JP7108427B2 - シーム溶接装置 - Google Patents

Description

本発明は、例えばＩＣ、水晶振動子等の回路素子の容器に蓋を溶接するシーム溶接装置に関するものである。

ＩＣ、水晶振動子等の回路素子の封止作業は、パッケージにこれらの回路素子を収納して、配線や試験調整作業を行った後の最終製造工程として行われる。封止方法としては、樹脂封止、気密封止などがある。
気密封止法は、金属又はセラミックスのパッケージの中に素子を収納固定し、不活性ガス雰囲気中あるいは真空中でリッド（蓋）をかぶせて素子を完全に密封する方法である。この気密封止法によれば、水分などの不純物の侵入がなく、また局所加熱による封止なので、熱応力の影響も少なく樹脂封止に比べて高い封止信頼性を得ることができる。

この気密封止法のひとつであるシーム溶接法を用いて、パッケージにリッドを溶接するシーム溶接装置がある。このシーム溶接装置は、円板状のローラ電極によってワークに圧力を加えながら電流を流すことにより、発生するジュール熱によってワークを溶融させて接合を得るものである（特許文献１参照）。

図７は従来のシーム溶接装置によるシーリング作業を説明する図である。シーム溶接装置は、円板状のローラ電極１０ａ，１０ｂと、ローラ電極１０ａ，１０ｂに給電する導電シャフト１１ａ，１１ｂと、導電シャフト１１ａ，１１ｂに給電する電極ホルダ１２ａ，１２ｂと、電極ホルダ１２ａ，１２ｂを保持する電極支持アーム１３ａ，１３ｂとを備えている。図７における１４はＩＣや水晶振動子等のチップ、１５は溶接対象のワークである。

ワーク１５は、チップ１４を収納するパッケージ１６と、金属製のリッド（蓋）１９とからなる。パッケージ１６は、平面視四角形のセラミック製の基台１７と、基台１７上に形成された平面視角環状の金属製のリング１８とからなる。リッド１９は、底全面が開いた直方体状の頂部２０と、頂部２０の最下部から水平方向に延びる平面視四角形のフランジ部２１とからなり、水平方向と垂直な平面で切断した断面形状がハット形の形状を有している。

従来のシーム溶接装置は、リッド１９のフランジ部２１にローラ電極１０ａ，１０ｂを所定の圧力下で接触させる。そして、ワーク１５（パッケージ１６とリッド１９）を載置した図示しないトレイあるいは電極支持アーム１３ａ，１３ｂを移動させながら、電極ホルダ１２ａ、導電シャフト１１ａ、ローラ電極１０ａ、リッド１９、ローラ電極１０ｂ、導電シャフト１１ｂ、電極ホルダ１２ｂという経路で電流を流すことにより、リッド１９がパッケージ１６に溶接される。周知のとおり、円柱状の導電シャフト１１ａ，１１ｂは、それぞれ電極ホルダ１２ａ，１２ｂの貫通穴に挿入されて支えられており、滑り摩擦で回転するようになっている。ローラ電極１０ａ，１０ｂは、導電シャフト１１ａ，１１ｂの一端に取付けられている。電極ホルダ１２ａ，１２ｂは、導電シャフト１１ａ，１１ｂの軸受として機能すると同時に、導電シャフト１１ａ，１１ｂに電流を供給する役目を果たす。

ところで、リッドの形状として、図７に示すようなハット形の断面形状のリッド１９が用いられることがあり、リッド１９の溶接相手として、基台１７上にリング１８が形成されたパッケージ１６が用いられることがある。このようなパッケージ１６とリッド１９とを溶接対象のワーク１５とする場合、パッケージ１６を上から見たときに、図８（Ａ）に示すように平面視角環状の金属製のリング１８が平面視四角形の基台１７上に正しい角度で形成されている場合だけでなく、製造誤差により図８（Ｂ）に示すように基台１７の平面内でリング１８が回転した状態で形成されている場合が有り得る。

このようなパッケージ１６の上にリッド１９を搭載する際には、カメラを利用した画像認識技術によりパッケージ１６のリング１８の位置を認識して、リング１８の上にリッド１９を正確に搭載することができる。また、リッド１９の搭載後に不活性ガス雰囲気中で溶接を行う場合には、同様にカメラを利用した画像認識技術によりリッド１９の位置を認識して、リッド１９のフランジ部２１にローラ電極１０ａ，１０ｂを正確に接触させることができる。

一方、真空中で溶接を行う場合、真空チャンバー内に真空対応のカメラを入れる必要があるが、真空中では空気の対流によって熱を逃がすことができなくなるため、冷却などの技術的に困難な問題が発生し、費用がかかるという問題があった。
真空中でカメラを使用せずに溶接を行う場合には、装置の機械的な精度のみによってリッド１９の位置を判断することになるため、リッド１９のフランジ部２１を広くするようにしていた。

フランジ部２１を広くする理由は、図８（Ｂ）のような状態のパッケージ１６にリッド１９を搭載すると、図９に示すように基台１７の平面内でリッド１９が回転した状態で搭載されることになり、このようなワーク１５を溶接する場合に図１０に示すようにリッド１９の頂部２０の側壁がローラ電極１０ａ，１０ｂと接触してしまう可能があるからである。頂部２０の側壁がローラ電極１０ａ，１０ｂと接触してしまうと、溶接電流がフランジ部２１と頂部２０の側壁とに分流してしまい、溶接が不可能となる。
一方、リッド１９のフランジ部２１を広くすると、パッケージ１６の容量が少なくなり、必要なデバイスをパッケージ１６に収納できない可能性があった。

特開平７－２８４９５９号公報

本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、ローラ電極がリッドの頂部と接触する可能性を低減することができるシーム溶接装置を提供することを目的とする。

本発明のシーム溶接装置は、１対のローラ電極を導電シャフトを介して回動自在に軸支すると同時に前記１対のローラ電極に給電するシームヘッドと、パッケージとこのパッケージ上に載置されるリッドとからなる溶接対象のワークと、前記１対のローラ電極とが接近し接触した後に離れるように、前記ワークまたは前記シームヘッドのいずれかを第１の方向に移動させる駆動機構と、前記ワークと前記１対のローラ電極とが接触する直前の位置に、前記第１の方向と直角な水平方向である第２の方向に沿って並んで配置されるように前記シームヘッドに固定された１対のワークガイドとを備え、前記１対のワークガイドは、底全面が開いた直方体状の頂部とこの頂部の最下部から水平方向に延びる平面視四角形のフランジ部とからなる、断面形状がハット形の前記リッドに対し、前記１対のローラ電極が前記フランジ部の前記第１の方向の２辺と接触して、この２辺が前記パッケージに溶接されるように、前記ワークの前記第２の方向の位置を規制すると同時に前記第１、第２の方向に平行な面内での前記ワークの回転角度を規制することを特徴とするものである。

また、本発明のシーム溶接装置の１構成例において、前記１対のワークガイドは、前記ワークと接近するときの下端の高さが、前記リッドのフランジ部の上面よりも高くなるように配置され、前記１対のワークガイドの前記第２の方向の最小間隔は、前記１対のローラ電極の前記第２の方向の間隔よりも狭く、かつ前記リッドの頂部の前記第２の方向の最大寸法よりも広く設定されていることを特徴とするものである。
また、本発明のシーム溶接装置の１構成例において、前記１対のワークガイドは、溶接開始時に前記ワークと近い側の先端部において前記第２の方向の間隔が最大となり、前記第１の方向に沿って前記１対のローラ電極に近づくに従って間隔が漸次狭くなり、前記最小間隔に達したところで間隔一定となることを特徴とするものである。

本発明によれば、ワークガイドを設けることにより、リッドのフランジ部がローラ電極と接触し、リッドの頂部がローラ電極と接触しないように、位置および回転角度を整えた状態でワークをローラ電極の位置に導くことができるので、画像認識技術を用いることが難しい真空中であっても、ローラ電極がリッドの頂部に接触する可能性を低減することができる。その結果、本発明では、リッドのフランジ部を広くとる必要がなくなるので、パッケージの容量低下を回避することができる。

図１は、本発明の実施例に係るシーム溶接装置のシームヘッドの構造を示す斜視図である。 図２は、整列機構を装着していない従来のシームヘッドの構造を示す斜視図である。 図３は、本発明の実施例に係るシーム溶接装置の電気的な接続関係を示すブロック図である。 図４は、本発明の実施例に係るシーム溶接装置を用いる前のシーリング作業を説明する側面図および平面図である。 図５は、溶接開始直前のワークと本発明の実施例に係るシーム溶接装置のシームヘッドとの位置関係を示す平面図、正面図および側面図である。 図６は、本発明の実施例に係るシーム溶接装置のＹ方向の溶接時の動作を説明するフローチャートである。 図７は、従来のシーム溶接装置によるシーリング作業を説明する図である。 図８は、溶接対象のパッケージの平面図である。 図９は、従来のワークのばらつきの問題を説明する平面図である。 図１０は、従来のシーム溶接装置の問題を説明する断面図である。

以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する。図１は本発明の実施例に係るシーム溶接装置のシームヘッドの構造を示す斜視図であり、図７と同一の構成には同一の符号を付してある。本実施例のシームヘッド１は、従来と同様に、金属等の導電材料からなる円板状の１対のローラ電極１０ａ，１０ｂと、ローラ電極１０ａ，１０ｂに給電する、金属等の導電材料からなる円柱状の導電シャフト（図７の１１ａ，１１ｂ、図１では不図示）と、導電シャフト１１ａ，１１ｂを回動自在に軸支すると同時に導電シャフト１１ａ，１１ｂに給電する、金属等の導電材料からなる電極ホルダ１２ａ，１２ｂと、電極ホルダ１２ａ，１２ｂを吊り下げる形で支持する金属製の電極支持アーム１３ａ，１３ｂと、電極支持アーム１３ａ，１３ｂをＺ方向に移動させることが可能なシームヘッド駆動機構（不図示）とを備えている。

さらに、本実施例は、シームヘッド１に整列機構２を装着したことを特徴としている。整列機構２は、溶接時にワークとローラ電極１０ａ，１０ｂとが所定の位置関係になるように溶接対象のワークを導く１対の金属製のワークガイド３ａ，３ｂと、ワークとローラ電極１０ａ，１０ｂとが接触する直前の位置に配置されるようにワークガイド３ａ，３ｂを吊り下げる形で支持する１対の金属製のワークガイド支持アーム４ａ，４ｂとから構成される。

ワークガイド支持アーム４ａ，４ｂの下端にワークガイド３ａ，３ｂが固定され、ワークガイド支持アーム４ａ，４ｂの上端が電極支持アーム１３ａ，１３ｂに固定されている。比較のために、整列機構を装着していない従来のシームヘッドを図２に示す。

従来と同様に、ワーク１５は、チップを収納するパッケージ１６と、リッド１９とからなる。パッケージ１６は、平面視四角形のセラミック製の基台１７と、基台１７上に形成された平面視角環状の金属製のリング１８とからなる。リッド１９は、底全面が開いた直方体状の頂部２０と、頂部２０の最下部から水平方向に延びる平面視四角形のフランジ部２１とからなり、水平方向と垂直な平面（ＸＺ平面およびＹＺ平面）で切断した断面形状がハット形の形状を有している。パッケージ１６のリング１８は、平面視角環状の形状を有し、そのＸ方向、Ｙ方向の寸法はリッド１９のフランジ部２１の外縁のＸ方向、Ｙ方向の寸法と略一致している。このような寸法設定により、リング１８の上にリッド１９のフランジ部２１の外縁を載せられるようになっている。

図３は本実施例に係るシーム溶接装置の電気的な接続関係を示すブロック図である。シーム溶接装置は、シームヘッド１を駆動するシームヘッド駆動機構１００と、ワーク１５が載置されたトレイを水平方向に動かすことが可能なＸＹステージ駆動機構１０１と、ローラ電極１０ａ，１０ｂに電流を供給する電源１０２と、シーム溶接装置全体を制御する制御部１０３と、制御部１０３のプログラムとシーム溶接装置の動作の情報などを予め記憶する記憶部１０４と、ユーザがシーム溶接装置に指示を与えるための操作部１０５とを備えている。制御部１０３は、シームヘッド駆動機構１００を制御するシームヘッド駆動機構制御部１０３ａと、ＸＹステージ駆動機構１０１を制御するＸＹステージ駆動機構制御部１０３ｂと、電源１０２を制御する電源制御部１０３ｃとから構成される。

以下、本実施例のシーム溶接装置の動作を説明する。本実施例では、ワーク１５の仮付けおよびＸ方向（第２の方向）のシーム溶接を不活性ガス雰囲気中で事前に行い、Ｘ方向と直交するＹ方向（第１の方向）のシーム溶接を図１のシームヘッド１を用いて真空中で行うことを想定している。したがって、シームヘッド１とシームヘッド駆動機構１００とＸＹステージとＸＹステージ駆動機構１０１とは、図示しない真空チャンバー内に設けられる。

Ｘ方向のシーム溶接について簡単に説明する。図４（Ａ）はＸ方向の溶接開始時のワーク１５とローラ電極との位置関係を示す側面図、図４（Ｂ）は溶接開始時のワーク１５とローラ電極との位置関係を示す平面図、図４（Ｃ）は溶接中のワーク１５とローラ電極との位置関係を示す側面図、図４（Ｄ）は溶接中のワーク１５とローラ電極との位置関係を示す平面図、図４（Ｅ）は溶接終了時のワーク１５とローラ電極との位置関係を示す側面図、図４（Ｆ）は溶接終了時のワーク１５とローラ電極との位置関係を示す平面図である。

Ｘ方向の溶接開始時に、図４（Ａ）、図４（Ｂ）に示すように、ローラ電極３０ａ，３０ｂをリッド１９に所定の圧力下で接触させる。このとき、図１０で説明した溶接電流の分流を防ぐため、ローラ電極３０ａ，３０ｂをリッド１９のフランジ部２１と接触させ、ローラ電極３０ａ，３０ｂがリッド１９の頂部２０と接触しないようにする。上記のとおり、このような位置決めは、カメラを利用した画像認識技術により実現することができる。

そして、リッド１９にローラ電極３０ａ，３０ｂを接触させた状態で、ワーク１５を載せたトレイ３２をＸ方向に沿って移動させながら、図示しない電源から導電シャフト３１ａ、ローラ電極３０ａ、リッド１９、ローラ電極３０ｂ、導電シャフト３１ｂという経路で電流を流す。こうして、図４（Ｃ）、図４（Ｄ）に示すように、ローラ電極３０ａ，３０ｂが回転しながら、移動中のリッド１９のフランジ部２１と接触することにより、抵抗発熱でフランジ部２１とパッケージ１６のリング１８とを溶融させる。これにより、フランジ部２１のＸ方向の２辺がパッケージ１６に溶接される。図４（Ｅ）、図（Ｆ）の状態で溶接終了となる。

なお、以上のようなＸ方向の本付けの前にＸ方向の仮付けが行われる。仮付けは、リッド１９のフランジ部２１にローラ電極３０ａ，３０ｂを接触させて溶接電流を極短時間印加すればよく、周知の技術であるので、詳細な説明は省略する。

次に、本実施例のシーム溶接装置を用いたＹ方向のシーム溶接について説明する。図５（Ａ）は溶接開始直前のワーク１５とシームヘッド１との位置関係を示す平面図、図５（Ｂ）は溶接開始直前のワーク１５とシームヘッド１との位置関係を示す正面図、図５（Ｃ）は溶接開始直前のワーク１５とシームヘッド１との位置関係を示す側面図である。なお、図５（Ｃ）は、図５（Ｂ）のＡ－Ａ線の位置からＸ方向に沿って左側を見た側面図である。図６はＹ方向の溶接時のシーム溶接装置の動作を説明するフローチャートである。

上記のとおり、シームヘッド１とシームヘッド駆動機構１００とＸＹステージ３３とＸＹステージ駆動機構１０１とは、真空チャンバー内に設けられる。
仮付けおよびＸ方向のシーム溶接が終了したワーク１５は、トレイ３２上に載置された状態で図示しない搬送装置によって真空チャンバー内に搬送され、ＸＹステージ３３上に載置される。

制御部１０３のＸＹステージ駆動機構制御部１０３ｂは、ＸＹステージ駆動機構１０１を制御して、ワーク１５が所定の溶接開始位置に来るようにＸＹステージ３３を移動させる（図６ステップＳ１００）。このとき、ＸＹステージ駆動機構制御部１０３ｂは、トレイ３２上に載置されたワーク１５のＸ方向の中央位置と１対のローラ電極１０ａ，１０ｂ間（１対のワークガイド３ａ，３ｂ間）のＸ方向の中央位置とを略一致させる。トレイ３２上に機械的に載置されたワーク１５のＸ方向の大凡の中央位置は既知であるので、ＸＹステージ３３を移動させることで、ワーク１５を溶接開始位置に移動させることができる。なお、ＸＹステージ駆動機構１０１を用いる代わりに、シームヘッド駆動機構制御部１０３ａがシームヘッド駆動機構１００を制御して、溶接開始位置にあるワーク１５の所にシームヘッド１を移動させるようにしてもよい。

続いて、制御部１０３のシームヘッド駆動機構制御部１０３ａは、シームヘッド駆動機構１００を制御して、シームヘッド１を下降させる（図６ステップＳ１０１）。このとき、シームヘッド１の下降後の高さは、溶接時にローラ電極１０ａ，１０ｂがリッド１９のフランジ部２１と接触する高さに設定されている。また、ローラ電極１０ａ，１０ｂは、その回転軸がＸ方向と平行となり、溶接時にフランジ部２１のＹ方向の２辺の上を転がるようにして移動可能なように配置される。これにより、図５（Ａ）～図５（Ｃ）に示した状態となる。

次に、制御部１０３のＸＹステージ駆動機構制御部１０３ｂは、ＸＹステージ駆動機構１０１を制御して、図５（Ｃ）の矢印で示すようにＹ方向に沿ってＸＹステージ３３を移動させることにより、ワーク１５をローラ電極１０ａ，１０ｂの方に移動させる（図６ステップＳ１０２）。
ワーク１５がローラ電極１０ａ，１０ｂと接触する直前の位置には、ワークガイド３ａ，３ｂが配置されているので、Ｙ方向に移動するワーク１５がワークガイド３ａ，３ｂと接触する。

ここで、ワークガイド支持アーム４ａ，４ｂを介してシームヘッド１から吊り下がるように固定されたワークガイド３ａ，３ｂの下端の高さは、上記のようにシームヘッド１を下降させたときに、リッド１９のフランジ部２１の上面よりも僅かに高くなり、かつリッド１９の頂部２０の上面よりも低くなるように設定されている。このような高さに設定している理由は、ワークガイド３ａ，３ｂの下端と僅かに擦れ合いながら、もしくはワークガイド３ａ，３ｂの下端に触れることなく、ワーク１５がＹ方向に移動することができ、かつワーク１５（リッド１９）のＸ方向の位置およびＸＹ面内でのワーク１５（リッド１９）の回転角度を規制できるようにするためである。

また、シームヘッド１を下降させたときのワークガイド３ａ，３ｂの上端の高さは、ワーク１５（リッド１９）のＸ方向の位置およびＸＹ面内でのワーク１５（リッド１９）の回転角度を規制できる高さであればよい。

一方、図５（Ａ）に示すように、ワークガイド３ａとワークガイド３ｂのＸ方向の最小間隔ＷＧは、ローラ電極１０ａとローラ電極１０ｂのＸ方向の間隔ＷＥよりも僅かに狭く、かつリッド１９の頂部２０のＸ方向の最大寸法ＷＲよりも僅かに広く設定されている。このような寸法設定になっている理由は、ワークガイド３ａ，３ｂと僅かに擦れ合いながら、もしくはワークガイド３ａ，３ｂに触れることなく、ワーク１５がＹ方向に移動可能で、かつリッド１９のフランジ部２１がローラ電極１０ａ，１０ｂと接触し、リッド１９の頂部２０がローラ電極１０ａ，１０ｂと接触しないようにするためである。

また、溶接開始時にワーク１５と近い側の先端部においてワークガイド３ａ，３ｂのＸ方向の間隔が最大値（図１のＷＭ）となり、Ｙ方向に沿ってローラ電極１０ａ，１０ｂに近づくに従って間隔が漸次狭くなり、上記の最小間隔ＷＧに達したところで間隔一定となるように、各ワークガイド３ａ，３ｂは上から見た平面形状が先細りの形となっている。このような形状により、ワーク１５をローラ電極１０ａ，１０ｂの位置に円滑に導入することができる。

ローラ電極１０ａ，１０ｂに近づいたワーク１５は、ワークガイド３ａ，３ｂによってＸ方向の位置およびＸＹ平面内の回転角度が規制され、ローラ電極１０ａ，１０ｂに対して所定の位置関係になるように位置および回転角度が整えられた状態でフランジ部２１がローラ電極１０ａ，１０ｂと接触する。ここで、所定の位置関係とは、リッド１９のフランジ部２１がローラ電極１０ａ，１０ｂと接触し、リッド１９の頂部２０がローラ電極１０ａ，１０ｂと接触しない位置関係のことを言う。

制御部１０３の電源制御部１０３ｃは、電源１０２を制御し、所定の溶接開始タイミング（例えばリッド１９のフランジ部２１がローラ電極１０ａ，１０ｂと接触する直前のタイミング）で電極ホルダ１２ａと電極ホルダ１２ｂ間に電圧を印加させる。リッド１９のフランジ部２１がローラ電極１０ａ，１０ｂと接触すると、電源１０２から電極ホルダ１２ａ、導電シャフト（図７の１１ａ）、ローラ電極１０ａ、リッド１９、ローラ電極１０ｂ、導電シャフト（図７の１１ｂ）、電極ホルダ１２ｂという経路で溶接電流が流れる（図６ステップＳ１０３）。

こうして、ローラ電極１０ａ，１０ｂが回転しながら、移動中のリッド１９のフランジ部２１と接触することにより、抵抗発熱でフランジ部２１とパッケージ１６のリング１８とを溶融させる。これにより、フランジ部２１のＹ方向の２辺がパッケージ１６に溶接される。このときの溶接の様子を示す図は、図４（Ａ）～図４（Ｆ）のローラ電極３０ａ，３０ｂをローラ電極１０ａ，１０ｂに置き換え、Ｘ方向をＹ方向に置き換えた図に相当するので、図示は省略する。

制御部１０３の電源制御部１０３ｃは、電源１０２を制御し、所定の溶接終了タイミング（例えばリッド１９のフランジ部２１がローラ電極１０ａ，１０ｂから離れたタイミング）で溶接電流の流れを停止させる（図６ステップＳ１０４）。

なお、溶接電流を流し始める溶接開始タイミング、および溶接電流を停止する溶接終了タイミングは、シーム溶接装置の機械的精度によって決まる時間的精度で判断すればよい。溶接中の電流波形は良好な溶接特性が得られるように適宜決定すればよいので、詳細な説明は省略する。

制御部１０３のシームヘッド駆動機構制御部１０３ａは、シームヘッド駆動機構１００を制御して、シームヘッド１を上昇させる（図６ステップＳ１０５）。
そして、制御部１０３のＸＹステージ駆動機構制御部１０３ｂは、ＸＹステージ駆動機構１０１を制御して、ＸＹステージ３３を停止させる（図６ステップＳ１０６）。

以上で、Ｙ方向のシーム溶接が終了する。複数のワーク１５についてシーム溶接を順次行う場合には、図６の処理を繰り返すようにすればよい。ただし、図６はシーム溶接装置の動作の１例であって、本発明は図６の処理の順番に限定されるものではない。

こうして、本実施例では、シームヘッド１に整列機構２を設けることにより、リッド１９のフランジ部２１がローラ電極１０ａ，１０ｂと接触し、リッド１９の頂部２０がローラ電極１０ａ，１０ｂと接触しないように、位置および回転角度を整えた状態でワーク１５をローラ電極１０ａ，１０ｂの位置に導くことができるので、画像認識技術を用いることが難しい真空中であっても、ローラ電極１０ａ，１０ｂがリッド１９の頂部２０に接触する可能性を低減することができる。

なお、本実施例では、Ｙ方向の溶接時にＸＹステージ３３（ワーク１５）を移動させているが、これに限るものではなく、ＸＹステージ駆動機構１０１を用いる代わりに、シームヘッド駆動機構制御部１０３ａがシームヘッド駆動機構１００を制御して、Ｙ方向に沿ってシームヘッド１を移動させることにより、ローラ電極１０ａ，１０ｂをワーク１５の方に移動させるようにしてもよい。
また、本実施例では、Ｙ方向の溶接を真空中で行う例について説明しているが、不活性ガス雰囲気中で行ってもよいことは言うまでもない。

本実施例で説明した制御部１０３と記憶部１０４とは、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、記憶装置及びインタフェースを備えたコンピュータと、これらのハードウェア資源を制御するプログラムによって実現することができる。ＣＰＵは、記憶装置に格納されたプログラムに従って本実施例で説明した処理を実行する。

本発明は、シーム溶接に適用することができる。

１…シームヘッド、２…整列機構、３ａ，３ｂ…ワークガイド、４ａ，４ｂ…ワークガイド支持アーム、１０ａ，１０ｂ…ローラ電極、１１ａ，１１ｂ…導電シャフト、１２ａ，１２ｂ…電極ホルダ、１３ａ，１３ｂ…電極支持アーム、１４…チップ、１５…ワーク、１６…パッケージ、１７…基台、１８…リング、１９…リッド、２０…頂部、２１…フランジ部、３２…トレイ、３３…ＸＹステージ、１００…シームヘッド駆動機構、１０１…ＸＹステージ駆動機構、１０２…電源、１０３…制御部、１０３ａ…シームヘッド駆動機構制御部、１０３ｂ…ＸＹステージ駆動機構制御部、１０３ｃ…電源制御部、１０４…記憶部、１０５…操作部。

Claims (3)

1. １対のローラ電極を導電シャフトを介して回動自在に軸支すると同時に前記１対のローラ電極に給電するシームヘッドと、
   パッケージとこのパッケージ上に載置されるリッドとからなる溶接対象のワークと、前記１対のローラ電極とが接近し接触した後に離れるように、前記ワークまたは前記シームヘッドのいずれかを第１の方向に移動させる駆動機構と、
   前記ワークと前記１対のローラ電極とが接触する直前の位置に、前記第１の方向と直角な水平方向である第２の方向に沿って並んで配置されるように前記シームヘッドに固定された１対のワークガイドとを備え、
   前記１対のワークガイドは、底全面が開いた直方体状の頂部とこの頂部の最下部から水平方向に延びる平面視四角形のフランジ部とからなる、断面形状がハット形の前記リッドに対し、前記１対のローラ電極が前記フランジ部の前記第１の方向の２辺と接触して、この２辺が前記パッケージに溶接されるように、前記ワークの前記第２の方向の位置を規制すると同時に前記第１、第２の方向に平行な面内での前記ワークの回転角度を規制することを特徴とするシーム溶接装置。
2. 請求項１記載のシーム溶接装置において、
   前記１対のワークガイドは、前記ワークと接近するときの下端の高さが、前記リッドのフランジ部の上面よりも高くなるように配置され、
   前記１対のワークガイドの前記第２の方向の最小間隔は、前記１対のローラ電極の前記第２の方向の間隔よりも狭く、かつ前記リッドの頂部の前記第２の方向の最大寸法よりも広く設定されていることを特徴とするシーム溶接装置。
3. 請求項２記載のシーム溶接装置において、
   前記１対のワークガイドは、溶接開始時に前記ワークと近い側の先端部において前記第２の方向の間隔が最大となり、前記第１の方向に沿って前記１対のローラ電極に近づくに従って間隔が漸次狭くなり、前記最小間隔に達したところで間隔一定となることを特徴とするシーム溶接装置。

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