KR20200095744A - Equipment front end mocule of wafer transferring apparatus - Google Patents
Equipment front end mocule of wafer transferring apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- KR20200095744A KR20200095744A KR1020190013485A KR20190013485A KR20200095744A KR 20200095744 A KR20200095744 A KR 20200095744A KR 1020190013485 A KR1020190013485 A KR 1020190013485A KR 20190013485 A KR20190013485 A KR 20190013485A KR 20200095744 A KR20200095744 A KR 20200095744A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- wafer transfer
- nitrogen
- transfer unit
- nitrogen gas
- end module
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67772—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving removal of lid, door, cover
Abstract
Description
본 발명은 웨이퍼 이송 장치의 프론트엔드 모듈에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 공정이 미세화됨에 따라 웨이퍼에 발생할 수 있는 가스 미립자를 최소화할 수 있는 웨이퍼 이송 장치의 프론트엔드 모듈에 관한 것이다.The present invention relates to a front-end module of a wafer transfer device, and more particularly, to a front-end module of a wafer transfer device capable of minimizing gas particles that may occur in a wafer as semiconductor processes are refined.
반도체 소자는 웨이퍼 소자 상에 여러 가지 물질을 박막 형태로 증착하고 패터닝하여 제조한다. 이를 위해 웨이퍼는 증착 공정, 식각 공정, 세정 공정 및 건조 공정 등과 같은 여러 단계의 공정을 거칠 수 있다.A semiconductor device is manufactured by depositing and patterning various materials on a wafer device in the form of a thin film. To this end, the wafer may be subjected to several steps such as a deposition process, an etching process, a cleaning process, and a drying process.
이때, 상기와 같은 공정을 위해 웨이퍼는 최적의 환경에서 공정이 수행되도록 프로세스 챔버로 이송될 필요가 있는데, 프로세스 챔버로 웨이퍼를 이송하는 장치를 웨이퍼 이송 장치라 한다.At this time, for the above-described process, the wafer needs to be transferred to the process chamber so that the process is performed in an optimal environment. The device for transferring the wafer to the process chamber is called a wafer transfer device.
웨이퍼 이송 장치는, 상기와 같은 공정이 수행되는 프로세스 챔버로 웨이퍼를 이송하기 위해, 로드포트, 프론트엔드 모듈, 로드락 챔버, 트랜스퍼 모듈 및 프로세스 챔버를 포함한다.The wafer transfer device includes a load port, a front end module, a load lock chamber, a transfer module, and a process chamber to transfer the wafer to the process chamber in which the above process is performed.
이때, 트랜스퍼 모듈 및 프로세스 챔버는 진공 상태에서 웨이퍼에 대한 이송이나 처리가 이루어짐에 따라 웨이퍼가 공기에 노출되지 않는다. 그런데, 프론트엔드 모듈은 대기 상태에서 웨이퍼에 대한 이송이 이루어지는데, 이때, 프론트엔드 모듈이 대기 상태이라 하더라도 가급적 정제된 공기를 이용하여 공정이 이루어지도록 한다.At this time, the transfer module and the process chamber are not exposed to air as the wafer is transferred or processed in a vacuum state. However, the front-end module transfers the wafer in the standby state. In this case, even if the front-end module is in the standby state, the process is performed using purified air as much as possible.
그런데, 최근 반도체 공정은 웨이퍼 상에 형성되는 반도체 패턴이 20nm 이하가 되는 정도로 미세화되고 있다. 이렇게 반도체 패턴이 미세화됨에 따라 웨이퍼 상에 형성된 반도체 패턴이 공기와 반응하여 가스 미립자(fume)가 발생할 수 있다. 이때 발생된 가스 미립자가 발생하면, 반도체 패턴에 이상이 발생하는 경우가 있어, 수율이 낮아지는 문제가 있다.However, in recent years, semiconductor processes have been miniaturized to the extent that the semiconductor pattern formed on the wafer is 20 nm or less. As the semiconductor pattern is refined in this way, the semiconductor pattern formed on the wafer may react with air to generate gas fume. When the gas particles generated at this time are generated, there is a problem that an abnormality may occur in the semiconductor pattern, resulting in a low yield.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 웨이퍼 상에 형성된 반도체 패턴에서 발생할 수 있는 가스 미립자(fume)를 최소화할 수 있는 웨이퍼 이송 장치의 프론트엔드 모듈을 제공하는 것이다.The problem to be solved by the present invention is to provide a front-end module of a wafer transfer apparatus capable of minimizing gas fume that may occur in a semiconductor pattern formed on a wafer.
본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 이송 장치의 프론트엔드 모듈은, 로드포트와 로드락 챔버 사이에서 웨이퍼를 이송하기 위해 내부에 대기 로봇이 구비된 웨이퍼 이송부; 상기 웨이퍼 이송부의 상부에 배치되고, 상기 웨이퍼 이송부에 질소 가스를 공급하는 질소공급부; 및 상기 웨이퍼 이송부에서 상기 질소공급부로 질소 가스가 이동되는 하나 이상의 덕트를 포함하고, 상기 질소공급부에서 상기 웨이퍼 이송부로 공급된 질소 가스는 상기 하나 이상의 덕트를 통해 상기 질소공급부로 공급되어 순환될 수 있다.A front end module of a wafer transfer apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a wafer transfer unit having a standby robot therein to transfer wafers between a load port and a load lock chamber; A nitrogen supply unit disposed above the wafer transfer unit and supplying nitrogen gas to the wafer transfer unit; And one or more ducts through which nitrogen gas is moved from the wafer transfer unit to the nitrogen supply unit, and nitrogen gas supplied from the nitrogen supply unit to the wafer transfer unit may be supplied to the nitrogen supply unit through the at least one duct and circulated. .
상기 질소공급부는, 외부에서 질소 가스를 공급받아 상기 웨이퍼 이송부로 공급하기 위한 질소공급기; 및 상기 질소공급기에서 공급된 질소 가스를 상기 웨이퍼 이송부에 공급하기 위해 내부에 하나 이상의 송풍팬이 구비된 질소 분배기를 포함할 수 있다.The nitrogen supply unit may include a nitrogen supply unit for receiving nitrogen gas from the outside and supplying it to the wafer transfer unit; And a nitrogen distributor having at least one blowing fan therein to supply the nitrogen gas supplied from the nitrogen supplier to the wafer transfer unit.
상기 질소 분배기 및 웨이퍼 이송부의 사이에 배치되고, 상기 질소 분배기에서 공급되는 질소 가스에서 이물질을 필터링하는 팬필터 유닛을 더 포함할 수 있다.A fan filter unit disposed between the nitrogen distributor and the wafer transfer unit may further include a fan filter unit for filtering foreign substances from nitrogen gas supplied from the nitrogen distributor.
상기 질소공급기는, 상기 공급된 질소 가스의 유량을 조절하기 위한 유량제어기를 포함할 수 있다.The nitrogen supplier may include a flow controller for adjusting the flow rate of the supplied nitrogen gas.
상기 웨이퍼 이송부 내의 대기에서 질소 가스의 농도를 측정하는 질소 농도계를 더 포함하고, 상기 유량제어기는, 상기 질소 농도계에서 측정된 질소 가스의 농도에 따라 상기 웨이퍼 이송부에 공급되는 질소 가스의 유량을 제어할 수 있다.Further comprising a nitrogen concentration meter for measuring the concentration of nitrogen gas in the atmosphere in the wafer transfer unit, the flow rate controller is to control the flow rate of the nitrogen gas supplied to the wafer transfer unit according to the concentration of the nitrogen gas measured by the nitrogen concentration meter. I can.
상기 질소 분배기는, 외부 공기가 유입되지 않도록 밀폐될 수 있다.The nitrogen distributor may be sealed so that outside air is not introduced.
상기 웨이퍼 이송부는 외부 공기가 유입되지 않도록 밀폐될 수 있다.The wafer transfer unit may be sealed to prevent external air from entering.
상기 하나 이상의 덕트는, 상기 웨이퍼 이송부의 타 측에 배치되며, 상기 웨이퍼 이송부의 양 측단 중 어느 하나에 배치될 수 있다.The one or more ducts are disposed on the other side of the wafer transfer unit, and may be disposed at any one of both side ends of the wafer transfer unit.
상기 하나 이상의 덕트는 두 개가 구비되고, 상기 두 개의 덕트는 상기 웨이퍼 이송부의 양 측단에 각각 배치되며, 상기 두 개의 덕트 사이에 상기 로드락 챔버가 상기 웨이퍼 이송부와 연결될 수 있다.Two of the one or more ducts are provided, the two ducts are disposed at both side ends of the wafer transfer unit, and the load lock chamber may be connected to the wafer transfer unit between the two ducts.
상기 웨이퍼 이송부의 일 측에 상기 로드포트가 연결될 수 있다.The load port may be connected to one side of the wafer transfer unit.
상기 웨이퍼 이송부에서 배출되어 상기 질소공급부로 공급되는 대기에 포함된 산소량을 측정하는 산소 센서를 더 포함하고, 상기 유량제어기는, 상기 산소 센서에서 측정된 산소량에 따라 상기 웨이퍼 이송부에 공급될 수 있다.An oxygen sensor for measuring an amount of oxygen contained in the atmosphere discharged from the wafer transfer unit and supplied to the nitrogen supply unit may be further included, and the flow controller may be supplied to the wafer transfer unit according to the amount of oxygen measured by the oxygen sensor.
상기 웨이퍼 이송부에서 배출된 대기에 포함된 산소량이 일정 이상인 경우, 상기 웨이퍼 이송부에서 배출된 대기를 외부로 배출시키기 위한 밸브를 더 포함할 수 있다.When the amount of oxygen contained in the atmosphere discharged from the wafer transfer unit is more than a certain amount, a valve for discharging the atmosphere discharged from the wafer transfer unit to the outside may be further included.
본 발명에 의하면, 웨이퍼 이송 장치의 프론트엔드 모듈의 내부를 질소 가스 분위기로 형성함에 따라 프론트엔드 모듈에서 웨이퍼가 공기와 직접적으로 접촉되지 않을 수 있어, 웨이퍼 상의 반도체 패턴에 가스 미립자(fume)가 발생하는 것을 최소화하여 수율을 높일 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, as the inside of the front-end module of the wafer transfer device is formed in a nitrogen gas atmosphere, the wafer may not be in direct contact with the air in the front-end module, and gas fumes are generated in the semiconductor pattern on the wafer. There is an effect that can increase the yield by minimizing that.
더욱이, 프론트엔드 모듈 내를 질소 가스 분위기로 조성할 때, 질소 가스를 공급하고, 순환하는 구조를 형성함에 따라 질소 가스 이외의 공기와 웨이퍼가 접촉되는 것을 차단할 수 있으며, 프론트엔드 모듈 내를 질소 가스 분위기로 형성할 때, 이용되는 질소 가스를 최소화할 수 있어 경제적으로 프론트엔드 모듈을 질소 가스 분위기로 형성할 수 있는 효과가 있다.Moreover, when forming the front-end module in a nitrogen gas atmosphere, nitrogen gas is supplied and a circulating structure is formed to block contact between the wafer and air other than nitrogen gas, and nitrogen gas in the front-end module When formed in an atmosphere, it is possible to minimize the nitrogen gas used, and thus there is an effect of economically forming the front end module in a nitrogen gas atmosphere.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 이송 장치의 프론트엔드 모듈을 도시한 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 이송 장치의 프론트엔드 모듈을 도 1과 다른 각도에서 도시한 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 이송 장치의 프론트엔드 모듈의 질소공급부를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 이송 장치의 프론트엔드 모듈의 측면을 도시한 도면이다.
도 5는 도 4의 A 영역을 표시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 이송 장치의 프론트엔드 모듈의 질소 가스의 공급 및 순환하는 것을 설명하기 위한 블록도이다.1 is a perspective view showing a front end module of a wafer transfer apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a perspective view illustrating a front end module of a wafer transfer apparatus according to an embodiment of the present invention from a different angle from FIG. 1.
3 is a view for explaining a nitrogen supply unit of the front end module of the wafer transfer apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is a view showing a side view of a front end module of the wafer transfer apparatus according to an embodiment of the present invention.
5 is a view showing area A of FIG. 4.
6 is a block diagram illustrating supply and circulation of nitrogen gas in a front end module of a wafer transfer apparatus according to an embodiment of the present invention.
본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 더 구체적으로 설명한다.With reference to the accompanying drawings, a preferred embodiment of the present invention will be described in more detail.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 이송 장치의 프론트엔드 모듈을 도시한 사시도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 이송 장치의 프론트엔드 모듈을 도 1과 다른 각도에서 도시한 사시도이다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 이송 장치의 프론트엔드 모듈의 질소공급부를 설명하기 위한 도면이다.1 is a perspective view showing a front-end module of a wafer transfer device according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a front-end module of the wafer transfer device according to an embodiment of the present invention from a different angle from FIG. It is a perspective view. 3 is a view for explaining a nitrogen supply unit of the front end module of the wafer transfer apparatus according to an embodiment of the present invention.
본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 이송 장치는, 로드포트, 프론트엔드 모듈(100), 로드락 챔버, 트랜스퍼 모듈 및 프로세스 챔버를 포함한다.A wafer transfer apparatus according to an embodiment of the present invention includes a load port, a
로드포트는, 다수의 웨이퍼가 적재될 수 있으며, 미처리된 웨이퍼가 프로세스 챔버 측으로 전달되고, 프로세스 챔버에서 처리가 완료된 웨이퍼가 전달되어 적재될 수 있다.In the load port, a plurality of wafers may be loaded, unprocessed wafers may be transferred to the process chamber, and processed wafers may be transferred and loaded in the process chamber.
프론트엔드 모듈(100)은 로드포트와 로드락 챔버의 사이에 배치된다. 그리고 프론트엔드 모듈(100)은 내부에 대기 로봇(122)이 배치되며, 대기 로봇(122)이 로드포트와 로드락 챔버 사이에서 웨이퍼를 이송할 수 있다. 본 실시예에 따른 프론트엔드 모듈(100)의 상세 구성에 대해서는 후술한다.The
로드락 챔버는, 프론트엔드 모듈(100)과 트랜스퍼 모듈 사이에 배치되고, 대기 상태의 프론트엔드 모듈(100)과 진공 상태의 트랜스퍼 모듈에 웨이퍼가 이송되도록 대기 상태와 진공 상태를 전환하기 위해 구비된다. 이를 위해 로드락 챔버는 대기 상태와 진공 상태를 전환할 수 있는 진공 장치 등이 포함될 수 있으며, 다수의 웨이퍼가 적재될 수 있도록 구성된다.The load lock chamber is disposed between the
트랜스퍼 모듈은 로드락 챔버에 적재된 웨이퍼를 프로세스 챔버로 이송하거나 프로세스 챔버에서 처리가 완료된 웨이퍼를 로드락 챔버로 이송하기 위해 구비된다. 이를 위해 트랜스퍼 모듈은 진공 로봇이 구비될 수 있다.The transfer module is provided to transfer the wafers loaded in the load lock chamber to the process chamber or transfer the processed wafers from the process chamber to the load lock chamber. To this end, the transfer module may be equipped with a vacuum robot.
프로세스 챔버는 트랜스퍼 모듈을 통해 이송된 웨이퍼에 대한 처리가 이루어질 수 있다.The process chamber may process wafers transferred through the transfer module.
상기와 같은 웨이퍼 이송 장치에서 프론트엔드 모듈(100)은 하나 이상이 설치될 수 있으며, 로드포트와 로드락 챔버 사이에 배치된다. 앞서 설명한 바와 같이, 프론트엔드 모듈(100)은 대기 상태에 노출되는데, 본 실시예에서, 프론트엔드 모듈(100)이 노출된 대기 상태는 질소 가스 분위기의 대기 상태일 수 있다. 즉, 본 실시예에서, 프론트엔드 모듈(100)은 내부에 산소가 거의 제거된 질소 가스가 채워진 상태일 수 있다.In the wafer transfer apparatus as described above, one or more
이를 위해 본 실시예에서, 프론트엔드 모듈(100)은 질소공급부(110), 웨이퍼 이송부(120), 제1 덕트(132) 및 제2 덕트(134)를 포함한다.To this end, in this embodiment, the
질소공급부(110)는, 프론트엔드 모듈(100) 내부를 질소 가스 분위기로 형성하기 위해 질소 가스를 공급하기 위해 구비되며, 웨이퍼 이송부(120)의 상부에 배치된다. 그리고 질소공급부(110)는, 질소공급기(112), 질소 분배기(114) 및 팬필터 유닛(116)을 포함한다.The
질소공급기(112)는, 외부에 구비된 질소 가스 저장부에서 공급된 질소 가스를 웨이퍼 이송부(120)에 공급하기 위해 질소 분배기(114) 측으로 공급할 수 있다. 질소공급기(112)는, 질소 분배기(114)의 일 측에 배치될 수 있고, 질소 가스를 원활하게 공급하기 위해 다양한 구성이 포함될 수 있는데, 이에 대한 자세한 사항은 후술한다.The
질소 분배기(114)는, 질소공급기(112)에서 질소 가스가 공급되며, 공급된 질소 가스를 웨이퍼 이송부(120) 측으로 분배하기 위해 배치된다. 본 실시예에서, 질소 분배기(114)는 내부에 하나 이상의 송풍팬이 배치될 수 있다. 송풍팬은 공급된 질소 가스를 웨이퍼 이송부(120)로 송풍하여 웨이퍼 이송부(120) 내부에 질소 가스가 공급되도록 한다. 이러한 질소 분배기(114)는 도 3에 도시된 바와 같이 하우징의 형상을 가질 수 있으며, 내부에 송풍팬이 설치될 수 있는 수용공간을 가질 수 있다. 또한, 질소 분배기(114)의 하부면은 송풍팬에 의해 질소 가스가 이송될 수 있도록 개방될 수 있다. The
본 실시예에서, 질소 분배기(114)는 내부에 송풍팬이 설치되는데, 이렇게 송풍팬이 설치된 구조는 종래의 프론트엔드 모듈(100)에도 구비된 구성이다. 종래에는 송풍팬이 구비되고, 일면에 외부 공기가 공급될 수 있게 다수의 공기홀 형성된 구조일 수 있는데, 본 실시예에서 질소 분배기(114)는 외부의 공기가 공급되는 다수의 공기홀이 형성되지 않는다. 본 실시예에 따른 질소 분배기(114)는 하부면이 개방되지만, 웨이퍼 이송부(120)와 연결되며, 일 측에 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 덕트(132) 및 제2 덕트(134)가 연결될 수 있다.In this embodiment, the
팬필터 유닛(116)은, 질소공급기(112) 및 질소 분배기(114)의 하부에 배치되고, 웨이퍼 이송부(120)의 상부에 배치된다. 팬필터 유닛(116)은 질소 분배기(114)의 송풍팬의 동작에 의해 공급되는 질소 가스에 포함된 이물질 등을 필터링하기 위해 구비된다. 즉, 질소 분배기(114)의 하나 이상의 송풍팬이 동작하여 질소 가스를 웨이퍼 이송부(120)에 공급할 때, 질소 가스가 팬필터 유닛(116)을 통과하여, 이물질이 필터링된 상태의 질소 가스가 웨이퍼 이송부(120)에 공급될 수 있다.The
웨이퍼 이송부(120)는 팬필터 유닛(116)의 하부에 배치되고, 팬필터 유닛(116)을 통과한 질소 가스가 공급된다. 웨이퍼 이송부(120)는 내부에 대기 로봇(122)이 배치될 수 있도록 소정의 공간이 형성될 수 있다. 그리고 웨이퍼 이송부(120)의 일 측은 로드포트와 연결될 수 있으며, 웨이퍼 이송부(120)의 타 측은 로드락 챔버와 연결될 수 있다. 즉, 도 1에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 이송부(120)의 일면에 로드포트가 연결될 수 있으며, 도 2에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 이송부(120)의 타면에 로드락 챔버가 연결될 수 있다.The
그리고 웨이퍼 이송부(120)의 내부에는 대기 로봇(122)이 배치되며, 로드포트와 로드락 챔버 사이에 웨이퍼를 이송할 수 있다. 본 실시예에서, 대기 로봇(122)은 일반 대기 상태에서 동작하는 대기 로봇(122)이 그대로 이용될 수 있다.In addition, a
제1 덕트(132) 및 제2 덕트(134)는 웨이퍼 이송부(120)의 타 측에 배치되고, 웨이퍼 이송부(120)와 질소 분배기(114)를 연결하도록 설치된다. 즉, 제1 덕트(132) 및 제2 덕트(134)는 웨이퍼 이송부(120)에서 질소 분배기(114)로 질소 가스가 이동할 수 있는 통로로 이용되며, 제1 덕트(132) 및 제2 덕트(134)는 각각 일단이 웨이퍼 이송부(120)의 하부에 연결되고, 제1 덕트(132) 및 제2 덕트(134)의는 각각 타단이 질소 분배기(114)에 연결될 수 있다.The
질소 가스가 흐르는 것에 대한 자세한 사상은 후술하겠지만, 제1 덕트(132) 및 제2 덕트(134)는, 웨이퍼 이송부(120)의 질소 가스가 질소 분배기(114)로 이송되도록 하부에서 상부 방향 질소 가스가 이동될 수 있다.A detailed idea of the flow of nitrogen gas will be described later, but the
그리고 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 덕트(132) 및 제2 덕트(134)는, 프론트엔드 모듈(100)의 타 측에 설치되며, 프론트엔드 모듈(100)의 타 측면의 양 끝단에 인접하게 배치될 수 있다. 그에 따라 웨이퍼 이송부(120)의 타 측면에 로드락 챔버가 연결되면, 로드락 챔버의 양 측에 제1 덕트(132) 및 제2 덕트(134)가 각각 배치될 수 있다. 즉, 제1 덕트(132) 및 제2 덕트(134)가 프론트엔드 모듈(100)의 양 측 끝단에 인접하게 배치됨에 따라 제1 덕트(132) 및 제2 덕트(134) 사이에서 로드락 챔버가 프로트엔드 모듈에 연결될 수 있다.And, as shown in Figure 2, the
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 이송 장치의 프론트엔드 모듈의 측면을 도시한 도면이고, 도 5는 도 4의 A 영역을 표시한 도면이다. FIG. 4 is a side view of a front-end module of the wafer transfer apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a view showing area A of FIG. 4.
도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 이송 장치의 프론트엔드 모듈(100)은 상부에 질소공급부(110)가 배치되고, 하부에 웨이퍼 이송부(120)가 배치된다. 또한, 제1 덕트(132) 및 제2 덕트(134)가 프론트엔드 모듈(100)의 타 측에 배치된다.Referring to FIG. 4, in the front-
따라서 질소공급부(110)에서 질소 가스가 공급되어, 질소 분배기(114) 내에 설치된 송풍팬에 의해 질소 가스가 웨이퍼 이송부(120)로 공급될 수 있다. 그리고 웨이퍼 이송부(120)에는 상부로부터 질소 가스가 공급되고, 공급된 질소 가스는, 대기 로봇(122)을 거쳐 제1 덕트(132) 및 제2 덕트(134)를 통해 다시 질소 분배기(114)로 공급될 수 있다.Accordingly, nitrogen gas is supplied from the
따라서 질소공급기(112)에서 최초 질소 가스가 공급된 다음, 송풍팬에 의해 질소 가스가 웨이퍼 이송부(120)로 이동하고, 제1 덕트(132) 및 제2 덕트(134)를 통해 질소 분배기(114)로 공급되어 질소 분배기(114) 및 웨이퍼 이송부(120) 사이에서 질소 가스가 순환할 수 있다.Therefore, after the nitrogen gas is initially supplied from the
이때, 웨이퍼 이송부(120)는 앞서 설명한 바와 같이, 일 측에 로드포트가 연결되고, 타 측에 로드락 챔버가 연결된다. 따라서 로드포트는 대기 상태이므로, 웨이퍼 이송부(120)는 로드포트가 연결되는 위치에 도어(door)가 배치될 수 있다. 이러한 도어는 로드포트와 프론트엔드 모듈(100) 사이에 웨이퍼가 이송되는 동안에만 개방될 수 있다. 또는 필요에 따라 로드포트도 본 실시예에 따른 프론트엔드 모듈(100)과 같이 외부의 공기를 차단되도록 형성될 수 있다.In this case, as described above, the
그리고 웨이퍼 이송부(120)의 타 측에 로드락 챔버가 연결되며, 앞서 설명한 바와 같이, 로드락 챔버가 대기 상태와 진공 상태를 전환하기 위해 배치된 도어에 의해 웨이퍼 이송부(120)는 로드락 챔버와 질소 가스를 포함한 공기의 이동이 차단될 수 있다.In addition, the load lock chamber is connected to the other side of the
따라서 본 실시예에 따른 웨이퍼 이송부(120)는 도 4에 도시된 바와 같이, 내부가 외부의 대기와 차단된 밀폐된 공간으로 형성될 수 있다.Accordingly, as shown in FIG. 4, the
그에 따라 프론트엔드 모듈(100) 내를 웨이퍼가 통과될 때, 외부 대기와 차단된 상태에서, 질소 가스 분위기의 상태에서 웨이퍼가 통과할 수 있다.Accordingly, when the wafer passes through the front-
상기와 같이, 프론트엔드 모듈(100)의 웨이퍼 이송부(120)를 밀폐하기 위해, 도 5에 도시된 바와 같이, 프레임(142)을 이용하여 웨이퍼 이송부(120)의 외형 형상을 형성한다. 그리고 프레임(142) 사이에 커버(144)가 배치된다. 커버(144)는 각 프레임(142)들의 사이에 배치되며, 각 프레임(142)들에 결합된다. 본 실시예에서, 프레임(142)과 커버(144)의 결합은 실링부(146)에 의해 결합될 수 있다.As described above, in order to seal the
실링부(146)는 테프론(teflon)이나 비톤(viton)의 재질을 가질 수 있다. 따라서 실링부(146)에 의해 프레임(142)과 커버(144) 사이가 서로 밀착될 수 있으며, 그로 인해 웨이퍼 이송부(120)의 내부가 외부와 밀폐될 수 있다.The sealing
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 이송 장치의 프론트엔드 모듈의 질소 가스의 공급 및 순환하는 것을 설명하기 위한 블록도이다.6 is a block diagram illustrating supply and circulation of nitrogen gas in a front end module of a wafer transfer apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 6을 참조하여, 본 실시예에 따른 프론트엔드 모듈(100)에 포함된 질소공급기(112)의 세부 구성과 질소 가스의 공급되는 과정 및 순환되는 과정에 대해 설명한다.Referring to FIG. 6, a detailed configuration of the
질소공급기(112)는, 외부에 저장된 질소 가스를 질소 분배기(114)로 공급하기 위해 구비된다. 이를 위해 질소공급기(112)는, 공급밸브(112a), 레귤레이터(112b), 압력 스위치(112c), 필터(112d), 유량제어기(112e) 및 공압밸브(pneumatic valve, 112f)를 포함한다.The
공급밸브(112a)는, 질소 가스가 저장된 질소 가스 저장부에서 질소 가스가 공급여부가 제어되기 위해 구비된다.The
레귤레이터(112b)는 공급밸브(112a)를 통해 공급되는 질소 가스의 압력을 측정하여 공급되는 질소 가스의 양을 조절할 수 있다.The
압력 스위치(112c)는 공급되는 질소 가스의 압력을 일정 이상으로 유지하기 위해 구비될 수 있으며, 질소 가스의 압력을 조절하기 위해 구비된다.The
필터(112d)는 레귤레이터(112b)의 후단에 배치되고, 공급되는 질소 가스에 포함될 수 있는 이물질을 필터링하기 위해 구비된다.The
유량제어기(112e)는 웨이퍼 이송부(120) 내부에 질소 가스가 대부분 채워질 수 있도록 공급되는 질소 가스의 유량을 제어한다. 따라서 웨이퍼 이송부(120) 내에 산소나 수분이 포함된 공기가 일정 이상 포함되면, 공급되는 질소 가스의 양이 많아지도록 제어할 수 있다. 즉, 유량제어기(112e)는 웨이퍼 이송부(120) 내부에 질소 가스가 일정 이상이 유지되도록 제어할 수 있다. 다시 말해, 유량제어기(112e)는 웨이퍼 이송부(120) 내부에 공급되는 질소 가스의 공급량을 조절할 수 있다.The
공압밸브(112f)는, 질소 분배기(114) 내에 질소 가스의 압력을 제어하기 위해 구비된다.The
상기와 같이, 외부에 저장된 질소 가스는, 공급밸브(112a), 레귤레이터(112b), 필터(112d), 유량제어기(112e) 및 공압밸브(112f)를 거쳐 질소 가스 공급라인(SL)을 따라 질소 분배기(114)에 공급될 수 있다. 이렇게 공급된 질소 가스는, 질소 분배기(114) 내의 송풍팬에 의해 팬필터 유닛(116)을 거쳐 웨이퍼 이송부(120)로 공급될 수 있다. 그리고 웨이퍼 이송부(120)로 공급된 질소 가스는 앞서 설명한 제1 덕트(132) 및 제2 덕트(134)를 통해 질소 가스 순환라인(CL)을 따라 다시 질소 분배기(114)로 공급되어 순환될 수 있다. 이때, 질소 가스 순환라인(CL)에는 질소 농도계(ND)가 구비될 수 있다. 질소 농도계(ND)는 순환되는 대기에 포함된 질소 가스의 농도를 측정한다.As described above, the nitrogen gas stored externally is nitrogen along the nitrogen gas supply line SL through the
그리고 질소 농도계(ND)에서 측정된 질소 가스의 농도에 따라 질소공급기(112)에서 추가로 질소 가스가 질소 분배기(114)로 공급될 수 있다.In addition, nitrogen gas may be additionally supplied to the
또한, 질소 가스 순환라인(CL)에 산소 센서(OS)가 추가로 배치될 수 있다. 산소 센서(OS)는, 도시된 바와 같이, 웨이퍼 이송부(120)에서 배출되어 질소공급부(110)로 공급되는 제1 덕트(132)) 및 제2 덕트(134) 내에 설치될 수 있다. 즉, 산소 센서(OS)는 웨이퍼 이송부(120)에서 배출되는 대기 내에 산소의 양을 측정한다. 질소 농도계(ND)는 대기 내의 질소의 농도를 측정하는데, 이렇게 질소 농도와 함께, 대기 내에 포함된 산소량을 산소 센서(OS)를 이용하여 측정한다. 대기 내에 포함된 산소량을 측정함에 따라 웨이퍼 이송부(120)를 채운 대기에 포함된 산소 및 습도를 관리할 수 있다.In addition, an oxygen sensor OS may be additionally disposed in the nitrogen gas circulation line CL. As illustrated, the oxygen sensor OS may be installed in the
이때, 웨이퍼 이송부(120)의 대기에 포함된 산소량이 일정 이상인 경우, 유량제어기(112e)는 질소공급부(110) 내에 공급되는 질소 가스의 양을 증가시켜 공급되도록 제어할 수 있다.At this time, when the amount of oxygen contained in the atmosphere of the
그리고 산소 센서(OS)에서 측정된 결과 웨이퍼 이송부(120)의 대기에 포함된 산소량이 일정 이상인 경우, 질소 가스 순환라인(CL)에 포함된 대기를 외부로 배출시키기 위한 배출 라인(EL)이 배치될 수 있다. 배출 라인(EL)은 스로틀 밸브(TV)가 배치될 수 있으며, 질소 가스 순환라인(CL)의 대기를 외부로 배출하기 위해 스로틀 밸브(TV)가 개방될 수 있다.In addition, when the amount of oxygen contained in the atmosphere of the
이렇게 배출 라인(EL)을 통해 웨이퍼 이송부(120) 내의 대기를 외부로 배출함에 따라 웨이퍼 이송부(120) 내에서 산소 및 습도가 포함된 대기를 외부로 배출시킬 수 있다. 그리고 질소 가스 공급라인(SL)을 통해 지속적으로 질소 가스가 공급됨에 따라 웨이퍼 이송부(120) 내의 대기는 질소 가스의 농도가 높아질 수 있다.As the atmosphere in the
위에서 설명한 바와 같이 본 발명에 대한 구체적인 설명은 첨부된 도면을 참조한 실시예에 의해서 이루어졌지만, 상술한 실시예는 본 발명의 바람직한 예를 들어 설명하였을 뿐이므로, 본 발명이 상기 실시예에만 국한되는 것으로 이해돼서는 안 되며, 본 발명의 권리범위는 후술하는 청구범위 및 그 등가개념으로 이해되어야 할 것이다.As described above, a detailed description of the present invention has been made by an embodiment with reference to the accompanying drawings, but the above-described embodiment has been described with reference to a preferred example of the present invention, so that the present invention is limited to the above embodiment. It should not be understood, and the scope of the present invention should be understood as the following claims and equivalent concepts.
100: 프론트엔드 모듈
110: 질소공급부
112: 질소공급기
112a: 공급밸브
112b: 레귤레이터
112c: 압력 스위치
112d: 필터
112e: 유량제어기
112f: 공압밸브
114: 질소 분배기
116: 팬필터 유닛
120: 웨이퍼 이송부
122: 대기 로봇
132: 제1 덕트
134: 제2 덕트
142: 프레임
144: 커버
146: 실링부
OS: 산소 센서
ND: 질소 농도계
TV: 스로틀 밸브100: frontend module
110: nitrogen supply unit
112: nitrogen supplier
112a: supply valve
112b: regulator
112c: pressure switch
112d: filter
112e: flow controller
112f: pneumatic valve
114: nitrogen distributor
116: fan filter unit
120: wafer transfer unit
122: standby robot
132: first duct
134: second duct
142: frame
144: cover
146: sealing part
OS: oxygen sensor
ND: nitrogen concentration meter
TV: throttle valve
Claims (12)
상기 웨이퍼 이송부의 상부에 배치되고, 상기 웨이퍼 이송부에 질소 가스를 공급하는 질소공급부; 및
상기 웨이퍼 이송부에서 상기 질소공급부로 질소 가스가 이동되는 하나 이상의 덕트를 포함하고,
상기 질소공급부에서 상기 웨이퍼 이송부로 공급된 질소 가스는 상기 하나 이상의 덕트를 통해 상기 질소공급부로 공급되어 순환되는 프론트엔드 모듈.A wafer transfer unit having a standby robot therein to transfer wafers between the load port and the load lock chamber;
A nitrogen supply unit disposed above the wafer transfer unit and supplying nitrogen gas to the wafer transfer unit; And
And one or more ducts through which nitrogen gas is moved from the wafer transfer unit to the nitrogen supply unit,
The nitrogen gas supplied from the nitrogen supply unit to the wafer transfer unit is supplied to the nitrogen supply unit through the at least one duct and is circulated.
외부에서 질소 가스를 공급받아 상기 웨이퍼 이송부로 공급하기 위한 질소공급기; 및
상기 질소공급기에서 공급된 질소 가스를 상기 웨이퍼 이송부에 공급하기 위해 내부에 하나 이상의 송풍팬이 구비된 질소 분배기를 포함하는 프론트엔드 모듈.The method according to claim 1, wherein the nitrogen supply unit,
A nitrogen supplier for receiving nitrogen gas from the outside and supplying it to the wafer transfer unit; And
A front-end module comprising a nitrogen distributor having at least one blowing fan therein to supply the nitrogen gas supplied from the nitrogen supplier to the wafer transfer unit.
상기 질소 분배기 및 웨이퍼 이송부의 사이에 배치되고, 상기 질소 분배기에서 공급되는 질소 가스에서 이물질을 필터링하는 팬필터 유닛을 더 포함하는 프론트엔드 모듈.The method according to claim 2,
The front end module further comprises a fan filter unit disposed between the nitrogen distributor and the wafer transfer unit and filtering foreign substances from nitrogen gas supplied from the nitrogen distributor.
상기 질소공급기는, 상기 공급된 질소 가스의 유량을 조절하기 위한 유량제어기를 포함하는 프론트엔드 모듈.The method according to claim 2,
The nitrogen supplier, a front-end module including a flow controller for adjusting the flow rate of the supplied nitrogen gas.
상기 웨이퍼 이송부 내의 대기에서 질소 가스의 농도를 측정하는 질소 농도계를 더 포함하고,
상기 유량제어기는, 상기 질소 농도계에서 측정된 질소 가스의 농도에 따라 상기 웨이퍼 이송부에 공급되는 질소 가스의 유량을 제어하는 프론트엔드 모듈.The method of claim 4,
Further comprising a nitrogen concentration meter for measuring the concentration of nitrogen gas in the atmosphere in the wafer transfer unit,
The flow controller is a front-end module that controls the flow rate of nitrogen gas supplied to the wafer transfer unit according to the concentration of nitrogen gas measured by the nitrogen concentration meter.
상기 질소 분배기는, 외부 공기가 유입되지 않도록 밀폐된 프론트엔드 모듈.The method according to claim 2,
The nitrogen distributor is a front-end module sealed so that outside air is not introduced.
상기 웨이퍼 이송부는 외부 공기가 유입되지 않도록 밀폐된 프론트엔드 모듈.The method according to claim 1,
The wafer transfer unit is a front-end module sealed to prevent external air from entering.
상기 하나 이상의 덕트는, 상기 웨이퍼 이송부의 타 측에 배치되며, 상기 웨이퍼 이송부의 양 측단 중 어느 하나에 배치된 프론트엔드 모듈.The method according to claim 1,
The one or more ducts are disposed on the other side of the wafer transfer unit, and the front end module is disposed at any one of both side ends of the wafer transfer unit.
상기 하나 이상의 덕트는 두 개가 구비되고,
상기 두 개의 덕트는 상기 웨이퍼 이송부의 양 측단에 각각 배치되며,
상기 두 개의 덕트 사이에 상기 로드락 챔버가 상기 웨이퍼 이송부와 연결된 프론트엔드 모듈.The method according to claim 8,
Two of the at least one duct is provided,
The two ducts are respectively disposed at both side ends of the wafer transfer unit,
A front end module in which the load lock chamber is connected to the wafer transfer unit between the two ducts.
상기 웨이퍼 이송부의 일 측에 상기 로드포트가 연결된 프론트엔드 모듈.The method of claim 9,
A front-end module to which the load port is connected to one side of the wafer transfer unit.
상기 웨이퍼 이송부에서 배출되어 상기 질소공급부로 공급되는 대기에 포함된 산소량을 측정하는 산소 센서를 더 포함하고,
상기 유량제어기는, 상기 산소 센서에서 측정된 산소량에 따라 상기 웨이퍼 이송부에 공급되는 질소 가스의 유량을 제어하는 프론트엔드 모듈.The method of claim 4,
Further comprising an oxygen sensor for measuring the amount of oxygen contained in the atmosphere discharged from the wafer transfer unit and supplied to the nitrogen supply unit,
The flow controller is a front end module for controlling the flow rate of nitrogen gas supplied to the wafer transfer unit according to the amount of oxygen measured by the oxygen sensor.
상기 웨이퍼 이송부에서 배출된 대기에 포함된 산소량이 일정 이상인 경우, 상기 웨이퍼 이송부에서 배출된 대기를 외부로 배출시키기 위한 밸브를 더 포함하는 프론트엔드 모듈.The method according to claim 11,
When the amount of oxygen contained in the atmosphere discharged from the wafer transfer unit is more than a certain amount, the front end module further comprising a valve for discharging the atmosphere discharged from the wafer transfer unit to the outside.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020190013485A KR20200095744A (en) | 2019-02-01 | 2019-02-01 | Equipment front end mocule of wafer transferring apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020190013485A KR20200095744A (en) | 2019-02-01 | 2019-02-01 | Equipment front end mocule of wafer transferring apparatus |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20200095744A true KR20200095744A (en) | 2020-08-11 |
Family
ID=72048577
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020190013485A KR20200095744A (en) | 2019-02-01 | 2019-02-01 | Equipment front end mocule of wafer transferring apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20200095744A (en) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150009421A (en) | 2013-07-16 | 2015-01-26 | 신포니아 테크놀로지 가부시끼가이샤 | Efem, load port |
-
2019
- 2019-02-01 KR KR1020190013485A patent/KR20200095744A/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150009421A (en) | 2013-07-16 | 2015-01-26 | 신포니아 테크놀로지 가부시끼가이샤 | Efem, load port |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6349750B2 (en) | EFEM | |
JP7008834B2 (en) | Substrate processing equipment and method using filter purge of factory interface chamber | |
JP6822953B2 (en) | Substrate processing systems, equipment, and methods with environmental control of substrate carriers and purge chambers | |
KR100799415B1 (en) | Purge system for a product container and table for use in the purge system | |
WO2016136431A1 (en) | Transfer chamber | |
JP7125589B2 (en) | EFEM system and gas supply method in EFEM system | |
JP7037049B2 (en) | EFEM | |
US20200219744A1 (en) | Semiconductor manufacturing device | |
JP6599599B2 (en) | EFEM system | |
US11823934B2 (en) | Wafer stocker | |
JP6583482B2 (en) | EFEM | |
KR20200095744A (en) | Equipment front end mocule of wafer transferring apparatus | |
JP7417023B2 (en) | EFEM | |
JP6853489B2 (en) | EFEM | |
US11515177B2 (en) | Circulating EFEM | |
JP7048885B2 (en) | EFEM | |
KR102226506B1 (en) | Apparatus for reducing moisture of front opening unified pod in transfer chamber and semiconductor process device comprising the same | |
KR20210023653A (en) | Apparatus for reducing moisture of front opening unified pod in load port module and semiconductor process device comprising the same | |
JP7277813B2 (en) | Conveying system and container opening/closing device | |
JP2023031991A (en) | EFEM, inert gas supply control method | |
KR20230123435A (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP2023083554A (en) | Efem |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
X091 | Application refused [patent] | ||
AMND | Amendment | ||
X601 | Decision of rejection after re-examination |