JP7159199B2 - 半導体記憶装置、電子機器及び情報の読み出し方法 - Google Patents
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Description
1.概要
2.構造例
3.製造方法
4.動作例
5.適用例
まず、図1を参照して、本開示の一実施形態に係る半導体記憶装置の概要について説明する。図1は、本実施形態に係る半導体記憶装置の等価回路を示した回路図である。なお、図1では、「ゲート」は、電界効果トランジスタのゲート電極を表し、「ドレイン」は、電界効果トランジスタのドレイン電極又はドレイン領域を表し、「ソース」は、電界効果トランジスタのソース電極又はソース領域を表すものとする。
続いて、図2を参照して、本実施形態に係る半導体記憶装置1の具体的な構造について説明する。図2は、本実施形態に係る半導体記憶装置1の平面構造及び断面構造を示す模式図である。
続いて、図3~図8を参照して、本実施形態に係る半導体記憶装置1の製造方法について説明する。図3~図8は、半導体記憶装置1の製造方法の各工程を説明する平面図及び断面図である。
続いて、図9及び10を参照して、上記で説明した半導体記憶装置1の書き込み動作及び読み出し動作について説明する。図9は、強誘電体膜113の分極量と、印加電圧とのヒステリシス曲線の一例を示すグラフ図である。図10は、第1トランジスタ10のゲートに印加された電圧と、ソース及びドレイン間に流れる電流との関係の一例を示すグラフ図である。
続いて、本開示の一実施形態に係る電子機器について説明する。本開示の一実施形態に係る電子機器は、上述した半導体記憶装置1を含む回路が搭載された種々の電子機器である。図11A~図11Cを参照して、このような本実施形態に係る電子機器の例について説明する。図11A~図11Cは、本実施形態に係る電子機器の一例を示す外観図である。
(1)
第1トランジスタと、
絶縁体を介して対向する一対のキャパシタ電極にて設けられ、前記キャパシタ電極の一方が前記第1トランジスタのゲート電極と電気的に接続されるキャパシタと、
ソース又はドレインの一方が前記第1トランジスタのソース又はドレインの一方、及び前記キャパシタ電極の他方と電気的に接続される第2トランジスタと、
前記第1トランジスタのゲート電極、及び前記キャパシタ電極の一方と電気的に接続されるプレート線と、
を備える、半導体記憶装置。
(2)
前記絶縁体は、強誘電体である、前記(1)に記載の半導体記憶装置。
(3)
前記第1トランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続されるソース線と、
前記第2トランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続されるビット線と、
前記第2トランジスタのゲート電極と電気的に接続されるワード線と、
をさらに備える、前記(1)又は(2)に記載の半導体記憶装置。
(4)
前記ビット線は、前記第1トランジスタ及び前記第2トランジスタが配列された第1方向に延伸して設けられる、前記(3)に記載の半導体記憶装置。
(5)
前記ソース線は、前記第1方向と直交する第2方向に延伸して設けられる、前記(4)に記載の半導体記憶装置。
(6)
前記ワード線及び前記プレート線は、前記第2方向に延伸して設けられる、前記(5)に記載の半導体記憶装置。
(7)
前記キャパシタは、前記第1トランジスタの前記ゲート電極の上に設けられる、前記(1)~(6)のいずれか一項に記載の半導体記憶装置。
(8)
前記キャパシタは、前記第1トランジスタ及び前記第2トランジスタを埋め込む平坦化膜に形成された開口の内部に設けられる、前記(7)に記載の半導体記憶装置。
(9)
前記キャパシタは、前記開口に沿って設けられた前記キャパシタ電極の一方、前記開口に沿って前記キャパシタ電極の一方の上に設けられた前記絶縁体、及び前記開口を埋め込むように前記絶縁体の上に設けられた前記キャパシタ電極の他方にて構成される、前記(8)に記載の半導体記憶装置。
(10)
前記キャパシタ電極の他方は、前記平坦化膜を貫通して設けられたコンタクトを介して、前記第1トランジスタのソース又はドレインの一方、及び前記第2トランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続される、前記(8)又は(9)に記載の半導体記憶装置。
(11)
半導体記憶装置を備え、
前記半導体記憶装置は、
第1トランジスタと、
絶縁体を介して対向する1対のキャパシタ電極にて設けられ、前記キャパシタ電極の一方が前記第1トランジスタのゲート電極と電気的に接続されるキャパシタと、
ソース又はドレインの一方が前記第1トランジスタのソース又はドレインの一方、及び前記キャパシタ電極の他方と電気的に接続される第2トランジスタと、
前記第1トランジスタのゲート電極、及び前記キャパシタ電極の一方と電気的に接続されるプレート線と、
を備える、電子機器。
(12)
第1トランジスタと、
絶縁体を介して対向する1対のキャパシタ電極にて設けられ、前記キャパシタ電極の一方が前記第1トランジスタのゲート電極と電気的に接続されるキャパシタと、
ソース又はドレインの一方が前記第1トランジスタのソース又はドレインの一方、及び前記キャパシタ電極の他方と電気的に接続される第2トランジスタと、
前記第1トランジスタのゲート電極、及び前記キャパシタ電極の一方と電気的に接続されるプレート線と、
前記第2トランジスタのゲート電極と電気的に接続されるワード線と、
前記第1トランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続されるソース線と、
前記第2トランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続されるビット線と、
を備える半導体記憶装置に対して、
前記プレート線をフローティング状態とし、前記ワード線に前記第2トランジスタの閾値電圧以上の電圧を印加し、前記ビット線と前記ソース線との間に所定の電圧を印加することで、前記キャパシタに記憶された情報を読み出す、情報の読み出し方法。
10 第1トランジスタ
20 第2トランジスタ
30 キャパシタ
100 半導体基板
105 素子分離層
111 第1キャパシタ電極
113 強誘電体膜
115 第2キャパシタ電極
131、133 ゲート電極
132、134 導通層
135 サイドウォール絶縁膜
140 ゲート絶縁膜
151、153、155 ドレイン領域
151S、153S、155S コンタクト領域
200 平坦化膜
211、213、215 コンタクト
300 第1層間絶縁膜
311、313、315 第1配線層
400 第2層間絶縁膜
410 ビア
500 第3層間絶縁膜
510 第2配線層
Claims (8)
- 第1トランジスタと、
絶縁体を介して対向する一対のキャパシタ電極にて設けられ、前記キャパシタ電極の一方が前記第1トランジスタのゲート電極と電気的に接続されるキャパシタと、
ソース又はドレインの一方が前記第1トランジスタのソース又はドレインの一方、及び前記キャパシタ電極の他方と電気的に接続される第2トランジスタと、
前記第1トランジスタのゲート電極、及び前記キャパシタ電極の一方と電気的に接続されるプレート線と、
を備え、
前記第1トランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続されるソース線と、
前記第2トランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続されるビット線と、
前記第2トランジスタのゲート電極と電気的に接続されるワード線と、
をさらに備え、
前記ビット線は、前記第1トランジスタ及び前記第2トランジスタが配列された第1方向に延伸して設けられ、
前記ソース線は、前記第1方向と直交する第2方向に延伸して設けられ、
前記ワード線及び前記プレート線は、前記第2方向に延伸して設けられる、半導体記憶装置。 - 前記絶縁体は、強誘電体である、請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記キャパシタは、前記第1トランジスタの前記ゲート電極の上に設けられる、請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記キャパシタは、前記第1トランジスタ及び前記第2トランジスタを埋め込む平坦化膜に形成された開口の内部に設けられる、請求項3に記載の半導体記憶装置。
- 前記キャパシタは、前記開口に沿って設けられた前記キャパシタ電極の一方、前記開口に沿って前記キャパシタ電極の一方の上に設けられた前記絶縁体、及び前記開口を埋め込むように前記絶縁体の上に設けられた前記キャパシタ電極の他方にて構成される、請求項4に記載の半導体記憶装置。
- 前記キャパシタ電極の他方は、前記平坦化膜を貫通して設けられたコンタクトを介して、前記第1トランジスタのソース又はドレインの一方、及び前記第2トランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続される、請求項4に記載の半導体記憶装置。
- 半導体記憶装置を備え、
前記半導体記憶装置は、
第1トランジスタと、
絶縁体を介して対向する1対のキャパシタ電極にて設けられ、前記キャパシタ電極の一方が前記第1トランジスタのゲート電極と電気的に接続されるキャパシタと、
ソース又はドレインの一方が前記第1トランジスタのソース又はドレインの一方、及び前記キャパシタ電極の他方と電気的に接続される第2トランジスタと、
前記第1トランジスタのゲート電極、及び前記キャパシタ電極の一方と電気的に接続されるプレート線と、
を備え、
前記第1トランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続されるソース線と、
前記第2トランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続されるビット線と、
前記第2トランジスタのゲート電極と電気的に接続されるワード線と、
をさらに備え、
前記ビット線は、前記第1トランジスタ及び前記第2トランジスタが配列された第1方向に延伸して設けられ、
前記ソース線は、前記第1方向と直交する第2方向に延伸して設けられ、
前記ワード線及び前記プレート線は、前記第2方向に延伸して設けられる、電子機器。 - 第1トランジスタと、
絶縁体を介して対向する1対のキャパシタ電極にて設けられ、前記キャパシタ電極の一方が前記第1トランジスタのゲート電極と電気的に接続されるキャパシタと、
ソース又はドレインの一方が前記第1トランジスタのソース又はドレインの一方、及び前記キャパシタ電極の他方と電気的に接続される第2トランジスタと、
前記第1トランジスタのゲート電極、及び前記キャパシタ電極の一方と電気的に接続されるプレート線と、
前記第2トランジスタのゲート電極と電気的に接続されるワード線と、
前記第1トランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続されるソース線と、
前記第2トランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続されるビット線と、
を備え、
前記ビット線は、前記第1トランジスタ及び前記第2トランジスタが配列された第1方向に延伸して設けられ、
前記ソース線は、前記第1方向と直交する第2方向に延伸して設けられ、
前記ワード線及び前記プレート線は、前記第2方向に延伸して設けられる半導体記憶装置に対して、
前記プレート線をフローティング状態とし、前記ワード線に前記第2トランジスタの閾値電圧以上の電圧を印加し、前記ビット線と前記ソース線との間に所定の電圧を印加することで、前記キャパシタに記憶された情報を読み出す、情報の読み出し方法。
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