JP7141453B2 - 半導体装置 - Google Patents

Description

本開示は、半導体装置に関する。

特許文献１には、従来の半導体装置が開示されている。特許文献１に記載の半導体装置は、半導体素子、リードフレーム、はんだ、ワイヤおよび封止樹脂を備えている。この半導体装置において、半導体素子は、たとえばダイオードチップやＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）チップである。リードフレームは、半導体素子を搭載するとともに、はんだやワイヤを介して半導体素子に導通する。はんだおよびワイヤは、リードフレームと半導体素子とを導通させるための導通部材である。はんだは、半導体素子とリードフレームとの間に介在し、これらを導通させている。ワイヤは、半導体素子とリードフレームとに接合され、これらを導通させている。封止樹脂は、リードフレームの一部、半導体素子、はんだおよびワイヤを覆っている。

特開２０１７－５１６５号公報

半導体装置は、たとえば、電子機器などの回路基板に実装するときのリフローや、稼働中の半導体素子からの発熱などにより、熱負荷がかかる。この熱負荷により、はんだやワイヤといった導通部材とリードフレームとの接合部分に熱応力が集中する。この熱応力の集中により、当該接合部分と封止樹脂との界面で、封止樹脂の剥離が生じる場合がある。そして、封止樹脂が剥離している状況において、再度熱負荷がかかると、たとえば、導通部材としてのはんだにおいて、クラックが発生しうる。また、導通部材としてのワイヤにおいて、はがれや断線が発生しうる。これらは、半導体装置の動作不良の原因である。

本開示は、上記課題に鑑みて考え出されたものであり、その目的は、熱負荷による封止樹脂の剥離を抑制することで、動作不良の抑制を図った半導体装置および当該半導体装置の製造方法を提供することにある。

本開示の第１の側面によって提供される半導体装置は、第１方向において互いに離間する素子主面および素子裏面を有する半導体素子と、前記半導体素子が搭載されたリードフレームと、前記リードフレームに接合され、前記半導体素子と前記リードフレームとを導通させる導通部材と、前記導通部材と前記リードフレームとの接合部分を覆い、かつ、前記素子主面の一部を露出させる樹脂組成物と、前記リードフレームの一部、前記半導体素子および前記樹脂組成物を覆う封止樹脂と、を備えており、前記樹脂組成物は、前記リードフレームとの接合強度が、前記封止樹脂と前記リードフレームとの接合強度よりも良好であり、かつ、前記導通部材との接合強度が、前記封止樹脂と前記導通部材との接合強度よりも良好である。

前記半導体装置の好ましい実施の形態においては、前記リードフレームは、前記素子主面と同じ方向を向くパッド主面および前記素子裏面と同じ方向を向くパッド裏面を有するダイパッド、および、前記ダイパッドと離間したリードを備えており、前記半導体素子は、前記パッド主面と前記素子裏面とが対向して、前記ダイパッドに搭載されている。

前記半導体装置の好ましい実施の形態においては、前記半導体素子は、前記素子裏面に形成された裏面電極を含んでおり、前記導通部材には、前記半導体素子と前記ダイパッドとを接合し、かつ、前記裏面電極と前記ダイパッドとを導通させる導電性接合材が含まれており、前記樹脂組成物は、前記導電性接合材と前記ダイパッドとの接合部分を覆うダイパッド側被覆部を含んでいる。

前記半導体装置の好ましい実施の形態においては、前記導電性接合材は、前記裏面電極に当接する素子当接面、前記ダイパッドに当接するダイパッド当接面、および、前記素子当接面と前記ダイパッド当接面とに繋がる連絡面を有しており、前記ダイパッド側被覆部は、前記連絡面と前記封止樹脂との間に介在するダイパッド側第１部を含んでいる。

前記半導体装置の好ましい実施の形態においては、前記ダイパッド側被覆部は、前記ダイパッド側第１部に繋がり、かつ、前記パッド主面と前記封止樹脂との間に介在するダイパッド側第２部をさらに含んでいる。

前記半導体装置の好ましい実施の形態においては、前記半導体素子は、前記素子主面および前記素子裏面に繋がる素子側面を有しており、前記ダイパッド側被覆部は、前記ダイパッド側第１部に繋がり、かつ、前記素子側面の少なくとも一部と前記封止樹脂との間に介在するダイパッド側第３部をさらに含んでいる。

前記半導体装置の好ましい実施の形態においては、前記ダイパッド側被覆部は、前記ダイパッド側第３部に繋がり、かつ、前記素子主面の一部と前記封止樹脂との間に介在するダイパッド側第４部をさらに含んでいる。

前記半導体装置の好ましい実施の形態においては、前記導電性接合材は、はんだである。

前記半導体装置の好ましい実施の形態においては、前記パッド裏面は、前記封止樹脂から露出している。

前記半導体装置の好ましい実施の形態においては、前記半導体素子は、前記素子主面に形成された主面電極を含んでおり、前記導通部材には、前記主面電極および前記リードに接合され、前記主面電極と前記リードとを導通させるワイヤが含まれており、前記樹脂組成物は、前記ワイヤと前記リードとの接合部分を覆うリード側被覆部を含んでいる。

前記半導体装置の好ましい実施の形態においては、前記ワイヤは、前記主面電極に接合された第１接合部と前記リードに接合された第２接合部とを含んでおり、前記リード側被覆部は、前記第２接合部と前記封止樹脂との間に介在するリード側第１部を含んでいる。

前記半導体装置の好ましい実施の形態においては、前記リード側被覆部は、前記リード側第１部に繋がり、かつ、前記リードと前記封止樹脂との間に介在するリード側第２部をさらに含んでいる。

前記半導体装置の好ましい実施の形態においては、前記ワイヤは、前記第１接合部と前記第２接合部とを繋ぐ線状部をさらに含んでおり、前記線状部は、周方向の全周にわたって前記封止樹脂に接する樹脂当接領域を含んでいる。

前記半導体装置の好ましい実施の形態においては、前記半導体素子は、パワー半導体チップである。

本開示の第２の側面によって提供される半導体装置の製造方法は、リードフレームを用意する工程と、第１方向において互いに離間する素子主面および素子裏面を有する半導体素子を用意する工程と、前記半導体素子を前記リードフレームに搭載する素子搭載工程と、導通部材を前記リードフレームと前記半導体素子とに接合し、前記リードフレームと前記半導体素子とを前記導通部材を介して導通させる導通部材形成工程と、前記導通部材と前記リードフレームとの接合部分を覆い、かつ、前記素子主面の一部を露出させて、ペースト組成物を塗布する塗布工程と、塗布された前記ペースト組成物を乾燥させる工程と、前記リードフレームの一部、前記半導体素子、および、乾燥させた前記ペースト組成物を覆う封止樹脂を形成する工程と、を有しており、前記ペースト組成物は、樹脂材料を含んでおり、当該樹脂材料は、前記リードフレームとの接合強度が、前記封止樹脂と前記リードフレームとの接合強度よりも良好であり、かつ、前記導通部材との接合強度が、前記封止樹脂と前記導通部材との接合強度よりも良好である。

前記半導体装置の製造方法の好ましい実施の形態においては、前記リードフレームは、前記素子主面と同じ方向を向くパッド主面および前記素子裏面と同じ方向を向くパッド裏面を有するダイパッド、および、前記ダイパッドと離間したリードを備えており、前記素子搭載工程では、前記パッド主面と前記素子裏面とが対向した姿勢で、前記半導体素子を前記ダイパッドに搭載する。

前記半導体装置の製造方法の好ましい実施の形態においては、前記半導体素子は、前記素子裏面に形成された裏面電極を含んでおり、前記導通部材形成工程では、前記素子搭載工程の前に、前記裏面電極と前記ダイパッドとを接合する導電性ペーストを塗布し、前記素子搭載工程の後に、前記導電性ペーストを乾燥させることで、前記半導体素子と前記ダイパッドとを接合し、かつ、前記裏面電極と前記ダイパッドとを導通させる導電性接合材を形成し、前記塗布工程では、前記導電性接合材と前記ダイパッドとの接合部分を少なくとも覆うように、前記ペースト組成物を塗布する。

前記半導体装置の製造方法の好ましい実施の形態においては、前記半導体素子は、前記素子主面に形成された主面電極を含んでおり、前記導通部材形成工程では、前記素子搭載工程の後に、前記主面電極および前記リードに接合され、かつ、前記主面電極と前記リードとを導通させるワイヤを形成し、前記塗布工程では、前記ワイヤと前記リードとの接合部分を少なくとも覆うように、前記ペースト組成物を塗布する。

本開示の半導体装置によれば、熱負荷による封止樹脂の剥離を抑制できるので、動作不良の抑制を図ることができる。また、本開示の製造方法によれば、動作不良の抑制を図った半導体装置を製造することができる。

第１実施形態にかかる半導体装置を示す斜視図である。 図１に示す斜視図において、封止樹脂および樹脂組成物を省略した図である。 第１実施形態にかかる半導体装置を示す平面図である。 図３に示す平面図において、封止樹脂を省略した図である。 第１実施形態にかかる半導体装置を示す正面図である。 第１実施形態にかかる半導体装置を示す底面図である。 第１実施形態にかかる半導体装置を示す側面図（右側面図）である。 図４のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。 図４のＩＸ－ＩＸ線に沿う断面図である。 図４のＸ－Ｘ線に沿う断面図である。 第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法における一工程を示した図である。 第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法における一工程を示した図である。 第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法における一工程を示した図である。 導電性接合材に封止樹脂が直接形成された場合を示す断面模式図である。 導電性接合材と封止樹脂との間に樹脂組成物が介在した場合を示す断面模式図である。 第２実施形態にかかる半導体装置を示す平面図（封止樹脂を省略）である。 第２実施形態にかかる半導体装置を示す断面図である。 第３実施形態にかかる半導体装置を示す斜視図である。 図１７に示す斜視図において、封止樹脂および樹脂組成物を省略した図である。 第３実施形態にかかる半導体装置を示す平面図である。 図１９に示す平面図において、封止樹脂を省略した図である。 第３実施形態にかかる半導体装置を示す正面図である。 第３実施形態にかかる半導体装置を示す底面図である。 図２０のＸＸＩＩＩ－ＸＸＩＩＩ線に沿う断面図である。 図２０のＸＸＩＶ－ＸＸＩＶ線に沿う断面図である。 第４実施形態にかかる半導体装置を示す平面図である。 図２５の部分拡大図である。 図２５のＸＸＶＩＩ－ＸＸＶＩＩ線に沿う断面図である。 図２５のＸＸＶＩＩＩ－ＸＸＶＩＩＩ線に沿う断面図である。 第５実施形態にかかる半導体装置を示す平面図である。 図２９のＸＸＸ－ＸＸＸ線に沿う断面図である。 図２９のＸＸＸＩ－ＸＸＸＩ線に沿う断面図である。

本開示の半導体装置およびその製造方法の好ましい実施の形態について、図面を参照して、以下に説明する。

図１～図１０は、本開示の第１実施形態にかかる半導体装置を示している。第１実施形態の半導体装置Ａ１は、半導体素子１、リードフレーム２、複数のワイヤ３、導電性接合材４、封止樹脂５および樹脂組成物６を備えている。そして、複数のワイヤ３には、複数の第１ワイヤ３１、第２ワイヤ３２および第３ワイヤ３３がある。

図１は、半導体装置Ａ１を示す斜視図である。図２は、図１に示す斜視図において封止樹脂５および樹脂組成物６を省略した図である。図３は、半導体装置Ａ１を示す平面図である。図４は、図３に示す平面図において封止樹脂５を省略した図である。なお、図４において、樹脂組成物６を想像線で示している（理解の便宜上、ドット模様を付す）。図５は、半導体装置Ａ１を示す正面図である。図６は、半導体装置Ａ１を示す底面図である。図７は、半導体装置Ａ１を示す側面図（右側面）である。図８は、図４のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。図９は、図４のＩＸ－ＩＸ線に沿う断面図である。図１０は、図４のＸ－Ｘ線に沿う断面図である。説明の便宜上、互いに直交する３つの方向を、ｘ方向、ｙ方向、ｚ方向と定義する。ｘ方向は、平面図（図３，４参照）における左右方向である。ｙ方向は、平面図（図３，４参照）における上下方向である。ｚ方向は、半導体装置Ａ１の厚さ（高さ）方向である。

半導体素子１は、半導体装置Ａ１の機能中枢となる電子部品であり、半導体材料からなる。このような半導体材料としては、Ｓｉ（ケイ素）、ＳｉＣ（炭化ケイ素）およびＧａＡｓ（ヒ化ガリウム）などがあるが、これらに限定されない。半導体素子１は、たとえば、ＭＯＳＦＥＴなどのパワー半導体チップである。本実施形態においては、半導体素子１がＭＯＳＦＥＴである場合を示すが、これに限定されず、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor；絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）などの他のトランジスタ、あるいは、ショットキーバリアダイオードやファーストリカバリダイオードなどのダイオードであってもよい。なお、本開示において、パワー半導体チップとは、たとえば、入力端子－出力端子間の電圧と入力端子－出力端子に流れる電流との積が、およそ１Ｗ以上で使用されるものと定義する。入力端子および出力端子は、ＭＯＳＦＥＴにおいて、ドレイン電極、ソース電極をそれぞれ指す。半導体素子１は、図４に示すように、平面視において、たとえば矩形状である。半導体素子１は、図４、図８および図９に示すように、素子主面１ａ、素子裏面１ｂおよび複数の素子側面１ｃを有している。

素子主面１ａおよび素子裏面１ｂは、ｚ方向において、離間しており、かつ、互いに反対側を向く。複数の素子側面１ｃはそれぞれ、素子主面１ａおよび素子裏面１ｂに挟まれている。各素子側面１ｃは、ｚ方向の一方（図８および図９の上方）の端縁が素子主面１ａに繋がり、ｚ方向の他方（図８および図９の下方）の端縁が素子裏面１ｂに繋がる。素子主面１ａ、素子裏面１ｂおよび複数の素子側面１ｃはすべて、略平坦である。本実施形態においては、半導体素子１は、ｘ方向の各々を向く一対の素子側面１ｃと、ｙ方向の各々を向く一対の素子側面１ｃとを有する。

半導体素子１は、図２、図４、図８および図９に示すように、複数の主面電極１１および裏面電極１２を含んでいる。よって、半導体素子１は、縦型構造である。複数の主面電極１１は、素子主面１ａに形成されている。複数の主面電極１１には、図２および図４に示すように、第１主面電極１１１、第２主面電極１１２および第３主面電極１１３がある。裏面電極１２は、素子裏面１ｂに形成されている。第１主面電極１１１はソース電極であり、第２主面電極１１２はゲート電極であり、第３主面電極１１３はソースセンス電極であり、裏面電極１２はドレイン電極である。なお、第１主面電極１１１、第２主面電極１１２および第３主面電極１１３の配置、大きさおよび形状は、図示されたものに限定されない。また、第３主面電極１１３（ソースセンス電極）は、特に形成されていなくてもよい。複数の主面電極１１（第１主面電極１１１、第２主面電極１１２および第３主面電極１１３）と裏面電極１２との各構成材料は、たとえばＡｌ（アルミニウム）である。

リードフレーム２は、半導体素子１を搭載するとともに、半導体素子１に導通する。リードフレーム２は、電子機器などの回路基板に実装されることにより、半導体素子１と回路基板との導通経路をなす。リードフレーム２は、導電性材料よりなる。この導電性材料は、たとえばＣｕ（銅）である。なお、この導電性材料は、Ｃｕに限定されず、Ｎｉ（ニッケル）、または、Ｃｕ合金やＮｉ合金、４２アロイなどであってもよい。リードフレーム２は、平面視矩形状のＣｕなどの金属板から、打ち抜き加工、切り取り加工、曲げ加工などにより適切な形に形成される。リードフレーム２は、図２および図４に示すように、第１リード２１、第２リード２２、第３リード２３およびダイパッド２４を含んでいる。リードフレーム２において、これらは、互いに離間している。

第１リード２１は、半導体素子１の第１主面電極１１１（ソース電極）に導通するリードフレーム２の一部である。第１リード２１は、第１ワイヤ３１を介して、第１主面電極１１１に導通する。第１リード２１は、図２、図４および図８に示すように、ワイヤボンディング部２１１および複数の端子部２１２を含んでいる。

ワイヤボンディング部２１１は、各第１ワイヤ３１の一端が接合されている。ワイヤボンディング部２１１は、封止樹脂５に覆われている。

複数の端子部２１２はそれぞれ、ワイヤボンディング部２１１に繋がる。各端子部２１２は、一部が封止樹脂５から露出する。複数の端子部２１２は、１つを除いて、同じ形状である。なお、第１リード２１において、複数の端子部２１２はすべて、同じ形状であってもよい。複数の端子部２１２は、ｙ方向に見て、互いに重なる。各端子部２１２は、半導体装置Ａ１のソース端子として回路基板に接合される。第１リード２１は、図１～図６に示すように、５つの端子部２１２を備えている。なお、端子部２１２の数、長さおよび形状は、図示された例示に限定されない。

第２リード２２は、半導体素子１の第２主面電極１１２（ゲート電極）に導通するリードフレーム２の一部である。第２リード２２は、第２ワイヤ３２を介して、第２主面電極１１２に導通する。第２リード２２は、図２および図４に示すように、ワイヤボンディング部２２１および端子部２２２を含んでいる。

ワイヤボンディング部２２１は、第２ワイヤ３２の一端が接合されている。ワイヤボンディング部２２１は、封止樹脂５に覆われている。

端子部２２２は、ワイヤボンディング部２２１に繋がる。端子部２２２は、一部が封止樹脂５から露出する。端子部２２２は、封止樹脂５から露出した部分において、一部が屈曲している。端子部２２２は、ｙ方向に見て、複数の端子部２１２に重なる。端子部２２２は、半導体装置Ａ１のゲート端子として回路基板に接合される。

第３リード２３は、半導体素子１の第３主面電極１１３（ソースセンス電極）に導通するリードフレーム２の一部である。第３リード２３は、第３ワイヤ３３を介して、第３主面電極１１３に導通する。第３リード２３は、図２および図４に示すように、ワイヤボンディング部２３１および端子部２３２を含んでいる。

ワイヤボンディング部２３１は、第３ワイヤ３３の一端が接合されている。ワイヤボンディング部２３１は、封止樹脂５に覆われている。

端子部２３２は、ワイヤボンディング部２３１に繋がる。端子部２３２は、一部が封止樹脂５から露出する。端子部２３２は、封止樹脂５から露出した部分において、一部が屈曲している。端子部２３２は、ｙ方向に見て、複数の端子部２１２および端子部２２２に重なる。端子部２３２は、ｘ方向において、複数の端子部２１２と端子部２２２とに挟まれている。端子部２３２は、半導体装置Ａ１におけるソースセンス端子として回路基板に接合される。

ダイパッド２４は、半導体素子１が搭載されたリードフレーム２の一部である。ダイパッド２４は、一部が封止樹脂５に覆われており、他の部分が封止樹脂５から露出している。ダイパッド２４は、図８および図９に示すように、パッド主面２４ａおよびパッド裏面２４ｂを有している。

パッド主面２４ａおよびパッド裏面２４ｂは、ｚ方向において、互いに反対側を向き、かつ、離間している。パッド主面２４ａは、素子主面１ａと同じ方向を向く。パッド主面２４ａは、素子裏面１ｂに対向している。パッド裏面２４ｂは、素子裏面１ｂと同じ方向を向く。パッド裏面２４ｂは、封止樹脂５から露出している。

ダイパッド２４は、導電性接合材４を介して、裏面電極１２（ドレイン電極）に導通している。ダイパッド２４は、半導体装置Ａ１におけるドレイン端子として回路基板に接合される。

複数の第１ワイヤ３１、第２ワイヤ３２、第３ワイヤ３３はそれぞれ、半導体素子１とリードフレーム２とを導通させる接続部材である。

複数の第１ワイヤ３１は、Ａｌを含有するボンディングワイヤである。複数の第１ワイヤ３１は、たとえば、Ｆｅ（鉄）、Ｓｉ、Ｎｉのいずれかが添加されたＡｌ合金や純Ａｌである。なお、各第１ワイヤ３１は、Ａｌの代わりに、ＣｕあるいはＡｕ（金）を含有するボンディングワイヤであってもよい。また、各第１ワイヤ３１は、ボンディングワイヤの代わりに、ボンディングリボンであってもよい。本実施形態においては、半導体装置Ａ１は、２つの第１ワイヤ３１を備えている場合を示すが、第１ワイヤ３１の数は特に限定されない。各第１ワイヤ３１の線径は、たとえばφ４００μｍ程度である。各第１ワイヤ３１は、図２、図４および図８に示すように、第１接合部３１１、第２接合部３１２および線状部３１３を含んでいる。

第１接合部３１１は、各第１ワイヤ３１の一端であり、半導体素子１の第１主面電極１１１に接合された部分である。第１接合部３１１は、図２、図４および図８に示すように、前方当接部３１１ａ、後方当接部３１１ｂおよび中間部３１１ｃを含んでいる。前方当接部３１１ａおよび後方当接部３１１ｂはともに、第１主面電極１１１に当接している。前方当接部３１１ａは、第２接合部３１２に対して遠い側に位置しており、後方当接部３１１ｂは、第２接合部３１２に対して近い側に位置している。中間部３１１ｃは、前方当接部３１１ａおよび後方当接部３１１ｂに挟まれている。中間部３１１ｃは、第１主面電極１１１に接合されておらず、第１主面電極１１１から若干浮いたアーチ状とされている。なお、本実施形態においては、第１接合部３１１は、２箇所において、第１主面電極１１１に当接しているが（前方当接部３１１ａおよび後方当接部３１１ｂを含んでいるが）、１箇所において、第１主面電極１１１に当接していてもよい。

第２接合部３１２は、各第１ワイヤ３１の他端であり、第１リード２１のワイヤボンディング部２１１に接合された部分である。第２接合部３１２は、樹脂組成物６に覆われている。

線状部３１３は、第１接合部３１１と第２接合部３１２とを繋ぐ部分であり、第１接合部３１１および第２接合部３１２の各々から延びている。線状部３１３は、長手方向に直交する断面が円形である。線状部３１３は、樹脂組成物当接領域３１３ａおよび封止樹脂当接領域３１３ｂを含んでいる。樹脂組成物当接領域３１３ａは、樹脂組成物６に覆われている。樹脂組成物当接領域３１３ａは、その周方向の全周にわたって樹脂組成物６に当接する。封止樹脂当接領域３１３ｂは、樹脂組成物６に覆われておらず、封止樹脂５に覆われている。封止樹脂当接領域３１３ｂは、その周方向の全周にわたって封止樹脂５に当接する。

各第１ワイヤ３１は、第１主面電極１１１と第１リード２１とを導通接続する。なお、半導体装置Ａ１において、各第１ワイヤ３１と第１主面電極１１１とはともに、Ａｌを含む金属である。このため、これらの接合部分における熱応力の影響は小さい。

第２ワイヤ３２は、Ａｕを含有するボンディングワイヤである。なお、第２ワイヤ３２は、Ａｕの代わりに、ＡｌあるいはＣｕを含有するボンディングワイヤであってもよい。第２ワイヤ３２の線径は、第１ワイヤ３１の線径よりも小さい。すなわち、第２ワイヤ３２は、第１ワイヤ３１よりも細い。第２ワイヤ３２の線径は、たとえばφ５０～７５μｍ程度である。なお、第２ワイヤ３２の線径は、第２ワイヤ３２の構成材料に応じて、適宜変更されうる。第２ワイヤ３２は、図４に示すように、第１接合部３２１、第２接合部３２２および線状部３２３を含んでいる。

第１接合部３２１は、第２ワイヤ３２の一端であり、半導体素子１の第２主面電極１１２に接合された部分である。

第２接合部３２２は、第２ワイヤ３２の他端であり、ワイヤボンディング部２２１に接合された部分である。

線状部３２３は、第１接合部３２１と第２接合部３２２とを繋ぐ部分であり、第１接合部３２１および第２接合部３２２の各々から延びている。線状部３１３は、長手方向に直交する断面が円形である。

第２ワイヤ３２は、第２主面電極１１２と第２リード２２とを導通接続する。

第３ワイヤ３３は、Ａｕを含有するボンディングワイヤである。なお、第３ワイヤ３３は、Ａｕの代わりに、ＡｌあるいはＣｕを含有するボンディングワイヤであってもよい。第３ワイヤ３３は、たとえば第２ワイヤ３２と同質かつ同径であるものとするが、異なっていてもよい。なお、第３ワイヤ３３の線径は、第３ワイヤ３３の構成材料に応じて、適宜変更されうる。第３ワイヤ３３は、図４に示すように、第１接合部３３１、第２接合部３３２および線状部３３３を含んでいる。

第１接合部３３１は、第３ワイヤ３３の一端であり、半導体素子１の第３主面電極１１３に接合された部分である。なお、主面電極１１が第３主面電極１１３（ソースセンス電極）を含んでいない場合は、第１接合部３３１を第１主面電極１１１（ソース電極）に接合することで、ソース電流の検出が可能となる。

第２接合部３３２は、第３ワイヤ３３の他端であり、ワイヤボンディング部２３１に接合された部分である。

線状部３３３は、第１接合部３３１と第２接合部３３２とを繋ぐ部分であり、第１接合部３３１および第２接合部３３２の各々から延びている。線状部３１３は、長手方向に直交する断面が円形である。

第３ワイヤ３３は、第３主面電極１１３と第３リード２３とを導通接続する。

導電性接合材４は、半導体素子１をリードフレーム２に接合するためのものである。導電性接合材４は、図８および図９に示すように、半導体素子１の素子裏面１ｂとダイパッド２４のパッド主面２４ａとの間に介在し、半導体素子１の裏面電極１２とダイパッド２４とを導通させている。導電性接合材４は、たとえばはんだである。当該はんだの材質は、特に限定されないが、たとえば、Ｓｎ－Ｓｂ系合金またはＳｎ－Ａｇ系合金などの鉛フリーはんだ、あるいは、Ｓｎ－Ｐｂ系合金などの鉛含有のはんだなどがある。

導電性接合材４は、図８および図９に示すように、素子当接面４ａ、ダイパッド当接面４ｂおよび連絡面４ｃを有している。素子当接面４ａは、半導体素子１の素子裏面１ｂに当接する面である。素子当接面４ａは、たとえば略平坦である。ダイパッド当接面４ｂは、ダイパッド２４のパッド主面２４ａに当接する面である。ダイパッド当接面４ｂは、たとえば略平坦である。連絡面４ｃは、素子当接面４ａとダイパッド当接面４ｂとに挟まれ、これらを繋ぐ面である。なお、連絡面４ｃは、略平坦であってもよいし、湾曲していてもよい。連絡面４ｃは、図８および図９に示すように、素子当接面４ａおよびダイパッド当接面４ｂに対して、傾斜している。素子当接面４ａと連絡面４ｃとがなす角度は、たとえば０．３～２７°程度である。また、導電性接合材４のｚ方向寸法（厚み）ΔＨ（図９参照）は、たとえば１０～１５０μｍ程度であり、平面視において各素子側面１ｃから外方にはみ出した導電性接合材４の各はみ出し寸法ΔＬ（図９参照）は、たとえば３００～２０００μｍ程度である。なお、上記した当該角度および各寸法ΔＨ，ΔＬは、製造時の誤差を考慮した値であって、製造された半導体装置Ａ１における値である。製造時の設計値としては、上記角度はたとえば１～１５°程度であり、導電性接合材４のｚ方向寸法ΔＨはたとえば３０～１３０μｍ程度であり、導電性接合材４の各はみ出し寸法ΔＬはたとえば５００～１５００μｍ程度である。

封止樹脂５は、半導体素子１、リードフレーム２の一部、複数のワイヤ３および樹脂組成物６を覆っている。封止樹脂５は、電気絶縁性を有する熱硬化性の合成樹脂である。封止樹脂５は、たとえば黒色のエポキシ樹脂であり、フィラーが混入している。当該フィラーは、たとえば球状であって、その粒径は、たとえば７５μｍ程度である。封止樹脂５は、図１、図３、図５～図１０に示すように、樹脂主面５ａ、樹脂裏面５ｂおよび複数の樹脂側面５ｃを有している。

樹脂主面５ａおよび樹脂裏面５ｂは、ｚ方向において、互いに反対側を向き、かつ、離間している。樹脂主面５ａは、素子主面１ａと同じ方向を向き、樹脂裏面５ｂは、素子裏面１ｂと同じ方向を向く。複数の樹脂側面５ｃの各々は、樹脂主面５ａおよび樹脂裏面５ｂに挟まれている。各樹脂側面５ｃは、ｚ方向の一方の端縁が樹脂主面５ａに繋がり、ｚ方向の他方の端縁が樹脂裏面５ｂに繋がる。本実施形態においては、封止樹脂５は、ｘ方向において離間する一対の樹脂側面５ｃと、ｙ方向において離間する一対の樹脂側面５ｃを有する。

本実施形態においては、樹脂側面５ｃから、第１リード２１、第２リード２２および第３リード２３が突き出ている。また、樹脂側面５ｃから、ダイパッド２４の一部が突き出ている。なお、平面視において、第１リード２１、第２リード２２および第３リード２３と、ダイパッド２４とは、封止樹脂５を挟んで、互いに反対側に位置する樹脂側面５ｃから突き出ている。また、樹脂裏面５ｂから、ダイパッド２４のパッド裏面２４ｂが露出している。

樹脂組成物６は、導電性接合材４とダイパッド２４との接合部分、および、第１ワイヤ３１と第１リード２１との接合部分を覆うものである。樹脂組成物６は、リードフレーム２との接合強度が、封止樹脂５とリードフレーム２との接合強度よりも良好である。また、樹脂組成物６は、導電性接合材４との接合強度が、封止樹脂５と導電性接合材４との接合強度よりも良好であり、かつ、複数のワイヤ３との接合強度が、封止樹脂５と複数のワイヤ３との接合強度よりも良好である。当該接合強度の相対的な良否の判断は、たとえばプリンカップ強度（単位：ＭＰａ）を基準としている。このプリンカップ強度は、プリンカップ形状の樹脂材（樹脂組成物６や封止樹脂５の各材料）を、接合対象（リードフレーム２や導電性接合材４、複数のワイヤ３の各材料）に密着させた状態における、せん断強度を示すものである。プリンカップ強度が大きいほど、接合強度が良好であり、プリンカップ強度が小さいほど、接合強度が低い。樹脂組成物６は、たとえば、熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂、カップリング剤、粉末状無機充填材、および、ゴム弾性を有する粉末などを含む素材からなる。樹脂組成物６の厚みは、たとえば１０～２０μｍ程度である。なお、樹脂組成物６の素材および厚みは、上記したものに限定されない。樹脂組成物６は、図４および図８に示すように、ダイパッド側被覆部６１およびリード側被覆部６２を含んでいる。ダイパッド側被覆部６１およびリード側被覆部６２は、互いに離間して配置されている。

ダイパッド側被覆部６１は、導電性接合材４とダイパッド２４との接合部分を覆う。以下の説明において、当該接合部分をダイパッド側接合部分という。ダイパッド側被覆部６１は、図４、図８および図９に示すように、ダイパッド側第１部６１１、ダイパッド側第２部６１２およびダイパッド側第３部６１３を含んでいる。ダイパッド側第１部６１１、ダイパッド側第２部６１２およびダイパッド側第３部６１３は、一体的に形成されている。

ダイパッド側第１部６１１は、図８に示すように、導電性接合材４の連絡面４ｃと封止樹脂５との間に介在する部分である。

ダイパッド側第２部６１２は、図８に示すように、ダイパッド２４のパッド主面２４ａと封止樹脂５との間に介在する部分である。ダイパッド側第２部６１２は、ダイパッド側第１部６１１に繋がっている。具体的には、ダイパッド側第２部６１２は、ダイパッド側第１部６１１のｚ方向下方の端縁に繋がっている。本実施形態においては、ダイパッド側第２部６１２は、導電性接合材４のダイパッド当接面４ｂに接していないパッド主面２４ａの少なくとも一部を覆っているものとするが、導電性接合材４のダイパッド当接面４ｂに接していないパッド主面２４ａの全面を覆っていてもよい。

ダイパッド側第３部６１３は、図８に示すように、半導体素子１の各素子側面１ｃと封止樹脂５との間に介在する部分である。ダイパッド側第３部６１３は、ダイパッド側第１部６１１に繋がっている。具体的には、ダイパッド側第３部６１３は、ダイパッド側第１部６１１のｚ方向上方の端縁に繋がっている。本実施形態においては、ダイパッド側第３部６１３は、ｘ方向あるいはｙ方向に見て、素子主面１ａよりもｚ方向下方に配置されている。

リード側被覆部６２は、第１ワイヤ３１と第１リード２１との接合部分を覆う。以下の説明において、当該接合部分をリード側接合部分という。リード側被覆部６２は、図４および図８に示すように、リード側第１部６２１、リード側第２部６２２およびリード側第３部６２３を含んでいる。リード側第１部６２１、リード側第２部６２２およびリード側第３部６２３は、一体的に形成されている。

リード側第１部６２１は、図８に示すように、第１ワイヤ３１の第２接合部３１２と封止樹脂５との間に介在する部分である。

リード側第２部６２２は、図８に示すように、第１リード２１のワイヤボンディング部２１１と封止樹脂５との間に介在する部分である。リード側第２部６２２は、リード側第１部６２１に繋がっている。

リード側第３部６２３は、図８に示すように、第１ワイヤ３１の線状部３１３の一部（樹脂組成物当接領域３１３ａ）と封止樹脂５との間に介在する部分である。具体的には、リード側第３部６２３は、線状部３１３の第２接合部３１２側の一部に形成されている。リード側第３部６２３は、リード側第１部６２１に繋がっている。

次に、半導体装置Ａ１の製造方法について、図１１～図１３を参照して、説明する。なお、図１１～図１３において、図１～図１０に示す構成と同一あるいは類似の要素については、同一の符号を付している。

まず、図１１に示すように、リードフレーム２００と、半導体素子１とを用意する。用意するリードフレーム２００は、第１リード２１、第２リード２２、第３リード２３およびダイパッド２４を含んでおり、これらはフレーム枠２０１によって繋がっている。リードフレーム２００は、たとえば複数の半導体装置Ａ１を製造可能なサイズである。また、用意する半導体素子１は、縦型構造のＭＯＳＦＥＴであるが、横型構造であってもよい。半導体素子１は、素子主面１ａに第１主面電極１１１、第２主面電極１１２および第３主面電極１１３が形成されており、素子裏面１ｂに裏面電極１２が形成されている。

次に、図１２に示すように、導電性接合材４を介して、半導体素子１をダイパッド２４に搭載する。この半導体素子１を搭載する工程（素子搭載工程）では、ダイパッド２４のパッド主面２４ａに導電性ペーストを塗布する。本実施形態においては、導電性ペーストとしてはんだペーストを用いる。そして、塗布した導電性ペースト上に半導体素子１を載置する。このとき、パッド主面２４ａと素子裏面１ｂとを対向した姿勢で、半導体素子１を載置する。次に、導電性ペーストを焼成する。これにより、導電性接合材４が形成され、半導体素子１がダイパッド２４に搭載される。導電性接合材４は、リードフレーム２００（ダイパッド２４）と半導体素子１（裏面電極１２）とを導通接合させる。

次に、図１２に示すように、複数の第１ワイヤ３１、第２ワイヤ３２および第３ワイヤ３３を、半導体素子１とリードフレーム２００とにボンディングする。これらの各ワイヤ３のボンディングには、周知のワイヤボンダを用いる。本実施形態においては、ウェッジツールを用いたウェッジボンディングで行う場合について説明するが、キャピラリを用いたボールボンディングで行ってもよい。第１ワイヤ３１は、主成分がＡｌであるボンディングワイヤである。第２ワイヤ３２および第３ワイヤ３３は、主成分がＡｕであるボンディングワイヤである。第１ワイヤ３１の一端を第１主面電極１１１にボンディングし、第１ワイヤ３１の他端を第１リード２１のワイヤボンディング部２１１にボンディングする。また、第２ワイヤ３２の一端を第２主面電極１１２にボンディングし、第２ワイヤ３２の他端を第２リード２２のワイヤボンディング部２２１にボンディングする。そして、第３ワイヤ３３の一端を第３主面電極１１３にボンディングし、第３ワイヤ３３の他端を第３リード２３のワイヤボンディング部２３１にボンディングする。なお、第１ワイヤ３１、第２ワイヤ３２および第３ワイヤ３３のボンディング順序は、特に限定されない。

たとえば、第１ワイヤ３１をボンディングする工程は、次のようにして行われる。まず、ウェッジの先端を第１主面電極１１１に押し付けつつ、超音波振動を付加する。これにより、第１ワイヤ３１の一端が第１主面電極１１１に超音波溶融され、前方当接部３１１ａが形成される。そして、ウェッジの先端から第１ワイヤ３１を引き出しつつ、少しだけウェッジを移動させ、再びウェッジの先端を第１主面電極１１１に押し付けつつ、超音波振動を付加する。これにより、中間部３１１ｃおよび後方当接部３１１ｂが形成され、第１接合部３１１が形成される。続いて、ウェッジの先端から第１ワイヤ３１を引き出しつつ、ウェッジを移動させる。これにより、線状部３１３が形成される。続いて、第１リード２１のワイヤボンディング部２１１に第１ワイヤ３１を押し付けつつ、超音波振動を付加する。これにより、第１ワイヤ３１の他端がワイヤボンディング部２１１に超音波溶融される。その後、ウェッジを少しだけ移動させ、ウェッジツールのカッタで第１ワイヤ３１に切れ目を付ける。そして、ウェッジとともに、第１ワイヤ３１をワイヤボンディング部２１１から離間させることで、第１ワイヤ３１が切断される。これにより、第２接合部３１２が形成される。以上により、第１ワイヤ３１の一端（第１接合部３１１）が第１主面電極１１１にボンディングされ、第１ワイヤ３１の他端（第２接合部３１２）がワイヤボンディング部２１１にボンディングされ、第１主面電極１１１とワイヤボンディング部２１１（第１リード２１）とが、第１ワイヤ３１によって導通接続される。なお、第２ワイヤ３２および第３ワイヤ３３をボンディングする工程は、上記第１ワイヤ３１をボンディングする工程と略同等である。

次に、図１３に示すように、樹脂組成物６を形成する。樹脂組成物６の形成では、まず、樹脂組成物６を形成する範囲に、ペースト組成物を塗布する。ペースト組成物を塗布する工程（塗布工程）では、たとえばジェットディスペンサーを用いて行う。なお、ジェットディスペンサーを用いるのではなく、スプレー塗布やスピン塗布など他の塗布手法であってもよし、スクリーン印刷などであってもよい。本実施形態においては、平面視において、半導体素子１周囲の導電性接合材４の表面にペースト組成物を塗布する。ペースト組成物は、樹脂材料と有機溶剤とを少なくとも含んでいる。当該樹脂材料は、リードフレーム２００との接合強度が、封止樹脂５とリードフレーム２００との接合強度よりも良好である。また、当該樹脂材料は、複数のワイヤ３との接合強度が、封止樹脂５と複数のワイヤ３との接合強度よりも良好であり、かつ、導電性接合材４との接合強度が、封止樹脂５と導電性接合材４との接合強度よりも良好である。本実施形態におけるペースト組成物は、たとえば、熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂、カップリング剤、粉末状無機充填材、ゴム弾性を有する粉末、および、有機溶剤などを含んだ素材からなる。次いで、塗布したペースト組成物を乾燥させることで、有機溶剤が揮発して、硬化した樹脂組成物６が形成される。

次に、封止樹脂５を形成する。封止樹脂５は、たとえば、金型を用いたモールド成型により形成する。封止樹脂５として、たとえば、粒状フィラーが混入したエポキシ樹脂を用いる。そして、封止樹脂５を形成した後は、リードフレーム２００を適宜切断し、半導体素子１ごとに個片化する。なお、リードフレーム２００の切断の前後において、適宜、封止樹脂５から露出したリードフレーム２の曲げに対する強度向上、プリント基板などへの実装時の接着性の向上、錆防止などのための外装処理、封止樹脂５から露出したリードフレーム２を所定の形状に曲げるリード加工、社名、製品名、ロッド番号などを封止樹脂５に刻印する捺印処理、および、製品の良・不良を判別する検査・選別処理などを適宜行う。なお、これらの処理は、最終的な半導体装置Ａ１の仕様に応じて、適宜実施すればよい。

以上に示した工程を経て、図１～図１０に示す半導体装置Ａ１が完成する。

次に、第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１の作用効果について説明する。

半導体装置Ａ１によれば、樹脂組成物６が備えられている。この樹脂組成物６は、導通部材（たとえば導電性接合材４あるいは第１ワイヤ３１）とリードフレーム２との接合部分（たとえばダイパッド側接合部分あるいはリード側接合部分）を覆っている。そして、樹脂組成物６とリードフレーム２との接合強度は、封止樹脂５とリードフレーム２との接合強度よりも良好であり、かつ、樹脂組成物６と導通部材との接合強度は、封止樹脂５と導通部材との接合強度よりも良好である。この構成をとることで、樹脂組成物６が、接着剤として機能し、上記接合部分と封止樹脂５との接合強度を向上させることができる。このため、半導体装置Ａ１に熱負荷がかかった場合であっても、上記接合部分と封止樹脂５との剥離を抑制できる。これにより、半導体装置Ａ１は、封止樹脂５の剥離に起因する動作不良の抑制を図ることができる。

半導体装置Ａ１によれば、半導体素子１の素子主面１ａが樹脂組成物６から露出している。つまり、素子主面１ａは、樹脂組成物６に覆われていない。半導体装置Ａ１の動作時には、半導体素子１の素子主面１ａ側が発熱しやすい。仮に、素子主面１ａが樹脂組成物６に覆われている場合、樹脂組成物６の熱伝導率が封止樹脂５の熱伝導率よりも悪いと、素子主面１ａ側の熱がこもりやすくなる。よって、樹脂組成物６と素子主面１ａとの界面における温度差が大きくなる。この温度差に起因する熱応力は、半導体装置Ａ１の動作不良の原因となりうる。したがって、樹脂組成物６の熱伝導率が封止樹脂５の熱伝導率よりも悪い場合には、素子主面１ａを樹脂組成物６から露出させることで、素子主面１ａが樹脂組成物６によって覆われている場合よりも、素子主面１ａの界面における温度差を小さくできる。これにより、半導体装置Ａ１は、当該温度差に起因する動作不良を抑制することができる。

半導体装置Ａ１の製造方法によれば、ペースト組成物はジェットディスペンサーで塗布されている。これにより、ペースト組成物を選択的に塗布することができるので、樹脂組成物６を選択的に形成することができる。図１３に示すように、ペースト組成物を塗布する際、半導体素子１の素子主面１ａへの塗布を避けることができるので、図４に示すように、形成する樹脂組成物６を、素子主面１ａを覆わないようにできる。したがって、上記した温度差に起因する動作不良の抑制を図った半導体装置Ａ１を製造することができる。

半導体装置Ａ１によれば、樹脂組成物６は、ダイパッド側被覆部６１を含んでおり、ダイパッド側被覆部６１は、導電性接合材４とリードフレーム２（ダイパッド２４）との接合部分（ダイパッド側接合部分）を覆う。この構成をとることで、ダイパッド側被覆部６１が、上記ダイパッド側接合部分と封止樹脂５との接合強度を向上させ、このダイパッド側接合部分と封止樹脂５との剥離を抑制できる。仮に、この剥離が生じた場合、半導体装置Ａ１に熱負荷がかかると、導電性接合材４にかかる熱応力が増加し、導電性接合材４にクラックが生じる可能性がある。このクラックは、導電性接合材４の放熱性および導電性の低下を招く。しかしながら、半導体装置Ａ１は、ダイパッド側接合部分と封止樹脂５との剥離を抑制できるので、導電性接合材４にかかる熱応力を緩和し、導電性接合材４に生じるクラックを抑制できる。したがって、半導体装置Ａ１は、導電性接合材４のクラックを抑制することで、導電性接合材４の放熱性および導電性の低下を抑制できる。また、一般的に、鉛フリーはんだよりも鉛含有はんだの方が熱応力に対する物理的強度が高いことが知られている。そのため、従来の半導体装置においては、熱サイクルの耐性向上を図って、導電性接合材４に鉛含有はんだが用いられる傾向があった。一方、半導体装置Ａ１においては、上記するようにダイパッド側被覆部６１（樹脂組成物６）によって、導電性接合材４にかかる熱応力を緩和できるので、導電性接合材４に鉛フリーはんだを用いても、熱サイクルの耐性を向上できる。このため、半導体装置Ａ１は、環境保全を考慮しつつ、熱サイクルの耐性を向上させることができる。

半導体装置Ａ１によれば、ダイパッド側被覆部６１は、導電性接合材４の連絡面４ｃと封止樹脂５との間に介在するダイパッド側第１部６１１を含んでいる。この構成をとることで、ダイパッド側第１部６１１によって、導電性接合材４と封止樹脂５との接合強度を向上させることができる。

図１４Ａおよび図１４Ｂは、樹脂組成物６（ダイパッド側第１部６１１）によって、導電性接合材４と封止樹脂５との接合強度が向上するメカニズムを説明するための模式図である。図１４Ａは、導電性接合材４に直接封止樹脂５が形成された場合、すなわち、従来の半導体装置を示しており、図１４Ｂは、導電性接合材４と封止樹脂５との間に樹脂組成物６が介在した場合、すなわち、本開示の半導体装置Ａ１を示している。

図１４Ａに示すように、導電性接合材４の表面は、微細な溝４０によって粗面である。この溝４０は、封止樹脂５に混入されるフィラー５１の粒径よりも小さい。したがって、導電性接合材４の表面に直接封止樹脂５を形成した場合、封止樹脂５に混入されるフィラー５１が溝４０の開口を塞いでしまい、当該溝４０に封止樹脂５が充填されないことがある。このように封止樹脂５が充填されない溝４０によって、導電性接合材４と封止樹脂５との界面に空隙が発生し、この空隙が接合強度の低下の原因となる。

一方、図１４Ｂに示すように、導電性接合材４と封止樹脂５との間に樹脂組成物６を介在させることで、導電性接合材４の表面の溝４０には、樹脂組成物６が充填されている。そのため、樹脂組成物６によって、空隙の発生が抑制されるので、空隙による接合強度の低下が抑制される。また、樹脂組成物６が溝４０に充填されることで、アンカー効果によって、導電性接合材４との接合強度が向上する。さらに、樹脂組成物６と封止樹脂５との界面においては、水素結合が生じており、当該水素結合により、樹脂組成物６と封止樹脂５との接合強度が良好である。以上のことから、導電性接合材４と封止樹脂５との間に樹脂組成物６が介在することで、導電性接合材４と封止樹脂５との接合強度を高めることができる。

半導体装置Ａ１によれば、ダイパッド側被覆部６１は、ダイパッド２４のパッド主面２４ａと封止樹脂５との間に介在するダイパッド側第２部６１２を含んでいる。この構成をとることで、ダイパッド側第２部６１２によって、ダイパッド２４と封止樹脂５との接合強度を向上させることができる。なお、リードフレーム２の表面も、導電性接合材４と同様に、微細な溝がある。よって、ダイパッド２４と封止樹脂５との接合強度は、図１４Ａおよび図１４Ｂに示した原理と同様に、向上している。

半導体装置Ａ１によれば、ダイパッド側被覆部６１は、素子側面１ｃと封止樹脂５との間に介在するダイパッド側第３部６１３を含んでいる。この構成をとることで、ダイパッド側第３部６１３によって、素子側面１ｃと封止樹脂５との接合強度を向上させることができる。なお、素子側面１ｃも、導電性接合材４と同様に、微細な溝がある。よって、素子側面１ｃと封止樹脂５との接合強度は、図１４Ａおよび図１４Ｂに示した原理と同様に、向上している。

半導体装置Ａ１によれば、樹脂組成物６は、リード側被覆部６２を含んでおり、リード側被覆部６２は、各第１ワイヤ３１（各第２接合部３１２）とリードフレーム２（第１リード２１のワイヤボンディング部２１１）との接合部分（リード側接合部分）を覆っている。この構成をとることで、リード側被覆部６２が、リード側接合部分と封止樹脂５との接合強度を向上させ、このリード側接合部分と封止樹脂５との剥離を抑制できる。仮に、この剥離が生じた場合、半導体装置Ａ１に熱負荷がかかると、各第１ワイヤ３１の第２接合部３１２にかかる熱応力が増加し、各第１ワイヤ３１がワイヤボンディング部２１１から剥がれる可能性がある。しかしながら、半導体装置Ａ１は、リード側接合部分と封止樹脂５との剥離を抑制できるので、各第１ワイヤ３１の第２接合部３１２にかかる熱応力を緩和し、各第１ワイヤ３１がワイヤボンディング部２１１から剥がれることを抑制できる。また、各第１ワイヤ３１がＡｌを含む金属の場合、各第１ワイヤ３１の表面に不動態膜（酸化被膜）が形成され、腐食から保護されているが、リード側接合部分と封止樹脂５との剥離が生じた場合、各第１ワイヤ３１と封止樹脂５とが擦れ合い、各第１ワイヤ３１の表面の不動態膜が破壊されることがある。この場合、不動態膜が破壊された部分から腐食（たとえば孔食）が進行し、各第１ワイヤ３１の導通性の低下や各第１ワイヤ３１の断線を招く。一方、半導体装置Ａ１は、リード側被覆部６２が保護材となり、第１ワイヤ３１の腐食を抑制できるので、第１ワイヤ３１の導通性の低下および第１ワイヤ３１の断線を抑制できる。

半導体装置Ａ１によれば、リード側被覆部６２は、第１ワイヤ３１の第２接合部３１２と封止樹脂５との間に介在するリード側第１部６２１を含んでいる。この構成をとることで、リード側第１部６２１によって、第２接合部３１２と封止樹脂５との接合強度を向上させることができる。

半導体装置Ａ１によれば、リード側被覆部６２は、ワイヤボンディング部２１１（第１リード２１）と封止樹脂５との間に介在するリード側第２部６２２を含んでいる。この構成をとることで、リード側第２部６２２によって、ワイヤボンディング部２１１（第１リード２１）と封止樹脂５との接合強度を向上させることができる。なお、リードフレーム２（第１リード２１）の表面も、導電性接合材４と同様に、微細な溝がある。よって、ワイヤボンディング部２１１と封止樹脂５との接合強度は、図１４Ａおよび図１４Ｂに示した原理と同様に、向上している。

半導体装置Ａ１によれば、リード側被覆部６２は、第１ワイヤ３１の線状部３１３の一部と封止樹脂５との間に介在するリード側第３部６２３を含んでいる。この構成をとることで、リード側第３部６２３によって、第１ワイヤ３１の線状部３１３と封止樹脂５との接合強度を向上させることができる。

半導体装置Ａ１によれば、各第１ワイヤ３１は、Ａｌを含む金属からなり、第１リード２１は、Ｃｕを含む金属からなる。各第１ワイヤ３１は、第１リード２１（ワイヤボンディング部２１１）に接合されている。このような異種金属での接合の場合、同種金属での接合の場合よりも、熱膨張率（線膨張係数）の差によって、各第１ワイヤ３１（第２接合部３１２）にかかる熱応力が増加し、リード側接合部分と封止樹脂５との剥離が生じやすい。したがって、各第１ワイヤ３１と第１リード２１とが異種金属である場合、各第１ワイヤ３１と第１リード２１とが同種金属である場合よりも、樹脂組成物６がリード側被覆部６２を含むことで、リード側接合部分と封止樹脂５との剥離を抑制するのに、より効果的である。

半導体装置Ａ１によれば、ダイパッド２４のパッド裏面２４ｂが封止樹脂５から露出している。このように、ダイパッド２４は、封止樹脂５から露出している場合、露出していない場合よりも、熱負荷による膨張率が大きくなる。その結果、上記ダイパッド側接合部分への熱応力が大きくなり、ダイパッド側接合部分において封止樹脂５が剥離しやすくなる。したがって、ダイパッド２４のパッド裏面２４ｂが封止樹脂５から露出した半導体装置Ａ１において、ダイパッド側被覆部６１を設けることで、ダイパッド側接合部分への熱応力による封止樹脂５の剥離抑制が、より効果的になる。

半導体装置Ａ１によれば、半導体素子１は、ＭＯＳＦＥＴなどのパワー半導体チップである。パワー半導体チップは、比較的大きな電流や電圧に対する耐性が高いものの、発熱が大きくなる。よって、上記するような封止樹脂５の剥離が生じやすい。したがって、半導体素子１としてパワー半導体チップを搭載する半導体装置Ａ１において、樹脂組成物６を設けることで、封止樹脂５の剥離抑制が、より効果的になる。

第１実施形態においては、樹脂組成物６が、ダイパッド側被覆部６１およびリード側被覆部６２の両方を含んでいる場合を示したが、いずれか一方のみであってもよい。たとえば、樹脂組成物６がダイパッド側被覆部６１のみを含んでいる場合、上記ダイパッド側接合部分と封止樹脂５との間に樹脂組成物６（ダイパッド側被覆部６１）が介在することで、ダイパッド側接合部分と封止樹脂５との接合強度を高めることができる。なお、この場合、ペースト組成物を塗布する工程（塗布工程）を、複数の第１ワイヤ３１、第２ワイヤ３２および第３ワイヤ３３をボンディングする工程の前に行ってもよい。一方、樹脂組成物６がリード側被覆部６２のみを含んでいる場合、リード側接合部分と封止樹脂５との間に樹脂組成物６（リード側被覆部６２）が介在することで、リード側接合部分と封止樹脂５との接合強度を高めることができる。よって、ダイパッド側被覆部６１あるいはリード側被覆部６２のいずれか一方のみを含んだ樹脂組成物６が形成されている場合、他方を形成する必要がないため、コスト削減および製造工程の短縮を図ることができる。

第１実施形態においては、樹脂組成物６のリード側被覆部６２が、第１ワイヤ３１と第１リード２１との接合部分を覆う場合を示したが、これに限定されない。たとえば、第２ワイヤ３２と第２リード２２との接合部分を覆う樹脂組成物６を、リード側被覆部６２に代えて、あるいは、これに加えて備えていてもよい。このように構成することで、封止樹脂５が第２ワイヤ３２と第２リード２２との接合部分から剥離することを抑制できる。また、第３ワイヤ３３と第３リード２３との接合部分を覆う樹脂組成物６を、リード側被覆部６２に代えて、あるいは、これに加えて備えていてもよい。このように構成することで、封止樹脂５が第３ワイヤ３３と第３リード２３との接合部分から剥離することを抑制できる。

図１５～図３１は、本開示の半導体装置およびその製造方法の他の実施形態を示している。これらの図において、第１実施形態の半導体装置Ａ１と同一あるいは類似の要素については、同じ符号を付してその説明を省略する。

図１５および図１６は、第２実施形態にかかる半導体装置を示している。第２実施形態の半導体装置Ａ２は、半導体装置Ａ１と比較して、樹脂組成物６の形成領域が異なる。具体的には、半導体装置Ａ２の樹脂組成物６は、図１５および図１６に示すように、ダイパッド側被覆部６１が、ダイパッド側第４部６１４をさらに含んでいる。図１５は、半導体装置Ａ２を示す平面図であって、第１実施形態における図４に対応する。図１６は、図１５に示すＸＶＩ－ＸＶＩ線に沿う断面図である。

ダイパッド側第４部６１４は、図１５および図１６に示すように、素子主面１ａの一部を覆っている。ダイパッド側第４部６１４は、素子主面１ａの一部と封止樹脂５との間に介在する。ダイパッド側第４部６１４は、図１５および図１６に示すように、ダイパッド側第３部６１３と繋がっている。半導体装置Ａ２の製造工程（塗布工程）において、樹脂組成物６となるペースト組成物は、たとえばジェットディスペンサーによって塗布される。このペースト組成物を塗布するときに、ペースト組成物の一部が素子主面１ａに形成されることがある。ダイパッド側第４部６１４は、この素子主面１ａに塗布されたペースト組成物の一部によって形成されうる。

半導体装置Ａ２によれば、半導体装置Ａ１と同様に、樹脂組成物６が備えられている。この樹脂組成物６は、導通部材（たとえば導電性接合材４あるいは第１ワイヤ３１）とリードフレーム２との接合部分（ダイパッド側接合部分あるいはリード側接合部分）を覆っている。よって、半導体装置Ａ２においても、半導体装置Ａ１と同様に、封止樹脂５の剥離に起因する動作不良の抑制を図ることができる。

第２実施形態においては、各第１ワイヤ３１の第１接合部３１１、第２ワイヤ３２の第１接合部３２１、および、第３ワイヤ３３の第１接合部３３１は、ダイパッド側被覆部６１（樹脂組成物６）から露出している場合を示したが、これに限定されない。たとえば、ダイパッド側被覆部６１（樹脂組成物６）が、これらの一部あるいは全部を覆っていてもよい。ただし、各第１ワイヤ３１は、ソース電流が流れるため、第２ワイヤ３２および第３ワイヤ３３よりも高温となる傾向がある。そのため、各第１ワイヤ３１は第２ワイヤ３２や第３ワイヤ３３よりも熱負荷による悪影響が生じやすい。したがって、少なくとも、各第１ワイヤ３１の第１接合部３３１を、ダイパッド側被覆部６１（樹脂組成物６）から露出させておくと、各第１ワイヤ３１の熱負荷による悪影響を抑制する点で望ましい。

第２実施形態においては、ダイパッド側第４部６１４は、素子主面１ａの一部を覆っている場合を示したが、これに限定されない。たとえば、ダイパッド側第４部６１４が、素子主面１ａの全面を覆っていてもよい。ただし、ダイパッド側第４部６１４が、素子主面１ａの全面を覆った場合、上記したように、素子主面１ａの界面における温度差が大きくなることを考慮すると、ダイパッド側第４部６１４は、素子主面１ａの全面を覆うものではなく、素子主面１ａの一部のみを覆うものである方が望ましい。

図１７～図２４は、第３実施形態にかかる半導体装置を示している。第３実施形態の半導体装置Ａ３は、半導体装置Ａ１と比較して、主に、ソースセンス端子を備えない点で異なっている。

図１７は、半導体装置Ａ３を示す斜視図である。図１８は、図１７に示す斜視図において封止樹脂５および樹脂組成物６を省略した図である。図１９は、半導体装置Ａ３を示す平面図である。図２０は、図１９に示す平面図において、封止樹脂５を省略した図である。なお、図２０においては、樹脂組成物６を想像線で示している（理解の便宜上、ドット模様を付す）。図２１は、半導体装置Ａ３を示す正面図である。図２２は、半導体装置Ａ３を示す底面図である。図２３は、図２０のＸＸＩＩＩ－ＸＸＩＩＩ線に沿う断面図である。図２４は、図２０のＸＸＩＶ－ＸＸＩＶ線に沿う断面図である。

半導体装置Ａ３において、半導体素子１は、主面電極１１として、図１８、図２０および図２４に示すように、第１主面電極１１１および第２主面電極１１２を含んでいる。よって、本実施形態にかかる半導体素子１は、第１実施形態にかかる半導体素子１と比較して、第３主面電極１１３を備えていない。そのため、半導体装置Ａ３は、第３主面電極１１３を、半導体装置の外部に導通させるために設けられていた第３ワイヤ３３および第３リード２３を備えていない。

半導体装置Ａ３において、第１リード２１は、端子部２１２を複数含んでおらず、１つの端子部２１２を含んでいる。なお、半導体装置Ａ３において、端子部２１２の数は、限定されない。また、半導体装置Ａ３においては、図１７～図２２に示すように、ダイパッド２４は、端子部２１２と端子部２２２との間において、封止樹脂５から突き出た部分を含んでいる。当該突き出た部分は、図１７～図２２に示すように、各端子部２１２，２２２よりも短くてもよいし、これとは異なり、各端子部２１２，２２２と同じ形状であってもよい。

半導体装置Ａ３によれば、導通部材（導電性接合材４あるいは第１ワイヤ３１）とリードフレーム２との接合部分（ダイパッド側接合部分あるいはリード側接合部分）が、樹脂組成物６によって覆われている。よって、半導体装置Ａ３においても、半導体装置Ａ１と同様に、封止樹脂５の剥離に起因する動作不良の抑制を図ることができる。

図２５～図２８は、第４実施形態にかかる半導体装置を示している。第４実施形態の半導体装置Ａ４は、半導体装置Ａ１と比較して、樹脂組成物６の形成領域が異なる。具体的には、半導体装置Ａ４の樹脂組成物６は、リード側被覆部６３およびリード側被覆部６４をさらに含んでいる。図２５は、半導体装置Ａ４を示す平面図であって、第１実施形態における図４に対応する。図２６は、図２５の一部を拡大した部分拡大図である。図２７は、図２５のＸＸＶＩＩ－ＸＸＶＩＩ線に沿う断面図である。図２８は、図２５のＸＸＶＩＩＩ－ＸＸＶＩＩＩ線に沿う断面図である。

半導体装置Ａ４においては、第２ワイヤ３２および第３ワイヤ３３はともに、Ａｌを含有するボンディングワイヤであるものとする。第２ワイヤ３２および第３ワイヤ３３の線径は、たとえばφ１２５μｍ程度である。

リード側被覆部６３は、図２５、図２６および図２７に示すように、第２ワイヤ３２と第２リード２２との接合部分を覆う。リード側被覆部６３は、図２６および図２７に示すように、リード側第１部６３１、リード側第２部６３２およびリード側第３部６３３を含んでいる。リード側第１部６３１、リード側第２部６３２およびリード側第３部６３３は一体的に形成されている。

リード側第１部６３１は、図２６および図２７に示すように、第２ワイヤ３２の第２接合部３２２と封止樹脂５との間に介在する部分である。

リード側第２部６３２は、図２６および図２７に示すように、第２リード２２のワイヤボンディング部２２１と封止樹脂５との間に介在する部分である。リード側第２部６３２は、リード側第１部６３１に繋がっている。

リード側第３部６３３は、図２６および図２７に示すように、第２ワイヤ３２の線状部３２３の一部と封止樹脂５との間に介在する部分である。具体的には、リード側第３部６３３は、線状部３２３の第２接合部３２２側の一部に形成されている。リード側第３部６３３は、リード側第１部６３１に繋がっている。

リード側被覆部６４は、図２５、図２６および図２８に示すように、第３ワイヤ３３と第３リード２３との接合部分を覆う。リード側被覆部６４は、図２６および図２８に示すように、リード側第１部６４１、リード側第２部６４２およびリード側第３部６４３を含んでいる。リード側第１部６４１、リード側第２部６４２およびリード側第３部６４３は一体的に形成されている。

リード側第１部６４１は、図２６および図２８に示すように、第３ワイヤ３３の第２接合部３３２と封止樹脂５との間に介在する部分である。

リード側第２部６４２は、図２６および図２８に示すように、第３リード２３のワイヤボンディング部２３１と封止樹脂５との間に介在する部分である。リード側第２部６４２は、リード側第１部６４１に繋がっている。

リード側第３部６４３は、図２６および図２８に示すように、第３ワイヤ３３の線状部３３３の一部と封止樹脂５との間に介在する部分である。具体的には、リード側第３部６４３は、線状部３３３の第２接合部３３２側の一部に形成されている。リード側第３部６４３は、リード側第１部６４１に繋がっている。

半導体装置Ａ４によれば、半導体装置Ａ１と同様に、樹脂組成物６が備えられている。この樹脂組成物６は、導通部材（たとえば導電性接合材４あるいは第１ワイヤ３１）とリードフレーム２との接合部分（ダイパッド側接合部分あるいはリード側接合部分）を覆っている。よって、半導体装置Ａ４においても、半導体装置Ａ１と同様に、封止樹脂５の剥離に起因する動作不良の抑制を図ることができる。

半導体装置Ａ４によれば、樹脂組成物６は、リード側被覆部６３を含んでおり、リード側被覆部６３は、第２ワイヤ３２と第２リード２２との接合部分を覆っている。この構成をとることで、樹脂組成物６が、接着剤として機能し、第２ワイヤ３２と第２リード２２との接合部分と、封止樹脂５との接合強度を向上させることができる。したがって、半導体装置Ａ４は、当該接合部分と封止樹脂５との剥離を抑制できる。仮に、この剥離が生じた場合、半導体装置Ａ４に熱負荷がかかると、たとえば、第２ワイヤ３２のネック部分（第２接合部３２２と線状部３２３との接続部分）に熱応力がかかり、このネック部分を断線させる可能性がある。しかしながら、半導体装置Ａ４においては、第２ワイヤ３２と第２リード２２との接合部分と、封止樹脂５との剥離を抑制できるため、このネック部分にかかる熱応力を緩和させることができる。したがって、半導体装置Ａ４は、封止樹脂５の剥離に起因する動作不良（たとえば第２ワイヤ３２の断線）の抑制を図ることができる。特に、半導体装置Ａ４においては、第２ワイヤ３２がＡｌを含む金属であり、第２リード２２がＣｕを含む金属であるので、このネック部分に加わる熱応力が大きくなる。そのため、リード側被覆部６３によって、このネック部分に加わる熱応力を緩和させることは、半導体装置Ａ４の動作不良の抑制に有効である。

半導体装置Ａ４によれば、第２ワイヤ３２は、各第１ワイヤ３１よりも細い。そのため、第２ワイヤ３２は、各第１ワイヤ３１よりも、腐食による断線が発生しやすい。しかしながら、半導体装置Ａ４は、樹脂組成物６がリード側被覆部６３を含んでおり、当該リード側被覆部６３が保護材となるので、第２ワイヤ３２（たとえば、第２接合部３２２と線状部３２３との接続部分（ネック部分））の腐食を抑制できる。つまり、半導体装置Ａ４は、第２ワイヤ３２の腐食による断線を抑制できる。

半導体装置Ａ４によれば、樹脂組成物６は、リード側被覆部６４を含んでおり、リード側被覆部６４は、第３ワイヤ３３と第３リード２３との接合部分を覆っている。この構成をとることで、樹脂組成物６が、接着剤として機能し、第３ワイヤ３３と第３リード２３との接合部分と、封止樹脂５との接合強度を向上させることができる。したがって、半導体装置Ａ４は、当該接合部分と封止樹脂５との剥離を抑制できる。仮に、この剥離が生じた場合、半導体装置Ａ４に熱負荷がかかると、たとえば、第３ワイヤ３３のネック部分（第２接合部３３２と線状部３３３との接続部分）に熱応力がかかり、このネック部分を断線させる可能性がある。しかしながら、半導体装置Ａ４においては、第３ワイヤ３３と第３リード２３との接合部分と、封止樹脂５との剥離を抑制できるため、このネック部分にかかる熱応力を緩和させることができる。したがって、半導体装置Ａ４は、封止樹脂５の剥離に起因する動作不良（たとえば第３ワイヤ３３の断線）の抑制を図ることができる。特に、半導体装置Ａ４においては、第３ワイヤ３３がＡｌを含む金属であり、第３リード２３がＣｕを含む金属であるので、このネック部分に加わる熱応力が大きくなる。そのため、リード側被覆部６４によって、このネック部分に加わる熱応力を緩和させることは、半導体装置Ａ４の動作不良の抑制に有効である。

半導体装置Ａ４によれば、第３ワイヤ３３は、各第１ワイヤ３１よりも細い。そのため、第３ワイヤ３３は、各第１ワイヤ３１よりも、腐食による断線が発生しやすい。しかしながら、半導体装置Ａ４は、樹脂組成物６がリード側被覆部６４を含んでおり、当該リード側被覆部６４が保護材となるので、第３ワイヤ３３（たとえば、第２接合部３３２と線状部３３３との接続部分（ネック部分））の腐食を抑制できる。つまり、半導体装置Ａ４は、第３ワイヤ３３の腐食による断線を抑制できる。

第４実施形態においては、第２ワイヤ３２および第３ワイヤ３３がそれぞれ、Ａｌを含む金属からなる場合を示したが、これに限定されない。たとえば、第２ワイヤ３２が、Ｃｕを含む金属あるいはＡｕを含む金属から構成されていてもよい。この場合であっても、リード側被覆部６３が接着剤となり、第２ワイヤ３２と第２リード２２との接合部分と、封止樹脂５との接合強度を向上させることができる。同様に、たとえば、第３ワイヤ３３がＣｕを含む金属あるいはＡｕを含む金属から構成されていてもよい。この場合であっても、リード側被覆部６４が接着剤となり、第３ワイヤ３３と第３リード２３との接合部分と、封止樹脂５との接合強度を向上させることができる。

図２９～図３１は、第５実施形態にかかる半導体装置を示している。第５実施形態の半導体装置Ａ５は、半導体装置Ａ４と比較して、樹脂組成物６の形成領域が異なる。具体的には、半導体装置Ａ５の樹脂組成物６は、素子側被覆部６５をさらに含んでいる。図２９は、半導体装置Ａ５を示す平面図であって、第４実施形態における図２５に対応する。図３０は、図２９のＸＸＸ－ＸＸＸ線に沿う断面図である。図３１は、図２９のＸＸＸＩ－ＸＸＸＩ線に沿う断面図である。

素子側被覆部６５は、第２ワイヤ３２と第２主面電極１１２との接合部分、および、第３ワイヤ３３と第３主面電極１１３の接合部分をそれぞれ覆う。素子側被覆部６５は、平面視において、これらの接合部分のそれぞれから、周囲に広がっている。素子側被覆部６５は、平面視において、第１主面電極１１１の一部に重なっており、第１主面電極１１１の一部を覆っている。ただし、素子側被覆部６５（樹脂組成物６）は、第１主面電極１１１のうち、各第１ワイヤ３１が接合されうる部分（図２９に示す領域Ｒ１）を覆わない。図２９に示す例示においては、素子側被覆部６５は、ダイパッド側被覆部６１に繋がっているが、素子側被覆部６５は、ダイパッド側被覆部６１に繋がっていなくてもよい。

半導体装置Ａ５によれば、半導体装置Ａ１と同様に、樹脂組成物６が備えられている。この樹脂組成物６は、導通部材（たとえば導電性接合材４あるいは第１ワイヤ３１）とリードフレーム２との接合部分（ダイパッド側接合部分あるいはリード側接合部分）を覆っている。よって、半導体装置Ａ５においても、半導体装置Ａ１と同様に、封止樹脂５の剥離に起因する動作不良の抑制を図ることができる。

半導体装置Ａ５によれば、樹脂組成物６は、素子側被覆部６５を含んでいる。素子側被覆部６５は、第２ワイヤ３２と第２主面電極１１２との接合部分、および、第３ワイヤ３３と第３主面電極１１３との接合部分を覆っている。この構成をとることで、樹脂組成物６が、接着剤となり、第２ワイヤ３２と第２リード２２との接合部分と、封止樹脂５との接合強度、および、第３ワイヤ３３と第３リード２３との接合部分と、封止樹脂５との接合強度を向上させることができる。したがって、半導体装置Ａ５は、これらの接合部分から封止樹脂５が剥離することを抑制できるので、封止樹脂５の剥離に起因する動作不良の抑制を図ることができる。なお、素子側被覆部６５によって、素子主面１ａの一部（主に第２主面電極１１２および第３主面電極１１３）が樹脂組成物６に覆われるが、半導体装置Ａ５の動作時において、第２主面電極１１２および第３主面電極１１３は、第１主面電極１１１よりも発熱しにくい。よって、素子主面１ａの一部が樹脂組成物６で覆われたことによる、放熱性低下の影響は小さい。

第５実施形態においては、素子側被覆部６５は、第１主面電極１１１の一部を覆っている場合を示したが、これに限定されない。たとえば、素子側被覆部６５は、第１主面電極１１１を覆っていなくてもよい。つまり、第１主面電極１１１の全てが樹脂組成物６から露出していてもよい。

第５実施形態においては、樹脂組成物６が、ダイパッド側被覆部６１、複数のリード側被覆部６２，６３，６４、および、素子側被覆部６５を含んでいる場合を示したが、樹脂組成物６は、これらの全てを含んでいなくてもよい。つまり、樹脂組成物６は、これらのうちの少なくとも１つ以上を含んでいればよい。

なお、第４実施形態で示したリード側被覆部６３および第５実施形態で示した素子側被覆部６５は、その一方あるいは両方を、半導体装置Ａ３に追加してもよい。

第１ないし第５実施形態においては、半導体素子１が、主面電極１１および裏面電極１２を含む縦型構造である場合を示したが、これに限定されない。たとえば、半導体素子１が、裏面電極１２を含まない（主面電極１１は含んでいる）横型構造であってもよい。この場合、導電性接合材４として、はんだの代わりに、Ａｇペーストを用いてもよい。

第１ないし第５実施形態においては、リードフレーム２のダイパッド２４は、そのパッド裏面２４ｂが封止樹脂５から露出している場合を示したが、これに限定されず、パッド裏面２４ｂが封止樹脂５に覆われていてもよい。

第１ないし第５実施形態においては、半導体装置Ａ１～Ａ５が、表面実装型である場合を示したが、表面実装型に限定されず、リード挿入型であってもよい。また、半導体装置Ａ１～Ａ５は、平面視において封止樹脂５からリードフレーム２が突き出ている場合を示したが、これに限定されない。たとえば平面視において封止樹脂５からリードフレーム２が突き出していない、いわゆるノンリードパッケージ型であってもよい。よって、本開示の半導体装置のパッケージ形状は、特に限定されず、様々なパッケージ型に適用することが可能である。

本開示にかかる半導体装置およびその製造方法は、上記した実施形態に限定されるものではない。本開示の半導体装置の各部の具体的な構成、および、本開示の製造方法の各工程の具体的な処理は、種々に設計変更自在である。

Claims (14)

1. 第１方向において互いに離間する素子主面および素子裏面を有する半導体素子と、
   前記半導体素子が搭載されたリードフレームと、
   前記リードフレームに接合され、前記半導体素子と前記リードフレームとを導通させる導通部材と、
   前記導通部材と前記リードフレームとの接合部分を覆い、かつ、前記素子主面の一部を露出させる樹脂組成物と、
   前記リードフレームの一部、前記半導体素子および前記樹脂組成物を覆う封止樹脂と、
   を備えており、
   前記樹脂組成物は、前記リードフレームとの接合強度が、前記封止樹脂と前記リードフレームとの接合強度よりも良好であり、かつ、前記導通部材との接合強度が、前記封止樹脂と前記導通部材との接合強度よりも良好であり、
   前記リードフレームは、前記素子主面と同じ方向を向くパッド主面および前記素子裏面と同じ方向を向くパッド裏面を有するダイパッド、および、前記ダイパッドと離間したリードを備えており、
   前記半導体素子は、前記パッド主面と前記素子裏面とが対向して、前記ダイパッドに搭載されており、
   前記半導体素子は、前記素子主面に形成された第１主面電極および第２主面電極を含んでおり、
   前記導通部材には、前記第１主面電極および前記リードに接合され、前記第１主面電極と前記リードとを導通させる第１ワイヤと、前記第２主面電極および前記リードに接合され、前記第２主面電極と前記リードとを導通させる第２ワイヤとが含まれており、
   前記第２ワイヤの線径は、前記第１ワイヤの線径よりも小さく、
   前記第１ワイヤは、前記第１主面電極に接合された第１接合部と前記リードに接合された第２接合部とを含んでおり、
   前記樹脂組成物は、前記第１ワイヤの前記第２接合部を覆うリード側被覆部を含み、
   前記第２ワイヤと前記リードとの接合部分は、前記封止樹脂に直接接している、
   半導体装置。
2. 前記第１ワイヤは、Ａｌを含む、請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記第２ワイヤは、Ａｕを含む、請求項１または２に記載の半導体装置。
4. 前記半導体素子は、前記素子裏面に形成された裏面電極を含んでおり、
   前記導通部材には、前記半導体素子と前記ダイパッドとを接合し、かつ、前記裏面電極と前記ダイパッドとを導通させる導電性接合材が含まれており、
   前記樹脂組成物は、前記導電性接合材と前記ダイパッドとの接合部分を覆うダイパッド側被覆部を含んでいる、
   請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体装置。
5. 前記導電性接合材は、前記裏面電極に当接する素子当接面、前記ダイパッドに当接するダイパッド当接面、および、前記素子当接面と前記ダイパッド当接面とに繋がる連絡面を有しており、
   前記ダイパッド側被覆部は、前記連絡面と前記封止樹脂との間に介在するダイパッド側第１部を含んでいる、
   請求項４に記載の半導体装置。
6. 前記ダイパッド側被覆部は、前記ダイパッド側第１部に繋がり、かつ、前記パッド主面と前記封止樹脂との間に介在するダイパッド側第２部をさらに含んでいる、
   請求項５に記載の半導体装置。
7. 前記半導体素子は、前記素子主面および前記素子裏面に繋がる素子側面を有しており、
   前記ダイパッド側被覆部は、前記ダイパッド側第１部に繋がり、かつ、前記素子側面の少なくとも一部と前記封止樹脂との間に介在するダイパッド側第３部をさらに含んでいる、
   請求項５または請求項６に記載の半導体装置。
8. 前記ダイパッド側被覆部は、前記ダイパッド側第３部に繋がり、かつ、前記素子主面の一部と前記封止樹脂との間に介在するダイパッド側第４部をさらに含んでいる、
   請求項７に記載の半導体装置。
9. 前記導電性接合材は、はんだである、
   請求項４ないし請求項８のいずれか一項に記載の半導体装置。
10. 前記パッド裏面は、前記封止樹脂から露出している、
    請求項４ないし請求項９のいずれか一項に記載の半導体装置。
11. 前記リード側被覆部は、前記第２接合部と前記封止樹脂との間に介在するリード側第１部を含んでいる、
    請求項１ないし１０のいずれかに記載の半導体装置。
12. 前記リード側被覆部は、前記リード側第１部に繋がり、かつ、前記リードと前記封止樹脂との間に介在するリード側第２部をさらに含んでいる、
    請求項１１に記載の半導体装置。
13. 前記第１ワイヤは、前記第１接合部と前記第２接合部とを繋ぐ線状部をさらに含んでおり、
    前記線状部は、周方向の全周にわたって前記封止樹脂に接する樹脂当接領域を含んでいる、
    請求項１１または請求項１２に記載の半導体装置。
14. 前記半導体素子は、パワー半導体チップである、
    請求項１ないし請求項１３のいずれか一項に記載の半導体装置。

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