JP2008244194A - 電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法 - Google Patents
電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008244194A JP2008244194A JP2007083464A JP2007083464A JP2008244194A JP 2008244194 A JP2008244194 A JP 2008244194A JP 2007083464 A JP2007083464 A JP 2007083464A JP 2007083464 A JP2007083464 A JP 2007083464A JP 2008244194 A JP2008244194 A JP 2008244194A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- pattern
- deflector
- shot
- shape
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
- G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
- H01J37/3023—Programme control
- H01J37/3026—Patterning strategy
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/143—Electron beam
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
【課題】高い精度で電子ビームによりパターンの描画を行なう。
【解決手段】偏向器で偏向した電子ビームをショットごとに順次照射することにより、ステージに固定された試料面上にパターンを描画する電子ビーム描画方法において、試料面上において面積が一定で、形状の異なる長方形又は正方形の領域を照射するショットの組み合わせからなる電子ビームを照射し補正パターンの描画を行なう工程と、描画された補正パターンに基づき電子ビームの形状の補正を行なう工程と、形状の補正された電子ビームによりパターンの描画を行なう工程を備えたことを特徴とする電子ビーム描画方法を提供することにより上記課題を解決する。
【選択図】図7
【解決手段】偏向器で偏向した電子ビームをショットごとに順次照射することにより、ステージに固定された試料面上にパターンを描画する電子ビーム描画方法において、試料面上において面積が一定で、形状の異なる長方形又は正方形の領域を照射するショットの組み合わせからなる電子ビームを照射し補正パターンの描画を行なう工程と、描画された補正パターンに基づき電子ビームの形状の補正を行なう工程と、形状の補正された電子ビームによりパターンの描画を行なう工程を備えたことを特徴とする電子ビーム描画方法を提供することにより上記課題を解決する。
【選択図】図7
Description
本発明は、電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法に関するものであり、特に、描画精度を高めた電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法に関するものである。
マスクや半導体ウエハ上に塗布されたレジストに半導体集積回路パターンを形成するために、電子ビーム描画装置が用いられている。この電子ビーム描画装置では、電子ビームを電磁気的手段により偏向させることにより走査させて、マスクや半導体ウエハにおける所定の領域に照射する。
このように電子ビーム描画装置により、レジストの塗布されたマスク等の上に所定のパターンを描画する場合においては、マスク等を装着したX−Yステージ上に固定し、移動させながらショットごとに所定の領域に電子ビームし描画を行なう。電子ビーム描画装置では高い精度が要求されることから、より高い精度で照射するために、電子ビームが照射されるショット領域の形状を変化させた場合において、描画結果から補正を行なう手法が非特許文献1に開示されている。
WANG Zhigang et al., "Recent CD accuracy improvements for HL-7000M", Proceedings of SPIE, VOL. 5446, pp657-668, 2004
WANG Zhigang et al., "Recent CD accuracy improvements for HL-7000M", Proceedings of SPIE, VOL. 5446, pp657-668, 2004
本発明は、電子ビームにより描画を行なう際に、描画精度を高めた電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法を提供するものである。
本発明の一態様に係る電子ビーム描画装置は、偏向器で偏向した電子ビームをショットごとに順次照射することにより、ステージに固定された試料面上にパターンを描画する電子ビーム描画装置において、電子ビームの照射は、試料面上において形状の異なる長方形又は正方形の領域を照射するショットの組み合わせからなるものであり、長方形又は正方形の面積は一定であることを特徴とする。
また、本発明の一態様に係る電子ビーム描画装置は、複数段の偏向器で偏向した電子ビームをショットごとに順次照射することにより、ステージに固定された試料面上にパターンを描画する電子ビーム描画装置であって、描画するパターンの領域を主偏向で偏向可能なフレームに分割し、主偏向により電子ビームをフレーム内の任意のサブフィールド位置に位置決めし、サブフィールド単位で副偏向によりパターンを描画する電子ビーム描画装置において、電子ビームの照射は、試料面上において形状の異なる長方形又は正方形の領域を照射するショットの組み合わせからなるものであり、長方形又は正方形の面積は一定であることを特徴とする。
また、本発明の一態様に係る電子ビーム描画方法は、偏向器で偏向した電子ビームをショットごとに順次照射することにより、ステージに固定された試料面上にパターンを描画する電子ビーム描画方法において、試料面上において面積が一定で、形状の異なる長方形又は正方形の領域を照射するショットの組み合わせからなる電子ビームを照射し補正パターンの描画を行なう工程と、描画された補正パターンに基づき電子ビームの形状の補正を行なう工程と、形状の補正された電子ビームによりパターンの描画を行なう工程と、を備えたことを特徴とする。
また、本発明の一態様に係る電子ビーム描画方法は、複数段の偏向器で偏向した電子ビームをショットごとに順次照射することにより、ステージに固定された試料面上にパターンを描画する電子ビーム描画方法であって、描画するパターンの領域を主偏向で偏向可能なフレームに分割し、主偏向により電子ビームをフレーム内の任意のサブフィールド位置に位置決めし、サブフィールド単位で副偏向によりパターンを描画する電子ビーム描画方法において、試料面上において面積が一定で、形状の異なる長方形又は正方形の領域を照射するショットの組み合わせからなる電子ビームを照射しパターンの描画を行なう工程と、描画された補正パターンに基づき電子ビームの形状の補正を行なう工程と、形状の補正された電子ビームによりパターンの描画を行なう工程と、を備えたことを特徴とする。
また、本発明の一態様に係る電子ビーム描画方法は、電子ビームの形状の補正は、電子ビームの形状を変化させるための偏向器に印加する電圧を調整することにより行なうものであることを特徴とする。
本発明によれば、電子ビームにより描画を行なう場合において、精度の高い描画を行なうことができる。
〔電子ビーム描画装置〕
本発明における一実施の形態を以下に記載する。
本発明における一実施の形態を以下に記載する。
図1は、本発明の第1の実施の形態における電子ビーム描画装置の構成図である。この電子ビーム描画装置の試料室1内に、電子ビーム描画されるマスク等の試料2が設置されたステージ3が設けられている。ステージ3は、ステージ駆動回路4によりX方向(紙面における左右方向)、Y方向(紙面における垂直方向)に駆動される。ステージ3の移動位置は、レーザ測長計等を用いた位置回路5により測定される。
試料室1の上方には、電子ビーム光学系10が設置されている。この光学系10は、電子銃6、各種レンズ7、8、9、11、フォーカスレンズ12、ブランキング用偏向器13、ビーム寸法可変用偏向器14、ビーム走査用の主偏向器15、ビーム走査用の副偏向器16、及び2個のビーム成型用アパーチャ17、18等から構成されている。
通常の電子ビームによる描画は、図2に示すように、試料2上の描画すべきパターン51を短冊状のフレーム領域52に分割し、ステージ3をX方向に連続移動させながら各フレーム領域52を描画する。このフレーム領域52は、更に、サブフィールド領域53に分割し、サブフィールド領域53内の必要な部分のみを可変成型ビームである電子ビームのショット54を偏向させ描画するものである。このため、主偏向器15、副偏向器16と2段の偏向器を用い、フレーム領域52内におけるサブフィールド領域53の位置決めは主偏向器15で行い、サブフィールド領域53内の描画は、副偏向器16で行う。
電子ビーム描画装置において描画を行う際には、主偏向器15により所定のサブフィールド領域53に位置決めし、副偏向器16によりサブフィールド領域53内におけるパターンの描画位置の位置決めを行うともに、ビーム寸法可変用偏向器14及びビーム成型用アパーチャ17、18によりビーム形状を制御し、ステージ3を一方向に連続移動させながらサブフィールド領域53における描画を行う。このようにして、1つのサブフィールド領域53における描画が終了したら次のサブフィールド領域53における描画を行う。ここで、フレーム領域52は、主偏向器15の偏向幅で決まる短冊状の描画領域であり、サブフィールド領域53は副偏向器16の偏向幅で決まる単位描画領域である。
さらに、複数のサブフィールド領域53の集合であるフレーム領域52の描画が終了した後は、必要に応じてステージ3を連続移動させる方向と直交する方向にステップ移動させ、次のフレーム領域52の描画を行う。
一方、制御計算機20には記憶媒体である磁気ディスク21が接続されており、マスクの描画データが格納されている。磁気ディスク21から読み出された描画データは、フレーム領域52毎にパターンメモリ22に一時的に格納される。パターンメモリ22に格納されたフレーム領域52毎のパターンデータ、即ち描画位置及び描画データ等で構成されるフレーム情報は、データ展開ユニット30を介し、データ解析部であるパターンデータデコーダ23及び描画データデコーダ24に送られる。
データ展開ユニット30は、パターンメモリ22に格納されるデータから、制御計算機20によって設定されたフレーム領域に含まれるものを選択し抽出する機能を有している。
パターンデータデコーダ23の出力は、ブランキング回路25及びビーム成型器ドライバ26に接続されている。具体的には、パターンデータデコーダ23では、上記データに基づいてブランキングデータが作成され、このデータがブランキング回路25に送られる。更に、所望とするビーム寸法データも作成され、このビーム寸法データがビーム成型ドライバ26に送られる。そして、ビーム成型ドライバ26から電子光学系10のビーム寸法可変用偏向器14に所定の偏向信号が印加され、これにより電子ビームの寸法が制御される。
描画データデコーダ24の出力は、主偏向器ドライバ27及び副偏向器ドライバ28に送られる。主偏向器ドライバ27から電子光学系10の主偏向部15に所定の偏向信号が印加され、これにより電子ビームは所定の主偏向位置に偏向走査される。また、副偏向器ドライバ28から副偏向器16に所定の副偏向信号が印加され、これによりサブフィールド領域53内部の描画が行われる。
〔補正方法〕
次に、電子ビーム描画装置における補正について、より詳細に説明する。
次に、電子ビーム描画装置における補正について、より詳細に説明する。
図3に、一般的な電子ビーム装置について、異なるショット54形状について補正を行なう場合について説明する。具体的には、同一のパターンを描画する場合において、図1に示すビーム成型用アパーチャ17、18によりショット54形状を変化させて補正を行なう。例えば、図3(a)に示すように、左からショット幅を0.25と、0.75のものと組み合わせた場合、図3(b)に示すように、2つのショット幅が0.5のものからなる場合、図3(c)に示すように、左からショット幅を0.75と、0.25のものとを組み合わせた場合についてそれぞれ電子ビームを照射し、描画されたパターンのクリティカルディメンジョン(CD:Critical Dimension)の変動量を計測することにより、CD変動量のショットサイズ依存性を求め補正を行なっていた。
しかしながら、この場合では異なる大きさのショット54を用いて変動量を計測しているため、ショットサイズが変化することにより、クーロン効果により焦点距離が異なってしまう。
図4に基づき具体的に説明すると、電子ビームは最終段のフォーカスレンズ12により絞られるが、同一のフォーカスレンズ12を用いた場合であっても、ショットサイズが大きくなることにより、焦点距離も大きくなってしまう。このことは、電子ビームが荷電粒子であり、電子間において相互作用を有するため生じる現象であり、このような相互作用の生じない光等の電磁波においては生じない。
このため、フォーカスレンズ12を一定な状態とした場合において、図3に示したパターンを描画した場合、図5に示すようなドーズ量の分布となる。具体的には、図3(b)に示す電子ビームのショット54によりフォーカスレンズ12が最適となるような条件で描画を行なった場合では、図5(b)に示すように、描画パターンのエッジ部分のドーズ量変動は急峻であるが、同一の条件で、図3(a)、図3(c)に示す電子ビームのショット54により描画を行なった場合には、図5(a)、図5(c)に示すように、描画パターンのエッジ部分のドーズ量変動は緩慢となる。この場合において、図5の点線で示すように、最適のプロセスで現像等を行なった場合では、各々の矢印に示す幅のパターンが形成されるが、ドーズ量に変動が生じた場合や、プロセスが変動した場合では、図6に示すように、照射される電子ビームのショット54の大きさにより異なるパターンとなってしまう。即ち、図6(b)の場合では、エッジ部分のドーズ量変動が急峻であるため、ドーズ量変動やプロセス変動による影響を受けることが少なく、パターン形状の変動が少ないが、図6(a)、図6(c)の場合では、エッジ部分のドーズ量変動が緩慢であるため、ドーズ量変動やプロセス変動による影響を受けやすく、パターン形状の変動が大きくなる
このことは、図4よりショットサイズに依存してフォーカスレンズ12の焦点位置が変動することにより生じるものである。従って、ショットサイズを一定にすればフォーカスレンズ12の焦点位置が変動することもないため、以上のような問題も生じない。また、電子ビームが照射される際のショット54領域の面積が一定であれば、ショットサイズが一定であることも経験上得ている。
このことは、図4よりショットサイズに依存してフォーカスレンズ12の焦点位置が変動することにより生じるものである。従って、ショットサイズを一定にすればフォーカスレンズ12の焦点位置が変動することもないため、以上のような問題も生じない。また、電子ビームが照射される際のショット54領域の面積が一定であれば、ショットサイズが一定であることも経験上得ている。
本発明は発明者が得た上記知見に基づくものであり、具体的には、図7に示すように、1回のショットにおいて電子ビームの照射される領域の面積を一定とすることにより、形成されるパターンのエッジ部分のドーズ量変動を一定にすることができるものである。
このようなショットサイズの電子ビームのショットを照射することにより、試料面におけるフォーカス変動がなく安定して正確なショットサイズ依存の形成パラメータの算出をすることができる。これに基づき補正を行なうことにより、精度の高い電子ビームによる描画を行なうことができる。
本実施の形態において補正を行なう描画方法について図8に基づき説明する。最初に、ステップ102(S102)において、図7に示すようなショットにより形成されたパターンの描画を行なう。具体的には、ステップ照射される各々の電子ビームのショットの面積は一定となるよう設定されている。即ち、図7(a)に示されるように、縦が1、横が0.25となるショットと、縦が0.33、横が0.75となるショットが組み合わされたものと、図7(b)に示されるように、縦が0.5、横が0.5となるショットが2つ組み合わされたものと、図7(c)に示されるように、縦が0.33、横が0.75となるショットと、縦が1、横が0.25となるショットが組み合わされたものとにより、パターンの描画を行なう。
次に、ステップ104(S104)において、ステップ102により描画されたパターンを現像した後に計測し、電子ビームの形状の補正を行なう。具体的には、ビーム成型器ドライバ26により、ビーム寸法可変用偏向器14に印加する電圧を調整することにより、電子ビームの形状の補正を行なう。尚、電子ビームの形状の補正は、ビーム成型用アパーチャ17、18のアパーチャ形状を変形させることによっても行なうことができる。
次に、ステップ106(S106)において、補正された形状の電子ビームを用いて実際のパターンの描画を行なうことにより、電子ビームによるパターン描画が終了する。
〔描画方法〕
次に、図1、図2に基づき本実施の形態における電子ビーム描画装置の描画の手順について具体的に説明する。
次に、図1、図2に基づき本実施の形態における電子ビーム描画装置の描画の手順について具体的に説明する。
最初に、試料室1内のステージ3上に試料2を設置する。この後、ステージ3の位置検出を位置回路5により行い、制御計算機20からの信号に基づいてステージ駆動回路4によりステージ3を描画可能な位置まで移動させる。
この後、電子銃6より電子ビームが発せられる。電子ビームは、照明レンズ7により集光され、ブランキング用偏向器13により、電子ビームを試料2に照射するか否かの操作が行われる。
この後、ビーム成型用アパーチャ17に入射した電子ビームは、ビーム成型用アパーチャ17における開口部を通過し、ビーム成型器ドライバ26により制御されたビーム寸法可変用偏向器14によって偏向され、ビーム成型用アパーチャ18に設けられた開口部を通過することにより、最終的に所望のビーム形状であるスポットパターンとなる。このスポットパターンとは、試料2に照射される電子ビームの描画単位であり、複数のスポットパターンにより一つの描画パターンが形成される。
ビーム形状形成後のスポットパターンである電子ビームは、縮小レンズ11によってビーム形状が縮小される。試料2に描画される電子ビームの試料2における照射位置は、主偏向器ドライバ27により制御された主偏向器15と副偏向器ドライバ28により制御された副偏向器16とにより制御される。主偏向器ドライバ15は、試料2における所定の副偏向領域に電子ビームを位置決め、即ち、フレーム領域52の位置決めをする。また、副偏向器ドライバ16は、サブフィールド領域53内のパターン描画位置の位置決めを行う。
試料2への電子ビームによる描画は、ステージ3を一方向に移動させ、試料2上において電子ビームを走査し、照射することにより、サブフィールド領域53内のパターンの描画が行われる。
次に、制御計算機20による描画制御について説明する。制御計算機20は、記憶媒体で磁気ディスク21に記録されたマスクの描画データを読み出し、この読み出した描画データは、フレーム領域52毎にパターンメモリ22に一時的に格納される。
パターンメモリ22に格納されたフレーム領域52毎の描画データが形成され、データ解析部であるパターンデータデコーダ23及び描画データデコーダ24を介して、ブランキング回路25、ビーム成型器ドライバ26、主偏向器ドライバ27、副偏向器ドライバ28に送られる。
パターンデータデコーダ23では、データ展開ユニット30より送られる描画データに基づいてブランキングデータが作成され、このブランキングデータがブランキング回路25に送られる。更に、この描画データに基づいて所望とするビーム形状データが作成され、このビーム形状データがビーム成型器ドライバ26に送られる。
ビーム成型器ドライバ26では、光学系10のビーム寸法可変用偏向器14に所定の偏向信号が印加され、これにより電子ビームの寸法が制御される。
描画データデコーダ24では、描画データに基づいてサブフィールド位置決めデータが作成され、このサブフィールド位置決めデータが主偏向器ドライバ27に送られる。この後、主偏向器ドライバ27から主偏向器15へ所定の偏向信号が印加され、これにより電子ビームは所定のサブフィールド位置に偏向走査される。
また、描画データデコーダ24では、描画データに基づいて副偏向器16の走査のコントロール信号を生成し、このコントロール信号が副偏向器ドライバ28に送られる。そして、副偏向器ドライバ28から副偏向器16に所定の副偏向信号が印加され、これにより、サブフィールド領域53内の描画が行われる。
このように、本実施の形態においては、面積が一定でショット形状の異なる電子ビームを照射し補正を行なうことにより、電子ビーム描画装置における描画精度を向上させることができる。
以上、実施の形態において本発明における電子ビーム描画装置について詳細に説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、これ以外の形態をとることが可能である。
1・・・試料室、2・・・試料(マスク)、3・・・ステージ、4・・・ステージ駆動回路、5・・・位置回路、6・・・電子銃、7、8、9、11・・・各種レンズ、10・・・光学系、12・・・フォーカスレンズ、13・・・ブランキング用偏向器、 14・・・ビーム寸法可変用偏向器、15・・・主偏向器、16・・・副偏向器、17、18・・・ビーム成型用アパーチャ、20・・・制御計算機、21・・・磁気ディスク、22・・・パターンメモリ、23・・・パターンデータデコーダ、24・・・描画データデコーダ、25・・・ブランキング回路、26・・・ビーム成型器ドライバ、 27・・・主偏向ドライバ、28・・・副偏向ドライバ、30・・・データ展開ユニット、54・・・ショット
Claims (5)
- 偏向器で偏向した電子ビームをショットごとに順次照射することにより、ステージに固定された試料面上にパターンを描画する電子ビーム描画装置において、
前記電子ビームの照射は、前記試料面上において形状の異なる長方形又は正方形の領域を照射するショットの組み合わせからなるものであり、
前記長方形又は正方形の面積は一定であることを特徴とする電子ビーム描画装置。 - 複数段の偏向器で偏向した電子ビームをショットごとに順次照射することにより、ステージに固定された試料面上にパターンを描画する電子ビーム描画装置であって、描画するパターンの領域を主偏向で偏向可能なフレームに分割し、主偏向により電子ビームを前記フレーム内の任意のサブフィールド位置に位置決めし、サブフィールド単位で副偏向によりパターンを描画する電子ビーム描画装置において、
前記電子ビームの照射は、前記試料面上において形状の異なる長方形又は正方形の領域を照射するショットの組み合わせからなるものであり、
前記長方形又は正方形の面積は一定であることを特徴とする電子ビーム描画装置。 - 偏向器で偏向した電子ビームをショットごとに順次照射することにより、ステージに固定された試料面上にパターンを描画する電子ビーム描画方法において、
前記試料面上において面積が一定で、形状の異なる長方形又は正方形の領域を照射するショットの組み合わせからなる電子ビームを照射し補正パターンの描画を行なう工程と、
前記描画された補正パターンに基づき前記電子ビームの形状の補正を行なう工程と、
前記形状の補正された電子ビームによりパターンの描画を行なう工程と、
を備えたことを特徴とする電子ビーム描画方法。 - 複数段の偏向器で偏向した電子ビームをショットごとに順次照射することにより、ステージに固定された試料面上にパターンを描画する電子ビーム描画方法であって、描画するパターンの領域を主偏向で偏向可能なフレームに分割し、主偏向により電子ビームを前記フレーム内の任意のサブフィールド位置に位置決めし、サブフィールド単位で副偏向によりパターンを描画する電子ビーム描画方法において、
前記試料面上において面積が一定で、形状の異なる長方形又は正方形の領域を照射するショットの組み合わせからなる電子ビームを照射しパターンの描画を行なう工程と、
前記描画された補正パターンに基づき前記電子ビームの形状の補正を行なう工程と、
前記形状の補正された電子ビームによりパターンの描画を行なう工程と、
を備えたことを特徴とする電子ビーム描画方法。 - 前記電子ビームの形状の補正は、前記電子ビームの形状を変化させるための偏向器に印加する電圧を調整することにより行なうものであることを特徴とする請求項3又は、4に記載された電子ビーム描画方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007083464A JP2008244194A (ja) | 2007-03-28 | 2007-03-28 | 電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法 |
US12/055,669 US7777205B2 (en) | 2007-03-28 | 2008-03-26 | Electron beam lithography system |
KR1020080028115A KR100952026B1 (ko) | 2007-03-28 | 2008-03-27 | 전자 빔 묘화 장치 및 전자 빔 묘화 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007083464A JP2008244194A (ja) | 2007-03-28 | 2007-03-28 | 電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008244194A true JP2008244194A (ja) | 2008-10-09 |
JP2008244194A5 JP2008244194A5 (ja) | 2010-05-06 |
Family
ID=39792610
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007083464A Pending JP2008244194A (ja) | 2007-03-28 | 2007-03-28 | 電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7777205B2 (ja) |
JP (1) | JP2008244194A (ja) |
KR (1) | KR100952026B1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101310462B1 (ko) | 2012-02-10 | 2013-09-25 | 이병화 | 음식물쓰레기 종량제 수거장치의 투입량 감지장치 |
JP5896775B2 (ja) * | 2012-02-16 | 2016-03-30 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 電子ビーム描画装置および電子ビーム描画方法 |
JP2013201239A (ja) * | 2012-03-23 | 2013-10-03 | Toshiba Corp | 描画パターン形成方法、描画データ生成方法および描画データ生成装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02138723A (ja) * | 1987-12-18 | 1990-05-28 | Hitachi Ltd | 電子線描画装置及び描画方法 |
JPH10284392A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-10-23 | Toshiba Corp | 荷電ビーム描画方法 |
JPH11224840A (ja) * | 1998-02-04 | 1999-08-17 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置および露光方法 |
JP2005129850A (ja) * | 2003-10-27 | 2005-05-19 | Toshiba Corp | 荷電ビーム描画装置及び描画方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6262429B1 (en) * | 1999-01-06 | 2001-07-17 | Etec Systems, Inc. | Raster shaped beam, electron beam exposure strategy using a two dimensional multipixel flash field |
JP2005079392A (ja) | 2003-09-01 | 2005-03-24 | Toshiba Mach Co Ltd | 描画データ作成方法 |
-
2007
- 2007-03-28 JP JP2007083464A patent/JP2008244194A/ja active Pending
-
2008
- 2008-03-26 US US12/055,669 patent/US7777205B2/en active Active
- 2008-03-27 KR KR1020080028115A patent/KR100952026B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02138723A (ja) * | 1987-12-18 | 1990-05-28 | Hitachi Ltd | 電子線描画装置及び描画方法 |
JPH10284392A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-10-23 | Toshiba Corp | 荷電ビーム描画方法 |
JPH11224840A (ja) * | 1998-02-04 | 1999-08-17 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置および露光方法 |
JP2005129850A (ja) * | 2003-10-27 | 2005-05-19 | Toshiba Corp | 荷電ビーム描画装置及び描画方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100952026B1 (ko) | 2010-04-08 |
US7777205B2 (en) | 2010-08-17 |
US20080237493A1 (en) | 2008-10-02 |
KR20080088435A (ko) | 2008-10-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4948948B2 (ja) | 電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画装置の評価方法 | |
US9824860B2 (en) | Charged particle beam exposure apparatus and method of manufacturing semiconductor device | |
US7800084B2 (en) | System and method for charged-particle beam lithography | |
JP5204451B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP4870437B2 (ja) | 偏向収差補正電圧の演算方法及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
US8461555B2 (en) | Charged particle beam writing method and charged particle beam writing apparatus | |
JP4398342B2 (ja) | 荷電ビーム描画装置及び描画方法 | |
JP6665809B2 (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びその調整方法 | |
JP4603305B2 (ja) | 露光方法、パターン寸法調整方法及び焦点ぼかし量取得方法 | |
JP5025964B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 | |
JP2009038055A (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP2008244194A (ja) | 電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法 | |
JP2009038345A (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置 | |
JP2022146501A (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びその調整方法 | |
JP2019106499A (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP6861543B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置 | |
JP3968338B2 (ja) | 荷電ビーム露光装置 | |
JP4870392B2 (ja) | 電子ビーム描画装置、電子ビームの焦点ずれ補正方法及び電子ビームの焦点ずれ測定方法 | |
JP2007200956A (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビーム描画方法及びプログラム | |
JP4841878B2 (ja) | 電子ビーム装置及び電子ビームの照射方法 | |
JP2005129850A (ja) | 荷電ビーム描画装置及び描画方法 | |
JP2010073732A (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置の評価方法および荷電粒子ビーム描画装置 | |
CN110571116B (zh) | 带电粒子束描绘装置以及带电粒子束描绘方法 | |
JP7411521B2 (ja) | 荷電粒子ビーム調整方法、荷電粒子ビーム描画方法、および荷電粒子ビーム照射装置 | |
JP4939076B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100318 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100318 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120221 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120619 |