。
图15是示出基板厚度为70μm的情况下的、模拟了耦合系数与μ2/μ1间的关系的结果的图表。
图16是示出基板厚度为80μm的情况下的、模拟了耦合系数与μ2/μ1间的关系的结果的图表。
附图标记的说明
1…线圈部件；2…本体；3a、3b…第1外部电极、第2外部电极；4a、4b…第3外部电极、第4外部电极；5…开口部；6…支承基板；7…第1线圈；8…第2线圈；9…绝缘部；10…磁性体部；11…第1主面；12…第2主面；13…线圈导体；21…种子层；22…抗蚀剂图案；23…线圈导体；24…绝缘部；25…抗蚀剂图案；26…连接导体；27…绝缘部；28…种子层；29…抗蚀剂图案；30…线圈导体；31…绝缘部。
具体实施方式
以下，一边参照附图一边对本实用新型的一个实施方式的线圈部件1进行详细地说明。其中，本实施方式的线圈部件和各构成要素的形状和配置方式等不限于图示的例子。
在图1中示出本实施方式的线圈部件1的立体图，在图2中示出A-A剖视图，在图3中示出B-B剖视图，在图4中示出C-C剖视图，在图5中示出D-D剖视图。如图1～图5所示，本实施方式的线圈部件1是具有大致长方体形状的线圈部件。在线圈部件1中，将与图1的L轴垂直的面称为“端面”，将与W轴垂直的面称为“侧面”，将与T轴垂直的面称为“上下表面”。线圈部件1具有本体2、设置于该本体2的两端面的第1外部电极3a、第2外部电极3b、第3外部电极4a和第4外部电极4b。本体2具有：支承基板6、设置在该支承基板6的第1主面11的第1线圈7、设置在该支承基板6的第2主面12的第2线圈8、设置在第1线圈7和第2线圈8四周的绝缘部9、以及设置为包围它们的磁性体部10。即，第1线圈7和第2线圈8埋设于磁性体部10。第1线圈7的一端与第1外部电极3a电连接，另一端与第2外部电极3b电连接。第2线圈8的一端与第3外部电极4a电连接，另一端与第4外部电极4b电连接。第1线圈7和第2线圈8为α卷线圈，隔着支承基板6对置配置。第1线圈7的轴线和第2线圈8的轴线位于与支承基板6的主面垂直的一条直线上。即，在从线圈的轴向俯视的情况下，第1线圈7和第2线圈8被配置为第1线圈7的绕线部与第2线圈8的绕线部重叠。另外，线圈的绕线部是指线圈导体卷绕起来的部分。支承基板6支承第1线圈7和第2线圈8，在从线圈的轴向俯视的情况下，至少存在于第1线圈7或者第2线圈8所在的区域。支承基板6具有开口部，在从线圈的轴向俯视的情况下，该开口部被配置为与第1线圈和第2线圈的芯部重叠。另外，线圈的芯部是指线圈绕线部的内侧的区域。
上述支承基板6由烧结铁氧体构成。通过由烧结铁氧体构成支承基板，而提高第1线圈与第2线圈之间的耦合系数的调整的自由度。
上述支承基板6在俯视时，存在于与第1线圈的线圈导体和第2线圈的线圈导体重叠的位置。另外，支承基板6具有开口部5，该开口部设置于与第1线圈的芯部和第2线圈的芯部重叠的位置。在本实用新型的线圈部件中支承基板的形状只要是如下的形状即可：具有开口部，在俯视时，该开口部至少与第1线圈的线圈导体和第2线圈的线圈导体重叠，该开口部的至少局部与第1线圈的芯部和第2线圈的芯部重叠。通过使支承基板为上述的形状，而提高第1线圈与第2线圈的耦合系数的调整的自由度。
上述支承基板6的厚度可以优选为40μm以上且80μm以下，更优选为50μm以上且70μm以下。通过使支承基板6的厚度处于该范围，而提高第1线圈与第2线圈的耦合系数的调整的自由度，例如容易将耦合系数调整为-0.7以上且-0.5以下的范围。
关于上述支承基板6的透磁率μ2，作为μ2/μ1之比值(μ1为磁性体部的透磁率)，可以优选为0.05以上且0.54以下的值，更优选为0.15以上且0.20以下的值。
关于上述烧结铁氧体，作为主成分，包含Fe、Zn以及Ni，根据期望还包含Cu。通常，上述烧结铁氧体的主成分实际上由Fe、Zn、Ni以及Cu的氧化物构成。烧结铁氧体优选为Ni-Cu-Zn系铁氧体。
在上述烧结铁氧体中，关于Fe含量，可以是，换算成Fe2O3，而优选为40.0摩尔％以上且49.5摩尔％以下(主成分合计基准，以下也相同)，更优选为45.0摩尔％以上且49.5摩尔％以下。
在上述烧结铁氧体中，关于Zn含量，可以是，换算成ZnO，而优选为2.0摩尔％以上且35.0摩尔％以下(主成分合计基准，以下也相同)，更优选为5.0摩尔％以上且30.0摩尔％以下。
在上述烧结铁氧体中，关于Cu含量，可以是，换算成CuO，而优选为6.0摩尔％以上且13.0摩尔％以下(主成分合计基准，以下也相同)，更优选为8.0摩尔％以上且10.0摩尔％以下。
在上述烧结铁氧体中，Ni含量没有特别限定，可以为上述的其他主成分即Fe、Zn以及Cu的剩余部分，可以是，优选换算成NiO而为10.0摩尔％以上且45.0摩尔％以下(主成分合计基准，以下也相同)。
在本实用新型中，上述烧结铁氧体也可以进一步包含添加成分。作为烧结铁氧体的添加成分，例如列举Mn、Co、Sn、Bi、Si等，但不限于此。Mn、Co、Sn、Bi以及Si的含量(添加量)相对于主成分(Fe(Fe2O3换算)、Zn(ZnO换算)、Cu(CuO换算)以及Ni(NiO换算))的合计100重量份，分别换算成Mn3O4、Co3O4、SnO2、Bi2O3以及SiO2而优选为0.1重量份以上且1重量份以下。另外，上述烧结铁氧体也可以进一步包含制造上不可避免的杂质。
上述支承基板6例如能够像以下那样制造。作为铁氧体材料，对Fe2O3、ZnO、CuO、NiO以及根据需要的添加成分进行秤量、混合以及粉碎以成为规定的组成。对粉碎的铁氧体材料进行干燥，例如在600℃以上且800℃以下进行煅烧，得到煅烧粉末。在该煅烧粉末中加入规定的量的聚乙烯红荧烷系等有机粘合剂、乙醇、甲苯等有机溶剂以及增塑剂而混合、粉碎、并进行片成形。将制作的片材重叠多张以成为规定的厚度，并进行热压接。进行切断以成为规定的大小，并设置开口部。能够将其在例如1000℃以上且1200℃以下的温度下烧制，得到由烧结铁氧体构成的支承基板。
上述第1线圈7和第2线圈8分别设置在支承基板6的第1主面11和第2主面12上。即，第1线圈7和第2线圈8隔着支承基板6对置配置。
上述第1线圈7和第2线圈8分别是通过将线圈导体相互电连接而构成的。线圈导体包含导电性材料。优选为，线圈导体实质上由导电性材料构成。作为该导电性材料，没有特别限定，例如列举Au、Ag、Cu、Pd、Ni等。上述导电性材料优选为Ag或者Cu，更优选为Cu。导电性材料可以仅为1种，也可以为2种以上。
如上所述，在本实施方式中，第1线圈7和第2线圈8是通过将线圈导体相互电连接而构成的，但不限于此，也可以将另外形成的线圈配置在支承基板上。另外，在本实施方式中，第1线圈7和第2线圈8为α卷线圈，但不限于此。并且，线圈的卷绕方向可以相同也可以不同。
上述绝缘部9设置在第1线圈7的线圈导体和第2线圈8的线圈导体之间。通过设置绝缘部9，能够更可靠地实现线圈导体间的绝缘。
上述绝缘部9优选由绝缘性树脂构成。作为该绝缘性树脂，优选列举热固性的聚酰亚胺树脂、环氧树脂。
上述磁性体部10由包含磁性粉末和树脂材料的复合材料构成。
作为上述树脂材料，没有特别限定，例如列举环氧树脂、酚醛树脂、聚酯树脂、聚酰亚胺树脂、聚烯烃树脂等热固性树脂。树脂材料可以仅为1种，也可以为2种以上。
上述磁性粉末优选为金属粒子或者铁氧体粒子，更优选为金属粒子。该磁性粉末可以仅为1种，也可以为2种以上。
作为构成上述金属粒子的金属材料，没有特别限定，例如列举铁、钴、镍或钆、或者包含它们中的1种或者2种以上的合金。
上述金属材料优选为铁或者铁合金。铁可以是铁本身，也可以是铁衍生物、例如络合物。作为该铁衍生物，没有特别限定，列举作为铁与CO的络合物的羰基铁、优选为五羰基铁。特别是，优选为洋葱皮构造(从粒子的中心起形成同心球状的层这种构造)的硬(H)等级的羰基铁(例如，BASF公司制的硬等级的羰基铁)。作为上述铁合金，没有特别限定，例如列举Fe-Si系合金、Fe-Si-Cr系合金、Fe-Si-Al系合金、Fe-Ni系合金、Fe-Co系合金、Fe-Si-B-Nb-Cu系合金等。作为其他的副成分，上述合金也可以进一步包含B、C等。副成分的含量没有特别限定，例如可以为0.1wt％以上且5.0wt％以下，优选为0.5wt％以上且3.0wt％以下。上述金属材料可以仅为1种，也可以为2种以上。
作为构成上述铁氧体粒子的铁氧体材料，没有特别限定，例如，列举包含作为主成分的Fe、Zn、Cu以及Ni的铁氧体材料。
在一个方式中，上述磁性粉末具有优选为0.5μm以上且20μm以下、更优选为1.0μm以上且15μm以下、进一步优选为1.0μm以上且10μm以下的平均粒径。通过使上述磁性粉末的平均粒径为0.5μm以上，磁性粉末的操作变得容易。另外，通过使上述磁性粉末的平均粒径为20μm以下，能够使磁性粉末的填充率更大，能够更有效地得到磁性粉末的特性。例如，在磁性粉末为金属粒子的情况下，磁的特性提高。
这里，上述平均粒径，是根据本体的截面的SEM(扫描式电子显微镜)图像中的磁性粉末的当量圆直径来计算的。例如，对于将线圈部件1切断而得到的截面，利用SEM来拍摄多个部位(例如5个部位)的区域(例如130μm×100μm)，使用图像解析软件(例如，旭化成工程株式会社制、A图像(注册商标))来解析该SEM图像，求出500个以上的金属粒子当量圆直径并进行计算，由此能够得到上述平均粒径。
上述磁性粉末的表面也可以被绝缘材料的覆膜(以下，也简称为“绝缘覆膜”)覆盖。通过绝缘覆膜来覆盖磁性粉末的表面，能够提高本体的内部的电阻率。
上述磁性粉末的表面只要以能够提高粒子间的绝缘性的程度被绝缘覆膜覆盖即可，也可以是，仅磁性粉末的表面的局部被绝缘覆膜覆盖。另外，绝缘覆膜的形状没有特别限定，可以是网眼状，也可以是层状。在优选的方式中，也可以是，上述磁性粉末的表面的30％以上、优选为60％以上、更优选为80％以上、进一步优选为90％以上、特别优选为100％的区域被绝缘覆膜覆盖。
上述绝缘覆膜的厚度没有特别限定，可以优选为1nm以上且100nm以下，更优选为3nm以上且50nm以下，进一步优选为5nm以上且30nm以下，例如为10nm以上且30nm以下或者5nm以上且20nm以下。通过使绝缘覆膜的厚度更大，能够使本体的电阻率更高。另外，通过使绝缘覆膜的厚度更小，能够使本体中的金属材料的量更多，容易使本体的磁的特性提高，并实现线圈部件的小型化。
在一个方式中，上述绝缘覆膜由包含Si的绝缘材料形成。作为包含Si的绝缘材料，例如列举硅系化合物、例如SiOx(x为1.5以上且2.5以下，代表性地为SiO2)。
在一个方式中，上述绝缘覆膜是通过磁性粉末的表面氧化而形成的氧化膜。
上述绝缘覆膜的涂布方法没有特别限定，能够使用本领域技术人员公知的涂布法、例如溶胶-凝胶法、机械化学法、喷雾干燥法、流动层造粒法、雾化法、筒式溅射等来进行。
上述磁性体部10的透磁率μ1可以优选为20以上且40以下，更优选为25以上且35以下。
在上述本体2中，上述支承基板6的透磁率μ2比上述磁性体部10的透磁率μ1之比值(μ2/μ1)可以优选为0.7以下、更优选为0.54以下、进一步优选为0.30以下、更进一步优选为0.20以下。另外，该比值μ2/μ1可以优选为0.05以上、更优选为0.08以上、进一步优选为0.15以上。通过使该比值μ2/μ1处于上述的范围，而提高第1线圈7与第2线圈8的耦合系数的调整的自由度。
在上述本体2中，在将上述支承基板6的厚度设为x(μm)、将上述μ1与μ2之比值(μ2/μ1)设为y的情况下，坐标(x，y)存在于由下述点A-B-C-D-E-F-G-H-I-J-A围起的区域以内。通过A(40，0.15)、B(50，0.11)、C(60，0.08)、D(70，0.06)、E(80，0.05)、F(80，0.20)、G(70，0.25)、H(60，0.30)、I(50，0.41)、J(40，0.54)(x，y)满足上述的关系，从而容易使第1线圈7和第2线圈8的耦合系数处于-0.7以上且-0.5以下的范围。
在优选的方式中，坐标(x，y)存在于由下述点A’-B’-C’-D’-E’-F’-G’-H’-I’-J’-A’围起的区域以内。通过A’(40，0.23)、B’(50，0.17)、C’(60，0.13)、D’(70，0.11)、E’(80，0.08)、F’(80，0.14)、G’(70，0.18)、H’(60，0.22)、I’(50，0.29)、J’(40，0.39)(x，y)满足上述的关系，从而容易使第1线圈7和第2线圈8的耦合系数处于-0.65以上且-0.55以下的范围。
上述第1外部电极3a、第2外部电极3b、第3外部电极4a以及第4外部电极4b(以下，也统称为“外部电极”)设置在线圈部件1的端面和从该端面延伸的上下表面的局部。
上述外部电极由导电性材料、优选为从Au、Ag、Pd、Ni、Sn以及Cu中选择的1种或者1种以上的金属材料构成。
上述外部电极例如能够通过电镀或者涂覆包含导电性材料的糊剂、并进行固化或者烧结而形成，也可以将它们组合而形成。
上述外部电极可以是单层，也可以是多层。
在一个方式中，外部电极为多层。外部电极可以优选为Ag层、Ni层以及Sn层这3层。
上述线圈部件1除了外部电极之外，也可以由保护层覆盖。
构成上述保护层的材料优选为绝缘性材料。作为该绝缘性材料，例如列举丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰亚胺等电绝缘性较高的树脂材料，也可以利用2种以上的树脂材料来形成上述保护层。
上述保护层的厚度没有特别限定，但可以优选为3μm以上且20μm以下，更优选为3μm以上且10μm以下，进一步优选为3μm以上且8μm以下。通过使保护层的厚度处于上述的范围，能够抑制线圈部件1的尺寸的增加，并且确保线圈部件1的表面的绝缘性。
接着，对上述的本实施方式的线圈部件1的制造方法进行说明。
首先，准备支承基板6，在该支承基板6的第1主面和第2主面的整体形成用于形成线圈导体的种子层21。该种子层21能够通过化学镀铜、溅射等来形成。接着，在种子层21上形成感光性抗蚀剂层。该感光性抗蚀剂层也可以粘贴抗蚀膜而形成，或者也可以通过涂覆液状的抗蚀剂而形成。经由掩模对感光性抗蚀剂层进行曝光，进一步进行显影，由此形成用于形成线圈导体的抗蚀剂图案22。接着，在抗蚀剂图案22之间形成线圈导体23(图6(a)和(b))。该线圈导体23能够通过电镀、优选为电镀铜等而形成。
接着，使用有机溶剂、碱溶剂等而除去抗蚀剂图案22。接着，使用硫酸系蚀刻剂、磷酸系蚀刻剂等而除去抗蚀剂图案22下的种子层21。接着，通过使热固性树脂流入线圈导体23之间(存在抗蚀剂图案22的部位)并进行热固化而形成绝缘部24(图7(a)和(b))。作为上述热固性树脂，优选列举聚酰亚胺树脂、环氧树脂等。
接着，形成感光性抗蚀剂层，隔着掩模进行曝光、显影，由此形成供连接导体形成的部位开口的抗蚀剂图案25。接着，在抗蚀剂图案25之间形成连接导体26(图8(a)和(b))。该连接导体26能够通过电镀、优选为电解镀铜等而形成。
接着，使用有机溶剂、碱溶剂等来除去抗蚀剂图案25。接着，通过使热固性树脂流入存在抗蚀剂图案25的部位并进行热固化而形成绝缘部27。接着，通过化学镀铜、溅射等而在主面整体形成用于形成线圈导体的种子层28。接着，通过在种子层28的整体形成感光性抗蚀剂层，经由掩模进行曝光，进一步进行显影，从而形成用于形成线圈导体的抗蚀剂图案29。接着，通过电镀铜等，在抗蚀剂图案29之间形成线圈导体30(图9(a)和(b))。
接着，使用有机溶剂、碱溶剂等来除去抗蚀剂图案29。接着，使用硫酸系蚀刻剂、磷酸系蚀刻剂等来除去抗蚀剂图案29下的种子层28。接着，通过使热固性树脂流入线圈导体30之间(存在抗蚀剂图案29的部位)并进行热固化而形成绝缘部31(图10(a)和(b))。
接着，通过在除去端面之外的所有的面(包含开口部)涂覆包含磁性粉末和树脂材料的磁性糊剂并进行热固化而形成磁性体部10(图11(a)和(b))。
接着，在线圈的始端和终端引出的端面的4个部位涂覆导电性糊剂、例如由Ag粉末和环氧树脂构成的糊剂，并进行热固化而形成基底电极。在基底电极上通过电镀依次形成Ni覆膜、Sn覆膜，而形成第1～第4外部电极，得到本实用新型的线圈部件1。
如上所述，能够制造图1～图5所示的线圈部件1。
以上，对本实用新型的一个实施方式进行了说明，但本实用新型不限于该实施方式，能够进行各种变更。
【实施例】
对于图1～图5所示的线圈部件1(L＝2.0mm、W＝1.6mm、T＝0.65mm)，将支承基板的厚度设为40μm、50μm、60μm、70μm以及80μm，将磁性体部的透磁率μ1设为20、25、30、35和40，模拟了磁性体部的透磁率μ1与支承基板的透磁率μ2之比值(μ2/μ1)和第1线圈7与第2线圈之间的耦合系数的关系。在图12～图16中示出结果。
模拟的结果为耦合系数为-0.7以上且-0.5以下，是指确认了在将支承基板的厚度设为x(μm)、将μ1与μ2之比值(μ2/μ1)设为y时，(x，y)处于由下述点A-B-C-D-E-F-G-H-I-J-A围起的区域以内的情况。A(40，0.15)、B(50，0.11)、C(60，0.08)、D(70，0.06)、E(80，0.05)、F(80，0.20)、G(70，0.25)、H(60，0.30)、I(50，0.41)、J(40，0.54)
产业上的可利用性
本实用新型的线圈部件作为电感器等，能够有效地使用。
Claims (5)
1.一种线圈部件，其具备：
本体，其具备具有开口部的支承基板、在所述支承基板的第1主面设置的第1线圈、在所述支承基板的第2主面设置的第2线圈、以及磁性体部；以及
设置于所述本体的表面的、与所述第1线圈电连接的第1外部电极和第2外部电极以及与所述第2线圈电连接的第3外部电极以及第4外部电极，
在从与所述支承基板的主面垂直的方向俯视的情况下，所述支承基板的开口部、所述第1线圈的芯部以及所述第2线圈的芯部至少局部重叠，
所述磁性体部至少设置于所述支承基板的开口部、所述第1线圈的芯部、所述第2线圈的芯部，
所述支承基板由烧结铁氧体构成。
2.根据权利要求1所述的线圈部件，其中，
所述支承基板的厚度为40μm以上且80μm以下。
3.根据权利要求1或2所述的线圈部件，其中，
所述磁性体部的透磁率μ1为20以上且40以下。
4.根据权利要求1或2所述的线圈部件，其中，
所述支承基板的透磁率μ2比所述磁性体部的透磁率μ1之比值为0.7以下。
5.根据权利要求1或2所述的线圈部件，其中，
将所述支承基板的厚度设为xμm、将所述支承基板的透磁率μ2比所述磁性体部的透磁率μ1之比值设为y，该(x，y)存在于由下述A-B-C-D-E-F-G-H-I-J-A：A(40，0.15)、B(50，0.11)、C(60，0.08)、D(70，0.06)、E(80，0.05)、F(80，0.20)、G(70，0.25)、H(60，0.30)、I(50，0.41)、J(40，0.54)围起的区域以内。
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