JP4841878B2 - 電子ビーム装置及び電子ビームの照射方法 - Google Patents
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Description
電子線描画装置の一例となる可変成形型電子線描画装置(EB(Electron beam)描画装置)における第1のアパーチャ410には、電子線442を成形するための矩形例えば長方形の開口411が形成されている。また、第2のアパーチャ420には、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線442を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口421が形成されている。荷電粒子ソース430から照射され、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線442は、偏向器により偏向され、第2のアパーチャ420の可変成形開口421の一部を通過して、所定の一方向(例えば、X方向とする)に連続的に移動するステージ上に搭載された試料に照射される。すなわち、第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過できる矩形形状が、X方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料440の露光領域に描画される。第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式という(例えば、特許文献1参照)。
電子ビームを発生する電子銃と、
電子ビームの電流密度を変化させるレンズと、
大きさの異なる複数の開口部が形成され、前記電子ビームを受けて前記複数の開口部のいずれかを通過させ、残りの電子ビームの通過を制限する制限アパーチャと、
前記制限アパーチャの開口部を通過した電子ビームを所望の形状に成形する成形アパーチャと、
を備え、
前記成形アパーチャの成形開口領域の一部を通過する電子ビームが通過する別のアパーチャを通過した電子ビームをファラデーカップに照射して電子ビームの強度を測定し、電子ビームの電流密度を変更した際、変更された電流密度の電子ビームによって成形アパーチャを通過する電子ビームのビーム強度分布の均一度が所定の値以上となるように、制限アパーチャにおける複数の開口部のうち電子ビームが通過するための開口部を変更することを特徴とする。
電子ビームの電流密度を変更する工程と、
電流密度が変更された電子ビームを所望の形状に成形する成形アパーチャに電子ビームを照射し、前記成形アパーチャを通過する電子ビームの強度分布を測定する強度分布測定工程と、
測定された電子ビームの強度分布における均一度が所定の値より低い場合に、電流密度が変更された前記電子ビームの電流密度を維持した状態で前記成形アパーチャに照射される前記電子ビームのビーム径が大きくなるように制限アパーチャの開口径が大きい開口部を選定して前記電子ビームのビーム径を変更するビーム径変更工程と、
を備えたことを特徴する。
図1は、実施の形態1における描画装置の要部構成の一例を示す概念図である。
図1において、電子ビーム装置の一例となる可変成形型EB描画装置100は、描画部150、制御回路110を備えている。描画部150は、電子鏡筒102、XYステージ105、電子銃201、制限アパーチャの一例となるコンデンサレンズ(CL)アパーチャ210、第1のコンデンサレンズ(CL)212、第2のコンデンサレンズ(CL)214、第1の成形アパーチャ203、投影レンズ204、偏向器205、第2の成形アパーチャ206、対物レンズ207、偏向器208、ファラデーカップ209を有している。図1では、本実施の形態1を説明する上で必要な構成部分以外については記載を省略している。可変成形型EB描画装置100にとって、通常、必要なその他の構成が含まれることは言うまでもない。
CLアパーチャ(CL−AP)210には、直径の大きさが異なる複数の開口部が形成されている。図2では、アパーチャ(AP)径1、AP径2、AP径3といった大中小の3つの円形の開口部が形成されている。CL−AP210は、駆動機構211により1軸方向に直線移動可能となっている。図2では、駆動機構211の詳細については省略しているが、例えば、CL−AP210の軸部材を、回転ロールを回転させることにより摩擦力で移動するようにすればよい。或いは、CL−AP210の軸部材をラックとして、円形の部材をピニオンとして、ラックアンドピニオンの歯車機構により駆動させればよい。但し、これらに限られるものではなく、直線方向に移動可能な機構であれば構わない。ここでは、電子ビーム201の進行方向に対して直角方向に直線移動する。電子ビーム200の進路(光路)が上から下に向かっているとすると水平方向に移動する。図2では、3つの円形の開口部が形成されているがこれに限るものではなく、必要に応じて2つ或いは4つ以上でも構わない。また、図2では、各開口部の中心位置が移動方向と平行な直線上に位置しているが、ずれていても構わない。ずれていた場合でも図示していないアライメントコイルにより電子ビームを偏向することで補正すればよい。
図3において、電子銃201から発生した電子ビーム200は、CL212とCL214により絞りが調整される。そして、図示していない第1の成形アパーチャ203を通過後、投影レンズ204により図示していない第2の成形アパーチャ206上に投影される。第2の成形アパーチャ206を通過後、対物レンズ207により焦点を合わせ、XYステージ105上の図示していない試料の所望する位置に照射される。各レンズは、電子光学系制御コンピュータ160により制御され、各レンズの励磁コイル或いは静電コイルに電子光学系制御コンピュータ160により指示された電圧がレンズ用電源152により印加されることにより所望する光学性能を発揮することができる。
本実施の形態1のように、電子線描画装置にコンデンサレンズ(CL)を2つ設けた電子光学系では、CL1(CL212)とCL2(CL214)の励磁の比を変えることによって、成形アパーチャ上の電流密度を変えることができる。例えば、スループットをかせぐため、高電流密度で運用する場合、図4(c)に示すように、CL2レンズ(CL214)の励磁を弱くし、第1の成形アパーチャ203上でビームを絞ることで達成することができる。他方、空間電荷効果低減に有利な条件である低電流密度で使用する場合、図4(a)に示すように、CL2レンズ(CL214)の励磁を強くし、第1の成形アパーチャ203上でのビームの絞りを緩めることで達成することができる。ここで、電子銃201(カソード)から放出(発生)され、加速された電子が成形アパーチャにある程度以上吸収されると電子がもつエネルギーにより温度上昇が生じる。温度上昇が生じ、許容温度を超えると成形アパーチャの材質であるシリコンが蒸発してしまう。このため成形アパーチャの寿命が短くなってしまう。これを回避するためにコンデンサレンズアパーチャ(CL−AP)210が設けられている。CL−AP210は、できるだけ成形に必要な電子のみを通し、余分な電子をカットすることで、第1の成形アパーチャ203の温度上昇を抑制することができる。
図5は、CL−APの開口径とビーム強度分布との関係を示す図である。
電子銃201(カソード)から発生する電子ビーム200は、ある1点から発生することが理想となるが、図5(a)及び図5(b)に示すように、より中心に近い位置からの発生が多いものの発生位置にある分布を形成することになる。ここで、例えば、図5(a)に示すように、CL−APの開口径が小さすぎた場合、カソード上のP1,P2で表されるような位置から放出された電子は、第1の成形アパーチャ203(成形AP)の開口部全体を照射することができない。言い換えれば、成形アパーチャ上で不均一な分布をつくることになる。従って、かかる第1の成形アパーチャ203(成形AP)を通過した電子ビームの強度分布も一定ではなくなる。すなわち、電子ビームの強度分布が劣化することになる。成形アパーチャ像は投影・縮小などして最終的には試料面上に結ばれるので、電子ビームの強度分布が劣化すると描画パターンの精度劣化を引き起こす。
また、本実施の形態1では、CL−AP210がCL212と同位置に配置されているが、これに限るものではない。成形アパーチャへの余分な電子を制限できる位置であれば構わない。ただし、CL212側に近い方がより好ましい。なるべく上流側で電子をカットすることでクーロン効果をより抑制することができる。CL212よりさらに上流側に配置するとCL−AP210を通過した後に電子ビームのビーム径がまた広がってしまうため、CL212に近い方がより好ましい。
必要となる最適CL−APの開口径のサイズは次ぎのように決めることができる。各電流密度と各CL−APの開口径とを組み合わせた状態で、成形アパーチャ上の温度と成形アパーチャ上でのビーム強度分布を測定する。測定によって得られたデータに対し、縦軸に成形アパーチャ上の温度、横軸に成形アパーチャ上のビーム強度分布の均一度をプロットすることで、図6に示すようなグラフを得ることができる。成形アパーチャの寿命から成形アパーチャはある温度Tx以下にしなくてはならない。また、パターン精度から成形アパーチャ上のビーム強度分布はある均一度Cx以上にしなくてはならない。以上の使用条件から使用可能なCL−APの開口径のサイズを示す領域を得ることができる。
ある電流密度で使用したい場合は、この領域の中で、よりビーム分布がよく、より成形アパーチャ温度が小さい点を選べばよい。例えば、高電流密度で使用する場合はこの領域の中で点Xの条件となるCL−APの開口径を採用することができる。また、低電流密度では領域内の条件Zを選択することができる。中間の電流密度は高電流密度と低電流密度の中間の条件Yを選択することができる。
図7は、電子ビームの照射方法の一例を示すフローチャート図である。
図7において、電子ビームの照射方法として、ビーム強度分布測定工程(S702)、CL−AP選定工程(S704)、CL−AP設定工程(S706)、描画工程(S708)といった一連の工程を実施する。
S(ステップ)702において、ビーム強度分布測定工程として、CL−AP210のある開口径の開口部を通過した電子ビーム200が第1の成形アパーチャ203に照射され、第1の成形アパーチャ203の成形開口230を通過した電子ビーム200が投影レンズにより第2の成形アパーチャ206に投影される。ここで、第2の成形アパーチャ206には、成形開口260の他に、成形開口230を通過する電子ビーム200のビーム強度分布を測定するための小さな穴(開口部)であるスモールアパーチャ(AP)262が形成されている。そして、第2の成形アパーチャ206に投影された電子ビーム200のうち、成形開口230領域を複数分割したある領域を通過した電子ビームのみがスモールAP262を通過するように偏向器により電子ビーム200を偏向させる。そして、スモールAP262を通過した電子ビーム200をファラデーカップ209に照射して、電子ビーム強度を測定する。スモールAP262を通過する電子ビームの位置を偏向器により偏向させることで、かかる測定を成形開口230の全領域について測定することができる。そして、測定された結果からのビーム強度分布を得ることができる。
図9では、縦軸をビーム強度、横軸を成形アパーチャの成形開口230の位置として、ビーム強度分布の一例を示している。ここでは、例えば、ビーム強度分布が均一ではなく、両端が欠けた分布となっている例を示している。例えば、均一化されている部分のビーム強度を100%とした場合に、欠けた部分のビーム強度の最小値が50%である場合、かかるビーム強度分布の均一度は50%と定義する。
実施の形態1では、図2に示したようにCL−AP210を直線方向に移動させることで開口径の大きさを変更する機構を説明したが、これに限るものではない。実施の形態2では、別の構成のCL−APについて説明する。
図10は、実施の形態2におけるCLアパーチャの一例を示す図である。
図10において、CL−AP310には、直径の大きさが異なる複数の開口部が形成されている。図10では、図2と同様、AP径1、AP径2、AP径3といった大中小の3つの円形の開口部が形成されている。CL−AP310は、駆動機構311により回転方向に移動可能となっている。ここでは、歯車機構により回転させる例を記載している。但しこれに限るものではなく、例えば、CL−AP310をステッピングモータ等により回転させるように構成しても構わない。回転方向に移動可能な機構であれば構わない。CL−AP310の中心部をできるだけ簡素化することができる点で歯車機構により回転させる例の方がより好適である。図10では、3つの円形の開口部が形成されているが、図2と同様、これに限るものではなく、必要に応じて2つ或いは4つ以上でも構わない。また、図10では、各開口部の中心位置が回転中心から等距離に位置しているが、ずれていても構わない。ずれていた場合でも図示していないアライメントコイルにより電子ビームを偏向することで補正すればよい。その他の構成は、実施の形態1と同様で構わないため説明を省略する。
101,440 試料
102 電子鏡筒
105 XYステージ
110 制御回路
120 描画データ処理回路
150 描画部
152 レンズ用電源
160 電子光学系制御コンピュータ
200 電子ビーム
201 電子銃
212,214 CL
203 第1の成形アパーチャ
206 第2の成形アパーチャ
204 投影レンズ
205,208 偏向器
207 対物レンズ
209 ファラデーカップ
210,310 CL−AP
211,311 駆動機構
230,260 成形開口
262 スモールAP
410 第1のアパーチャ
411 開口
420 第2のアパーチャ
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース
442 電子線
Claims (3)
- 電子ビームを発生する電子銃と、
前記電子ビームの電流密度を変化させるレンズと、
大きさの異なる複数の開口部が形成され、前記電子ビームを受けて前記複数の開口部のいずれかを通過させ、残りの電子ビームの通過を制限する制限アパーチャと、
前記制限アパーチャの開口部を通過した電子ビームを所望の形状に成形する成形アパーチャと、
を備え、
前記成形アパーチャの成形開口領域の一部を通過する電子ビームが通過する別のアパーチャを通過した電子ビームをファラデーカップに照射して電子ビームの強度を測定し、前記電子ビームの電流密度を変更した際、変更された電流密度の電子ビームによって前記成形アパーチャを通過する電子ビームのビーム強度分布の均一度が所定の値以上となるように、前記制限アパーチャにおける前記複数の開口部のうち前記電子ビームが通過するための開口部を変更することを特徴とする電子ビーム装置。 - 前記制限アパーチャは、移動可能に配置され、移動することにより前記複数の開口部のうち前記電子ビームが通過するための開口部を変更することを特徴とする請求項1記載の電子ビーム装置。
- 電子ビームの電流密度を変更する工程と、
電流密度が変更された電子ビームを所望の形状に成形する成形アパーチャに電子ビームを照射し、前記成形アパーチャを通過する電子ビームの強度分布を測定する強度分布測定工程と、
測定された電子ビームの強度分布における均一度が所定の値より低い場合に、電流密度が変更された前記電子ビームの電流密度を維持した状態で前記成形アパーチャに照射される前記電子ビームのビーム径が大きくなるように制限アパーチャの開口径が大きい開口部を選定して前記電子ビームのビーム径を変更するビーム径変更工程と、
を備えたことを特徴する電子ビームの照射方法。
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