JP7125589B2 - EFEM system and gas supply method in EFEM system - Google Patents

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Description

本発明は、EFEMの内部空間の雰囲気を不活性ガスで置換することによって、内部空間の酸素濃度及び湿度を目標値以下に維持するEFEMシステム、及び、当該EFEMシステムにおけるガス供給方法に関する。 The present invention relates to an EFEM system that maintains the oxygen concentration and humidity in the internal space below target values by replacing the atmosphere in the internal space of the EFEM with an inert gas, and a gas supply method in the EFEM system.

従来より、ウェハが格納されているFOUP(Front-Opening Unified Pod)と、ウェハに所定の処理を施す基板処理装置との間で、ウェハを受け渡すためのEFEM(Equipment Front End Module)が知られている。近年、半導体素子の微細化が進んでおり、EFEMの内部空間に存在するパーティクルだけでなく、酸素や水分の影響も見逃せなくなってきている。そこで、特許文献1に記載のEFEMでは、EFEMの内部空間を密閉するとともに、内部空間の雰囲気を窒素(不活性ガス)で置換することによって、内部空間から酸素や水分を除去している。窒素を大量に消費するとランニングコストが高くなるので、特許文献1では、窒素を内部空間で循環させることによって窒素の消費を抑えている。 Conventionally, an EFEM (Equipment Front End Module) for transferring wafers between a FOUP (Front-Opening Unified Pod) in which wafers are stored and a substrate processing apparatus that performs predetermined processing on the wafers has been known. ing. In recent years, miniaturization of semiconductor elements has progressed, and the effects of not only particles existing in the internal space of the EFEM but also oxygen and moisture cannot be overlooked. Therefore, in the EFEM described in Patent Document 1, oxygen and moisture are removed from the internal space by sealing the internal space of the EFEM and replacing the atmosphere of the internal space with nitrogen (inert gas). Consuming a large amount of nitrogen increases the running cost, so in Patent Document 1, the consumption of nitrogen is suppressed by circulating nitrogen in the internal space.

特開2015-146349号公報JP 2015-146349 A

しかしながら、特許文献1のEFEMにおいて、例えばメンテナンス時に内部空間が一旦大気開放されると、その後に酸素濃度や湿度を目標値まで下げるのに大量の不活性ガス(窒素)を供給しなければならず、ランニングコストが依然として高い。特に、大気開放した際に大気中の水分がEFEM内の装置や配線等に吸着してしまうため、湿度を目標値まで下げるのに大量の不活性ガスが必要であった。 However, in the EFEM of Patent Document 1, once the internal space is opened to the atmosphere during maintenance, for example, a large amount of inert gas (nitrogen) must be supplied to lower the oxygen concentration and humidity to the target values after that. , the running cost is still high. In particular, when the EFEM is exposed to the atmosphere, the moisture in the atmosphere is absorbed by the devices, wiring, etc. in the EFEM, so a large amount of inert gas was required to lower the humidity to the target value.

本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、大気開放されていたEFEMの内部空間の湿度を目標値まで下げるのに必要となる不活性ガスの供給量を削減することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is an object of the present invention to reduce the supply amount of inert gas required to lower the humidity of the internal space of an EFEM, which has been open to the atmosphere, to a target value. .

本発明に係るEFEMシステムは、EFEMの内部空間の雰囲気を不活性ガスで置換することによって、前記内部空間の酸素濃度及び湿度を目標値以下に維持するEFEMシステムであって、前記内部空間に前記不活性ガスを供給可能な不活性ガス供給路と、前記不活性ガス供給路から前記内部空間に前記不活性ガスを供給する状態と供給しない状態とに切り換える第1切換部と、前記内部空間に乾燥空気を供給可能な乾燥空気供給路と、前記乾燥空気供給路から前記内部空間に前記乾燥空気を供給する状態と供給しない状態とに切り換える第2切換部と、を備えることを特徴とする。 An EFEM system according to the present invention is an EFEM system that maintains the oxygen concentration and humidity in the internal space below target values by replacing the atmosphere in the internal space of the EFEM with an inert gas, wherein the an inert gas supply passage capable of supplying an inert gas; a first switching unit for switching between a state of supplying the inert gas from the inert gas supply passage to the internal space and a state of not supplying the inert gas; A dry air supply path capable of supplying dry air, and a second switching unit for switching between a state of supplying the dry air from the dry air supply path to the internal space and a state of not supplying the dry air.

このような構成を有するEFEMシステムによれば、大気開放されていたEFEMの内部空間に、不活性ガスの代わりに乾燥空気を供給することによって、内部空間の湿度を下げることができる。したがって、内部空間の湿度を目標値まで下げるのに必要となる不活性ガスの供給量を削減することができる。 According to the EFEM system having such a configuration, it is possible to reduce the humidity of the internal space by supplying dry air instead of inert gas to the internal space of the EFEM which is open to the atmosphere. Therefore, it is possible to reduce the supply amount of the inert gas required to lower the humidity of the internal space to the target value.

本発明に係るEFEMシステムにおいて、前記内部空間の湿度を測定する湿度計と、前記第1切換部及び前記第2切換部を制御する制御部と、をさらに備え、前記制御部は、大気開放されていた前記内部空間が密閉された後、前記乾燥空気供給路から前記乾燥空気を前記内部空間に供給し、前記内部空間の湿度が所定値まで下がると、前記乾燥空気の供給を停止し、前記不活性ガス供給路から前記不活性ガスを供給するとよい。 The EFEM system according to the present invention further includes a hygrometer that measures the humidity of the internal space, and a control section that controls the first switching section and the second switching section, wherein the control section is open to the atmosphere. After the internal space is sealed, the dry air is supplied from the dry air supply path to the internal space, and when the humidity in the internal space drops to a predetermined value, the supply of the dry air is stopped, and the It is preferable to supply the inert gas from the inert gas supply channel.

このように、乾燥空気によって内部空間の湿度をある程度下げた後に、不活性ガスを供給するようにすれば、湿度を目標値まで下げるのに必要となる不活性ガスの供給量を効果的に削減することができる。 In this way, if the inert gas is supplied after the humidity in the internal space has been lowered to some extent by dry air, the amount of inert gas supplied to lower the humidity to the target value can be effectively reduced. can do.

本発明に係るEFEMシステムにおいて、前記制御部は、前記内部空間が大気開放されている間、前記乾燥空気供給路から前記乾燥空気を前記内部空間に供給するとよい。 In the EFEM system according to the present invention, the controller preferably supplies the dry air to the internal space from the dry air supply path while the internal space is open to the atmosphere.

メンテナンス等によって内部空間が大気開放されている間に、乾燥空気を内部空間に供給することによって、オペレータが安全に作業を行うことができるとともに、内部空間の湿度が上昇することを抑えることができる。このため、大気開放後に内部空間に残存している水分を少なくすることができ、湿度を目標値まで下げるのに要する時間を短縮できる。したがって、EFEMの稼動率を向上させることができる。 By supplying dry air to the internal space while the internal space is open to the atmosphere for maintenance or the like, the operator can work safely and the increase in humidity in the internal space can be suppressed. . Therefore, it is possible to reduce the amount of moisture remaining in the internal space after opening to the atmosphere, and shorten the time required to lower the humidity to the target value. Therefore, the operating rate of EFEM can be improved.

本発明に係るEFEMシステムにおいて、前記乾燥空気供給路に、前記乾燥空気をさらに除湿するための除湿フィルタが設けられているとよい。 In the EFEM system according to the present invention, it is preferable that the dry air supply path is provided with a dehumidification filter for further dehumidifying the dry air.

このような除湿フィルタを設けることで、より低湿度の乾燥空気を供給することができるので、乾燥空気によって内部空間の湿度を効率的に下げることができる。 By providing such a dehumidifying filter, dry air with a lower humidity can be supplied, so that the humidity in the internal space can be efficiently lowered by the dry air.

本発明に係るEFEMシステムにおいて、前記不活性ガス供給路は、前記不活性ガスとして窒素を供給するものであり、前記乾燥空気供給路から分岐する分岐路と、前記分岐路に設けられ、前記乾燥空気から酸素を除去して窒素濃度を高める窒素富化フィルタと、前記乾燥空気が前記乾燥空気供給路を通るか、前記分岐路を通るかを切り換える第3切換部と、をさらに備えるとよい。 In the EFEM system according to the present invention, the inert gas supply path supplies nitrogen as the inert gas, a branch path branching from the dry air supply path, and a branch path provided in the branch path, the drying It is preferable to further include a nitrogen enrichment filter that removes oxygen from air to increase the nitrogen concentration, and a third switching unit that switches whether the dry air passes through the dry air supply channel or through the branch channel.

このような構成によれば、低湿度且つ低酸素濃度の乾燥空気を内部空間に供給することができるので、内部空間に乾燥空気を供給して湿度を下げている際に、同時に酸素濃度も下げることができる。したがって、酸素濃度及び湿度を目標値まで下げるのに必要となる不活性ガスの供給量をより効果的に削減することができる。 According to such a configuration, since dry air with low humidity and low oxygen concentration can be supplied to the internal space, when the dry air is supplied to the internal space to reduce the humidity, the oxygen concentration is also reduced at the same time. be able to. Therefore, it is possible to more effectively reduce the supply amount of the inert gas required to lower the oxygen concentration and humidity to the target values.

本発明に係るEFEMシステムにおけるガス供給方法は、EFEMの内部空間の雰囲気を不活性ガスで置換することによって、前記内部空間の酸素濃度及び湿度を目標値以下に維持するEFEMシステムにおけるガス供給方法であって、大気開放されていた前記内部空間が密閉された後、乾燥空気を前記内部空間に供給する乾燥空気供給工程と、前記内部空間の湿度が所定値まで下がると、前記乾燥空気の供給を停止し、前記不活性ガスを供給する不活性ガス供給工程と、を備えることを特徴とする。 A gas supply method for an EFEM system according to the present invention is a gas supply method for an EFEM system in which the oxygen concentration and humidity in the internal space of the EFEM are maintained below target values by replacing the atmosphere in the internal space of the EFEM with an inert gas. a dry air supply step of supplying dry air to the internal space after the internal space that has been open to the atmosphere is sealed; and an inert gas supply step of stopping and supplying the inert gas.

このように、乾燥空気によって内部空間の湿度をある程度下げた後に、不活性ガスを供給するようにすれば、湿度を目標値まで下げるのに必要となる不活性ガスの供給量を効果的に削減することができる。 In this way, if the inert gas is supplied after the humidity in the internal space has been lowered to some extent by dry air, the amount of inert gas supplied to lower the humidity to the target value can be effectively reduced. can do.

本発明に係るEFEMシステムにおけるガス供給方法において、前記内部空間が大気開放されている間、前記乾燥空気を前記内部空間に供給するとよい。 In the gas supply method in the EFEM system according to the present invention, it is preferable to supply the dry air to the internal space while the internal space is open to the atmosphere.

メンテナンス等によって内部空間が大気開放されている間に、乾燥空気を内部空間に供給することによって、オペレータが安全に作業を行うことができるとともに、内部空間の湿度が上昇することを抑えることができる。このため、大気開放後に内部空間に残存している水分を少なくすることができ、湿度を目標値まで下げるのに要する時間を短縮できる。したがって、EFEMの稼動率を向上させることができる。 By supplying dry air to the internal space while the internal space is open to the atmosphere for maintenance or the like, the operator can work safely and the increase in humidity in the internal space can be suppressed. . Therefore, it is possible to reduce the amount of moisture remaining in the internal space after opening to the atmosphere, and shorten the time required to lower the humidity to the target value. Therefore, the operating rate of EFEM can be improved.

本実施形態に係るEFEM及びその周辺の概略的な平面図である。2 is a schematic plan view of an EFEM and its surroundings according to the embodiment; FIG. 本実施形態に係るEFEMの断面図である。1 is a cross-sectional view of an EFEM according to this embodiment; FIG. ガス供給制御を行うためのEFEMシステムの構成を示す模式図である。1 is a schematic diagram showing the configuration of an EFEM system for controlling gas supply; FIG. メンテナンス時のガス供給制御を示すフローチャートである。4 is a flowchart showing gas supply control during maintenance; EFEMシステムの変形例を示す模式図である。FIG. 4 is a schematic diagram showing a modification of the EFEM system; EFEMシステムの変形例を示す模式図である。FIG. 4 is a schematic diagram showing a modification of the EFEM system;

本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、説明の便宜上、図1に示す方向を前後左右方向とする。すなわち、EFEM(Equipment Front End Module)1と基板処理装置6とが並べられている方向を前後方向とする。EFEM1側を前方、基板処理装置6側を後方とする。前後方向と直交する、複数のロードポート4が並べられている方向を左右方向とする。また、前後方向及び左右方向の両方と直交する方向を上下方向とする。 An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. For convenience of explanation, the directions shown in FIG. 1 are referred to as front, rear, left, and right directions. That is, the direction in which the EFEM (Equipment Front End Module) 1 and the substrate processing apparatus 6 are arranged is defined as the front-rear direction. The EFEM 1 side is the front side, and the substrate processing apparatus 6 side is the rear side. The direction in which the plurality of load ports 4 are arranged, which is perpendicular to the front-rear direction, is defined as the left-right direction. Moreover, let the direction orthogonal to both the front-back direction and the left-right direction be an up-down direction.

(EFEM及び周辺の概略構成)
まず、EFEM1及びその周辺の概略構成について、図1を用いて説明する。図1は、本実施形態に係るEFEM1及びその周辺の概略的な平面図である。図1に示すように、EFEM1は、筐体2と、搬送ロボット3と、複数のロードポート4と、を備える。EFEM1の後方には、ウェハWに所定の処理を施す基板処理装置6が配置されている。EFEM1は、筐体2内に配置された搬送ロボット3によって、ロードポート4に載置されているFOUP(Front-Opening Unified Pod)100と基板処理装置6との間でウェハWの受渡しを行う。
(Schematic configuration of EFEM and surroundings)
First, the schematic configuration of the EFEM 1 and its surroundings will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a schematic plan view of an EFEM 1 and its periphery according to this embodiment. As shown in FIG. 1, the EFEM 1 includes a housing 2, a transfer robot 3, and a plurality of load ports 4. As shown in FIG. Behind the EFEM 1, a substrate processing apparatus 6 for performing predetermined processing on the wafer W is arranged. The EFEM 1 transfers wafers W between a FOUP (Front-Opening Unified Pod) 100 mounted on a load port 4 and a substrate processing apparatus 6 by a transfer robot 3 arranged in a housing 2 .

FOUP100は、複数のウェハWを上下方向に並べて収容可能な容器であり、後端部(前後方向における筐体2側の端部)に蓋101が取り付けられている。FOUP100は、例えば、ロードポート4の上方に設けられた不図示のレールに吊り下げられて走行する、不図示のOHT(天井走行式無人搬送車)によって搬送される。OHTとロードポート4との間で、FOUP100の受渡しが行われる。 The FOUP 100 is a container capable of accommodating a plurality of wafers W arranged vertically, and a lid 101 is attached to the rear end (the end on the housing 2 side in the front-rear direction). The FOUP 100 is transported, for example, by an unillustrated OHT (Overhead Automated Guided Vehicle) that runs suspended from unillustrated rails provided above the load port 4 . The FOUP 100 is transferred between the OHT and the load port 4 .

筐体2は、複数のロードポート4と基板処理装置6とを接続するためのものである。筐体2の内部には、外部空間に対して略密閉された、ウェハWが搬送される搬送室41が形成されている。EFEM1が稼動しているとき、搬送室41は、窒素で満たされている。筐体2は、搬送室41を含む内部空間を窒素が循環するように構成されている(詳細については後述する)。また、筐体2の後端部にはドア2aが取り付けられ、搬送室41は、ドア2aを隔てて基板処理装置6と接続されている。 The housing 2 is for connecting the plurality of load ports 4 and the substrate processing apparatus 6 . Inside the housing 2, there is formed a transfer chamber 41, in which the wafer W is transferred, which is substantially closed from the external space. The transfer chamber 41 is filled with nitrogen when the EFEM 1 is in operation. The housing 2 is configured such that nitrogen circulates in an internal space including the transfer chamber 41 (details will be described later). A door 2a is attached to the rear end of the housing 2, and the transfer chamber 41 is connected to the substrate processing apparatus 6 across the door 2a.

搬送ロボット3は、搬送室41内に配置され、ウェハWの搬送を行う。搬送ロボット3は、主に、FOUP100内のウェハWを取り出して基板処理装置6に渡す動作や、基板処理装置6によって処理されたウェハWを受け取ってFOUP100に戻す動作を行う。 The transfer robot 3 is arranged in the transfer chamber 41 and transfers the wafer W. As shown in FIG. The transfer robot 3 mainly performs operations of taking out the wafers W in the FOUP 100 and transferring them to the substrate processing apparatus 6 and receiving the wafers W processed by the substrate processing apparatus 6 and returning them to the FOUP 100 .

ロードポート4は、FOUP100を載置するためのものである。複数のロードポート4は、それぞれの後端部が筐体2の前側の隔壁に沿うように、左右方向に並べて配置されている。ロードポート4は、FOUP100内の雰囲気を窒素等の不活性ガスに置換可能に構成されている。ロードポート4の後端部には、ドア4aが設けられている。ドア4aは、不図示のドア開閉機構によって開閉される。ドア4aは、FOUP100の蓋101のロックを解除可能、且つ、蓋101を保持可能に構成されている。ロックが解除された蓋101をドア4aが保持している状態で、ドア移動機構がドア4aを開けることで、蓋101が開けられる。これにより、FOUP100内のウェハWが、搬送ロボット3によって取出可能になる。 The load port 4 is for mounting the FOUP 100 thereon. The plurality of load ports 4 are arranged side by side in the left-right direction so that their rear ends are aligned with the partition wall on the front side of the housing 2 . The load port 4 is configured to replace the atmosphere inside the FOUP 100 with an inert gas such as nitrogen. A door 4 a is provided at the rear end of the load port 4 . The door 4a is opened and closed by a door opening/closing mechanism (not shown). The door 4 a is configured to be able to unlock the lid 101 of the FOUP 100 and to hold the lid 101 . With the door 4a holding the unlocked lid 101, the door moving mechanism opens the door 4a, whereby the lid 101 is opened. Thereby, the wafer W in the FOUP 100 can be taken out by the transfer robot 3 .

制御装置5は、筐体2内、より詳細には搬送室41内に設置された酸素濃度計55、圧力計56、湿度計57(図3参照)と電気的に接続されている。制御装置5は、これらの計測機器の計測結果を受信して、筐体2内の雰囲気に関する情報を把握し、それに基づいて筐体2の内部空間の雰囲気を適宜調節する。ガス供給制御については、後で詳細に説明する。 The control device 5 is electrically connected to an oxygen concentration meter 55, a pressure gauge 56, and a hygrometer 57 (see FIG. 3) installed inside the housing 2, more specifically inside the transfer chamber 41. FIG. The control device 5 receives the measurement results of these measuring instruments, grasps the information about the atmosphere inside the housing 2, and appropriately adjusts the atmosphere of the internal space of the housing 2 based on the information. Gas supply control will be described later in detail.

基板処理装置6は、例えば、ロードロック室6aと、処理室6bとを有する。ロードロック室6aは、筐体2のドア2aを隔てて搬送室41と接続された、ウェハWを一時的に待機させるための部屋である。処理室6bは、ドア6cを隔ててロードロック室6aと接続されている。処理室6bでは、不図示の処理機構によって、ウェハWに対して所定の処理が施される。 The substrate processing apparatus 6 has, for example, a load lock chamber 6a and a processing chamber 6b. The load-lock chamber 6a is a chamber for temporarily holding the wafer W, which is connected to the transfer chamber 41 across the door 2a of the housing 2. As shown in FIG. The processing chamber 6b is connected to the load lock chamber 6a through a door 6c. In the processing chamber 6b, a predetermined processing is performed on the wafer W by a processing mechanism (not shown).

(EFEMの詳細な構成)
次に、筐体2及びその内部の構成について、図2を用いて説明する。図2は、本実施形態に係るEFEM1の断面図である。なお、図2においては、搬送ロボット3等の図示を省略している。
(Detailed configuration of EFEM)
Next, the configuration of the housing 2 and its interior will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a cross-sectional view of the EFEM 1 according to this embodiment. 2, illustration of the transport robot 3 and the like is omitted.

筐体2は、底壁31、天井壁32、前壁33、後壁34、右壁(図示省略)、及び、左壁(図示省略)によって密閉された、全体として直方体状の構造体である。筐体2の内部空間は、水平方向に延びる支持板37によって、下側の搬送室41と、上側のFFU設置室42とに分かれている。前壁33は、搬送室41に面する下カバー33aと、FFU設置室42に面する上カバー33bとに分割されている。同様に、後壁34は、搬送室41に面する下カバー34aと、FFU設置室42に面する上カバー34bとに分割されている。不図示の右壁及び左壁についても、同様の構成となっている。 The housing 2 is a rectangular parallelepiped structure as a whole, which is closed by a bottom wall 31, a ceiling wall 32, a front wall 33, a rear wall 34, a right wall (not shown), and a left wall (not shown). . The internal space of the housing 2 is divided into a lower transfer chamber 41 and an upper FFU installation chamber 42 by a horizontally extending support plate 37 . The front wall 33 is divided into a lower cover 33 a facing the transfer chamber 41 and an upper cover 33 b facing the FFU installation chamber 42 . Similarly, the rear wall 34 is divided into a lower cover 34 a facing the transfer chamber 41 and an upper cover 34 b facing the FFU installation chamber 42 . A right wall and a left wall (not shown) have the same configuration.

カバー33a、33b、34a、34b等の各カバーは、筐体2を構成する不図示のフレームに対して着脱自在に構成されている。各カバーを取り付けることで、筐体2の内部空間が密閉状態とされる。一方、各カバーを取り外すことで、筐体2の内部空間を開放し、メンテナンス等を行うことができる。 Each cover such as the covers 33 a , 33 b , 34 a , 34 b is detachably attached to a frame (not shown) forming the housing 2 . By attaching each cover, the internal space of the housing 2 is sealed. On the other hand, by removing each cover, the internal space of the housing 2 can be opened and maintenance and the like can be performed.

FFU設置室42には、支持板37上に配置されたFFU(ファンフィルタユニット)44と、FFU44上に配置されたケミカルフィルタ45とが設けられている。FFU44は、ファン44aとフィルタ44bとを有する。FFU44は、ファン44aによって下方に向かう気流を生成し、気流に含まれるパーティクルをフィルタ44bによって除去する。ケミカルフィルタ45は、例えば基板処理装置6からEFEM1内に持ち込まれた活性ガス等を除去するためのものである。FFU44及びケミカルフィルタ45によって清浄化された気流が、FFU設置室42から、支持板37に形成された開口37aを介して搬送室41に送り出される。搬送室41に送り出された気流は、層流を形成し、下方へ流れる。 The FFU installation room 42 is provided with an FFU (fan filter unit) 44 arranged on the support plate 37 and a chemical filter 45 arranged on the FFU 44 . The FFU 44 has a fan 44a and a filter 44b. The FFU 44 generates a downward airflow with a fan 44a and removes particles contained in the airflow with a filter 44b. The chemical filter 45 is for removing active gas or the like brought into the EFEM 1 from the substrate processing apparatus 6, for example. Airflow cleaned by the FFU 44 and the chemical filter 45 is sent from the FFU installation chamber 42 to the transfer chamber 41 through the opening 37 a formed in the support plate 37 . The airflow sent out to the transfer chamber 41 forms a laminar flow and flows downward.

EFEM1(筐体2)の内部空間40には、窒素を循環させるための循環路が形成されている。この循環路は、FFU設置室42から下方に送り出された窒素が、搬送室41の下端部から帰還路43を経てFFU設置室42に戻るように構成されている(図2の矢印参照)。帰還路43は、柱23、導入ダクト27、及び、支持板37に形成されている。柱23は、筐体2の構造部材としても用いられており、内部に中空空間23aが形成されている。柱23の下端部には、導入ダクト27が取り付けられている。導入ダクト27内に形成された導入路27aは、柱23の中空空間23aと連通している。また、支持板37には、柱23の中空空間23aとFFU設置室42とを接続する流路37bが形成されている。帰還路43は、導入ダクト27の導入路27aと、柱23の中空空間23aと、支持板37の流路37bとがつながった構成を有する。 A circulation path for circulating nitrogen is formed in the internal space 40 of the EFEM 1 (casing 2). This circulation path is configured so that the nitrogen sent downward from the FFU installation chamber 42 returns to the FFU installation chamber 42 through the return path 43 from the lower end of the transfer chamber 41 (see the arrow in FIG. 2). A return path 43 is formed in the column 23 , the introduction duct 27 and the support plate 37 . The column 23 is also used as a structural member of the housing 2 and has a hollow space 23a formed therein. An introduction duct 27 is attached to the lower end of the column 23 . An introduction passage 27 a formed in the introduction duct 27 communicates with the hollow space 23 a of the column 23 . Further, the support plate 37 is formed with a channel 37b that connects the hollow space 23a of the column 23 and the FFU installation chamber 42 . The return path 43 has a configuration in which the introduction path 27a of the introduction duct 27, the hollow space 23a of the column 23, and the flow path 37b of the support plate 37 are connected.

導入ダクト27内には、ファン46が配置されている。ファン46が駆動されると、搬送室41の下端部に到達した窒素を、帰還路43に吸い込んで上方に送り出し、FFU設置室42に戻す。FFU設置室42に戻された窒素は、FFU44やケミカルフィルタ45によって清浄化され、再び搬送室41へ送り出される。以上のようにして、窒素がEFEM1の内部空間40を循環可能になっている。 A fan 46 is arranged in the introduction duct 27 . When the fan 46 is driven, the nitrogen that has reached the lower end of the transfer chamber 41 is sucked into the return path 43 and sent upward to return to the FFU installation chamber 42 . The nitrogen returned to the FFU installation chamber 42 is cleaned by the FFU 44 and the chemical filter 45 and sent to the transfer chamber 41 again. Nitrogen can be circulated in the internal space 40 of the EFEM 1 as described above.

EFEM1は、内部空間40が窒素雰囲気とされているため、メンテナンス等のためにいきなりカバーを開けて内部空間40を開放すると、オペレータが窒息を起こすおそれがある。これを避けるため、EFEM1にはインターロック58(図3参照)が設けられている。制御装置5がインターロック58を開錠すると、筐体2のカバーを開くことができるが、インターロック58が施錠されているときは、カバーを開けることはできない。 Since the internal space 40 of the EFEM 1 has a nitrogen atmosphere, the operator may suffocate if the cover is suddenly opened to open the internal space 40 for maintenance or the like. To avoid this, the EFEM 1 is provided with an interlock 58 (see FIG. 3). When the control device 5 unlocks the interlock 58, the cover of the housing 2 can be opened, but when the interlock 58 is locked, the cover cannot be opened.

(ガス供給制御)
以上のように構成されたEFEM1では、内部空間40の雰囲気を窒素で置換することによって、内部空間40(特に搬送室41)の酸素濃度及び湿度が目標値以下に維持される。本実施形態では、酸素濃度の目標値が100ppm、湿度の目標値として露点温度が-70℃に設定されているものとする。もちろん、これらの目標値は適宜変更が可能であるし、湿度の目標値を露点温度以外の指標で設定してもよい。
(gas supply control)
In the EFEM 1 configured as described above, the oxygen concentration and humidity in the internal space 40 (especially the transfer chamber 41) are maintained below the target values by replacing the atmosphere in the internal space 40 with nitrogen. In this embodiment, it is assumed that the oxygen concentration target value is set to 100 ppm, and the dew point temperature is set to −70° C. as the humidity target value. Of course, these target values can be changed as appropriate, and the humidity target value may be set using an index other than the dew point temperature.

図3は、ガス供給制御を行うためのEFEMシステム10の構成を示す模式図である。EFEMシステム10は、EFEM1と、EFEM1にガスを供給及び排出するための各手段とによって構成される。EFEM1には窒素供給路61が接続されており、施設に設けられた窒素供給源62から窒素供給路61を介してEFEM1の内部空間40に窒素が供給される。窒素供給路61にはバルブ63が設けられており、制御装置5がバルブ63の開度を制御することで、窒素の供給量が調整される。 FIG. 3 is a schematic diagram showing the configuration of an EFEM system 10 for controlling gas supply. The EFEM system 10 is composed of an EFEM 1 and means for supplying gas to and discharging gas from the EFEM 1 . A nitrogen supply line 61 is connected to the EFEM 1 , and nitrogen is supplied to the internal space 40 of the EFEM 1 through the nitrogen supply line 61 from a nitrogen supply source 62 provided in the facility. A valve 63 is provided in the nitrogen supply path 61, and the control device 5 controls the opening of the valve 63, thereby adjusting the amount of nitrogen supplied.

また、EFEM1にはCDA(Clean Dry Air:乾燥空気)供給路71が接続されており、施設に設けられたCDA供給源72からCDA供給路71を介してEFEM1の内部空間40にCDAが供給される。CDA供給路71にはバルブ73が設けられており、制御装置5がバルブ73の開度を制御することで、CDAの供給量が調整される。CDA供給路71には、さらに除湿フィルタ74が設けられている。CDA供給源72から供給されるCDAを除湿フィルタ74によってさらに除湿することによって、より低湿度のCDAを供給することができる。なお、図3では、窒素供給路61とCDA供給路71とが途中で合流する構成を記載しているが、窒素供給路61及びCDA供給路71がそれぞれ個別にEFEM1に接続される構成でもよい。 A CDA (Clean Dry Air) supply path 71 is connected to the EFEM 1, and CDA is supplied to the internal space 40 of the EFEM 1 from a CDA supply source 72 provided in the facility through the CDA supply path 71. be. A valve 73 is provided in the CDA supply path 71, and the controller 5 controls the opening of the valve 73 to adjust the amount of CDA supplied. A dehumidification filter 74 is further provided in the CDA supply path 71 . By further dehumidifying the CDA supplied from the CDA source 72 by the dehumidifying filter 74, a lower humidity CDA can be supplied. Although FIG. 3 shows a configuration in which the nitrogen supply path 61 and the CDA supply path 71 join in the middle, the nitrogen supply path 61 and the CDA supply path 71 may be individually connected to the EFEM 1. .

さらに、EFEM1には排気路81が接続されており、EFEM1の内部空間40からガスを排出することができる。排気路81にはバルブ82が設けられており、制御装置5がバルブ82の開度を制御することで、ガスの排出量が調整される。 Further, the EFEM 1 is connected to an exhaust path 81, which allows gas to be exhausted from the internal space 40 of the EFEM 1. FIG. A valve 82 is provided in the exhaust path 81 , and the control device 5 controls the opening of the valve 82 to adjust the amount of gas discharged.

このように構成されたEFEMシステム10では、EFEM1の通常稼働時(ウェハWの搬送時)には、内部空間40にCDAは供給されず、窒素が供給される。制御装置5は、バルブ73を閉じたままにしておき、酸素濃度計55及び湿度計(露点温度計)57からの出力に応じてバルブ63の開度を制御する。こうして内部空間40への窒素の供給量を調整することで、内部空間40の酸素濃度及び露点温度がそれぞれ目標値以下に維持される。 In the EFEM system 10 configured in this manner, CDA is not supplied to the internal space 40 but nitrogen is supplied during normal operation of the EFEM 1 (during transfer of the wafer W). The control device 5 keeps the valve 73 closed and controls the opening degree of the valve 63 according to the outputs from the oxygen concentration meter 55 and the hygrometer (dew point thermometer) 57 . By adjusting the amount of nitrogen supplied to the internal space 40 in this way, the oxygen concentration and the dew point temperature of the internal space 40 are maintained below the target values, respectively.

また、EFEM1の通常稼働時には、EFEM1の内部空間40の圧力が大気圧よりもわずかに高い微陽圧に維持される。これによって、EFEM1の外部から内部空間40に空気が流入することを防止している。制御装置5は、圧力計56からの出力に応じてバルブ82の開度を制御する。こうして内部空間40からのガスの排出量を調整することで、内部空間40の圧力が微陽圧に維持される。具体的には、1Pa(G)~3000Pa(G)の範囲内であり、好ましくは、3Pa(G)~500Pa(G)、より好ましくは、5Pa(G)~100Pa(G)である。本実施形態では、10Pa(G)の差圧となるよう調整している。 Also, during normal operation of the EFEM 1, the pressure in the internal space 40 of the EFEM 1 is maintained at a slight positive pressure slightly higher than the atmospheric pressure. This prevents air from flowing into the internal space 40 from the outside of the EFEM 1 . The control device 5 controls the opening degree of the valve 82 according to the output from the pressure gauge 56 . By adjusting the amount of gas discharged from the internal space 40 in this manner, the pressure in the internal space 40 is maintained at a slightly positive pressure. Specifically, it is in the range of 1 Pa (G) to 3000 Pa (G), preferably 3 Pa (G) to 500 Pa (G), more preferably 5 Pa (G) to 100 Pa (G). In this embodiment, the differential pressure is adjusted to 10 Pa (G).

(メンテナンス時のガス供給制御)
メンテナンス等でEFEM1の内部空間40を開放する際や、メンテナンス等の終了後にEFEM1の内部空間40を窒素雰囲気に戻す際には、通常稼働時と異なる制御が行われる。図4は、メンテナンス時のガス供給制御を示すフローチャートである。オペレータによってメンテナンスを行う旨の信号が入力されると、制御装置5は、バルブ63を閉めるとともにバルブ73を開いて、EFEM1の内部空間40にCDAを供給し始める(ステップS11)。その後、内部空間40の酸素濃度が所定値(例えば19.5%)以上となり(ステップS12でYES)、内部空間40を安全に開放できる状態となったら、制御装置5はインターロック58を開錠する(ステップS13)。
(Gas supply control during maintenance)
When the internal space 40 of the EFEM 1 is opened for maintenance or the like, or when the internal space 40 of the EFEM 1 is returned to the nitrogen atmosphere after the maintenance or the like is finished, control different from that during normal operation is performed. FIG. 4 is a flow chart showing gas supply control during maintenance. When the operator inputs a signal to perform maintenance, the controller 5 closes the valve 63 and opens the valve 73 to start supplying CDA to the internal space 40 of the EFEM 1 (step S11). After that, when the oxygen concentration in the internal space 40 reaches a predetermined value (for example, 19.5%) or more (YES in step S12) and the internal space 40 can be opened safely, the controller 5 unlocks the interlock 58. (step S13).

インターロック58が開錠されると、オペレータはEFEM1のカバーを開いて内部空間40を開放し、必要なメンテナンスを行う(ステップS14)。この間も、内部空間40へのCDAの供給は継続される。これによって、メンテナンス中に内部空間40の湿度が上昇することを抑えることができる。メンテナンスが終了すると、オペレータはEFEM1のカバーを閉じて内部空間40を密閉状態にし、制御装置5にメンテナンスが終了した旨を入力する。これを受けて、制御装置5はインターロック58を施錠する(ステップS15)。 When the interlock 58 is unlocked, the operator opens the cover of the EFEM 1 to open the internal space 40 and perform necessary maintenance (step S14). During this time, the supply of CDA to the internal space 40 is continued. As a result, it is possible to prevent the humidity in the internal space 40 from increasing during maintenance. When the maintenance is finished, the operator closes the cover of the EFEM 1 to seal the internal space 40 and inputs to the controller 5 that the maintenance is finished. In response to this, the control device 5 locks the interlock 58 (step S15).

EFEM1の内部空間40を密閉した後も、内部空間40へのCDAの供給は継続される。CDAの供給によって内部空間40の水分が除去されるので露点温度は低下するが、内部空間40の酸素濃度は大気とほとんど同じままである。内部空間40の露点温度が所定値(例えば-50℃)まで下がると(ステップS16でYES)、制御装置5は、バルブ73を閉めるとともにバルブ63を開いて、内部空間40に窒素を供給し始める(ステップS17)。その後、内部空間40の露点温度及び酸素濃度がそれぞれ目標値(-70℃、100ppm)まで下がると(ステップS18でYES)、EFEM1の通常稼働が再開される(ステップS19)。 The supply of CDA to the internal space 40 continues even after the internal space 40 of the EFEM 1 is sealed. The supply of CDA removes the moisture in the interior space 40, thus lowering the dew point temperature, but the oxygen concentration in the interior space 40 remains nearly the same as the atmosphere. When the dew point temperature of the internal space 40 drops to a predetermined value (eg, −50° C.) (YES in step S16), the controller 5 closes the valve 73 and opens the valve 63 to start supplying nitrogen to the internal space 40. (Step S17). After that, when the dew point temperature and oxygen concentration of the internal space 40 respectively decrease to the target values (-70° C., 100 ppm) (YES in step S18), normal operation of the EFEM 1 is resumed (step S19).

ここで、一旦大気開放されたEFEM1の内部空間40の露点温度を目標値まで下げるのは、酸素濃度を目標値まで下げるよりも長い時間を要する。というのも、酸素は窒素で置換すれば済むが、大気開放した際にEFEM1内の装置や配線等に吸着した水分を除去するためには、大量の乾燥ガス(窒素又はCDA)で水分を吸い出す必要があるからである。したがって、本実施形態のように、湿度(露点温度)さえCDAである程度低下させることができれば、窒素の供給量を大幅に削減することが可能である。その結果、EFEM1のランニングコストを抑えることができる。なお、本実施形態では、露点温度が目標値(-70℃)よりも高い所定値(-50℃)まで下がるとCDAの供給を停止して窒素の供給を開始するものとしたが、露点温度が目標値まで下がってから窒素の供給に切り換えてもよい。 Here, it takes a longer time to lower the dew point temperature of the internal space 40 of the EFEM 1 that has been opened to the atmosphere to the target value than to lower the oxygen concentration to the target value. This is because oxygen can be replaced with nitrogen, but in order to remove the moisture adsorbed on the devices and wiring in the EFEM 1 when it is opened to the atmosphere, a large amount of dry gas (nitrogen or CDA) is used to suck out the moisture. Because there is a need. Therefore, if even the humidity (dew point temperature) can be lowered to some extent by CDA as in this embodiment, it is possible to significantly reduce the amount of nitrogen supplied. As a result, the running cost of the EFEM 1 can be suppressed. In this embodiment, when the dew point temperature drops to a predetermined value (−50° C.) higher than the target value (−70° C.), the supply of CDA is stopped and the supply of nitrogen is started. is reduced to the target value, the supply of nitrogen may be switched to.

(効果)
本実施形態に係るEFEMシステム10は、EFEM1の内部空間40の雰囲気を窒素(不活性ガス)で置換することによって、内部空間40の酸素濃度及び湿度(露点温度)を目標値以下に維持するものであって、内部空間40に窒素を供給可能な窒素供給路61(不活性ガス供給路)と、窒素供給路61から内部空間40に窒素を供給する状態と供給しない状態とに切り換えるバルブ63(第1切換部)と、内部空間40にCDA(乾燥空気)を供給可能なCDA供給路71(乾燥空気供給路)と、CDA供給路71から内部空間40にCDAを供給する状態と供給しない状態とに切り換えるバルブ73(第2切換部)と、を備える。このような構成を有するEFEMシステム10によれば、大気開放されていたEFEM1の内部空間40に、窒素の代わりにCDAを供給することによって、内部空間40の湿度を下げることができる。したがって、内部空間40の湿度を目標値まで下げるのに必要となる窒素の供給量を削減することができる。
(effect)
The EFEM system 10 according to the present embodiment replaces the atmosphere of the internal space 40 of the EFEM 1 with nitrogen (inert gas) to maintain the oxygen concentration and humidity (dew point temperature) of the internal space 40 below target values. A nitrogen supply path 61 (inert gas supply path) capable of supplying nitrogen to the internal space 40, and a valve 63 ( a first switching unit), a CDA supply path 71 (dry air supply path) capable of supplying CDA (dry air) to the internal space 40, and a state in which CDA is supplied from the CDA supply path 71 to the internal space 40 and a state in which it is not supplied. and a valve 73 (second switching portion) that switches between and. According to the EFEM system 10 having such a configuration, the humidity in the internal space 40 can be lowered by supplying CDA instead of nitrogen to the internal space 40 of the EFEM 1 that has been open to the atmosphere. Therefore, it is possible to reduce the amount of nitrogen supply required to lower the humidity of the internal space 40 to the target value.

本実施形態では、制御装置5(制御部)は、大気開放されていた内部空間40が密閉された後、CDA供給路71からCDAを内部空間40に供給し(本発明の「乾燥空気供給工程」に相当)、内部空間40の湿度が所定値まで下がると、CDAの供給を停止し、窒素供給路61から窒素を供給する(本発明の「不活性ガス供給工程」に相当)ようにした。このように、CDAによって内部空間40の湿度をある程度下げた後に、窒素を供給するようにすれば、湿度を目標値まで下げるのに必要となる不活性ガスの供給量を効果的に削減することができる。 In the present embodiment, the control device 5 (control unit) supplies CDA from the CDA supply path 71 to the internal space 40 after the internal space 40 that has been open to the atmosphere is sealed ("dry air supply step of the present invention. ”), and when the humidity in the internal space 40 drops to a predetermined value, the supply of CDA is stopped and nitrogen is supplied from the nitrogen supply path 61 (corresponding to the “inert gas supply step” of the present invention). . Thus, by supplying nitrogen after the humidity in the internal space 40 has been lowered to some extent by CDA, it is possible to effectively reduce the supply amount of the inert gas required to lower the humidity to the target value. can be done.

本実施形態では、制御装置5は、内部空間40が大気開放されている間、CDA供給路71からCDAを内部空間40に供給している。このように、メンテナンス等によって内部空間40が大気開放されている間に、CDAを内部空間40に供給することによって、オペレータが安全に作業を行うことができるとともに、内部空間40の湿度が上昇することを抑えることができる。このため、大気開放後に内部空間40に残存している水分を少なくすることができ、湿度を目標値まで下げるのに要する時間を短縮できる。したがって、EFEM1の稼動率を向上させることができる。 In this embodiment, the controller 5 supplies CDA to the internal space 40 from the CDA supply path 71 while the internal space 40 is open to the atmosphere. Thus, by supplying CDA to the internal space 40 while the internal space 40 is open to the atmosphere for maintenance or the like, the operator can work safely and the humidity in the internal space 40 increases. can be suppressed. Therefore, it is possible to reduce the amount of moisture remaining in the internal space 40 after opening to the atmosphere, and shorten the time required to lower the humidity to the target value. Therefore, the operating rate of EFEM1 can be improved.

本実施形態では、CDA供給路71に、CDAをさらに除湿するための除湿フィルタ74が設けられている。このような除湿フィルタ74を設けることで、より低湿度のCDAを供給することができるので、CDAによって内部空間40の湿度を効率的に下げることができる。 In this embodiment, the CDA supply path 71 is provided with a dehumidifying filter 74 for further dehumidifying the CDA. By providing such a dehumidifying filter 74, CDA with a lower humidity can be supplied, so that the humidity in the internal space 40 can be efficiently lowered by the CDA.

(他の実施形態)
上記実施形態に種々の変更を加えた変形例について説明する。
(Other embodiments)
Modifications in which various modifications are made to the above embodiment will be described.

(1)上記実施形態では、制御装置5がバルブ63、73を自動で制御するものとした。しかしながら、オペレータがバルブ63、73を手動で開閉することにより、ガス供給制御を行うようにしてもよい。 (1) In the above embodiment, the control device 5 automatically controls the valves 63 and 73 . However, the operator may manually open and close the valves 63 and 73 to control the gas supply.

(2)上記実施形態では、CDA供給路71に除湿フィルタ74を設けるものとした。しかしながら、除湿フィルタ74をEFEM1の内部空間40(例えば帰還路43)に設けるようにしてもよい。また、除湿フィルタ74を設けることは必須ではなく、除湿フィルタ74を省略してもよい。 (2) In the above embodiment, the dehumidifying filter 74 is provided in the CDA supply path 71 . However, the dehumidifying filter 74 may be provided in the internal space 40 of the EFEM 1 (for example, the return path 43). Moreover, providing the dehumidification filter 74 is not essential, and the dehumidification filter 74 may be omitted.

(3)上記実施形態では、メンテナンス等でEFEM1の内部空間40を大気開放している間、内部空間40にCDAを供給するものとした。しかしながら、内部空間40を大気開放している間にCDAを供給することは必須ではない。 (3) In the above embodiment, CDA is supplied to the internal space 40 while the internal space 40 of the EFEM 1 is open to the atmosphere for maintenance or the like. However, it is not essential to supply CDA while opening the internal space 40 to the atmosphere.

(4)図5に示すように、EFEM1の内部空間40にヒータ59を設けるようにしてもよい。ヒータ59を設けることで、EFEM1内の飽和水蒸気量を大きくすることができ、装置や配線等に吸着している水分を蒸発させやすくなる。その結果、内部空間40の湿度を目標値まで下げるのに要する時間を短縮できるとともに、乾燥ガス(窒素又はCDA)の消費量を削減することができる。筐体2の底面に多くの装置や配線等が配置されることを鑑みると、ヒータ59を筐体2の底面近傍に設けるのが好ましいが、他の箇所に設けることももちろん可能である。 (4) A heater 59 may be provided in the internal space 40 of the EFEM 1, as shown in FIG. By providing the heater 59, it is possible to increase the amount of saturated water vapor in the EFEM 1, which makes it easier to evaporate water adsorbed on the device, wiring, and the like. As a result, the time required to lower the humidity of the internal space 40 to the target value can be shortened, and the consumption of dry gas (nitrogen or CDA) can be reduced. Considering that many devices, wirings, and the like are arranged on the bottom surface of the housing 2, it is preferable to provide the heater 59 near the bottom surface of the housing 2, but it is of course possible to provide it at other locations.

(5)図6に示すように、CDA供給路71の途中にCDA供給路71から分岐する分岐路75を設け、分岐路75に窒素富化フィルタ76を設けるようにしてもよい。窒素富化フィルタ76とは、空気から酸素を除去して窒素濃度を高めることのできるフィルタである。CDA供給路71と分岐路75との分岐部には、CDAがCDA供給路71を通るか、分岐路75を通るかを切り換えるための切換バルブ77(本発明の「第3切換部」に相当)が設けられている。このような構成によれば、低湿度且つ低酸素濃度のCDAを内部空間40に供給することができるので、内部空間40にCDAを供給して湿度を下げている際に、同時に酸素濃度も下げることができる。したがって、酸素濃度及び湿度を目標値まで下げるのに必要となる窒素の供給量をより効果的に削減することができる。 (5) As shown in FIG. 6, a branch channel 75 branching from the CDA supply channel 71 may be provided in the middle of the CDA supply channel 71, and a nitrogen enrichment filter 76 may be provided in the branch channel 75. Nitrogen enrichment filter 76 is a filter capable of removing oxygen from air to enrich the nitrogen concentration. A switching valve 77 (corresponding to the "third switching section" of the present invention) for switching whether CDA passes through the CDA supply channel 71 or through the branch channel 75 is provided at the branching portion of the CDA supply channel 71 and the branch channel 75. ) is provided. According to such a configuration, since CDA with low humidity and low oxygen concentration can be supplied to the internal space 40, when the CDA is supplied to the internal space 40 to reduce the humidity, the oxygen concentration is also reduced at the same time. be able to. Therefore, it is possible to more effectively reduce the amount of nitrogen supply required to lower the oxygen concentration and humidity to the target values.

(6)上記実施形態では、本発明の不活性ガスとして窒素が供給されるものとした。しかしながら、不活性ガスは窒素に限定されず、例えばアルゴン等の他の不活性ガスを供給するようにしてもよい。 (6) In the above embodiment, nitrogen is supplied as the inert gas of the present invention. However, the inert gas is not limited to nitrogen, and other inert gases such as argon may be supplied.

1:EFEM
5:制御装置(制御部)
10:EFEMシステム
40:内部空間
57:湿度計
61:窒素供給路(不活性ガス供給路)
63:バルブ(第1切換部)
71:CDA供給路(乾燥空気供給路)
73:バルブ(第2切換部)
74:除湿フィルタ
75:分岐路
76:窒素富化フィルタ
77:切換バルブ(第3切換部)
1: EFEM
5: Control device (control unit)
10: EFEM system 40: Internal space 57: Hygrometer 61: Nitrogen supply channel (inert gas supply channel)
63: valve (first switching unit)
71: CDA supply path (dry air supply path)
73: valve (second switching unit)
74: Dehumidification filter 75: Branch passage 76: Nitrogen enrichment filter 77: Switching valve (third switching unit)

Claims (6)

EFEMの内部空間の雰囲気を不活性ガスで置換することによって、前記内部空間の酸素濃度及び湿度を目標値以下に維持するEFEMシステムであって、
前記内部空間に前記不活性ガスを供給可能な不活性ガス供給路と、
前記不活性ガス供給路から前記内部空間に前記不活性ガスを供給する状態と供給しない状態とに切り換える第1切換部と、
前記内部空間に乾燥空気を供給可能な乾燥空気供給路と、
前記乾燥空気供給路から前記内部空間に前記乾燥空気を供給する状態と供給しない状態とに切り換える第2切換部と、
前記内部空間の湿度を測定する湿度計と、
前記第1切換部及び前記第2切換部を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
大気開放されていた前記内部空間が密閉された後、前記乾燥空気供給路から前記乾燥空気を前記内部空間に供給し、
前記内部空間の湿度が所定値まで下がると、前記乾燥空気の供給を停止し、前記不活性ガス供給路から前記不活性ガスを供給することを特徴とするEFEMシステム。
An EFEM system that maintains the oxygen concentration and humidity in the internal space below target values by replacing the atmosphere in the internal space of the EFEM with an inert gas,
an inert gas supply path capable of supplying the inert gas to the internal space;
a first switching unit that switches between a state in which the inert gas is supplied from the inert gas supply path to the internal space and a state in which the inert gas is not supplied;
a dry air supply path capable of supplying dry air to the internal space;
a second switching unit that switches between a state in which the dry air is supplied from the dry air supply path to the internal space and a state in which the dry air is not supplied;
a hygrometer for measuring the humidity of the internal space;
a control unit that controls the first switching unit and the second switching unit;
with
The control unit
after the internal space that has been open to the atmosphere is sealed, supplying the dry air to the internal space from the dry air supply path;
The EFEM system , wherein the supply of the dry air is stopped and the inert gas is supplied from the inert gas supply passage when the humidity of the internal space drops to a predetermined value .
前記制御部は、前記内部空間が大気開放されている間、前記乾燥空気供給路から前記乾燥空気を前記内部空間に供給することを特徴とする請求項に記載のEFEMシステム。 2. The EFEM system according to claim 1 , wherein the controller supplies the dry air to the internal space from the dry air supply path while the internal space is open to the atmosphere. 前記乾燥空気供給路に、前記乾燥空気をさらに除湿するための除湿フィルタが設けられていることを特徴とする請求項1又は2に記載のEFEMシステム。 3. The EFEM system according to claim 1, wherein a dehumidification filter for further dehumidifying the dry air is provided in the dry air supply path. 前記不活性ガス供給路は、前記不活性ガスとして窒素を供給するものであり、
前記乾燥空気供給路から分岐する分岐路と、
前記分岐路に設けられ、前記乾燥空気から酸素を除去して窒素濃度を高める窒素富化フィルタと、
前記乾燥空気が前記乾燥空気供給路を通るか、前記分岐路を通るかを切り換える第3切換部と、
をさらに備えることを特徴とする請求項1~3の何れか1項に記載のEFEMシステム。
The inert gas supply path supplies nitrogen as the inert gas,
a branch path branching from the dry air supply path;
a nitrogen enrichment filter provided in the branch channel to remove oxygen from the dry air to increase the nitrogen concentration;
a third switching unit for switching whether the dry air passes through the dry air supply channel or through the branch channel;
The EFEM system according to any one of claims 1 to 3 , further comprising:
EFEMの内部空間の雰囲気を不活性ガスで置換することによって、前記内部空間の酸素濃度及び湿度を目標値以下に維持するEFEMシステムにおけるガス供給方法であって、
大気開放されていた前記内部空間が密閉された後、乾燥空気を前記内部空間に供給する乾燥空気供給工程と、
前記内部空間の湿度が所定値まで下がると、前記乾燥空気の供給を停止し、前記不活性ガスを供給する不活性ガス供給工程と、
を備えることを特徴とするEFEMシステムにおけるガス供給方法。
A gas supply method in an EFEM system for maintaining the oxygen concentration and humidity in the internal space below target values by replacing the atmosphere in the internal space of the EFEM with an inert gas,
a dry air supply step of supplying dry air to the internal space after the internal space that has been open to the atmosphere is sealed;
an inert gas supply step of stopping the supply of the dry air and supplying the inert gas when the humidity of the internal space drops to a predetermined value;
A gas supply method in an EFEM system, comprising:
前記内部空間が大気開放されている間、前記乾燥空気を前記内部空間に供給することを特徴とする請求項に記載のEFEMシステムにおけるガス供給方法。 6. The gas supply method in an EFEM system according to claim 5 , wherein said dry air is supplied to said internal space while said internal space is open to the atmosphere.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7379042B2 (en) * 2019-09-20 2023-11-14 東京エレクトロン株式会社 Vacuum transfer device and vacuum transfer device control method
KR102276150B1 (en) * 2019-09-27 2021-07-12 시너스텍 주식회사 Oven Chamber
KR102310953B1 (en) * 2019-12-20 2021-10-12 멜콘 주식회사 Apparatus and method for supplying dry air
CN111090295A (en) * 2019-12-31 2020-05-01 北京海岚科技有限公司 Control method and control system for environmental parameters in EFEM (electronic flash memory)
JP2023048293A (en) * 2021-09-28 2023-04-07 株式会社Kokusai Electric Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method, substrate processing method, and program
US20240125491A1 (en) * 2022-10-13 2024-04-18 Applied Materials, Inc. Filter isolation for equipment front end module

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000353738A (en) 1999-06-11 2000-12-19 Sony Corp Closed container, preserving device, transfer system for electronic component, and method for transfer and preserving of electronic component
JP2002056643A (en) 2000-08-04 2002-02-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd Magnetic disk device and method for manufacturing the same
JP2002359180A (en) 2001-06-01 2002-12-13 Toshiba Corp Gas circulation system
JP2005101185A (en) 2003-09-24 2005-04-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate cleaner an dryer
JP2005142185A (en) 2003-11-04 2005-06-02 Canon Inc Aligner and its environmental control method
JP2010072624A (en) 2008-08-18 2010-04-02 Nec Electronics Corp Reticle storage device and reticle storage method
JP2015146349A (en) 2014-01-31 2015-08-13 シンフォニアテクノロジー株式会社 Efem
JP2016015435A (en) 2014-07-03 2016-01-28 株式会社アマダホールディングス Fiber laser oscillator, fiber laser processing device, and dehumidification method of fiber laser oscillator
JP2016527732A (en) 2013-08-12 2016-09-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated Substrate processing system, apparatus and method with factory interface environmental control

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH113867A (en) * 1997-06-11 1999-01-06 Kokusai Electric Co Ltd Semiconductor manufacturing device
KR100701578B1 (en) * 2000-02-01 2007-04-02 동경 엘렉트론 주식회사 Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2004160444A (en) * 2002-09-20 2004-06-10 Tokyo Electron Ltd Dry air feeding device and treatment apparatus
JP4344593B2 (en) * 2002-12-02 2009-10-14 ローツェ株式会社 Mini-environment device, thin plate manufacturing system, and atmosphere replacement method for clean container
DE102006013997B4 (en) * 2006-03-27 2009-05-07 Rm Michaelides Software & Elektronik Gmbh Dry storage for storage of moisture-sensitive materials, method for influencing the atmospheric moisture
JP5631011B2 (en) * 2010-01-25 2014-11-26 高砂熱学工業株式会社 Clean room system and operation method thereof
JP5925474B2 (en) * 2011-12-06 2016-05-25 株式会社日立ハイテクマニファクチャ&サービス Wafer processing equipment
JP2013171757A (en) * 2012-02-22 2013-09-02 Ngk Insulators Ltd Inert gas purging method
JP2014038888A (en) * 2012-08-10 2014-02-27 Hitachi High-Tech Control Systems Corp Mini-environment device, and inner atmosphere replacement method of the same
JP6268425B2 (en) * 2013-07-16 2018-01-31 シンフォニアテクノロジー株式会社 EFEM, load port, wafer transfer method
JP6292835B2 (en) * 2013-11-20 2018-03-14 オリンパス株式会社 Optical element manufacturing apparatus and optical element manufacturing method
CN204011459U (en) * 2014-07-09 2014-12-10 无锡易比达半导体科技有限公司 A kind of light clean Turnover Box of silicon chip

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000353738A (en) 1999-06-11 2000-12-19 Sony Corp Closed container, preserving device, transfer system for electronic component, and method for transfer and preserving of electronic component
JP2002056643A (en) 2000-08-04 2002-02-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd Magnetic disk device and method for manufacturing the same
JP2002359180A (en) 2001-06-01 2002-12-13 Toshiba Corp Gas circulation system
JP2005101185A (en) 2003-09-24 2005-04-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate cleaner an dryer
JP2005142185A (en) 2003-11-04 2005-06-02 Canon Inc Aligner and its environmental control method
JP2010072624A (en) 2008-08-18 2010-04-02 Nec Electronics Corp Reticle storage device and reticle storage method
JP2016527732A (en) 2013-08-12 2016-09-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated Substrate processing system, apparatus and method with factory interface environmental control
JP2015146349A (en) 2014-01-31 2015-08-13 シンフォニアテクノロジー株式会社 Efem
JP2016015435A (en) 2014-07-03 2016-01-28 株式会社アマダホールディングス Fiber laser oscillator, fiber laser processing device, and dehumidification method of fiber laser oscillator

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
楠木喜博,窒素ガス発生装置,膜(MEMBRANE),Vol.19 No.4,日本,一般社団法人日本膜学会,1994年,277-279

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