JP7147990B2 - イオン化装置 - Google Patents
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Description
レーザ光を発する光源と、
前記光源から発せられるレーザ光を集光して試料に照射する集光光学系と、
前記試料に照射するレーザ光の強度を連続的に変更するアッテネータを有する第1強度変更部と、
前記試料に照射するレーザ光の強度を段階的に変更する減光フィルタを有する第2強度変更部と、
前記試料へのレーザ光の照射径の設定を受け付ける照射径設定受付部と、
前記試料へのレーザ光の照射強度の設定を受け付ける照射強度設定受付部と、
前記照射径設定受付部に設定された照射径に応じて前記集光光学系により前記レーザ光の照射径を変更するとともに前記第2強度変更部を制御し、前記照射強度設定受付部に設定された照射強度に応じて前記第1強度変更部を制御して、前記試料に照射するレーザ光の強度を設定するレーザ光強度制御部と
を備える。
前記第1強度変更部は、例えばデンシティホイールである。また、前記第2強度変更部は、例えば減光フィルタと、その使用/不使用を切り替える切替部である。第1強度変更部及び第2強度変更部は、光源と集光光学系の間の光路上に配置してもよく、あるいは集光光学系と試料の間の光路上に配置してもよい。
前記照射強度設定受付部を通じた照射強度の設定は、所定のソフトウェア上で数値を入力したり、あるいは第1強度変更部そのものを操作(例えばデンシティホイールを回転)したりするなど、種々の方法で行うことができる。
本実施例のイオン化装置1は、予めマトリクス物質を混合した試料11にレーザ光を照射することによりイオンを生成する装置(MALDI装置)であり、例えばイメージング質量分析装置のイオン化部として用いられる。なお、本発明に係るイオン化装置は、質量分析装置のほか、イオン移動度分析装置等のイオン分析装置のイオン化部として使用することもできる。また、未処理の(マトリクス物質を混合していない)試料にレーザ光を照射することによりイオンを生成する装置(LDI装置)とすることもできる。あるいは、試料にレーザ光を照射することにより試料分子を脱離させ、脱離した試料分子を別の方法(放電プローブとの接触や反応イオンとの電荷交換など)によってイオン化するイオン化装置とすることもできる。
上記実施例では図2に示すように、減光フィルタ151を使用しつつデンシティホイール141によって減光率を変更することによりカバーされるレーザ光の強度範囲と、減光フィルタ151を使用せずデンシティホイール141で減光率を変更することによってカバー可能なレーザ光の強度範囲を重複させたが、必ずしもこれらの強度範囲を重複させる必要はない。
上述した複数の例示的な実施形態は、以下の態様の具体例であることが当業者により理解される。
本発明の第1態様は、レーザ光を試料に照射することによりイオンを生成するイオン化装置であって、
レーザ光を発する光源と、
前記光源から発せられるレーザ光を集光して試料に照射する集光光学系と、
前記試料に照射するレーザ光の強度を連続的に変更する第1強度変更部と、
前記試料に照射するレーザ光の強度を段階的に変更する第2強度変更部と、
前記試料へのレーザ光の照射径の設定を受け付ける照射径設定受付部と、
前記試料へのレーザ光の照射強度の設定を受け付ける照射強度設定受付部と、
前記照射径設定受付部に設定された照射径に応じて前記集光光学系により前記レーザ光の照射径を変更するとともに前記第2強度変更部を制御し、前記照射強度設定受付部に設定された照射強度に応じて前記第1強度変更部を制御して、前記試料に照射するレーザ光の強度を設定するレーザ光強度制御部と
を備える。
本発明の第2態様に係るイオン化装置は、上記第1態様のイオン化装置において、
さらに、
前記照射径の複数の候補値の情報が保存された記憶部を備え、
前記照射径入力受付部は、前記記憶部に保存された前記複数の候補値のうちのいずれかを選択する入力を受け付けるものである
本発明の第2態様に係るイオン化装置は、上記第1態様又は第2態様のイオン化装置において、
前記第2強度変更部が、減光フィルタと、該減光フィルタの使用/不使用を切り替える切替部
を備える。
本発明の第4態様に係るイオン化装置は、上記第1態様から第3態様のいずれかのイオン化装置において、
前記第2強度変更部によりレーザ光の強度を1つの段階に変更した状態で前記第1強度変更部により変更可能なレーザ光の強度範囲と、前記第2強度変更部によりレーザ光の強度を別の1つの段階に変更した状態で前記第1強度変更部により変更可能なレーザ光の強度範囲の一部が重複している。
本発明の第5態様に係るイオン化装置は、上記第1態様から第4態様のいずれかのイオン化装置において、
前記試料をLDI法又はMALDI法によりイオン化する。
10…本体部
11…試料
12…試料ステージ
121…駆動機構
13…レーザ光源
14…第1強度変更部
141…デンシティホイール
142…回転機構
15…第2強度変更部
151…減光フィルタ
152…切替部
16…集光部
161…集光レンズ
162…駆動機構
40…制御・処理部
41…記憶部
42…照射径設定受付部
43…照射強度設定受付部
44…測定制御部
50…入力部
60…表示部
Claims (5)
- レーザ光を試料に照射することによりイオンを生成するイオン化装置であって、
レーザ光を発する光源と、
前記光源から発せられるレーザ光を集光して試料に照射する集光光学系と、
前記試料に照射するレーザ光の強度を連続的に変更するアッテネータを有する第1強度変更部と、
前記試料に照射するレーザ光の強度を段階的に変更する減光フィルタを有する第2強度変更部と、
前記試料へのレーザ光の照射径の入力を受け付ける照射径入力受付部と、
前記試料へのレーザ光の照射強度の入力を受け付ける照射強度入力受付部と、
前記照射径設定受付部に設定された照射径に応じて前記集光光学系により前記レーザ光の照射径を変更するとともに前記第2強度変更部を制御し、前記照射強度設定受付部に設定された照射強度に応じて前記第1強度変更部を制御して、前記試料に照射するレーザ光の強度を設定するレーザ光強度制御部と
を備えるイオン化装置。 - さらに、
前記照射径の複数の候補値の情報が保存された記憶部を備え、
前記照射径入力受付部は、前記記憶部に保存された前記複数の候補値のうちのいずれかを選択する入力を受け付けるものである、
請求項1のイオン化装置。 - 前記第2強度変更部が、前記減光フィルタの使用/不使用を切り替える切替部を備える、請求項1に記載のイオン化装置。
- 前記第2強度変更部によりレーザ光の強度を1つの段階に変更した状態で前記第1強度変更部により変更可能なレーザ光の強度範囲と、前記第2強度変更部によりレーザ光の強度を別の1つの段階に変更した状態で前記第1強度変更部により変更可能なレーザ光の強度範囲の一部が重複している、請求項1に記載のイオン化装置。
- 前記試料をLDI法又はMALDI法によりイオン化する、請求項1に記載のイオン化装置。
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JP2008525956A (ja) | 2004-12-23 | 2008-07-17 | マイクロマス ユーケー リミテッド | 質量分析計 |
Family Cites Families (8)
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---|---|---|---|---|
US5461235A (en) * | 1991-06-21 | 1995-10-24 | Cottrell; John S. | Mass spectrometry apparatus and method relating thereto |
JPH10153579A (ja) | 1996-11-21 | 1998-06-09 | Hitachi Ltd | 試料分析方法および装置 |
JPH10199475A (ja) * | 1997-01-14 | 1998-07-31 | Hitachi Ltd | 質量分析方法及びその装置並びに半導体装置の製造方法 |
JP2001041931A (ja) * | 1999-07-28 | 2001-02-16 | Hitachi Ltd | レーザ質量分析計 |
US20030057106A1 (en) * | 2001-09-12 | 2003-03-27 | Zhouxin Shen | High throughput chemical analysis by improved desorption/ionization on silicon mass spectrometry |
KR101845733B1 (ko) * | 2016-04-22 | 2018-04-05 | 주식회사 아스타 | 레이저의 빔 크기 및 강도 조절이 가능한 질량 분석 장치 및 질량 분석용 시료에 레이저를 조사하는 방법 |
JP3217378U (ja) * | 2018-05-24 | 2018-08-02 | 株式会社島津製作所 | Maldiイオン源及び質量分析装置 |
CN114450587A (zh) * | 2019-10-16 | 2022-05-06 | 株式会社岛津制作所 | 成像质量分析装置 |
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008525956A (ja) | 2004-12-23 | 2008-07-17 | マイクロマス ユーケー リミテッド | 質量分析計 |
JP2007257851A (ja) | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Shimadzu Corp | 質量分析装置 |
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