JP7125265B2 - 基板加熱装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
まず、RFプレート工程S1及びヒータプレート準備工程S2として、窒化アルミニウム粉末に3質量%の酸化イットリウム粉末を添加してなる原料粉末を用意した。厚さ100μmのモリブデン製の箔を所定の形状に形成して、RF電極14を得た。また、直径0.1mmのモリブデン製のメッシュ(線径0.1mm、#50、平織り)を所定の形状となるように裁断して、ヒータ電極15を得た。
実施例2においては、実施例1とは、ヒータプレート12の原料粉末が窒化アルミニウム粉末のみからなるものあること、及び中間プレート13の厚さを10mmとしたことだけが相違する。測定されたリーク電流は1mA未満と非常に小さく、リーク電流が十分に抑制されていることが分かった。なお、実施例1と同様に、RF電極14とヒータ電極15との間の絶縁抵抗は0.1MΩ以上を確保していた。
実施例3においては、実施例1とは、中間プレート13の素材が六方晶窒化ホウ素であることだけが相違する。三塩化二ホウ素(BCl3)とアンモニア(NH3)との混合物を熱CVD法により2000℃にてカーボン製の基材上に製膜させ、その後、カーボン製の基材を除去することにより製作した六方晶窒化ホウ素の基体を、厚みを1mmとしたこと以外は実施例1と同様の形状に形成して、中間プレート13を得た。
実施例4においては、実施例1とは、中間プレート13の素材がアルミナ焼結多孔体であることだけが相違する。中間プレート13の原料粉末として、純度99.9%以上、平均粒径20μmのアルミナ粉末を用意した。この原料粉末を成形型に入れて1600℃の温度下で、2時間、5MPaでホットプレス焼成して、気孔率23%、平均気孔穴径3μmのアルミナ焼結多孔体を得た。そして、これを実施例1と同様の形状に形成して、中間プレート13を得た。
実施例5においては、実施例1とは、中間プレート13の素材が石英ガラス多孔体であることだけが相違する。中間プレート13は、石英粉末を混ぜたスラリーを型に流し込み、ゲルキャスト法によりゼリー状に成形し焼成することにより製作された、気孔率30%、平均気孔穴径10μm、平均線膨張係数0.6ppm/Kの石英ガラス多孔体を実施例1と同様の形状に形成して得た。
実施例6においては、実施例3と構成が同じであるが、温度を800℃で評価した。リーク電流は1mA未満と非常に小さく、リーク電流が十分に抑制されていることが分かった。また、RF電極14とヒータ電極15との間の絶縁抵抗は1MΩ以上を確保していた。
実施例7においては、実施例1と構成が同じであるが、温度を650℃で評価した。リーク電流は1mA未満と非常に小さく、リーク電流が十分に抑制されていることが分かった。また、RF電極14とヒータ電極15との間の絶縁抵抗は0.1MΩ以上を確保していた。
比較例においては、実施例1とは、中間プレート13が存在しないことだけが相違する。測定されたリーク電流は10mA未満と大きく、リーク電流が十分に抑制されていないことが分かった。
Claims (3)
- 基板を載置する基板載置面を有し、第1の導体が内蔵され、窒化アルミニウムからなる第1の基体と、
第2の導体が内蔵され、窒化アルミニウムからなる第2の基体と、
金属不純物の含有量が10ppm以下である石英ガラス多孔体からなる中間体とを備え、
前記第1の基体と前記第2の基体との間に前記中間体が位置し、かつ前記基板載置面が露出するように、前記第1の基体、前記第2の基体及び前記中間体が結合されていることを特徴とする基板加熱装置。 - 前記第1の基体には前記基板載置面と反対の面に開口する雌ねじ穴が形成されており、前記第2の基体及び前記中間体にはそれぞれ貫通孔が形成されており、
前記雌ねじ穴と螺合している雄ねじ部を有し、かつ、前記第2の基体及び前記中間体の各前記貫通孔を挿通しているねじ部材によって、前記第1の基体、前記第2の基体及び前記中間体が機械的に結合されていることを特徴とする請求項1に記載の基板加熱装置。 - 基板を載置する基板載置面を有し、第1の導体が内蔵され、窒化アルミニウムからなる第1の基体を準備する工程と、
第2の導体が内蔵され、窒化アルミニウムからなる第2の基体を準備する工程と、
金属不純物の含有量が10ppm以下である石英ガラス多孔体からなる中間体を準備する工程と、
前記第1の基体と前記第2の基体との間に前記中間体が位置し、かつ前記基板載置面が露出するように、前記第1の基体、前記第2の基体及び前記中間体を結合する工程とを備えることを特徴とする基板加熱装置の製造方法。
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JP2018018509A JP7125265B2 (ja) | 2018-02-05 | 2018-02-05 | 基板加熱装置及びその製造方法 |
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